BAB I PENDAHULUAN. Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini

Ukuran: px
Mulai penontonan dengan halaman:

Download "BAB I PENDAHULUAN. Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini"

Transkripsi

1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini terlihat dari banyaknya komponen semikonduktor yang digunakan disetiap kegiatan manusia. Seiring dengan kemajuan teknologi dan kebutuhan pasar terhadap devais elektronik dan optoelektronik, maka penelitian rekayasa bahan untuk pembuatan devais elektronik mulai dikembangkan. Penelitian yang digunakan tidak hanya mengacu pada kualitas produk yang dihasilkan, namun juga terhadap nilai ekonomisnya. Salah satu teknologi bahan semikonduktor yang dikembangkan adalah film tipis. Film tipis adalah suatu film yang sangat tipis (<500 µm) dari bahan organik maupun inorganik, metal atau campuran metal organik yang mempunyai sifat konduktor, semikonduktor maupun isolator (Sudjatmoko, 2003:3). Pada dasarnya terdapat dua metode penumbuhan film tipis, yaitu Physical Vapor Deposition (PVD) dan Chemical Vapor Deposition (CVD). Metoda Physical Vapor Deposition (PVD) merupakan deposisi uap dengan reaksi fisika seperti teknik Sputtering dan PLD (Pulsed Laser Deposition). Adapun metoda Chemical Vapor Deposition (CVD) merupakan deposisi uap dengan reaksi kimia seperti MOCVD (Metal Organik Chemical Vapor Deposition), PECVD (Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) dan metode sol-gel. 1

2 2 Teknik Sputtering dan PLD prosedur pembuatannya berbelit karena harus membuka reaktor. Metode MOCVD dan PECVD mampu menghasilkan film tipis yang berkualitas tinggi. Hal ini dimungkinkan karena metode ini memiliki kemampuan menghasilkan lapisan film tipis dengan ketebalan yang merata, kemampuan menumbuhkan struktur multi lapisan dan kemudahan dalam proses penyaluran doping. Akan tetapi, metode ini proses operasionalnya rumit serta membutuhkan biaya operasional yang tinggi (biayanya mahal). Metode sol-gel mampu menghasilkan film tipis dengan prosedur pembuatan yang lebih mudah, sederhana dan biaya operasionalnya rendah dibandingkan dengan metode lainnya. Akan tetapi, metode sol-gel memiliki kelemahan dalam menghasilkan kualitas film tipis yang baik, yaitu filmnya tidak merata dan belum terbentuk single kristal. Penelitian mengenai penumbuhan film tipis GaN dengan metode sol-gel pernah dilakukan oleh A.R. Raju dkk (2001). Mereka berhasil menumbuhkan film tipis GaN dan paduan III-V lainnya dengan teknik Nebullized Spray Pyrolisis. Hasil penelitiannya menyimpulkan bahwa kualitas film tipis yang dihasilkan cukup baik dengan ketebalan film yang tipis. Keberhasilan ini menunjukkan bahwa adanya kemungkinan untuk menghasilkan kualitas film tipis yang baik dengan menggunakan metode sol-gel lainnya seperti spin coating. Pada saat ini, material semikonduktor yang banyak digunakan adalah GaN. Hal ini dikarenakan material GaN merupakan semikonduktor paduan antara III/V yang mempunyai lebar celah pita energi (bandgap) pada suhu ruang sebesar 3,4 ev (K. Uchida et al, 1996), memiliki struktur pita energi dengan transisi langsung (direct

3 3 bandgap). Oleh karena itu, material GaN cocok digunakan untuk berbagai aplikasi devais elektronik dan optoelektronik seperti dioda laser dan dioda pengemusi cahaya yang beroperasi pada panjang gelombang cahaya tampak (LED), detektor UV (Shen, 1999) dengan respon tinggi pada panjang gelombang lebih kecil dari 365 nm, transistor, display, memori penyimpan data yang memiliki mobilitas tinggi yang dapat beroperasi pada suhu tinggi, frekuensi tinggi dan daya tinggi (Li, dkk. 1997; Yoshida, dkk. 2003). Selain itu, material GaN juga mempunyai sifat listrik yang menarik untuk diteliti. Material GaN memiliki kecepatan saturasi elektron yang tinggi, celah pita energi yang lebar, konduktivitas termal yang tinggi dan kemampuannya dalam heterojunction sehingga cocok digunakan sebagai piranti elektronik daya tinggi dan temperatur tinggi (Cui et al, 2000). Contoh aplikasi GaN adalah sebagai piranti penguat gelombang mikro seperti pada High Electron Mobility Transistor (HMET) dan Heterostructure Field Effect Transistor (HFET) (Ping, 1998). Pada pembuatan devais elektronik seperti HFET atau HEMT dari bahan semikonduktor golongan III-nitrida (Seperti GaN) perlu diketahui sifat listrik dari bahan semikonduktor yang digunakan. Pada devais elektronik, sifat yang sangat berpengaruh dalam penerapannya adalah karakteristik listrik dari piranti tersebut. Salah satunya adalah konduktivitas yang dimiliki oleh piranti tersebut. Apabila sifat dari bahan tersebut telah diketahui, maka dapat membantu proses pembuatan devais elektronik untuk selanjutnya film tersebut diaplikasikan dalam pembuatan devais-

4 4 devais elektronik. Berdasarkan wacana tersebut maka sangat diperlukan investigasi terhadap sifat listrik suatu bahan sebelum dibuat aplikasi devais. Beberapa peneliti telah berhasil mendeposisikan lapisan tipis GaN di atas berbagai jenis substrat seperti Al 2 O 3, 6H-SiC, ZnO, SiC, Si, dan sebagainya (Brown, dkk. 2002; Liaw, dkk. 2001). Pada umumnya film tipis GaN ditumbuhkan di atas substrat sapphire (Al 2 O 3 ) dan silicon carbide (SiC). Akan tetapi, sekarang ini kedua substrat tersebut sulit diperoleh dalam ukuran besar dan harganya sangat mahal. Selain itu, substrat sapphire dan silicon carbide memiliki kekurangan dalam hal ketidaksesuaian parameter kisi dan koefisien ekspansi termal dengan material GaN. Sehingga menimbulkan kecacatan pada film tipis GaN saat ditumbuhkan. Ketidaksesuaian kisi dan koefisien ekspansi termal sapphire terhadap film tipis GaN masing-masing sebesar 15% dan 34% (Armstrong, 2006). Sedangkan substrat silicon carbide masing-masing sebesar 3.5% dan 3.2% (Zhang dkk, 2003). Selain substrat sapphire dan silicon carbide, substrat silikon juga dapat digunakan sebagai tempat penumbuhan film tipis. Substrat silikon memiliki keunggulan dibandingkan substrat lainnya diantaranya substrat silikon banyak tersedia dalam bentuk kristal tunggal, dapat diperoleh dalam ukuran besar, dan stabil pada temperatur tinggi. Selain itu, harganya jauh lebih murah dibandingkan substrat sapphire dan silicon carbide. Substrat silikon Si (111) merupakan substrat alternatif karena simetri kristalnya serupa dengan GaN dibandingkan substrat SiC maupun Sapphire. Selain itu, substrat silikon (111) memiliki konduktivitas termal baik. Studi penumbuhan film tipis GaN di atas Si (111) telah dilakukan oleh Miyazaki et al

