2014 LABORATORIUM FISIKA MATERIAL IHFADNI NAZWA EFEK HALL. Ihfadni Nazwa, Darmawan, Diana, Hanu Lutvia, Imroatul Maghfiroh, Ratna Dewi Kumalasari

dokumen-dokumen yang mirip
BAB 2 KINEMATIKA. A. Posisi, Jarak, dan Perpindahan

BAB II TEORI DASAR ANTENA

MODUL 1 RANGKAIAN THEVENIN, PEMBEBANAN DAN ARUS TRANSIEN

KUAT ARUS DAN BEDA POTENSIAL Kuat arus adalah banyaknya muatan listrik yang mengalir melalui suatu penghantar tiap detik.

x 4 x 3 x 2 x 5 O x 1 1 Posisi, perpindahan, jarak x 1 t 5 t 4 t 3 t 2 t 1 FI1101 Fisika Dasar IA Pekan #1: Kinematika Satu Dimensi Dr.

Percobaan PENYEARAH GELOMBANG. (Oleh : Sumarna, Lab-Elins, Jurdik Fisika FMIPA UNY)

1.4 Persamaan Schrodinger Bergantung Waktu

Faradina GERAK LURUS BERATURAN

BAB III METODE DEKOMPOSISI CENSUS II. Data deret waktu adalah data yang dikumpulkan dari waktu ke waktu

B a b 1 I s y a r a t

Uji Kekerasan Material dengan Metode Rockwell

RANK DARI MATRIKS ATAS RING

PRAKTIKUM TEGANGAN TRANSIEN BERBASIS KOMPUTER

ARUS,HAMBATAN DAN TEGANGAN GERAK ELEKTRIK

BAB 2 LANDASAN TEORI

BAB 2 TINJAUAN TEORITIS. Kegiatan untuk memperkirakan apa yang akan terjadi pada masa yang akan datang

RINGKASAN MATERI KALOR, PERUBAHN WUJUD DAN PERPINDAHAN KALOR

MODUL PERTEMUAN KE 3. MATA KULIAH : FISIKA TERAPAN (2 sks)

FORMAT JAWABAN INQUIRY CAPASITOR

BAB 1 PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang

FORMAT JAWABAN INQUIRY CAPASITOR

Jurusan Teknik Sipil Fakultas Teknik Sipil dan Perencanaan Universitas Mercu Buana MODUL PERTEMUAN KE 3. MATA KULIAH : FISIKA DASAR (4 sks)

BAB 2 URAIAN TEORI. waktu yang akan datang, sedangkan rencana merupakan penentuan apa yang akan

Fisika EBTANAS Tahun 1988

Seleksi Bersama Masuk Perguruan Tinggi Negeri. SAINTEK Fisika Kode:

GERAK LURUS BESARAN-BESARAN FISIKA PADA GERAK KECEPATAN DAN KELAJUAN PERCEPATAN GLB DAN GLBB GERAK VERTIKAL

BAB 2 TINJAUAN TEORITIS. Peramalan adalah kegiatan untuk memperkirakan apa yang akan terjadi di masa

BAB 1 PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang

PENGGUNAAN KONSEP FUNGSI CONVEX UNTUK MENENTUKAN SENSITIVITAS HARGA OBLIGASI

Relasi LOGIK FUNGSI AND, FUNGSI OR, DAN FUNGSI NOT

B a b. Aplikasi Dioda

BAB III METODE PENELITIAN

BAB III METODE PEMULUSAN EKSPONENSIAL TRIPEL DARI WINTER. Metode pemulusan eksponensial telah digunakan selama beberapa tahun

PENGARUH STRATEGI PEMBELAJARAN GENIUS LEARNING TERHADAP HASIL BELAJAR FISIKA SISWA

ENERGI LISTRIK Tujuan : Menentukan faktor faktor yang mempengaruhi besar energi listrik

BAB III ANALISIS INTERVENSI. Analisis intervensi dimaksudkan untuk penentuan jenis respons variabel

BAB 2 LANDASAN TEORI. Produksi padi merupakan suatu hasil bercocok tanam yang dilakukan dengan

Analisis Model dan Contoh Numerik

RANCANG BANGUN CHARGER BATERAI UNTUK KEBUTUHANAN UMKM

Abstak. Kata Kunci: Op-amp, Integrator, Differensiator,Inverter dan Non inverter.

