BAB II TINJAUAN PUSTAKA
|
|
- Hendri Salim
- 7 tahun lalu
- Tontonan:
Transkripsi
1 BAB II TINJAUAN PUSTAKA Material semikonduktor adalah material yang memiliki konduktivitas listrik diantara konduktor dan isolator (10-8 S/cm < σ < 10 4 S/cm), σ adalah konduktivitas. Konduktivitas material ini dapat divariasikan dengan merubah parameter eksternal (misalnya perubahan temperatur dan eksitasi optik) maupun internal (pemberian doping). Semikonduktor terdiri dari dua tipe yaitu semikonduktor elemental, contohnya golongan IVA (Si dan Ge), dan semikonduktor paduan (III-V dan II-VI). Konduktivitas listrik semikonduktor berhubungan dengan lebar celah pita energinya yang menentukan karakteristik listrik serta optik semikonduktor. 2.1 Semikonduktor Paduan III-Nitrida Material III-Nitrida adalah material semikonduktor paduan yang elemennya terdiri dari atom golongan III (seperti Al, Ga, dan In) dan nitrogen (N) yang berasal dari golongan V pada sistem periodik unsur. Misalnya AlN, GaN, dan InN. Dalam penggolongan semikonduktor paduan akan dikenal beberapa istilah, yaitu paduan binary, ternary, dan quarternary. Penamaan ini bergantung pada jumlah elemen yang menjadi komponen paduan. AlN, GaN, dan InN terdiri dari dua elemen sehingga disebut paduan binary. Selanjutnya, untuk paduan dengan tiga elemen disebut paduan ternary, misalnya Al x Ga 1-x N dan In x Ga 1-x N. Paduan yang terdiri dari empat elemen disebut quarternary, salah satu contohnya adalah In x Al y Ga 1-x-y N[1,2]. Material III-Nitrida memiliki sifat-sifat dasar yang berpotensi untuk diaplikasikan dalam piranti elektronik dan optoelektronik. Paduan ini memiliki struktur direct band gap serta dapat divariasikan berdasarkan fraksi molar komponen paduan tersebut. Misalnya pada material Al x Ga 1-x N, band gap paduan ternary ini dapat divariasikan antara 3.4 ev (x=0) hingga 6.2 ev (x=1) yang bersesuaian dengan panjang gelombang UV (λ nm). 5
2 Berdasarkan karakteristik tersebut, AlGaN tergolong material yang sangat berpotensi untuk diaplikasikan sebagai fotodetektor UV. Pengembangan paduan ternary dan III-Nitrida, khususnya AlGaN, bertujuan untuk menghasilkan semikonduktor dengan daerah kerja pada panjang gelombang UV yang spesifik. Misalnya, dengan membuat paduan AlGaN yang memiliki band gap sekitar 4.0 ev, diharapkan divais berbasis material tersebut memiliki daerah kerja pada panjang gelombang sekitar 310 nm. Perubahan band gap III-Nitrida dan III-As terhadap komposisi elemen dalam paduan ternary ditunjukkan pada gambar 2.1. Gambar 2.1 Perbandingan band gap paduan III-Nitrida terhadap konstanta kisi [S. Nakamura et al., Appl. Phys. Lett. 70, 1417(1997)] Dari gambar diatas diperlihatkan adanya perubahan band gap material paduan Al x Ga 1-x N serta memberikan informasi penting dalam penggunaan substrat penumbuhan material Al x Ga 1-x N. Pada penggunaan substrat silikon, ketidaksesuaian konstanta kisi antara substrat dan lapisan AlGaN akan semakin besar untuk fraksi molar Al (x) yang besar. Sehingga, penggunaan substrat Si untuk penumbuhan AlGaN akan memberikan konsekuensi sulit dihasilkan AlGaN dengan kualitas kristal yang tinggi untuk fraksi molar Al yang besar. 6
3 Pada dasarnya ternary AlGaN terdiri dari paduan binary GaN dan AlN. Proses penumbuhan paduan AlGaN merupakan usaha penggantian atom Ga pada paduan GaN dengan atom Al tanpa merubah struktur kristal GaN tersebut. Untuk memahami struktur kristal, sifat listrik, dan optik AlGaN, akan ditinjau beberapa sifat-sifat fisis dan kimia komponen penyusun paduan AlGaN Material GaN GaN memiliki dua struktur kristal yang stabil secara termodinamik, yaitu struktur zincblende (kubik) dan wurtzite (heksagonal). Struktur zincblende memiliki mobilitas pembawa muatan lebih tinggi dibandingkan dengan struktur wurtzite, akan tetapi struktur wurtzite memiliki keunggulan struktur yang lebih stabil pada temperatur tinggi dibandingkan dengan struktur zincblende. Jika ditinjau dari lebar celah energi, GaN dengan struktur wurtzite memiliki band gap 3.4 ev sedangkan GaN struktur zincblende (3,2-3,3 ev). Secara alami (undoped) GaN memiliki kerapatan elektron n cm -3 pada temperatur ruang. Donor dominan berasal dari kekosongan nitrogen [pankove et al.(1957)]. Resistivitas material GaN dapat meningkat secara dramatik dengan penambahan atom dari golongan II; elemen tersebut berperan sebagai akseptor yang menggantikan donor pada material GaN. Konsentrasi kekosongan nitrogen meningkat dengan adanya elemen dari golongan II [Monemar, Lagerstedt & Gislanson (1980)]. Gambar 2.2 GaN dengan struktur wurtzite. Parameter kisi a dan c terhadap temperatur untuk lapisan monolayer. [maruska dan Tietjen(1969)]. 7
4 Gambar2.2 memberikan informasi bahwa konstanta kisi a akan terekspansi secara linear terhadap peningkatan temperatur sedangkan konstanta kisi c terekpansi kuadratik terhadap perubahan temperatur. Melting point GaN pada temperatur C dan koefisien ekspansi termal sebesar 5.27 x10-6 K x10-6 K Material AlN Material AlN memiliki celah energi yang lebar (~6.2 ev), sifat ini menjadi potensi AlN untuk diaplikasikan dalam divais fotonik [8]. Sifat penting lainnya adalah efek pizoelektrik (ferroelektrik). Sifat ini menghasilkan polarisasi spontan pada material tanpa pemberian medan listrik. Efek piezoelektrik didefinisikan sebagai induksi tegangan yang berasal dari material akibat stress pada struktur kristalnya. Kristal material ini terdiri dari atom yang saling berbagi elektron, pada material ini terbentuk ikatan ionik dan kovalen. Karena elektron valensi digunakan bersama, maka kerapatan elektron pada seluruh bagian kristal tidak seragam dan terdapat dipol listrik yang periodik sesuai dengan periodisitas susunan atom. Pada umumnya, kristal material memiliki atom-atom yang terdistribusi merata sehingga penjumlahan dipol masing-masing atom saat keseimbangan termal adalah nol. Sedangkan pada material feroelektrik, pada kondisi seimbang termal memiliki penjumlahan dipol yang tidak nol. Kondisi ini terjadi diakibatkan stress (tekanan) pada kristal kisi yang menyebabkan munculnya strain (tegangan) didalam kristal, akibatnya terjadi perubahan posisi atau arah dipol individu tersebut. Hasil dari stress dalam susunan tersebut menghasilkan piezoelektrik. Kebalikan dari efek ini juga dapat diamati dengan memberikan medan listrik pada material piezoelektrik. 8
