Perancangan Penguat BJT

Ukuran: px
Mulai penontonan dengan halaman:

Download "Perancangan Penguat BJT"

Transkripsi

1 Pancangan Pnguat BJT

2 C dngan Bias Diskit V CC o C // i π BB C C Vout V in C Q A BB // gmc & // C& C

3 C dngan Bias Sumb Aus Kolkto V CC o o // i π B C C Vout V in C Q B A g m C

4 C dngan Bias Sumb Aus mito V CC o C // i π B C C Vout V in C Q B C 3 A g m C& // C& C

5 C dngan dan Bias Diskit i i // i π BB ( π ( β ) )// ( β )( )// BB BB C V CC C o C Vout V in C Q A g m C& C 3 A A g m α π C& π ( β ) C& // BB // C& C

6 C dngan dan Sumb Aus mito ( π ( ) ) B β // i C V CC C o C Vout V in C Q B C 3 A g m π π C& ( β ) // C& C

7 CC dngan Bias Diskit i ( & )( ) BB β // V CC C // o V in Q C V out A & & BB // // & B

8 CC dngan Bias Sumb Aus i ( )( ) B β // V CC C o V in Q B C V out A

9 CB dngan Bias Sumb Aus V CC A g m C& C C o C Vout C Q C 3 B V in i

10 CB dngan Bias Diskit V CC A g m C& C C Vout C Q C 3 o C V in BB // // i // C& C

11 Contoh Dsain Common mito dngan Sumb Aus mito ancanglah sbuah pnguat dngan spsifikasi in 600Ω, out 300Ω, A 5, dan 300Ω Tansisto β 50 ihat hubungan paamat pnguat di atas untuk angkaian C dngan bias sumb aus mito // i π B o C A g m C&

12 Contoh ancangan Awal Dai infomasi out C o 300Ω Dai infomasi A dan hasil C g g g m m m A C C A/ V Dai hasil g m C C C g m V T 0,67 0,05 0,004A β β C 50 0, ,00403A

13 Contoh ancangan Awal Dai infomasi C π Dai infomasi π B B β Ω 0,67 g m iπ π i ,8kΩ Paamt angkaian Sumb Aus Bias mito 4,03mA sistansi Bas B,8kΩ

14 Contoh Simulasi SPC Hasil Titik Kja Opating point Pintah op Hasil bas mi in kol out cc cc#banch s s#banch Analisis Titik Kja Tansisto aktif Bas mito Junction Fowad Biasd V B 0,7V Collcto Bas Junction s biasd Aus Kolkto 4,000mA

15 Contoh Simulasi SPC Hasil Analisis AC Gain dan in Analisis AC Pintah ac lin 5k 5k lt gainout/in lt in in/s#banch pint gain in Hasil gain.97540, in , Hasil Simulasi Gain 9,8V/V (lbih kcil) in 660Ω (lbih bsa)

16 Contoh Simulasi SPC Hasil Analisis AC out Analisis AC Pubahan pada dskipsi s s 0 0 AC 0 out out 0 0 AC (lpaskan ) Pintah Hasil Simulasi out 97Ω sdik lbih kcil ac lin 5k 5k lt outout/out#banch pint gain out Hasil

17 Contoh Analisis Hasil Simulasi Hubungan paamt pnguat dan nilai komponn Pbaikan/ Modifikasi Mningkatkan gain Pbsa g m mlalui aus bias kolkto Pbsa C // i π B o C A g m C& Mnuunkan in Tuunkan π aus bias Tuunkan B nilai A Mningkatkan out Pbsa C Pilihan langkah Naikkan C Tuunkan B

18 Contoh Pbaikan Dsain 0. Pubahan dilakukan Aus 4.5mA sisto Bas B,6kΩ sisto Collcto C 330Ω Hasil Pbaikan Gain.9 V/V in 596Ω out 35Ω

19 Contoh Dsain Common mito dngan Bias Diskit Spsifikasi in 600Ω, out 300Ω, A 5, dan 300Ω Tansisto β 50 ihat hubungan paamat pnguat di atas untuk angkaian C dngan bias diskit // i π BB o C A g m C& // C& C BB //

20 Contoh Dsain Awal Paamt Pnguat Dai infomasi out C o 300Ω Dai infomasi A dan hasil C g g g m m m A C C A/ V Dai hasil g m C gmvt 0,67 0,05 0, 004A π β Ω 0,67 g m Dai infomasi π iπ , Ω k BB 8 π i

21 Contoh Dsain Awal Bias Diskit C 0,004 C 0, 004A B 7μA 50 B V CC B V CC V VB B B V B C Q,

22 Contoh Dsain Awal Mnntukan dan Dai Paamt Pguat Dai angkaian Bias Gunakan alat bantu Matlab, Mathmatica, atau Mapl dan nilai A, hasil 30kΩ kω,8 kω,

23 Contoh Simulasi SPC Hasil Simulasi Gain 30,0V/V sistansi nput 473Ω sistansi Output 94Ω Analisis Hasil Gain tlalu tinggi pkcil C sistansi input tlalu ncah pbsa BB Modifikasi Dsain Mmpkcil C Mmpbsa Mmpkcil Mmpbsa BB Mmpbsa Mmpbsa

24 Contoh Modifikasi Dsain dan Hasil Pubahan yang dibikan 30kΩ kω Paamat Pnguat hasil modifikasi Gain 3.7 V/V in 59Ω out 96Ω

25 Contoh 3 Dsain Common mito dngan Bias Sumb Aus dan sisto mito ancanglah sbuah pnguat dngan spsifikasi in 600Ω, out 300Ω, A 5, dan 300Ω Tansisto β 50 ihat hubungan paamat pnguat di atas untuk angkaian C dngan bias sumb aus dan sisto mito o C i ( )( ) B β // A C& α

26 Contoh 3 ancangan Awal Dai infomasi out C o 300Ω Dai infomasi A dan hasil C A α C& ( ) ( ) C // C& 50 6Ω 5 50Ω C&

27 Contoh 3 ancangan Awal Dai infomasi i Dai hasil pilih 5mA, maka Ω Ω 5 0,005 0,05 T V ( )( ) ( )( ) ( )( ) Ω // B i i B B i β β β

28 Contoh 3 Simulasi SPC Hasil Simulasi Gain,7V/V sistansi nput 608Ω sistansi Output 96Ω Analisis Hasil Gain masih ndah Modifikasi Dsain Mmpbsa A Pkcil atau Pkcil Mmpkcil in Pkcil atau Pkcil Pkcil B Gunakan dan untuk mngatu Gain dan B untuk in

29 Contoh 3 Modifikasi Dsain dan Hasil Pubahan yang dibikan 7mA,Ω B,4kΩ (mnggunakan 96 atau tolansi %) Paamat Pnguat hasil modifikasi Gain 5.4 V/V in 596Ω out 96Ω

30 Contoh 4 Dsain Common mito dngan Bias Diskit dan sisto mito ancanglah sbuah pnguat dngan spsifikasi in 600Ω, out 300Ω, A 5, dan 300Ω Tansisto β 50 ihat hubungan paamat pnguat di atas untuk angkaian C dngan bias diskit dan sisto mito o C i i ( π ( β ) )// ( β )( )// BB BB A A g m α π C& π ( β ) C&