5 5 (2001) dengan metode rf magneton sputtering, juga oleh Randanowicz dan Narayan (2004) dengan metode MBE. Dalam penelitian sebelumnya telah dilakukan proses pengujian untuk mengetahui secara empiris gambaran kebergantungan dari molaritas Ga 2 O 3 dan laju aliran gas Nitrogen terhadap karakteristik fisis film tipis yang dihasilkan, sedangkan karakteristik listriknya belum diketahui. Maka, pada penelitian ini dilakukan proses pengujian arus-tegangan (I-V) terhadap film tipis GaN yang ditumbuhkan diatas substrat silikon (111) dengan metode sol-gel spin coating untuk mengetahui secara empiris gambaran kebergantungan dari molaritas Ga 2 O 3, tekanan N 2 dan laju putaran spin-coater terhadap karakteristik listrik film tipis GaN yang dihasilkan. 1.2 Rumusan Masalah Rumusan masalah dalam penelitian ini adalah sebagai berikut : 1) Bagaimana pengaruh molaritas Ga 2 O 3 terhadap karakteristik listrik film tipis GaN? 2) Bagaimana pengaruh tekanan N 2 yang keluar dari tabung N 2 terhadap karakteristik listrik film tipis GaN? 3) Bagaimana pengaruh laju putaran spin-coater terhadap karakteristik listrik film tipis GaN? 1.3 Batasan Masalah Pada penelitian ini dilakukan pembatasan masalah sebagai berikut :

6 6 1) Parameter penumbuhan yang digunakan adalah sebagai berikut : a. Molaritas Ga 2 O 3 divariasikan pada M dan M, tekanan gas N 2 dan laju putaran spin-coater dibuat tetap. b. Tekanan N 2 divariasikan pada tekanan 0.5 kgf/cm 2 dan 1.5 kgf/cm 2, molaritas Ga 2 O 3 dalam pelarut HCL dan HNO 3 dan laju putaran spin-coater dibuat tetap. c. Laju putaran spin-coater divariasikan pada laju 1500 rpm, 2000 rpm dan 2500 rpm, molaritas Ga 2 O 3 dalam pelarut HCL dan HNO 3 dan Tekanan N 2 dibuat tetap. 2) Penelitian ini difokuskan pada kajian pengaruh molaritas Ga 2 O 3, tekanan N 2 dan laju putaran spin coater terhadap karakteristik listrik film tipis GaN. Adapun karakteristik listrik yang dikaji adalah konduktivitas. Karakterisasi listrik film tipis GaN dilakukan dengan menggunakan I-V meter. Karakterisasi XRD dilakukan untuk mengetahui pengaruh orientasi kristal yang terbentuk terhadap karakteristik listrik film tipis GaN, sedangkan SEM dilakukan untuk mengetahui pengaruh permukaan film tipis GaN terhadap karakteristik listrik film tipis GaN. 1.4 Tujuan Adapun tujuan dalam penelitian ini adalah sebagai berikut: 1) Mengetahui bagaimana pengaruh molaritas Ga 2 O 3 terhadap karakteristik listrik film tipis GaN.

7 7 2) Mengetahui bagaimana pengaruh tekanan gas N 2 terhadap karakteristik listrik film tipis GaN. 3) Mengetahui bagaimana pengaruh laju putaran spin-coater terhadap karakteristik listrik film tipis GaN. 1.5 Manfaat Penelitian Hasil penelitian ini dapat menjadi acuan untuk penelitian selanjutnya yaitu untuk menghasilkan film tipis GaN yang lebih berkualitas dengan metode sol-gel menggunakan teknik spin coating. 1.6 Metode Penelitian Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen. Pembuatan gel dan penumbuhan film dilakukan di laboratorium Fisika Material, Jurusan Pendidikan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Pendidikan Indonesia (UPI). Metode yang digunakan untuk penumbuhan film tipis GaN adalah metode sol-gel dengan menggunakan teknik spin-coating. Adapun Pembuatan kontak film dilakukan di laboratorium MOCVD fisika material ITB. Untuk karakterisasi penumbuhan film tipis dilakukan di tiga tempat, yaitu untuk karakterisasi I-V di laboratorium fisika material UPI, karakterisasi XRD di laboratorium XRD teknik pertambangan ITB, dan karakterisasi SEM di PPGL.

BAB I PENDAHULUAN. Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban

BAB I PENDAHULUAN. Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban manusia di abad ini. Sehingga diperlukan suatu kemampuan menguasai teknologi tinggi agar bisa

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN. Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia

BAB I PENDAHULUAN. Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia Tenggara. Sebagai negara berkembang, Indonesia melakukan swasembada diberbagai bidang, termasuk

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN. modern pada fotokonduktor ultraviolet (UV) membutuhkan material

BAB I PENDAHULUAN. modern pada fotokonduktor ultraviolet (UV) membutuhkan material BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Pengembangan material semikonduktor tidak lepas dari perkembangan piranti elektronik diantaranya fotokonduktor ultraviolet (UV). Tuntutan aplikasi modern pada

Lebih terperinci

PENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR

PENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR PENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR Penumbuhan film tipis semikonduktor di atas substrat dapat dilakukan secara epitaksi. Dalam bahasa yunani epi berarti di atas dan taksial berarti menyusun dengan kata

Lebih terperinci

BAB III METODE PENELITIAN. Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen yang dilakukan di

BAB III METODE PENELITIAN. Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen yang dilakukan di BAB III METODE PENELITIAN Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen yang dilakukan di lab. Fisika Material, Jurusan Pendidikan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN. Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi

BAB I PENDAHULUAN. Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi energi listrik DC secara langsung. Sel surya telah diaplikasikan dalam berbagai bidang, salah

Lebih terperinci

BAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI

BAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI BAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI Pada bab ini dibahas penumbuhan AlGaN tanpa doping menggunakan reaktor PA- MOCVD. Lapisan AlGaN ditumbuhkan dengan variasi laju alir gas reaktan, hasil penumbuhan dikarakterisasi

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN 1.1 LatarBelakang

BAB I PENDAHULUAN 1.1 LatarBelakang 1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 LatarBelakang Proses pembangunan disegala bidang selain membawa kemajuan terhadap kehidupan manusia, tetapi juga akan membawa dampak negative bagi lingkungan hidup. Industrialisasi

