Optimasi Parameter Tekanan Deposisi untuk Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Metode HWC PECVD
|
|
- Yuliana Yenny Hermanto
- 7 tahun lalu
- Tontonan:
Transkripsi
1 Optimasi Parameter Tekanan Deposisi untuk Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Metode HWC PECVD Amiruddin Supu 1), I Wayan Sukarjita 1), Fakhruddin 1), Suryani Arsyad Fitri 2), Toto Winata 3), dan Sukirno 3) 1) Program Studi Fisika, Jurusan Pendidikan Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Fakultas Keguruan dan Ilmu Pendidikan, Universitas Nusa Cendana, Kupang 2) Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Sriwijaya, Palembang 3) Laboratorium Fismatel, Program Studi Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Institut Teknologi Bandung amirsupu@yahoo.com Diterima 25 Agustus 2008, disetujui untuk dipublikasikan 9 Desember 2008 Abstrak Metode HWC PECVD (Hot Wire Cell Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition) telah berhasil dikembangkan untuk menumbuhkan lapisan tipis mikrokristal silikon terhidrogenasi (µc-si:h). Lapisan tipis µc-si:h ditumbuhkan di atas gelas corning 7059 pada temperatur filamen 1000 o C. Gas silan (SiH 4 ) 10% dalam gas hidrogen (H 2 ) digunakan sebagai sumber gas. Dalam metode hot wire cell PECVD, gas reaktan didekomposisi dengan filamen tungsten panas yang diletakkan di luar kedua elektroda dan paralel dengan sistem gas masukan. Dari hasil karakterisasi diperoleh bahwa laju deposisi meningkat dari 1,45 Å/s sampai 1,56 Å/s dengan meningkatnya tekanan deposisi dari 700 mtorr sampai 1100 mtorr. Dari hasil foto SEM dan spektrum XRD memperlihatkan adanya transisi amorf ke mikrokristal pada tekanan deposisi 1000 mtorr. Transisi amorf ke mikrokristal ditandai dengan berkurangnya fasa amorf dan adanya puncak difraksi pada orientasi kristal istimewa <111>. Konduktivitas gelap dan terang lapisan tipis µc-si:h yang diperoleh sebesar 1,27 x 10-5 S cm -1 dan 2,12 x 10-3 S cm -1. Kata Kunci: HWC PECVD; Konduktivitas; µc-si:h; dan Orientasi kristal. Abstract The Hot Wire Cell PECVD method has been developed and successfully applied to grow the hydrogenated microcrystalline silicon (µc-si:h) thin films. The µc-si:h thin films were grown on the 7059 corning glass at a filament temperature of 1000 o C. Ten percents silane (SiH 4 ) gas diluted in hydrogen (H 2 ) gas was used as gas source. In the hot wire cell PECVD method, reactant gases are decomposed as a result of reaction with a heated filament. The filament was placed parallelly with inlet gas system and outside of electrodes. The characterization results exhibited that the deposition rate increased from 1,45 Å/s to 1,56 Å/s with increasing the deposition pressure from 700 mtorr to 1100 mtorr. The SEM image and the XRD spectrum exhibited the transition of amorphous to microcrystalline silicon at an deposition pressure of 1000 mtorr. The transition of amorphous to microcrystalline was indicated by the reduction of amorphous parts and the appearance of peak diffraction at <111> preferential crystal orientation. The dark and photo conductivities of the obtained µc-si:h thin films was 1,2 x10-5 S cm -1 and 2,12 x 10-3 S cm -1, respectively. Keywords: Conductivity; Crystal orientation; Hot Wire Cell PECVD; and µc-si:h. 1. Pendahuluan Lapisan tipis silikon amorf terhidrogenasi (a- Si:H) dapat dideposisi dengan beberapa teknik, seperti rf dan dc glow discharge, photo-cvd, ion-cluster beam dan sputtering. Radio frequency (rf) glow discharge dan photo-cvd merupakan teknik deposisi lapisan tipis a-si:h yang umum digunakan dengan kualitas lapisan yang tinggi. Sistem deposisi plasma untuk menumbuhkan material silikon amorf pertama kali dikembangkan oleh Chittick dan kawan-kawan dengan menggunakan sistem rf induktif, di mana plasma terjadi akibat adanya induksi kumparan (Street, 1991). Dalam pengembangan reaktor selanjutnya, digunakan konfigurasi dioda, di mana plasma terbentuk di antara 102 dua elektroda sejajar. Sistem reaktor seperti ini disebut Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) atau Glow Discharge. Frekuensi gelombang radio yang digunakan adalah 13,56 MHz. Dalam proses deposisi, teknik PECVD melibatkan beberapa parameter yang mempengaruhi distribusi hidrogen dalam lapisan yang dipandang sebagai faktor yang menyebabkan terjadinya degradasi sifat listrik lapisan tipis a-si:h (Santos dkk., 1991). Selain itu, beberapa reaksi fasa gas memungkinkan terbentuknya ikatan silan-silan yang tinggi dalam plasma rf, dan tumbukan dari ion-ion berenergi tinggi sehingga menambah jumlah cacat dalam lapisan. Oleh karena itu diperlukan teknik baru untuk menumbuhkan
2 103 JURNAL MATEMATIKA DAN SAINS, DESEMBER 2008, VOL. 13 NO. 4 material a-si:h dengan kandungan hidrogen yang rendah. Teknik baru yang dikembangkan beberapa tahun terakhir ini adalah teknik Hot Wire Chemical Vapor Deposition (Hot Wire CVD), yaitu metode CVD yang dibantu dengan filamen panas (Broguira dkk., 1995; 1996; Doyle dkk., 1988; Heintze dkk., 1996; Michael, 1996). Dengan teknik baru ini, lapisan tipis yang dihasilkan mempunyai kualitas yang relatif lebih baik akibat dekomposisi silan pada permukaan filamen panas (Mahan dan Vanecek 1991; Wu dkk., 1996). Selain itu teknik ini melibatkan parameter-parameter deposisi yang relatif sedikit sehingga mudah dikontrol. Proses penumbuhan lapisan tipis melibatkan radikalradikal sederhana yang dilepaskan dari permukaan filamen panas. Di samping beberapa kelebihan yang dimiliki oleh metode Hot Wire CVD seperti yang disebutkan di atas, juga terdapat beberapa kekurangan, yaitu: (1) lapisan tipis yang dihasilkan tidak memperlihatkan korelasi simetrik antara parameter-parameter deposisi dengan sifat optik dan listrik lapisan tipis yang dihasilkan; (2) lapisan tipis yang dihasilkan dengan kandungan hidrogen rendah (C H <4%) mempunyai konduktivitas yang relatif sama dengan lapisan tipis yang dihasilkan dengan PECVD yang kandungan hidrogennya besar (C H >15%); dan (3) konduktivitas lapisan tidak uniform. Wang dan kawan-kawan (1998) telah meneliti sifat listrik (konduktivitas gelap) dari lapisan tipis a-si:h yang ditumbuhkan dengan teknik Hot Wire CVD di atas substrat isolator, yaitu corning 7059 glass, diperoleh informasi bahwa untuk sampel yang sama, konduktivitas gelapnya berbeda sekitar lima orde untuk setiap lokasi yang berbeda dalam sampel. Ini menunjukkan bahwa sifat listrik lapisan tipis yang ditumbuhkan tidak uniform. Untuk mengatasi kelemahan metode Hot Wire CVD, metode PECVD dikembangkan menjadi metode Hot Wire PECVD (Hot Wire Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). Metode Hot Wire PECVD adalah metode PECVD yang ditambahkan filamen panas antara kedua elektroda dan berada tepat di atas substrat. Dengan metode Hot Wire PECVD, gas reaktan didekomposisi oleh filamen panas dan daya rf yang secara efektif akan meningkatkan laju dekomposisi gas reaktan. Jadi dengan metode ini diharapkan diperoleh kandungan hidrogen yang rendah dengan konduktivitas yang tinggi. Dalam studi ini lapisan tipis a-si:h ditumbuhkan dengan metode baru HWC PECVD (Hot Wire Cell Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition). Metode Hot Wire Cell PECVD mempunyai konfigurasi yang berbeda dari metode Hot Wire PECVD konvensional, di mana filamen diletakkan paralel dengan sistem gas masukan. Dengan menggunakan metode HWC PECVD transisi amorf (a-si:h) ke mikrokristal silikon (µc-si:h) diamati melalui optimasi parameter tekanan deposisi. 2. Metode Lapisan tipis mikrokristal silikon (µc-si:h) ditumbuhkan dengan metode HWC PECVD. Metode HWC PECVD adalah metode PECVD yang ditambahkan dengan filamen panas. Perbedaan yang signifikan antara HWC PECVD dengan Hot Wire PECVD konvensional terletak pada rancangan filamennya. Dalam metode Hot Wire PECVD filamen diletakkan di antara kedua elektroda dan berada tepat di atas substrat sedangkan dalam metode HWC PECVD, filamen diletakkan paralel dengan sistem gas masukan dan berada di luar kedua elektroda. Tungsten wire berdiameter 1,2 mm digunakan sebagai filamen. Filamen berupa gulungan dengan diameter 5,0 mm dan panjang 20 mm, disusun paralel dengan sistem gas masukan. Jarak antara filamen dan elektroda adalah 10 mm. Filamen dipanaskan dengan suplai daya listrik secara langsung dan dipertahankan konstan selama eksperimen berlangsung. Skema sistem HWC PECVD diperlihatkan pada Gambar 1. Gambar 1. Sistem reaktor HWC PECVD. Lapisan tipis µc-si:h ditumbuhkan di atas gelas corning Gas silan (SiH 4 ) 10% dalam gas hidrogen (H 2 ) digunakan sebagai sumber gas. Amiruddin dan kawan-kawan (2004) melaporkan bahwa dengan menggunakan metode HWC PECVD, lapisan tipis a-si:h yang berkualitas baik diperoleh pada temperatur substrat 275 o C, tekanan deposisi 900 mtorr, temperatur filamen 800 o C dan laju aliran gas 50 sccm. Berdasarkan hasil yang diperoleh Amiruddin dan kawan-kawan di atas, parameter deposisi dalam studi ini seperti diperlihatkan dalam Tabel-1.
