Pengaruh Perlakuan Implantasi Hidrogen terhadap Sifat Struktur Lapisan Tipis Amorf Silikon Karbon (a-sic:h) Hasil Deposisi Metode DC Sputtering
|
|
- Ivan Indradjaja
- 7 tahun lalu
- Tontonan:
Transkripsi
1 Indonesian Journal of Physics Kontribusi Fisika Indonesia Vol. 14 No.2, April 2003 Pengaruh Perlakuan Implantasi Hidrogen terhadap Sifat Struktur Lapisan Tipis Amorf Silikon Karbon (a-sic:h) Hasil Deposisi Metode DC Sputtering Abstract Rosari Saleh 1) dan Lusitra Munisa 2) 1) Jurusan Fisika, Fakultas MIPA Universitas Indonesia, Depok ) Program Studi Ilmu Fisika, Program Pascasarjana Universitas Indonesia, Jakarta rosari1@lpen.ui.edu Infrared absorption measurement of hydrogenated amorphous silicon carbon films (a-sic:h) deposited by dc sputtering method have been performed for prior- and after hydrogen implantation. The films were deposited by silicon target in argon and methane gas mixtures. The results suggest that both 720 and 780 cm -1 absorption are due to Si-C stretching mode and the transition of the absorption from 2000 to 2100 cm -1 as the methane flow rate increase is not due to a change in carbon concentration, but rather to the formation of voids as supported by hydrogen effusion experiment results. Keywords : hydrogen, sputtering, amorphous silicon carbon, implantation. Abstrak Pengukuran absorpsi inframerah telah dilakukan untuk lapisan tipis amorf silikon karbon (a-sic:h) hasil deposisi metode dc sputtering sebelum dan setelah diberi perlakuan implantasi hidrogen. Lapisan tipis dideposisi dengan target silikon dalam campuran gas argon dan metan. Hasil implantasi hidrogen menunjukkan bahwa kedua absorpsi di sekitar 720 dan 780 cm -1 merupakan mode vibrasi stretching Si-C dan transisi absorpsi dari 2000 ke 2100 cm -1 dengan peningkatan laju aliran gas metan bukan disebabkan oleh peningkatan konsentrasi karbon, melainkan karena kehadiran void, yang didukung oleh hasil eksperimen efusi hidrogen. Kata kunci : hidrogen, sputtering, amorf silikon karbon, implantasi 1. Pendahuluan Lapisan tipis a-sic:h banyak diaplikasikan sebagai window layer pada sel surya berbasis a-si:h 1,2). Hidrogen pada lapisan tipis amorf silikon karbon terhidrogenasi (a-sic:h) dapat meningkatkan kualitas lapisan tipis tersebut dengan menurunkan densitas keadaan terlokalisasi (localized state) di daerah pseudogap 2-4). Oleh karena itu pengaruh hidrogen terhadap struktur lapisan tipis a-sic:h perlu dipelajari lebih lanjut, salah satunya dengan menggunakan spektroskopi inframerah. Studi dengan spektroskopi ini merupakan salah satu teknik karakterisasi yang tidak merusak dan dapat memberikan informasi tentang hidrogen dan konfigurasi ikatan. Hidrogen pada lapisan tipis a- SiC:H diperoleh secara sengaja maupun tidak sengaja sejak proses deposisi dilakukan. Mayoritas proses deposisi lapisan tipis a-sic:h menggunakan gas yang mengandung hidrogen seperti silan (SiH 4 ) dan hidrokarbon (C x H y ) sebagai sumber silikon, karbon dan hidrogen. Oleh karena itu keberadaan hidrogen pada lapisan tipis a-sic:h hasil metode deposisi yang melibatkan gas-gas yang mengandung hidrogen tidak dapat dihindari maupun dikendalikan secara independen. Pengaruh hidrogen secara independen dapat dipelajari melalui variasi jumlah hidrogen pada lapisan tipis a-sic:h secara independen tanpa menambah silikon maupun karbon. Teknik implantasi hidrogen merupakan salah satu alternatif yang dapat 33 digunakan untuk melakukan hal tersebut. Penelitian ini akan menggunakan teknik tersebut untuk mempelajari pengaruh modifikasi jumlah hidrogen dari lapisan tipis a-sic:h hasil deposisi metode dc sputtering. Ion hidrogen yang ditembakkan divariasi energinya agar diperoleh distribusi konsentrasi yang homogen di permukaan dan kedalaman lapisan tipis. Teknik karakterisasi struktur ikatan dengan spektroskopi inframerah dan effusi hidrogen digunakan untuk lapisan tipis sebelum dan setelah diberi perlakuan implantasi. 2. Eksperimen Target silikon berkemurnian 5N digunakan sebagai sumber silikon dalam proses deposisi lapisan tipis a-sic:h dengan teknik dc sputtering. Variasi konsentrasi karbon diperoleh dengan memasukkan gas metan ( ) ke dalam ruang deposisi dengan laju aliran yang bervariasi dari 4 sampai 12 sccm (standard cubic centimeter per minute). Pengatur aliran massa gas digunakan untuk mengatur laju aliran gas yang terlibat dalam proses deposisi, yakni gas argon dan metan. Deposisi dilakukan pada temperatur 200 C dan daya 200 W di atas substrat silikon kristal. Absorpsi inframerah diukur dengan spektrometer Fourier Transform Infrared/FTIR untuk daerah bilangan gelombang cm -1 dengan menggunakan referensi silikon kristal yang digunakan sebagai substrat. Pengukuran absorpsi inframerah dilakukan untuk lapisan tipis sebelum dan setelah
2 KFI Vol. 14 No. 2, dimodifikasi jumlah hidrogennya dengan perlakuan implantasi hidrogen. Pengukuran dilakukan dengan menggunakan referensi substrat silikon kristal dan lapisan tipis sebelum diberi perlakuan implantasi hidrogen. Implantasi hidrogen dilakukan pada temperatur ruang dengan menggunakan mass separator untuk beberapa seri energi dari 40 sampai 120 kev sehingga diperoleh konsentrasi hidrogen yang homogen dengan kedalaman sekitar 1 µm. Effusi hidrogen dari lapisan tipis a-sic:h sebelum dan setelah diberi perlakuan implantasi hidrogen diukur dengan menggunakan tabung gelas kuarsa dalam ruang vakum. Pemanasan dilakukan dengan laju konstan 20 C/menit sampai tercapai temperatur 1000 C kemudian tekanan parsial gas hidrogen diketahui dari spektrometer massa. 3. Hasil dan Pembahasan Spektrum inframerah lapisan tipis a-sic:h hasil deposisi metode dc sputtering dengan 5 variasi laju aliran gas metan diperlihatkan pada Gambar 1. Penentuan struktur ikatan-struktur ikatan yang berkontribusi pada kurva absorpsi-kurva absorpsi yang terdapat pada spektrum inframerah tersebut telah diketahui melalui proses pengolahan kurva, perbandingan dengan hasil eksperimen para peneliti dan beberapa hasil eksperimen tambahan seperti telah dilaporkan sebelum ini 6). Secara umum, spektrum inframerah pada gambar tersebut memiliki dua kurva absorpsi dominan dan satu kurva absorpsi kecil di sekitar cm -1. Kurva absorpsi dominan di daerah bilangan gelombang rendah terdapat di sekitar cm -1 sedangkan kurva absorpsi dominan di daerah bilangan gelombang menengah terdapat di sekitar cm -1. Mode-mode vibrasi yang terlibat pada ketiga kurva absorpsi tersebut telah diidentifikasi sebagai kontribusi dari vibrasi : wagging Si-H di sekitar 640 cm -1, stretching Si-C di sekitar 720 dan 780 cm -1, doublet bending Si-H 2 di sekitar 850 dan 890 cm -1, doublet stretching Si-H di sekitar 2000 dan 2100 cm -1 serta stretching C-H di sekitar cm -1 6). Proses deposisi lapisan