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang

BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang 1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Nanopatikel merupakan partikel mikroskopis yang memiliki ukuran dalam skala nanometer yaitu < 100 nm. Nanopartikel menjadi kajian yang sangat menarik, karena ketika

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN. Spektrum elektromagnetik yang mampu dideteksi oleh mata manusia

BAB I PENDAHULUAN. Spektrum elektromagnetik yang mampu dideteksi oleh mata manusia 1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar belakang Spektrum elektromagnetik yang mampu dideteksi oleh mata manusia berada dalam rentang spektrum cahaya tampak yang memiliki panjang gelombang dari 400 900 nm. Sedangkan

Lebih terperinci

I. PENDAHULUAN. Lapisan tipis adalah suatu lapisan yang sangat tipis terbuat dari bahan organik,

I. PENDAHULUAN. Lapisan tipis adalah suatu lapisan yang sangat tipis terbuat dari bahan organik, I. PENDAHULUAN A. Latar Belakang Lapisan tipis adalah suatu lapisan yang sangat tipis terbuat dari bahan organik, inorganik, logam maupun campuran metal organik dan memiliki sifat-sifat konduktor, semikonduktor

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN. Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini

BAB I PENDAHULUAN. Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini mengalami peralihan dari teknologi mikro (microtechnology) ke generasi yang lebih kecil yang dikenal

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN. Listrik merupakan kebutuhan esensial yang sangat dominan kegunaannya

BAB I PENDAHULUAN. Listrik merupakan kebutuhan esensial yang sangat dominan kegunaannya λ Panjang Gelombang 21 ω Kecepatan Angular 22 ns Indeks Bias Kaca 33 n Indeks Bias Lapisan Tipis 33 d Ketebalan Lapisan Tipis 33 α Koofisien Absorpsi 36 Frekuensi Cahaya 35 υ BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar

Lebih terperinci

BAB III METODOLOGI PENELITIAN. Lokasi penelitian dilakukan di Laboratorium Fisika Material, Jurusan

BAB III METODOLOGI PENELITIAN. Lokasi penelitian dilakukan di Laboratorium Fisika Material, Jurusan BAB III METODOLOGI PENELITIAN A. Lokasi dan Waktu Penelitian Lokasi penelitian dilakukan di Laboratorium Fisika Material, Jurusan Pendidikan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN. I.1 Latar Belakang Kebutuhan akan energi semakin berkembang seiring dengan

BAB I PENDAHULUAN. I.1 Latar Belakang Kebutuhan akan energi semakin berkembang seiring dengan BAB I PENDAHULUAN I.1 Latar Belakang Kebutuhan akan energi semakin berkembang seiring dengan berkembangnya kehidupan manusia. Sehingga para peneliti terus berupaya untuk mengembangkan sumber-sumber energi

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN. disamping memberikan dampak positif yang dapat. dirasakan dalam melakukan aktifitas sehari hari, juga dapat memberikan beberapa

BAB I PENDAHULUAN. disamping memberikan dampak positif yang dapat. dirasakan dalam melakukan aktifitas sehari hari, juga dapat memberikan beberapa 1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Pada saat ini pembangunan mengalami pertumbuhan yang sangat pesat, seperti pembangunan fisik kota, industri dan transportasi. Pada pertumbuhan pembangunan tersebut

Lebih terperinci

I. PENDAHULUAN. kimia yang dibantu oleh cahaya dan katalis. Beberapa langkah-langkah fotokatalis

I. PENDAHULUAN. kimia yang dibantu oleh cahaya dan katalis. Beberapa langkah-langkah fotokatalis I. PENDAHULUAN A. Latar Belakang Telah berkembang suatu mekanisme fotokatalis yang menerapkan pemanfaatan radiasi ultraviolet dan bahan semikonduktor sebagai fotokatalis, umumnya menggunakan bahan TiO2

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang

BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pengembangan material yang memiliki ketahanan terhadap temperatur tinggi merupakan salah satu topik menarik yang terus dikaji oleh peneliti. Contoh aplikasi penggunaan

Lebih terperinci

Berkala Fisika ISSN : Vol 4, No. 2, April 2001, hal 40-44

Berkala Fisika ISSN : Vol 4, No. 2, April 2001, hal 40-44 PENGARUH VARIASI TEMPERATUR PENUMBUHAN TERHADAP KARAKTERISTIK SIFAT LISTRIK FILM TIPIS GaN DI ATAS Si (111) DENGAN METODE PA-MOCVD Heri Sutanto Laboratorium Fisika Zat Padat, Jurusan Fisika, FMIPA Universitas

Lebih terperinci

III. METODE PENELITIAN

III. METODE PENELITIAN 21 III. METODE PENELITIAN 3.1 Waktu dan Tempat Penelitian Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Agustus 2010 - Juni 2011 di Laboratorium Biofisika dan Laboratorium Fisika Lanjut, Departemen Fisika IPB.

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN Latar Belakang

BAB I PENDAHULUAN Latar Belakang BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Ketersediaan sumber energi merupakan masalah yang harus segera diselesaikan oleh masing-masing negara termasuk Indonesia. Untuk itu perlu dikembangkan suatu teknologi

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN. Oksida konduktif transparan atau transparent conductive oxide (TCO)

BAB I PENDAHULUAN. Oksida konduktif transparan atau transparent conductive oxide (TCO) BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Oksida konduktif transparan atau transparent conductive oxide (TCO) adalah semikonduktor yang memiliki lebar celah pita energi antara 2,5 4,5 ev (Dengyuan, 2005).

Lebih terperinci

Pengaruh Temperatur dan Waktu Putar Terhadap Sifat Optik Lapisan Tipis ZnO yang Dibuat dengan Metode Sol-Gel Spin Coating

Pengaruh Temperatur dan Waktu Putar Terhadap Sifat Optik Lapisan Tipis ZnO yang Dibuat dengan Metode Sol-Gel Spin Coating ISSN 2302-8491 Jurnal Fisika Unand Vol. 6, No. 2, April 2017 Pengaruh Temperatur dan Waktu Putar Terhadap Sifat Optik Lapisan Tipis ZnO yang Dibuat dengan Metode Sol-Gel Spin Coating Fitriani *, Sri Handani

Lebih terperinci

Homogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-si:h tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD

Homogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-si:h tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 8, NOMOR JANUARI 202 Homogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-si:h tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD

Lebih terperinci

PEMBUATAN SENSOR GAS HIDROGEN BERBASIS FILM TIPIS GaN DENGAN TEKNIK SOL GEL SPIN COATING UNTUK KOMPONEN PADA SISTEM PENDETEKSI KEBOCORAN GAS

PEMBUATAN SENSOR GAS HIDROGEN BERBASIS FILM TIPIS GaN DENGAN TEKNIK SOL GEL SPIN COATING UNTUK KOMPONEN PADA SISTEM PENDETEKSI KEBOCORAN GAS ISSN: 1693-1246 Januari 2013 http://journal.unnes.ac.id/nju/index.php/jpfi PEMBUATAN SENSOR GAS HIDROGEN BERBASIS FILM TIPIS GaN DENGAN TEKNIK SOL GEL SPIN COATING UNTUK KOMPONEN PADA SISTEM PENDETEKSI

Lebih terperinci

BAB III METODE PELAKSANAAN. Metode penelitian yang dilakukan menggunakan eksperimen murni yang

BAB III METODE PELAKSANAAN. Metode penelitian yang dilakukan menggunakan eksperimen murni yang 25 BAB III METODE PELAKSANAAN Metode penelitian yang dilakukan menggunakan eksperimen murni yang dilakukan di laboratorium. Metode yang digunakan untuk penumbuhan film tipis LiTaO 3 adalah metode spin-coating.

