BAB V Simulasi Electronic Charged State Individual Quantum dot Berbasis Silikon
|
|
- Suharto Agusalim
- 6 tahun lalu
- Tontonan:
Transkripsi
1 41 BAB V Simulasi Electronic Charged State Individual Quantum dot Berbasis Silikon Pada bagian ini akan dibahas hasil simulasi electronic charged state pada individual quantum dot berbasis material Silikon. Simulasi ini bermanfaat untuk pengembangan devais elektronik khususnya floating gate MOS memories. 5.1 Simulasi Electronic Charged State Individual Silikon Quantum dot Diagram pita energi MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) berbasis Silikon quantum dot diperlihatkan pada gambar 5.1. Elektron/hole yang diinjeksi akan terlokalisasi dalam dot dan menempati level-level energi tertentu. Elektron/hole yang diinjeksi ke dalam dot akan merubah distribusi potensial permukaan dalam dot. Distribusi potensial permukaan tersebut terkait dengan jumlah elektron/hole yang diinjeksi ke dalam dot, ukuran dot, serta interaksi elektron/hole dalam dot. Gambar 5.1: Diagram pita energi MOS berbasis Silikon quantum dot pada kondisi equilibrum. Sebelum elektron/hole diinjeksikan ke dalam dot berukuran 6 nm, distribusi potensial permukaan yang seragam dalam dot teramati (gambar 5.2a). Setelah 2 41
2 42 hole diinjeksikan ke dalam dot, perubahan potensial permukaan dalam dot teramati (gambar 5.2b). (a) (b) (c) Gambar 5.2: Profil perubahan potensial permukaan Si dot berukuran 6 nm. (a) sebelum injeksi elektron (b) setelah injeksi 2 hole (c) setelah injeksi 4 hole. 42
3 43 Perubahan potensial permukaan hanya teramati dalam dot yang mengindikasikan bahwa elektron/hole terlokalisasi dalam dot. Interaksi antar muatan dalam dot berupa interaksi Coulomb dapat terlihat jelas dari pola distribusi potensial permukaan. Nilai perubahan potensial permukaan yang teramati di pinggiran dot lebih besar dibandingkan dengan di pusat dot menandakan terjadi interaksi Coulomb antar muatan dalam dot (gambar 5.2b). Namun, efek interaksi Coulomb sangat sulit diamati setelah 4 hole diinjeksikan ke dalam dot berukuran 6 nm (gambar 5.2c). Hal tersebut berkaitan dengan ruang gerak elektron/hole untuk saling bertolakan satu sama lain sangat terbatas yang dipengaruhi oleh ukuran dot (elektron/hole terlokalisasi dalam dot). (a) (b) Gambar 5.3: Profil potensial permukaan Si quantum dot berdiameter 4 nm setelah injeksi (a) 1 elektron (b) 1 hole. 43
4 44 Perbedaan polaritas muatan antara elektron dan hole menyebabkan profil geometris perubahan potensial permukaan pada dotnya pun menjadi berbeda (gambar 5.3). Injeksi elektron ke dalam dot akan memberikan perubahan potensial permukaan yang bernilai negatif sementara injeksi hole akan memberikan nilai yang positif. Gambar 5.4: Rapat elektron pada Si quantum dot. Gambar 5.5: Perubahan potensial permukaan setelah injeksi satu dan dua elektron ke dalam Si dot. 44
5 45 Gambar 5.4 memberikan informasi yang menarik tentang berbagai variasi rapat elektron terhadap jumlah elektron yang diinjeksikan ke dalam dot pada Silikon quantum dot berukuran 12 nm. Puncak-puncak pada gambar 5.4 menggambarkan probabilitas menemukan elektron pada titik tersebut lebih besar dibandingkan pada daerah lainnya. Munculnya dua puncak atau lebih yang simetris untuk berbagai jumlah elektron yang diinjeksikan ke dalam dot menandakan elektron dalam Silikon quantum dot membentuk formasi Wigner dimana elektron yang saling berinteraksi Coulomb tersebut akan mencari suatu konfigurasi dengan energi paling minimum. Elektron yang terlokalisasi dalam dot dapat terlihat dengan jelas pada gambar 5.4. Semakin jauh dari pusat dot, probabilitas menemukan elektron semakin kecil bahkan menuju nol. Gambar 5.5 memperlihatkan penampang lintang perubahan potensial permukaan setelah injeksi satu dan dua elektron ke dalam Si dot. Gambar 5.6: Nilai maksimum perubahan potensial permukaan untuk berbagai ukuran Si dot setelah injeksi 1, 2, dan 4 elektron. 45
6 46 Gambar 5.7: Nilai maksimum perubahan potensial permukaan untuk berbagai ukuran Si dot setelah injeksi 1, 2, dan 4 hole. Gambar 5.6 dan 5.7 menunjukkan grafik kebergantungan nilai perubahan potensial permukaan pada Si dot. Semakin besar ukuran dot, semakin kecil nilai maksimum perubahan potensial permukaannya. Hal tersebut dapat dimengerti karena pada dot dengan ukuran besar, elektron/hole lebih mudah membentuk formasi Wigner dibandingkan pada dot berukuran kecil. 5.2 Simulasi Electronic Charged State Individual Si Quantum dot Dengan Inti Germanium Diagram pita energi MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) struktur hetero Si/Ge/Si quantum dot pada kondisi equilibrum diperlihatkan pada gambar 5.8. Perbedaan pita energi antara Si dan Ge membuat semacam compound well baru selain antara Si dan SiO 2. 46
