BAB VII ANALISA DC PADA TRANSISTOR

Ukuran: px
Mulai penontonan dengan halaman:

Download "BAB VII ANALISA DC PADA TRANSISTOR"

Transkripsi

1 Bab V, Analisa DC pada Transistor Hal: 147 BAB V ANALSA DC PADA TRANSSTOR Transistor BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah suatu devais nonlinear terbuat dari bahan semikonduktor dengan 3 terminal yaitu Basis B, kolektor C dan emiter E yang tersusun dari semikonduktor tipe-n dan tipe-p. Dikenal ada dua tipe transistor, yaitu: NPN dan PNP. Transistor merupakan salah satu divais yang dikontrol oleh arus. Gambar skematik dari transistor ditunjukkan pada gambar berikut ini. E C E C n p n p n p B B NPN PNP Gambar 1, Model fisis dan simbul transistor NPN dan PNP Notasi V BE = V B - V E V CE = V C - V E V CB = V C - V B B : arus sinyal DC (signal besar) di basis. i b : arus sinyal AC (signal kecil) di basis.

2 Bab V, Analisa DC pada Transistor Hal: 148 Untuk BJT Emiter jauh lebih banyak di doped (diberi pengotoran) dibandingkan dengan Basis. Selanjutnya ketebalan antara emiter dengan kolektor merupakan faktor yang penting Untuk ketebalan d yang kecil dipakai terutama untuk operasi pada frekuensi tinggi (misalnya untuk switch frekuensi tinggi). Ada dua faktor yang menyebabkan jumlah perpindahan pembawa muatan yang melewati basis ke kolektor lebih sedikit dibandingkan dengan jumlah perpindahan pembawa muatan dari emiter ke basis ( B < E ) : 1. Terminal Basis pada transistor tipe npn, yaitu tipe-p (sedikit di doped ) akibatnya perpindahan hole dari basis ke emiter sama seperti pada hubungan p-n dalam bias maju (forward bias). 2. Beberapa elektron yang melewati basis akan rekombinasi dengan hole sebelum mencapai pengaruh beda potensial antara Basis-Collector Kedua hal ini yang menyebabkan arus B kecil dibadingkan dengan C, dan dapat dinyatakan sebagai: C = h FE B dengan h FE = β = penguatan arus DC pada konfigurasi CE (common emitter), nilainya selalu >1. Sedangkan bila ada arus bocor, maka: C = h FE B + CEO dengan CEO : arus yang mengalir dari kolektor ke emiter pada saat terminal basis open (yaitu pada saat B = 0). Sebaliknya arus kolektor dapat juga dinyatakan sebagai:

3 Bab V, Analisa DC pada Transistor Hal: 149 i C = α i E + CBO dan dari KCL i B = i E - i C = i E - (α i E + CBO ) = (1-α) i E - CBO Sehingga i E = 1/α (i C - CBO ) Didapat i B = i E - i C = 1/α (i C - CBO ) - i C Akhirnya diperoleh : 1 α CBO 1 CBO ib = ic = ic α α β α dengan β = h FE α = h FB Hubungan CEO dengan CBO Dari α i = βi + = i + = h i + 1 α c B CEO B CEO FE B CEO Sehingga β i B = i C - CEO Sebelumnya β i B = i C - (β/α) CBO Jadi CEO = (β+1) CBO ingat α β = 1 α

4 Bab V, Analisa DC pada Transistor Hal: 150 NOTAS V AK v AK v ak v AK = V AK + v ak V AK besaran DC (quiescent) v ak besaran AC v AK besaran sesaat total V ak besaran rms dari besaran AC V akm besaran amplitudo dari besaran AC Contoh : v AK = sin 2000 π t V AK = 6 volt, v ak = 4 sin 2000 π t volt, V akm = 4 volt, V ak = 2 2 volt Pembiasan pada transistor ditunjukkan pada gambar berikut

5 Bab V, Analisa DC pada Transistor Hal: 151 C C B V CC B V CC V BB E V BB E NPN PNP Karakteristik Transistor Karakteristik nput ( B vs. V BE pada V CE konstan) Dengan membuat V CE konstan dapat di plot B vs. V BE seperti ditunjukkan pada gambar berikut : (sama seperti dioda p-n) B(mA) V CE =1V V CE =10V V CE =20V B V CE V BE 0,7 V V BE Karena sebagian besar pembawa muatan akan melewati/menyebrangi junction B-E ke kolektor, sehingga arus basis menjadi jauh lebih kecil dibandingkan dengan sebuah dioda p-n dengan faktor h FE. Dengan mengubah V CE efeknya tidak banyak berubah, yaitu dengan

6 Bab V, Analisa DC pada Transistor Hal: 152 penambahan V CE arus B berkurang. Arus B akan mengalir jika V > 0,7V, seperti ditunjukkan pada kurva karakteristik input di atas. BE Karakteristik output ( C vs. V CE dengan B konstan) C (ma) B = 60?A V CC B = 40 ma B = 20?A B = 0??A V CE Sat V CE h h fe E = C + B ie Δv = Δ i Δi = Δ i C BE B B V CEsat h FE = C B Pada saat B = 0, arus C yang mengalir adalah arus bocor CEO (pada umumnya diabaikan), sedangkan pada saat B 0 (misalnya 20 μa untuk V CE kecil ( < < 0,2 volt), pembawa muatan di basis tidak efisien dan transistor dikatakan dalam keadaan Saturasi dengan B > C. Pada h FE saat V CE diperbesar C pun membesar hingga melewati level tegangan V CE saturasi (0,2 ~ 1 volt) hingga transistor bekerja dalam daerah aktif, dengan B = C. Pada saat ini h C relatif konstan terhadap variasi FE tegangan V CE.

7 Bab V, Analisa DC pada Transistor Hal: 153 Ada beberapa hal yang perlu diperhatikan : 1. Pada daerah aktif C hampir independen terhadap V CE. C hanya bergantung pada B Penguatan arus. 2. Penambahan C relatif kecil terhadap V CE. Dengan penambahan V CE akan memperlebar lapisan B-C dan hal ini akan mengurangi lebar efektif dari basis dan selanjutnya akan menamba efisiensi dari penarikan (perpindahan) elektron ke kolektor. 3. Diatas tegangan V CE tertentu (pada gambar berupa garis putusputus) akan ada penambahan C yang sangat besar karena hubungan B-C mendapat bias mundur breakdown dan akan menyebabkan transistor rusak. 4. Nilai V CE tidak bertambah secara signifikan dengan penambahan B. Perhatikan rangkaian berikut ini, diketahui penguatan arus untuk transistor 2N4424 adalah β dc = 350. Dengan mengambil pendekatan (anggap V BE = 0,7 V), maka arus yang mengalir pada basis adalah: (lihat loop basis emitter, sumber tegangang dan R B )

8 Bab V, Analisa DC pada Transistor Hal: 154 B VBB VBE 10V 0,7V = = = 28,2μA R 330kΩ B Sehingga = β = 9,87 ma C dc B Tegangan V = V R = 10V 9,87mA 470Ω= 5,36V CE CC C C Daerah operasi dari transistor 1. Dareah aktif Basis - Emiter : mendapat bias maju Basis Kolektor : mendapat bias mundur Pada npn arus b positif dan V ce > V be. 2. Daerah cut-off Kedua junction mendapat bias mundur Untuk npn arus b 0 (tak ada arus menuju basis atau arus meninggalkan basis) 3. Daerah saturasi Kedua junction mendapat bias maju Untuk npn arus b positif dan V ce V be TRANSSTOR SEBAGA SAKLAR Transistor dapat dianalogikan sebagai saklar push-botton, seperti ditunjukkan pada gambar berikut ini.