Lebih terperinci

BAB II TINJAUAN PUSTAKA

BAB II TINJAUAN PUSTAKA BAB II TINJAUAN PUSTAKA Material semikonduktor adalah material yang memiliki konduktivitas listrik diantara konduktor dan isolator (10-8 S/cm < σ < 10 4 S/cm), σ adalah konduktivitas. Konduktivitas material

Lebih terperinci

Struktur dan konfigurasi sel Fotovoltaik

Struktur dan konfigurasi sel Fotovoltaik 9 Gambar 17. Struktur dan konfigurasi sel Fotovoltaik BST yang sudah mengalami proses annealing dipasang kontak di atas permukaan substrat silikon dan di atas film tipis BST. Pembuatan kontak ini dilakukan

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN. pembuatan piranti optoelektronika yang berkualitas tinggi.

BAB I PENDAHULUAN. pembuatan piranti optoelektronika yang berkualitas tinggi. BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Sejak ditemukannya silikon (Si) dan germanium (Ge) sebagai material semikonduktor, berbagai penelitian dilakukan untuk memperoleh material semikonduktor lain

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN. Komponen elektronika seperti diode, transistor dan sebuah IC. semikonduktor. Pada zaman sekarang perkembangan piranti elektronika

BAB I PENDAHULUAN. Komponen elektronika seperti diode, transistor dan sebuah IC. semikonduktor. Pada zaman sekarang perkembangan piranti elektronika BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Komponen elektronika seperti diode, transistor dan sebuah IC (integrated circuit) merupakan elemen-elemen yang terbuat dari semikonduktor. Pada zaman sekarang

Lebih terperinci

PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR GaN DI ATAS SUBSTRAT SILIKON DENGAN METODE SOL-GEL

PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR GaN DI ATAS SUBSTRAT SILIKON DENGAN METODE SOL-GEL PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR GaN DI ATAS SUBSTRAT SILIKON DENGAN METODE SOL-GEL Heri Sutanto, Iis Nurhasanah, Indras Marhaendrajaya, Ahmad Taufani, Luluk L. Badriyah, dan Wahyu Ambikawati Laboratorium

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN. Sebagai negara berkembang yang kaya akan radiasi matahari yang tinggi,

BAB I PENDAHULUAN. Sebagai negara berkembang yang kaya akan radiasi matahari yang tinggi, BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Sebagai negara berkembang yang kaya akan radiasi matahari yang tinggi, sudah seharusnya Indonesia memanfaatkannya sebagai energi listrik dengan menggunakan sel surya.

Lebih terperinci

Penumbuhan Lapisan Tipis µc-si:h Tipe-P dengan Metode HW-PECVD untuk Aplikasi Sel Surya

Penumbuhan Lapisan Tipis µc-si:h Tipe-P dengan Metode HW-PECVD untuk Aplikasi Sel Surya Penumbuhan Lapisan Tipis µc-si:h Tipe-P dengan Metode HW-PECVD untuk Aplikasi Sel Surya Jasruddin, Abdul Haris, dan Helmi Departemen Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Negeri

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN. Bidang elektronik saat ini memegang peranan penting di berbagai sektor

BAB I PENDAHULUAN. Bidang elektronik saat ini memegang peranan penting di berbagai sektor 1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Penulisan Bidang elektronik saat ini memegang peranan penting di berbagai sektor pembangunan. Hal ini terlihat dari banyaknya penggunaan piranti elektronik di setiap

Lebih terperinci

BAB III METODOLOGI PENELITIAN. Metode yang digunakan dalam penelitian ini adalah metoda eksperimen.

BAB III METODOLOGI PENELITIAN. Metode yang digunakan dalam penelitian ini adalah metoda eksperimen. BAB III METODOLOGI PENELITIAN A. Metode Penelitian Metode yang digunakan dalam penelitian ini adalah metoda eksperimen. Penelitian dilakukan dengan beberapa tahapan yang digambarkan dalam diagram alir

Lebih terperinci

2014 PEMBUATAN BILAYER ANODE - ELEKTROLIT CSZ DENGAN METODE ELECTROPHORETIC DEPOSITION

2014 PEMBUATAN BILAYER ANODE - ELEKTROLIT CSZ DENGAN METODE ELECTROPHORETIC DEPOSITION BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Kebutuhan listrik dunia semakin meningkat seiring berjalannya waktu. Hal ini tentu disebabkan pertumbuhan aktivitas manusia yang semakin padat dan kebutuhan

Lebih terperinci

BAB IV PERHITUNGAN & ANALSIS HASIL KARAKTERISASI XRD, EDS DAN PENGUKURAN I-V MSM

BAB IV PERHITUNGAN & ANALSIS HASIL KARAKTERISASI XRD, EDS DAN PENGUKURAN I-V MSM BAB IV PERHITUNGAN & ANALSIS HASIL KARAKTERISASI XRD, EDS DAN PENGUKURAN I-V MSM Pada bab sebelumnya telah diperlihatkan hasil karakterisasi struktur kristal, morfologi permukaan, dan komposisi lapisan.

Lebih terperinci

Karakterisasi XRD. Pengukuran

Karakterisasi XRD. Pengukuran 11 Karakterisasi XRD Pengukuran XRD menggunakan alat XRD7000, kemudian dihubungkan dengan program dikomputer. Puncakpuncak yang didapatkan dari data pengukuran ini kemudian dicocokkan dengan standar difraksi

Lebih terperinci

1. JUDUL PENELITIAN RANCANG BANGUN ALAT SPINCOATING

1. JUDUL PENELITIAN RANCANG BANGUN ALAT SPINCOATING 1. JUDUL PENELITIAN RANCANG BANGUN ALAT SPINCOATING SEDERHANA UNTUK PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR (Studi eksplorasi untuk pengembangan laboratorium fisika material ) 1 2. LATAR BELAKANG MASALAH

Lebih terperinci

BAB III METODE PENELITIAN. Pelaksanaan penelitian ini pada dasarnya meliputi tiga tahapan proses

