BAB IV PERHITUNGAN & ANALSIS HASIL KARAKTERISASI XRD, EDS DAN PENGUKURAN I-V MSM
|
|
- Djaja Hartanto
- 7 tahun lalu
- Tontonan:
Transkripsi
1 BAB IV PERHITUNGAN & ANALSIS HASIL KARAKTERISASI XRD, EDS DAN PENGUKURAN I-V MSM Pada bab sebelumnya telah diperlihatkan hasil karakterisasi struktur kristal, morfologi permukaan, dan komposisi lapisan. Hasil karakterisasi ini akan dimanfaatkan untuk menentukan parameter intrinsik material AlGaN. Data EDS yang menunjukkan fraksi molar Al pada lapisan sekitar Penentuan Parameter Intrinsik Lapisan Parameter intrinsik lapisan ditinjau melalui pendekatan semi empirik. Parameter-parameter tersebut diperlihatkan pada tabel 4.1. Parameter Intrinsik Persamaan semi empirik Hasil Perhitungan Band gap lapisan Eg( x) = x x(1 x)0. 1 ev [31] ev * m Massa efektif elektron = 0.33x + 0.2(1 x) [32] m 0 m 0 * 2 * 4πm qk Konstanta Ricardson A = A/K 2 cm 2 3 h Tabel 4.1 Parameter intrinsik lapisan AlGaN (sampel B). Hasil perhitungan ini akan dimanfaatkan untuk perhitungan rapat arus saturasi dan tinggi barrier setiap sampel Penghitungan konstanta kisi sampel A dan B Dalam pengolahan data XRD, diasumsikan lapisan AlGaN yang terbentuk berstruktur kristal heksagonal. Asumsi ini didasarkan oleh struktur stabil secara termodinamik GaN dan AlN sebagai komponen paduan AlGaN adalah heksagonal [35]. Pengolahan data XRD 30
2 ditujukan untuk penentuan konstanta kisi tiap sampel. Hasil perhitungan diperlihatkan pada tabel 4.2. Konsentrasi 2θ a c Sample A. Al 20% 32,8357 3,1485 2, Sampel B. Al 30% 32,7988 3, , Tabel 4.2 Perbedaan konstanta kisi paduan terhadap jumlah atom Al dalam paduan AlGaN. Perbedaan konstanta kisi tiap sampel disebabkan perbedaan kandungan Al masing-masing sampel. Ikatan Al-N lebih panjang dibandingkan Ga-N [30]. Meskipun tidak dilakukan karakterisasi komposisi lapisan untuk sampel A, dari perhitungan konstanta kisi disimpulkan sampel B mengandung Al lebih banyak dibandingkan sampel A. Hasil ini sesuai dengan yang diharapkan pada parameter penumbuhan, yaitu laju alir precursor Al yang lebih besar pada sampel B. 4.2 Pengukuran I-V Ketika diberikan tegangan bias diantara anoda (bias positif) dan katoda (bias negatif), maka daerah dekat kedua elektroda tersebut akan terdeplesi. Sehingga pada daerah absorpsi terbentuk dua daerah, daerah depletion (deplesi) dan undepletion (tidak terdeplesi). Gambar 4.1 Skema alat karakterisasi I-V. 31
3 pengukuran ini dilakukan dengan berbagai variasi temperatur dan waktu annealing dalam atmosfer nitrogen. Dalam eksperimen ini, proses annealing memiliki dua tujuan utama yaitu: Mereduksi pengaruh interface antara kontak Au dan lapisan tipis AlGaN. Hal ini dapat dicapai dengan memberikan annealing dengan dibawah temperatur penumbuhan. Pada kondisi ini diyakini tidak terjadi perubahan struktur lapisan. Untuk tujuan ini, dilakukan annealing dengan temperatur 300 selama 30 s dilanjutkan dengan annealing pada temperatur 500 dan C selama lima menit. Melakukan perubahan struktur lapisan untuk mengevaluasi kestabilan material AlGaN. Untuk mencapai tujuan ini, dilakukan annealing dengan temperatur 800 dan C masing-masing selama dua menit dan empat menit. Pengukuran I-V dilakukan setelah sampel didinginkan pada temperatur ruang. Berikut ini akan dibahas satu-persatu hasil pengukuran I-V sebelum dan sesudah annealing Pengukuran I-V sebelum dilakukan annealing Pada pengukuran ini, setiap sampel menunjukkan karakteristik sebagai kontak Ohmic. Data yang menunjukkan terjadinya kontak ohmik dengan resistivitas yang berbeda-beda terhadap jumlah finger Seperti yang diperlihatkan pada gambar 4.2. Gambar 4.2 Karakteristik I-V masing-masing divais sebelum dilakukan annealing. 32
4 Pada dasarnya AlGaN dengan kontak Au akan membentuk sambungan schottky. Fungsi kerja sampel sebagai kontak Ohmic terbentuk oleh kontribusi arus yang berasal dari lapisan interface antara AlGaN dan kontak Au. Lapisan interface yang terbentuk merupakan fase nitrida karena konsentrasi kekosongan nitrogen paling tinggi berada pada daerah interface[24]. Asumsi ini didukung oleh hasil EDS yang memperlihatkan komposisi nitrogen lapisan cukup rendah Pengukuran I-V setelah diberikan annealing untuk mereduksi pengaruh lapisan interface Pada kondisi ini dilakukan annealing dibawah temperatur penumbuhan. Kondisi ini merupakan treatment terhadap lapisan interface agar dihasilkan kualitas persambungan kontak yang baik a Annealing pada temperatur C Setelah dilakukan tahap ini, karakteristik I-V setiap divais masih bersifat Ohmic. Karateristik I-V tiap sampel diperlihatkan oleh gambar 4.3. Gambar 4.3 Karakteristik I-V setelah dilakukan annealing pada temperatur C. Dari hasil ini diasumsikan lapisan interface yang terbentuk antara Au dan AlGaN terlalu tebal sehingga arus yang diukur dominan berasal dari lapisan interface. Untuk mengetahui 33
5 lebih lanjut pengaruh lapisan interface ini, maka dilakukan proses annealing pada temperatur C b Annealing pada temperatur C Setelah dilakukan annealing pada suhu C, diamati terjadi perubahan fungsi kerja divais dari ohmik menjadi Schottky. Pada kondisi ini pengaruh lapisan interface tereduksi sehingga diperoleh karakteristik Schottky, karakteristik ini merupakan karakteristik ideal antara AlGaN tipe-n dengan kontak Au. Gambar 4.4 menunjukkan karakteristik I-V tiap sampel yang bersifat Schottky. (a) (b) Gambar 4.4 Perubahan karakteristik fungsi kerja kontak Ohmic menjadi kontak Schottky (a) 3 dan 5 finger (b) 7 dan 22 finger. 34
6 Pada kondisi ini diasumsikan bahwa lapisan interface menipis dan merapat sehingga terbentuk clusters dengan adanya perlakuan annealing. Pembentukan clusters lapisan interface menyebabkan kontak Au dapat bersentuhan dengan lapisan AlGaN. Akan tetapi, kontak emas belum sepenuhnya melewati lapisan interface, kondisi menyebabkan karaktersitik I-V masih dipengaruhi arus yang berasal dari lapisan interface. Pada tahap selanjutnya dilakukan annealing pada temperatur C, pada kondisi ini diharapkan kontak Au terdifusi melewati cluster lapisan interface sehingga diperoleh karakteristik I-V yang berasal dari lapisan AlGaN c Annealing pada temperatur C Karakteristik I-V setiap sampel setelah di-annealing pada temperatur C diperlihatkan pada gambar 4.5. Gambar 4.5 Kurva karakteristik I-V MSM dengan variasi 3, 5, 7, dan 22 finger setelah annealing C. Annealing pada temperatur ini menyebabkan kontak emas sedikit terdifusi menuju lapisan AlGaN. Kondisi ini dapat dicapai karena difusi suatu material dapat terjadi jika temperatur pemanasan mendekati setengah melting point material tersebut. Dengan mengetahui melting point Au adalah C, maka dapat terjadinya sedikit difusi emas sehingga bisa melewati lapisan interface. 35