31 Contoh 4 ancangan Awal Dai infomasi out Dai infomasi A dan hasil C Ω 300 C o ( ) ( ) Ω Ω // & & & & V C C C C C A A α

32 Contoh 4 ancangan Awal Dai infomasi i i BB BB ( β )( )// ( β )( ) ( β )( ) i Ω BB i Dai hasil pilih 5mA, maka V T Ω 0,05 0,005 5Ω

33 Contoh 4 ancangan Awal Bias Aus Aus DC Tansisto V C B CC 5mA β β β V,95V B ,97mA 0,033mA B 0, 033mA 0,7 0,005 V B 0,705V B V B 0,7 0,005 V CC C Q

34 Contoh 4 ancangan Awal Bias Aus Psamaan angkaian Bias V CC 776Ω 0, 033mA, 95V 0, 705V B V B C Q Solusi 8kΩ dan kω

35 Contoh 4 Simulasi SPC Hasil Simulasi Gain 3,8V/V sistansi nput 645Ω sistansi Output 96Ω Analisis Hasil Gain ndah sistansi input tinggi Modifikasi Dsain Mmpbsa C Mmpkcil Mmpbsa Mmpkcil BB Mmpkcil Mmpkcil Phatikan pbandingan nilainya, bila pbandingan bsa pnntu adalah sistansi yang kcil

36 Contoh 4 Modifikasi Dsain dan Hasil Pubahan yang dibikan 0.8Ω Paamat Pnguat hasil modifikasi Gain 4.8 V/V in 639Ω out 96Ω

37 Contoh 5 Dsain Common Collcto dngan Bias Sumb Aus ancanglah sbuah pnguat dngan spsifikasi in kω, out 3Ω, A, dan 3Ω Tansisto β 50 ihat hubungan paamat pnguat di atas untuk angkaian C dngan bias diskit dan sisto mito o i ( )( ) B β // A

38 Contoh 5 ancangan Awal Dai infomasi out C o V T 3Ω 5 3 0,78mA Dai infomasi i dan hasil 000 i B ( )( β ) // B ( 3 3)( 50 ) // 5Ω B

39 Contoh 5 Simulasi SPC Hasil Simulasi Gain 0,95V/V sistansi nput 459Ω sistansi Output 45Ω Analisis Hasil sistansi input tlalu ndah sistansi output tlalu tinggi Modifikasi Dsain Mmpbsa in Mmpkcil out Mmpkcil in dapat ikut bubah

40 Contoh 5 Modifikasi Dsain dan Hasil Pubahan yang dibikan 0.8mA Paamat Pnguat hasil modifikasi Gain 0,998 V/V in 00Ω out 33,7Ω

41 Contoh 6 Dsain Common Collcto dngan Bias Diskit ancanglah sbuah pnguat dngan spsifikasi in 300Ω, out 3Ω, A, dan 3Ω Tansisto β 50 ihat hubungan paamat pnguat di atas untuk angkaian C dngan bias diskit dan sisto mito // o i ( & )( ) BB β // A & &

42 Contoh 6 ancangan Awal Dai infomasi out // 3 3Ω Bila dipilih 68Ω o o 68 3 Ω o Dai infomasi i dan hasil i ( )( β ) & // BB 307Ω // BB BB VT 5 0, 4mA 60

43 Contoh 6 ancangan Awal Bias Aus V CC Aus DC Tansisto C B 0,4mA,7V β β β V B 50 0, ,7 0, ,47mA 0,008mA B 0, 008mA V B 0,79V B V B 0,7 0, V CC C Q

44 Contoh 64 ancangan Awal Bias Aus Psamaan angkaian Bias V CC 307Ω 0, 008mA, 7V 0, 79V B V B C Q Solusi 787Ω dan 50Ω

45 Contoh 6 Simulasi SPC Hasil Simulasi Gain 0,93V/V sistansi nput 73Ω sistansi Output,5Ω Analisis Hasil sistansi input ndah sistansi output sangat ndah Modifikasi Dsain Mmpbsa BB Mmpbsa Mmpbsa Mmpbsa Mmpbsa o akan ikut bubah

46 Contoh 6 Modifikasi Dsain dan Hasil Pubahan yang dibikan?ω Paamat Pnguat hasil modifikasi Gain? V/V in?ω out?ω

47 Contoh 7 Dsain Common Bas dngan Bias Sumb Aus ancanglah sbuah pnguat dngan spsifikasi in 50Ω, out kω, A 0, dan kω Tansisto β 50 ihat hubungan paamat pnguat di atas untuk angkaian C dngan bias diskit dan sisto mito o C A g m C& i

48 Contoh 7 ancangan Awal Dai infomasi out kω C o Dai infomasi in i 50Ω V 5 T 0, 5 50 ma C 0,5 gm 0, 0mmho V 5 T Pnguatan A gmc & 0,

BAB VII ANALISA DC PADA TRANSISTOR

BAB VII ANALISA DC PADA TRANSISTOR Bab V, Analisa DC pada Transistor Hal: 147 BAB V ANALSA DC PADA TRANSSTOR Transistor BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah suatu devais nonlinear terbuat dari bahan semikonduktor dengan 3 terminal yaitu

Lebih terperinci

Transistor Bipolar BJT Bipolar Junction Transistor

Transistor Bipolar BJT Bipolar Junction Transistor - 3 Transistor Bipolar BJT Bipolar Junction Transistor Missa Lamsani Hal 1 SAP bentuk fisik transistor NPN dan PNP injeksi mayoritas dari emiter, lebar daerah base, rekomendasi hole-elektron, efisiensi

Lebih terperinci

Solusi Ujian 1 EL2005 Elektronika. Sabtu, 15 Maret 2014

Solusi Ujian 1 EL2005 Elektronika. Sabtu, 15 Maret 2014 Solusi Ujian 1 EL2005 Elektronika Sabtu, 15 Maret 2014 1. Pendahuluan: Model Penguat (nilai 15) Rangkaian penguat pada Gambar di bawah ini memiliki tegangan output v o sebesar 100 mv pada saat saklar dihubungkan.

Lebih terperinci

B a b. Pembiasan BJT. = β..(4.3)

B a b. Pembiasan BJT. = β..(4.3) Pembiasan JT a b 4 Pembiasan JT A nalisa dari rangkaian elektronik mempunyai dua komponen, yaitu analisa dc dan analisa ac. Analisa ac meliputi penguatan tegangan dan arus, serta impedansi inlut dan output.

Lebih terperinci

Bias dalam Transistor BJT

Bias dalam Transistor BJT ias dalam Transistor JT Analisis atau disain terhadap suatu penguat transistor memerlukan informasi mengenai respon sistem baik dalam mode AC maupun DC. Kedua mode tersebut bisa dianalisa secara terpisah.