7 47 Gambar 5.8: Diagram pita energi MOS berbasis Silikon quantum dot dengan inti Germainum pada kondisi equilibrum. Gambar 5.9a menunjukkan profil distribusi potensial permukaan dot berukuram 12 nm sebelum injeksi elektron/hole. Tidak ada perubahan potensial permukaan sebelum elektron/hole diinjeksikan ke dalam dot. Namun setelah 2 hole diinjeksikan ke dalam dot, terjadi perubahan potensial permukaan dalam dot (gambar 5.9b). Nilai maksimum perubahan potensial permukaan muncul di pusat dot mirip dengan kasus injeksi 1 hole ke dalam Si dot (gambar 5.3b). (a) 47
8 48 (b) Gambar 5.9: Profil perubahan potensial permukaan (a) sebelum injeksi elektron (b) setelah injeksi 2 hole (c) setelah injeksi 2 elektron. (c) Berbeda dengan kasus injeksi hole, ketika 2 elektron diinjeksikan ke dalam Si/Ge/Si dot, perubahan potensial permukaan lebih besar teramati pada Si dibandingkan dengan pada inti Ge (gambar 5.9c). Nilai maksimum perubahan potensial permukaan berkaitan erat dengan puncak tertinggi rapat elektron/hole dalam dot. Dengan kata lain, probabilitas menemukan hole di inti Ge lebih besar dibandingkan pada Si dan sebaliknya, probabilitas menemukan elektron pada Si lebih besar dibandingkan pada inti Ge. Hal tersebut dapat dijelaskan dengan meninjau kembali pita energi struktur Si/Ge/Si quantum dot (gambar 5.8). Terbentuknya sumur potensial di bawah pita energi valensi pada struktur Si/Ge 48
9 49 memungkinkan hole terjebak di sana sehingga probabilitas menemukan hole di sana lebih besar dibandingkan pada Si. Gambar 5.10: Nilai maksimum perubahan potensial permukaan untuk berbagai ukuran Si/Ge/Si dot (ukuran Ge dibuat tetap 4 nm) setelah injeksi 2, dan 4 elektron. Gambar 5.11: Nilai maksimum perubahan potensial permukaan untuk berbagai ukuran Si/Ge/Si dot (ukuran Ge dibuat tetap 4 nm) setelah injeksi 1, 2, dan 4 hole. 49
10 50 Kebergantungan nilai perubahan potensial permukaan pada Si/Ge/Si ditunjukkan pada gambar 5.10 dan gambar Nilai maksimum perubahan potensial permukaan dot setelah injeksi hole selalu lebih besar dibandingkan dengan injeksi elektron. Kemiringan kurva gambar 5.10 lebih besar dibandingkan dengan kemiringan kurva gambar Nilai maksimum perubahan potensial permukaan setelah injeksi hole berubah secara lambat berbeda dengan kasus setelah injeksi yang berubah secara lebih cepat terhadap ukuran dot. Hal tersebut mengindikasikan bahwa hole terkurung pada inti Ge sementara elektron terkurung pada Si. 50
Gambar Semikonduktor tipe-p (kiri) dan tipe-n (kanan)
Mekanisme Kerja Devais Sel Surya Sel surya merupakan suatu devais semikonduktor yang dapat menghasilkan listrik jika diberikan sejumlah energi cahaya. Proses penghasilan energi listrik itu diawali dengan
Lebih terperinciSTRUKTUR CRISTAL SILIKON
BANDGAP TABEL PERIODIK STRUKTUR CRISTAL SILIKON PITA ENERGI Pita yang ditempati oleh elektron valensi disebut Pita Valensi Pita yang kosong pertama disebut : Pita Konduksi ISOLATOR, KONDUKTOR DAN SEMIKONDUKTOR
Lebih terperinci1. Semikonduktor intrinsik : bahan murni tanpa adanya pengotor bahan lain. 2. Semikonduktor ekstrinsik : bahan mengandung impuritas dari bahan lain
1. Semikonduktor intrinsik : bahan murni tanpa adanya pengotor bahan lain 2. Semikonduktor ekstrinsik : bahan mengandung impuritas dari bahan lain Adalah Semikonduktor yang terdiri atas satu unsur saja,
Lebih terperinciT 19 Kerapatan Keadaan pada Struktur Nano Berbentuk Sumur Nano, Kawat Nano dan Titik Nano
T 19 Kerapatan Keadaan pada Struktur Nano Berbentuk Sumur Nano, Kawat Nano dan Titik Nano Ratno Nuryadi Pusat Teknologi Material, Badan Pengkajian dan Penerapan Teknologi (BPPT) BPPT Gedung II Lt. 22.
Lebih terperinciSimulasi Keadaan Elektron Pada Individual Quantum Dot Berbasis Silikon
Simulasi Keadaan Elektron Pada Individual Quantum Dot Berbasis Silikon TUGAS AKHIR Diajukan sebagai salah satu syarat memperoleh gelar sarjana di Program Studi Fisika Institut Teknologi Bandung Tahun Akademik
Lebih terperinciKarakteristik dan Rangkaian Dioda. Rudi Susanto
Karakteristik dan Rangkaian Dioda Rudi Susanto 1 Pengantar tentang Dioda Resistor merupakan sebuah piranti linier karena arus berbanding terhadap tegangan. Dalam bentuk grafik, grafik arus terhadap tegangan
Lebih terperinciNama Anggota Kelompok: 1. Ahmad Samsudin 2. Aisyah Nur Rohmah 3. Dudi Abdu Rasyid 4. Ginanjar 5. Intan Dwi 6. Ricky
Nama Anggota Kelompok: 1. Ahmad Samsudin 2. Aisyah Nur Rohmah 3. Dudi Abdu Rasyid 4. Ginanjar 5. Intan Dwi 6. Ricky A. Aplikasi Statistik Bose-Einstein 1.1. Kondensasi Bose-Einstein Gambar 1.1 Salah satu
Lebih terperinciMODUL 1 KULIAH SEMIKONDUKTOR
MODUL 1 KULIAH SMIKONDUKTOR I.1. LOGAM, ISOLATOR dan SMIKONDUKTOR. Suatu bahan zat padat apabila dikaitkan dengan kemampuannya dalam menghantarkan arus listrik, maka bahan zat padat dibedakan menjadi tiga
Lebih terperinciWhat Is a Semiconductor?