BAB X GERAK LURUS. Gerak dan Gaya. Buku Pelajaran IPA SMP Kelas VII 131

BAB 2 LANDASAN TEORI

FISIKA. Kelas X GLB DAN GLBB K13 A. GERAK LURUS BERATURAN (GLB)

BAB KINEMATIKA DENGAN ANALISIS VEKTOR

BAB 2 RESPONS FUNGSI STEP PADA RANGKAIAN RL DAN RC. Adapun bentuk yang sederhana dari suatu persamaan diferensial orde satu adalah: di dt

HUMAN CAPITAL. Minggu 16

3. Kinematika satu dimensi. x 2. x 1. t 1 t 2. Gambar 3.1 : Kurva posisi terhadap waktu

PEMODELAN NILAI TUKAR RUPIAH TERHADAP $US MENGGUNAKAN DERET WAKTU HIDDEN MARKOV SATU WAKTU SEBELUMNYA 1. PENDAHULUAN

PERSAMAAN GERAK VEKTOR SATUAN. / i / = / j / = / k / = 1

BAB III METODE PENELITIAN

PERTEMUAN 2 KINEMATIKA SATU DIMENSI

KELOMPOK 3. : 2. Menerapkan konsep kelistrikan dan kemagnetan dalam berbagai penelsaian masalah dan produk teknologi.

Integral dan Persamaan Diferensial

BAB I PENDAHULUAN. salad ke piring setelah dituang. Minyak goreng dari kelapa sawit juga memiliki sifat

KINEMATIKA GERAK DALAM SATU DIMENSI

Fisika EBTANAS Tahun 1995

=====O0O===== Gerak Vertikal Gerak vertikal dibagi menjadi 2 : 1. GJB 2. GVA. A. GERAK Gerak Lurus

KINEMATIKA GERAK LURUS

& RANGKAIAN RC M. Ishaq

PERHITUNGAN PARAMETER DYNAMIC ABSORBER

adalah. A. 1,3 x 10-7 m D. 6,7 x 10-7 m B. 2;2 x lo -7 m E. 10,0 x lo -7 m C. 3,3 x lo -7 m

Pemodelan Data Runtun Waktu : Kasus Data Tingkat Pengangguran di Amerika Serikat pada Tahun

PEMODELAN PRODUKSI SEKTOR PERTANIAN

BAB II LANDASAN TEORI. Peramalan (Forecasting) adalah suatu kegiatan yang mengestimasi apa yang akan

BAB 1 PENDAHULUAN. Sumber Daya Alam (SDA) yang tersedia merupakan salah satu pelengkap alat

Penyearah Setengah Gelombang Dan Gelombang Penuh

EFEK HALL. Laboratorium Fisika Material, Departemen Fisika Fakultas Sains dan Teknologi Universitas Airlangga Surabaya

1. Pengertian Digital

BAB II TINJAUAN TEORITIS

ANALISIS SISTEM PENTANAHAN GARDU INDUK TELUK LEMBU DENGAN BENTUK KONSTRUKSI GRID (KISI-KISI)

BAB 2 LANDASAN TEORI. Metode Peramalan merupakan bagian dari ilmu Statistika. Salah satu metode

BAB 2 TINJAUAN PUSTAKA. yang akan datang. Peramalan menjadi sangat penting karena penyusunan suatu

KINETIKA KIMIA LAJU DAN MEKANISME DALAM REAKSI KIMIA. Disampaikan oleh : Dr. Sri Handayani 2013

PENGARUH MODEL PEMBELAJARAN PROBLEM SOLVING TERHADAP HASIL BELAJAR FISIKA SISWA KELAS VIII DI SMPN 5 LINGSAR TAHUN PELAJARAN 2012/2013

BAB 2 TINJAUAN TEORITIS. bahasa Yunani yang berarti Demos adalah rakyat atau penduduk, dan Grafein adalah

IDENTIFIKASI POLA DATA TIME SERIES

BATANG GANDA DENGAN PLAT KOPEL

BAHAN AJAR GERAK LURUS KELAS X/ SEMESTER 1 OLEH : LIUS HERMANSYAH,

BAB I PENDAHULUAN. tepat rencana pembangunan itu dibuat. Untuk dapat memahami keadaan

BAB III HASIL DAN PEMBAHASAN. A. Permasalahan Nyata Penyebaran Penyakit Tuberculosis

Berdasarkan hasil penelitian W.C Rontgen, Henry Becquerel pada tahun 1896 bermaksud menyelidiki sinar X, tetapi secara kebetulan ia menemukan gejala