Lebih terperinci

MODUL 05 TRANSISTOR SEBAGAI PENGUAT

MODUL 05 TRANSISTOR SEBAGAI PENGUAT P R O G R A M S T U D I F I S I K A F M I P A I T B LABORATORIUM ELEKTRONIKA DAN INSTRUMENTASI MODUL TRANSISTOR SEBAGAI PENGUAT TUJUAN Mengetahui karakteristik penguat berkonfigurasi Common Emitter Mengetahui

Lebih terperinci

Percobaan 3 Rangkaian OPAMP

Percobaan 3 Rangkaian OPAMP Percobaan 3 Rangkaian OPAMP EL2193 Praktikum Rangkaian Elektrik Penguat Noninverting Penguatan = 1 1/1 = 2 12V 2k2Ω 2k2Ω V in 2k2Ω Posisi V in (V) Vout (V) Vout ukur (V) A 6 12 11,7 B 2 4 4 C 2 4 4 D 6

Lebih terperinci

Penguat Emiter Sekutu

Penguat Emiter Sekutu Penguat Emiter Sekutu v out v in Konfigurasi Dasar Ciri Penguat Emiter Sekutu : 1. Emiter dibumikan 2. Sinyal masukan diberikan ke basis 3. Sinyal keluaran diambil dari kolektor Agar dapat memberikan tegangan

Lebih terperinci

( s p 1 )( s p 2 )... s p n ( )

( s p 1 )( s p 2 )... s p n ( ) Respons Frekuensi Analisis Domain Frekuensi Bentuk fungsi transfer: polinomial bentuk sum/jumlah Kuliah 5 T( s) = a m s m a m s m... a 0 s n b n s n... b 0 Bentuk fungsi transfer: polinomial product/perkalian

Lebih terperinci

MODUL 04 TRANSISTOR PRAKTIKUM ELEKTRONIKA TA 2017/2018

MODUL 04 TRANSISTOR PRAKTIKUM ELEKTRONIKA TA 2017/2018 MODUL 04 TRANSISTOR PRAKTIKUM ELEKTRONIKA TA 2017/2018 LABORATORIUM ELEKTRONIKA DAN INSTRUMENTASI PROGRAM STUDI FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN PENGETAHUAN ALAM INSTITUT TEKNOLOGI BANDUNG 1 TUJUAN Memahami

Lebih terperinci

Modul 05: Transistor

Modul 05: Transistor Modul 05: Transistor Penguat Common-Emitter Reza Rendian Septiawan April 2, 2015 Transistor merupakan komponen elektronik yang tergolong kedalam komponen aktif. Transistor banyak digunakan sebagai komponen

Lebih terperinci

Karakteristik Transistor. Rudi Susanto

Karakteristik Transistor. Rudi Susanto Karakteristik Transistor Rudi Susanto PN-Junction (Diode) BIAS MAJU / FORWARD BIAS BIAS MUNDUR / REERSE BIAS Transistor Bipolar Arus pada Transistor Alpha dc (α dc ) adalah perbandingan antara arus Ic

Lebih terperinci

Materi 5: Bipolar Junction Transistor (BJT)

Materi 5: Bipolar Junction Transistor (BJT) Materi 5: Bipolar Junction Transistor (BJT) I Nyoman Kusuma Wardana Sistem Komputer STMIK STIKOM Bali Outline Struktur transistor Unbiased transistor Biased transistor Koneksi CE Kurva basis Kurva kolektor

Lebih terperinci

Catatan Tambahan: Analisis Penguat CE, CB, dan CC dengan resistansi Internal transistor yang tidak bisa diabaikan (nilai r o finite)

Catatan Tambahan: Analisis Penguat CE, CB, dan CC dengan resistansi Internal transistor yang tidak bisa diabaikan (nilai r o finite) Catatan Tambahan: Analisis Penguat CE, CB, dan CC dengan resistansi Internal transistor yang tidak bisa diabaikan (nilai r o finite) 1. Penguat CE (Common Emitter) dengan Resistansi Emitter RE. Analisis

Lebih terperinci

EL2005 Elektronika PR#02

EL2005 Elektronika PR#02 EL2005 Elektronika PR#02 Batas Akhir Pengumpulan : Jum at, 03 Februari 2017, jam 16:00 SOAL 1 Diketahui rangkaian diode seperti di atas dengan sumber tegangan DC, 5 V, 1 kω, 220 Ω, dan 470 Ω. Kedua diode

Lebih terperinci

EL2005 Elektronika PR#03

EL2005 Elektronika PR#03 EL005 Elektronika P#03 Batas Akhir Pengumpulan : Jum at, 10 Februari 017, Jam 16:00 SOAL 1 Sebuah alat las listrik (DC welder) membutuhkan suatu penyearah yang dapat menangani arus besar dan tegangan tinggi.

Lebih terperinci

Tujuan Mempelajari penggunaan penguat operasional (OPAMP) Mempelajari rangkaian dasar dengan OPAMP

Tujuan Mempelajari penggunaan penguat operasional (OPAMP) Mempelajari rangkaian dasar dengan OPAMP Percobaan 3 angkaian OPAMP EL2193 Praktikum angkaian Elektrik Tujuan Mempelajari penggunaan penguat operasional (OPAMP) Mempelajari rangkaian dasar dengan OPAMP eiew OPAMP Apakah OPAMP itu? Penguat diferensial

Lebih terperinci

Rangkaian Penguat Transistor

Rangkaian Penguat Transistor - 6 Rangkaian Penguat Transistor Missa Lamsani Hal 1 SAP Rangkaian penguat trasnsistor dalam bentuk ekuivalennya Perhitungan impedansi input, impedansi output, penguatan arus, penguatan tegangan dari rangkaian

Lebih terperinci

Penguat Kelas A dengan Transistor BC337

Penguat Kelas A dengan Transistor BC337 LAPORAN HASIL PRAKTIKUM Penguat Kelas A dengan Transistor BC337 ELEKTRONIKA II Dosen: Dr.M.Sukardjo Kelompok 7 Abdul Goffar Al Mubarok (5215134375) Egi Destriana (5215131350) Haironi Rachmawati (5215136243)

Lebih terperinci

1. Perpotongan antara garis beban dan karakteristik dioda menggambarkan: A. Titik operasi dari sistem B. Karakteristik dioda dibias forward

1. Perpotongan antara garis beban dan karakteristik dioda menggambarkan: A. Titik operasi dari sistem B. Karakteristik dioda dibias forward 1. Perpotongan antara garis beban dan karakteristik dioda menggambarkan: A. Titik operasi dari sistem B. Karakteristik dioda dibias forward C. Karakteristik dioda dibias reverse D. Karakteristik dioda

Lebih terperinci

BAB III PERENCANAAN. Pada bab ini akan dijelaskan langkah-langkah yang digunakan dalam

BAB III PERENCANAAN. Pada bab ini akan dijelaskan langkah-langkah yang digunakan dalam BAB III PERENCANAAN Pada bab ini akan dijelaskan langkah-langkah yang digunakan dalam merencanakan alat yang dibuat. Adapun pelaksanaannya adalah dengan menentukan spesifikasi dan mengimplementasikan dari

Lebih terperinci

[LAPORAN PENGUAT DAYA KELAS A] BAB I PENDAHULUAN

[LAPORAN PENGUAT DAYA KELAS A] BAB I PENDAHULUAN BAB I PENDAHULUAN.. Latar Belakang Dalam matakuliah Elektronika II telah dipelajari beberapa teori tentang rangkaian common seperti common basis, common emitter, dan common collector. Salah satu penerapan

