STUDI DISORDER LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING
|
|
- Liana Tedjo
- 7 tahun lalu
- Tontonan:
Transkripsi
1 MAKARA, SAINS, VOL. 6, NO. 2, AGUSTUS 2002 STUDI DISORDER LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING Lusitra Munisa 1 dan Rosari Saleh 2 1. Program Studi Ilmu Fisika, Program Pascasarjana Universitas Indonesia, Jakarta, Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Indonesia, Depok, rosari@ .globalinfo.net Abstrak Ketidakteraturan jaringan amorf dari lapisan tipis amorf silikon karbon (a-sic:h) hasil deposisi metode dc sputtering telah diteliti. Lapisan tipis dideposisi dengan menggunakan target silikon dalam campuran gas argon dan metan. Koefisien absorpsi optis α (E) diperoleh dari hasil pengukuran reflektansi dan transmitansi spektroskopi UV-VIS (ultra violet-visible). Parameter disorder diketahui dari kurva koefisien absorpsi optis α (E) dengan menggunakan plot Tauc. Peningkatan flow rate gas metan berpengaruh terhadap peningkatan gap optis dan berkurangnya parameter disorder. Jaringan amorf pada lapisan tipis cenderung makin tidak teratur dengan peningkatan flow rate gas metan. Relasi ketidakteraturan jaringan amorf terhadap struktur dan komposisi lapisan tipis akan didiskusikan. Abstract Disorder Study of Amorphous Silicon Carbon (a-sic:h) Films Deposited by DC Sputtering Method. Disorder amorphous network of amorphous silicon carbon (a-sic:h) films has been investigated for films prepared by dc sputtering method. The films were deposited using silicon target in argon and methane gas mixtures. The optical absorption coefficients have been performed by UV-VIS (ultra violet-visible) reflectance and transmittance spectroscopy. Disorder parameter has been obtained from the optical absorption coefficient α (E) using Tauc plot. Increasing methane flow rate has an effect on increasing Tauc gap and decreasing disorder parameter. The amorphous network of the films tends to be more disorder with increasing methane flow rate. The relation of disorder amorphous network with structural and compositional properties will be discussed. Keywords: Disorder, amorphous silicon carbon, sputtering, structural properties, infrared Pendahuluan Salah satu kelebihan utama dari amorf silikon karbon (a-sic:h) adalah lebar gap optis yang dimilikinya lebih besar dari a-si:h sehingga sering digunakan sebagai lapisan transparan yang di-dop pada aplikasi sel surya, sensor dan elektrolumenisensi [1]. Peningkatan lebar gap optis dengan kehadiran karbon dalam jaringan a- Si:H diikuti dengan bertambah buruknya sifat listriknya dan peningkatan disorder [2]. Kehadiran karbon dapat meningkatkan lebar densitas keadaan di daerah tail pita energi, yang dapat menurunkan mobilitas drift sehingga memperburuk sifat listrik [1], sedangkan berkurangnya disorder diperkirakan karena kehadiran trigonal C=C sp 2 dalam jaringan amorf tetrahedral sp 3 [2]. Densitas keadaan di bagian tail pita valensi dan konduksi terefleksi pada kemiringan kurva absorpsi optis sehingga dapat digunakan untuk mengetahui sifat listrik dan disorder semikonduktor amorf [1]. Sifat listrik yang kurang baik juga diperkirakan berhubungan dengan karakteristik struktur seperti jumlah void yang tinggi atau terbentuknya ikatan hidrogen tertentu [3]. Oleh karena itu perlu diketahui karakteristik struktur dan relasinya dengan disorder material semikonduktor amorf yang berpengaruh terhadap sifat listriknya. Lapisan tipis amorf silikon karbon (a-sic:h) yang akan dipelajari pada penelitian ini dihasilkan dengan metode deposisi dc sputtering. Sifat optis dan disorder lapisan tipis a-sic:h diperoleh dari hasil eksperimen spektroskopi optis UV-VIS, kemudian dengan bantuan hasil eksperimen absorpsi inframerah akan didiskusikan relasi keteraturan terhadap struktur ikatan-strktur ikatan yang terdapat pada lapisan tipis. 78
2 MAKARA, SAINS, VOL. 6, NO. 2, AGUSTUS Eksperimental Target silikon berkemurnian 5N digunakan sebagai sumber silikon pada proses deposisi lapisan tipis amorf silikon karbon (a-sic:h) dengan metode dc sputtering. Lapisan tipis dideposisi dalam campuran gas argon dan metan CH 4 dengan lima variasi flow rate gas metan 4, 6, 8, 10 dan 12 sccm. Sebelum proses deposisi, ruang dipompa sampai tekanan ~10-6 mbar. Deposisi dilakukan pada temperatur substrat konstan 200 C dan daya konstan 200 W di atas substrat corning 7059 untuk pengukuran optis dan substrat monokristal silikon untuk pengukuran inframerah. Spektrum transmitansi dan reflektansi diukur untuk daerah panjang gelombang nm dengan spektroskopi UV-VIS menggunakan referensi substrat corning Koefisien absorpsi optis α (E) diperoleh dari spektrum reflektansi dan transmitansi [4] dengan harga ketebalan lapisan tipis yang didapatkan dari profilometer. Gap optis dan parameter disorder diperoleh dari plot Tauc [5] dari kurva α (E) seperti telah dikemukakan sebelum ini [6]. Absorpsi inframerah di daerah bilangan gelombang cm -1 diukur dengan fourier transform infrared/ftir spektrokopi. Integral absorpsi diperoleh dari pendekatan kurva koefisien absorpsi dengan fungsi Gaussian seperti telah dikemukakan sebelum ini [7]. Teknik analisis microprobe dengan berkas elektron (electron probe microanalysis/epma) digunakan untuk memperoleh konsentrasi karbon dan silikon menggunakan referensi kristal SiC berkomposisi stoikiometri, selain