BAB III METODE PENELITIAN. Pelaksanaan penelitian ini pada dasarnya meliputi tiga tahapan proses BAB III METODE PENELITIAN Pelaksanaan penelitian ini pada dasarnya meliputi tiga tahapan proses diawali dengan tahap persiapan, tahap penumbuhan, dan tahap karakterisasi. Pada bab ini dibahas tentang metode

Lebih terperinci

BAB I 1 PENDAHULUAN. kemampuan mengubah bentuk radiasi cahaya menjadi sinyal listrik. Radiasi yang

BAB I 1 PENDAHULUAN. kemampuan mengubah bentuk radiasi cahaya menjadi sinyal listrik. Radiasi yang BAB I 1 PENDAHULUAN 1.1 LATAR BELAKANG MASALAH Fotodiode merupakan sebuah peranti semikonduktor yang memiliki kemampuan mengubah bentuk radiasi cahaya menjadi sinyal listrik. Radiasi yang dapat diterima

Lebih terperinci

Modul - 4 SEMIKONDUKTOR

Modul - 4 SEMIKONDUKTOR Modul - 4 SEMIKONDUKTOR Disusun Sebagai Materi Pelatihan Guru-Guru SMA/MA Provinsi Nangro Aceh Darussalam Disusun oleh: Dr. Agus Setiawan, M.Si Dr. Dadi Rusdiana, M.Si Dr. Ida Hamidah, M.Si Dra. Ida Kaniawati,

Lebih terperinci

I. PENDAHULUAN. Lapisan tipis merupakan suatu lapisan dari bahan organik, anorganik, metal,

I. PENDAHULUAN. Lapisan tipis merupakan suatu lapisan dari bahan organik, anorganik, metal, 1 I. PENDAHULUAN A. Latar Belakang Lapisan tipis merupakan suatu lapisan dari bahan organik, anorganik, metal, maupun campuran metal-organik yang dapat memiliki sifat-sifat sebagai konduktor, semikonduktor,

Lebih terperinci

Jurusan Pendidikan Fisika FPMIPA UPI 2005

Jurusan Pendidikan Fisika FPMIPA UPI 2005 PENUMBUHAN FILM TIPIS Galium Nitrida (GaN) DENGAN METODE SOL-GEL DAN APLIKASINYA PADA FOTODETEKTOR ULTRAVIOLET (UV) Usulan penelitian Hibah Pekerti Oleh : Yuyu R. Tayubi, dkk Jurusan Pendidikan Fisika

Lebih terperinci

Analisis Pengaruh Temperatur Annealing Pada Deposisi Lapisan Tipis Zinc Oxide (ZnO) Melalui Proses Spin Coating Rahmawati

Analisis Pengaruh Temperatur Annealing Pada Deposisi Lapisan Tipis Zinc Oxide (ZnO) Melalui Proses Spin Coating Rahmawati homepage: www.teknik.unsam.ac.id ISSN 2356-5438 Analisis Pengaruh Temperatur Annealing Pada Deposisi Lapisan Tipis Zinc Oxide (ZnO) Melalui Proses Spin Coating Rahmawati Program Studi Fisika, Universitas

Lebih terperinci

PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL (µc Si:H) TIPE-P DENGAN METODE HOT WIRE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (HW-PECVD)

PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL (µc Si:H) TIPE-P DENGAN METODE HOT WIRE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (HW-PECVD) Bimafika, 2010, 2, 134-140 PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL (µc Si:H) TIPE-P DENGAN METODE HOT WIRE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (HW-PECVD) Marwah * FKIP Unversitas Darussalam

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN. energi cahaya (foton) menjadi energi listrik tanpa proses yang menyebabkan

BAB I PENDAHULUAN. energi cahaya (foton) menjadi energi listrik tanpa proses yang menyebabkan BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Sel surya merupakan suatu piranti elektronik yang mampu mengkonversi energi cahaya (foton) menjadi energi listrik tanpa proses yang menyebabkan dampak buruk terhadap

Lebih terperinci

BAB III METODOLOGI PENELITIAN

BAB III METODOLOGI PENELITIAN BAB III METODOLOGI PENELITIAN 3.1. Waktu dan Tempat Penelitian ini dilakukan di Laboratorium Fisika Material Departemen Fisika Institut Pertanian Bogor dimulai bulan Mei 2010 sampai Bulan Mei 2011 3.2.

Lebih terperinci

Bab 1 Bahan Semikonduktor. By : M. Ramdhani

Bab 1 Bahan Semikonduktor. By : M. Ramdhani Bab 1 Bahan Semikonduktor By : M. Ramdhani Tujuan instruksional : Mengerti sifat dasar sebuah bahan Memahami konsep arus pada bahan semikonduktor Memahami konsep bahan semikonduktor sebagai bahan pembentuk

Lebih terperinci

PEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS

PEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS PEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS Syuhada, Dwi Bayuwati, Sulaiman Pusat Penelitian Fisika-LIPI, Kawasan Puspiptek Serpong Tangerang 15314 e-mail: hadda212@yahoo.com

Lebih terperinci

Mikrostruktur Semikonduktor GaN di Atas Substrat Silikon Dengan Metode Sol-Gel

Mikrostruktur Semikonduktor GaN di Atas Substrat Silikon Dengan Metode Sol-Gel Berkala Fisika ISSN : 1410-9662 Vol 13, No. 2, April 2010 hal 55-60 Mikrostruktur Semikonduktor GaN di Atas Substrat Silikon Dengan Metode Sol-Gel Heri Sutanto 1), Iis Nurhasanah 1), Istadi 2), Maryanto

Lebih terperinci

BAB 1 PENDAHULUAN Latar Belakang

BAB 1 PENDAHULUAN Latar Belakang BAB 1 PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Memasuki abad 21, persediaan minyak dan gas bumi semakin menipis. Sementara kebutuhan akan energi semakin meningkat, terutama dirasakan pada negara industri. Kebuthan

Lebih terperinci

1. Semikonduktor intrinsik : bahan murni tanpa adanya pengotor bahan lain. 2. Semikonduktor ekstrinsik : bahan mengandung impuritas dari bahan lain

1. Semikonduktor intrinsik : bahan murni tanpa adanya pengotor bahan lain. 2. Semikonduktor ekstrinsik : bahan mengandung impuritas dari bahan lain 1. Semikonduktor intrinsik : bahan murni tanpa adanya pengotor bahan lain 2. Semikonduktor ekstrinsik : bahan mengandung impuritas dari bahan lain Adalah Semikonduktor yang terdiri atas satu unsur saja,

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN. kita terima bahwa pemakaian energi berbahan dasar dari fosil telah menjadi salah

BAB I PENDAHULUAN. kita terima bahwa pemakaian energi berbahan dasar dari fosil telah menjadi salah BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Menipisnya cadangan energi fosil di Indonesia dan kenyataan yang harus kita terima bahwa pemakaian energi berbahan dasar dari fosil telah menjadi salah satu

