PEMBUATAN LAPISAN TIPIS TIT~IUM NITRIDA DENGAN MENGGUNAKAN METODA DC SPUTTERING

Transkripsi

1 Prosiding Prtmuan dan Prsntasi I/miah P3TM-BATAN. Yogyakarta Juti 1999 Buku I 47 PEMBUATAN LAPISAN TIPIS TIT~IUM NITRIDA DENGAN MENGGUNAKAN METODA DC SPUTTERING Sigit Hariyanto, Sudjatmoko, Anwar Budianto, Subarkah P3TM-Batan, Kotak Pos 1008, Yogyakarta ABSTRAK PEMBUATAN LAPISAN TIPIS TITANIUM NITR/DA DENGAN MENGGUNAKAN METODA DC SPUTTERING. Tlah dilakukan pross pmbuatan./apisan tipis Titanium Nitrida dngan mnggunakan mtoda dc sputtring. Targt Titanium murni diltakkan pada katoda, sdangkan substrat diltakkan pada anoda.pross sputtring trjadi pada targt stlah timbul lucutan pijar antara katoda-anoda,tgangan 3,5 Kj;': arus 30 ma Prbandingan campuran gas Ar dan N 2 divariasi antara sampai dngan , tkanan pada tabung plasma Torr. Dari hasil pngujian XRD mnunjukkan bahwa pada cuplikan stainlsstl trdapat tiga puncak intnsitas difraksi yang muncul. Dua puncak mrupakan latar dari substratnya, sdangkan satu puncak mrupakan difraksi lapisan tipis Titanium Nitrida pada jarak bidang 1,1393 A. Pngujian kkrasan mnunjukkan pada kamposisi campuran Ar dan N 2 dngan prbandingan kkrsan baja 410 KHN, sdangkan kkrasan Stain/sstl 335 KHN pada prbandingan Ar/N Untuk pngujian kkrasan pada brbagai prubahan suhu substrat, kkrasan optimum pada baja adalah 495 KHN dan kkrasan stain/sstl adalah 390 KHN pada suhu substrat skitar 350"C. Pngamatan mikrqskop lktron dngan prbsaran 2000 kali mnunjukkan bahwa pada posisi yang brbda ktbalan Japisan tipis Titanium Nitrida skitar 1,6 JJm. V ABSTRACT TITANIUM NITRIDE THIN FILM DEPOSITION BY DC SPUTTERING METODE. Titanium nitrid thin film dposition hav bn don by dc sputtring mtod. Th pur titanium targt was placd on th cathod, and th substrat was placd on th anod. Th sputtring procss appard on th targt, whn thr wr glow discharg btwn cathod-anod, th voltag was 3.5 kv; th currnt was 30 ma. Th ratio of gas mixtur of Ar and N 2 wr varid btwn 140 : 120 until 140 : 120. Th prssur of th plasma tub was torr. Th rsult of XRD tsting showd that thr wr thr paks of diffraction intnsity of V stainlss stl substrat. Two of thr paks wr background of th substrat, whil th othr was diffraction of titanium nitrid at th plan distanc of A. Th hardnss tsting showd that th ratio,~ of Ar/N2 = 140/60 hav hardnss 410 KHN for stl, thn th hardnss of stainlss stl was 335 KHN at th ratio of Ar/N2 = 140 /80. Th hardnss tsting of th substrat at various tmpratur showd optimum hardnss of stl 495 KHN and stainlss stl hardnss at 390 KHN at th tmpratur substrat 350"C. Th obsrvation of lctron microscop of 2000 magnification showd that th thicknss of titanium nitrid thin film was 1.6.urn at diffrnc position. PENDAHULUAN D wasa ini pmakaian bahan lapisan tipis tlah mnjangkau hampir pada smua bidang disiplin ilmu dad smakin banyak dilakukan. Di bidang mkanika dimanfaatkan untuk mmbuat suatu lapisan tipis yang mmpunyai sifat kras dipakai sbagai plindung srta mmpunyai daya tahan kausan dad tahan korosi. Dalam bidang lktronika, lapisan tipis untuk piranti lktronik, dilktrik, bahan pizolktrik dad gl surya srta banyak pmakaian