PENGARUH DAYA PLASMA PADA STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING
|
|
- Yanti Kusuma
- 7 tahun lalu
- Tontonan:
Transkripsi
1 134 Prosiding Pertemuan Ilmiah XXIV HFI Jateng & DIY, Semarang 10 April 2010 hal PENGARUH DAYA PLASMA PADA STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING Sugianto, Nathan Hendarto, Putut Marwoto, Edy Wibowo Jurusan Fisika FMIPA Universitas Negeri Semarang INTISARI Cadmium telluride (CdTe) mempunyai koefisien absorpsi cukup tinggi (α > 1x10 4 cm -1 ) dan mempunyai direct band-gap 1,5 ev, sehingga berpotensi untuk pembuatan sel surya. Film tipis CdTe telah ditumbuhkan dengan metode dc magnetron sputtering. Film CdTe ditumbuhkan di atas substrat corning glass pada suhu 250 o C dengan daya plasma 25 W, 30W dan 35 watt. Hasil karakterisasi film dengan XRD menunjukkan bahwa penambahan daya plasma pada penumbuhan film tipis CdTe tidak menimbulkan adanya perubahan struktur kristal yang signifikan. Struktur kristal ketiga film bersifat polikristal dan berstruktur cubic dengan puncak difraksi dominan pada orientasi (111). Citra SEM memperlihatkan bahwa penambahan daya plasma mempengaruhi mekanisme pertumbuhan yang mengakibatkan terbentuknya butiran-butiran dengan ukuran butir (grain size) yang lebih besar. Film tipis CdTe yang ditumbuhkan pada daya plasma 30 W dan 35 W mampu mengabsorpsi seluruh spektrum cahaya tampak pada rentang panjang gelombang lebih rendah dari 800 nm, mempunyai energi gap Eg 1,50 ev dan koefisien absorpsi (α) 4,40 x 10 4 cm -1. Keywords: Film tipis CdTe, daya plasma, struktur mikro dan sifat optik I. PENDAHULUAN Energi mempunyai peranan penting dalam berbagai aspek kehidupan. Penggunaan energi saat ini meningkat pesat sejalan dengan perkembangan jaman. Saat ini masih bergantung pada sumber energi yang tidak dapat diperbaharui seperti hasil-hasil tambang, padahal jumlahnya terbatas dan suatu saat akan habis. Selain itu penggunaan sumber energi dari hasil tambang tersebut menimbulkan banyak dampak negatif terhadap lingkungan. Oleh karena itu perlu dipikirkan sumber energi lain sebagai energi alternatif yang jumlahnya tak terbatas dan tidak sekali habis (dapat diperbaharui) serta ramah lingkungan. Banyak sekali potensi energi yang dapat diperbaharui seperti biomassa, panas bumi, energi surya, energi air, energi angin dan energi samudera yang sampai saat ini belum banyak dimanfaatkan. Energi matahari yang melimpah ruah, jumlahnya tak terbatas, aman dan ramah lingkungan merupakan pilihan yang tepat untuk dijadikan sebagai energi alternatif. Teknologi fotovoltaik yang mengkonversi langsung cahaya matahari menjadi energi listrik dengan menggunakan sel surya (solar cells) merupakan salah satu pilihan yang menarik. Selama ini semikonduktor yang banyak digunakan untuk pembuatan sel surya adalah kristal tunggal silikon. Permasalahannya, untuk menghasilkan semikonduktor kristal tunggal silikon dibutuhkan silikon murni sehingga biaya produksinya cukup tinggi. Material semikonduktor nonsilikon yang sedang dikembangkan secara intensif untuk lapisan sel surya diantaranya adalah material paduan CuInGaSe 2, silikon amorf, dan CdTe (Gupta et al, 2006). CuInGaSe 2 berharga lebih mahal karena jumlah indium yang terbatas, selain itu pengontrolan komposisi dari unsur pembentuknya relatif sulit sehingga masih mengalami kendala dalam memproduksi modul atau panel dengan kualitas yang baik. Silikon amorf walaupun jumlahnya cukup banyak tetapi lambat untuk ditumbuhkan serta memiliki efisiensi yang relatif rendah. Cadmium telluride (CdTe) memiliki koefisien absorpsi yang tinggi (α > 1x10 4 cm -1 ) dan mempunyai direct band-gap (1,50 ev) yang secara teoritis sangat potensial untuk pembuatan sel surya. Film CdTe dengan tebal 1 µm mampu mengabsorpsi sekitar 90% foton yang energinya lebih tinggi dari band gap (Gupta et al, 2006). Film tipis CdTe diproduksi dari material polikristalin sehingga lebih murah pembuatannya. Dengan berbagai kelebihan tersebut, maka CdTe berpotensi untuk pembuatan sel surya (Candless & Sites, 2003). Metode yang digunakan untuk menumbuhkan film tipis, diantaranya chemical vapor deposition (CVD), metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), sputtering, spray pyrolysis (Sudjatmoko, 2003), close-spaced sublimation (CSS), vapor-transport deposition (VTD), physical-vapor deposition (PV), molecular beam epitaxy (MBE), electro deposition (Candless & Sites, 2003), dan rf magnetron sputtering (Compaan et al, 2004). Pada umumnya masing-masing metode tersebut mempunyai kelebihan dan kekurangan. Metode yang digunakan untuk mendeposisi lapisan tipis CdTe dalam penelitian ini adalah dc magnetron sputtering. Deposisi film tipis CdTe dengan metode dc magnetron sputtering menarik untuk dikaji dan diteliti karena beaya operasinya jauh lebih murah dibandingkan
