BAB V Simulasi Electronic Charged State Individual Quantum dot Berbasis Silikon

Ukuran: px
Mulai penontonan dengan halaman:

Download "BAB V Simulasi Electronic Charged State Individual Quantum dot Berbasis Silikon"

Transkripsi

1 41 BAB V Simulasi Electronic Charged State Individual Quantum dot Berbasis Silikon Pada bagian ini akan dibahas hasil simulasi electronic charged state pada individual quantum dot berbasis material Silikon. Simulasi ini bermanfaat untuk pengembangan devais elektronik khususnya floating gate MOS memories. 5.1 Simulasi Electronic Charged State Individual Silikon Quantum dot Diagram pita energi MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) berbasis Silikon quantum dot diperlihatkan pada gambar 5.1. Elektron/hole yang diinjeksi akan terlokalisasi dalam dot dan menempati level-level energi tertentu. Elektron/hole yang diinjeksi ke dalam dot akan merubah distribusi potensial permukaan dalam dot. Distribusi potensial permukaan tersebut terkait dengan jumlah elektron/hole yang diinjeksi ke dalam dot, ukuran dot, serta interaksi elektron/hole dalam dot. Gambar 5.1: Diagram pita energi MOS berbasis Silikon quantum dot pada kondisi equilibrum. Sebelum elektron/hole diinjeksikan ke dalam dot berukuran 6 nm, distribusi potensial permukaan yang seragam dalam dot teramati (gambar 5.2a). Setelah 2 41

2 42 hole diinjeksikan ke dalam dot, perubahan potensial permukaan dalam dot teramati (gambar 5.2b). (a) (b) (c) Gambar 5.2: Profil perubahan potensial permukaan Si dot berukuran 6 nm. (a) sebelum injeksi elektron (b) setelah injeksi 2 hole (c) setelah injeksi 4 hole. 42

3 43 Perubahan potensial permukaan hanya teramati dalam dot yang mengindikasikan bahwa elektron/hole terlokalisasi dalam dot. Interaksi antar muatan dalam dot berupa interaksi Coulomb dapat terlihat jelas dari pola distribusi potensial permukaan. Nilai perubahan potensial permukaan yang teramati di pinggiran dot lebih besar dibandingkan dengan di pusat dot menandakan terjadi interaksi Coulomb antar muatan dalam dot (gambar 5.2b). Namun, efek interaksi Coulomb sangat sulit diamati setelah 4 hole diinjeksikan ke dalam dot berukuran 6 nm (gambar 5.2c). Hal tersebut berkaitan dengan ruang gerak elektron/hole untuk saling bertolakan satu sama lain sangat terbatas yang dipengaruhi oleh ukuran dot (elektron/hole terlokalisasi dalam dot). (a) (b) Gambar 5.3: Profil potensial permukaan Si quantum dot berdiameter 4 nm setelah injeksi (a) 1 elektron (b) 1 hole. 43

4 44 Perbedaan polaritas muatan antara elektron dan hole menyebabkan profil geometris perubahan potensial permukaan pada dotnya pun menjadi berbeda (gambar 5.3). Injeksi elektron ke dalam dot akan memberikan perubahan potensial permukaan yang bernilai negatif sementara injeksi hole akan memberikan nilai yang positif. Gambar 5.4: Rapat elektron pada Si quantum dot. Gambar 5.5: Perubahan potensial permukaan setelah injeksi satu dan dua elektron ke dalam Si dot. 44

5 45 Gambar 5.4 memberikan informasi yang menarik tentang berbagai variasi rapat elektron terhadap jumlah elektron yang diinjeksikan ke dalam dot pada Silikon quantum dot berukuran 12 nm. Puncak-puncak pada gambar 5.4 menggambarkan probabilitas menemukan elektron pada titik tersebut lebih besar dibandingkan pada daerah lainnya. Munculnya dua puncak atau lebih yang simetris untuk berbagai jumlah elektron yang diinjeksikan ke dalam dot menandakan elektron dalam Silikon quantum dot membentuk formasi Wigner dimana elektron yang saling berinteraksi Coulomb tersebut akan mencari suatu konfigurasi dengan energi paling minimum. Elektron yang terlokalisasi dalam dot dapat terlihat dengan jelas pada gambar 5.4. Semakin jauh dari pusat dot, probabilitas menemukan elektron semakin kecil bahkan menuju nol. Gambar 5.5 memperlihatkan penampang lintang perubahan potensial permukaan setelah injeksi satu dan dua elektron ke dalam Si dot. Gambar 5.6: Nilai maksimum perubahan potensial permukaan untuk berbagai ukuran Si dot setelah injeksi 1, 2, dan 4 elektron. 45

6 46 Gambar 5.7: Nilai maksimum perubahan potensial permukaan untuk berbagai ukuran Si dot setelah injeksi 1, 2, dan 4 hole. Gambar 5.6 dan 5.7 menunjukkan grafik kebergantungan nilai perubahan potensial permukaan pada Si dot. Semakin besar ukuran dot, semakin kecil nilai maksimum perubahan potensial permukaannya. Hal tersebut dapat dimengerti karena pada dot dengan ukuran besar, elektron/hole lebih mudah membentuk formasi Wigner dibandingkan pada dot berukuran kecil. 5.2 Simulasi Electronic Charged State Individual Si Quantum dot Dengan Inti Germanium Diagram pita energi MOS (Metal-Oxide-Semiconductor) struktur hetero Si/Ge/Si quantum dot pada kondisi equilibrum diperlihatkan pada gambar 5.8. Perbedaan pita energi antara Si dan Ge membuat semacam compound well baru selain antara Si dan SiO 2. 46

7 47 Gambar 5.8: Diagram pita energi MOS berbasis Silikon quantum dot dengan inti Germainum pada kondisi equilibrum. Gambar 5.9a menunjukkan profil distribusi potensial permukaan dot berukuram 12 nm sebelum injeksi elektron/hole. Tidak ada perubahan potensial permukaan sebelum elektron/hole diinjeksikan ke dalam dot. Namun setelah 2 hole diinjeksikan ke dalam dot, terjadi perubahan potensial permukaan dalam dot (gambar 5.9b). Nilai maksimum perubahan potensial permukaan muncul di pusat dot mirip dengan kasus injeksi 1 hole ke dalam Si dot (gambar 5.3b). (a) 47

8 48 (b) Gambar 5.9: Profil perubahan potensial permukaan (a) sebelum injeksi elektron (b) setelah injeksi 2 hole (c) setelah injeksi 2 elektron. (c) Berbeda dengan kasus injeksi hole, ketika 2 elektron diinjeksikan ke dalam Si/Ge/Si dot, perubahan potensial permukaan lebih besar teramati pada Si dibandingkan dengan pada inti Ge (gambar 5.9c). Nilai maksimum perubahan potensial permukaan berkaitan erat dengan puncak tertinggi rapat elektron/hole dalam dot. Dengan kata lain, probabilitas menemukan hole di inti Ge lebih besar dibandingkan pada Si dan sebaliknya, probabilitas menemukan elektron pada Si lebih besar dibandingkan pada inti Ge. Hal tersebut dapat dijelaskan dengan meninjau kembali pita energi struktur Si/Ge/Si quantum dot (gambar 5.8). Terbentuknya sumur potensial di bawah pita energi valensi pada struktur Si/Ge 48