tipis a-sic:h dengan metode dc sputtering pada penelitian ini menggunakan gas metan sebagai sumber karbon sekaligus sumber hidrogen. Seperti telah dikemukakan di atas, variasi komposisi lapisan tipis a-sic:h diperoleh melalui variasi laju aliran gas metan sehingga peningkatan laju aliran gas metan pada proses deposisi akan meningkatkan jumlah karbon dan hidrogen yang terdapat pada lapisan tipis secara simultan. Pengaruh hidrogen terhadap absorpsi struktur ikatan-struktur ikatan yang terdapat pada lapisan tipis a-sic:h dapat diketahui dengan memodifikasi jumlah hidrogen pada lapisan tipis tanpa mengubah jumlah karbon dalam lapisan tipis, yang dapat dilakukan setelah proses deposisi melalui perlakuan implantasi hidrogen. Hasil pengukuran absorpsi inframerah dari lapisan tipis a- SiC:H setelah diberi perlakuan implantasi hidrogen untuk kelima variasi laju aliran gas metan diperlihatkan pada Gambar 2. Jika dibandingkan dengan spektrum absorpsi inframerah lapisan tipis a- SiC:H sebelum diberi perlakuan implantasi pada Gambar 1, terlihat adanya perubahan, tetapi perubahan tersebut sulit untuk diamati dan dianalisis. Perubahan pada kurva-kurva absorpsi spektrum inframerah dari lapisan tipis a-sic:h dapat terlihat lebih baik dengan melakukan pengukuran absorpsi inframerah lapisan tipis yang telah diberi perlakuan implantasi terhadap lapisan tipis sebelum diberi perlakuan implantasi sebagai referensi. Gambar 3 memperlihatkan spektrum absorpsi inframerah lapisan tipis a-sic:h dengan laju aliran gas metan 8 sccm (a) sebelum, (b) setelah diberi perlakuan implantasi hidrogen yang diukur terhadap substrat silikon kristal, dan (c) setelah diberi perlakuan implantasi hidrogen yang diukur terhadap lapisan tipis a-sic:h sebelum diberi implantasi hidrogen. Gambar 3a dan 3b tidak memperlihatkan perbedaan yang dapat dianalisis antara spektrum absorpsi sebelum dan setelah diberi perlakuan implantasi hidrogen. Berbeda dengan spektrum absorpsi inframerah pada Gambar 3b, spektrum absorpsi inframerah pada Gambar 3c dihasilkan dengan menggunakan referensi lapisan tipis a-sic:h sebelum diberi perlakuan implantasi hidrogen, gambar tersebut memperlihatkan kehadiran puncak positif dan negatif. Kehadiran puncak positif dan negatif tersebut menunjukkan terjadinya peningkatan dan penurunan absorpsi mode-mode vibrasi struktur ikatan tertentu pada lapisan tipis a-sic:h akibat dari penambahan jumlah hidrogen dari perlakuan implantasi, dengan demikian penambahan hidrogen mengurangi vibrasi struktur ikatan tertentu dan meningkatkan vibrasi struktur ikatan yang lain. Kurva absorpsi negatif terdapat pada kedua absorpsi dominan di daerah bilangan gelombang rendah dan menengah, sedangkan kurva absorpsi positif terdapat di ketiga kurva absorpsi pada daerah bilangan gelombang rendah, menengah dan tinggi. Kurva absorpsi negatif di daerah bilangan gelombang rendah jika didekonvolusi akan diperoleh dua kurva yang berpusat di sekitar 720 dan 780 cm -1, yang merupakan daerah absorpsi dari vibrasi ikatan Si-C. Terjadinya kurva negatif tersebut dapat dijelaskan sebagai berikut bahwa pemberian perlakuan implantasi hidrogen menyebabkan terputusnya ikatan Si-C, sehingga jumlah ikatan Si-C yang bervibrasi menjadi berkurang. Kurva absorpsi negatif di daerah bilangan gelombang menengah terdapat di sekitar 2000 cm -1, sedangkan kurva absorpsi positif yang diperoleh di daerah bilangan gelombang rendah, menengah dan tinggi terdapat di sekitar 640 cm -1, 2100 cm -1 dan sangat kecil di sekitar 2900 cm -1. Terjadinya hal-hal tersebut dapat dijelaskan sebagai berikut bahwa hidrogen yang berkontribusi pada vibrasi stretching Si-H di sekitar 2100 cm -1 dan mengurangi vibrasi di sekitar 2000 cm -1, selain itu hidrogen yang juga berkontribusi pada vibrasi wagging Si-H di sekitar 640 cm -1 dan stretching C-H di sekitar 2900 cm -1.
3 35 KFI Vol. 14 No. 2, sccm 12 sccm 10 sccm Absorbance (a.u.) 10 sccm 8 sccm Absorbansi (a.u.) 8 sccm 6 sccm 6 sccm 4 sccm 4 sccm Wave number (cm -1 ) Gambar 1. Spektrum inframerah lapisan tipis a-sic:h untuk lima variasi laju aliran sebelum diberi perlakuan implantasi hidrogen. Absorbansi (a.u.) = 8 sccm Bilangan gelombang ( cm -1 ) Gambar 3. Spektrum inframerah lapisan tipis a-sic:h untuk laju aliran 8 sccm (a) sebelum dan (b) setelah diberi perlakuan implantasi hidrogen dengan referensi substrat kristal silikon, dan (c) setelah diberi perlakuan implantasi dengan referensi lapisan tipis a-sic:h sebelum diberi perlakuan implantasi hidrogen (c) (b) (a) Bilangan gelombang ( cm -1 ) Gambar 2. Spektrum inframerah lapisan tipis a-sic:h untuk lima variasi laju aliran setelah diberi perlakuan implantasi hidrogen dengan referensi substrat kristal silikon. Pemberian perlakuan implantasi hidrogen terhadap lapisan tipis a-sic:h yang dapat meningkatkan jumlah hidrogen pada lapisan tipis tanpa menambah jumlah karbon sangat membantu dalam menjelaskan penyebab terjadinya pergeseran posisi vibrasi stretching Si-H dari 2000 ke 2100 cm -1 dengan peningkatan laju aliran gas metan, seperti diperlihatkan pada Gambar 4. Gambar tersebut memperlihatkan perbandingan integral kurva absorpsi di sekitar 2100 cm -1, I 2100 dan di sekitar 2000 cm -1, I 2000 untuk setiap laju aliran gas metan dari lapisan tipis a-sic:h sebelum dan setelah diberi perlakuan implantasi hidrogen. Integral absorpsi I suatu kurva absorpsi mewakili luas dari suatu kurva absorpsi yang menyatakan kuantitas struktur ikatan yang bervibrasi pada kurva absorpsi tersebut. Lapisan tipis a-sic:h sebelum diberi perlakuan implantasi hidrogen memperlihatkan peningkatan I 2100 /I 2000 terhadap peningkatan laju aliran gas metan. Berbeda dengan lapisan tipis a-sic:h setelah diberi perlakuan implantasi hidrogen walaupun memperlihatkan peningkatan I 2100 /I 2000 terhadap peningkatan laju aliran gas metan tetapi peningkatannya terjadi secara drastis untuk laju aliran gas metan lebih besar dari 8 sccm. Perbedaan peningkatan I 2100 /I 2000 terhadap peningkatan laju aliran gas metan pada lapisan tipis a-sic:h sebelum dan setelah diberi perlakuan implantasi hidrogen, memperlihatkan pergeseran posisi vibrasi stretching Si-H dari 2000 ke 2100 cm -1 dengan bertambahnya
