PROFIL GERMANIUM SEGIEMPAT PADA TRANSISTOR BIPOLAR SILIKON-GERMANIUM
|
|
- Teguh Susanto
- 6 tahun lalu
- Tontonan:
Transkripsi
1 JETri, Volume 1, Nomor 2, Februari 2002, Halaman 41-48, ISSN PROFIL GERMANIUM SEGIEMPAT PADA TRANSISTOR BIPOLAR SILIKON-GERMANIUM E. Shintadewi Julian Dosen Jurusan Teknik Elektro-FTI, Universitas Trisakti Abstract This paper presents a study of the effect of different starting edges position in the base of Si/SiGe/Si HBTs. The germanium profile in the base under study is rectangular. In the simulations, the effect of band gap narrowing due to heavy doping and band gap narrowing due to the addition of germanium in the base of the HBT are included. The simulations are done with BIPOLE3. The results show that the starting edge positions have strong influence in the current gain and maximum transit frequency of the HBTs Keywords: SiGe, HBT, band gap narrowing, Bipole Pendahuluan Transistor bipolar heterojunction atau HBT (Heterojunction Bipolar Transistor) adalah transistor bipolar yang bandgap bahan semikonduktor emiter dan basisnya berbeda. Pemakaian heterojunction untuk memperbaiki performa transistor bipolar pertama kali dikemukakan oleh Shockley dan Kroemer pada tahun 1950-an. Konsepnya adalah bahwa penguatan arus HBT dapat diatur oleh perbedaan bandgap antara emiter dan basis. Penguatan arus dapat ditingkatkan dengan menggunakan emiter yang mempunyai bandgap lebar atau basis yang mempunyai bandgap sempit. Transistor bipolar heterojunction Silikon-Germanium (HBT SiGe) mempunyai basis yang terbuat dari bahan SiGe, sedangkan emiter dan kolektornya terbuat dari Si. Bandgap bahan SiGe ini lebih kecil dari bandgap Si. Besarnya perbedaan bandgap antara bahan Si dan SiGe tergantung dari jumlah konsentrasi Ge yang ditambahkan pada Si. Semakin tinggi konsentrasi Ge yang ditambahkan semakin kecil bandgap SiGe. Dengan cara ini dapat diperoleh transistor bipolar yang penguatan arusnya besar. Keuntungan lain yang dapat diperoleh adalah dengan cara ini konsentrasi doping basis dapat dibuat tinggi dan basis dapat dibuat tipis untuk menghasilkan resistansi basis yang rendah. Resistansi basis yang rendah ini menguntungkan karena dapat memberikan f max (maximum frequency of oscillation) yang tinggi.
2 JETri, Tahun Volume 1, Nomor 2, Februari 2002, Halaman 41-48, ISSN Teknologi epitaksi SiGe modern seperti MBE (Molecular Beam Epitaxy) (Kasper, 1993: 79-81), LPCVD (Low Pressure Chemical Vapor Deposition) (Hueting, 1997: 87-90), dan UHV/CVD (Ultra High Vacuum CVD) (Harane, 1995: ) sangat mungkin digunakan untuk menghasilkan divais yang sangat tipis. Dengan berbagai jenis doping dan profil komposisi. Pengaruh profil Ge segiempat, segitiga, dan trapesium terhadap kinerja divais telah banyak dibahas (Shintadewi, 2001). Pada penelitian ini dilakukan studi pengaruh posisi awal profil Ge segiempat pada basis HBT Si/SiGe/Si terhadap kinerja divais, dalam hal ini yang diperhatikan adalah penguatan arus dan f t (transit frequency) maksimum. Studi dilakukan dengan simulasi menggunakan perangkat lunak BIPOLE3 (Roulston, 2000). Dalam simulasi HBT diperhitungkan pengaruh penyempitan bandgap (bandgap narrowing) yang disebabkan oleh konsentrasi doping yang tinggi dan yang disebabkan penambahan Ge pada Si. 2. Sifat Bahan SiGe Model penyempitan bandgap sebagai fungsi konsentrasi doping pada SiGe yang digunakan pada penelitian ini dianggap sama dengan Si yaitu berdasarkan model Slotboom (Pejanovic, 1989: ). N( y) ln 10 N( y) ln / 2 17 E, ( y) 9,0 mev (1) g HD 2 0,5 dengan N(y) adalah konsentrasi doping. Persamaan (1) di atas berlaku untuk fraksi mol Ge (x) 0.3 dan N(y) cm -3. Sedangkan model penyempitan bandgap sebagai fungsi fraksi mol Ge yang digunakan pada penelitian ini berdasarkan (Pejanovic, 1989: ) yaitu E g, GE ( x) 0, 74x ev (2) dengan x adalah fraksi mol Germanium. 42
3 Doping concentrationcm-3 E. Shintadewi Julian, Profil Germanium Segiempat Pada Transistor Bipolar Silikon-Germanium 3. Struktur Divais Profil doping dan dimensi divais yang digunakan pada penelitian ini didasarkan pada struktur yang digunakan pada (Hueting, 1997: 87-90), seperti diperlihatkan pada Gambar 1. 1e+022 1e+021 1e+020 1e+019 1e+018 1e+017 1e+016 1e Depth (microns) Gambar 1(a) Konsentrasi doping dan dimensi transistor Konsentrasi doping maksimum pada emiter adalah , pada basis 2, dan pada subkolektor cm-3. Sambungan e-b terletak pada kedalaman 0.03 m dan sambungan b-c pada m. Profil Ge pada basis yang diamati pada penelitian ini berbentuk segiempat dengan berbagai variasi posisi awal profil Ge. Bentuk profil Ge pada basis diperlihatkan pada Gambar 2. pada halaman sebelah. Dengan mempertahankan posisi akhir terletak pada subkolektor, posisi awal digeser dari sambungan e-b kearah kolektor sejauh 10 nm, 20 nm, dan 30 nm. 4. Hasil simulasi dan analisis Pengaruh perubahan posisi awal profil Ge terhadap penguatan arus dan frekuensi transit diperlihatkan pada Tabel 1, Gambar 3 dan 4. 43
4 Ge fraction JETri, Tahun Volume 1, Nomor 2, Februari 2002, Halaman 41-48, ISSN Depth (microns) profil asli, posisi awal di geser Gambar 2. Profil Ge pada basis Tabel 1. Posisi awal Ge dan pengaruhnya pada dan ft Posisi awal Ge (m) max Ftmax (GHz) Nama pada gambar (1) DELFT2E (2) (3) DELFT3AB (4) DELFT3B (5) DELFT3C 44