9 49 memungkinkan hole terjebak di sana sehingga probabilitas menemukan hole di sana lebih besar dibandingkan pada Si. Gambar 5.10: Nilai maksimum perubahan potensial permukaan untuk berbagai ukuran Si/Ge/Si dot (ukuran Ge dibuat tetap 4 nm) setelah injeksi 2, dan 4 elektron. Gambar 5.11: Nilai maksimum perubahan potensial permukaan untuk berbagai ukuran Si/Ge/Si dot (ukuran Ge dibuat tetap 4 nm) setelah injeksi 1, 2, dan 4 hole. 49

10 50 Kebergantungan nilai perubahan potensial permukaan pada Si/Ge/Si ditunjukkan pada gambar 5.10 dan gambar Nilai maksimum perubahan potensial permukaan dot setelah injeksi hole selalu lebih besar dibandingkan dengan injeksi elektron. Kemiringan kurva gambar 5.10 lebih besar dibandingkan dengan kemiringan kurva gambar Nilai maksimum perubahan potensial permukaan setelah injeksi hole berubah secara lambat berbeda dengan kasus setelah injeksi yang berubah secara lebih cepat terhadap ukuran dot. Hal tersebut mengindikasikan bahwa hole terkurung pada inti Ge sementara elektron terkurung pada Si. 50

Gambar Semikonduktor tipe-p (kiri) dan tipe-n (kanan)

Gambar Semikonduktor tipe-p (kiri) dan tipe-n (kanan) Mekanisme Kerja Devais Sel Surya Sel surya merupakan suatu devais semikonduktor yang dapat menghasilkan listrik jika diberikan sejumlah energi cahaya. Proses penghasilan energi listrik itu diawali dengan

Lebih terperinci

STRUKTUR CRISTAL SILIKON

STRUKTUR CRISTAL SILIKON BANDGAP TABEL PERIODIK STRUKTUR CRISTAL SILIKON PITA ENERGI Pita yang ditempati oleh elektron valensi disebut Pita Valensi Pita yang kosong pertama disebut : Pita Konduksi ISOLATOR, KONDUKTOR DAN SEMIKONDUKTOR

Lebih terperinci

1. Semikonduktor intrinsik : bahan murni tanpa adanya pengotor bahan lain. 2. Semikonduktor ekstrinsik : bahan mengandung impuritas dari bahan lain

1. Semikonduktor intrinsik : bahan murni tanpa adanya pengotor bahan lain. 2. Semikonduktor ekstrinsik : bahan mengandung impuritas dari bahan lain 1. Semikonduktor intrinsik : bahan murni tanpa adanya pengotor bahan lain 2. Semikonduktor ekstrinsik : bahan mengandung impuritas dari bahan lain Adalah Semikonduktor yang terdiri atas satu unsur saja,

Lebih terperinci

T 19 Kerapatan Keadaan pada Struktur Nano Berbentuk Sumur Nano, Kawat Nano dan Titik Nano

T 19 Kerapatan Keadaan pada Struktur Nano Berbentuk Sumur Nano, Kawat Nano dan Titik Nano T 19 Kerapatan Keadaan pada Struktur Nano Berbentuk Sumur Nano, Kawat Nano dan Titik Nano Ratno Nuryadi Pusat Teknologi Material, Badan Pengkajian dan Penerapan Teknologi (BPPT) BPPT Gedung II Lt. 22.

Lebih terperinci

Simulasi Keadaan Elektron Pada Individual Quantum Dot Berbasis Silikon

Simulasi Keadaan Elektron Pada Individual Quantum Dot Berbasis Silikon Simulasi Keadaan Elektron Pada Individual Quantum Dot Berbasis Silikon TUGAS AKHIR Diajukan sebagai salah satu syarat memperoleh gelar sarjana di Program Studi Fisika Institut Teknologi Bandung Tahun Akademik

Lebih terperinci

Karakteristik dan Rangkaian Dioda. Rudi Susanto

Karakteristik dan Rangkaian Dioda. Rudi Susanto Karakteristik dan Rangkaian Dioda Rudi Susanto 1 Pengantar tentang Dioda Resistor merupakan sebuah piranti linier karena arus berbanding terhadap tegangan. Dalam bentuk grafik, grafik arus terhadap tegangan

Lebih terperinci

Nama Anggota Kelompok: 1. Ahmad Samsudin 2. Aisyah Nur Rohmah 3. Dudi Abdu Rasyid 4. Ginanjar 5. Intan Dwi 6. Ricky

Nama Anggota Kelompok: 1. Ahmad Samsudin 2. Aisyah Nur Rohmah 3. Dudi Abdu Rasyid 4. Ginanjar 5. Intan Dwi 6. Ricky Nama Anggota Kelompok: 1. Ahmad Samsudin 2. Aisyah Nur Rohmah 3. Dudi Abdu Rasyid 4. Ginanjar 5. Intan Dwi 6. Ricky A. Aplikasi Statistik Bose-Einstein 1.1. Kondensasi Bose-Einstein Gambar 1.1 Salah satu

Lebih terperinci

MODUL 1 KULIAH SEMIKONDUKTOR

MODUL 1 KULIAH SEMIKONDUKTOR MODUL 1 KULIAH SMIKONDUKTOR I.1. LOGAM, ISOLATOR dan SMIKONDUKTOR. Suatu bahan zat padat apabila dikaitkan dengan kemampuannya dalam menghantarkan arus listrik, maka bahan zat padat dibedakan menjadi tiga

Lebih terperinci

What Is a Semiconductor?

What Is a Semiconductor? 1 SEMIKONDUKTOR Pengantar 2 What Is a Semiconductor? Istilah Konduktor Insulator Semikonduktor Definisi Semua bahan, sebagian besar logam, yang memungkinkan arus listrik mengalir melalui bahan tersebut

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang

BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pendeteksian cahaya merupakan salah satu proses paling mendasar pada bidang optik [1]. Untuk mendeteksi cahaya, diperlukan suatu proses konversi optoelektronik menggunakan

Lebih terperinci

MIKROELEKTRONIKA. Gejala Transport dalam Semikonduktor. D3 Teknik Komputer Universitas Gunadarma

MIKROELEKTRONIKA. Gejala Transport dalam Semikonduktor. D3 Teknik Komputer Universitas Gunadarma MIKROELEKTRONIKA Gejala Transport dalam Semikonduktor D3 Teknik Komputer Universitas Gunadarma MOBILITAS & KONDUKTIVITAS Gambaran gas elektron dari logam Bagian yang gelap menyatakan bagian yang mempunyai