5 Gambar 2.3 Koefisien ekspansi termal AlN terhadap temperatur [Slack & Bartram (1975)]. Pada peninjauan sifat termal AlN, material ini lebih stabil dibanding GaN. Peninjauan ini dapat dilihat dari melting point AlN sebesar Koefisien ekspansi termal AlN lebih besar dibandingkan GaN (5.27 x10-6 K -1 ), oleh karena itu pada perlakuan termal tertentu kisi AlN akan terekspansi lebih besar dibandingkan GaN Material Al x Ga 1-x N Celah energi paduan ini berada diantara 3.2 hingga 6.2 ev, dengan kata lain berada diantara GaN dan AlN. Sifat kimia, listrik, dan optik material AlGaN merupakan paduan dari GaN dan AlN. Parameter utama pada paduan ternary ini adalah kebergantungan celah energi terhadap konsentrasi Al (x). Sistem paduan ini memberikan cakupan band gap yang luas dan sedikit perubahan konstanta kisi bagi material AlGaN. Ketergantungan komposisi terhadap konstanta kisi, direct band gap, dan sifat listrik dari paduan AlGaN telah diukur oleh Yoshida dkk. Band gap AlGaN dapat dihitung mengunakan persamaan empirik berikut: E ( x) = xe ( AlN) + (1 x) E ( GaN) bx(1 x), g dimana E g (GaN) = 3.4 ev, E g (AlN) = 6.2 ev, x adalah fraksi molar Al dan b adalah parameter bowing. Persamaan diatas menggambarkan fraksi mol Al berbanding lurus terhadap celah energi Al x Ga 1-x N dengan faktor koreksi oleh parameter bowing. g g 9
6 Material AlGaN juga memiliki sifat polarisasi yang berasal dari AlN. Dengan membangun struktur hetero antara GaN/AlGaN, pada daerah persambungan (interface) GaN/AlGaN terbentuk struktur kuantum well yang berfungsi sebagai perangkap elektron. Rapat elektron yang terjebak pada daerah persambungan GaN/AlGaN tinggi. Rapat elektron ini disebut two dimensional electron gas (2DEG). Gambar 2.4 Struktur pita pada daerah persambungan antara GaN/AlGaN [Ashif Khan et al (1992)]. Kerapatan pembawa muatan ini terbentuk tanpa adanya proses pendopingan pada AlGaN. 2DEG ini muncul akibat induksi polarisasi pembawa muatan pada daerah interface AlGaN/GaN. Material AlN menghasilkan polarisasi spontan (SP) sehingga AlGaN juga memiliki sifat tersebut. Paduan AlGaN juga memiliki konstanta piezoelektrik (seperti material AlN) yang menyebabkan terjadinya polarisasi piezoelektrik (PE) pada darah interface GaN/AlGaN (proses mengenai 2DEG tidak akan dibahas lebih lanjut pada laporan tugas akhir ini). Selanjutnya, GaN memberikan kontribusi terhadap sifat dasar yang menentukan material AlGaN menjadi semikonduktor tipe-n tanpa pemberian doping. Hal ini juga menjadi alasan bahwa AlGaN sulit didoping menjadi semikonduktor tipe-p. 10
7 2.2 Teori Fotodetektor (Pd) dengan Struktur MSM Pada sub bab ini akan diuraikan secara detail prinsip operasi Pd dengan struktur MSM yang dikhususkan pada material semikonduktor dengan tipe-n. Pertimbangan ini disesuaikan dengan eksperimen yang dilakukan yaitu pemanfaatan AlGaN dengan tipe-n Prinsip operasi MSM Pd MSM Pd terdiri dari dua kontak Schottky yang dideposisikan diatas semikonduktor. Prinsip operasinya adalah pemberian bias maju pada salah satu kontak dan bias mundur pada kontak lainnya. Seperti pada fotodetektor lainnya, divais ini mendeteksi foton dan mengubah fluks foton tersebut menjadi sinyal listrik. Foton yang memiliki energi lebih besar dari band gap semikonduktor akan diserap dan menyebabkan terjadinya generasi pasangan elektron-hole dimana jumlah pembawa muatan yang tergenerasi bergantung pada fluks foton. Dengan pemberian bias eksternal pada kontak, maka elektron pada pita konduksi dan hole pada pita valensi akan bergerak dengan arah yang berlawanan. Ada beberapa kondisi khusus yang dapat dicapai dan perlu diperhatikan pada divais dengan struktur MSM, yaitu: Kondisi daerah antar finger akan terdeplesi penuh jika bias yang diberikan melebihi tegangan flatband, kondisi flatband dapat dicapai jika jarak antar finger dibuat sangat kecil (1-3 µm). Kapasitansi dan resistansi kontak finger terhadap semikonduktor dapat dibuat kecil dengan mengoptimasi panjang dan lebar finger. Dark current dapat direduksi dengan cara meningkatkan tinggi barrier pada divais. Dark current disebut juga leakage atau kebocoran pembawa muatan ketika pemberian bias pada Schottky barrier tanpa penyinaran. Untuk meningkatkan barrier perlu dilakukan pemilihan metal dengan fungsi kerja yang lebih besar dibandingkan afinitas 11
8 elektron semikonduktor. Hal yang perlu diperhatikan, tinggi barrier sangat sensitif terhadap adanya pengotor, oleh karena itu perlu dilakukan proses pembersihan permukaan semikonduktor sebelum dideposisikan metal. Kecepatan divais dapat ditingkatkan dengan memperkecil jarak antar finger. Jika jarak elektroda dibuat kecil, maka waktu transit pembawa muatan dari satu elektroda ke elektroda lainnya akan berkurang, sehingga waktu respon intrinsik (waktu yang dibutuhkan pembawa muatan mencapai kontak) akan lebih cepat. Akan tetapi, untuk divais 2-D kecepatan juga bergantung pada ketebalan daerah arbsorbsi (daerah aktif) material. Untuk lebih jelasnya, skema MSM Pd-UV diperlihatkan pada gambar 2.5. metal L X W Semikonduktor metal Gambar 2.5 Skema MSM Pd dengan tiga finger metal, x adalah jarak antar finger, w adalah tebal finger, dan L adalah panjang finger. Jika x diperkecil, maka daerah aktif akan semakin sempit. Pada daerah aktif (daerah yang terkena sinar) yang sempit menyebabkan respon menurun. Dengan kata lain, kecepatan tinggi mungkin dicapai, akan tetapi memperkecil tingkat respon (generasi pembawa muatan) detektor akan menurun. 12
