Simulasi Peranti Model Sel Surya Medan Permukaan Belakang Pendopingan Tinggi Fungsi Eksponensial
|
|
- Yuliani Susman
- 6 tahun lalu
- Tontonan:
Transkripsi
1 Jurnal eknologi Proses Media Publikasi Karya Ilmiah eknik Kimia 6(1) Januari 2007: ISS Simulasi Peranti Model Sel Surya Medan Permukaan Belakang Pendopingan inggi Fungsi Eksponensial Mara Bangun Harahap Jurusan Fisika FMIPA dan Prodi Pendidikan Kimia Pascasarjana Unimed Abstrak Kecepatan rekombinasi permukaan efektif S EFF model basis sel surya hubungan tinggi-rendah berdistribusi ketidakmurnian kerapatan doping fungsi eksponensial telah diteliti. Model diterapkan pada hubungan n-n + (x) sel surya dengan memakai masukan data eksperimen sempitan celah pita energi, waktu hidup dan mobilitas. Simulasi peranti model mengungkap: (a) kecepatan rekombinasi efektif S EFF nyata membatasi voltasi rangkaian terbuka V oc dan kerapatan arus rangkaian hubung singkat J SC sel surya kristal silikon medan permukaan p + -n-n + (x), serta (b) sempitan celah pita energi penting dalam memanifestasi batas tersebut. Kata kunci: pendopingan tinggi, simulasi peranti, solusi analitik, fungsi eksponensial, medan permukaan belakang. Pendahuluan Latar Belakang Masalah Penelitian sel surya pada dasarnya difokuskan pada dua tujuan utama: pertama, untuk memperoleh model sel surya efisiensi tinggi dengan memanfaatkan teknologi canggih; kedua, untuk memperoleh model sel surya efisiensi rendah dengan memanfaatkan teknologi produksi konsumsi massa. ujuan manapun yang diprioritaskan, penelitian selalu dimulai dengan mengembangkan model sel surya yang akan diteliti. Pemakaian program komputer sebagai pendukung pengembangan teknologi mikroelektronika menimbulkan dampak positif pada pengembangan desain sel surya. Program komputer dapat memperpendek siklus pengembangan, dan pada gilirannya dapat mengurangi biaya pengembangan. Dengan simulasi komputer, para pendesain model sel surya dapat mengungkap sifat fisika dari proses dan karakteristik model sel surya yang disimulasikan tersebut. Simulasi komputer dapat mengganti pengujian eksperimen yang mahal. Selain itu, simulasi komputer dapat memeriksa operasi dalam di dalam sebarang peranti dengan mempergunakan simulasi ganda (Penumalli, 1986). Harahap (1992) telah meneliti solusi transpor pembawa minoritas material silikon kristal yang didoping tinggi berdasarkan pada analisis yang dilakukan Verhoef et al. (1990). Penelitian yang dilakukan Harahap terutama untuk melihat efek pengikutan parameterparameter yang belum dimasukkan Verhoef et al. dalam analisis mereka. Harahap menyelesaikan masalah kontinuitas pembawa minoritas dan persamaan arus untuk daerah silikon kristal tipe yang didoping tinggi tak uniform. Solusi yang diperoleh Harahap berbentuk persamaan arus yang bebas integral dan iterasi, sehingga sifat fisika dapat dianalisis berdasarkan
2 76 Mara Bangun Harahap / Jurnal eknologi Proses 6(1) Januari 2007: parameter-parameter yang tercakup dalam persamaan. Berdasarkan temuannya itu, Harahap (1993; 6-10) menerapkan solusi tersebut untuk memodel emiter sel surya memakai profil pendopingan fungsi eksponen. Untuk pendopingan fungsi pangkat, Sudiati et al. (1993) telah memodel emiter sel surya silikon kristal tipe. Pada tulisan ini dilaporkan hasil penelitan lanjutan tentang simulasi peranti model basis sel surya memakai daerah medan permukaan belakang (Back Surface Fields: BSF) dengan pendopingan profil fungsi eksponensial. Penelitian yang dilaporakan ini bertujuan untuk memperoleh model yang paling optimal dalam memaksimalkan voltase rangkaian terbuka sel surya. Perumusan Masalah Penelitian ini dibatasi dengan merumuskan masalah sebagai berikut: Bagaimanakah model basis daerah permukaan belakang sel surya silikon kristal pendopingan tinggi memakai profil doping fungsi eksponensial yang paling optimal dalam memaksimalkan voltase rangkaian terbuka sel surya? ujuan Penelitian Penelitian ini bertujuan untuk: (a) menganalisis hubungan kecepatan rekombinasi permukaan belakang efektif sebagai fungsi ketebalan, dan (b) melihat pengaruh penyempitan sela pita energi terhadap hubungan kecepatan rekombinasi permukaan belakang efektif sebagai fungsi ketebalan. Manfaat Penelitian emuan penelitian diharapkan bermanfaat sebagai: (a) informasi tentang pengembangan perangkat lunak (program komputer) simulasi peranti yang berguna untuk mengganti suatu eksperimen yang mahal di bidang teknologi sel surya, dan (b) informasi tentang parameterparameter fisis perancangan peranti sel surya sebelum fabrikasi dilakukan dan informasi tentang sel surya yang dapat dioptimasi sedininya dalam siklus pengembangan produk sel surya. injauan Pustaka Persamaan ranspor Pembawa Minoritas dalam Material Silikon Kristal Doping inggi Pada bagian ini diuraikan persamaan transpor pembawa minoritas bahan silikon kristal tipe berdasarkan pada hasil analisis Harahap (1992), yang menghasilkan solusi umum untuk bahan tersebut. Asumsi yang diajukan dalam menentukan solusi: (a) parameter-parameter transpor hanya merupakan fungsi kedalaman (x) dalam material, sehingga transpor dapat diperlakukan dalam satu dimensi; (b) pembahasan dalam kondisi kuasi netral dan injeksi rendah, sehingga hanya diperlakukan untuk pembawa minoritas saja; dan (c) peranti yang dibahas dalam keadaan tunak. Himpunan persamaan yang harus ditentukan solusinya adalah sebagai berikut: J(x) = J diff + J drift = - e D dp dx + e μ p (1) 1 d p J + = 0 edx τ (2) d 1 d E = - V ln () + EG dx e dx Δ (3) -k τ () = K (4) -m μ () = M (5) = e f V ln [ ] (6) 0 Pada persamaan 1 sampai dengan persamaan 6 arti simbol adalah sebagai berikut: J menyatakan kerapatan arus, yang terdiri dari jumlah kerapatan arus difusi J diff dan kerapatan arus hanyut J drift ; μ menyatakan mobilitas hole; τ menyatakan waktu hidup rekombinasi hole; D menyatakan diffusitas hole; p menyatakasn kerapatan hole; menyatkan kerapatan doping; menyatakan sempitan sela pita energi yang muncul; E menyatakan medan listrik; e k menyatakan besar muatan elektron; V= e menyatakan voltase termal, di mana K, k, M,m, 0 adalah konstanta (besarnya secara lengkap
