Laju Deposisi dan Celah Pita Energi Optik Lapisan Tipis a-si:h yang Ditumbuhkan dengan Teknik HWC-VHF-PECVD
|
|
- Yenny Irawan
- 7 tahun lalu
- Tontonan:
Transkripsi
1 Laju Deposisi dan Celah Pita Energi Optik Lapisan Tipis Andhy Setiawan 1), Hastiti Murti 1), Hasniah Aliah 2), Toto Winata 3) Program Studi Fisika FPMIPA Universitas Pendidkan Indonesia (UPI), Jurusan Fisika FST Universitas Islam Negeri Sunan Gunung Djati (UIN SGD), Program Studi Fisika FMIPA Institut Teknologi Bandung (ITB), Abstrak. Telah dilakukan studi penumbuhan lapisan tipis silikon amorf terhidrogenasi (a- Si:H) menggunakan teknik hot wire cell very high frequency plasma enhanced chemical vapor deposition (HWC-VHF-PECVD). Material a-si:h merupakan salah satu jenis material yang diaplikasikan sebagai sel surya. Pada penelitian ini, lapisan tipis a-si:h ditumbuhkan di atas substrat gelas dengan variasi temperatur HWC 800 C, 1000 C, dan 1400 C. Sebagai sumber gas Si digunakan gas silan (SiH 4 ) 20 % yang terlarut dalam gas hidrogen (H 2 ). Saat silan masuk ke dalam ruang reaktor, terlebih dahulu melewati HWC yang berada pada sistem masukan gas, sehingga akan mengalami disosiasi sebelum membentuk plasma. Berdasarkan hasil karakterisasi menggunakan difraktometer sinar-x diperoleh bahwa lapisan yang dihasilkan berstruktur a-si:h. Penentuan tebal lapisan dan celah pita energi optik dilakukan berdasarkan data hasil karakterisasi menggunakan spektrometer UV-Vis pada rentang panjang gelombang nm. Laju deposisi cenderung meningkat dari 6,13 Å/s (pada temperatur 800 C) hingga 14,04 Å/s (pada temperatur 1400 C). Sedangkan celah pita energi optik cenderung menurun dari 1.68 ev (pada temperatur 800 C) hingga 1.59 ev (pada temperatur 1400 C). Kata Kunci: Lapisan tipis a-si:h, laju penumbuhan, celah pita energi optik, HWC-VHF- PECVD. PENDAHULUAN Sel surya merupakan suatu piranti elektronik yang dapat mengubah secara langsung energi radiasi matahari menjadi energi listrik. Dengan demikian sel surya dapat menjadi sumber energi listrik yang tak akan pernah habis, selama matahari memancarkan sinarnya ke bumi. Penggunaan sel surya sangat praktis sehingga sangat potensial untuk menyediakan suplai energi di daerah-daerah terpencil yang sulit dijangkau oleh jaringan listrik. Pemanfaatan sel surya dalam skala kecil dapat digunakan untuk peralatan listrik yang bersifat mobile ataupun nirkabel. Selain itu sumber energi ini ramah lingkungan karena dalam proses konversinya tidak menghasilkan polutan. Mengingat Indonesia merupakan daerah di sekitar khatulistiwa dengan rata-rata intensitas cahaya matahari yang tinggi, maka pemanfaatan sel surya sangat potensial dan menjanjikan. Perkembangan sel surya diawali dengan pemanfaatan bahan silikon kristalin (c-si) sebagai komponen utamanya. Penumbuhan bahan c-si ini melalui proses yang rumit dan melibatkan biaya produksi yang mahal, sehingga para peneliti di bidang ini mencoba mengembangkan sel surya dari bahan lain, diantaranya penggunaan silikon amorf terhidrogenasi (a-si:h). Material amorf memiliki perbedaan dengan material kristalin dalam hal jangkauan keperiodikan susunan atom-atom penyusunnya. Susunan atom-atom pada material amorf tidak sepenuhnya tersusun acak, tetapi terdapat keteraturan dalam jangka pendek. Pada silikon amorf, Semirata 2013 FMIPA Unila 235
2 Andhy Setiawan, dkk: Laju Deposisi dan Celah Pita Energi Optik Lapisan Tipis sebagian besar atom-atom silikon terkoordinasi membentuk empat cabang (four-fold) dengan konfigurasi ikatan tetrahedral yang serupa dengan kristalin silikon. Keacakan posisi atom terbentuk karena adanya variasi pada sudut ikatan dan panjang ikatan, sehingga mengarah pada karakteristik ketakteraturan jangka panjang. Dibandingkan dengan material silikon amorf tanpa hidrogen (a-si), material a- Si:H memiliki densitas cacat yang lebih rendah sehingga lebih mudah untuk didopping, serta memiliki fotokondutivitas yang lebih tinggi. Hal ini menguntungkan jika digunakan sebagai sel surya dengan struktur p-i-n. Lapisan tipis silikon amorf terhidrogenasi (a-si:h) sangat cocok untuk diaplikasikan sebagai komponen penyususn sel surya. Bahan ini mempunyai nilai celah pita energi optik yang lebar (1.7 ev s.d. 2 ev), temperatur penumbuhan yang rendah (~200 o C), serta dapat ditumbuhan di atas substrat gelas yang harganya murah dan persediannya melimpah [1], selain itu a- Si:H juga memiliki kemampuan absorbsi yang tinggi pada daerah spektrum cahaya tampak [2]. Salah satu metode berbasis chemical vapor deposition (CVD) dalam penumbuhan lapisan tipis a-si:h adalah menggunakan teknik Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (PECVD). Secara garis besar proses penumbuhan lapisan tipis silikon amorf di atas substrat menggunakan teknik PECVD diawali dengan pembentukan plasma melalui tumbukan antar elektron berkecepatan tinggi dengan molekul gas silan sehingga menyebabkan terjadinya ionisasi dan reaksi kimia menghasilkan molekul-molekul dan radikal bebas, ion-ion (negatif dan positif) serta elektron. Selanjutnya terjadi proses penyerapan kimiawi, difusi radikal murni, dan pemisahan atom H pada permukaan substrat serta pembersihan atom H dan pembentukan formasi Si-Si pada bulk membentuk lapisan tipis. Pada teknik PECVD ini digunakan pembangkit plasma pada frekuensi radio (rf). Teknik PECVD konvensional menggunakan frekuensi radio sebesar MHz. Penumbuhan dengan teknik PECVD konvensional ini memiliki laju deposisi yang rendah dengan kandungan hidrogen yang tinggi. Untuk meningkatkan kualitas lapisan tipis a-si:h yang dihasilkan maka dikembangkan teknik Very High Frequency Plasma Enhanced Chemical Vapour Deposition (VHF-PECVD) [3], dengan frekuensi yang digunakan adalah 70 MHz. Teknik ini kemudian terus dikembangkan menjadi Hot Wire PECVD (HW-PECVD) [4,5] dan kemudian dikembangkan menjadi Hot Wire Cell VHF-PECVD (HWC-VHF- PECVD) [6]. Pada dasarnya teknik HWC-VHF- PECVD ini dikembangkan dari teknik VHF-PECVD, yaitu dengan memberikan filamen panas berbentuk spiral yang diletakkan dalam sistem masukan gas sejajar dengan posisi substrat seperti terlihat pada Gambar 1. Dengan penambahan filamen panas maka gas silane yang masuk ke ruang reaktor akan terlebih dahulu terdisosiasi menjadi radikal yang lebih sederhana sebelum memasuki kawasan elektroda [7]. Dalam paper ini dibahas mengenai hasil penumbuhan lapisan intrinsik a-si:h (tipei) menggunakan teknik HWC-VHF- PECVD. Lapisan tipe-i merupakan lapisan aktif tempat terjadinya proses fotogenerasi pembawa muatan pada divais sel surya p-in. Penumbuhan lapisan tipis a-si:h dilakukan pada tiga nilai temperatur filamen yang berbeda. Berdasarkan hasil penumbuhan lapisan tipis, selanjutnya ditentukan laju deposisi lapisan tipis serta besarnya celah pita energi optik material yang ditumbuhkan pada nilai temperatur yang berbeda tersebut. 236 Semirata 2013 FMIPA Unila