itu digunakan pula metode Rutherford Backscattering/RBS. Konsentrasi hidrogen diperoleh dari pengukuran efusi hidrogen dengan menggunakan spektrometer massa seperti dikemukakan sebelum ini [8]. Hasil dan Pembahasan Ekstrapolasi ke α=0 dari plot kurva (αe) ½ sebagai fungsi E dari relasi Tauc [5] diperlihatkan pada Gambar 1. Hasil ekstrapolasi berupa gap optis E Tauc untuk kelima variasi flow rate gas metan diperlihatkan di inset pada Gambar 2. Gambar tersebut memperlihatkan peningkatan lebar gap optis dengan bertambahnya flow rate gas metan sampai 12 sccm, seperti telah dikemukakan sebelum ini [6]. Peningkatan gap optis dengan peningkatan flow rate gas metan juga diperoleh Pereyra dan Carreño [9]. Selain gap optis, dari gradien kurva (αe) ½ sebagai fungsi E dapat diperoleh parameter B seperti diperlihatkan pada Gambar 2 untuk kelima variasi flow rate gas metan, yang menunjukkan kecenderungan berkurang dengan peningkatan flow rate gas metan. Parameter B berhubungan dengan gradien densitas keadaan elektron di pita valensi dan pita (αe) 1/2 (cm -1/2 ev -1/2 ) CH 4 4 sccm 6 sccm 8 sccm 10 sccm 12 sccm Energi (ev) Gambar 1. Plot (αe) ½ versus E dari lapisan tipis a-sic:h E Tauc CH 4 ( sccm ) CH 4 (sccm) Gambar 2. Parameter B terhadap flow rate CH 4 ;inset: Gap optik E Tauc terhadap flow rate CH 4. konduksi. Berkurangnya harga parameter ini dengan peningkatan flow rate gas metan berhubungan dengan semakin landainya gradien densitas keadaan elektron di pita valensi dan pita konduksi, yang berhubungan dengan peningkatan lebar daerah tail [1]. Perubahan lebar tail densitas keadaan elektron di kedua pita berhubungan dengan disorder jaringan amorf dan karakteristik ikatan [10]. Berkurangnya parameter B menunjukkan peningkatan disorder pada jaringan amorf karena perubahan distribusi rata-rata sudut ikatan dengan peningkatan flow rate gas yang mengakibatkan peningkatan lebar daerah tail. Relasi parameter B terhadap struktur ikatan-struktur ikatan yang terdapat pada lapisan tipis a-sic:h dipelajari dengan hasil analisis spektrum absorpsi inframerah. Hasil analisis terhadap kelima lapisan tipis telah dilaporkan sebelum ini [7] sebagai berikut : struktur ikatan Si-H terdapat di sekitar 640 cm -1 untuk vibrasi wagging, di sekitar 2000 dan 2100 cm -1 untuk vibrasi stretching dan struktur ikatan C-H terdapat di sekitar 2900 cm -1 untuk vibrasi stretching, sedangkan
3 80 MAKARA, SAINS, VOL. 6, NO. 2, AGUSTUS 2002 I 640 I Gambar 3a. Relasi parameter B terhadap integral absorpsi vibrasi wagging Si-H di sekitar 640 cm -1, I 640 lapisan tipis a-sic:h untuk kelima flow rate CH 4. Gambar 3b. Relasi parameter B terhadap integral absorpsi vibrasi stretching C-H di sekitar 2900 cm -1, I 2900 lapisan tipis a-sic:h untuk kelima flow rate CH 4. I 2100 I 2000 I 780 I 720 I 720 +I Gambar 3c. Relasi parameter B terhadap integral absorpsi vibrasi stretching Si-H di sekitar 2000 cm -1, I 2000 dan 2100 cm -1, I 2100 lapisan tipis a-sic:h untuk kelima flow rate CH 4. Gambar 3d. Relasi parameter B terhadap integral absorpsi vibrasi stretching Si-C di sekitar 720 cm -1, I 720, 780 cm - 1, I 780 dan penjumlahannya I I 780 lapisan tipis a-sic:h untuk kelima flow rate CH 4. struktur ikatan Si-C terdapat di sekitar 720 dan 780 cm -1 untuk vibrasi stretching. Gambar 3a dan 3b memperlihatkan relasi integral absorpsi di sekitar 640 cm -1 dan 2900 cm -1 terhadap parameter B. Kedua gambar tersebut memperlihatkan relasi non-linier positif antara parameter B dengan struktur ikatan Si-H dan C-H. Garis pada gambar bukan merupakan suatu fungsi tetapi hanya alat bantu untuk melihat kecenderungan data. Peningkatan kedua struktur ikatan tersebut mengurangi harga parameter B. Gambar 3c memperlihatkan relasi integral absorpsi di sekitar 2000 dan 2100 cm -1 terhadap parameter B. Kedua integral absorpsi menunjukkan relasi yang berlawanan, relasi yang non-linier positif diperoleh untuk struktur ikatan di sekitar 2000 cm -1, sedangkan relasi non-linier negatif terlihat untuk struktur ikatan di sekitar 2100 cm -1. Garis pada gambar bukan merupakan suatu fungsi tetapi hanya alat bantu untuk melihat kecenderungan data. Kedua integral absorpsi tersebut berhubungan dengan vibrasi stretching Si-H yang berbeda, absorpsi di sekitar 2000 berhubungan dengan vibrasi stretching Si-H pada bulk sedangkan absorpsi di sekitar 2100 cm -1 berhubungan dengan vibrasi stretching Si-H pada permukaan bagian dalam void [8,11]. Berkurangnya parameter B dipengaruhi oleh peningkatan struktur ikatan Si-H pada permukaan bagian dalam void. Relasi struktur ikatan Si-C dengan parameter B diperlihatkan oleh integral absorpsi di sekitar 720 cm -1, I 720, 780 cm -1,