9 Bab V, Analisa DC pada Transistor Hal: 155 V CC R C V CC 5 volt 5 volt C C R C 1k? 1k? B V Y Gaya V Y (a) (b) Gambar 1, Analogi transistor sebagai saklar push button. Agar saklar push-button dapat difungsikan diperlukan gaya yang bergantung dengan konstanta pegas yang terdapat di dalam saklar tsb, sedangkan pada transistor diperlukan arus tertentu pada basis agar dapat menghidupakan saklar transistor. Dari Gambar 1a terlihat bahwa : V = V R = V β R y CC C C CC B C Jika B = 0, maka diperoleh V y = V CC. Sebaliknya jika B = 0,25 ma (untuk β = 20, R C = 1 kω dan V CC = 5 V), diperoleh V y = 0 volt. Artinya jika pada transistor diberi arus, maka tegangan di kolekor V C = 0 volt. Hal ini menunjukkan bahwa transistor bertindak sebagai saklar. Namun jika B = 0,1 ma, diperoleh V y = 3 volt. Hal ini berarti bahwa tidak sepenuhnya ON atau OFF, seperti saklar konvensional dengan kontak yang jelek. Dari rangkaian Gambar 1a dapat disimpulkan bahwa tegangan (V y ) min = 0 volt dan (V y ) max = 5 volt, artinya ( C ) max = 5 ma. Sebaliknya jika C = 1 ma, maka V y = 4 volt. Kondisi ini transistor dalam keadaan saturasi (pada saklar ditekan dengan keras). Umumnya dalam rangkaian logika transistor dirancang bekerja dalam daerah cut-

10 Bab V, Analisa DC pada Transistor Hal: 156 off dan daerah saturasi. Pada rangkaian saklar push-button tegangan V y = 0 volt pada saat saklar ditekan, sedangkan pada rangkaian saklar transistor, tegangan V y = 0,1-0,2 volt, tegangan ini dikenal sebagai tegangan saturasi. Dalam prakteknya kontrol arus B biasanya dihasilkan dari sumber tegangan seperti ditunjukkan pada gambar berikut ini, berikut kurva V- input dan kurva V- outputnya. V CC R C V in B 2k? 5 volt C 1k? V Y B 0,2 garis beban 2k? untuk V i = 0,2 volt garis beban 2k?untuk V i = 2,4 volt 2, V BE C (ma) 5 Garis beban R C =1k? 1,2 1,0 0,8 0,6 daerah aktif 0,4 0,2 5 0,1 0 V CE Gambar 2, Rangkaian transistor saklar dengan kurva V- nya. Pada saat V in = 2,4 volt, maka arus yang mengalir pada terminal basis adalah: dan B 2,4 volt Vγ 1, 7 volt = = = 0,85 ma 2 kω 2 kω ( C) max β = 20 0,85 ma=17 ma >, B dengan demikian transistor dalam keadaan saturasi dan saklar dalam keadaan ON.

11 Bab V, Analisa DC pada Transistor Hal: 157 Sebaliknya jika V i = 0,2 volt, tegangan ini kurang dari tegangan threshold V γ, sehingga B = 0 ma, atau saklar transistor dalam keadaan OFF dan tegangan V y = 5 volt. Suatu transistor akan beroperasi dalam daerah saturasi jika V CC C >, RC dengan R C adalah hambatan di kolektor dan V CC adalah tegangan supply. Cara lainnya adalah dengan mengukur V CE 0,2 volt, atau V CE < V BE. Untuk merancang agar transistor beroperasi dalam daerah saturasi VCC dilakukan dengan membuat C > 10. R PEMODELAN TRANSSTOR Model 1: Transistor sebagai penguat arus Sifat sifat untuk transistor tipe NPN adalah sbb: (untuk PNP ubah polaritasnya) 1. Kolektor harus lebih positif dari emiter BE dibias maju. 2. Hubungan basis-emiter dan basis-kolektor seolah-olah seperti dioda. 3. Setiap transistor memiliki nilai maksimum C, B dan V CE. Nilai-nilai ini tidak boleh dilebihi, termasuk C V CE (disipasi daya), suhu opersasi, V BE dll. 4. C = h FE B = β B. C Konfigurasi pengoperasian transistor 1. Common Base (Basis Bersama) 2. Common Emitter (Emiter Bersama)

12 Bab V, Analisa DC pada Transistor Hal: Common Collector (Kolektor Bersama) Karakteristik dari masing-masing konfigurasi diberikan berikut ini: Konfigurasi A A V Z in Z out A P CB h FB ~ 0,99 ~ 50 ~ 50 Ω ~ 250 kω ~ 50 CE h FE ~ 250 ~ 50 ~ 1 kω ~ 50 kω ~ 2500 CC h FE ~ ~ 100 kω ~ 1 kω ~ 50 Konfigurasi Basis Bersama Penguatan pada konfigurasi basis bersama adalah hfb berharga < 1, seperti ditunjukkan pada gambar berikut ini. C = = α dan E Konfigurasi ini jarang dipakai, namun demikian ada beberapa keuntungannya, yaitu : C vs. V CB sangat flat (datar) Untuk V CB = 0, C sudah konduksi Bila ada arus bocor CBO = CO, maka :

13 Bab V, Analisa DC pada Transistor Hal: 159 C = h FB E + CBO Sehingga : C = h FB ( C + B ) + CBO atau h 1 h 1 h = FB C B + FB Didapat : CBO FB h FE hfb α = 1 1 h FB β = α CEO = CEO = 1 h CBO FB Jika h FB ~ 1, maka CEO = h FE CBO Konfigurasi Common Collector = Pengikut Emiter Perhatikan gambar berikut ini.

14 Bab V, Analisa DC pada Transistor Hal: 160 V CC V R V O Pada saat t = t 1 kaki basis mendapat tegangan negatif kolektor- basis bias mundur emiter-basis bias mundur akibatnya transistor beropersai dalam daerah cut-off, Jadi perlu bias. V in V out 0,7 t Cara pembiasan yang dilakukan adalah dengan menggunakan rangkaian pembagi tegangan seperti ditunjukkan pada gambar berikut ini.

15 Bab V, Analisa DC pada Transistor Hal: 161 V CC R 1 R 1 v cc v cc R 2 v o R 2 R E R E Gambar 2, Rangkaian Emiter bersama dan ekivalennya Rangkaian pembiasan Kolektor Bersama tsb diubah menjadi gambar di sebelahnya, yaitu dengan seolah-olah memisahkan tegangan catu V CC menjadi dua buah. Pencatuan pada terminal Basis diubah menjadi rangkaian berikut : R2 dengan VTH = R + R 1 2 V CC R TH = RR 1 2 R + R 1 2 R TH B V CC V TH A E R E Gambar 3, Rangkaian ekivalen Emiter bersama E = B + C

16 Bab V, Analisa DC pada Transistor Hal: 162 Pada daerah aktif : C = h FE B E = B + h FE B = ( 1+h FE ) B Rangkaian ekivalen dari loop A ditunjukkan pada gambar berikut dengan menggantikan hambatan R E dengan (h FE + 1)R E. Hal ini terjadi karena arus yang mengalir pada hambatan R E tsb adalah E, sedangkan pada rangkaian ekivalen arus yang mengalir adalah B. R TH 0,7 V TH (h FE +1)R E Gambar 4, Rangkaian ekivalen loop A dari Gambar 3 Dari loop tsb dengan memanfaatkan KVL, diperoleh : R 2 R + R 1 2 R 2 R + R 1 2 V V CC diperoleh : CC RR 1 2 R + R 1 2 = B + 0,7+ E R E RR 1 2 R + R 1 2 = B + 0,7 + (h FE + 1)R E

17 Bab V, Analisa DC pada Transistor Hal: 163 B R V 0,7 2 CC R1+ R2 = RR (1+ h FE )R E RR 1 2 C = h FE B E = (1 + h FE ) B V BE =0,7 volt V CE = V C - V E = V CC - E R E Untuk pembiasan optimal cari nilai-nilai R 1, R 2, R E agar V CE 1/2 V CC Konfigurasi Emiter Bersama untuk penguat tegangan C R L B V CC V BB AC v s v CE = V CC - i C R L ΔvCE Av = Δ vbe Δv BE = v s Rangkaian ekivalen (BJT yang disederhanakan) adalah :

18 Bab V, Analisa DC pada Transistor Hal: 164 B C AC h ie AC Vs b = hie V=V =R =h R = h V R s o ce c L fe b L fe L hie V h R o fe L Jadi Av = = Vs hie h fe sebenarnya bervariasi terhadap v CE, namun variasinya tidak terlalu besar, sebagai pendekatan bisa dianggap konstan. Garis beban Dari persamaan v CE = V CC - i C R L menunjukkan bahwa persamaan ini adalah persamaan garis lurus antara v CE vs. C. Untuk membuat garis beban dilakukan dengan : membuat i C = 0, maka v CE = V CC v CE = 0, maka i C = V CC R L Misalkan data transistor seperti kurva di samping titik A B untuk v CE = 12 volt = V CC untuk v CE = 0 volt i C = 3,6 ma (dari gambar) maka R L 33 kω.

