Arus Terobosan Pada Transistor Dwikutub Struktur Hetero Si/Si 1-x Ge x /Si Anisotropik Melewati Basis Tergradasi (Graded Base)
|
|
|
- Verawati Tedjo
- 6 tahun lalu
- Tontonan:
Transkripsi
1 Berkala Fisika ISSN : Vol., No., April 00 hal 67-7 Arus Terobosan Paa Transistor Dwikutub Struktur Hetero Si/Si -x Ge x /Si Anisotropik Melewati Basis Tergraasi (Grae Base Lilik Hasanah an Khairurrijal Jurusan Fisika, Universitas Peniikan Inonesia, Jl.. Dr. Setiabuhi No 9 Banung Telp : +6( Kelompok Keahlian Fisika Material Elektronik Program Stui Fisika, FMIPA-ITB Jl. Ganesa 0 Banung 40, Telp./Fax. : +6( lilikhasanah@upi.eu Abstract Tunneling current in bipolar transistors Si/Si -x Ge x /Si anisotropic hetero structure germanium conitions on a constant basis is not analyze here. The concentration of germanium in the base which is not constant will result in the potential profile at the base is not flat, but will be grae accoring to the germanium concentration. Tunneling current calculation is perme semi-analytically an numerically. The calculation result obtaine then matche with experimental ata. The results show that the results of analytical calculations with results of semi-numerical calculations. While analytical calculations with experimental ata only flows from the VBE 0. to 0.6 V. Keywors: Tunneling current, germanium concentration, anisotropic material, transfer matrix metho, hetero structure bipolar transistor Abstrak Arus terobosan i transistor wikutub struktur hetero Si/Si -x Ge x /Si anisotropik untuk konisi germanium paa basis yang tiak konstan ianalisis i sini. Konsentrasi germanium paa basis yang tiak konstan akan mengakibatkan profil potensial paa basis tiak atar, melainkan akan bertingkat sesuai engan konsentrasi germaniumnya. Perhitungan arus terobosan ini ilakukan secara analitik an semi-numerik. Hasil perhitungan yang iperoleh kemuian icocokan engan ata eksperimen. Hasilnya menunjukkan bahwa hasil perhitungan analitik sama engan hasil perhitungan semi numerik. Seangkan perhitungan analitik sama engan arus ari ata eksperimen hanya paa V BE 0, sampai engan 0,6 V Kata-Kata Kunci: Arus terobosan, konsentrasi germanium, material anisotropik, metoe matriks transfer, transistor wikutub sambungan hetero PENDAHULUAN Sekarang ini perkembangan ivais mikroelektronik berkembang engan sangat pesat engan kinerja yang semakin mengagumkan. Peningkatan unjuk kerja ivais ini ipicu oleh jumlah transistor yang semakin banyak alam sebuah chip rangkaian terpau (integrate circuit. Kerapatan transistor yang semakin besar akan iperoleh jika ukuran transistor semakin kecil. Usaha pengecilan ukuran transistor iikuti engan peningkatan unjuk kerjanya suatu saat akan mencapai titik jenuh ketika ukuran transistor tiak apat iperkecil lagi seangkan tuntutan peningkatan unjuk kerja tiak berhenti. Oleh karena itu, saat ini, ruang lingkup penelitian material sebagai komponen utama ivais iarahkan paa pencarian material baru yang memiliki sifat-sifat unggul yang bersesuaian engan ivaisnya. Hal ini merupakan usaha untuk memenuhi kebutuhan terhaap ivais engan unjuk kerja tinggi serta biaya prouksi yang lebih murah sehingga penggunaannya lebih efisien. Salah satu upaya untuk menapatkan material baru yang sifat-sifatnya sesuai engan sifat ivaisnya aalah engan cara melakukan simulasi karakter ivais berbasis material baru sehingga apat ipreiksi sifat ari ivais tersebut tanpa harus memfabrikasikannya terlebih ahulu. Hal ini tentu akan lebih efisien an hemat alam upaya pencarian material baru. Berkaitan engan usaha untuk menapatkan material baru engan biaya yang lebih murah an waktu yang lebih efektif maka alam penelitian ini ilakukan stui analitik an numerik ari sifat ivais berupa kurva arustegangan (I-V. Divais yang itinjau aalah transitor wikutub sambungan hetero (heterojunction bipolar transitor/hbt Si/Si - xge x /Si anisotropik, yang iharapkan apat iterapkan paa ivais gelombang mikro an 67
2 Lilik Hasanah, kk Arus Terobosan Paa Transistor ivais igital kecepatan tinggi. Di sini, persamaan Schröinger igunakan untuk mengetahui inamika elektron alam ivais tersebut. Dengan mempertimbangkan bahwa energi kinetik transversal terkopling engan energi longituinal elektron, arus terobosan paa transistor wi kutub sambungan hetero Si/Si -x Ge x /Si anisotropik bergantung paa kecepatan elektronnya. Stui sifat-sifat transistor wikutub sambungan hetero Si/Si -x Ge x /Si secara teoritik telah banyak ilakukan. Berbagai moel transport pembawa seperti ifusi-rift, transport-energi, transport-hiroinamik, an transport-kuantum apat igunakan untuk memoelkan ivais struktur hetero. Tetapi moel yang paling populer igunakan aalah moel transport ifusi-rift [9],[],[]. Dengan semakin menyusutnya ukuran ivais, efek kuantum menjai lebih nyata an harus ikutsertakan alam perhitungan. Transport ifusi-rift jauh lebih kecil aripaa transport kuantum sehingga transport ifusi-rift apat iabaikan alam perhitungan transport elektron paa ivais. Pernyataan analitik ari terobosan elektron paa sambungan hetero semikonuktorsemikonuktor curam (abrupt engan asumsi bahwa komponen-komponen longituinal an transversal ari gerak elektron aalah terpisah untuk semikonuktor isotropik telah ikerjakan sebelumnya [],[]. Demikian pula engan pembahasan mengenai koefisien transmisi an waktu terobosan paa semikonuktor isotropik engan mempertimbangkan energi kinetik tegak lurus an sejajar permukaan penghalang potensial terkopling untuk