2 Sugianto, dkk / Pengaruh Daya Plasma Pada Struktur Mikro Dan Sifat Optik Film Tipis CdTe Yang 135 metode lainnya. Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui bagaimana struktur mikro dan sifat optik film tipis CdTe yang ditumbuhkan di atas substrat corning glass dengan metode dc magnetron sputtering pada daya plasma berbeda. II. METODE PENELITIAN Secara garis besar penelitian ini mencakup tiga tahap yaitu: (i) preparasi substrat dan pembuatan target, (ii) deposisi film tipis CdTe dengan metode dc magnetron sputtering, (iii) karakterisasi film dilanjutkan analisis data hasil karakterisasi. Bahan yang digunakan untuk membuat target adalah serbuk CdTe dengan kemurnian %. Serbuk CdTe dituang dalam cetakan dan dipres secara hidrolis. Target berbentuk pelet disintering pada temperatur 700 o C selama satu jam. Substrat yang digunakan adalah corning glass. Substrat dicuci dalam ultrasonic bath dengan menggunakan aseton selama 10 menit dilanjutkan dengan menggunakan metanol selama 5 menit. Selanjutnya substrat dibilas dengan DI water. Substrat dikeringkan dengan menyemprotkan gas nitrogen. Penumbuhan film tipis dengan metode dc magnetron sputtering telah dijelaskan pada penelitian sebelumnya (Sugianto et al, 2007). Film tipis CdTe ditumbuhkan selama dua jam yang menghasilkan ketebalan sekitar 0,4 µm. Analisis XRD dilakukan untuk karakterisasi struktur kristal dan orientasi bidang kristal film tipis. Analisis SEM digunakan untuk mengetahui struktur mikro pada film tipis berupa tampang permukaan (surface). Karakterisasi sifat optik dilakukan dengan menggunakan spektrometer UV-vis. Pada penelitian ini dikaji struktur mikro dan sifat optik film tipis CdTe yang ditumbuhkan di atas substrat corning glass dengan variasi daya plasma (25 W, 30 W dan 35 W). Film ditumbuhkan dengan temperatur substrat konstan yaitu 250 o C dengan laju aliran argon pada tekanan reaktor sekitar 500 mt. III. HASIL DAN PEMBAHASAN Hasil difraktogram XRD film CdTe yang ditumbuhkan dengan daya plasma 25 W, 30 W dan 35 W ditunjukkan pada Gambar 1. Puncak difraksi diidentifikasi dominan pada arah bidang (111) dan disertai beberapa puncak lain dengan orientasi bidang (100), (220), (103) dan (311) yang mengindikasikan bahwa film tipis CdTe yang terdeposisi di atas corning glass memiliki struktur polikristal. Hasil ini menunjukkan bahwa film tipis CdTe yang ditumbuhkan mempunyai arah orientasi kristal yang bersesuaian dengan orientasi kristal dari material CdTe berstruktur kubik dengan kisi kristal fcc (face center cubic). Film yang ditumbuhkan dengan daya plasma 25 W, 30 W dan 35 W teramati mempunyai puncak difraksi tertinggi berturut-turut pada 2θ adalah 23,819 o ; 23,835 o dan 23,819 o. Hasil perhitungan menunjukkan besarnya konstanta kisi a dari film CdTe berturut-turut adalah 6,465 Å, 6,461 Å dan 6,465 Å. Variasi daya pada saat penumbuhan film tipis CdTe tidak berpengaruh secara signifikan terhadap besarnya konstanta kisi film yang dihasilkan. Gambar 1. XRD film tipis CdTe yang ditumbuhkan dengan daya plasma 25, 30 dan 35 watt. Gambar 2 menunjukkan nilai FWHM (full wide at half maximum) film tipis CdTe yang ditumbuhkan di atas corning glass. Semakin kecil nilai FWHM semakin baik kualitas kristal tersebut (Suryanarayana et al, 1998). Hasil karakterisasi XRD diketahui bahwa film yang ditumbuhkan pada
3 136 Sugianto, dkk / Pengaruh Daya Plasma Pada Struktur Mikro Dan Sifat Optik Film Tipis CdTe Yang daya plasma 25 W, 30 W dan 35 W mempunyai nilai FWHM puncak (111) berturut-turut sebesar 0,187 o ; 0,257 o dan 0,268 o. Penambahan daya menyebabkan bertambahnya FWHM puncak (111) yang mengindikasikan bahwa homogenitas film menurun. Hal ini disebabkan pada penumbuhan dengan daya tinggi meningkatkan mobilitas ion-ion tersputer sehingga laju penumbuhan meningkat dan cenderung menghasilkan kristal yang kurang homogen dan cenderung menghasilkan film dengan struktur polikristalin W, 250 o C Intensitas (cps) W, 250 o C 35 W, 250 o C 0 22,50 23,00 23,50 24,00 24,50 25,00 25,50 2θ ( o ) Gambar 2. Nilai FWHM puncak (111) film tipis CdTe yang ditumbuhkan dengan daya plasma 25 W, 30 W dan 35 W. a b c Gambar 3. Citra SEM film tipis CdTe yang ditumbuhkan dengan daya plasma (a) 25 W; (b) 30 W dan (c) 35 W pada perbesaran kali. Struktur mikro lapisan tipis sangat bergantung pada kinematika penumbuhan yang dipengaruhi oleh temperatur substrat, sifat kimia dan gas lingkungan (Wasa et al, 1992). Hasil karakterisasi menggunakan SEM dapat diketahui pengaruh daya plasma terhadap morfologi permukaan film. Gambar 3 memperlihatkan citra SEM permukaan film tipis CdTe yang ditumbuhkan dengan daya plasma 25 W, 30 W dan 35 W. Hasil analisis SEM menunjukkan bahwa penambahan daya plasma pada deposisi film tipis CdTe dengan metode dc magnetron sputtering mempengaruhi orientasi pertumbuhan nukleus. Selain itu juga mengakibatkan terbentuknya butiran-butiran dengan ukuran butir (grain size) yang lebih besar. Film yang ditumbuhkan pada daya plasma yang lebih tinggi memiliki ukuran butiran yang lebih besar dengan morfologi permukaan tidak rata (kasar). Penambahan daya plasma saat penumbuhan menyebabkan bertambahnya energi kinetik dan momentum atom-atom target yang menuju substrat sehingga meningkatkan mobilitas permukaan. Mobilitas permukaan yang tinggi dapat menyebabkan terbentuknya lapisan tipis dengan ukuran butiran lebih besar (Sudjatmoko, 2003). Kemampuan absorpsi film tipis CdTe dianalisis dengan menggunakan spektrometer UV-vis. Hasil karakterisasi dinyatakan dalam grafik hubungan antara kuadrat koefesien absorpsi dan energi foton. Film tipis CdTe dapat digunakan sebagai bahan sel surya yang baik jika film dapat mengabsorpsi seluruh spektrum cahaya tampak. Besarnya energi gap Eg dari film CdTe dapat ditentukan dengan
