DEPOSISI LAPISAN TIPIS DUA LAPIS ZnO DAN Al UNTUK MEMBUAT SAMBUNGAN P-N DENGAN TEKNIK SPUTTERING
|
|
- Erlin Atmadja
- 7 tahun lalu
- Tontonan:
Transkripsi
1 58 ISSN , dkk. DEPOSISI LAPISAN TIPIS DUA LAPIS ZnO DAN Al UNTUK MEMBUAT SAMBUNGAN P-N DENGAN TEKNIK SPUTTERING, Trimardji Atmono, Wirjoadi Puslitbang Teknologi Maju Batan Yogyakarta ABSTRAK DEPOSISI LAPISAN TIPIS DUA LAPIS ZnO DAN Al UNTUK MEMBUAT SAMBUNGAN P-N DENGAN TEKNIK SPUTTERING Telah dilakukan deposisi lapisan tipis dua lapis ZnO dan Al pada substrat Al untuk membuat sambungan P-N dengan teknik sputtering. Penelitian ini bertujuan untuk membentuk sambungan P- N antara lapisan tipis dengan ZnO dengan lapisan tipis Al. Untuk mendapatkan hasil sambungan P-N yang baik telah dilakukan variasi waktu deposisi utuk lapisan tipis ZnO dan daya RF untuk lapisan tipis Al. Untuk pengamatan hasil penelitian, telah dilakukan pengukuran tahanan maju dan mundur sambungan P-N dengan digital multi meter. Pengamatan tebal lapisan tipis dilakukan dengan SEM, pengamatan struktur kristal menggunakan XRD. Dari hasil pengukuran tahanan maju dan mundur diperoleh tahanan maju dan mundur yang berbeda yaitu 951 ohm dan 15,1 k ohm, pengamatan tebal lapisan tipis ZnO 1,5 µm dan lapisan tipis Al 1 µm, struktur kristal lapisan tipis ZnO dan Al hampir sama struktur kristal target dengan sudut 24,47 0 dan 34,31 0. ABSTRACT DEPOSITION OF THE BILAYER ZnO AND SINGLE LAYER Al TO PRODUCE PN-JUNCTION BY USING SPUTTERING TECHNIQUE. The deposition of bilayer ZnO and single layer Al to on Al-substrat to produce PN-Junction between ZnO and Al has been carried out.to achieve the best result, i.e the right PN-junction, the optimation of the prepared thin films has been done, namely the variation of depositon time and the power at the sputtering process. In order to get the properties of the sample, the following characterizations done were measuring of the forward-and backward resistance of the PN-junction with digital multimeter, observing of the crystal structure and the thickness of thin films with SEM and EDX, respectively. The results of the measurement show the different of the forward- and the backward resistance, 951Ω for the forward and 15.1 Ω for the backward. This indicates the formation of PN-Junction. The thickness of the ZnO bilayer was 1.5 µm and that of Al was 1 µm. The crystal structure of the films was the same with that of the target, it was identified at the peak of the XRD measurement, i.e. at the angle of o for ZnO and o for Al. PENDAHULUAN U ntuk membuat sambungan P-N biasanya digunakan bahan silikon atau germanium yang masih murni yang bersifat intrisik. Bahan yang masih murni ini harus diberi pengotor dahulu agar dapat berubah sifat listriknya menjadi tipe P atau tipe N. Pembuatan semikonduktor tipe P atau N dapat dilakukan antara lain dengan cara difusi, dimana pengotor didifusikan ke dalam silikon pada suhu tinggi, atau cara epiktasi yaitu gas silan dicampur dengan gas pengotor. Untuk membuat tipe P pada bahan silikon, dapat dilakukan dengan memberikan pengotor trivalen yaitu boron, aluminium atau galium, sedangkan untuk membuat tipe N diberi pengotor pentavalen phospor Jadi pemberian pengotor untuk bahan semikonduktor yang masih murni harus dilakukan dua kali. [1] Bahan ZnO adalah semikonduktor jenis N yang akhir-akhir ini banyak diteliti di negara maju. Bahan ini mempunyai sifat piezoelektrik dengan kopling mekanik yang besar, sehingga dapat digunakan sebagai sensor tekanan gas, penentu frekuensi tinggi, tapis frekuensi tinggi ataupun elektroda tembus cahaya untuk sel surya. [2] Bahan ZnO termasuk oksida seng, bila berada dalam atmosfir akan kehilangan oksigen dan terjadi reduksi. Akan tetapi dalam hal ini kekosongan oksigen tidak terbentuk, atom ZnO terdiri dari atom Zn dan O tetapi mempunyai kelebihan atom Zn, sehingga ion Zn menduduki tempat interstisi pada
