PHOTODETECTOR NOISE. Ref : Keiser. Fakultas Teknik Elektro 1

dokumen-dokumen yang mirip
PHOTODETECTOR NOISE. Ref : Keiser

PENERIMA OPTIK OPTICAL RECEIVER

PHOTODETECTOR. Ref : Keiser

PHOTODETECTOR. Ref : Keiser. Fakultas Teknik Elektro 1

PENGUKURAN DAYA. Dua rangkaian yg dpt digunakan utk mengukur daya

KOMUNIKASI KOHEREN. Ref : Keiser

Solusi Ujian 2 EL2005 Elektronika Sabtu, 3 Mei

MIXER. Ref : Kai Chang FAKULTAS TEKNIK ELEKTRO

RANGKAIAN SERI. 1. Pendahuluan

BAB 3 PEMBAHASAN. 3.1 Prosedur Penyelesaian Masalah Program Linier Parametrik Prosedur Penyelesaian untuk perubahan kontinu parameter c

Modulator dan Demodulator

BAB II DASAR TEORI DAN METODE

Model Regresi Berganda

ELEKTRONIKA DASAR. Pertemuan Ke-4 Bipolar Junction Transistor (BJT) ALFITH, S.Pd,M.Pd

RETURN DAN RISIKO DALAM INVESTASI

Materi 3: Teori Dioda

ELEKTRONIKA ANALOG. Bab 2 BIAS DC FET Pertemuan 5 Pertemuan 7. Oleh : ALFITH, S.Pd, M.Pd

BAB IV TRIP GENERATION

ELEKTRONIKA. Materi 4 : Fisika Semikonduktor. Oleh: I Nyoman Kusuma Wardana

SUMBER OPTIK. Ref : Keiser

BAB I Rangkaian Transient. Ir. A.Rachman Hasibuan dan Naemah Mubarakah, ST

SISTEM TRANSMISI DIGITAL. Ref : Keiser

CONTOH SOAL #: PENYELESAIAN PERSAMAAN DIFERENSIAL BIASA. dx dengan nilai awal: y = 1 pada x = 0. Penyelesaian: KASUS: INITIAL VALUE PROBLEM (IVP)

Pertemuan Ke-6 DC Biasing Pada BJT. ALFITH, S.Pd,M.Pd

SISTEM TRANSMISI DIGITAL. Ref : Keiser

SISTEM TRANSMISI DIGITAL

Penerapan Metode Runge-Kutta Orde 4 dalam Analisis Rangkaian RLC

IR. STEVANUS ARIANTO 1

VII AKSI DASAR PENGENDALIAN

SUMBER OPTIK (Laser) Ref : Keiser

SUMBER OPTIK (Laser) Ref : Keiser. Fakultas Teknik 1

SEARAH (DC) Rangkaian Arus Searah (DC) 7

SUMBER OPTIK. Ref : Keiser. Fakultas Teknik 1

SOLUTION INSTITUT TEKNOLOGI BANDUNG FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM PROGRAM STUDI FISIKA

BAB III HUKUM HUKUM RANGKAIAN

Contoh 5.1 Tentukan besar arus i pada rangkaian berikut menggunakan teorema superposisi.

Q POWER ELECTRONIC LABORATORY EVERYTHING UNDER SWITCHED

Pendugaan Parameter Regresi. Itasia & Y Angraini, Dep Statistika FMIPA - IPB

BAB II : PEMBIASAN CAHAYA

BAB V TEOREMA RANGKAIAN

REKAYASA TRANSPORTASI LANJUT UNIVERSITAS PEMBANGUNAN JAYA

BAB V ANALISA PEMECAHAN MASALAH

Bagian 4 Karakteristik Junction Dioda

P n e j n a j d a u d a u l a a l n a n O pt p im i a m l a l P e P m e b m a b n a g n k g i k t Oleh Z r u iman

Daya Rangkaian AC [2]

berasal dari pembawa muatan hasil generasi termal, sehingga secara kuat

A. 1,0 m/s 2 B. 1,3 m/s 2 C. 1,5 m/s 2 D. 2,0 m/s 2 E. 3,0 m/s 2

Sistem Transmisi Telekomunikasi. Kuliah 8 Pengantar Serat Optik

BAB V PENGEMBANGAN MODEL FUZZY PROGRAM LINIER

Evaluasi Tingkat Validitas Metode Penggabungan Respon (Indeks Penampilan Tanaman, IPT)

Analisis Kecepatan Dan Percepatan Mekanisme Empat Batang (Four Bar Lingkage) Fungsi Sudut Crank

BAB IV PENGUJIAN DAN ANALISA

Materi 2: Fisika Semikonduktor

BAB III METODE PENELITIAN. yang digunakan meliputi: (1) PDRB Kota Dumai (tahun ) dan PDRB

PENGUAT DAYA KELAS A

Pendahuluan. 0 Dengan kata lain jika fungsi tersebut diplotkan, grafik yang dihasilkan akan mendekati pasanganpasangan

Rangkaian RL dan RC Dengan Sumber

Materi 5: Bipolar Junction Transistor (BJT)