19 Bab V, Analisa DC pada Transistor Hal: 165 Ambil Q (titik kerja) kira-kira di tengah garis beban i B = 20 μa i C = 1,7 ma v CE = 6,5 V Titik C : i B = 30 μa, i C = 2,4 ma dan v CE = 4 V. D : i B = 10 μa, i C = 0,9 ma dan v CE = 9 V. Dari kurva karkteristik input BQ = 20 μa, V BEQ = 0,73 V i B = 30 μa dan v BE = 0,74 V i B = 10 μa dan v BE = 0,72 V Maka Δv = = = = CE Av 250 ΔvBE 0,72 0,74 0,

20 Bab V, Analisa DC pada Transistor Hal: 166 Konfigurasi Emiter Bersama Konfigurasi emiter bersama di atas ada kekurangannya karena diperlukan dua sumber tegangan DC yag berbeda, yaitu V BB dan V CC. Konfigurasi berikut ini ada keunggulannya dalam hal hanya memerlukan satu sumber tegangan DC, seperti ditunjukkan pada gambar berikut. R 1 R c R 2 R e Gambar 5, Konfigurasi Emiter bersama yang diperbaiki Untuk analisa DC (pembiasan transistor), dari rangkaian tsb tegangan catu V CC seolah-olah ada dua buah V CC seperti gambar berikut dan selanjutnya diubah dengan menerapkan teorema Thevenin seperti yang juga ditunjukkan pada gambar di bawah ini.

21 Bab V, Analisa DC pada Transistor Hal: 167 R 1 R c Rc V CC V CC R TH B V CC R 2 R e V CC R 2 R + R 1 2 E R E Gambar 6, Rangkaian ekivalen emiter bersama Dari E = B + C, maka E = (1+h FE ) B Di terminal basis, dapat diganti dengan rangkaian pengganti Thevenin, R2 RR 1 2 dengan VTH = VCC dan RTH =. R + R R + R Sehingga persamaan pada loop input adalah: Diperoleh: R RR V 0,7 R (1 + h ) = 0 R R R R CC B E FE B B = 1 2 V 0,7 R2 R1+ R2 CC RR 1 2 R + R + (1 + hfe ) RE C = h FE B E = (1+h FE ) B

22 Bab V, Analisa DC pada Transistor Hal: 168 hfe Sehingga diperoleh: C = E artinya untuk h FE besar, misalnya hfe + 1 hfe untuk h FE = 100, 0,99 artinya E C. h + 1 Contoh: V E = E R E FE V B = 0,7 + V E V BE = 0,7 volt = V B - V E V CE = V C - V E V C = V CC - C R C V CE = V C - V E Perhatikan rangkaian konfigurasi emitter bersama berikut ini dan tentukan DC operating point-nya, jika h FE = 200. Rangkaian tsb diubah menjadi rangkaian berikut

23 Bab V, Analisa DC pada Transistor Hal: 169 Diperoleh 2.2kΩ V th = 10V = 1.8V 2.2kΩ + 10kΩ Vth = V, B dan R th 2.2kΩ 10kΩ = = 1.8kΩ 2.2kΩ + 10kΩ Sehingga arus basis adalah B = Vth 0.7 R + (1 + h ) R th FE E = 5.4 μa dan C = hfe B = 1.08mA E 1.08mA C VE = E RE = 1.08V VC = VCC C RC = 10V ma 3.6 k Ω = 6.11 V atau V = V V = 5.03V CE C E Dengan menggunakan simulasi berikut ini

24 Bab V, Analisa DC pada Transistor Hal: 170 Diperoleh:

25 Bab V, Analisa DC pada Transistor Hal: 171 Latihan 1. Hitung B, C, E, V B, V E, V C dan V CE dari rangkaian berikut, diketahui h FE = 50 untuk a. R 1 = 300 kω b. R 1 = 200 kω 15 volt R 1 4,7 k? v out Catatan C = h FE B hanya berlaku untuk transistor dalam daerah aktif (tidak jenuh/saturasi) 2. Hitung B, C, E, V B, V C, V E dan V CE untuk rangkaian di bawah ini bila dianggap transistor memiliki h FE = volt 100 k? 2,2 k? 18 k? 470? v out 3. Untuk rangkaian emiter follower berikut ini entukan c dan V CE, diketahui h FE = 200. V CC =15 V 47 k? 56 k? 4,7 k? v out

26 Bab V, Analisa DC pada Transistor Hal: Untuk rangkaian emiter bersama berikut ini, tentukan C dan V CE jika h FE = 100. V CC = 10V 56 k? 4,7 k? v out v in 10 k? 470? 560??

Transistor Bipolar BJT Bipolar Junction Transistor

Transistor Bipolar BJT Bipolar Junction Transistor - 3 Transistor Bipolar BJT Bipolar Junction Transistor Missa Lamsani Hal 1 SAP bentuk fisik transistor NPN dan PNP injeksi mayoritas dari emiter, lebar daerah base, rekomendasi hole-elektron, efisiensi

Lebih terperinci

MODUL 05 TRANSISTOR SEBAGAI PENGUAT

MODUL 05 TRANSISTOR SEBAGAI PENGUAT P R O G R A M S T U D I F I S I K A F M I P A I T B LABORATORIUM ELEKTRONIKA DAN INSTRUMENTASI MODUL TRANSISTOR SEBAGAI PENGUAT TUJUAN Mengetahui karakteristik penguat berkonfigurasi Common Emitter Mengetahui

Lebih terperinci

Bias dalam Transistor BJT

Bias dalam Transistor BJT ias dalam Transistor JT Analisis atau disain terhadap suatu penguat transistor memerlukan informasi mengenai respon sistem baik dalam mode AC maupun DC. Kedua mode tersebut bisa dianalisa secara terpisah.

Lebih terperinci

Gambar 1 Tegangan bias pada transistor BJT jenis PNP

Gambar 1 Tegangan bias pada transistor BJT jenis PNP KEGIATAN BELAJAR 2 Percobaan 1 A. Tujuan a. Mahasiswa diharapkan dapat memahami karakteristik switching dari BJT b. Mahasiswa diharapkan dapat menggambarkan kurva karakteristik v-i masukan dan keluaran

Lebih terperinci

Transistor Bipolar. oleh aswan hamonangan

Transistor Bipolar. oleh aswan hamonangan Transistor Bipolar oleh aswan hamonangan Pada tulisan tentang semikonduktor telah dijelaskan bagaimana sambungan NPN maupun PNP menjadi sebuah transistor. Telah disinggung juga sedikit tentang arus bias

Lebih terperinci

Transistor Bipolar. III.1 Arus bias

Transistor Bipolar. III.1 Arus bias Transistor Bipolar Pada tulisan tentang semikonduktor telah dijelaskan bagaimana sambungan NPN maupun PNP menjadi sebuah transistor. Telah disinggung juga sedikit tentang arus bias yang memungkinkan elektron

Lebih terperinci

Prinsip kerja transistor adalah arus bias basis-emiter yang kecil mengatur besar arus kolektor-emiter.

Prinsip kerja transistor adalah arus bias basis-emiter yang kecil mengatur besar arus kolektor-emiter. TRANSISTOR Transistor adalah komponen elektronika yang tersusun dari dari bahan semi konduktor yang memiliki 3 kaki yaitu: basis (B), kolektor (C) dan emitor (E). Untuk membedakan transistor PNP dan NPN

Lebih terperinci

Karakteristik Transistor. Rudi Susanto

Karakteristik Transistor. Rudi Susanto Karakteristik Transistor Rudi Susanto PN-Junction (Diode) BIAS MAJU / FORWARD BIAS BIAS MUNDUR / REERSE BIAS Transistor Bipolar Arus pada Transistor Alpha dc (α dc ) adalah perbandingan antara arus Ic

Lebih terperinci

MODUL 04 TRANSISTOR PRAKTIKUM ELEKTRONIKA TA 2017/2018

MODUL 04 TRANSISTOR PRAKTIKUM ELEKTRONIKA TA 2017/2018 MODUL 04 TRANSISTOR PRAKTIKUM ELEKTRONIKA TA 2017/2018 LABORATORIUM ELEKTRONIKA DAN INSTRUMENTASI PROGRAM STUDI FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN PENGETAHUAN ALAM INSTITUT TEKNOLOGI BANDUNG 1 TUJUAN Memahami

Lebih terperinci

Solusi Ujian 1 EL2005 Elektronika. Sabtu, 15 Maret 2014

Solusi Ujian 1 EL2005 Elektronika. Sabtu, 15 Maret 2014 Solusi Ujian 1 EL2005 Elektronika Sabtu, 15 Maret 2014 1. Pendahuluan: Model Penguat (nilai 15) Rangkaian penguat pada Gambar di bawah ini memiliki tegangan output v o sebesar 100 mv pada saat saklar dihubungkan.