4 Sugianto, dkk / Pengaruh Daya Plasma Pada Struktur Mikro Dan Sifat Optik Film Tipis CdTe Yang 137 ekstrapolasi linier terhadap sumbu energi foton. Gambar 4 memperlihatkan grafik kuadrat koefesien absorpsi terhadap energi foton. Besarnya energi gap Eg dan koefisien absorpsi (α) film tipis CdTe disajikan pada Tabel 1. Tabel 1. Energi gap dan koefisien absorpsi film tipis CdTe. Sampel Eg (ev) α (cm -1 ) A (250 o, 25 W) 3,50 1,37 x 10 4 B (250 o, 30 W) 1,50 4,20 x 10 4 C (250 o, 35 W) 1,45 4,41 x 10 4 Film yang ditumbuhkan pada daya plasma 25 W hanya mampu mengabsorbsi cahaya pada energi lebih besar 3,50 ev atau pada daerah panjang gelombang lebih rendah dari 350 nm. Sedangkan film yang ditumbuhkan pada daya 30 W dan 35 W mampu mengabsorpsi spektrum cahaya pada energi lebih besar 1,50 ev atau pada daerah rentang cahaya tampak. Dalam aplikasi sel surya, yang terpenting film tersebut memiliki koefisien absorpsi tinggi yang mampu mengabsopsi cahaya yang datang pada permukaan sel surya (Gupta et al, 2006) dan diharapkan mampu menyerap seluruh spektrum cahaya tampak dari matahari (Contreras et al, 2002). Ini artinya film tipis CdTe yang ditumbuhkan dengan daya plasma 25 W hanya mampu mengabsopsi cahaya pada panjang gelombang lebih kecil 350 nm sehingga kurang sesuai untuk digunakan sebagai lapisan absorpber dalam pembuatan lapisan sel surya. Dari Gambar 4b dan 4c terlihat bahwa film yang ditumbuhkan pada daya plasma 30 W dan 35 W mempunyai kemampuan mengabsorpsi spektrum cahaya pada rentang energi foton lebih besar 1,50 ev atau panjang gelombang sekitar 800 nm ke bawah. Ini berarti film yang telah ditumbuhkan mampu mengabsorpsi seluruh spektrum cahaya tampak sehingga sesuai untuk pembuatan thin film solar cells. Hasil tersebut sesuai dengan hasil penelitian Contreras et al (2002) yang juga dihasilkan film tipis CdTe dengan kemampuan mengabsorpsi spektrum cahaya pada rentang energi lebih besar 1,50 ev. Gambar 4. Grafik kuadrat koefisien absorpsi terhadap energi foton film CdTe yang ditumbuhkan pada daya plasma 25 W, 30 W dan 35 W. IV. KESIMPULAN DAN SARAN Film tipis CdTe telah ditumbuhkan di atas substrat corning glass dengan metode dc magnetron sputtering. Film CdTe mempunyai struktur polikristal dengan puncak difraksi dominan pada orientasi (111). Struktur kristal film CdTe adalah cubic dengan kisi kristal fcc dan mempunyai tetapan kisi yang relatif sama sebesar 6,46 Å. Penambahan daya plasma saat deposisi tidak mempengaruhi struktur kristal film CdTe, akan tetapi mempengaruhi ukuran butiran kristal dan sifat optiknya. Semakin tinggi daya plasma ukuran butiran menjadi lebih besar dan mampu menyerap cahaya pada daerah energi lebih
5 138 Sugianto, dkk / Pengaruh Daya Plasma Pada Struktur Mikro Dan Sifat Optik Film Tipis CdTe Yang besar dari 1,50 ev. Film tipis CdTe yang ditumbuhkan dengan daya plasma 30W dan 35 W mampu mengabsorpsi seluruh spektrum cahaya tampak. Film CdTe yang ditumbuhkan dengan dc magnetron sputtering berpotensi untuk dikembangkan sebagai bahan sel surya. V. UCAPAN TERIMA KASIH Ucapan terimakasih disampaikan kepada Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Negeri Semarang yang telah membiayai penelitian ini melalui Dana DIPA UNNES No / /XIII/2008, MA VI. DAFTAR PUSTAKA Candless, Mc. B.E. & Sites, J.R Cadmium Telluride Solar cell. Handbook of Photovoltaic Science and Engineering. New York: John Wiley Compaan, A.D., Gupta, A., Lee S., Wang S., Drayton J High Efficiency Magnetron Sputtered CdS/CdTe Solar Cells. Solar Energy. 77: Contreras, H.H., Contreras P.G., Aguilar,H.J., Morales, A.A., Vidal, L.J., Vigil, G.O., CdS and CdTe Large Area Thin Films Processed by Radio-frequency Planar Magnetron Sputtering. Thin Solid Film : Gupta, A., Parikh, V., Compaan, A.D., High Efficiency Ultra-thin Sputtered CdTe Solar Cells. Solar Energy Mater. & Solar Cells. 90: Sudjatmoko Aplikasi Teknologi Sputtering untuk Pembuatan Sel Surya Lapisan Tipis (Workshop Sputtering untuk Rekayasa Permukaan Bahan). Yogyakarta: Puslitbang Teknologi Maju BATAN Sugianto. Sunarno. Putut. M Penumbuhan Film Tipis Al x Ga 1-x N di atas Substrat Si(111) dengan Metode DC Magnetron Sputtering. Proseding Seminar Nasional 4 rd KENTINGAN PHYSICS FORUM. Jurusan Fisika: Universitas Sebelas Maret Surakarta Suryanarayana, C & Norton, M.G X-Ray Diffraction A Practical Approach. New York: Plenum Press Wasa, K & Hayakawa, S Hand Book of Sputtering Deposition Technology Principles, Technology and Application. Park Ridge, New Jersey: USA Noyes Publication
BAB I PENDAHULUAN. Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini terlihat dari banyaknya komponen semikonduktor yang digunakan disetiap kegiatan manusia.