Lebih terperinci

PENGARUH KETEBALAN LAPISAN PENYANGGA TERHADAP KUALITAS FILM TIPIS GaN

PENGARUH KETEBALAN LAPISAN PENYANGGA TERHADAP KUALITAS FILM TIPIS GaN J. Sains Tek., Desember 2006, Vol. 12, No. 3, Hal.: 149-153 ISSN 0853-733X PENGARUH KETEBALAN LAPISAN PENYANGGA TERHADAP KUALITAS FILM TIPIS GaN Erzam S. Hasan 1, A. Subagio 2, Sugianto 3, M. Budiman 4,

Lebih terperinci

Struktur kristal dan Morfologi film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan metoda Hot-Wire Pulsed Laser Deposition

Struktur kristal dan Morfologi film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan metoda Hot-Wire Pulsed Laser Deposition Struktur kristal dan Morfologi film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan metoda Hot-Wire Pulsed Laser Deposition Dadi Rusdiana Departemen Fisika, FPMIPA UPI, Jl. Dr.Setiabudi 229 Bandung, Indonesia 40154

Lebih terperinci

Interferometer Fabry Perot : Lapisan optis tipis, holografi.

Interferometer Fabry Perot : Lapisan optis tipis, holografi. Interferometer Fabry Perot : Lapisan optis tipis, holografi. KELOMPOK 2 Anggota : Amry Priswanto 135090807111001 Achmad Ainul Yaqin 135090301111014 Aulia Ainur Rohmah 135090301111028 Talitha Dea Ambarwati

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN. Pesatnya perkembangan teknologi material semikonduktor keramik,

BAB I PENDAHULUAN. Pesatnya perkembangan teknologi material semikonduktor keramik, 1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang. Pesatnya perkembangan teknologi material semikonduktor keramik, menghasilkan berbagai penemuan baru khususnya dalam bidang elektronika. Salah satu teknologi yang

Lebih terperinci

SINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION

SINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION SINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION Yolanda Oktaviani, Astuti Jurusan Fisika FMIPA Universitas Andalas e-mail: vianyolanda@yahoo.co.id

Lebih terperinci

Deskripsi METODE UNTUK PENUMBUHAN MATERIAL CARBON NANOTUBES (CNT)

Deskripsi METODE UNTUK PENUMBUHAN MATERIAL CARBON NANOTUBES (CNT) 1 Deskripsi METODE UNTUK PENUMBUHAN MATERIAL CARBON NANOTUBES (CNT) Bidang Teknik Invensi Invensi ini berhubungan dengan metode untuk penumbuhan material carbon nanotubes (CNT) di atas substrat silikon

Lebih terperinci

1. URAIAN UMUM 1.1 Judul Penelitian : PENUMBUHAN LAPISAN SEMIKONDUKTOR DENGAN TEKNIK SPIN COATING. Bidang Keahlian Fisika Semikonduktor

1. URAIAN UMUM 1.1 Judul Penelitian : PENUMBUHAN LAPISAN SEMIKONDUKTOR DENGAN TEKNIK SPIN COATING. Bidang Keahlian Fisika Semikonduktor 1. URAIAN UMUM 1.1 Judul Penelitian : PENUMBUHAN LAPISAN SEMIKONDUKTOR DENGAN TEKNIK SPIN COATING 1.2. Penanggung jawab penelitian Nama Jabatan Jurusan Fakultas : Drs. Yuyu R. Tayubi, M.Si : Lektor : Pend.

Lebih terperinci

2016 PEMODELAN ARUS TEROBOSAN PADA TRANSISTOR DWIKUTUB N-P-N ARMCHAIR GRAPHENE NANORIBBON (AGNR) MENGGUNAKAN METODE MATRIKS TRANSFER

2016 PEMODELAN ARUS TEROBOSAN PADA TRANSISTOR DWIKUTUB N-P-N ARMCHAIR GRAPHENE NANORIBBON (AGNR) MENGGUNAKAN METODE MATRIKS TRANSFER BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Alat-alat elektronik sudah menjadi pelengkap kehidupan manusia. Di dalamnya terdapat berbagai macam divais elektronik yang tersusun sehingga memiliki fungsinya tersendiri.

Lebih terperinci

STUDI EFEK FOTOVOLTAIK DAN PIROELEKTRIK Ba 0,75 Sr 0,25 TIO 3 (BST) YANG DIDADAH GALIUM (BGST) DI ATAS SUBSTRAT SI (100) TIPE-P ERDIANSYAH PRATAMA

STUDI EFEK FOTOVOLTAIK DAN PIROELEKTRIK Ba 0,75 Sr 0,25 TIO 3 (BST) YANG DIDADAH GALIUM (BGST) DI ATAS SUBSTRAT SI (100) TIPE-P ERDIANSYAH PRATAMA STUDI EFEK FOTOVOLTAIK DAN PIROELEKTRIK Ba 0,75 Sr 0,25 TIO 3 (BST) YANG DIDADAH GALIUM (BGST) DI ATAS SUBSTRAT SI (100) TIPE-P ERDIANSYAH PRATAMA DEPARTEMEN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN

Lebih terperinci

PENGARUH DAYA PLASMA PADA STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING

PENGARUH DAYA PLASMA PADA STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING 134 Prosiding Pertemuan Ilmiah XXIV HFI Jateng & DIY, Semarang 10 April 2010 hal. 134-138 PENGARUH DAYA PLASMA PADA STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING

Lebih terperinci

Mekanisme Hamburan Defek Statis Dan Vibrasi Termal Terhadap Mobilitas Elektron Pada Film Tipis GaN

Mekanisme Hamburan Defek Statis Dan Vibrasi Termal Terhadap Mobilitas Elektron Pada Film Tipis GaN Berkala Fisika ISSN : 1410-9662 Vol 13., No.1, Januari 2010, hal 39-44 Mekanisme Hamburan Defek Statis Dan Vibrasi Termal Terhadap Mobilitas Elektron Pada Film Tipis GaN Dadi Rusdiana, Lilik Hasanah, dan

Lebih terperinci

PENGARUH LAPISAN PENYANGGA AlN DAN DAYA PLASMA PADA SIFAT OPTIK FILM TIPIS GaN YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING

PENGARUH LAPISAN PENYANGGA AlN DAN DAYA PLASMA PADA SIFAT OPTIK FILM TIPIS GaN YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING PENGARUH LAPISAN PENYANGGA AlN DAN DAYA PLASMA PADA SIFAT OPTIK FILM TIPIS GaN YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING SKRIPSI Disusun dalam rangka penyelesaian Studi Stata 1 untuk memperoleh gelar

Lebih terperinci

PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se 0,4 Te 0,6 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM

PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se 0,4 Te 0,6 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM Pengaruh Suhu Substrat...(Vina Hentri Tunita N.)288 PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se 0,4 Te 0,6 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM THE EFFECT OF SUBSTRATE

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah

BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Graphene merupakan susunan atom-atom karbon monolayer dua dimensi yang membentuk struktur kristal heksagonal menyerupai sarang lebah. Graphene memiliki sifat

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang

BAB I PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Kebutuhan energi yang terus meningkat dan semakin menipisnya cadangan minyak bumi dan gas alam menjadi pendorong bagi manusia untuk mencari sumber energi alternatif.