7 4.2.3 Penghitungan rapat arus dan analisis tinggi barrier setiap sampel setelah treatment interface 4.2.3a Perhitungan tinggi barrier sampel setelah annealing C Dari hasil eksperimen dan asumsi diatas, karakteristik I-V sampel setelah dilakukan annealing pada temperatur C digunakan sebagai acuan untuk menganalisis pengaruh lapisan interface. Rapat arus masing-masing sampel dihitung menggunakan data hasil pengukuran I-V. Selanjutnya dilakukan perhitungan logaritma natural rapat arus ln(j) masing-masing sampel. Logaritma natural rapat arus saturasi ln(j s ) ditentukan dengan ektrapolasi ln(j) tiap sampel pada tegangan bias V = 0. Ektrapolasi logaritma rapat arus ln(j) masing-masing sampel ditunjukkan pada gambar 4.6. Rapat arus saturasi masing-masing sampel 3, 5, 7, dan 22 adalah , , , dan A/cm 2 (tanda minus menunjukkan tipe pembawa muatan adalah elektron). Dari perhitungan ini terlihat perubahan rapat arus saturasi terhadap variasi luasan kontak. Selanjutnya, ditentukan tinggi barrier tiap sampel menggunakan persamaan rapat arus dioda Schottky (pers. 25 Apendiks C). dari perhitungan ini diperoleh tinggi barrier tiap sampel adalah , , , dan ev masing-masing untuk 3, 5, 7, dan 22 finger. Diagram tinggi barrier masing-masing sampel diperlihatkan oleh gambar ev ev ev ev Gambar 4.7 Diagram tinggi barrier kondisi annealing C, dari kiri ke kanan untuk sampel dengan 3, 5, 7, dan 22 finger. 36
8 (a) (b) (c) (d) Gambar 4.6 Kurva ekstrapolasi ln(j) setelah annealing C terhadap bias maju (a) 3finger, (b) 5 finger, (c) 7 finger, (d) 22 finger. 37
9 Hasil perhitungan ini menunjukkan adanya perbedaan tinggi barrier untuk masing-masing sampel, hasil ini kurang memenuhi konsep secara teoritik. Meskipun luasan kontak berbeda-beda (jumlah finger berbeda), dengan penggunaan AlGaN yang ditumbuhkan dengan parameter dan proses kontak yang sama (temperatur, tekanan, laju alir precursor, dan pada saat yang sama) mestinya memiliki tinggi barrier yang sama. Kondisi yang paling mungkin untuk menjelaskan fenomena ini adalah ketidakhomogenan distribusi atom Al. Komposisi Al merupakan salah satu faktor yang mempengaruhi tinggi barrier pada lapisan AlGaN [36]. Meskipun tiap sampel ditumbuhkan dengan parameter dan proses pembuatan kontak yang sama, hasil perhitungan ini menunjukkan distribusi kerapatan atom Al yang berbeda-beda pada tiap sampel. Fenomena ketidakhomogenan distribusi atom Al terjadi disebabkan oleh perbedaan kemampuan berikatan komponen penyusun lapisan AlGaN (Ga-Al > (Ga-Ga = N-N) > Al-Al) [39]. AlGaN yang ditumbuhkan dengan parameter, proses kontak, dan saat yang sama. Jika terjadi perbedaan tinggi barrier tiap lapisan, maka sangat beralasan untuk menyatakan bahwa terjadinya perbedaan kerapatan atom Al dalam lapisan yang menyebabkan terjadinya perbedaan tinggi barrier. Dari hasil ini disimpulkan, sampel dengan 22 finger memiliki kerapatan Al tertinggi dan terendah dimiliki oleh sampel dengan 3 finger a Perhitungan tinggi barrier sampel setelah annealing C Tinggi barrier antara kontak dengan semikonduktor secara ideal hanya dipengaruhi oleh fungsi kerja metal dan afinitas elektron semikonduktor. Akan tetapi pada kondisi nyata hal ini sangat sulit diwujudkan sehingga tinggi barrier yang terbentuk merupakan paduan antara barrier lapisan interface dan lapisan semikonduktor terhadap kontak. Hasil perhitungan rapat arus saturasi pada kondisi annealing C dijadikan referensi dalam pengolahan dan analisis data pada kondisi ini. Dengan tahapan yang sama, dilakukan perhitungan untuk menentukan rapat arus saturasi pada kondisi adanya pengaruh interface. 38
10 (a) (b) (c) (d) Gambar 4.8 Kurva ekstrapolasi ln(j * s) setelah annealing C terhadap bias maju (a) 3finger, (b) 5 finger, (c) 7 finger, (d) 22 finger. J * s adalah rapat arus saturasi dengan adanya lapisan interface. 39
11 Selanjutnya dilakukan perhitungan tinggi barrier tiap sampel setelah di-annealing pada temperatur C. Sebelumnya telah diasumsikan bahwa karakteristik I-V pada kondisi ini masih dipengaruhi lapisan interface. Persamaan dioda Schottky dengan adanya lapisan interface digunakan untuk menentukan tinggi barrier setiap sampel (pers. 26 Apendiks C). Dari plot grafik diatas dapat ditentukan logaritma natural rapat arus (ln) untuk setiap divais dengan masing-masing 3, 5, 7, dan 22 finger berturut-turut -2.4, , -2.72, dan A/cm 2. Dari nilai ln J * s menunjukkan masing-masing nilai yang menurun dibandingkan dengan kondisi sebelumnya (annealing C). Potensial barrier dengan adanya lapisan * interface φ bn untuk masing-masing 3, 5, 7, dan 22 finger berturut-turut adalah ev, ev, ev, dan ev. Gambar 4.9 memperlihatkan tinggi barrier tiap sampel. Gambar 4.9 Diagram tinggi barrier kondisi annealing C, dari kiri ke kanan untuk sampel dengan 3, 5, 7, dan 22 finger. Berdasarkan pengolahan ini terlihat jelas adanya penurunan barrier setiap sampel dengan adanya pengaruh lapisan interface. Lapisan interface Au/AlGaN dapat menyebabkan tereduksinya tinggi barrier dan menyebabkan tambahan kebocoran arus[38]. Penurunan barrier ini pada hakikatnya meningkatkan darkcurrent pada tiap sampel. Detektor yang baik harus memiliki nilai darkcurrent yang rendah berhubungan dengan barrier yang tinggi sehingga perlu dilakukan treatment untuk mereduksi dark current. 40
12 4.2.4 Penghitungan rapat arus dan analisis tinggi barrier setiap sampel setelah treatment perubahan struktur lapisan Perubahan struktur suatu material dapat terjadi jika diberikan annealing diatas temperatur penumbuhan. Pada eksperimen ini dilakukan dengan dua keadaan, yaitu annealing pada temperatur C selama dua menit dan C selama empat menit. Pada sub bab ini akan dijelaskan mengenai hasil perhitungan I-V dan analisis tinggi barrier setelah dilakukan annealing dalam dua keadaan tersebut. Dari konsistensi data hasil pengukuran sebelumnya, pada eksperimen ini sampel maka dipilih sampel dengan 3, 5, dan 7 finger untuk dilakukan annealing hingga terjadi perubahan struktur lapisan a Annealing pada temperatur C Pada proses berikut, setiap sampel di-annealing pada temperatur C selama dua menit. Karakteristik I-V tiap sampel diperlihatkan oleh gambar 4.8. (a) (b) 41