9 2.2.2 Parameter operasi MSM Pd Ada beberapa parameter penting yang akan mempengaruhi performa fotodetektor, yaitu dark current yang berhubungan dengan gangguan (noise) dan tingkat respon detektor. Selanjutnya akan dibahas satu-persatu parameter tersebut a Dark current Pada fotodetektor, dark current (J dark ) berhubungan dengan noise yang muncul. Semakin besar dark current maka noise pada detektor akan semakin besar. Dalam aplikasi divais optoelektronik, dark current harus direduksi untuk mendapatkan divais dengan performa yang baik. Performa divais berhubungan dengan presisi detektor tersebut. Gambar 2.6 memperlihatkan diagram energi dari MSM Pd ketika detektor diberi bias dan penyinaran, serta perbedaan komponen dark current dan photocurrent (J ph ). qδφ Bn E Fm J dark, n hv J ph, n E c qv E v J ph, p S J dark, p E Fm qδφ Bp (a) (b) Gambar 2.6 Diagram energi dari MSM PD (a) dibawah pengaruh penyinaran tanpa tegangan bias (b) dibawah pengaruh bias dan penyinaran, menunjukkan komponen dark current dan photocurrent. Dari gambar diatas terlihat bahwa dark current muncul ketika elektron dapat melewati barrier yang terbentuk pada persambungan metal dan semikonduktor. Dark current merupakan total arus hole dan elektron. Ilustrasi pada gambar 2.6 terdiri dari beberapa proses, yaitu : 13
10 Proses transpor pada MSM berbeda dengan dioda schottky tunggal (pemberian bias secara back to back) [8]. Proses transpor MSM terdiri dari beberapa kondisi, yaitu pada kondisi keseimbangan termal (tanpa pemberian bias pada temperatur ruang), tegangan bias (V) lebih kecil dari tegangan reachtrough (V RT ), tegangan bias lebih besar dari tegangan reachtrough hingga mencapai kondisi flat band, dan tegangan bias melebihi kondisi flat band. Kondisi tersebut akan diuraikan satu-persatu: Keseimbangan termal (tanpa pemberian bias). Distribusi muatan pada kondisi keseimbangan termal MSM PD dengan semikonduktor tipe-n diperlihatkan pada gambar 2.7. N d adalah konsentrasi ionisasi impuritas. Gambar 2.7 (a) Skema diagram struktur MSM, (b) distribusi muatan, (c) medan listrik, (d) diagram energi pada saaat keseimbangan termal. 14
11 φbn1 dan Bn2 φ adalah tinggi barrier untuk elektron, φ Bp1 dan φbp2 adalah tinggi barrier untuk hole. V bi1 dan Vbi2 berturut-turut adalah potensial built-in pada kontak 1 dan 2. Untuk struktur MSM yang simetri (menggunakan kontak metal yang sama) φ φ = φ Bn1 = Bn2 Bn dan q Bn1 + qφbn2 = Eg φ. Kondisi V < V RT V RT adalah tegangan bias pada saat daerah aktif terdeplesi penuh (kedua daerah deplesi bersentuhan). Kondisi ini dapat dicapai jika divais MSM memiliki jarak antar kontak finger yang sangat kecil (1-3 µm). pada gambar 2.8 diperlihatkan Distribusi muatan, medan listrik, dan sifat pita energi dibawah pengaruh bias yang rendah (V RT ). qn D S (a) w1 w2 E m2 x1 x2 E m1 (b) qφ Bn1 qφ Bp1 qv 1 q( V bi + 1) 1 V q( V ) bi 2 + V2 x1 x2 qv qφ Bn2 qφ + q( V 2) Bp2 bi2 V S (c) Gambar 2.8 (a) distribusi muatan, (b) medan listrik, (c) diagram energi dibawah pengaruh bias (negatif bias pada kontak 1). 15
12 kontak 1 dengan tegangan negatif (katoda) dan kontak 2 dengan tegangan positif (anoda). qv1 adalah beda tingkat energi fermi kontak 1 terhadap tingkat fermi semikonduktor; qv2 adalah beda tinggat energi fermi kontak 2 terhadap tingkat enegi fermi semikonduktor. Arus hole berasal dari emisi termionik hole dari anoda, hole terinjeksi dan berdifusi dari x 2 ke x 1 yang menjadi total arus hole. Arus hole jauh lebih kecil dibandingkan arus elektron karena barrier untuk hole ( + ) φ lebih tinggi dibandingkan Bp 2 V bi 1 V2 barrier elektron. Oleh karena itu arus yang dominan adalah arus saturasi elektron. Kondisi V > V RT. Dengan meningkatkan tegangan bias, maka daerah deplesi pada katoda dan anoda akan mengecil. Penjumlahan dari daerah deplesi merupakan jarak antar kontak W 1 + W 2 = s, seperti yang diperlihatkan pada gambar 2.9. Pada kondisi ini, medan listrik akan kontinu secara linear dari x = 0 hingga x = s. Gambar 2.9 Kondisi reach-through (a) distribusi medan listrik (b) diagram pita energi. 16
13 Gambar 2.10 Kondisi flatband (a) distribusi medan listrik (b) diagram energi. Jika tegangan terus ditingkatkan setelah mencapai tegangan reach-through, maka medan maksimumnya adalah nol (seperti pada gambar 2.10), kondisi ini dinamakan flat band (V FB ). Kondisi V > V FB Pada kondisi ini terjadi fenomena yang disebut breakdown voltage V BD. Kondisi ini merupakan tegangan maksimum yang diberikan pada divais MSM untuk diaplikasikan sebagai fotodetektor. Proses terobosan elektron melalui barrier dari metal menuju semikonduktor. Mekanika terobosan merupakan parameter penting untuk semikonduktor dengan doping tinggi, pemberian bias tinggi, dan dioperasikan pada temperatur rendah. Generasi pada daerah daerah deplesi (space-charge). Generasi pada derah netral. Generasi pembawa muatan pada daerah forbidden bandgap [4]. Proses ini terjadi akibat adanya lapisan interface pada persambungan metal dengan kontak. Pada kondisi kontak Schottky ideal tidak terbentuk lapisan interfasial diantara metal dan semikonduktor. Akan tetapi, lapisan tipis oksida biasanya terbentuk diantara metal dan semikonduktor yang menyebabkan adanya trap state. Jika lapisan interfasial sangat tipis, dibawah pengaruh medan listrik yang sangat tinggi dimungkinkan terjadi 17
14 proses terobosan yang memberi tambahan arus pada dark current. Akhirnya peningkatan dark current mengakibatkan kebocoran arus dari kontak metal dan daerah sekitar medan listrik diujung elektroda meningkat [6-7]. Pemahaman tentang dark current pada divais MSM sangatlah penting untuk memprediksikan daerah kerja divais tersebut. Selain itu, dark current adalah sumber munculnya noise pada detektor. Semakin besar noise yang muncul akan mengakibatkan penurunan kepresisian divais. 18
BAB IV PERHITUNGAN & ANALSIS HASIL KARAKTERISASI XRD, EDS DAN PENGUKURAN I-V MSM
BAB IV PERHITUNGAN & ANALSIS HASIL KARAKTERISASI XRD, EDS DAN PENGUKURAN I-V MSM Pada bab sebelumnya telah diperlihatkan hasil karakterisasi struktur kristal, morfologi permukaan, dan komposisi lapisan.