Rangkuman hasil penelitian disampaikan dalam bentuk tabel dan grafik,

ANALISIS DATA KATEGORIK (STK351)

SEMINAR NASIONAL MATEMATIKA DAN PENDIDIKAN MATEMATIKA 2010 ANALISIS DISKRIMINAN DISKRIT UNTUK MENGELOMPOKKAN KOMPONEN

DIODA. Program Studi S1 Informatika ST3 Telkom Purwokerto

BAB 2 LANDASAN TEORI

BAB I PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang

Perbaikan Unjuk Kerja Sistem Orde Satu PERBAIKAN UNJUK KERJA SISTEM ORDE SATU DENGAN ALAT KENDALI INTEGRAL MENGGUNAKAN JARINGAN SIMULATOR MATLAB

Pengaturan Proses Tekanan pada Sistem Pengaturan Berjaringan Menggunakan Kontroler Fuzzy Neural Network

BAB 2 LANDASAN TEORI. Universitas Sumatera Utara

EL2005 Elektronika PR#01

PENGUAT FREKUENSI RENDAH (lanjutan)

Materi 1: Pendekatan Sistem Elektronika

KARAKTERISTIK TRANSISTOR. Risa Farrid Christianti

PEMODELAN SISTEM. Pemodelan & simulasi TM05

Larutan Nonelektrolit dan Elektrolit Lemah yang Sendiri

BAB 2 LANDASAN TEORI

Definisi Fotodioda Ini merupakan konversi energi optic ke dalam arus elektrik yang diproses secara elektronik ke pemulihan informasi.

III. METODE PENELITIAN

POWER LAUNCHING. Ref : Keiser

BAB 1 PENDAHULUAN. Pertumbuhan dan kestabilan ekonomi, adalah dua syarat penting bagi kemakmuran

UNJUK KERJA REF : FREEMAN FAKULTAS TEKNIK ELEKTRO

AMPERMETER-VOLTMETER-AVOMETER

IV. HASIL DAN PEMBAHASAN

LAMPIRAN A PENURUNAN PERSAMAAN NAVIER-STOKES

PEMERINTAH PROVINSI DAERAH KHUSUS IBUKOTA JAKARTA DINAS PENDIDIKAN SEKOLAH MENENGAH ATAS NEGERI 39 JAKARTA

3.1 Pendahuluan Dioda mempunyai dua kondisi atau state: - Prategangan arah maju - Prategangan arah mundur

UKURAN-UKURAN DESKRIPTIF DATA

2.1 Sistem Makroskopik dan Sistem Mikroskopik Fisika statistik berangkat dari pengamatan sebuah sistem mikroskopik, yakni sistem yang sangat kecil

Regresi. Bahan Kuliah IF4058 Topik Khusus Informatika I. Oleh; Rinaldi Munir(IF-STEI ITB)

Pertemuan ke-4 Analisa Terapan: Metode Numerik. 4 Oktober 2012

BAB 18. ARUS LISTRIK

Regresi Linear Sederhana dan Korelasi

FUNGSI ALIH SISTEM ORDE 1 Oleh: Ahmad Riyad Firdaus Politeknik Batam

KOMPONEN DASAR ELEKTRONIKA

BAB VIB METODE BELAJAR Delta rule, ADALINE (WIDROW- HOFF), MADALINE

BAB VB PERSEPTRON & CONTOH

Transkripsi:

PHOTODETECTOR NOISE Ref : Keser Fakultas Teknk Elektro 1

Nose Detektor Foto S Daya snyal dr arus foto --- = ------------------------------------------------------------------ N Daya nose detektor foto + daya nose enguat Sumber nose d enerma menngkat dr nose detektor foto akbat dr sfat alam roses konvers hoton-elektron dan nose termal d srkt enguat. Utk mendaatkan S/N tngg : (a) Detektor foto harus memlk efsens kuantum yg tngg utk membangktkan snyal besar. (b) Nose detektor foto dan enguat harus sekecl mungkn. Senstvtas detektor foto : daya ots mnmal yg dt ddeteks. Fakultas Teknk Elektro

Sumber Nose (a) Model sederhana enerma detektor foto. (b) Srkt ekvalen R s : tahanan ser kecl (R s << R L ) dlm raktek dabakan C d : kaastans total (juncton + wadah) R L : tahanan bas atau beban C a : kaastans nut enguat R a : tahanan nut enguat Fakultas Teknk Elektro 3

Arus foto rmer dbangktkan : h q ( t) P( t) hf P(t) : Daya ots snyal bermodulas Arus foto rmer terdr dr arus dc I, arus foto rata berasal dr daya snyal dan komonen snyal (t). Utk doda n arus snyal mean square : s t Utk doda avalanche arus snyal mean square : s t M Fakultas Teknk Elektro 4

Utk snyal nut bervaras snusoda dgn ndeks modulas m, komonen snyal : m : ndeks modulas m I t Nose detektor foto tana nternal gan : (a) Quantum/shot nose sfat alam statstk (b) Durk current tdk ada cahaya datang (c) Surface leakage current kerusakan ermukaan Fakultas Teknk Elektro 5