13 (c) Gambar 4.10 Karakteristik I-V setelah dilakukan annealing pada temperatur C (a) 3 finger (b) 5 finger (c) 7 finger. Setelah melalui proses ini, hasil pengukuran I-V tiap sampel menunjukkan dark current yang makin kecil dan tegangan break down yang semakin besar. Karakteristik ini menunjukkan performa sampel yang meningkat. Untuk memahami fenomena ini, maka dilakukan tahap-tahap perhitungan seperti sebelumnya, yaitu perhitungan rapat arus saturasi dan tinggi barrier menggunakan data hasil pengukuran I-V masing-masing sampel. Perhitungan rapat arus saturasi Rapat arus pada kondisi didefinisikan sebagai J * s*. Ektrapolasi logaritma rapat arus ln( J ) masing-masing sampel ditunjukkan pada gambar * s* (a) 42
14 (b) (c) Gambar 4.11 Kurva ekstrapolasi ln(j * s) setelah annealing C terhadap bias maju (a) 3finger (b) 5 finger (c) 7 finger. Dari hasil perhitungan ini diperoleh tinggi barrier untuk masing-masing sampel adalah ev, ev, dan ev. Gambar 4.11 memperlihatkan diagram tinggi barrier untuk masing-masing sampel Gambar 4.12 Diagram tinggi barrier kondisi annealing C, dari kiri ke kanan untuk sampel dengan 3, 5, dan 7 finger. 43
15 Dari diagram tinggi barrier pada gambar 4.11, terlihatkan adanya peningkatan tinggi barrier tiap sampel akibat perlakukaan annealing. Secara teoritik perubahan tinggi barrier dapat terjadi oleh perubahan afinitas elektron semikonduktor terhadap fungsi kerja metal. Perubahan afinitas dapat terjadi jika terjadi naiknya fermi level yang disebabkan peningkatan kerapatan pembawa muatan dengan pemberian doping. Pada kasus ini tidak dilakukan pendopingan sehingga fenomena ini paling dimungkinkan oleh perubahan struktur lapisan setiap sampel. Annealing pada temperatur ini dapat menyebabkan adanya ekspansi termal pada kisikisi kristal lapisan yang menyebabkan terdifusinya atom-atom pada lapisan AlGaN. Atom yang terdifusi bergantung pada koefisien ekspansi termal dan jarak ikatan masing-masing atom. Dari hasil pengolahan data XRD, diketahui bahwa ikatan antar atom lapisan dengan konsentrasi Al lebih tinggi akan mengakibatkan lapisan AlGaN memiliki konstanta kisi yang lebih besar, dalam hal ini diakibatkan oleh jarak ikatan antar atom Al-N yang lebih besar dibandingkan Ga-N. Pada bab II, diberikan informasi mengenai koefisien ekspansi termal dan melting point masing-masing komponen AlGaN. Koefisien ekspansi termal GaN dan AlN masingmasing 5.6 x 10-6 K -1 dan 7.3 x 10-6 K -1 [41-42]. Sedangkan melting point GaN dan AlN masing-masing C dan C. Dari informasi diatas dapat diketahui bahwa ikatan antara Ga-N lebih mudah putus dibandingkan Al-N. Sedangkan pelebaran kisi terbesar dialami ikatan Al-N. Dari aspek kelektronegatifan masing-masing atom, Ga memiliki kelektronegatifan yang lebih kecil dibandingkan Al dan kelektropositifan yang berbanding terbalik dengan keelektronegatifannya. Dari tinjauan tersebut dapat diasumsikan beberapa poin, antara lain: o Pada kondisi ini atom Ga mengalami difusi lebih dahulu dibandingkan Al dalam lapisan. o Atom Ga yang berada didalam lapisan akan terdifusi menuju ke permukaan disebabkan kelektropositifannya yang lebih besar. 44
16 Berdasarkan kedua asumsi diatas, dapat disimpulkan bahwa annealing pada suhu tersebut menyebabkan permukaan lapisan menjadi kaya Ga (Ga-rich) akibat penarikkan atom Ga oleh metal Au. Kondisi ini dapat menjelaskan penyebab tinggi barrier permukaan lapisan meningkat AlGaN akibat perlakuan annealing diatas suhu penumbuhannya b Annealing pada temperatur C Pada tahap ini dilakukan uji coba annealing pada suhu C selama empat menit. Pada tahap-tahap sebelumnya terlihat adanya peningkatan kualisas sampel dengan adanya perlakuan annealing. Kualitas ini diperlihatkan dengan penurunan dark current yang berhubungan dengan meningkatnya tinggi barrier tiap sampel. Pada uji coba ini dipilih sampel dengan 3 finger untuk di-annealing pada temperatur ini (data tidak ditampilkan) Dari kurva karakteristik I-V, menunjukkan perubahan karakteristik Schottky menjadi Ohmic terjadi setelah dilakukan annealing pada temperatur tersebut. Fenomena ini diduga akibat adanya reaksi oksidasi pada permukaan lapisan yang dipacu oleh residu impuritas gas nitrogen karena temperatur annealing yang tinggi. Al 2 Ga O 2 3 O 3 metal Gambar 4.13 Ilustrasi reaksi permukaan pada proses annealing dengan temperatur tinggi. 45
17 Selama dilakukan annealing pada temperatur tinggi, adanya impuritas residu seperti O 2 dan/atau H 2 O didalam N 2 dapat menyebabkan oksidasi pada permukaan AlGaN. Atom N yang berasal dari ikatan Al-N dan Ga-N dapat bereaksi satu dengan yang lain atau dengan atom O membentuk malekul yang dapat menguap misalnya N 2 atau NO x [38] sehingga kekosongan nitrgogen yang sangat tinggi pada permukaan lapisan, akibatnya terdapat residu oksida dan gumpalan logam (metal cluster) pada permukaan, seperti yang diilustrasikan pada gambar Selain itu, Ga pada permukaan lapisan menguap sehingga Al menjadi dominan pada permukaan lapisan [38], akibatnya pada permukaan tersisa clusters logam dan oksida Al. Pada kondisi ini sangat dimungkinkan adanya logam Al yang menyentuh kontak Au sehingga terjadi perubahan fungsi kerja Schottky menjadi Ohmic. 46
BAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI
BAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI Pada bab ini dibahas penumbuhan AlGaN tanpa doping menggunakan reaktor PA- MOCVD. Lapisan AlGaN ditumbuhkan dengan variasi laju alir gas reaktan, hasil penumbuhan dikarakterisasi
Lebih terperinciBAB II TINJAUAN PUSTAKA
BAB II TINJAUAN PUSTAKA Material semikonduktor adalah material yang memiliki konduktivitas listrik diantara konduktor dan isolator (10-8 S/cm < σ < 10 4 S/cm), σ adalah konduktivitas. Konduktivitas material
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban manusia di abad ini. Sehingga diperlukan suatu kemampuan menguasai teknologi tinggi agar bisa
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Spektrum elektromagnetik yang mampu dideteksi oleh mata manusia
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar belakang Spektrum elektromagnetik yang mampu dideteksi oleh mata manusia berada dalam rentang spektrum cahaya tampak yang memiliki panjang gelombang dari 400 900 nm. Sedangkan
Lebih terperinciKARAKTERSASI STRUKTUR DAN SIFAT LISTRIK MSM BERBASIS MATERIAL ALGaN YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE PA-MOCVD
KARAKTERSASI STRUKTUR DAN SIFAT LISTRIK MSM BERBASIS MATERIAL ALGaN YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE PA-MOCVD TUGAS AKHIR Diajukan sebagai salah satu syarat memperoleh gelar sarjana di Program Studi Fisika
Lebih terperinciKarakterisasi XRD. Pengukuran
11 Karakterisasi XRD Pengukuran XRD menggunakan alat XRD7000, kemudian dihubungkan dengan program dikomputer. Puncakpuncak yang didapatkan dari data pengukuran ini kemudian dicocokkan dengan standar difraksi
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. dengan menggunakan kamera yang dihubungkan dengan komputer.