5 GHz Beta Dc E. Shintadewi Julian, Profil Germanium Segiempat Pada Transistor Bipolar Silikon-Germanium Beta DC vs. Ic DELFT3AB Beta DC DELFT3C Beta DC DELFT3B Beta DC DELFT2E Beta DC e-008 1e-007 1e-006 1e Amp Gambar 3. Kurva penguatan arus () vs arus kolektor (Ic) Ft vs. Ic DELFT3AB Ft DELFT3C Ft DELFT3B Ft DELFT2E Ft e-008 1e-007 1e-006 1e Amp Gambar 4. Kurva frekuensi transit (ft) sebagai fungsi arus kolektor (Ic) 45
6 JETri, Tahun Volume 1, Nomor 2, Februari 2002, Halaman 41-48, ISSN Pada posisi 1, awal Ge adalah pada kedalaman m. Pada posisi ini, awal Ge terletak pada e-b SCR (space charge region). Frekuensi transit maksimum yang dapat dicapai berkurang karena waktu tunda yang disebabkan oleh perkalian kapasitansi daerah deplesi dan resistansi difusi meningkat. Waktu tunda ini dinyatakan dengan RE pada Persamaan (4). Peningkatan waktu tunda ini dapat dijelaskan sebagai berikut. Penyempitan bandgap pada SiGe mengakibatkan peningkatan konsentrasi pembawa muatan intrinsik (ni). Sedangkan peningkatan konsentrasi pembawa muatan intrinsik mengakibatkan peningkatan kapasitansi daerah deplesi e-b, sehingga pada akhirnya menyebabkan waktu tunda meningkat seperti dinyatakan oleh Persamaan (3) dan (4). qvbe CEN ni exp (3) kt r C (4) RE E EN Tingginya harga penguatan arus untuk posisi 1 ini disebabkan peningkatan arus kolektor yang disebabkan oleh meningkatnya konsentrasi pembawa muatan intrinsik. Kurva penguatan arus vs arus kolektor maupun kurva frekuensi transit vs arus kolektor menunjukkan bentuk yang ideal. Pada posisi 2, awal Ge terletak pada kedalaman m, yang terletak diluar e-b SCR tetapi sangat dekat dengan e-b SCR. Pada kasus ini dengan perangkat lunak BIPOLE3 tidak dapat diperoleh hasil simulasi karena sangat dipengaruhi oleh bias pada sambungan e-b (Vbe). Untuk posisi 3, posisi awal Ge digeser ke kanan sejauh 5 nm. Pada posisi ini frekuensi transit maksimum meningkat dan penguatan arus berkurang. Hal ini disebabkan penurunan konsentrasi pembawa muatan intrinsik yang mengakibatkan penurunan arus kolektor. Selain itu, meskipun posisi ini menghasilkan frekuensi transit yang tinggi, beberapa parameter menunjukkan karakteristik yang tidak ideal, antara lain ditunjukkan oleh adanya perubahan mendadak pada kurva penguatan arus vs arus kolektor dan frekuensi transit vs arus kolektor. Pada posisi 4 dan 5, awal Ge berada jauh pada basis netral yang mengakibatkan penurunan arus kolektor, yang pada akhirnya menyebabkan penurunan besarnya frekuensi transit maksimum yang dapat dicapai. Meskipun pada posisi ini kurva penguatan arus vs arus kolektor tidak menunjukkan adanya penyimpangan, kurva frekuensi transit vs arus kolektor 46
7 E. Shintadewi Julian, Profil Germanium Segiempat Pada Transistor Bipolar Silikon-Germanium masih menunjukkan bentuk yang kurang ideal untuk posisi 4 dan lebih ideal untuk posisi 5. Dari pembahasan di atas, untuk fabrikasi divais dapat digunakan posisi 1 (awal Ge pada sambungan e-b) atau posisi 5 ( awal Ge jauh di dalam basis netral). Seperti diperlihatkan pada Tabel 1, posisi 1 memberikan penguatan arus tertinggi meskipun frekuensi transit maksimum yang dapat dicapai terendah dibanding yang dapat diberikan oleh posisi lain. Posisi 5, meskipun memberikan penguatan arus dan frekuensi transit maksimum yang rendah dapat memberikan keuntungan lain, yaitu mempunyai lapisan SiGe yang paling tipis. Lapisan SiGe yang lebih tipis menyebabkan potensi terjadinya misfit dislocation menjadi lebih sedikit. Terjadinya misfit dislocation dapat menyebabkan perubahan sifat bahan semikonduktor SiGe yang pada akhirnya dapat menurunkan kinerja divais (King, 1989: ). 5. Kesimpulan Dari penelitian yang dilakukan dapat diambil kesimpulan sebagai berikut. 1. Posisi awal Ge pada basis HBT SiGe sangat mempengaruhi penguatan arus dan frekuensi transit. 2. Posisi awal Ge pada sambungan e-b (0.030 m) menghasilkan penguatan arus tertinggi dan frekuensi transit terendah. Pada posisi ini lapisan SiGe yang dibuat mempunyai ketebalan tertinggi. 3. Posisi awal Ge yang berada dekat e-b space charge region (posisi 3) dapat menghasilkan frekuensi transit tertinggi dan penguatan arus lebih rendah dibanding posisi 1. Meskipun demikian kurva penguatan arus dan frekuensi transitnya tidak ideal. 4. Posisi awal Ge yang berada jauh di dalam basis netral (posisi 4 dan 5) menghasilkan penguatan arus dan frekuensi transit yang semakin rendah. Meskipun demikian posisi 5 mempunyai lapisan SiGe yang paling tipis. Daftar Pustaka 1. E. Shintadewi Julian dan Djoko Hartanto Collector Current and Base Transit Time Model for SiGe HBT with Graded Ge Profile, Konferensi CECI. Jakarta. 2. Harame, D. L., dkk.. Maret Si/SiGe Epitaxial Base Transistors Part I: Materials, Physics, and Circuits, IEEE Transaction on Electron Devices, Vol. 42, No
8 JETri, Tahun Volume 1, Nomor 2, Februari 2002, Halaman 41-48, ISSN Hueting, R.J.E Charge Carrier Transport in Silicon Germanium Heterojunction Bipolar Transistors, Ph.D. Thesis., Netherland: Delft University of Technology. 4. Kasper, E., dkk. 1993, High Speed SiGe-HBT with Very Low Base Sheet Resistivity. IEDM. 5. King, C. A., dkk.. Oktober Bandgap and Transport Properties of Si 1-x Ge x by Analysis of Nearly Ideal Si/Si 1-x Ge x /Si Heterojunction Bipolar Transistors, IEEE Transaction on Electron Devices. Vol. 36 No Pejcinovic, Branimir, dkk.. Oktober Numerical Simulation and Comparison of Si BJT's and Si 1-x Ge x HBT's. IEEE Transaction on Electron Devices. Vol. 36, No Roulston, D. J BIPOLE3 User s Manual. Canada: Bipsim Inc. 48