Lebih terperinciModul - 4 SEMIKONDUKTOR
Modul - 4 SEMIKONDUKTOR Disusun Sebagai Materi Pelatihan Guru-Guru SMA/MA Provinsi Nangro Aceh Darussalam Disusun oleh: Dr. Agus Setiawan, M.Si Dr. Dadi Rusdiana, M.Si Dr. Ida Hamidah, M.Si Dra. Ida Kaniawati,
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Spektrum elektromagnetik yang mampu dideteksi oleh mata manusia
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar belakang Spektrum elektromagnetik yang mampu dideteksi oleh mata manusia berada dalam rentang spektrum cahaya tampak yang memiliki panjang gelombang dari 400 900 nm. Sedangkan
Lebih terperinciKarakterisasi XRD. Pengukuran
11 Karakterisasi XRD Pengukuran XRD menggunakan alat XRD7000, kemudian dihubungkan dengan program dikomputer. Puncakpuncak yang didapatkan dari data pengukuran ini kemudian dicocokkan dengan standar difraksi
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. modern pada fotokonduktor ultraviolet (UV) membutuhkan material
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Pengembangan material semikonduktor tidak lepas dari perkembangan piranti elektronik diantaranya fotokonduktor ultraviolet (UV). Tuntutan aplikasi modern pada
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban manusia di abad ini. Sehingga diperlukan suatu kemampuan menguasai teknologi tinggi agar bisa
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini terlihat dari banyaknya komponen semikonduktor yang digunakan disetiap kegiatan manusia.
Lebih terperinciSTRUKTUR CRISTAL SILIKON
BANDGAP TABEL PERIODIK STRUKTUR CRISTAL SILIKON PITA ENERGI Pita yang ditempati oleh elektron valensi disebut Pita Valensi Pita yang kosong pertama disebut : Pita Konduksi ISOLATOR, KONDUKTOR DAN SEMIKONDUKTOR
Lebih terperinciBab 1 Bahan Semikonduktor. By : M. Ramdhani
Bab 1 Bahan Semikonduktor By : M. Ramdhani Tujuan instruksional : Mengerti sifat dasar sebuah bahan Memahami konsep arus pada bahan semikonduktor Memahami konsep bahan semikonduktor sebagai bahan pembentuk
Lebih terperinciBAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI
BAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI Pada bab ini dibahas penumbuhan AlGaN tanpa doping menggunakan reaktor PA- MOCVD. Lapisan AlGaN ditumbuhkan dengan variasi laju alir gas reaktan, hasil penumbuhan dikarakterisasi
Lebih terperinciSemikonduktor. Sifat. (ohm.m) Tembaga 1,7 x 10-8 Konduktor Silikon pd 300 o K 2,3 x 10 3 Semikonduktor Gelas 7,0 x 10 6 Isolator
Semikonduktor Definisi I: Bahan yang memiliki nilai hambatan jenis (ρ) antara konduktor dan isolator yakni sebesar 10 6 s.d. 10 4 ohm.m Perbandingan hambatan jenis konduktor, semikonduktor, dan isolator:
Lebih terperinciKARAKTERSASI STRUKTUR DAN SIFAT LISTRIK MSM BERBASIS MATERIAL ALGaN YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE PA-MOCVD
KARAKTERSASI STRUKTUR DAN SIFAT LISTRIK MSM BERBASIS MATERIAL ALGaN YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE PA-MOCVD TUGAS AKHIR Diajukan sebagai salah satu syarat memperoleh gelar sarjana di Program Studi Fisika
Lebih terperinciMAKALAH PITA ENERGI. Di susun oleh, Pradita Ajeng Wiguna ( ) Rombel 1. Untuk Memenuhi Tugas Mata Kuliah Fisika dan Teknologi Semikonduktor
MAKALAH PITA ENERGI Untuk Memenuhi Tugas Mata Kuliah Fisika dan Teknologi Semikonduktor Di susun oleh, Pradita Ajeng Wiguna (4211412011) Rombel 1 JURUSAN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN
Lebih terperinciBAB I 1 PENDAHULUAN. kemampuan mengubah bentuk radiasi cahaya menjadi sinyal listrik. Radiasi yang
BAB I 1 PENDAHULUAN 1.1 LATAR BELAKANG MASALAH Fotodiode merupakan sebuah peranti semikonduktor yang memiliki kemampuan mengubah bentuk radiasi cahaya menjadi sinyal listrik. Radiasi yang dapat diterima
Lebih terperinci1. Semikonduktor intrinsik : bahan murni tanpa adanya pengotor bahan lain. 2. Semikonduktor ekstrinsik : bahan mengandung impuritas dari bahan lain
1. Semikonduktor intrinsik : bahan murni tanpa adanya pengotor bahan lain 2. Semikonduktor ekstrinsik : bahan mengandung impuritas dari bahan lain Adalah Semikonduktor yang terdiri atas satu unsur saja,
Lebih terperinciBAB II TINJAUAN PUSTAKA
BAB II TINJAUAN PUSTAKA 2.1. Barium Stronsium Titanat (Ba x Sr 1-x TiO 3 ) BST merupakan kombinasi dua material perovskit barium titanat (BaTiO) dan stronsium titanat (SrTiO). Pada kedudukan A, kisi ABO
Lebih terperinciELEKTRONIKA. Bab 2. Semikonduktor
ELEKTRONIKA Bab 2. Semikonduktor DR. JUSAK Konduktor Konduktor adalah sebuah bahan/elemen yang mempunyai kemampuan menghantarkan listrik. Salah satu contoh bahan koduktor adalah tembaga. Nukleus atom tembaga
Lebih terperinciDAFTAR ISI. ABSTRAK... i. KATA PENGANTAR... ii. UCAPAN TERIMA KASIH... iii. DAFTAR ISI... v. DAFTAR GAMBAR... viii. DAFTAR SINGKATAN DAN LAMBANG...
DAFTAR ISI ABSTRAK... i KATA PENGANTAR... ii UCAPAN TERIMA KASIH... iii DAFTAR ISI... v DAFTAR GAMBAR... viii DAFTAR SINGKATAN DAN LAMBANG... x BAB I PENDAHULUAN... 1 1.1 Latar Belakang... 1 1.2 Rumusan
Lebih terperinciDioda Semikonduktor dan Rangkaiannya
- 2 Dioda Semikonduktor dan Rangkaiannya Missa Lamsani Hal 1 SAP Semikonduktor tipe P dan tipe N, pembawa mayoritas dan pembawa minoritas pada kedua jenis bahan tersebut. Sambungan P-N, daerah deplesi
Lebih terperinciMODUL 1 KULIAH SEMIKONDUKTOR
MODUL 1 KULIAH SMIKONDUKTOR I.1. LOGAM, ISOLATOR dan SMIKONDUKTOR. Suatu bahan zat padat apabila dikaitkan dengan kemampuannya dalam menghantarkan arus listrik, maka bahan zat padat dibedakan menjadi tiga
Lebih terperinciPHOTODETECTOR. Ref : Keiser
PHOTODETECTOR Ref : Keiser Detektor Silikon PIN Syarat foto detektor High response atau sensitifitas Noise rendah Respon cepat atau bandwidth lebar Tidak sensitif thd variasi suhu Kompatibel dgn fiber
Lebih terperinciBagian 4 Karakteristik Junction Dioda
Bagian 4 Karakteristik Junction Dioda Junction Diode Switching Times Pada saat keadaan dioda berubah dari kondisi reverse-biased ke kondisi forward-biased, terdapat transien (proses peralihan) pada respon
Lebih terperinciPENDAHULUAN. Di dalam modul ini Anda akan mempelajari Kristal Semikonduktor yang mencakup:
PENDAHULUAN Di dalam modul ini Anda akan mempelajari Kristal Semikonduktor yang mencakup: kristal semikonduktor intrinsik dan kristal semikonduktor ekstrinsik. Oleh karena itu, sebelum mempelajari modul
Lebih terperinci2016 PEMODELAN ARUS TEROBOSAN PADA TRANSISTOR DWIKUTUB N-P-N ARMCHAIR GRAPHENE NANORIBBON (AGNR) MENGGUNAKAN METODE MATRIKS TRANSFER
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Alat-alat elektronik sudah menjadi pelengkap kehidupan manusia. Di dalamnya terdapat berbagai macam divais elektronik yang tersusun sehingga memiliki fungsinya tersendiri.