10 dengan menggunakan kamera yang dihubungkan dengan komputer. HASIL DAN PEMBAHASAN Hasil sintesis paduan CoCrMo Pada proses preparasi telah dihasilkan empat sampel serbuk paduan CoCrMo dengan komposisi
Lebih terperinciModul - 4 SEMIKONDUKTOR
Modul - 4 SEMIKONDUKTOR Disusun Sebagai Materi Pelatihan Guru-Guru SMA/MA Provinsi Nangro Aceh Darussalam Disusun oleh: Dr. Agus Setiawan, M.Si Dr. Dadi Rusdiana, M.Si Dr. Ida Hamidah, M.Si Dra. Ida Kaniawati,
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. modern pada fotokonduktor ultraviolet (UV) membutuhkan material
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Pengembangan material semikonduktor tidak lepas dari perkembangan piranti elektronik diantaranya fotokonduktor ultraviolet (UV). Tuntutan aplikasi modern pada
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini terlihat dari banyaknya komponen semikonduktor yang digunakan disetiap kegiatan manusia.
Lebih terperinciBAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN
BAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN 4.1 Data Hasil Uji Korosi Dari pengujian yang telah dilakukan maka diperoleh hasil berupa data hasil perhitungan weight loss, laju korosi dan efisiensi inhibitor dalam Tabel
Lebih terperinciBAB II TINJAUAN PUSTAKA. seperti nanowire, nanotube, nanosheet, dsb. tidak terlepas dari peranan penting
BAB II TINJAUAN PUSTAKA Sebagaimana yang telah dipaparkan pada latar belakang, material nano seperti nanowire, nanotube, nanosheet, dsb. tidak terlepas dari peranan penting katalis yang berfungsi sebagai
Lebih terperinciDAFTAR ISI. ABSTRAK... i. KATA PENGANTAR... ii. UCAPAN TERIMA KASIH... iii. DAFTAR ISI... v. DAFTAR GAMBAR... viii. DAFTAR SINGKATAN DAN LAMBANG...
DAFTAR ISI ABSTRAK... i KATA PENGANTAR... ii UCAPAN TERIMA KASIH... iii DAFTAR ISI... v DAFTAR GAMBAR... viii DAFTAR SINGKATAN DAN LAMBANG... x BAB I PENDAHULUAN... 1 1.1 Latar Belakang... 1 1.2 Rumusan
Lebih terperinciSudaryatno Sudirham ing Utari. Mengenal. Sudaryatno S & Ning Utari, Mengenal Sifat-Sifat Material (1)
Sudaryatno Sudirham ing Utari Mengenal Sifat-Sifat Material (1) 16-2 Sudaryatno S & Ning Utari, Mengenal Sifat-Sifat Material (1) BAB 16 Oksidasi dan Korosi Dalam reaksi kimia di mana oksigen tertambahkan
Lebih terperinciHasil Penelitian dan Pembahasan
Bab IV Hasil Penelitian dan Pembahasan IV.1 Pengaruh Arus Listrik Terhadap Hasil Elektrolisis Elektrolisis merupakan reaksi yang tidak spontan. Untuk dapat berlangsungnya reaksi elektrolisis digunakan
Lebih terperinciBAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN. Foto Mikro dan Morfologi Hasil Pengelasan Difusi
BAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN Penelitian sambungan logam tak sejenis antara Baja SS400 dan Aluminium AA5083 menggunakan proses pengelasan difusi ini dilakukan untuk mempelajari pengaruh ketebalan lapisan
Lebih terperinciBAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN. 4.1 Pengaruh waktu annealing terhadap diameter dan jarak antar butir
BAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN 4.1 Pengaruh waktu annealing terhadap diameter dan jarak antar butir katalis Au Perubahan morfologi katalis telah dilihat melalui pengujian SEM, gambar 4.1 memperlihatkan hasil
Lebih terperinciSemikonduktor. Sifat. (ohm.m) Tembaga 1,7 x 10-8 Konduktor Silikon pd 300 o K 2,3 x 10 3 Semikonduktor Gelas 7,0 x 10 6 Isolator
Semikonduktor Definisi I: Bahan yang memiliki nilai hambatan jenis (ρ) antara konduktor dan isolator yakni sebesar 10 6 s.d. 10 4 ohm.m Perbandingan hambatan jenis konduktor, semikonduktor, dan isolator:
Lebih terperinciBAB 4 HASIL DAN PEMBAHASAN
BAB 4 HASIL DAN PEMBAHASAN Hasil dan pembahasan dalam penelitian ini diulas dalam tiga subbab. Karakterisasi yang dilakukan dalam penelitian ini terdiri dari 3 macam, yaitu SEM-EDS, XRD dan DRS. Karakterisasi
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC)
39 HASIL DAN PEMBAHASAN Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC) Hasil karakterisasi dengan Difraksi Sinar-X (XRD) dilakukan untuk mengetahui jenis material yang dihasilkan disamping menentukan
Lebih terperinciGambar Semikonduktor tipe-p (kiri) dan tipe-n (kanan)
Mekanisme Kerja Devais Sel Surya Sel surya merupakan suatu devais semikonduktor yang dapat menghasilkan listrik jika diberikan sejumlah energi cahaya. Proses penghasilan energi listrik itu diawali dengan
Lebih terperinciGambar 3.1 Diagram alir penelitian
BAB 3 METODE PENELITIAN 3.1 Bahan dan Peralatan Penelitian Bahan-bahan utama yang digunakan dalam penelitian ini antara lain bubuk magnesium oksida dari Merck, bubuk hidromagnesit hasil sintesis penelitian
Lebih terperinciBagian 4 Karakteristik Junction Dioda
Bagian 4 Karakteristik Junction Dioda Junction Diode Switching Times Pada saat keadaan dioda berubah dari kondisi reverse-biased ke kondisi forward-biased, terdapat transien (proses peralihan) pada respon
Lebih terperinciDAFTAR ISI KATA PENGANTAR... UCAPAN TERIMA KASIH... ABSTRAK... ABSTRACT... DAFTAR ISI... DAFTAR TABEL... DAFTAR GAMBAR... DAFTAR LAMPIRAN...