4 KFI Vol. 14 No. 2, =8 sccm sebelum I 2100 /I setelah sebelum Laju evolusi setelah (sccm) Gambar 4. Integral absorpsi I 2100 /I 2000 lapisan tipis a-sic:h untuk lima laju aliran gas, sebelum ( ) dan setelah (o) diberi perlakuan implantasi hidrogen. laju aliran gas metan, bukan disebabkan oleh peningkatan jumlah karbon dalam lapisan tipis seperti yang dikemukakan oleh Wieder et al. 9) dan Lucovsky 10). Peningkatan I 2100 /I 2000 yang drastis hanya terjadi untuk lapisan tipis a-sic:h setelah diberi perlakuan implantasi hidrogen dan tidak terjadi pada lapisan tipis a-sic:h sebelum diberi perlakuan implantasi hidrogen. Jika karbon yang berpengaruh pada pergeseran tersebut maka peningkatan I 2100 /I 2000 yang drastis juga terjadi pada lapisan tipis a-sic:h sebelum diberi perlakuan implantasi hidrogen. Pemberian perlakuan implantasi hidrogen juga memperlihatkan perbedaan spektrum efusi hidrogen dari lapisan tipis a-sic:h sebelum dan setelah diberi perlakuan implantasi hidrogen untuk laju aliran gas metan 8 sccm seperti diperlihatkan pada Gambar 5. Gambar tersebut memperlihatkan kehadiran puncak di daerah temperatur rendah untuk lapisan tipis a-sic:h setelah diberi perlakuan implantasi hidrogen. Puncak di temperatur rendah dari spektrum efusi hidrogen hanya dimiliki oleh lapisan tipis a-sic:h sebelum diberi perlakuan implantasi hidrogen dengan laju aliran gas metan tinggi (>8 sccm) 7,8), seperti terlihat pada Gambar 4 dengan I 2100 /I 2000 yang besar. Beyer 11) menghubungkan puncak ini dengan desorpsi hidrogen yang terdapat pada permukaan bagian dalam dari void. Kehadiran puncak di temperatur rendah juga diperoleh untuk lapisan tipis a-si:h 12). Oleh karena itu perlakuan implantasi hidrogen memperlihatkan peningkatan I 2100 /I 2000 yang berhubungan dengan bertambahnya absorpsi di sekitar 2100 cm -1 dan berkurangnya absorpsi di sekitar 2000 cm -1. Hal ini terlihat pada spektrum inframerah pada Gambar 1 sebagai pergeseran posisi mode vibrasi stretching Si-H dari 2000 ke 2100 cm -1 dengan peningkatan laju aliran gas metan, yang bukan disebabkan oleh peningkatan konsentrasi karbon tetapi karena pembentukan void dengan peningkatan jumlah hidrogen Temperatur ( o C ) Gambar 5. Spektrum efusi hidrogen lapisan tipis a-sic:h dengan laju aliran gas =8 sccm sebelum (garis tebal) dan setelah (garis putus-putus) diberi perlakuan implantasi hidrogen. Kehadiran kurva absorpsi positif di sekitar bilangan gelombang 2900 cm -1 menunjukkan bahwa ikatan C-H bertambah dengan pemberian perlakuan implantasi hidrogen. Seperti telah dikemukakan di atas bahwa implantasi hidrogen menyebabkan terputusnya ikatan Si-C sehingga menurunkan vibrasi struktur ikatan tersebut. Hidrogen dapat berikatan dengan silikon atau karbon membentuk ikatan Si-H atau C-H, sehingga vibrasi kedua struktur ikatan hidrogen tersebut akan meningkat seperti ditunjukkan dengan kehadiran kurva positif pada spektrum inframerah lapisan tipis setelah diberi perlakuan implantasi. Hal ini bersesuaian dengan hasil analisis plasma bahwa pembentukan ikatan C-H pada lapisan tipis a-sic:h hasil penelitian ini berasal dari hidrogen dalam bentuk atom H atau molekul H 2 yang berikatan dengan karbon dan bukan berasal dari radikal CH x yang menumbuk permukaan substrat 13). 5. Kesimpulan Pemberian perlakuan implantasi hidrogen dapat menunjukkan mode-mode vibrasi yang berhubungan dengan hidrogen dan yang tidak berhubungan dengan hidrogen pada spektrum inframerah lapisan tipis a-sic:h hasil deposisi metode dc sputtering. Perlakuan implantasi hidrogen memperlihatkan bahwa kedua absorpsi di sekitar 720 dan 780 cm -1 berhubungan dengan vibrasi ikatan stretching Si-C. Selain itu perlakuan implantasi hidrogen membantu menjelaskan penyebab terjadinya transisi mode vibrasi stretching Si-H dari 2000 ke 2100 cm -1 yang bukan terjadi karena peningkatan jumlah karbon dalam lapisan tipis tetapi karena pembentukan void dengan peningkatan jumlah hidrogen. Ucapan Terima Kasih Terima kasih kami tujukan untuk M. Gebauer, A.Dahmen dan W. Michelsen untuk perlakuan implantasi hidrogen. Penelitian ini terlaksana atas bantuan W.Beyer dan dukungan hibah tim penelitian
5 37 KFI Vol. 14 No. 2, 2003 proyek URGE Batch III dengan nomor kontrak 005/HTPP-III/URGE/1997 serta kerja sama International Bureau of BMBF (Germany) dengan Universitas Indonesia (Indonesia). Daftar Pustaka 1. Y. Tawada, K. Tsuge, M. Kondo, H. Okamoto and Y. Hamakawa, J. Appl. Phys. 53, 5273 (1982). 2. R.A. Street, Phys. Rev. B 44, (1991). 3. Y. Hishikawa, S. Tsuge, N. Nakamura, S. Tsuda, S. Nakano dan Y. Kuwano, J. Appl. Phys. 69, 508 (1991). 4. M. Morimoto, T. Kataoka, M. Kumeda dan T. Shimizu, Phil. Mag. B 50, 517 (1984). 5. R. Rizzoli, R. Galloni, C. Summonte, F. Demichelis, C.F. Pirri, E. Tresso, G. Crovini, P. Rava dan F. Zignani, Mat. Res. Soc. Symp. Proc. 336, 571 (1994). 6. Rosari Saleh dan Lusitra Munisa, Makara No.7 Seri B 5, (2000). 7. R. Saleh, L. Munisa, W. Beyer, F. Finger and R. Carius, Physic Journal-IPS 2, 41 (1999). 8. Rosari Saleh, Lusitra Munisa dan Wolfhard Beyer, Physic Journal-IPS 4, 28 (2001) 9. H. Wieder, M. Cardona, dan C.R. Guarnieri, Phys. Status Solidi B 92, 99 (1979). 10. G. Lucovsky, Solid State Commun. 29, 571 (1979). 11. W.Beyer, in : Semiconductors and Semimetal 61, N.H. Nickel (ed.), Academic Press, New York, W. Beyer, in: Tetrahedrally-bonded Amorphous Semiconductors, D. Adler dan H. Fritzche (eds.), Plenum Press, New York, Rosari Saleh dan Lusitra Munisa (akan dipublikasikan)
STUDI DISORDER LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING
MAKARA, SAINS, VOL. 6, NO. 2, AGUSTUS 2002 STUDI DISORDER LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING Lusitra Munisa 1 dan Rosari Saleh 2 1. Program Studi Ilmu Fisika,
Lebih terperinciSTUDI SPEKTROSKOPI ELECTRON SPIN RESONANCE (ESR) LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING
STUDI SPEKTROSKOPI ELECTRON SPIN RESONANCE (ESR) LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING Rosari Saleh Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam,
Lebih terperinciPENGARUH PENINGKATAN FLOW RATE GAS METAN TERHADAP SIFAT OPTIS LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING
PENGARUH PENINGKATAN FLOW RATE GAS METAN TERHADAP SIFAT OPTIS LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING Lusitra Munisa 1 dan Rosari Saleh 2 1. Program Studi Ilmu
Lebih terperinciPENGARUH ANIL TERMAL TERHADAP BESARAN OPTIS LAPISAN TIPIS a-sic:h HASIL METODE DC SPUTTERING II. TARGET GRAFIT
PENGARUH ANIL TERMAL TERHADAP BESARAN OPTIS LAPISAN TIPIS a-sic:h HASIL METODE DC SPUTTERING II. TARGET GRAFIT Rosari Saleh 1, Lusitra Munisa 2 dan Dewi Marianty 1 1. Jurusan Fisika, Fakultas MIPA Universitas
Lebih terperinciSTUDI KARAKTERISASI OPTIS LAPISAN TIPIS a-sic:h HASIL DEPOSISI METODE GLOWDISCHARGE
STUDI KARAKTERISASI OPTIS LAPISAN TIPIS a-sic:h HASIL DEPOSISI METODE GLOWDISCHARGE Rosari Saleh 1, Lusitra Munisa 2 dan Dewi Marianty 1 1. Jurusan Fisika, Fakultas MIPA Universitas Indonesia, Depok 16424,
Lebih terperinciPENGARUH ANIL TERMAL TERHADAP BESARAN OPTIS LAPISAN TIPIS a-sic:h HASIL METODE DC SPUTTERING I. TARGET SILIKON
PENGARUH ANIL TERMAL TERHADAP BESARAN OPTIS LAPISAN TIPIS a-sic:h HASIL METODE DC SPUTTERING I. TARGET SILIKON Rosari Saleh 1, Lusitra Munisa 2 dan Dewi Marianty 1 1. Jurusan Fisika, Fakultas MIPA Universitas