3 Mara Bangun Harahap / Jurnal eknologi Proses 6(1) Januari 2007: dapat dilihat pada Harahap (1992:83-85). Penurunan dan penentuan solusi himpunan persamaan di atas untuk profil doping fungsi eksponensial yang akan diterapkan dlam penelitian ini dapat dilihat pada Verhoef (1990), Verhoef dan Sinke (1990) dan Harahap (1992). Model Sel Surya Medan Permukaan Belakang Pendopingan inggi Fungsi Eksponensial Model teoretis sel surya medan permukaan belakang pendopingan tinggi fungsi eksponensial serta asumsi profil doping yang diajukan dapat dilihat pada Gambar 1 di bawah ini. Pada penelitian ini model sel surya diajukan berdasarkan hasil analisis literatur (Penumalli, 1986; Fichner, 1988; Verhoef, 1990; Harahap, 1992; Sadovnikov & Roulston, 1997; Sze, 2002; Harahap, 2005). Model ini belum diwujudkan dalam eksperimen. amun, menurut perkiranan peneliti dengan didukung oleh penemuan peneliti lain, model ini mempunyai keuntungan dari segi kemudahan analisis. Hal ini karena model ini mengandung persamaan trasnpor yang tidak mengandung integral lipat sehingga sifat fisisnya transparan untuk dianalisis. Dari segi permasalahan penelitian ini, model yang diajukan belum pernah diteliti secara tuntas, sehingga cocok untuk diteliti lebih lanjut. Model sel surya yang memakai profil doping fungsi eksponensial layak untuk diteliti, untuk memperoleh gambaran luas tentang model-model sel surya yang memakai profil doping fungsi eksponensial. Metode Penelitian Sifat Penelitian Penelitian ini bersifat eksploratif. Dengan demikian dalam penelitian ini tidak diajukan hipotesis penelitian. Penelitian ini menggabungkan pendekatan fisika teoretik dan fisika komputasional dalam pengembangan fisika semikonduktor sub bidang sel surya. Parameter-parameter empiris yang disadur dari berbagai literatur dijadikan sebagai masukan simulasi peranti. IV P + I III I II n n + (x) E B BSF (x) S Keterangan: I: Daerah muatan ruang (space charge region) antara daerah basis n dengan daerah kuasi netral medan permukaan belakang (back surface field: BSF) n + (x); I : Daerah muatan ruang antar daerah emiter p + dengan daerah basis n; II: Daerah BSF n + (x); III: Daerah basis n; IV: Daerah emiter p + ; E : Konsentrasi doping emiter p + (pendopingan tinggi uniform); B : Konsentrasi doping basis n (pendopingan rendah uniform); BSF (x): Konsentrasi doping basis BSF n + (x) (pendopingan tinggi tak uniform, profil doping fungsi eksponensial); S : Konsentrasi doping pada permukaan belakang basis BSF n + (x). GAMBAR 1: Model Sel Surya Medan Permukaan Belakang Pendopingan inggi Fungsi Eksponensial
4 78 Mara Bangun Harahap / Jurnal eknologi Proses 6(1) Januari 2007: Variabel Penelitian Dalam penelitian ini ada tiga jenis variabel, yakni: variabel bebas, variabel terikat dan variabel moderator. Variabel bebas adalah kecepatan rekombinssi pada permukaan belakang sel surya. Variabel terikat adalah beda potensial rangkaian terbuka sel surya. Variabel moderator adalah variabel yang juga berpengaruh pada beda potensial rangkaian terbuka sel surya, tetapi pengaruhnya tidak langsung. Variabel moderator berpengaruh langsung terhadap semua parameter-parameter masukan simulasi peranti. Variabel moderator dalm penelitian ini adalah x (kedalaman dalam bahan semikonduktor). Semua parameterparameter yang terlibat pada setiap model matematis dalam simulasi peranti bergantung pada x. Alat/eknik Pengumpulan Data Data dikumpulkan dengan memakai metode numerik pada simulasi peranti untuk model sel surya yang dikemukakan dalam penelitian ini. Masukan-masukan untuk simulasi peranti dengan model sel surya seperti ini adalah parameter-parameter persamaan transpor muatan minoritas. Ketelitian data yang diperoleh dengan metode numerik diketahui melalui teori ketidakpastian metode numerik yang dipakai. eknik Analisis Data a. Diplot (oleh komputer) hubungan antara kecepatan rekombinasi permukaan belakang efektif sebagai fungsi ketebalan. b. Diplot (oleh komputer) pengaruh penyempitan sela pita energi terhadap hubungan kecepatan rekombinasi permukaan belakang efektif sebagai fungsi ketebalan. c. Dianalisis hasil simulasi peranti dengan cara membandingkannya dengan hasil simulasi peranti yang telah ditemukan penelitia lain (merujuk ke literatur). Analisis dilakukan berdasarkan pada teori fisika yang relevan. (Metode numerik sebagaimana dikemukakan di atas digunakan pada a, b dan c). Prosedur Penelitian ahap Pertama: Merancang Model Sel Surya Model sel surya yang dipakai adalah model ser surya yang dibagankan pada Gambar 1. ahap Kedua: Merumuskan Solusi Persamaan ranspor Minoritas Material Semikonduktor Himpunan persamaan yang harus ditentukan solusinya adalah sebagai berikut: J(x) = J diff + J drift = - e D dp dx + e μ p...(7) 1 d p J + = 0 edx τ d 1 d E = - V ln () + E (8) G dx e dx Δ (9) -k τ () = K (10) -m μ () = M (11) = e f V ln [ ] (12) 0 Pada persamaan 7 sampai dengan persamaan 12 arti simbol adalah sebagai berikut: J menyatakan kerapatan arus, yang terdiri dari jumlah kerapatan arus difusi J diff dan kerapatan arus hanyut J drift ; μ menyatakan mobilitas hole; τ menyatakan waktu hidup rekombinasi hole; D menyatakan diffusitas hole; p menyatakasn kerapatan hole; menyatkan kerapatan doping; menyatakan sempitan sela pita energi yang muncul; E menyatakan medan listrik; e k menyatakan besar muatan elektron; V= e menyatakan voltase termal, di mana K, k, M,m, 0 adalah konstanta (besarnya secara lengkap dapat dilihat pada Harahap (1992:83-85). Penurunan dan penentuan solusi himpunan persamaan di atas untuk profil doping fungsi eksponensial yang akan diterapkan dalam penelitian ini dapat dilihat pada Verhoef (1990), Verhoef dan Sinke (1990) dan Harahap (1992).