lainnya. Ada bbrapa cara untuk mnghasilkan dposisi lapisan tipis, pada prinsipnya dngan pross PVD (physical vapor dposition) dan pross CVD (chmical vapor dposition). Pross PVD dapat dibagi mnjadi dua katagori, yaitu ppnguaapan panas dad pross sputtring. Pada pross pnguapan panas, bahan yang akan dibuat lapisan dipanaskan dahulu sampai trjadi pnguapan. Pross ini dapat ISSN dilakukan dngan cara dialiri arus listrik, mnggunakan brkas lasr daya tinggi yang difokuskan pada prmukaannya, atau juga mnggunakan msin brkas lktron. Pross sputtring biasanya disbut mtoda plasma dingin, dimana plasma dalam kadaan tidak stimbang trmal antara suhu lktron clan suhu gas. Plasma dingin trsbut dapat dihasilkan dngan bbrapa tknik, antara lain tknik lucutan pijar, lucutan frkunsi tinggi clan tknik lucutan glombang mikro. Dalam praktknya plasma dingin banyak digunakan sbagai tknik dposisi lapisan tipis atau pmbuatan lapisan tipis. Prparasi lapisan tipis dngan tknik sputtring, dapat dikatgorikan mnjadi bbrapa jnis : sistm sputtring diod pc, sputtring diod RF, sistm magntron sputtring. Dalam prkmbangannya dapat juga, dilakukan pnggabungan dari bbrapa sistm diatas, yaitu sistm sputtring diod DC magntron clan Sigit Hariyanto, dkk.

2 sputtring RF magntron. Sistm sputtring diod rf mmrlukan matching impdanc antara catu daya rf clan ruang lucutan. Impdansi dari catu daya rf hampir slalu 50 n sdangkan impdansi lucutan pijar brord I sampai dngan 10 Kn.(I,2). Pada sistm sputtring diod rf, frkunsi oprasi yang digunakan adalah 13,56 Mhz. Dalam mtoda sputtring untuk pross dposisi lapisan tipis trdapat bbrapa paramtr yang mnntukan sifat lapisan tip is yang trbntuk pada substrat (bahan), Paramtr trsbut antara lain adalah laju aliran gas, tkanan, rapat daya, suhu substrat clan lamanya pross dposisi. (1,2,3) Lapisan tip is TiN (Titanium Nitrida) pmakaiannyantara lain sbagai film plapis (war rsistant film) yaitu untuk plapisan pralatan mkanik, maupun pralatan kdktran shingga diprolh kualitas lbih baik antara lain tahan kkrasan maupun korosi. Slain itu dimanfaatkan juga sbagai "diffusion Barrir" untuk kontak dngan silikon dalam industri.(4) Pmakaian tknik sputtring untuk dposisi lapisan tipis TiN pada prmukaan bsi clan stainlsstl untuk mndapatkan sifat mkanik yang lbih baik dan tahan trhadap korosi. Salah satu kistimwaan dari pross dposisi lapisan tipis TiN dapat dibuat pada suhu rlatifrndah clan pross dposisi brlangsung rlatif cpat. Pada pnlitian ini akan dibuat lapisan tipis TiN pada pnnukaan baja dan stainlsstll dngan mtoda DC sputtring. Targt yang digunakan adalah Titanium murni srta gas isian Ar sbagai gas sputtr dan Nitrogn sbagai gas pncampur agar trbntuk paduan TiN DASAR TEORI Suatu pnnukaan padat atau disbut targt dijadikan sasaran pnmbakan partikl (ion) yang brnrgi tinggi, maka atom-atom pnnukaan bahan mmprolh nrgi yang cukup untuk mlpaskan diri dari pnnukaannya, pross sprti ini disbut sputtring ( Kiyata Wasa) Trjadinya pross sputtring diawali olh adanya tumbukan ion Argon dan atom-atom pnnukaan targt yang diikuti tumbukan k dua, k tiga dan strusny antar atomatom itu yang brada pada pnnukaan targt, shingga akan