3 Supu, dkk., Optimasi Parameter Tekanan Deposisi untuk Penumbuhan Lapisan 104 Tabel 1. Parameter penumbuhan untuk optimasi tekanan deposisi Parameter HWC PECVD Penumbuhan Daya radio 110 Watt frekuensi (rf) Tekanan deposisi mtorr Laju aliran gas 50 sccm Temperatur filamen 1000 o C Temperatur substrat 275 o C Lapisan tipis µc-si:h yang telah ditumbuhkan dikarakterisasi untuk mengamati sifat optik dan listrik maupun struktur lapisannya. Spektrum UV-Vis digunakan untuk menentukan laju deposisi dan celah pita optik. X-ray diffraction (XRD) digunakan untuk menentukan fasa kristal dari lapisan. Scanning electron microscopy (SEM) digunakan untuk melihat morfologi permukaan. Konduktivitas diukur dengan metode dua titik (coplanar) dengan menggunakan elektrometer Keithley 617. Laju deposisi lapisan yang telah ditumbuhkan ditentukan dengan menggunakan data hasil pengukuran ketebalan lapisan dan lama deposisi. Perhitungan ketebalan dilakukan menggunakan data transmitansi yang diperoleh dari hasil pengukuran UV-Vis dengan persamaan sebagai berikut (Swanepoel, 1983): d = 2 λλ 1 2 ( λ n λ n ) (1) di mana : λ = panjang gelombang n = indeks bias lapisan tipis a-si:h Transparansi suatu lapisan dapat digambarkan secara kuantitatif dengan besarnya celah pita optik lapisan tersebut, oleh karena itu penentuan celah pita optik dapat dilakukan dengan melakukan perhitungan terhadap data pengukuran transparansi yang diukur menggunakan UV-Vis. Metode perhitungan celah pita optik lapisan tipis a-si:h yang populer digunakan adalah metode touch plot (Takahashi dan Konagai, 1986). Penentuan celah pita optik dengan metode touch plot dilakukan dengan menarik garis secara ekstrapolasi pada daerah linier dari grafik hubungan antara (αhν) 1/2 dengan (hν) hingga memotong sumbu energi. Perpotongan antara hasil ekstrapolasi dengan sumbu energi inilah yang menunjukkan celah pita optik. Pengukuran konduktivitas gelap (dark conductivity) dan konduktivitas terang (photoconductivity) lapisan tipis a-si:h dilakukan dengan metode dua titik (coplanar). Pada pengukuran konduktivitas terang, lampu Xenon 24 Volt dan 250 Watt digunakan sebagai sumber cahaya. Jarak antara lapisan tipis yang diukur dengan lampu adalah 22 cm, dengan intensitas penyinaran pada jarak tersebut adalah 29 mw cm -2. Sedangkan fotosensitivitas ditentukan berdasarkan hasil perbandingan konduktivitas terang dengan konduktivitas gelap. 3. Hasil dan Diskusi Gambar 2 memperlihatkan laju deposisi sebagai fungsi dari tekanan deposisi dari lapisan tipis yang ditumbuhkan dengan metode Hot Wire Cell PECVD. Dari gambar terlihat bahwa laju deposisi meningkat dengan meningkatnya tekanan deposisi. Peningkatan ini disebabkan oleh berkurangnya jalan bebas rata-rata sehingga meningkatkan tumbukan antar partikel dalam plasma yang berakibat pada meningkatnya konversi silan. Peningkatan efisiensi dekomposisi silan mengakibatkan fluks radikal atom yang mencapai substrat meningkat dan berakibat meningkatnya laju deposisi. Hasil ini sama dengan yang diperoleh oleh peneliti sebelumnya. Selain itu, peneliti lain juga melaporkan bahwa laju deposisi maksimum ditentukan oleh tekanan deposisi (Broguira dkk., 1995). Laju deposisi lapisan tipis yang ditumbuhkan meningkat dari 1,45 Å/detik sampai 1,56 Å/detik dengan meningkatnya tekanan deposisi dari 700 mtorr sampai 1100 mtorr. Peningkatan ini disebabkan oleh berkurangnya jalan bebas rata-rata sehingga meningkatkan tumbukan antar partikel dalam plasma yang berakibat pada meningkatnya konversi silan. Peningkatan efisiensi dekomposisi silan mengakibatkan fluks radikal atom yang mencapai substrat meningkat dan berakibat meningkatnya laju deposisi. Laju Deposisi (Å/s) Laju Deosisi (Å/s) Gambar 2. Laju deposisi sebagai fungsi tekanan deposisi dari lapisan tipis yang ditumbuhkan dengan metode HWC PECVD.
4 105 JURNAL MATEMATIKA DAN SAINS, DESEMBER 2008, VOL. 13 NO. 4 Gambar 3. Foto SEM morfologi permukaan lapisan tipis yang dideposisi dengan HWC PECVD pada tekanan deposisi (A) 700 mtorr, (B) 800 mtorr, (C) 900 mtorr, dan (D) 1100 mtorr. Gambar 4. Foto SEM penampang lintang lapisan tipis yang dideposisi dengan HWC PECVD pada tekanan deposisi (A) 700 mtorr, (B) 800 mtorr, (C) 900 mtorr, dan (D) 1100 mtorr.