3 METODE PENELITIAN Substrat berupa gelas preparat terlebih dahulu dibersihkan dengan cara direndam dalam alkohol selama 5 menit kemudian direndam dalam di-water selama 5 menit. Selama perendaman dilakukan ultrasonifikasi menggunakan ultrasonic cleaner. Selanjutnya substrat disemprot menggunakan gas nitrogen teknis untuk membersihkan sisa-sisa cairan yang menempel. Penumbuhan lapisan tipis a-si:h dilakukan menggunakan tehnik HWC- VHF-PECVD di atas substrat gelas. Pada sistem reakor HWC-VHF-PECVD terdapat filamen dari kawat tungsten berbentuk spiral (cell) yang terintegrasi dengan sistem masukan gas (gas inlet) dan dihubungkan dengan sumber tergangan untuk menghasilkan panas. Gambar 1 memperlihatkan keadaan ruang reaktor saat penumbuhan lapisan tipis a-si:h serta posisi hot wire cell, plasma yang terbentuk dalam ruang reaktor tersebut, tempat substrat, pemanas (heater) untuk memanaskan substrat, dan penutup substrat (shutter) yang berfungsi dalam menandai awal dan akhir deposisi. Sebagai sumber Si digunakan gas Silan (SiH 4 ) 20% dalam hidrogen (H 2 ). Gas SiH 4 dialirkan ke dalam ruang reaktor dengan laju aliran 50 sccm.. Selama proses penumbuhan, tekanan reaktor dijaga tetap sebesar 400 mtorr, dan temperatur substrat dipertahankan tetap pada 285 o C. Sumber pemancar untuk membangkitkan plasma yang digunakan adalah dengan frekuensi radio 70 MHz, dan daya 50 watt. Temperatur filamen divariasikan dalam tiga nilai temperatur, yaitu 800 C, 1000 C, dan 1400 C. Lapisan a-si:h yang dihasilkan kemudian dikarakterisasi untuk mengetahui struktur lapisannya menggunakan difraktometer sinar-x (x-ray diffractometer, XRD). Laju deposisi dan nilai celah pita energi ditentukan berdasarkan hasil karakterisasi transmitansi optik menggunakan spektrometer UV-Vis (ultraviolet-visible). HASIL DAN PEMBAHASAN Karakterisasi menggunakan difraktometer sinar-x terhadap sampel yang ditumbuhkan memberikan gambaran bahwa lapisan tipis yang terbentuk bersifat amorf. Hal ini diketahui berdasarkan pola difraksi yang menunjukkan ketiadaan puncak tajam pada posisi sudut tertentu. Gambar 20. Ruang reaktor pada saat penumbuhan lapisan tipis a- Si:H menggunakan teknik HWC-VHF-PECVD. a. filamen panas (hot wire cell), b. plasma, c. tempat substrtat, d. pemanas (heater), dan e. penutup substrat (shutter). Gambar 21. Pola difraksi sinar-x pada sampel yang ditumbuhkan dengan temperatur filamen 1000 C. Semirata 2013 FMIPA Unila 237
4 Andhy Setiawan, dkk: Laju Deposisi dan Celah Pita Energi Optik Lapisan Tipis Pola difraksi sinar-x dari lapisan tipis yang ditumbuhkan dengan temperatur filamen 1000 C diperlihatkan pada Gambar 2. Pada gambar tersebut tidak terlihat adanya puncak difraksi. Hal ini menunjukkan lapisan Si yang ditumbuhkan bersifat amorf. Hasil karakterisasi menggunakan difraktometer sinar-x terhadap lapisan Si yang ditumbuhkan dengan temperatur filamen 800 C dan 1400 C menghasilkan pola yang serupa dengan pola difraksi pada Gambar 2. Dengan demikian penumbuhan lapisan tipis pada ketiga nilai temperatur filamen tersebut memberikan hasil berupa Si dengan struktur amorf. LAJU DEPOSISI Laju deposisi penumbuhan lapisan tipis merupakan perbandingan ketebalan lapisan yang ditumbuhkan terhadap waktu (lamanya) deposisi. Tebal lapisan tipis dapat ditentukan berdasarkan data transmitansi optik yang diperoleh dari hasil karakterisasi transmitansi optik menggunakan spektrometer UV-Vis. Pada Gambar 3 dapat dilihat contoh pola transmitansi optik terhadap panjang gelombang yang dihasilkan dari karakterisasi menggunakan spektrometer UV-Vis. Ketebalan lapisan tipis tersebut diperoleh dengan cara menentukan nilai transmitansi minimum dan maksimum (lembah dan puncak) dari pola transmitansi sehingga diperoleh nilai indeks bias material penyusun lapisan pada panjang gelombang yang bersesuaian dengan lembah dan puncak transmitansi tersebut. Berdasarkan nilai indeks bias pada tiap panjang gelombang tersebut maka tebal lapisan dapat dihitung berdasarkan persamaan ( ) (1) dengan n 1 dan n 2 merupakan nilai indeks bias dari dua nilai maksimum atau minimum yang berdekatan pada panjang gelombang λ 1 dan λ 2 [8, 9, 10]. Berdasarkan perhitungan ketebalan tersebut maka dapat dihitung laju deposisi untuk setiap proses penumbuhan pada masing-masing nilai temperatur filamen. Hasil perhitungan tersebut dapat dilihat pada Gambar 4 yang menunjukan laju deposisi sebagai fungsi temperatur filamen. Pada Gambar 4 tersebut terlihat bahwa penambahan temperatur filamen dari 800 o C menjadi 1000 o C diikuti oleh peningkatan laju deposisi dari 6,13 Å/s menjadi 14,03 Å/s. Hal ini sangat dimungkinkan karena adanya peningkatan efesiensi dekomposisi gas silan yang cukup tinggi oleh filamen panas, sehingga radikal yang sampai ke daerah elektroda merupakan radikal sederhana. Keadaan ini menyebabkan proses dekomposisi oleh plasma semakin mudah sehingga dapat meningkatkan laju deposisi. Gambar 3. Contoh pola transmitansi optik dari sampel lapisan tipis berdasarkan hasil karakterisasi menggunakan spektrometer UV-Vis. Gambar 4. Grafik laju deposisi terhadap temperatur filamen. 238 Semirata 2013 FMIPA Unila
