METODOLOGI PENELITIAN
|
|
- Hartanti Cahyadi
- 7 tahun lalu
- Tontonan:
Transkripsi
1 PEMBUATAN DIODA DARI BAHAN LAPIS TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN MELALUI METODE PENGUAPAN (VACUUM DEPOSITION) Ahmad Mulia Rambe Abstrak: Telah dilakukan pembuatan Dioda Schottky yang berstruktur kontak logam-semikonduktor. Bahan yang digunakan sebagai substrat adalah grafit. Semikonduktor yang digunakan sebagai source adalah CdTe. Dan sebagai dopant adalah logam In dan Al sedangkan sebagai kontak pembentukan dioda digunakan Al. Alat yang digunakan untuk menumbuhkan lapisan tipis semikonduktor CdTe dan penguapan logam In dan Al adalah vacuum tinggi Edward coating System E306 A yang kevakumannya dapat mencapai sekitar 0-5 Torr. Karakteristik deviasi yang dipabrikasi dilakukan dengan pengukuran arus tegangan (I-V) dan pengukuran kapasitansi tegangan (C-V). Dari pengukuran arus- tegangan (I-V) diperoleh harga arus nstursdi (Is) sebesar A, harga ketinggian penghalang (φ BN ) adalah 0,9eV, faktor idealitas dioda jauh lebih besar dari harga ideal yaitu n > 0. Dari pengukuran kapasitansi tegangan (C-V) diperoleh harga tegangan difusi (Vbi) adalah 0,89V, harga konsentrasi donor (N D ) adalah cm -3, dan harga ketebalan lapisan deplesi (W) adalah 0,8μm. PENDAHULUAN Perkembangan elektronika saat ini maju sangat pesat dan menjadi tulang punggung dalam dunia modernisasi. Kemajuan yang sangat cepat terjadi setelah ditemukannya komponen semikonduktor (zat padat) yang memberikan banyak sifat-sifat listrik yang unik yang hampir dapat memecahkan semua persoalan elektronika. Dengan ditemukannya semikonduktor maka komponen menjadi sangat ringan, sangat kompak, dan persatuan luas mempunyai kepadatan rangkaian yang sangat tinggi, misalnya pada rangkaian terpadu (IC) yang terdapat dalam perangkat komputer. Pada saat ini telah dikenal banyak semikonduktor, diantaranya adalah Silikon, Germanium, GaAs, CdS, CdTe, dan lain sebagainya. Cadmium Telluride (CdTe) merupakan suatu semikonduktor paduan (compound semiconcutor) dari golongan IIB (Cd) dan VIA (Te) dalam tabel unsur-unsur periodik yang menurut teori dapat dibuat dalam bentuk konduktivitas tipe-n dan tipe-p. Semikonduktor CdTe mempunyai sejumlah besar penggunaan dalam alat optoelektronika, foto detektor, laser CO daya tinggi dan solar sell. Dalam penelitian ini semikonduktor yang digunakan adalah CdTe. Hal ini karena penggunaan CdTe lebih menguntungkan dibandingkan bahan semikonduktor lainnya. Dan juga biaya memproduksi lapisan tipis CdTe jauh lebih murah CdTe mempunyai harga celah energi yang cukup ideal, dan juga mempunyai koefisien absorbsi yang tinggi sehingga sangat tepat bila digunakan sebagai bahan untuk solar sell. Pembuatan dioda dari lapisan tipis CdTe yang berstruktur logasemikonduktor, kontak logam-semikonduktor adalah merupakan divais yang memiliki satu jenis pembawa dominan yang terjadi dalam proses konduksi. Dalam teknologi pembuatan lapisan tipis semikonduktor dikenal berbagai metode penumbuhan antara lain: metode Chemical Vapour Deposition (CVD), metode Penguapan (Vacuum Deposition), metode Plasma Deposition, metode Molecular Beam Epitay (MBE), dan lain sebagainya. METODOLOGI PENELITIAN Metodologi ini menjelaskan prosedur penelitian yang dilakukan secara bertahap yang dimulai dari pemotongan substrat, pemolesan substrat, pembersihan/pengeringan substrat, pembuatan masker holder (tempat dudukan substrat), pembuatan masker pembentuk dioda, proses penguapan, dan diakhiri dengan karakterisasi dioda yang terbentuk, yaitu karakterisasi C V. HASIL PENGUKURAN DAN ANALISIS Dari semua cuplikan yang dihasilkan, hanya dua cuplikan yang memenuhi sebagai sebuah dioda, yaitu cuplikan I dan cuplikan II yang terdiri dari 3 buah dioda dengan masing-masing diameter dioda 3 mm, mm, dan mm. Pada tabel ditampilkan hasil cuplikan I dan cuplikan II, sedangkan hasil dari cuplikan lainnya ditampilkan pada lembar lampiran. 89
2 Jurnal Sistem Teknik Industri Volume 6 No. April 005 Tabel. Dioda hasil dari cuplikan I dan cuplikan II Tahap Nama Dopant Pemb. dioda Lama Temperatur Perlakuan Ket (menit) I I DALING ya I DALING - I DALING - 3 I DALING - 4 In A ya II II DALING II DALING - II DALING 3 II DALING - 4 A A ya Keterangan Tabel : ya = karakteristik dapat diukur = karakteristik belum dapat diukur I. Pengukuran Arus-Tegangan (I V) Dioda Schottky Pengukuran arus-tegangan (I V) Dioda Schottky pada temperatur kamar dilakukan untuk encari arus saturasi pada bias balik (reserve saturation current, I 0 ), harga ketinggian penghalang (barrier height, φ Bn ), dan faktor keidealan dioda dengan teori pada karakteristik dioda Schottky. Bila dioda Schottky diberi bias maju, hampir tidak ada arus mengalir sampai tegangan 0,5 volt, lewat harga ini, arus naik dengan cepat. Untuk harga V yang kecil harga arus hampir nol, ini disebabkan perkalian n dan p dalam CdTe kecil sehingga kadar pembawa minoritas sangat kecil. Akibatnya aras-aras tak murnian di daerah logam belum terisi penuh. Arasaras ini berfungsi sebagai penangkap elektron. Jadi setelah elektron-elektron menyeberang dari daerah semikonduktor tipe n ke logam, segera terjadi penangkapan dan tidak ada lagi elektron-elektron bebas untuk membawa arus. Aras-aras tersebut hanya menjadi terisi penuh bila jumlah elektron di pita konduksi daerah logam cukup banyak, dan ini akan terjadi pada harga V sekitar 0,6 volt. Baru pada harga tegangan ini ada persediaan elektron untuk hantaran. Tabel. Data hasil pengukuran arus-tegangan (I-V) dengan diameter 3 mm m V (volt) I (ma) (Diode s ideality factor, n) Data dari hasil pengukuran arus-tegangan untuk dioda I-DAILING- diameter 3 mm dapat dilihat pada Tabel, sedangkan data untuk dioda.5.0 yang lain masing-masing diameter 3 mm, mm, dan mm dapat dilihat pada lembar lampiran Dengan menggunakan hasil pengukuran pada Tabel, maka dapat dibuat kurva I-V. Dari kurva tersebut dapat ditentukan besar arus saturasi I I 0 didapat dengan mengektrapolasi kurva antara In I dengan V pada V = 0 sehingga sesuai dengan rumus I = I 0 pada V = Pada Gambar dapat dilihat bahwa kurva karakteristik I-V dioda Schottky hampir sesuai Dari Tabel. dapat dilihat bahwa dioda Schottky yang dhasilkan belumlah dioda ideal, karena terlihat dari gambar besar arus baru sebesar,8 ma pada tegangan volt, yang diperkirakan diakibatkan oleh besarnya hambatan seri dioda tersebut. Sehingga h arga n juga jauh lebih besar dari harga ideal n-. Selain hal itu yang menyebabkan harga n sangat besar, antara lain adalah adanya lapisan oksida dipermukaan sampel. Sebagai contoh untuk dioda I DALING- dengan diameter 3 mm, harga n dapat diperoleh sebagai berikut: 90
3 Pembuatan Dioda dari Bahan Lapis Tipis CdTe yang Ditumbuhkan Melalui Metode Penguapan (Vacuum Deposition) Dari Gambar dapat dilihat persamaan garis kurva In I V yaitu: In I =,466 V 9, jika V = 0 maka ln I = -9,9594, maka I = e -9,95 jadi diperoleh harga -5 I = I 0 4,73 0 A. Perhitungan di atas adalah untuk dioda I=DALING- dengan diameter 3 mm sedangkan untuk dioda yang lain masing-masing diameter, harga I 0 dapat dilihat pada Tabel 4.3. Sebagai perbandingan maka sebuah dioda yang ada di pasaran dengan tipe N4006 juga telah diukur di mana diperoleh harga arus saturasi I 0 = 9, A. Dan secara jelas dapat dilihat pada lampiran 3, bahwa untuk dioda N4006 terlihat pada tegangan volt besar arus adalah sebesar,36 ampere. Sedangkan pada dioda Schottly lapisan tipis CdTe ini pada tegangan volt besar arus,80 ma. Sehingga dengan jelas dapat dilihat dari gambar kurva katrakteristiknya, di mana untuk dioda N4006 arus naik dengan cepat mulai tegangan volt sedangkan pada dioda Schottky lapisan tipis CdTe yang dibuat baru pada tegangan 5 volt arus naik dengan cepat. Tabel 3. Harga arus saturasi untuk masing-masing dioda Dioda Diameter (mm) I 0 (A) I-DALING- 3 4,730-5,880-5, ,90-5 4, ,30 II-DALING- 3,60 0-5,800-6,840-9 Untuk mencari harga faktor keidealan dioda (n) maka dipakai cara sebagai berikut. Untuk dioda I- DALING- diameter 3 mm pada harga V = 5 volt diperoleh I = 75, A menurunkan harga resistansi yang besar di mana hal ini terutama disebabkan oleh adanya lapisan oksida pada lapisan dioda. Tab el 4 harga n untuk dioda yang diperoleh dari perhitungan Dioda Diam eter (mm) N I-DALING- 3 5,85 8,7 9,0 I-DALIN G ,8 5,6 34,60 II-DALING- 3 39,4 34,36 6,68 Dari harga n yang diperoleh untuk semua dioda yang dihasilkan sangatlah jauh dari harga n yang ideal yaitu. Dioda yang dihasilkan hanya dapat digunakan untuk divais dengan daya tinggi (high p ower diode). Dari harga I 0 dapat juga dihitung ketinggian penghalang (φ Bn ). dapat dicari ketinggian penghalang ( barrier height, φ Bn ) yaitu: φ (kt/q) In {(A * T )/I 0 } φ Bn = {(, ) (300)/,6 0-9 } In {(, 0 6 ) (300) /(4, )} φ 0,058 In, ev φ Bn = Bn = Bn = 0,9 ev Perhitungan di atas adalah untuk dioda I- DALING- diameter 3 mm sedangkan untuk dioda yang lain dapat dilihat pada Tabel 3.5. Dari pengukuran terhadap dioda N4006 Tabel 5 Nilai ketinggian penghalang yang diperoleh dari perhitungan Maka persamaan ditulis: In (I/I 0 ) = (qv/nkt) In (75,300-3 /4, ) = {n (, ) (300 K)) } In 4706,5 = { (8,0 0-9 )/( n)} (8,46) (n) (44 0-3) = 8,0 0-9 n = { (8,0 0-9 )/(350, )} n =, 85 Untuk dioda N4006 diperoleh harga n yang sangat ideal yaitu,0. Sedangkan harga n untuk dioda yang lain dapat dilihat pada Tabel 4. Dari sini jelas bahwa dioda yang dibuat ini masih jauh dari kesempurnaan khususnya untuk Dioda Diameter (mm) I-DALING- 3 II-DALING- 3 φ Bn 0,9 0,9 0,94 0,9 0,96,0 0,94,00,7 9
4 Jurnal Sistem Teknik Industri Volume 6 No. April 005 Pengukuran Kapasitansi-Tegangan (C V) Dioda Schottky Pengukuran kapasitansi-tegangauntuk mencari besarnya konsentr asi donor (donor dilakukan concentration, N D ), h arga tegangan difusi (built-in voltage, V bi ), dan lebar daerah deplesi (region depletion width, W). Hasil pengukuran kapasitansi-tegangan untuk dioda I-DALING- dengan diameter 3 mm dapat dilihat pada Tabel 4.6, sedangkan data untuk dioda yang lain dapat dilihat pada lembar lampiran. Dengan menggunakan data dari Tabel 4.6 dapat dibuat kurva hubungan antara /C dengan V, seperti yang diperlihatkan pada Gambar 3.3 untuk dioda I-DALING- diameter 3 mm. Dari kurva /C dengan V terlihat bahwa perpotongan antara kurva dengan sumbu tegangan (V) terlihat bahwa perpotongan antara kurva dengan sumbu tegangan (V) jika kurva diinterpolasikan, menunjukkan harga tegangan difusi (V bi ). Misalnya untuk dioda I-DALING- d iameter 3 mm akan diperoleh harga tegangan difusi 0,89 volt dan untuk dioda yang lain dapat dilihat pada Tabel 6. Tabel 6. Data hasil pengukuran Kapasitansi-Tegangan dioda Schottky V (Volt) C (nf) V (volt) /C Sedangkan untuk dioda N4006 diperoleh harga tegangan difusi V bi 0,75 volt. 8 Tabel 7 Harga tegangan difusi untuk masing- masing dioda Dioda Diameter (mm) V (volt) bi I-DALING- 3 0,89 0,9 0,95 3,36 3,5 3,09 II-DALING- 3 8,35 6,9 33,5 Secara teori bahwa untuk dioda yang baik (mempunyai tahanan seri yang rendah sehingga d apat diabaikan), tinggi penghalang seharusnya tidak akan berbeda lebih d ari beberapa elektro volt dengan nilai tegangan difusi, kalaupun tidak persis sama, hal ini juga terbukti dari dioda N4006 di mana diperoleh harga tegangan difusi yang sebanding dengan tinggi penghala ng. Sedangkan untuk dioda y ang dihasilkan masih jauh dari kesempurnaan khususnya untuk dioda I-DALING-3 dan terutama sekali untuk dioda II-DALING- di mana diperoleh harga tahanan seri dari dioda tersebut. Hal lain yang menyebabkan kurva /C V terjadi penyimpangan adalah konsentrasi doping yang belum merata pada 9