Lebih terperinci

SEMIKONDUKTOR oleh: Ichwan Yelfianhar dirangkum dari berbagai sumber

SEMIKONDUKTOR oleh: Ichwan Yelfianhar dirangkum dari berbagai sumber SEMIKONDUKTOR oleh: Ichwan Yelfianhar dirangkum dari berbagai sumber Pengertian Umum Bahan semikonduktor adalah bahan yang bersifat setengah konduktor karena celah energi yang dibentuk oleh struktur bahan

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN. Universitas Sumatera Utara

BAB I PENDAHULUAN. Universitas Sumatera Utara BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Untuk mereduksi dimensi konduktor sampai mendekati ukuran beberapa atom saja memicu lahirnya teknologi berbasis skala nanometer. Komponen elektronik yang berukuran

Lebih terperinci

Struktur dan konfigurasi sel Fotovoltaik

Struktur dan konfigurasi sel Fotovoltaik 9 Gambar 17. Struktur dan konfigurasi sel Fotovoltaik BST yang sudah mengalami proses annealing dipasang kontak di atas permukaan substrat silikon dan di atas film tipis BST. Pembuatan kontak ini dilakukan

Lebih terperinci

Analisis Numerik Resonansi Tunneling Pada Sruktur Lapis Tiga GaAs / Al x Ga 1-x As Menggunakan Algoritma Numerov.

Analisis Numerik Resonansi Tunneling Pada Sruktur Lapis Tiga GaAs / Al x Ga 1-x As Menggunakan Algoritma Numerov. Analisis Numerik Resonansi Tunneling Pada Sruktur Lapis Tiga GaAs / Al x Ga 1-x As Menggunakan Algoritma Numerov. Yonathan Sapan, Paulus Lobo Gareso, Eko Juarlin Program studi Fisika Jurusan Fisika FMIPA-UNHAS

Lebih terperinci

SATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH : DEVAIS MIKROELEKTRONIKA* (Ujian Utama) KODE MK / SKS : KK / 3

SATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH : DEVAIS MIKROELEKTRONIKA* (Ujian Utama) KODE MK / SKS : KK / 3 SATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH : DEVAIS MIKROELEKTRONIKA* (Ujian Utama) KODE MK / SKS : KK-041345 / 3 Minggu Pokok Bahasan Ke Dan TIU 1 Konsep mekanika quntum dan fisika benda padat 2 Fenomena elektron

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Indra Irawan, 2015

BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Indra Irawan, 2015 BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Di zaman modern yang semakin canggih ini, ketergantungan terhadap penggunaan peralatan elektronik sudah tidak dapat dihindari lagi. Seperti penggunaan handphone dan

Lebih terperinci

DAFTAR ISI. PERNYATAAN BEBAS PLAGIARISME... ii. HALAMAN PENGESAHAN... iii. HALAMAN TUGAS... iv. HALAMAN PERSEMBAHAN... v. HALAMAN MOTO...

DAFTAR ISI. PERNYATAAN BEBAS PLAGIARISME... ii. HALAMAN PENGESAHAN... iii. HALAMAN TUGAS... iv. HALAMAN PERSEMBAHAN... v. HALAMAN MOTO... ix DAFTAR ISI PERNYATAAN BEBAS PLAGIARISME... ii HALAMAN PENGESAHAN... iii HALAMAN TUGAS... iv HALAMAN PERSEMBAHAN... v HALAMAN MOTO... vi KATA PENGANTAR... vii DAFTAR ISI... ix DAFTAR TABEL... xiii DAFTAR

Lebih terperinci

Bab 1 Bahan Semikonduktor. By : M. Ramdhani

Bab 1 Bahan Semikonduktor. By : M. Ramdhani Bab 1 Bahan Semikonduktor By : M. Ramdhani Tujuan instruksional : Mengerti sifat dasar sebuah bahan Memahami konsep arus pada bahan semikonduktor Memahami konsep bahan semikonduktor sebagai bahan pembentuk

Lebih terperinci

T 18 Perhitungan Energi Pengisian pada Sistem Transistor Elektron Tunggal

T 18 Perhitungan Energi Pengisian pada Sistem Transistor Elektron Tunggal T 18 Perhitungan Energi Pengisian pada Sistem Transistor Elektron Tunggal Ratno Nuryadi Pusat Teknologi Material, Badan Pengkajian dan Penerapan Teknologi (BPPT) BPPT Gedung II Lt. 22. Jl. M.H. Thamrin

Lebih terperinci

DAFTAR ISI. ABSTRAK... i. KATA PENGANTAR... ii. UCAPAN TERIMA KASIH... iii. DAFTAR ISI... v. DAFTAR GAMBAR... viii. DAFTAR SINGKATAN DAN LAMBANG...

DAFTAR ISI. ABSTRAK... i. KATA PENGANTAR... ii. UCAPAN TERIMA KASIH... iii. DAFTAR ISI... v. DAFTAR GAMBAR... viii. DAFTAR SINGKATAN DAN LAMBANG... DAFTAR ISI ABSTRAK... i KATA PENGANTAR... ii UCAPAN TERIMA KASIH... iii DAFTAR ISI... v DAFTAR GAMBAR... viii DAFTAR SINGKATAN DAN LAMBANG... x BAB I PENDAHULUAN... 1 1.1 Latar Belakang... 1 1.2 Rumusan

Lebih terperinci

PENERIMA OPTIK OPTICAL RECEIVER

PENERIMA OPTIK OPTICAL RECEIVER PENERIMA OPTIK OPTICAL RECEIVER Dasar Sistem Komunikasi Serat Optik Sinyal input elektrik Transmitter Drive Circuit Sumber Cahaya Regenerator Optical RX connector splice coupler Serat optik Electronic

Lebih terperinci

Struktur Double Barrier Untuk Aplikasi Pada Divais Silikon Amorf

Struktur Double Barrier Untuk Aplikasi Pada Divais Silikon Amorf Kontribusi Fisika Indonesia Vol. No., Januari 00 Struktur Double Barrier Untuk Aplikasi Pada Divais Silikon Amorf Ida Hamidah dan Wilson W. Wenas Laboratorium Riset Semikonduktor, Jurusan Fisika ITB Jl.