1 SEMIKONDUKTOR Pengantar 2 What Is a Semiconductor? Istilah Konduktor Insulator Semikonduktor Definisi Semua bahan, sebagian besar logam, yang memungkinkan arus listrik mengalir melalui bahan tersebut
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pendeteksian cahaya merupakan salah satu proses paling mendasar pada bidang optik [1]. Untuk mendeteksi cahaya, diperlukan suatu proses konversi optoelektronik menggunakan
Lebih terperinciMIKROELEKTRONIKA. Gejala Transport dalam Semikonduktor. D3 Teknik Komputer Universitas Gunadarma
MIKROELEKTRONIKA Gejala Transport dalam Semikonduktor D3 Teknik Komputer Universitas Gunadarma MOBILITAS & KONDUKTIVITAS Gambaran gas elektron dari logam Bagian yang gelap menyatakan bagian yang mempunyai
Lebih terperinciSEMIKONDUKTOR oleh: Ichwan Yelfianhar dirangkum dari berbagai sumber
SEMIKONDUKTOR oleh: Ichwan Yelfianhar dirangkum dari berbagai sumber Pengertian Umum Bahan semikonduktor adalah bahan yang bersifat setengah konduktor karena celah energi yang dibentuk oleh struktur bahan
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Universitas Sumatera Utara
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Untuk mereduksi dimensi konduktor sampai mendekati ukuran beberapa atom saja memicu lahirnya teknologi berbasis skala nanometer. Komponen elektronik yang berukuran
Lebih terperinciStruktur dan konfigurasi sel Fotovoltaik
9 Gambar 17. Struktur dan konfigurasi sel Fotovoltaik BST yang sudah mengalami proses annealing dipasang kontak di atas permukaan substrat silikon dan di atas film tipis BST. Pembuatan kontak ini dilakukan
Lebih terperinciAnalisis Numerik Resonansi Tunneling Pada Sruktur Lapis Tiga GaAs / Al x Ga 1-x As Menggunakan Algoritma Numerov.
Analisis Numerik Resonansi Tunneling Pada Sruktur Lapis Tiga GaAs / Al x Ga 1-x As Menggunakan Algoritma Numerov. Yonathan Sapan, Paulus Lobo Gareso, Eko Juarlin Program studi Fisika Jurusan Fisika FMIPA-UNHAS
Lebih terperinciSATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH : DEVAIS MIKROELEKTRONIKA* (Ujian Utama) KODE MK / SKS : KK / 3
SATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH : DEVAIS MIKROELEKTRONIKA* (Ujian Utama) KODE MK / SKS : KK-041345 / 3 Minggu Pokok Bahasan Ke Dan TIU 1 Konsep mekanika quntum dan fisika benda padat 2 Fenomena elektron
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Indra Irawan, 2015
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Di zaman modern yang semakin canggih ini, ketergantungan terhadap penggunaan peralatan elektronik sudah tidak dapat dihindari lagi. Seperti penggunaan handphone dan
Lebih terperinciDAFTAR ISI. PERNYATAAN BEBAS PLAGIARISME... ii. HALAMAN PENGESAHAN... iii. HALAMAN TUGAS... iv. HALAMAN PERSEMBAHAN... v. HALAMAN MOTO...
ix DAFTAR ISI PERNYATAAN BEBAS PLAGIARISME... ii HALAMAN PENGESAHAN... iii HALAMAN TUGAS... iv HALAMAN PERSEMBAHAN... v HALAMAN MOTO... vi KATA PENGANTAR... vii DAFTAR ISI... ix DAFTAR TABEL... xiii DAFTAR
Lebih terperinciBab 1 Bahan Semikonduktor. By : M. Ramdhani
Bab 1 Bahan Semikonduktor By : M. Ramdhani Tujuan instruksional : Mengerti sifat dasar sebuah bahan Memahami konsep arus pada bahan semikonduktor Memahami konsep bahan semikonduktor sebagai bahan pembentuk
Lebih terperinciT 18 Perhitungan Energi Pengisian pada Sistem Transistor Elektron Tunggal
T 18 Perhitungan Energi Pengisian pada Sistem Transistor Elektron Tunggal Ratno Nuryadi Pusat Teknologi Material, Badan Pengkajian dan Penerapan Teknologi (BPPT) BPPT Gedung II Lt. 22. Jl. M.H. Thamrin
Lebih terperinciDAFTAR ISI. ABSTRAK... i. KATA PENGANTAR... ii. UCAPAN TERIMA KASIH... iii. DAFTAR ISI... v. DAFTAR GAMBAR... viii. DAFTAR SINGKATAN DAN LAMBANG...
DAFTAR ISI ABSTRAK... i KATA PENGANTAR... ii UCAPAN TERIMA KASIH... iii DAFTAR ISI... v DAFTAR GAMBAR... viii DAFTAR SINGKATAN DAN LAMBANG... x BAB I PENDAHULUAN... 1 1.1 Latar Belakang... 1 1.2 Rumusan
Lebih terperinciPENERIMA OPTIK OPTICAL RECEIVER
PENERIMA OPTIK OPTICAL RECEIVER Dasar Sistem Komunikasi Serat Optik Sinyal input elektrik Transmitter Drive Circuit Sumber Cahaya Regenerator Optical RX connector splice coupler Serat optik Electronic
Lebih terperinciStruktur Double Barrier Untuk Aplikasi Pada Divais Silikon Amorf
Kontribusi Fisika Indonesia Vol. No., Januari 00 Struktur Double Barrier Untuk Aplikasi Pada Divais Silikon Amorf Ida Hamidah dan Wilson W. Wenas Laboratorium Riset Semikonduktor, Jurusan Fisika ITB Jl.