5 Pembuatan Dioda dari Bahan Lapis Tipis CdTe yang Ditumbuhkan Melalui Metode Penguapan (Vacuum Deposition) semikonduktor dan adanya celah (ruang kosong) di dalam lapisan tipis tersebut. Selanjutnya lebar lapisan deplesi (W) dapat dihitung dengan menggunakan persamaan: W = ( ε / q N )( V ) s Sedangkan untuk mencari harga konsentrasi donor (N D ) dapat diperoleh dengan mengambil slope kurva /C dengan V, sbb : Slope = /(ε s q N D A ) Untuk dioda DALING dengan diameter 3 mm 8 diperoleh harga slope (S) adalah 0,045 0 (/F.V), sehingga N D dapat dihitung. N D = /(ε s q S A ) N D = /{(9, 6) ( ) ( ) ( ) (49,90-4 ) N D =,8 cm Dalam Tabel 3.8. terlihat harga ND untuk masingmasing dioda. Dan untuk dioda N4006 diperoleh harga konsentr mbawa adalah 6, asi pe cm. Tabel 8. Harga dari ND untuk masing-masing dioda Dioda Diameter (mm) N D (cm -3 ) I-DALING- 3, 8 0 6, 4 0 6, , 9 0 5, 0 5 3, II-DALING- 3 0, , , Sehingga harga lebar deplesi (W) diperoleh: 4 3 W = ( 5,739 0 )/ ( 4,58 0 ) D { } W = 33,588 0 cm W = 0,8 μm Perhitungan di atas adalah untuk dioda I-DALING- dengan diameter 3 mm, sedangkan untuk dioda yang lain dan untuk masing-masing diameter dapat dilihat p ada Tabel 3.9. Dioda N4006 diperoleh harga W s ebesar 0, μm. bi Tabel 9 Harga lebar lapisan deplesi untuk masing-masing dioda Dioda Diameter (mm) W (μm) I-DALING- 3 0,8 0,5 0, 0,85,30,0 II-DALING Harga ketinggian penghalang (φ Bn ) yang diperoleh dari pengukuran I-V dengan harga tegangan difusi yang diperoleh dari pengukuran C-V untuk dioda I- DAILING- tidak jauh berbeda tetapi untuk dioda yang lain jauh berbeda. Hal ini disebabkan antara lain oleh adanya lapisan oksida pada permukaan sampel, adanya celah (ruang kosong) pada lapisan tipis dan juga doping yang tidak berdifusi secara merata pada sem ikonduktor CdTe yang diketahui dari harga resistansi yang besar. Timbulnya lapisan oksida ini kemungkinan besar muncul sewaktu alat sistem pelapisan lama sebelum lapisan berikutnya dilakukan, juga sewaktu proses perlakuan panas yang dilakukan pada ruang tekanan atm yang memberikan peluang besar untuk timbulnya lapisan oksida pada permukaan sampel. KESIMPULAN Setelah penelitian tentang pembuatan dioda dari lapisan tipis CdTe yang ditumbuhkan dengan metode Penguapan, maka hal-hal yang dapat diutarakan sebagai kesimpulan dari penelitian tersebut adalah sebagai berikut:. Harga n yang diperoleh dari pengukuran arustegangan (I-V) jauh dari harga n ideal, di mana harga ideal adalah sedangkan dalam penelitian ini diperoleh n antara Hal ini disebabkan oleh besarnya harga resistansi seri dioda tersebut.. Tingi penghalang (φ Bn) untuk dioda I-DALING diperoleh 0,9 ev tidak jauh berbeda dengan harga tegangan difusi (V bi ) yang besarnya 0,89 volt. Hal ini bersesuaian dengan harga yang diperoleh untuk dioda N4006 di mana φ Bn diperoleh 0,89 ev dan harga V bi adalah 0,75 volt. Tetapi untuk dioda -DALING-3 dan II- DALING- diperoleh harga V bi yang jauh lebih besar dari harga φ Bn. Di mana harga φ Bn untuk dioda -DALING-3 diperoleh 0,9 ev sedangkan harga V bi sebesar 3,36 volt dan untuk dioda II-DALING harga φ Bn diperoleh 0,94 ev sedangkan harga V bi diperoleh 8,35 volt. Hal ini juga disebabkan oleh harga resistansi seri dioda tersebut yang terlalu besar, menyebabkan 93
6 Jurnal Sistem Teknik Industri Volume 6 No. April 005 terjadinya penyimpangan pengukuran kapasitansi. 3. Temperatur dan lamanya perlakuan panas sangat mempengaruhi untuk memperoleh dioda yang baik. Dioda yang baik maksudnya mempunyai tahanan seri yang rendah sehingga dapat diabaikan. DAFTAR PUSTAKA Kitel C. Introduction to Solid State Physics, fifth edition. New Delhi: Wiley Eastern Limited. Fonash, J. Stephen. 98. Solar Cell Device Physics. Academic Press, Inc. Ginting, Masno Laporan Pengembangan Lapisan Tipis CdTe untuk Bahan Solar Cell dan Sensor Infra Merah. Puslitbang Fisika Terapan. Reka Rio,S. dan Masamori, Iida Fisika dan Teknologi Semikonduktor. Jakarta: Pradnya Paramita. Rhoderich, E.H Metal-Semiconduct or Contacs. Oford : Claredon Press. Cyril Hilsum. 97. Handbook on Semiconductors, Device Physics Volume 4. Oford. Richard Dalven. Introduction to Applied Solid State Physics. New Y ork and London: Plenium Press. Physics Journal of the Indonesian Physical Society, Vol. I, Nuber I, 996. M orosanu, C.E Thin Films by Chemical Vapour Deposition. Vol. 7 Elsevier. 94
BAB IV PERHITUNGAN & ANALSIS HASIL KARAKTERISASI XRD, EDS DAN PENGUKURAN I-V MSM
BAB IV PERHITUNGAN & ANALSIS HASIL KARAKTERISASI XRD, EDS DAN PENGUKURAN I-V MSM Pada bab sebelumnya telah diperlihatkan hasil karakterisasi struktur kristal, morfologi permukaan, dan komposisi lapisan.
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban manusia di abad ini. Sehingga diperlukan suatu kemampuan menguasai teknologi tinggi agar bisa
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini terlihat dari banyaknya komponen semikonduktor yang digunakan disetiap kegiatan manusia.