Lebih terperinci

TRANSISTOR Oleh : Agus Sudarmanto, M.Si Tadris Fisika Fakultas Tarbiyah IAIN Walisongo

TRANSISTOR Oleh : Agus Sudarmanto, M.Si Tadris Fisika Fakultas Tarbiyah IAIN Walisongo TRANSISTOR Oleh : Agus Sudarmanto, M.Si Tadris Fisika Fakultas Tarbiyah IAIN Walisongo Transistor adalah komponen elektronika yang tersusun dari dari bahan semi konduktor yang memiliki 3 kaki yaitu: basis

Lebih terperinci

Dioda-dioda jenis lain

Dioda-dioda jenis lain Dioda-dioda jenis lain Dioda Zener : dioda yang dirancang untuk bekerja dalam daerah tegangan zener (tegangan rusak). Digunakan untuk menghasilkan tegangan keluaran yang stabil. Simbol : Karakteristik

Lebih terperinci

Modul 05: Transistor

Modul 05: Transistor Modul 05: Transistor Penguat Common-Emitter Reza Rendian Septiawan April 2, 2015 Transistor merupakan komponen elektronik yang tergolong kedalam komponen aktif. Transistor banyak digunakan sebagai komponen

Lebih terperinci

TRANSISTOR. Pengantar Teknik Elektronika Program Studi S1 Informatika Sekolah Tinggi Teknologi Telematika Telkom Purwokerto

TRANSISTOR. Pengantar Teknik Elektronika Program Studi S1 Informatika Sekolah Tinggi Teknologi Telematika Telkom Purwokerto TRANSISTOR Pengantar Teknik Elektronika Program Studi S1 Informatika Sekolah Tinggi Teknologi Telematika Telkom Purwokerto TIK Setelah mahasiswa mengikuti perkuliahan ini, diharapkan mahasiswa memahami

Lebih terperinci

1. Perpotongan antara garis beban dan karakteristik dioda menggambarkan: A. Titik operasi dari sistem B. Karakteristik dioda dibias forward

1. Perpotongan antara garis beban dan karakteristik dioda menggambarkan: A. Titik operasi dari sistem B. Karakteristik dioda dibias forward 1. Perpotongan antara garis beban dan karakteristik dioda menggambarkan: A. Titik operasi dari sistem B. Karakteristik dioda dibias forward C. Karakteristik dioda dibias reverse D. Karakteristik dioda

Lebih terperinci

Materi 5: Bipolar Junction Transistor (BJT)

Materi 5: Bipolar Junction Transistor (BJT) Materi 5: Bipolar Junction Transistor (BJT) I Nyoman Kusuma Wardana Sistem Komputer STMIK STIKOM Bali Outline Struktur transistor Unbiased transistor Biased transistor Koneksi CE Kurva basis Kurva kolektor

Lebih terperinci

KARAKTERISTIK TRANSISTOR

KARAKTERISTIK TRANSISTOR KARAKTERISTIK TRANSISTOR 1. KURVA KOLEKTOR dibawah ini. Kurva kolektor dapat kita peroleh dengan rangkaian transistor seperti pada Gambar 1 Gambar 1. Rangkaian common emitor Dengan mengubah-ubah nilai

Lebih terperinci

PERTEMUAN 9 RANGKAIAN BIAS TRANSISTOR (LANJUTAN)

PERTEMUAN 9 RANGKAIAN BIAS TRANSISTOR (LANJUTAN) PERTEMUAN 9 RANGKAIAN BIAS TRANSISTOR (LANJUTAN) KURVA TRANSISTOR Karakteristik yang paling penting dari transistor adalah grafik Dioda Kolektor-Emiter, yang biasa dikenal dengan Kurva Tegangan-Arus (V-I

Lebih terperinci

I. Tujuan Praktikum. Mampu menganalisa rangkaian sederhana transistor bipolar.

I. Tujuan Praktikum. Mampu menganalisa rangkaian sederhana transistor bipolar. SRI SUPATMI,S.KOM I. Tujuan Praktikum Mengetahui cara menentukan kaki-kaki transistor menggunakan Ohmmeter Mengetahui karakteristik transistor bipolar. Mampu merancang rangkaian sederhana menggunakan transistor

Lebih terperinci

Pada transistor npn, seluruh polaritas arus dan tegangan merupakan kebalikan dari transistor pnp.

Pada transistor npn, seluruh polaritas arus dan tegangan merupakan kebalikan dari transistor pnp. 5.5 Konfigurasi Common-Base Gambar di atas menunjukkan konfigurasi grounded-base, yang dinamakan juga common-base. Pada transistor pnp, komponen utama arusnya adalah hole. Karena hole mengalir dari emitor

Lebih terperinci

BAB IX. FET (Transistor Efek Medan) dan UJT (Uni Junction Transistor)

BAB IX. FET (Transistor Efek Medan) dan UJT (Uni Junction Transistor) Bab IX, FET dan UJT Hal 180 BAB IX FET (Transistor Efek Medan) dan UJT (Uni Junction Transistor) Pada FET hanya menggunakan satu jenis pembawa muatan, dikelompokkan sebagai devais unipolar. ibandingkan

Lebih terperinci

6.8 Daerah Saturasi ( Saturation Region ) CE

6.8 Daerah Saturasi ( Saturation Region ) CE 6.8 Daerah Saturasi (Saturation Region) E Di dalam daerah saturasi, junction kolektor (juga junction emitor) mendapat bias maju (forward biased) minimal sebesar tegangan cutin. Karena tegangan V E (atau

Lebih terperinci

Rangkaian Penguat Transistor

Rangkaian Penguat Transistor - 6 Rangkaian Penguat Transistor Missa Lamsani Hal 1 SAP Rangkaian penguat trasnsistor dalam bentuk ekuivalennya Perhitungan impedansi input, impedansi output, penguatan arus, penguatan tegangan dari rangkaian

Lebih terperinci

MODUL 06 PENGUAT DAYA PRAKTIKUM ELEKTRONIKA TA 2017/2018

MODUL 06 PENGUAT DAYA PRAKTIKUM ELEKTRONIKA TA 2017/2018 MODUL 06 PENGUAT DAYA PRAKTIKUM ELEKTRONIKA TA 2017/2018 LABORATORIUM ELEKTRONIKA & INSTRUMENTASI PROGRAM STUDI FISIKA, INSTITUT TEKNOLOGI BANDUNG Riwayat Revisi Rev. 1 TUJUAN Memahami perbedaan konfigurasi

Lebih terperinci

TRANSISTOR SEBAGAI SAKLAR DAN SUMBER ARUS

TRANSISTOR SEBAGAI SAKLAR DAN SUMBER ARUS TRANSSTOR SEBAGA SAKLAR DAN SUMBER ARUS 1. TRANSSTOR SEBAGA SAKLAR Salah satu aplikasi yang paling mudah dari suatu transistor adalah transistor sebagai saklar. Yaitu dengan mengoperasikan transistor pada

Lebih terperinci

PERCOBAAN 6 RANGKAIAN PENGUAT KLAS B PUSH-PULL

PERCOBAAN 6 RANGKAIAN PENGUAT KLAS B PUSH-PULL PERCOBAAN 6 RANGKAIAN PENGUAT KLAS B PUSH-PULL 6.1 Tujuan dan Latar Belakang Tujuan dari percobaan ini adalah untuk mendemonstrasikan operasi dan desain dari suatu power amplifier emitter-follower kelas