keaaan tanpa pemberian tegangan panjar [5], [9]. Pembahasan mengenai terobosan elektron paa struktur hetero anisotropik engan mengikutsertakan kopling antara energi transversal an longituinal ari gerak elektron juga telah banyak ilakukan [4],[7]. Kemuian telah iteliti pula efek kopling energi kinetik tegak lurus-sejajar permukaan penghalang paa batas struktur hetero kabel kuantum [6] an sumur kuantum. Selain itu, kopling antara komponen-kopmponen longituinal an transversal ari gerak elektron juga iterapkan paa perhitungan metal-oxiesemiconuctor fiel-effect-transistor (MOSFET [8]. Di sini akan ibahas mengenai arus terobosan paa transistor wikutub sambungan hetero Si(0/Si -x Ge x (0/Si(0 n-p-n engan konsentrasi x paa basis tiak konstan. METODE PENELITIAN Apabila konsentrasi germanium paa basis tiak konstan, akan mengakibatkan profil potensial paa basis tiak atar, melainkan akan bertingkat sesuai engan konsentrasi germaniumnya. Semakin besar konsentrasi germanium maka akan semakin kecil ketiakkontinuan pita konuksinya engan pita konuksi silikon. Berikutnya akan ibahas mengenai arus terobosan paa transistor wikutub sambungan hetero Si(0/Si -x Ge x (0/Si(0 n-p-n engan konsntrasi x paa basis tiak konstan. Konsentrasi germanium yang ipergunakan alam perhitungan tiak melebihi 50% untuk menjaga agar karakteristik Si -x Ge x tetap bertahan menyerupai struktur silikon []. Profil potensial untuk konsentrasi germanium bervariasi sepanjang basis aalah seperti yang itunjukkan oleh Gambar. Persamaan potensial paa arah sumbu z aalah sebagai berikut E f E E m itor B asis K olektor S i S i -x G e X S i Φ V B E Φ V B C E f C 0 z Gambar. Profil potensial jika konsentasi germanium paa basis tiak konstan V ( Φ evbe Φ Φ Φ + ev ev z z 0 0 < z < z < z <, ( imana Φ an Φ masing-masing aalah ketiakkontinuan pita akibat konsentarasi germanium paa basis ekat emitor an kolektor. Perhitungan arus terobosan untuk profil potensial menurun-menurun, seperti yang itunjukkan oleh Gambar, ikerjakan engan ua metoa yaitu secara analitik an matriks transfer. Paa metoa analitik, massa efektif sepanjang basis ianggap konstan. Seang paa metoa matriks transfer, massa efektif sepanjang basis bervariasi sesuai engan konsentrasi germaniumnya. Perhitungan arus secara analitik ikerjakan engan cara menyelesaikan persamaan Schröinger untuk potensial Persamaan (. Diperoleh solusi persamaan Schröinger sebagai berikut 68
3 Berkala Fisika ISSN : Vol., No., April 00 hal 67-7 ik z ik z i z i( kxx+ k y y γ ( Ae + Be e e ψ (, x < 0 (.a ( iγ z i( kxx+ kyy ψ ( CAi( + D e e, 0 < x < (.b iγ z i ( kxx+ k y y ψ ( ( EAi( ζ( + F ζ( e e, < x < (.c ( ik z i z i( kxx+ k y y γ ψ 4 Ge e e, x > (. imana k m o ( E z VBE h zz m 0 Φ Φ h zz ve mo ( Φ Φ (.b, /, (.a z+ ( Φ Ez Φ Φ, ( β β { } x, βij, I i, j y ζ m Φ + ev, (.c k ij, I ij, II ( 0 z z + ( Φ E z h zz, I Φ + ev C m + o z h ( E ev zz,. (. Dengan menerapkan fungsi gelombang paa Persamaan ( akan iperoleh sistem persamaan linier berikut A + B CAi( ξ (0 + D ξ (0, (4.a ik zz ( A B p( CAi'( ξ (0 + D ξ (0, (4.b iγ [ ] [ ] ( ( ( ( ( ( ( iγ CAi ξ + DBi ξ e EAi ζ + FBi ζ e (, (4.c zz zz iγ [ CAi'( ξ ( + D ξ ( ] e iγ [ EAi'( ζ ( + F ζ ( ] e, (4. ik EAi ( ζ ( + F ζ ( Ge, (4.e p p zz m h m h o o Φ e Φ e + ev Φ zz C zz Bi ζ( zz ζ( (7. p Ai ( ζ ( ik Ai( ζ (, (7.e zz,(4.g. (4.h Dari Persamaan (4 maka akan iperoleh koefisien transmisi seperti i bawah ini G CCa exp( ik exp( i( γ γ A C( CC + C4C5 C6 ( C7C8 + C9C0, (6 imana C zz ikai( ξ (0 + p Ai'( ξ (0, (7.a C zz Ai( ζ( zz Ai'( ζ(, (7.b C p Bi ( ζ ( ik ζ (,(7.c ' 4 ( 5 ' 6 ik ξ (0 pbi' ( ξ C zz + (0, (7.f C7 zzai( ζ ( Ai'( zz Ai'( ζ ( Ai(, (7.g C8 pbi' ( ζ ( ik ζ (, (7.h C9 zz Ai( ζ ( zzai'( ζ (, (7.i C0 p Ai' ( ζ ( ik Ai( ζ (, (7.j C p{ Aiζ ( Bi' ζ ( Biζ ( Ai'( ζ ( }, (7.k C zz Ai( zz Ai'(. (7.l Transmitansi elektron ihitung engan menggunakan Persamaan i bawah ini G engan A G G T, A A * * (8 aalah konjuget ari koefisien p ik [ EAi' ( ζ ( + FBi' ( ζ ( ] ik Ge, (4.f imana zz transmisi A G. Arus persatuan luas (rapat arus ari emitor ke kolektor [8] aalah 69
4 Lilik Hasanah, kk Arus Terobosan Paa Transistor qm o J T ( E f ( E f ( E E z E C 0 π h zz 0, (9 engan T(E z aalah transmitansi elektron yang merupakan fungsi ari energi longituinal E z seangkan E xy aalah energi transversal. Fungsi istribusi fermi paa kontak emitor an kolektor masing-masing aalah f E ( E + exp[( E EFE / kt ] (0 an f ( E C + exp[( E EFC / kt ], ( yang menyatakan probabilitas bahwa keaaan energi elektron E itempati. E FE an E FC aalah energi fermi emitor an kolektor, secara berurutan. HASIL DAN PEMBAHASAN Gambar menunjukkan arus terobosan transistor wikutub sambungan hetero Si(00/Si - xge x (00/Si(00 ari ata ekperimen (Prinz, 99 an hasil perhitungan secara analitik an MMT untuk konsentrasi germanium bervariasi sepanjang basis. Ketebalan penghalang Si -x Ge x aalah 50 nm an konsentrasi germanium paa basis ekat emitor 0% an meningkat sampai 0% paa basis ekat kolektor. Luas emitor aalah 6 x 6 µm an tegangan V 0 V. Kecepatan elektron yang igunakan paa perhitungan analitik an MMT masing-masing aalah,5 x 0 5 m/s an 4 x 0 5 m/s. Tampak bahwa, arus kolektor hasil perhitungan analitik sama engan hasil perhitungan menggunakan MMT. Perbeaan engan ata eksperimen terjai paa tegangan V BE i bawah 0, V an i atas 0,5 V. xy E Arus Kolektor (A , 0, 0,4 0,5 0,6 0,7 V BE (volt Eksperimen Analitik MMT Gambar. Arus terobosan transistor wikutub sambungan hetero Si(00/Si -x Ge x (00/Si(00 engan konsentrasi germanium paa basis ekat emitor 0% an paa basis ekat kolektor 0%. KESIMPULAN DAN SARAN Perhitungan arus untuk konsntrasi germanium tiak konstan sepanjang basis ilakukan secara analitik an numerik. Hasil perhitungan arus terobosan transistor wikutub sambungan hetero Si(00/Si -x Ge x (00/Si(00 yang iperoleh kemuian icocokkan engan ata eksperimen. Hasilnya menunjukkan bahwa hasil perhitungan analitik sama engan hasil perhitungan numerik. Seangkan, perhitungan analitik sama engan arus ari ata eksperimen hanya paa V BE 0, sampai engan 0,6 V. DAFTAR PUSTAKA []. Hänsch, W. 99. The Drift Diffusion Equation an Its Application in MOSFET Moeling. Springer. New York. []. Iyer, S.S., Patton, G. L., Stork, J. M. C., Meyerson, B. S. an Harame, D. L Heterojunction Bipolar Transistor using Si- Ge Alloys. IEEE Transactions on Electron Devices []. Khairurrijal, Noor, F. A. an Sukirno Electron Direct Tunneling Time in Heterostructure with Nanometer-Thick Trapezoi Barriers. Soli-State Electronics [4]. Kim, K.-Y. an Lee, B Transmission Coefficient of an Electron through a Heterostructure Barrier Grown on Anisotropic Materials. Physical Review B. 58,
5 Berkala Fisika ISSN : Vol., No., April 00 hal 67-7 [5]. Lee, B. 99. Electron Tunneling Time through a Heterostructure Potential Barrier. Supperlattices an Microstructures. 4, [6]. Lee, B. an Kim, K.-Y Effect of Parallel-Perpenicular Kinetic Energy Coupling uner Effective Mass Approximation at Heterostructure Bounaries in a Quantum Wire. Journal of Applie Physics [7]. Lim, K. Y., an Lee, B. 00. Wigner Function Formulation in Anisotropic Semiconuctor Quantum Wells. Physical Review B. 64, 504 (-8 [8]. Mao, L The Effects of the Injection- Channel Velocity on the Gate Leakage Current of Nanoscale MOSFETs, IEEE Electron Device Letters [9]. Paranjape, V.V Transmission Coefficient an Stationary-Phase Tunneling Time of an Electron through a Heterostructure. Physical Review B [0]. Pejcinovic, B., Kay, L. E., Tang, T.-W. an Navon, D. H Numerical Simulation an Comparison of Si BJT s an Si -x Ge x HBT. IEEE Electron Device Letters. 6: 9-6. []. Pejcinovic, B., Tang, T.-W., Lee, S-C. an Navon, D. H. 99. A Numerical Stuy of Permance Potential of Si -x Ge x Pseuomorphic Heterojunction Bipolar Transistors. IEEE Electron Device Letters []. Searles, S., Pulfrey, D. L., an Kleckner, T. C Analytic Expressions the Tunnel Current at Abrupt Semiconuctor- Semiconuctor Heterojunctions. IEEE Transactions on Electron Devices
6 Lilik Hasanah, kk Arus Terobosan Paa Transistor 7
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Indra Irawan, 2015
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Di zaman modern yang semakin canggih ini, ketergantungan terhadap penggunaan peralatan elektronik sudah tidak dapat dihindari lagi. Seperti penggunaan handphone dan
BAB III METODE PENELITIAN
BAB III METODE PENELITIAN Penelitian ini dilakukan menggunakan metode semi numerik dimana koefisen transmisi didapatkan dengan menyelesaikan persamaan Schrodinger menggunakan MMT karena metode ini dalam
Pendidikan Indonesia (UPI), Jl. Dr. Setiabudhi 229, Bandung 40154, Indonesia ABSTRAK
PERHITUNGAN ARUS TEROBOSAN PADA TRANSISTOR DWIKUTUB BERBASIS Si -x Ge x ANISOTROPIK PADA MODE OPERASI AKTIF-MAJU DAN AKTIF-MUNDUR MENGGUNAKAN METODE MATRIKS TRANSFER Indra Irawan *, Lilik Hasanah 2,Endi
Universitas Pendidikan Indonesia Jalan Dr. Setiabudi no 229, Bandung
Transmitansi Eletron yang Melalui Penghalang engan Ketebalan Nanometer paa Heterostrutur Anisotropi yang Diberi Tegangan Panjar Lili Hasanah # Khairurrijal Mirajuin Abullah Toto Winata an Suirno KK Fisia
ANALISIS DINAMIKA KUANTUM PARTIKEL MENGGUNAKAN MATRIKS TRANSFER
ANALISIS DINAMIKA KUANTUM PARTIKEL MENGGUNAKAN MATRIKS TRANSFER Irene Devi Damayanti 1, Tasrief Surungan 1, Eko Juarlin 1 1 Jurusan Fisika FMIPA Universitas Hasanuddin, Makassar 95, Indonesia Abstrak Dinamika
Jurnal ILMU DASAR, Vol.15 No.1, Januari 2014:1-5 1
Jurnal ILMU DASAR, Vol.5 No., Januari 04:- 5 Pengaruh Ketebalan an Temperatur Lapisan SiO terhaap Arus Bocor alam Kapasitor MOS Berbasis Material Berkonstanta Dielektrik Tinggi engan Melibatkan Perangkap
Curriculum Vitae. I. Personal Identity : Lilik Hasanah Employee Number (NIP) : Place/date of birth : Purworejo/ 16 June 1977
Curriculum Vitae I. Personal Identity Name : Lilik Hasanah Employee Number (NIP) : 197706162001122002 Place/date of birth : Purworejo/ 16 June 1977 Unit : Jurusan Fisika, FPMIPA Universitas Pendidikan
DAFTAR ISI. ABSTRAK... i. KATA PENGANTAR... ii. UCAPAN TERIMA KASIH... iii. DAFTAR ISI... v. DAFTAR GAMBAR... viii. DAFTAR SINGKATAN DAN LAMBANG...
DAFTAR ISI ABSTRAK... i KATA PENGANTAR... ii UCAPAN TERIMA KASIH... iii DAFTAR ISI... v DAFTAR GAMBAR... viii DAFTAR SINGKATAN DAN LAMBANG... x BAB I PENDAHULUAN... 1 1.1 Latar Belakang... 1 1.2 Rumusan
STUDI TENTANG PENGARUH DOPING TINGGI TERHADAP RESISTANSI BASIS DAN BANDGAP NARROWING PADA Si/Si 1-x Ge x /Si HBT
MAKARA, TEKNOLOGI, VOL. 7, NO. 1, APRIL 2003 STUDI TENTANG PENGARUH DOPING TINGGI TERHADAP RESISTANSI BASIS DAN BANDGAP NARROWING PADA Si/Si 1-x Ge x /Si HBT Achmad Fadhol Jurusan Teknik Elektro, Institut
T 19 Kerapatan Keadaan pada Struktur Nano Berbentuk Sumur Nano, Kawat Nano dan Titik Nano
T 19 Kerapatan Keadaan pada Struktur Nano Berbentuk Sumur Nano, Kawat Nano dan Titik Nano Ratno Nuryadi Pusat Teknologi Material, Badan Pengkajian dan Penerapan Teknologi (BPPT) BPPT Gedung II Lt. 22.