Lebih terperinciDioda Semikonduktor dan Rangkaiannya
- 2 Dioda Semikonduktor dan Rangkaiannya Missa Lamsani Hal 1 SAP Semikonduktor tipe P dan tipe N, pembawa mayoritas dan pembawa minoritas pada kedua jenis bahan tersebut. Sambungan P-N, daerah deplesi
Lebih terperinciDIODA. Program Studi S1 Informatika ST3 Telkom Purwokerto
DIODA Pertemuan ke-vii Program Studi S1 Informatika ST3 Telkom Purwokerto Tujuan Pembelajaran Setelah mengikuti kuliah ini mahasiswa mampu: Menjelaskan cara kerja dan karakteristik dioda Menjelaskan jenis
Lebih terperinciKarakterisasi XRD. Pengukuran
11 Karakterisasi XRD Pengukuran XRD menggunakan alat XRD7000, kemudian dihubungkan dengan program dikomputer. Puncakpuncak yang didapatkan dari data pengukuran ini kemudian dicocokkan dengan standar difraksi
Lebih terperinciANALISIS LANJUTAN. Tingkat Energi & Orbit Elektron. Pita Energi Semikonduktor Intrinsik. Pita Energi Pada Semikonduktor Ter-Doping
Tingkat Energi & Orbit Elektron ANALISIS LANJUTAN Pita Energi Semikonduktor Intrinsik Pita Energi Pada Semikonduktor Ter-Doping Elektronika 1 23 Irwan Arifin 2004 P-N Junction Elektronika 1 24 Irwan Arifin
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Komponen elektronika seperti diode, transistor dan sebuah IC. semikonduktor. Pada zaman sekarang perkembangan piranti elektronika
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Komponen elektronika seperti diode, transistor dan sebuah IC (integrated circuit) merupakan elemen-elemen yang terbuat dari semikonduktor. Pada zaman sekarang
Lebih terperinciSTRUKTUR CRISTAL SILIKON
BANDGAP TABEL PERIODIK STRUKTUR CRISTAL SILIKON PITA ENERGI Pita yang ditempati oleh elektron valensi disebut Pita Valensi Pita yang kosong pertama disebut : Pita Konduksi ISOLATOR, KONDUKTOR DAN SEMIKONDUKTOR
Lebih terperinciModul - 4 SEMIKONDUKTOR
Modul - 4 SEMIKONDUKTOR Disusun Sebagai Materi Pelatihan Guru-Guru SMA/MA Provinsi Nangro Aceh Darussalam Disusun oleh: Dr. Agus Setiawan, M.Si Dr. Dadi Rusdiana, M.Si Dr. Ida Hamidah, M.Si Dra. Ida Kaniawati,
Lebih terperinciPERTEMUAN 2 TEORI DASAR (DIODA)
PERTEMUAN 2 TEORI DASAR (DIODA) PENGERTIAN DIODA Dioda merupakan komponenelektronikayang mempunyai dua elektroda(terminal), dapat berfungsi sebagai penyearah arus listrik. Dioda merupakanjunction ( pertemuan
Lebih terperinciSEMIKONDUKTOR oleh: Ichwan Yelfianhar dirangkum dari berbagai sumber
SEMIKONDUKTOR oleh: Ichwan Yelfianhar dirangkum dari berbagai sumber Pengertian Umum Bahan semikonduktor adalah bahan yang bersifat setengah konduktor karena celah energi yang dibentuk oleh struktur bahan
Lebih terperinciSemikonduktor. Sifat. (ohm.m) Tembaga 1,7 x 10-8 Konduktor Silikon pd 300 o K 2,3 x 10 3 Semikonduktor Gelas 7,0 x 10 6 Isolator
Semikonduktor Definisi I: Bahan yang memiliki nilai hambatan jenis (ρ) antara konduktor dan isolator yakni sebesar 10 6 s.d. 10 4 ohm.m Perbandingan hambatan jenis konduktor, semikonduktor, dan isolator:
Lebih terperinciHomogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-si:h tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 8, NOMOR JANUARI 202 Homogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-si:h tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Spektrum elektromagnetik yang mampu dideteksi oleh mata manusia
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar belakang Spektrum elektromagnetik yang mampu dideteksi oleh mata manusia berada dalam rentang spektrum cahaya tampak yang memiliki panjang gelombang dari 400 900 nm. Sedangkan
Lebih terperinciBAB II TINJAUAN PUSTAKA
BAB II TINJAUAN PUSTAKA Material semikonduktor adalah material yang memiliki konduktivitas listrik diantara konduktor dan isolator (10-8 S/cm < σ < 10 4 S/cm), σ adalah konduktivitas. Konduktivitas material
Lebih terperinciBagian 4 Karakteristik Junction Dioda
Bagian 4 Karakteristik Junction Dioda Junction Diode Switching Times Pada saat keadaan dioda berubah dari kondisi reverse-biased ke kondisi forward-biased, terdapat transien (proses peralihan) pada respon
Lebih terperinciMODUL 1 KULIAH SEMIKONDUKTOR
MODUL 1 KULIAH SMIKONDUKTOR I.1. LOGAM, ISOLATOR dan SMIKONDUKTOR. Suatu bahan zat padat apabila dikaitkan dengan kemampuannya dalam menghantarkan arus listrik, maka bahan zat padat dibedakan menjadi tiga
Lebih terperinciSATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH / KODE : SISTEM FABRIKASI & DEVAIS MIKROELEKTRONIKA / AK SEMESTER / SKS : VIII / 2
SATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH / KODE : SISTEM FABRIKASI & DEVAIS MIKROELEKTRONIKA / AK041217 SEMESTER / SKS : VIII / 2 Pertemuan Pokok Bahasan dan TIU Ke 1 Konsep mekanika quntum dan fisika benda
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. disamping memberikan dampak positif yang dapat. dirasakan dalam melakukan aktifitas sehari hari, juga dapat memberikan beberapa
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Pada saat ini pembangunan mengalami pertumbuhan yang sangat pesat, seperti pembangunan fisik kota, industri dan transportasi. Pada pertumbuhan pembangunan tersebut
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi energi listrik DC secara langsung. Sel surya telah diaplikasikan dalam berbagai bidang, salah
Lebih terperinciModul 03: Catu Daya. Dioda, Penyearah Gelombang, dan Pembebanan. 1 Alat dan Komponen. 2 Teori Singkat. Reza Rendian Septiawan February 11, 2015
Modul 03: Catu Daya Dioda, Penyearah Gelombang, dan Pembebanan Reza Rendian Septiawan February, 205 Dalam dunia elektronika, salah satu komponen yang paling penting adalah catu daya. Sebagian besar komponen
Lebih terperinciDAFTAR ISI. ABSTRAK... i. KATA PENGANTAR... ii. UCAPAN TERIMA KASIH... iii. DAFTAR ISI... v. DAFTAR GAMBAR... viii. DAFTAR SINGKATAN DAN LAMBANG...