5 Penambahan temperatur filamen menjadi 1400 o C, tidak diiringi dengan peningkatan laju deposisi yang berarti (laju deposisi pada temperatur filamen 1400 o C sebesar 14,04 Å/s). Peningkatan temperatur filamen dari 1000 o C menjadi 1400 o C tidak banyak memberikan peningkatan efesiensi dekomposisi gas silan sebelum memasuki daerah elektroda. Bahkan setelah melewati temperatur tertentu sangat dimungkinkan bertambahnya radikal-radikal ionik yang berada pada daerah antara elektroda. Radikal ionik ini akan berperilaku sebagai chemical etching pada permukaan lapisan tipis a-si:h. Ion-ion positif akan membombardir permukaan lapisan menyebabkan ikatan yang sudah terbentuk menjadi lepas kembali sehingga mempengaruhi nilai laju deposisi lapisan yang dihasilkan. Sementara itu ion-ion negatif akan terperangkap dalam kawasan sheath (kawasan antara plasma dan substrat) dan akhirnya membentuk partikelpartikel kecil atau debu [6]. CELAH PITA ENERGI OPTIK Nilai celah pita energi optik diperoleh dari data pola transmitansi optik terhadap energi dengan mengobservasi koefisien serapan sebagai fungsi energi foton menggunakan Tauc s law [10, 11] seperti diperlihatkan pada persamaan (2). ( ) (2) Pada persamaan (2), B adalah suatu konstanta, E g adalah celah pita energi optik, h adalah konstanta Planck, dan adalah frekuensi foton. Hasil perhitungan celah pita energi optik untuk masing-masing sampel terdapat pada Tabel 1. Berdasarkan Tabel 1 tersebut nampak bahwa nilai celah pita energi optik menurun seiring dengan peningkatan temperatur filamen. Penurunan nilai celah pita energi optik ini dapat menujukan bahwa penambahan temperatur filamen Tabel 5. Celah pita energi optik (E g ) dari lapisan tipis a-si:h. Temperatur ( C) E g (ev) 800 1, , ,59 berpengaruh pada pengurangan kandungan hidrogen dari lapisan tipis yang terbentuk. Pengurangan kandungan hidrogen ini dapat disebabkan oleh meningkatnya disosiasi molekul gas silan menjadi radikal sederhana dengan bertambahnya temperatur filamen. Dengan demikian, temperatur filamen yang tinggi dapat mengurangi kandungan hidrogen yang menutupi permukaan lapisan tipis tersebut [6], sehingga celah pita energi optiknyapun akan menurun. Penumbuhan pada temperatur filamen 800 o C dan 1000 o C menghasilkan lapisan tipis dengan nilai celah pita energi yang hampir sama dan mendekati nilai 1,7 ev yang bersesuaian dengan batas bawah dari range material a-si:h. Sedangkan penumbuhan pada temperatur filamen 1400 o C menghasilkan lapisan tipis dengan nilai celah pita energi yang lebih kecil. Hal ini dapat mengindikasikan bahwa penambahan temperatur filamen menyebabkan struktur lapisan yang terbentuk mengarah pada pembentukan mikro kristalin (walaupun belum nampak secara jelas dari hasil XRD). Dari semua nilai celah pita energi optik pada Tabel 1 di atas menunjukkan bahwa semua lapisan yang terbentuk dapat menyerap spektrum cahaya tampak dari matahari. KESIMPULAN Berdasarkan hasil dan pembahasan di atas, maka dapat disimpulakan bahwa lapisan tipis a-si:h dapat ditumbuhkan dengan menggunakan teknik HWC-VHF- PECVD baik pada temperatur filamen Semirata 2013 FMIPA Unila 239
6 Andhy Setiawan, dkk: Laju Deposisi dan Celah Pita Energi Optik Lapisan Tipis sebesar 800 o C, 1000 o C maupun 1400 o C. Laju deposisi pada temperatur 1000 o C meningkat dibandingkan pada temperatur 800 o C, tetapi laju deposisi cenderung tetap dari temperatur filamen 1000 o C ke 1400 o C. Penumbuhan ini dapat berlangsung dengan laju deposisi yang cukup tinggi, yaitu 6.13 Å/s hingga Å/s. Adapun nilai celah pita energi optik lapisan yang dihasilkan menurun dengan meningkatnya temperatur filamen, yakni dari 1.68 ev sampai 1.59 ev. Penambahan temperatur filamen diduga dapat mengarahkan pada pembentukan mikro kristal. Berdasarkan besarnya celah pita energi optik maka lapisan tipis yang terbentuk dapat menyerap spektrum cahaya matahari. Sebagai saran, untuk penelitian lebih lanjut perlu kiranya diteliti mengenai sifat listrik dan fotosensitivitas dari lapisan yang telah ditumbuhkan. Lebih jauh lagi perlu diteliti mengenai aplikasi material ini sebagai sel surya terutama berhubungan dengan seberapa besar efesiensi sel surya yang dapat dicapai. UCAPAN TERIMA KASIH Terima kasih dan penghargaan kami sampaikan pada Lab. Fisika Materil Elektronik, Fisika ITB, khususnya anggota Laboratorium PECVD atas penggunaan sistem reaktor PECVD dalam penumbuhan lapisan tipis ini. DAFTAR PUSTAKA [1] Mukhopadhyay, S., S. C. Saha, dan S. Ray. (2001). Role of Substrate Temperature on the Properties of Microcrystalline Silicon Thin Films. Jpn. J. Appl. Phys., 40:1:11, [2] Vet, B. and Zeman, M. (2010). Comparison of a-sic:h and a-sin:h as candidate materials for a p-i interface layer in a-si:h p-i-n solar cells. Energy Procedia, Volume 2, issue 1 (August, 2010), p [3] I. Usman, A. Supu, Mursal, Sukirno, T. Winata and M. Barmawi. (2004). High Deposition Rate of a-si:h by Using Home Made VHF-PECVD Method and its Aplication to p-i-n Solar Cell. Asian J. Energy Environ., Vol. 5, Issue 2, (2004), p [4] Amiruddin Supu. (2005). Penumbuhan Lapisan Tipis a-si:h, μc-si:h dan poly- Si dengan Metode Hot Wire Cell PECVD untuk Fabrikasi Divais Elektronik dan Optoelektronik. Jurusan Fisika Program Pascasarjana, ITB. [5] Jasrudin, Abdul Haris, dan Helmi. (2009). Penumbuhan Lapisan Tipis µc- Si:H Tipe-P Dengan Metode HW- PECVD Untuk Aplikasi Sel Surya. Journal Matematika dan Sains,Vol. 14 No. 1, p [6] Ida Usman. (2006). Penumbuhan Lapisan Tipis Silicon Amorf Terhidrogenasi Dengan Teknik HWC- VHF-PECVD Dan Aplikasinya Pada Divais Sel Surya. Jurusan Fisika Program Pascasarjana, ITB. [7] Satwiko Sidopekso, Elang Jaka Sobirin, dan Toto Winata. (2009). Karakterisasi Sifat Listrik Lapisan Tipis a-si:h dengan Metode HWC-VHF-PECVD. Prosiding Seminar Material Metalurgi 2009, Pusat Penelitian Metalurgi LIPI, p [8] Swanepoel, R. (1983). Determination of the thickness and optical constants of amorphous silicon. Journal of Physics E: Scientific Instruments, 16(12), p [9] M. Mulato, I. Chambouleyron, and J. M. Martínez. (2000). Determination of Thickness and Optical Constants of Amorphous Silicon Films from Transmittance Data. Applied Physics Latter, Vol 77, Issue 14, p [10] Nuwat Pipambute, Thanusit Burinprakhon, and Weerasak Somkhunthot. (2011). Determination of 240 Semirata 2013 FMIPA Unila
7 Optical Constants and Thickness of Amorphous GaP Thin Film. Optica Applicata, Vol. XLI, No.1, p [11] Yue G.H., Peng D.L., Yan P.X., Wang L.S., Wang W., Luo X.H. (2009). Structure and optical properties SnS thin film prepared by pulse electrodeposition. Journal of Alloys and Compounds 468(1 2), pp Semirata 2013 FMIPA Unila 241