5 Mara Bangun Harahap / Jurnal eknologi Proses 6(1) Januari 2007: ahap Ketiga: Memasukkan Parameterparameter yang akan Diolah dengan Program Komputer Simulasi. ahap Keempat: ampilkan dan Analisis Hasil Simulasi. emuan Penelitian dan Pembahasan emuan Penelitian Luaran simulasi peranti yang merupakan hubungan (a) S EFF (kecepatan rekombinasi permukaan belakang efektif) terhadap ketebalan W dan (b) Pengaruh penyempitan sela pita energi (f = 0,75) terhadap hubungan S EFF sebagai fungsi ketebalan W dicantumkan pada Gambar 2 dan Gambar 3 berikut ini. GAMBAR 2: Hubungan antara S EFF dengan Ketebalan W GAMBAR 3: Pengaruh penyempitan sela pita energi (f=0,75) terhadap hubungan S EFF sebagai fungsi ketebalan W
6 80 Mara Bangun Harahap / Jurnal eknologi Proses 6(1) Januari 2007: Pembahasan Secara teroretis telah diketahui bahwa efisiensi sel surya dibatasi oleh rekombinasi permukaan belakang sel surya (Overstaeten dan Mertens, 1986). Berdasarkan faktor pembatas tersebut, rancangan model sel surya biasanya memakai daerah medan permukaan belakang, seperti dilakukan pada penelitian ini. emuan penelitian ini memperbanyak informasi tentang model-model sel surya silikon kristal yang mempunyai peluang besar untuk dipakai sebagai model sel surya efisiensi tinggi. emuan penelitian ini mendukung temuan penelitian lain yang telah lebih dulu memakai hubungan tinggi rendah pada sisi belakang sel surya untuk menaikkan pemantulan pembawa minoritas yang dicerminkan oleh nilai kecepatan rekombinasi permukaan efektif sel surya. Berdasarkan Gambar 2 terungkap bahwa hasil yang diperoleh dalam penelitian ini sama dengan yang diperoleh Verhoef (1990), serta Verhoef dan Sinke (1990). amun, pada Gambar 2 dilakukan penambahan terhadap yang ditemukan Verhoef (1990), serta Verhoef dan Sinke (1990), yakni penambahan plot untuk S = 4 cm/s, yang ternyata hasilnya menunjukkan bahwa S eff untuk S = 4 cm/s sama besar (grafik berimpit) dibandingkan untuk s = 6 cm/s. Selanjutnya dapat dilihat bahwa S eff menurun terhadap bertambahnya ketebalan W (daerah BSF). Pada Gambar 2 diplot pula S eff memakai (W) = dan (W) = cm -3 (uniform). Hasilnya menunjukkan bahwa grafik untuk (W) = berada di antara grafik (W) = dengan (W) = Lebih lanjut dapat dilihat bahwa pengaruh S untuk (W) = dan (W) muncul dan S eff untuk kedua kasus ini menurun terhadap bertambahnya ketebalan W (daerah BSF). Berdasarkan pada Gambar 3, dapat dilihat bahwa untuk (W) terbesar (10 19 ) ternyata S eff paling kecil dan pengaruh S untuk setiap (W) muncul kembali. Semua S eff menurun terhadap ketebalan W (daerah BSF), kecuali untuk (W) = dengan S = 4 cm/s ternyata S eff naik terhadap ketebalan W (daerah BSF). Lebih lanjut, dapat dijelaskan bahwa S eff untuk (W) = paling besar, dan S eff untuk (W) = (uniform) berada di antara S eff untuk (W) = dengan (W) = S eff secara keseluruhan diperlihatkan pada Gambar 3 tersebut. Kesimpulan dan Saran Suatu model teoretis untuk menentukan kecepatan rekombinasi permukaan belakang efektif pada hubungan tinggi-rendah memakai pendopingan fungsi eksponensial telah digunakan dalam mendesain sel surya medan permukaan belakang. Desain sel surya tersebut mempunyai sifat fisika yang menunjukkan kecenderungan menghasilakan S EFF (kecepatan rekombinasi permukaan belakang efektif) yang lebih kecil dibandingkan temuan penelitian lain yang memakai profil doping fungsi eror. Jika model sel surya ini hendak diwujudkan dalam sampel (penelitian lanjutan), disarankan hal-hal berikut: 1)Hendaknya dilakukan lebih dulu penelitian tentang efek pemantulan cahaya pada permukaan emiter, karena penelitian ini belum menyinggung hal ini. 2) Agar dapat diperoleh harga V OC dalam eksperimen yang kira-kira sama dengan harga V OC pada penelitian ini, hendaknya dipikirkan alat pendopingan lapisan n + (x) yang benar-benar mampu memberikan doping fungsi eksponensial. Daftar Pustaka Fichner, W Process Simulation. Dalam S.M. Sze (ed.), VLSI echnology (hlm ). Singapore: McGraw-Hill International Editions. Harahap, M.B Solusi Analitik ranspor Pembawa Minoritas Silikon Kristal yang Didoping ak Uniform dan Aplikasinya pada Peranti Sel Surya. esis S2 di IB Bandung. idak Dipublikasikan. Harahap, M.B Simulasi Peranti Model Basis Sel Surya P (X) Pendopingan inggi. Sistem eknik Industri. 6(5),
7 Mara Bangun Harahap / Jurnal eknologi Proses 6(1) Januari 2007: Penumalli, B.R Physical Models and umerical Methods for VLSI. Dalam W.L. Eng (ed.), Process Simulation and Devices Modeling, (hlm.1-30). orth Holland: Elsevier Science Publishers B.V. Sadovnikov, A.D. & Roulston, D.J A ew umerical Method for Quasi-hree Dimensional Small-signal Simulation of Silicon Bipolar ransistors. Solid State Electronics. 41(1): Sze, S.M Semiconductor Devices Physics and echnology. Singapore: John Wiley & Sons, Inc. Verhoef, L.A Silicon Solar Cell (modelling, processing and characterization). Ph.D. hesis (State University of Utreecht, etherlands). idak Dipublikasikan. Verhoef, L.A. & Sinke, W.C Minority Carrier ransport in on Uniformly Doped. IEEE rans Electron Devices. 37(1):
Simulasi Peranti Model Sel Surya Dioda n + (x)/p
145 M. Hendra S. Ginting / Jurnal eknologi Proses 5(2) Juli 2006: 138 141 Jurnal eknologi Proses Media Publikasi Karya Ilmiah eknik Kimia 5(2) Juli 2006: 142 147 ISSN 1412-7814 Simulasi Peranti Model Sel
Lebih terperinciPemodelan Sel Surya Silikon Kristal Pendopingan Tinggi
Jurnal eknologi Proses Media Publikasi Karya Ilmiah eknik Kimia 5(1) Januari 2006: 38 42 ISSN 1412-7814 Pemodelan Sel Surya Silikon Kristal Pendopingan inggi Mara Bangun Harahap Jurusan Fisika, Fakultas
Lebih terperinciSIMULASI PERANTI MODEL BASIS SEL SURYA p + -n-n + (x) PENDOPINGAN TINGGI
Simulasi Peranti Model Basis Sel Surya SIMULASI PERANTI MODEL BASIS SEL SURYA p + -n-n + (x) PENDOPINGAN TINGGI Staf Pengajar Jurusan Fisika FMIPA Unimed Abstrak: Kecepatan rekombinasi permukaan efektif
Lebih terperinciGambar Semikonduktor tipe-p (kiri) dan tipe-n (kanan)
Mekanisme Kerja Devais Sel Surya Sel surya merupakan suatu devais semikonduktor yang dapat menghasilkan listrik jika diberikan sejumlah energi cahaya. Proses penghasilan energi listrik itu diawali dengan
Lebih terperinciSTUDI TENTANG PENGARUH DOPING TINGGI TERHADAP RESISTANSI BASIS DAN BANDGAP NARROWING PADA Si/Si 1-x Ge x /Si HBT
MAKARA, TEKNOLOGI, VOL. 7, NO. 1, APRIL 2003 STUDI TENTANG PENGARUH DOPING TINGGI TERHADAP RESISTANSI BASIS DAN BANDGAP NARROWING PADA Si/Si 1-x Ge x /Si HBT Achmad Fadhol Jurusan Teknik Elektro, Institut
Lebih terperinciBAB 1 PENDAHULUAN Latar Belakang
BAB 1 PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Memasuki abad 21, persediaan minyak dan gas bumi semakin menipis. Sementara kebutuhan akan energi semakin meningkat, terutama dirasakan pada negara industri. Kebuthan
Lebih terperinciDAFTAR ISI. PERNYATAAN BEBAS PLAGIARISME... ii. HALAMAN PENGESAHAN... iii. HALAMAN TUGAS... iv. HALAMAN PERSEMBAHAN... v. HALAMAN MOTO...