IV. METODE PENELITIAN

III. KERANGKA PEMIKIRAN

BAB 1 PENDAHULUAN. tahun 1990-an, jumlah produksi pangan terutama beras, cenderung mengalami

MA1201 MATEMATIKA 2A Hendra Gunawan

KINEMATIKA. gerak lurus berubah beraturan(glbb) gerak lurus berubah tidak beraturan

SUHU DAN KALOR PERAMBATAN KALOR

Soal-Jawab Fisika OSN 2015

IV. METODE PENELITIAN

FIsika KTSP & K-13 KINEMATIKA. K e l a s A. VEKTOR POSISI

Bab II Dasar Teori Kelayakan Investasi

III. METODE PENELITIAN

BAB 1 PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang Masalah

IV. METODE PENELITIAN

BAB 1 PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang

Penyerapan Energi Radiasi

BAB VI SUHU DAN KALOR

J U R U S A N T E K N I K S I P I L UNIVERSITAS BRAWIJAYA. TKS-4101: Fisika GERAKAN SATU DIMENSI. Dosen: Tim Dosen Fisika Jurusan Teknik Sipil FT-UB

DESAIN DAN IMPLEMENTASI SELF TUNING LQR ADAPTIF UNTUK PENGATURAN GENERATOR SINKRON 3 FASA

BAB II LANDASAN TEORI

Transkripsi:

2014 LAORATORIUM FISIKA MATERIAL IHFADNI NAZWA EFEK HALL Ihfadni Nazwa, Darmawan, Diana, Hanu Luvia, Imroaul Maghfiroh, Rana Dewi Kumalasari Laboraorium Fisika Maerial Jurusan Fisika, Deparemen Fisika Universias Airlangga Surabaya Absrac. Telah dilakukan percobaan Efek Hall dengan ujuan unuk mempelajari besaran karakerisik suau bahan semikondukor melalui penenuan kuanias-kuanias fisis bahan yaiu koefisien Hall R H, Resisivias ρ, dan pembawa muaan p aau n (hole dan elecron). Efek Hall sendiri merupakan perisiwa membeloknya arus lisrik dalam pela kondukor aau semikondukor karena adanya pengaruh medan magne. Percobaan ini dilakukan dengan memasang bahan semikondukor ipe n- Germanium dan ipe npn-germanium pada sebuah ala yang disebu dengan Modul Hall. Kemudian mengaur arus lisrik dengan cara memuar knop berpuar yang elah erpasang pada ala. Unuk semikondukor inrinsik arus dimulai dari -15 ma sampai dengan 15 ma dengan inerval 2 ma, sedangkan pada semikondukor eksrinsik dimulai dari -30 ma sampai dengan 30 ma dengan inerval sebesar 5A. Selain arus, besaran lain yang dicaa adalah egangan hall U H. Tegangan dapa dikeahui dengan memasang mulimeer pada Modul Hall. Seiap perubahan arus, maka egangan hallnya juga akan berubah. Dari daa yang didapa ersebu kemudian dibua grafik hubungan anara U H dengan I. Dan berdasarkan analisis dari daa yang diperoleh, didapakan besarnya koefisien Hall unuk bahan semikondukor inrinsik dan eksrinsik sebesar 2007,667 x 10 3 m. V/A dan 0,1588 m. V/A. T, sedangkan resisivias dan pembawa muaan p masing-masing adalah sebesar 0,6023001 m. V/A dan 3,113 x 10 18 A. T/m. V. C unuk semikondukor inrinsik dan 0,04764 m. V/A dan 3,935 x 10 19 A. T/m. V. C unuk semikondukor eksrinsik. Keywords: Efek Hall, Koefisien hall, Modul Hal, Resisivias, semikondukor. 1 Pendahuluan Kaa Semikondukor sanga idenik dengan peralaan elekronika yang kia pakai saa ini. Hampir seiap peralaan elekronika canggih seperi handphone, elevisi, kompuer merupakan hasil dari eknologi semikondukor. Komponen pening yang membenuk sebuah peralaan elekronika seperi ransisior, dioda, dan IC adalah komponen elekronika akif yang erbua dari semikondukor. Oleh karena iu bahan semikondukor memiliki pengaruh yang sanga besar erhadap perkembangan eknologi elekronika. ahan semikondukor adalah bahan penghanar lisrik yang mungkin idak sebaik kondukor eapi idak seburuk isolaor yang sama sekali idak bisa menghanarkan arus lisrik. Pada dasarnya kemampuan menghanarkan arus lisrik semikondukor berada dianara kondukor dan isolaor. Akan eapi semikondukor berbeda dengan resisor, karena semikondukor dapa menghanarkan lisrik aau berfungsi sebagai kondukor jika diberikan arus lisrik erenu, suhu erenu dan juga aa cara erenu. Sebenarnya banyak bahan-bahan dasar yang dapa digolongkan sebagai bahan semikondukor, eapi yang paling sering digunakan unu bahan dasar komponen elekronika hanya beberapa jenis saja, yaiu silicon, selenium, germanium dan meal oxides. Unuk memproses bahan-bahan semikondukor ersebu menjadi komponen elekronika perlu dilakukan doping yaiu proses menambahkan keidakmurnian pada semikondukor yang murni sehingga dapa merubah sifa aau karakerisik kelisrikannya. eberapa bahan yang digunakan unuk menambahkan keidakmurnian semikondukor anara lain arsenic, indium, dan animony. ahan ersebu sering disebu sebagai dopan, sedangkan semikondukor yang elah melalui proses doping disebu sebagai semikondukor eksrinsik. Adapun semikondukor yang masih murni aau belum dicampuri dengan unsur lain keika proses pembuaannya dinamakan dengan semikondukor inrinsik. Semikondukor ini aom-aomnya masih