Lebih terperinci

Pengukuran Teknik STT Mandala 2014

Pengukuran Teknik STT Mandala 2014 Pengukuran Teknik STT Mandala 2014 Isi Pendahuluan sinyal listrik dalam pengukuran Pengkondisian sinyal listrik hasil pengukuran Penguat sinyal Pembagian sinyal tegangan Penyaringan sinyal listrik Pengkonversian

Lebih terperinci

OPERASIONAL AMPLIFIER (OP-AMP) Oleh : Sri Supatmi

OPERASIONAL AMPLIFIER (OP-AMP) Oleh : Sri Supatmi 1 OPERASIONAL AMPLIFIER (OP-AMP) Oleh : Sri Supatmi Operasional Amplifier (OP-AMP) 2 Operasi Amplifier adalah suatu penguat linier dengan penguatan tinggi. Simbol 3 Terminal-terminal luar di samping power

Lebih terperinci

Dari DFT menjadi FFT

Dari DFT menjadi FFT Dai DFT mnjadi FFT D Eng Risanui Hidayat Juusan Tni Elt FT UGM, Ygyaata I PEDAHULUA Biut aan dijlasan Dmpsisi DFT shingga mnjadi FFT dngan algithma Cly and Tuy II PERSAMAA DFT DFT mmpunyai psamaan () Dngan

Lebih terperinci

Penguat Inverting dan Non Inverting

Penguat Inverting dan Non Inverting 1. Tujuan 1. Mahasiswa mengetahui karakteristik rangkaian op-amp sebagai penguat inverting dan non inverting. 2. Mengamati fungsi kerja dari masing-masing penguat 3. Mahasiswa dapat menghitung penguatan

Lebih terperinci

PERCOBAAN 4 RANGKAIAN PENGUAT KLAS A COMMON EMITTER

PERCOBAAN 4 RANGKAIAN PENGUAT KLAS A COMMON EMITTER PERCOBAAN 4 RANGKAIAN PENGUAT KLAS A COMMON EMITTER 4.1 Tujuan dan Latar Belakang Tujuan dari percobaan ini adalah untuk mendemonstrasikan cara kerja dari Power Amplifier kelas A common-emitter. Amplifier

Lebih terperinci

ELEKTRONIKA DASAR. Petemuan Ke-9 Pemodelan BJT. ALFITH, S.Pd,M.Pd

ELEKTRONIKA DASAR. Petemuan Ke-9 Pemodelan BJT. ALFITH, S.Pd,M.Pd EEKTONIK DS Ptmuan K-9 Pmdlan JT FITH, S.Pd,M.Pd 2 Pnguat JT satu tngkat Stuktu dasa amba mnunjukkan angkaan dasa pnguat JT dngan pmban bas dngan aus yang knstan. Yang plu dphatkan adalah mmlh yang bsa

Lebih terperinci

MODUL ELEKTRONIKA DASAR

MODUL ELEKTRONIKA DASAR MODUL ELEKTRONIKA DASAR 1. Resistor Resistor adalah hambatan yang mempunyai nilai hambat tertentu. Resistor biasanya dinyatakan dengan huruf R. Resistor berfungsi untuk membatasi arus. Nilai resistor berbanding

Lebih terperinci

BAB IV PENGUJIAN DAN ANALISA

BAB IV PENGUJIAN DAN ANALISA BAB IV PENGUJIAN DAN ANALISA Pada bab ini akan dibahas hasil pengujian dan analisa dari sistem yang telah dirancang. Dari hasil pengujian akan diketahui apakah sistem yang dirancang memberikan hasil seperti

Lebih terperinci

BAB III METODE PENELITIAN

BAB III METODE PENELITIAN BAB III METODE PENELITIAN 3.1. Prosedur Penelitian Prosedur yang dilakukan dalam penelitian ini terdiri dari beberapa langkah, antara lain studi literatur, kemudian dilanjutkan dengan pengumpulan data

Lebih terperinci

JOBSHEET 6 PENGUAT INSTRUMENTASI

JOBSHEET 6 PENGUAT INSTRUMENTASI JOBSHEET 6 PENGUAT INSTUMENTASI A. TUJUAN Tujuan dari pembuatan modul Penguat Instrumentasi ini adalah :. Mahasiswa mengetahui karakteristik rangkaian penguat instrumentasi sebagai aplikasi dari rangkaian

Lebih terperinci

BAB III PERANCANGAN ALAT. Pada perancangan alat untuk sistem demodulasi yang dirancang, terdiri dari

BAB III PERANCANGAN ALAT. Pada perancangan alat untuk sistem demodulasi yang dirancang, terdiri dari BAB III PERANCANGAN ALAT Pada perancangan alat untuk sistem demodulasi yang dirancang, terdiri dari beberapa perangkat keras (Hardware) yang akan dibentuk menjadi satu rangkaian pemodulasi sinyal digital

Lebih terperinci

Teknik Elektromedik Widya Husada 1

Teknik Elektromedik Widya Husada 1 FORMULIR PENILAIAN PRAKTIKUM Nama NIM Kelompok Praktikum :.. :.. :.. : Teknik Elektronika Terintegrasi No. Percobaan Tanggal Percobaan 1. Penguat Inverting 2. Penguat Non Inverting 3. Komparator 4. Penguat

Lebih terperinci

6.8 Daerah Saturasi ( Saturation Region ) CE

6.8 Daerah Saturasi ( Saturation Region ) CE 6.8 Daerah Saturasi (Saturation Region) E Di dalam daerah saturasi, junction kolektor (juga junction emitor) mendapat bias maju (forward biased) minimal sebesar tegangan cutin. Karena tegangan V E (atau

Lebih terperinci

Energi total sistem A dan tandon A`

Energi total sistem A dan tandon A` Ensambl dan Sistm Intaktif Ensambl dan Sistm Intaktif Tpik-tpik ang akan dibahas: Ensambl Mikkannik (tanpa intaksi, bab IV Ensambl Kannik (intaksi tmal Ensambl Kannik Bsa (intaksi difusif Ensambl Kannik

Lebih terperinci

VIII. KELEMBAGAAN PENGELOLAAN ENERGI

VIII. KELEMBAGAAN PENGELOLAAN ENERGI VIII. KELEMBAGAAN PENGELOLAAN ENERGI Kondisi obyktif pnglolaan ngi di Nusa Pnida dapat dikmukakan bdasakan tahapan pnglolaan yang mliputi tahap pncanaan, plaksanaan, dan pngndalian. Pada tahap pncanaan

Lebih terperinci

MODUL 04 PENGENALAN TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH

MODUL 04 PENGENALAN TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH P R O G R A M S T U D I F I S I K A F M I P A I T B LABORATORIUM ELEKTRONIKA DAN INSTRUMENTASI MODUL 04 PENGENALAN TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH 1 TUJUAN Memahami karakteristik kerja transistor BJT dan FET

Lebih terperinci

Prinsip kerja transistor adalah arus bias basis-emiter yang kecil mengatur besar arus kolektor-emiter.