Lebih terperinci

Karakterisasi XRD. Pengukuran

Karakterisasi XRD. Pengukuran 11 Karakterisasi XRD Pengukuran XRD menggunakan alat XRD7000, kemudian dihubungkan dengan program dikomputer. Puncakpuncak yang didapatkan dari data pengukuran ini kemudian dicocokkan dengan standar difraksi

Lebih terperinci

Modul 03: Catu Daya. Dioda, Penyearah Gelombang, dan Pembebanan. 1 Alat dan Komponen. 2 Teori Singkat. Reza Rendian Septiawan February 11, 2015

Modul 03: Catu Daya. Dioda, Penyearah Gelombang, dan Pembebanan. 1 Alat dan Komponen. 2 Teori Singkat. Reza Rendian Septiawan February 11, 2015 Modul 03: Catu Daya Dioda, Penyearah Gelombang, dan Pembebanan Reza Rendian Septiawan February, 205 Dalam dunia elektronika, salah satu komponen yang paling penting adalah catu daya. Sebagian besar komponen

Lebih terperinci

PHOTODETECTOR. Ref : Keiser

PHOTODETECTOR. Ref : Keiser PHOTODETECTOR Ref : Keiser Detektor Silikon PIN Syarat foto detektor High response atau sensitifitas Noise rendah Respon cepat atau bandwidth lebar Tidak sensitif thd variasi suhu Kompatibel dgn fiber

Lebih terperinci

PERTEMUAN 2 TEORI DASAR (DIODA)

PERTEMUAN 2 TEORI DASAR (DIODA) PERTEMUAN 2 TEORI DASAR (DIODA) PENGERTIAN DIODA Dioda merupakan komponenelektronikayang mempunyai dua elektroda(terminal), dapat berfungsi sebagai penyearah arus listrik. Dioda merupakanjunction ( pertemuan

Lebih terperinci

SATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH / KODE : SISTEM FABRIKASI & DEVAIS MIKROELEKTRONIKA / AK SEMESTER / SKS : VIII / 2

SATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH / KODE : SISTEM FABRIKASI & DEVAIS MIKROELEKTRONIKA / AK SEMESTER / SKS : VIII / 2 SATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH / KODE : SISTEM FABRIKASI & DEVAIS MIKROELEKTRONIKA / AK041217 SEMESTER / SKS : VIII / 2 Pertemuan Pokok Bahasan dan TIU Ke 1 Konsep mekanika quntum dan fisika benda

Lebih terperinci

E 2 E 1. E 3s r 2 r 1. energi. Jarak antar atom

E 2 E 1. E 3s r 2 r 1. energi. Jarak antar atom Teori Pita Zat Padat Atom Na : Nomor atomnya 11, punya 1 elektron valensi, menempati kulit 3s (energinya E 3s ) Saat 2 atom Na didekatkan (Na A dan Na B), elektron valensi A akan berinteraksi dengan elektron

Lebih terperinci

DASAR PENGUKURAN LISTRIK

DASAR PENGUKURAN LISTRIK DASAR PENGUKURAN LISTRIK OUTLINE 1. Objektif 2. Teori 3. Contoh 4. Simpulan Objektif Teori Contoh Simpulan Tujuan Pembelajaran Mahasiswa mampu: Menjelaskan dengan benar mengenai energi panas dan temperatur.

Lebih terperinci

MAKALAH PITA ENERGI. Di susun oleh, Pradita Ajeng Wiguna ( ) Rombel 1. Untuk Memenuhi Tugas Mata Kuliah Fisika dan Teknologi Semikonduktor

MAKALAH PITA ENERGI. Di susun oleh, Pradita Ajeng Wiguna ( ) Rombel 1. Untuk Memenuhi Tugas Mata Kuliah Fisika dan Teknologi Semikonduktor MAKALAH PITA ENERGI Untuk Memenuhi Tugas Mata Kuliah Fisika dan Teknologi Semikonduktor Di susun oleh, Pradita Ajeng Wiguna (4211412011) Rombel 1 JURUSAN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN

Lebih terperinci

BAB I TEORI RANGKAIAN LISTRIK DASAR

BAB I TEORI RANGKAIAN LISTRIK DASAR BAB I TEORI RANGKAIAN LISTRIK DASAR I.1. MUATAN ELEKTRON Suatu materi tersusun dari berbagai jenis molekul. Suatu molekul tersusun dari atom-atom. Atom tersusun dari elektron (bermuatan negatif), proton

Lebih terperinci

Fisika Dasar. Pertemuan 11 Muatan & Gaya Elektrostatis

Fisika Dasar. Pertemuan 11 Muatan & Gaya Elektrostatis Fisika Dasar Pertemuan 11 Muatan & Gaya Elektrostatis Muatan & Gaya Elektrostatis Ada dua jenis muatan pada listrik yaitu muatan listrik positif (+) dan muatan listrik negatif (-). Studi tentang listrik

Lebih terperinci

STUDI TENTANG PENGARUH DOPING TINGGI TERHADAP RESISTANSI BASIS DAN BANDGAP NARROWING PADA Si/Si 1-x Ge x /Si HBT

STUDI TENTANG PENGARUH DOPING TINGGI TERHADAP RESISTANSI BASIS DAN BANDGAP NARROWING PADA Si/Si 1-x Ge x /Si HBT MAKARA, TEKNOLOGI, VOL. 7, NO. 1, APRIL 2003 STUDI TENTANG PENGARUH DOPING TINGGI TERHADAP RESISTANSI BASIS DAN BANDGAP NARROWING PADA Si/Si 1-x Ge x /Si HBT Achmad Fadhol Jurusan Teknik Elektro, Institut

Lebih terperinci

Mengenal Sifat Material. Teori Pita Energi

Mengenal Sifat Material. Teori Pita Energi Mengenal Sifat Material Teori Pita Energi Ulas Ulang Kuantisasi Energi Planck : energi photon (partikel) bilangan bulat frekuensi gelombang cahaya h = 6,63 10-34 joule-sec De Broglie : Elektron sbg gelombang

Lebih terperinci

Gambar 3.1 Struktur Dioda

Gambar 3.1 Struktur Dioda 1 1. TEORI DASAR Dioda ialah jenis VACUUM tube yang memiliki dua buah elektroda. Dioda tabung pertama kali diciptakan oleh seorang ilmuwan dari Inggris yang bernama Sir J.A. Fleming (1849-1945) pada tahun

Lebih terperinci

Modul - 4 SEMIKONDUKTOR

Modul - 4 SEMIKONDUKTOR Modul - 4 SEMIKONDUKTOR Disusun Sebagai Materi Pelatihan Guru-Guru SMA/MA Provinsi Nangro Aceh Darussalam Disusun oleh: Dr. Agus Setiawan, M.Si Dr. Dadi Rusdiana, M.Si Dr. Ida Hamidah, M.Si Dra. Ida Kaniawati,

Lebih terperinci

Bagian 4 Karakteristik Junction Dioda

Bagian 4 Karakteristik Junction Dioda Bagian 4 Karakteristik Junction Dioda Junction Diode Switching Times Pada saat keadaan dioda berubah dari kondisi reverse-biased ke kondisi forward-biased, terdapat transien (proses peralihan) pada respon

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang Masalah

BAB I PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang Masalah BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Intan adalah salah satu jenis perhiasan yang harganya relatif mahal. Intan merupakan kristal yang tersusun atas unsur karbon (C). Intan berdasarkan proses pembentukannya

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang

BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Dewasa ini, banyak penelitian dalam fisika material mampat mengenai semikonduktor yang difokuskan untuk aplikasi dalam bentuk divais spintronik, dimana spin elektron

Lebih terperinci

Struktur dan Prinsip Kerja Transistor Metal Oxide Semiconductor (MOS)

Struktur dan Prinsip Kerja Transistor Metal Oxide Semiconductor (MOS) Struktur dan Prinsip Kerja Transistor Metal Oxide Semiconductor (MOS) Analisis dan perancangan IC sangat tergantung pada pemilihan model yang cocok sebagai komponen IC. Untuk analisis secara manual, cukup