Lebih terperinci

Penguat Kelas A dengan Transistor BC337

Penguat Kelas A dengan Transistor BC337 LAPORAN HASIL PRAKTIKUM Penguat Kelas A dengan Transistor BC337 ELEKTRONIKA II Dosen: Dr.M.Sukardjo Kelompok 7 Abdul Goffar Al Mubarok (5215134375) Egi Destriana (5215131350) Haironi Rachmawati (5215136243)

Lebih terperinci

Struktur Fisik Bipolar Junction Transistor (BJT)

Struktur Fisik Bipolar Junction Transistor (BJT) Kuliah 2 1 Struktur Fisik ipolar Junction Transistor (JT) npn J J mitter n ase p ollector n Kontak Metal pnp mitter p ase n ollector p Mode Operasi JT Mode Junction Junction cutoff reverse reverse active

Lebih terperinci

Catatan Tambahan: Analisis Penguat CE, CB, dan CC dengan resistansi Internal transistor yang tidak bisa diabaikan (nilai r o finite)

Catatan Tambahan: Analisis Penguat CE, CB, dan CC dengan resistansi Internal transistor yang tidak bisa diabaikan (nilai r o finite) Catatan Tambahan: Analisis Penguat CE, CB, dan CC dengan resistansi Internal transistor yang tidak bisa diabaikan (nilai r o finite) 1. Penguat CE (Common Emitter) dengan Resistansi Emitter RE. Analisis

Lebih terperinci

Cutoff Region Short-Circuited Base Open-Circuited Base Cutin Voltage

Cutoff Region Short-Circuited Base Open-Circuited Base Cutin Voltage utoff Region utoff didefinisikan sebagai keadaan dimana E = 0 dan = O, dan diketahui bahwa bias mundur V E.sat = 0,1 V (0 V) akan membuat transistor germanium (silikon) memasuki daerah cutoff. Apa yang

Lebih terperinci

BAB VI RANGKAIAN DIODA

BAB VI RANGKAIAN DIODA BAB VI, Rangkaian Dioda Hal: 97 BAB VI RANGKAIAN DIODA Hubungan P-N Hubungan pn dapat terjadi dengan mendifusi impuritas tipe-p pada salah satu ujung kristal tipe-n. Walaupun ada hubungan antara dua tipe

Lebih terperinci

[LAPORAN PENGUAT DAYA KELAS A] BAB I PENDAHULUAN

[LAPORAN PENGUAT DAYA KELAS A] BAB I PENDAHULUAN BAB I PENDAHULUAN.. Latar Belakang Dalam matakuliah Elektronika II telah dipelajari beberapa teori tentang rangkaian common seperti common basis, common emitter, dan common collector. Salah satu penerapan

Lebih terperinci

BAB IV HASIL PERCOBAAN DAN ANALISIS

BAB IV HASIL PERCOBAAN DAN ANALISIS 48 BAB I HASIL PERCOBAAN DAN ANALISIS 4.1. HASIL PERCOBAAN 4.1.1. KARAKTERISTIK DIODA Karakteristik Dioda dengan Masukan DC Tabel 4.1. Karakteristik Dioda 1N4007 Bias Maju. S () L () I D (A) S () L ()

Lebih terperinci

MODUL PRAKTIKUM RANGKAIAN ELEKTRONIKA DASAR

MODUL PRAKTIKUM RANGKAIAN ELEKTRONIKA DASAR MODUL PRAKTIKUM RANGKAIAN ELEKTRONIKA DASAR LABORATORIUM KOMPUTER FAKULTAS ILMU KOMPUTER UNIVERSITAS SRIWIJAYA 213 Universitas Sriwijaya Fakultas Ilmu Komputer Laboratorium LEMBAR PENGESAHAN MODUL PRAKTIKUM

Lebih terperinci

B a b. Bipolar Junction Transistor

B a b. Bipolar Junction Transistor a b 3 ipolar Junction Transistor S elama periode 1904 1947 tabung vakum merupakan piranti elektronik yang sedang berkembang dan diproduksi secara besar-besaran untuk digunakan dalam radio, TV, amplifier,

Lebih terperinci

BAB VF, Penguat Daya BAB VF PENGUAT DAYA

BAB VF, Penguat Daya BAB VF PENGUAT DAYA Hal:33 BAB F PENGUAT DAYA Dalam elektronika banyak sekali dijumpai jenis penguat, pengelompokkan dapat berdasarkan: 1. rentang frekuensi operasi, a. gelombang lebar (seperti: penguat audio, video, rf dll)

Lebih terperinci

MODUL ELEKTRONIKA DASAR

MODUL ELEKTRONIKA DASAR MODUL ELEKTRONIKA DASAR 1. Resistor Resistor adalah hambatan yang mempunyai nilai hambat tertentu. Resistor biasanya dinyatakan dengan huruf R. Resistor berfungsi untuk membatasi arus. Nilai resistor berbanding

Lebih terperinci

Penguat Kelas B Komplementer Tanpa Trafo Keluaran

Penguat Kelas B Komplementer Tanpa Trafo Keluaran Penguat Kelas B Komplementer Tanpa Trafo Keluaran 1. Tujuan : 1 Mahasiswa dapat mengetahui dan memahami operasi dari rangkaian penguat kelas B komplementer. 2 Mahasiswa dapat menerapkan teknik pembiasan

Lebih terperinci

Tahap Ouput dan Penguat Daya

Tahap Ouput dan Penguat Daya Tahap Ouput dan Penguat Daya Kuliah 7-1 Isu penting untuk penguat daya selain penguatan (daya), resistansi input dan resistansi output distorsi amplituda (harmonik dan intermodulasi) efisiensi resistansi

Lebih terperinci

PERCOBAAN 4 RANGKAIAN PENGUAT KLAS A COMMON EMITTER

PERCOBAAN 4 RANGKAIAN PENGUAT KLAS A COMMON EMITTER PERCOBAAN 4 RANGKAIAN PENGUAT KLAS A COMMON EMITTER 4.1 Tujuan dan Latar Belakang Tujuan dari percobaan ini adalah untuk mendemonstrasikan cara kerja dari Power Amplifier kelas A common-emitter. Amplifier

Lebih terperinci

Elektronika : Teori dan Penerapan. Herman Dwi Surjono, Ph.D.

Elektronika : Teori dan Penerapan. Herman Dwi Surjono, Ph.D. Elektronika : Teori dan Penerapan Herman Dwi Surjono, Ph.D. Elektronika : Teori dan Penerapan Disusun Oleh: Herman Dwi Surjono, Ph.D. 2007 All Rights Reserved Hak cipta dilindungi undang-undang Penyunting

Lebih terperinci

Modul 3. Asisten : Catra Novendia Utama ( ) : Derina Adriani ( )

Modul 3.   Asisten : Catra Novendia Utama ( ) : Derina Adriani ( ) Modul 3 TRANSISTOR SEBAGAI SAKLAR DAN PENGUAT COMMON EMITTER Nama : Muhammad Ilham NIM : 121178 E-mail : ilham_atlantis@hotmail.com Shift/Minggu : III/2 Asisten : Catra Novendia Utama (12874) : Derina

Lebih terperinci

hubungan frekuensi sumber tegangan persegi dengan konstanta waktu ( RC )?

hubungan frekuensi sumber tegangan persegi dengan konstanta waktu ( RC )? 1. a. Gambarkan rangkaian pengintegral RC (RC Integrator)! b. Mengapa rangkaian RC diatas disebut sebagai pengintegral RC dan bagaimana hubungan frekuensi sumber tegangan persegi dengan konstanta waktu

Lebih terperinci

Elektronika (TKE 4012)

Elektronika (TKE 4012) BJT (Bipolar Junction Transistor) Elektronika (TKE 4012) Eka Maulana maulana.lecture.ub.ac.id Dasar Transistor Arus transistor Koneksi rangkaian Kurva transistor Pokok Bahasan Pendekatan transistor Datasheet

Lebih terperinci

BAB II Transistor Bipolar

BAB II Transistor Bipolar BAB II Transistor Bipolar 2.1. Pendahuluan Pada tahun 1951, William Schockley menemukan transistor sambungan pertama, komponen semikonduktor yang dapat menguatkan sinyal elektronik seperti sinyal radio