Prinsip kerja transistor adalah arus bias basis-emiter yang kecil mengatur besar arus kolektor-emiter. TRANSISTOR Transistor adalah komponen elektronika yang tersusun dari dari bahan semi konduktor yang memiliki 3 kaki yaitu: basis (B), kolektor (C) dan emitor (E). Untuk membedakan transistor PNP dan NPN

Lebih terperinci

Tahap Ouput dan Penguat Daya

Tahap Ouput dan Penguat Daya Tahap Ouput dan Penguat Daya Kuliah 7-1 Isu penting untuk penguat daya selain penguatan (daya), resistansi input dan resistansi output distorsi amplituda (harmonik dan intermodulasi) efisiensi resistansi

Lebih terperinci

BAB III PERANCANGAN DAN REALISASI. Blok diagram carrier recovery dengan metode costas loop yang

BAB III PERANCANGAN DAN REALISASI. Blok diagram carrier recovery dengan metode costas loop yang BAB III PERANCANGAN DAN REALISASI 3.1 Perancangan Alat Blok diagram carrier recovery dengan metode costas loop yang direncanakan diperlihatkan pada Gambar 3.1. Sinyal masukan carrier recovery yang berasal

Lebih terperinci

MODUL 06 PENGUAT DAYA PRAKTIKUM ELEKTRONIKA TA 2017/2018

MODUL 06 PENGUAT DAYA PRAKTIKUM ELEKTRONIKA TA 2017/2018 MODUL 06 PENGUAT DAYA PRAKTIKUM ELEKTRONIKA TA 2017/2018 LABORATORIUM ELEKTRONIKA & INSTRUMENTASI PROGRAM STUDI FISIKA, INSTITUT TEKNOLOGI BANDUNG Riwayat Revisi Rev. 1 TUJUAN Memahami perbedaan konfigurasi

Lebih terperinci

Elektronika (TKE 4012)

Elektronika (TKE 4012) BJT (Bipolar Junction Transistor) Elektronika (TKE 4012) Eka Maulana maulana.lecture.ub.ac.id Dasar Transistor Arus transistor Koneksi rangkaian Kurva transistor Pokok Bahasan Pendekatan transistor Datasheet

Lebih terperinci

Instruksi Pengerjaan Tugas

Instruksi Pengerjaan Tugas TUGAS #1 EL3009 ELEKTRONIKA II SOLUSI batas akhir Senin, 8 September 015, pukul 16:00 pengumpulan Laboratorium Manufaktur Elektronika PME-ITB dosen Farkhad Ihsan Hariadi (NIP 131801346) asisten Vincentius

Lebih terperinci

KARAKTERISTIK TRANSISTOR. Risa Farrid Christianti

KARAKTERISTIK TRANSISTOR. Risa Farrid Christianti KARAKTERSTK TRANSSTOR Risa Farrid hristianti ARUS TRANSSTOR (1) Perbandingan arus Karena emitter (E) adalah sumber elektron, emiter mempunyai arus terbesar. Krn sebagian besar elektron mengalir ke Kolektor

Lebih terperinci

BAHAN AJAR ELEKTRONIKA ANALOG. ALFITH, S.Pd, M.Pd MATA KULIAH DISUSUN OLEH :

BAHAN AJAR ELEKTRONIKA ANALOG. ALFITH, S.Pd, M.Pd MATA KULIAH DISUSUN OLEH : BAHAN AJAR MATA KULIAH ELEKTRONIKA ANALOG DISUSUN OLEH : ALFITH, S.Pd, M.Pd JURUSAN TEKNIK ELEKTRO PROGRAM STUDI TEKNIK LISTRIK D III FAKULTAS TEKNOLOGI INDUSTRI INSTITUT TEKNOLOGI PADANG 2013 SATUAN AARA

Lebih terperinci

Yana Taryana a, *, Achmad Munir b, Yaya Sulaeman a, dan Dedi a

Yana Taryana a, *, Achmad Munir b, Yaya Sulaeman a, dan Dedi a Pancangan Low Nois Amplifi dngan Tknik Non Simultanous Conjugat atch untuk Aplikasi Rada S-Band Dsign of Low Nois Amplifi Usg Non Simultanous Conjugat atch Tchniqu fo S-Band Rada Application Yana Tayana

Lebih terperinci

B a b. Bipolar Junction Transistor

B a b. Bipolar Junction Transistor a b 3 ipolar Junction Transistor S elama periode 1904 1947 tabung vakum merupakan piranti elektronik yang sedang berkembang dan diproduksi secara besar-besaran untuk digunakan dalam radio, TV, amplifier,

Lebih terperinci

Cutoff Region Short-Circuited Base Open-Circuited Base Cutin Voltage

Cutoff Region Short-Circuited Base Open-Circuited Base Cutin Voltage utoff Region utoff didefinisikan sebagai keadaan dimana E = 0 dan = O, dan diketahui bahwa bias mundur V E.sat = 0,1 V (0 V) akan membuat transistor germanium (silikon) memasuki daerah cutoff. Apa yang

Lebih terperinci

PERTEMUAN 1 ANALISI AC PADA TRANSISTOR

PERTEMUAN 1 ANALISI AC PADA TRANSISTOR PERTEMUAN 1 ANALISI AC PADA TRANSISTOR Analisis AC atau sering disebut dengan analisa sinyal kecil pada penguat adalah analisa penguat sinyal kecil, dengan memblok sinyal DC yaitu dengan memberikan kapasitor

Lebih terperinci

4. BAB IV PENGUJIAN DAN ANALISIS. pengujian simulasi open loop juga digunakan untuk mengamati respon motor DC

4. BAB IV PENGUJIAN DAN ANALISIS. pengujian simulasi open loop juga digunakan untuk mengamati respon motor DC 4. BAB IV PENGUJIAN DAN ANALISIS 4.1 Pengujian Open Loop Motor DC Pengujian simulasi open loop berfungsi untuk mengamati model motor DC apakah memiliki dinamik sama dengan motor DC yang sesungguhnya. Selain

Lebih terperinci

LAMPIRAN A PARAMETER DAN VARIABEL YANG DIGUNAKAN DALAM PERHITUNGAN

LAMPIRAN A PARAMETER DAN VARIABEL YANG DIGUNAKAN DALAM PERHITUNGAN LAMPIRAN A PARAMETER DAN VARIABEL YANG DIGUNAKAN DALAM PERHITUNGAN A Paamt Nilai Ktangan Satuan a. c 3 0 8 adalah kcpatan cahaya di uang m/s hampa udaa b. f 300, 900, 3000 fkunsi sinyal glombang datang

Lebih terperinci

Dasar Sistem Pengukuran

Dasar Sistem Pengukuran Supervisory Control and Data Acquisition Dasar Sistem Pengukuran Ir. Jos Pramudijanto, M.Eng. Jurusan Teknik Elektro FTI ITS Telp. 594732 Fax.5931237 Email: pramudijanto@gmail.com Supervisory Control and

Lebih terperinci

hubungan frekuensi sumber tegangan persegi dengan konstanta waktu ( RC )?

hubungan frekuensi sumber tegangan persegi dengan konstanta waktu ( RC )? 1. a. Gambarkan rangkaian pengintegral RC (RC Integrator)! b. Mengapa rangkaian RC diatas disebut sebagai pengintegral RC dan bagaimana hubungan frekuensi sumber tegangan persegi dengan konstanta waktu

Lebih terperinci

PENGUAT-PENGUAT EMITER SEKUTU

PENGUAT-PENGUAT EMITER SEKUTU PENGUAT-PENGUAT EMITER SEKUTU 1. KAPASITOR PENGGANDENG DAN KAPASITOR PINTAS (Coupling And Bypass Capasitors) Sebuah kapasitor penggandeng melewatkan sinyal AC dari satu titik ke titik lain. Misalnya pada

Lebih terperinci

Pada transistor npn, seluruh polaritas arus dan tegangan merupakan kebalikan dari transistor pnp.