2 Ihfadni Nazwa murni sau unsur saja. Pada suhu 0 K pia valesinya penuh, pia konduksi kosong sehingga bersifa isolaor. Pada suhu yang lebih inggi misal pada suhu kamar, ada elekron pada via valensi yang menyebabkan beda-beda poensial kecil V di anara sumbu x dan y. Secara keseluruhan fenomena ini lebih dikenal dengan sebuan efek Hall. yang energinya melebihi energi gapnya sehingga dapa melonca dari pia valensi ke pia konduksi menjadi elekron bebas dengan meninggalkan Formulasi kekosongan pada pia valensi. Kekosongan inilah yang dinamakan dengan hole (lubang) dan Koefisien hall R H dianggap bermuaan posiif sebesar muaan elekron. esaran karakerisik pada bahan semikondukor dapa diidenifikasi salah saunya dengan uji efek hall. Efek hall adalah gaya yang disebabkan oleh gaya pembawa muaan posiif dan pembawa muaan negaif akan cenderung mengarah ke kanan keika pembawa muaan ini hanyu di sepanjang pla logam aau semikondukor. Hal ini yang menyebabkan erjadinya beda poensial kecil (mv). Uji efek hall ini bisa digunakan unuk menenukan besar koefisien hall dari bahan semikondukor ersebu. sedangkan koefisien hall dapa digunakan unuk menghiung nilai-nilai besaran fisis karaker dari semikondukor sebagai pembanding anara semikondukor yang sau dengan yang lain. 2 Dasar Teori Jika medan magne dileakkan egak lurus pada suau pla logam (kondukor aau semikondukor) dengan cara menempakan pla ersebu dianara muka-muka kuub sebuah elekromagne. Medan ini mengarahkan gaya pembelok F pada pla sebagaimana dirumuskan dalam il x, yang menunjuk ke arah kanan seperi pada gambar 1. Resisivias ρ R H E y J x = U H I ρ E x J x = R H Pembawa muaan elecron/hole p = n = 1 er H Dimana e, j, E, dan esaran-besaran fundamenal dan,w dan L adalah dimensi volume dari sampel ( x l x w). 3 Ala dan ahan Adapun ala dan bahan yang digunakan pada eksperimen ini adalah sebagai beriku: a. Modul Hall b. Mulimeer L Oleh karena gaya yang mengarah ke samping pada pla ersebu adalah disebabkan oleh gaya pembawa muaan yaiu qv x. Pembawapembawa muaan posiif (hole) aau negaif akan cenderung mengarah ke kanan keika pembawa muaan ini hanyu sepanjang pla logam. Hal inilah w c. Pla Semikondukor inrinsik dan Eksrinsik d. Power Supply 4 Meode Eksperimen Pada eksperimen kali ini bahan yang digunakan adalah dua buah semikondukor yaiu semikondukor inrinsik dan semikondukor eksrinsik. 2 buah pla semikondukor ersebu secara berganian dipasang pada sebuah ala yang dinamakan dengan Modul Hall yang sebelumnya elah dipasangkan sebuah mulimeer unuk mengukur berapa egangan hallnya. Seelah semuanya elah erpasang dengan baik, kemudian