4 MAKARA, SAINS, VOL. 6, NO. 2, AGUSTUS I 780 dan penjumlahan keduanya I seperti pada Gambar 3d. Relasi non-linier positif diperoleh untuk ketiga integral absorpsi tersebut. Pengaruh yang lebih besar terhadap berkurangnya harga parameter B ditunjukkan oleh integral hasil penjumlahan kedua integral absorpsi di sekitar 720 dan 780 cm -1, I Garis pada gambar bukan merupakan suatu fungsi tetapi hanya alat bantu untuk melihat kecenderungan data. Walaupun keduanya berhubungan dengan vibrasi stretching Si-C tetapi kedua absorpsi tersebut merupakan hasil vibrasi dari gugus Si-C yang berbeda, vibrasi stretching Si-C dalam gugus H-Si-C di sekitar 720 dan vibrasi stretching Si-C tanpa hidrogen absorpsi di sekitar 780 cm -1 [8,12]. Berkurangnya parameter B berhubungan dengan peningkatan struktur ikatan Si-C dalam gugus H-Si-C maupun Si-C. Relasi-relasi yang diperlihatkan pada Gambar 3 menunjukkan bahwa berkurangnya harga parameter B, yang berhubungan dengan disorder jaringan amorf, dipengaruhi oleh peningkatan struktur ikatan-struktur ikatan yang terdapat pada lapisan tipis yakni Si-H, Si-C dan C-H. De Cesara [13] hanya menghubungkan peningkatan disorder jaringan amorf dengan bertambahnya jumlah ikatan Si-C pada lapisan tipis a-sic:h. Beberapa peneliti [13-15] menghubungkan berkurangnya parameter B dengan peningkatan konsentrasi karbon, padahal gas metan yang mengandung hidrogen digunakan sebagai sumber karbon dalam proses deposisi lapisan tipis a-sic:h. Seperti telah dikemukakan di atas bahwa tidak hanya struktur ikatan Si-C yang berkontribusi pada berkurangnya harga parameter B tetapi struktur ikatan Si-H dan C-H juga berkontribusi, oleh karena itu akan diperlihatkan pengaruh hidrogen pada berkurangnya parameter B melalui relasi densitas atomik hidrogen N H dan karbon N C terhadap parameter B seperti diperlihatkan pada Gambar 4. Gambar tersebut memperlihatkan baik hidrogen maupun karbon memberikan pengaruh terhadap berkurangnya parameter B, perbedaannya hanya terjadi pada densitas atomik hidrogen dan karbon lebih kecil dari 1x10 22 cm -3. Berkurangnya parameter B terutama dipengaruhi hidrogen dibandingkan peningkatan karbon. Hal ini dapat dimengerti karena jumlah karbon di dalam lapisan tipis a-sic:h belum terlalu banyak (silikon dominan). Kesimpulan Disorder lapisan tipis a-sic:h hasil deposisi metode dc sputtering meningkat dengan bertambahnya flow rate gas metan. Peningkatan disorder pada lapisan tipis a- SiC:H bukan hanya dipengaruhi oleh peningkatan jumlah karbon yang diwakili dengan struktur ikatan Si- C dalam lapisan tipis tetapi juga jumlah hidrogen yang diwakili oleh ikatan Si-H dan C-H, kecuali ikatan Si-H N C N H N ( cm -3 ) Gambar 4. Relasi parameter B terhadap densitas atomik hidrogen N H ( ) dan karbon N C (Δ) pada bulk di sekitar 2000 cm -1 pengaruh yang berbeda. Ucapan Terima Kasih yang memberikan Penelitian ini terlaksana atas dukungan hibah tim penelitian proyek URGE Batch III dengan nomor kontrak 005/HTPP-III/URGE/1997 serta kerja sama International Bureau of BMBF (Germany) dengan Universitas Indonesia (Indonesia). Daftar Acuan [1] R.A. Street, Phys. Rev. B 44 (1991) [2] Patrick R. Mc.Curdy, Jason. M. Truiit, Ellen R. Fisher, J. Vac. Sci. Technol.A 17(1999) [3] W. Beyer, H. Wagner dan H. Mell, Mat. Res. Soc. Symp.Proc. 49 (1985) 189. [4] Y. Hishikawa, N. Nakamura, S. Tsuda, S. Nakano, Y. Kishi, Y. Kuwano, Jap. J. Appl. Phys. 30 (1991) [5] J. Tauc, R. Grigorocivi, A. Vancu, Phys. Stat. Sol. 15 (1966) 627. [6] Lusitra Munisa, Rosari Saleh, Makara Seri Sains 6 (2002) 46. [7] Rosari Saleh, Lusitra Munisa, Makara Seri B (2000) 54. [8] R. Saleh, L. Munisa, W. Beyer, F. Finger, R. Carius, Physics Journal-IPS 2 (1999) 41. [9] I. Pereyra, M.N.P. Carreño, J. Non-Cryst. Solids 201 (1996) 110. [10] A.R. Zanatta, I. Chambouleyron, Phys. Rev. B 53 (1996) [11] Rosari Saleh, Lusitra Munisa, Wolfhard Beyer, Physics Journal-IPS 4 (2001) 28. [12] Rosari Saleh, Lusitra Munisa, Jurnal Fisika-HFI A 4 (2002) [13] G. De Cesare, F. Galluzzi, G. Guattari, G. Leo, R. Vincenzoni, Diam. Relat. Matt. 2 (1993) 773.
5 82 MAKARA, SAINS, VOL. 6, NO. 2, AGUSTUS 2002 [14] J. Sotiropoulos, G. Weiser, J. Non-Cryst. Solids 92 (1987) 95. [15] N. Saito, Appl. Phys. Lett. 46 (1985) 61.
PENGARUH PENINGKATAN FLOW RATE GAS METAN TERHADAP SIFAT OPTIS LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING
PENGARUH PENINGKATAN FLOW RATE GAS METAN TERHADAP SIFAT OPTIS LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING Lusitra Munisa 1 dan Rosari Saleh 2 1. Program Studi Ilmu
Lebih terperinciPengaruh Perlakuan Implantasi Hidrogen terhadap Sifat Struktur Lapisan Tipis Amorf Silikon Karbon (a-sic:h) Hasil Deposisi Metode DC Sputtering
Indonesian Journal of Physics Kontribusi Fisika Indonesia Vol. 14 No.2, April 2003 Pengaruh Perlakuan Implantasi Hidrogen terhadap Sifat Struktur Lapisan Tipis Amorf Silikon Karbon (a-sic:h) Hasil Deposisi
Lebih terperinciSTUDI SPEKTROSKOPI ELECTRON SPIN RESONANCE (ESR) LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING
STUDI SPEKTROSKOPI ELECTRON SPIN RESONANCE (ESR) LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING Rosari Saleh Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam,
Lebih terperinciPENGARUH ANIL TERMAL TERHADAP BESARAN OPTIS LAPISAN TIPIS a-sic:h HASIL METODE DC SPUTTERING II. TARGET GRAFIT
PENGARUH ANIL TERMAL TERHADAP BESARAN OPTIS LAPISAN TIPIS a-sic:h HASIL METODE DC SPUTTERING II. TARGET GRAFIT Rosari Saleh 1, Lusitra Munisa 2 dan Dewi Marianty 1 1. Jurusan Fisika, Fakultas MIPA Universitas
Lebih terperinciSTUDI KARAKTERISASI OPTIS LAPISAN TIPIS a-sic:h HASIL DEPOSISI METODE GLOWDISCHARGE
STUDI KARAKTERISASI OPTIS LAPISAN TIPIS a-sic:h HASIL DEPOSISI METODE GLOWDISCHARGE Rosari Saleh 1, Lusitra Munisa 2 dan Dewi Marianty 1 1. Jurusan Fisika, Fakultas MIPA Universitas Indonesia, Depok 16424,
Lebih terperinciPENGARUH ANIL TERMAL TERHADAP BESARAN OPTIS LAPISAN TIPIS a-sic:h HASIL METODE DC SPUTTERING I. TARGET SILIKON