DAFTAR ISI ABSTRAK... i KATA PENGANTAR... ii UCAPAN TERIMA KASIH... iii DAFTAR ISI... v DAFTAR GAMBAR... viii DAFTAR SINGKATAN DAN LAMBANG... x BAB I PENDAHULUAN... 1 1.1 Latar Belakang... 1 1.2 Rumusan
Lebih terperinciSATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH : DEVAIS MIKROELEKTRONIKA* (Ujian Utama) KODE MK / SKS : KK / 3
SATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH : DEVAIS MIKROELEKTRONIKA* (Ujian Utama) KODE MK / SKS : KK-041345 / 3 Minggu Pokok Bahasan Ke Dan TIU 1 Konsep mekanika quntum dan fisika benda padat 2 Fenomena elektron
Lebih terperinci1. PUTRI RAGIL N ( ) 2. ADITH PRIYO P ( ) 3. DISTYAN PUTRA A S ( )
PHOTO DIODE 1. PUTRI RAGIL N (1101134381) 2. ADITH PRIYO P (1101130055) 3. DISTYAN PUTRA A S (1101134377) BENTUK FISIK DIODA FOTO PHOTO DESKRIPSI DIODE KONSTRUKSI / BAHAN PRINSIP KERJA TIPE / JENIS KARAKTERISTI
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. pembuatan piranti optoelektronika yang berkualitas tinggi.
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Sejak ditemukannya silikon (Si) dan germanium (Ge) sebagai material semikonduktor, berbagai penelitian dilakukan untuk memperoleh material semikonduktor lain
Lebih terperinciBab 1. Semi Konduktor
Bab 1. Semi Konduktor Operasi komponen elektronika benda padat seperti dioda, LED, Transistor Bipolar dan FET serta Op-Amp atau rangkaian terpadu lainnya didasarkan atas sifat-sifat semikonduktor. Semikonduktor
Lebih terperinciTK 2092 ELEKTRONIKA DASAR
TK 2092 ELEKTRONIKA DASAR MATERI : DIODA Gita Indah Hapsari TK2092 Elektronika Dasar END Materi 6 : Dioda Memberikan pengetahuan dasar mengenai beberapa hal berikut : 1. Karakteristik Dioda 2. Jenis Dioda
Lebih terperinciKarakteristik dan Rangkaian Dioda. Rudi Susanto
Karakteristik dan Rangkaian Dioda Rudi Susanto 1 Pengantar tentang Dioda Resistor merupakan sebuah piranti linier karena arus berbanding terhadap tegangan. Dalam bentuk grafik, grafik arus terhadap tegangan
Lebih terperinciSTUDI PARAMETER PADA DIODA P-N
DOI: https://doi.org/1.4853/elektum.14.1.5-58 e-issn : 55-678 STUDI PARAMETER PADA DIODA P-N Fadliondi Universitas Muhammadiyah Jakarta e-mail: fadliondi@yahoo.com Abstrak Operasi divais semikonduktor
Lebih terperinciKARAKTERISASI TiO 2 (CuO) YANG DIBUAT DENGAN METODA KEADAAN PADAT (SOLID STATE REACTION) SEBAGAI SENSOR CO 2
KARAKTERISASI TiO 2 (CuO) YANG DIBUAT DENGAN METODA KEADAAN PADAT (SOLID STATE REACTION) SEBAGAI SENSOR CO 2 Hendri, Elvaswer Jurusan Fisika FMIPA Universitas Andalas Kampus Unand, Limau Manis, Padang,
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia Tenggara. Sebagai negara berkembang, Indonesia melakukan swasembada diberbagai bidang, termasuk
Lebih terperinciBab 1 Bahan Semikonduktor. By : M. Ramdhani
Bab 1 Bahan Semikonduktor By : M. Ramdhani Tujuan instruksional : Mengerti sifat dasar sebuah bahan Memahami konsep arus pada bahan semikonduktor Memahami konsep bahan semikonduktor sebagai bahan pembentuk
Lebih terperinciKRISTAL SEMIKONDUKTOR
KRISTAL SEMIKONDUKTOR Semikonduktor merupakan bahan dengan konduktivitas listrik yang berada diantara isolator dan konduktor. Disebut semi atau setengah konduktor, karena bahan ini memang bukan konduktor
Lebih terperinciBAB 2 TINJAUAN PUSTAKA
BAB 2 TINJAUAN PUSTAKA 2.1. LED (Light Emitting Diode) LED (Light Emitting Diode) adalah dioda yang memancarkan cahaya jika diberi tegangan tertentu. LED terbuat dari bahan semikonduktor tipe-p (pembawa
Lebih terperinciPengaruh Optis Kontak Belakang terhadap Parameter Optis Lapisan a-si:h
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 8, NOMOR 2 JUNI 2012 Pengaruh Optis Kontak Belakang terhadap Parameter Optis Lapisan a-si:h Ismail dan Eddy Yahya Jurusan Fisika-FMIPA, Institut Teknologi Sepuluh Nopember
Lebih terperinciELEKTRONIKA. Bab 2. Semikonduktor
ELEKTRONIKA Bab 2. Semikonduktor DR. JUSAK Konduktor Konduktor adalah sebuah bahan/elemen yang mempunyai kemampuan menghantarkan listrik. Salah satu contoh bahan koduktor adalah tembaga. Nukleus atom tembaga
Lebih terperinciAtom silikon dan germanium masingmempunyai empat elektron valensi. Oleh karena itu baik atom silikon maupun atom germanium disebut juga dengan atom
Mata Kuliah Pertemuaan Pokok Bahasan Waktu : Elektronika Analog : I : Bahan Semikonduktor : 2x55 menit Berdasarkan sifat hantantaran listrik bahan dapat dibagi atas 3 jenis yaitu: bahan yang tidak dapat
Lebih terperinci5.1. Junction transistor. Bagian 5 KARAKTERISTIK TRANSISTOR. Transistor Open-Circuit
5.1. Junction transistor Bagian 5 KARAKTERISTIK TRANSISTOR Transistor Open-Circuit Elektronika 1 49 Irwan Arifin 2004 Transistor terbias pada daerah aktif (active region) Elektronika 1 50 Irwan Arifin
Lebih terperinciMAKALAH PITA ENERGI. Di susun oleh, Pradita Ajeng Wiguna ( ) Rombel 1. Untuk Memenuhi Tugas Mata Kuliah Fisika dan Teknologi Semikonduktor
MAKALAH PITA ENERGI Untuk Memenuhi Tugas Mata Kuliah Fisika dan Teknologi Semikonduktor Di susun oleh, Pradita Ajeng Wiguna (4211412011) Rombel 1 JURUSAN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN
Lebih terperinci1. Perpotongan antara garis beban dan karakteristik dioda menggambarkan: A. Titik operasi dari sistem B. Karakteristik dioda dibias forward
1. Perpotongan antara garis beban dan karakteristik dioda menggambarkan: A. Titik operasi dari sistem B. Karakteristik dioda dibias forward C. Karakteristik dioda dibias reverse D. Karakteristik dioda
Lebih terperinciTransistor Efek Medan - Field Effect Transistor (FET)
Transistor Efek Medan - Field Effect Transistor (FET) Jenis lain dari transitor adalah Field effect Transistor. Perbedaan utama antara BJT dengan FET adalah pada pengontrol kerja dari transistor tersebut.