menyalakan modul hall dan mulai mengaur arusnya. Unuk semikondukor inrinsik, arus dimulai dari -15 ma sampai dengan 15 ma dengan inerval 2 ma. Sedangkan unuk semikondukor eksrinsik, arus dimulai dari -30 ma sampai 30 ma dengan inerval 5 ma. Kemudian mencaa arus dan egangan hallnya. arulah kemudian dilakukan analisis daa unuk mencapai ujuan eksperimen. 5 Daa Hasil Pengamaan (erlampir) 6 Analisis Daa (Terlampir) 7 Hasil dan Pembahasan Pada eksperimen kali ini kami mencoba melakukan uji efek hall erhadap dua buah semikondukor yang berbeda, yaiu semikondukor inrinsik dan eksrinsik dengan ujuan unuk mempelajari besaran karakerisik suau bahan semikondukor melalui penenuan kuaniaskuanias fisis bahan yaiu koefisien Hall R H, resisivias ρ dan pembawa muaan p aau n (hole aau elecron). Apabila sebuah semikondukor dikenai suau medan elekrik, maka elekron-elekron dalam pia konduksinya akan mencoba bergerak menuru arah berlawanan medan. Yang demikian ersebu mampu memberikan arus elekrik. Elekronelekron dalam pia valensi juga mencoba bergerak menuru arah yang berlawanan dengan medan, eapi unuk melakukannya seiap elekron harus berpindah dari sau keadaan erisi ke salah sau keadaan kosong pia valensi yang sediki. Pada saa medan elekrik menarik elekron-elekron ke salah sau ujung bahan semua kekosongan akhirnya akan erpusakan pada ujung lainnya. Kekosongan ini disebu sebagai lubang (hole). Dengan demikian, arus dalam semikondukor erdiri aas 2 bagian yaiu aliran elekron bermuaan negaif dalam pia konduksi dan aliran lubang bermuaan posiif dalam pia valensi. Pada percobaan ini daa yang dicaa adalah arus sera egangan hallnya. Kemudian dibualah grafik hubungan anara arus dan egangan hall ersebu. grafik yang diperoleh menunjukkan bahwa egangan hall yang dihasilkan berbanding lurus erhadap arusnya. Semakin besar arus maka egangan hall semakin besar pula. Hal ini disebabkan oleh karena hole yang bermuaan posiif bergerak searah dengan elekron mengalami gaya magne yang berbeda. Sehingga idak erkumpul pada salah sau sisi bahan saja. Akibanya semakin inggi arus dan medan magne yang diberikan maka egangan hall yang dihasilkan juga semakin besar. Dari grafik yang elah kami bua, kami mendapakan persamaan regresi linear. Unuk semikondukor inrinsik, didapakan regresi linearnya y = 602,3x 0,1555, sedangkan unuk semikondukor eksrinsik didapakan regresi linear y = 47,64x 0,042. Dari regresi ersebu diperoleh besarnya nilai gradien yang naninya digunakan unuk memperoleh koefisien hall, resisivias dan pembawa muaan. erdasarkan analisis perhiungan, unuk masingmasing semikondukor memiliki koefisien hall ersendiri. Unuk semikondukor inrinsik memiliki koefisien hall sebesar 2007,667 x 10 3 m. V/A dengan nilai resisivias sebesar 0,6023001 m. V/A dan pembawa muaan sebesar 3,113 x 10 18 A. T/m. V. C. sedangkan unuk semikondukor eksrinsik, koefisien hallnya sebesar 0,1588 m. V/A. T dengan resisivias sebesar 0,04764 m. V/A dan pembawa muaannya sebesar 3,935 x 10 19 A. T/m. V. C. Di dalam medan magneik 300 mt, koefisien hall unuk semikondukor inrinsik memiliki nilai yang jauh lebih besar dibandingkan dengan semikondukor eksrinsik. Hal ini dimungkinkan karena semikondukor inrinsik ersusun dari bahan yang masih murni dan belum ercampur dengan bahan-bahan lain. 8 Kesimpulan erdasarkan eksperimen yang elah dilakukan, dapa kami simpulkan bahwa seiap semikondukor memiliki nilai koefisien, resisivias dan pembawa muaan yang berbeda. Unuk semikondukor inrinsik memiliki koefisien hall sebesar 2007,667 x 10 3 m. V/A dengan nilai resisivias sebesar 0,6023001 m. V/A dan pembawa muaan sebesar 3,113 x 10 18 A. T/ m. V. C. sedangkan unuk semikondukor eksrinsik, koefisien hallnya sebesar 0,1588 m. V/A. T dengan resisivias sebesar