Lebih terperinci

Dioda Semikonduktor dan Rangkaiannya

Dioda Semikonduktor dan Rangkaiannya - 2 Dioda Semikonduktor dan Rangkaiannya Missa Lamsani Hal 1 SAP Semikonduktor tipe P dan tipe N, pembawa mayoritas dan pembawa minoritas pada kedua jenis bahan tersebut. Sambungan P-N, daerah deplesi

Lebih terperinci

LAPORAN PRAKTIKUM ELKA ANALOG

LAPORAN PRAKTIKUM ELKA ANALOG LAPORAN PRAKTIKUM ELKA ANALOG GARIS BEBAN DC TRANSISTOR KELAS / GROUP : Telkom 3-D / 2 NAMA PRAKTIKAN : 1. Gusti Prabowo Randu NAMA REKAN KERJA : 2. Dwi Mega Yulianingrum 3. Nadia Rifa R PROGRAM STUDI

Lebih terperinci

Mata kuliah Elektronika Analog L/O/G/O

Mata kuliah Elektronika Analog L/O/G/O Mata kuliah Elektronika Analog L/O/G/O Pengertian Transistor Fungsi Transistor Jenis & Simbol Transistor Prinsip kerja Transistor Aplikasi Transistor Transistor adalah alat semikonduktor yang dipakai sebagai

Lebih terperinci

Praktikum Rangkaian Listrik & Bahan Semikonduktor. Rudi Susanto

Praktikum Rangkaian Listrik & Bahan Semikonduktor. Rudi Susanto Praktikum Rangkaian Listrik & Bahan Semikonduktor Rudi Susanto 1 Praktikum Electronics Workbench (EWB) Electronics Workbench (EWB) adalah sebuah software yang menyediakan berbagai komponen dan instrumen

Lebih terperinci

PENGUAT-PENGUAT EMITER SEKUTU

PENGUAT-PENGUAT EMITER SEKUTU PENGUAT-PENGUAT EMITER SEKUTU 1. KAPASITOR PENGGANDENG DAN KAPASITOR PINTAS (Coupling And Bypass Capasitors) Sebuah kapasitor penggandeng melewatkan sinyal AC dari satu titik ke titik lain. Misalnya pada

Lebih terperinci

( s p 1 )( s p 2 )... s p n ( )

( s p 1 )( s p 2 )... s p n ( ) Respons Frekuensi Analisis Domain Frekuensi Bentuk fungsi transfer: polinomial bentuk sum/jumlah Kuliah 5 T( s) = a m s m a m s m... a 0 s n b n s n... b 0 Bentuk fungsi transfer: polinomial product/perkalian

Lebih terperinci

TRANSISTOR BIPOLAR. Oleh : Danny Kurnianto,S.T.,M.Eng. 1. IDE DASAR TRANSISTOR Gambaran ide dasar sebuah transistor dapat dilihat pada Gambar 1.

TRANSISTOR BIPOLAR. Oleh : Danny Kurnianto,S.T.,M.Eng. 1. IDE DASAR TRANSISTOR Gambaran ide dasar sebuah transistor dapat dilihat pada Gambar 1. TRANSSTOR BPOLAR Oleh : Danny Kurnianto,S.T.,M.Eng Transistor adalah salah satu komponen aktif yang dibuat menggunakan bahan semikonduktor. Seperti halnya sebuah dioda, maka sebuah transistor dibuat dengan

Lebih terperinci

Karakteristik dan Rangkaian Dioda. Rudi Susanto

Karakteristik dan Rangkaian Dioda. Rudi Susanto Karakteristik dan Rangkaian Dioda Rudi Susanto 1 Pengantar tentang Dioda Resistor merupakan sebuah piranti linier karena arus berbanding terhadap tegangan. Dalam bentuk grafik, grafik arus terhadap tegangan

Lebih terperinci

TRANSISTOR 1. TK2092 Elektronika Dasar Semester Ganjil 2012/2013. Hanya dipergunakan untuk kepentingan pengajaran di lingkungan Politeknik Telkom

TRANSISTOR 1. TK2092 Elektronika Dasar Semester Ganjil 2012/2013. Hanya dipergunakan untuk kepentingan pengajaran di lingkungan Politeknik Telkom TK2092 Elektronika Dasar Semester Ganjil 2012/2013 Politeknik Telkom Bandung 2013 www.politekniktelkom.ac.id TRANSISTOR 1 Disusun oleh: Duddy Soegiarto, ST.,MT dds@politekniktelkom.ac.id Hanya dipergunakan

Lebih terperinci

PENGUAT OPERASIONAL. ❶ Karakteristik dan Pemodelan. ❷ Operasi pada Daerah Linear. ❸ Operasi pada Daerah NonLinear

PENGUAT OPERASIONAL. ❶ Karakteristik dan Pemodelan. ❷ Operasi pada Daerah Linear. ❸ Operasi pada Daerah NonLinear PENGUAT OPERASIONAL ⓿ Pendahuluan ❶ Karakteristik dan Pemodelan ❷ Operasi pada Daerah Linear Model Virtual Short Circuit Metoda Inspeksi Metoda Sistematik ❸ Operasi pada Daerah NonLinear Rangkaian Ekivalen

Lebih terperinci

Praktikum Rangkaian Elektronika MODUL PRAKTIKUM RANGKAIAN ELEKRONIKA

Praktikum Rangkaian Elektronika MODUL PRAKTIKUM RANGKAIAN ELEKRONIKA MODUL PRAKTIKUM RANGKAIAN ELEKRONIKA DEPARTEMEN ELEKTRO FAKULTAS TEKNIK UNIVERSITAS INDONESIA DEPOK 2010 MODUL I DIODA SEMIKONDUKTOR DAN APLIKASINYA 1. RANGKAIAN PENYEARAH & FILTER A. TUJUAN PERCOBAAN

Lebih terperinci

PERCOBAAN IV TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH

PERCOBAAN IV TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH PERCOBAAN IV TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH 1. Tujuan Mengetahui dan mempelajari fungsi transistor sebagai penguat Mengetahui dan mempelajari karakteristik kerja Bipolar Junction Transistor ketika beroperasi

Lebih terperinci

MODUL 04 PENGENALAN TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH

MODUL 04 PENGENALAN TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH P R O G R A M S T U D I F I S I K A F M I P A I T B LABORATORIUM ELEKTRONIKA DAN INSTRUMENTASI MODUL 04 PENGENALAN TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH 1 TUJUAN Memahami karakteristik kerja transistor BJT dan FET

Lebih terperinci

BAB II TINJAUAN PUSTAKA

BAB II TINJAUAN PUSTAKA BAB II TINJAUAN PUSTAKA 2.1 Pengertian Penguat RF Penguat RF (Radio Frekuensi) adalah perangkat yang berfungsi memperkuat sinyal frekuensi tinggi (RF) dan diterima oleh antena untuk dipancarkan. Penguat

Lebih terperinci

B a b. Pembiasan BJT. = β..(4.3)

B a b. Pembiasan BJT. = β..(4.3) Pembiasan JT a b 4 Pembiasan JT A nalisa dari rangkaian elektronik mempunyai dua komponen, yaitu analisa dc dan analisa ac. Analisa ac meliputi penguatan tegangan dan arus, serta impedansi inlut dan output.