PENGARUH BENTUK PROFIL GERMANIUM PADA FREKUENSI CUTOFF HBT SIGE
JETri, Volume 3, Nomor 1, Agustus 2003, Halaman 33-44, ISSN 1412-0372 PENGARUH BENTUK PROFIL GERMANIUM PADA FREKUENSI CUTOFF HBT SIGE E. Shintadewi Julian Dosen Jurusan Teknik Elektro-FTI, Universitas
Lebih terperinciPENGARUH PROFILE BASIS PADA HETERO JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR SILIKON GERMANIUM (SIGE HBT). TERHADAP PARAMETER SCATTERING
POLITEKNOLOGI VOL. 15 No. 2 MEI 2016 PENGARUH PROFILE BASIS PADA HETERO JUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR SILIKON GERMANIUM (SIGE HBT). TERHADAP PARAMETER SCATTERING Ahmad Tossin Alamsyah1 dan Engelin Shitadewi
Lebih terperinciPEMODELAN PENYEMPITAN CELAH PITA ENERGI SEBAGAI FUNGSI KONSENTRASI DOPING PADA HBT SIGE
PEMODELAN PENYEMPITAN CELAH PITA ENERGI SEBAGAI FUNGSI KONSENTRASI DOPING PADA HBT SIGE Engelin Shintadewi Julian Department of Electrical Engineering, Faculty of Industrial Technology Trisakti University
Lebih terperinciSTUDI TENTANG PENGARUH DOPING TINGGI TERHADAP RESISTANSI BASIS DAN BANDGAP NARROWING PADA Si/Si 1-x Ge x /Si HBT
MAKARA, TEKNOLOGI, VOL. 7, NO. 1, APRIL 2003 STUDI TENTANG PENGARUH DOPING TINGGI TERHADAP RESISTANSI BASIS DAN BANDGAP NARROWING PADA Si/Si 1-x Ge x /Si HBT Achmad Fadhol Jurusan Teknik Elektro, Institut
Lebih terperinciRANCANGAN HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR SILIKON GERMANIUM (HBT S SIGE) DENGAN PENDEKATAN POISSON EQUATION
RANCANGAN HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR SILIKON GERMANIUM (HBT S SIGE) DENGAN PENDEKATAN POISSON EQUATION Tossin Alamsyah, Endang Saepuddin Jurusan Teknik Elektro Politeknik Negeri Jakarta e-mail :
Lebih terperinciTransistor Bipolar. III.1 Arus bias
Transistor Bipolar Pada tulisan tentang semikonduktor telah dijelaskan bagaimana sambungan NPN maupun PNP menjadi sebuah transistor. Telah disinggung juga sedikit tentang arus bias yang memungkinkan elektron
Lebih terperinciTransistor Bipolar. oleh aswan hamonangan
Transistor Bipolar oleh aswan hamonangan Pada tulisan tentang semikonduktor telah dijelaskan bagaimana sambungan NPN maupun PNP menjadi sebuah transistor. Telah disinggung juga sedikit tentang arus bias
Lebih terperinciTUGAS AKHIR. Secara garis besar dari tugas-tugas yang telah dikerjakan dapat dibuat rangkuman sebagai berikut :
PRASETYO NUGROHO 132 96 015 TUGAS AKHIR DEVAIS ELEKTRONIKA TUGAS AKHIR Secara garis besar dari tugas-tugas yang telah dikerjakan dapat dibuat rangkuman sebagai berikut : Metode Desain Devais Mikroelektronika
Lebih terperinciUNIVERSITAS INDONESIA
UNIVERSITAS INDONESIA ANALISIS PENSKALAAN LATERAL DAN VERTIKAL DARI RANCANGAN SILICON GERMANIUM HETEROJUNCTION BIPOLAR TRANSISTOR (HBT S SIGE) DISERTASI AHMAD TOSSIN ALAMSYAH NPM0606037613 FAKULTAS TEKNIK
Lebih terperinciSTUDI PARAMETER PADA DIODA P-N
DOI: https://doi.org/1.4853/elektum.14.1.5-58 e-issn : 55-678 STUDI PARAMETER PADA DIODA P-N Fadliondi Universitas Muhammadiyah Jakarta e-mail: fadliondi@yahoo.com Abstrak Operasi divais semikonduktor
Lebih terperinciTRANSISTOR 1. TK2092 Elektronika Dasar Semester Ganjil 2012/2013. Hanya dipergunakan untuk kepentingan pengajaran di lingkungan Politeknik Telkom
TK2092 Elektronika Dasar Semester Ganjil 2012/2013 Politeknik Telkom Bandung 2013 www.politekniktelkom.ac.id TRANSISTOR 1 Disusun oleh: Duddy Soegiarto, ST.,MT dds@politekniktelkom.ac.id Hanya dipergunakan
Lebih terperinciI. Tujuan Praktikum. Mampu menganalisa rangkaian sederhana transistor bipolar.
SRI SUPATMI,S.KOM I. Tujuan Praktikum Mengetahui cara menentukan kaki-kaki transistor menggunakan Ohmmeter Mengetahui karakteristik transistor bipolar. Mampu merancang rangkaian sederhana menggunakan transistor
Lebih terperinciTRANSISTOR. Pengantar Teknik Elektronika Program Studi S1 Informatika Sekolah Tinggi Teknologi Telematika Telkom Purwokerto
TRANSISTOR Pengantar Teknik Elektronika Program Studi S1 Informatika Sekolah Tinggi Teknologi Telematika Telkom Purwokerto TIK Setelah mahasiswa mengikuti perkuliahan ini, diharapkan mahasiswa memahami
Lebih terperinciElektronika (TKE 4012)
BJT (Bipolar Junction Transistor) Elektronika (TKE 4012) Eka Maulana maulana.lecture.ub.ac.id Dasar Transistor Arus transistor Koneksi rangkaian Kurva transistor Pokok Bahasan Pendekatan transistor Datasheet
Lebih terperinciSemikonduktor. Sifat. (ohm.m) Tembaga 1,7 x 10-8 Konduktor Silikon pd 300 o K 2,3 x 10 3 Semikonduktor Gelas 7,0 x 10 6 Isolator
Semikonduktor Definisi I: Bahan yang memiliki nilai hambatan jenis (ρ) antara konduktor dan isolator yakni sebesar 10 6 s.d. 10 4 ohm.m Perbandingan hambatan jenis konduktor, semikonduktor, dan isolator:
Lebih terperinciBAB IV PERHITUNGAN & ANALSIS HASIL KARAKTERISASI XRD, EDS DAN PENGUKURAN I-V MSM
BAB IV PERHITUNGAN & ANALSIS HASIL KARAKTERISASI XRD, EDS DAN PENGUKURAN I-V MSM Pada bab sebelumnya telah diperlihatkan hasil karakterisasi struktur kristal, morfologi permukaan, dan komposisi lapisan.