Lebih terperinciPENENTUAN KONSTANTA OPTIS DI DAERAH ABSORPSI FUNDAMENTAL MENGGUNAKAN FORMULASI FOROUHI DAN BLOOMER UNTUK LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h)
MAKARA, SAINS, VOL. 6, NO. 2, AGUSTUS 2002 PENENTUAN KONSTANTA OPTIS DI DAERAH ABSORPSI FUNDAMENTAL MENGGUNAKAN FORMULASI FOROUHI DAN BLOOMER UNTUK LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) Rosari Saleh
Lebih terperinciPENENTUAN KONSTANTA OPTIS DI DAERAH ABSORPSI FUNDAMENTAL MENGGUNAKAN FORMULASI FOROUHI DAN BLOOMER UNTUK LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h)
MAKARA, SAINS, VOL. 6, NO., AGUSTUS PENENTUAN KONSTANTA OPTIS DI DAERAH ABSORPSI FUNDAMENTAL MENGGUNAKAN FORMULASI FOROUHI DAN BLOOMER UNTUK LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) Rosari Saleh 1,
Lebih terperinciPENGARUH PERLAKUAN ANIL P ADA KONST ANT A ABSORPSI OrTIS DAN KONFIGURASI IKA T AN LOKAL LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON I
Pros;dinfl Pertemuan /lm;ah Sa;ns Mater; /997 /SSN/410-28~7 PENGARUH PERLAKUAN ANIL P ADA KONST ANT A ABSORPSI OrTIS DAN KONFIGURASI IKA T AN LOKAL LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON I ABSTRAK M. Jahja2.Lusitra
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi energi listrik DC secara langsung. Sel surya telah diaplikasikan dalam berbagai bidang, salah
Lebih terperinciKarakterisasi FTIR pada Studi Awal Penumbuhan CNT dengan Prekursor Nanokatalis Ag dengan Metode HWC-VHF-PECVD
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 13, NOMOR 2 JUNI 2017 Karakterisasi FTIR pada Studi Awal Penumbuhan CNT dengan Prekursor Nanokatalis Ag dengan Metode HWC-VHF-PECVD Ajeng Eliyana 1, dan Toto Winata
Lebih terperinciEfek Staebler-Wronski dan Pengaruh Waktu Anil pada Lapisan Instrinsik Silikon Amorf Terhidrogenasi (a-si:h)
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 13, NOMOR 2 JUNI 2017 Efek Staebler-Wronski dan Pengaruh Waktu Anil pada Lapisan Instrinsik Silikon Amorf Terhidrogenasi (a-si:h) Yoyok Cahyono, Fuad D. Muttaqin, Umi
Lebih terperinciKontribusi Fisika Indonesia Vol. 12, No.3, Juli 2001
Kontribusi Fisika Indonesia Vol. 12, No.3, Juli 2001 Pengaruh Terhadap Tingkat Kestabilan Efisiensi Sel Surya p-i-n a-si:h Doping Delta Amiruddin Supu 1), Dilla M. 2), Jasruddin Daud Malago 3), Fitri Suryani
Lebih terperinciStudi Optimasi Parameter Daya RF untuk Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Metode Hot Wire Cell PECVD
PROC. ITB Sains & Tek. Vol. 37 A, No. 1, 2005, 13-22 13 Studi Optimasi Parameter Daya RF untuk Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Metode Hot Wire Cell PECVD S. Amiruddin 1), I. Usman
Lebih terperinciAnalisis Sifat-sifat Optoelektronik Lapisan Tipis Silikon Amorf terhidrogenasi yang ditumbuhkan dengan Teknik VHF-PECVD pada Variasi Daya RF
Jurnal Matematika dan Sains Vol. 1 No. 2, Juni 25, hal 63-68 Abstrak Analisis Sifat-sifat Optoelektronik Lapisan Tipis Silikon Amorf terhidrogenasi yang ditumbuhkan dengan Teknik VHF-PECVD pada Variasi
Lebih terperinciPenumbuhan Lapisan Tipis µc-si:h Tipe-P dengan Metode HW-PECVD untuk Aplikasi Sel Surya
Penumbuhan Lapisan Tipis µc-si:h Tipe-P dengan Metode HW-PECVD untuk Aplikasi Sel Surya Jasruddin, Abdul Haris, dan Helmi Departemen Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Negeri
Lebih terperinciKARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS a-si:h:b UNTUK BAHAN SEL SURYA
ISSN 40-695 KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS a-si:h:b UNTUK BAHAN SEL SURYA Bambang Siswanto, Wirjoadi, Tri Mardji Atmono, Yunanto Puslitbang Teknologi Maju Batan Yogayakarta Jl. Babarsari Kotak
Lebih terperinciKarakterisasi FTIR pada Studi Awal Penumbuhan CNT dengan Prekursor Nanokatalis Ag dengan Metode HWC-VHF-PECVD
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 13, NOMOR 2 JUNI 2017 Karakterisasi FTIR pada Studi Awal Penumbuhan CNT dengan Prekursor Nanokatalis Ag dengan Metode HWC-VHF-PECVD Ajeng Eliyana 1, dan Toto Winata
Lebih terperinciKARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT GELAS UNTUK JENDELA SEL SURYA
GANENDRA, Vol. V, N0.2 ISSN 1410-6957 KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT GELAS UNTUK JENDELA SEL SURYA Wirjoadi, Yunanto, Bambang Siswanto, Sri Sulamdari, Sudjatmoko Puslitbang
Lebih terperinciPEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS
PEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS Syuhada, Dwi Bayuwati, Sulaiman Pusat Penelitian Fisika-LIPI, Kawasan Puspiptek Serpong Tangerang 15314 e-mail: hadda212@yahoo.com
Lebih terperinciPengaruh Optis Kontak Belakang terhadap Parameter Optis Lapisan a-si:h
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 8, NOMOR 2 JUNI 2012 Pengaruh Optis Kontak Belakang terhadap Parameter Optis Lapisan a-si:h Ismail dan Eddy Yahya Jurusan Fisika-FMIPA, Institut Teknologi Sepuluh Nopember
Lebih terperinciBAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN. Pada pembuatan dispersi padat dengan berbagai perbandingan
BAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN A. HASIL 1. Pembuatan Serbuk Dispersi Padat Pada pembuatan dispersi padat dengan berbagai perbandingan dihasilkan serbuk putih dengan tingkat kekerasan yang berbeda-beda. Semakin
Lebih terperinciBAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI
BAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI Pada bab ini dibahas penumbuhan AlGaN tanpa doping menggunakan reaktor PA- MOCVD. Lapisan AlGaN ditumbuhkan dengan variasi laju alir gas reaktan, hasil penumbuhan dikarakterisasi
Lebih terperinciHomogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-si:h tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 8, NOMOR JANUARI 202 Homogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-si:h tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD
Lebih terperinciPEMBUATAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI (a-si:h) UNTUK BAHAN SEL SURYA
GANENDRA, Vol.VI, N0.1 ISSN 1410-6957 PEMBUATAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI (a-si:h) UNTUK BAHAN SEL SURYA Wirjoadi, Sudjatmoko, Yunanto, Bambang Siswanto, Sri Sulamdari Puslibang Teknologi
Lebih terperinciOptimasi Parameter Tekanan Deposisi untuk Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Metode HWC PECVD
Optimasi Parameter Tekanan Deposisi untuk Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Metode HWC PECVD Amiruddin Supu 1), I Wayan Sukarjita 1), Fakhruddin 1), Suryani Arsyad Fitri 2), Toto Winata
Lebih terperinciIII. METODE PENELITIAN
21 III. METODE PENELITIAN 3.1 Waktu dan Tempat Penelitian Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Agustus 2010 - Juni 2011 di Laboratorium Biofisika dan Laboratorium Fisika Lanjut, Departemen Fisika IPB.