BAB I PENDAHULUAN. Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi energi listrik DC secara langsung. Sel surya telah diaplikasikan dalam berbagai bidang, salah
Lebih terperinciPenumbuhan Lapisan Tipis µc-si:h Tipe-P dengan Metode HW-PECVD untuk Aplikasi Sel Surya
Penumbuhan Lapisan Tipis µc-si:h Tipe-P dengan Metode HW-PECVD untuk Aplikasi Sel Surya Jasruddin, Abdul Haris, dan Helmi Departemen Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Negeri
Lebih terperinciPENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL (µc Si:H) TIPE-P DENGAN METODE HOT WIRE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (HW-PECVD)
Bimafika, 2010, 2, 134-140 PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL (µc Si:H) TIPE-P DENGAN METODE HOT WIRE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (HW-PECVD) Marwah * FKIP Unversitas Darussalam
Lebih terperinciOptimasi Parameter Tekanan Deposisi untuk Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Metode HWC PECVD
Optimasi Parameter Tekanan Deposisi untuk Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Metode HWC PECVD Amiruddin Supu 1), I Wayan Sukarjita 1), Fakhruddin 1), Suryani Arsyad Fitri 2), Toto Winata
Lebih terperinciStudi Optimasi Parameter Daya RF untuk Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Metode Hot Wire Cell PECVD
PROC. ITB Sains & Tek. Vol. 37 A, No. 1, 2005, 13-22 13 Studi Optimasi Parameter Daya RF untuk Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Metode Hot Wire Cell PECVD S. Amiruddin 1), I. Usman
Lebih terperinciPENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL TERHIDROGENASI DENGAN TEKNIK HWC-VHF-PECVD
Reaktor, Vol. 13 No. 1, Juni 2010, Hal. 31-36 PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL TERHIDROGENASI DENGAN TEKNIK HWC-VHF-PECVD Ida Usman 1*), Darwin Ismail 1), Heri Sutanto 2) dan Toto Winata 3)
Lebih terperinciAnalisis Sifat-sifat Optoelektronik Lapisan Tipis Silikon Amorf terhidrogenasi yang ditumbuhkan dengan Teknik VHF-PECVD pada Variasi Daya RF
Jurnal Matematika dan Sains Vol. 1 No. 2, Juni 25, hal 63-68 Abstrak Analisis Sifat-sifat Optoelektronik Lapisan Tipis Silikon Amorf terhidrogenasi yang ditumbuhkan dengan Teknik VHF-PECVD pada Variasi
Lebih terperinciSINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION
SINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION Yolanda Oktaviani, Astuti Jurusan Fisika FMIPA Universitas Andalas e-mail: vianyolanda@yahoo.co.id
Lebih terperinciHomogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-si:h tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 8, NOMOR JANUARI 202 Homogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-si:h tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini terlihat dari banyaknya komponen semikonduktor yang digunakan disetiap kegiatan manusia.
Lebih terperinciPengaruh Ketebalan Lapisan Aktif terhadap Karakteristik Sel Surya Berbasis a-si:h yang Ditumbuhkan dengan Teknik HWC-VHF-PECVD
Pengaruh Ketebalan Lapisan Aktif terhadap Karakteristik Sel Surya Berbasis a-si:h yang Ditumbuhkan dengan Teknik HWC-VHF-PECVD Ida Usman 1) dan Toto Winata 2) 1) Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan
Lebih terperinciPengaruh Optis Kontak Belakang terhadap Parameter Optis Lapisan a-si:h
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 8, NOMOR 2 JUNI 2012 Pengaruh Optis Kontak Belakang terhadap Parameter Optis Lapisan a-si:h Ismail dan Eddy Yahya Jurusan Fisika-FMIPA, Institut Teknologi Sepuluh Nopember
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. I.1 Latar Belakang Kebutuhan akan energi semakin berkembang seiring dengan
BAB I PENDAHULUAN I.1 Latar Belakang Kebutuhan akan energi semakin berkembang seiring dengan berkembangnya kehidupan manusia. Sehingga para peneliti terus berupaya untuk mengembangkan sumber-sumber energi
Lebih terperinciEfek Staebler-Wronski dan Pengaruh Waktu Anil pada Lapisan Instrinsik Silikon Amorf Terhidrogenasi (a-si:h)
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 13, NOMOR 2 JUNI 2017 Efek Staebler-Wronski dan Pengaruh Waktu Anil pada Lapisan Instrinsik Silikon Amorf Terhidrogenasi (a-si:h) Yoyok Cahyono, Fuad D. Muttaqin, Umi
Lebih terperinciPenumbuhan Silikon Nanowire dengan Nanokatalis Perak menggunakan Metode HWC-In Plasma-VHF-PECVD melalui Optimasi Tekanan
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 10, NOMOR 2 JUNI 2014 Penumbuhan Silikon Nanowire dengan Nanokatalis Perak menggunakan Metode HWC-In Plasma-VHF-PECVD melalui Optimasi Tekanan Diky Anggoro 1, dan Toto
Lebih terperinciKARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS a-si:h:b UNTUK BAHAN SEL SURYA
ISSN 40-695 KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS a-si:h:b UNTUK BAHAN SEL SURYA Bambang Siswanto, Wirjoadi, Tri Mardji Atmono, Yunanto Puslitbang Teknologi Maju Batan Yogayakarta Jl. Babarsari Kotak
Lebih terperinciPEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS
PEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS Syuhada, Dwi Bayuwati, Sulaiman Pusat Penelitian Fisika-LIPI, Kawasan Puspiptek Serpong Tangerang 15314 e-mail: hadda212@yahoo.com
Lebih terperinciKarakterisasi FTIR pada Studi Awal Penumbuhan CNT dengan Prekursor Nanokatalis Ag dengan Metode HWC-VHF-PECVD
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 13, NOMOR 2 JUNI 2017 Karakterisasi FTIR pada Studi Awal Penumbuhan CNT dengan Prekursor Nanokatalis Ag dengan Metode HWC-VHF-PECVD Ajeng Eliyana 1, dan Toto Winata
Lebih terperinciPENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR
PENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR Penumbuhan film tipis semikonduktor di atas substrat dapat dilakukan secara epitaksi. Dalam bahasa yunani epi berarti di atas dan taksial berarti menyusun dengan kata
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Sebagai negara berkembang yang kaya akan radiasi matahari yang tinggi,
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Sebagai negara berkembang yang kaya akan radiasi matahari yang tinggi, sudah seharusnya Indonesia memanfaatkannya sebagai energi listrik dengan menggunakan sel surya.
