BAB IV HASIL PERCOBAAN DAN ANALISIS

Save this PDF as:
 WORD  PNG  TXT  JPG

Ukuran: px
Mulai penontonan dengan halaman:

Download "BAB IV HASIL PERCOBAAN DAN ANALISIS"

Transkripsi

1 48 BAB I HASIL PERCOBAAN DAN ANALISIS 4.1. HASIL PERCOBAAN KARAKTERISTIK DIODA Karakteristik Dioda dengan Masukan DC Tabel 4.1. Karakteristik Dioda 1N4007 Bias Maju. S () L () I D (A) S () L () I D (A) ,6 1,9 0,019 0, ,7 2 0,02 0, ,8 2,1 0,021 0, ,9 2,2 0,022 0,4 0,013 0, ,3 0,023 0,5 0,019 0, ,1 2,4 0,024 0,6 0,059 0, ,2 2,5 0,025 0,7 0,128 0, ,3 2,6 0,026 0,8 0,201 0, ,4 2,7 0,027 0,9 0,274 0, ,5 2,8 0, ,362 0, ,6 2,9 0,029 1,1 0,448 0, ,7 3 0,03 1,2 0,557 0, ,8 3,1 0,031 1,3 0,655 0, ,9 3,2 0,032 1,4 0,735 0, ,3 0,033 1,5 0,838 0, ,1 3,4 0,034 1,6 0,934 0, ,2 3,5 0,035 1,7 1,02 0,0102 4,3 3,6 0,036 1,8 1,12 0,0112 4,4 3,7 0,037 1,9 1,2 0,012 4,5 3,8 0, ,3 0,013 4,6 3,9 0,039 2,1 1,4 0,014 4,7 4 0,04 2,2 1,5 0,015 4,8 4,1 0,041 2,3 1,6 0,016 4,9 4,2 0,042 2,4 1,7 0, ,3 0,043 2,5 1,8 0,018

2 49 Tabel 4.2. Karakteristik Dioda 1N4148 Bias Maju. S () L () I D (A) S () L () I D (A) ,6 1,83 0,0183 0, ,7 2 0,02 0, ,8 2,1 0,021 0, ,9 2,14 0,0214 0,4 0,001 0, ,24 0,0224 0,5 0,011 0, ,1 2,34 0,0234 0,6 0,045 0, ,2 2,43 0,0243 0,7 0,099 0, ,3 2,53 0,0253 0,8 0,171 0, ,4 2,63 0,0263 0,9 0,247 0, ,5 2,73 0, ,338 0, ,6 2,82 0,0282 1,1 0,424 0, ,7 2,92 0,0292 1,2 0,521 0, ,8 3 0,03 1,3 0,604 0, ,9 3,1 0,031 1,4 0,693 0, ,2 0,032 1,5 0,8 0,008 4,1 3,3 0,033 1,6 0,89 0,0089 4,2 3,4 0,034 1,7 0,99 0,0099 4,3 3,5 0,035 1,8 1,084 0, ,4 3,6 0,036 1,9 1,185 0, ,5 3,7 0, ,264 0, ,6 3,8 0,038 2,1 1,35 0,0135 4,7 3,9 0,039 2,2 1,47 0,0147 4,8 4 0,04 2,3 1,55 0,0155 4,9 4,1 0,041 2,4 1,65 0, ,2 0,042 2,5 1,73 0,0173 Tabel 4.3. Karakteristik Dioda 1N4007 Bias Balik. S () L (m) I D (na) , , ,5 Tabel 4.4. Karakteristik Dioda 1N4148 Bias Balik. S () L () I D (na) , , ,71

3 50 Menghitung Reverse Recovery Time Dioda Gambar 4.1. Grafik Keluaran Dioda 1N4007 dengan Masukan Gelombang Kotak Frekuensi 1 KHz. Gambar 4.2. Grafik Keluaran Dioda 1N4007 dengan Masukan Gelombang Kotak Frekuensi 10 KHz.

4 51 Gambar 4.3. Grafik Keluaran Dioda 1N4148 dengan Masukan Gelombang Kotak Frekuensi 5 KHz. Gambar 4.4. Grafik Keluaran Dioda 1N4148 dengan Masukan Gelombang Kotak Frekuensi 50 KHz.

5 KARAKTERISTIK TRANSISTOR Karakteristik I C I B Tabel 4.5. Karakteristik I C I B Transistor untuk cc 10. CC = 10 olt; R B = R C = 100Ohm/20Watt BB () BE () I B (ma) I C (ma) CE () CB () ,3 0, ,7 0,4 0,4 0 0,6 10 9,6 0,5 0,45 0,5 2,1 10 9,55 0,6 0,5 1 10,5 9 8,5 0,7 0,55 1,5 38,8 6 5,45 0,8 0,57 2,3 45,5 5,3 4,73 0,9 0,62 2,8 61,3 3,6 2,98 1 0,65 3,5 84,6 0,8 0,15 1,1 0,65 4,5 90,5 0,225-0,425 1,2 0,65 5,5 90,8 0,225-0,425 1,3 0,65 6,5 90,8 0,21-0,44 1,4 0,65 7,5 90,9 0,21-0,44 1,5 0,65 8,5 91,1 0,2-0,45 1,6 0,65 9,5 91,2 0,19-0,46 2 0,65 13,5 91,3 0,16-0,49 2,1 0,65 14,5 91,5 0,15-0,5 2,2 0,65 15,5 91,5 0,15-0,5 2,5 0,65 18,5 91,6 0,135-0, ,65 23,5 91,7 0,125-0,525 3,5 0,65 28,5 91,7 0,12-0,53 4 0,65 33,5 91,7 0,115-0,535

6 53 Tabel 4.6. Karakteristik I C I B Transistor untuk cc 15. CC = 15 olt; R B = R C = 100Ohm/20Watt BB () BE () I B (ma) I C (ma) CE () CB () ,1 0, ,9 0,2 0, ,8 0,3 0,28 0,2 0, ,72 0,4 0,37 0,3 0, ,63 0,5 0,44 0,6 0, ,56 0,6 0,515 0,85 25, ,485 0,7 0,535 1,65 36,2 11,4 10,865 0,8 0,575 2,25 73,9 7,25 6,675 0,9 0, ,4 2,9 2,3 1 0, ,4 2 1,4 1,1 0, ,8 1 0,4 1,2 0,62 5,8 137,8 0,275-0,345 1,3 0,64 6,6 138,4 0,23-0,41 1,4 0,65 7,5 138,5 0,21-0,44 1,5 0,65 8,5 138,6 0,205-0, ,65 13,5 138,8 0,17-0,48 2,5 0,65 18,5 138,8 0,17-0,48 2,7 0,65 20,5 138,8 0,17-0,48 3 0,65 23, ,15-0,5 3,5 0,67 28, ,15-0,52 4 0,67 33, ,15-0,52 Tabel 4.7. Karakteristik I C I B Transistor untuk cc 20. CC = 20 olt; R B = R C = 100Ohm/20Watt BB () BE () I B (ma) I C (ma) CE () CB () ,3 0,28 0, ,72 0,4 0,37 0,3 0, ,63 0,5 0,44 0,6 1, ,56 0,6 0,5 1 15,9 18,2 17,7 0,7 0,55 1,5 52,5 14,1 13,55 0,8 0,55 2,5 67,4 12,6 12,05 0,9 0,58 3,2 106,8 8,5 7,92 1 0, ,4 7,5 6,9 1,1 0,625 4,75 141,3 4,5 3,875 1,5 0,65 8,5 179,6 0,25-0,4 1,8 0,66 11,4 180,1 0,24-0,42 2 0,66 13,4 180,2 0,24-0,42 2,2 0,665 15,35 180,4 0,225-0,44 2,5 0,67 18,3 180,4 0,21-0,46 3 0,68 23,2 180,4 0,205-0,475 3,5 0,68 28,2 180,5 0,2-0,48 4 0,685 33,15 180,5 0,19-0,495 4,5 0,69 38,1 180,6 0,18-0,51 5 0, ,7 0,175-0,525

7 54 Karakteristik BE I B Tabel 4.8. Karakteristik BE I B Transistor untuk CE 7. CE = 7 ; R B = 10 Ω / 10 W; R C = 100 Ω / 20 W B () BE (m) I B (ma) ,1 96 0,4 0, ,8 0, ,3 0, ,8 0, , ,2 0, ,5 0, ,6 0, , ,6 1, ,3 1, ,7 1, ,7 1, ,2 1, ,8 1, ,6 1, ,9 1, ,7 1, , ,1

8 55 Tabel 4.9. Karakteristik BE I B Transistor untuk CE 8. CE = 8 ; R B = 10 Ω / 10 W; R C = 100 Ω / 20 W B () BE (m) I B (ma) ,1 85 1,5 0, ,8 0, , ,2 0, ,4 0, ,6 0, ,5 0, ,5 0, , ,1 1, ,6 1, ,5 1, ,7 1, ,4 1, ,7 1, ,5 1, ,9 1, ,7 1, , ,9 Tabel Karakteristik BE I B Transistor untuk CE 9. CE = 9 ; R B = 10 Ω / 10 W; R C = 100 Ω / 20 W B () BE (m) I B (ma) ,1 96 0,4 0, ,8 0, ,2 0, ,2 0, ,3 0, ,1 0, ,3 0, ,7 0, , ,1 1, ,6 1, , ,1 1, ,5 1, ,1 1, ,8 1, ,2 1, ,8 1, , ,3

9 56 Karakteristik CE I C Tabel Karakteristik CE I C Transistor untuk I B 0,3 ma. I B = 0,3 ma; R C = 100 Ω / 20 W C () CE (m) I C (ma) ,038 9,4 2 0,058 17,8 3 0,078 28,6 4 0,094 37,2 5 0, ,125 56,3 7 0,14 64,4 8 0,152 72,7 9 0,3 79,8 10 1, ,85 84,1 12 3,05 85, ,8 14 4,8 87,7 15 5,6 88,8 16 6,4 90,2 17 7,25 91, , , , ,8 95, ,4 96, , , , , ,

10 Tabel Karakteristik CE I C Transistor untuk I B 0,4 ma. I B = 0,4 ma; R C = 100 Ω / 20 W C () CE (m) I C (ma) ,034 10,3 2 0,05 18,6 3 0,066 28,4 4 0,08 37,9 5 0,095 47,6 6 0,109 56,9 7 0,125 63,8 8 0,14 73,7 9 0,15 82,9 10 0,175 90,9 11 0,25 98,7 12 0,7 105,7 13 1,85 107,9 14 2,65 109,2 15 3,5 110,5 16 4,3 111, ,2 18 5,7 114,4 19 6, ,6 117,7 21 8, ,2 120, , ,8 123, ,8 125, ,5 127, ,3 129, ,

11 Tabel Karakteristik CE I C Transistor untuk I B 0,5 ma. I B = 0,5 ma; R C = 100 Ω / 20 W C () CE (m) I C (ma) ,027 9,2 2 0, ,064 33,2 4 0,076 41,9 5 0,087 49,9 6 0,099 60,2 7 0,11 69,1 8 0,125 78,4 9 0, ,15 95,5 11 0, ,2 12 0,2 115,3 13 0,35 123,9 14 0,91 126,3 15 1,85 128,8 16 2,5 130,3 17 3,2 132,3 18 3,6 135, ,4 139, , ,2 23 7, , , , ,6 58

12 KARAKTERISTIK SCR Tabel Karakteristik SCR untuk I G 10 ma. GG = 1 ; R G = 100 Ω / 0,5 W; I G = 10 ma AA () AK () I A (ma) ,6 0, ,68 0,8 3 0,7 1,3 4 0,74 1, ,75 2,5 6 0,75 4,3 7 0,76 4,5 8 0,76 5,4 9 0, ,76 6,6 12 0, ,76 9,5 16 0, ,76 12, ,76 13,5 22 0, ,76 16,1 26 0,76 17,5 28 0, ,76 24,3 I H = 15mA BO > 90 I L = 16,4mA

13 60 Tabel Karakteristik SCR untuk I G 15 ma. GG = 1,5; R G = 100 Ω / 0,5 W; I G = 15 ma AA () AK () I A (ma) ,65 0,21 2 0,65 0,7 3 0,66 1,05 4 0,68 1,5 5 0,7 1, ,7 2,35 7 0,7 2,8 8 0, ,7 4,4 10 0,7 4, ,725 5,6 14 0,725 6,7 16 0,725 7, ,74 8,6 20 0,74 9,6 22 0,74 10,5 24 0,74 11,5 26 0,74 12,5 28 0,74 18, ,74 20,25 I H = 13,5mA BO > 90 I L = 15,8 ma

14 61 Tabel Karakteristik SCR untuk I G 20 ma. GG = 2; R G = 100 Ω / 0,5 W; I G = 20 ma AA () AK () I A (ma) ,65 0,12 2 0, ,665 1,25 4 0,67 1,75 5 0,675 2,4 6 0,7 2,9 7 0, ,7 4,1 9 0,7 4,6 10 0,7 5, ,71 6,5 14 0,715 7,5 16 0,72 8, ,725 9,6 20 0,725 10, ,73 11,8 24 0,735 12,9 26 0,74 14,1 28 0,745 15,1 30 0,75 16,3 I H = 12mA BO > 90 I L = 14,5 ma