Lebih terperinci

MAKALAH PITA ENERGI. Di susun oleh, Pradita Ajeng Wiguna ( ) Rombel 1. Untuk Memenuhi Tugas Mata Kuliah Fisika dan Teknologi Semikonduktor

MAKALAH PITA ENERGI. Di susun oleh, Pradita Ajeng Wiguna ( ) Rombel 1. Untuk Memenuhi Tugas Mata Kuliah Fisika dan Teknologi Semikonduktor MAKALAH PITA ENERGI Untuk Memenuhi Tugas Mata Kuliah Fisika dan Teknologi Semikonduktor Di susun oleh, Pradita Ajeng Wiguna (4211412011) Rombel 1 JURUSAN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN

Lebih terperinci

2 SINTESIS DAN KARAKTERISASI NANOSTRUKTUR ZnO

2 SINTESIS DAN KARAKTERISASI NANOSTRUKTUR ZnO 2 SINTESIS DAN KARAKTERISASI NANOSTRUKTUR ZnO 3 Pendahuluan ZnO merupakan bahan semikonduktor tipe-n yang memiliki lebar pita energi 3,37 ev pada suhu ruang dan 3,34 ev pada temperatur rendah dengan nilai

Lebih terperinci

BAB III METODE PENELITIAN. Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Juli 2005 sampai Juni 2006, bertempat di

BAB III METODE PENELITIAN. Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Juli 2005 sampai Juni 2006, bertempat di BAB III METODE PENELITIAN 3.1 Tempat dan Waktu Penelitian Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Juli 2005 sampai Juni 2006, bertempat di Laboratorium Departemen Fisika, FMIPA, Universitas Indonesia, Depok

Lebih terperinci

Oleh Budi Mulyanti NIM : Tim Pembimbing Dr. Sukirno Prof. Dr. M. Barmawi Dr. Pepen Arifin Dr. Maman Budiman

Oleh Budi Mulyanti NIM : Tim Pembimbing Dr. Sukirno Prof. Dr. M. Barmawi Dr. Pepen Arifin Dr. Maman Budiman PENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR FERROMAGNETIK GaN:Mn MENGGUNAKAN METODE PLASMA ASSISTED METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (PA- MOCVD) DAN KARAKTERISASINYA Oleh Budi Mulyanti NIM : 30201015 Tim

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang

BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pendeteksian cahaya merupakan salah satu proses paling mendasar pada bidang optik [1]. Untuk mendeteksi cahaya, diperlukan suatu proses konversi optoelektronik menggunakan

Lebih terperinci

BAB II KAJIAN PUSTAKA DAN DASAR TEORI

BAB II KAJIAN PUSTAKA DAN DASAR TEORI BAB II KAJIAN PUSTAKA DAN DASAR TEORI 2.1. Kajian Pustaka Marwoto.P., dkk (2007) melakukan penelitian proses penumbuhan film tipis Ga 2 O 3 :Mn dengan mengguakan DC magnetron sputtering dan dilakukan dengan

Lebih terperinci

ABSTRAK DAN EXECUTIVE SUMMARY PROGRAM PENELITIAN HIBAH BERSAING

ABSTRAK DAN EXECUTIVE SUMMARY PROGRAM PENELITIAN HIBAH BERSAING ABSTRAK DAN EXECUTIVE SUMMARY PROGRAM PENELITIAN HIBAH BERSAING Rancang Bangun Sensor Gas CO Berbasis Zinc Oxide Nanokristal Tahun ke-1 dari rencana 2 tahun Oleh: Dr. Edy Supriyanto, S.Si., M.Si(Ketua

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah

BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Energi cahaya matahari dapat dikonversi menjadi energi listrik melalui suatu sistem yang disebut sel surya. Peluang dalam memanfaatkan energi matahari masih

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN. energi listrik. Pemanfaatan energi listrik terus berkembang tidak hanya berfokus

BAB I PENDAHULUAN. energi listrik. Pemanfaatan energi listrik terus berkembang tidak hanya berfokus BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Seiring pertumbuhan penduduk di dunia yang semakin meningkat, kebutuhan akan sumber energi meningkat pula. Termasuk kebutuhan akan sumber energi listrik. Pemanfaatan

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN. SiO 2 memiliki sifat isolator yang baik dengan energi gapnya mencapai 9 ev,

BAB I PENDAHULUAN. SiO 2 memiliki sifat isolator yang baik dengan energi gapnya mencapai 9 ev, BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Graphene adalah material yang tersusun atas atom karbon dengan susunan kisi hexagonal dengan ketebalan satu atom. Graphene yang disusun dalam bentuk 3 dimensi, dimana

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Penelitian

BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Penelitian 1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Penelitian Beberapa bahan penting dalam peralatan elektronik adalah semikonduktor. Kegunaan semikonduktor dalam bidang elektronik antara lain adalah sebagai transistor,

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang

BAB I PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang 1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Penyempurnaan performa dari suatu material sangat diperlukan, agar komponen mesin menjadi lebih tahan lama, namun perlu dicari proses yang optimal sehingga diperoleh

Lebih terperinci

BAB I PENDAH ULUAN 1.1.Latar Belakang

BAB I PENDAH ULUAN 1.1.Latar Belakang 1 BAB I PENDAHULUAN 1.1.Latar Belakang Polimer secara umum merupakan bahan dengan kemampuan menghantarkan listrik yang rendah dan tidak memiliki respon terhadap adanya medan magnet dari luar. Tetapi melalui

Lebih terperinci

SIDANG TUGAS AKHIR. Jurusan Teknik Material & Metalurgi Fakultas Teknologi Industri Institut Teknologi Sepuluh Nopember

SIDANG TUGAS AKHIR. Jurusan Teknik Material & Metalurgi Fakultas Teknologi Industri Institut Teknologi Sepuluh Nopember SIDANG TUGAS AKHIR Arisela Distyawan NRP 2709100084 Dosen Pembimbing Diah Susanti, S.T., M.T., Ph.D Jurusan Teknik Material & Metalurgi Fakultas Teknologi Industri Institut Teknologi Sepuluh Nopember Sintesa

Lebih terperinci

4 FABRIKASI DAN KARAKTERISASI SEL SURYA HIBRID ZnO-KLOROFIL

4 FABRIKASI DAN KARAKTERISASI SEL SURYA HIBRID ZnO-KLOROFIL 4 FABRIKASI DAN KARAKTERISASI SEL SURYA HIBRID ZnO-KLOROFIL 21 Pendahuluan Sel surya hibrid merupakan suatu bentuk sel surya yang memadukan antara semikonduktor anorganik dan organik. Dimana dalam bentuk