2 , dkk. ISSN kristal ZnO yang berbentuk heksagonal. Ion Zn + yang memiliki kelebihan satu elektron, dibandingkan dengan ion Zn 2+ lainnya. Ion-ion kontinyu ini dapat memberikan elektron pada pita konduksi yang akan menghasilkan semikonduktor tipe N. Dengan demikian bahan ZnO dapat digunakan untuk sambungan P-N dengan proses lebih singkat yaitu hanya satu kali pemberian pengotornya. [3] Pembuatan sambungan P-N dari bahan semikonduktor ZnO dapat dilakukan dengan cara memberi pengotor yang mempunyai valensi tiga misalnya aluminium dimana bahan tersebut dapat dicari dengan mudah dengan harga yang relatip murah. Untuk mendapatkan sambungan P-N yang baik, diantara sambungan lapisan tipis ZnO dan lapisan tipis Al harus bersih dari kotoran yang berasal dari udara bebas. Bahan ZnO sebelum diberi pengotor Al dibuat lapisan tipis terlebih dahulu dengan susbstrat Al, kemudian dideposisi lagi dengan lapisan tipis Al tanpa membuka tabung reaktor plasma, sehingga diantara lapisan tipis ZnO dengan lapisan tipis Al tidak dikotori partikel dari udara bebas tersebut. Semikonduktor tipe N yang ditambahkan dengan ketidak murnian aseptor akan mempunyai konsentrasi hole yang jauh lebih besar dari pada konsentrasi elektron. Oleh karena arus listrik lebih banyak dibawa oleh hole, maka jenis konduktivitas semikonduktor ini adalah positip yaitu semikonduktor jenis P Dengan demikian akan terjadi sambungan P-N antara ZnO dan Al. [4] Untuk memberi pengotor bahan semikonduktor intrisik maupun ekstrisik, dapat dilakukan dengan berbagai metode, antara lain : metode paduan, metode difusi, metode epiktasi, metode sputering dan metode implatasi ion. Sambungan P-N yang baik mempunyai tahanan maju dalam orde ratusan ohm, tahanan mundur dalam orde ratusan kilo ohm, tegangan maju dalam orde volt, tegangan dadal mundur ratusan volt, resistivitas keping puluhan ohm/cm 2.[1] Dengan demikian sambungan P-N ini dapat digunakan sebagai diode yang mempunyai tegangan dadal yang cukup tinggi Teknik sputtering yang digunakan disini adalah teknik RF sputtering, karena target yang digunakan dari bahan semikonduktor. Tegangan tinggi RF yang diberikan pada elektroda menyebabkan ion positip bergerak dari anoda menuju katoda, sedangkan ion negatip bergerak menuju anoda. Dalam pergerakan menuju katoda, ion positip tersebut akan dipercepat oleh medan listrik karena adanya beda tegangan.. Selanjutnya ion positip mendapat percepatan dari gaya yang ditimbulkan oleh medan listrik kemudian akan bergerak menuju katoda dan menumbukinya dengan tenaga yang tinggi, dengan diikuti tumbukan berikutnya secara terus-menerus. [2] Massa ion penumbuk dari gas argon adalah lebih besar dari atom yang ditumbuk yaitu atom ZnO dan Al sehingga akan meninggalkan tempat tumbukan menuju ke arah bagian dalam permukaannya. Dengan demikian atom permukaan ZnO dan Al memperoleh tenaga yang cukup untuk melepaskan dari permukaan target. Atom ZnO dan Al yang terhambur dari permukaan target akibat ditumbuki ion argon tersebut membentuk lapisan tipis di atas substrat. Dengan melakukan variasi waktu deposisi lapisan tipis ZnO pada substrat Al dan variasi daya pada deposisi lapisan tipis Al pada lapisan tipis ZnO diharapkan akan terbentuk sambungan P-N ZnO-Al yang paling baik. TATA KERJA Dalam penelitian ini dilakukan beberapa tahapan yang meliputi : penyiapan cuplikan, pendeposisian lapisan tipis dua lapis, pengukuran tahanan maju dan mundur, pengukuran struktur kristal.dan pengamatan struktur mikro. Penyiapan Cuplikan Bahan yang digunakan dalam penelitian ini adalah target ZnO yang dibeli dalam bentuk target dengan diameter 75 mm tebal 2 mm, demikian juga target Al dengan ukuran yang sama. Sedangkan bahan untuk substrat digunakan Al dipotong dengan diameter 15 mm. Pendeposisian Lapisan Tipis Peralatan sistem RF sputtering yang digunakan terdiri dari : tabung reaktor plasma dengan dua target ZnO dan Al, pompa vakum rotari, pompa vakum turbo, vakum meter, sumber tegangan RF, pendingin target, pendingin sumber RF dan sumber gas argon. Target ZnO dan Al diletakkan pada tempat target yang berbeda, dimana keduanya berfungsi sebagai katoda di dalam tabung reaktor plasma. Substrat Al dan kaca diletakkan pada anoda yang berada di atas katoda dan dapat dipindahkan di atas target ZnO maupun target Al. Untuk pengamatan struktur mikro dan struktur kristal digunakan substrat kaca, untuk mempermudah dalam pelaksanaan pengamatan struktur mikro dengan SEM yang memerlukan ukuran substrat yang relatip kecil.