diprolh suatu tumbukan yang brhasil mlpaskan atom pnnukaan targt. Pada gambar I. ditunjukkan tumbukan ion pada pnnukaan targt pada pross sputtring. Ssuai dngan tori lastis, kmungkinan nrgi maksimum yang dipindahkan pada tumbukan prtama (Tm) Dimana M1 adalah massa ion datang, M2 masa atom targt, E adalah nrgi ion datang. Jumlah atom yang lpas dari prmukaan targt stiap trjadi tumbukan didtinisikan dngan S, scara pndkatanilainya sbanding dngan nrgi yang dipindahkan pada tumbukan prtama, dinyatakan dngan prsamaan : Il1n tm2t Gambar 1. Atom trsputtr ""'. 0 Ion datang I,,~""'" targt Ion trpntal Pross sputtring pada prmukaan targt. S=rk MiM2 E l(e)cosb(mim2)2.(2) Dimana k adalah konstata yang nilainya trgantung pada bahan targt, A adalah jjak bbas rrata untuk turnbukan lastik dkat prmukaan targt, dad adalah sudut antara normal prmukaan targt dad arab ion datang. Ion-ion yang trbntuk dalam plasma lucutan pijar diprcpat dalam darah cathoda fall mnuju k katoda dad mnumbuk prmukaan targt dad mnimbulkan pristiwa sputtring. Atom-atom targt yang trsputtr brtumbukan dngan molkulmolkul gas dad akhirnya trsbar pada prmukaan substrat. Jumlah partikl bahan targt yang trsputtr kmudian trdposit pada samail luas prmukaan substrat adalah : W=k -Wo I (3) pd Dimana kt adalah suatu konstanta, W 0 adalah jumlah partikl yang trsputtr dari satuan luas, p adalah tkanan gas lucutan, d adalah jarak lktroda dan t adalah waktu sputtr. Sdangkan partikl yang trsputtr dari satuan luasan targt dituliskan dalam bntuk prsamaan : J A Wo = (-:!:..)St(-) A. N 4MI,M2 (M1 + M2) Tm= E (1) Dimana J+ adalah rapat arus ion pada targt (katoda), adalah muatan lktron, A adalah brat (4)

3 atom targt yang trsputtr, dan N adalah bilangan avogadro. TAT A KERJA DAN PERCOBAAN Dalam pmbuatan lapisan tipis TiN acta bbrapa tahapan yang hams dijalankan, antara lain prsiapan bahan substrat, dposisi lapisan tipis k prmukaan substrat dati targt logam titanium dngan D.C. Sputtring dan karaktrisasi bahan basil pmbuatan lapisan tipis TiN. Pacta pnlitian ini substrat yang digunakan dati kaca, lmpngan baja, dan stainlsstll. Prparasi substrat kaca dilakukan dngan mmotong mpat prsgi panjang dngan ukuran I cm x 2,5 cm,tbalnya I mrn. Kmudian kaca dicuci dngan air dan rinso untuk mnghilang kan kotoran atau noda minysk ysng mnmpl pacta prmukaan dan diultrasonik, lalu dibrsihkan dngan alkohol dan dikringkan. Bahan baja dan stainlsstll bntuk pjal diamtr: 4 mrn <;!ipotong -potong stbal 1,5 mrn. Substrat yang masih kasar prmukaannya trsbut diamplas mnggunakan krtas abrasif scara brtingkat mulai dngan nomor 800, 1000, 1500, 2000, digosok dngan autosal dan kain bludru. Substrat yang tlah halus dibrsihkan dan dikringkan. Bahan targt dati titanium bntuknya bundar dngan diamtr 6 cm, tbal 3 mm dibrsihkan lbih dahulu prmukaannya sblum dipasang. Pralatan D.C. sputtring trdiri dati tabung raktor plasma trbuat dati bahan stainlsstll, dilngkapi dngan kdua lktrodanya dngan jarak yang dapat diatur, pacta pnlitian ini jaraknya 3,65 cm. Pompa turbo molkul untuk mnghampakan udara, alat ukur kvakuman, sumbr tgangan tinggi yang dilngkapi dngan pngukur tgangan dan ams. Slain itu