Lebih terperinciLogo SEMINAR TUGAS AKHIR. Henni Eka Wulandari Pembimbing : Drs. Gontjang Prajitno, M.Si
SEMINAR TUGAS AKHIR Add Your Company Slogan STUDI AWAL FABRIKASI DAN KARAKTERISASI DYE SENSITIZED SOLAR CELL (DSSC) MENGGUNAKAN EKSTRAKSI BUNGA SEPATU SEBAGAI DYE SENSITIZERS DENGAN VARIASI LAMA ABSORPSI
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Listrik merupakan kebutuhan esensial yang sangat dominan kegunaannya
λ Panjang Gelombang 21 ω Kecepatan Angular 22 ns Indeks Bias Kaca 33 n Indeks Bias Lapisan Tipis 33 d Ketebalan Lapisan Tipis 33 α Koofisien Absorpsi 36 Frekuensi Cahaya 35 υ BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar
Lebih terperinciStruktur kristal dan Morfologi film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan metoda Hot-Wire Pulsed Laser Deposition
Struktur kristal dan Morfologi film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan metoda Hot-Wire Pulsed Laser Deposition Dadi Rusdiana Departemen Fisika, FPMIPA UPI, Jl. Dr.Setiabudi 229 Bandung, Indonesia 40154
Lebih terperinciPembuatan Sel Surya Film Tipis dengan DC Magnetron Sputtering
Pembuatan Sel Surya Film Tipis dengan DC Magnetron Sputtering Desty Anggita Tunggadewi 1, Fitria Hidayanti 1 1 Program Studi Teknik Fisika, Fakultas Teknik dan Sains, Universitas Nasional dtunggadewi@yahoo.co.id,
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban manusia di abad ini. Sehingga diperlukan suatu kemampuan menguasai teknologi tinggi agar bisa
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. energi listrik. Pemanfaatan energi listrik terus berkembang tidak hanya berfokus
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Seiring pertumbuhan penduduk di dunia yang semakin meningkat, kebutuhan akan sumber energi meningkat pula. Termasuk kebutuhan akan sumber energi listrik. Pemanfaatan
Lebih terperinciBAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI
BAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI Pada bab ini dibahas penumbuhan AlGaN tanpa doping menggunakan reaktor PA- MOCVD. Lapisan AlGaN ditumbuhkan dengan variasi laju alir gas reaktan, hasil penumbuhan dikarakterisasi
Lebih terperinciPENGARUH DAYA PLASMA PADA STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING
134 Prosiding Pertemuan Ilmiah XXIV HFI Jateng & DIY, Semarang 10 April 2010 hal. 134-138 PENGARUH DAYA PLASMA PADA STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia Tenggara. Sebagai negara berkembang, Indonesia melakukan swasembada diberbagai bidang, termasuk
Lebih terperinci2 SINTESIS DAN KARAKTERISASI NANOSTRUKTUR ZnO
2 SINTESIS DAN KARAKTERISASI NANOSTRUKTUR ZnO 3 Pendahuluan ZnO merupakan bahan semikonduktor tipe-n yang memiliki lebar pita energi 3,37 ev pada suhu ruang dan 3,34 ev pada temperatur rendah dengan nilai
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini mengalami peralihan dari teknologi mikro (microtechnology) ke generasi yang lebih kecil yang dikenal
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. energi cahaya (foton) menjadi energi listrik tanpa proses yang menyebabkan
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Sel surya merupakan suatu piranti elektronik yang mampu mengkonversi energi cahaya (foton) menjadi energi listrik tanpa proses yang menyebabkan dampak buruk terhadap
Lebih terperinciIII. METODE PENELITIAN
21 III. METODE PENELITIAN 3.1 Waktu dan Tempat Penelitian Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Agustus 2010 - Juni 2011 di Laboratorium Biofisika dan Laboratorium Fisika Lanjut, Departemen Fisika IPB.
Lebih terperinciKontribusi Fisika Indonesia Vol. 12, No.3, Juli 2001
Kontribusi Fisika Indonesia Vol. 12, No.3, Juli 2001 Pengaruh Terhadap Tingkat Kestabilan Efisiensi Sel Surya p-i-n a-si:h Doping Delta Amiruddin Supu 1), Dilla M. 2), Jasruddin Daud Malago 3), Fitri Suryani
Lebih terperinciKarakterisasi FTIR pada Studi Awal Penumbuhan CNT dengan Prekursor Nanokatalis Ag dengan Metode HWC-VHF-PECVD
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 13, NOMOR 2 JUNI 2017 Karakterisasi FTIR pada Studi Awal Penumbuhan CNT dengan Prekursor Nanokatalis Ag dengan Metode HWC-VHF-PECVD Ajeng Eliyana 1, dan Toto Winata
Lebih terperinciOleh: Tyas Puspitaningrum, Tjipto Sujitno, dan Ariswan
Penentuan Band Gap... (Tyas Puspitaningrum) 166 PENENTUAN BAND GAP DAN KONDUKTIVITAS BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS Sn(S 0,8 Te 0,2 ) DAN Sn(S 0,6 Te 0,4 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI TERMAL
Lebih terperinciPengaruh Temperatur dan Waktu Putar Terhadap Sifat Optik Lapisan Tipis ZnO yang Dibuat dengan Metode Sol-Gel Spin Coating
ISSN 2302-8491 Jurnal Fisika Unand Vol. 6, No. 2, April 2017 Pengaruh Temperatur dan Waktu Putar Terhadap Sifat Optik Lapisan Tipis ZnO yang Dibuat dengan Metode Sol-Gel Spin Coating Fitriani *, Sri Handani
Lebih terperinciKarakterisasi XRD. Pengukuran
11 Karakterisasi XRD Pengukuran XRD menggunakan alat XRD7000, kemudian dihubungkan dengan program dikomputer. Puncakpuncak yang didapatkan dari data pengukuran ini kemudian dicocokkan dengan standar difraksi
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Kebutuhan energi yang terus meningkat dan semakin menipisnya cadangan minyak bumi dan gas alam menjadi pendorong bagi manusia untuk mencari sumber energi alternatif.