Lebih terperinciGambar 1 Tegangan bias pada transistor BJT jenis PNP
KEGIATAN BELAJAR 2 Percobaan 1 A. Tujuan a. Mahasiswa diharapkan dapat memahami karakteristik switching dari BJT b. Mahasiswa diharapkan dapat menggambarkan kurva karakteristik v-i masukan dan keluaran
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini terlihat dari banyaknya komponen semikonduktor yang digunakan disetiap kegiatan manusia.
Lebih terperinciPrinsip kerja transistor adalah arus bias basis-emiter yang kecil mengatur besar arus kolektor-emiter.
TRANSISTOR Transistor adalah komponen elektronika yang tersusun dari dari bahan semi konduktor yang memiliki 3 kaki yaitu: basis (B), kolektor (C) dan emitor (E). Untuk membedakan transistor PNP dan NPN
Lebih terperinciPengertian Transistor fungsi, jenis, dan karakteristik
Pengertian Transistor fungsi, jenis, dan karakteristik Gambar 1. Transistor Transistor adalah salah satu komponen yang selalu ada di setiap rangkaian elektronika, seperti radio, televisi, handphone, lampu
Lebih terperinciRancang Bangun Dioda Schottky Dengan Frekuensi Kerja Berskala Terahertz Menggunakan Bahan Carbon Nanotube
Rancang Bangun Dioda Schottky Dengan Frekuensi Kerja Berskala Terahertz Menggunakan Bahan Carbon Nanotube Andi Agung Matutu 1 dan Arief Udhiarto 2 Sensor Device Research Group (SDRG) Departemen Teknik
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban manusia di abad ini. Sehingga diperlukan suatu kemampuan menguasai teknologi tinggi agar bisa
Lebih terperinciMETODOLOGI PENELITIAN
PEMBUATAN DIODA DARI BAHAN LAPIS TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN MELALUI METODE PENGUAPAN (VACUUM DEPOSITION) Ahmad Mulia Rambe Abstrak: Telah dilakukan pembuatan Dioda Schottky yang berstruktur kontak logam-semikonduktor.
Lebih terperinciMata kuliah Elektronika Analog L/O/G/O
Mata kuliah Elektronika Analog L/O/G/O Pengertian Transistor Fungsi Transistor Jenis & Simbol Transistor Prinsip kerja Transistor Aplikasi Transistor Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai
Lebih terperinciKarakteristik Transistor. Rudi Susanto
Karakteristik Transistor Rudi Susanto PN-Junction (Diode) BIAS MAJU / FORWARD BIAS BIAS MUNDUR / REERSE BIAS Transistor Bipolar Arus pada Transistor Alpha dc (α dc ) adalah perbandingan antara arus Ic
Lebih terperinciMODUL 05 TRANSISTOR SEBAGAI PENGUAT
P R O G R A M S T U D I F I S I K A F M I P A I T B LABORATORIUM ELEKTRONIKA DAN INSTRUMENTASI MODUL TRANSISTOR SEBAGAI PENGUAT TUJUAN Mengetahui karakteristik penguat berkonfigurasi Common Emitter Mengetahui
Lebih terperinciTRANSISTOR Oleh : Agus Sudarmanto, M.Si Tadris Fisika Fakultas Tarbiyah IAIN Walisongo
TRANSISTOR Oleh : Agus Sudarmanto, M.Si Tadris Fisika Fakultas Tarbiyah IAIN Walisongo Transistor adalah komponen elektronika yang tersusun dari dari bahan semi konduktor yang memiliki 3 kaki yaitu: basis
Lebih terperinciMODUL 04 TRANSISTOR PRAKTIKUM ELEKTRONIKA TA 2017/2018
MODUL 04 TRANSISTOR PRAKTIKUM ELEKTRONIKA TA 2017/2018 LABORATORIUM ELEKTRONIKA DAN INSTRUMENTASI PROGRAM STUDI FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN PENGETAHUAN ALAM INSTITUT TEKNOLOGI BANDUNG 1 TUJUAN Memahami
Lebih terperinciDUAL FREQUENCY ANTENA MIKROSTRIP
JETri, Volume 3, Nomor 1, Agustus 2003, Halaman 1-8, ISSN 1412-0372 DUAL FREQUENCY ANTENA MIKROSTRIP Indra Surjati Dosen Jurusan Teknik Elektro-FTI, Universitas Trisakti Abstract This research showed that
Lebih terperincistruktur dua dimensi kristal Silikon
PRINSIP DASAR Semikonduktor merupakan elemen dasar dari komponen elektronika seperti dioda, transistor dan sebuah IC (integrated circuit). Disebut semi atau setengah konduktor, karena bahan ini memang
Lebih terperinciDAFTAR ISI. PERNYATAAN BEBAS PLAGIARISME... ii. HALAMAN PENGESAHAN... iii. HALAMAN TUGAS... iv. HALAMAN PERSEMBAHAN... v. HALAMAN MOTO...
ix DAFTAR ISI PERNYATAAN BEBAS PLAGIARISME... ii HALAMAN PENGESAHAN... iii HALAMAN TUGAS... iv HALAMAN PERSEMBAHAN... v HALAMAN MOTO... vi KATA PENGANTAR... vii DAFTAR ISI... ix DAFTAR TABEL... xiii DAFTAR
Lebih terperinciSEMIKONDUKTOR oleh: Ichwan Yelfianhar dirangkum dari berbagai sumber
SEMIKONDUKTOR oleh: Ichwan Yelfianhar dirangkum dari berbagai sumber Pengertian Umum Bahan semikonduktor adalah bahan yang bersifat setengah konduktor karena celah energi yang dibentuk oleh struktur bahan
Lebih terperinciPERANCANGAN PEMBANGKITAN FREKUENSI GANDA ANTENA MIKROSTRIP SEGITIGA SAMA SISI MENGGUNAKAN TEKNIK SAMBATAN ELEKTROMAGNETIK
78 MAKARA, TEKNOLOGI, VOL. 9, NO. 2, NOPEMBER 25: 786 PERANCANGAN PEMBANGKITAN FREKUENSI GANDA ANTENA MIKROSTRIP SEGITIGA SAMA SISI MENGGUNAKAN TEKNIK SAMBATAN ELEKTROMAGNETIK Indra Surjati 1, Eko Tjipto
Lebih terperinciT 19 Kerapatan Keadaan pada Struktur Nano Berbentuk Sumur Nano, Kawat Nano dan Titik Nano
T 19 Kerapatan Keadaan pada Struktur Nano Berbentuk Sumur Nano, Kawat Nano dan Titik Nano Ratno Nuryadi Pusat Teknologi Material, Badan Pengkajian dan Penerapan Teknologi (BPPT) BPPT Gedung II Lt. 22.