Lebih terperinci1. Semikonduktor intrinsik : bahan murni tanpa adanya pengotor bahan lain. 2. Semikonduktor ekstrinsik : bahan mengandung impuritas dari bahan lain
1. Semikonduktor intrinsik : bahan murni tanpa adanya pengotor bahan lain 2. Semikonduktor ekstrinsik : bahan mengandung impuritas dari bahan lain Adalah Semikonduktor yang terdiri atas satu unsur saja,
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. kita terima bahwa pemakaian energi berbahan dasar dari fosil telah menjadi salah
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Menipisnya cadangan energi fosil di Indonesia dan kenyataan yang harus kita terima bahwa pemakaian energi berbahan dasar dari fosil telah menjadi salah satu
Lebih terperinciTUGAS AKHIR. Secara garis besar dari tugas-tugas yang telah dikerjakan dapat dibuat rangkuman sebagai berikut :
PRASETYO NUGROHO 132 96 015 TUGAS AKHIR DEVAIS ELEKTRONIKA TUGAS AKHIR Secara garis besar dari tugas-tugas yang telah dikerjakan dapat dibuat rangkuman sebagai berikut : Metode Desain Devais Mikroelektronika
Lebih terperinciLAPORAN EKSPERIMEN FISIKA 2 FOTOKONDUKTIVITAS. Zudah Sima atul Kubro G DEPARTEMEN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
LAPORAN EKSPERIMEN FISIKA 2 FOTOKONDUKTIVITAS Rekan Kerja : 1. Aah Nuraisah 2. Mutiara Khairunnisa 3. Dedeh Nurhayati Zudah Sima atul Kubro G74120023 Asisten : Pramudya Wardhani (G74110008) Dadi Irawan
Lebih terperinciSATUAN ACARA PERKULIAHAN TEKNIK ELEKTRO ( IB) MATA KULIAH / SEMESTER : TEKNOLOGI SEMIKONDUKTOR / 5 KODE MK / SKS / SIFAT: IT / 3 SKS / MK LOKAL
SATUAN ACARA PERKULIAHAN TEKNIK ELEKTRO ( IB) MATA KULIAH / SEMESTER : TEKNOLOGI SEMIKONDUKTOR / 5 KODE MK / SKS / SIFAT: IT041257 / 3 SKS / MK LOKAL Pertemuan ke Pokok Bahasan dan TIU (Tujuan Instruksional
Lebih terperinciPembuatan Sel Surya Film Tipis dengan DC Magnetron Sputtering
Pembuatan Sel Surya Film Tipis dengan DC Magnetron Sputtering Desty Anggita Tunggadewi 1, Fitria Hidayanti 1 1 Program Studi Teknik Fisika, Fakultas Teknik dan Sains, Universitas Nasional dtunggadewi@yahoo.co.id,
Lebih terperinciPertemuan Ke-2 DIODA. ALFITH, S.Pd, M.Pd
Pertemuan Ke-2 DIODA ALFITH, S.Pd, M.Pd DIODA SEMIKONDUKTOR Resistor merupakan sebuah piranti linear karena grafik arus terhadap tegangan merupakan garis lurus. Berbeda dengan dioda. Dioda merupakan piranti
Lebih terperinciTransistor Bipolar. III.1 Arus bias
Transistor Bipolar Pada tulisan tentang semikonduktor telah dijelaskan bagaimana sambungan NPN maupun PNP menjadi sebuah transistor. Telah disinggung juga sedikit tentang arus bias yang memungkinkan elektron
Lebih terperinciTeori Semikonduktor. Elektronika (TKE 4012) Eka Maulana. maulana.lecture.ub.ac.id
Teori Semikonduktor Elektronika (TKE 4012) Eka Maulana maulana.lecture.ub.ac.id Content Konduktor Semikonduktor Kristal silikon Semikonduktor Intrinsik Jenis aliran Doping semikonduktor Doping ekstrinsik
Lebih terperinciPROFIL GERMANIUM SEGIEMPAT PADA TRANSISTOR BIPOLAR SILIKON-GERMANIUM
JETri, Volume 1, Nomor 2, Februari 2002, Halaman 41-48, ISSN 1412-0372 PROFIL GERMANIUM SEGIEMPAT PADA TRANSISTOR BIPOLAR SILIKON-GERMANIUM E. Shintadewi Julian Dosen Jurusan Teknik Elektro-FTI, Universitas
Lebih terperinciPERKEMBANGAN SEL SURYA
PERKEMBANGAN SEL SURYA Generasi Pertama Teknologi pertama yang berhasil dikembangkan oleh para peneliti adalah teknologi yang menggunakan bahan silikon kristal tunggal. Teknologi ini dalam mampu menghasilkan
Lebih terperinciPENDAHULUAN. Di dalam modul ini Anda akan mempelajari Kristal Semikonduktor yang mencakup:
PENDAHULUAN Di dalam modul ini Anda akan mempelajari Kristal Semikonduktor yang mencakup: kristal semikonduktor intrinsik dan kristal semikonduktor ekstrinsik. Oleh karena itu, sebelum mempelajari modul
Lebih terperinciMateri 3: Teori Dioda
Materi 3: Teori Dioda I Nyoman Kusuma Wardana Sistem Komputer STMIK STIKOM Bali Outline Rangkaian dioda dasar Kurva umum dioda Tegangan kaki (knee) Hambatan bulk Current Limiting Diode Disipasi Daya Karakteristik
Lebih terperinciGambar 2.1. Struktur dua dimensi kristal silikon. Ion r (Å) Ion r (Å) Ti 4+ 0,68 Ti 4+ 0,68. Zr 4+ 0,79 Zr 4+ 0,79. Nb 5+ 0,69 Fe 3+ 0,67
2 oksigen. Sebagian besar unsur bebas silikon tidak ditemukan di alam. Oleh karena itu, silikon dihasilkan dengan mereduksi kuarsa dan pasir dengan karbon yang berkualitas tinggi. Silikon untuk pengunaan
Lebih terperinciDioda-dioda jenis lain
Dioda-dioda jenis lain Dioda Zener : dioda yang dirancang untuk bekerja dalam daerah tegangan zener (tegangan rusak). Digunakan untuk menghasilkan tegangan keluaran yang stabil. Simbol : Karakteristik
Lebih terperinciBAB III METODE PELAKSANAAN. Metode penelitian yang dilakukan menggunakan eksperimen murni yang
25 BAB III METODE PELAKSANAAN Metode penelitian yang dilakukan menggunakan eksperimen murni yang dilakukan di laboratorium. Metode yang digunakan untuk penumbuhan film tipis LiTaO 3 adalah metode spin-coating.