5 Supu, dkk., Optimasi Parameter Tekanan Deposisi untuk Penumbuhan Lapisan 106 Gambar 3 dan Gambar 4 memperlihatkan foto SEM morfologi dan penampang lintang lapisan tipis yang ditumbuhkan dengan metode HWC PECVD pada tekanan deposisi (A) 700 mtorr, (B) 800 mtorr, (C) 900 mtorr, dan (D) 1100 mtorr. Dari gambar terlihat bahwa morfologi permukaan lapisan berubah dengan berubahnya tekanan deposisi. Lapisan yang ditumbuhkan pada tekanan deposisi 900 mtorr memperlihatkan adanya butiran-butiran kristal yang tersebar di permukaan film. Ini menunjukkan bahwa lapisan tipis yang ditumbuhkan dengan HWC PECVD pada tekanan deposisi 900 mtorr berstruktur mikrokristal. Hasil ini sesuai dengan hasil pengukuran XRD seperti pada Gambar 5B yang memperlihatkan adanya puncak difraksi pada sudut 2 theta 28,45 o, 47,30 o, 56,12 o dan 69,14 o yang merupakan karakteristik dari fasa kristal. Gambar 5 memperlihatkan spektrum XRD dari lapisan tipis yang ditumbuhkan dengan metode HWC PECVD pada tekanan deposisi (A) 800 mtorr, (B) 900 mtorr, dan (C) 1100 mtorr. Dari gambar terlihat bahwa struktur lapisan tipis yang dihasilkan dipengaruhi secara signifikan oleh tekanan deposisi. Lapisan yang ditumbuhkan pada tekanan deposisi (A) 800 mtorr, (B) 900 mtorr, dan (C) 1100 mtorr memperlihatkan adanya spektrum XRD yang lebar pada sudut 2 theta 10 o sampai 40 o yang merupakan karakteristik dari fasa amorf. Puncak intensitas spektrum XRD pada sudut 2 theta 10 o sampai 40 o untuk lapisan tipis yang ditumbuhkan pada tekanan 900 mtorr lebih rendah dari lapisan tipis yang ditumbuhkan pada tekanan 800 dan 1100 mtorr. Ini mengindikasikan bahwa sifat amorf dari lapisan yang ditumbuhkan pada tekanan 900 mtorr lebih rendah. Rendahnya fasa amorf ini disebabkan oleh meningkatnya ikatan Si-Si yang ditandai dengan meningkatnya konduktivitas dan menurunnya fotosensitivitas lapisan seperti terlihat pada Gambar 6 dan Gambar 7. Intensitas (a.u) Intensitas (a.u) <111> <220> <311> <400> Theta 2 ((º) o ) Gambar 5. Spektrum XRD lapisan tipis yang dideposisi dengan HWC PECVD pada tekanan deposisi (A) 800 mtorr, (B) 900 mtorr, dan (C) 1100 mtorr. C B A Lapisan tipis yang ditumbuhkan dengan pada tekanan deposisi 900 mtorr memperlihatkan adanya puncak difraksi pada sudut 2 theta 28,45 o, 47,30 o 56,12 o dan 69,14 o yang merupakan karakteristik dari fasa kristal. Jadi lapisan tipis yang ditumbuhkan dengan HWC PECVD pada tekanan deposisi 900 mtorr berstruktur mikrokristal dengan orientasi kristal <111>, <220>, <311> dan <400>. Orientasi kristal istimewa terjadi pada arah <111>. Ini berarti bahwa lapisan tipis µc-si:h telah berhasil ditumbuhkan dengan metode HWC PECVD pada tekanan deposisi 900 mtorr. Fotosensitivitas Konduktivitas (S/cm) Terang Gelap Tekanan Tekanan Deposisi Deposisi (mtorr) (mtorr) Gambar 6. Konduktivitas sebagai fungsi tekanan deposisi lapisan tipis yang ditumbuhkan dengan metode HWC PECVD. Gambar 7. Fotosensitivitas sebagai fungsi tekanan deposisi lapisan tipis yang ditumbuhkan dengan metode HWC PECVD. Konduktivitas sebagai fungsi tekanan deposisi lapisan tipis yang ditumbuhkan dengan HWC PECVD diperlihatkan pada Gambar 6. Dari gambar terlihat bahwa konduktivitas gelap meningkat dari 1,48 x 10-6 Scm -1 sampai 1,27 x 10-5 Scm -1 dengan meningkatnya tekanan deposisi dari 700 mtorr sampai 900 mtorr. Konduktivitas terang meningkat dari 1,34x10-3 Scm -1 sampai 2,12 x 10-3 Scm -1 dengan meningkatnya tekanan deposisi dari 700 mtorr sampai 900 mtorr. Peningkatan konduktivitas gelap maupun terang ini disebabkan oleh meningkatnya ikatan Si-Si dan berkurangnya kandungan hidrogen dalam lapisan. Pada
6 107 JURNAL MATEMATIKA DAN SAINS, DESEMBER 2008, VOL. 13 NO. 4 tekanan yang tinggi proses penumbuhan dipengaruhi oleh meningkatnya laju reaksi fasa gas dan lamanya gas berada dalam reaktor. Selain itu pada tekanan yang tinggi konsentrasi hidrogen dalam reaktor menjadi tinggi yang berakibat pada meningkatnya konversi silan menjadi radikal yang lebih sederhana yang dengan sendirinya akan meningkatkan ikatan Si-Si yang diiringi dengan berkurangnya kandungan hidrogen dalam lapisan. Hal ini sesuai dengan hasil pengukuran celah pita optik seperti yang diperlihatkan pada Gambar 8. Konduktivitas gelap dan terang tertinggi (1,27 x 10-5 Scm -1 dan 2,12 x 10-3 Scm -1 ) diperoleh pada tekanan deposisi 900 mtorr. Lapisan yang ditumbuhkan pada tekanan deposisi 900 mtorr dengan konduktivitas tertinggi adalah berstruktur mikrokristal seperti terlihat pada pengukuran XRD. Hal ini sesuai juga dengan hasil perhitungan fotosensitivitas yang terlihat pada Gambar 7, di mana lapisan yang berstruktur mikrokristal memiliki fotosensitivitas (1,67 x 10 2 ) yang lebih rendah dari lapisan yang berstruktur amorf. Celah Celah Puta Pita Optik (ev) Gambar 8. Celah pita optik sebagai fungsi tekanan deposisi dari lapisan tipis yang ditumbuhkan dengan metode HWC PECVD. Celah pita optik sebagai fungsi dari tekanan deposisi lapisan tipis yang ditumbuhkan dengan metode HWC PECVD diperlihatkan pada Gambar 8. Dari gambar terlihat bahwa celah pita optik menurun dari 1,75 ev sampai 1,61 ev seiring dengan meningkatnya tekanan deposisi dari 700 mtorr sampai 900 mtorr. Penurunan celah pita optik ini disebabkan oleh berkurangnya kandungan hidrogen dalam lapisan. Pada tekanan yang tinggi, konsentrasi hidrogen yang tinggi dalam chamber akan meningkatkan konversi silan yang dengan sendirinya akan meningkatkan ikatan Si-Si yang diiringi dengan berkurangnya kandungan hidrogen dalam lapisan. Meningkatnya ikatan Si-Si dalam lapisan akan meningkatkan konduktivitas lapisan (seperti terlihat pada Gambar 6). 4. Kesimpulan Lapisan tipis µc-si:h telah berhasil ditumbuhkan dengan mengoptimasi parameter tekanan deposisi menggunakan metode HWC PECVD. Spektrum XRD memperlihatkan adanya perubahan struktur dari amorf ke mikrokristal pada tekanan deposisi 900 mtorr. Orientasi kristal istimewa dari lapisan tipis µc-si:h terjadi pada arah <111>. Lapisan tipis µc-si:h yang diperoleh memiliki celah pita optik, konduktivitas gelap dan terang masing-masing 1,61 ev, 1,27 x 10-5 Scm -1 dan 2,12 x 10-3 Scm -1 dengan laju deposisi 1.52 Å/s. Fotosensitivitas lapisan tipis µc-si:h yang diperoleh sebesar 1,67 x Ucapan Terima kasih Penulis mengucapkan terima kasih kepada Direktorat Penelitian dan Pengabdian Kepada Masyarakat Dirjen DIKTI atas dana penelitiannya melalui Proyek Hibah Bersaing sehingga penelitian ini dapat terlaksana. Daftar Pustaka Amiruddin, S., I. Usman, Mursal, T. Winata, Sukirno and M. Barmawi, 2004, Growth Study of a- Si:H Thin Films by Hot Wire Cell PECVD Method, Asian J. Energy Environ, 5:1, Broguira, P., J. P. Conde, S. Arekat, and V. Chu, 1995, Low Filament Temperature Deposition of a- Si:H by Hot Wire Chemical Vapor Deposition, J. Appl. Phys., 78:6, Broguira, P., J. P. Conde, S. Arekat, and V. Chu, 1996, Amorphous and Microcrystalline Silicon Films Deposited by Hot Wire Chemical Vapor Deposition at Filament Temperature Between 1500 and 1900 ºC, J. Appl. Phys., 79:11, Doyle, J., R. Robertson, G. H. Lin, M. Z. He, and A. Gallagher, 1988, Production of High Quality Amorphous Silicon Films by Evaporative Silane Surface Decomposition, J. Appl. Phys,. 64:6, Heintze, M., R. Zedlitz, H. N. Wanka, and M. B. Scubert, 1996, Amorphous and Microcrystalline Silikon by Hot Wire Chemical Vapor Deposition, J. Apply Phys., 79:5, Mahan, A., H., and M. Vanecek, 1991, in Amorphous Silicon Materials and Solar Cells, edited by B. L. Stafford, Amer. Inst. Phy. Conf. Proc,. 234, 195. Michael, H., 1996, Amorphous Silicon Technology- 1995, Material Research Society, Symposium Proceedings, 377, Pittsburgh.