ix DAFTAR ISI PERNYATAAN BEBAS PLAGIARISME... ii HALAMAN PENGESAHAN... iii HALAMAN TUGAS... iv HALAMAN PERSEMBAHAN... v HALAMAN MOTO... vi KATA PENGANTAR... vii DAFTAR ISI... ix DAFTAR TABEL... xiii DAFTAR
Lebih terperinciSemikonduktor. Sifat. (ohm.m) Tembaga 1,7 x 10-8 Konduktor Silikon pd 300 o K 2,3 x 10 3 Semikonduktor Gelas 7,0 x 10 6 Isolator
Semikonduktor Definisi I: Bahan yang memiliki nilai hambatan jenis (ρ) antara konduktor dan isolator yakni sebesar 10 6 s.d. 10 4 ohm.m Perbandingan hambatan jenis konduktor, semikonduktor, dan isolator:
Lebih terperinciPEMODELAN PENYEMPITAN CELAH PITA ENERGI SEBAGAI FUNGSI KONSENTRASI DOPING PADA HBT SIGE
PEMODELAN PENYEMPITAN CELAH PITA ENERGI SEBAGAI FUNGSI KONSENTRASI DOPING PADA HBT SIGE Engelin Shintadewi Julian Department of Electrical Engineering, Faculty of Industrial Technology Trisakti University
Lebih terperinciSIMULASI PENGARUH PANJANG GELOMBANG FOTON DATANG TERHADAP KARAKTERISTIK I-V DIODA SEL SURYA MENGGUNAKAN METODE ELEMEN HINGGA
SIMULASI PENGARUH PANJANG GELOMBANG FOTON DATANG TERHADAP KARAKTERISTIK I-V DIODA SEL SURYA MENGGUNAKAN METODE ELEMEN HINGGA SKRIPSI Oleh Fitriana NIM 101810201006 JURUSAN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN
Lebih terperinciSTRUKTUR CRISTAL SILIKON
BANDGAP TABEL PERIODIK STRUKTUR CRISTAL SILIKON PITA ENERGI Pita yang ditempati oleh elektron valensi disebut Pita Valensi Pita yang kosong pertama disebut : Pita Konduksi ISOLATOR, KONDUKTOR DAN SEMIKONDUKTOR
Lebih terperinciBab 1. Semi Konduktor
Bab 1. Semi Konduktor Operasi komponen elektronika benda padat seperti dioda, LED, Transistor Bipolar dan FET serta Op-Amp atau rangkaian terpadu lainnya didasarkan atas sifat-sifat semikonduktor. Semikonduktor
Lebih terperinciSTUDI KELAYAKAN PENGGUNAAN SEL SILIKON SEBAGAI PENGUBAH ENERGI MATAHARI MENJADI ENERGI LISTRIK
STUDI KELAYAKAN PENGGUNAAN SEL SILIKON SEBAGAI PENGUBAH ENERGI MATAHARI MENJADI ENERGI LISTRIK Walfred Tambuhan, Maksi Ginting, Minarni Jurusan Fisika FMIPA Universitas Riau walfred_tambunan yahoo.com
Lebih terperinciSTUDI PARAMETER PADA DIODA P-N
DOI: https://doi.org/1.4853/elektum.14.1.5-58 e-issn : 55-678 STUDI PARAMETER PADA DIODA P-N Fadliondi Universitas Muhammadiyah Jakarta e-mail: fadliondi@yahoo.com Abstrak Operasi divais semikonduktor
Lebih terperinciT 19 Kerapatan Keadaan pada Struktur Nano Berbentuk Sumur Nano, Kawat Nano dan Titik Nano
T 19 Kerapatan Keadaan pada Struktur Nano Berbentuk Sumur Nano, Kawat Nano dan Titik Nano Ratno Nuryadi Pusat Teknologi Material, Badan Pengkajian dan Penerapan Teknologi (BPPT) BPPT Gedung II Lt. 22.
Lebih terperinciOptimalisasi Struktur Sel Surya GaAs Sambungan p-n dengan Lapisan Antirefleksi yang tergandeng dengan Lapisan Window AlGaAs
Indonesian Journal of Physics Kontribusi Fisika Indonesia Vol. 14 No.2, April 2003 Optimalisasi Struktur Sel Surya GaAs Sambungan p-n dengan Lapisan Antirefleksi yang tergandeng dengan Lapisan Window AlGaAs
Lebih terperinciPENGEMBANGAN SISTEM PENGUKUR KARAKTERISTIK I-V SEL SURYA DALAM KEADAAN PENYINARAN DAN TANPA PENYINARAN
Program Studi Fisika Jurusan Pendidikan Fisika FPMIPA UNIVERSITAS PENDIDIKAN INDONESIA PENGEMBANGAN SISTEM PENGUKUR KARAKTERISTIK I-V SEL SURYA DALAM KEADAAN PENYINARAN DAN TANPA PENYINARAN Latar Belakang
Lebih terperinciPENGARUH FILTER WARNA KUNING TERHADAP EFESIENSI SEL SURYA ABSTRAK
PENGARUH FILTER WARNA KUNING TERHADAP EFESIENSI SEL SURYA ABSTRAK Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh filter warna kuning terhadap efesiensi Sel surya. Dalam penelitian ini menggunakan metode
Lebih terperinciSTUDI KELAYAKAN PENGGUNAAN SEL SILIKON SEBAGAI PENGUBAH ENERGI MATAHARI MENJADI ENERGI LISTRIK
STUDI KELAYAKAN PENGGUNAAN SEL SILIKON SEBAGAI PENGUBAH ENERGI MATAHARI MENJADI ENERGI LISTRIK Walfred Tambuhan, Magsi Ginting, Minarni, Purnama Jurusan Fisika FMIPA Universitas Riau walfred_tambunan yahoo.com
Lebih terperinciPENGARUH BENTUK PROFIL GERMANIUM PADA FREKUENSI CUTOFF HBT SIGE
JETri, Volume 3, Nomor 1, Agustus 2003, Halaman 33-44, ISSN 1412-0372 PENGARUH BENTUK PROFIL GERMANIUM PADA FREKUENSI CUTOFF HBT SIGE E. Shintadewi Julian Dosen Jurusan Teknik Elektro-FTI, Universitas
Lebih terperinciSATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH / KODE : SISTEM FABRIKASI & DEVAIS MIKROELEKTRONIKA / AK SEMESTER / SKS : VIII / 2
SATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH / KODE : SISTEM FABRIKASI & DEVAIS MIKROELEKTRONIKA / AK041217 SEMESTER / SKS : VIII / 2 Pertemuan Pokok Bahasan dan TIU Ke 1 Konsep mekanika quntum dan fisika benda
Lebih terperinciMIKROELEKTRONIKA. Gejala Transport dalam Semikonduktor. D3 Teknik Komputer Universitas Gunadarma
MIKROELEKTRONIKA Gejala Transport dalam Semikonduktor D3 Teknik Komputer Universitas Gunadarma MOBILITAS & KONDUKTIVITAS Gambaran gas elektron dari logam Bagian yang gelap menyatakan bagian yang mempunyai
Lebih terperinciPERBEDAAN EFISIENSI DAYA SEL SURYA ANTARA FILTER WARNA MERAH, KUNING DAN BIRU DENGAN TANPA FILTER
PERBEDAAN EFISIENSI DAYA SEL SURYA ANTARA FILTER WARNA MERAH, KUNING DAN BIRU DENGAN TANPA FILTER Oleh: Muhammad Anwar Widyaiswara BDK Manado ABSTRAK Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui perbedaan
Lebih terperinciSTUDI KELAYAKAN PENGGUNAAN SEL SILIKON SEBAGAI PENGUBAH ENERGI MATAHARI MENJADI ENERGI LISTRIK
92 dari pelat kaca dan tertutup dari pelat kaca. Untuk dioda silikon yang sambungannya paralel terbuka dari pelat kaca besarnya adalah 352 x 10-4 Joule pada temperatur pengamatan 39 o C, sedangkan yang
Lebih terperinci2016 PEMODELAN ARUS TEROBOSAN PADA TRANSISTOR DWIKUTUB N-P-N ARMCHAIR GRAPHENE NANORIBBON (AGNR) MENGGUNAKAN METODE MATRIKS TRANSFER
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Alat-alat elektronik sudah menjadi pelengkap kehidupan manusia. Di dalamnya terdapat berbagai macam divais elektronik yang tersusun sehingga memiliki fungsinya tersendiri.