PENGARUH ANIL TERMAL TERHADAP BESARAN OPTIS LAPISAN TIPIS a-sic:h HASIL METODE DC SPUTTERING I. TARGET SILIKON Rosari Saleh 1, Lusitra Munisa 2 dan Dewi Marianty 1 1. Jurusan Fisika, Fakultas MIPA Universitas
Lebih terperinciPENENTUAN KONSTANTA OPTIS DI DAERAH ABSORPSI FUNDAMENTAL MENGGUNAKAN FORMULASI FOROUHI DAN BLOOMER UNTUK LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h)
MAKARA, SAINS, VOL. 6, NO., AGUSTUS PENENTUAN KONSTANTA OPTIS DI DAERAH ABSORPSI FUNDAMENTAL MENGGUNAKAN FORMULASI FOROUHI DAN BLOOMER UNTUK LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) Rosari Saleh 1,
Lebih terperinciPENENTUAN KONSTANTA OPTIS DI DAERAH ABSORPSI FUNDAMENTAL MENGGUNAKAN FORMULASI FOROUHI DAN BLOOMER UNTUK LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h)
MAKARA, SAINS, VOL. 6, NO. 2, AGUSTUS 2002 PENENTUAN KONSTANTA OPTIS DI DAERAH ABSORPSI FUNDAMENTAL MENGGUNAKAN FORMULASI FOROUHI DAN BLOOMER UNTUK LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) Rosari Saleh
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi energi listrik DC secara langsung. Sel surya telah diaplikasikan dalam berbagai bidang, salah
Lebih terperinciSTUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI
Studi Pengaruh Suhu Substrat. (Rully Fakhry Muhammad) 303 STUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI STUDY
Lebih terperinciPenumbuhan Lapisan Tipis µc-si:h Tipe-P dengan Metode HW-PECVD untuk Aplikasi Sel Surya
Penumbuhan Lapisan Tipis µc-si:h Tipe-P dengan Metode HW-PECVD untuk Aplikasi Sel Surya Jasruddin, Abdul Haris, dan Helmi Departemen Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Negeri
Lebih terperinciHomogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-si:h tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 8, NOMOR JANUARI 202 Homogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-si:h tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD
Lebih terperinciPENGARUH PERLAKUAN ANIL P ADA KONST ANT A ABSORPSI OrTIS DAN KONFIGURASI IKA T AN LOKAL LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON I
Pros;dinfl Pertemuan /lm;ah Sa;ns Mater; /997 /SSN/410-28~7 PENGARUH PERLAKUAN ANIL P ADA KONST ANT A ABSORPSI OrTIS DAN KONFIGURASI IKA T AN LOKAL LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON I ABSTRAK M. Jahja2.Lusitra
Lebih terperinciPENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL (µc Si:H) TIPE-P DENGAN METODE HOT WIRE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (HW-PECVD)
Bimafika, 2010, 2, 134-140 PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL (µc Si:H) TIPE-P DENGAN METODE HOT WIRE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (HW-PECVD) Marwah * FKIP Unversitas Darussalam
Lebih terperinciKARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS a-si:h:b UNTUK BAHAN SEL SURYA
ISSN 40-695 KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS a-si:h:b UNTUK BAHAN SEL SURYA Bambang Siswanto, Wirjoadi, Tri Mardji Atmono, Yunanto Puslitbang Teknologi Maju Batan Yogayakarta Jl. Babarsari Kotak
Lebih terperinciPEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS
PEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS Syuhada, Dwi Bayuwati, Sulaiman Pusat Penelitian Fisika-LIPI, Kawasan Puspiptek Serpong Tangerang 15314 e-mail: hadda212@yahoo.com
Lebih terperinciPengaruh Optis Kontak Belakang terhadap Parameter Optis Lapisan a-si:h
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 8, NOMOR 2 JUNI 2012 Pengaruh Optis Kontak Belakang terhadap Parameter Optis Lapisan a-si:h Ismail dan Eddy Yahya Jurusan Fisika-FMIPA, Institut Teknologi Sepuluh Nopember
Lebih terperinciPreparasi Dan Penentuan Energi Gap Film Tipis TiO2:Cu Yang Ditumbuhkan Menggunakan Spin Coating
Preparasi Dan Penentuan Energi Gap Film Tipis TiO2:Cu Yang Ditumbuhkan Menggunakan Spin Coating Vita Efelina Universitas Singaperbangsa Karawang Email : vita.efelina@mail.ugm.ac.id Received February 1,
Lebih terperinciEfek Staebler-Wronski dan Pengaruh Waktu Anil pada Lapisan Instrinsik Silikon Amorf Terhidrogenasi (a-si:h)
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 13, NOMOR 2 JUNI 2017 Efek Staebler-Wronski dan Pengaruh Waktu Anil pada Lapisan Instrinsik Silikon Amorf Terhidrogenasi (a-si:h) Yoyok Cahyono, Fuad D. Muttaqin, Umi
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini terlihat dari banyaknya komponen semikonduktor yang digunakan disetiap kegiatan manusia.
Lebih terperinciPENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK EVAPORASI HAMPA
Alvan Umara 1, Tjipto Sujitno 2, Ariswan 3 1 Mahasiswa Program Studi Fisika FMIPA UNY 2, Peneliti PSTA-BATAN Yogyakarta 3, Dosen Program Studi Fisika FMIPA UNY e-mail : umaraalvan@gmail.com ABSTRAK DAN
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Graphene merupakan susunan atom-atom karbon monolayer dua dimensi yang membentuk struktur kristal heksagonal menyerupai sarang lebah. Graphene memiliki sifat
Lebih terperinciPENGARUH KONSENTRASI PREKURSOR TERHADAP SIFAT OPTOELEKTRONIK Mn 3O 4
PENGARUH KONSENTRASI PREKURSOR TERHADAP SIFAT OPTOELEKTRONIK Mn 3O 4 Amiruddin Zainuddin *), Subaer, Abdul Haris Pusat Penelitian Geopolimer - Lab. Fisika Material Jurusan Fisika, FMIPA Universitas Negeri
Lebih terperinciAnalisis Sifat-sifat Optoelektronik Lapisan Tipis Silikon Amorf terhidrogenasi yang ditumbuhkan dengan Teknik VHF-PECVD pada Variasi Daya RF