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. modern pada fotokonduktor ultraviolet (UV) membutuhkan material
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Pengembangan material semikonduktor tidak lepas dari perkembangan piranti elektronik diantaranya fotokonduktor ultraviolet (UV). Tuntutan aplikasi modern pada
Lebih terperinciTransistor Bipolar. oleh aswan hamonangan
Transistor Bipolar oleh aswan hamonangan Pada tulisan tentang semikonduktor telah dijelaskan bagaimana sambungan NPN maupun PNP menjadi sebuah transistor. Telah disinggung juga sedikit tentang arus bias
Lebih terperinciPENGARUH FILTER WARNA KUNING TERHADAP EFESIENSI SEL SURYA ABSTRAK
PENGARUH FILTER WARNA KUNING TERHADAP EFESIENSI SEL SURYA ABSTRAK Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh filter warna kuning terhadap efesiensi Sel surya. Dalam penelitian ini menggunakan metode
Lebih terperinciLAPORAN PRAKTIKUM III DAN IV KARAKTERISTIK DIODA DAN TRANSFORMATOR
LAPORAN PRAKTIKUM III DAN IV KARAKTERISTIK DIODA DAN TRANSFORMATOR Disusun untuk Memenuhi Matakuliah Elektronika Dibimbing oleh Bapak I Made Wirawan, S.T., S.S.T, M.T. Asisten Praktikum: Muhammad Arif
Lebih terperinciGambar 3.1 Struktur Dioda
1 1. TEORI DASAR Dioda ialah jenis VACUUM tube yang memiliki dua buah elektroda. Dioda tabung pertama kali diciptakan oleh seorang ilmuwan dari Inggris yang bernama Sir J.A. Fleming (1849-1945) pada tahun
Lebih terperincistruktur dua dimensi kristal Silikon
PRINSIP DASAR Semikonduktor merupakan elemen dasar dari komponen elektronika seperti dioda, transistor dan sebuah IC (integrated circuit). Disebut semi atau setengah konduktor, karena bahan ini memang
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini mengalami peralihan dari teknologi mikro (microtechnology) ke generasi yang lebih kecil yang dikenal
Lebih terperinciPERBEDAAN EFISIENSI DAYA SEL SURYA ANTARA FILTER WARNA MERAH, KUNING DAN BIRU DENGAN TANPA FILTER
PERBEDAAN EFISIENSI DAYA SEL SURYA ANTARA FILTER WARNA MERAH, KUNING DAN BIRU DENGAN TANPA FILTER Oleh: Muhammad Anwar Widyaiswara BDK Manado ABSTRAK Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui perbedaan
Lebih terperinciTEORI DASAR. 2.1 Pengertian
TEORI DASAR 2.1 Pengertian Dioda adalah piranti elektronik yang hanya dapat melewatkan arus/tegangan dalam satu arah saja, dimana dioda merupakan jenis VACUUM tube yang memiliki dua buah elektroda. Karena
Lebih terperinciELEKTRONIKA. Materi 4 : Fisika Semikonduktor. Oleh: I Nyoman Kusuma Wardana
ELEKTRONIKA Materi 4 : Fisika Semikonduktor Oleh: I Nyoman Outline Konduktor Inti atom Elektron bebas Semikonduktor Atom silikon Ikatan kovalen Penyatuan valensi Hole Rekombinasi & lifetime Semikonduktor
Lebih terperinciPENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se 0,4 Te 0,6 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM
Pengaruh Suhu Substrat...(Vina Hentri Tunita N.)288 PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se 0,4 Te 0,6 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM THE EFFECT OF SUBSTRATE
Lebih terperinciNur hidayat dan Ariswan
PENGARUH TEMPERATUR TERHADAP RESISTANSI BAHAN KONDUKTOR Al, Cu dan SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS Pb(Se,Te), CdTe HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI TERMAL THE EFFECT OF THE TEMPERATURE HEATING TO THE
Lebih terperinciDIODA DAYA (Power Diode)
DIODA DAYA (Power Diode) andihasad@yahoo.com TEKNIK ELEKTRO (D-3) UNIVERSITAS ISLAM 45 BEKASI Dioda Daya Vs Dioda Sinyal 15A 30A 50A 80A 160A 400A 1000A Perbedaan dioda daya dibandingkan dioda sinyal pn-junction
Lebih terperinciTidak Pengujian Rangkaian Termometer Digital BAB IV. HASIL DAN PEMBAHASAN Hasil Karakterisasi
15 Program ini yang nantinya akan mengolah tegangan analog dari sensor menjadi sebuah kode-kode digital. Hasil pengolahan data dari ADC tersebut ditampilkan pada layar LCD untuk pengukuran suhu dalam bentuk
Lebih terperinciSTUDI KELAYAKAN PENGGUNAAN SEL SILIKON SEBAGAI PENGUBAH ENERGI MATAHARI MENJADI ENERGI LISTRIK
STUDI KELAYAKAN PENGGUNAAN SEL SILIKON SEBAGAI PENGUBAH ENERGI MATAHARI MENJADI ENERGI LISTRIK Walfred Tambuhan, Maksi Ginting, Minarni Jurusan Fisika FMIPA Universitas Riau walfred_tambunan yahoo.com
Lebih terperinciSTUDI KELAYAKAN PENGGUNAAN SEL SILIKON SEBAGAI PENGUBAH ENERGI MATAHARI MENJADI ENERGI LISTRIK
STUDI KELAYAKAN PENGGUNAAN SEL SILIKON SEBAGAI PENGUBAH ENERGI MATAHARI MENJADI ENERGI LISTRIK Walfred Tambuhan, Magsi Ginting, Minarni, Purnama Jurusan Fisika FMIPA Universitas Riau walfred_tambunan yahoo.com
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Sebagian besar sumber energi yang dieksploitasi di Indonesia berasal dari energi fosil berupa
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Krisis energi merupakan masalah terbesar pada abad ini. Hal ini dikarenakan pesatnya pertumbuhan ekonomi dunia sehingga kebutuhan manusia akan sumber energi pun meningkat.
Lebih terperinciBAB II TINJAUAN PUSTAKA
BAB II TINJAUAN PUSTAKA 2.1. Barium Stronsium Titanat (Ba x Sr 1-x TiO 3 ) BST merupakan kombinasi dua material perovskit barium titanat (BaTiO) dan stronsium titanat (SrTiO). Pada kedudukan A, kisi ABO
Lebih terperinciPNPN DEVICES. Pertemuan Ke-15. OLEH : ALFITH, S.Pd, M.Pd
PNPN DEVICES Pertemuan Ke-15 OLEH : ALFITH, S.Pd, M.Pd 1 TRIAC TRIAC boleh dikatakan SCR adalah thyristor yang unidirectional, karena ketika ON hanya bisa melewatkan arus satu arah saja yaitu dari anoda
Lebih terperinciI. PENDAHULUAN. Lapisan tipis adalah suatu lapisan yang sangat tipis terbuat dari bahan organik,
I. PENDAHULUAN A. Latar Belakang Lapisan tipis adalah suatu lapisan yang sangat tipis terbuat dari bahan organik, inorganik, logam maupun campuran metal organik dan memiliki sifat-sifat konduktor, semikonduktor
Lebih terperinciBAB I 1 PENDAHULUAN. kemampuan mengubah bentuk radiasi cahaya menjadi sinyal listrik. Radiasi yang
BAB I 1 PENDAHULUAN 1.1 LATAR BELAKANG MASALAH Fotodiode merupakan sebuah peranti semikonduktor yang memiliki kemampuan mengubah bentuk radiasi cahaya menjadi sinyal listrik. Radiasi yang dapat diterima
Lebih terperinciMIKROELEKTRONIKA. Gejala Transport dalam Semikonduktor. D3 Teknik Komputer Universitas Gunadarma
MIKROELEKTRONIKA Gejala Transport dalam Semikonduktor D3 Teknik Komputer Universitas Gunadarma MOBILITAS & KONDUKTIVITAS Gambaran gas elektron dari logam Bagian yang gelap menyatakan bagian yang mempunyai
Lebih terperinci- Medan listrik yang terbentuk pada junction akan menolak carrier mayoritas.