Lebih terperinci5.1. Junction transistor. Bagian 5 KARAKTERISTIK TRANSISTOR. Transistor Open-Circuit
5.1. Junction transistor Bagian 5 KARAKTERISTIK TRANSISTOR Transistor Open-Circuit Elektronika 1 49 Irwan Arifin 2004 Transistor terbias pada daerah aktif (active region) Elektronika 1 50 Irwan Arifin
Lebih terperinciPENURUNAN NOISE FIGURE PERFORMANCE (F N ) PADA HBT SI / SI 1-X GE X BERDASARKAN PENGATURAN STRIPE EMITER AREA (A E ) DAN FRACTION MOLE (X).
POLITKNOLOGI VOL. 9, NOMOR, MI 010 PNURUNAN NOIS FIGUR PRFORMAN (F N ) PADA HT SI / SI 1-X G X RDASARKAN PNGATURAN STRIP MITR ARA (A ) DAN FRATION MOL (X). ASTRAT Tossin Alamsyah 1, Djoko Hartanto,NR Puspawati
Lebih terperinciSemikonduktor. Prinsip Dasar. oleh aswan hamonangan
Semikonduktor Prinsip Dasar oleh aswan hamonangan Semikonduktor merupakan elemen dasar dari komponen elektronika seperti dioda, transistor dan sebuah IC (integrated circuit). Disebut semi atau setengah
Lebih terperinciTUGAS AKHIR ANALISIS PERBANDINGAN KARAKTERISTIK PANEL SURYA BERDASARKAN MATERIAL PENYUSUN DAN INTENSITAS CAHAYA. Diajukan untuk memenuhi persyaratan
TUGAS AKHIR ANALISIS PERBANDINGAN KARAKTERISTIK PANEL SURYA BERDASARKAN MATERIAL PENYUSUN DAN INTENSITAS CAHAYA Diajukan untuk memenuhi persyaratan menyelesaikan pendidikan sarjana (S-1) pada Departemen
Lebih terperinciSATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH / KODE : SISTEM FABRIKASI & DEVAIS MIKROELEKTRONIKA / AK SEMESTER / SKS : VIII / 2
SATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH / KODE : SISTEM FABRIKASI & DEVAIS MIKROELEKTRONIKA / AK041217 SEMESTER / SKS : VIII / 2 Pertemuan Pokok Bahasan dan TIU Ke 1 Konsep mekanika quntum dan fisika benda
Lebih terperinciCutoff Region Short-Circuited Base Open-Circuited Base Cutin Voltage
utoff Region utoff didefinisikan sebagai keadaan dimana E = 0 dan = O, dan diketahui bahwa bias mundur V E.sat = 0,1 V (0 V) akan membuat transistor germanium (silikon) memasuki daerah cutoff. Apa yang
Lebih terperinciSimulasi Peranti Model Sel Surya Medan Permukaan Belakang Pendopingan Tinggi Fungsi Eksponensial
Jurnal eknologi Proses Media Publikasi Karya Ilmiah eknik Kimia 6(1) Januari 2007: 75 81 ISS 1412-7814 Simulasi Peranti Model Sel Surya Medan Permukaan Belakang Pendopingan inggi Fungsi Eksponensial Mara
Lebih terperinciPemodelan Sel Surya Silikon Kristal Pendopingan Tinggi
Jurnal eknologi Proses Media Publikasi Karya Ilmiah eknik Kimia 5(1) Januari 2006: 38 42 ISSN 1412-7814 Pemodelan Sel Surya Silikon Kristal Pendopingan inggi Mara Bangun Harahap Jurusan Fisika, Fakultas
Lebih terperinciSimulasi Peranti Model Sel Surya Dioda n + (x)/p
145 M. Hendra S. Ginting / Jurnal eknologi Proses 5(2) Juli 2006: 138 141 Jurnal eknologi Proses Media Publikasi Karya Ilmiah eknik Kimia 5(2) Juli 2006: 142 147 ISSN 1412-7814 Simulasi Peranti Model Sel
Lebih terperinciSTRUKTUR CRISTAL SILIKON
BANDGAP TABEL PERIODIK STRUKTUR CRISTAL SILIKON PITA ENERGI Pita yang ditempati oleh elektron valensi disebut Pita Valensi Pita yang kosong pertama disebut : Pita Konduksi ISOLATOR, KONDUKTOR DAN SEMIKONDUKTOR
Lebih terperinciTRANSISTOR BIPOLAR. Oleh : Danny Kurnianto,S.T.,M.Eng. 1. IDE DASAR TRANSISTOR Gambaran ide dasar sebuah transistor dapat dilihat pada Gambar 1.
TRANSSTOR BPOLAR Oleh : Danny Kurnianto,S.T.,M.Eng Transistor adalah salah satu komponen aktif yang dibuat menggunakan bahan semikonduktor. Seperti halnya sebuah dioda, maka sebuah transistor dibuat dengan
Lebih terperinciGambar Semikonduktor tipe-p (kiri) dan tipe-n (kanan)
Mekanisme Kerja Devais Sel Surya Sel surya merupakan suatu devais semikonduktor yang dapat menghasilkan listrik jika diberikan sejumlah energi cahaya. Proses penghasilan energi listrik itu diawali dengan
Lebih terperinciSATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH : DEVAIS MIKROELEKTRONIKA* (Ujian Utama) KODE MK / SKS : KK / 3
SATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH : DEVAIS MIKROELEKTRONIKA* (Ujian Utama) KODE MK / SKS : KK-041345 / 3 Minggu Pokok Bahasan Ke Dan TIU 1 Konsep mekanika quntum dan fisika benda padat 2 Fenomena elektron
Lebih terperinciKarakterisasi XRD. Pengukuran
11 Karakterisasi XRD Pengukuran XRD menggunakan alat XRD7000, kemudian dihubungkan dengan program dikomputer. Puncakpuncak yang didapatkan dari data pengukuran ini kemudian dicocokkan dengan standar difraksi
Lebih terperinci6.8 Daerah Saturasi ( Saturation Region ) CE
6.8 Daerah Saturasi (Saturation Region) E Di dalam daerah saturasi, junction kolektor (juga junction emitor) mendapat bias maju (forward biased) minimal sebesar tegangan cutin. Karena tegangan V E (atau
Lebih terperinciLAPORAN HASIL PENELITIAN [tahun pertama, tahun 2009] Oleh Drs. A. Tossin Alamsyah ST, MT
LAPORAN HASIL PENELITIAN [tahun pertama, tahun 2009] Judul: Pemodelan Heterojunction Bipolar Transistor ( HBT) Si I Si 1-x ce; Berdasarkan Pengontrolan Profile Graded Silikon dan Germanium pada Basis Oleh
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi energi listrik DC secara langsung. Sel surya telah diaplikasikan dalam berbagai bidang, salah
Lebih terperinciSKSO OPTICAL SOURCES.