PROFIL GERMANIUM SEGIEMPAT PADA TRANSISTOR BIPOLAR SILIKON-GERMANIUM
JETri, Volume 1, Nomor 2, Februari 2002, Halaman 41-48, ISSN 1412-0372 PROFIL GERMANIUM SEGIEMPAT PADA TRANSISTOR BIPOLAR SILIKON-GERMANIUM E. Shintadewi Julian Dosen Jurusan Teknik Elektro-FTI, Universitas
BAB I PENDAHULUAN. dari perkembangan divais elektronik yang semakin mengecil secara ukuran namun
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Kemajuaan di bidang elektronika semakin canggih. Hal ini tidak terlepas dari perkembangan divais elektronik yang semakin mengecil secara ukuran namun unjuk kerja
Pengaplikasian Metode Fungsi Airy pada Permasalahan Probabilitas Terobosan Kuantum
SIMTRI Jurnal Ilmu Fisika Inonesia Volume Nomor Mei 6 Pengaplikasian Metoe Fungsi Airy paa Permasalahan Proailitas Teroosan Kuantum Fani Oktasenra Fakultas Sains an Teknologi Universitas Jami Inonesia
Metode Nonparametrik untuk Menaksir Koefisien Korelasi Parsial
Prosiing Statistika ISSN 46-6456 Metoe Nonparametrik untuk Menaksir Koeisien Korelasi Parsial 1 Silmi Kaah, Anneke Iswani Ahma, 3 Lisnur Wachiah 1,,3 Statistika, Fakultas MIPA, Universitas Islam Banung,
BAB 3 MODEL DASAR DINAMIKA VIRUS HIV DALAM TUBUH
BAB 3 MODEL DASA DINAMIKA VIUS HIV DALAM TUBUH 3.1 Moel Dasar Moel asar inamika virus HIV alam tubuh menggunakan beberapa asumsi sebagai berikut: Mula-mula tubuh alam keaaan tiak terinfeksi virus atau
METODE PENELITIAN Data Langkah-Langkah Penelitian
METODE PENELITIAN Data Inonesia merupakan salah satu negara yang tiak mempunyai ata vital statistik yang lengkap. Dengan memperhatikan hal tersebut, sangat tepat menggunakan Moel CPA untuk mengukur tingkat
Analisis Numerik Resonansi Tunneling Pada Sruktur Lapis Tiga GaAs / Al x Ga 1-x As Menggunakan Algoritma Numerov.
Analisis Numerik Resonansi Tunneling Pada Sruktur Lapis Tiga GaAs / Al x Ga 1-x As Menggunakan Algoritma Numerov. Yonathan Sapan, Paulus Lobo Gareso, Eko Juarlin Program studi Fisika Jurusan Fisika FMIPA-UNHAS
PEMODELAN PENJADWALAN LINIER DENGAN ALOKASI SUMBER DAYA MANUSIA PADA PROYEK PERUMAHAN. Hedwig A Tan 1, Ratna S Alifen 2
PEMODELAN PENJADWALAN LINIER DENGAN ALOKASI SUMBER DAYA MANUSIA PADA PROYEK PERUMAHAN Hewig A Tan, Ratna S Alifen ABSTRAK: Metoe penjawalan linier cocok untuk proyek engan aktivitas seerhana, an repetitif
T 18 Perhitungan Energi Pengisian pada Sistem Transistor Elektron Tunggal
T 18 Perhitungan Energi Pengisian pada Sistem Transistor Elektron Tunggal Ratno Nuryadi Pusat Teknologi Material, Badan Pengkajian dan Penerapan Teknologi (BPPT) BPPT Gedung II Lt. 22. Jl. M.H. Thamrin
VIII. ALIRAN MELALUI LUBANG DAN PELUAP
VIII. ALIRAN MELALUI LUBANG DAN PELUAP 8.. Penahuluan Lubang aalah bukaan paa ining atau asar tangki imana zat cair mengalir melaluinya. Lubang tersebut bisa berbentuk segi empat, segi tiga, ataupun lingkaran.
Mursyidah Pratiwi, Yuni Yulida*, Faisal Program Studi Matematika Fakultas MIPA Universitas Lambung Mangkurat *
Jurnal Matematika Murni an Terapan εpsilon ANALISIS MODEL PREDATOR-PREY TERHADAP EFEK PERPINDAHAN PREDASI PADA SPESIES PREY YANG BERJUMLAH BESAR DENGAN ADANYA PERTAHANAN KELOMPOK Mursyiah Pratiwi, Yuni
PEMODELAN PENYEMPITAN CELAH PITA ENERGI SEBAGAI FUNGSI KONSENTRASI DOPING PADA HBT SIGE
PEMODELAN PENYEMPITAN CELAH PITA ENERGI SEBAGAI FUNGSI KONSENTRASI DOPING PADA HBT SIGE Engelin Shintadewi Julian Department of Electrical Engineering, Faculty of Industrial Technology Trisakti University
Ax b Cx d dan dua persamaan linier yang dapat ditentukan solusinya x Ax b dan Ax b. Pada sistem Ax b Cx d solusi akan
SOLUSI SISTEM PERSAMAAN LINIER PADA ALJABAR MAX-PLUS Bui Cahyono Peniikan Matematika, FSAINSTEK, Universitas Walisongo Semarang bui_oplang@yahoo.com Abstrak Dalam kehiupan sehari-hari seringkali kita menapatkan
ANALISAPERHITUNGANWAKTU PENGALIRAN AIR DAN SOLAR PADA TANGKI
ANALISAPERITUNGANWAKTU PENGALIRAN AIR DAN SOLAR PADA TANGKI Nurnilam Oemiati Staf Pengajar Jurusan Sipil Fakultas Teknik Universitas Muhammaiyah Palembang Email: nurnilamoemiatie@yahoo.com Abstrak paa
PERENCANAAN PENULANGAN LENTUR DAN GESER BALOK PERSEGI MENURUT SNI 03-847-00 Slamet Wioo Staf Pengajar Peniikan Teknik Sipil an Perenanaan FT UNY Balok merupakan elemen struktur yang menanggung beban layan
BAB V Simulasi Electronic Charged State Individual Quantum dot Berbasis Silikon
41 BAB V Simulasi Electronic Charged State Individual Quantum dot Berbasis Silikon Pada bagian ini akan dibahas hasil simulasi electronic charged state pada individual quantum dot berbasis material Silikon.
TRANSISTOR 1. TK2092 Elektronika Dasar Semester Ganjil 2012/2013. Hanya dipergunakan untuk kepentingan pengajaran di lingkungan Politeknik Telkom
TK2092 Elektronika Dasar Semester Ganjil 2012/2013 Politeknik Telkom Bandung 2013 www.politekniktelkom.ac.id TRANSISTOR 1 Disusun oleh: Duddy Soegiarto, ST.,MT dds@politekniktelkom.ac.id Hanya dipergunakan
PENGARUH BENTUK PROFIL GERMANIUM PADA FREKUENSI CUTOFF HBT SIGE
JETri, Volume 3, Nomor 1, Agustus 2003, Halaman 33-44, ISSN 1412-0372 PENGARUH BENTUK PROFIL GERMANIUM PADA FREKUENSI CUTOFF HBT SIGE E. Shintadewi Julian Dosen Jurusan Teknik Elektro-FTI, Universitas
dan E 3 = 3 Tetapi integral garis dari keping A ke keping D harus nol, karena keduanya memiliki potensial yang sama akibat dihubungkan oleh kawat.