15 KARAKTERISTIK TRIAC Mode 1 Tabel Karakteristik TRIAC Mode 1. Mode 1 R G = 100 Ω / 0,5 W; R L = 2,2 kω /0,5 W; G = 1,5 M () MT2MT1 () I M (ma) ,56 0,22 2 0,6 0,64 3 0,6 1, ,645 1,5 5 0,65 1,8 6 0,65 2,46 7 0,65 2,89 8 0,65 4,1 9 0,66 4,5 10 0,67 4, ,675 5,9 14 0,69 7, , , , , ,71 11,8 26 0,72 12,9 28 0,72 13,6 30 0,725 14,7 I H = 1,2mA BO > 90 I L = 1,8mA

16 63 Mode 2 Tabel Karakteristik TRIAC Mode 2. Mode 2 R G = 100 Ω / 0,5 W; R L = 2,2 kω / 0,5 W; G = 1,5 M () MT2MT1 () I M (ma) 0-0,47 0,2 1-0,34 0,59 2-0, ,13 1, ,07 1,81 5-0,03 2,5 6 0,03 2,9 7 0,09 3,4 8 0,15 3,8 9 0,21 4, ,27 4,7 12 0,4 5,6 14 0,5 6,5 16 0,6 7,4 18 0,62 8, ,63 9,3 22 0,65 10,4 24 0,66 11,5 26 0,675 12, ,68 13, ,69 14,5 I H = 2,5mA BO > 90 I L = 4,25mA

17 64 Mode 3 Tabel Karakteristik TRIAC Mode 3. Mode 3 R G = 30 Ω /0,5 W; R L = 2,2 kω / 0,5 W; G = 1 M () MT2MT1 () I M (ma) 0 0, ,6 0,2 2 0,625 0,6 3 0,64 1,1 4 0,645 1,5 5 0, ,655 2,4 7 0,66 2,9 8 0,665 3,3 9 0,67 3,8 10 0,675 4,2 12 0,695 5,3 14 0,7 6,2 16 0,7 7,1 18 0, ,705 8,9 22 0,715 9,8 24 0,72 10,8 26 0,725 11,5 28 0,73 12,4 30 0,735 13,6 I H = 1mA BO > 90 I L = 1,2mA

18 65 Mode 4 Tabel Karakteristik TRIAC Mode 4. Mode 4 R G = 100Ω / 0,5 W; R L = 2,2 kω / 0,5 W; G = 1,5 M () MT2MT1 () I M (ma) 0 0, ,625 0,1 2 0,65 0,5 3 0, ,655 1,4 5 0,66 1,9 6 0,66 2,4 7 0,665 2,8 8 0,67 3,3 9 0,675 3,7 10 0,68 4,2 12 0,69 5,2 14 0,7 6,2 16 0,7 7,2 18 0,705 8,2 20 0,71 9,2 22 0,715 10,2 24 0,72 11,3 26 0,72 12,3 28 0,725 13,2 30 0,73 14 I H = 1,1mA BO > 90 I L = 1,15mA

19 KARAKTERISTIK MOSFET A. Karakteristik DS - I D Tabel Karakteristik DS - I D untuk GS 3. GS = 3 ; R G = 100 Ω / 20 W; R L = 1 MΩ DS () I D (ma) 0 0 0,01 0,15 0,02 0,25 0,03 0,32 0,04 0,36 0,08 0,5 0,1 0,52 1 0,55 2 0,57 3 0,58 4 0,59 5 0,6 Tabel Karakteristik DS - I D untuk GS 3,1. GS = 3,1 ; R G = 100 Ω / 20 W; R L = 1 MΩ DS () I D (ma) 0 0 0,008 0,3 0,01 0,35 0,02 0,6 0,03 0,75 0,04 0,9 0,06 1,1 0,08 1,25 0,1 1,35 1 1,45 2 1,45 3 1,45 4 1,45 5 1,45

20 67 Tabel Karakteristik DS - I D untuk GS 3,2. GS = 3,2 ; R G = 100 Ω / 20 W; R L = 1 MΩ DS () I D (ma) 0 0 0,01 0,87 0,02 1,36 0,03 1,85 0,04 2,16 0,1 4,2 1 4,2 2 4,2 3 4,2 4 4,2 5 4,2 Tabel Karakteristik DS - I D untuk GS 3,3. GS = 3,3 ; R G = 100 Ω / 20 W; R L = 1 MΩ DS () I D (ma) 0 0 0,01 1,15 0,02 2,05 0,03 3 0,04 3,6 0,06 4,2 0, Tabel Karakteristik DS - I D untuk GS 3,4. GS = 3,4 ; R G = 100 Ω / 20 W; R L = 1 MΩ DS () I D (ma) 0 0 0,01 2,3 0,02 3,2 0,05 5,4 0,1 7,6 0,2 8 0, ,1 2 10,1 3 10,1 4 10,1 5 10,1

21 68 B. Karakteristik GS - I D Tabel Karakteristik GS - I D untuk DS 0,6. DS = 0,6; R D = 10 Ω / 20 W; R G = 1MΩ GS () I D (ma) 0 0 2,4 0 2,45 0,0015 2,5 0,0025 2,55 0,005 2,6 0,0075 2,65 0,015 2,7 0,0225 2,75 0,04 2,8 0,065 2,85 0,085 2,9 0,135 2,95 0, ,3 3,05 0,6 3,1 0,9 3,15 1,2 3,2 1,9 3,25 3,1 3,3 5 3,35 6,5 3,4 8 3,45 10,5 3,5 14,5 3, ,6 22 3,65 23,5 3,7 25 3, ,8 35

22 69 Tabel Karakteristik GS - I D untuk DS 1. DS = 1; R D = 10 Ω / 20 W; R G = 1MΩ GS () I D (ma) 0 0 2,3 0 2,4 0,001 2,45 0,0015 2,5 0,0026 2,55 0,008 2,6 0,0125 2,65 0,021 2,7 0,035 2,75 0,055 2,8 0,105 2,85 0,14 2,9 0,235 2,95 0,36 3 0,6 3,05 0,9 3,1 1,3 3,15 2 3,2 3,2 3,25 5 3,3 6,5 3,35 9,2 3,4 11,5 3, ,5 21,5 3, ,6 32,5 3, ,7 40 3, ,8 50

23 70 Tabel Karakteristik GS - I D untuk DS 2. DS = 2; R D = 10 Ω / 20 W; R G = 1MΩ GS () I D (ma) 0 0 2,3 0 2,35 0,0004 2,4 0,0008 2,45 0,0015 2,5 0,003 2,55 0,0052 2,6 0,0095 2,65 0,015 2,7 0,0206 2,75 0,035 2,8 0,06 2,85 0,11 2,9 0,15 2,95 0,25 3 0,37 3,05 0,6 3,1 0,95 3,15 1,3 3,2 2,1 3,25 3,3 3,3 4,5 3,35 6 3,4 10 3,45 11,8 3,5 17,5 3,55 25,5 3,6 30 3, ,7 42 3, ,8 65

24 KARAKTERISTIK IGBT A. Karakteristik CE I C Tabel Karakteristik CE I C untuk GE 4,5. GE = 4,5; R G = 1 MΩ; R L = 10 Ω / 10 W CE () I C (ma) 0 0 0,5 0,25 1 1,1 1,5 1,2 2 1,25 2,5 1,25 5 1,3 10 1,32 Tabel Karakteristik CE I C untuk GE 4,6. GE = 4,6 ; R G = 1 MΩ; R L = 10 Ω / 10 W CE () I C (ma) 0 0 0,5 0,3 1 2,1 1,5 2,2 2 2,25 2,5 2,3 5 2, ,4 Tabel Karakteristik CE I C untuk GE 4,7. GE = 4,7 ; R G = 1 MΩ; R L = 10 Ω / 10 W CE () I C (ma) 0 0 0,5 0,35 1 3,5 1,5 3,5 2 3,5 2,5 3,5 5 3,5 10 3,6

25 72 Tabel Karakteristik CE I C untuk GE 4,8. GE = 4,8 ; R G = 1 MΩ; R L = 10 Ω / 10 W CE () I C (ma) 0 0 0,5 0,4 1 5,8 1,5 5,8 2 5,8 2, ,25 Tabel Karakteristik CE I C untuk GE 4,9. GE = 4,9 ; R G = 1 MΩ; R L = 10 Ω / 10 W CE () I C (ma) 0 0 0,5 0, ,5 13, ,5 14,5 5 15, Tabel Karakteristik CE I C untuk GE 5. GE = 5 ; R G = 1 MΩ; R L = 10 Ω / 10 W CE () I C (ma) 0 0 0,5 1,4 1 23,3 1,5 23,5 2 23,7 2,5 23,9 5 24, ,8

26 73 Tabel Karakteristik CE I C untuk GE 5,1. GE = 5,1 ; R G = 1 MΩ; R L = 10 Ω / 10 W CE () I C (ma) 0 0 0,5 2, ,4 1,5 28,7 2 28,9 2,5 29, ,7 Tabel Karakteristik CE I C untuk GE 5,2. GE = 5,2 ; R G = 1 MΩ; R L = 10 Ω / 10 W CE () I C (ma) 0 0 0,5 4,8 1 38,6 1,5 38,9 2 39,1 2,5 39,5 5 40, Tabel Karakteristik CE I C untuk GE 5,3. GE = 5,3 ; R G = 1 MΩ; R L = 10 Ω / 10 W CE () I C (ma) 0 0 0,5 8,7 1 58,8 1, ,7 2, ,8

27 74 B. Karakteristik GE I C Tabel Karakteristik GE I C untuk CE 0,7. CE = 0,7 ; R G = 1 MΩ; R L = 10 Ω / 10 W GE () I C (ma) 0,8 0, , ,0125 2,5 0, ,045 3,6 0, ,15 4,5 0,85 4,55 1,06 4,6 1,33 4,65 1,81 4,7 2,06 4,75 2,4 4,8 2,9 4,85 3,7 4,9 4,5 4, ,5 Tabel Karakteristik GE I C untuk CE 0,8. CE = 0,8 ; R G = 1 MΩ; R L = 10 Ω / 10 W GE () I C (ma) 0,8 0, , ,013 2,5 0, ,05 3,6 0,1 4 0,2 4,5 0,9 4,55 1,2 4,6 1,55 4,65 2 4,7 2,45 4,75 3,2 4,8 4,4 4,85 5,4 4,9 6,2 4,95 6,6 5 7,1

28 75 Tabel Karakteristik GE I C untuk CE 0,9. CE = 0,9 ; R G = 1 MΩ; R L = 10 Ω / 10 W GE () I C (ma) 0,8 0, , ,0134 2,5 0, ,05 3,6 0,11 4 0,205 4,5 0,96 4,55 1,25 4,6 1,45 4,65 2 4,7 2,7 4,75 3,5 4,8 4,5 4,85 5,5 4,9 8 4,95 9, ANALISIS KARAKTERISTIK DIODA Dioda merupakan komponen yang dapat digunakan untuk melewatkan arus atau menahan arus dalam rangkaian. Idealnya sebuah dioda hanya dapat menghantarkan arus searah saja dan tidak dapat menghantarkan arus bolak-balik. Untuk dapat menghantarkan arus, tegangan dioda harus melebihi suatu nilai tertentu yang disebut tegangan buka. Tegangan buka adalah tegangan minimal yang dibutuhkan oleh dioda agar dapat mulai menghantarkan arus (dalam orde ma) dalam rangkaian.

29 76 Berdasarkan Tabel 4.1 dan Tabel 4.2, grafik karakteristik I dioda 1N4007 dan 1N4148 dapat digambarkan seperti pada Gambar 4.5 dan Gambar 4.6 berikut. Gambar 4.5. Grafik Karakteristik I Dioda 1N4007.

30 77 Gambar 4.6. Grafik Karakteristik I Dioda 1N4148. Dari Tabel 4.1 dan Tabel 4.2 hasil percobaan dapat dilihat dari kedua jenis dioda yang digunakan, yaitu 1N4007 dan 1N4148, keduanya memiliki tegangan buka yang hampir sama. Dioda 1N4007 memiliki tegangan buka sebesar 0,7 karena pada saat tegangan dioda sebesar 0,7, dioda tersebut menghantarkan arus 1,28 ma. Sedangkan dioda 1N4148 memiliki tegangan buka antara 0,7 hingga 0,8 karena pada saat tegangan dioda sebesar antara 0,7 hingga 0,8, dioda tersebut menghantarkan arus sekitar 1 ma. Pada saat diberi bias balik, dioda bekerja menahan arus balik tersebut. Dioda ideal seharusnya tidak melewatkan arus balik sedikit pun. Namun pada kenyataannya pasti ada arus balik yang melewati dioda tersebut meskipun sangat kecil, dalam orde na saja. Berdasarkan Tabel 4.3 dan Tabel 4.4, gambar grafik

31 78 karakteristik I dioda 1N4007 dan 1N4148 saat dibias balik dapat dilihat pada Gambar 4.7 dan Gambar 4.8 berikut. Gambar 4.7. Grafik Karakteristik I Dioda 1N4007 Bias Balik. Gambar 4.8. Grafik Karakteristik I Dioda 1N4148 Bias Balik.