dilngkapi juga dngan sistm pmanas untuk mmanasi substrat, srta pngontrol suhu untuk mnjaga suhu konstan dan pndingin targt. Gambar 1 ditunjukkan bagan pralatan sistm DC sputtring dilngkapi sistm masukan gas sputtr. Sblum mlakukan dposisi pada pnnukaan substrat, targt Titanium dibrsihkan kmudian dipasang pada katoda yang pada bagian bawahnya dilngkapi sistm sirkulasi air untuk mndinginkan targt. Substrat dipasang dan dijpit agar tidak trlpas kmudian dipasang pada anoda yang dilngkapi dngan sistm pmanas. Suhu substrat dapat diatur olh pmanas dan dapat dikontrol scara otomatis ssuai yang dikhndaki. Pada pnlitian inisuhu substrat diatur mulai 100 C, 150 C, 200 C, 250 C, dad 300 C. Stlah susunan tabling plasma, substrat, targt, pompa vakum, trsus~ sprti pada gambar I, tabling plasma dihampakan olh pompa turbo molkul sampai khampaan mncapai 10-6 torr, pmanas substrat dioprasikan. Kmudian dialirkan gas argon dan gas nitrogn k dalam tabung dngan mngatur prbandingan ssuai dikhndaki yang dapat diatur olh ktinggiaq bola ukur clan tkanannya dikontrol olh kran pngatur scara prlahan antara 9, Torr Torr. Tgangan tinggi sarah dinyalakan sampai trjadi lucutan pijar, dalam hal ini tgangan, arus, clan dayanya dapat divariasi ssuai yang dikhndaki sampai pada batas kmampuan sumbr dayanya. Pross sputtring akan trjadi pada pnnukaan targt, dimana ion argon arahnya dati anoda k katoda dan diprkuat adanya mdan listrik akan mnumbuk targt titanium. Trjadinya prpindahan nrgi ini mngakibatkan atom titanium trsputtr clan brtumbukan dngan molkul gas lnitrogn yang akhirnya trsbar pada pnnukaan substrat, shingga trbntuklah lapisan tipis titanium nitrida. Pross sputtring ini brlangsung slama waktu yang diinginkan, stlah slsai sluruh pralatan dimatikan clan tkana, suhu tabung plasma kmbali k kdaan nonnal, substrat yang sudah trlapisi diambil dati tmpatnya. I:IASIL DAN PEMBAHASAN Pmbuatan lapisan tipis TiN dilakukan dngan mtoda DC sputtring pada prmukaan substrat kaca, baja dan stainlsstl. Targt titanium mnmpl pada katoda sdangkan substrat diltakkan pada anoda, jarak antara katoda dan anoda 2,75 cm. Tkana.l gas padatabung plasma 12 x 10-2 Torr, mrupakan gas campuran antara gas Ar dan N2. Tgangan sarah antara kdua lktroda adalah 3,5 KY, arus listrik 30 ma, dimana pada tabung plasma sudah trjadi lucutan pijar. Pada pnlitian pmbuatan lapisan tipis ini dilakukan variasi prbandingan gas Ar dan N2, dan variasi suhu substrat. Untuk mnguji trbntuknya lapisan tipis TIN basil sputtring dilakukan bbrapa pngujian antara lain dngan XRD, mikroskop lktron,dan uji kkrasan. Pngujian 'difraksi sinar X dimaksudkan untuk mngtahui struktur kristalnya srta apakah lapisan yang trbntuk sudah ssuai dngan yang dimaksudkan, Pada gambar 3 ditunjukkan basil pngujian XRD dari bahan substrat stainlsstl, spktrum ini dimaksudkan untuk mngtahui puncak yang muncul sblum dilapisi olh TIN dan mrupakan sinyallatar. Slanjutnya pada gambar 4 dan gambar 5 ditunjukkan basil XRD dari lapisan TIN pada prmukaan stainlsstll. Lapisan ini dibuat pada prbandingan gasar dan N2 adalah 7 : 3, masing-masing dngan waktu dposisi Ijam dan 1,5 jam. ISSN Sigit Hariyanto, dkk.