Lebih terperinciPENGARUH KONSENTRASI BORON TERHADAP SIFAT LISTRIK LAPISAN TIPIS (a-si:h:b)
ISSN 1410-6951 PENGARUH KONSENTRASI BORON TERHADAP SIFAT LISTRIK LAPISAN TIPIS (a-si:h:b) Bambang Siswanto, Wirjoadi, Sudjatmoko Puslitbang Teknologi Maju Batan Yogyakarta Jl. Babarsari Kotak Pos 6101
Lebih terperinciPENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL TERHIDROGENASI DENGAN TEKNIK HWC-VHF-PECVD
Reaktor, Vol. 13 No. 1, Juni 2010, Hal. 31-36 PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL TERHIDROGENASI DENGAN TEKNIK HWC-VHF-PECVD Ida Usman 1*), Darwin Ismail 1), Heri Sutanto 2) dan Toto Winata 3)
Lebih terperinciPENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR
PENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR Penumbuhan film tipis semikonduktor di atas substrat dapat dilakukan secara epitaksi. Dalam bahasa yunani epi berarti di atas dan taksial berarti menyusun dengan kata
Lebih terperinciPengaruh Rapat Arus Terhadap Ketebalan Dan Struktur Kristal Lapisan Nikel pada Tembaga
ISSN:2089 0133 Indonesian Journal of Applied Physics (2012) Vol.2 No.1 halaman 1 April 2012 Pengaruh Rapat Arus Terhadap Ketebalan Dan Struktur Kristal Lapisan Nikel pada Tembaga ABSTRACT Setyowati, Y.
Lebih terperinciPENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL (µc Si:H) TIPE-P DENGAN METODE HOT WIRE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (HW-PECVD)
Bimafika, 2010, 2, 134-140 PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL (µc Si:H) TIPE-P DENGAN METODE HOT WIRE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (HW-PECVD) Marwah * FKIP Unversitas Darussalam
Lebih terperinciPENGARUH DAYA PLASMA PADA STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING
134 Prosiding Pertemuan Ilmiah XXIV HFI Jateng & DIY, Semarang 10 April 2010 hal. 134-138 PENGARUH DAYA PLASMA PADA STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING
Lebih terperinciStruktur kristal dan Morfologi film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan metoda Hot-Wire Pulsed Laser Deposition
Struktur kristal dan Morfologi film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan metoda Hot-Wire Pulsed Laser Deposition Dadi Rusdiana Departemen Fisika, FPMIPA UPI, Jl. Dr.Setiabudi 229 Bandung, Indonesia 40154
Lebih terperinciSINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION
SINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION Yolanda Oktaviani, Astuti Jurusan Fisika FMIPA Universitas Andalas e-mail: vianyolanda@yahoo.co.id
Lebih terperinciSTurn SIFAT VIBRASI LOKAL SEMIKONDUKTOR AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h)1
Prosidin Pertemuan l/miah Sains Materi /SSN /4/0-2897 STurn SIFAT VIBRASI LOKAL SEMIKONDUKTOR AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h)1 % Efta Yudiarsah2 dad Rosari Saleh2,3 ABSTRAK STUDI SIFAT VI BRAS I LOKAL SEMIKONDUKTOR
Lebih terperinciPERANAN FASE AMORF Si 3 N 4 PADA NANOKOMPOSIT nc-tin/a-si 3 N 4 DALAM MENINGKATKAN KEKERASAN DAN STABILITAS TERMAL
MAKARA, TEKNOLOGI, VOL. 6, NO. 2, AGUSTUS 22 PERANAN FASE AMORF Si 3 N 4 PADA NANOKOMPOSIT nc-tin/a-si 3 N 4 DALAM MENINGKATKAN KEKERASAN DAN STABILITAS TERMAL Keba Moto Jurusan Fisika FMIPA Universitas
Lebih terperinciTUGAS AKHIR SF141501
TUGAS AKHIR SF141501 PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI (a-si:h) TIPE-N DENGAN PENGENCERAN H2 MENGGUNAKAN PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (PECVD) Cahyaning Fajar Kresna Murti
Lebih terperinciPengaruh Ketebalan Lapisan Aktif terhadap Karakteristik Sel Surya Berbasis a-si:h yang Ditumbuhkan dengan Teknik HWC-VHF-PECVD
Pengaruh Ketebalan Lapisan Aktif terhadap Karakteristik Sel Surya Berbasis a-si:h yang Ditumbuhkan dengan Teknik HWC-VHF-PECVD Ida Usman 1) dan Toto Winata 2) 1) Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan
Lebih terperinciKARAKTERISASI SIFAT OPTIK BAHAN BARIUM TITANAT (BaTiO 3 ) DENGAN MENGUNAKAN SPEKTROSKOPI ULTRAVIOLET-VISIBLE (UV-Vis)
KARAKTERISASI SIFAT OPTIK BAHAN BARIUM TITANAT (BaTiO 3 ) DENGAN MENGUNAKAN SPEKTROSKOPI ULTRAVIOLET-VISIBLE (UV-Vis) R. Yulis 1, Krisman 2, R. Dewi 2 1 Mahasiswa Program Studi S1 Fisika 2 Dosen Jurusan
Lebih terperinciPembuatan Sel Surya Film Tipis dengan DC Magnetron Sputtering
Pembuatan Sel Surya Film Tipis dengan DC Magnetron Sputtering Desty Anggita Tunggadewi 1, Fitria Hidayanti 1 1 Program Studi Teknik Fisika, Fakultas Teknik dan Sains, Universitas Nasional dtunggadewi@yahoo.co.id,
Lebih terperinciBAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN. metode freeze drying kemudian dilakukan variasi waktu perendaman SBF yaitu 0
37 BAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN Penelitian ini sampel komposit hidroksiapatit-gelatin dibuat menggunakan metode freeze drying kemudian dilakukan variasi waktu perendaman SBF yaitu 0 hari, 1 hari, 7 hari
Lebih terperinciLaju Deposisi dan Celah Pita Energi Optik Lapisan Tipis a-si:h yang Ditumbuhkan dengan Teknik HWC-VHF-PECVD
Laju Deposisi dan Celah Pita Energi Optik Lapisan Tipis Andhy Setiawan 1), Hastiti Murti 1), Hasniah Aliah 2), Toto Winata 3) Program Studi Fisika FPMIPA Universitas Pendidkan Indonesia (UPI), Jurusan
Lebih terperinciSIFAT OPTIK STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO
Wirjoadi, dkk. ISSN 0216-3128 369 SIFAT OPTIK STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO Wirjoadi, Bambang Siswanto Pusat Teknologi Akselerator dan Proses
Lebih terperinciBerkala Fisika ISSN : Vol.8, No.3, Juli 2005, hal
Berkala Fisika ISSN : 1410-9662 Vol.8, No.3, Juli 2005, hal 99-106 Analisis Kualitatif Gugus Fungsi Pada Baja Karbon Rendah Yang Mendapat Perlakuan Nitridasi, Karbonasi dan Quenching NaCl (NiKaNa) Menggunakan
Lebih terperinciEFEK PENAMBAHAN GAS CH 4 DAN H 2 PADA PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TIPE-P DENGAN PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (PECVD)
TUGAS AKHIR SF141501 EFEK PENAMBAHAN GAS CH 4 DAN H 2 PADA PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TIPE-P DENGAN PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (PECVD) Ayunis Sholehah NRP 1113 100 067 Dosen
Lebih terperinciSTUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI
Studi Pengaruh Suhu Substrat. (Rully Fakhry Muhammad) 303 STUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI STUDY
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini mengalami peralihan dari teknologi mikro (microtechnology) ke generasi yang lebih kecil yang dikenal
Lebih terperinciBAB 3 METODE PENELITIAN. 3.1 Alat Alat Adapun alat-alat yang digunakan pada penelitian ini adalah: Alat-alat Gelas.