DAFTAR ISI KATA PENGANTAR... UCAPAN TERIMA KASIH... ABSTRAK... ABSTRACT... DAFTAR ISI... DAFTAR TABEL... DAFTAR GAMBAR... DAFTAR LAMPIRAN... i ii iv v vi viii ix x BAB I PENDAHULUAN... 1 A. Latar Belakang
Lebih terperinciMETODOLOGI PENELITIAN
PEMBUATAN DIODA DARI BAHAN LAPIS TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN MELALUI METODE PENGUAPAN (VACUUM DEPOSITION) Ahmad Mulia Rambe Abstrak: Telah dilakukan pembuatan Dioda Schottky yang berstruktur kontak logam-semikonduktor.
Lebih terperinciSTRUKTUR CRISTAL SILIKON
BANDGAP TABEL PERIODIK STRUKTUR CRISTAL SILIKON PITA ENERGI Pita yang ditempati oleh elektron valensi disebut Pita Valensi Pita yang kosong pertama disebut : Pita Konduksi ISOLATOR, KONDUKTOR DAN SEMIKONDUKTOR
Lebih terperinciPERTEMUAN 2 TEORI DASAR (DIODA)
PERTEMUAN 2 TEORI DASAR (DIODA) PENGERTIAN DIODA Dioda merupakan komponenelektronikayang mempunyai dua elektroda(terminal), dapat berfungsi sebagai penyearah arus listrik. Dioda merupakanjunction ( pertemuan
Lebih terperinciSIDANG TUGAS AKHIR. Jurusan Teknik Material & Metalurgi Fakultas Teknologi Industri Institut Teknologi Sepuluh Nopember
SIDANG TUGAS AKHIR Arisela Distyawan NRP 2709100084 Dosen Pembimbing Diah Susanti, S.T., M.T., Ph.D Jurusan Teknik Material & Metalurgi Fakultas Teknologi Industri Institut Teknologi Sepuluh Nopember Sintesa
Lebih terperinciELEKTRONIKA. Bab 2. Semikonduktor
ELEKTRONIKA Bab 2. Semikonduktor DR. JUSAK Konduktor Konduktor adalah sebuah bahan/elemen yang mempunyai kemampuan menghantarkan listrik. Salah satu contoh bahan koduktor adalah tembaga. Nukleus atom tembaga
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN. Lokasi penelitian dilakukan di Laboratorium Fisika Material, Jurusan
BAB III METODOLOGI PENELITIAN A. Lokasi dan Waktu Penelitian Lokasi penelitian dilakukan di Laboratorium Fisika Material, Jurusan Pendidikan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas
Lebih terperinciTUGAS AKHIR. Secara garis besar dari tugas-tugas yang telah dikerjakan dapat dibuat rangkuman sebagai berikut :
PRASETYO NUGROHO 132 96 015 TUGAS AKHIR DEVAIS ELEKTRONIKA TUGAS AKHIR Secara garis besar dari tugas-tugas yang telah dikerjakan dapat dibuat rangkuman sebagai berikut : Metode Desain Devais Mikroelektronika
Lebih terperinciBAB 1 PENDAHULUAN. Universitas Sumatera Utara
BAB 1 PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Penggunaan energi fosil seperti batu bara, bensin dan gas secara terusmenerus menyebabkan persediaan bahan bakar fosil menjadi menipis. Kecenderungan ini telah mendorong
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN. perlakuan panas atau annealing pada lapisan sehingga terbentuk butiran-butiran
BAB III METODOLOGI PENELITIAN 3.1 Metode penelitian Metode penelitian yang digunakan pada penelitian ini adalah eksperimen dengan membuat lapisan tipis Au di atas substrat Si wafer, kemudian memberikan
Lebih terperinciHomogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-si:h tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 8, NOMOR JANUARI 202 Homogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-si:h tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD
Lebih terperinciDioda Semikonduktor dan Rangkaiannya
- 2 Dioda Semikonduktor dan Rangkaiannya Missa Lamsani Hal 1 SAP Semikonduktor tipe P dan tipe N, pembawa mayoritas dan pembawa minoritas pada kedua jenis bahan tersebut. Sambungan P-N, daerah deplesi
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. I.1 Latar Belakang Kebutuhan akan energi semakin berkembang seiring dengan
BAB I PENDAHULUAN I.1 Latar Belakang Kebutuhan akan energi semakin berkembang seiring dengan berkembangnya kehidupan manusia. Sehingga para peneliti terus berupaya untuk mengembangkan sumber-sumber energi
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia Tenggara. Sebagai negara berkembang, Indonesia melakukan swasembada diberbagai bidang, termasuk
Lebih terperinciBAB IV HASIL PENELITIAN dan PEMBAHASAN
BAB IV HASIL PENELITIAN dan PEMBAHASAN 4.1. KARAKTERISTIK SERBUK 4.1.1. Serbuk Fe-50at.%Al Gambar 4.1. Hasil Uji XRD serbuk Fe-50at.%Al Berdasarkan gambar di atas, dapat diketahui bahwa secara keseluruhan
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen yang dilakukan di
BAB III METODE PENELITIAN Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen yang dilakukan di lab. Fisika Material, Jurusan Pendidikan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas
Lebih terperinci4 Hasil dan Pembahasan
4 Hasil dan Pembahasan 4.1 Sintesis Padatan TiO 2 Amorf Proses sintesis padatan TiO 2 amorf ini dimulai dengan melarutkan titanium isopropoksida (TTIP) ke dalam pelarut etanol. Pelarut etanol yang digunakan
Lebih terperinciBAB II TINJAUAN PUSTAKA. sampai 10 atom karbon yang diperoleh dari minyak bumi. Sebagian diperoleh
BAB II TINJAUAN PUSTAKA 2.1 Premium Premium terutama terdiri atas senyawa-senyawa hidrokarbon dengan 5 sampai 10 atom karbon yang diperoleh dari minyak bumi. Sebagian diperoleh langsung dari hasil penyulingan
Lebih terperinciBAB II DASAR TEORI. FeO. CO Fe CO 2. Fe 3 O 4. Fe 2 O 3. Gambar 2.1. Skema arah pergerakan gas CO dan reduksi
BAB II DASAR TEORI Pengujian reduksi langsung ini didasari oleh beberapa teori yang mendukungnya. Berikut ini adalah dasar-dasar teori mengenai reduksi langsung yang mendasari penelitian ini. 2.1. ADSORPSI
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Komponen elektronika seperti diode, transistor dan sebuah IC. semikonduktor. Pada zaman sekarang perkembangan piranti elektronika
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Komponen elektronika seperti diode, transistor dan sebuah IC (integrated circuit) merupakan elemen-elemen yang terbuat dari semikonduktor. Pada zaman sekarang
Lebih terperinciANALISIS LANJUTAN. Tingkat Energi & Orbit Elektron. Pita Energi Semikonduktor Intrinsik. Pita Energi Pada Semikonduktor Ter-Doping
Tingkat Energi & Orbit Elektron ANALISIS LANJUTAN Pita Energi Semikonduktor Intrinsik Pita Energi Pada Semikonduktor Ter-Doping Elektronika 1 23 Irwan Arifin 2004 P-N Junction Elektronika 1 24 Irwan Arifin
Lebih terperinciBAB II KOROSI dan MICHAELIS MENTEN
BAB II : MEKANISME KOROSI dan MICHAELIS MENTEN 4 BAB II KOROSI dan MICHAELIS MENTEN Di alam bebas, kebanyakan logam ditemukan dalam keadaan tergabung secara kimia dan disebut bijih. Oleh karena keberadaan
Lebih terperinciIII. METODE PENELITIAN
21 III. METODE PENELITIAN 3.1 Waktu dan Tempat Penelitian Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Agustus 2010 - Juni 2011 di Laboratorium Biofisika dan Laboratorium Fisika Lanjut, Departemen Fisika IPB.