7 Supu, dkk., Optimasi Parameter Tekanan Deposisi untuk Penumbuhan Lapisan 108 Santos, P. V., N. M. Johnson, and R. A. Street, 1991, Light-Enhanced Hydrogen Motion in a-si:h, Phys. Rev. Lett., 67, Street, R. A., 1991, Hydrogenated Amorphous Silicon, Cambridge University Press, London. Swanepoel, R., 1983, Determination of the Thickness and Optical Constants of Amorphous Silicon, J. Phys. E : Sci. Instrument, 16:12, Takahashi, K., and M. Konagai, 1986, Amorphous Silicon Solar Cells, Nort Oxpord Academic, London. Wang, Q., B. P. Neslon, E. Iwaniczko, A. H. Mahan, R. S. Crandall, and J. Benner, 1998, The Influence of Charge Effect on the Growth of Hydrogenated Amorphous Silicon by the Hot Wire Chemical Vapor Deposition Technique, The 2 nd World Conference and Exhibition on Photovoltaic Solar Energy Conversion, Vienna, Austria. Wu, Y., J. T. Stephen, D. X. Handayani, J. M. Rutland, R. S. Crandall, and A. H. Mahan, 1996, New Hydrogen Distribution in a-si:h: An NMR Study, Phys. Rev. Lett., 77,
Studi Optimasi Parameter Daya RF untuk Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Metode Hot Wire Cell PECVD
PROC. ITB Sains & Tek. Vol. 37 A, No. 1, 2005, 13-22 13 Studi Optimasi Parameter Daya RF untuk Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Metode Hot Wire Cell PECVD S. Amiruddin 1), I. Usman
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi energi listrik DC secara langsung. Sel surya telah diaplikasikan dalam berbagai bidang, salah
Lebih terperinciPenumbuhan Lapisan Tipis µc-si:h Tipe-P dengan Metode HW-PECVD untuk Aplikasi Sel Surya
Penumbuhan Lapisan Tipis µc-si:h Tipe-P dengan Metode HW-PECVD untuk Aplikasi Sel Surya Jasruddin, Abdul Haris, dan Helmi Departemen Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Negeri
Lebih terperinciHomogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-si:h tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 8, NOMOR JANUARI 202 Homogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-si:h tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD
Lebih terperinciPENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL TERHIDROGENASI DENGAN TEKNIK HWC-VHF-PECVD
Reaktor, Vol. 13 No. 1, Juni 2010, Hal. 31-36 PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL TERHIDROGENASI DENGAN TEKNIK HWC-VHF-PECVD Ida Usman 1*), Darwin Ismail 1), Heri Sutanto 2) dan Toto Winata 3)
Lebih terperinciPENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL (µc Si:H) TIPE-P DENGAN METODE HOT WIRE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (HW-PECVD)
Bimafika, 2010, 2, 134-140 PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL (µc Si:H) TIPE-P DENGAN METODE HOT WIRE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (HW-PECVD) Marwah * FKIP Unversitas Darussalam
Lebih terperinciLaju Deposisi dan Celah Pita Energi Optik Lapisan Tipis a-si:h yang Ditumbuhkan dengan Teknik HWC-VHF-PECVD
Laju Deposisi dan Celah Pita Energi Optik Lapisan Tipis Andhy Setiawan 1), Hastiti Murti 1), Hasniah Aliah 2), Toto Winata 3) Program Studi Fisika FPMIPA Universitas Pendidkan Indonesia (UPI), Jurusan
Lebih terperinciAnalisis Sifat-sifat Optoelektronik Lapisan Tipis Silikon Amorf terhidrogenasi yang ditumbuhkan dengan Teknik VHF-PECVD pada Variasi Daya RF
Jurnal Matematika dan Sains Vol. 1 No. 2, Juni 25, hal 63-68 Abstrak Analisis Sifat-sifat Optoelektronik Lapisan Tipis Silikon Amorf terhidrogenasi yang ditumbuhkan dengan Teknik VHF-PECVD pada Variasi
Lebih terperinciPengaruh Ketebalan Lapisan Aktif terhadap Karakteristik Sel Surya Berbasis a-si:h yang Ditumbuhkan dengan Teknik HWC-VHF-PECVD
Pengaruh Ketebalan Lapisan Aktif terhadap Karakteristik Sel Surya Berbasis a-si:h yang Ditumbuhkan dengan Teknik HWC-VHF-PECVD Ida Usman 1) dan Toto Winata 2) 1) Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan
Lebih terperinciPengaruh Optis Kontak Belakang terhadap Parameter Optis Lapisan a-si:h
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 8, NOMOR 2 JUNI 2012 Pengaruh Optis Kontak Belakang terhadap Parameter Optis Lapisan a-si:h Ismail dan Eddy Yahya Jurusan Fisika-FMIPA, Institut Teknologi Sepuluh Nopember
Lebih terperinciStruktur kristal dan Morfologi film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan metoda Hot-Wire Pulsed Laser Deposition
Struktur kristal dan Morfologi film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan metoda Hot-Wire Pulsed Laser Deposition Dadi Rusdiana Departemen Fisika, FPMIPA UPI, Jl. Dr.Setiabudi 229 Bandung, Indonesia 40154
Lebih terperinciPENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR
PENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR Penumbuhan film tipis semikonduktor di atas substrat dapat dilakukan secara epitaksi. Dalam bahasa yunani epi berarti di atas dan taksial berarti menyusun dengan kata
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini terlihat dari banyaknya komponen semikonduktor yang digunakan disetiap kegiatan manusia.