4

5 1'0..111' III" ZII- U) rn -"i/) c: Q) '+- ".;J ill rn Q) '- 311 TiN EI 111 ~ss "w~ ss.~\itii~j/'h-~~.~~~~~ ~ ~ paduan TiN pacta prmukaan baja, stainlsstll trhadap pngaruh komposisi campuran gas Ar dan N2 srta pngaruh suhu substrat. Pacta gambar 6 dan gambar 7 ditunjukkan hasil pngukuran kkrasan trhadap komposisi gas dan suhu substrat. """.'-""'"-..,..,...,,,,,..,, tl 51 U 71 II I'Ztl Sudut difraksi Gambar 5. Spktrum XRD lapisan TiN pada substrat stainlss tll slama 1,5 Jam. Dari hasil pngamatan spktrum XRD lapisan TiN muncul intnsitas yang agak tinggi sbanyak tiga puncak, sdangkan pada latar yang mrupakan substratnya ada 2 puncak. Stlah ditlitijarak antar bidang (d) kdua puncak yang ada di substat sarna dngan dua puncak yang trdapat pada lapisan TiN yaitu puncak dari stainlsstl, shingga trdapat satu puncak dari lapisan hasil sputtring. Puncak yang muncul dari bahan substrat stainls stl pada sudut difraksi 43,42 dan 50,5, sdangkan dari hasil sputtring lapisan tip is TiN dngan sudut difraksi 44,47. Munculnya puncak stainls stl pada bahan yang sudah dilapisi olh lapisan tip is TiN dimungkinkan karna tidak smua prmukaan trlapisi (trutama pada bagian tpi) atau lapisan tipis yang dihasilkan trlalu tipis. Slain itu puncak difraksi hasil sputtring dilakukan indntifikasi trhadap bahan pnlitian lainnya slama mlakukan ksprimn (Ar, F, SS, N2. AI) yang dimungkinkan muncul puncaknya, tmyata hasil prkaman XRD (ganbar 4 dan 5) pada sudut difraksi 44,47 mmpunyai jarak bidang 1,1393 A brssuaian dngan jarak bidang TiN yang ada pada data powr diffraction (5) Trlihat dari gambar 4 dan gambar 5 pnambahan waktu dposisi akan mnambah intnsitas puncak difraksi. Hal ini mnunjukkan bahwa lapisan yang trbntuk olh pross sputtring pada prmukaan substrat mrupakan lapisan titanium nitrat. Salah satu pnggunaan laisan tipis TiN di bidang mkanik adalah sbagai plindung untuk mmprolh sifat yang lbih kras. Pngujian kkrasan dilakukan dngan mnggunakan nicro hardnss tstr dngan bban minimum, yaitu 10 gr. mnggunakan idntor dan skala knoop. Pada pnlitian ini akan dilakukan pngujian kkrasan In 2/7 3/7 4/7 5/7 6/7 PERBANDINGAN NzlAr Garnbar 6 : Pngaruh konposisi gas N2 clan Ar trhadap kkrasan lapisan TiN. Dari basil prcobaan komposisi campuran gas trlihat bahwa kkrasan optimum pada prbandingan Ar : N2 adalah 140 : 60. Hal ini dimungkinkan karna pada kondisi trsbut atom N2 ikut braksi dngan titanium clan mmbntuk paduan yang tpat dngan struktur bidang trtntu mmpunyai sifat kras. Ttapi jika trlalu sdikit atau trlalu banyak nitrogn, paduan yang dihasilkan akan mngurangi kkrasannya. Untuk itu prlu diktahui kondisi carnpuran gas yang idal agar mndapatkan