Pada transistor npn, seluruh polaritas arus dan tegangan merupakan kebalikan dari transistor pnp. 5.5 Konfigurasi Common-Base Gambar di atas menunjukkan konfigurasi grounded-base, yang dinamakan juga common-base. Pada transistor pnp, komponen utama arusnya adalah hole. Karena hole mengalir dari emitor

Lebih terperinci

INTERFERENSI DAN DIFRAKSI

INTERFERENSI DAN DIFRAKSI ITRFRSI DA DIFRAKSI Mata Kulah: Glombang & Optk Dosn: Andhy Stawan andhystawan DIFRAKSI CLAH TUGGAL DA KISI andhystawan B. Dfaks Dfaks mupan gjala pmblon (pnybaan) glombang kt mnjala mlalu clah smpt atau

Lebih terperinci

Analisis AC pada transistor BJT. Oleh: Sri Supatmi,S.Kom

Analisis AC pada transistor BJT. Oleh: Sri Supatmi,S.Kom Analisis AC pada transistor BJT Oleh: Sri Supatmi,S.Kom Model analisis AC pada transistor Terdapat beberapa model yang digunakan untuk melakukan analisis AC pada rangkaian transistor. Yang palg umum digunakan

Lebih terperinci

BAB IV PENGUJIAN ALAT DAN ANALISA HASIL PENGUJIAN

BAB IV PENGUJIAN ALAT DAN ANALISA HASIL PENGUJIAN BAB IV PENGUJIAN ALAT DAN ANALISA HASIL PENGUJIAN Pada bab ini dilakukan proses akhir dari pembuatan alat Tugas Akhir, yaitu pengujian alat yang telah selesai dirancang. Tujuan dari proses ini yaitu agar

Lebih terperinci

PERCOBAAN 14 RANGKAIAN BAND-PASS FILTER AKTIF

PERCOBAAN 14 RANGKAIAN BAND-PASS FILTER AKTIF EOBAAN 4 ANGKAIAN BAND-ASS FILTE AKTIF 4. Tujuan : ) Mendemonstasikan pinsip keja dan kaakteistik dai suatu angkaian akti band-pass ilte dengan menggunakan op-amp 74. ) Band-pass ilte melewatkan semua

Lebih terperinci

Materi 6: Transistor Fundamental

Materi 6: Transistor Fundamental Materi 6: Transistor Fundamental I Nyoman Kusuma Wardana Sistem Komputer STMIK STIKOM Bali Outline Load Line Q Point Bias Emiter Voltage-divider Bias Load Line Load line (garis beban) menggambarkan kinerja

Lebih terperinci

BAB III PERANCANGAN DAN PEMBUATAN ALAT Flow Chart Perancangan dan Pembuatan Alat. Mulai. Tinjauan pustaka

BAB III PERANCANGAN DAN PEMBUATAN ALAT Flow Chart Perancangan dan Pembuatan Alat. Mulai. Tinjauan pustaka 59 BAB III PERANCANGAN DAN PEMBUATAN ALAT 3.1. Flow Chart Perancangan dan Pembuatan Alat Mulai Tinjauan pustaka Simulasi dan perancangan alat untuk pengendali kecepatan motor DC dengan kontroler PID analog

Lebih terperinci

Jenuh AC dan Putus AC

Jenuh AC dan Putus AC Penguat Daya Gais beban D dan A dai Penguat Emite Sekutu Kaena kapasito dianggap hubung-singkat untuk sinyal A maka tahanan beban yang dilihat oleh tansisto adalah : = R // R L Oleh kaena itu gais beban

Lebih terperinci

MODUL PRAKTIKUM RANGKAIAN ELEKTRONIKA DASAR

MODUL PRAKTIKUM RANGKAIAN ELEKTRONIKA DASAR MODUL PRAKTIKUM RANGKAIAN ELEKTRONIKA DASAR LABORATORIUM KOMPUTER FAKULTAS ILMU KOMPUTER UNIVERSITAS SRIWIJAYA 213 Universitas Sriwijaya Fakultas Ilmu Komputer Laboratorium LEMBAR PENGESAHAN MODUL PRAKTIKUM

Lebih terperinci

OPERATIONAL AMPLIFIERS (OP-AMP)

OPERATIONAL AMPLIFIERS (OP-AMP) MODUL II Praktikum OPERATIONAL AMPLIFIERS (OP-AMP) 1. Memahami cara kerja operasi amplifiers (Op-Amp). 2. Memahami cara penghitungan pada operating amplifiers. 3. Mampu menggunakan IC Op-Amp pada rangkaian.

Lebih terperinci

Elektronika Lanjut. Herman Dwi Surjono, Ph.D.

Elektronika Lanjut. Herman Dwi Surjono, Ph.D. Elektronika Lanjut Herman Dwi Surjono, Ph.D. Elektronika Lanjut Disusun Oleh: Herman Dwi Surjono, Ph.D. 2009 All Rights Reserved Hak cipta dilindungi undang-undang Penyunting : Tim Cerdas Ulet Kreatif

Lebih terperinci

JURUSAN TEKNIK MESIN Fakultas Teknologi Industri Institut Teknologi Sepuluh Nopember Surabaya 2010

JURUSAN TEKNIK MESIN Fakultas Teknologi Industri Institut Teknologi Sepuluh Nopember Surabaya 2010 TUGAS AKHIR PENGGUNAAN STRAIN GAUGE SEBAGAI SENSOR GAYA UNTUK MENINGKATKAN KINERJA SISTEM TRANSMISI CONTINUOUSLY VARIABLE TRANSMISSION ( CVT ) Oleh : HERLAMBANG BAGUS P. NRP 2108 100 506 Dosen Pembimbing

Lebih terperinci

MODUL 07 PENGUAT DAYA

MODUL 07 PENGUAT DAYA P R O G R A M S T U D I F I S I K A F M I P A I T B LABORATORIUM ELEKTRONIKA DAN INSTRUMENTASI MODUL 07 PENGUAT DAYA 1 TUJUAN Memahami konfigurasi dan prinsip kerja penguat daya kelas B dan AB. Memahami

Lebih terperinci

PERCOBAAN 7 RANGKAIAN PENGUAT RESPONSE FREKUENSI RENDAH

PERCOBAAN 7 RANGKAIAN PENGUAT RESPONSE FREKUENSI RENDAH PECOBAAN 7 ANGKAIAN PENGUAT ESPONSE FEKUENSI ENDAH 7. Tujuan : Tujuan dari percobaan ini adalah untuk mendemonstrasikan faktor-faktor yang berkontribusi pada respon frekuensi rendah, dari suatu amplifier