Lebih terperinciKarakterisasi FTIR pada Studi Awal Penumbuhan CNT dengan Prekursor Nanokatalis Ag dengan Metode HWC-VHF-PECVD
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 13, NOMOR 2 JUNI 2017 Karakterisasi FTIR pada Studi Awal Penumbuhan CNT dengan Prekursor Nanokatalis Ag dengan Metode HWC-VHF-PECVD Ajeng Eliyana 1, dan Toto Winata
Lebih terperinciPEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS
PEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS Syuhada, Dwi Bayuwati, Sulaiman Pusat Penelitian Fisika-LIPI, Kawasan Puspiptek Serpong Tangerang 15314 e-mail: hadda212@yahoo.com
Lebih terperinciKontribusi Fisika Indonesia Vol. 12, No.3, Juli 2001
Kontribusi Fisika Indonesia Vol. 12, No.3, Juli 2001 Pengaruh Terhadap Tingkat Kestabilan Efisiensi Sel Surya p-i-n a-si:h Doping Delta Amiruddin Supu 1), Dilla M. 2), Jasruddin Daud Malago 3), Fitri Suryani
Lebih terperinciPenumbuhan Silikon Nanowire dengan Nanokatalis Perak menggunakan Metode HWC-In Plasma-VHF-PECVD melalui Optimasi Tekanan
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 10, NOMOR 2 JUNI 2014 Penumbuhan Silikon Nanowire dengan Nanokatalis Perak menggunakan Metode HWC-In Plasma-VHF-PECVD melalui Optimasi Tekanan Diky Anggoro 1, dan Toto
Lebih terperinciEfek Staebler-Wronski dan Pengaruh Waktu Anil pada Lapisan Instrinsik Silikon Amorf Terhidrogenasi (a-si:h)
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 13, NOMOR 2 JUNI 2017 Efek Staebler-Wronski dan Pengaruh Waktu Anil pada Lapisan Instrinsik Silikon Amorf Terhidrogenasi (a-si:h) Yoyok Cahyono, Fuad D. Muttaqin, Umi
Lebih terperinciKarakterisasi FTIR pada Studi Awal Penumbuhan CNT dengan Prekursor Nanokatalis Ag dengan Metode HWC-VHF-PECVD
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 13, NOMOR 2 JUNI 2017 Karakterisasi FTIR pada Studi Awal Penumbuhan CNT dengan Prekursor Nanokatalis Ag dengan Metode HWC-VHF-PECVD Ajeng Eliyana 1, dan Toto Winata
Lebih terperinciSTRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPIS TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 S 0.8 ) HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA
J. Sains Dasar 2015 4 (2) 198-203 STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPIS TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 S 0.8 ) HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA THE STRUCTURE AND CHEMICAL
Lebih terperinciSINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION
SINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION Yolanda Oktaviani, Astuti Jurusan Fisika FMIPA Universitas Andalas e-mail: vianyolanda@yahoo.co.id
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban manusia di abad ini. Sehingga diperlukan suatu kemampuan menguasai teknologi tinggi agar bisa
Lebih terperinciKARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT GELAS UNTUK JENDELA SEL SURYA
GANENDRA, Vol. V, N0.2 ISSN 1410-6957 KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT GELAS UNTUK JENDELA SEL SURYA Wirjoadi, Yunanto, Bambang Siswanto, Sri Sulamdari, Sudjatmoko Puslitbang
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia Tenggara. Sebagai negara berkembang, Indonesia melakukan swasembada diberbagai bidang, termasuk
Lebih terperinciSIFAT OPTIK STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO
Wirjoadi, dkk. ISSN 0216-3128 369 SIFAT OPTIK STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO Wirjoadi, Bambang Siswanto Pusat Teknologi Akselerator dan Proses
Lebih terperinciKARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS a-si:h:b UNTUK BAHAN SEL SURYA
ISSN 40-695 KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS a-si:h:b UNTUK BAHAN SEL SURYA Bambang Siswanto, Wirjoadi, Tri Mardji Atmono, Yunanto Puslitbang Teknologi Maju Batan Yogayakarta Jl. Babarsari Kotak
Lebih terperinciPEMBUATAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI (a-si:h) UNTUK BAHAN SEL SURYA
GANENDRA, Vol.VI, N0.1 ISSN 1410-6957 PEMBUATAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI (a-si:h) UNTUK BAHAN SEL SURYA Wirjoadi, Sudjatmoko, Yunanto, Bambang Siswanto, Sri Sulamdari Puslibang Teknologi
Lebih terperinciBAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI
BAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI Pada bab ini dibahas penumbuhan AlGaN tanpa doping menggunakan reaktor PA- MOCVD. Lapisan AlGaN ditumbuhkan dengan variasi laju alir gas reaktan, hasil penumbuhan dikarakterisasi
Lebih terperinciPENGARUH DAYA PLASMA PADA STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING
134 Prosiding Pertemuan Ilmiah XXIV HFI Jateng & DIY, Semarang 10 April 2010 hal. 134-138 PENGARUH DAYA PLASMA PADA STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING
Lebih terperinciOptimasi Tekanan Deposisi dalam Simulasi Efisiensi Sel Surya Berbasis Material a-si:h
Jurnal Gradien Vol. 8 No. 1 Januari 2012 : 716-721 Optimasi Tekanan Deposisi dalam Simulasi Efisiensi Sel Surya Berbasis Material a-si:h Endhah Purwandari1*, Toto Winata2 1) Jurusan Fisika FMIPA Universitas
Lebih terperinciSIFAT OPTIK, STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO
ISSN 1410-6957 SIFAT OPTIK, STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO Wirjoadi, Bambang Siswanto Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan, BATAN
Lebih terperinciPENGARUH KONSENTRASI BORON TERHADAP SIFAT LISTRIK LAPISAN TIPIS (a-si:h:b)
ISSN 1410-6951 PENGARUH KONSENTRASI BORON TERHADAP SIFAT LISTRIK LAPISAN TIPIS (a-si:h:b) Bambang Siswanto, Wirjoadi, Sudjatmoko Puslitbang Teknologi Maju Batan Yogyakarta Jl. Babarsari Kotak Pos 6101
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini mengalami peralihan dari teknologi mikro (microtechnology) ke generasi yang lebih kecil yang dikenal
Lebih terperinciBAB 1 PENDAHULUAN Latar Belakang
BAB 1 PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Memasuki abad 21, persediaan minyak dan gas bumi semakin menipis. Sementara kebutuhan akan energi semakin meningkat, terutama dirasakan pada negara industri. Kebuthan
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen yang dilakukan di
BAB III METODE PENELITIAN Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen yang dilakukan di lab. Fisika Material, Jurusan Pendidikan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas
Lebih terperinciKarakterisasi XRD. Pengukuran
11 Karakterisasi XRD Pengukuran XRD menggunakan alat XRD7000, kemudian dihubungkan dengan program dikomputer. Puncakpuncak yang didapatkan dari data pengukuran ini kemudian dicocokkan dengan standar difraksi
Lebih terperinciPengaruh Perlakuan Implantasi Hidrogen terhadap Sifat Struktur Lapisan Tipis Amorf Silikon Karbon (a-sic:h) Hasil Deposisi Metode DC Sputtering