Lebih terperinciIV. HASIL DAN PEMBAHASAN. 2, 50/50 (sampel 3), 70/30 (sampel 4), dan 0/100 (sampel 5) dilarutkan dalam
IV. HASIL DAN PEMBAHASAN A. Hasil Oksidasi Spesimen baja AISI 4130 dilapisi alumunium dengan cara mencelupkan ke dalam bak alumunium cair pada temperatur 700 ºC selama 16 detik. NaCl/Na2SO4 dengan perbandingan
Lebih terperinciTeori Semikonduktor. Elektronika (TKE 4012) Eka Maulana. maulana.lecture.ub.ac.id
Teori Semikonduktor Elektronika (TKE 4012) Eka Maulana maulana.lecture.ub.ac.id Content Konduktor Semikonduktor Kristal silikon Semikonduktor Intrinsik Jenis aliran Doping semikonduktor Doping ekstrinsik
Lebih terperinciGambar 2.1. Proses pengelasan Plug weld (Martin, 2007)
BAB II DASAR TEORI 2.1 TINJAUAN PUSTAKA Proses pengelasan semakin berkembang seiring pertumbuhan industri, khususnya di bidang konstruksi. Banyak metode pengelasan yang dikembangkan untuk mengatasi permasalahan
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Korosi merupakan salah satu permasalahan penting yang harus dihadapi oleh berbagai macam sektor industri di Indonesia terutama industri perkapalan. Tidak sedikit
Lebih terperinciBAHAN BAKAR KIMIA. Ramadoni Syahputra
BAHAN BAKAR KIMIA Ramadoni Syahputra 6.1 HIDROGEN 6.1.1 Pendahuluan Pada pembakaran hidrokarbon, maka unsur zat arang (Carbon, C) bersenyawa dengan unsur zat asam (Oksigen, O) membentuk karbondioksida
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN
BAB III METODE PENELITIAN Metode penelitian yang digunakan yaitu eksperimen. Pembuatan serbuk CSZ menggunakan cara sol gel. Pembuatan pelet dilakukan dengan cara kompaksi dan penyinteran dari serbuk calcia-stabilized
Lebih terperinciSintesis Nanopartikel ZnO dengan Metode Kopresipitasi
Sintesis Nanopartikel ZnO dengan Metode Kopresipitasi NURUL ROSYIDAH Jurusan Fisika Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Institut Teknologi Sepuluh Nopember Pendahuluan Kesimpulan Tinjauan Pustaka
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. Gambar 11. Rangkaian pengukuran karakterisasi I-V.
10 larutan elektrolit yang homogen. Pada larutan yang telah homogen dengan laju stirring yang sama ditambahkan larutan elektrolit KI+I 2 sebanyak 10 ml dengan konsentrasi 0.3 M tanpa annealing. Setelah
Lebih terperinciPengaruh Penambahan Aluminium (Al) Terhadap Sifat Hidrogenasi/Dehidrogenasi Paduan Mg 2-x Al x Ni Hasil Sintesa Reactive Ball Mill
Pengaruh Penambahan Aluminium (Al) Terhadap Sifat Hidrogenasi/Dehidrogenasi Paduan Mg 2-x Al x Ni Hasil Sintesa Reactive Ball Mill I Wayan Yuda Semaradipta 2710100018 Dosen Pembimbing Hariyati Purwaningsih,
Lebih terperinciDistribusi Celah Pita Energi Titania Kotor
Jurnal Nanosains & Nanoteknologi ISSN 1979-0880 Edisi Khusus, Agustus 009 Distribusi Celah Pita Energi Titania Kotor Indah Nurmawarti, Mikrajuddin Abdullah (a), dan Khairurrijal Kelompok Keahlian Fisika
Lebih terperinciBab IV. Hasil dan Pembahasan
Bab IV. Hasil dan Pembahasan Bab ini memaparkan hasil sintesis, karakterisasi konduktivitas listrik dan struktur kirstal dari senyawa perovskit La 1-x Sr x FeO 3-δ (LSFO) dengan x = 0,2 ; 0,4 ; 0,5 ; 0,6
Lebih terperinciBAB II TINJAUAN PUSTAKA. (C), serta unsur-unsur lain, seperti : Mn, Si, Ni, Cr, V dan lain sebagainya yang
BAB II TINJAUAN PUSTAKA 2.1 Baja Baja merupakan paduan yang terdiri dari unsur utama besi (Fe) dan karbon (C), serta unsur-unsur lain, seperti : Mn, Si, Ni, Cr, V dan lain sebagainya yang tersusun dalam
Lebih terperinciSuperkonduktor Eu 2-x Ce x CuO 4+α-δ
Superkonduktor Eu 2-x Ce x CuO 4+α-δ Pengaruh Konsentrasi Doping Ce (X) Terhadap Sifat Listik Material Superkonduktor Eu 2-x Ce x CuO 4+α-δ under-doped M. Saputri, M. F. Sobari, A. I. Hanifah, W.A. Somantri,
Lebih terperinciSulistyani, M.Si.