Efek Photovoltaic Pada gambar 3.21 di atas terlihat bahwa untuk tegangan balik (bias mundur) yang besar, terdapat aliran arus mundur yang hampir konstan. Jika nilai tegangan sedikit diperkecil, barrier
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PERANCANGAN DAN PABRIKASI
BAB III METODOLOGI PERANCANGAN DAN PABRIKASI Dalam bab ini membahas tentang segala sesuatu yang berkaitan langsung dengan penelitian seperti: tempat serta waktu dilakukannya penelitian, alat dan bahan
Lebih terperinciAsisten : Robby Hidayat / Tanggal Praktikum :
MODUL 07 KARAKTERISASI LED OLEH IV-METER Devi Nurhanivah, Audia Faza I., Bram Yohanes S., Filipus Arie W, Hanandi Rahmad, Widya Hastuti 10212071, 10212079, 10212011, 10212051, 10212093, 10212068 Program
Lebih terperinciGambar 11. susunan dan symbol dioda. Sebagai contoh pemassangan dioda pada suatu rangkaian sebagai berikut: Gambar 12. Cara Pemasangan Dioda
4.4. Dioda Dioda atau diode adalah sambungan bahan p-n yang berfungsi terutama sebagai penyearah. Bahan tipe-p akan menjadi sisi anode sedangkan bahan tipe-n akan menjadi katode. Bergantung pada polaritas
Lebih terperinciSINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION
SINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION Yolanda Oktaviani, Astuti Jurusan Fisika FMIPA Universitas Andalas e-mail: vianyolanda@yahoo.co.id
Lebih terperinciBAB II LANDASAN TEORI
BAB II LANDASAN TEORI 2.1 Sistem Catu Daya / power supply Power supply adalah rangkaian elektronika yang berfungsi untuk memberikan tegangan listrik yang dibutuhkan oleh suatu rangkaian elektronika. Dalam
Lebih terperinciVERONICA ERNITA K. ST., MT. Pertemuan ke - 5
VERONICA ERNITA K. ST., MT Pertemuan ke - 5 DIODA SEMIKONDUKTOR Resistor merupakan sebuah piranti linear karena grafik arus terhadap tegangan merupakan garis lurus. Berbeda dengan dioda. Dioda merupakan
Lebih terperinciPENGARUH DAYA PLASMA PADA STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING
134 Prosiding Pertemuan Ilmiah XXIV HFI Jateng & DIY, Semarang 10 April 2010 hal. 134-138 PENGARUH DAYA PLASMA PADA STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING
Lebih terperinciPENGARUH SUHU SUBSTRAT PADA SIFAT-SIFAT LISTRIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS PbS, PbSe DAN PbTe HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK VAKUM EVAPORASI
Pengaruh Suhu Subtrat pada. (Iim Abdul Mufahir) 7 PEGARUH SUHU SUBSTRAT PADA SIFAT-SIFAT LISTRIK BAHA SEMIKODUKTOR LAPISA TIPIS PbS, PbSe DA PbTe HASIL PREPARASI DEGA TEKIK VAKUM EVAPORASI SUBSTRATE TEMPERATURE
Lebih terperinciBAB II TINJAUAN PUSTAKA
BAB II TINJAUAN PUSTAKA 2.1 Energi Matahari Matahari adalah salah satu contoh dari energi terbarukan (renewable energy) dan merupakan salah satu energi yang penting dalam kehidupan manusia. Berikut ini
Lebih terperinciBAHAN KULIAH FISIKA SEMIKONDUKTOR
BAHAN KULIAH FISIKA SEMIKONDUKTOR Bahan tertentu seperti germanium, silikon, karbon, dan sebagainnya adalah bukan sebagai konduktor seperti tembaga atau bukan sebagai isolator seperti kaca. Dengan kata
Lebih terperinciPHOTODETECTOR. Ref : Keiser
PHOTODETECTOR Ref : Keiser Detektor Silikon PIN Syarat foto detektor High response atau sensitifitas Noise rendah Respon cepat atau bandwidth lebar Tidak sensitif thd variasi suhu Kompatibel dgn fiber
Lebih terperinciSATUAN ACARA PERKULIAHAN UNIVERSITAS GUNADARMA
Mata Kuliah Kode / SKS Program Studi Fakultas : Elektronika Dasar : IT012346 / 3 SKS : Sistem Komputer : Ilmu Komputer & Teknologi Informasi 1 Pengenalan Komponen dan Teori Semikonduktor TIU : - Mahasiswa
Lebih terperinciMIXER. Ref : Kai Chang FAKULTAS TEKNIK ELEKTRO
MIXER Ref : Kai Chang 1 Dasar2 Mixer Pada dasarnya mixer adalah perangkat pentraslasi frek. Mixer sempurna mengalikan sinyal masukan dng sinyal sinusoida. Hasilnya adalah perkalian campuran yg terdiri
Lebih terperinciPENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL (µc Si:H) TIPE-P DENGAN METODE HOT WIRE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (HW-PECVD)
Bimafika, 2010, 2, 134-140 PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL (µc Si:H) TIPE-P DENGAN METODE HOT WIRE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (HW-PECVD) Marwah * FKIP Unversitas Darussalam
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Kebutuhan energi yang terus meningkat dan semakin menipisnya cadangan minyak bumi dan gas alam menjadi pendorong bagi manusia untuk mencari sumber energi alternatif.
Lebih terperinciKARAKTERISASI GaAs DENGAN PHOTOLUMINESCENCE LASER ARGON
KARAKTERISASI GaAs DENGAN PHOTOLUMINESCENCE LASER ARGON Surantoro Pendidikan Fisika PMIPA FKIP Universitas Sebelas Maret Surakarta. Jl. Ir. Sutami 36 A Kampus Kentingan Surakarta. ABSTRAK Penelitian tentang
Lebih terperinciSTUDI FOTODIODE FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR Ba 0,6 DIDADAH TANTALUM
Akreditasi LIPI Nomor : 536/D/2007 Tanggal 26 Juni 2007 STUDI FOTODIODE FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR Ba 0,6 DIDADAH TANTALUM ABSTRAK Irzaman Departemen Fisika FMIPA - IPB Kampus IPB Darmaga, Bogor 16680 STUDI
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Oksida konduktif transparan atau transparent conductive oxide (TCO)
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Oksida konduktif transparan atau transparent conductive oxide (TCO) adalah semikonduktor yang memiliki lebar celah pita energi antara 2,5 4,5 ev (Dengyuan, 2005).
Lebih terperinciBAB 1 PENDAHULUAN Latar Belakang
BAB 1 PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Memasuki abad 21, persediaan minyak dan gas bumi semakin menipis. Sementara kebutuhan akan energi semakin meningkat, terutama dirasakan pada negara industri. Kebuthan
Lebih terperinci