Lebih terperinci

2 SINTESA MATERIAL SEMIKONDUKTOR BERBASIS BAHAN FERROELEKTRIK FILM Ba 0,55 Sr 0,45 TiO 3 (BST) Pendahuluan

2 SINTESA MATERIAL SEMIKONDUKTOR BERBASIS BAHAN FERROELEKTRIK FILM Ba 0,55 Sr 0,45 TiO 3 (BST) Pendahuluan 2 SINTESA MATERIAL SEMIKONDUKTOR BERBASIS BAHAN FERROELEKTRIK FILM Ba 0,55 Sr 0,45 TiO 3 (BST) 5 Pendahuluan Semikonduktor adalah bahan dasar untuk komponen aktif dalam alat elektronika, digunakan misalnya

Lebih terperinci

METODOLOGI PENELITIAN

METODOLOGI PENELITIAN 37 METODOLOGI PENELITIAN Tempat dan Waktu Penelitian Penelitian ini dilakukan di Laboratorium Material Departemen Fisika IPB dari Bulan November 2010 sampai dengan bulan Mei 2011. Bahan dan Alat Alat yang

Lebih terperinci

KUMPULAN ABSTRAK TESIS DISERTASI DOKTOR 2005 INSTITUT TEKNOLOGI BANDUNG

KUMPULAN ABSTRAK TESIS DISERTASI DOKTOR 2005 INSTITUT TEKNOLOGI BANDUNG KUMPULAN ABSTRAK TESIS DISERTASI DOKTOR 2005 INSTITUT TEKNOLOGI BANDUNG SEKOLAH PASCASARJANA Jl. Tamansari No. 64 Bandung 40116 Gedung CCAR lt. IV Telp. : +6222 251 1495; Fax. : +6222 250 3659 E-mail :

Lebih terperinci

Mengenal Sifat Material. Teori Pita Energi

Mengenal Sifat Material. Teori Pita Energi Mengenal Sifat Material Teori Pita Energi Ulas Ulang Kuantisasi Energi Planck : energi photon (partikel) bilangan bulat frekuensi gelombang cahaya h = 6,63 10-34 joule-sec De Broglie : Elektron sbg gelombang

Lebih terperinci

HASIL DAN PEMBAHASAN. Gambar 11. Rangkaian pengukuran karakterisasi I-V.

HASIL DAN PEMBAHASAN. Gambar 11. Rangkaian pengukuran karakterisasi I-V. 10 larutan elektrolit yang homogen. Pada larutan yang telah homogen dengan laju stirring yang sama ditambahkan larutan elektrolit KI+I 2 sebanyak 10 ml dengan konsentrasi 0.3 M tanpa annealing. Setelah

Lebih terperinci

Pengaruh ketebalan lapisan penyangga pada struktur kristal film GaN yang ditumbuhkan dengan Pulsed Laser Deposition Dadi Rusdiana

Pengaruh ketebalan lapisan penyangga pada struktur kristal film GaN yang ditumbuhkan dengan Pulsed Laser Deposition Dadi Rusdiana Pengaruh ketebalan lapisan penyangga pada struktur kristal film GaN yang ditumbuhkan dengan Pulsed Laser Deposition Dadi Rusdiana Department fisika FPMIPA UPI, Jl. DR.Setia Budi 229 Bandung E-mail: dadi_rusdiana@upi.edu

Lebih terperinci

Gambar Semikonduktor tipe-p (kiri) dan tipe-n (kanan)

Gambar Semikonduktor tipe-p (kiri) dan tipe-n (kanan) Mekanisme Kerja Devais Sel Surya Sel surya merupakan suatu devais semikonduktor yang dapat menghasilkan listrik jika diberikan sejumlah energi cahaya. Proses penghasilan energi listrik itu diawali dengan

Lebih terperinci

Bab 1. Semi Konduktor

Bab 1. Semi Konduktor Bab 1. Semi Konduktor Operasi komponen elektronika benda padat seperti dioda, LED, Transistor Bipolar dan FET serta Op-Amp atau rangkaian terpadu lainnya didasarkan atas sifat-sifat semikonduktor. Semikonduktor

Lebih terperinci

STUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI

STUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI Studi Pengaruh Suhu Substrat. (Rully Fakhry Muhammad) 303 STUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI STUDY

Lebih terperinci

STUDI EFEK FOTOVOLTAIK BAHAN Ba 0,5 Sr 0,5 TiO 3 YANG DIDADAH GALIUM (BSGT) DI ATAS SUBSTRAT Si (100) TIPE-N. Abraham Marwan

STUDI EFEK FOTOVOLTAIK BAHAN Ba 0,5 Sr 0,5 TiO 3 YANG DIDADAH GALIUM (BSGT) DI ATAS SUBSTRAT Si (100) TIPE-N. Abraham Marwan STUDI EFEK FOTOVOLTAIK BAHAN Ba 0,5 Sr 0,5 TiO 3 YANG DIDADAH GALIUM (BSGT) DI ATAS SUBSTRAT Si (100) TIPE-N Abraham Marwan DEPARTEMEN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM INSTITUT PERTANIAN

Lebih terperinci

2016 PENGARUH SUHU PEMBAKARAN TERHADAP KARAKTERISTIK LISTRIK KERAMIK FILM TEBAL BERBASIS

2016 PENGARUH SUHU PEMBAKARAN TERHADAP KARAKTERISTIK LISTRIK KERAMIK FILM TEBAL BERBASIS BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Indonesia merupakan suatu negara dengan kekayaan alam yang melimpah dan salah satunya adalah mineral besi.sejauh ini pemanfaatan mineral kurang maksimal, hanya ditambang

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang

BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Perkembangan teknologi alternatif telah mendorong minat yang besar pada device dan material dengan skala nanometer beberapa tahun terakhir ini. Material berskala nano

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang

BAB I PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Perkembangan nanoteknologi terus dilakukan oleh para peneliti dari dunia akademik maupun dari dunia industri. Para peneliti seolah berlomba untuk mewujudkan karya baru

Lebih terperinci

BAB V ANALISIS HASIL PERCOBAAN DAN DISKUSI

BAB V ANALISIS HASIL PERCOBAAN DAN DISKUSI BAB V ANALISIS HASIL PERCOBAAN DAN DISKUSI Dari hasil percobaan dan uji sampel pada bab IV, yang pertama dilakukan adalah karakterisasi reaktor. Untuk mewakili salah satu parameter reaktor yaitu laju sintesis

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang

BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang 1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Korosi merupakan salah satu permasalahan penting yang harus dihadapi oleh berbagai macam sektor industri di Indonesia terutama industri perkapalan. Tidak sedikit

Lebih terperinci