Jurnal Matematika dan Sains Vol. 1 No. 2, Juni 25, hal 63-68 Abstrak Analisis Sifat-sifat Optoelektronik Lapisan Tipis Silikon Amorf terhidrogenasi yang ditumbuhkan dengan Teknik VHF-PECVD pada Variasi
Lebih terperinciDistribusi Celah Pita Energi Titania Kotor
Jurnal Nanosains & Nanoteknologi ISSN 1979-0880 Edisi Khusus, Agustus 009 Distribusi Celah Pita Energi Titania Kotor Indah Nurmawarti, Mikrajuddin Abdullah (a), dan Khairurrijal Kelompok Keahlian Fisika
Lebih terperinciSTurn SIFAT VIBRASI LOKAL SEMIKONDUKTOR AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h)1
Prosidin Pertemuan l/miah Sains Materi /SSN /4/0-2897 STurn SIFAT VIBRASI LOKAL SEMIKONDUKTOR AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h)1 % Efta Yudiarsah2 dad Rosari Saleh2,3 ABSTRAK STUDI SIFAT VI BRAS I LOKAL SEMIKONDUKTOR
Lebih terperinciFABRIKASI THIN FILM QUARTERNAIR CuGaSeTe DAN CuGa 0.5 In 0.5 Te 2 DENGAN EVAPORASI FLASH
MAKARA, TEKNOLOGI, VOL. 8, NO. 1, APRIL 2004: 9-16 9 FABRIKASI THIN FILM QUARTERNAIR CuGaSeTe DAN CuGa 0.5 In 0.5 Te 2 DENGAN EVAPORASI FLASH A. Harsono Soepardjo Departemen Fisika, FMIPA, Universitas
Lebih terperinciPengaruh Konsentrasi Larutan terhadap Sifat Optik dan Energi Band gap Lapisan Tipis CNDs-epoxy resin
Pengaruh Konsentrasi Larutan terhadap Sifat Optik dan Energi Band gap Lapisan Tipis CNDs-epoxy resin Fitriyanti Nakul1, Akfiny H. Aimon1, dan Ferry Iskandar1, 2, a). 1 Laboratorium Material Energi dan
Lebih terperinciKarakterisasi FTIR pada Studi Awal Penumbuhan CNT dengan Prekursor Nanokatalis Ag dengan Metode HWC-VHF-PECVD
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 13, NOMOR 2 JUNI 2017 Karakterisasi FTIR pada Studi Awal Penumbuhan CNT dengan Prekursor Nanokatalis Ag dengan Metode HWC-VHF-PECVD Ajeng Eliyana 1, dan Toto Winata
Lebih terperinciOleh: Tyas Puspitaningrum, Tjipto Sujitno, dan Ariswan
Penentuan Band Gap... (Tyas Puspitaningrum) 166 PENENTUAN BAND GAP DAN KONDUKTIVITAS BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS Sn(S 0,8 Te 0,2 ) DAN Sn(S 0,6 Te 0,4 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI TERMAL
Lebih terperinci2 SINTESIS DAN KARAKTERISASI NANOSTRUKTUR ZnO
2 SINTESIS DAN KARAKTERISASI NANOSTRUKTUR ZnO 3 Pendahuluan ZnO merupakan bahan semikonduktor tipe-n yang memiliki lebar pita energi 3,37 ev pada suhu ruang dan 3,34 ev pada temperatur rendah dengan nilai
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Nanoteknologi adalah ilmu yang mempelajari, menciptakan dan merekayasa material berskala nanometer dimana terjadi sifat baru. Kata nanoteknologi berasal dari
Lebih terperinciKARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT GELAS UNTUK JENDELA SEL SURYA
GANENDRA, Vol. V, N0.2 ISSN 1410-6957 KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT GELAS UNTUK JENDELA SEL SURYA Wirjoadi, Yunanto, Bambang Siswanto, Sri Sulamdari, Sudjatmoko Puslitbang
Lebih terperinciSINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION
SINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION Yolanda Oktaviani, Astuti Jurusan Fisika FMIPA Universitas Andalas e-mail: vianyolanda@yahoo.co.id
Lebih terperinciEFEK PENAMBAHAN GAS CH 4 DAN H 2 PADA PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TIPE-P DENGAN PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (PECVD)
TUGAS AKHIR SF141501 EFEK PENAMBAHAN GAS CH 4 DAN H 2 PADA PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TIPE-P DENGAN PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (PECVD) Ayunis Sholehah NRP 1113 100 067 Dosen
Lebih terperinciSIFAT-SIFAT OPTIK DAN LISTRIK BAHAN SEMIKONDUKTOR SnS LAPISAN TIPIS HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA ABSTRAK
SIFAT-SIFAT OPTIK DAN LISTRIK BAHAN SEMIKONDUKTOR SnS LAPISAN TIPIS HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA Ganesha Antarnusa. 1, Tjipto Sujitno 2, Ariswan 3 1 Mahasiswa
Lebih terperinciPEMBUATAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI (a-si:h) UNTUK BAHAN SEL SURYA
GANENDRA, Vol.VI, N0.1 ISSN 1410-6957 PEMBUATAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI (a-si:h) UNTUK BAHAN SEL SURYA Wirjoadi, Sudjatmoko, Yunanto, Bambang Siswanto, Sri Sulamdari Puslibang Teknologi
Lebih terperinciPENGARUH DAYA PLASMA PADA STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING
134 Prosiding Pertemuan Ilmiah XXIV HFI Jateng & DIY, Semarang 10 April 2010 hal. 134-138 PENGARUH DAYA PLASMA PADA STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING
Lebih terperinciPERANAN FASE AMORF Si 3 N 4 PADA NANOKOMPOSIT nc-tin/a-si 3 N 4 DALAM MENINGKATKAN KEKERASAN DAN STABILITAS TERMAL
MAKARA, TEKNOLOGI, VOL. 6, NO. 2, AGUSTUS 22 PERANAN FASE AMORF Si 3 N 4 PADA NANOKOMPOSIT nc-tin/a-si 3 N 4 DALAM MENINGKATKAN KEKERASAN DAN STABILITAS TERMAL Keba Moto Jurusan Fisika FMIPA Universitas
Lebih terperinciGambar Semikonduktor tipe-p (kiri) dan tipe-n (kanan)
Mekanisme Kerja Devais Sel Surya Sel surya merupakan suatu devais semikonduktor yang dapat menghasilkan listrik jika diberikan sejumlah energi cahaya. Proses penghasilan energi listrik itu diawali dengan
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Oksida konduktif transparan atau transparent conductive oxide (TCO)
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Oksida konduktif transparan atau transparent conductive oxide (TCO) adalah semikonduktor yang memiliki lebar celah pita energi antara 2,5 4,5 ev (Dengyuan, 2005).