Lebih terperinci

BAB II TINJAUAN PUSTAKA

BAB II TINJAUAN PUSTAKA BAB II TINJAUAN PUSTAKA 2.1 Kapasitor Kapasitor banyak digunakan dalam sirkuit elektronik dan mengerjakan berbagai fungsi. Pada dasarnya kapasitor merupakan alat penyimpan muatan listrik yang dibentuk

Lebih terperinci

ANALISIS LANJUTAN. Tingkat Energi & Orbit Elektron. Pita Energi Semikonduktor Intrinsik. Pita Energi Pada Semikonduktor Ter-Doping

ANALISIS LANJUTAN. Tingkat Energi & Orbit Elektron. Pita Energi Semikonduktor Intrinsik. Pita Energi Pada Semikonduktor Ter-Doping Tingkat Energi & Orbit Elektron ANALISIS LANJUTAN Pita Energi Semikonduktor Intrinsik Pita Energi Pada Semikonduktor Ter-Doping Elektronika 1 23 Irwan Arifin 2004 P-N Junction Elektronika 1 24 Irwan Arifin

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN. Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini

BAB I PENDAHULUAN. Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini mengalami peralihan dari teknologi mikro (microtechnology) ke generasi yang lebih kecil yang dikenal

Lebih terperinci

ELEKTRONIKA. Bab 2. Semikonduktor

ELEKTRONIKA. Bab 2. Semikonduktor ELEKTRONIKA Bab 2. Semikonduktor DR. JUSAK Konduktor Konduktor adalah sebuah bahan/elemen yang mempunyai kemampuan menghantarkan listrik. Salah satu contoh bahan koduktor adalah tembaga. Nukleus atom tembaga

Lebih terperinci

MODEL-MODEL IKATAN KIMIA

MODEL-MODEL IKATAN KIMIA MODEL-MODEL IKATAN KIMIA Sifat Atom dan Ikatan Kimia Suatu partikel baik berupa ion bermuatan, inti atom dan elektron diantara mereka, akan membentuk ikatan kimia karena akan menurunkan energi potensial

Lebih terperinci

struktur dua dimensi kristal Silikon

struktur dua dimensi kristal Silikon PRINSIP DASAR Semikonduktor merupakan elemen dasar dari komponen elektronika seperti dioda, transistor dan sebuah IC (integrated circuit). Disebut semi atau setengah konduktor, karena bahan ini memang

Lebih terperinci

SIMAK UI Fisika

SIMAK UI Fisika SIMAK UI 2016 - Fisika Soal Halaman 1 01. Fluida masuk melalui pipa berdiameter 20 mm yang memiliki cabang dua pipa berdiameter 10 mm dan 15 mm. Pipa 15 mm memiliki cabang lagi dua pipa berdiameter 8 mm.

Lebih terperinci

#2 Steady-State Fotokonduktif Elektronika Organik Eka Maulana, ST., MT., MEng. Teknik Elektro Universitas Brawijaya

#2 Steady-State Fotokonduktif Elektronika Organik Eka Maulana, ST., MT., MEng. Teknik Elektro Universitas Brawijaya #2 Steady-State Fotokonduktif Elektronika Organik Eka Maulana, ST., MT., MEng. Teknik Elektro Universitas Brawijaya 2015 Kerangka materi Tujuan: Memberikan pemahaman tentang mekanisme efek fotokonduktif

Lebih terperinci

DIODA. Program Studi S1 Informatika ST3 Telkom Purwokerto

DIODA. Program Studi S1 Informatika ST3 Telkom Purwokerto DIODA Pertemuan ke-vii Program Studi S1 Informatika ST3 Telkom Purwokerto Tujuan Pembelajaran Setelah mengikuti kuliah ini mahasiswa mampu: Menjelaskan cara kerja dan karakteristik dioda Menjelaskan jenis

Lebih terperinci

Rudi Susanto

Rudi Susanto Pendahuluan Listrik Statis Rudi Susanto http://rudist.wordpress.com 1 Sifat-sifat Muatan Listrik Observasi Makroskopik Berdasarkan pengamatan : Penggaris plastik yang digosokkan ke rambut/kain akan menarik

Lebih terperinci

PENDAHULUAN. Di dalam modul ini Anda akan mempelajari Kristal Semikonduktor yang mencakup:

PENDAHULUAN. Di dalam modul ini Anda akan mempelajari Kristal Semikonduktor yang mencakup: PENDAHULUAN Di dalam modul ini Anda akan mempelajari Kristal Semikonduktor yang mencakup: kristal semikonduktor intrinsik dan kristal semikonduktor ekstrinsik. Oleh karena itu, sebelum mempelajari modul

Lebih terperinci

BAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN

BAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN 23 BAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN 4.1 Visualisasi Gelombang di Dalam Domain Komputasi Teknis penelitian yang dilakukan dalam menguji disain sensor ini adalah dengan cara menembakkan struktur sensor yang telah

Lebih terperinci

PERANCANGAN DAN IMPLEMENTASI ALAT UKUR STATE OF CHARGE (SOC) PADA BATERAI LEAD-ACID MENGGUNAKAN METODE PERHITUNGAN COULOMB

PERANCANGAN DAN IMPLEMENTASI ALAT UKUR STATE OF CHARGE (SOC) PADA BATERAI LEAD-ACID MENGGUNAKAN METODE PERHITUNGAN COULOMB ISSN : 2355-9365 e-proceeding of Engineering : Vol.4, No.1 April 2017 Page 626 PERANCANGAN DAN IMPLEMENTASI ALAT UKUR STATE OF CHARGE () PADA BATERAI LEAD-ACID MENGGUNAKAN METODE PERHITUNGAN COULOMB DESIGN

Lebih terperinci

Uji Kekerasan Material dengan Metode Rockwell

Uji Kekerasan Material dengan Metode Rockwell Uji Kekerasan Material dengan Metode Rockwell 1 Ika Wahyuni, 2 Ahmad Barkati Rojul, 3 Erlin Nasocha, 4 Nindia Fauzia Rosyi, 5 Nurul Khusnia, 6 Oktaviana Retna Ningsih Jurusan Fisika, Fakultas Sains dan

Lebih terperinci

Matematika Dasar NILAI EKSTRIM

Matematika Dasar NILAI EKSTRIM NILAI EKSTRIM Misal diberikan kurva f( ) dan titik ( a,b ) merupakan titik puncak ( titik maksimum atau minimum ). Maka garis singgung kurva di titik ( a,b ) akan sejajar sumbu X atau [ ] mempunyai gradien

Lebih terperinci

HIDROLIKA SALURAN TERTUTUP -PUKULAN AIR (WATER HAMMER)- SEBRIAN MIRDEKLIS BESELLY PUTRA TEKNIK PENGAIRAN

HIDROLIKA SALURAN TERTUTUP -PUKULAN AIR (WATER HAMMER)- SEBRIAN MIRDEKLIS BESELLY PUTRA TEKNIK PENGAIRAN HIDROLIKA SALURAN TERTUTUP -PUKULAN AIR (WATER HAMMER)- SEBRIAN MIRDEKLIS BESELLY PUTRA TEKNIK PENGAIRAN UMUM Pukulan air/ water hammer adalah fenomena hidraulik pada suatu pipa akibat adanya penutupan