32 79 Karakteristik lain yang diukur pada percobaan dioda adalah Reverse Recovery Time / waktu pemulihan balik ( t rr ). Waktu pemulihan balik adalah waktu yang dibutuhkan oleh dioda untuk dapat off ketika tegangan yang melewatinya berubah dari bias maju ke bias balik. Ada dua jenis reverse recovery time, yaitu soft dan abrupt. Dari Gambar 4.1 dan Gambar 4.2 dapat dilihat bahwa dioda 1N4007 termasuk jenis soft reverse recovery. Untuk frekuensi gelombang masukan sebesar 1 khz, nilai waktu pemulihan baliknya dapat dihitung sebagai berikut. 2.9 I RR 29mA 100 I RR 0.25I RR 7.25mA 4 t 0.1kotak 5s 0.5s t t a b rr 0.9kotak 5s 4.5s ta tb 0.5s 4.5s 5s Untuk frekuensi gelombang masukan sebesar 10 KHz, nilai waktu pemulihan baliknya dapat dihitung sebagai berikut. 2.9 I RR 29mA 100 I RR 0.25I RR 7.25mA 4 t 0.05kotak 10s 0.5s t t a b rr 0.45kotak10s 4.5s ta tb 0.5s 4.5s 5s Dari Gambar 4.3 dan Gambar 4.4 dapat dilihat bahwa dioda 1N4148 termasuk jenis abrupt reverse recovery. Untuk frekuensi gelombang masukan sebesar 5 KHz, nilai waktu pemulihan baliknya dapat dihitung sebagai berikut.

33 80 I t t t a b rr mA kotak 100ns 20ns RR 0.4kotak 100ns 40ns ta tb 0.5ns 4.5ns 60ns Untuk frekuensi gelombang masukan sebesar 50 KHz, nilai waktu pemulihan baliknya dapat dihitung sebagai berikut. I t t t a b rr mA kotak 50ns 20ns RR 0.8kotak 50ns 40ns ta tb 20ns 40ns 60ns Dari hasil penghitungan tersebut dapat diambil kesimpulan bahwa dioda 1N4007 memiliki waktu pemulihan balik sebesar memiliki waktu pemulihan balik sebesar 60 ns. 5 s sedangkan dioda 1N4148 Dari datasheet dioda 1N4007 diketahui bahwa untuk pensaklaran dengan arus maju sebesar 20 ma dan arus balik sebesar 1 ma yang melalui resistor beban sebesar 100 Ohm didapat nilai waktu pemulihan balik sebesar 30 s. Sedangkan pada percobaan yang dilakukan, resistor beban 100 Ohm diberi masukan berupa gelombang kotak dengan amplitudo tegangan 0/5 (arus maju 50 ma, arus balik 0 ma) diperoleh nilai waktu pemulihan balik sebesar 5 s. Perbedaan ini terjadi karena adanya perbedaan amplitudo sinyal masukan. Dari datasheet dioda 1N4148 diketahui bahwa untuk pensaklaran dengan arus maju sebesar 10 ma dan arus balik sebesar 60 ma yang melalui resistor beban sebesar 100 Ohm didapat nilai waktu pemulihan balik sebesar 4 ns. Sedangkan pada percobaan yang dilakukan, resistor beban sebesar 100 Ohm

34 81 diberi masukan berupa gelombang kotak dengan amplitudo tegangan 0/5 (arus maju 50 ma, arus balik 0 ma) diperoleh nilai waktu pemulihan balik sebesar 60 ns. Perbedaan ini juga terjadi karena adanya perbedaan amplitudo sinyal masukan KARAKTERISTIK TRANSISTOR Pada Bipolar Junction Transistor / transistor persambungan bipolar (BJT), besar arus basis akan menentukan besarnya arus kolektor yang mengalir melalui transistor tersebut. Transistor memiliki tiga daerah kerja yaitu cut-off, aktif, dan saturasi. Dalam daerah cutoff, transistor dalam keadaan OFF karena arus basis tidak cukup besar untuk mengaktifkan transistor tersebut. Dalam daerah aktif, arus kolektor semakin besar dan tegangan kolektor-emitter menurun. Dalam daerah saturasi, arus basis sangat tinggi sehingga tegangan kolektor-emitter sangat rendah. Berdasarkan Tabel 4.5, Tabel 4.6, dan Tabel 4.7, grafik arus basis terhadap arus kolektor dapat digambarkan seperti pada Gambar 4.9, Gambar 4.10, dan Gambar 4.11 berikut.

35 82 Gambar 4.9. Grafik I C I B untuk CC 10. Gambar Grafik I C I B untuk CC 15.

36 83 Gambar Grafik I C I B untuk CC 20. Dari Gambar 4.9, Gambar 4.10, dan Gambar 4.11 dapat dilihat bahwa transistor berada dalam keadaan cut-off saat arus basis yang mengalir kurang dari 5 ma. Dengan demikian arus basis tidak cukup besar untuk mengalirkan arus kolektor. Transistor berada di daerah active bila persambungan emiter-basis bias maju dan persambungan kolektor-basis bias balik. Dengan kata lain transistor berada di daerah active bila basis lebih positif daripada emiter dan kolektor lebih basis daripada basis. Transistor berada di daerah jenuh bila persambungan emiter-basis dan persambungan kolektor-basis bias maju. Dengan kata lain transistor berada di daerah jenuh bila persambungan basis-emiter dicatu maju sebesar 0,6-0,7 dan kolektor lebih negatif daripada basis. Dari Tabel 4.5 dapat dilihat bahwa untuk CC 10, transistor berada di daerah jenuh saat BB 1, 1 karena pada nilai

37 84 tegangan BB tersebut tegangan basis-emiter bernilai di atas 0,6 dan kolektor lebih negatif daripada basis. Dari Tabel 4.6 dapat dilihat bahwa untuk CC 15, transistor berada di daerah jenuh saat B 1, 2 karena pada nilai tegangan BB tersebut tegangan basis-emiter bernilai di atas 0,6 dan kolektor lebih negatif daripada basis. Dari Tabel 4.7 dapat dilihat bahwa untuk CC 20, transistor berada di daerah jenuh saat B 1, 5 karena pada nilai tegangan BB tersebut tegangan basis-emiter bernilai di atas 0,6 dan kolektor lebih negatif daripada basis. Pada daerah aktif, transistor memiliki bati arus ( h FE ) yang besar dibandingkan saat saturasi sehingga dapat digunakan sebagai penguat (amplifier). Bati arus pada transistor ( h FE ) merupakan perbandingan antara arus kolektor dengan arus basis. Untuk menghitung h FE terlebih dahulu menghitung besarnya arus kolektor dan arus basis. Misalnya pada Tabel 4.7 saat tegangan basis 1,8 olt, besar arus basis ( I B ), arus kolektor ( I C ), dan arus emiter ( I E ) adalah: I B BE 1,8 0,66 1,14 11, ma, R B 4 B I C 180, 1mA, dan I I I 11,4mA 180,1 ma 191, ma. E B C 5 Sedangkan penguatannya dapat dihitung dengan menggunakan persamaan: h FE I I C B 180,1mA 11,4mA 15,8 Jadi transistor yang digunakan memiliki penguatan arus sebesar 15,8 kali untuk nilai arus kolektor sebesar 191,5 ma dan arus basis sebesar 11,4 ma.

38 85 Nilai penguatan arus transistor (h FE ) akan berbeda untuk arus kolektor dan arus basis yang berbeda pula. Misalnya pada Tabel 4.7 saat tegangan basis sebesar 0,7, maka besar arus basis ( I B ), arus kolektor ( I C ), dan arus emiter ( I E ) adalah: I B BE 0,7 0,55 0,15 1, ma, R B 5 B I C 52, 5mA, dan I E I B IC 1,5mA 52,5mA 54mA. Sedangkan penguatannya dapat dihitung dengan menggunakan persamaan: I C 52,5mA hfe 35. I 1,5mA B Jadi transistor yang digunakan memiliki penguatan sebesar 35 kali untuk nilai arus kolektor sebesar 54 ma dan arus basis sebesar 1,5 ma. Grafik terhadap untuk 10, 15, dan 20 dapat dilihat pada Gambar 4.12, Gambar 4.13, dan Gambar 4.14 berikut. Gambar Grafik h FE terhadap I C dengan CC 10.

39 86 Gambar Grafik h FE terhadap I C dengan CC 15. Gambar Grafik h FE terhadap I C dengan CC 20. Pada transistor, daerah persambungan basis-emiter bertindak sebagai sebuah dioda. Karakteristik masukan transistor berguna untuk melihat karakteristik dioda persambungan tersebut. Karena bertindak sebagai sebuah

40 87 dioda, maka grafik karakteristiknya menyerupai grafik karakteristik I dioda. Dari Tabel 4.8, Tabel 4.9, dan Tabel 4.10, grafik karakteristik masukan transistor untuk tegangan kolektor-emiter ( CE ) sebesar 7, 8, dan 9 dapat digambarkan seperti pada Gambar 4.15, Gambar 4.16, dan Gambar 4.17 berikut. Gambar Grafik BE I B untuk CE 7 olt.

41 88 Gambar Grafik BE terhadap I B untuk CE 8 olt. Gambar Grafik BE terhadap I B untuk CE 9 olt.

42 89 Pada Gambar 4.15, Gambar 4.16, dan Gambar 4.17 dapat dilihat bahwa grafik karakteristik masukan transistor memiliki bentuk eksponensial. Ini sesuai dengan persamaan I B yang dituliskan dalam Persamaan 4.1 berikut. I B I S BE / T e (4.1) Persamaan 4.1 digunakan untuk menghitung arus basis. Pada Persamaan 4.1 terdapat suku eksponensial. Karena itu grafik eksponensial. I B fungsi BE berbentuk Selain karakteristik I C I B dan BE I B, transistor juga memiliki karakteristik keluaran CE I C. Karakteristik keluaran juga dapat digunakan untuk melihat daerah kerja transistor. Berdasarkan Tabel 4.11, Tabel 4.12, dan Tabel 4.13, grafik karakteristik keluaran transistor dapat digambarkan seperti pada Gambar 4.18 berikut.

43 90 Gambar Grafik CE I C dengan I B sebagai Parameter. Transistor digunakan sebagai saklar saat bekerja pada daerah cut-off dan jenuh. Syarat saklar yang baik adalah pada saat on, saklar tersebut memiliki tegangan yang kecil, sehingga daya yang terbuang pada saklar tersebut memiliki nilai minimal. Transistor yang bekerja pada daerah aktif digunakan sebagai penguat karena memiliki bati arus yang cukup besar. Namun transistor yang bekerja pada daerah aktif memiliki nilai tegangan besar sehingga banyak daya yang terbuang pada transistor itu sendiri. Misalnya, dari Tabel 4.7, untuk nilai tegangan basis sebesar 0,7 olt transistor memiliki tegangan ( CE ) sebesar 14,1 olt. Arus kolektor yang mengalir sebesar 52,5 ma. Daya yang dibuang menjadi kalor adalah sebesar: P I 14,1 52,5mA 0, W. CE C 74

44 91 Jika transistor dinyalakan dalam keadaan tersebut selama sekitar seratus detik saja (tidak ada dua menit), maka transistor akan menjadi hangat karena transistor tersebut menghasilkan kalor sebesar: W P t 0,74W 100s 74J. Dengan demikian, transistor yang bekerja pada daerah aktif tidak cocok digunakan sebagai saklar karena membuang kalor dalam jumlah yang cukup besar sehingga efisiensinya menurun. Agar dapat digunakan sebagai saklar, transistor harus bekerja pada daerah saturasi. Pada saat bekerja pada daerah saturasi, transistor memiliki nilai tegangan kolektor-emiter CE yang rendah. Dari Tabel 4.7, untuk nilai tegangan basis sebesar 5, transistor memiliki tegangan ( CE ) sebesar 0,175 olt. Arus kolektor yang mengalir sebesar 180,7 ma. Sehingga dapat dihitung hambatan kolektoremiter saat transistor on adalah sebesar: R CE ( ON) CE 0,175 0, 97 I 0,1807 C Daya pada transistor adalah: P CE I C 0, ,7mA 32mW Daya pada transistor yang bekerja pada daerah saturasi lebih kecil dibandingkan dengan daya pada transistor saat bekerja pada daerah aktif. Dengan demikian, transistor yang bekerja pada daerah saturasi cocok digunakan sebagai saklar.

45 KARAKTERISTIK SCR Ada tiga karakteristik yang diukur, yaitu tegangan breakover, arus latching, dan arus holding. Tegangan breakover adalah tegangan anoda katoda minimal yang dibutuhkan agar SCR dapat on tanpa adanya tegangan gerbang. SCR memiliki nilai tegangan breakover yang sangat besar sehingga peralatan yang ada di laboratorium tidak mampu untuk mengukur nilai tegangan ini. Tiga power supply di laboratorium dirangkai secara seri sehingga menghasilkan tegangan maksimum sebesar 90 olt, namun belum juga cukup untuk dapat membuat SCR on tanpa adanya tegangan gerbang. Oleh karena itu, bentuk grafik yang disajikan pada Gambar 4.19, Gambar 4.20, dan Gambar 4.21 tidak dapat menyerupai bentuk grafik pada Gambar Arus latching adalah arus SCR minimum yang diperlukan agar SCR tetap dalam keadaan on saat gerbang dipicu sesaat (dinyalakan lalu langsung dimatikan). Arus holding adalah arus SCR minimum yang diperlukan untuk menjaga agar SCR tetap dalam keadaan on tanpa adanya tegangan gerbang. Dari Tabel 4.14, Tabel 4.15, dan Tabel 4.16 karakteristik SCR dapat digambarkan seperti pada Gambar 4.19, Gambar 4.20, dan Gambar 4.21 berikut.

46 93 Gambar Karakteristik I SCR untuk I g 10 ma. Dari Tabel 4.14 diketahui bahwa untuk arus gerbang sebesar 10 ma, diperoleh arus latching 16,4 ma dan arus holding 15 ma. Ini berarti dibutuhkan arus anoda sebesar 16,4 ma agar SCR dapat tetap on setelah dipicu sesaat dengan arus gerbang sebesar 10 ma dan dibutuhkan arus anoda minimal sebesar 15 ma untuk menjaga agar SCR tetap on.