Lebih terperinciStudi Optimasi Parameter Daya RF untuk Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Metode Hot Wire Cell PECVD
PROC. ITB Sains & Tek. Vol. 37 A, No. 1, 2005, 13-22 13 Studi Optimasi Parameter Daya RF untuk Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Metode Hot Wire Cell PECVD S. Amiruddin 1), I. Usman
Lebih terperinciBAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN. Pada pembuatan dispersi padat dengan berbagai perbandingan
BAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN A. HASIL 1. Pembuatan Serbuk Dispersi Padat Pada pembuatan dispersi padat dengan berbagai perbandingan dihasilkan serbuk putih dengan tingkat kekerasan yang berbeda-beda. Semakin
Lebih terperinciSPEKTROSKOPI INFRA MERAH (IR)
SPEKTROSKOPI INFRA MERAH (IR) Spektrum Elektromagnetik tinggi tinggi Frekuensi (ν) Energi rendah rendah X-RAY ULTRAVIOLET INFRARED MICRO- WAVE RADIO FREQUENCY Ultraviolet Visible Vibrasi Infrared Resonansi
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban manusia di abad ini. Sehingga diperlukan suatu kemampuan menguasai teknologi tinggi agar bisa
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Listrik merupakan kebutuhan esensial yang sangat dominan kegunaannya
λ Panjang Gelombang 21 ω Kecepatan Angular 22 ns Indeks Bias Kaca 33 n Indeks Bias Lapisan Tipis 33 d Ketebalan Lapisan Tipis 33 α Koofisien Absorpsi 36 Frekuensi Cahaya 35 υ BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN
BAB III METODOLOGI PENELITIAN A. Metode Penelitian Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen secara kualitatif dan kuantitatif. Metode penelitian ini menjelaskan proses degradasi fotokatalis
Lebih terperinciPengaruh Temperatur dan Waktu Putar Terhadap Sifat Optik Lapisan Tipis ZnO yang Dibuat dengan Metode Sol-Gel Spin Coating
ISSN 2302-8491 Jurnal Fisika Unand Vol. 6, No. 2, April 2017 Pengaruh Temperatur dan Waktu Putar Terhadap Sifat Optik Lapisan Tipis ZnO yang Dibuat dengan Metode Sol-Gel Spin Coating Fitriani *, Sri Handani
Lebih terperinciMengenal Sifat Material. Teori Pita Energi
Mengenal Sifat Material Teori Pita Energi Ulas Ulang Kuantisasi Energi Planck : energi photon (partikel) bilangan bulat frekuensi gelombang cahaya h = 6,63 10-34 joule-sec De Broglie : Elektron sbg gelombang
Lebih terperinciPENENTUAN PANJANG GELOMBANG EMISI PADA NANOPARTIKEL CdS DAN ZnS BERDASARKAN VARIASI KONSENTRASI MERCAPTO ETHANOL
PENENTUAN PANJANG GELOMBANG EMISI PADA NANOPARTIKEL CdS DAN ZnS BERDASARKAN VARIASI KONSENTRASI MERCAPTO ETHANOL Muhammad Salahuddin 1, Suryajaya 2, Edy Giri R. Putra 3, Nurma Sari 2 Abstrak:Pada penelitian
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Material graphene merupakan material yang tersusun atas atom-atom karbon monolayer yang membentuk struktur heksagonal seperti sarang lebah dua dimensi. Graphene memiliki
Lebih terperinciKontribusi Fisika Indonesia Vol. 12, No.3, Juli 2001
Kontribusi Fisika Indonesia Vol. 12, No.3, Juli 2001 Pengaruh Terhadap Tingkat Kestabilan Efisiensi Sel Surya p-i-n a-si:h Doping Delta Amiruddin Supu 1), Dilla M. 2), Jasruddin Daud Malago 3), Fitri Suryani
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. I.1 Latar Belakang Kebutuhan akan energi semakin berkembang seiring dengan
BAB I PENDAHULUAN I.1 Latar Belakang Kebutuhan akan energi semakin berkembang seiring dengan berkembangnya kehidupan manusia. Sehingga para peneliti terus berupaya untuk mengembangkan sumber-sumber energi
Lebih terperinciBAB 1 PENDAHULUAN Latar Belakang
BAB 1 PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Memasuki abad 21, persediaan minyak dan gas bumi semakin menipis. Sementara kebutuhan akan energi semakin meningkat, terutama dirasakan pada negara industri. Kebuthan
Lebih terperinciSIFAT OPTIK DARI FILM TIPIS BARIUM STRONSIUM TITANAT MENGGUNAKAN KARAKTERISASI SPEKTROSKOPI ULTRAVIOLET- VISIBLE. TaufiqHidayat*, Rahmi Dewi, Krisman
SIFAT OPTIK DARI FILM TIPIS BARIUM STRONSIUM TITANAT MENGGUNAKAN KARAKTERISASI SPEKTROSKOPI ULTRAVIOLET- VISIBLE TaufiqHidayat*, Rahmi Dewi, Krisman Jurusan Fisika FakultasMatematikadanIlmuPengetahuanAlamUniversitas
Lebih terperinciPengaruh Waktu Penahanan Terhadap Karakteristik Lapisan Tipis ZnO yang Dideposisi dengan teknik Sol-gel Spin Coating
JURNAL Teori dan Aplikasi Fisika Vol. 04, No.02, Juli Tahun 2016 Pengaruh Waktu Penahanan Terhadap Karakteristik Lapisan Tipis ZnO yang Dideposisi dengan teknik Sol-gel Spin Coating Mursal, Irhamni, and
Lebih terperinciKARAKTERISASI TiO 2 (CuO) YANG DIBUAT DENGAN METODA KEADAAN PADAT (SOLID STATE REACTION) SEBAGAI SENSOR CO 2
KARAKTERISASI TiO 2 (CuO) YANG DIBUAT DENGAN METODA KEADAAN PADAT (SOLID STATE REACTION) SEBAGAI SENSOR CO 2 Hendri, Elvaswer Jurusan Fisika FMIPA Universitas Andalas Kampus Unand, Limau Manis, Padang,
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini mengalami peralihan dari teknologi mikro (microtechnology) ke generasi yang lebih kecil yang dikenal
Lebih terperinciGravitasi Vol. 15 No. 1 ISSN:
STUDI PENGARUH KONSENTRASI LARUTAN DAUN PEPAYA TERHADAP SIFAT OPTIK DAN LISTRIK SEBAGAI BAHAN PEMBUATAN LAPISAN TIPIS Ummu kalsum 1, Iqbal 2 dan Dedy Farhamsa 2 1 Jurusan Fisika Fakultas MIPA, Universitas
Lebih terperinciBAB I 1 PENDAHULUAN. kemampuan mengubah bentuk radiasi cahaya menjadi sinyal listrik. Radiasi yang
BAB I 1 PENDAHULUAN 1.1 LATAR BELAKANG MASALAH Fotodiode merupakan sebuah peranti semikonduktor yang memiliki kemampuan mengubah bentuk radiasi cahaya menjadi sinyal listrik. Radiasi yang dapat diterima
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia Tenggara. Sebagai negara berkembang, Indonesia melakukan swasembada diberbagai bidang, termasuk
Lebih terperinciKarakterisasi FTIR pada Studi Awal Penumbuhan CNT dengan Prekursor Nanokatalis Ag dengan Metode HWC-VHF-PECVD