Lebih terperinciSTRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPIS TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 S 0.8 ) HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA
J. Sains Dasar 2015 4 (2) 198-203 STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPIS TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 S 0.8 ) HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA THE STRUCTURE AND CHEMICAL
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Nanoteknologi adalah ilmu yang mempelajari, menciptakan dan merekayasa material berskala nanometer dimana terjadi sifat baru. Kata nanoteknologi berasal dari
Lebih terperinciPERKEMBANGAN SEL SURYA
PERKEMBANGAN SEL SURYA Generasi Pertama Teknologi pertama yang berhasil dikembangkan oleh para peneliti adalah teknologi yang menggunakan bahan silikon kristal tunggal. Teknologi ini dalam mampu menghasilkan
Lebih terperinciBAB 1 PENDAHULUAN Latar Belakang
BAB 1 PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Memasuki abad 21, persediaan minyak dan gas bumi semakin menipis. Sementara kebutuhan akan energi semakin meningkat, terutama dirasakan pada negara industri. Kebuthan
Lebih terperinci: Dr. Budi Mulyanti, MSi. Pertemuan ke-15 CAKUPAN MATERI
MATA KULIAH KODE MK Dosen : FISIKA DASAR II : EL-122 : Dr. Budi Mulyanti, MSi Pertemuan ke-15 CAKUPAN MATERI 1. EKSITASI ATOMIK 2. SPEKTRUM EMISI HIDROGEN 3. DERET SPEKTRUM HIDROGEN 4. TINGKAT ENERGI DAN
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Penelitian Zeniar Rossa Pratiwi,2013
1 BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Penelitian Kebutuhan akan energi yang terus meningkat memaksa manusia untuk mencari sumber-sumber energi terbarukan. Sampai saat ini sebagian besar sumber energi berasal
Lebih terperinciKARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT GELAS UNTUK JENDELA SEL SURYA
GANENDRA, Vol. V, N0.2 ISSN 1410-6957 KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT GELAS UNTUK JENDELA SEL SURYA Wirjoadi, Yunanto, Bambang Siswanto, Sri Sulamdari, Sudjatmoko Puslitbang
Lebih terperinciDistribusi Celah Pita Energi Titania Kotor
Jurnal Nanosains & Nanoteknologi ISSN 1979-0880 Edisi Khusus, Agustus 009 Distribusi Celah Pita Energi Titania Kotor Indah Nurmawarti, Mikrajuddin Abdullah (a), dan Khairurrijal Kelompok Keahlian Fisika
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Krisis energi saat ini yang melanda dunia masih dapat dirasakan terutama di
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Krisis energi saat ini yang melanda dunia masih dapat dirasakan terutama di Indonesia. Pada tahun 2000 hingga tahun 2004 konsumsi energi primer Indonesia meningkat
Lebih terperinciMODEL HUBUNGAN KETEBALAN TERHADAP MASSA SUMBER PADA SINTESIS NANOLAYER Al MENGGUNAKAN EVAPORASI TERMAL
MODEL HUBUNGAN KETEBALAN TERHADAP MASSA SUMBER PADA SINTESIS NANOLAYER Al MENGGUNAKAN EVAPORASI TERMAL Andhy Setiawan 1, Hasniah Aliah 2,Toto Winata 3 1 Program Studi Fisika FPMIPA Universitas Pendidikan
Lebih terperinciYang akan dibahas: 1. Kristal dan Ikatan pada zat Padat 2. Teori Pita Zat Padat
ZAT PADAT Yang akan dibahas: 1. Kristal dan Ikatan pada zat Padat 2. Teori Pita Zat Padat ZAT PADAT Sifat sifat zat padat bergantung pada: Jenis atom penyusunnya Struktur materialnya Berdasarkan struktur
Lebih terperinciSTUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI
Studi Pengaruh Suhu Substrat. (Rully Fakhry Muhammad) 303 STUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI STUDY
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC)
39 HASIL DAN PEMBAHASAN Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC) Hasil karakterisasi dengan Difraksi Sinar-X (XRD) dilakukan untuk mengetahui jenis material yang dihasilkan disamping menentukan
Lebih terperinciOptimasi Tekanan Deposisi dalam Simulasi Efisiensi Sel Surya Berbasis Material a-si:h
Jurnal Gradien Vol. 8 No. 1 Januari 2012 : 716-721 Optimasi Tekanan Deposisi dalam Simulasi Efisiensi Sel Surya Berbasis Material a-si:h Endhah Purwandari1*, Toto Winata2 1) Jurusan Fisika FMIPA Universitas
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen yang dilakukan di
BAB III METODE PENELITIAN Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen yang dilakukan di lab. Fisika Material, Jurusan Pendidikan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas
Lebih terperinciStruktur dan konfigurasi sel Fotovoltaik
9 Gambar 17. Struktur dan konfigurasi sel Fotovoltaik BST yang sudah mengalami proses annealing dipasang kontak di atas permukaan substrat silikon dan di atas film tipis BST. Pembuatan kontak ini dilakukan
Lebih terperinciI. PENDAHULUAN. Lapisan tipis adalah suatu lapisan yang sangat tipis terbuat dari bahan organik,
I. PENDAHULUAN A. Latar Belakang Lapisan tipis adalah suatu lapisan yang sangat tipis terbuat dari bahan organik, inorganik, logam maupun campuran metal organik dan memiliki sifat-sifat konduktor, semikonduktor
Lebih terperinciF- 1. PENGARUH PENYISIPAN LOGAM Fe PADA LAPISAN TiO 2 TERHADAP PERFORMANSI SEL SURYA BERBASIS TITANIA
PENGARUH PENYISIPAN LOGAM Fe PADA LAPISAN TiO 2 TERHADAP PERFORMANSI SEL SURYA BERBASIS TITANIA Rita Prasetyowati, Sahrul Saehana, Mikrajuddin Abdullah (a), dan Khairurrijal Kelompok Keahlian Fisika Material
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Energi cahaya matahari dapat dikonversi menjadi energi listrik melalui suatu sistem yang disebut sel surya. Peluang dalam memanfaatkan energi matahari masih
Lebih terperinciSIFAT OPTIK DARI FILM TIPIS BARIUM STRONSIUM TITANAT MENGGUNAKAN KARAKTERISASI SPEKTROSKOPI ULTRAVIOLET- VISIBLE. TaufiqHidayat*, Rahmi Dewi, Krisman
SIFAT OPTIK DARI FILM TIPIS BARIUM STRONSIUM TITANAT MENGGUNAKAN KARAKTERISASI SPEKTROSKOPI ULTRAVIOLET- VISIBLE TaufiqHidayat*, Rahmi Dewi, Krisman Jurusan Fisika FakultasMatematikadanIlmuPengetahuanAlamUniversitas
Lebih terperinciTeknologi Plasma. dalam Industri Manufaktur Semikonduktor dan Divais Elektronik. (Bagian I) Prof. Dr. Ir. Setijo Bismo, DEA.
Teknologi Plasma dalam Industri Manufaktur Semikonduktor dan Divais Elektronik (Bagian I) Prof. Dr. Ir. Setijo Bismo, DEA. Departemen Teknik Kimia Fakultas Teknik Universitas Indonesia Monday, 12 October
Lebih terperinciPEMBUATAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI (a-si:h) UNTUK BAHAN SEL SURYA
GANENDRA, Vol.VI, N0.1 ISSN 1410-6957 PEMBUATAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI (a-si:h) UNTUK BAHAN SEL SURYA Wirjoadi, Sudjatmoko, Yunanto, Bambang Siswanto, Sri Sulamdari Puslibang Teknologi
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN Latar Belakang Masalah
1 BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Karena tidak akan ada kehidupan di permukaan bumi tanpa energi matahari maka sebenarnya pemanfaatan energi matahari sudah berusia setua kehidupan itu sendiri.