Lebih terperinciKarakterisasi XRD. Pengukuran
11 Karakterisasi XRD Pengukuran XRD menggunakan alat XRD7000, kemudian dihubungkan dengan program dikomputer. Puncakpuncak yang didapatkan dari data pengukuran ini kemudian dicocokkan dengan standar difraksi
Lebih terperinciModul 03: Catu Daya. Dioda, Penyearah Gelombang, dan Pembebanan. 1 Alat dan Komponen. 2 Teori Singkat. Reza Rendian Septiawan February 11, 2015
Modul 03: Catu Daya Dioda, Penyearah Gelombang, dan Pembebanan Reza Rendian Septiawan February, 205 Dalam dunia elektronika, salah satu komponen yang paling penting adalah catu daya. Sebagian besar komponen
Lebih terperinciPHOTODETECTOR. Ref : Keiser
PHOTODETECTOR Ref : Keiser Detektor Silikon PIN Syarat foto detektor High response atau sensitifitas Noise rendah Respon cepat atau bandwidth lebar Tidak sensitif thd variasi suhu Kompatibel dgn fiber
Lebih terperinciPERTEMUAN 2 TEORI DASAR (DIODA)
PERTEMUAN 2 TEORI DASAR (DIODA) PENGERTIAN DIODA Dioda merupakan komponenelektronikayang mempunyai dua elektroda(terminal), dapat berfungsi sebagai penyearah arus listrik. Dioda merupakanjunction ( pertemuan
Lebih terperinciSATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH / KODE : SISTEM FABRIKASI & DEVAIS MIKROELEKTRONIKA / AK SEMESTER / SKS : VIII / 2
SATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH / KODE : SISTEM FABRIKASI & DEVAIS MIKROELEKTRONIKA / AK041217 SEMESTER / SKS : VIII / 2 Pertemuan Pokok Bahasan dan TIU Ke 1 Konsep mekanika quntum dan fisika benda
Lebih terperinciE 2 E 1. E 3s r 2 r 1. energi. Jarak antar atom
Teori Pita Zat Padat Atom Na : Nomor atomnya 11, punya 1 elektron valensi, menempati kulit 3s (energinya E 3s ) Saat 2 atom Na didekatkan (Na A dan Na B), elektron valensi A akan berinteraksi dengan elektron
Lebih terperinciDASAR PENGUKURAN LISTRIK
DASAR PENGUKURAN LISTRIK OUTLINE 1. Objektif 2. Teori 3. Contoh 4. Simpulan Objektif Teori Contoh Simpulan Tujuan Pembelajaran Mahasiswa mampu: Menjelaskan dengan benar mengenai energi panas dan temperatur.
Lebih terperinciMAKALAH PITA ENERGI. Di susun oleh, Pradita Ajeng Wiguna ( ) Rombel 1. Untuk Memenuhi Tugas Mata Kuliah Fisika dan Teknologi Semikonduktor
MAKALAH PITA ENERGI Untuk Memenuhi Tugas Mata Kuliah Fisika dan Teknologi Semikonduktor Di susun oleh, Pradita Ajeng Wiguna (4211412011) Rombel 1 JURUSAN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN
Lebih terperinciBAB I TEORI RANGKAIAN LISTRIK DASAR
BAB I TEORI RANGKAIAN LISTRIK DASAR I.1. MUATAN ELEKTRON Suatu materi tersusun dari berbagai jenis molekul. Suatu molekul tersusun dari atom-atom. Atom tersusun dari elektron (bermuatan negatif), proton
Lebih terperinciFisika Dasar. Pertemuan 11 Muatan & Gaya Elektrostatis
Fisika Dasar Pertemuan 11 Muatan & Gaya Elektrostatis Muatan & Gaya Elektrostatis Ada dua jenis muatan pada listrik yaitu muatan listrik positif (+) dan muatan listrik negatif (-). Studi tentang listrik
Lebih terperinciSTUDI TENTANG PENGARUH DOPING TINGGI TERHADAP RESISTANSI BASIS DAN BANDGAP NARROWING PADA Si/Si 1-x Ge x /Si HBT
MAKARA, TEKNOLOGI, VOL. 7, NO. 1, APRIL 2003 STUDI TENTANG PENGARUH DOPING TINGGI TERHADAP RESISTANSI BASIS DAN BANDGAP NARROWING PADA Si/Si 1-x Ge x /Si HBT Achmad Fadhol Jurusan Teknik Elektro, Institut
Lebih terperinciMengenal Sifat Material. Teori Pita Energi
Mengenal Sifat Material Teori Pita Energi Ulas Ulang Kuantisasi Energi Planck : energi photon (partikel) bilangan bulat frekuensi gelombang cahaya h = 6,63 10-34 joule-sec De Broglie : Elektron sbg gelombang
Lebih terperinciGambar 3.1 Struktur Dioda
1 1. TEORI DASAR Dioda ialah jenis VACUUM tube yang memiliki dua buah elektroda. Dioda tabung pertama kali diciptakan oleh seorang ilmuwan dari Inggris yang bernama Sir J.A. Fleming (1849-1945) pada tahun
Lebih terperinciModul - 4 SEMIKONDUKTOR
Modul - 4 SEMIKONDUKTOR Disusun Sebagai Materi Pelatihan Guru-Guru SMA/MA Provinsi Nangro Aceh Darussalam Disusun oleh: Dr. Agus Setiawan, M.Si Dr. Dadi Rusdiana, M.Si Dr. Ida Hamidah, M.Si Dra. Ida Kaniawati,
Lebih terperinciBagian 4 Karakteristik Junction Dioda
Bagian 4 Karakteristik Junction Dioda Junction Diode Switching Times Pada saat keadaan dioda berubah dari kondisi reverse-biased ke kondisi forward-biased, terdapat transien (proses peralihan) pada respon
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang Masalah