Sulistyani, M.Si. sulistyani@uny.ac.id Reaksi oksidasi: perubahan kimia suatu spesies (atom, unsur, molekul) melepaskan elektron. Cu Cu 2+ + 2e Reaksi reduksi: perubahan kimia suatu spesies (atom, unsur,
Lebih terperinciUji Kekerasan Material dengan Metode Rockwell
Uji Kekerasan Material dengan Metode Rockwell 1 Ika Wahyuni, 2 Ahmad Barkati Rojul, 3 Erlin Nasocha, 4 Nindia Fauzia Rosyi, 5 Nurul Khusnia, 6 Oktaviana Retna Ningsih Jurusan Fisika, Fakultas Sains dan
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN. Penelitian yang dilakukan di Kelompok Bidang Bahan Dasar PTNBR-
BAB III METODOLOGI PENELITIAN Penelitian yang dilakukan di Kelompok Bidang Bahan Dasar PTNBR- BATAN Bandung meliputi beberapa tahap yaitu tahap preparasi serbuk, tahap sintesis dan tahap analisis. Meakanisme
Lebih terperinciNama Anggota Kelompok: 1. Ahmad Samsudin 2. Aisyah Nur Rohmah 3. Dudi Abdu Rasyid 4. Ginanjar 5. Intan Dwi 6. Ricky
Nama Anggota Kelompok: 1. Ahmad Samsudin 2. Aisyah Nur Rohmah 3. Dudi Abdu Rasyid 4. Ginanjar 5. Intan Dwi 6. Ricky A. Aplikasi Statistik Bose-Einstein 1.1. Kondensasi Bose-Einstein Gambar 1.1 Salah satu
Lebih terperinciBAB IV PEMODELAN DAN SIMULASI SEL BAHAN BAKAR MEMBRAN PERTUKARAN PROTON DENGAN MENGGUNAKAN SOFTWARE MATLAB/SIMULINK
BAB IV PEMODELAN DAN SIMULASI SEL BAHAN BAKAR MEMBRAN PERTUKARAN PROTON DENGAN MENGGUNAKAN SOFTWARE MATLAB/SIMULINK 4.1. Pendahuluan Pada bab ini akan dibahas mengenai pengembangan model dalam software
Lebih terperinciPENGARUH VARIASI MILLING TIME dan TEMPERATUR KALSINASI pada MEKANISME DOPING 5%wt AL NANOMATERIAL TiO 2 HASIL PROSES MECHANICAL MILLING
PENGARUH VARIASI MILLING TIME dan TEMPERATUR KALSINASI pada MEKANISME DOPING 5%wt AL NANOMATERIAL TiO 2 HASIL PROSES MECHANICAL MILLING I Dewa Gede Panca Suwirta 2710100004 Dosen Pembimbing Hariyati Purwaningsih,
Lebih terperinci350 0 C 1 jam C. 10 jam. 20 jam. Pelet YBCO. Uji Konduktivitas IV. HASIL DAN PEMBAHASAN. Ba(NO 3 ) Cu(NO 3 ) 2 Y(NO 3 ) 2
Y(NO 3 ) 2 Pelarutan Pengendapan Evaporasi 350 0 C 1 jam 900 0 C 10 jam 940 0 C 20 jam Ba(NO 3 ) Pelarutan Pengendapan Evaporasi Pencampuran Pirolisis Kalsinasi Peletisasi Sintering Pelet YBCO Cu(NO 3
Lebih terperinciSel Volta (Bagian I) dan elektroda Cu yang dicelupkan ke dalam larutan CuSO 4
KIMIA KELAS XII IPA - KURIKULUM GABUNGAN 04 Sesi NGAN Sel Volta (Bagian I) Pada sesi 3 sebelumnya, kita telah mempelajari reaksi redoks. Kita telah memahami bahwa reaksi redoks adalah gabungan dari reaksi
Lebih terperinciBAB II TINJAUAN PUSTAKA
BAB II TINJAUAN PUSTAKA 2.1 Kapasitor Kapasitor banyak digunakan dalam sirkuit elektronik dan mengerjakan berbagai fungsi. Pada dasarnya kapasitor merupakan alat penyimpan muatan listrik yang dibentuk
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Teknik pengerasan permukaan merupakan suatu proses untuk meningkatkan sifat kekerasan serta kinerja dari suatu komponen atau material. Kerusakan suatu material biasanya
Lebih terperinciPENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR
PENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR Penumbuhan film tipis semikonduktor di atas substrat dapat dilakukan secara epitaksi. Dalam bahasa yunani epi berarti di atas dan taksial berarti menyusun dengan kata
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. ragam, oleh sebab itu manusia dituntut untuk semakin kreatif dan produktif dalam
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Penerapan teknologi rekayasa material saat ini semakin bervariasi hal ini disebabkan oleh tuntutan untuk memenuhi kebutuhan manusia yang beraneka ragam, oleh sebab
Lebih terperinciDETEKTOR RADIASI INTI. Sulistyani, M.Si.
DETEKTOR RADIASI INTI Sulistyani, M.Si. Email: sulistyani@uny.ac.id Konsep Dasar Alat deteksi sinar radioaktif atau sistem pencacah radiasi dinamakan detektor radiasi. Prinsip: Mengubah radiasi menjadi
Lebih terperinciPertemuan Ke-2 DIODA. ALFITH, S.Pd, M.Pd
Pertemuan Ke-2 DIODA ALFITH, S.Pd, M.Pd DIODA SEMIKONDUKTOR Resistor merupakan sebuah piranti linear karena grafik arus terhadap tegangan merupakan garis lurus. Berbeda dengan dioda. Dioda merupakan piranti
Lebih terperinciBAB IV DATA HASIL PENELITIAN
BAB IV DATA HASIL PENELITIAN 4.1. DATA KARAKTERISASI BAHAN BAKU Proses penelitian ini diawali dengan karakterisasi sampel batu besi yang berbentuk serbuk. Sampel ini berasal dari kalimantan selatan. Karakterisasi
Lebih terperinciBAB III METODE PELAKSANAAN. Metode penelitian yang dilakukan menggunakan eksperimen murni yang
25 BAB III METODE PELAKSANAAN Metode penelitian yang dilakukan menggunakan eksperimen murni yang dilakukan di laboratorium. Metode yang digunakan untuk penumbuhan film tipis LiTaO 3 adalah metode spin-coating.
Lebih terperinciModul 03: Catu Daya. Dioda, Penyearah Gelombang, dan Pembebanan. 1 Alat dan Komponen. 2 Teori Singkat. Reza Rendian Septiawan February 11, 2015
Modul 03: Catu Daya Dioda, Penyearah Gelombang, dan Pembebanan Reza Rendian Septiawan February, 205 Dalam dunia elektronika, salah satu komponen yang paling penting adalah catu daya. Sebagian besar komponen
Lebih terperinciGambar V.3 (a). Spektra FTIR dan (b). Difraktogram XRD material hasil sintesis (dengan variasi perbandingan molar Fe 3+ /Fe 2+ pada T = 60ºC dan
DAFTAR TABEL Tabel II.1 Jenis-jenis oksida besi berdasarkan komposisi penyusunnya (Schwertmann dan Cornell, 2000)... 8 Tabel III.1. Indikator capaian setiap tahapan penelitian untuk membuktikan hipotesis...
Lebih terperinci5.1. Junction transistor. Bagian 5 KARAKTERISTIK TRANSISTOR. Transistor Open-Circuit
5.1. Junction transistor Bagian 5 KARAKTERISTIK TRANSISTOR Transistor Open-Circuit Elektronika 1 49 Irwan Arifin 2004 Transistor terbias pada daerah aktif (active region) Elektronika 1 50 Irwan Arifin
Lebih terperinciDAFTAR ISI. PERNYATAAN BEBAS PLAGIARISME... ii. HALAMAN PENGESAHAN... iii. HALAMAN TUGAS... iv. HALAMAN PERSEMBAHAN... v. HALAMAN MOTO...