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 13, NOMOR 2 JUNI 2017 Karakterisasi FTIR pada Studi Awal Penumbuhan CNT dengan Prekursor Nanokatalis Ag dengan Metode HWC-VHF-PECVD Ajeng Eliyana 1, dan Toto Winata
Lebih terperinciLaju Deposisi dan Celah Pita Energi Optik Lapisan Tipis a-si:h yang Ditumbuhkan dengan Teknik HWC-VHF-PECVD
Laju Deposisi dan Celah Pita Energi Optik Lapisan Tipis Andhy Setiawan 1), Hastiti Murti 1), Hasniah Aliah 2), Toto Winata 3) Program Studi Fisika FPMIPA Universitas Pendidkan Indonesia (UPI), Jurusan
Lebih terperinciFisika Modern (Teori Atom)
Fisika Modern (Teori Atom) 13:05:05 Sifat-Sifat Atom Atom stabil adalah atom yang memiliki muatan listrik netral. Atom memiliki sifat kimia yang memungkinkan terjadinya ikatan antar atom. Atom memancarkan
Lebih terperinciTUGAS AKHIR SF141501
TUGAS AKHIR SF141501 PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI (a-si:h) TIPE-N DENGAN PENGENCERAN H2 MENGGUNAKAN PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (PECVD) Cahyaning Fajar Kresna Murti
Lebih terperinciPembuatan Sel Surya Film Tipis dengan DC Magnetron Sputtering
Pembuatan Sel Surya Film Tipis dengan DC Magnetron Sputtering Desty Anggita Tunggadewi 1, Fitria Hidayanti 1 1 Program Studi Teknik Fisika, Fakultas Teknik dan Sains, Universitas Nasional dtunggadewi@yahoo.co.id,
Lebih terperinciBAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI
BAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI Pada bab ini dibahas penumbuhan AlGaN tanpa doping menggunakan reaktor PA- MOCVD. Lapisan AlGaN ditumbuhkan dengan variasi laju alir gas reaktan, hasil penumbuhan dikarakterisasi
Lebih terperinciSTRUKTUR CRISTAL SILIKON
BANDGAP TABEL PERIODIK STRUKTUR CRISTAL SILIKON PITA ENERGI Pita yang ditempati oleh elektron valensi disebut Pita Valensi Pita yang kosong pertama disebut : Pita Konduksi ISOLATOR, KONDUKTOR DAN SEMIKONDUKTOR
Lebih terperinciPENGARUH OPTIMASI CELAH PITA ENERGI DAN KETEBALAN LAPISAN TIPE-i PADA EFISIENSI SEL SURYA SILIKON AMORF SAMBUNGAN p-i-n
TESIS SF142502 PENGARUH OPTIMASI CELAH PITA ENERGI DAN KETEBALAN LAPISAN TIPE-i PADA EFISIENSI SEL SURYA SILIKON AMORF SAMBUNGAN p-i-n IGNATIO BENIGNO 1115 201 008 DOSEN PEMBIMBING Prof. Dr. Darminto,
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN I.1
BAB I PENDAHULUAN I.1 Latar Belakang Matahari adalah sumber energi yang sangat besar dan tidak akan pernah habis. Energi sinar matahari yang dipancarkan ke bumi dapat dimanfaatkan untuk berbagai keperluan
Lebih terperinciEfek doping Al pada sifat optik dan listrik lapisan tipis ZnO hasil deposisi dengan DC sputtering
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 1, NOMER 1 JANUARI 2005 Efek doping Al pada sifat optik dan listrik lapisan tipis ZnO hasil deposisi dengan DC sputtering SriYaniPurwaningsih, 1 Karyono, 2 dansudjatmoko
Lebih terperinciANALISIS SPEKTRUM INFRAMERAH DAN STRUKTUR PERMUKAAN FILM TIPIS KARBON AMORF TERHIDROGENASI (a-c:h) YANG DITUMBUHKAN DENGAN REAKTOR DC PECVD
PROSIDING SEMINAR NASIONAL REKAYASA KIMIA DAN PROSES 2004 ISSN : 1411-4216 ANALISIS SPEKTRUM INFRAMERAH DAN STRUKTUR PERMUKAAN FILM TIPIS KARBON AMORF TERHIDROGENASI (a-c:h) YANG DITUMBUHKAN DENGAN REAKTOR
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Fotokalisis adalah proses degradasi senyawa organik atau nonorganik menggunakan katalis dengan bantuan energi foton (Pang dkk., 2016). Fotokatalis sampai saat ini
Lebih terperinciSatuan bilangan gelombang. Part per million, satuan konsentrasi dalam bentuk mg/l
Singkatan/ Lambang Keterangan SA nm cm -1 OD TK TPJ SCSA UV Vis FTIR BK ppm Saliva Anjing Nano meter (ukuran 10-6 meter) Satuan bilangan gelombang Optical Density, Kerapatan optik Tanah Kebun Tanah Pinggir
Lebih terperinciIII. METODE PENELITIAN
21 III. METODE PENELITIAN 3.1 Waktu dan Tempat Penelitian Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Agustus 2010 - Juni 2011 di Laboratorium Biofisika dan Laboratorium Fisika Lanjut, Departemen Fisika IPB.
Lebih terperinciSPEKTROFOTOMETRI. Adelya Desi Kurniawati, STP., MP., M.Sc.
SPEKTROFOTOMETRI Adelya Desi Kurniawati, STP., MP., M.Sc. PENGERTIAN SPEKTROFOTOMETRI SPEKTROFOTOMETER JENIS SPEKTROFOTOMETER PRINSIP KERJA UV-Vis MENENTUPAN λ MAKSIMUM MEMBUAT KURVA STANDAR ANALISA SAMPEL
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 LatarBelakang
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 LatarBelakang Proses pembangunan disegala bidang selain membawa kemajuan terhadap kehidupan manusia, tetapi juga akan membawa dampak negative bagi lingkungan hidup. Industrialisasi
Lebih terperinciBerdasarkan interaksi yang terjadi, dikembangkan teknik-teknik analisis kimia yang memanfaatkan sifat dari interaksi.
TEKNIK SPEKTROSKOPI Teknik Spektrokopi adalah suatu teknik fisiko-kimia yang mengamati tentang interaksi atom maupun molekul dengan radiasi elektromagnetik (REM) Hasil interaksi tersebut bisa menimbulkan
Lebih terperinciKARAKTERISASI GaAs DENGAN PHOTOLUMINESCENCE LASER ARGON
KARAKTERISASI GaAs DENGAN PHOTOLUMINESCENCE LASER ARGON Surantoro Pendidikan Fisika PMIPA FKIP Universitas Sebelas Maret Surakarta. Jl. Ir. Sutami 36 A Kampus Kentingan Surakarta. ABSTRAK Penelitian tentang
Lebih terperinciANALISIS LEBAR CELAH PITA ENERGI DAN IKATAN MOLEKUL LAPISAN TIPIS a-si:h YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE PECVD
TUGAS AKHIR - SF 141501 ANALISIS LEBAR CELAH PITA ENERGI DAN IKATAN MOLEKUL LAPISAN TIPIS a-si:h YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE PECVD Umi Maslakah NRP 1110 100 030 Dosen Pembimbing Prof. Dr. Darminto,
Lebih terperinciT E S I S. Oleh JUAN RANDY SIMAMORA /FIS
PENGARUH VARIASI KONSENTRASI LARUTAN PENGENDAP TERHADAP SIFAT OPTIK NANOPARTIKEL Cu 2 O YANG DISINTESIS DENGAN METODE KOPRESIPITASI T E S I S Oleh JUAN RANDY SIMAMORA 127026011/FIS PROGRAM PASCASARJANA
Lebih terperinciDAFTAR ISI. ABSTRAK... i. KATA PENGANTAR... ii. UCAPAN TERIMA KASIH... iii. DAFTAR ISI... v. DAFTAR GAMBAR... viii. DAFTAR SINGKATAN DAN LAMBANG...