Lebih terperinci

Jobsheet Praktikum DECODER

Jobsheet Praktikum DECODER 1 DECODER A. Tujuan Kegiatan Praktikum 6 : Setelah mempraktekkan Topik ini, mahasiswa diharapkan dapat : 1) Merangkai rangkaian DECODER. 2) Mengetahui karakteristik rangkaian DECODER. B. Dasar Teori Kegiatan

Lebih terperinci

INTERFERENSI DAN DIFRAKSI. Mata Kuliah: Gelombang & Optik Dosen: Andhy Setiawan

INTERFERENSI DAN DIFRAKSI. Mata Kuliah: Gelombang & Optik Dosen: Andhy Setiawan TRFRS DA DFRAKS Maa Kulah: Glombang & Opk Dosn: Anhy Sawan A. nfns nfns mupakan ppauan ua aau lbh glombang sbaga akba blakunya pnsp supposss. nfns ja bla glombang glombang sbu kohn, yau mmpunya pbaan fas

Lebih terperinci

Perancangan Bandpass Filter Pita Sempit pada Frekuensi L-Band untuk Aplikasi Synthetic Aperture Radar (SAR)

Perancangan Bandpass Filter Pita Sempit pada Frekuensi L-Band untuk Aplikasi Synthetic Aperture Radar (SAR) JURNAL INFOTEL Infomatika - Tlkomunikasi - Elktonika Wbsit Junal : http://jounal.st3tlkom.ac.id/indx.php/infotl ISSN : 2085-3688; -ISSN : 2460-0997 Pancangan Bandpass Filt Pita Smpit pada Fkunsi L-Band

Lebih terperinci

KATA PENGANTAR. Surabaya, 13 Oktober Penulis

KATA PENGANTAR. Surabaya, 13 Oktober Penulis KATA PENGANTAR Puji dan Syukur kami panjatkan ke Hadirat Tuhan Yang Maha Esa, karena berkat limpahan Rahmat dan Karunia-nya sehingga kami dapat menyusun laporan Praktikum Dasar Elektronika dan Digital

Lebih terperinci

BAB 3 ANALISIS DAN MINIMISASI RIAK ARUS SISI AC

BAB 3 ANALISIS DAN MINIMISASI RIAK ARUS SISI AC BAB 3 ANALISIS DAN MINIMISASI RIAK ARUS SISI AC 3.1 Pendahuluan Pada penelitian sebelumnya[7] telah dibuktikan bahwa sinyal efeensi optimum yang dapat menghasilkan iak aus keluaan yang minimum pada invete

Lebih terperinci

Transistor Bipolar. III.1 Arus bias

Transistor Bipolar. III.1 Arus bias Transistor Bipolar Pada tulisan tentang semikonduktor telah dijelaskan bagaimana sambungan NPN maupun PNP menjadi sebuah transistor. Telah disinggung juga sedikit tentang arus bias yang memungkinkan elektron

Lebih terperinci

PENYEARAH TIGA FASA. 30 dan sudut pemadamannya

PENYEARAH TIGA FASA. 30 dan sudut pemadamannya FAKULTAS TEKNK UN ENYEAAH TGA FASA JOBSHEET/LABSHEET JUUSAN TEKNK ELEKTO NOMO X OGAM STUD D WAKTU x 50 MENT TOK ENYEAAH TGA FASA MATA KULAH /KODE ELEKTONKA DAYA 1/ SETENGAH GELOMBANG TE051 TEKENDAL. TUJUAN

Lebih terperinci

TRANSISTOR SEBAGAI SAKLAR DAN SUMBER ARUS

TRANSISTOR SEBAGAI SAKLAR DAN SUMBER ARUS TRANSSTOR SEBAGA SAKLAR DAN SUMBER ARUS 1. TRANSSTOR SEBAGA SAKLAR Salah satu aplikasi yang paling mudah dari suatu transistor adalah transistor sebagai saklar. Yaitu dengan mengoperasikan transistor pada

Lebih terperinci

Transistor Bipolar. oleh aswan hamonangan

Transistor Bipolar. oleh aswan hamonangan Transistor Bipolar oleh aswan hamonangan Pada tulisan tentang semikonduktor telah dijelaskan bagaimana sambungan NPN maupun PNP menjadi sebuah transistor. Telah disinggung juga sedikit tentang arus bias

Lebih terperinci

Q POWER ELECTRONIC LABORATORY EVERYTHING UNDER SWITCHED

Q POWER ELECTRONIC LABORATORY EVERYTHING UNDER SWITCHED Q POWER ELECTRONIC LABORATORY EVERYTHING UNDER SWITCHED PRAKTIKUM ELEKTRONIKA ANALOG 01 P-05 KOMPARATOR SMT. GENAP 2015/2016 A. Tujuan 1. Mahasiswa mengetahui karakteristik rangkaian komparator sebagai

Lebih terperinci

INSTRUMENTASI INDUSTRI (NEKA421)

INSTRUMENTASI INDUSTRI (NEKA421) INSTRUMENTASI INDUSTRI (NEKA421) JOBSHEET 11 (OSILATOR HARTLEY) I. TUJUAN 1. Mahasiswa dapat mengetahui prinsip kerja dan karakteristik oscillator hartley. 2. Mahasiswa mampu merancang rangkaian oscillator

Lebih terperinci

Bab III Respon Sinusoidal

Bab III Respon Sinusoidal Bab III Respon Sinusoidal Sinyal sinusiodal digunakan sebagai input ui terhadap kinera sistem, misal untuk mengetahui respon frekuensi, distorsi harmonik dan distorsi intermodulasi... Bentuk Amplituda-fasa

Lebih terperinci

Gambar 1 Tegangan bias pada transistor BJT jenis PNP

Gambar 1 Tegangan bias pada transistor BJT jenis PNP KEGIATAN BELAJAR 2 Percobaan 1 A. Tujuan a. Mahasiswa diharapkan dapat memahami karakteristik switching dari BJT b. Mahasiswa diharapkan dapat menggambarkan kurva karakteristik v-i masukan dan keluaran

Lebih terperinci

TRANSISTOR EFEK-MEDAN (FIELD-EFFECT TRANSISTOR)

TRANSISTOR EFEK-MEDAN (FIELD-EFFECT TRANSISTOR) "! # 3 2! 12 TANSISTO EFEK-MEDAN (FIELD-EFFECT TANSISTO) 12.1 Pengatar Fungsi utama dari sebuah penguat adalah untuk menghasilkan penguatan isyarat dengan tingkat penguatan tertentu. Transistor unipolar

Lebih terperinci

DIGITAL TO ANALOG CONVERTER

DIGITAL TO ANALOG CONVERTER PERCOBAAN 9 DIGITAL TO ANALOG CONVERTER 9.1. TUJUAN : Setelah melakukan percobaan ini mahasiswa diharapkan mampu Menjelaskan proses perubahan dari sistim digital ke analog Membuat rangkaian DAC Binary-weighted

Lebih terperinci

Modul 4. Asisten : Catra Novendia Utama ( ) : M. Mufti Muflihun ( )