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi energi listrik DC secara langsung. Sel surya telah diaplikasikan dalam berbagai bidang, salah
Lebih terperinciPENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR
PENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR Penumbuhan film tipis semikonduktor di atas substrat dapat dilakukan secara epitaksi. Dalam bahasa yunani epi berarti di atas dan taksial berarti menyusun dengan kata
Lebih terperinciSTRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPIS TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 S 0.8 ) HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA
J. Sains Dasar 2015 4 (2) 198-203 STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPIS TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 S 0.8 ) HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA THE STRUCTURE AND CHEMICAL
Lebih terperinciPENGARUH KONDISI PENUMBUHAN PADA SIFAT FISIS FILM TIPIS GA 2 O 3 DENGAN DOPING ZNO
PENGARUH KONDISI PENUMBUHAN PADA SIFAT FISIS FILM TIPIS GA 2 O 3 DENGAN DOPING ZNO Sulhadi, Putut Marwoto, dan Sugianto Fakultas Matematika Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Negeri Semarang Abstrak. Telah
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban manusia di abad ini. Sehingga diperlukan suatu kemampuan menguasai teknologi tinggi agar bisa
Lebih terperinciSINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION
SINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION Yolanda Oktaviani, Astuti Jurusan Fisika FMIPA Universitas Andalas e-mail: vianyolanda@yahoo.co.id
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia Tenggara. Sebagai negara berkembang, Indonesia melakukan swasembada diberbagai bidang, termasuk
Lebih terperinci2 SINTESIS DAN KARAKTERISASI NANOSTRUKTUR ZnO
2 SINTESIS DAN KARAKTERISASI NANOSTRUKTUR ZnO 3 Pendahuluan ZnO merupakan bahan semikonduktor tipe-n yang memiliki lebar pita energi 3,37 ev pada suhu ruang dan 3,34 ev pada temperatur rendah dengan nilai
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. kita terima bahwa pemakaian energi berbahan dasar dari fosil telah menjadi salah
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Menipisnya cadangan energi fosil di Indonesia dan kenyataan yang harus kita terima bahwa pemakaian energi berbahan dasar dari fosil telah menjadi salah satu
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Listrik merupakan kebutuhan esensial yang sangat dominan kegunaannya
λ Panjang Gelombang 21 ω Kecepatan Angular 22 ns Indeks Bias Kaca 33 n Indeks Bias Lapisan Tipis 33 d Ketebalan Lapisan Tipis 33 α Koofisien Absorpsi 36 Frekuensi Cahaya 35 υ BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini mengalami peralihan dari teknologi mikro (microtechnology) ke generasi yang lebih kecil yang dikenal
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. energi listrik. Pemanfaatan energi listrik terus berkembang tidak hanya berfokus
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Seiring pertumbuhan penduduk di dunia yang semakin meningkat, kebutuhan akan sumber energi meningkat pula. Termasuk kebutuhan akan sumber energi listrik. Pemanfaatan
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. I.1 Latar Belakang Kebutuhan akan energi semakin berkembang seiring dengan
BAB I PENDAHULUAN I.1 Latar Belakang Kebutuhan akan energi semakin berkembang seiring dengan berkembangnya kehidupan manusia. Sehingga para peneliti terus berupaya untuk mengembangkan sumber-sumber energi
Lebih terperinciBAB 1 PENDAHULUAN Latar Belakang
BAB 1 PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Memasuki abad 21, persediaan minyak dan gas bumi semakin menipis. Sementara kebutuhan akan energi semakin meningkat, terutama dirasakan pada negara industri. Kebuthan
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen yang dilakukan di
BAB III METODE PENELITIAN Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen yang dilakukan di lab. Fisika Material, Jurusan Pendidikan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas
Lebih terperinciBAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI
BAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI Pada bab ini dibahas penumbuhan AlGaN tanpa doping menggunakan reaktor PA- MOCVD. Lapisan AlGaN ditumbuhkan dengan variasi laju alir gas reaktan, hasil penumbuhan dikarakterisasi
Lebih terperinciAriswan. Kata kunci : fotovoltaik, Heksagonal, sel surya
Ariswan / Struktur Kristal, Morfologi Permukaan dan Sifat Optik Bahan CdSe Hasil Preparasi dengan Teknik Close Spaced Vapor Transport (CSVT) untuk Aplikasi Sel Surya 97 Struktur Kristal, Morfologi Permukaan
Lebih terperinciHomogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-si:h tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 8, NOMOR JANUARI 202 Homogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-si:h tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD
Lebih terperinciI. PENDAHULUAN. kimia yang dibantu oleh cahaya dan katalis. Beberapa langkah-langkah fotokatalis
I. PENDAHULUAN A. Latar Belakang Telah berkembang suatu mekanisme fotokatalis yang menerapkan pemanfaatan radiasi ultraviolet dan bahan semikonduktor sebagai fotokatalis, umumnya menggunakan bahan TiO2
Lebih terperinciPengaruh Temperatur dan Waktu Putar Terhadap Sifat Optik Lapisan Tipis ZnO yang Dibuat dengan Metode Sol-Gel Spin Coating
ISSN 2302-8491 Jurnal Fisika Unand Vol. 6, No. 2, April 2017 Pengaruh Temperatur dan Waktu Putar Terhadap Sifat Optik Lapisan Tipis ZnO yang Dibuat dengan Metode Sol-Gel Spin Coating Fitriani *, Sri Handani
Lebih terperinciBAB II KAJIAN PUSTAKA DAN DASAR TEORI
BAB II KAJIAN PUSTAKA DAN DASAR TEORI 2.1. Kajian Pustaka Marwoto.P., dkk (2007) melakukan penelitian proses penumbuhan film tipis Ga 2 O 3 :Mn dengan mengguakan DC magnetron sputtering dan dilakukan dengan
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Nanopatikel merupakan partikel mikroskopis yang memiliki ukuran dalam skala nanometer yaitu < 100 nm. Nanopartikel menjadi kajian yang sangat menarik, karena ketika
Lebih terperinciIII. METODE PENELITIAN
21 III. METODE PENELITIAN 3.1 Waktu dan Tempat Penelitian Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Agustus 2010 - Juni 2011 di Laboratorium Biofisika dan Laboratorium Fisika Lanjut, Departemen Fisika IPB.