Lebih terperinciUji Kekerasan Material dengan Metode Rockwell
Uji Kekerasan Material dengan Metode Rockwell 1 Ika Wahyuni, 2 Ahmad Barkati Rojul, 3 Erlin Nasocha, 4 Nindia Fauzia Rosyi, 5 Nurul Khusnia, 6 Oktaviana Retna Ningsih Jurusan Fisika, Fakultas Sains dan
Lebih terperinciSUMBER OPTIK. Ref : Keiser
SUMBER OPTIK Ref : Keiser Sumber semikonduktor Sifat diharapkan : Small size 850, 1300, or 1550 nm Daya Linieritas Modulasi sederhana Respon frekuensi Modulasi Biaya murah Reliabilitas tinggi Panjang gel
Lebih terperinciMIKROELEKTRONIKA. Gejala Transport dalam Semikonduktor. D3 Teknik Komputer Universitas Gunadarma
MIKROELEKTRONIKA Gejala Transport dalam Semikonduktor D3 Teknik Komputer Universitas Gunadarma MOBILITAS & KONDUKTIVITAS Gambaran gas elektron dari logam Bagian yang gelap menyatakan bagian yang mempunyai
Lebih terperinciBab 1. Semi Konduktor
Bab 1. Semi Konduktor Operasi komponen elektronika benda padat seperti dioda, LED, Transistor Bipolar dan FET serta Op-Amp atau rangkaian terpadu lainnya didasarkan atas sifat-sifat semikonduktor. Semikonduktor
Lebih terperinciDAFTAR ISI. PERNYATAAN BEBAS PLAGIARISME... ii. HALAMAN PENGESAHAN... iii. HALAMAN TUGAS... iv. HALAMAN PERSEMBAHAN... v. HALAMAN MOTO...
ix DAFTAR ISI PERNYATAAN BEBAS PLAGIARISME... ii HALAMAN PENGESAHAN... iii HALAMAN TUGAS... iv HALAMAN PERSEMBAHAN... v HALAMAN MOTO... vi KATA PENGANTAR... vii DAFTAR ISI... ix DAFTAR TABEL... xiii DAFTAR
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Graphene merupakan susunan atom-atom karbon monolayer dua dimensi yang membentuk struktur kristal heksagonal menyerupai sarang lebah. Graphene memiliki sifat
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pendeteksian cahaya merupakan salah satu proses paling mendasar pada bidang optik [1]. Untuk mendeteksi cahaya, diperlukan suatu proses konversi optoelektronik menggunakan
Lebih terperinciELEKTRONIKA. Materi 4 : Fisika Semikonduktor. Oleh: I Nyoman Kusuma Wardana
ELEKTRONIKA Materi 4 : Fisika Semikonduktor Oleh: I Nyoman Outline Konduktor Inti atom Elektron bebas Semikonduktor Atom silikon Ikatan kovalen Penyatuan valensi Hole Rekombinasi & lifetime Semikonduktor
Lebih terperinciKERAMIK Mimin Sukarmin, S.Si., M.Pd.
KERAMIK Mimin Sukarmin, S.Si., M.Pd. m.sukar1982xx@gmail.com A. Keramik Bahan keramik merupakan senyawa antara logam dan bukan logam. Senyawa ini mempunyai ikatan ionik dan atau ikatan kovalen. Jadi sifat-sifatnya
Lebih terperinciSEMIKONDUKTOR oleh: Ichwan Yelfianhar dirangkum dari berbagai sumber
SEMIKONDUKTOR oleh: Ichwan Yelfianhar dirangkum dari berbagai sumber Pengertian Umum Bahan semikonduktor adalah bahan yang bersifat setengah konduktor karena celah energi yang dibentuk oleh struktur bahan
Lebih terperinciANALISIS LANJUTAN. Tingkat Energi & Orbit Elektron. Pita Energi Semikonduktor Intrinsik. Pita Energi Pada Semikonduktor Ter-Doping
Tingkat Energi & Orbit Elektron ANALISIS LANJUTAN Pita Energi Semikonduktor Intrinsik Pita Energi Pada Semikonduktor Ter-Doping Elektronika 1 23 Irwan Arifin 2004 P-N Junction Elektronika 1 24 Irwan Arifin
Lebih terperinciHomogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-si:h tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 8, NOMOR JANUARI 202 Homogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-si:h tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD
Lebih terperinciDASAR PENGUKURAN LISTRIK
DASAR PENGUKURAN LISTRIK OUTLINE 1. Objektif 2. Teori 3. Contoh 4. Simpulan Objektif Teori Contoh Simpulan Tujuan Pembelajaran Mahasiswa mampu: Menjelaskan dengan benar mengenai energi panas dan temperatur.
Lebih terperinciSKSO OPTICAL SOURCES.
SKSO OPTICAL SOURCES ekofajarcahyadi@st3telkom.ac.id OVERVIEW LED LASER Diodes Modulation of Optical Sources PARAMETER PADA OPTICAL SOURCES Hal-hal yang perlu dipertimbangkan pada sumber-sumber cahaya
Lebih terperinciSUMBER OPTIK. Ref : Keiser. Fakultas Teknik 1
SUMBER OPTIK Ref : Keiser Fakultas Teknik 1 Sumber semikonduktor Sifat diharapkan : Small size 850, 1300, or 1550 nm Daya Linieritas Modulasi sederhana Respon frekuensi Modulasi Biaya murah Reliabilitas
Lebih terperinciBAB 2 TINJAUAN PUSTAKA
BAB 2 TINJAUAN PUSTAKA 2.1. LED (Light Emitting Diode) LED (Light Emitting Diode) adalah dioda yang memancarkan cahaya jika diberi tegangan tertentu. LED terbuat dari bahan semikonduktor tipe-p (pembawa
Lebih terperinciDETEKTOR RADIASI. NANIK DWI NURHAYATI, S.Si, M.Si nanikdn.staff.uns.ac.id
DETEKTOR RADIASI NANIK DWI NURHAYATI, S.Si, M.Si nanikdn.staff.uns.ac.id nanikdn@uns.ac.id - Metode deteksi radiasi didasarkan pd hasil interaksi radiasi dg materi: proses ionisasi & proses eksitasi -
Lebih terperinciSTUDI PARAMETER PADA DIODA P-N
DOI: https://doi.org/1.4853/elektum.14.1.5-58 e-issn : 55-678 STUDI PARAMETER PADA DIODA P-N Fadliondi Universitas Muhammadiyah Jakarta e-mail: fadliondi@yahoo.com Abstrak Operasi divais semikonduktor
Lebih terperinciDETEKTOR RADIASI INTI. Sulistyani, M.Si.
DETEKTOR RADIASI INTI Sulistyani, M.Si. Email: sulistyani@uny.ac.id Konsep Dasar Alat deteksi sinar radioaktif atau sistem pencacah radiasi dinamakan detektor radiasi. Prinsip: Mengubah radiasi menjadi
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC)
39 HASIL DAN PEMBAHASAN Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC) Hasil karakterisasi dengan Difraksi Sinar-X (XRD) dilakukan untuk mengetahui jenis material yang dihasilkan disamping menentukan
Lebih terperinciWhat Is a Semiconductor?