lapisan yang cukup kras. Dari basil pngamatan pngaruh suhu substratrhadap kkrasan pada garnbar 7, trlihat bahwa dngan brtarnbahnya suhu substratrnyata kkrasan paduan TiN basil sputtring juga mningkat clan mncapai kkrasan optimal sbsar sbsar 495 KHN untuk baja sdangkan untuk stinlsstl 400 KHN. Kkrasan optimum trsbut dicapai pada suhu 350 C. Dngan brtarnbahnya suhu substrat maka akan mnarnbah nrgi vibrasi atom-atomnya srta jarak antar atom smakin lbar, atom-atom TiN mnyisip clan larut k dalam substrat sampai batas trtntu shingga kkrasanya akan mningkat.

6 - Z :I: ~- crn CI) rn... Qj ~ Qj ~ trlihat bahwa ktbalan lapisan TiN pacta prmukaan $tainlsstl adalah 1,6 I.1m sdangkan pacta prmujcaan baja adalah 1,4 I.1m. Hal ini disbabkan! saat pngamatan pacta prmukaan stainlsstl ~osisinya lbih dkat dngan pusatnya dibandingk~ saat mngamati prmukaan baja Suhu Substrat (dr. C) Garnbar 7. Pngaruh suhu substrat trhadap kkrasan lapisan Gambar 9. 1 Pngamatan lapisan TiN pada stainlsstl dngan mikrokoppada prbsaran 2000 kali. Namun posisi substrat pada anoda masih cukup ssuai tidak trlalu jauh dati pusatnya, karna ktbalan kdua prmukaan trsbut tidak trlalu jauh bdanya, shingga agihan lapisan yang trjadi blum trjadi pnurunan scara drastis. Gambar 8. Pngamatan. lapisan TiN pacta stainlsstl dngan mikroskop pacta prbsaran 2000 kali. Ttapi hila dicapai kadaan jnuh yaitu suhu diatas 350 C atom-atom nitrogn akan cndrung trdifusi lbih dalam dad makin mlbar atau atom nitrogn sudah mnguap, shingga kkrasannya cndrung mnurun. Untuk mngtahui k~tbalan atau agihan lapisan tipis TiN pacta prmukaannya, substrat yang sudah trlapisi dilihat scara mlintang dngan mnggunakan mikroskop lktron. Pacta gambar 8 dad gambar 9 ditunjukkan basil pmotrtan dngan prbsaran 2000 kali pacta substrat stainlsstl dad baaja waktu sputtring slama 1 jam. Untuk mlihat scara mlintang, sampl yang sudah trlapisi dibungkus dngan rsin, dan digosok prmukaannya scara.mlintang. Hasil prkamanmikroskop trdiri dati dati rsin, lapisan TiN dad substrat. Ktbalan lapisan TiN diukur dngan cara mmbandingkan skala yang trtra pacta basil rkaman sbsar 10 Ilm. Dari basil pngamatan pacta gambar diatas KESIMPULAN Dari basil pmbuatan lapisan tipis TiN dngan mnggunakan mtoda dc sputtring dapat disimpulkan sbagai brikut : Tlah brhasil dibuat lapisan tipis TiN pada pmukaan substrat baja, stainlsstl, clan kaca dngan mnggunakan targt Titanium, sbagai bahan pnsputtr gas Ar clan gas N2 mnyisip pada lapisan trsbut. Hasil pngujian XRD pada substrat stainlstl yang sudah trlapisi mnunjukkanbahwa tlahdiprolh satu spktrum puncak lapisan TiN dngan jarak bidang 1,1395A clan dua puncak basil difraksi substratnya. Kkrasan