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Intan adalah salah satu jenis perhiasan yang harganya relatif mahal. Intan merupakan kristal yang tersusun atas unsur karbon (C). Intan berdasarkan proses pembentukannya
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Dewasa ini, banyak penelitian dalam fisika material mampat mengenai semikonduktor yang difokuskan untuk aplikasi dalam bentuk divais spintronik, dimana spin elektron
Lebih terperinciStruktur dan Prinsip Kerja Transistor Metal Oxide Semiconductor (MOS)
Struktur dan Prinsip Kerja Transistor Metal Oxide Semiconductor (MOS) Analisis dan perancangan IC sangat tergantung pada pemilihan model yang cocok sebagai komponen IC. Untuk analisis secara manual, cukup
Lebih terperinciBAB II TINJAUAN PUSTAKA
BAB II TINJAUAN PUSTAKA 2.1 Kapasitor Kapasitor banyak digunakan dalam sirkuit elektronik dan mengerjakan berbagai fungsi. Pada dasarnya kapasitor merupakan alat penyimpan muatan listrik yang dibentuk
Lebih terperinciANALISIS LANJUTAN. Tingkat Energi & Orbit Elektron. Pita Energi Semikonduktor Intrinsik. Pita Energi Pada Semikonduktor Ter-Doping
Tingkat Energi & Orbit Elektron ANALISIS LANJUTAN Pita Energi Semikonduktor Intrinsik Pita Energi Pada Semikonduktor Ter-Doping Elektronika 1 23 Irwan Arifin 2004 P-N Junction Elektronika 1 24 Irwan Arifin
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini mengalami peralihan dari teknologi mikro (microtechnology) ke generasi yang lebih kecil yang dikenal
Lebih terperinciELEKTRONIKA. Bab 2. Semikonduktor
ELEKTRONIKA Bab 2. Semikonduktor DR. JUSAK Konduktor Konduktor adalah sebuah bahan/elemen yang mempunyai kemampuan menghantarkan listrik. Salah satu contoh bahan koduktor adalah tembaga. Nukleus atom tembaga
Lebih terperinciMODEL-MODEL IKATAN KIMIA
MODEL-MODEL IKATAN KIMIA Sifat Atom dan Ikatan Kimia Suatu partikel baik berupa ion bermuatan, inti atom dan elektron diantara mereka, akan membentuk ikatan kimia karena akan menurunkan energi potensial
Lebih terperincistruktur dua dimensi kristal Silikon
PRINSIP DASAR Semikonduktor merupakan elemen dasar dari komponen elektronika seperti dioda, transistor dan sebuah IC (integrated circuit). Disebut semi atau setengah konduktor, karena bahan ini memang
Lebih terperinciSIMAK UI Fisika
SIMAK UI 2016 - Fisika Soal Halaman 1 01. Fluida masuk melalui pipa berdiameter 20 mm yang memiliki cabang dua pipa berdiameter 10 mm dan 15 mm. Pipa 15 mm memiliki cabang lagi dua pipa berdiameter 8 mm.
Lebih terperinci#2 Steady-State Fotokonduktif Elektronika Organik Eka Maulana, ST., MT., MEng. Teknik Elektro Universitas Brawijaya
#2 Steady-State Fotokonduktif Elektronika Organik Eka Maulana, ST., MT., MEng. Teknik Elektro Universitas Brawijaya 2015 Kerangka materi Tujuan: Memberikan pemahaman tentang mekanisme efek fotokonduktif
Lebih terperinciDIODA. Program Studi S1 Informatika ST3 Telkom Purwokerto
DIODA Pertemuan ke-vii Program Studi S1 Informatika ST3 Telkom Purwokerto Tujuan Pembelajaran Setelah mengikuti kuliah ini mahasiswa mampu: Menjelaskan cara kerja dan karakteristik dioda Menjelaskan jenis
Lebih terperinciRudi Susanto
Pendahuluan Listrik Statis Rudi Susanto http://rudist.wordpress.com 1 Sifat-sifat Muatan Listrik Observasi Makroskopik Berdasarkan pengamatan : Penggaris plastik yang digosokkan ke rambut/kain akan menarik
Lebih terperinciPENDAHULUAN. Di dalam modul ini Anda akan mempelajari Kristal Semikonduktor yang mencakup:
PENDAHULUAN Di dalam modul ini Anda akan mempelajari Kristal Semikonduktor yang mencakup: kristal semikonduktor intrinsik dan kristal semikonduktor ekstrinsik. Oleh karena itu, sebelum mempelajari modul
Lebih terperinciBAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN
23 BAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN 4.1 Visualisasi Gelombang di Dalam Domain Komputasi Teknis penelitian yang dilakukan dalam menguji disain sensor ini adalah dengan cara menembakkan struktur sensor yang telah
Lebih terperinciPERANCANGAN DAN IMPLEMENTASI ALAT UKUR STATE OF CHARGE (SOC) PADA BATERAI LEAD-ACID MENGGUNAKAN METODE PERHITUNGAN COULOMB
ISSN : 2355-9365 e-proceeding of Engineering : Vol.4, No.1 April 2017 Page 626 PERANCANGAN DAN IMPLEMENTASI ALAT UKUR STATE OF CHARGE () PADA BATERAI LEAD-ACID MENGGUNAKAN METODE PERHITUNGAN COULOMB DESIGN
Lebih terperinciUji Kekerasan Material dengan Metode Rockwell