1 SEMIKONDUKTOR Pengantar 2 What Is a Semiconductor? Istilah Konduktor Insulator Semikonduktor Definisi Semua bahan, sebagian besar logam, yang memungkinkan arus listrik mengalir melalui bahan tersebut
Lebih terperinci#2 Steady-State Fotokonduktif Elektronika Organik Eka Maulana, ST., MT., MEng. Teknik Elektro Universitas Brawijaya
#2 Steady-State Fotokonduktif Elektronika Organik Eka Maulana, ST., MT., MEng. Teknik Elektro Universitas Brawijaya 2015 Kerangka materi Tujuan: Memberikan pemahaman tentang mekanisme efek fotokonduktif
Lebih terperinciPERTEMUAN 2 TEORI DASAR (DIODA)
PERTEMUAN 2 TEORI DASAR (DIODA) PENGERTIAN DIODA Dioda merupakan komponenelektronikayang mempunyai dua elektroda(terminal), dapat berfungsi sebagai penyearah arus listrik. Dioda merupakanjunction ( pertemuan
Lebih terperinciMengenal Sifat Material. Teori Pita Energi
Mengenal Sifat Material Teori Pita Energi Ulas Ulang Kuantisasi Energi Planck : energi photon (partikel) bilangan bulat frekuensi gelombang cahaya h = 6,63 10-34 joule-sec De Broglie : Elektron sbg gelombang
Lebih terperinciGambar Semikonduktor tipe-p (kiri) dan tipe-n (kanan)
Mekanisme Kerja Devais Sel Surya Sel surya merupakan suatu devais semikonduktor yang dapat menghasilkan listrik jika diberikan sejumlah energi cahaya. Proses penghasilan energi listrik itu diawali dengan
Lebih terperinciPENERIMA OPTIK OPTICAL RECEIVER
PENERIMA OPTIK OPTICAL RECEIVER Dasar Sistem Komunikasi Serat Optik Sinyal input elektrik Transmitter Drive Circuit Sumber Cahaya Regenerator Optical RX connector splice coupler Serat optik Electronic
Lebih terperinciMOLEKUL, ZAT PADAT DAN PITA ENERGI MOLEKUL ZAT PADAT PITA ENERGI
MOLEKUL, ZAT PADAT DAN PITA ENERGI MOLEKUL ZAT PADAT PITA ENERGI edy wiyono 2004 PENDAHULUAN Pada umumnya atom tunggal tidak memiliki konfigurasi elektron yang stabil seperti gas mulia, maka atom atom
Lebih terperinciTeori Semikonduktor. Elektronika (TKE 4012) Eka Maulana. maulana.lecture.ub.ac.id
Teori Semikonduktor Elektronika (TKE 4012) Eka Maulana maulana.lecture.ub.ac.id Content Konduktor Semikonduktor Kristal silikon Semikonduktor Intrinsik Jenis aliran Doping semikonduktor Doping ekstrinsik
Lebih terperinciLAPORAN EKSPERIMEN FISIKA 2 FOTOKONDUKTIVITAS. Zudah Sima atul Kubro G DEPARTEMEN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
LAPORAN EKSPERIMEN FISIKA 2 FOTOKONDUKTIVITAS Rekan Kerja : 1. Aah Nuraisah 2. Mutiara Khairunnisa 3. Dedeh Nurhayati Zudah Sima atul Kubro G74120023 Asisten : Pramudya Wardhani (G74110008) Dadi Irawan
Lebih terperinciSATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH : DEVAIS MIKROELEKTRONIKA* (Ujian Utama) KODE MK / SKS : KK / 3
SATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH : DEVAIS MIKROELEKTRONIKA* (Ujian Utama) KODE MK / SKS : KK-041345 / 3 Minggu Pokok Bahasan Ke Dan TIU 1 Konsep mekanika quntum dan fisika benda padat 2 Fenomena elektron
Lebih terperinciModul 03: Catu Daya. Dioda, Penyearah Gelombang, dan Pembebanan. 1 Alat dan Komponen. 2 Teori Singkat. Reza Rendian Septiawan February 11, 2015
Modul 03: Catu Daya Dioda, Penyearah Gelombang, dan Pembebanan Reza Rendian Septiawan February, 205 Dalam dunia elektronika, salah satu komponen yang paling penting adalah catu daya. Sebagian besar komponen
Lebih terperinciTEORI DASAR. 2.1 Pengertian
TEORI DASAR 2.1 Pengertian Dioda adalah piranti elektronik yang hanya dapat melewatkan arus/tegangan dalam satu arah saja, dimana dioda merupakan jenis VACUUM tube yang memiliki dua buah elektroda. Karena
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Kebutuhan energi yang terus meningkat dan semakin menipisnya cadangan minyak bumi dan gas alam menjadi pendorong bagi manusia untuk mencari sumber energi alternatif.
Lebih terperinciKRISTAL SEMIKONDUKTOR
KRISTAL SEMIKONDUKTOR Semikonduktor merupakan bahan dengan konduktivitas listrik yang berada diantara isolator dan konduktor. Disebut semi atau setengah konduktor, karena bahan ini memang bukan konduktor
Lebih terperinciPertambahan arus ΔI yang melalui pertambahan permukaan ΔS yang normal pada rapatan arus ialah
KONDUKTOR DIELEKTRIK DAN KAPASITANSI Muatan listrik yang bergerak membentuk arus. Satuan arus ialah ampere (A) yang didefinisikan sebagai laju aliran muatan yang melalui titik acuan sebesar satu coulomb
Lebih terperinci1. PUTRI RAGIL N ( ) 2. ADITH PRIYO P ( ) 3. DISTYAN PUTRA A S ( )
PHOTO DIODE 1. PUTRI RAGIL N (1101134381) 2. ADITH PRIYO P (1101130055) 3. DISTYAN PUTRA A S (1101134377) BENTUK FISIK DIODA FOTO PHOTO DESKRIPSI DIODE KONSTRUKSI / BAHAN PRINSIP KERJA TIPE / JENIS KARAKTERISTI
Lebih terperinciStruktur dan konfigurasi sel Fotovoltaik
9 Gambar 17. Struktur dan konfigurasi sel Fotovoltaik BST yang sudah mengalami proses annealing dipasang kontak di atas permukaan substrat silikon dan di atas film tipis BST. Pembuatan kontak ini dilakukan
Lebih terperinciAtom silikon dan germanium masingmempunyai empat elektron valensi. Oleh karena itu baik atom silikon maupun atom germanium disebut juga dengan atom
Mata Kuliah Pertemuaan Pokok Bahasan Waktu : Elektronika Analog : I : Bahan Semikonduktor : 2x55 menit Berdasarkan sifat hantantaran listrik bahan dapat dibagi atas 3 jenis yaitu: bahan yang tidak dapat
Lebih terperinciSATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH / KODE : SISTEM FABRIKASI & DEVAIS MIKROELEKTRONIKA / AK SEMESTER / SKS : VIII / 2
SATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH / KODE : SISTEM FABRIKASI & DEVAIS MIKROELEKTRONIKA / AK041217 SEMESTER / SKS : VIII / 2 Pertemuan Pokok Bahasan dan TIU Ke 1 Konsep mekanika quntum dan fisika benda
Lebih terperinciGARIS BESAR PROGRAM PEMBELAJARAN (GBPP)