Modul 4.   Asisten : Catra Novendia Utama ( ) : M. Mufti Muflihun ( ) Modul 4 OPERATIONAL AMPLIFIER Nama : Muhammad Ilham NIM : 10211078 E-mail : ilham_atlantis@hotmail.com Shift/Minggu : III/2 Asisten : Catra Novendia Utama (10208074) : M. Mufti Muflihun (10208039) Tanggal

Lebih terperinci

Hukum Gauss. f = fluks listrik = jumlah garis gaya yang menembus luas A E r = medan listrik = elemen luas q i

Hukum Gauss. f = fluks listrik = jumlah garis gaya yang menembus luas A E r = medan listrik = elemen luas q i Hukum Gauss Pv. Jumlah gais gaya yang klua dai pmukaan ttutup S bbanding luus dngan jumlah muatan yang dilingkupinya. dimana : f = E d A = q i f = fluks listik = jumlah gais gaya yang mnmbus luas A E =

Lebih terperinci

BAB IV HASIL PERCOBAAN DAN ANALISIS

BAB IV HASIL PERCOBAAN DAN ANALISIS 48 BAB I HASIL PERCOBAAN DAN ANALISIS 4.1. HASIL PERCOBAAN 4.1.1. KARAKTERISTIK DIODA Karakteristik Dioda dengan Masukan DC Tabel 4.1. Karakteristik Dioda 1N4007 Bias Maju. S () L () I D (A) S () L ()

Lebih terperinci

BAB VF, Penguat Daya BAB VF PENGUAT DAYA

BAB VF, Penguat Daya BAB VF PENGUAT DAYA Hal:33 BAB F PENGUAT DAYA Dalam elektronika banyak sekali dijumpai jenis penguat, pengelompokkan dapat berdasarkan: 1. rentang frekuensi operasi, a. gelombang lebar (seperti: penguat audio, video, rf dll)

Lebih terperinci

BAB III METODE PENELITIAN. Penelitian ini dilaksanakan pada dua tempat yaitu di Laboratorium

BAB III METODE PENELITIAN. Penelitian ini dilaksanakan pada dua tempat yaitu di Laboratorium 45 BAB III METODE PENELITIAN A. Waktu dan Tempat Pelaksanaan Penelitian ini dilaksanakan pada dua tempat yaitu di Laboratorium Pemodelan Fisika untuk perancangan perangkat lunak (software) program analisis

Lebih terperinci

LAPORAN PRAKTIKUM INSTRUMENTASI RANGKAIAN PENGUAT JEMBATAN Dosen Pengampu: Bekti Wulandari M.Pd

LAPORAN PRAKTIKUM INSTRUMENTASI RANGKAIAN PENGUAT JEMBATAN Dosen Pengampu: Bekti Wulandari M.Pd LAPORAN PRAKTIKUM INSTRUMENTASI RANGKAIAN PENGUAT JEMBATAN Dosen Pengampu: Bekti Wulandari M.Pd Disusun oleh: Muhammad Arief Bakhtiar Hidayat (13507134007) PENDIDIKAN TEKNIK ELEKTRONIKA FAKULTAS TEKNIK

Lebih terperinci

TRANSISTOR Oleh : Agus Sudarmanto, M.Si Tadris Fisika Fakultas Tarbiyah IAIN Walisongo

TRANSISTOR Oleh : Agus Sudarmanto, M.Si Tadris Fisika Fakultas Tarbiyah IAIN Walisongo TRANSISTOR Oleh : Agus Sudarmanto, M.Si Tadris Fisika Fakultas Tarbiyah IAIN Walisongo Transistor adalah komponen elektronika yang tersusun dari dari bahan semi konduktor yang memiliki 3 kaki yaitu: basis

Lebih terperinci

TK 2092 ELEKTRONIKA DASAR

TK 2092 ELEKTRONIKA DASAR TK 2092 ELEKTRONIKA DASAR MATERI : DIODA Gita Indah Hapsari TK2092 Elektronika Dasar END Materi 6 : Dioda Memberikan pengetahuan dasar mengenai beberapa hal berikut : 1. Karakteristik Dioda 2. Jenis Dioda

Lebih terperinci

RESPON FREKUENSI PENGUAT CE

RESPON FREKUENSI PENGUAT CE RESPON FREKUENSI PENGUAT CE 1. TUJUAN Mengukur dan menggambarkan kurva bode plot dari respon frekuensi rendah dan tinggi dari penguat CE 2. LANDASAN TEORI Suatu penguat tentunya mempunyai keterbatasan

Lebih terperinci

BAB IV PENGUJIAN ALAT

BAB IV PENGUJIAN ALAT BAB IV PENGUJIAN ALAT Pada bab ini akan dibahas mengenai pengujian dan hasil yang dicapai dari alat yang dibuat. Pengujian dilakukan untuk mengetahui apakah alat yang dirancang dapat bekerja dengan baik

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang

BAB I PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Perkembangan teknologi komunikasi semakin cepat dan beragam, sehingga muncul standar teknologi yang baru dan semakin canggih. Di dalam suatu komunikasi umumnya terdapat

Lebih terperinci

PENGUAT FREKUENSI RENDAH (lanjutan)

PENGUAT FREKUENSI RENDAH (lanjutan) EEKTONK NOG Prtmuan 4 PENGUT FEKUENS ENDH (lanjutan) Pngkut Emtr (Emttr Followr) Pnguat transstor kolktor umum (ommon-mttr) dsut juga dgn stla pngkut mtr. Konfgurasnya dgamarkan s. Konfguras kolktor-umum

Lebih terperinci

BAB IV PENGUJIAN DAN ANALISIS

BAB IV PENGUJIAN DAN ANALISIS BAB IV PENGUJIAN DAN ANALISIS Pada bab ini akan dibahas mengenai pengujian alat serta analisis dari hasil pengujian. Tujuan dilakukan pengujian adalah mengetahui sejauh mana kinerja hasil perancangan yang

Lebih terperinci

UNIVERSITAS INDONESIA

UNIVERSITAS INDONESIA UNIVERSITAS INDONESIA STUDI KARAKTERISTIK RESONATOR LC DAN AMPLIFIER TIPE BIPOLAR JUNCTION TRANSISTOR PADA RANGKAIAN OSILATOR COLPITTS SEBAGAI PENGKONDISI SINYAL SKRIPSI TAQWA TANJUNG 030502090X FAKULTAS

Lebih terperinci

LAB SHEET ILMU BAHAN DAN PIRANTI

LAB SHEET ILMU BAHAN DAN PIRANTI JURUSAN TEKNIK ELEKTRO NOMOR : O1 MATA KULIAH ILMU BAHAN DAN PIRANTI TOPIK :KARAKTERISTIK DIODA I. TUJUAN 1. Pengenalan komponen elektronika dioda semi konduktor 2. Mengetahui karakteristik dioda semi

Lebih terperinci

LAPORAN PRAKTIKUM ELKA ANALOG

LAPORAN PRAKTIKUM ELKA ANALOG LAPORAN PRAKTIKUM ELKA ANALOG GARIS BEBAN DC TRANSISTOR KELAS / GROUP : Telkom 3-D / 2 NAMA PRAKTIKAN : 1. Gusti Prabowo Randu NAMA REKAN KERJA : 2. Dwi Mega Yulianingrum 3. Nadia Rifa R PROGRAM STUDI

Lebih terperinci