E 3 E 1 -σ 3 σ 3 σ 1 1 a Namakan keping paling atas aalah keping A, keping keua ari atas aalah keping B, keping ketiga ari atas aalah keping C an keping paling bawah aalah keping D E 2 muatan bawah keping
BAB V KAPASITOR. (b) Beda potensial V= 6 volt. Muatan kapasitor, q, dihitung dengan persamaan q V = ( )(6) = 35, C = 35,4 nc
BAB KAPASITOR ontoh 5. Definisi kapasitas Sebuah kapasitor 0,4 imuati oleh baterai volt. Berapa muatan yang tersimpan alam kapasitor itu? Jawab : Kapasitas 0,4 4 0-7 ; bea potensial volt. Muatan alam kapasitor,,
ANALISIS STABILITAS LERENG DENGAN SIMPLIFIED BISHOP METHOD dan JANBU MENGGUNAKAN PROGRAM MATHCAD
ANALISIS STABILITAS LERENG DENGAN SIMPLIFIED BISHOP METHOD an JANBU MENGGUNAKAN PROGRAM MATHCAD YOSEPHINA NOVALIA NRP : 0521034 Pembimbing : Ir. Ibrahim Surya, M.Eng. FAKULTAS TEKNIK JURUSAN TEKNIK SIPIL
2016 PEMODELAN ARUS TEROBOSAN PADA TRANSISTOR DWIKUTUB N-P-N ARMCHAIR GRAPHENE NANORIBBON (AGNR) MENGGUNAKAN METODE MATRIKS TRANSFER
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Alat-alat elektronik sudah menjadi pelengkap kehidupan manusia. Di dalamnya terdapat berbagai macam divais elektronik yang tersusun sehingga memiliki fungsinya tersendiri.
Relasi Dispersi dalam Pandu Gelombang Planar Nonlinear Kerr
Kontribusi Fisika Inonesia Vol. 13 No.3, Juli 00 Relasi Dispersi alam Panu Gelombang Planar Nonlinear Kerr Abstrak Hengki Tasman 1) an E Soewono 1,) 1) Pusat Penelitian Pengembangan an Penerapan Matematika,
BAB III UJICOBA KALIBRASI KAMERA
BAB III UJICOBA KALIBRASI KAMERA 3.1 Spesifikasi kamera Kamera yang igunakan alam percobaan paa tugas akhir ini aalah kamera NIKON Coolpix 7900, engan spesifikasi sebagai berikut : Resolusi maksimum :
Struktur Double Barrier Untuk Aplikasi Pada Divais Silikon Amorf
Kontribusi Fisika Indonesia Vol. No., Januari 00 Struktur Double Barrier Untuk Aplikasi Pada Divais Silikon Amorf Ida Hamidah dan Wilson W. Wenas Laboratorium Riset Semikonduktor, Jurusan Fisika ITB Jl.
ANALISIS KESTABILAN MODEL MATEMATIKA DARI POPULASI PENDERITA DIABETES MELLITUS
KNM XVI 3-6 Juli 01 UNPAD, Jatinangor ANALISIS KESTABILAN MODEL MATEMATIKA DARI POPULASI PENDERITA DIABETES MELLITUS NANIK LISTIANA 1, WIDOWATI, KARTONO 3 1,,3 Jurusan Matematika FSM Universitas Diponegoro
BAB III PROSES PERANCANGAN DAN PERHITUNGAN
BB III PROSES PERNCNGN DN PERHITUNGN 3.1 Diagram alir penelitian MULI material ie an material aluminium yang iekstrusi Perancangan ie Proses pembuatan ie : 1. Pemotongan bahan 2. Pembuatan lubang port
BAB III LANDASAN TEORI. Beton bertulang merupakan kombinasi antara beton dan baja. Kombinasi
16 BAB III LANDASAN TEORI 3.1. Umum Beton bertulang merupakan kombinasi antara beton an baja. Kombinasi keuanya membentuk suatu elemen struktur imana ua macam komponen saling bekerjasama alam menahan beban
BAB III INTERFERENSI SEL
BAB NTEFEENS SEL Kinerja sistem raio seluler sangat ipengaruhi oleh faktor interferensi. Sumber-sumber interferensi apat berasal ari ponsel lainya ialam sel yang sama an percakapan yang seang berlangsung
Kombinasi Gaya Tekan dan Lentur
Mata Kuliah Koe SKS : Perancangan Struktur Beton : CIV-204 : 3 SKS Kombinasi Gaya Tekan an Lentur Pertemuan 9,10,11 Sub Pokok Bahasan : Analisis an Desain Kolom Penek Kolom aalah salah satu komponen struktur
ANALISIS FUNDAMENTAL SAMPLING ERROR TERHADAP QUALITY ASSURANCE DAN QUALITY CONTROL, KAB. LUWU TIMUR, SULAWESI SELATAN
ANALISIS FUNDAMENTAL SAMPLING ERROR TERHADAP QUALITY ASSURANCE DAN QUALITY CONTROL, KAB. LUWU TIMUR, SULAWESI SELATAN Inri Warani AS 1, Djamuin 2, Hasbi Bakri 1 * 1. Jurusan Teknik Pertambangan Universitas
, serta notasi turunan total ρ
LANDASAN TEORI Lanasan teori ini berasarkan rujukan Jaharuin (4 an Groesen et al (99, berisi penurunan persamaan asar fluia ieal, sarat batas fluia ua lapisan an sistem Hamiltonian Penentuan karakteristik
MODUL 04 TRANSISTOR PRAKTIKUM ELEKTRONIKA TA 2017/2018
MODUL 04 TRANSISTOR PRAKTIKUM ELEKTRONIKA TA 2017/2018 LABORATORIUM ELEKTRONIKA DAN INSTRUMENTASI PROGRAM STUDI FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN PENGETAHUAN ALAM INSTITUT TEKNOLOGI BANDUNG 1 TUJUAN Memahami
PENENTUAN SOLUSI SOLITON PADA PERSAMAAN KDV DENGAN MENGGUNAKAN METODE TANH
Jurnal Matematika UNND Vol. 5 No. 4 Hal. 54 61 ISSN : 303 910 c Jurusan Matematika FMIP UNND PENENTUN SOLUSI SOLITON PD PERSMN KDV DENGN MENGGUNKN METODE TNH SILVI ROSIT, MHDHIVN SYFWN, DMI NZR Program
METODE PERSAMAAN DIOPHANTINE LINEAR DALAM PENENTUAN SOLUSI PROGRAM LINEAR INTEGER
METODE PERSAMAAN DIOPHANTINE LINEAR DALAM PENENTUAN SOLUSI PROGRAM LINEAR INTEGER Asrul Syam Program Stui Teknik Informatika, STMIK Dipanegara, Makassar e-mail: assyams03@gmail.com Abstrak Masalah optimasi
Solusi Tutorial 6 Matematika 1A
Solusi Tutorial 6 Matematika A Arif Nurwahi ) Pernyataan benar atau salah. a) Salah, sebab ln tiak terefinisi untuk 0. b) Betul. Seerhananya, titik belok apat ikatakan sebagai lokasi perubahan kecekungan.