Indonesian Journal of Physics Kontribusi Fisika Indonesia Vol. 14 No.2, April 2003 Pengaruh Perlakuan Implantasi Hidrogen terhadap Sifat Struktur Lapisan Tipis Amorf Silikon Karbon (a-sic:h) Hasil Deposisi
Lebih terperinciSTUDI DISORDER LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING
MAKARA, SAINS, VOL. 6, NO. 2, AGUSTUS 2002 STUDI DISORDER LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING Lusitra Munisa 1 dan Rosari Saleh 2 1. Program Studi Ilmu Fisika,
Lebih terperinciBab III Metodologi Penelitian
28 Bab III Metodologi Penelitian III.1 Tahap Penelitian Penelitian ini terbagi dalam empat tahapan kerja, yaitu : Tahapan kerja pertama adalah persiapan bahan dasar pembuatan film tipis ZnO yang terdiri
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC)
39 HASIL DAN PEMBAHASAN Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC) Hasil karakterisasi dengan Difraksi Sinar-X (XRD) dilakukan untuk mengetahui jenis material yang dihasilkan disamping menentukan
Lebih terperinciPENGARUH ANIL TERMAL TERHADAP BESARAN OPTIS LAPISAN TIPIS a-sic:h HASIL METODE DC SPUTTERING II. TARGET GRAFIT
PENGARUH ANIL TERMAL TERHADAP BESARAN OPTIS LAPISAN TIPIS a-sic:h HASIL METODE DC SPUTTERING II. TARGET GRAFIT Rosari Saleh 1, Lusitra Munisa 2 dan Dewi Marianty 1 1. Jurusan Fisika, Fakultas MIPA Universitas
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. energi cahaya (foton) menjadi energi listrik tanpa proses yang menyebabkan
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Sel surya merupakan suatu piranti elektronik yang mampu mengkonversi energi cahaya (foton) menjadi energi listrik tanpa proses yang menyebabkan dampak buruk terhadap
Lebih terperinci2 SINTESIS DAN KARAKTERISASI NANOSTRUKTUR ZnO
2 SINTESIS DAN KARAKTERISASI NANOSTRUKTUR ZnO 3 Pendahuluan ZnO merupakan bahan semikonduktor tipe-n yang memiliki lebar pita energi 3,37 ev pada suhu ruang dan 3,34 ev pada temperatur rendah dengan nilai
Lebih terperinciOleh: Tyas Puspitaningrum, Tjipto Sujitno, dan Ariswan
Penentuan Band Gap... (Tyas Puspitaningrum) 166 PENENTUAN BAND GAP DAN KONDUKTIVITAS BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS Sn(S 0,8 Te 0,2 ) DAN Sn(S 0,6 Te 0,4 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI TERMAL
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. I.1 Latar Belakang Kebutuhan akan energi semakin berkembang seiring dengan
BAB I PENDAHULUAN I.1 Latar Belakang Kebutuhan akan energi semakin berkembang seiring dengan berkembangnya kehidupan manusia. Sehingga para peneliti terus berupaya untuk mengembangkan sumber-sumber energi
Lebih terperinciBab IV Hasil dan Pembahasan
33 Bab IV Hasil dan Pembahasan Pada bab ini dilaporkan hasil sintesis dan karakterisasi dari senyawa yang disintesis. Senyawa disintesis menggunakan metoda deposisi dalam larutan pada temperatur rendah
Lebih terperinciSTUDI SPEKTROSKOPI ELECTRON SPIN RESONANCE (ESR) LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING
STUDI SPEKTROSKOPI ELECTRON SPIN RESONANCE (ESR) LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING Rosari Saleh Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam,
Lebih terperinciPembuatan Sel Surya Film Tipis dengan DC Magnetron Sputtering
Pembuatan Sel Surya Film Tipis dengan DC Magnetron Sputtering Desty Anggita Tunggadewi 1, Fitria Hidayanti 1 1 Program Studi Teknik Fisika, Fakultas Teknik dan Sains, Universitas Nasional dtunggadewi@yahoo.co.id,
Lebih terperinciSTUDI TENTANG PENGARUH JARAK (SPACER) TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn ) HASIL PREPARASI TEKNIK EVAPORASI VAKUM
Studi tentang Pengaruh...(Wida Afosma)385 STUDI TENTANG PENGARUH JARAK (SPACER) TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn ) HASIL PREPARASI TEKNIK EVAPORASI VAKUM STUDY ABOUT THE EFFECT OF SPACER TO CRYSTAL
Lebih terperinciSTUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI
Studi Pengaruh Suhu Substrat. (Rully Fakhry Muhammad) 303 STUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI STUDY
Lebih terperinciIII. METODE PENELITIAN
21 III. METODE PENELITIAN 3.1 Waktu dan Tempat Penelitian Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Agustus 2010 - Juni 2011 di Laboratorium Biofisika dan Laboratorium Fisika Lanjut, Departemen Fisika IPB.
Lebih terperinciPENGARUH TEKANAN DAN WAKTU DEPOSISI PADA TEKNIK SPUTTERING TERHADAP TAHANAN DAN REFLEKSIVITAS LAPISAN TIPIS a-si DAN Ag
GANENDRA, Vol. V, N0.2 ISSN 1410-6957 PENGARUH TEKANAN DAN WAKTU DEPOSISI PADA TEKNIK SPUTTERING TERHADAP TAHANAN DAN REFLEKSIVITAS LAPISAN TIPIS a-si DAN Ag Yunanto, Sudjatmoko, Trimardji Atmono, Wirjoadi
Lebih terperinciStruktur dan konfigurasi sel Fotovoltaik
9 Gambar 17. Struktur dan konfigurasi sel Fotovoltaik BST yang sudah mengalami proses annealing dipasang kontak di atas permukaan substrat silikon dan di atas film tipis BST. Pembuatan kontak ini dilakukan
Lebih terperinciPREPARASI LAPISAN TIPIS SAMBUNGAN p-n ZnO DAN CuInSe MENGGUNAKAN PENYANGGA LAPISAN CdS UNTUK APLIKASI SEL SURYA
, dkk. ISSN 0216-3128 153 PREPARASI LAPISAN TIPIS SAMBUNGAN p-n ZnO DAN CuInSe MENGGUNAKAN PENYANGGA LAPISAN CdS UNTUK APLIKASI SEL SURYA PTAPB Badan Tenaga Nuklir Nasional Agung B.S.U, Messa Monika Sari
Lebih terperinci4 Hasil dan Pembahasan
4 Hasil dan Pembahasan 4.1 Sintesis Padatan TiO 2 Amorf Proses sintesis padatan TiO 2 amorf ini dimulai dengan melarutkan titanium isopropoksida (TTIP) ke dalam pelarut etanol. Pelarut etanol yang digunakan
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. Pelaksanaan penelitian ini pada dasarnya meliputi tiga tahapan proses
BAB III METODE PENELITIAN Pelaksanaan penelitian ini pada dasarnya meliputi tiga tahapan proses diawali dengan tahap persiapan, tahap penumbuhan, dan tahap karakterisasi. Pada bab ini dibahas tentang metode
Lebih terperinciPENGARUH OPTIMASI CELAH PITA ENERGI DAN KETEBALAN LAPISAN TIPE-i PADA EFISIENSI SEL SURYA SILIKON AMORF SAMBUNGAN p-i-n
TESIS SF142502 PENGARUH OPTIMASI CELAH PITA ENERGI DAN KETEBALAN LAPISAN TIPE-i PADA EFISIENSI SEL SURYA SILIKON AMORF SAMBUNGAN p-i-n IGNATIO BENIGNO 1115 201 008 DOSEN PEMBIMBING Prof. Dr. Darminto,
Lebih terperinciStruktur Double Barrier Untuk Aplikasi Pada Divais Silikon Amorf
Kontribusi Fisika Indonesia Vol. No., Januari 00 Struktur Double Barrier Untuk Aplikasi Pada Divais Silikon Amorf Ida Hamidah dan Wilson W. Wenas Laboratorium Riset Semikonduktor, Jurusan Fisika ITB Jl.
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN
BAB III METODOLOGI PENELITIAN A. Metode Penelitian Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen secara kualitatif dan kuantitatif. Metode penelitian ini menjelaskan proses degradasi fotokatalis
Lebih terperinciKumpulan Soal Fisika Dasar II.