SKSO OPTICAL SOURCES ekofajarcahyadi@st3telkom.ac.id OVERVIEW LED LASER Diodes Modulation of Optical Sources PARAMETER PADA OPTICAL SOURCES Hal-hal yang perlu dipertimbangkan pada sumber-sumber cahaya
Lebih terperinciTransistor Efek Medan - Field Effect Transistor (FET)
Transistor Efek Medan - Field Effect Transistor (FET) Jenis lain dari transitor adalah Field effect Transistor. Perbedaan utama antara BJT dengan FET adalah pada pengontrol kerja dari transistor tersebut.
Lebih terperinciPraktikum Rangkaian Listrik & Bahan Semikonduktor. Rudi Susanto
Praktikum Rangkaian Listrik & Bahan Semikonduktor Rudi Susanto 1 Praktikum Electronics Workbench (EWB) Electronics Workbench (EWB) adalah sebuah software yang menyediakan berbagai komponen dan instrumen
Lebih terperinciDAFTAR ISI. ABSTRAK... i. KATA PENGANTAR... ii. UCAPAN TERIMA KASIH... iii. DAFTAR ISI... v. DAFTAR GAMBAR... viii. DAFTAR SINGKATAN DAN LAMBANG...
DAFTAR ISI ABSTRAK... i KATA PENGANTAR... ii UCAPAN TERIMA KASIH... iii DAFTAR ISI... v DAFTAR GAMBAR... viii DAFTAR SINGKATAN DAN LAMBANG... x BAB I PENDAHULUAN... 1 1.1 Latar Belakang... 1 1.2 Rumusan
Lebih terperinci2016 PEMODELAN ARUS TEROBOSAN PADA TRANSISTOR DWIKUTUB N-P-N ARMCHAIR GRAPHENE NANORIBBON (AGNR) MENGGUNAKAN METODE MATRIKS TRANSFER
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Alat-alat elektronik sudah menjadi pelengkap kehidupan manusia. Di dalamnya terdapat berbagai macam divais elektronik yang tersusun sehingga memiliki fungsinya tersendiri.
Lebih terperinciNAMA : WAHYU MULDAYANI NIM : INSTRUMENTASI DAN OTOMASI. Struktur Thyristor THYRISTOR
NAMA : WAHYU MULDAYANI NIM : 081910201059 INSTRUMENTASI DAN OTOMASI THYRISTOR Thyristor adalah komponen semikonduktor untuk pensaklaran yang berdasarkan pada strukturpnpn. Komponen ini memiliki kestabilan
Lebih terperinciELEKTRONIKA. Bab 2. Semikonduktor
ELEKTRONIKA Bab 2. Semikonduktor DR. JUSAK Konduktor Konduktor adalah sebuah bahan/elemen yang mempunyai kemampuan menghantarkan listrik. Salah satu contoh bahan koduktor adalah tembaga. Nukleus atom tembaga
Lebih terperinciProgram Studi Teknik Mesin S1
SATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH : ELEKTRONIKA DASAR KODE / SKS : AK042203 / 2 SKS Pertemuan Pokok Bahasan dan TIU 1 Dasar Elektronika dan pengenalan komponen elektronika Mahasiswa mengetahui pengertian
Lebih terperinciTransistor Bipolar BJT Bipolar Junction Transistor
- 3 Transistor Bipolar BJT Bipolar Junction Transistor Missa Lamsani Hal 1 SAP bentuk fisik transistor NPN dan PNP injeksi mayoritas dari emiter, lebar daerah base, rekomendasi hole-elektron, efisiensi
Lebih terperinciBAB II LANDASAN TEORI
BAB II LANDASAN TEORI 2.1 Sistem Catu Daya / power supply Power supply adalah rangkaian elektronika yang berfungsi untuk memberikan tegangan listrik yang dibutuhkan oleh suatu rangkaian elektronika. Dalam
Lebih terperinciANALISIS PENGARUH UKURAN GROUND PLANE TERHADAP KINERJA ANTENA MIKROSTRIP PATCH SEGIEMPAT PADA FREKUENSI 2.45 GHz
ANALISIS PENGARUH UKURAN GROUND PLANE TERHADAP KINERJA ANTENA MIKROSTRIP PATCH SEGIEMPAT PADA FREKUENSI 2.45 GHz Haditia Pramuda Hrp, Ali Hanafiah Rambe Konsentrasi Teknik Telekomunikasi, Departemen Teknik
Lebih terperinciRANCANG BANGUN ANTENA MIKROSTRIP SLOT RECTANGULAR DUAL-BAND (2,3 GHz DAN 3,3 GHz) DENGAN PENCATUAN PROXIMITY COUPLED
RANCANG BANGUN ANTENA MIKROSTRIP SLOT RECTANGULAR DUAL-BAND (2, GHz DAN, GHz) DENGAN PENCATUAN PROXIMITY COUPLED Chandra Elia Agustin Tarigan, Ali Hanafiah Rambe Konsentrasi Teknik Telekomunikasi, Departemen
Lebih terperinciSATUAN ACARA PERKULIAHAN
SATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH : ELEKTRONIKA DASAR KODE : TSK-210 SKS/SEMESTER : 2/2 Pertemuan Pokok Bahasan & ke TIU 1 Pengenalan Komponen dan Teori Semikonduktor TIU : - Mahasiswa mengenal Jenis-jenis
Lebih terperinciBAB II TINJAUAN PUSTAKA
BAB II TINJAUAN PUSTAKA Material semikonduktor adalah material yang memiliki konduktivitas listrik diantara konduktor dan isolator (10-8 S/cm < σ < 10 4 S/cm), σ adalah konduktivitas. Konduktivitas material
Lebih terperinciBAB VII ANALISA DC PADA TRANSISTOR
Bab V, Analisa DC pada Transistor Hal: 147 BAB V ANALSA DC PADA TRANSSTOR Transistor BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah suatu devais nonlinear terbuat dari bahan semikonduktor dengan 3 terminal yaitu
Lebih terperinciStruktur Double Barrier Untuk Aplikasi Pada Divais Silikon Amorf
Kontribusi Fisika Indonesia Vol. No., Januari 00 Struktur Double Barrier Untuk Aplikasi Pada Divais Silikon Amorf Ida Hamidah dan Wilson W. Wenas Laboratorium Riset Semikonduktor, Jurusan Fisika ITB Jl.