ix DAFTAR ISI PERNYATAAN BEBAS PLAGIARISME... ii HALAMAN PENGESAHAN... iii HALAMAN TUGAS... iv HALAMAN PERSEMBAHAN... v HALAMAN MOTO... vi KATA PENGANTAR... vii DAFTAR ISI... ix DAFTAR TABEL... xiii DAFTAR
Lebih terperinciSTUDI PARAMETER PADA DIODA P-N
DOI: https://doi.org/1.4853/elektum.14.1.5-58 e-issn : 55-678 STUDI PARAMETER PADA DIODA P-N Fadliondi Universitas Muhammadiyah Jakarta e-mail: fadliondi@yahoo.com Abstrak Operasi divais semikonduktor
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Graphene merupakan susunan atom-atom karbon monolayer dua dimensi yang membentuk struktur kristal heksagonal menyerupai sarang lebah. Graphene memiliki sifat
Lebih terperinciBAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN. 4.1 Korosi Baja Karbon dalam Lingkungan Elektrolit Jenuh Udara
BAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN 4.1 Korosi Baja Karbon dalam Lingkungan Elektrolit Jenuh Udara Untuk mengetahui laju korosi baja karbon dalam lingkungan elektrolit jenuh udara, maka dilakukan uji korosi dengan
Lebih terperinci2 SINTESIS DAN KARAKTERISASI NANOSTRUKTUR ZnO
2 SINTESIS DAN KARAKTERISASI NANOSTRUKTUR ZnO 3 Pendahuluan ZnO merupakan bahan semikonduktor tipe-n yang memiliki lebar pita energi 3,37 ev pada suhu ruang dan 3,34 ev pada temperatur rendah dengan nilai
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Ketersediaan sumber energi merupakan masalah yang harus segera diselesaikan oleh masing-masing negara termasuk Indonesia. Untuk itu perlu dikembangkan suatu teknologi
Lebih terperinciBAB IV ANALISIS DAN PEMBAHASAN 4.2 DATA HASIL ARANG TEMPURUNG KELAPA SETELAH DILAKUKAN AKTIVASI
39 BAB IV ANALISIS DAN PEMBAHASAN 4.1 PENDAHULUAN Hasil eksperimen akan ditampilkan pada bab ini. Hasil eksperimen akan didiskusikan untuk mengetahui keoptimalan arang aktif tempurung kelapa lokal pada
Lebih terperinciGambar 4.2 Larutan magnesium klorida hasil reaksi antara bubuk hidromagnesit dengan larutan HCl
BAB 4 HASIL PENELITIAN DAN PEMBAHASAN 4.1 Sintesa Garam Magnesium Klorida Garam magnesium klorida dipersiapkan melalui dua bahan awal berbeda yaitu bubuk magnesium oksida (MgO) puritas tinggi dan bubuk
Lebih terperinci2016 PEMODELAN ARUS TEROBOSAN PADA TRANSISTOR DWIKUTUB N-P-N ARMCHAIR GRAPHENE NANORIBBON (AGNR) MENGGUNAKAN METODE MATRIKS TRANSFER
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Alat-alat elektronik sudah menjadi pelengkap kehidupan manusia. Di dalamnya terdapat berbagai macam divais elektronik yang tersusun sehingga memiliki fungsinya tersendiri.
Lebih terperinciPENGARUH KONDISI ANNEALING TERHADAP PARAMETER KISI KRISTAL BAHAN SUPERKONDUKTOR OPTIMUM DOPED DOPING ELEKTRON Eu 2-x Ce x CuO 4+α-δ
Proseding Seminar Nasional Fisika dan Aplikasinya Sabtu, 21 November 2015 Bale Sawala Kampus Universitas Padjadjaran, Jatinangor PENGARUH KONDISI ANNEALING TERHADAP PARAMETER KISI KRISTAL BAHAN SUPERKONDUKTOR
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. Keterangan Gambar 7 : 1. Komputer 2. Ocean Optic USB 2000 Spektrofotometer
7 Keterangan Gambar 7 : 1. Komputer 2. Ocean Optic USB 2000 Spektrofotometer 3. Sumber Cahaya (Polikromatis) 4. Fiber Optik 5. Holder 6. Samp 7. Gambar 7 Perangkat spektrofotometer UV-VIS. Karakterisasi
Lebih terperinciBab 1 Bahan Semikonduktor. By : M. Ramdhani
Bab 1 Bahan Semikonduktor By : M. Ramdhani Tujuan instruksional : Mengerti sifat dasar sebuah bahan Memahami konsep arus pada bahan semikonduktor Memahami konsep bahan semikonduktor sebagai bahan pembentuk
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. energi listrik. Pemanfaatan energi listrik terus berkembang tidak hanya berfokus
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Seiring pertumbuhan penduduk di dunia yang semakin meningkat, kebutuhan akan sumber energi meningkat pula. Termasuk kebutuhan akan sumber energi listrik. Pemanfaatan
Lebih terperinciPEMBENTUKAN LAPISAN TIPIS TiC MENGGUNAKAN METODE PIRAC : OKSIDASI PADA 980 o C DI UDARA
PEMBENTUKAN LAPISAN TIPIS TiC MENGGUNAKAN METODE PIRAC : OKSIDASI PADA 980 o C DI UDARA Penyusun: Dian Agustinawati 1110.100.061 Dosen Pembimbing: Prof. Dr. Suasmoro, DEA Jurusan Fisika Fakultas Matematika
Lebih terperinciBAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN. hal ini memiliki nilai konduktifitas yang memadai sebagai komponen sensor gas
31 BAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN Sintesis material konduktor ionik MZP, dilakukan pada kondisi optimum agar dihasilkan material konduktor ionik yang memiliki kinerja maksimal, dalam hal ini memiliki nilai
Lebih terperinciBab 1. Semi Konduktor
Bab 1. Semi Konduktor Operasi komponen elektronika benda padat seperti dioda, LED, Transistor Bipolar dan FET serta Op-Amp atau rangkaian terpadu lainnya didasarkan atas sifat-sifat semikonduktor. Semikonduktor
Lebih terperinci2014 PEMBUATAN BILAYER ANODE - ELEKTROLIT CSZ DENGAN METODE ELECTROPHORETIC DEPOSITION
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Kebutuhan listrik dunia semakin meningkat seiring berjalannya waktu. Hal ini tentu disebabkan pertumbuhan aktivitas manusia yang semakin padat dan kebutuhan
Lebih terperinci1. Semikonduktor intrinsik : bahan murni tanpa adanya pengotor bahan lain. 2. Semikonduktor ekstrinsik : bahan mengandung impuritas dari bahan lain
1. Semikonduktor intrinsik : bahan murni tanpa adanya pengotor bahan lain 2. Semikonduktor ekstrinsik : bahan mengandung impuritas dari bahan lain Adalah Semikonduktor yang terdiri atas satu unsur saja,
Lebih terperinciSKRIPSI Disusun dalam rangka penyelesaian Studi Strata 1 untuk memperoleh gelar Sarjana Fisika S1. Oleh: NUR AMIN NIM JURUSAN FISIKA
ANALISIS SIFAT LISTRIK PERSAMBUNGAN M-S-M PADA FILM TIPIS Al x Ga 1-x N YANG DITUMBUHKAN DI ATAS SUBSTRAT SILIKON (111) DENGAN METODE DC MAGNETRON SPUTTERING SKRIPSI Disusun dalam rangka penyelesaian Studi
Lebih terperinciBAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN
BAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN 4.1. INDIKASI FASA PADA SETIAP LAPISAN INTERMETALIK Berdasarkan hasil SEM terhadap H13 yang telah mengalami proses pencelupan di dalam Al-12Si cair, terlihat dalam permukaan
Lebih terperinciPROSES PELAPISAN SERBUK Fe-50at.%Al PADA BAJA KARBON DENGAN PENAMBAHAN Cr MELALUI METODA PEMADUAN MEKANIK SKRIPSI
PROSES PELAPISAN SERBUK Fe-50at.%Al PADA BAJA KARBON DENGAN PENAMBAHAN Cr MELALUI METODA PEMADUAN MEKANIK SKRIPSI Oleh ARI MAULANA 04 04 04 010 Y SKRIPSI INI DIAJUKAN UNTUK MELENGKAPI SEBAGIAN PERSYARATAN
Lebih terperinci