SOLUSI NUMERIK MODEL REAKSI-DIFUSI (TURING) DENGAN METODE BEDA HINGGA IMPLISIT
SOLUSI NUMERIK MODEL REAKSI-DIFUSI (TURING) DENGAN METODE BEDA HINGGA IMPLISIT Junik Rahayu, Usman Pagalay, an 3 Ari Kusumastuti,,3 Jurusan Matematika UIN Maulana Malik Ibrahim Malang e-mail: rahayujunik@yahoo.com
PENENTUAN ENERGI EIGEN PERSAMAAN SCHRODINGER DENGAN SUMUR POTENSIAL SEMBARANG MENGGUNAKAN METODE MATRIKS TRANSFER NUMERIK
PENENTUAN ENERGI EIGEN PERSAMAAN SCHRODINGER DENGAN SUMUR POTENSIAL SEMBARANG MENGGUNAKAN METODE MATRIKS TRANSFER NUMERIK Nuraina Fika Lubis, Salomo, Defrianto Mahasiswa Program Studi S Fisika Fakultas
ANALISIS MODEL SIR PENYEBARAN DEMAM BERDARAH DENGUE MENGGUNAKAN KRITERIA ROUTH-HURWITZ ABSTRACT
ANALISIS MODEL SIR PENYEBARAN DEMAM BERDARAH DENGUE MENGGUNAKAN KRITERIA ROUTH-HURWITZ Chintari Nurul Hananti 1 Khozin Mu tamar 2 12 Program Stui S1 Matematika Jurusan Matematika Fakultas Matematika an
BAB 4 ANALISIS DAN MINIMISASI RIAK TEGANGAN DAN ARUS SISI DC
BAB ANAL DAN MNMA RAK EGANGAN DAN ARU DC. Penahuluan ampai saat ini, penelitian mengenai riak sisi DC paa inverter PWM lima-fasa paa ggl beban sinusoial belum pernah ilakukan. Analisis yang ilakukan terutama
Optimalisasi Struktur Sel Surya GaAs Sambungan p-n dengan Lapisan Antirefleksi yang tergandeng dengan Lapisan Window AlGaAs
Indonesian Journal of Physics Kontribusi Fisika Indonesia Vol. 14 No.2, April 2003 Optimalisasi Struktur Sel Surya GaAs Sambungan p-n dengan Lapisan Antirefleksi yang tergandeng dengan Lapisan Window AlGaAs
IMPLEMENTASI TEKNIK FEATURE MORPHING PADA CITRA DUA DIMENSI
IMPLEMENTSI TEKNIK FETURE MORPHING PD CITR DU DIMENSI Luciana benego an Nico Saputro Jurusan Intisari Pemanfaatan teknologi animasi semakin meluas seiring engan semakin muah an murahnya penggunaan teknologi
PENERAPAN METODA MATRIK TRANSFER UNTUK MENENTUKAN ENERGI PRIBADI DARI PERSAMAAN GELOMBANG SCHRODINGER POTENSIAL SUMUR SEMBARANG
Jurnal Komunikasi Fisika Indonesia (KFI) Jurusan Fisika FMIPA Univ. Riau Pekanbaru.Edisi Oktober 2016. ISSN.1412-2960 PENERAPAN METODA MATRIK TRANSFER UNTUK MENENTUKAN ENERGI PRIBADI DARI PERSAMAAN GELOMBANG
PENGARUH KECEPATAN ANGIN TERHADAP EVAPOTRANSPIRASI BERDASARKAN METODE PENMAN DI KEBUN STROBERI PURBALINGGA
PENGARUH KECEPATAN ANGIN TERHADAP EVAPOTRANSPIRASI BERDASARKAN METODE PENMAN DI KEBUN STROBERI PURBALINGGA Nurhayati Fakultas Sains an Teknologi, UIN Ar-Raniry Bana Aceh nurhayati.fst@ar-raniry.ac.i Jamru
STUDI PARAMETER PADA DIODA P-N
DOI: https://doi.org/1.4853/elektum.14.1.5-58 e-issn : 55-678 STUDI PARAMETER PADA DIODA P-N Fadliondi Universitas Muhammadiyah Jakarta e-mail: fadliondi@yahoo.com Abstrak Operasi divais semikonduktor
JUDUL PENUH MENGGUNAKAN HURUF KAPITAL
Saintia Matematika Vol. XX, No. XX (XXXX), pp. 17 24. JUDUL PENUH MENGGUNAKAN HURUF KAPITAL Penulis Abstrak. Ketikkan Abstrak Ana i sini. Sebaiknya tiak lebih ari 250 kata. Abstrak sebaiknya menjelaskan
Respon Getaran Lateral dan Torsional Pada Poros Vertical-Axis Turbine (VAT) dengan Pemodelan Massa Tergumpal
JURNAL TEKNIK POMITS Vol., No. 1, (13 ISSN: 337-3539 (31-971 Print B-11 Respon Getaran Lateral an Torsional Paa Poros Vertical-Axis Turbine (VAT engan Pemoelan Massa Tergumpal Ahma Aminuin, Yerri Susatio,
Simulasi Efek Terobosan Struktur Penghalang Ganda Semikonduktor Menggunakan Algoritma Numerov Eko Juarlin Jurusan Fisika FMIPA Univ.
Simulasi Efek Terobosan Struktur Penghalang Ganda Semikonduktor Menggunakan Algoritma Numerov Eko Juarlin Jurusan Fisika FMIPA Univ. Hasanuddin Abstrak Studi teoritis efek terobosan resonansi di penghalang
PERANCANGAN ANTENA MIKROSTRIP PATCH SEGI EMPAT SLOTS DUAL-BAND PADA FREKUENSI 2,4 GHz DAN 3,3 GHz
PERANCANGAN ANTENA MIKROSTRIP PATCH SEGI EMPAT SLOTS DUAL-BAND PADA FREKUENSI 2,4 DAN 3,3 Zul Hariansyah Hutasuhut, Ali Hanafiah Rambe Departemen Teknik Elektro Fakultas Teknik Universitas Sumatera Utara
ENERGI TOTAL KEADAAN DASAR ATOM BERILIUM DENGAN TEORI GANGGUAN
Jurnal Ilmu dan Inovasi Fisika Vol. 0, No. 02 (207) 28 33 Departemen Fisika FMIPA Universitas Padjadjaran ENERGI TOTAL KEADAAN DASAR ATOM BERILIUM DENGAN TEORI GANGGUAN LIU KIN MEN *, SETIANTO, BAMBANG
PENGARUH STRATEGI VAKSINASI KONTINU PADA MODEL EPIDEMIK SVIRS
SEMIRATA MIPAnet 27 24-26 Agustus 27 UNSRAT, Manao PENGARUH STRATEGI VAKSINASI KONTINU PADA MODEL EPIDEMIK SVIRS TONAAS KABUL WANGKOK YOHANIS MARENTEK Universitas Universal Batam, tonaasmarentek@gmail.com,
PENALAAN KENDALI PID UNTUK PENGENDALI PROSES
PENALAAN KENDALI PID UNTUK PENGENDALI PROSES Raita.Arinya Universitas Satyagama Jakarta Email: raitatech@yahoo.com Abstrak Penalaan parameter kontroller PID selalu iasari atas tinjauan terhaap karakteristik
PERSAMAAN SCHRODINGER YANG BERGANTUNG WAKTU
PERSAMAAN SCHRODINGER YANG BERGANTUNG WAKTU Perbeaan pokok antara mekanika newton an mekanika kuantum aalah cara menggambarkannya. Dalam mekanika newton, masa epan partikel telah itentukan oleh keuukan
MAKALAH SEMINAR TUGAS AKHIR. Analisis Teknik Penyambungan Secara Fusi Pada Serat Optik Ragam Tunggal. Oleh : Nama : Agus Setiyawan Nim : L2F
MAKALAH SEMINAR TUGAS AKHIR Analisis Teknik Penyambungan Secara Fusi Paa Serat Optik Ragam Tunggal Oleh : Nama : Agus Setiyaan Nim : LF 31 419 Kebutuhan akan serat optik yang tinggi serta kompleksitas
3. Kegiatan Belajar Medan listrik
3. Kegiatan Belajar Mean listrik a. Tujuan Kegiatan Pembelajaran Setelah mempelajari kegiatan belajar 3, iharapkan Ana apat: Menjelaskan hubungan antara kuat mean listrik i suatu titik, gaya interaksi,
BESARNYA KOEFISIEN HAMBAT (CD) SILT SCREEN AKIBAT GAYA ARUS DENGAN MODEL PELAMPUNG PARALON DAN KAYU
BESARNYA KOEFISIEN HAMBAT (CD) SILT SCREEN AKIBAT GAYA ARUS DENGAN MODEL PELAMPUNG PARALON DAN KAYU Davi S. V. L Bangguna 1) 1) Staff Pengajar Program Stui Teknik Sipil, Fakultas Teknik, Universitas Sintuwu
BAB I PENDAHULUAN. Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini terlihat dari banyaknya komponen semikonduktor yang digunakan disetiap kegiatan manusia.