Fisika Zat Padat Pendahuluan halaman 1 dari 9 GARIS BESAR PROGRAM PEMBELAJARAN (GBPP) MATA KULIAH : FISIKA ZAT PADAT PENDAHULUAN KODE/BOBOT : PAF 225 / 2 SKS DESKRIPSI SINGKAT : Dalam pembelajaran iniakan
Lebih terperinciDIODA. Program Studi S1 Informatika ST3 Telkom Purwokerto
DIODA Pertemuan ke-vii Program Studi S1 Informatika ST3 Telkom Purwokerto Tujuan Pembelajaran Setelah mengikuti kuliah ini mahasiswa mampu: Menjelaskan cara kerja dan karakteristik dioda Menjelaskan jenis
Lebih terperinciMekanisme Hamburan Defek Statis Dan Vibrasi Termal Terhadap Mobilitas Elektron Pada Film Tipis GaN
Berkala Fisika ISSN : 1410-9662 Vol 13., No.1, Januari 2010, hal 39-44 Mekanisme Hamburan Defek Statis Dan Vibrasi Termal Terhadap Mobilitas Elektron Pada Film Tipis GaN Dadi Rusdiana, Lilik Hasanah, dan
Lebih terperinciSATUAN ACARA PERKULIAHAN TEKNIK ELEKTRO ( IB) MATA KULIAH / SEMESTER : TEKNOLOGI SEMIKONDUKTOR / 5 KODE MK / SKS / SIFAT: IT / 3 SKS / MK LOKAL
SATUAN ACARA PERKULIAHAN TEKNIK ELEKTRO ( IB) MATA KULIAH / SEMESTER : TEKNOLOGI SEMIKONDUKTOR / 5 KODE MK / SKS / SIFAT: IT041257 / 3 SKS / MK LOKAL Pertemuan ke Pokok Bahasan dan TIU (Tujuan Instruksional
Lebih terperinciGambar 2.1. Struktur dua dimensi kristal silikon. Ion r (Å) Ion r (Å) Ti 4+ 0,68 Ti 4+ 0,68. Zr 4+ 0,79 Zr 4+ 0,79. Nb 5+ 0,69 Fe 3+ 0,67
2 oksigen. Sebagian besar unsur bebas silikon tidak ditemukan di alam. Oleh karena itu, silikon dihasilkan dengan mereduksi kuarsa dan pasir dengan karbon yang berkualitas tinggi. Silikon untuk pengunaan
Lebih terperinciFOTOKONDUKTOR Al-GaN-Al UNTUK APLIKASI DETEKTOR ULTRAVIOLET
FOTOKONDUKTOR Al-GaN-Al UNTUK APLIKASI DETEKTOR ULTRAVIOLET Dadi Rusdiana Jurusan fisika FPMIPA, Universitas Pendidikan Indonesia,Bandung e-mail : dadi_rusdiana@upi.edu ABSTRAK Detektor Ultraviolet telah
Lebih terperinciGambar 3.1 Struktur Dioda
1 1. TEORI DASAR Dioda ialah jenis VACUUM tube yang memiliki dua buah elektroda. Dioda tabung pertama kali diciptakan oleh seorang ilmuwan dari Inggris yang bernama Sir J.A. Fleming (1849-1945) pada tahun
Lebih terperinciBENDA WUJUD, SIFAT DAN KEGUNAANNYA
BENDA WUJUD, SIFAT DAN KEGUNAANNYA Benda = Materi = bahan Wujud benda : 1) Padat 2) Cair 3) Gas Benda Padat 1. Mekanis kuat (tegar), sukar berubah bentuk, keras 2. Titik leleh tinggi 3. Sebagian konduktor
Lebih terperinciNama Anggota Kelompok: 1. Ahmad Samsudin 2. Aisyah Nur Rohmah 3. Dudi Abdu Rasyid 4. Ginanjar 5. Intan Dwi 6. Ricky
Nama Anggota Kelompok: 1. Ahmad Samsudin 2. Aisyah Nur Rohmah 3. Dudi Abdu Rasyid 4. Ginanjar 5. Intan Dwi 6. Ricky A. Aplikasi Statistik Bose-Einstein 1.1. Kondensasi Bose-Einstein Gambar 1.1 Salah satu
Lebih terperinciKARAKTERISTIK ARUS DAN TEGANGAN SEL SURYA
LAPORAN PRAKTIKUM FISIKA EKSPERIMEN II KARAKTERISTIK ARUS DAN TEGANGAN SEL SURYA Oleh : 1. Riyanto H1C004006 2. M. Teguh Sutrisno H1C004007 3. Indri Kurniasih H1C004003 4. Gita Anggit H1C004014 Tanggal
Lebih terperinciDistribusi Celah Pita Energi Titania Kotor
Jurnal Nanosains & Nanoteknologi ISSN 1979-0880 Edisi Khusus, Agustus 009 Distribusi Celah Pita Energi Titania Kotor Indah Nurmawarti, Mikrajuddin Abdullah (a), dan Khairurrijal Kelompok Keahlian Fisika
Lebih terperinci1. Perpotongan antara garis beban dan karakteristik dioda menggambarkan: A. Titik operasi dari sistem B. Karakteristik dioda dibias forward
1. Perpotongan antara garis beban dan karakteristik dioda menggambarkan: A. Titik operasi dari sistem B. Karakteristik dioda dibias forward C. Karakteristik dioda dibias reverse D. Karakteristik dioda
Lebih terperinciSKRIPSI Disusun dalam rangka penyelesaian Studi Strata 1 untuk memperoleh gelar Sarjana Fisika S1. Oleh: NUR AMIN NIM JURUSAN FISIKA
ANALISIS SIFAT LISTRIK PERSAMBUNGAN M-S-M PADA FILM TIPIS Al x Ga 1-x N YANG DITUMBUHKAN DI ATAS SUBSTRAT SILIKON (111) DENGAN METODE DC MAGNETRON SPUTTERING SKRIPSI Disusun dalam rangka penyelesaian Studi
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Dewasa ini, banyak penelitian dalam fisika material mampat mengenai semikonduktor yang difokuskan untuk aplikasi dalam bentuk divais spintronik, dimana spin elektron
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. SiO 2 memiliki sifat isolator yang baik dengan energi gapnya mencapai 9 ev,
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Graphene adalah material yang tersusun atas atom karbon dengan susunan kisi hexagonal dengan ketebalan satu atom. Graphene yang disusun dalam bentuk 3 dimensi, dimana
Lebih terperinciE 2 E 1. E 3s r 2 r 1. energi. Jarak antar atom
Teori Pita Zat Padat Atom Na : Nomor atomnya 11, punya 1 elektron valensi, menempati kulit 3s (energinya E 3s ) Saat 2 atom Na didekatkan (Na A dan Na B), elektron valensi A akan berinteraksi dengan elektron
Lebih terperinciBAHAN KULIAH FISIKA SEMIKONDUKTOR
BAHAN KULIAH FISIKA SEMIKONDUKTOR Bahan tertentu seperti germanium, silikon, karbon, dan sebagainnya adalah bukan sebagai konduktor seperti tembaga atau bukan sebagai isolator seperti kaca. Dengan kata
Lebih terperinci4 Hasil dan Pembahasan
4 Hasil dan Pembahasan 4.1 Sintesis Padatan TiO 2 Amorf Proses sintesis padatan TiO 2 amorf ini dimulai dengan melarutkan titanium isopropoksida (TTIP) ke dalam pelarut etanol. Pelarut etanol yang digunakan
Lebih terperinciPENGARUH FILTER WARNA KUNING TERHADAP EFESIENSI SEL SURYA ABSTRAK
PENGARUH FILTER WARNA KUNING TERHADAP EFESIENSI SEL SURYA ABSTRAK Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh filter warna kuning terhadap efesiensi Sel surya. Dalam penelitian ini menggunakan metode
Lebih terperinciSIMAK UI Fisika
SIMAK UI 2016 - Fisika Soal Halaman 1 01. Fluida masuk melalui pipa berdiameter 20 mm yang memiliki cabang dua pipa berdiameter 10 mm dan 15 mm. Pipa 15 mm memiliki cabang lagi dua pipa berdiameter 8 mm.