47 94 Gambar Karakteristik I SCR untuk I g 15 ma. Dari Tabel 4.15 diketahui bahwa untuk arus gerbang sebesar 15 ma, diperoleh arus latching 15,8 ma dan arus holding 13,5 ma. Ini berarti dibutuhkan arus anoda sebesar 15,8 ma agar SCR dapat tetap on setelah dipicu sesaat dengan arus gerbang sebesar 15 ma dan dibutuhkan arus anoda minimal sebesar 13,5 ma untuk menjaga agar SCR tetap on.

48 95 Gambar Karakteristik I SCR untuk I g 20 ma. Dari Tabel 4.16 diketahui bahwa untuk arus gerbang sebesar 20 ma, diperoleh arus latching 14,5 ma dan arus holding 12 ma. Ini berarti dibutuhkan arus anoda sebesar 14,5 ma agar SCR dapat tetap on setelah dipicu sesaat dengan arus gerbang sebesar 15 ma dan dibutuhkan arus anoda minimal sebesar 12 ma untuk menjaga agar SCR tetap on. Semakin besar arus gerbang SCR, semakin kecil nilai arus latching dan arus holding untuk nilai gerbang yang bersangkutan. Dengan kata lain, makin tinggi arus gerbang, SCR makin mudah untuk dinyalakan.

49 KARAKTERISTIK TRIAC TRIAC hampir sama dengan SCR. Bedanya, TRIAC dapat menghantar arus bolak-balik. Karakteristik yang diukur pun sama dengan karakteristik yang diukur pada percobaan karakteristik SCR, yaitu tegangan breakover, arus latching, dan arus holding. Berdasarkan data pada Tabel 4.17, Tabel 4.18, Tabel 4.19, dan Tabel 4.20 karakteristik TRIAC dapat digambarkan pada Gambar 4.22, Gambar 4.23, Gambar 4.24, dan Gambar 4.25 berikut. Gambar Karakteristik I TRIAC Mode 1. Dari Tabel 4.17 diketahui bahwa pada mode 1 untuk arus gerbang sebesar 15 ma, diperoleh arus latching 1,8 ma dan arus holding 1,2 ma. Ini berarti dibutuhkan arus anoda sebesar 1,8 ma agar TRIAC dapat tetap on setelah dipicu sesaat

50 97 dengan arus gerbang sebesar 15 ma dan dibutuhkan arus anoda minimal sebesar 1,2 ma untuk menjaga agar TRIAC tetap on. Gambar Karakteristik I TRIAC Mode 2. Dari Tabel 4.18 diketahui bahwa pada mode 2 untuk arus gerbang sebesar 15 ma, diperoleh arus latching 4,25 ma dan arus holding 2,5 ma. Ini berarti dibutuhkan arus anoda sebesar 4,25 ma agar TRIAC dapat tetap on setelah dipicu sesaat dengan arus gerbang sebesar 15 ma dan dibutuhkan arus anoda minimal sebesar 2,5 ma untuk menjaga agar TRIAC tetap on.

51 98 Gambar Karakteristik I TRIAC Mode 3. Dari Tabel 4.19 diketahui bahwa pada mode 3 untuk arus gerbang sebesar 33,3 ma, diperoleh arus latching 1,2 ma dan arus holding 1 ma. Ini berarti dibutuhkan arus anoda sebesar 1,2 ma agar TRIAC dapat tetap on setelah dipicu sesaat dengan arus gerbang sebesar 33,3 ma dan dibutuhkan arus anoda minimal sebesar 1 ma untuk menjaga agar TRIAC tetap on.

52 99 Gambar Karakteristik I TRIAC Mode 4. Dari Tabel 4.20 diketahui bahwa pada mode 4 untuk arus gerbang sebesar 15 ma, diperoleh arus latching 1,15 ma dan arus holding 1,1 ma. Ini berarti dibutuhkan arus anoda sebesar 1,15 ma agar TRIAC dapat tetap on setelah dipicu sesaat dengan arus gerbang sebesar 15 ma dan dibutuhkan arus anoda minimal sebesar 1,1 ma untuk menjaga agar TRIAC tetap on. Sama seperti SCR, pada percobaan karakteristik TRIAC nilai tegangan breakover tidak dapat diperoleh karena nilainya sangat tinggi dan peralatan yang ada di laboratorium tidak mampu mengukur besarnya tegangan breakover tersebut. Oleh karena itu, bentuk grafik yang disajikan pada Gambar 4.22, Gambar 4.23, Gambar 4.24, dan Gambar 4.25 tidak dapat menyerupai bentuk grafik pada Gambar 2.16.

53 KARAKTERISTIK MOSFET MOSFET merupakan piranti terkendali tegangan. MOSFET yang digunakan dalam percobaan ini adalah MOSFET IRF740. MOSFET memiliki tiga daerah kerja, yaitu cut-off, trioda, dan pinch-off. Pada daerah kerja trioda, MOSFET berfungsi sebagai hambatan yang terkendali tegangan. Sedangkan pada daerah kerja pinch-off, MOSFET berfungsi sebagai penguat tegangan. Syarat MOSFET berada di daerah pinch-off dituliskan pada Persamaan 4.2 berikut: DS (4.2) GS TH dengan tegangan threshold ( TH ) bernilai 3. Ada dua karakteristik MOSFET yang dibahas dalam percobaan ini, yaitu karakteristik DS I D dengan GS sebagai parameter dan karakteristik GS I D. Karakteristik DS I D digunakan untuk melihat daerah kerja MOSFET. Berdasarkan Tabel 4.21, Tabel 4.22, Tabel 4.23, Tabel 4.24, dan Tabel 4.25, karakteristik DS I D dapat digambarkan seperti pada Gambar 4.26 berikut.

54 101 Gambar Karakteristik DS I D dengan GS sebagai Parameter. Berdasarkan Persamaan 4.2, saat GS 3,1, MOSFET bekerja pada daerah triode saat DS 0, 1, sedangkan pinch-off saat DS 0, 1. Saat GS 3,2, MOSFET bekerja pada daerah triode saat DS 0, 2, sedangkan pinch-off saat DS 0, 2. Saat GS 3,3, MOSFET bekerja pada daerah triode saat DS 0, 3, sedangkan pinch-off saat DS 0, 3. Saat GS 3,4, MOSFET bekerja pada daerah triode saat DS 0, 4, sedangkan pinch-off saat DS 0, 4. Saat bekerja pada daerah triode, MOSFET juga memiliki hambatan pengurassumber ( R DS(ON) ). Nilai dapat dihitung dengan menggunakan Persamaan 4.3 berikut.

55 102 R DS DS( ON) (4.3) I D Misalkan berdasarkan Tabel 4.22, saat DS bernilai 40 m besar arus I D adalah 0,9 ma. Dengan menggunakan Persamaan 4.3 nilai R DS(ON) adalah: R DS ( ON ) 40m 44, 4 0,9mA Selain karakteristik DS I D, ada juga karakteristik GS I D. Karakteristik GS I D disebut juga karakteristik transkonduktansi, digunakan untuk menentukan nilai transkonduktansi MOSFET. Nilai transkonduktansi dapat dihitung dengan menggunakan Persamaan 4.4 berikut. g m I D GS DS I g D m K 2 GS T 2 I D K GS T 2K( GS T ) (4.4) GS GS Dengan menggunakan data pada Tabel 4.22, nilai K dapat dihitung. I D K 2 GS T 3, ,5mA K K 1, ,15 Berdasarkan Tabel 4.26, Tabel 4.27, dan Tabel 4.28, karakteristik GS I D MOSFET IRF740 dapat digambarkan seperti pada Gambar 4.27, Gambar 4.28, dan Gambar 4.29 berikut. Dalam menghitung nilai transkonduktansi MOSFET,

56 103 nilai yang diambil misalnya nilai arus penguras ( I D ) untuk tegangan gerbang - sumber ( GS ) sebesar 3,5 olt dan 3,55 olt. Gambar Karakteristik GS I D untuk DS 0,6 olt. Dari Gambar 4.27, nilai transkonduktansi MOSFET untuk DS 0,6 olt adalah: g m I D GS DS 0,6 3,5mA 1 50m 0,07 Sedangkan berdasarkan Persamaan 4.4, nilai transkonduktansinya adalah: g m 2K( GS T ) 2.0, ,55 3 0,165 Dapat dilihat bahwa nilai transkonduktansi yang diperoleh dari percobaan berbeda dengan nilai transkonduktansi yang diperoleh secara teoritis.

57 104 Gambar Karakteristik GS I D untuk DS 1 olt. Dari Gambar 4.28, nilai transkonduktansi MOSFET untuk DS 1 olt adalah: g m I D GS DS 1 6,5mA 1 50m 0,13 Sedangkan berdasarkan Persamaan 4.4, nilai transkonduktansinya adalah: g m 2K( GS T ) 2.0, ,55 3 0,165 Dapat dilihat bahwa nilai transkonduktansi yang diperoleh dari percobaan mendekati dengan nilai transkonduktansi yang diperoleh secara teoritis.

58 105 Gambar Karakteristik GS I D untuk DS 2 olt. Dari Gambar 4.29, nilai transkonduktansi MOSFET untuk DS 2 olt adalah: g m I D GS DS 2 8 ma 1 50m 0,16 Sedangkan berdasarkan Persamaan 4.4, nilai transkonduktansinya adalah: g m 2K( GS T ) 2.0, ,55 3 0,165 Dapat dilihat bahwa nilai transkonduktansi yang diperoleh dari percobaan mendekati nilai transkonduktansi yang diperoleh secara teoritis. Dengan demikian dapat disimpulkan bahwa semakin tinggi DS, maka nilai transkonduktansi hasil percobaan makin mendekati nilai transkonduktansi teoritis.

59 106 Berdasarkan hasil percobaan yang digambarkan pada Gambar 4.27, Gambar 4.28, dan Gambar 4.29 perubahan nilai arus penguras ( I D ) cukup linier untuk perubahan tegangan gerbang-sumber ( GS ) yang kecil. Sebagai contoh pada Gambar 4.27, pada GS sebesar 3,45, 3,5, dan 3,55 diperoleh I D sebesar 10,5 ma, 14,5 ma, dan 18 ma. Ini berarti untuk kenaikan GS sebesar 50 m, terjadi kenaikan I D antara 3,5 ma sampai 4 ma. Pada Gambar 4.28 untuk GS yang sama, yaitu 3,45, 3,5, dan 3,55 diperoleh I D sebesar 11,5 ma, 17 ma, dan 21,5 ma. Ini berarti untuk kenaikan GS sebesar 50 m, terjadi kenaikan I D antara 4,5 ma hingga 5,5 ma. Memang tidak linier sempurna, ini terjadi karena adanya kesalahan dalam membaca alat ukur pada saat melakukan pengukuran. Meskipun demikian hal ini mendekati teori yang mana perubahan nilai I D cukup linier untuk perubahan GS yang kecil. MOSFET pada daerah kerja pinch-off berfungsi sebagai penguat. Pada daerah kerja pinch-off, MOSFET memiliki tegangan yang besar. Arus yang dilewatkan juga besar. Dengan demikian, MOSFET pada daerah kerja pinch-off memiliki daya yang besar. Misalkan untuk GS 3,2, MOSFET bekerja pada daerah pinch-off apabila DS 0, 2. Penulis mengambil nilai DS 10. Pada saat DS bernilai 10, arus I D yang mengalir adalah sebesar 4,2 ma. Daya yang dimiliki oleh MOSFET tersebut adalah: P. I 10.4,2mA 0, 042W Jika MOSFET dioperasikan dalam waktu yang lama, misalnya 1 jam, maka besarnya kalor yang dihasilkan adalah:

60 107 Jika nilai W P. t 0,042W.3600s 151, 2J DS lebih besar lagi, maka semakin besar pula kalor yang dihasilkan oleh MOSFET tersebut. Oleh karena itu, MOSFET yang bekerja pada daerah pinch-off tidak cocok digunakan sebagai saklar. Saklar ideal seharusnya tidak memiliki tegangan pada saat menghantarkan arus. Sehingga tidak ada daya yang didisipasikan oleh saklar tersebut. MOSFET dapat berfungsi sebagai saklar saat bekerja di daerah triode. Misalkan untuk GS 3,2, MOSFET bekerja pada daerah triode apabila DS 0, 2. Penulis mengambil nilai DS 100 m. Pada saat DS bernilai 100 m, arus I D yang mengalir adalah sebesar 4,2 ma. Daya yang dimiliki oleh MOSFET tersebut adalah: P. I 100m.4,2mA 420W Bila dibandingkan dengan daya MOSFET pada daerah pinch-off, maka daya MOSFET pada daerah triode jauh lebih kecil. Dengan demikian, MOSFET yang bekerja pada daerah triode lebih cocok bila digunakan sebagai saklar KARAKTERISTIK IGBT IGBT menggabungkan kelebihan-kelebihan yang ada pada MOSFET dan BJT. IGBT merupakan piranti terkendali tegangan. IGBT memiliki hambatan masukan yang sangat besar. IGBT memiliki tiga daerah kerja seperti BJT, yaitu cut-off, aktif, dan saturasi. Ada dua karakteristik yang dibahas dalam percobaan ini, yaitu karakteristik CE I C dan karakteristik GE I C. Berdasarkan Tabel 4.29 hingga