Lebih terperinci

LAB SHEET ILMU BAHAN DAN PIRANTI

LAB SHEET ILMU BAHAN DAN PIRANTI JURUSAN TEKNIK ELEKTRO NOMOR : O1 MATA KULIAH ILMU BAHAN DAN PIRANTI TOPIK :KARAKTERISTIK DIODA I. TUJUAN 1. Pengenalan komponen elektronika dioda semi konduktor 2. Mengetahui karakteristik dioda semi

Lebih terperinci

BAB II LANDASAN TEORI

BAB II LANDASAN TEORI BAB II LANDASAN TEORI 2.1. Power Regulator Pada umumnya adalah sebagai alat atau perangkat keras yang mampu menyuplai tenaga atau tegangan listrik secara langsung dari sumber tegangan listrik ke tegangan

Lebih terperinci

PERTEMUAN 2 TEORI DASAR (DIODA)

PERTEMUAN 2 TEORI DASAR (DIODA) PERTEMUAN 2 TEORI DASAR (DIODA) PENGERTIAN DIODA Dioda merupakan komponenelektronikayang mempunyai dua elektroda(terminal), dapat berfungsi sebagai penyearah arus listrik. Dioda merupakanjunction ( pertemuan

Lebih terperinci

TRANSISTOR 9.1 Dasar-dasar Transistor

TRANSISTOR 9.1 Dasar-dasar Transistor 9 TRANSISTOR 9.1 Dasar-dasar Transistor Pada bab sebelumnya telah dikenalkan karakteristik dasar diode, sebuah piranti dua terminal (karenanya disebut di-ode) beserta aplikasinya. Pada bagian ini akan

Lebih terperinci

Laboratorium Dasar Teknik Elektro - Sekolah Teknik Elektro dan Informatika ITB

Laboratorium Dasar Teknik Elektro - Sekolah Teknik Elektro dan Informatika ITB MODUL 1 TAHAP OUTPUT PENGUAT DAYA Naufal Ridho H (13214008) Asisten: Febri Jonathan S. (13213032) Tanggal Percobaan: 26/09/2016 EL3109-Praktikum Elektronika 2 Laboratorium Dasar Teknik Elektro - Sekolah

Lebih terperinci

SATUAN ACARA PERKULIAHAN UNIVERSITAS GUNADARMA

SATUAN ACARA PERKULIAHAN UNIVERSITAS GUNADARMA Mata Kuliah Kode / SKS Program Studi Fakultas : Elektronika Dasar : IT012346 / 3 SKS : Sistem Komputer : Ilmu Komputer & Teknologi Informasi 1 Pengenalan Komponen dan Teori Semikonduktor TIU : - Mahasiswa

Lebih terperinci

TUGAS AKHIR. Secara garis besar dari tugas-tugas yang telah dikerjakan dapat dibuat rangkuman sebagai berikut :

TUGAS AKHIR. Secara garis besar dari tugas-tugas yang telah dikerjakan dapat dibuat rangkuman sebagai berikut : PRASETYO NUGROHO 132 96 015 TUGAS AKHIR DEVAIS ELEKTRONIKA TUGAS AKHIR Secara garis besar dari tugas-tugas yang telah dikerjakan dapat dibuat rangkuman sebagai berikut : Metode Desain Devais Mikroelektronika

Lebih terperinci

SATUAN ACARA PERKULIAHAN

SATUAN ACARA PERKULIAHAN SATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH : ELEKTRONIKA DASAR KODE : TSK-210 SKS/SEMESTER : 2/2 Pertemuan Pokok Bahasan & ke TIU 1 Pengenalan Komponen dan Teori Semikonduktor TIU : - Mahasiswa mengenal Jenis-jenis

Lebih terperinci

1 DC SWITCH 1.1 TUJUAN

1 DC SWITCH 1.1 TUJUAN 1 DC SWITCH 1.1 TUJUAN 1.Praktikan dapat memahami prinsip dasar saklar elektronik menggunakan transistor. 2.Praktikan dapat memahami prinsip dasar saklar elektronik menggunakan MOSFET. 3.Praktikan dapat

Lebih terperinci

BAB II LANDASAN TEORI

BAB II LANDASAN TEORI BAB II LANDASAN TEORI 2.1 Sistem Catu Daya / power supply Power supply adalah rangkaian elektronika yang berfungsi untuk memberikan tegangan listrik yang dibutuhkan oleh suatu rangkaian elektronika. Dalam

Lebih terperinci

Bagian 4 Pemodelan Dioda

Bagian 4 Pemodelan Dioda Bagian 4 Pemodelan Dioda Sub Materi Pengertian pemodelan Model dioda Kurva karakteristik untuk masing-masing model diode Analisa up-down Rangkaian logika dioda resistor (RDL) Garis beban dan titik operasi

Lebih terperinci

Penguat Emiter Sekutu

Penguat Emiter Sekutu Penguat Emiter Sekutu v out v in Konfigurasi Dasar Ciri Penguat Emiter Sekutu : 1. Emiter dibumikan 2. Sinyal masukan diberikan ke basis 3. Sinyal keluaran diambil dari kolektor Agar dapat memberikan tegangan

Lebih terperinci

PANDUAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR LABORATORIUM FISIKA DASAR FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM UNIVERSITAS TANJUNGPURA PONTIANAK

PANDUAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR LABORATORIUM FISIKA DASAR FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM UNIVERSITAS TANJUNGPURA PONTIANAK PANDUAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR LABORATORIUM FISIKA DASAR FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM UNIVERSITAS TANJUNGPURA PONTIANAK MODUL I KARAKTERISTIK DIODA I. Tujuan Percobaan Memahami prinsip

Lebih terperinci

Materi 6: Transistor Fundamental

Materi 6: Transistor Fundamental Materi 6: Transistor Fundamental I Nyoman Kusuma Wardana Sistem Komputer STMIK STIKOM Bali Outline Load Line Q Point Bias Emiter Voltage-divider Bias Load Line Load line (garis beban) menggambarkan kinerja

Lebih terperinci

PERTEMUAN 1 ANALISI AC PADA TRANSISTOR

PERTEMUAN 1 ANALISI AC PADA TRANSISTOR PERTEMUAN 1 ANALISI AC PADA TRANSISTOR Analisis AC atau sering disebut dengan analisa sinyal kecil pada penguat adalah analisa penguat sinyal kecil, dengan memblok sinyal DC yaitu dengan memberikan kapasitor

Lebih terperinci

NAMA : WAHYU MULDAYANI NIM : INSTRUMENTASI DAN OTOMASI. Struktur Thyristor THYRISTOR

NAMA : WAHYU MULDAYANI NIM : INSTRUMENTASI DAN OTOMASI. Struktur Thyristor THYRISTOR NAMA : WAHYU MULDAYANI NIM : 081910201059 INSTRUMENTASI DAN OTOMASI THYRISTOR Thyristor adalah komponen semikonduktor untuk pensaklaran yang berdasarkan pada strukturpnpn. Komponen ini memiliki kestabilan

Lebih terperinci

Daerah Operasi Transistor

Daerah Operasi Transistor Daerah Operasi Transistor Sebuah Transistor memiliki empat daerah Operasi Transistor : 1. Daerah Aktif 2. Daerah CutOff 3. Daerah Saturasi 4. Daerah Breakdown Daerah Aktif Daerah kerja transistor yang

Lebih terperinci

BAB 8 ALAT UKUR DAN PENGUKURAN LISTRIK

BAB 8 ALAT UKUR DAN PENGUKURAN LISTRIK BAB 8 ALAT UKUR DAN PENGUKURAN LSTRK 9.1 Bahan Semikonduktor Dalam pengetahuan bahan teknik listrik dikenal tiga jenis material, yaitu bahan konduktor, bahan semikonduktor, dan bahan isolator. Bahan konduktor

Lebih terperinci

Fungsi Transistor dan Cara Mengukurnya

Fungsi Transistor dan Cara Mengukurnya Fungsi Transistor dan Cara Mengukurnya Fungsi Transistor dan Cara Mengukurnya Transistor merupakan salah satu Komponen Elektronika Aktif yang paling sering digunakan dalam rangkaian Elektronika, baik rangkaian

Lebih terperinci

Elektronika : Teori dan Penerapan. Herman Dwi Surjono, Ph.D.

