Asumsi : Dioda adalah one sided abrupt junction yang memenuhi :, sehingga dapat diasmumsikan X

Ukuran: px

Mulai penontonan dengan halaman:

Download "Asumsi : Dioda adalah one sided abrupt junction yang memenuhi :, sehingga dapat diasmumsikan X"

Adi Irawan
6 tahun lalu
Tontonan:

1 ioda yag aka dibuat memiliki eifikai : ru makimal 1. Tegaga breakdow 0. Racaga ecara erhituga : PRSETYO UGROHO TUGS EIS ELEKTROIK umi : ioda adalah oe ided abrut juctio yag memeuhi : 16 = 4.5 X 10 Utuk oe ided abrut juctio X << X, ehigga daat diamumika X = 100 X.. X =. X = 100 = 4.5 X 10 Tegaga delei ada keeimbaga termal (ada 300K adalah ebear : KT X 10 X 4.5 X 10 BI = l = l = volt q 10 ( 1.4X10 Beba elei : w = imaa = BR BR= t X t BI = = 0.16µ, lebar daerah delei ( = 3.9µ m m

2 Jadi karakteritik I- yag dibuat 1 J J K. T = e.. o J = q + L L = = i ( 1.4X10 5 o = = = 4.350X10 15 o 4.5X10 10 i ( 1.4X10 5 o = = = 43.5X10 4.5X10 L =. t = X10 = 19.7X10 6 L =. t = 8.X10 =.7X X1.875X X1.875 J = 1.6X10 + = X X X : I = J X 11 Pada racaga dibutuhka agar lua ermukaa tidak terlalu lebar ehigga kaaitai araitik kecil. 1 = ( R + BI C t.. = 3 1.6X10 X11.9X1.05 X X10 = ( R + BI C = 0.616X10 < 10 5 ( + BI 14 C < 0.616X10 F Kaaitai difui :. L. Po Cd =. e K. T q 9 = 5.8X10 R 19 F K. T 5 K. T Utuk < 10, e > 0 1 C d < 5.8X10 F X1.X X10 = 13 X ( + R BI XX1.76X X1.875X10 5 Xe K. T

3 ilai kaaitai diata mejadi cuku kecil jika diambil harga = Pegambila harga juga memertimbagka uaya aru yag lewat adalah 1, atara lai dega meetuka harga I da r yag euai. Reitai eri ada forward bia : Pada forward bia, daerah delei aka ol ehigga reitai eri adalah 1 d 1 d R =. +. σ σ d= ajag/ kedalama -tye d= ajag/ kedalama -tye 19 σ = µ. = 1.6X10 X 00X1.X10 σ = µ. = 1.6X X14330X1.X10 = = d 1 d d d R =. +. = 0.6X X Suaya R kecil, d da d haru kecil tai dibatai oleh W B = I. R I. R K. T q X10 6 I = I. e = J.. e, diambil d = 5µ mda d = µ m R = = 3.40X Jika diambil = 5µ m, R = 6.6X10, I = 7.75X10, maka I = 7.75X e Sehigga dieroleh utuk I = 1, 16 harga = 1.53, = 4.X10, = 4.X10, = 5µ m, d = µ m, d = 5µ m ilai R diharaka kecil agar mamu megeluarka aru yag bear dega diiai relatif kecil. Utuk memerkecil ilai R, maka ilai da daat dierkecil, tai tidak terlalu kecil karea dibatai oleh lebar daerah delei ω B. ω B ediri ditetuka oleh koetrai door. Jadi ecara tak lagug diegaruhi oleh tegaga breakdow. Hail dari eracaga ii berua arameter : (koetrai door (koetrai aketor (lua ermukaa (Pajag emikoduktor tie (Pajag emikoduktor tie P ari Sureme aka dieroleh kurva karakteritik Jarak dari ermukaa S koetrai (algoritmic

4 ari Pice kita eroleh kurva karakteritik : Jarak S Koetrai Peyebara doig Kaaitai S Tegaga ru S Tegaga Karakteritik traie aru da tegaga Litig Program Mecari oig Profile iode dega SUPREM Title SUPREM3 ioda $ ioda Sambuga Commet Iiialiai ubtrat iliko Iitialialize <111> Silico,hohoru Cocetr=1.e15 + Thicke=7. dx=0.01 Sace=80 Commet iffuio Prit Commet Etch Commet iffuio iffuio iffuio iokidai baah etiggi 6500 Temerature=1000 Time=60 WetO Layer Eta utuk medaat mak difui Oxide ifui Phohor utuk medaatka tie- Temerature=975 Time=90 Boro Solidolubility Temerature=975 Time=10 ryo Temerature=975 Time=90 Commet Plot itribui ketidakmuria Prit Cocetr Che Phohor Fileame=kotra.out Prit Layer Plot Chemical Boro Xmi=0 Xmax=30 Clear xi LieTye= + title=percobaa_dioda Symbol=1 Plot Chemical Phohoru Xmi=0 Xmax=30 ^Clear ^xi LieTye=3 Plot Chemical et Xmi=0 Xmax=30 ^Celar ^xi + ymbol= color grid Sto Ed of dioda ercobaa

5 Litig Program mecari oig Profile iode dega PISCES ******************************************************** ate ad time = 3-Mei-99 7:30: Title P diode traiet imulatio... $ Grid of the tructure ad doig ditributio 3... $ SILCO Iteratioal meh rect x=100 y=10 mooth=1 diag.fli 5... x.m =1 l=0.0 r= x.m =100 l= r= y.m =1 l=0.0 r= y.m =10 l=8.0 r= $ Regio ad Electrode regio um=1 ilico elec um=1 x.mi=0.0 legth= elec um= bottom $ oig rofile doig uiform coc=1.e15.tye outf=dd1dio doig gau coc=1.e17.tye juc=0.9 x.r= ratio= regrid doig ratio=4 log mooth.k=1 dofile=dd1dio regrid doig ratio=4 log mooth.k=1 outf=meh.dd1 dofile=dd1dio... $ lot.1d x.=0.0 x.e=5.0 y.=0.0 y.e=0.0 doig ab log a 0... lot.1d x.=1.0 x.e=1.0 y.=0.0 y.e=5.0 doig ab log a 1... lot.d x.mi=9950 x.max=10000 grid boudary o.to o.fill a... lot.d x/mi=9950 x.max=10000 juctio boudary l.elect= l.boud=3 l.juct=6 o.fill a 3... ed ***************************** P diode traiet imulatio ***************************** Meh tatitic : Total grid oit = 1000 Total o. of triagle = 178 Obtue triagle = 0 ( 0.0%

6 Meh tatitic : Total grid oit = 1385 Total o. of triagle = 550 Obtue triagle = 133 ( 5.% Meh tatitic : Total grid oit = 430 Total o. of triagle = 4545 Obtue triagle = ( 48.0% Grid writte to meh.dd1

dokumen-dokumen yang mirip

JFET (Junction Field Effect Transistor)

JFET (Junction Field Effect Transistor) JFET (Juctio Field Effect Trasistor) truktur JFET rai () rai () - ate () ate () V ource () V ource () JFET Kaal JFET Kaal Perhatika (uutk kaal ) bahwa terdaat struktur juctio atara ate () dega ource(),