61 108 Tabel 4.37, karakteristik CE I C IGBT IRG4BC20S dapat digambarkan seperti pada Gambar 4.30 berikut. Gambar Karakteristik CE I C dengan GE sebagai Parameter. IGBT yang digunakan memiliki tegangan ambang sebesar 4,5. IGBT bekerja pada daerah saturasi apabila memenuhi syarat CE GE T. IGBT bekerja pada daerah cut-off apabila memenuhi syarat CE. Dari Gambar 4.30, GE T misalnya untuk GE 5, dapat dilihat bahwa IGBT bekerja pada daerah saturasi saat 5 4,5 0,. Saat CE 0, 5, IGBT bekerja pada daerah CE CE 5 aktif. Sedangkan untuk GE 5,3, IGBT bekerja pada daerah saturasi saat CE 0, 8. Saat CE 0, 8, IGBT bekerja pada daerah aktif. Selain karakteristik CE I C, ada juga karakteristik GE I C. Karakteristik GE I C disebut juga karakteristik transkonduktansi. Karakteristik

62 109 transkonduktansi digunakan untuk melihat nilai transkonduktansi yang dimiliki oleh IGBT IRG4BC20S. Nilai transkonduktansi IGBT dapat dihitung dengan menggunakan Persamaan 4.5 berikut. g i I C (4.5) GE CE Berdasarkan Tabel 4.38, Tabel 4.39, dan Tabel 4.40, karakteristik GE I C dapat digambarkan seperti pada Gambar 4.31, Gambar 4.32, dan Gambar 4.33 berikut. Untuk menghitung nilai transkonduktansi, nilai yang diambil adalah dua nilai arus kolektor ( I C 4,7 dan 4,75. ) untuk tegangan gerbang emiter ( GE ) tertentu, misalnya sebesar Gambar Karakteristik GE I C untuk CE 0,7. Dari Gambar 4.31, nilai transkonduktansi IGBT untuk CE 0,7 adalah:

63 110 g i I C GE CE 0,7 0,34mA 1 50m 0,0068 Gambar Karakteristik GE I C untuk CE 0,8. Dari Gambar 4.32, nilai transkonduktansi IGBT untuk CE awal 0,8 adalah: g i I C GE CE 0,8 0,75mA ,015

64 111 Gambar Karakteristik GE I C untuk CE 0,9. Dari Gambar 4.33, nilai transkonduktansi IGBT untuk CE awal 0,9 adalah: g i I C GE CE 3 0,8mA ,016 Dari penghitungan-penghitungan di atas dapat dilihat bahwa nilai transkonduktansi IGBT IRG4BC20S bervariasi untuk nilai tegangan kolektor emiter yang berbeda pula. Makin tinggi tegangan kolektor emiter, maka makin besar pula nilai transkonduktansinya TUGAS RANCANG Step-up chopper adalah suatu rangkaian yang berguna untuk mengubah tegangan masukan DC menjadi tegangan keluaran DC yang nilainya lebih besar.

65 112 Rangkaian step-up chopper dapat direalisasikan dengan menggunakan sebuah MC Gambar 4.34 memperlihatkan rangkaian step-up chopper menggunakan MC Gambar Rangkaian Step-Up Menggunakan MC MC34063 memiliki tiga bagian penting, yaitu osilator, komparator, dan SRFF. Untuk menjelaskan cara kerja step-up, dimulai dengan kondisi awal kedua transistor off, arus induktor nol, dan tegangan keluaran sama dengan tegangan keluar yang seharusnya. Dalam keadaan demikian beban hanya memperoleh arus dari kapasitor keluaran ( C ) yang melakukan pengosongan muatan. Saat O kapasitor C O melakukan pengosongan, maka tegangan kapasitor tersebut juga

66 113 akan menurun. Penurunan ini dirasakan oleh rangkaian komparator yang ada dalam MC Saat tegangan pada pin 5 MC34063 bernilai kurang dari tegangan acuan sebesar 1,5, maka komparator akan menghasilkan keluaran 1. Keluaran komparator ini diumpankan ke pin A gerbang AND. Pin B gerbang AND mendapat umpan dari osilator. Osilator akan menghasilkan keluaran logika 1 saat kapasitor C T melakukan pengisian. Saat pin A dan pin B gerbang AND mendapat masukan berupa logika 1, maka gerbang AND akan menghasilkan keluaran logika 1 pula. Dengan demikian SRFF juga akan menghasilkan keluaran pada pin Q berupa logika 1. Ini mengakibatkan transistor dan dalam keadaan saturasi. Saat saturasi, arus akan mengalir melalui tegangan masukan ( in ) menuju induktor ( L ) dan transistor ( Q 1 ). Saat siklus on selesai, transistor Q 1 akan off dan medan magnetik pada induktor mulai mengosongkan muatan melalui dioda 1N5822 dan memberi energi pada kapasitor C O dan siklus kembali berulang. Untuk merancang sebuah step-up yang dapat menghasilkan tegangan keluaran sebesar 40 dari tegangan masukan 20, harus menentukan nilai-nilai resistor ( R 1, R 2, dan R SC ), kapasitor ( C T dan C O ), dan induktor ( L ). Sebelum menentukan nilai-nilai komponen tersebut, terlebih dahulu menentukan lama waktu siklus on ( t on ) dan siklus off ( t off ) berlangsung dengan menggunakan persamaan-persamaan berikut. t t on off out F in(min) in(min) sat (4.6)

67 114 t on 1 toff (4.7) f ton toff t off (4.8) ton 1 t off t on t on toff toff (4.9) Nilai-nilai komponen dapat dihitung dengan menggunakan persamaanpersamaan berikut. t on I pk 2 Iout(max) 1 (4.10) toff R sc 0,3 (4.11) I pk C 4 10 (4.12) 5 T t on C O I out on 9 (4.13) ripple t L in(min) sat min ton (4.14) I pk Nilai resistor R 1 dan R 2 ditentukan sendiri agar dapat menghasilkan tegangan keluaran yang sesuai dengan yang dikehendaki. Nilai tegangan keluaran dihitung dengan Persamaan (4.13) berikut. R 2 out 1,25 1 (4.15) R1 Dengan menggunakan Persamaan 4.6 hingga Persamaan 4.15 tersebut, diperoleh penghitungan dengan hasil sebagai berikut.

68 115 K K R R F s t I C H s t I L I R A ma ma t t I I nf F t C s s s t t t t s s t t t t t s khz f t t t t m ma I out ripple on out O on pk sat in pk sc off on out pk on T off off on on off on off on off off on sat in in F out off on ripple maz out out in 38, , ,25 1 1, ,1 11,23 0, ,7 11,23 1,824 0,5 18 0,1645 1,824 0,3 0,3 1,824 2, , , , , ,23 8, ,77 1 1, ,28 17,5 22,4 0, , % (min) min (max) (min) (min) ) ( Karena nilai-nilai komponen yang diperoleh dari hasil penghitungan tidak tersedia di pasaran dengan nilai yang sama persis, maka nilainya disesuaikan dengan yang ada di pasaran. Nilai-nilai komponen yang digunakan: k R 10 1 k R , sc R

69 116 C T 0, 42nF C O 470 F Lmin 107 H Pada saat keluaran tidak diberi beban resistor, tegangan keluaran memiliki nilai 40,0. Namun saat diberi beban resistor 100 Ω, tegangan keluaran memiliki nilai lebih kecil dari yang seharusnya, yaitu 25,5 sehingga arus keluaran juga turun, menjadi 255 ma.

BAB II DASAR TEORI Gambar 2.1. Simbol Dioda.

BAB II DASAR TEORI Gambar 2.1. Simbol Dioda. 7 BAB II DASAR TEORI 2.1. Dioda Dioda merupakan piranti dua terminal yang berfungsi untuk menghantarkan / menahan arus. Dioda mempunyai simbol seperti yang dapat dilihat pada Gambar 2.1. Dioda memiliki

Lebih terperinci

BAB III LANGKAH PERCOBAAN

BAB III LANGKAH PERCOBAAN 28 BAB III LANGKAH PERCOBAAN 31 KARAKTERISTIK DIODA 311 Tujuan ahasiswa mengetahui dan memahami karakteristik dioda yang meliputi daerah kerja dioda, dioda dengan masukan gelombang kotak, dan waktu pemulihan

Lebih terperinci

BAB IV HASIL PERCOBAAN DAN ANALISIS

BAB IV HASIL PERCOBAAN DAN ANALISIS BAB IV HASIL PERCOBAAN DAN ANALISIS 4.1. Topik 1. Rangkaian Pemicu SCR dengan Menggunakan Rangkaian RC (Penyearah Setengah Gelombang dan Penyearah Gelombang Penuh). A. Penyearah Setengah Gelombang Gambar

Lebih terperinci

DIODA KHUSUS. Pertemuan V Program Studi S1 Informatika ST3 Telkom

DIODA KHUSUS. Pertemuan V Program Studi S1 Informatika ST3 Telkom DIODA KHUSUS Pertemuan V Program Studi S1 Informatika ST3 Telkom Tujuan Pembelajaran Setelah mengikuti kuliah ini, mahasiswa mampu: mengetahui, memahami dan menganalisis karakteristik dioda khusus Memahami

Lebih terperinci

Solusi Ujian 1 EL2005 Elektronika. Sabtu, 15 Maret 2014

Solusi Ujian 1 EL2005 Elektronika. Sabtu, 15 Maret 2014 Solusi Ujian 1 EL2005 Elektronika Sabtu, 15 Maret 2014 1. Pendahuluan: Model Penguat (nilai 15) Rangkaian penguat pada Gambar di bawah ini memiliki tegangan output v o sebesar 100 mv pada saat saklar dihubungkan.

Lebih terperinci

Pengkonversi DC-DC (Pemotong) Mengubah masukan DC tidak teratur ke keluaran DC terkendali dengan level tegangan yang diinginkan.

Pengkonversi DC-DC (Pemotong) Mengubah masukan DC tidak teratur ke keluaran DC terkendali dengan level tegangan yang diinginkan. Pengkonversi DC-DC (Pemotong) Definisi : Mengubah masukan DC tidak teratur ke keluaran DC terkendali dengan level tegangan yang diinginkan. Diagram blok yang umum : Aplikasi : - Mode saklar penyuplai daya,

Lebih terperinci

Gambar 2.1. Rangkaian Komutasi Alami.

Gambar 2.1. Rangkaian Komutasi Alami. BAB II DASAR TEORI Thyristor merupakan komponen utama dalam peragaan ini. Untuk dapat membuat thyristor aktif yang utama dilakukan adalah membuat tegangan pada kaki anodanya lebih besar daripada kaki katoda.

Lebih terperinci

semiconductor devices

semiconductor devices Overview of power semiconductor devices Asnil Elektro FT-UNP 1 Voltage Controller electronic switching I > R 1 V 1 R 2 V 2 V 1 V 2 Gambar 1. Pengaturan tegangan dengan potensiometer Gambar 2. Pengaturan

Lebih terperinci

controlled rectifier), TRIAC dan DIAC. Pembaca dapat menyimak lebih jelas

controlled rectifier), TRIAC dan DIAC. Pembaca dapat menyimak lebih jelas SCR, TRIAC dan DIAC Thyristor berakar kata dari bahasa Yunani yang berarti pintu'. Dinamakan demikian barangkali karena sifat dari komponen ini yang mirip dengan pintu yang dapat dibuka dan ditutup untuk

Lebih terperinci

BAB I SEMIKONDUKTOR DAYA

BAB I SEMIKONDUKTOR DAYA BAB I SEMIKONDUKTOR DAYA KOMPETENSI DASAR Setelah mengikuti materi ini diharapkan mahasiswa memiliki kompetensi: Menguasai karakteristik semikonduktor daya yang dioperasikan sebagai pensakelaran, pengubah,

Lebih terperinci

THYRISTOR. SCR, TRIAC dan DIAC. by aswan hamonangan

THYRISTOR. SCR, TRIAC dan DIAC. by aswan hamonangan THYRISTOR SCR, TRIAC dan DIAC by aswan hamonangan Thyristor berakar kata dari bahasa Yunani yang berarti pintu'. Dinamakan demikian barangkali karena sifat dari komponen ini yang mirip dengan pintu yang

Lebih terperinci

BAB VII ANALISA DC PADA TRANSISTOR

BAB VII ANALISA DC PADA TRANSISTOR Bab V, Analisa DC pada Transistor Hal: 147 BAB V ANALSA DC PADA TRANSSTOR Transistor BJT (Bipolar Junction Transistor) adalah suatu devais nonlinear terbuat dari bahan semikonduktor dengan 3 terminal yaitu

Lebih terperinci

MODUL 04 PENGENALAN TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH

MODUL 04 PENGENALAN TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH P R O G R A M S T U D I F I S I K A F M I P A I T B LABORATORIUM ELEKTRONIKA DAN INSTRUMENTASI MODUL 04 PENGENALAN TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH 1 TUJUAN Memahami karakteristik kerja transistor BJT dan FET

Lebih terperinci

Prinsip kerja transistor adalah arus bias basis-emiter yang kecil mengatur besar arus kolektor-emiter.