18 BAB 3 METODE PENELITIAN 3.1 Alat Alat Adapun alat-alat yang digunakan pada penelitian ini adalah: Nama Alat Merek Alat-alat Gelas Pyrex Gelas Ukur Pyrex Neraca Analitis OHaus Termometer Fisher Hot Plate
Lebih terperinciSPEKTROSKOPI INFRA MERAH (IR)
SPEKTROSKOPI INFRA MERAH (IR) Spektrum Elektromagnetik tinggi tinggi Frekuensi (ν) Energi rendah rendah X-RAY ULTRAVIOLET INFRARED MICRO- WAVE RADIO FREQUENCY Ultraviolet Visible Vibrasi Infrared Resonansi
Lebih terperinci4 Hasil dan Pembahasan
4 Hasil dan Pembahasan 4.1 Sintesis Padatan TiO 2 Amorf Proses sintesis padatan TiO 2 amorf ini dimulai dengan melarutkan titanium isopropoksida (TTIP) ke dalam pelarut etanol. Pelarut etanol yang digunakan
Lebih terperinciBab IV Hasil dan Pembahasan
Bab IV Hasil dan Pembahasan 4.1 Sintesis Polistirena Polistirena disintesis melalui polimerisasi adisi radikal bebas dari monomer stirena dan benzoil peroksida (BP) sebagai inisiator. Polimerisasi dilakukan
Lebih terperinciPengaruh Suhu Reaksi Reduksi Terhadap Pemurnian Karbon Berbahan Dasar Tempurung Kelapa
159 NATURAL B, Vol. 2, No. 2, Oktober 2013 Pengaruh Suhu Reaksi Reduksi Terhadap Pemurnian Karbon Berbahan Dasar Marsi Bani 1)*, Djoko H Santjojo 2), Masruroh 2) 1) Program Studi Magister Fisika, Fakultas
Lebih terperinciSIDANG TUGAS AKHIR. Jurusan Teknik Material & Metalurgi Fakultas Teknologi Industri Institut Teknologi Sepuluh Nopember
SIDANG TUGAS AKHIR Arisela Distyawan NRP 2709100084 Dosen Pembimbing Diah Susanti, S.T., M.T., Ph.D Jurusan Teknik Material & Metalurgi Fakultas Teknologi Industri Institut Teknologi Sepuluh Nopember Sintesa
Lebih terperinciDEPOSISI LAPISAN TIPIS (CdS) TIPE-N DI ATAS LAPISAN TIPIS (CuInSe 2 ) TIPE-P SEBAGAI PENYANGGA UNTUK SEL SURYA CIS
ISSN 1410-6957 DEPOSISI LAPISAN TIPIS (CdS) TIPE-N DI ATAS LAPISAN TIPIS (CuInSe 2 ) TIPE-P SEBAGAI PENYANGGA UNTUK SEL SURYA CIS Wirjoadi, Yunanto, Bambang Siswanto Pusat Teknologi Akselerator dan Proses
Lebih terperinciSPEKTROSKOPI INFRA RED & SERAPAN ATOM
SPEKTROSKOPI INFRA RED & SERAPAN ATOM SPEKTROSKOPI INFRA RED Daerah radiasi IR: 1. IR dekat: 0,78 2,5 µm 2. IR tengah: 2,5 50 µm 3. IR jauh: 50 1000 µm Daerah radiasi spektroskopi IR: 0,78 1000 µm Penggunaan
Lebih terperinciSPEKTROSKOPI INFRAMERAH SENYAWA KALSIUM FOSFAT HASIL PRESIPITASI
SPEKTROSKOPI INFRAMERAH SENYAWA KALSIUM FOSFAT HASIL PRESIPITASI Djarwani S. Soejoko dan Sri Wahyuni Departemen Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Indonesia, Depok, 16424,
Lebih terperinciTabel 3.1 Efisiensi proses kalsinasi cangkang telur ayam pada suhu 1000 o C selama 5 jam Massa cangkang telur ayam. Sesudah kalsinasi (g)
22 HASIL PENELITIAN Kalsinasi cangkang telur ayam dan bebek perlu dilakukan sebelum cangkang telur digunakan sebagai prekursor Ca. Berdasarkan penelitian yang telah dilakukan sebelumnya, kombinasi suhu
Lebih terperinci4. Hasil dan Pembahasan
4. Hasil dan Pembahasan 4.1 Metoda Sintesis Membran Kitosan Sulfat Secara Konvensional dan dengan Gelombang Mikro (Microwave) Penelitian sebelumnya mengenai sintesis organik [13] menunjukkan bahwa jalur
Lebih terperinciPENGARUH ph LARUTAN ELEKTROLIT TERHADAP TEBAL LAPISAN ELEKTROPLATING NIKEL PADA BAJA ST 37. Abstrak
PENGARUH ph LARUTAN ELEKTROLIT TERHADAP TEBAL LAPISAN ELEKTROPLATING NIKEL PADA BAJA ST 37 Febryan Andinata 1, Fredina Destyorini 2, Eni Sugiarti 2, Munasir 1, Kemas A. Zaini T. 2 1 Jurusan Fisika FMIPA
Lebih terperinciPENGARUH DOPING EMAS DAN PERLAKUAN ANIL PADA SENSITIVITAS LAPISAN TIPIS SnO 2 UNTUK SENSOR GAS CO
PENGARUH DOPING EMAS DAN PERLAKUAN ANIL PADA SENSITIVITAS LAPISAN TIPIS SnO 2 UNTUK SENSOR GAS CO Almunawar Khalil 1*, Sri Yani Purwaningsih 2, Darminto 3 Jurusan Fisika, Institut Teknologi Sepuluh Nopember
Lebih terperinciKata kunci: surfaktan HDTMA, zeolit terdealuminasi, adsorpsi fenol
PENGARUH PENAMBAHAN SURFAKTAN hexadecyltrimethylammonium (HDTMA) PADA ZEOLIT ALAM TERDEALUMINASI TERHADAP KEMAMPUAN MENGADSORPSI FENOL Sriatun, Dimas Buntarto dan Adi Darmawan Laboratorium Kimia Anorganik
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. didalamnya dilakukan karakterisasi XRD. 20%, 30%, 40%, dan 50%. Kemudian larutan yang dihasilkan diendapkan
6 didalamnya dilakukan karakterisasi XRD. 3.3.3 Sintesis Kalsium Fosfat Sintesis kalsium fosfat dalam penelitian ini menggunakan metode sol gel. Senyawa kalsium fosfat diperoleh dengan mencampurkan serbuk
Lebih terperinciSIFAT OPTIK, STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO
ISSN 1410-6957 SIFAT OPTIK, STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO Wirjoadi, Bambang Siswanto Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan, BATAN
Lebih terperinciSTUDI MEKANISME ADSORPSI MENGGUNAKAN XPS. Endang Widjajanti Laksono Jurdik Kimia, FMIPA UNY ABSTRAK
Studi Mekanisme Adsorpsi.. (Endang WL) STUDI MEKANISME ADSORPSI MENGGUNAKAN XPS Endang Widjajanti Laksono Jurdik Kimia, FMIPA UNY ABSTRAK Makalah ini bertujuan mengkaji penggunaan teknik spektroskopi fotoelektron