UNIVERSITAS NEGERI YOGYAKARTA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM (FMIPA)
UNIVERSITAS NEGERI YOGYAKARTA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM (FMIPA) RENCANA PELAKSANAAN PEMBELAJARAN (RPP) PERTEMUAN KE I DAN II 1. Fakultas/Program Studi : MIPA/Pendidikan Fisika 2. Mata
1 Kapasitor Lempeng Sejajar
FI1201 Fisika Dasar IIA Kapasitor 1 Kapasitor Lempeng Sejajar Dosen: Agus Suroso Paa bab sebelumnya, telah ibahas mean listrik i sekitar lempeng-yang-sangat-luas yang bermuatan, E = σ 2ε 0 ˆn, (1) engan
TUGAS AKHIR. Secara garis besar dari tugas-tugas yang telah dikerjakan dapat dibuat rangkuman sebagai berikut :
PRASETYO NUGROHO 132 96 015 TUGAS AKHIR DEVAIS ELEKTRONIKA TUGAS AKHIR Secara garis besar dari tugas-tugas yang telah dikerjakan dapat dibuat rangkuman sebagai berikut : Metode Desain Devais Mikroelektronika
STRUKTUR CRISTAL SILIKON
BANDGAP TABEL PERIODIK STRUKTUR CRISTAL SILIKON PITA ENERGI Pita yang ditempati oleh elektron valensi disebut Pita Valensi Pita yang kosong pertama disebut : Pita Konduksi ISOLATOR, KONDUKTOR DAN SEMIKONDUKTOR
1 Kapasitor Lempeng Sejajar
FI1201 Fisika Dasar IIA Kapasitor 1 Kapasitor Lempeng Sejajar Dosen: Agus Suroso Paa bab sebelumnya, telah ibahas mean listrik i sekitar lempeng-yang-sangat-luas yang bermuatan, E = σ 2ε 0 ˆn, (1) engan
MAKALAH TUGAS AKHIR DIMENSI METRIK PADA PENGEMBANGAN GRAPH KINCIR DENGAN POLA K 1 + mk n
MAKALAH TUGAS AKHIR DIMENSI METRIK PADA PENGEMBANGAN GRAPH KINCIR DENGAN POLA K 1 + mk n Oleh : JOHANES ARIF PURWONO 105 100 00 Pembimbing : Drs. Suhu Wahyui, MSi 131 651 47 ABSTRAK Graph aalah suatu sistem
DETEKSI API REAL-TIME DENGAN METODE THRESHOLDING RERATA RGB
ISSN: 1693-6930 17 DETEKSI API REAL-TIME DENGAN METODE THRESHOLDING RERATA RGB Kartika Firausy, Yusron Saui, Tole Sutikno Program Stui Teknik Elektro, Fakultas Teknologi Inustri, Universitas Ahma Dahlan
Penerapan Aljabar Max-Plus Pada Sistem Produksi Meubel Rotan
Jurnal Graien Vol 8 No 1 Januari 2012:775-779 Penerapan Aljabar Max-Plus Paa Sistem Prouksi Meubel Rotan Ulfasari Rafflesia Jurusan Matematika, Fakultas Matematika an Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas
Rancang Bangun Dioda Schottky Dengan Frekuensi Kerja Berskala Terahertz Menggunakan Bahan Carbon Nanotube
Rancang Bangun Dioda Schottky Dengan Frekuensi Kerja Berskala Terahertz Menggunakan Bahan Carbon Nanotube Andi Agung Matutu 1 dan Arief Udhiarto 2 Sensor Device Research Group (SDRG) Departemen Teknik
Prinsip kerja transistor adalah arus bias basis-emiter yang kecil mengatur besar arus kolektor-emiter.
TRANSISTOR Transistor adalah komponen elektronika yang tersusun dari dari bahan semi konduktor yang memiliki 3 kaki yaitu: basis (B), kolektor (C) dan emitor (E). Untuk membedakan transistor PNP dan NPN
I. Tujuan Praktikum. Mampu menganalisa rangkaian sederhana transistor bipolar.
SRI SUPATMI,S.KOM I. Tujuan Praktikum Mengetahui cara menentukan kaki-kaki transistor menggunakan Ohmmeter Mengetahui karakteristik transistor bipolar. Mampu merancang rangkaian sederhana menggunakan transistor
SATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH : DEVAIS MIKROELEKTRONIKA* (Ujian Utama) KODE MK / SKS : KK / 3
SATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH : DEVAIS MIKROELEKTRONIKA* (Ujian Utama) KODE MK / SKS : KK-041345 / 3 Minggu Pokok Bahasan Ke Dan TIU 1 Konsep mekanika quntum dan fisika benda padat 2 Fenomena elektron
Formulasi Lentur BAB ANALSS KASUS LENTUR DAN GESER PADA BALOK ELASTS Suatu elemen balok ikatakan alam konisi lentur murni, jika balok tersebut menerima beban ang berupa momen lentur secara konstan tanpa
STUDI KESTABILAN TRANSIENT SISTEM TENAGA LISTRIK MULTIMESIN (MODEL IEEE 9 BUS 3 MESIN)
No. ol. Thn. X November 8 SSN: 854-847 STUD KSTABLAN TANSNT SSTM TNAGA LSTK MULTMSN (MODL 9 BUS MSN) Heru Dibyo Laksono Jurusan Teknik lektro, Universitas Analas Paang, Kampus Limau Manis Paang, Sumatera
Praktikum Total Quality Management
Moul ke: 09 Dr. Fakultas Praktikum Total Quality Management Aries Susanty, ST. MT Program Stui Acceptance Sampling Abstract Memberikan pemahaman tentang rencana penerimaan sampel, baik satu tingkat atau
PEMODELAN Deskripsi Masalah
PEMODELAN Deskripsi Masalah Sebelum membuat penjawalan perkuliahan perlu iketahui semua mata kuliah yang itawarkan, osen yang mengajar, peserta perkuliahan, bobot sks an spesifikasi ruang yang iperlukan.