Elektronika : Teori dan Penerapan. Herman Dwi Surjono, Ph.D. Elektronika : Teori dan Penerapan Herman Dwi Surjono, Ph.D. Elektronika : Teori dan Penerapan Disusun Oleh: Herman Dwi Surjono, Ph.D. 2007 All Rights Reserved Hak cipta dilindungi undang-undang Penyunting

Lebih terperinci

KARAKTERISTIK TRANSISTOR. Risa Farrid Christianti

KARAKTERISTIK TRANSISTOR. Risa Farrid Christianti KARAKTERSTK TRANSSTOR Risa Farrid hristianti ARUS TRANSSTOR (1) Perbandingan arus Karena emitter (E) adalah sumber elektron, emiter mempunyai arus terbesar. Krn sebagian besar elektron mengalir ke Kolektor

Lebih terperinci

Modul Elektronika 2017

Modul Elektronika 2017 .. HSIL PEMELJRN MODUL I KONSEP DSR TRNSISTOR Mahasiswa dapat memahami dan menjelaskan karakteristik serta fungsi dari rangkaian dasar transistor..2. TUJUN agian ini memberikan informasi mengenai penerapan

Lebih terperinci

LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR

LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR Nama Nim Semester Fakultas : Rizki : 20083124720650086 : III/pagi : Teknik Informatika Universitas Mpu Tantular Jakarta Timur MODUL I INSTRUMENTASI Teori: Pada praktikum

Lebih terperinci

DIODA KHUSUS. Pertemuan V Program Studi S1 Informatika ST3 Telkom

DIODA KHUSUS. Pertemuan V Program Studi S1 Informatika ST3 Telkom DIODA KHUSUS Pertemuan V Program Studi S1 Informatika ST3 Telkom Tujuan Pembelajaran Setelah mengikuti kuliah ini, mahasiswa mampu: mengetahui, memahami dan menganalisis karakteristik dioda khusus Memahami

Lebih terperinci

MODUL PRAKTEK RANGKAIAN ELEKTRONIKA

MODUL PRAKTEK RANGKAIAN ELEKTRONIKA MODUL PRAKTEK RANGKAIAN ELEKTRONIKA PROGRAM STUDI D3 TEKNIK ELEKTRONIKA PROGRAM PENDIDIKAN VOKASI UNIVERSITAS HALU OLEO KENDARI Percobaan 1 Percobaan 1 Dioda : Karakteristik dan Aplikasi Tujuan Memahami

Lebih terperinci

BAB II DASAR TEORI Gambar 2.1. Simbol Dioda.

BAB II DASAR TEORI Gambar 2.1. Simbol Dioda. 7 BAB II DASAR TEORI 2.1. Dioda Dioda merupakan piranti dua terminal yang berfungsi untuk menghantarkan / menahan arus. Dioda mempunyai simbol seperti yang dapat dilihat pada Gambar 2.1. Dioda memiliki

Lebih terperinci

RANGKAIAN-RANGKAIAN PRATEGANGAN TRANSISTOR. Oleh : Danny Kurnianto,S.T.,M.Eng

RANGKAIAN-RANGKAIAN PRATEGANGAN TRANSISTOR. Oleh : Danny Kurnianto,S.T.,M.Eng RANGKAAN-RANGKAAN PRATEGANGAN TRANSSTOR Oleh : Danny Kurnianto,S.T.,M.Eng Rangkaian digital bisa diartikan sebagai rangkaian yang menggunakan transistor sebagai switch, sedangkan rangkaian linear adalah

Lebih terperinci

BAB IV PENGUJIAN DAN ANALISA ALAT

BAB IV PENGUJIAN DAN ANALISA ALAT 34 BAB IV PENGUJIAN DAN ANALISA ALAT 4.1 Umum Untuk mengetahui apakah peralatan ini dapat bekerja sesuai ide dasar yang dituangkan, maka perlu dilakukan pengukuran yang akan digunakan sebagai bahan untuk

Lebih terperinci

KATA PENGANTAR. Surabaya, 13 Oktober Penulis

KATA PENGANTAR. Surabaya, 13 Oktober Penulis KATA PENGANTAR Puji dan Syukur kami panjatkan ke Hadirat Tuhan Yang Maha Esa, karena berkat limpahan Rahmat dan Karunia-nya sehingga kami dapat menyusun laporan Praktikum Dasar Elektronika dan Digital

Lebih terperinci

MODUL 07 PENGUAT DAYA

MODUL 07 PENGUAT DAYA P R O G R A M S T U D I F I S I K A F M I P A I T B LABORATORIUM ELEKTRONIKA DAN INSTRUMENTASI MODUL 07 PENGUAT DAYA 1 TUJUAN Memahami konfigurasi dan prinsip kerja penguat daya kelas B dan AB. Memahami

Lebih terperinci

Transistor Dwi Kutub. Laila Katriani. laila_katriani@uny.ac.id

Transistor Dwi Kutub. Laila Katriani. laila_katriani@uny.ac.id Transistor Dwi Kutub Laila Katriani laila_katriani@uny.ac.id Transistor adalah komponen elektronika semikonduktor yang memiliki 3 kaki elektroda, yaitu Basis (Dasar), Kolektor (Pengumpul) dan Emitor (Pemancar).

Lebih terperinci

struktur dua dimensi kristal Silikon

struktur dua dimensi kristal Silikon PRINSIP DASAR Semikonduktor merupakan elemen dasar dari komponen elektronika seperti dioda, transistor dan sebuah IC (integrated circuit). Disebut semi atau setengah konduktor, karena bahan ini memang

Lebih terperinci

- 1 - FAKULTAS TEKNIK UNIVERSITAS NEGERI YOGYAKARTA LAB SHEET PRAKTIK ELEKTRONIKA ANALOG I

- 1 - FAKULTAS TEKNIK UNIVERSITAS NEGERI YOGYAKARTA LAB SHEET PRAKTIK ELEKTRONIKA ANALOG I - - FAKULTAS TEKNIK Semester PENGUAT TRANSISTOR 200 menit No. LST/EKA/EKA5204/09/04 Revisi : 02 Tgl : 28-8-205 Hal dari 9. A. Kompetensi : Menguasai kinerja penggunan transistor sebagai penguat B. Sub

Lebih terperinci

5.1. Junction transistor. Bagian 5 KARAKTERISTIK TRANSISTOR. Transistor Open-Circuit

5.1. Junction transistor. Bagian 5 KARAKTERISTIK TRANSISTOR. Transistor Open-Circuit 5.1. Junction transistor Bagian 5 KARAKTERISTIK TRANSISTOR Transistor Open-Circuit Elektronika 1 49 Irwan Arifin 2004 Transistor terbias pada daerah aktif (active region) Elektronika 1 50 Irwan Arifin

Lebih terperinci

EL2005 Elektronika PR#02

EL2005 Elektronika PR#02 EL2005 Elektronika PR#02 Batas Akhir Pengumpulan : Jum at, 03 Februari 2017, jam 16:00 SOAL 1 Diketahui rangkaian diode seperti di atas dengan sumber tegangan DC, 5 V, 1 kω, 220 Ω, dan 470 Ω. Kedua diode

Lebih terperinci

controlled rectifier), TRIAC dan DIAC. Pembaca dapat menyimak lebih jelas

controlled rectifier), TRIAC dan DIAC. Pembaca dapat menyimak lebih jelas SCR, TRIAC dan DIAC Thyristor berakar kata dari bahasa Yunani yang berarti pintu'. Dinamakan demikian barangkali karena sifat dari komponen ini yang mirip dengan pintu yang dapat dibuka dan ditutup untuk

Lebih terperinci

Gambar 1.1 Analogi dan simbol Gerbang AND. Tabel 1.1 kebenaran Gerbang AND 2 masukan : Masukan Keluaran A B YAND

Gambar 1.1 Analogi dan simbol Gerbang AND. Tabel 1.1 kebenaran Gerbang AND 2 masukan : Masukan Keluaran A B YAND A. Judul : GERBANG AND B. Tujuan Kegiatan Belajar 1 : Setelah mempraktekkan Topik ini, mahasiswa diharapkan dapat : 1) Mengetahui tabel kebenaran gerbang logika AND. 2) Menguji piranti hardware gerbang

Lebih terperinci

PENGERTIAN THYRISTOR

PENGERTIAN THYRISTOR PENGERTIAN THYRISTOR Thyristor merupakan salah satu devais semikonduktor daya yang paling penting dan telah digunakan secara ekstensif pada rangkaian elektronika daya.thyristor biasanya digunakan sebagai

Lebih terperinci

PENGUAT DAYA KELAS A

PENGUAT DAYA KELAS A LKTRONKA ANALOG ertemuan 14 NGUAT DAYA KLAS A enguat sinyal besar (large signal) dimana penekanan adl pd penguatan daya, disebut dengan penguat daya. Klasifikasi penguat daya yang ada adalah kelas A, kelas

Lebih terperinci

DASAR PENGUKURAN LISTRIK

DASAR PENGUKURAN LISTRIK DASAR PENGUKURAN LISTRIK OUTLINE 1. Objektif 2. Teori 3. Contoh 4. Simpulan Objektif Teori Tujuan Pembelajaran Mahasiswa mampu: Menjelaskan dengan benar mengenai prinsip dasar pengukuran. Mengukur arus,

Lebih terperinci