Lebih terperinciDEPOSISI LAPISAN TIPIS (CdS) TIPE-N DI ATAS LAPISAN TIPIS (CuInSe 2 ) TIPE-P SEBAGAI PENYANGGA UNTUK SEL SURYA CIS
ISSN 1410-6957 DEPOSISI LAPISAN TIPIS (CdS) TIPE-N DI ATAS LAPISAN TIPIS (CuInSe 2 ) TIPE-P SEBAGAI PENYANGGA UNTUK SEL SURYA CIS Wirjoadi, Yunanto, Bambang Siswanto Pusat Teknologi Akselerator dan Proses
Lebih terperinciPEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS
PEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS Syuhada, Dwi Bayuwati, Sulaiman Pusat Penelitian Fisika-LIPI, Kawasan Puspiptek Serpong Tangerang 15314 e-mail: hadda212@yahoo.com
Lebih terperinciI. PENDAHULUAN. Lapisan tipis adalah suatu lapisan yang sangat tipis terbuat dari bahan organik,
I. PENDAHULUAN A. Latar Belakang Lapisan tipis adalah suatu lapisan yang sangat tipis terbuat dari bahan organik, inorganik, logam maupun campuran metal organik dan memiliki sifat-sifat konduktor, semikonduktor
Lebih terperinciEfek doping Al pada sifat optik dan listrik lapisan tipis ZnO hasil deposisi dengan DC sputtering
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 1, NOMER 1 JANUARI 2005 Efek doping Al pada sifat optik dan listrik lapisan tipis ZnO hasil deposisi dengan DC sputtering SriYaniPurwaningsih, 1 Karyono, 2 dansudjatmoko
Lebih terperinciPembuatan Sel Surya Film Tipis dengan DC Magnetron Sputtering
Pembuatan Sel Surya Film Tipis dengan DC Magnetron Sputtering Desty Anggita Tunggadewi 1, Fitria Hidayanti 1 1 Program Studi Teknik Fisika, Fakultas Teknik dan Sains, Universitas Nasional dtunggadewi@yahoo.co.id,
Lebih terperinciKARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS a-si:h:b UNTUK BAHAN SEL SURYA
ISSN 40-695 KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS a-si:h:b UNTUK BAHAN SEL SURYA Bambang Siswanto, Wirjoadi, Tri Mardji Atmono, Yunanto Puslitbang Teknologi Maju Batan Yogayakarta Jl. Babarsari Kotak
Lebih terperinciPREPARASI LAPISAN TIPIS SAMBUNGAN p-n ZnO DAN CuInSe MENGGUNAKAN PENYANGGA LAPISAN CdS UNTUK APLIKASI SEL SURYA
, dkk. ISSN 0216-3128 153 PREPARASI LAPISAN TIPIS SAMBUNGAN p-n ZnO DAN CuInSe MENGGUNAKAN PENYANGGA LAPISAN CdS UNTUK APLIKASI SEL SURYA PTAPB Badan Tenaga Nuklir Nasional Agung B.S.U, Messa Monika Sari
Lebih terperinciDEPOSISI LAPISAN TIPIS (CdS) TIPE-N DIATAS LAPISAN TIPIS (CuInSe 2 ) TIPE-P SEBAGAI PENYANGGA UNTUK SEL SURYA CIS
250 ISSN 0216-3128 Wirjoadi, dkk. DEPOSISI LAPISAN TIPIS (CdS) TIPE-N DIATAS LAPISAN TIPIS (CuInSe 2 ) TIPE-P SEBAGAI PENYANGGA UNTUK SEL SURYA CIS Wirjoadi, Yunanto, Bambang Siswanto Pusat Teknologi Akselerator
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 LatarBelakang
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 LatarBelakang Proses pembangunan disegala bidang selain membawa kemajuan terhadap kehidupan manusia, tetapi juga akan membawa dampak negative bagi lingkungan hidup. Industrialisasi
Lebih terperinciKARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT GELAS UNTUK JENDELA SEL SURYA
GANENDRA, Vol. V, N0.2 ISSN 1410-6957 KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT GELAS UNTUK JENDELA SEL SURYA Wirjoadi, Yunanto, Bambang Siswanto, Sri Sulamdari, Sudjatmoko Puslitbang
Lebih terperinciSTRUKTUR MORFOLOGI DAN FOTOLUMINISENSI FILM TIPIS Ga 2 O 3 :Mn
STRUKTUR MORFOLOGI DAN FOTOLUMINISENSI FILM TIPIS Ga 2 O 3 :Mn Putut Marwoto, Ng. Made D.P., Agus Yulianto, Sugianto, dan Sunarno Laboratorium Fisika Material Jurusan Fisika, FMIPA Universitas Negeri Semarang
Lebih terperinciWidyanuklida, Vol. 15 No. 1, November 2015: ISSN
Widyanuklida, Vol. 15 No. 1, November 2015: 22-27 ISSN 1410-5357 Penentuan Struktur Kristal dan Komposisi Kimia Lapisan Tipis Sn(Se 0,5 S 0,5 ) Hasil Preparasi Teknik Evaporasi untuk Aplikasi Sel Surya
Lebih terperinciPENGARUH ATOM SULFUR PADA PARAMETER KISI KRISTAL MATERIAL SEL SURYA Cd(Se 1-x,S x ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN
PENGARUH ATOM SULFUR PADA PARAMETER KISI KRISTAL MATERIAL SEL SURYA Cd(Se 1-x,S x ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN Ariswan Prodi Fisika FMIPA Universitas Negeri Yogyakarta E-mail : ariswan@uny.ac.id
Lebih terperinciUnnes Physics Journal
UPJ 2 (1) (2013) Unnes Physics Journal http://journal.unnes.ac.id/sju/index.php/upj DEPOSISI DAN KARAKTERISASI FILM TIPIS CdS/CdTe:Cu YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE DC MAGNETRON SPUTTERING Syamsul Hadi
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Komponen elektronika seperti diode, transistor dan sebuah IC. semikonduktor. Pada zaman sekarang perkembangan piranti elektronika
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Komponen elektronika seperti diode, transistor dan sebuah IC (integrated circuit) merupakan elemen-elemen yang terbuat dari semikonduktor. Pada zaman sekarang
Lebih terperinciSTRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPISAN TIPIS Sn(So,4Te0,6) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM
Struktur dan Komposisi... (Eka Wulandari) 1 STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPISAN TIPIS Sn(So,4Te0,6) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM STRUCTURE AND CHEMICAL COMPOSITION OF Sn(S0,4Te0,6) THIN
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Ketersediaan sumber energi merupakan masalah yang harus segera diselesaikan oleh masing-masing negara termasuk Indonesia. Untuk itu perlu dikembangkan suatu teknologi
Lebih terperinciPENGARUH KANDUNGAN In PADA LAPISAN TIPIS TCO (ZnO:In) TERHADAP TEGANGAN FOTOVOLTAIK SEL SURYA CIS. Uminingsih Fakultas Sains Terapan IST AKPRIND
PENGARUH KANDUNGAN In PADA LAPISAN TIPIS TCO (ZnO:In) TERHADAP TEGANGAN FOTOVOLTAIK SEL SURYA CIS Uminingsih Fakultas Sains Terapan IST AKPRIND Yunanto, dan Darsono Pusat Teknologi Akselerator dan Proses
Lebih terperinciFABRIKASI STRUKTUR HETERO CDTE/CDS:ZN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING (HOMEMADE) UNTUK APLIKASI SEL SURYA
FABRIKASI STRUKTUR HETERO CDTE/CDS:ZN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING (HOMEMADE) UNTUK APLIKASI SEL SURYA Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Negeri Semarang Email:
Lebih terperinciPERKEMBANGAN SEL SURYA
PERKEMBANGAN SEL SURYA Generasi Pertama Teknologi pertama yang berhasil dikembangkan oleh para peneliti adalah teknologi yang menggunakan bahan silikon kristal tunggal. Teknologi ini dalam mampu menghasilkan
Lebih terperinciBab III Metodologi Penelitian
28 Bab III Metodologi Penelitian III.1 Tahap Penelitian Penelitian ini terbagi dalam empat tahapan kerja, yaitu : Tahapan kerja pertama adalah persiapan bahan dasar pembuatan film tipis ZnO yang terdiri
Lebih terperinciSTUDI AWAL FABRIKASI DYE SENSITIZED SOLAR CELL (DSSC) DENGAN EKSTRAKSI DAUN BAYAM SEBAGAI DYE SENSITIZER DENGAN VARIASI JARAK SUMBER CAHAYA PADA DSSC
STUDI AWAL FABRIKASI DYE SENSITIZED SOLAR CELL (DSSC) DENGAN EKSTRAKSI DAUN BAYAM SEBAGAI DYE SENSITIZER DENGAN VARIASI JARAK SUMBER CAHAYA PADA DSSC Surabaya 27 Januari 2012 Perumusan Masalah B Latar