Lebih terperinciAsisten: (Heldi Alfiadi/ ) Tanggal Praktikum: ( ) Kata Kunci : Efek Hall, Potensial Hall, Gaya Lorentz
MODUL 5 EFEK HALL Muhammad Ilham, Rizki, Moch. Arif Nurdin,Septia Eka Marsha Putra, Hanani, Robbi Hidayat. 10211078, 10210023, 10211003, 10211022, 10211051, 10211063. Program Studi Fisika, Institut Teknologi
Lebih terperinciSATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH : DEVAIS MIKROELEKTRONIKA* (Ujian Utama) KODE MK / SKS : KK / 3
SATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH : DEVAIS MIKROELEKTRONIKA* (Ujian Utama) KODE MK / SKS : KK-041345 / 3 Minggu Pokok Bahasan Ke Dan TIU 1 Konsep mekanika quntum dan fisika benda padat 2 Fenomena elektron
Lebih terperinciModul - 4 SEMIKONDUKTOR
Modul - 4 SEMIKONDUKTOR Disusun Sebagai Materi Pelatihan Guru-Guru SMA/MA Provinsi Nangro Aceh Darussalam Disusun oleh: Dr. Agus Setiawan, M.Si Dr. Dadi Rusdiana, M.Si Dr. Ida Hamidah, M.Si Dra. Ida Kaniawati,
Lebih terperinciAtom silikon dan germanium masingmempunyai empat elektron valensi. Oleh karena itu baik atom silikon maupun atom germanium disebut juga dengan atom
Mata Kuliah Pertemuaan Pokok Bahasan Waktu : Elektronika Analog : I : Bahan Semikonduktor : 2x55 menit Berdasarkan sifat hantantaran listrik bahan dapat dibagi atas 3 jenis yaitu: bahan yang tidak dapat
Lebih terperinciPEMAKSIMALAN DAYA KELUARAN SEL SURYA MENGGUNAKAN LENSA CEMBUNG
PEMAKSIMALAN DAYA KELUARAN SEL SURYA MENGGUNAKAN LENSA CEMBUNG Oleh: Budhi Priyanto 1 ABSTRAK: Penggunaan kumpulan lensa cembung meningkatkan intensitas berkas cahaya matahari. Lensa cembung baik yang
Lebih terperinciOptimasi Tekanan Deposisi dalam Simulasi Efisiensi Sel Surya Berbasis Material a-si:h
Jurnal Gradien Vol. 8 No. 1 Januari 2012 : 716-721 Optimasi Tekanan Deposisi dalam Simulasi Efisiensi Sel Surya Berbasis Material a-si:h Endhah Purwandari1*, Toto Winata2 1) Jurusan Fisika FMIPA Universitas
Lebih terperinciTUGAS AKHIR ANALISIS PERBANDINGAN KARAKTERISTIK PANEL SURYA BERDASARKAN MATERIAL PENYUSUN DAN INTENSITAS CAHAYA. Diajukan untuk memenuhi persyaratan
TUGAS AKHIR ANALISIS PERBANDINGAN KARAKTERISTIK PANEL SURYA BERDASARKAN MATERIAL PENYUSUN DAN INTENSITAS CAHAYA Diajukan untuk memenuhi persyaratan menyelesaikan pendidikan sarjana (S-1) pada Departemen
Lebih terperinciKarakterisasi XRD. Pengukuran
11 Karakterisasi XRD Pengukuran XRD menggunakan alat XRD7000, kemudian dihubungkan dengan program dikomputer. Puncakpuncak yang didapatkan dari data pengukuran ini kemudian dicocokkan dengan standar difraksi
Lebih terperinciMAKALAH PITA ENERGI. Di susun oleh, Pradita Ajeng Wiguna ( ) Rombel 1. Untuk Memenuhi Tugas Mata Kuliah Fisika dan Teknologi Semikonduktor
MAKALAH PITA ENERGI Untuk Memenuhi Tugas Mata Kuliah Fisika dan Teknologi Semikonduktor Di susun oleh, Pradita Ajeng Wiguna (4211412011) Rombel 1 JURUSAN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN
Lebih terperinciPROFIL GERMANIUM SEGIEMPAT PADA TRANSISTOR BIPOLAR SILIKON-GERMANIUM
JETri, Volume 1, Nomor 2, Februari 2002, Halaman 41-48, ISSN 1412-0372 PROFIL GERMANIUM SEGIEMPAT PADA TRANSISTOR BIPOLAR SILIKON-GERMANIUM E. Shintadewi Julian Dosen Jurusan Teknik Elektro-FTI, Universitas
Lebih terperinciTenaga Surya sebagai Sumber Energi. Oleh: DR. Hartono Siswono
Tenaga Surya sebagai Sumber Energi Oleh: DR Hartono Siswono Energi memiliki peranan penting dalam kehidupan manusia Bangsa yang tidak menguasai energi akan menjadi bangsa yang tidak merdeka seutuhnya Adalah
Lebih terperinciLAPORAN EKSPERIMEN FISIKA 2 FOTOKONDUKTIVITAS. Zudah Sima atul Kubro G DEPARTEMEN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
LAPORAN EKSPERIMEN FISIKA 2 FOTOKONDUKTIVITAS Rekan Kerja : 1. Aah Nuraisah 2. Mutiara Khairunnisa 3. Dedeh Nurhayati Zudah Sima atul Kubro G74120023 Asisten : Pramudya Wardhani (G74110008) Dadi Irawan
Lebih terperinciSimulasi Sel Surya Model Dioda dengan Hambatan Seri dan Hambatan Shunt Berdasarkan Variasi Intensitas Radiasi, Temperatur, dan Susunan Modul
Simulasi Sel Surya Model Dioda dengan Hambatan Seri dan Hambatan Shunt Berdasarkan Variasi Intensitas Radiasi, Temperatur, dan Susunan Modul M. Dirgantara 1 *, M. Saputra 2, P. Aulia 3, Z. Deofarana 4,
Lebih terperinciTUGAS AKHIR. Secara garis besar dari tugas-tugas yang telah dikerjakan dapat dibuat rangkuman sebagai berikut :
PRASETYO NUGROHO 132 96 015 TUGAS AKHIR DEVAIS ELEKTRONIKA TUGAS AKHIR Secara garis besar dari tugas-tugas yang telah dikerjakan dapat dibuat rangkuman sebagai berikut : Metode Desain Devais Mikroelektronika
Lebih terperinciANALISIS LANJUTAN. Tingkat Energi & Orbit Elektron. Pita Energi Semikonduktor Intrinsik. Pita Energi Pada Semikonduktor Ter-Doping
Tingkat Energi & Orbit Elektron ANALISIS LANJUTAN Pita Energi Semikonduktor Intrinsik Pita Energi Pada Semikonduktor Ter-Doping Elektronika 1 23 Irwan Arifin 2004 P-N Junction Elektronika 1 24 Irwan Arifin
Lebih terperinciPANEL SURYA dan APLIKASINYA
PANEL SURYA dan APLIKASINYA Suplai energi surya dari sinar matahari yang diterima oleh permukaan bumi sebenarnya sangat luar biasa besarnya yaitu mencapai 3 x 10 24 joule pertahun. Jumlah energi sebesar
Lebih terperinciPOSITRON, Vol. VI, No. 2 (2016), Hal ISSN :
Penentuan Energi Keadaan Dasar Osilator Kuantum Anharmonik Menggunakan Metode Kuantum Difusi Monte Carlo Nurul Wahdah a, Yudha Arman a *,Boni Pahlanop Lapanporo a a JurusanFisika FMIPA Universitas Tanjungpura,