optimum trjadi pada prbandingan komposisi Ar : N2 = 140 : 60 dngan drajat kkrasan 410 KHN untuk substrat baja, sdangkan untuk substrat stainlstl drajat kkrasan 335 KJ;iN dngan prbandingan Ar : N2 = 140 : 80.. Pada prubahan suhu substrat 350 C diprolh krasan optimum baja 495 KHN clan kkrasan stanilst1390 KHN.. Diprolh ktbalan basil sputring hampir mrata yaitu 1,6 ~m. Sigit Hariyanto, dkk. ISSN

7 Prosiding Prtmuan dan Prsntasi Itmiah P3TM-BATAN; Yogyakarta Juti 1999 Buku I 53 UCAP AN TERIMAKASIH Pada ksmpatan ini pnulis mngucapkan trimakasih kpda smua tknisi Fisika Atom yang tlah mmbantu dalam mnylsaikan pnlitian ini. DAFT AR PUST AKA 1. W ASA, K, HAY AKA WAS., Handbook of Sputtr Dposition Tchnology, Tchnology and Application, Noys Publications, Nw Jrsy, KONUMA, M., Film Dposition by Plasma Tchniqus, Springr-vrlag, Brlin, 3. OHRING, M., Th Matrials Scinc of Thin Films, Acadmic Prss Inc., Nw York, J P ZHAO, X WANG, Z Y CHEN, S Q YANG, T S SHI, X H Lill, Ovrall Enrgy Modl For Prfrrd Growth Of TIN Films During Filtrd Arc Dposition, J..Phys. D, Appl. Phys. 30 (1997). TANYAJAWAB Supandi * Brapa tbal lapisan tipis titanium nitrida dad dngan cara apa mngukumya (dari prcobaan ini) Sigit Haryanto * Pada prcobaan ini cara mngukurnya sbagai brikut; * Sam pl dipotong mlintang dibri rsin, kmudian digosok sampai halus, baru dilihat dngan mikroskopada prbsaran 2000 kali. * Dngan cara lain yaitu mnggunakan mtod dngan brkas lasr H-N, yang disorotkan langsung pada saat pross sputtring. Dan scara mkanik dngan. mnggunakan jarum stylus yang digorskan pada lapisan. J. Karmadi * Mngapa :pmbuatan lapisan tipis titanium nitrida dhgan targt titanium murni harns mnggunakan gas argon dan nitrogn. Bagaimana pngaruhnya untuk gas dngan masa ion yang lbih brat. * Apa png~ jirak lktroda trhadap has ill sputtring. Sigit HaryantJ * Tidak harus mnggunakan gas argon yang pnting mnggunakan gas yang tidak rakti misalnya Kr, X, H, Ar. * Pngaruh jarak lktroda trhadap hasil sputtring antara lain;.distribusi lapisan yang mnmpl padasubstrat.jumlah atom targt yang trdposisi k substrat Yunanto * Stlah trbntuk lapisan tipis titanium nitrida kuntungan apa yang diprolh pada bahan yang dilapisi * Apakah pada smua kondisi trjadi snyawa titanium nitrida. Sigit Haryanto * Stlah ~apisan tip is. TiN trbntuk, kuntungan11}la sifat m./caniknya akan brubah antara lain;kkrasannya mnjadi baik; tahan korosi shingga amat brmanfaat untuk prbaikan mutu pralatan mkanik don pralatan kdoktran. * Tidak smua kondisi trjadi snyawa TiN sbagai contoh, apabila tkanan trlalu tinggi, substrat akan trbntuk lapisan ttapi stlah dick dngan XRD bukan lapisan TiN ISSN Sigit Hariyanto, ill.