Uji Kekerasan Material dengan Metode Rockwell 1 Ika Wahyuni, 2 Ahmad Barkati Rojul, 3 Erlin Nasocha, 4 Nindia Fauzia Rosyi, 5 Nurul Khusnia, 6 Oktaviana Retna Ningsih Jurusan Fisika, Fakultas Sains dan
Lebih terperinciMatematika Dasar NILAI EKSTRIM
NILAI EKSTRIM Misal diberikan kurva f( ) dan titik ( a,b ) merupakan titik puncak ( titik maksimum atau minimum ). Maka garis singgung kurva di titik ( a,b ) akan sejajar sumbu X atau [ ] mempunyai gradien
Lebih terperinciHIDROLIKA SALURAN TERTUTUP -PUKULAN AIR (WATER HAMMER)- SEBRIAN MIRDEKLIS BESELLY PUTRA TEKNIK PENGAIRAN
HIDROLIKA SALURAN TERTUTUP -PUKULAN AIR (WATER HAMMER)- SEBRIAN MIRDEKLIS BESELLY PUTRA TEKNIK PENGAIRAN UMUM Pukulan air/ water hammer adalah fenomena hidraulik pada suatu pipa akibat adanya penutupan
Lebih terperinciPertambahan arus ΔI yang melalui pertambahan permukaan ΔS yang normal pada rapatan arus ialah
KONDUKTOR DIELEKTRIK DAN KAPASITANSI Muatan listrik yang bergerak membentuk arus. Satuan arus ialah ampere (A) yang didefinisikan sebagai laju aliran muatan yang melalui titik acuan sebesar satu coulomb
Lebih terperinciPENGUKURAN KARAKTERISTIK SEL SURYA
PENGUKURAN KARAKTERSTK SEL SURYA Ridwan Setiawan (11270058) Jurusan Fisika Fakultas Sains dan Teknologi UN Sunan Gunung Djati Bandung Tahun 2014 Email: setiawan.ridwan@student.uinsgd.ac.id ABSTRAK Eksperimen
Lebih terperinciTRANSISTOR EFEK-MEDAN (FIELD-EFFECT TRANSISTOR)
"! # 3 2! 12 TANSISTO EFEK-MEDAN (FIELD-EFFECT TANSISTO) 12.1 Pengatar Fungsi utama dari sebuah penguat adalah untuk menghasilkan penguatan isyarat dengan tingkat penguatan tertentu. Transistor unipolar
Lebih terperinciPERCOBAAN I KARAKTERISTIK DIODA DAN PENYEARAH
PERCOBAAN I KARAKTERISTIK DIODA DAN PENYEARAH 1. Tujuan 1. Memahami karakteristik dioda biasa dan dioda zener. 2. Memahami penggunaan dioda-dioda tersebut. 2. Pendahuluan 2.1 Karakteristik Dioda Dalam
Lebih terperinciSTRUKTUR ATOM. Perkembangan Teori Atom
STRUKTUR ATOM Perkembangan Teori Atom 400 SM filsuf Yunani Demokritus materi terdiri dari beragam jenis partikel kecil 400 SM dan memiliki sifat dari materi yang ditentukan sifat partikel tersebut Dalton
Lebih terperinciSUMBER OPTIK. Ref : Keiser
SUMBER OPTIK Ref : Keiser Sumber semikonduktor Sifat diharapkan : Small size 850, 1300, or 1550 nm Daya Linieritas Modulasi sederhana Respon frekuensi Modulasi Biaya murah Reliabilitas tinggi Panjang gel
Lebih terperinciDioda Semikonduktor dan Rangkaiannya
- 2 Dioda Semikonduktor dan Rangkaiannya Missa Lamsani Hal 1 SAP Semikonduktor tipe P dan tipe N, pembawa mayoritas dan pembawa minoritas pada kedua jenis bahan tersebut. Sambungan P-N, daerah deplesi
Lebih terperinciSemikonduktor. Prinsip Dasar. oleh aswan hamonangan
Semikonduktor Prinsip Dasar oleh aswan hamonangan Semikonduktor merupakan elemen dasar dari komponen elektronika seperti dioda, transistor dan sebuah IC (integrated circuit). Disebut semi atau setengah
Lebih terperinciGambar 1 Tegangan bias pada transistor BJT jenis PNP
KEGIATAN BELAJAR 2 Percobaan 1 A. Tujuan a. Mahasiswa diharapkan dapat memahami karakteristik switching dari BJT b. Mahasiswa diharapkan dapat menggambarkan kurva karakteristik v-i masukan dan keluaran
Lebih terperinciXpedia Fisika DP SNMPTN 05
Xpedia Fisika DP SNMPTN 05 Doc. Name: XPFIS9910 Version: 2012-06 halaman 1 Sebuah bola bermassa m terikat pada ujung sebuah tali diputar searah jarum jam dalam sebuah lingkaran mendatar dengan jari-jari
Lebih terperinciMOLEKUL, ZAT PADAT DAN PITA ENERGI MOLEKUL ZAT PADAT PITA ENERGI
MOLEKUL, ZAT PADAT DAN PITA ENERGI MOLEKUL ZAT PADAT PITA ENERGI edy wiyono 2004 PENDAHULUAN Pada umumnya atom tunggal tidak memiliki konfigurasi elektron yang stabil seperti gas mulia, maka atom atom
Lebih terperinciTK 2092 ELEKTRONIKA DASAR
TK 2092 ELEKTRONIKA DASAR MATERI : BAHAN SEMIKONDUKTOR Gita Indah Hapsari TK2092 Elektronika Dasar END MATERI 5 : BAHAN SEMIKONDUKTOR Memberikan pengetahuan dasar mengenai beberapa hal berikut : 1. Bahan
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC)
39 HASIL DAN PEMBAHASAN Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC) Hasil karakterisasi dengan Difraksi Sinar-X (XRD) dilakukan untuk mengetahui jenis material yang dihasilkan disamping menentukan
Lebih terperinciPersamaan Chezy. Pada aliran turbulen gaya gesek sebanding dengan kuadrat kecepatan. Persamaan Chezy, dengan C dikenal sebagai C Chezy