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Graphene merupakan susunan atom-atom karbon monolayer dua dimensi yang membentuk struktur kristal heksagonal menyerupai sarang lebah. Graphene memiliki sifat
Lebih terperinciUji Kekerasan Material dengan Metode Rockwell
Uji Kekerasan Material dengan Metode Rockwell 1 Ika Wahyuni, 2 Ahmad Barkati Rojul, 3 Erlin Nasocha, 4 Nindia Fauzia Rosyi, 5 Nurul Khusnia, 6 Oktaviana Retna Ningsih Jurusan Fisika, Fakultas Sains dan
Lebih terperinciPrinsip Semikonduktor
IOA SEMIKONUKTOR Prinsip Semikonduktor PN Junction Tipe-N: Menambahkan Latice Si dengan atom Gol V, menyediakan tambahan elektron (sehingga N untuk negatif) Tipe-P: Menambahakan Latice Si dengan atom Gol
Lebih terperinciMODUL 1 KULIAH SEMIKONDUKTOR
MODUL 1 KULIAH SMIKONDUKTOR I.1. LOGAM, ISOLATOR dan SMIKONDUKTOR. Suatu bahan zat padat apabila dikaitkan dengan kemampuannya dalam menghantarkan arus listrik, maka bahan zat padat dibedakan menjadi tiga
Lebih terperinciBab 1 Bahan Semikonduktor. By : M. Ramdhani
Bab 1 Bahan Semikonduktor By : M. Ramdhani Tujuan instruksional : Mengerti sifat dasar sebuah bahan Memahami konsep arus pada bahan semikonduktor Memahami konsep bahan semikonduktor sebagai bahan pembentuk
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pendeteksian cahaya merupakan salah satu proses paling mendasar pada bidang optik [1]. Untuk mendeteksi cahaya, diperlukan suatu proses konversi optoelektronik menggunakan
Lebih terperinciJOBSHEET SENSOR CAHAYA (SOLAR CELL)
JOBSHEET SENSOR CAHAYA (SOLAR CELL) A. TUJUAN 1. Merancang sensor sel surya terhadap besaran fisis. 2. Menguji sensor sel surya terhadap besaran fisis. 3. Menganalisis karakteristik sel surya. B. DASAR
Lebih terperinciPENGARUH KETEBALAN LAPISAN I PADA PERHITUNGAN KARAKTERISTIK ARUS-TEGANGAN SEL SURYA TIPE PIN MENGGUNAKAN METODE ELEMEN HINGGA
PENGARUH KETEBALAN LAPISAN I PADA PERHITUNGAN KARAKTERISTIK ARUS-TEGANGAN SEL SURYA TIPE PIN MENGGUNAKAN METODE ELEMEN HINGGA SKRIPSI oleh Yetik Herawati NIM 071810201066 JURUSAN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. 1 Universitas Indonesia
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Sumber energi bahan bakar minyak yang berasal dari fosil saat ini diprediksi sudah tidak mampu memenuhi seluruh kebutuhan konsumsi hidup penduduk dunia di masa datang
Lebih terperinciSEMIKONDUKTOR oleh: Ichwan Yelfianhar dirangkum dari berbagai sumber
SEMIKONDUKTOR oleh: Ichwan Yelfianhar dirangkum dari berbagai sumber Pengertian Umum Bahan semikonduktor adalah bahan yang bersifat setengah konduktor karena celah energi yang dibentuk oleh struktur bahan
Lebih terperinciPENINGKATAN DAYA KELUARAN SEL SURYA DENGAN PENINGKATAN TEMPERATUR PERMUKAAN SEL SURYA
PENINGKATAN DAYA KELUARAN SEL SURYA DENGAN PENINGKATAN TEMPERATUR PERMUKAAN SEL SURYA Oleh: Budhi Priyanto ABSTRAK: Intensitas cahaya yang menyinari permukaan sel surya meningkatkan temperatur permukaan
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Indra Irawan, 2015
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Di zaman modern yang semakin canggih ini, ketergantungan terhadap penggunaan peralatan elektronik sudah tidak dapat dihindari lagi. Seperti penggunaan handphone dan
Lebih terperinciPENINGKATAN SUHU MODUL DAN DAYA KELUARAN PANEL SURYA DENGAN MENGGUNAKAN REFLEKTOR
PENINGKATAN SUHU MODUL DAN DAYA KELUARAN PANEL SURYA DENGAN MENGGUNAKAN REFLEKTOR I h s a n Dosen pada Jurusan Fisika Fakultas Sains dan Teknologi UIN Alauddin Makassar Email: ihsan_physics@ymail.com Abstract.
Lebih terperinciOPTIMALISASI TEGANGAN KELUARAN DARI SOLAR CELL MENGGUNAKAN LENSA PEMFOKUS CAHAYA MATAHARI
OPTIMALISASI TEGANGAN KELUARAN DARI SOLAR CELL MENGGUNAKAN LENSA PEMFOKUS CAHAYA MATAHARI Oleh: Faslucky Afifudin 1, Farid Samsu Hananto 2 ABSTRAK: Studi optimalisasi tegangan keluaran dari solar sel menggunakan
Lebih terperinciGARIS BESAR PROGRAM PEMBELAJARAN (GBPP) UNIVERSITAS DIPONEGORO
GARIS BESAR PROGRAM PEMBELAJARAN (GBPP) UNIVERSITAS DIPONEGORO SPMI- UNDIP GBPP 10.09.04 PAF 219 Revisi ke - Tanggal 13 September 2013 Dikaji Ulang Oleh Ketua Program Studi Fisika Dikendalikan Oleh GPM
Lebih terperinciTeori Semikonduktor. Elektronika (TKE 4012) Eka Maulana. maulana.lecture.ub.ac.id
Teori Semikonduktor Elektronika (TKE 4012) Eka Maulana maulana.lecture.ub.ac.id Content Konduktor Semikonduktor Kristal silikon Semikonduktor Intrinsik Jenis aliran Doping semikonduktor Doping ekstrinsik
Lebih terperinciSATUAN ACARA PERKULIAHAN (SAP) : FISIKA DEVAIS SEMIKONDUKTOR KODE MK / SKS : / 3 SKS PROGRAM STUDI : MAGISTER TEKNIK ELEKTRO
SATUAN ACARA PERKULIAHAN (SAP) MATA KULIAH : FISIKA DEVAIS SEMIKONDUKTOR KODE MK / SKS : / 3 SKS PROGRAM STUDI : MAGISTER TEKNIK ELEKTRO Pertemuan Pokok Bahasan Tujuan Instruksi Umum (TIU) I Elemen-Elemen
Lebih terperinci1. Semikonduktor intrinsik : bahan murni tanpa adanya pengotor bahan lain. 2. Semikonduktor ekstrinsik : bahan mengandung impuritas dari bahan lain
1. Semikonduktor intrinsik : bahan murni tanpa adanya pengotor bahan lain 2. Semikonduktor ekstrinsik : bahan mengandung impuritas dari bahan lain Adalah Semikonduktor yang terdiri atas satu unsur saja,
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini terlihat dari banyaknya komponen semikonduktor yang digunakan disetiap kegiatan manusia.