METODE MATRIK APLIKASI METODE MATRIK UNTUK ANALISA STRUKTUR BALOK
METOE MATRIK APIKASI METOE MATRIK UNTUK ANAISA STRUKTUR BAOK PENGERTIAN UMUM Metoe matrik aalah suatu pemikiran baru paa analisa struktur, yang berkembang bersamaan engan populernya penggunaan computer
BAB VII KONDUKTOR DIELEKTRIK DAN KAPASITANSI
BAB VII KONDUKTOR DIELEKTRIK DAN KAPASITANSI 6.. Arus an Kerapatan Arus. Muatan listrik yang bergerak membentuk arus yang memiliki satuan ampere (A) an iefinisikan sebagai laju aliran muatan yang melalui
Uji Kekerasan Material dengan Metode Rockwell
Uji Kekerasan Material dengan Metode Rockwell 1 Ika Wahyuni, 2 Ahmad Barkati Rojul, 3 Erlin Nasocha, 4 Nindia Fauzia Rosyi, 5 Nurul Khusnia, 6 Oktaviana Retna Ningsih Jurusan Fisika, Fakultas Sains dan
PENENTUAN FREKUENSI MAKSIMUM KOMUNIKASI RADIO DAN SUDUT ELEVASI ANTENA
Penentuan Frekuensi Maksimum Komunikasi Raio an Suut..(Jiyo) PENENTUAN FREKUENSI MAKSIMUM KOMUNIKASI RADIO DAN SUDUT ELEVASI ANTENA J i y o Peneliti iang Ionosfer an Telekomunikasi, LAPAN ASTRACT In this
ESTIMASI WAKTU DAN SUDUT PEMUTUS KRITIS PADA SISTEM TENAGA LISTRIK DENGAN METODE LUAS SAMA
Vol. 9 No. 1 Juni 1 : 53 6 ISSN 1978-365 ESTIMASI WAKTU DAN SUDUT PEMUTUS KRITIS PADA SISTEM TENAGA LISTRIK DENGAN METODE LUAS SAMA Slamet Pusat Penelitian an Pengembangan Teknologi Ketenagalistrikan an
1. Perpotongan antara garis beban dan karakteristik dioda menggambarkan: A. Titik operasi dari sistem B. Karakteristik dioda dibias forward
1. Perpotongan antara garis beban dan karakteristik dioda menggambarkan: A. Titik operasi dari sistem B. Karakteristik dioda dibias forward C. Karakteristik dioda dibias reverse D. Karakteristik dioda
Fungsi distribusi spektrum P (λ,t) dapat dihitung dari termodinamika klasik secara langsung, dan hasilnya dapat dibandingkan dengan Gambar 1.
Fungsi distribusi spektrum P (λ,t) dapat dihitung dari termodinamika klasik secara langsung, dan hasilnya dapat dibandingkan dengan Gambar 1. Hasil perhitungan klasik ini dikenal sebagai Hukum Rayleigh-
BAB I PENDAHULUAN. Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban manusia di abad ini. Sehingga diperlukan suatu kemampuan menguasai teknologi tinggi agar bisa
SATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH / KODE : SISTEM FABRIKASI & DEVAIS MIKROELEKTRONIKA / AK SEMESTER / SKS : VIII / 2
SATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH / KODE : SISTEM FABRIKASI & DEVAIS MIKROELEKTRONIKA / AK041217 SEMESTER / SKS : VIII / 2 Pertemuan Pokok Bahasan dan TIU Ke 1 Konsep mekanika quntum dan fisika benda
TRANSISTOR EFEK-MEDAN (FIELD-EFFECT TRANSISTOR)
"! # 3 2! 12 TANSISTO EFEK-MEDAN (FIELD-EFFECT TANSISTO) 12.1 Pengatar Fungsi utama dari sebuah penguat adalah untuk menghasilkan penguatan isyarat dengan tingkat penguatan tertentu. Transistor unipolar
SYARAT CUKUP UNTUK OPTIMALITAS MASALAH KONTROL KUADRATIK LINIER
Jurnal Matematika UNAND Vol. 2 No. 2 Hal. 63 7 ISSN : 233 291 c Jurusan Matematika FMIPA UNAND SYARAT CUKUP UNTUK OPTIMALITAS MASALAH KONTROL KUADRATIK LINIER SUCI FRATAMA SARI Program Stui Matematika,
Transistor Bipolar. III.1 Arus bias
Transistor Bipolar Pada tulisan tentang semikonduktor telah dijelaskan bagaimana sambungan NPN maupun PNP menjadi sebuah transistor. Telah disinggung juga sedikit tentang arus bias yang memungkinkan elektron
PROGRAM KOMPUTER UNTUK PEMODELAN SEBARAN PERGERAKAN. Abstrak
PROGRAM KOMPUTER UNTUK PEMODELAN SEBARAN PERGERAKAN Ruy Setiawan, ST., MT. Sukanto Tejokusuma, Ir., M.Sc. Jenny Purwonegoro, ST. Staf Pengajar Fakultas Staf Pengajar Fakultas Alumni Fakultas Teknik Sipil
ANALISIS SISTEM KONTROL MOTOR DC SEBAGAI FUNGSI DAYA DAN TEGANGAN TERHADAP KALOR
Akhmad Dzakwan, Analisis Sistem Kontrol ANALISIS SISTEM KONTROL MOTOR DC SEBAGAI FUNGSI DAYA DAN TEGANGAN TERHADAP KALOR (DC MOTOR CONTROL SYSTEMS ANALYSIS AS A FUNCTION OF POWER AND VOLTAGE OF HEAT) Akhmad
Modul 03: Catu Daya. Dioda, Penyearah Gelombang, dan Pembebanan. 1 Alat dan Komponen. 2 Teori Singkat. Reza Rendian Septiawan February 11, 2015
Modul 03: Catu Daya Dioda, Penyearah Gelombang, dan Pembebanan Reza Rendian Septiawan February, 205 Dalam dunia elektronika, salah satu komponen yang paling penting adalah catu daya. Sebagian besar komponen
BAB 7 P A S A K. Gambar 1. Jenis-Jenis Pasak
BAB 7 P A S A K Pasak atau keys merupakan elemen mesin yang igunakan untuk menetapkan atau mengunci bagian-bagian mesin seperti : roa gigi, puli, kopling an sprocket paa poros, sehingga bagian-bagian tersebut
Analisis Stabilitas Lereng
Analisis Stabilitas Lereng Lereng Slope Stability Dr.Eng.. Agus Setyo Muntohar, S.T.,M.Eng.Sc. Faktor Keamanan (Factor of Safety) Faktor aman (FS): nilai baning antara gaya yang menahan an gaya yang menggerakkan.