Lebih terperinciModul - 4 SEMIKONDUKTOR
Modul - 4 SEMIKONDUKTOR Disusun Sebagai Materi Pelatihan Guru-Guru SMA/MA Provinsi Nangro Aceh Darussalam Disusun oleh: Dr. Agus Setiawan, M.Si Dr. Dadi Rusdiana, M.Si Dr. Ida Hamidah, M.Si Dra. Ida Kaniawati,
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. modern pada fotokonduktor ultraviolet (UV) membutuhkan material
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Pengembangan material semikonduktor tidak lepas dari perkembangan piranti elektronik diantaranya fotokonduktor ultraviolet (UV). Tuntutan aplikasi modern pada
Lebih terperinciSTUDI AWAL FABRIKASI DYE SENSITIZED SOLAR CELL (DSSC) DENGAN EKSTRAKSI DAUN BAYAM SEBAGAI DYE SENSITIZER DENGAN VARIASI JARAK SUMBER CAHAYA PADA DSSC
STUDI AWAL FABRIKASI DYE SENSITIZED SOLAR CELL (DSSC) DENGAN EKSTRAKSI DAUN BAYAM SEBAGAI DYE SENSITIZER DENGAN VARIASI JARAK SUMBER CAHAYA PADA DSSC Surabaya 27 Januari 2012 Perumusan Masalah B Latar
Lebih terperinciSIFAT OPTIK, STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO
ISSN 1410-6957 SIFAT OPTIK, STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO Wirjoadi, Bambang Siswanto Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan, BATAN
Lebih terperinciSIFAT OPTIK STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO
Wirjoadi, dkk. ISSN 0216-3128 369 SIFAT OPTIK STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO Wirjoadi, Bambang Siswanto Pusat Teknologi Akselerator dan Proses
Lebih terperinciESTIMASI KETEBALAN NANOLAYER AL YANG DISINTESIS MENGGUNAKAN EVAPORASI TERMAL
Jurnal Fisika Vol. 3 No. 1, Mei 2013 31 ESTIMASI KETEBALAN NANOLAYER AL YANG DISINTESIS MENGGUNAKAN EVAPORASI TERMAL Andhy Setiawan 1*, Hasniah Aliah 2 and Toto Winata 3 1 Jurusan Pendidikan Fisika FPMIPA
Lebih terperinciLogo SEMINAR TUGAS AKHIR. Ana Thoyyibatun Nasukhah Pembimbing : Drs. Gontjang Prajitno, M.Si
SEMINAR TUGAS AKHIR Add Your Company Slogan FABRIKASI DAN KARAKTERISASI DYE SENSITIZED SOLAR CELL (DSSC) DENGAN MENGGUNAKAN EKTRAKSI DAGING BUAH NAGA MERAH (HYLOCEREUS POLYRHIZUS) SEBAGAI DYE SENSITIZER
Lebih terperinciANALISIS LEBAR CELAH PITA ENERGI DAN IKATAN MOLEKUL LAPISAN TIPIS a-si:h YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE PECVD
TUGAS AKHIR - SF 141501 ANALISIS LEBAR CELAH PITA ENERGI DAN IKATAN MOLEKUL LAPISAN TIPIS a-si:h YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE PECVD Umi Maslakah NRP 1110 100 030 Dosen Pembimbing Prof. Dr. Darminto,
Lebih terperinciPENGARUH OPTIMASI CELAH PITA ENERGI DAN KETEBALAN LAPISAN TIPE-i PADA EFISIENSI SEL SURYA SILIKON AMORF SAMBUNGAN p-i-n
TESIS SF142502 PENGARUH OPTIMASI CELAH PITA ENERGI DAN KETEBALAN LAPISAN TIPE-i PADA EFISIENSI SEL SURYA SILIKON AMORF SAMBUNGAN p-i-n IGNATIO BENIGNO 1115 201 008 DOSEN PEMBIMBING Prof. Dr. Darminto,
Lebih terperinciStruktur Double Barrier Untuk Aplikasi Pada Divais Silikon Amorf
Kontribusi Fisika Indonesia Vol. No., Januari 00 Struktur Double Barrier Untuk Aplikasi Pada Divais Silikon Amorf Ida Hamidah dan Wilson W. Wenas Laboratorium Riset Semikonduktor, Jurusan Fisika ITB Jl.
Lebih terperinciFisika Modern (Teori Atom)
Fisika Modern (Teori Atom) 13:05:05 Sifat-Sifat Atom Atom stabil adalah atom yang memiliki muatan listrik netral. Atom memiliki sifat kimia yang memungkinkan terjadinya ikatan antar atom. Atom memancarkan
Lebih terperinciSIFAT-SIFAT OPTIK DAN LISTRIK BAHAN SEMIKONDUKTOR SnS LAPISAN TIPIS HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA ABSTRAK
SIFAT-SIFAT OPTIK DAN LISTRIK BAHAN SEMIKONDUKTOR SnS LAPISAN TIPIS HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA Ganesha Antarnusa. 1, Tjipto Sujitno 2, Ariswan 3 1 Mahasiswa
Lebih terperinciPENGARUH KONSENTRASI PREKURSOR TERHADAP SIFAT OPTOELEKTRONIK Mn 3O 4
PENGARUH KONSENTRASI PREKURSOR TERHADAP SIFAT OPTOELEKTRONIK Mn 3O 4 Amiruddin Zainuddin *), Subaer, Abdul Haris Pusat Penelitian Geopolimer - Lab. Fisika Material Jurusan Fisika, FMIPA Universitas Negeri
Lebih terperinciJOBSHEET SENSOR CAHAYA (SOLAR CELL)
JOBSHEET SENSOR CAHAYA (SOLAR CELL) A. TUJUAN 1. Merancang sensor sel surya terhadap besaran fisis. 2. Menguji sensor sel surya terhadap besaran fisis. 3. Menganalisis karakteristik sel surya. B. DASAR
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN. perlakuan panas atau annealing pada lapisan sehingga terbentuk butiran-butiran
BAB III METODOLOGI PENELITIAN 3.1 Metode penelitian Metode penelitian yang digunakan pada penelitian ini adalah eksperimen dengan membuat lapisan tipis Au di atas substrat Si wafer, kemudian memberikan
Lebih terperinciPENGEMBANGAN SISTEM PENGUKUR KARAKTERISTIK I-V SEL SURYA DALAM KEADAAN PENYINARAN DAN TANPA PENYINARAN
Program Studi Fisika Jurusan Pendidikan Fisika FPMIPA UNIVERSITAS PENDIDIKAN INDONESIA PENGEMBANGAN SISTEM PENGUKUR KARAKTERISTIK I-V SEL SURYA DALAM KEADAAN PENYINARAN DAN TANPA PENYINARAN Latar Belakang
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Spektrum elektromagnetik yang mampu dideteksi oleh mata manusia
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar belakang Spektrum elektromagnetik yang mampu dideteksi oleh mata manusia berada dalam rentang spektrum cahaya tampak yang memiliki panjang gelombang dari 400 900 nm. Sedangkan
Lebih terperinci2014 PEMBUATAN BILAYER ANODE - ELEKTROLIT CSZ DENGAN METODE ELECTROPHORETIC DEPOSITION
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Kebutuhan listrik dunia semakin meningkat seiring berjalannya waktu. Hal ini tentu disebabkan pertumbuhan aktivitas manusia yang semakin padat dan kebutuhan
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. Gambar 11. Rangkaian pengukuran karakterisasi I-V.