Lebih terperinciFABRIKASI DETEKTOR PARTIKEL ALPHA MENGGUNAKAN SEMIKONDUKTOR SILIKON TIPE P
PRIMA Volume 10, Nomor 1, Juni 2013 ISSN : 1411-0296 FABRIKASI DETEKTOR PARTIKEL ALPHA MENGGUNAKAN SEMIKONDUKTOR SILIKON TIPE P Gunarwan Prayitno Pusat Rekayasa Perangkat Nuklir-BATAN Kawasan PuspiptekSerpong,
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Energi cahaya matahari dapat dikonversi menjadi energi listrik melalui suatu sistem yang disebut sel surya. Peluang dalam memanfaatkan energi matahari masih
Lebih terperinciKARAKTERISASI GaAs DENGAN PHOTOLUMINESCENCE LASER ARGON
KARAKTERISASI GaAs DENGAN PHOTOLUMINESCENCE LASER ARGON Surantoro Pendidikan Fisika PMIPA FKIP Universitas Sebelas Maret Surakarta. Jl. Ir. Sutami 36 A Kampus Kentingan Surakarta. ABSTRAK Penelitian tentang
Lebih terperinciPENINGKATAN DAYA KELUARAN SEL SURYA DENGAN PENAMBAHAN INTENSITAS BERKAS CAHAYA MATAHARI
PENINGKATAN DAYA KELUARAN SEL SURYA DENGAN PENAMBAHAN INTENSITAS BERKAS CAHAYA MATAHARI Oleh: Budhi Priyanto ABSTRAK: Sel surya sebagai penghasil energi listrik dari sinar matahari secara langsung saat
Lebih terperinciHomogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-si:h tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 8, NOMOR JANUARI 202 Homogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-si:h tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang Masalah
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Intan adalah salah satu jenis perhiasan yang harganya relatif mahal. Intan merupakan kristal yang tersusun atas unsur karbon (C). Intan berdasarkan proses pembentukannya
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. energi cahaya (foton) menjadi energi listrik tanpa proses yang menyebabkan
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Sel surya merupakan suatu piranti elektronik yang mampu mengkonversi energi cahaya (foton) menjadi energi listrik tanpa proses yang menyebabkan dampak buruk terhadap
Lebih terperinciMekanisme Hamburan Defek Statis Dan Vibrasi Termal Terhadap Mobilitas Elektron Pada Film Tipis GaN
Berkala Fisika ISSN : 1410-9662 Vol 13., No.1, Januari 2010, hal 39-44 Mekanisme Hamburan Defek Statis Dan Vibrasi Termal Terhadap Mobilitas Elektron Pada Film Tipis GaN Dadi Rusdiana, Lilik Hasanah, dan
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Sebagai negara berkembang yang kaya akan radiasi matahari yang tinggi,
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Sebagai negara berkembang yang kaya akan radiasi matahari yang tinggi, sudah seharusnya Indonesia memanfaatkannya sebagai energi listrik dengan menggunakan sel surya.
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi energi listrik DC secara langsung. Sel surya telah diaplikasikan dalam berbagai bidang, salah
Lebih terperinciBAB IV PEMODELAN DAN SIMULASI SEL BAHAN BAKAR MEMBRAN PERTUKARAN PROTON DENGAN MENGGUNAKAN SOFTWARE MATLAB/SIMULINK
BAB IV PEMODELAN DAN SIMULASI SEL BAHAN BAKAR MEMBRAN PERTUKARAN PROTON DENGAN MENGGUNAKAN SOFTWARE MATLAB/SIMULINK 4.1. Pendahuluan Pada bab ini akan dibahas mengenai pengembangan model dalam software
Lebih terperinci4 FABRIKASI DAN KARAKTERISASI SEL SURYA HIBRID ZnO-KLOROFIL
4 FABRIKASI DAN KARAKTERISASI SEL SURYA HIBRID ZnO-KLOROFIL 21 Pendahuluan Sel surya hibrid merupakan suatu bentuk sel surya yang memadukan antara semikonduktor anorganik dan organik. Dimana dalam bentuk
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN Latar Belakang
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Sel surya merupakan salah satu divais elektronik yang dapat mengubah secara langsung energi radiasi matahari menjadi energi listrik. Sel surya merupakan sumber energi
Lebih terperinciRekayasa Bahan untuk Meningkatkan Daya Serap Terhadap Gelombang Elektromagnetik dengan Matode Deposisi Menggunakan Lucutan Korona
Rekayasa Bahan untuk Meningkatkan Daya Serap Terhadap Gelombang Elektromagnetik dengan Matode Deposisi Menggunakan Lucutan Korona Vincensius Gunawan.S.K Laboratorium Fisika Zat Padat, Jurusan Fisika, Universitas
Lebih terperinciBAB V PEMBAHASAN. Faktor-faktor dominan adalah faktor-faktor yang diduga berpengaruh
118 BAB V PEMBAHASAN 5.1 Analisis Faktor Faktor-faktor dominan adalah faktor-faktor yang diduga berpengaruh terhadap peningkatan nilai arus dan tegangan sel surya. Kondisi hubung singkat mengakibatkan
Lebih terperinciKARAKTERISTIK ARUS DAN TEGANGAN SEL SURYA
LAPORAN PRAKTIKUM FISIKA EKSPERIMEN II KARAKTERISTIK ARUS DAN TEGANGAN SEL SURYA Oleh : 1. Riyanto H1C004006 2. M. Teguh Sutrisno H1C004007 3. Indri Kurniasih H1C004003 4. Gita Anggit H1C004014 Tanggal
Lebih terperinciHASIL KELUARAN SEL SURYA DENGAN MENGGUNAKAN SUMBER CAHAYA LIGHT EMITTING DIODE
HASIL KELUARAN SEL SURYA DENGAN MENGGUNAKAN SUMBER CAHAYA LIGHT EMITTING DIODE A. Handjoko Permana *), Ari W., Hadi Nasbey Universitas Negeri Jakarta, Jl. Pemuda No. 10 Rawamangun, Jakarta 13220 * ) Email:
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Kebutuhan energi yang terus meningkat dan semakin menipisnya cadangan minyak bumi dan gas alam menjadi pendorong bagi manusia untuk mencari sumber energi alternatif.
Lebih terperinciSilabus dan Rencana Perkuliahan
Silabus dan Rencana Perkuliahan Matakuliah : Pend,Fisika Zat Padat Kode : FI 362 SKS : 3 sks Semester : Semua Nama Dosen : WD, dkk Standar Kompotensi : Menguasai pengetahuan tentang Pendahuluan Fisika
Lebih terperinciMATERI IV DIODA : PENGERTIAN DAN KARAKTERISTIK
MATERI IV DIODA : PENGERTIAN DAN KARAKTERISTIK A. Tujuan 1. Tujuan Umum Mahasiswa memahami pengertian dan karakteristik dioda semikonduktor 2. Tujuan Khusus a. Mahasiswa dapat menjelaskan keadaan sambunan
Lebih terperinciSINTESIS DAN KARAKTERISASI SIFAT LISTRIK SUPERKONDUKTOR Eu 2-x Ce x CuO 4+α-δ (ECCO) UNTUK UNDER-DOPED
Proseding Seminar Nasional Fisika dan Aplikasinya Sabtu, 19 November 2016 Bale Sawala Kampus Universitas Padjadjaran, Jatinangor SINTESIS DAN KARAKTERISASI SIFAT LISTRIK SUPERKONDUKTOR Eu 2-x Ce x CuO
Lebih terperinciStruktur Double Barrier Untuk Aplikasi Pada Divais Silikon Amorf
Kontribusi Fisika Indonesia Vol. No., Januari 00 Struktur Double Barrier Untuk Aplikasi Pada Divais Silikon Amorf Ida Hamidah dan Wilson W. Wenas Laboratorium Riset Semikonduktor, Jurusan Fisika ITB Jl.