Arus nose kuantum mean square : Q qi BM F M B : Lebar ta F(M) : nose fgure F(M) = M x, 0 x 1,0, tergantung bahan Detektor n M = 1, F(M) = 1 Arus bulk dark mean square : DB qi D BM F M I D : arus bulk dark detektor rmer (tana erkalan) Fakultas Teknk Elektro 6

Surface leakage current (surface dark current) mean square: DS qi L B I L : arus bocor ermukaan Arus nose detektor foto total mean square : N N Q q I I BM FM qi B P DB D DS L Utk enyederhanaan R a >> R L kontrbus tahanan beban detektor foto : T k B : kontanta Boltzman 4kBT R L B Fakultas Teknk Elektro 7

Perbandngan arus dark doda foto S, Ge, GaAs dan InGaAs sbg fungs normalsas teg bas. Fakultas Teknk Elektro 8

Perbandngan snyal thd nose S N q ( t) M I P I D BM FM qi LB 4kBTB/ RL Pn nose termal domnan APD nose detektor domnan F(M) : fungs M, S : fungs M, nose kuantum dan arus dark : fungs MF(M) ada harga S/N otmum. M otmum : M x qi L 4kBT / ot xqi I D R L Fakultas Teknk Elektro 9

Contoh Doda foto n GaAs memlk arameter d anj gel 1300 nm : I D = 4 na, η = 0,65, R L = 1000 Ohm dan I L dabakan. Daya ots datang 300 nw, lebar ta enerma 0 MHz, T =300 o K. Htunglah : (a) Arus foto rmer (b) Nose d enerma. (c) S/N jka m = 0,8 APD dgn arameter tsb, utk x = 0,5 Htunglah : (a) M ot (b) Arus (foto rmer) multlkas (c) Nose d enerma (d) S/N maks Fakultas Teknk Elektro 10

Waktu Reson Detektor Deleton layer hotocurrent Skema tegangan mundur doda foto n Fakultas Teknk Elektro 11

Konds steady state raat arus total mengalr melalu lasan deles tegangan mundur : J tot J dr J dff J dr : raat arus drft dhaslkan oleh carrer yg dbangktkan dlm daerah deles J dff : raat arus dfus tmbul dr carrer yg dhaslkan dluar daerah deles dlm semkonduktor (daerah n dan ) dan berdfus kedalam juncton teg mundur. Raat arus drft : w s J q 1 e A : luas doda foto 0 dr I A Ahf Φ 0 : hoton flux datang er satuan luas P 0 1 R f 0 Fakultas Teknk Elektro 1

Permukaan lasan doda foto n umumnya ts. Arus dfus akan dtentukan oleh dfus hole dr bulk daerah n. Dfus hole daat dhtung dr : D G x x n e 0 s n x s n0 G x 0 D : koefsen dfus P n : konsentras hole d bahan te-n t : excess hole lfe tme P n0 : raat hole konds sembang/equlbrum G(x) : laju embangktan elektron-hole Fakultas Teknk Elektro 13

Fakultas Teknk Elektro 14 Shg raat arus dfus : n w s s dff L D q e L L q J s 0 0 1 Raat arus total mengalr melalu lasan deles tegangan mundur : n s w tot L D q L e q J s 0 0 1 1 P n0 umumnya kecl shg arus foto yg dbangktkan total sebandng dgn hoton flux Φ 0

Waktu Reson Faktor waktu reson doda foto : Waktu transt carrer foto d daerah deles Waktu dfus carrer fotoyg dbangktkan dluar daerah deles Konstanta waktu RC doda foto dan srkt yg berkatan Parameter yg berengaruh thd faktor tsb : Koefsen absorbs α s Lebar daerah deles w Kaastans juncton dan doda foto Kaastans enguat Tahanan beban detektor Tahanan masukan enguat Tahanan ser enguat Fakultas Teknk Elektro 15

Reson doda foto thd ulsa masukan ots Fakultas Teknk Elektro 16

Waktu reson suatu doda foto yg tdak ddeles enuh Fakultas Teknk Elektro 17

Reson ulsa doda foto dr berbaga arameter detektor Fakultas Teknk Elektro 18

Varas faktor nose electron excess sbg fungs dr enguatan elektron utk berbaga harga erbandngan laju onsas efektf k eff Fakultas Teknk Elektro 19

Fakultas Teknk Elektro 0 Pengaruh Suhu d Penguatan APD Mekansme enguatan APD sangat senstf thd suhu krn ketergantungan laju onsas elektron dan hole. Ketergantungan tsb sangat krts d teg bas tngg. 0 0 0 0 1 1 / 1 1 T T b T n T n T T a T V T V R I V V V V M B B M M a n B

V B : Teg breakdown saat M menjad tak hngga n : tgt materal, nla,5 7 V a : teg bas mundur detektor I M : arus foto multled R M : tahanan ser foto doda dan beban detektor a, b : konstanta, ost utk RAPD dan dtentukan dr grafk ercobaan enguatan thd suhu. Fakultas Teknk Elektro 1

Pengaruh suhu terhada enguatan APD slkon d 85 nm Fakultas Teknk Elektro