Lebih terperinciPenumbuhan Lapisan Tipis µc-si:h Tipe-P dengan Metode HW-PECVD untuk Aplikasi Sel Surya
Penumbuhan Lapisan Tipis µc-si:h Tipe-P dengan Metode HW-PECVD untuk Aplikasi Sel Surya Jasruddin, Abdul Haris, dan Helmi Departemen Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Negeri
Lebih terperinciPENGARUH VARIASI MASSA BAHAN TERHADAP KUALITAS KRISTAL SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 Te 0,8 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN
Pengaruh Variasi Massa... (Annisa Dyah ) 238 PENGARUH VARIASI MASSA BAHAN TERHADAP KUALITAS KRISTAL SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 Te 0,8 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN THE EFFECT OF MATERIAL MASS ON
Lebih terperinciLogo SEMINAR TUGAS AKHIR. Henni Eka Wulandari Pembimbing : Drs. Gontjang Prajitno, M.Si
SEMINAR TUGAS AKHIR Add Your Company Slogan STUDI AWAL FABRIKASI DAN KARAKTERISASI DYE SENSITIZED SOLAR CELL (DSSC) MENGGUNAKAN EKSTRAKSI BUNGA SEPATU SEBAGAI DYE SENSITIZERS DENGAN VARIASI LAMA ABSORPSI
Lebih terperinciDr. Ariswan Dosen Jurdik.Fisika FMIPA Universitas Negeri Yogyakarta
Struktur dan Respon Spektral Ultra Violet Visible (UV-VIS) pada Lapisan Tipis Tembaga, Aurum, Indium, Perak, dan Aluminium hasil Preparasi dengan Teknik Evaporasi Klasik. Dr. Ariswan Dosen Jurdik.Fisika
Lebih terperinciPENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se 0,4 Te 0,6 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM
Pengaruh Suhu Substrat...(Vina Hentri Tunita N.)288 PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se 0,4 Te 0,6 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM THE EFFECT OF SUBSTRATE
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. Pelaksanaan penelitian ini pada dasarnya meliputi tiga tahapan proses
BAB III METODE PENELITIAN Pelaksanaan penelitian ini pada dasarnya meliputi tiga tahapan proses diawali dengan tahap persiapan, tahap penumbuhan, dan tahap karakterisasi. Pada bab ini dibahas tentang metode
Lebih terperinciPENINGKATAN KUALITAS FILM TIPIS CdTe SEBAGAI ABSORBER SEL SURYA DENGAN MENGGUNAKAN DOPING TEMBAGA (Cu)
ISSN: 1693-1246 Juli 2012 PENINGKATAN KUALITAS FILM TIPIS CdTe SEBAGAI ABSORBER SEL SURYA DENGAN MENGGUNAKAN DOPING TEMBAGA (Cu) P. Marwoto 1, *, N.M. Darmaputra 1, Sugianto 1, Z. Othaman 2, E. Wibowo
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Nanoteknologi adalah ilmu yang mempelajari, menciptakan dan merekayasa material berskala nanometer dimana terjadi sifat baru. Kata nanoteknologi berasal dari
Lebih terperinciBAB V KESIMPULAN DAN SARAN. maka diperoleh kesimpulan sebagai berikut : Bridgman. Bahan-bahan yang digunakan adalah Pb, Se, dan Te kemudian
BAB V KESIMPULAN DAN SARAN A. Kesimpulan Berdasarkan hasil penelitian dan pembahasan mengenai hasil preparasi bahan semikonduktor Pb(Se 0,6 Te 0,4 ) dengan menggunakan teknik Bridgman maka diperoleh kesimpulan
Lebih terperinciPengaruh Optis Kontak Belakang terhadap Parameter Optis Lapisan a-si:h
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 8, NOMOR 2 JUNI 2012 Pengaruh Optis Kontak Belakang terhadap Parameter Optis Lapisan a-si:h Ismail dan Eddy Yahya Jurusan Fisika-FMIPA, Institut Teknologi Sepuluh Nopember
Lebih terperinciDistribusi Celah Pita Energi Titania Kotor
Jurnal Nanosains & Nanoteknologi ISSN 1979-0880 Edisi Khusus, Agustus 009 Distribusi Celah Pita Energi Titania Kotor Indah Nurmawarti, Mikrajuddin Abdullah (a), dan Khairurrijal Kelompok Keahlian Fisika
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. didalamnya dilakukan karakterisasi XRD. 20%, 30%, 40%, dan 50%. Kemudian larutan yang dihasilkan diendapkan
6 didalamnya dilakukan karakterisasi XRD. 3.3.3 Sintesis Kalsium Fosfat Sintesis kalsium fosfat dalam penelitian ini menggunakan metode sol gel. Senyawa kalsium fosfat diperoleh dengan mencampurkan serbuk
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Kebutuhan energi yang terus meningkat dan semakin menipisnya cadangan minyak bumi dan gas alam menjadi pendorong bagi manusia untuk mencari sumber energi alternatif.
Lebih terperinciSTUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI
Studi Pengaruh Suhu Substrat. (Rully Fakhry Muhammad) 303 STUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI STUDY
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. dengan menggunakan kamera yang dihubungkan dengan komputer.
10 dengan menggunakan kamera yang dihubungkan dengan komputer. HASIL DAN PEMBAHASAN Hasil sintesis paduan CoCrMo Pada proses preparasi telah dihasilkan empat sampel serbuk paduan CoCrMo dengan komposisi
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pengembangan material yang memiliki ketahanan terhadap temperatur tinggi merupakan salah satu topik menarik yang terus dikaji oleh peneliti. Contoh aplikasi penggunaan
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN. Lokasi penelitian dilakukan di Laboratorium Fisika Material, Jurusan
BAB III METODOLOGI PENELITIAN A. Lokasi dan Waktu Penelitian Lokasi penelitian dilakukan di Laboratorium Fisika Material, Jurusan Pendidikan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Nanoteknologi adalah ilmu dan rekayasa dalam menciptakan material, struktur fungsional, maupun piranti alam
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Nanoteknologi adalah ilmu dan rekayasa dalam menciptakan material, struktur fungsional, maupun piranti alam skala nanometer. Material berukuran nanometer memiliki
Lebih terperinciPREPARASI DAN KARAKTERISASI PADUAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,6 Te 0,4 ) DENGAN METODE BRIDGMAN MELALUI VARIASI WAKTU PEMANASAN
Preparasi dan Karakterisasi.(Iin Astarinugrahini) 298 PREPARASI DAN KARAKTERISASI PADUAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,6 Te 0,4 ) DENGAN METODE BRIDGMAN MELALUI VARIASI WAKTU PEMANASAN PREPARATION AND CHARACTERIZATION
Lebih terperinciSIFAT OPTIK STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO
Wirjoadi, dkk. ISSN 0216-3128 369 SIFAT OPTIK STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO Wirjoadi, Bambang Siswanto Pusat Teknologi Akselerator dan Proses
Lebih terperinciSIFAT OPTIK, STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO
ISSN 1410-6957 SIFAT OPTIK, STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO Wirjoadi, Bambang Siswanto Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan, BATAN
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. Keterangan Gambar 7 : 1. Komputer 2. Ocean Optic USB 2000 Spektrofotometer
7 Keterangan Gambar 7 : 1. Komputer 2. Ocean Optic USB 2000 Spektrofotometer 3. Sumber Cahaya (Polikromatis) 4. Fiber Optik 5. Holder 6. Samp 7. Gambar 7 Perangkat spektrofotometer UV-VIS. Karakterisasi
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN. Metode yang digunakan dalam penelitian ini adalah metoda eksperimen.