Lebih terperinciPHOTODETECTOR. Ref : Keiser
PHOTODETECTOR Ref : Keiser Detektor Silikon PIN Syarat foto detektor High response atau sensitifitas Noise rendah Respon cepat atau bandwidth lebar Tidak sensitif thd variasi suhu Kompatibel dgn fiber
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Saat ini, ketersediaan sumber energi fosil dunia semakin menipis, sumber energi ini semakin langka dan harganya pun semakin melambung tinggi. Hal ini tidak dapat dihindarkan
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC)
39 HASIL DAN PEMBAHASAN Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC) Hasil karakterisasi dengan Difraksi Sinar-X (XRD) dilakukan untuk mengetahui jenis material yang dihasilkan disamping menentukan
Lebih terperinciDAFTAR ISI. ABSTRAK... i. KATA PENGANTAR... ii. UCAPAN TERIMA KASIH... iii. DAFTAR ISI... v. DAFTAR GAMBAR... viii. DAFTAR SINGKATAN DAN LAMBANG...
DAFTAR ISI ABSTRAK... i KATA PENGANTAR... ii UCAPAN TERIMA KASIH... iii DAFTAR ISI... v DAFTAR GAMBAR... viii DAFTAR SINGKATAN DAN LAMBANG... x BAB I PENDAHULUAN... 1 1.1 Latar Belakang... 1 1.2 Rumusan
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Pada tahun 2012 pemanfaatan bahan bakar fosil mengakibatkan pelepasan CO 2 ke atmosfer sebesar
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Akitivitas kehidupan sehari-hari manusia melalui pembangunan ekonomi dan industri selalu disertai dengan penggunaan energi. Peningkatan penggunaan energi akan memicu
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Listrik merupakan kebutuhan esensial yang sangat dominan kegunaannya
λ Panjang Gelombang 21 ω Kecepatan Angular 22 ns Indeks Bias Kaca 33 n Indeks Bias Lapisan Tipis 33 d Ketebalan Lapisan Tipis 33 α Koofisien Absorpsi 36 Frekuensi Cahaya 35 υ BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar
Lebih terperinciGambar 3.1 Struktur Dioda
1 1. TEORI DASAR Dioda ialah jenis VACUUM tube yang memiliki dua buah elektroda. Dioda tabung pertama kali diciptakan oleh seorang ilmuwan dari Inggris yang bernama Sir J.A. Fleming (1849-1945) pada tahun
Lebih terperinciELEKTRONIKA. Materi 4 : Fisika Semikonduktor. Oleh: I Nyoman Kusuma Wardana
ELEKTRONIKA Materi 4 : Fisika Semikonduktor Oleh: I Nyoman Outline Konduktor Inti atom Elektron bebas Semikonduktor Atom silikon Ikatan kovalen Penyatuan valensi Hole Rekombinasi & lifetime Semikonduktor
Lebih terperinciANALISIS PENGARUH TEMPERATUR OPERASIONAL DALAM SIMULASI KARAKTERISTIK ARUS-TEGANGAN PADA DIODA Si MENGGUNAKAN FEMLAB SKRIPSI
ANALISIS PENGARUH TEMPERATUR OPERASIONAL DALAM SIMULASI KARAKTERISTIK ARUS-TEGANGAN PADA DIODA Si MENGGUNAKAN FEMLAB SKRIPSI Oleh HERI KURNIAWAN NIM 081810201016 JURUSAN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN
Lebih terperinciSuperkonduktor Eu 2-x Ce x CuO 4+α-δ
Superkonduktor Eu 2-x Ce x CuO 4+α-δ Pengaruh Konsentrasi Doping Ce (X) Terhadap Sifat Listik Material Superkonduktor Eu 2-x Ce x CuO 4+α-δ under-doped M. Saputri, M. F. Sobari, A. I. Hanifah, W.A. Somantri,
Lebih terperinciBagian 4 Karakteristik Junction Dioda
Bagian 4 Karakteristik Junction Dioda Junction Diode Switching Times Pada saat keadaan dioda berubah dari kondisi reverse-biased ke kondisi forward-biased, terdapat transien (proses peralihan) pada respon
Lebih terperincia. Lattice Constant = a 4r = 2a 2 a = 4 R = 2 2 R = 2,8284 x 0,143 nm = 0,4045 nm 2
SOUSI UJIAN TENGAH SEMESTER E-32 MATERIA TEKNIK EEKTRO Semester I 23/24, Selasa 2 Nopember 22 Waktu : 7: 9: (2menit)- Closed Book SEKOAH TEKNIK EEKTRO DAN INFORMATIKA - INSTITUT TEKNOOGI BANDUNG Dosen
Lebih terperinciPERANCANGAN STRUKTUR SEL SURYA LEVEL ENERGI RENDAH DAN MENENGAH UNTUK MENDUKUNG MODUL BEREFISIENSI TINGGI SKRIPSI
PERANCANGAN STRUKTUR SEL SURYA LEVEL ENERGI RENDAH DAN MENENGAH UNTUK MENDUKUNG MODUL BEREFISIENSI TINGGI SKRIPSI Oleh RAKRIAN BRE ANANTA AJI 04 04 03 070 9 PROGRAM STUDI TEKNIK ELEKTRO DEPARTEMEN TEKNIK
Lebih terperinciBAB II TINJAUAN PUSTAKA
BAB II TINJAUAN PUSTAKA 2.1 Energi Matahari Matahari adalah salah satu contoh dari energi terbarukan (renewable energy) dan merupakan salah satu energi yang penting dalam kehidupan manusia. Berikut ini
Lebih terperinciDioda Semikonduktor dan Rangkaiannya
- 2 Dioda Semikonduktor dan Rangkaiannya Missa Lamsani Hal 1 SAP Semikonduktor tipe P dan tipe N, pembawa mayoritas dan pembawa minoritas pada kedua jenis bahan tersebut. Sambungan P-N, daerah deplesi
Lebih terperinciSimulasi Perpindahan Panas pada Lapisan Tengah Pelat Menggunakan Metode Elemen Hingga
JURNAL SAINS DAN SENI ITS Vol. 4, No.2, (2015) 2337-3520 (2301-928X Print) A-13 Simulasi Perpindahan Panas pada Lapisan Tengah Pelat Menggunakan Metode Elemen Hingga Vimala Rachmawati dan Kamiran Jurusan
Lebih terperinciPengaruh Optis Kontak Belakang terhadap Parameter Optis Lapisan a-si:h
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 8, NOMOR 2 JUNI 2012 Pengaruh Optis Kontak Belakang terhadap Parameter Optis Lapisan a-si:h Ismail dan Eddy Yahya Jurusan Fisika-FMIPA, Institut Teknologi Sepuluh Nopember
Lebih terperinci