Kumpulan Soal Fisika Dasar II http://personal.fmipa.itb.ac.id/agussuroso http://agussuroso102.wordpress.com Topik Gelombang Elektromagnetik Interferensi Difraksi 22-04-2017 Soal-soal FiDas[Agus Suroso]
Lebih terperinciANALISIS LEBAR CELAH PITA ENERGI DAN IKATAN MOLEKUL LAPISAN TIPIS a-si:h YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE PECVD
TUGAS AKHIR - SF 141501 ANALISIS LEBAR CELAH PITA ENERGI DAN IKATAN MOLEKUL LAPISAN TIPIS a-si:h YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE PECVD Umi Maslakah NRP 1110 100 030 Dosen Pembimbing Prof. Dr. Darminto,
Lebih terperinciDistribusi Celah Pita Energi Titania Kotor
Jurnal Nanosains & Nanoteknologi ISSN 1979-0880 Edisi Khusus, Agustus 009 Distribusi Celah Pita Energi Titania Kotor Indah Nurmawarti, Mikrajuddin Abdullah (a), dan Khairurrijal Kelompok Keahlian Fisika
Lebih terperinciPEMBUATAN DAN KARAKTERISASI MEMBRAN KERAMIK ZrSiO 4 -V 2 O 5 TESIS. ERFAN PRIYAMBODO NIM : Program Studi Kimia
PEMBUATAN DAN KARAKTERISASI MEMBRAN KERAMIK ZrSiO 4 -V 2 O 5 TESIS Karya tulis sebagai salah satu syarat untuk memperoleh gelar Magister dari Institut Teknologi Bandung Oleh ERFAN PRIYAMBODO NIM : 20506006
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Nanopatikel merupakan partikel mikroskopis yang memiliki ukuran dalam skala nanometer yaitu < 100 nm. Nanopartikel menjadi kajian yang sangat menarik, karena ketika
Lebih terperinciEfek Annealing Pada Penumbuhan Film Tipis Ferroelektrik PbZr 0,625 Ti 0,375 O 3 (PZT)
Kontribusi Fisika Indonesia Vol. 12 No.4, Oktober 2001 Efek Annealing Pada Penumbuhan Film Tipis Ferroelektrik PbZr 0,625 Ti 0,375 O 3 (PZT) Ngurah Ayu Ketut Umiati 1,2, Irzaman 1,3, Maman Budiman 1 dan
Lebih terperinciPENGEMBANGAN SISTEM PENGUKUR KARAKTERISTIK I-V SEL SURYA DALAM KEADAAN PENYINARAN DAN TANPA PENYINARAN
Program Studi Fisika Jurusan Pendidikan Fisika FPMIPA UNIVERSITAS PENDIDIKAN INDONESIA PENGEMBANGAN SISTEM PENGUKUR KARAKTERISTIK I-V SEL SURYA DALAM KEADAAN PENYINARAN DAN TANPA PENYINARAN Latar Belakang
Lebih terperinciSTRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPISAN TIPIS Sn(So,4Te0,6) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM
Struktur dan Komposisi... (Eka Wulandari) 1 STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPISAN TIPIS Sn(So,4Te0,6) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM STRUCTURE AND CHEMICAL COMPOSITION OF Sn(S0,4Te0,6) THIN
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. kita terima bahwa pemakaian energi berbahan dasar dari fosil telah menjadi salah
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Menipisnya cadangan energi fosil di Indonesia dan kenyataan yang harus kita terima bahwa pemakaian energi berbahan dasar dari fosil telah menjadi salah satu
Lebih terperinciLAPORAN TUGAS AKHIR PEMBUATAN GELAS TRANSPARAN FTO SEBAGAI BAHAN BAKU SEL SURYA
LAPORAN TUGAS AKHIR PEMBUATAN GELAS TRANSPARAN FTO SEBAGAI BAHAN BAKU SEL SURYA Disusun Oleh: EVALIKA ASTUTI FAUZIAH I 8310031 FITRI NUR PRATIWI I 8310033 PROGRAM STUDI DIPLOMA III TEKNIK KIMIA FAKULTAS
Lebih terperinciDEPOSISI LAPISAN TIPIS (CdS) TIPE-N DI ATAS LAPISAN TIPIS (CuInSe 2 ) TIPE-P SEBAGAI PENYANGGA UNTUK SEL SURYA CIS
ISSN 1410-6957 DEPOSISI LAPISAN TIPIS (CdS) TIPE-N DI ATAS LAPISAN TIPIS (CuInSe 2 ) TIPE-P SEBAGAI PENYANGGA UNTUK SEL SURYA CIS Wirjoadi, Yunanto, Bambang Siswanto Pusat Teknologi Akselerator dan Proses
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Listrik merupakan kebutuhan esensial yang sangat dominan kegunaannya
λ Panjang Gelombang 21 ω Kecepatan Angular 22 ns Indeks Bias Kaca 33 n Indeks Bias Lapisan Tipis 33 d Ketebalan Lapisan Tipis 33 α Koofisien Absorpsi 36 Frekuensi Cahaya 35 υ BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar
Lebih terperinciAnalisis Pengaruh Temperatur Annealing Pada Deposisi Lapisan Tipis Zinc Oxide (ZnO) Melalui Proses Spin Coating Rahmawati
homepage: www.teknik.unsam.ac.id ISSN 2356-5438 Analisis Pengaruh Temperatur Annealing Pada Deposisi Lapisan Tipis Zinc Oxide (ZnO) Melalui Proses Spin Coating Rahmawati Program Studi Fisika, Universitas
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 LatarBelakang
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 LatarBelakang Proses pembangunan disegala bidang selain membawa kemajuan terhadap kehidupan manusia, tetapi juga akan membawa dampak negative bagi lingkungan hidup. Industrialisasi
Lebih terperinciEfek doping Al pada sifat optik dan listrik lapisan tipis ZnO hasil deposisi dengan DC sputtering
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 1, NOMER 1 JANUARI 2005 Efek doping Al pada sifat optik dan listrik lapisan tipis ZnO hasil deposisi dengan DC sputtering SriYaniPurwaningsih, 1 Karyono, 2 dansudjatmoko
Lebih terperinciPENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se 0,4 Te 0,6 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM
Pengaruh Suhu Substrat...(Vina Hentri Tunita N.)288 PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se 0,4 Te 0,6 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM THE EFFECT OF SUBSTRATE
Lebih terperinciPECVD SISTEM PERMASALAHAN DAN PENYELESAINNYA
PECVD SISTEM PERMASALAHAN DAN PENYELESAINNYA Rizky Mayang Dessyntya (1), Eddy Yahya (2) Program Studi Sarjana Fisika, Institut Teknologi Sepuluh Nopember, Surabaya, Indonesia (1) Dosen Fisika, Institut
Lebih terperinciSIFAT-SIFAT OPTIK DAN LISTRIK BAHAN SEMIKONDUKTOR SnS LAPISAN TIPIS HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA ABSTRAK
SIFAT-SIFAT OPTIK DAN LISTRIK BAHAN SEMIKONDUKTOR SnS LAPISAN TIPIS HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA Ganesha Antarnusa. 1, Tjipto Sujitno 2, Ariswan 3 1 Mahasiswa
Lebih terperinciWidyanuklida, Vol. 15 No. 1, November 2015: ISSN
Widyanuklida, Vol. 15 No. 1, November 2015: 22-27 ISSN 1410-5357 Penentuan Struktur Kristal dan Komposisi Kimia Lapisan Tipis Sn(Se 0,5 S 0,5 ) Hasil Preparasi Teknik Evaporasi untuk Aplikasi Sel Surya
Lebih terperinciANALISIS SPEKTRUM INFRAMERAH DAN STRUKTUR PERMUKAAN FILM TIPIS KARBON AMORF TERHIDROGENASI (a-c:h) YANG DITUMBUHKAN DENGAN REAKTOR DC PECVD
PROSIDING SEMINAR NASIONAL REKAYASA KIMIA DAN PROSES 2004 ISSN : 1411-4216 ANALISIS SPEKTRUM INFRAMERAH DAN STRUKTUR PERMUKAAN FILM TIPIS KARBON AMORF TERHIDROGENASI (a-c:h) YANG DITUMBUHKAN DENGAN REAKTOR
Lebih terperinciMODEL HUBUNGAN KETEBALAN TERHADAP MASSA SUMBER PADA SINTESIS NANOLAYER Al MENGGUNAKAN EVAPORASI TERMAL
MODEL HUBUNGAN KETEBALAN TERHADAP MASSA SUMBER PADA SINTESIS NANOLAYER Al MENGGUNAKAN EVAPORASI TERMAL Andhy Setiawan 1, Hasniah Aliah 2,Toto Winata 3 1 Program Studi Fisika FPMIPA Universitas Pendidikan
Lebih terperinciF- 1. PENGARUH PENYISIPAN LOGAM Fe PADA LAPISAN TiO 2 TERHADAP PERFORMANSI SEL SURYA BERBASIS TITANIA
PENGARUH PENYISIPAN LOGAM Fe PADA LAPISAN TiO 2 TERHADAP PERFORMANSI SEL SURYA BERBASIS TITANIA Rita Prasetyowati, Sahrul Saehana, Mikrajuddin Abdullah (a), dan Khairurrijal Kelompok Keahlian Fisika Material
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Oksida konduktif transparan atau transparent conductive oxide (TCO)
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Oksida konduktif transparan atau transparent conductive oxide (TCO) adalah semikonduktor yang memiliki lebar celah pita energi antara 2,5 4,5 ev (Dengyuan, 2005).