Lebih terperinci

Pertambahan arus ΔI yang melalui pertambahan permukaan ΔS yang normal pada rapatan arus ialah

Pertambahan arus ΔI yang melalui pertambahan permukaan ΔS yang normal pada rapatan arus ialah KONDUKTOR DIELEKTRIK DAN KAPASITANSI Muatan listrik yang bergerak membentuk arus. Satuan arus ialah ampere (A) yang didefinisikan sebagai laju aliran muatan yang melalui titik acuan sebesar satu coulomb

Lebih terperinci

PENGUKURAN KARAKTERISTIK SEL SURYA

PENGUKURAN KARAKTERISTIK SEL SURYA PENGUKURAN KARAKTERSTK SEL SURYA Ridwan Setiawan (11270058) Jurusan Fisika Fakultas Sains dan Teknologi UN Sunan Gunung Djati Bandung Tahun 2014 Email: setiawan.ridwan@student.uinsgd.ac.id ABSTRAK Eksperimen

Lebih terperinci

TRANSISTOR EFEK-MEDAN (FIELD-EFFECT TRANSISTOR)

TRANSISTOR EFEK-MEDAN (FIELD-EFFECT TRANSISTOR) "! # 3 2! 12 TANSISTO EFEK-MEDAN (FIELD-EFFECT TANSISTO) 12.1 Pengatar Fungsi utama dari sebuah penguat adalah untuk menghasilkan penguatan isyarat dengan tingkat penguatan tertentu. Transistor unipolar

Lebih terperinci

PERCOBAAN I KARAKTERISTIK DIODA DAN PENYEARAH

PERCOBAAN I KARAKTERISTIK DIODA DAN PENYEARAH PERCOBAAN I KARAKTERISTIK DIODA DAN PENYEARAH 1. Tujuan 1. Memahami karakteristik dioda biasa dan dioda zener. 2. Memahami penggunaan dioda-dioda tersebut. 2. Pendahuluan 2.1 Karakteristik Dioda Dalam

Lebih terperinci

STRUKTUR ATOM. Perkembangan Teori Atom

STRUKTUR ATOM. Perkembangan Teori Atom STRUKTUR ATOM Perkembangan Teori Atom 400 SM filsuf Yunani Demokritus materi terdiri dari beragam jenis partikel kecil 400 SM dan memiliki sifat dari materi yang ditentukan sifat partikel tersebut Dalton

Lebih terperinci

SUMBER OPTIK. Ref : Keiser

SUMBER OPTIK. Ref : Keiser SUMBER OPTIK Ref : Keiser Sumber semikonduktor Sifat diharapkan : Small size 850, 1300, or 1550 nm Daya Linieritas Modulasi sederhana Respon frekuensi Modulasi Biaya murah Reliabilitas tinggi Panjang gel

Lebih terperinci

Dioda Semikonduktor dan Rangkaiannya

Dioda Semikonduktor dan Rangkaiannya - 2 Dioda Semikonduktor dan Rangkaiannya Missa Lamsani Hal 1 SAP Semikonduktor tipe P dan tipe N, pembawa mayoritas dan pembawa minoritas pada kedua jenis bahan tersebut. Sambungan P-N, daerah deplesi

Lebih terperinci

Semikonduktor. Prinsip Dasar. oleh aswan hamonangan

Semikonduktor. Prinsip Dasar. oleh aswan hamonangan Semikonduktor Prinsip Dasar oleh aswan hamonangan Semikonduktor merupakan elemen dasar dari komponen elektronika seperti dioda, transistor dan sebuah IC (integrated circuit). Disebut semi atau setengah

Lebih terperinci

Gambar 1 Tegangan bias pada transistor BJT jenis PNP

Gambar 1 Tegangan bias pada transistor BJT jenis PNP KEGIATAN BELAJAR 2 Percobaan 1 A. Tujuan a. Mahasiswa diharapkan dapat memahami karakteristik switching dari BJT b. Mahasiswa diharapkan dapat menggambarkan kurva karakteristik v-i masukan dan keluaran

Lebih terperinci

Xpedia Fisika DP SNMPTN 05

Xpedia Fisika DP SNMPTN 05 Xpedia Fisika DP SNMPTN 05 Doc. Name: XPFIS9910 Version: 2012-06 halaman 1 Sebuah bola bermassa m terikat pada ujung sebuah tali diputar searah jarum jam dalam sebuah lingkaran mendatar dengan jari-jari

Lebih terperinci

MOLEKUL, ZAT PADAT DAN PITA ENERGI MOLEKUL ZAT PADAT PITA ENERGI

MOLEKUL, ZAT PADAT DAN PITA ENERGI MOLEKUL ZAT PADAT PITA ENERGI MOLEKUL, ZAT PADAT DAN PITA ENERGI MOLEKUL ZAT PADAT PITA ENERGI edy wiyono 2004 PENDAHULUAN Pada umumnya atom tunggal tidak memiliki konfigurasi elektron yang stabil seperti gas mulia, maka atom atom

Lebih terperinci

TK 2092 ELEKTRONIKA DASAR

TK 2092 ELEKTRONIKA DASAR TK 2092 ELEKTRONIKA DASAR MATERI : BAHAN SEMIKONDUKTOR Gita Indah Hapsari TK2092 Elektronika Dasar END MATERI 5 : BAHAN SEMIKONDUKTOR Memberikan pengetahuan dasar mengenai beberapa hal berikut : 1. Bahan

Lebih terperinci

HASIL DAN PEMBAHASAN. Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC)

HASIL DAN PEMBAHASAN. Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC) 39 HASIL DAN PEMBAHASAN Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC) Hasil karakterisasi dengan Difraksi Sinar-X (XRD) dilakukan untuk mengetahui jenis material yang dihasilkan disamping menentukan

Lebih terperinci

Persamaan Chezy. Pada aliran turbulen gaya gesek sebanding dengan kuadrat kecepatan. Persamaan Chezy, dengan C dikenal sebagai C Chezy

Persamaan Chezy. Pada aliran turbulen gaya gesek sebanding dengan kuadrat kecepatan. Persamaan Chezy, dengan C dikenal sebagai C Chezy Saluran Terbuka Persamaan Manning Persamaan yang paling umum digunakan untuk menganalisis aliran air dalam saluran terbuka. Persamaan empiris untuk mensimulasikan aliran air dalam saluran dimana air terbuka

Lebih terperinci

BAB 2 TEORI PENUNJANG

BAB 2 TEORI PENUNJANG BAB 2 TEORI PENUNJANG 2.1 Photon Photon merupakan partikel dari cahaya yang mengakibatkan radiasi elektromagnetik. Photon identik dengan panjang gelombang (λ) yang menentukan spektrum dari gelombang elektromagnetik,