Lebih terperinciSIFAT-SIFAT OPTIK DAN LISTRIK BAHAN SEMIKONDUKTOR SnS LAPISAN TIPIS HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA ABSTRAK
SIFAT-SIFAT OPTIK DAN LISTRIK BAHAN SEMIKONDUKTOR SnS LAPISAN TIPIS HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA Ganesha Antarnusa. 1, Tjipto Sujitno 2, Ariswan 3 1 Mahasiswa
Lebih terperinciDistribusi Celah Pita Energi Titania Kotor
Jurnal Nanosains & Nanoteknologi ISSN 1979-0880 Edisi Khusus, Agustus 009 Distribusi Celah Pita Energi Titania Kotor Indah Nurmawarti, Mikrajuddin Abdullah (a), dan Khairurrijal Kelompok Keahlian Fisika
Lebih terperinciANALISIS SPEKTRUM INFRAMERAH DAN STRUKTUR PERMUKAAN FILM TIPIS KARBON AMORF TERHIDROGENASI (a-c:h) YANG DITUMBUHKAN DENGAN REAKTOR DC PECVD
PROSIDING SEMINAR NASIONAL REKAYASA KIMIA DAN PROSES 2004 ISSN : 1411-4216 ANALISIS SPEKTRUM INFRAMERAH DAN STRUKTUR PERMUKAAN FILM TIPIS KARBON AMORF TERHIDROGENASI (a-c:h) YANG DITUMBUHKAN DENGAN REAKTOR
Lebih terperinci2 Tinjauan Pustaka. 2.1 Spektrofotometri Inframerah
2 Tinjauan Pustaka 2.1 Spektrofotometri Inframerah Spektrofotometri inframerah (IR) merupakan salah satu alat yang dapat digunakan untuk menganalisa senyawa kimia. Spektra inframerah suatu senyawa dapat
Lebih terperinciBAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN. Sebelum melakukan uji kapasitas adsorben kitosan-bentonit terhadap
BAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN Sebelum melakukan uji kapasitas adsorben kitosan-bentonit terhadap diazinon, terlebih dahulu disintesis adsorben kitosan-bentonit mengikuti prosedur yang telah teruji (Dimas,
Lebih terperinciDeskripsi METODE UNTUK PENUMBUHAN MATERIAL CARBON NANOTUBES (CNT)
1 Deskripsi METODE UNTUK PENUMBUHAN MATERIAL CARBON NANOTUBES (CNT) Bidang Teknik Invensi Invensi ini berhubungan dengan metode untuk penumbuhan material carbon nanotubes (CNT) di atas substrat silikon
Lebih terperinciKARAKTERISASI JAMUR TIRAM PUTIH DENGAN MEDIA JAGUNG BULAT MENGGUNAKAN FOURIER TRANSFORM INFRARED
KARAKTERISASI JAMUR TIRAM PUTIH DENGAN MEDIA JAGUNG BULAT MENGGUNAKAN FOURIER TRANSFORM INFRARED Irlian Nurmaniah 1 *), Fitrah Hadi Firdaus 1, Ana Fitriana 1, Maya Risanti 2, Irmansyah 3, Irzaman 3 1 Departemen
Lebih terperinciKata kunci : DLC, plasma carburizing, roller rantai.
PENGERASAN PERMUKAAN ROLLER RANTAI DENGAN METODE PLASMA CARBURIZING DARI CAMPURAN GAS He DAN CH 4 PADA TEKANAN 1,6 mbar Dwi Priyantoro 1, Tjipto Sujitno 2, Bangun Pribadi 1, Zuhdi Arif Ainun Najib 1 1)
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini terlihat dari banyaknya komponen semikonduktor yang digunakan disetiap kegiatan manusia.
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. Gambar 11. Rangkaian pengukuran karakterisasi I-V.
10 larutan elektrolit yang homogen. Pada larutan yang telah homogen dengan laju stirring yang sama ditambahkan larutan elektrolit KI+I 2 sebanyak 10 ml dengan konsentrasi 0.3 M tanpa annealing. Setelah
Lebih terperinci4 Hasil dan pembahasan
4 Hasil dan pembahasan 4.1 Karakterisasi Awal Serbuk Bentonit Dalam penelitian ini, karakterisasi awal dilakukan terhadap serbuk bentonit. Karakterisasi dilakukan dengan teknik difraksi sinar-x. Difraktogram
Lebih terperinciPengaruh Temperatur dan Waktu Putar Terhadap Sifat Optik Lapisan Tipis ZnO yang Dibuat dengan Metode Sol-Gel Spin Coating
ISSN 2302-8491 Jurnal Fisika Unand Vol. 6, No. 2, April 2017 Pengaruh Temperatur dan Waktu Putar Terhadap Sifat Optik Lapisan Tipis ZnO yang Dibuat dengan Metode Sol-Gel Spin Coating Fitriani *, Sri Handani
Lebih terperinciANALISIS LEBAR CELAH PITA ENERGI DAN IKATAN MOLEKUL LAPISAN TIPIS a-si:h YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE PECVD
TUGAS AKHIR - SF 141501 ANALISIS LEBAR CELAH PITA ENERGI DAN IKATAN MOLEKUL LAPISAN TIPIS a-si:h YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE PECVD Umi Maslakah NRP 1110 100 030 Dosen Pembimbing Prof. Dr. Darminto,
Lebih terperinci4. Hasil dan Pembahasan
4. Hasil dan Pembahasan 4.1 Pembuatan Asap Cair Asap cair dari kecubung dibuat dengan teknik pirolisis, yaitu dekomposisi secara kimia bahan organik melalui proses pemanasan tanpa atau sedikit oksigen
Lebih terperinciHasil dan Pembahasan
Bab 4 Hasil dan Pembahasan 4.1 Sintesis Polimer Benzilkitosan Somorin (1978), pernah melakukan sintesis polimer benzilkitin tanpa pemanasan. Agen pembenzilasi yang digunakan adalah benzilklorida. Adapun
Lebih terperinciPENGARUH TEKANAN DAN WAKTU DEPOSISI PADA TEKNIK SPUTTERING TERHADAP TAHANAN DAN REFLEKSIVITAS LAPISAN TIPIS a-si DAN Ag
GANENDRA, Vol. V, N0.2 ISSN 1410-6957 PENGARUH TEKANAN DAN WAKTU DEPOSISI PADA TEKNIK SPUTTERING TERHADAP TAHANAN DAN REFLEKSIVITAS LAPISAN TIPIS a-si DAN Ag Yunanto, Sudjatmoko, Trimardji Atmono, Wirjoadi
Lebih terperinciBAB II KAJIAN PUSTAKA DAN DASAR TEORI
BAB II KAJIAN PUSTAKA DAN DASAR TEORI 2.1. Kajian Pustaka Marwoto.P., dkk (2007) melakukan penelitian proses penumbuhan film tipis Ga 2 O 3 :Mn dengan mengguakan DC magnetron sputtering dan dilakukan dengan