Saluran Terbuka Persamaan Manning Persamaan yang paling umum digunakan untuk menganalisis aliran air dalam saluran terbuka. Persamaan empiris untuk mensimulasikan aliran air dalam saluran dimana air terbuka
Lebih terperinciBAB 2 TEORI PENUNJANG
BAB 2 TEORI PENUNJANG 2.1 Photon Photon merupakan partikel dari cahaya yang mengakibatkan radiasi elektromagnetik. Photon identik dengan panjang gelombang (λ) yang menentukan spektrum dari gelombang elektromagnetik,
Lebih terperinciSUMBER OPTIK. Ref : Keiser. Fakultas Teknik 1
SUMBER OPTIK Ref : Keiser Fakultas Teknik 1 Sumber semikonduktor Sifat diharapkan : Small size 850, 1300, or 1550 nm Daya Linieritas Modulasi sederhana Respon frekuensi Modulasi Biaya murah Reliabilitas
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. Gambar 12. Hubungan Tegangan Membran terhadap Variasi Suhu pada Konsentrasi 100 mm Larutan NaCl, MgCl 2 dan AlCl 3
9 HASIL DAN PEMBAHASAN 1. Hasil Perlakuan Pasif untuk Tegangan Membran 1.1 Tinjauan Perlakuan Variasi Konsentrasi Gambar 11 memperlihatkan grafik tegangan membran telur terhadap variasi konsentrasi larutan
Lebih terperinciTEORI DASAR. 2.1 Pengertian
TEORI DASAR 2.1 Pengertian Dioda adalah piranti elektronik yang hanya dapat melewatkan arus/tegangan dalam satu arah saja, dimana dioda merupakan jenis VACUUM tube yang memiliki dua buah elektroda. Karena
Lebih terperinciBAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN
BAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN 4.1. PENGARUH PENAMBAHAN MANGAN TERHADAP SIFAT FISIK LAPISAN INTERMETALIK Dalam sub bab ini akan dibahas pengaruh penambahan mangan terhadap sifat fisik dari lapisan intermetalik
Lebih terperinciBab 1. Semi Konduktor
Bab 1. Semi Konduktor Operasi komponen elektronika benda padat seperti dioda, LED, Transistor Bipolar dan FET serta Op-Amp atau rangkaian terpadu lainnya didasarkan atas sifat-sifat semikonduktor. Semikonduktor
Lebih terperinciENERGETIKA KESTABILAN INTI. Sulistyani, M.Si.
ENERGETIKA KESTABILAN INTI Sulistyani, M.Si. Email: sulistyani@uny.ac.id PENDAHULUAN Apakah inti yang stabil itu? Apakah inti yang tidak stabil? Bagaimana menyatakan kestabilan U-238 berdasarkan reaksi
Lebih terperinciANALISIS PENGARUH TEMPERATUR OPERASIONAL DALAM SIMULASI KARAKTERISTIK ARUS-TEGANGAN PADA DIODA Si MENGGUNAKAN FEMLAB SKRIPSI
ANALISIS PENGARUH TEMPERATUR OPERASIONAL DALAM SIMULASI KARAKTERISTIK ARUS-TEGANGAN PADA DIODA Si MENGGUNAKAN FEMLAB SKRIPSI Oleh HERI KURNIAWAN NIM 081810201016 JURUSAN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN
Lebih terperinciAdapun manfaat dari penelitian ini adalah: 1. Dapat menambah informasi dan referensi mengenai interaksi nukleon-nukleon
F. Manfaat Penelitian Adapun manfaat dari penelitian ini adalah: 1. Dapat menambah informasi dan referensi mengenai interaksi nukleon-nukleon di dalam inti atom yang menggunakan potensial Yukawa. 2. Dapat
Lebih terperinciANALISIS PENGARUH TEMPERATUR OPERASIONAL DALAM SIMULASI KARAKTERISTIK ARUS-TEGANGAN PADA DIODA Si MENGGUNAKAN FEMLAB SKRIPSI
ANALISIS PENGARUH TEMPERATUR OPERASIONAL DALAM SIMULASI KARAKTERISTIK ARUS-TEGANGAN PADA DIODA Si MENGGUNAKAN FEMLAB SKRIPSI Oleh HERI KURNIAWAN NIM 081810201016 JURUSAN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN
Lebih terperinciLAPORAN RESMI PRAKTEK KERJA LABORATORIUM 1
LAPORAN RESMI PRAKTEK KERJA LABORATORIUM 1 KODE: L - 4 JUDUL PERCOBAAN : ARUS DAN TEGANGAN PADA LAMPU FILAMEN TUNGSTEN DI SUSUN OLEH: TIFFANY RAHMA NOVESTIANA 24040110110024 LABORATORIUM FISIKA DASAR FAKULTAS
Lebih terperinciBAB 2 TINJAUAN PUSTAKA
BAB 2 TINJAUAN PUSTAKA 2.1 Potensial Coulomb untuk Partikel yang Bergerak Dalam bab ini, akan dikemukakan teori-teori yang mendukung penyelesaian pembahasan pengaruh koreksi relativistik potensial Coulomb
Lebih terperinciGambar 11. susunan dan symbol dioda. Sebagai contoh pemassangan dioda pada suatu rangkaian sebagai berikut: Gambar 12. Cara Pemasangan Dioda
4.4. Dioda Dioda atau diode adalah sambungan bahan p-n yang berfungsi terutama sebagai penyearah. Bahan tipe-p akan menjadi sisi anode sedangkan bahan tipe-n akan menjadi katode. Bergantung pada polaritas
Lebih terperinciSudaryatno Sudirham ing Utari. Mengenal. 8-2 Sudaryatno S & Ning Utari, Mengenal Sifat-Sifat Material (1)
Sudaryatno Sudiram ing Utari Mengenal Sifat-Sifat Material (1) 8- Sudaryatno S & Ning Utari, Mengenal Sifat-Sifat Material (1) BAB 8 Teori Pita Energi Tentang Padatan Setela mempelajari bagaimana atom