10 larutan elektrolit yang homogen. Pada larutan yang telah homogen dengan laju stirring yang sama ditambahkan larutan elektrolit KI+I 2 sebanyak 10 ml dengan konsentrasi 0.3 M tanpa annealing. Setelah
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. Pelaksanaan penelitian ini pada dasarnya meliputi tiga tahapan proses
BAB III METODE PENELITIAN Pelaksanaan penelitian ini pada dasarnya meliputi tiga tahapan proses diawali dengan tahap persiapan, tahap penumbuhan, dan tahap karakterisasi. Pada bab ini dibahas tentang metode
Lebih terperinciSTUDI DISORDER LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING
MAKARA, SAINS, VOL. 6, NO. 2, AGUSTUS 2002 STUDI DISORDER LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING Lusitra Munisa 1 dan Rosari Saleh 2 1. Program Studi Ilmu Fisika,
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN Latar Belakang
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Sel surya merupakan salah satu divais elektronik yang dapat mengubah secara langsung energi radiasi matahari menjadi energi listrik. Sel surya merupakan sumber energi
Lebih terperinciSintesis Nanopartikel ZnO dengan Metode Kopresipitasi
Sintesis Nanopartikel ZnO dengan Metode Kopresipitasi NURUL ROSYIDAH Jurusan Fisika Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Institut Teknologi Sepuluh Nopember Pendahuluan Kesimpulan Tinjauan Pustaka
Lebih terperinciFOTOVOLTAIK PASANGAN ELEKTRODA CUO/CU DAN CUO/STAINLESS STEEL MENGGUNAKAN METODE PEMBAKARAN DALAM BENTUK TUNGGAL DAN SERABUT DENGAN ELEKTROLIT NA2SO4
FOTOVOLTAIK PASANGAN ELEKTRODA CUO/CU DAN CUO/STAINLESS STEEL MENGGUNAKAN METODE PEMBAKARAN DALAM BENTUK TUNGGAL DAN SERABUT DENGAN ELEKTROLIT NA2SO4 Olly Norita Tetra*, Admin Alif dan Riana Marta Laboratorium
Lebih terperinciBAB II TINJAUAN UMUM
BAB II TINJAUAN UMUM 2.1 Solar Cell Solar Cell atau panel surya adalah suatu komponen pembangkit listrik yang mampu mengkonversi sinar matahari menjadi arus listrik atas dasar efek fotovoltaik. untuk mendapatkan
Lebih terperinciBab III Metodologi Penelitian
Bab III Metodologi Penelitian Penelitian ini dilaksanakan di Laboratorium Penelitian Kimia Analitik, Program Studi Kimia FMIPA ITB sejak September 2007 sampai Juni 2008. III.1 Alat dan Bahan Peralatan
Lebih terperinciGambar Semikonduktor tipe-p (kiri) dan tipe-n (kanan)
Mekanisme Kerja Devais Sel Surya Sel surya merupakan suatu devais semikonduktor yang dapat menghasilkan listrik jika diberikan sejumlah energi cahaya. Proses penghasilan energi listrik itu diawali dengan
Lebih terperinciDAFTAR ISI. PERNYATAAN BEBAS PLAGIARISME... ii. HALAMAN PENGESAHAN... iii. HALAMAN TUGAS... iv. HALAMAN PERSEMBAHAN... v. HALAMAN MOTO...
ix DAFTAR ISI PERNYATAAN BEBAS PLAGIARISME... ii HALAMAN PENGESAHAN... iii HALAMAN TUGAS... iv HALAMAN PERSEMBAHAN... v HALAMAN MOTO... vi KATA PENGANTAR... vii DAFTAR ISI... ix DAFTAR TABEL... xiii DAFTAR
Lebih terperinciTEMA: ENERGI TERBARUKAN. FABRIKASI SEL SURYA BERBASIS SILIKON DENGAN LAPISAN ANTI REFLEKSI ZnO MENGGUNAKAN TEKNOLOGI THICK FILM
Bidang Ilmu Teknologi RINGKASAN LAPORAN TAHAP I HIBAH KOMPETITIF PENELITIAN SESUAI PRIORITAS NASIONAL TEMA: ENERGI TERBARUKAN FABRIKASI SEL SURYA BERBASIS SILIKON DENGAN LAPISAN ANTI REFLEKSI ZnO MENGGUNAKAN
Lebih terperinciEfek doping Al pada sifat optik dan listrik lapisan tipis ZnO hasil deposisi dengan DC sputtering
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 1, NOMER 1 JANUARI 2005 Efek doping Al pada sifat optik dan listrik lapisan tipis ZnO hasil deposisi dengan DC sputtering SriYaniPurwaningsih, 1 Karyono, 2 dansudjatmoko
Lebih terperinciTUGAS AKHIR SF141501
TUGAS AKHIR SF141501 PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI (a-si:h) TIPE-N DENGAN PENGENCERAN H2 MENGGUNAKAN PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (PECVD) Cahyaning Fajar Kresna Murti
Lebih terperinciPENGARUH KONSENTRASI BORON TERHADAP SIFAT LISTRIK LAPISAN TIPIS (a-si:h:b)
ISSN 1410-6951 PENGARUH KONSENTRASI BORON TERHADAP SIFAT LISTRIK LAPISAN TIPIS (a-si:h:b) Bambang Siswanto, Wirjoadi, Sudjatmoko Puslitbang Teknologi Maju Batan Yogyakarta Jl. Babarsari Kotak Pos 6101
Lebih terperinciPENENTUAN PANJANG GELOMBANG EMISI PADA NANOPARTIKEL CdS DAN ZnS BERDASARKAN VARIASI KONSENTRASI MERCAPTO ETHANOL
PENENTUAN PANJANG GELOMBANG EMISI PADA NANOPARTIKEL CdS DAN ZnS BERDASARKAN VARIASI KONSENTRASI MERCAPTO ETHANOL Muhammad Salahuddin 1, Suryajaya 2, Edy Giri R. Putra 3, Nurma Sari 2 Abstrak:Pada penelitian
Lebih terperinciPANEL SURYA dan APLIKASINYA
PANEL SURYA dan APLIKASINYA Suplai energi surya dari sinar matahari yang diterima oleh permukaan bumi sebenarnya sangat luar biasa besarnya yaitu mencapai 3 x 10 24 joule pertahun. Jumlah energi sebesar
Lebih terperinciRancang Bangun Spektrofotometer untuk Analisis Temperatur Matahari di Laboratorium Astronomi Jurusan Fisika UM
Rancang Bangun Spektrofotometer untuk Analisis Temperatur Matahari di Laboratorium Astronomi Jurusan Fisika UM NOVITA DEWI ROSALINA*), SUTRISNO, NUGROHO ADI PRAMONO Jurusan Fisika FMIPA Universitas Negeri
Lebih terperinciPLTS. Pembangkit listrik yang memanfaatkan sinar matahari sebagai sumber penghasil listrik. (Sumber : Buku Paket Kelas XI, Yudhistira)
REKAYASA KELAS XI PLTS Prakata PLTS Pembangkit listrik yang memanfaatkan sinar matahari sebagai sumber penghasil listrik. (Sumber : Buku Paket Kelas XI, Yudhistira) Pembangkit listrik yang mengkonversikan
Lebih terperinciBAB III METODE PELAKSANAAN. Metode penelitian yang dilakukan menggunakan eksperimen murni yang
25 BAB III METODE PELAKSANAAN Metode penelitian yang dilakukan menggunakan eksperimen murni yang dilakukan di laboratorium. Metode yang digunakan untuk penumbuhan film tipis LiTaO 3 adalah metode spin-coating.
Lebih terperinciWidyanuklida, Vol. 15 No. 1, November 2015: ISSN
Widyanuklida, Vol. 15 No. 1, November 2015: 22-27 ISSN 1410-5357 Penentuan Struktur Kristal dan Komposisi Kimia Lapisan Tipis Sn(Se 0,5 S 0,5 ) Hasil Preparasi Teknik Evaporasi untuk Aplikasi Sel Surya
Lebih terperinci