Lebih terperinciGravitasi Vol. 15 No. 1 ISSN:
STUDI PENGARUH KONSENTRASI LARUTAN DAUN PEPAYA TERHADAP SIFAT OPTIK DAN LISTRIK SEBAGAI BAHAN PEMBUATAN LAPISAN TIPIS Ummu kalsum 1, Iqbal 2 dan Dedy Farhamsa 2 1 Jurusan Fisika Fakultas MIPA, Universitas
Lebih terperinciDEPOSISI LAPISAN TIPIS (CdS) TIPE-N DIATAS LAPISAN TIPIS (CuInSe 2 ) TIPE-P SEBAGAI PENYANGGA UNTUK SEL SURYA CIS
250 ISSN 0216-3128 Wirjoadi, dkk. DEPOSISI LAPISAN TIPIS (CdS) TIPE-N DIATAS LAPISAN TIPIS (CuInSe 2 ) TIPE-P SEBAGAI PENYANGGA UNTUK SEL SURYA CIS Wirjoadi, Yunanto, Bambang Siswanto Pusat Teknologi Akselerator
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. Tahapan Penelitian dan karakterisasi FT-IR dilaksanakan di Laboratorium
22 BAB III METODE PENELITIAN 3.1 Tempat Penelitian Tahapan Penelitian dan karakterisasi FT-IR dilaksanakan di Laboratorium Riset (Research Laboratory) dan Laboratorium Kimia Instrumen Jurusan Pendidikan
Lebih terperinciSintesis Komposit TiO 2 /Karbon Aktif Berbasis Bambu Betung (Dendrocalamus asper) dengan Menggunakan Metode Solid State Reaction
Sintesis Komposit TiO 2 /Karbon Aktif Berbasis Bambu Betung (Dendrocalamus asper) dengan Menggunakan Metode Solid State Reaction Yuliani Arsita *, Astuti Jurusan Fisika Universitas Andalas * yulianiarsita@yahoo.co.id
Lebih terperinciBAB IV. HASIL DAN PEMBAHASAN
BAB IV. HASIL DAN PEMBAHASAN 4.1 Sintesis dan Karakterisasi Karboksimetil Kitosan Spektrum FT-IR kitosan yang digunakan untuk mensintesis karboksimetil kitosan (KMK) dapat dilihat pada Gambar 8 dan terlihat
Lebih terperinciIdentifikasi Gugus SiH x (x=1,2 dan 3) pada Silikon Berpori dari Substrat Si (111) Tipe-P
JURNAL APLIKASI FISIKA VOLUME 10 NOMOR 1 FEBRUARI 2014 Identifikasi Gugus SiH x (x=1,2 dan 3) pada Silikon Berpori dari Substrat Si (111) Tipe-P Muhammad Anas 1), I Nyoman Sudiana 2), dan Muhammad Jahiding
Lebih terperinciBilangan gelombang (Wave number), cm-1. Gambar 1. Spektrum FTIR lignin Figure 1. Spectrum of lignin FTIR
Transmisi (Transmitance), % Kajian struktur arang dari... (Gustan Pari, Kurnia Sofyan, Wasrin Syafii, Buchari & Hiroyuki Yamamoto) Bilangan gelombang (Wave number), cm-1 Gambar 1. Spektrum FTIR lignin
Lebih terperinciIV. HASIL DAN PEMBAHASAN. sol-gel, dan mempelajari aktivitas katalitik Fe 3 O 4 untuk reaksi konversi gas
IV. HASIL DAN PEMBAHASAN A. Pengantar Penelitian ini pada intinya dilakukan dengan dua tujuan utama, yakni mempelajari pembuatan katalis Fe 3 O 4 dari substrat Fe 2 O 3 dengan metode solgel, dan mempelajari
Lebih terperinci3. Metodologi Penelitian
3. Metodologi Penelitian 3.1 Alat dan bahan 3.1.1 Alat Peralatan gelas yang digunakan dalam penelitian ini adalah gelas kimia, gelas ukur, labu Erlenmeyer, cawan petri, corong dan labu Buchner, corong
Lebih terperinciBAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN. Hasil preparasi bahan baku larutan MgO, larutan NH 4 H 2 PO 4, dan larutan
BAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN 4.1 Hasil Preparasi 4.1.1 Sol Hasil preparasi bahan baku larutan MgO, larutan NH 4 H 2 PO 4, dan larutan ZrOCl 2. 8H 2 O dengan perbandingan mol 1:4:6 (Ikeda, et al. 1986) dicampurkan
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. pesat sehingga untuk mentransmisikan energi yang besar digunakan sistem
BAB I PENDAHULUAN I.1 Latar Belakang Permintaan kebutuhan energi listrik akan terus mengalami peningkatan secara pesat sehingga untuk mentransmisikan energi yang besar digunakan sistem tegangan tinggi
Lebih terperinciPENGARUH OPTIMASI CELAH PITA ENERGI DAN KETEBALAN LAPISAN TIPE-i PADA EFISIENSI SEL SURYA SILIKON AMORF SAMBUNGAN p-i-n
TESIS SF142502 PENGARUH OPTIMASI CELAH PITA ENERGI DAN KETEBALAN LAPISAN TIPE-i PADA EFISIENSI SEL SURYA SILIKON AMORF SAMBUNGAN p-i-n IGNATIO BENIGNO 1115 201 008 DOSEN PEMBIMBING Prof. Dr. Darminto,
Lebih terperinciI. KONSEP DASAR SPEKTROSKOPI
I. KONSEP DASAR SPEKTROSKOPI Pendahuluan Spektroskopi adalah studi mengenai antaraksi cahaya dengan atom dan molekul. Radiasi cahaya atau elektromagnet dapat dianggap menyerupai gelombang. Beberapa sifat
Lebih terperinciPenentuan struktur senyawa organik
Penentuan struktur senyawa organik Tujuan Umum: memahami metoda penentuan struktur senyawa organik moderen, yaitu dengan metoda spektroskopi Tujuan Umum: mampu membaca dan menginterpretasikan data spektrum
Lebih terperinciKARAKTERISTIK UNSUR KARBON GRAFIT DAN APLIKASINYA UNTUK ADSORPSI ION Cr DAN Pb DALAM CAIRAN SKRIPSI BIDANG MINAT FISIKA TERAPAN
KARAKTERISTIK UNSUR KARBON GRAFIT DAN APLIKASINYA UNTUK ADSORPSI ION Cr DAN Pb DALAM CAIRAN SKRIPSI BIDANG MINAT FISIKA TERAPAN Ni Wayan Sariasih JURUSAN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1 Latar Belakang Penerapan teknologi rekayasa material saat ini semakin bervariasi. Hal ini disebabkan oleh tuntutan untuk memenuhi kebutuhan manusia yang beraneka ragam, sehingga manusia
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban manusia di abad ini. Sehingga diperlukan suatu kemampuan menguasai teknologi tinggi agar bisa
Lebih terperinci