Prinsip kerja transistor adalah arus bias basis-emiter yang kecil mengatur besar arus kolektor-emiter. TRANSISTOR Transistor adalah komponen elektronika yang tersusun dari dari bahan semi konduktor yang memiliki 3 kaki yaitu: basis (B), kolektor (C) dan emitor (E). Untuk membedakan transistor PNP dan NPN

Lebih terperinci

TRANSISTOR SEBAGAI SAKLAR DAN SUMBER ARUS

TRANSISTOR SEBAGAI SAKLAR DAN SUMBER ARUS TRANSSTOR SEBAGA SAKLAR DAN SUMBER ARUS 1. TRANSSTOR SEBAGA SAKLAR Salah satu aplikasi yang paling mudah dari suatu transistor adalah transistor sebagai saklar. Yaitu dengan mengoperasikan transistor pada

Lebih terperinci

Transistor Bipolar. III.1 Arus bias

Transistor Bipolar. III.1 Arus bias Transistor Bipolar Pada tulisan tentang semikonduktor telah dijelaskan bagaimana sambungan NPN maupun PNP menjadi sebuah transistor. Telah disinggung juga sedikit tentang arus bias yang memungkinkan elektron

Lebih terperinci

BAB II LANDASAN TEORI

BAB II LANDASAN TEORI BAB II LANDASAN TEORI 2.1 Sistem Catu Daya / power supply Power supply adalah rangkaian elektronika yang berfungsi untuk memberikan tegangan listrik yang dibutuhkan oleh suatu rangkaian elektronika. Dalam

Lebih terperinci

PERTEMUAN 9 RANGKAIAN BIAS TRANSISTOR (LANJUTAN)

PERTEMUAN 9 RANGKAIAN BIAS TRANSISTOR (LANJUTAN) PERTEMUAN 9 RANGKAIAN BIAS TRANSISTOR (LANJUTAN) KURVA TRANSISTOR Karakteristik yang paling penting dari transistor adalah grafik Dioda Kolektor-Emiter, yang biasa dikenal dengan Kurva Tegangan-Arus (V-I

Lebih terperinci

PERCOBAAN IV TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH

PERCOBAAN IV TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH PERCOBAAN IV TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH 1. Tujuan Mengetahui dan mempelajari fungsi transistor sebagai penguat Mengetahui dan mempelajari karakteristik kerja Bipolar Junction Transistor ketika beroperasi

Lebih terperinci

Penyusunan Pedoman Praktikum Dasar untuk Matakuliah. Elektronika Daya

Penyusunan Pedoman Praktikum Dasar untuk Matakuliah. Elektronika Daya Penyusunan Pedoman Praktikum Dasar untuk Matakuliah Elektronika Daya oleh Boby Gunarso Wiminto NIM : 612005018 Tugas Akhir untuk melengkapi syarat-syarat memperoleh Ijazah Sarjana Teknik Elektro FAKULTAS

Lebih terperinci

JFET. Transistor Efek Medan Persambungan

JFET. Transistor Efek Medan Persambungan JFET (Junction Field Effect Transistor) Transistor Efek Medan Persambungan Transistor Bipolar dan Unipolar Transistor bipolarbekerja berdasarkan adanya hole dan electron. Transistor ini cukup baik pada

Lebih terperinci

PERCOBAAN 4 RANGKAIAN PENGUAT KLAS A COMMON EMITTER

PERCOBAAN 4 RANGKAIAN PENGUAT KLAS A COMMON EMITTER PERCOBAAN 4 RANGKAIAN PENGUAT KLAS A COMMON EMITTER 4.1 Tujuan dan Latar Belakang Tujuan dari percobaan ini adalah untuk mendemonstrasikan cara kerja dari Power Amplifier kelas A common-emitter. Amplifier

Lebih terperinci

Elektronika Daya ALMTDRS 2014

Elektronika Daya ALMTDRS 2014 12 13 Gambar 1.1 Diode: (a) simbol diode, (b) karakteristik diode, (c) karakteristik ideal diode sebagai sakaler 14 2. Thyristor Semikonduktor daya yang termasuk dalam keluarga thyristor ini, antara lain:

Lebih terperinci

LAB SHEET ILMU BAHAN DAN PIRANTI

LAB SHEET ILMU BAHAN DAN PIRANTI JURUSAN TEKNIK ELEKTRO NOMOR : O1 MATA KULIAH ILMU BAHAN DAN PIRANTI TOPIK :KARAKTERISTIK DIODA I. TUJUAN 1. Pengenalan komponen elektronika dioda semi konduktor 2. Mengetahui karakteristik dioda semi

Lebih terperinci

MODUL 05 TRANSISTOR SEBAGAI PENGUAT

MODUL 05 TRANSISTOR SEBAGAI PENGUAT P R O G R A M S T U D I F I S I K A F M I P A I T B LABORATORIUM ELEKTRONIKA DAN INSTRUMENTASI MODUL TRANSISTOR SEBAGAI PENGUAT TUJUAN Mengetahui karakteristik penguat berkonfigurasi Common Emitter Mengetahui

Lebih terperinci

I. Tujuan Praktikum. Mampu menganalisa rangkaian sederhana transistor bipolar.

I. Tujuan Praktikum. Mampu menganalisa rangkaian sederhana transistor bipolar. SRI SUPATMI,S.KOM I. Tujuan Praktikum Mengetahui cara menentukan kaki-kaki transistor menggunakan Ohmmeter Mengetahui karakteristik transistor bipolar. Mampu merancang rangkaian sederhana menggunakan transistor

Lebih terperinci

TRANSISTOR Oleh : Agus Sudarmanto, M.Si Tadris Fisika Fakultas Tarbiyah IAIN Walisongo

TRANSISTOR Oleh : Agus Sudarmanto, M.Si Tadris Fisika Fakultas Tarbiyah IAIN Walisongo TRANSISTOR Oleh : Agus Sudarmanto, M.Si Tadris Fisika Fakultas Tarbiyah IAIN Walisongo Transistor adalah komponen elektronika yang tersusun dari dari bahan semi konduktor yang memiliki 3 kaki yaitu: basis

Lebih terperinci

Bias dalam Transistor BJT

Bias dalam Transistor BJT ias dalam Transistor JT Analisis atau disain terhadap suatu penguat transistor memerlukan informasi mengenai respon sistem baik dalam mode AC maupun DC. Kedua mode tersebut bisa dianalisa secara terpisah.

Lebih terperinci

BAB II DASAR TEORI. Gambar 2.1.(a). Blok Diagram Kelas D dengan Dua Aras Keluaran. (b). Blok Diagram Kelas D dengan Tiga Aras Keluaran.

BAB II DASAR TEORI. Gambar 2.1.(a). Blok Diagram Kelas D dengan Dua Aras Keluaran. (b). Blok Diagram Kelas D dengan Tiga Aras Keluaran. BAB II DASAR TEORI Dalam bab dua ini penulis akan menjelaskan teori teori penunjang utama dalam merancang penguat audio kelas D tanpa tapis LC pada bagian keluaran menerapkan modulasi dengan tiga aras

Lebih terperinci

Karakteristik Transistor. Rudi Susanto

Karakteristik Transistor. Rudi Susanto Karakteristik Transistor Rudi Susanto PN-Junction (Diode) BIAS MAJU / FORWARD BIAS BIAS MUNDUR / REERSE BIAS Transistor Bipolar Arus pada Transistor Alpha dc (α dc ) adalah perbandingan antara arus Ic

Lebih terperinci

BAB II LANDASAN SISTEM

BAB II LANDASAN SISTEM BAB II LANDASAN SISTEM Berikut adalah penjabaran mengenai sistem yang dibuat dan teori-teori ilmiah yang mendukung sehingga dapat terealisasi dengan baik. Pada latar belakang penulisan sudah dituliskan

Lebih terperinci

Mekatronika Modul 8 Praktikum Komponen Elektronika

Mekatronika Modul 8 Praktikum Komponen Elektronika Mekatronika Modul 8 Praktikum Komponen Elektronika Hasil Pembelajaran : Mahasiswa dapat memahami dan melaksanakan praktikum komponen elektronika Tujuan Bagian ini memberikan informasi mengenai penerapan

Lebih terperinci

BAB III PERANCANGAN ALAT. Dalam perancangan dan realisasi alat pengontrol lampu ini diharapkan

BAB III PERANCANGAN ALAT. Dalam perancangan dan realisasi alat pengontrol lampu ini diharapkan III-1 BAB III PERANCANGAN ALAT 3.1. Perancangan Dalam perancangan dan realisasi alat pengontrol lampu ini diharapkan menghasilkan suatu sistem yang dapat mengontrol cahaya pada lampu pijar untuk pencahayaanya

Lebih terperinci

Mekatronika Modul 1 Transistor sebagai saklar (Saklar Elektronik)

Mekatronika Modul 1 Transistor sebagai saklar (Saklar Elektronik) Mekatronika Modul 1 Transistor sebagai saklar (Saklar Elektronik) Hasil Pembelajaran : Mahasiswa dapat memahami dan menjelaskan karakteristik dari transistor sebagai saklar. Tujuan Bagian ini memberikan

Lebih terperinci

BAB II LANDASAN TEORI

BAB II LANDASAN TEORI BAB II LANDASAN TEORI Dalam merealisasikan suatu alat diperlukan dasar teori untuk menunjang hasil yang optimal. Pada bab ini akan dibahas secara singkat mengenai teori dasar yang digunakan untuk merealisasikan

Lebih terperinci

BAB II Transistor Bipolar

BAB II Transistor Bipolar BAB II Transistor Bipolar 2.1. Pendahuluan Pada tahun 1951, William Schockley menemukan transistor sambungan pertama, komponen semikonduktor yang dapat menguatkan sinyal elektronik seperti sinyal radio

Lebih terperinci

Mekatronika Modul 3 Unijunction Transistor (UJT)

Mekatronika Modul 3 Unijunction Transistor (UJT) Mekatronika Modul 3 Unijunction Transistor (UJT) Hasil Pembelajaran : Mahasiswa dapat memahami dan menjelaskan karakteristik dari Unijunction Transistor (UJT) Tujuan Bagian ini memberikan informasi mengenai

Lebih terperinci

SATUAN ACARA PERKULIAHAN UNIVERSITAS GUNADARMA

SATUAN ACARA PERKULIAHAN UNIVERSITAS GUNADARMA Mata Kuliah Kode / SKS Program Studi Fakultas : Elektronika Dasar : IT012346 / 3 SKS : Sistem Komputer : Ilmu Komputer & Teknologi Informasi 1 Pengenalan Komponen dan Teori Semikonduktor TIU : - Mahasiswa

Lebih terperinci

SATUAN ACARA PERKULIAHAN

SATUAN ACARA PERKULIAHAN SATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH : ELEKTRONIKA DASAR KODE : TSK-210 SKS/SEMESTER : 2/2 Pertemuan Pokok Bahasan & ke TIU 1 Pengenalan Komponen dan Teori Semikonduktor TIU : - Mahasiswa mengenal Jenis-jenis

Lebih terperinci

BAB VF, Penguat Daya BAB VF PENGUAT DAYA

BAB VF, Penguat Daya BAB VF PENGUAT DAYA Hal:33 BAB F PENGUAT DAYA Dalam elektronika banyak sekali dijumpai jenis penguat, pengelompokkan dapat berdasarkan: 1. rentang frekuensi operasi, a. gelombang lebar (seperti: penguat audio, video, rf dll)

Lebih terperinci

PNPN DEVICES. Pertemuan Ke-15. OLEH : ALFITH, S.Pd, M.Pd

PNPN DEVICES. Pertemuan Ke-15. OLEH : ALFITH, S.Pd, M.Pd PNPN DEVICES Pertemuan Ke-15 OLEH : ALFITH, S.Pd, M.Pd 1 TRIAC TRIAC boleh dikatakan SCR adalah thyristor yang unidirectional, karena ketika ON hanya bisa melewatkan arus satu arah saja yaitu dari anoda

Lebih terperinci

Mekatronika Modul 2 Silicon Controlled Rectifier (SCR)

Mekatronika Modul 2 Silicon Controlled Rectifier (SCR) Mekatronika Modul 2 Silicon Controlled Rectifier (SCR) Hasil Pembelajaran : Mahasiswa dapat memahami dan menjelaskan karakteristik dari Silicon Controlled Rectifier (SCR) Tujuan Bagian ini memberikan informasi

Lebih terperinci

BAB II LANDASAN TEORI

BAB II LANDASAN TEORI BAB II LANDASAN TEORI Dalam merealisasikan suatu alat diperlukan dasar teori untuk menunjang hasil yang optimal. Pada bab ini akan dibahas secara singkat mengenai teori dasar yang digunakan untuk merealisasikan

Lebih terperinci

THYRISTOR & SILICON CONTROL RECTIFIER (SCR)

THYRISTOR & SILICON CONTROL RECTIFIER (SCR) THYRISTOR & SILICON CONTROL RECTIFIER (SCR) Thyristor merupakan salah satu tipe devais semikonduktor daya yang paling penting dan telah banyak digunakan secara ekstensif pada rangkaian daya. Thyristor

Lebih terperinci

BAB III PERANCANGAN ALAT

BAB III PERANCANGAN ALAT BAB III PERANCANGAN ALAT Pada bab tiga ini akan dijelaskan mengenai perancangan dari perangkat keras dan perangkat lunak yang digunakan pada alat ini. Dimulai dari uraian perangkat keras lalu uraian perancangan

Lebih terperinci

BAB II LANDASAN TEORI

BAB II LANDASAN TEORI BAB II LANDASAN TEORI Pada bab ini akan dibahas dasar teori yang berhubungan dengan perancangan skripsi antara lain fungsi dari function generator, osilator, MAX038, rangkaian operasional amplifier, Mikrokontroler

Lebih terperinci

PERCOBAAN 5 REGULATOR TEGANGAN MODE SWITCHING. 1. Tujuan. 2. Pengetahuan Pendukung dan Bacaan Lanjut. Konverter Buck

PERCOBAAN 5 REGULATOR TEGANGAN MODE SWITCHING. 1. Tujuan. 2. Pengetahuan Pendukung dan Bacaan Lanjut. Konverter Buck PEROBAAN 5 REGUATOR TEGANGAN MODE SWITHING 1. Tujuan a. Mengamati dan mengenali prinsip regulasi tegangan mode switching b. Mengindetifikasi pengaruh komponen pada regulator tegangan mode switching c.