Lebih terperinciSATUAN ACARA PERKULIAHAN UNIVERSITAS GUNADARMA
Mata Kuliah Kode / SKS Program Studi Fakultas : Elektronika Dasar : IT012346 / 3 SKS : Sistem Komputer : Ilmu Komputer & Teknologi Informasi 1 Pengenalan Komponen dan Teori Semikonduktor TIU : - Mahasiswa
Lebih terperinciPENGARUH KONSENTRASI DOPING DAN FRAKSI MOL GERMANIUM PADA BASIS TRANSISTOR BIPOLAR HETEROJUNCTION SILIKON-GERMANIUM
JETri, Volume 1, omor 1, Agustus 001, Halama 45-56, ISS 141-037 PEGARUH KOSETRASI DOPIG DA FRAKSI MOL GERMAIUM PADA BASIS TRASISTOR BIPOLAR HETEROJUCTIO SILIKO-GERMAIUM Guawa Tjahjadi Dose Jurusa Tekik
Lebih terperinci1. Perpotongan antara garis beban dan karakteristik dioda menggambarkan: A. Titik operasi dari sistem B. Karakteristik dioda dibias forward
1. Perpotongan antara garis beban dan karakteristik dioda menggambarkan: A. Titik operasi dari sistem B. Karakteristik dioda dibias forward C. Karakteristik dioda dibias reverse D. Karakteristik dioda
Lebih terperinciPNPN DEVICES. Pertemuan Ke-15. OLEH : ALFITH, S.Pd, M.Pd
PNPN DEVICES Pertemuan Ke-15 OLEH : ALFITH, S.Pd, M.Pd 1 TRIAC TRIAC boleh dikatakan SCR adalah thyristor yang unidirectional, karena ketika ON hanya bisa melewatkan arus satu arah saja yaitu dari anoda
Lebih terperinciKarakteristik dan Rangkaian Dioda. Rudi Susanto
Karakteristik dan Rangkaian Dioda Rudi Susanto 1 Pengantar tentang Dioda Resistor merupakan sebuah piranti linier karena arus berbanding terhadap tegangan. Dalam bentuk grafik, grafik arus terhadap tegangan
Lebih terperinci1 DC SWITCH 1.1 TUJUAN
1 DC SWITCH 1.1 TUJUAN 1.Praktikan dapat memahami prinsip dasar saklar elektronik menggunakan transistor. 2.Praktikan dapat memahami prinsip dasar saklar elektronik menggunakan MOSFET. 3.Praktikan dapat
Lebih terperinciPENGARUH KETEBALAN LAPISAN ISOLATOR SiO 2 TERHADAP MOBILITAS LUBANG DARI TRANSISTOR EFEK MEDAN ORGANIK PENTACENE
TE - 15 p- ISSN : 247 1846 e-issn : 246 8416 PENGARUH KETEBALAN LAPISAN ISOLATOR SiO 2 TERHADAP MOBILITAS LUBANG DARI TRANSISTOR EFEK MEDAN ORGANIK PENTACENE Fadliondi 1, Haris Isyanto 2, Prian Gagani
Lebih terperinciBAB I 1 PENDAHULUAN. kemampuan mengubah bentuk radiasi cahaya menjadi sinyal listrik. Radiasi yang
BAB I 1 PENDAHULUAN 1.1 LATAR BELAKANG MASALAH Fotodiode merupakan sebuah peranti semikonduktor yang memiliki kemampuan mengubah bentuk radiasi cahaya menjadi sinyal listrik. Radiasi yang dapat diterima
Lebih terperinciTransistor Dwi Kutub. Laila Katriani. laila_katriani@uny.ac.id
Transistor Dwi Kutub Laila Katriani laila_katriani@uny.ac.id Transistor adalah komponen elektronika semikonduktor yang memiliki 3 kaki elektroda, yaitu Basis (Dasar), Kolektor (Pengumpul) dan Emitor (Pemancar).
Lebih terperinciBAB II DASAR TEORI Gambar 2.1. Simbol Dioda.
7 BAB II DASAR TEORI 2.1. Dioda Dioda merupakan piranti dua terminal yang berfungsi untuk menghantarkan / menahan arus. Dioda mempunyai simbol seperti yang dapat dilihat pada Gambar 2.1. Dioda memiliki
Lebih terperinciIC (Integrated Circuits)
IC (Integrated Circuits) Crystal semikonduktor silikon (chip) yang didalamnya merupakan integritas dari komponen elektronik (representasi rangkaian gerbang logika) Rangkaian didalam IC dihubungkan dengan
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini mengalami peralihan dari teknologi mikro (microtechnology) ke generasi yang lebih kecil yang dikenal
Lebih terperinciANALISIS LANJUTAN. Tingkat Energi & Orbit Elektron. Pita Energi Semikonduktor Intrinsik. Pita Energi Pada Semikonduktor Ter-Doping
Tingkat Energi & Orbit Elektron ANALISIS LANJUTAN Pita Energi Semikonduktor Intrinsik Pita Energi Pada Semikonduktor Ter-Doping Elektronika 1 23 Irwan Arifin 2004 P-N Junction Elektronika 1 24 Irwan Arifin
Lebih terperinciPENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR
PENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR Penumbuhan film tipis semikonduktor di atas substrat dapat dilakukan secara epitaksi. Dalam bahasa yunani epi berarti di atas dan taksial berarti menyusun dengan kata
Lebih terperinciDesain Sistem Kontrol Sudut Penyalaan Thyristor Komutasi Jaringan Berbasis Mikrokontroler PIC 16F877
16 Jurnal Rekayasa Elektrika Vol. 9, No. 1, April 010 Desain Sistem Kontrol Sudut Penyalaan Thyristor Komutasi Jaringan Berbasis Mikrokontroler PIC 16F877 Tarmizi Jurusan Teknik Elektro, Fakultas Teknik,
Lebih terperinciBAB 3 ANTENA MIKROSTRIP SLOT SATU DAN DUA ELEMEN DENGAN BENTUK RADIATOR SEGIEMPAT
BAB 3 ANTENA MIKROSTRIP SLOT SATU DAN DUA ELEMEN DENGAN BENTUK RADIATOR SEGIEMPAT 3.1. Pendahuluan Antena slot mikrostrip menggunakan slot berbentuk persegi panjang ini merupakan modifikasi dari desain-desain
Lebih terperincifor CD-R/DVD - R/RW/RAM