Lebih terperinciBENDA WUJUD, SIFAT DAN KEGUNAANNYA
BENDA WUJUD, SIFAT DAN KEGUNAANNYA Benda = Materi = bahan Wujud benda : 1) Padat 2) Cair 3) Gas Benda Padat 1. Mekanis kuat (tegar), sukar berubah bentuk, keras 2. Titik leleh tinggi 3. Sebagian konduktor
Lebih terperinciBAB 3 METODOLOGI PENELITIAN
20 BAB 3 METODOLOGI PENELITIAN 3.1 Populasi dan Sampel Penelitian Dalam penulisan skripsi ini, populasi dalam penelitian adalah semua produk speaker komputer dengan berbagai kualitasnya. Speaker komputer
Lebih terperinciSemikonduktor. Sifat. (ohm.m) Tembaga 1,7 x 10-8 Konduktor Silikon pd 300 o K 2,3 x 10 3 Semikonduktor Gelas 7,0 x 10 6 Isolator
Semikonduktor Definisi I: Bahan yang memiliki nilai hambatan jenis (ρ) antara konduktor dan isolator yakni sebesar 10 6 s.d. 10 4 ohm.m Perbandingan hambatan jenis konduktor, semikonduktor, dan isolator:
Lebih terperinci1. Perpotongan antara garis beban dan karakteristik dioda menggambarkan: A. Titik operasi dari sistem B. Karakteristik dioda dibias forward
1. Perpotongan antara garis beban dan karakteristik dioda menggambarkan: A. Titik operasi dari sistem B. Karakteristik dioda dibias forward C. Karakteristik dioda dibias reverse D. Karakteristik dioda
Lebih terperinciSIMBOL DAN STRUKTUR DIODA
DIODA Dioda dapat digunakan dalam beberapa alat. Sebagai contoh, sebuah perangkat elektronika yang menggunakan baterai sering menggunakan dioda yang fungsinya untuk melindungi perangkat tersebut jika anda
Lebih terperinciKRISTAL SEMIKONDUKTOR
KRISTAL SEMIKONDUKTOR Semikonduktor merupakan bahan dengan konduktivitas listrik yang berada diantara isolator dan konduktor. Disebut semi atau setengah konduktor, karena bahan ini memang bukan konduktor
Lebih terperinciANALISIS DINAMIKA KUANTUM PARTIKEL MENGGUNAKAN MATRIKS TRANSFER
ANALISIS DINAMIKA KUANTUM PARTIKEL MENGGUNAKAN MATRIKS TRANSFER Irene Devi Damayanti 1, Tasrief Surungan 1, Eko Juarlin 1 1 Jurusan Fisika FMIPA Universitas Hasanuddin, Makassar 95, Indonesia Abstrak Dinamika
Lebih terperinciAnalisis Distribusi Produktivitas Tenaga Kerja Sektor Industri Pengolahan Indonesia Menggunakan Temperatur Negatif Distribusi Boltzmann
Analisis Distribusi Produktivitas Tenaga Kerja Sektor Industri Pengolahan Indonesia Menggunakan Temperatur Negatif Distribusi Boltzmann Qoniti Amalia 1,a) dan Acep Purqon 1,b) 1 Laboratorium Sistem Kompleks,
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. modern pada fotokonduktor ultraviolet (UV) membutuhkan material
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Pengembangan material semikonduktor tidak lepas dari perkembangan piranti elektronik diantaranya fotokonduktor ultraviolet (UV). Tuntutan aplikasi modern pada
Lebih terperinciD. 12 N E. 18 N. D. pa = (M B /M A ). pb E.
1. Sebuah bola bermassa 0,2 kg diikat dengan tali sepanjang 0,5 m kemudian diputar sehingga melakukan gerak melingkar benturan dalam bidang vertikal. Jika pada saat mencapai titik terendah laju bola adalah
Lebih terperinciBAB II LANDASAN TEORI
BAB II LANDASAN TEORI 2.1 Sistem Catu Daya / power supply Power supply adalah rangkaian elektronika yang berfungsi untuk memberikan tegangan listrik yang dibutuhkan oleh suatu rangkaian elektronika. Dalam
Lebih terperinciIKATAN KIMIA. RATNAWATI, S.Pd
IKATAN KIMIA RATNAWATI, S.Pd Tujuan Pembelajaran Setelah mempelajari materi ini, diharapkan siswa dapat: Menjelaskan kecenderungan suatu unsur untuk mencapai kestabilannya Menggambarkan susunan elektron
Lebih terperinciIKATAN KIMIA Isana SYL
IKATAN KIMIA Isana SYL IKATAN KIMIA Kebahagiaan atom Konfigurasi i elektronik stabil Konfigurasi elektronik gas mulia / gas lamban (Energi ionisasi relatif besar dan afinitas elektron relatif kecil) Ada
Lebih terperinciBAB II TINJAUAN PUSTAKA
BAB II TINJAUAN PUSTAKA 2.1. Umum Lightning Arrester merupakan alat proteksi peralatan listrik terhadap tegangan lebih yang disebabkan oleh petir atau surja hubung (switching surge). Alat ini bersifat
Lebih terperinciBAB IV INTERPRETASI KUANTITATIF ANOMALI SP MODEL LEMPENGAN. Bagian terpenting dalam eksplorasi yaitu pengidentifikasian atau
BAB IV INTERPRETASI KUANTITATIF ANOMALI SP MODEL LEMPENGAN Bagian terpenting dalam eksplorasi yaitu pengidentifikasian atau pengasumsian bentuk dan kedalaman benda yang tertimbun. Berbagai macam metode
Lebih terperinci