DAFTAR ISI ABSTRAK... i KATA PENGANTAR... ii UCAPAN TERIMA KASIH... iii DAFTAR ISI... v DAFTAR GAMBAR... viii DAFTAR SINGKATAN DAN LAMBANG... x BAB I PENDAHULUAN... 1 1.1 Latar Belakang... 1 1.2 Rumusan
Lebih terperinciSIFAT OPTIK STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO
Wirjoadi, dkk. ISSN 0216-3128 369 SIFAT OPTIK STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO Wirjoadi, Bambang Siswanto Pusat Teknologi Akselerator dan Proses
Lebih terperinciBAB V. HASIL DAN LUARAN YANG DICAPAI
V. HSIL N LURN YNG ICPI Pada penelitian ini, telah dilakukan sintesis solar selective absorber (SS) berupa lapisan kobal oksida dengan penambahan lapisan dense silica pada permukaan substrat aluminium.
Lebih terperinci4. HASIL DAN PEMBAHASAN
Intensitas (arb.unit) Intensitas (arb.unit) Intensitas (arb. unit) Intensitas 7 konstan menggunakan buret. Selama proses presipitasi berlangsung, suhu larutan tetap dikontrol pada 7 o C dengan kecepatan
Lebih terperinciModul - 4 SEMIKONDUKTOR
Modul - 4 SEMIKONDUKTOR Disusun Sebagai Materi Pelatihan Guru-Guru SMA/MA Provinsi Nangro Aceh Darussalam Disusun oleh: Dr. Agus Setiawan, M.Si Dr. Dadi Rusdiana, M.Si Dr. Ida Hamidah, M.Si Dra. Ida Kaniawati,
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Ketersediaan sumber energi merupakan masalah yang harus segera diselesaikan oleh masing-masing negara termasuk Indonesia. Untuk itu perlu dikembangkan suatu teknologi
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. didalamnya dilakukan karakterisasi XRD. 20%, 30%, 40%, dan 50%. Kemudian larutan yang dihasilkan diendapkan
6 didalamnya dilakukan karakterisasi XRD. 3.3.3 Sintesis Kalsium Fosfat Sintesis kalsium fosfat dalam penelitian ini menggunakan metode sol gel. Senyawa kalsium fosfat diperoleh dengan mencampurkan serbuk
Lebih terperinciSIFAT OPTIK LiTaO 3 DIDADAH Ga 2 O 3 BERDASARKAN METODE TAUC PLOT
Proseding Seminar Nasional Fisika dan Aplikasinya Sabtu, 21 November 2015 Bale Sawala Kampus Universitas Padjadjaran, Jatinangor SIFAT OPTIK LiTaO 3 DIDADAH Ga 2 O 3 BERDASARKAN METODE TAUC PLOT GABY CHARLA
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Nanopatikel merupakan partikel mikroskopis yang memiliki ukuran dalam skala nanometer yaitu < 100 nm. Nanopartikel menjadi kajian yang sangat menarik, karena ketika
Lebih terperinciSTRUCTURAL, CHEMICAL COMPOSITION, ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF Sn (Se 0,4 S 0,6 ) THIN FILMS PREPARED USING THERMAL EVAPORATION FOR SOLAR CELLS APPLICATIONS Ariswan * * Jurdik. Fisika, Prodi Fisika,
Lebih terperinciUji Kekerasan Material dengan Metode Rockwell
Uji Kekerasan Material dengan Metode Rockwell 1 Ika Wahyuni, 2 Ahmad Barkati Rojul, 3 Erlin Nasocha, 4 Nindia Fauzia Rosyi, 5 Nurul Khusnia, 6 Oktaviana Retna Ningsih Jurusan Fisika, Fakultas Sains dan
Lebih terperinciPENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL TERHIDROGENASI DENGAN TEKNIK HWC-VHF-PECVD
Reaktor, Vol. 13 No. 1, Juni 2010, Hal. 31-36 PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL TERHIDROGENASI DENGAN TEKNIK HWC-VHF-PECVD Ida Usman 1*), Darwin Ismail 1), Heri Sutanto 2) dan Toto Winata 3)
Lebih terperinciOptimasi Parameter Tekanan Deposisi untuk Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Metode HWC PECVD
Optimasi Parameter Tekanan Deposisi untuk Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Metode HWC PECVD Amiruddin Supu 1), I Wayan Sukarjita 1), Fakhruddin 1), Suryani Arsyad Fitri 2), Toto Winata
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Nanoteknologi adalah ilmu dan rekayasa dalam penciptaan material dan struktur fungsional dalam skala nanometer. Perkembangan nanoteknologi selalu dikaitkan
Lebih terperinciJOBSHEET SENSOR CAHAYA (SOLAR CELL)
JOBSHEET SENSOR CAHAYA (SOLAR CELL) A. TUJUAN 1. Merancang sensor sel surya terhadap besaran fisis. 2. Menguji sensor sel surya terhadap besaran fisis. 3. Menganalisis karakteristik sel surya. B. DASAR
Lebih terperinciPENGARUH KONSENTRASI BORON TERHADAP SIFAT LISTRIK LAPISAN TIPIS (a-si:h:b)
ISSN 1410-6951 PENGARUH KONSENTRASI BORON TERHADAP SIFAT LISTRIK LAPISAN TIPIS (a-si:h:b) Bambang Siswanto, Wirjoadi, Sudjatmoko Puslitbang Teknologi Maju Batan Yogyakarta Jl. Babarsari Kotak Pos 6101
Lebih terperinciStruktur dan konfigurasi sel Fotovoltaik
9 Gambar 17. Struktur dan konfigurasi sel Fotovoltaik BST yang sudah mengalami proses annealing dipasang kontak di atas permukaan substrat silikon dan di atas film tipis BST. Pembuatan kontak ini dilakukan
Lebih terperinciBab 1 ZAT PADAT IKATAN ATOMIK DALAM KRISTAL
Bab 1 ZAT PADAT IKATAN ATOMIK DALAM KRISTAL Kekristalan Zat Padat Zat padat dapat dibedakan menjadi: Kristal yaitu bila atom atau molekul penyusun tersusun dalam bentuk pengulangan kontinu untuk rentang
Lebih terperinci