Lebih terperinci

BAB 3 DISAIN RANGKAIAN SNUBBER DAN SIMULASI MENGGUNAKAN MULTISIM

BAB 3 DISAIN RANGKAIAN SNUBBER DAN SIMULASI MENGGUNAKAN MULTISIM BAB 3 DISAIN RANGKAIAN SNUBBER DAN SIMULASI MENGGUNAKAN MULTISIM 3.1 Prinsip Kerja Sistem Mosfet sebagai sakelar elektronik dapat dibuka (off) dan ditutup (on). Pada saat mosfet berguling ke posisi off,

Lebih terperinci

Penguat Kelas B Komplementer Tanpa Trafo Keluaran

Penguat Kelas B Komplementer Tanpa Trafo Keluaran Penguat Kelas B Komplementer Tanpa Trafo Keluaran 1. Tujuan : 1 Mahasiswa dapat mengetahui dan memahami operasi dari rangkaian penguat kelas B komplementer. 2 Mahasiswa dapat menerapkan teknik pembiasan

Lebih terperinci

BAB II LANDASAN TEORI

BAB II LANDASAN TEORI BAB II LANDASAN TEORI 2.1. Power Regulator Pada umumnya adalah sebagai alat atau perangkat keras yang mampu menyuplai tenaga atau tegangan listrik secara langsung dari sumber tegangan listrik ke tegangan

Lebih terperinci

SOAL UJIAN PENDIDIKAN KEWIRAUSAHAAN DAN PRAKARYA REKAYASA TEKNOLOGI (ELEKTRONIKA)

SOAL UJIAN PENDIDIKAN KEWIRAUSAHAAN DAN PRAKARYA REKAYASA TEKNOLOGI (ELEKTRONIKA) SOAL UJIAN PENDIDIKAN KEWIRAUSAHAAN DAN PRAKARYA REKAYASA TEKNOLOGI (ELEKTRONIKA) 1. Komponen elektronik yang berfungsi untuk membatasi arus listrik yang lewat dinamakan A. Kapasitor D. Transistor B. Induktor

Lebih terperinci

BAB III PERANCANGAN DAN PEMBUATAN ALAT Flow Chart Perancangan dan Pembuatan Alat. Mulai. Tinjauan pustaka

BAB III PERANCANGAN DAN PEMBUATAN ALAT Flow Chart Perancangan dan Pembuatan Alat. Mulai. Tinjauan pustaka 59 BAB III PERANCANGAN DAN PEMBUATAN ALAT 3.1. Flow Chart Perancangan dan Pembuatan Alat Mulai Tinjauan pustaka Simulasi dan perancangan alat untuk pengendali kecepatan motor DC dengan kontroler PID analog

Lebih terperinci

BAB III ANALISA DAN PERANCANGAN RANGKAIAN

BAB III ANALISA DAN PERANCANGAN RANGKAIAN BAB III ANALISA DAN PERANCANGAN RANGKAIAN 3.1. Blok Diagram Sistem Untuk mempermudah penjelasan dan cara kerja alat ini, maka dibuat blok diagram. Masing-masing blok diagram akan dijelaskan lebih rinci

Lebih terperinci

A. KOMPETENSI YANG DIHARAPKAN

A. KOMPETENSI YANG DIHARAPKAN ELEKTRONIKA DAYA A. KOMPETENSI YANG DIHARAPKAN Setelah mengikuti materi ini diharapkan peserta memiliki kompetensi antara lain sebagai berikut: 1. Menguasai karakteristik komponen elektronika daya sebagai

Lebih terperinci

BAB II LANDASAN TEORI

BAB II LANDASAN TEORI BAB II LANDASAN TEORI 2.1. MOSFET MOSFET atau Metal Oxyde Semiconductor Field Effect Transistor merupakan salah satu jenis transistor efek medan (FET). MOSFET memiliki tiga pin yaitu gerbang (gate), penguras

Lebih terperinci

MODUL PRAKTIKUM ELEKTRONIKA LABORATORIUM TEKNIK ELEKTRO JURUSAN TEKNIK ELEKTRO FAKULTAS TEKNIK UNIVERSITAS ISLAM KADIRI KEDIRI

MODUL PRAKTIKUM ELEKTRONIKA LABORATORIUM TEKNIK ELEKTRO JURUSAN TEKNIK ELEKTRO FAKULTAS TEKNIK UNIVERSITAS ISLAM KADIRI KEDIRI MODUL PRAKTIKUM ELEKTRONIKA LABORATORIUM TEKNIK ELEKTRO JURUSAN TEKNIK ELEKTRO FAKULTAS TEKNIK UNIVERSITAS ISLAM KADIRI KEDIRI PENDAHULUAN A. UMUM Sesuai dengan tujuan pendidikan di UNISKA, yaitu : - Pembinaan

Lebih terperinci

PENGUAT EMITOR BERSAMA (COMMON EMITTER AMPLIFIER) ( Oleh : Sumarna, Lab-Elins Jurdik Fisika FMIPA UNY )

PENGUAT EMITOR BERSAMA (COMMON EMITTER AMPLIFIER) ( Oleh : Sumarna, Lab-Elins Jurdik Fisika FMIPA UNY ) PERCOBAAN PENGUAT EMITOR BERSAMA (COMMON EMITTER AMPLIFIER) ( Oleh : Sumarna, Lab-Elins Jurdik Fisika FMIPA UNY ) E-mail : sumarna@uny.ac.id PENGANTAR Konfigurasi penguat tegangan yang paling banyak digunakan

Lebih terperinci

Mekatronika Modul 5 Triode AC (TRIAC)

Mekatronika Modul 5 Triode AC (TRIAC) Mekatronika Modul 5 Triode AC (TRIAC) Hasil Pembelajaran : Mahasiswa dapat memahami dan menjelaskan karakteristik dari Triode AC (TRIAC) Tujuan Bagian ini memberikan informasi mengenai karakteristik dan

Lebih terperinci

hubungan frekuensi sumber tegangan persegi dengan konstanta waktu ( RC )?

hubungan frekuensi sumber tegangan persegi dengan konstanta waktu ( RC )? 1. a. Gambarkan rangkaian pengintegral RC (RC Integrator)! b. Mengapa rangkaian RC diatas disebut sebagai pengintegral RC dan bagaimana hubungan frekuensi sumber tegangan persegi dengan konstanta waktu

Lebih terperinci

TRANSISTOR. Pengantar Teknik Elektronika Program Studi S1 Informatika Sekolah Tinggi Teknologi Telematika Telkom Purwokerto

TRANSISTOR. Pengantar Teknik Elektronika Program Studi S1 Informatika Sekolah Tinggi Teknologi Telematika Telkom Purwokerto TRANSISTOR Pengantar Teknik Elektronika Program Studi S1 Informatika Sekolah Tinggi Teknologi Telematika Telkom Purwokerto TIK Setelah mahasiswa mengikuti perkuliahan ini, diharapkan mahasiswa memahami

Lebih terperinci

TUGAS DAN EVALUASI. 2. Tuliska macam macam thyristor dan jelaskan dengan gambar cara kerjanya!

TUGAS DAN EVALUASI. 2. Tuliska macam macam thyristor dan jelaskan dengan gambar cara kerjanya! TUGAS DAN EVALUASI 1. Apa yang dimaksud dengan elektronika daya? Elektronika daya dapat didefinisikan sebagai penerapan elektronika solid-state untuk pengendalian dan konversi tenaga listrik. Elektronika

Lebih terperinci

PERCOBAAN 6 RANGKAIAN PENGUAT KLAS B PUSH-PULL

PERCOBAAN 6 RANGKAIAN PENGUAT KLAS B PUSH-PULL PERCOBAAN 6 RANGKAIAN PENGUAT KLAS B PUSH-PULL 6.1 Tujuan dan Latar Belakang Tujuan dari percobaan ini adalah untuk mendemonstrasikan operasi dan desain dari suatu power amplifier emitter-follower kelas

Lebih terperinci

VOLTAGE PROTECTOR. SUTONO, MOCHAMAD FAJAR WICAKSONO Program Studi Teknik Komputer, Fakultas Teknik dan Ilmu Komputer Universitas Komputer Indonesia

VOLTAGE PROTECTOR. SUTONO, MOCHAMAD FAJAR WICAKSONO Program Studi Teknik Komputer, Fakultas Teknik dan Ilmu Komputer Universitas Komputer Indonesia bidang TEKNIK VOLTAGE PROTECTOR SUTONO, MOCHAMAD FAJAR WICAKSONO Program Studi Teknik Komputer, Fakultas Teknik dan Ilmu Komputer Universitas Komputer Indonesia Listrik merupakan kebutuhan yang sangat

Lebih terperinci

BAB III PERANCANGAN DAN REALISASI. Philips Master LED. Sistem ini dapat mengatur intensitas cahaya lampu baik secara

BAB III PERANCANGAN DAN REALISASI. Philips Master LED. Sistem ini dapat mengatur intensitas cahaya lampu baik secara BAB III PERANCANGAN DAN REALISASI 3.1. Gambaran Umum Sistem Sistem yang dirancang merupakan sistem pengatur intensitas cahaya lampu Philips Master LED. Sistem ini dapat mengatur intensitas cahaya lampu

Lebih terperinci

TUGAS AKHIR. Secara garis besar dari tugas-tugas yang telah dikerjakan dapat dibuat rangkuman sebagai berikut :

TUGAS AKHIR. Secara garis besar dari tugas-tugas yang telah dikerjakan dapat dibuat rangkuman sebagai berikut : PRASETYO NUGROHO 132 96 015 TUGAS AKHIR DEVAIS ELEKTRONIKA TUGAS AKHIR Secara garis besar dari tugas-tugas yang telah dikerjakan dapat dibuat rangkuman sebagai berikut : Metode Desain Devais Mikroelektronika

Lebih terperinci

TRANSISTOR EFEK-MEDAN (FIELD-EFFECT TRANSISTOR)

TRANSISTOR EFEK-MEDAN (FIELD-EFFECT TRANSISTOR) "! # 3 2! 12 TANSISTO EFEK-MEDAN (FIELD-EFFECT TANSISTO) 12.1 Pengatar Fungsi utama dari sebuah penguat adalah untuk menghasilkan penguatan isyarat dengan tingkat penguatan tertentu. Transistor unipolar

Lebih terperinci

Penguat Emiter Sekutu

Penguat Emiter Sekutu Penguat Emiter Sekutu v out v in Konfigurasi Dasar Ciri Penguat Emiter Sekutu : 1. Emiter dibumikan 2. Sinyal masukan diberikan ke basis 3. Sinyal keluaran diambil dari kolektor Agar dapat memberikan tegangan

Lebih terperinci

INSTRUMENTASI INDUSTRI (NEKA421) JOBSHEET 12 (OSILATOR COLPITTS)

INSTRUMENTASI INDUSTRI (NEKA421) JOBSHEET 12 (OSILATOR COLPITTS) INSTRUMENTASI INDUSTRI (NEKA42) JOBSHEET 2 (OSILATOR COLPITTS) I. Tujuan percobaan. Mahasiswa mengetahui pengertian dan karakteristik dari osilator. 2. Mahasiswa memahami prinsip kerja dan aplikasi dari

Lebih terperinci

BAB V MULTIVIBRATOR. A. Pendahuluan. 1. Deskripsi

BAB V MULTIVIBRATOR. A. Pendahuluan. 1. Deskripsi BAB V MULTIVIBRATOR A. Pendahuluan 1. Deskripsi Judul bab ini adalah Multivibrator. Melalui bab ini pembaca khususnya mahasiswa akan mendapatkan gambaran tentang konsep dasar Multivibrator. Konsep dasar

Lebih terperinci

BAB III PERANCANGAN ALAT. Gambar 3.1 Diagram Blok Pengukur Kecepatan

BAB III PERANCANGAN ALAT. Gambar 3.1 Diagram Blok Pengukur Kecepatan BAB III PERANCANGAN ALAT 3.1 PERANCANGAN PERANGKAT KERAS Setelah mempelajari teori yang menunjang dalam pembuatan alat, maka langkah berikutnya adalah membuat suatu rancangan dengan tujuan untuk mempermudah

Lebih terperinci

III. METODOLOGI PENELITIAN. Penelitian dan perancangan tugas akhir ini telah dimulai sejak bulan Juli 2009

III. METODOLOGI PENELITIAN. Penelitian dan perancangan tugas akhir ini telah dimulai sejak bulan Juli 2009 III. METODOLOGI PENELITIAN A. Waktu dan Tempat Penelitian Penelitian dan perancangan tugas akhir ini telah dimulai sejak bulan Juli 2009 dilakukan di Laboratorium Konversi Energi Elektrik dan Laboratorium

Lebih terperinci

Percobaan 4 (versi A) Karakteristik dan Penguat FET Revisi 24 Maret 2014

Percobaan 4 (versi A) Karakteristik dan Penguat FET Revisi 24 Maret 2014 Percobaan 4 (versi A) Karakteristik dan Penguat FET Revisi 24 Maret 2014 I. Tujuan Mengetahui dan mempelajari karakteristik transistor FET Memahami penentuan titik kerja Memahami penggunaan FET sebagai