BAB III METODOLOGI PENELITIAN A. Metode Penelitian Metode yang digunakan dalam penelitian ini adalah metoda eksperimen. Penelitian dilakukan dengan beberapa tahapan yang digambarkan dalam diagram alir
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Sebagian besar sumber energi yang dieksploitasi di Indonesia berasal dari energi fosil berupa
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Krisis energi merupakan masalah terbesar pada abad ini. Hal ini dikarenakan pesatnya pertumbuhan ekonomi dunia sehingga kebutuhan manusia akan sumber energi pun meningkat.
Lebih terperinciSTRUKTUR DAN SIFAT LISTRIK FILM TIPIS CdTe:Cu YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE DC MAGNETRON SPUTTERING
STRUKTUR DAN SIFAT LISTRIK FILM TIPIS CdTe:Cu YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE DC MAGNETRON SPUTTERING skripsi disajikan sebagai salah satu syarat untuk memperoleh gelar Sarjana Sains Program Studi Fisika
Lebih terperinciF- 1. PENGARUH PENYISIPAN LOGAM Fe PADA LAPISAN TiO 2 TERHADAP PERFORMANSI SEL SURYA BERBASIS TITANIA
PENGARUH PENYISIPAN LOGAM Fe PADA LAPISAN TiO 2 TERHADAP PERFORMANSI SEL SURYA BERBASIS TITANIA Rita Prasetyowati, Sahrul Saehana, Mikrajuddin Abdullah (a), dan Khairurrijal Kelompok Keahlian Fisika Material
Lebih terperinci2014 PEMBUATAN BILAYER ANODE - ELEKTROLIT CSZ DENGAN METODE ELECTROPHORETIC DEPOSITION
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Kebutuhan listrik dunia semakin meningkat seiring berjalannya waktu. Hal ini tentu disebabkan pertumbuhan aktivitas manusia yang semakin padat dan kebutuhan
Lebih terperinciPENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL (µc Si:H) TIPE-P DENGAN METODE HOT WIRE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (HW-PECVD)
Bimafika, 2010, 2, 134-140 PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL (µc Si:H) TIPE-P DENGAN METODE HOT WIRE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (HW-PECVD) Marwah * FKIP Unversitas Darussalam
Lebih terperinciStruktur kristal dan Morfologi film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan metoda Hot-Wire Pulsed Laser Deposition
Struktur kristal dan Morfologi film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan metoda Hot-Wire Pulsed Laser Deposition Dadi Rusdiana Departemen Fisika, FPMIPA UPI, Jl. Dr.Setiabudi 229 Bandung, Indonesia 40154
Lebih terperinciSIDANG TUGAS AKHIR. Jurusan Teknik Material & Metalurgi Fakultas Teknologi Industri Institut Teknologi Sepuluh Nopember
SIDANG TUGAS AKHIR Arisela Distyawan NRP 2709100084 Dosen Pembimbing Diah Susanti, S.T., M.T., Ph.D Jurusan Teknik Material & Metalurgi Fakultas Teknologi Industri Institut Teknologi Sepuluh Nopember Sintesa
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC)
39 HASIL DAN PEMBAHASAN Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC) Hasil karakterisasi dengan Difraksi Sinar-X (XRD) dilakukan untuk mengetahui jenis material yang dihasilkan disamping menentukan
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN
29 BAB III METODE PENELITIAN A. Metode Penelitian Pada penelitian ini metode yang digunakan peneliti adalah metode eksperimen. Material yang digunakan berupa pasta TiO 2 produksi Solaronix, bubuk Dyesol
Lebih terperinciSIFAT-SIFAT OPTIK DAN LISTRIK BAHAN SEMIKONDUKTOR SnS LAPISAN TIPIS HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA ABSTRAK
SIFAT-SIFAT OPTIK DAN LISTRIK BAHAN SEMIKONDUKTOR SnS LAPISAN TIPIS HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA Ganesha Antarnusa. 1, Tjipto Sujitno 2, Ariswan 3 1 Mahasiswa
Lebih terperinciDAYA KELUARAN PANEL SURYA SILIKON POLI KRISTALIN PADA CUACA NORMAL DAN CUACA BERASAP DENGAN SUSUNAN ARRAY PARALEL
DAYA KELUARAN PANEL SURYA SILIKON POLI KRISTALIN PADA CUACA NORMAL DAN CUACA BERASAP DENGAN SUSUNAN ARRAY PARALEL 1 Andrian Budi Pratomo, 2 Erwin, 3 Awitdrus 1 Mahasiswa Jurusan Fisika 2 Bidang Medan Elektromagnetik
Lebih terperinciSTRUCTURAL, CHEMICAL COMPOSITION, ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF Sn (Se 0,4 S 0,6 ) THIN FILMS PREPARED USING THERMAL EVAPORATION FOR SOLAR CELLS APPLICATIONS Ariswan * * Jurdik. Fisika, Prodi Fisika,
Lebih terperinciTeknologi Plasma. dalam Industri Manufaktur Semikonduktor dan Divais Elektronik. (Bagian II) Prof. Dr. Ir. Setijo Bismo, DEA.