Monolithic Dual Wavelength High Power Lasers for CD-R/DVD - R/RW/RAM Aris Pramnamto, Benny Sahat Monang, Bico Maxtrada Sembiring, Boromeus Sakti Wibisono, Cristof Naek Halomoan Tobing, Dwi Febrianto, Elvys
Lebih terperinciSATUAN ACARA PERKULIAHAN (SAP) : FISIKA DEVAIS SEMIKONDUKTOR KODE MK / SKS : / 3 SKS PROGRAM STUDI : MAGISTER TEKNIK ELEKTRO
SATUAN ACARA PERKULIAHAN (SAP) MATA KULIAH : FISIKA DEVAIS SEMIKONDUKTOR KODE MK / SKS : / 3 SKS PROGRAM STUDI : MAGISTER TEKNIK ELEKTRO Pertemuan Pokok Bahasan Tujuan Instruksi Umum (TIU) I Elemen-Elemen
Lebih terperinciSIMULASI PEMBUATAN POLA CITRA UNTUK MENGETAHUI JARAK ANTARA NANOPARTIKEL DENGAN MENGGUNAKAN LATTICE GENERATOR DAN LATTICE PARAMETER ANALYZER
SIMULASI PEMBUATAN POLA CITRA UNTUK MENGETAHUI JARAK ANTARA NANOPARTIKEL DENGAN MENGGUNAKAN LATTICE GENERATOR DAN LATTICE PARAMETER ANALYZER Laurensius Morris 0522018 Jurusan Teknik Elektro, Fakultas Teknik,
Lebih terperinciPERANCANGAN DAN ANALISIS ANTENA MIKROSTRIP PATCH SEGIEMPAT KOPLING APERTURE DENGAN FREKUENSI 2,45 GHz MENGGUNAKAN ANSOFT HFSS 11
PERANCANGAN DAN ANALISIS ANTENA MIKROSTRIP PATCH SEGIEMPAT KOPLING APERTURE DENGAN FREKUENSI 2,45 GHz MENGGUNAKAN ANSOFT HFSS 11 Windu Bastian, Ali Hanafiah Rambe Konsentrasi Telekomunikasi, Departemen
Lebih terperinciKAJIAN DISTORSI INTERMODULASI PADA PENGUAT DAYA RF LDMOS
KAJIAN DISTORSI INTERMODULASI PADA PENGUAT DAYA RF LDMOS Aip Saripudin Dosen Jurusan Pendidikan Teknik Elektro Fakultas Pendidikan Teknologi dan Kejuruan Uniersitas Pendidikan Indonesia Jl. Setiabudhi
Lebih terperinciTK 2092 ELEKTRONIKA DASAR
TK 2092 ELEKTRONIKA DASAR MATERI : BAHAN SEMIKONDUKTOR Gita Indah Hapsari TK2092 Elektronika Dasar END MATERI 5 : BAHAN SEMIKONDUKTOR Memberikan pengetahuan dasar mengenai beberapa hal berikut : 1. Bahan
Lebih terperinciDioda-dioda jenis lain
Dioda-dioda jenis lain Dioda Zener : dioda yang dirancang untuk bekerja dalam daerah tegangan zener (tegangan rusak). Digunakan untuk menghasilkan tegangan keluaran yang stabil. Simbol : Karakteristik
Lebih terperinciPERANCANGAN ANTENA WAVEGUIDE 6 SLOT PADA FREKUENSI 2,3 GHZ UNTUK APLIKASI LTE-TDD
ISSN 1412 3762 http://jurnal.upi.edu/electrans ELECTRANS, VOL.13, NO.2, SEPTEMBER 2014, 155-160 PERANCANGAN ANTENA WAVEGUIDE 6 SLOT PADA FREKUENSI 2,3 GHZ Nurul Fahmi Arief H, Tommi Hariyadi, Arjuni Budi
Lebih terperinciModul 03: Catu Daya. Dioda, Penyearah Gelombang, dan Pembebanan. 1 Alat dan Komponen. 2 Teori Singkat. Reza Rendian Septiawan February 11, 2015
Modul 03: Catu Daya Dioda, Penyearah Gelombang, dan Pembebanan Reza Rendian Septiawan February, 205 Dalam dunia elektronika, salah satu komponen yang paling penting adalah catu daya. Sebagian besar komponen
Lebih terperinciBab 1 Bahan Semikonduktor. By : M. Ramdhani
Bab 1 Bahan Semikonduktor By : M. Ramdhani Tujuan instruksional : Mengerti sifat dasar sebuah bahan Memahami konsep arus pada bahan semikonduktor Memahami konsep bahan semikonduktor sebagai bahan pembentuk
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia Tenggara. Sebagai negara berkembang, Indonesia melakukan swasembada diberbagai bidang, termasuk
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Indra Irawan, 2015
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Di zaman modern yang semakin canggih ini, ketergantungan terhadap penggunaan peralatan elektronik sudah tidak dapat dihindari lagi. Seperti penggunaan handphone dan
Lebih terperinciPERTEMUAN 1 ANALISI AC PADA TRANSISTOR
PERTEMUAN 1 ANALISI AC PADA TRANSISTOR Analisis AC atau sering disebut dengan analisa sinyal kecil pada penguat adalah analisa penguat sinyal kecil, dengan memblok sinyal DC yaitu dengan memberikan kapasitor
Lebih terperinciPERHITUNGAN ORBIT AWAL BERKAS PROTON PADA CENTRAL REGION SIKLOTRON
ISSN 1411-1349 Volume 13, Januari 2012 Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan - BATAN Jln. Babarsari Kotak Pos 6101 ykbb Yogyakarta 55281 Email : pramudita@batan.go.id ABSTRAK. Telah dilakukan perhitungan
Lebih terperinciANALISIS ANTENA MIKROSTRIP PATCH SEGIEMPAT DENGAN TEKNIK PLANAR ARRAY
ANALISIS ANTENA MIKROSTRIP PATCH SEGIEMPAT DENGAN TEKNIK PLANAR ARRAY Maria Natalia Silalahi, Ali Hanafiah Rambe Konsentrasi Teknik Telekomunikasi, Departemen Teknik Elektro Fakultas Teknik Universitas
Lebih terperincicontrolled rectifier), TRIAC dan DIAC. Pembaca dapat menyimak lebih jelas
SCR, TRIAC dan DIAC Thyristor berakar kata dari bahasa Yunani yang berarti pintu'. Dinamakan demikian barangkali karena sifat dari komponen ini yang mirip dengan pintu yang dapat dibuka dan ditutup untuk
Lebih terperinciPHOTODETECTOR. Ref : Keiser
PHOTODETECTOR Ref : Keiser Detektor Silikon PIN Syarat foto detektor High response atau sensitifitas Noise rendah Respon cepat atau bandwidth lebar Tidak sensitif thd variasi suhu Kompatibel dgn fiber
Lebih terperinci