Lebih terperinci

MODEL SISTEM PENGUAT DAYA AUDIO RAGAM LINIER

MODEL SISTEM PENGUAT DAYA AUDIO RAGAM LINIER MODEL SISTEM PENGUAT DAYA AUDIO AGAM LINIE Ir. Nugroho AD, MT achmat Arianto ST. Budi Sriyanto Email : b03dhis@yahoo.com Jurusan Teknik Elektro Fakultas Teknik Universitas Diponegoro Jl. Prof.H. Soedarto,

Lebih terperinci

Modul 05: Transistor

Modul 05: Transistor Modul 05: Transistor Penguat Common-Emitter Reza Rendian Septiawan April 2, 2015 Transistor merupakan komponen elektronik yang tergolong kedalam komponen aktif. Transistor banyak digunakan sebagai komponen

Lebih terperinci

IV. HASIL DAN PEMBAHASAN. perangkat yang dibangun. Pengujian dilakukan pada masing-masing subsistem

IV. HASIL DAN PEMBAHASAN. perangkat yang dibangun. Pengujian dilakukan pada masing-masing subsistem IV. HASIL DAN PEMBAHASAN A. Pengujian Alat Pengujian dilakukan bertujuan untuk mengetahui kinerja dan kemampuan dari perangkat yang dibangun. Pengujian dilakukan pada masing-masing subsistem dari perangkat,

Lebih terperinci

BAB III PERANCANGAN ALAT

BAB III PERANCANGAN ALAT BAB III PERANCANGAN ALAT 3.1. Perancangan Perancangan merupakan suatu tahap yang sangat penting dalam pembuatan suatu alat, sebab dengan menganalisa komponen yang digunakan maka alat yang akan dibuat dapat

Lebih terperinci

Materi 3: ELEKTRONIKA DAYA (2 SKS / TEORI) SEMESTER 106 TA 2016/2017 PROGRAM STUDI PENDIDIKAN TEKNIK ELEKTRONIKA

Materi 3: ELEKTRONIKA DAYA (2 SKS / TEORI) SEMESTER 106 TA 2016/2017 PROGRAM STUDI PENDIDIKAN TEKNIK ELEKTRONIKA Materi 3: ELEKTRONIKA DAYA 52150492 (2 SKS / TEORI) SEMESTER 106 TA 2016/2017 PROGRAM STUDI PENDIDIKAN TEKNIK ELEKTRONIKA KONVERTER DC KE DC CHOPPER PENGERTIAN DC to DC converter itu merupakan suatu device

Lebih terperinci

Materi 5: Bipolar Junction Transistor (BJT)

Materi 5: Bipolar Junction Transistor (BJT) Materi 5: Bipolar Junction Transistor (BJT) I Nyoman Kusuma Wardana Sistem Komputer STMIK STIKOM Bali Outline Struktur transistor Unbiased transistor Biased transistor Koneksi CE Kurva basis Kurva kolektor

Lebih terperinci

BAB I HAMBATAN. Tujuan: 1. Menjelaskan komponen resistor 2. Menjelaskan komponen kapasitor 3. Menjelaskan komponen induktor

BAB I HAMBATAN. Tujuan: 1. Menjelaskan komponen resistor 2. Menjelaskan komponen kapasitor 3. Menjelaskan komponen induktor BAB I HAMBATAN Tujuan: 1. Menjelaskan komponen resistor 2. Menjelaskan komponen kapasitor 3. Menjelaskan komponen induktor PENDAHULUAN Elektronika terbagi menjadi 2 macam, yaitu: Elektronika analog Elektronika

Lebih terperinci

BAB II TINJAUAN PUSTAKA

BAB II TINJAUAN PUSTAKA BAB II TINJAUAN PUSTAKA 2.1 Pengertian Penguat RF Penguat RF (Radio Frekuensi) adalah perangkat yang berfungsi memperkuat sinyal frekuensi tinggi (RF) dan diterima oleh antena untuk dipancarkan. Penguat

Lebih terperinci

KARAKTERISTIK TRANSISTOR

KARAKTERISTIK TRANSISTOR KARAKTERISTIK TRANSISTOR 1. KURVA KOLEKTOR dibawah ini. Kurva kolektor dapat kita peroleh dengan rangkaian transistor seperti pada Gambar 1 Gambar 1. Rangkaian common emitor Dengan mengubah-ubah nilai

Lebih terperinci

LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR

LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR Nama Nim Semester Fakultas : Rizki : 20083124720650086 : III/pagi : Teknik Informatika Universitas Mpu Tantular Jakarta Timur MODUL I INSTRUMENTASI Teori: Pada praktikum

Lebih terperinci

PERANCANGAN CATU DAYA DC TERKONTROL UNTUK RANGKAIAN RESONANSI BERBASIS KUMPARAN TESLA

PERANCANGAN CATU DAYA DC TERKONTROL UNTUK RANGKAIAN RESONANSI BERBASIS KUMPARAN TESLA PERANCANGAN CATU DAYA DC TERKONTROL UNTUK RANGKAIAN RESONANSI BERBASIS KUMPARAN TESLA Heru Pujiyatmoko*), Mochammad Facta, and Agung Warsito Jurusan Teknik Elektro, Fakultas Teknik Universitas Diponegoro

Lebih terperinci

DIODE TRANSISTOR LOGIC (DTL)

DIODE TRANSISTOR LOGIC (DTL) DIODE TRANSISTOR LOGIC (DTL) Rangkaian NAND R1 I 1 R C I C X Y Z 0 0 1 X D1 A D3 I 2 D4 B I B Z 0 1 1 0 1 1 1 1 0 D2 Y I 3 R2 I E -V BB Gambar 1.4. Rangkaian NAND rumpun DTL Jika masukan X dan Y keduanya

Lebih terperinci

BAB II DASAR TEORI 2.1. Teori Catu Daya Tak Terputus

BAB II DASAR TEORI 2.1. Teori Catu Daya Tak Terputus BAB II DASAR TEORI Pada bab ini akan dibahas beberapa teori pendukung yang digunakan sebagai acuan dalam merealisasikan sistem. Teori-teori yang digunakan dalam pembuatan skripsi ini adalah teori catu

Lebih terperinci

Sistem Perlindungan menggunakan Optical Switching pada Tegangan Tinggi

Sistem Perlindungan menggunakan Optical Switching pada Tegangan Tinggi Sistem Perlindungan menggunakan Optical Switching pada Tegangan Tinggi Yusuf Nur Wijayanto yusuf@ppet.lipi.go.id Sulistyaningsih sulis@ppet.lipi.go.id Folin Oktafiani folin@ppet.lipi.go.id Abstrak Sistem

Lebih terperinci

BAB IV CARA KERJA DAN PERANCANGAN SISTEM. Gambar 4.1 Blok Diagram Sistem. bau gas yang akan mempengaruhi nilai hambatan internal pada sensor gas

BAB IV CARA KERJA DAN PERANCANGAN SISTEM. Gambar 4.1 Blok Diagram Sistem. bau gas yang akan mempengaruhi nilai hambatan internal pada sensor gas BAB IV CARA KERJA DAN PERANCANGAN SISTEM 4.1 Blok Diagram Sistem Sensor Gas Komparator Osilator Penyangga/ Buffer Buzzer Multivibrator Bistabil Multivibrator Astabil Motor Servo Gambar 4.1 Blok Diagram

Lebih terperinci

Modul 04: Op-Amp. Penguat Inverting, Non-Inverting, dan Comparator dengan Histeresis. 1 Alat dan Komponen. 2 Teori Singkat

Modul 04: Op-Amp. Penguat Inverting, Non-Inverting, dan Comparator dengan Histeresis. 1 Alat dan Komponen. 2 Teori Singkat Modul 04: Op-Amp Penguat Inverting, Non-Inverting, dan Comparator dengan Histeresis Reza Rendian Septiawan March 3, 2015 Op-amp merupakan suatu komponen elektronika aktif yang dapat menguatkan sinyal dengan

Lebih terperinci

BAB I SEMIKONDUKTOR DAYA

BAB I SEMIKONDUKTOR DAYA Semikonduktor Daya 2010 BAB I SEMIKONDUKTOR DAYA KOMPETENSI DASAR Setelah mengikuti materi ini diharapkan mahasiswa memiliki kompetensi: Menguasai karakteristik semikonduktor daya yang dioperasikan sebagai

Lebih terperinci

Auto Charger System Berbasis Solar Cell pada Robot Management Sampah

Auto Charger System Berbasis Solar Cell pada Robot Management Sampah Auto Charger System Berbasis Solar Cell pada Robot Management Sampah Mudeng, Vicky Vendy Hengki. 1, Eka Maulana, ST., MT., M.Eng. 2, Ponco Siwindarto, Ir., MS. 2 1 Mahasiswa Teknik Elektro Univ. Brawijaya,

Lebih terperinci

RANCANG BANGUN PENGUAT DAYA RF

RANCANG BANGUN PENGUAT DAYA RF Berkala Fisika ISSN : 141-966 Vol. 6, No. 3, Juli 3, hal. 55-6 RANCANG BANGUN PENGUAT DAYA RF Sapto Nugroho 1, Dwi P. Sasongko, Isnaen Gunadi 1 1. Lab. Elektronika dan Instrumentasi, Jurusan Fisika, UNDIP

Lebih terperinci

MAKALAH DC CHOPPER. Disusun oleh : Brian Ivan Baskara Makalah ini disusun untuk memenuhi tugas mata kuliah Elektronika Daya II

MAKALAH DC CHOPPER. Disusun oleh : Brian Ivan Baskara Makalah ini disusun untuk memenuhi tugas mata kuliah Elektronika Daya II MAKALAH DC CHOPPER Makalah ini disusun untuk memenuhi tugas mata kuliah Elektronika Daya II Disusun oleh : Brian Ivan Baskara 3.31.13.1.06 Program Studi Teknik Listrik Jurusan Teknik Elektro Politeknik

Lebih terperinci

BAB III KARAKTERISTIK SENSOR LDR

BAB III KARAKTERISTIK SENSOR LDR BAB III KARAKTERISTIK SENSOR LDR 3.1 Prinsip Kerja Sensor LDR LDR (Light Dependent Resistor) adalah suatu komponen elektronik yang resistansinya berubah ubah tergantung pada intensitas cahaya. Jika intensitas

Lebih terperinci

PRAKATA. Diktat ini masih jauh dari sempurna, oleh karena itu saran serta kritik yang membangun akan penulis terima dengan sengan hati.

PRAKATA. Diktat ini masih jauh dari sempurna, oleh karena itu saran serta kritik yang membangun akan penulis terima dengan sengan hati. PRAKATA Alhamdulillah puji syukur kepada Allah SWT atas selesainya Diktat ini sesuai waktunya. Diktat ini disusun untuk melengkapi materi praktek Laboratorium Elektronika yang dapat digunakan oleh mahasiswa

Lebih terperinci

RANCANGAN ALAT UKUR WAKTU TUNDA RELE ARUS LEBIH

RANCANGAN ALAT UKUR WAKTU TUNDA RELE ARUS LEBIH RANCANGAN ALAT UKUR WAKTU TUNDA RELE ARUS LEBIH T. Ahri Bahriun 1) 1) Staf Pengajar Departemen Teknik Elektro, Fakultas Teknik USU Abstrak Rele arus lebih berfungsi untuk membuka circuit breaker jika terjadi

Lebih terperinci

Program Studi Teknik Mesin S1

Program Studi Teknik Mesin S1 SATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH : ELEKTRONIKA DASAR KODE / SKS : AK042203 / 2 SKS Pertemuan Pokok Bahasan dan TIU 1 Dasar Elektronika dan pengenalan komponen elektronika Mahasiswa mengetahui pengertian

Lebih terperinci

BAB IV PENGUJIAN DAN ANALISA

BAB IV PENGUJIAN DAN ANALISA BAB IV PENGUJIAN DAN ANALISA 4.1 Pengujian dan Analisis Pengujian ini bertujuan untuk mengukur fungsional hardware dan software dalam sistem yang akan dibangun. Pengujian ini untuk memeriksa fungsi dari

Lebih terperinci

JOBSHEET SENSOR ULTRASONIC

JOBSHEET SENSOR ULTRASONIC JOBSHEET SENSOR ULTRASONIC A. TUJUAN 1) Mempelajari prinsip kerja dari ultrasonic ranging module HC-SR04. 2) Menguji ultrasonic ranging module HC-SR04 terhadap besaran fisis. 3) Menganalisis susunan rangkaian

Lebih terperinci

BAB III PERANCANGAN PENGUAT KELAS D

BAB III PERANCANGAN PENGUAT KELAS D BAB III PERANCANGAN PENGUAT KELAS D TANPA TAPIS LC PADA BAGIAN KELUARAN DENGAN MODULASI TIGA ARAS Pada bab III penulis akan menjelaskan perancangan dari penguat kelas D tanpa tapis LC dengan menerapkan

Lebih terperinci

BAB II TINJAUAN PUSTAKA

BAB II TINJAUAN PUSTAKA 2.1 Inverter BAB II TINJAUAN PUSTAKA Kedudukan inverter pada sistem pembangkit listrik tenaga surya atau PLTS adalah sebagai peeralatan yang mengubah listrik arus searah (DC) menjadi listrik arus bolak-balik

Lebih terperinci