Lebih terperinciBAB V RANCANGAN ALAT PERCOBAAN EFEK FOTOLISTRIK
BAB V RANCANGAN ALAT PERCOBAAN EFEK FOTOLISTRIK Seperti dijelaskan pada sub bab 2.2 diatas, pada prinsipnya efek fotolistrik terjadi karena elektron pada suatu atom menerima energi dari foton yang dipancarkan
Lebih terperinciKarakteristik dan Rangkaian Dioda. Rudi Susanto
Karakteristik dan Rangkaian Dioda Rudi Susanto 1 Pengantar tentang Dioda Resistor merupakan sebuah piranti linier karena arus berbanding terhadap tegangan. Dalam bentuk grafik, grafik arus terhadap tegangan
Lebih terperinciATOM BERELEKTRON BANYAK
ATOM BERELEKTRON BANYAK A. MODEL ATOM BOHR * Keunggulan Dapat menjelaskan adanya : 1. Kestabilan atom. Spektrum garis pada atom hidrogen (deret Lyman, Balmer, Paschen, Brackett, Pfund) * Kelemahan Tidak
Lebih terperinciMateri 2: Fisika Semikonduktor
Materi 2: Fisika Semikonduktor I Nyoman Kusuma Wardana Sistem Komputer STMIK STIKOM Bali Outline Konduktor Inti atom Elektron bebas Semikonduktor Atom silikon Ikatan kovalen Penyatuan valensi Hole Rekombinasi
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia Tenggara. Sebagai negara berkembang, Indonesia melakukan swasembada diberbagai bidang, termasuk
Lebih terperinciBAB II LANDASAN TEORI
BAB II LANDASAN TEORI 2.1 Sistem Catu Daya / power supply Power supply adalah rangkaian elektronika yang berfungsi untuk memberikan tegangan listrik yang dibutuhkan oleh suatu rangkaian elektronika. Dalam
Lebih terperinciMETODOLOGI PENELITIAN
PEMBUATAN DIODA DARI BAHAN LAPIS TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN MELALUI METODE PENGUAPAN (VACUUM DEPOSITION) Ahmad Mulia Rambe Abstrak: Telah dilakukan pembuatan Dioda Schottky yang berstruktur kontak logam-semikonduktor.
Lebih terperinciBAB 4 HASIL DAN PEMBAHASAN
BAB 4 HASIL DAN PEMBAHASAN Hasil dan pembahasan dalam penelitian ini diulas dalam tiga subbab. Karakterisasi yang dilakukan dalam penelitian ini terdiri dari 3 macam, yaitu SEM-EDS, XRD dan DRS. Karakterisasi
Lebih terperinciSTUDI EFEK FOTOVOLTAIK DAN PIROELEKTRIK Ba 0,75 Sr 0,25 TIO 3 (BST) YANG DIDADAH GALIUM (BGST) DI ATAS SUBSTRAT SI (100) TIPE-P ERDIANSYAH PRATAMA
STUDI EFEK FOTOVOLTAIK DAN PIROELEKTRIK Ba 0,75 Sr 0,25 TIO 3 (BST) YANG DIDADAH GALIUM (BGST) DI ATAS SUBSTRAT SI (100) TIPE-P ERDIANSYAH PRATAMA DEPARTEMEN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN
Lebih terperinciPANEL SURYA dan APLIKASINYA
PANEL SURYA dan APLIKASINYA Suplai energi surya dari sinar matahari yang diterima oleh permukaan bumi sebenarnya sangat luar biasa besarnya yaitu mencapai 3 x 10 24 joule pertahun. Jumlah energi sebesar
Lebih terperinciPERBEDAAN EFISIENSI DAYA SEL SURYA ANTARA FILTER WARNA MERAH, KUNING DAN BIRU DENGAN TANPA FILTER
PERBEDAAN EFISIENSI DAYA SEL SURYA ANTARA FILTER WARNA MERAH, KUNING DAN BIRU DENGAN TANPA FILTER Oleh: Muhammad Anwar Widyaiswara BDK Manado ABSTRAK Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui perbedaan
Lebih terperinciStruktur atom merupakan satuan dasar materi yang terdiri dari inti atom beserta awan elektron bermuatan negatif yang mengelilinginya.
Struktur atom merupakan satuan dasar materi yang terdiri dari inti atom beserta awan elektron bermuatan negatif yang mengelilinginya. Inti atom mengandung campuran proton (bermuatan positif) dan neutron
Lebih terperinciBab IV Hasil dan Pembahasan
33 Bab IV Hasil dan Pembahasan Pada bab ini dilaporkan hasil sintesis dan karakterisasi dari senyawa yang disintesis. Senyawa disintesis menggunakan metoda deposisi dalam larutan pada temperatur rendah
Lebih terperinci350 0 C 1 jam C. 10 jam. 20 jam. Pelet YBCO. Uji Konduktivitas IV. HASIL DAN PEMBAHASAN. Ba(NO 3 ) Cu(NO 3 ) 2 Y(NO 3 ) 2
Y(NO 3 ) 2 Pelarutan Pengendapan Evaporasi 350 0 C 1 jam 900 0 C 10 jam 940 0 C 20 jam Ba(NO 3 ) Pelarutan Pengendapan Evaporasi Pencampuran Pirolisis Kalsinasi Peletisasi Sintering Pelet YBCO Cu(NO 3
Lebih terperinciBAB I PENDAH ULUAN 1.1.Latar Belakang
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1.Latar Belakang Polimer secara umum merupakan bahan dengan kemampuan menghantarkan listrik yang rendah dan tidak memiliki respon terhadap adanya medan magnet dari luar. Tetapi melalui
Lebih terperinciPENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR
PENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR Penumbuhan film tipis semikonduktor di atas substrat dapat dilakukan secara epitaksi. Dalam bahasa yunani epi berarti di atas dan taksial berarti menyusun dengan kata
Lebih terperinciMATERI II TINGKAT TENAGA DAN PITA TENAGA
MATERI II TINGKAT TENAGA DAN PITA TENAGA A. Tujuan 1. Tujuan Umum Mahasiswa memahami konsep tingkat tenaga dan pita tenaga untuk menerangkan perbedaan daya hantar listrik.. Tujuan Khusus a. Mahasiswa dapat
Lebih terperinci