Teknologi Plasma dalam Industri Manufaktur Semikonduktor dan Divais Elektronik (Bagian II) Prof. Dr. Ir. Setijo Bismo, DEA. Departemen Teknik Kimia Fakultas Teknik Universitas Indonesia Monday, 12 October
Lebih terperinciPENGARUH TEKANAN DAN WAKTU DEPOSISI PADA TEKNIK SPUTTERING TERHADAP TAHANAN DAN REFLEKSIVITAS LAPISAN TIPIS a-si DAN Ag
GANENDRA, Vol. V, N0.2 ISSN 1410-6957 PENGARUH TEKANAN DAN WAKTU DEPOSISI PADA TEKNIK SPUTTERING TERHADAP TAHANAN DAN REFLEKSIVITAS LAPISAN TIPIS a-si DAN Ag Yunanto, Sudjatmoko, Trimardji Atmono, Wirjoadi
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. Gambar 11. Rangkaian pengukuran karakterisasi I-V.
10 larutan elektrolit yang homogen. Pada larutan yang telah homogen dengan laju stirring yang sama ditambahkan larutan elektrolit KI+I 2 sebanyak 10 ml dengan konsentrasi 0.3 M tanpa annealing. Setelah
Lebih terperinciPENGARUH SERAPAN SINAR MATAHARI OLEH KACA FILM TERHADAP DAYA KELUARAN PLAT SEL SURYA
PENGARUH SERAPAN SINAR MATAHARI OLEH KACA FILM TERHADAP DAYA KELUARAN PLAT SEL SURYA Ricko Mahindra*, Awitdrus, Usman Malik Jurusan Fisika Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Riau
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Sebagai negara berkembang yang kaya akan radiasi matahari yang tinggi,
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Sebagai negara berkembang yang kaya akan radiasi matahari yang tinggi, sudah seharusnya Indonesia memanfaatkannya sebagai energi listrik dengan menggunakan sel surya.
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Pembuatan lapis tipis semikonduktor merupakan salah satu cara untuk memudahkan aplikasi semikonduktor baik sebagai solar sel maupun fotokatalis dalam degradasi
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. energi cahaya (foton) menjadi energi listrik tanpa proses yang menyebabkan
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Sel surya merupakan suatu piranti elektronik yang mampu mengkonversi energi cahaya (foton) menjadi energi listrik tanpa proses yang menyebabkan dampak buruk terhadap
Lebih terperinciKARAKTERISASI TiO 2 (CuO) YANG DIBUAT DENGAN METODA KEADAAN PADAT (SOLID STATE REACTION) SEBAGAI SENSOR CO 2
KARAKTERISASI TiO 2 (CuO) YANG DIBUAT DENGAN METODA KEADAAN PADAT (SOLID STATE REACTION) SEBAGAI SENSOR CO 2 Hendri, Elvaswer Jurusan Fisika FMIPA Universitas Andalas Kampus Unand, Limau Manis, Padang,
Lebih terperinciOleh: Tyas Puspitaningrum, Tjipto Sujitno, dan Ariswan
Penentuan Band Gap... (Tyas Puspitaningrum) 166 PENENTUAN BAND GAP DAN KONDUKTIVITAS BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS Sn(S 0,8 Te 0,2 ) DAN Sn(S 0,6 Te 0,4 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI TERMAL
Lebih terperinciSINTESIS DAN KARAKTERISASI CORE-SHELL ZnO/TiO2 SEBAGAI MATERIAL FOTOANODA PADA DYE SENSITIZED SOLAR CELL (DSSC) SKRIPSI
SINTESIS DAN KARAKTERISASI CORE-SHELL ZnO/TiO2 SEBAGAI MATERIAL FOTOANODA PADA DYE SENSITIZED SOLAR CELL (DSSC) SKRIPSI Oleh Yuda Anggi Pradista NIM 101810301025 JURUSAN KIMIA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Oksida konduktif transparan atau transparent conductive oxide (TCO)
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Oksida konduktif transparan atau transparent conductive oxide (TCO) adalah semikonduktor yang memiliki lebar celah pita energi antara 2,5 4,5 ev (Dengyuan, 2005).
Lebih terperinciStruktur dan komposisi kimia bahan semikonduktor Cd(Se,S) masif hasil preparasi dengan metode Bridgman.
Prosiding Seminar Nasional Penelitian, Pendidikan, dan Penerapan MIPA Fakultas MIPA, Universitas Negeri Yogyakarta, 16 Mei 2009 Struktur dan komposisi kimia bahan semikonduktor Cd(Se,S) masif hasil preparasi
Lebih terperinciPENGARUH LAPISAN PENYANGGA AlN DAN DAYA PLASMA PADA SIFAT OPTIK FILM TIPIS GaN YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING
PENGARUH LAPISAN PENYANGGA AlN DAN DAYA PLASMA PADA SIFAT OPTIK FILM TIPIS GaN YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING SKRIPSI Disusun dalam rangka penyelesaian Studi Stata 1 untuk memperoleh gelar
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Penelitian Zeniar Rossa Pratiwi,2013
1 BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Penelitian Kebutuhan akan energi yang terus meningkat memaksa manusia untuk mencari sumber-sumber energi terbarukan. Sampai saat ini sebagian besar sumber energi berasal
Lebih terperinciSkripsi. Disusun dalam rangka penyelesaian Studi Strata 1 untuk memperoleh gelar Sarjana Fisika S1 pada Universitas Negeri Semarang.
STUDI PENGARUH RASIO LAJU ALIR GAS ARGON DAN NITROGEN TERHADAP SIFAT OPTIK FILM TIPIS GALLIUM NITRIDA YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE DC MAGNETRON SPUTTERING Skripsi Disusun dalam rangka penyelesaian Studi
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN
BAB III METODOLOGI PENELITIAN A. Metode Penelitian Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen secara kualitatif dan kuantitatif. Metode penelitian ini menjelaskan proses degradasi fotokatalis
Lebih terperinciStruktur dan komposisi kimia bahan semikonduktor Cd(Se,S) masif hasil preparasi dengan metode Bridgman.
Struktur dan komposisi kimia bahan semikonduktor Cd(Se,S) masif hasil preparasi dengan metode Bridgman. ( Structure and chemical composition of Cd(Se (1-x),S x ) bulk obtained by the Bridgman Methode)
Lebih terperinci4. HASIL DAN PEMBAHASAN
Intensitas (arb.unit) Intensitas (arb.unit) Intensitas (arb. unit) Intensitas 7 konstan menggunakan buret. Selama proses presipitasi berlangsung, suhu larutan tetap dikontrol pada 7 o C dengan kecepatan
Lebih terperincipusat tata surya pusat peredaran sumber energi untuk kehidupan berkelanjutan menghangatkan bumi dan membentuk iklim
Ari Susanti Restu Mulya Dewa 2310100069 2310100116 pusat peredaran pusat tata surya sumber energi untuk kehidupan berkelanjutan menghangatkan bumi dan membentuk iklim Tanpa matahari, tidak akan ada kehidupan
Lebih terperinci