Lebih terperinci

SUMBER OPTIK. Ref : Keiser. Fakultas Teknik 1

SUMBER OPTIK. Ref : Keiser. Fakultas Teknik 1 SUMBER OPTIK Ref : Keiser Fakultas Teknik 1 Sumber semikonduktor Sifat diharapkan : Small size 850, 1300, or 1550 nm Daya Linieritas Modulasi sederhana Respon frekuensi Modulasi Biaya murah Reliabilitas

Lebih terperinci

HASIL DAN PEMBAHASAN. Gambar 12. Hubungan Tegangan Membran terhadap Variasi Suhu pada Konsentrasi 100 mm Larutan NaCl, MgCl 2 dan AlCl 3

HASIL DAN PEMBAHASAN. Gambar 12. Hubungan Tegangan Membran terhadap Variasi Suhu pada Konsentrasi 100 mm Larutan NaCl, MgCl 2 dan AlCl 3 9 HASIL DAN PEMBAHASAN 1. Hasil Perlakuan Pasif untuk Tegangan Membran 1.1 Tinjauan Perlakuan Variasi Konsentrasi Gambar 11 memperlihatkan grafik tegangan membran telur terhadap variasi konsentrasi larutan

Lebih terperinci

TEORI DASAR. 2.1 Pengertian

TEORI DASAR. 2.1 Pengertian TEORI DASAR 2.1 Pengertian Dioda adalah piranti elektronik yang hanya dapat melewatkan arus/tegangan dalam satu arah saja, dimana dioda merupakan jenis VACUUM tube yang memiliki dua buah elektroda. Karena

Lebih terperinci

BAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN

BAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN BAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN 4.1. PENGARUH PENAMBAHAN MANGAN TERHADAP SIFAT FISIK LAPISAN INTERMETALIK Dalam sub bab ini akan dibahas pengaruh penambahan mangan terhadap sifat fisik dari lapisan intermetalik

Lebih terperinci

Bab 1. Semi Konduktor

Bab 1. Semi Konduktor Bab 1. Semi Konduktor Operasi komponen elektronika benda padat seperti dioda, LED, Transistor Bipolar dan FET serta Op-Amp atau rangkaian terpadu lainnya didasarkan atas sifat-sifat semikonduktor. Semikonduktor

Lebih terperinci

ENERGETIKA KESTABILAN INTI. Sulistyani, M.Si.

ENERGETIKA KESTABILAN INTI. Sulistyani, M.Si. ENERGETIKA KESTABILAN INTI Sulistyani, M.Si. Email: sulistyani@uny.ac.id PENDAHULUAN Apakah inti yang stabil itu? Apakah inti yang tidak stabil? Bagaimana menyatakan kestabilan U-238 berdasarkan reaksi

Lebih terperinci

ANALISIS PENGARUH TEMPERATUR OPERASIONAL DALAM SIMULASI KARAKTERISTIK ARUS-TEGANGAN PADA DIODA Si MENGGUNAKAN FEMLAB SKRIPSI

ANALISIS PENGARUH TEMPERATUR OPERASIONAL DALAM SIMULASI KARAKTERISTIK ARUS-TEGANGAN PADA DIODA Si MENGGUNAKAN FEMLAB SKRIPSI ANALISIS PENGARUH TEMPERATUR OPERASIONAL DALAM SIMULASI KARAKTERISTIK ARUS-TEGANGAN PADA DIODA Si MENGGUNAKAN FEMLAB SKRIPSI Oleh HERI KURNIAWAN NIM 081810201016 JURUSAN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN

Lebih terperinci

Adapun manfaat dari penelitian ini adalah: 1. Dapat menambah informasi dan referensi mengenai interaksi nukleon-nukleon

Adapun manfaat dari penelitian ini adalah: 1. Dapat menambah informasi dan referensi mengenai interaksi nukleon-nukleon F. Manfaat Penelitian Adapun manfaat dari penelitian ini adalah: 1. Dapat menambah informasi dan referensi mengenai interaksi nukleon-nukleon di dalam inti atom yang menggunakan potensial Yukawa. 2. Dapat

Lebih terperinci

ANALISIS PENGARUH TEMPERATUR OPERASIONAL DALAM SIMULASI KARAKTERISTIK ARUS-TEGANGAN PADA DIODA Si MENGGUNAKAN FEMLAB SKRIPSI

ANALISIS PENGARUH TEMPERATUR OPERASIONAL DALAM SIMULASI KARAKTERISTIK ARUS-TEGANGAN PADA DIODA Si MENGGUNAKAN FEMLAB SKRIPSI ANALISIS PENGARUH TEMPERATUR OPERASIONAL DALAM SIMULASI KARAKTERISTIK ARUS-TEGANGAN PADA DIODA Si MENGGUNAKAN FEMLAB SKRIPSI Oleh HERI KURNIAWAN NIM 081810201016 JURUSAN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN

Lebih terperinci

LAPORAN RESMI PRAKTEK KERJA LABORATORIUM 1

LAPORAN RESMI PRAKTEK KERJA LABORATORIUM 1 LAPORAN RESMI PRAKTEK KERJA LABORATORIUM 1 KODE: L - 4 JUDUL PERCOBAAN : ARUS DAN TEGANGAN PADA LAMPU FILAMEN TUNGSTEN DI SUSUN OLEH: TIFFANY RAHMA NOVESTIANA 24040110110024 LABORATORIUM FISIKA DASAR FAKULTAS

Lebih terperinci

BAB 2 TINJAUAN PUSTAKA

BAB 2 TINJAUAN PUSTAKA BAB 2 TINJAUAN PUSTAKA 2.1 Potensial Coulomb untuk Partikel yang Bergerak Dalam bab ini, akan dikemukakan teori-teori yang mendukung penyelesaian pembahasan pengaruh koreksi relativistik potensial Coulomb

Lebih terperinci

Gambar 11. susunan dan symbol dioda. Sebagai contoh pemassangan dioda pada suatu rangkaian sebagai berikut: Gambar 12. Cara Pemasangan Dioda

Gambar 11. susunan dan symbol dioda. Sebagai contoh pemassangan dioda pada suatu rangkaian sebagai berikut: Gambar 12. Cara Pemasangan Dioda 4.4. Dioda Dioda atau diode adalah sambungan bahan p-n yang berfungsi terutama sebagai penyearah. Bahan tipe-p akan menjadi sisi anode sedangkan bahan tipe-n akan menjadi katode. Bergantung pada polaritas

Lebih terperinci

Sudaryatno Sudirham ing Utari. Mengenal. 8-2 Sudaryatno S & Ning Utari, Mengenal Sifat-Sifat Material (1)

Sudaryatno Sudirham ing Utari. Mengenal. 8-2 Sudaryatno S & Ning Utari, Mengenal Sifat-Sifat Material (1) Sudaryatno Sudiram ing Utari Mengenal Sifat-Sifat Material (1) 8- Sudaryatno S & Ning Utari, Mengenal Sifat-Sifat Material (1) BAB 8 Teori Pita Energi Tentang Padatan Setela mempelajari bagaimana atom