Lebih terperinciTUGAS AKHIR SF141501
TUGAS AKHIR SF141501 PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI (a-si:h) TIPE-N DENGAN PENGENCERAN H2 MENGGUNAKAN PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (PECVD) Cahyaning Fajar Kresna Murti
Lebih terperinciEFEK CuI TERHADAP KONDUKTIVITAS DAN ENERGI AKTIVASI (CuI) x (AgI ) 1-x (x = 0,5-0,9)
EFEK CuI TERHADAP KONDUKTIVITAS DAN ENERGI AKTIVASI (CuI) x (AgI ) 1-x (x = 0,5-0,9) (EFFECT OF CuI ON CONDUCTIVITY AND ACTIVATION ENERGY OF (CuI) x (AgI) 1-x (x = 0.5 to 0.9)) ABSTRAK Patricius Purwanto
Lebih terperinciBAB III METODE PELAKSANAAN. Metode penelitian yang dilakukan menggunakan eksperimen murni yang
25 BAB III METODE PELAKSANAAN Metode penelitian yang dilakukan menggunakan eksperimen murni yang dilakukan di laboratorium. Metode yang digunakan untuk penumbuhan film tipis LiTaO 3 adalah metode spin-coating.
Lebih terperinciSTUDI KARAKTERISASI OPTIS LAPISAN TIPIS a-sic:h HASIL DEPOSISI METODE GLOWDISCHARGE
STUDI KARAKTERISASI OPTIS LAPISAN TIPIS a-sic:h HASIL DEPOSISI METODE GLOWDISCHARGE Rosari Saleh 1, Lusitra Munisa 2 dan Dewi Marianty 1 1. Jurusan Fisika, Fakultas MIPA Universitas Indonesia, Depok 16424,
Lebih terperinciPengaruh Penambahan Aluminium (Al) Terhadap Sifat Hidrogenasi/Dehidrogenasi Paduan Mg 2-x Al x Ni Hasil Sintesa Reactive Ball Mill
Pengaruh Penambahan Aluminium (Al) Terhadap Sifat Hidrogenasi/Dehidrogenasi Paduan Mg 2-x Al x Ni Hasil Sintesa Reactive Ball Mill I Wayan Yuda Semaradipta 2710100018 Dosen Pembimbing Hariyati Purwaningsih,
Lebih terperinciPENGARUH KETEBALAN LAPISAN PENYANGGA TERHADAP KUALITAS FILM TIPIS GaN
J. Sains Tek., Desember 2006, Vol. 12, No. 3, Hal.: 149-153 ISSN 0853-733X PENGARUH KETEBALAN LAPISAN PENYANGGA TERHADAP KUALITAS FILM TIPIS GaN Erzam S. Hasan 1, A. Subagio 2, Sugianto 3, M. Budiman 4,
Lebih terperinciInterferometer Fabry Perot : Lapisan optis tipis, holografi.
Interferometer Fabry Perot : Lapisan optis tipis, holografi. KELOMPOK 2 Anggota : Amry Priswanto 135090807111001 Achmad Ainul Yaqin 135090301111014 Aulia Ainur Rohmah 135090301111028 Talitha Dea Ambarwati
Lebih terperinciPENGARUH VARIASI MASSA BAHAN TERHADAP KUALITAS KRISTAL SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 Te 0,8 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN
Pengaruh Variasi Massa... (Annisa Dyah ) 238 PENGARUH VARIASI MASSA BAHAN TERHADAP KUALITAS KRISTAL SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 Te 0,8 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN THE EFFECT OF MATERIAL MASS ON
Lebih terperinci2014 PEMBUATAN BILAYER ANODE - ELEKTROLIT CSZ DENGAN METODE ELECTROPHORETIC DEPOSITION
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Kebutuhan listrik dunia semakin meningkat seiring berjalannya waktu. Hal ini tentu disebabkan pertumbuhan aktivitas manusia yang semakin padat dan kebutuhan
Lebih terperinciBAB II KAJIAN PUSTAKA DAN DASAR TEORI
BAB II KAJIAN PUSTAKA DAN DASAR TEORI 2.1. Kajian Pustaka Marwoto.P., dkk (2007) melakukan penelitian proses penumbuhan film tipis Ga 2 O 3 :Mn dengan mengguakan DC magnetron sputtering dan dilakukan dengan
Lebih terperinciPROGRAM STUDI FISIKA JURUSAN PENDIDIKAN FISIKA
PENGARUH PERBEDAAN TEMPERATUR KRISTALISASI TERHADAP KARAKTERISTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR Pb(Se 0,8 Te 0,2 ) HASIL PREPARASI DENGAN METODE BRIDGMAN SKRIPSI Diajukan kepada Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan
Lebih terperinciPERKEMBANGAN SEL SURYA
PERKEMBANGAN SEL SURYA Generasi Pertama Teknologi pertama yang berhasil dikembangkan oleh para peneliti adalah teknologi yang menggunakan bahan silikon kristal tunggal. Teknologi ini dalam mampu menghasilkan
Lebih terperinciBab IV. Hasil dan Pembahasan
Bab IV. Hasil dan Pembahasan Bab ini memaparkan hasil sintesis, karakterisasi konduktivitas listrik dan struktur kirstal dari senyawa perovskit La 1-x Sr x FeO 3-δ (LSFO) dengan x = 0,2 ; 0,4 ; 0,5 ; 0,6
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. penelitian ini dilakukan pembuatan keramik Ni-CSZ dengan metode kompaksi
19 BAB III METODE PENELITIAN 3.1 Metode Penelitian Metode yang dilakukan pada penelitian ini adalah eksperimen. Pada penelitian ini dilakukan pembuatan keramik Ni-CSZ dengan metode kompaksi serbuk. 3.2
Lebih terperinciGravitasi Vol. 15 No. 1 ISSN:
STUDI PENGARUH KONSENTRASI LARUTAN DAUN PEPAYA TERHADAP SIFAT OPTIK DAN LISTRIK SEBAGAI BAHAN PEMBUATAN LAPISAN TIPIS Ummu kalsum 1, Iqbal 2 dan Dedy Farhamsa 2 1 Jurusan Fisika Fakultas MIPA, Universitas
Lebih terperinciTEMA: ENERGI TERBARUKAN. FABRIKASI SEL SURYA BERBASIS SILIKON DENGAN LAPISAN ANTI REFLEKSI ZnO MENGGUNAKAN TEKNOLOGI THICK FILM
Bidang Ilmu Teknologi RINGKASAN LAPORAN TAHAP I HIBAH KOMPETITIF PENELITIAN SESUAI PRIORITAS NASIONAL TEMA: ENERGI TERBARUKAN FABRIKASI SEL SURYA BERBASIS SILIKON DENGAN LAPISAN ANTI REFLEKSI ZnO MENGGUNAKAN
Lebih terperinciPENGARUH KONDISI PENUMBUHAN PADA SIFAT FISIS FILM TIPIS GA 2 O 3 DENGAN DOPING ZNO
PENGARUH KONDISI PENUMBUHAN PADA SIFAT FISIS FILM TIPIS GA 2 O 3 DENGAN DOPING ZNO Sulhadi, Putut Marwoto, dan Sugianto Fakultas Matematika Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Negeri Semarang Abstrak. Telah
Lebih terperinciPENGARUH PERLAKUAN SUHU PADA PEMBUATAN GREEN CARBON PAPER (GCP) TANPA PEREKAT MENGGUNAKAN KULIT PISANG LILIN
PENGARUH PERLAKUAN SUHU PADA PEMBUATAN GREEN CARBON PAPER (GCP) TANPA PEREKAT MENGGUNAKAN KULIT PISANG LILIN Tri Mashela Noviani*, Erman Taer, Sugianto Jurusan Fisika Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan
Lebih terperinci