4 Ihfadni Nazwa 0,04764 m. V/A dan pembawa muaannya sebesar 3,935 x 10 19 A. T/m. V. C. 9 Dafar Pusaka [1] Saragih, Alber Daniel. 2010. Analisis Fenomena Elekron ahan semikondukor Si dan Ge. Jakara : Erlangga. [2] Tim KK Fisika Maerial. 2010. uku Peunjuk Fisika Ekpserimenal Lanju. Surabaya : Universias Airlangga [3] hp://eknikelekronika.com/prinsip-dasardan-pengerian-semikondukorsemiconducor/. Diakses anggal 15 November 2014

LAMPIRAN 1. Daa Hasil Pengamaan - Semikondukor inrinsik I (A) U H (V) -0,015-8,692-0,013-7,77-0,011-6,845-0,009-5,888-0,007-4,897-0,005-3,714-0,003-2,2788-0,001-1,2327 0,001 0,9321 0,003 2,1139 0,005 3,391 0,007 4,4865 0,009 5,787 0,011 6,452 0,013 7,52 0,015 8,147 - Semikondukor eksrinsik I(A) U H (V) -0,03-1,4651-0,025-1,2353-0,02-1,006-0,015-0,7733-0,01-0,5399-0,005-0,3021 0 0,0079 0,005 0,2069 0,01 0,4705 0,015 0,6669 0,02 0,9236 0,025 1,1256 0,03 1,3659 2. Analisis Daa Seelah diperoleh daa, maka langkah selanjunya adalah membua grafik hubungan anara U H dengan I dan dilanjukan dengan analisis unuk menenukan nilai koefisien hall, resisivias

UH (V) 6 Ihfadni Nazwa dan pembawa muaannya. eriku grafik yang kami dapakan unuk masing-masing semikondukor : - Semikondukor inrinsik Grafik Hubungan anara arus dan Tegangan Hall superkondukor inrinsik 10 8 6 4 2 0-0.02-0.01-2 0 0.01 0.02-4 -6-8 -10-12 I (A) y = 602.3x - 0.155 R² = 0.993 UH (V) Линейная (UH (V)) Dari grafik diperoleh persamaan regresi linear : y = 602,3x 0,155, sehingga jika dilakukan pendekaan dengan persamaan : R H = U H I U H = R H Maka m = R H, dengan demikian dapa dicari koefisien hall, resisivias dan pembawa muaannya dimana : m : gradien : Medan Magne (0,3 T) : ebal bahan (1mm=0,001 m) Koefisien Hall (R H ) : R H = m I R H = 602,3 x 0,001 0,3 R H = 2007,667 x 10 3 m. V/A. T Resisivias (ρ) :

UH (V) ρ = R H ρ = 0,3 x 2007,667 x 10 3 ρ = 0,6023001 m. V/A Pembawa Muaan p aau n p = n = 1 er H p = n = 1 1,6 x 10 19 (2007,667 x 10 3 ) p = 3,113 x 10 18 A. T/m. V. C - Semikondukor eksrinsik Grafik Hubungan anara Kua arus dengan egangan Hall Semikondukor eksrinsik 2 1.5 1 0.5 0-0.04-0.02-0.5 0 0.02 0.04-1 -1.5-2 I (A) y = 47.64x - 0.042 R² = 0.999 UH (V) Линейная (UH (V)) Diperoleh persamaan regresi linear : y = 47,64x 0,042 sehingga jika dilakukan pendekaan dengan persamaan : R H = U H I U H = R H Maka m = R H, dengan demikian dapa dicari koefisien hall, resisivias dan pembawa muaannya, dimana : m : gradien : Medan Magne (0,3 T) : ebal bahan ( 1 mm = 0,001 m) I

8 Ihfadni Nazwa Koefisien Hall (R H ) : R H = m R H = 47,64 x 0,001 0,3 R H = 0,1588 m. V/A. T Resisivias (ρ) : ρ = R H ρ = 0,3 x 0,1588 ρ = 0,04764 m. V/A Pembawa Muaan p aau n p = n = 1 er H p = n = 1 1,6 x 10 19 (0,1588) p = 3,935 x 10 19 A. T/m. V. C