Lebih terperinci

BENDA WUJUD, SIFAT DAN KEGUNAANNYA

BENDA WUJUD, SIFAT DAN KEGUNAANNYA BENDA WUJUD, SIFAT DAN KEGUNAANNYA Benda = Materi = bahan Wujud benda : 1) Padat 2) Cair 3) Gas Benda Padat 1. Mekanis kuat (tegar), sukar berubah bentuk, keras 2. Titik leleh tinggi 3. Sebagian konduktor

Lebih terperinci

BAB 3 METODOLOGI PENELITIAN

BAB 3 METODOLOGI PENELITIAN 20 BAB 3 METODOLOGI PENELITIAN 3.1 Populasi dan Sampel Penelitian Dalam penulisan skripsi ini, populasi dalam penelitian adalah semua produk speaker komputer dengan berbagai kualitasnya. Speaker komputer

Lebih terperinci

Semikonduktor. Sifat. (ohm.m) Tembaga 1,7 x 10-8 Konduktor Silikon pd 300 o K 2,3 x 10 3 Semikonduktor Gelas 7,0 x 10 6 Isolator

Semikonduktor. Sifat. (ohm.m) Tembaga 1,7 x 10-8 Konduktor Silikon pd 300 o K 2,3 x 10 3 Semikonduktor Gelas 7,0 x 10 6 Isolator Semikonduktor Definisi I: Bahan yang memiliki nilai hambatan jenis (ρ) antara konduktor dan isolator yakni sebesar 10 6 s.d. 10 4 ohm.m Perbandingan hambatan jenis konduktor, semikonduktor, dan isolator:

Lebih terperinci

1. Perpotongan antara garis beban dan karakteristik dioda menggambarkan: A. Titik operasi dari sistem B. Karakteristik dioda dibias forward

1. Perpotongan antara garis beban dan karakteristik dioda menggambarkan: A. Titik operasi dari sistem B. Karakteristik dioda dibias forward 1. Perpotongan antara garis beban dan karakteristik dioda menggambarkan: A. Titik operasi dari sistem B. Karakteristik dioda dibias forward C. Karakteristik dioda dibias reverse D. Karakteristik dioda

Lebih terperinci

SIMBOL DAN STRUKTUR DIODA

SIMBOL DAN STRUKTUR DIODA DIODA Dioda dapat digunakan dalam beberapa alat. Sebagai contoh, sebuah perangkat elektronika yang menggunakan baterai sering menggunakan dioda yang fungsinya untuk melindungi perangkat tersebut jika anda

Lebih terperinci

KRISTAL SEMIKONDUKTOR

KRISTAL SEMIKONDUKTOR KRISTAL SEMIKONDUKTOR Semikonduktor merupakan bahan dengan konduktivitas listrik yang berada diantara isolator dan konduktor. Disebut semi atau setengah konduktor, karena bahan ini memang bukan konduktor

Lebih terperinci

ANALISIS DINAMIKA KUANTUM PARTIKEL MENGGUNAKAN MATRIKS TRANSFER

ANALISIS DINAMIKA KUANTUM PARTIKEL MENGGUNAKAN MATRIKS TRANSFER ANALISIS DINAMIKA KUANTUM PARTIKEL MENGGUNAKAN MATRIKS TRANSFER Irene Devi Damayanti 1, Tasrief Surungan 1, Eko Juarlin 1 1 Jurusan Fisika FMIPA Universitas Hasanuddin, Makassar 95, Indonesia Abstrak Dinamika

Lebih terperinci

Analisis Distribusi Produktivitas Tenaga Kerja Sektor Industri Pengolahan Indonesia Menggunakan Temperatur Negatif Distribusi Boltzmann

Analisis Distribusi Produktivitas Tenaga Kerja Sektor Industri Pengolahan Indonesia Menggunakan Temperatur Negatif Distribusi Boltzmann Analisis Distribusi Produktivitas Tenaga Kerja Sektor Industri Pengolahan Indonesia Menggunakan Temperatur Negatif Distribusi Boltzmann Qoniti Amalia 1,a) dan Acep Purqon 1,b) 1 Laboratorium Sistem Kompleks,

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN. modern pada fotokonduktor ultraviolet (UV) membutuhkan material

BAB I PENDAHULUAN. modern pada fotokonduktor ultraviolet (UV) membutuhkan material BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Pengembangan material semikonduktor tidak lepas dari perkembangan piranti elektronik diantaranya fotokonduktor ultraviolet (UV). Tuntutan aplikasi modern pada

Lebih terperinci

D. 12 N E. 18 N. D. pa = (M B /M A ). pb E.

D. 12 N E. 18 N. D. pa = (M B /M A ). pb E. 1. Sebuah bola bermassa 0,2 kg diikat dengan tali sepanjang 0,5 m kemudian diputar sehingga melakukan gerak melingkar benturan dalam bidang vertikal. Jika pada saat mencapai titik terendah laju bola adalah

Lebih terperinci

BAB II LANDASAN TEORI

BAB II LANDASAN TEORI BAB II LANDASAN TEORI 2.1 Sistem Catu Daya / power supply Power supply adalah rangkaian elektronika yang berfungsi untuk memberikan tegangan listrik yang dibutuhkan oleh suatu rangkaian elektronika. Dalam

Lebih terperinci

IKATAN KIMIA. RATNAWATI, S.Pd

IKATAN KIMIA. RATNAWATI, S.Pd IKATAN KIMIA RATNAWATI, S.Pd Tujuan Pembelajaran Setelah mempelajari materi ini, diharapkan siswa dapat: Menjelaskan kecenderungan suatu unsur untuk mencapai kestabilannya Menggambarkan susunan elektron

Lebih terperinci

IKATAN KIMIA Isana SYL

IKATAN KIMIA Isana SYL IKATAN KIMIA Isana SYL IKATAN KIMIA Kebahagiaan atom Konfigurasi i elektronik stabil Konfigurasi elektronik gas mulia / gas lamban (Energi ionisasi relatif besar dan afinitas elektron relatif kecil) Ada

Lebih terperinci

BAB II TINJAUAN PUSTAKA

BAB II TINJAUAN PUSTAKA BAB II TINJAUAN PUSTAKA 2.1. Umum Lightning Arrester merupakan alat proteksi peralatan listrik terhadap tegangan lebih yang disebabkan oleh petir atau surja hubung (switching surge). Alat ini bersifat

Lebih terperinci

BAB IV INTERPRETASI KUANTITATIF ANOMALI SP MODEL LEMPENGAN. Bagian terpenting dalam eksplorasi yaitu pengidentifikasian atau

BAB IV INTERPRETASI KUANTITATIF ANOMALI SP MODEL LEMPENGAN. Bagian terpenting dalam eksplorasi yaitu pengidentifikasian atau BAB IV INTERPRETASI KUANTITATIF ANOMALI SP MODEL LEMPENGAN Bagian terpenting dalam eksplorasi yaitu pengidentifikasian atau pengasumsian bentuk dan kedalaman benda yang tertimbun. Berbagai macam metode

Lebih terperinci