3 60 ISSN , dkk. Tabung reaktor plasma divakumkan sampai torr dengan pompa vakum rotari dan turbo (untuk membersihkan partikel yang tidak dikehendaki), kemudian gas argon dialirkan ke dalam tabung reaktor plasma melalui kran yang digunakan untuk mengatur tekanan gas. Tekanan gas akan naik menjadi torr. Posisi substrat Al pertama kali ditempatkan di atas target ZnO Kemudian sumber tegangan RF dihidupkan, maka gas argon akan terionisasi, ion argon akan menumbuk target ZnO. Substrat Al dan kaca akan mendapat percikan ion ZnO dengan tenaga yang cukup besar, sehingga sebagian ion ZnO menyisip pada susunan atom substrat Al dan kaca. Segera setelah susbstrat Al dan kaca terdeposisi dengan lapisan tipis ZnO maka susbstrat Al dan kaca dipindahkan ke atas target Al. Dengan demikian maka akan terbentuk lapisan tipis dua lapis ZnO dan Al tanpa dikotori partikel lain. Untuk mendapatkan sambungan P-N yang paling baik, maka dilakukan variasi waktu deposisi lapisan tipis ZnO dari 15 menit sampai 40 menit (untuk mendapatkan lapisan tipis ZnO paling tebal) dan variasi daya RF dideposisi lapisan tipis Al. dari 135 watt sampai dengan 175 watt dengan waktu deposisi 2 menit. digunakan XRD. Alat XRD yang digunakan adalah milik Balai Penelitian Keramik Bandung. HASIL DAN PEMBAHASAN Hasil dari pengukuran dan pengamatan hasil disajikan seperti pada Gambar 1 sampai dengan Gambar 5 Terbentuknya lapisan tipis ZnO dan Al pada substrat Al dapat dapat diamati dengan SEM seperti pada Gambar 1. Untuk dapat mengamati ketebalan lapisan tipis ZnO dan lapisan tipis Al, substrat kaca yang sudah dideposisi dengan lapisan tipis ZnO dan lapisan tipis Al dipotong melintang dan dipoles lagi sampai halus. Pengukuran Tahanan Maju dan Mundur Keadaan Terbuka Sambungan P-N mempunyai tahanan maju dan mundur yang berbeda. Untuk sambungan P-N yang baik mempunyai tahanan maju yang kecil dan tahanan mundur yang besar. Untuk mengetahui tahanan maju dan mundur pada keadaan terbuka, dilakukan pengamtan dengan multi meter digital. Pengukuran Ketebalan Lapisan Tipis Dengan SEM Pengamatan ketebalan lapisan tipis dua lapis lapisan tipis ZnO dan lapisan tipis Al yang terdeposisi di atas substrat kaca dilakukan dengan menggunakan SEM. (merk Jeol milik Kantor Deptamben Bandung). Pengamatan ketebalan lapisan tipis dua lapis ZnO dan Al dilakukan bukan dari arah permukaan substrat tetapi dengan arah melintang, sehingga dapat diamati dua lapisan tipis. Pengamatan Struktur Kristal Dengan XRD Terbentuknya sambungan P-N yang baik ditandai dengan fakta bahan struktur kristal lapisan tipis ZnO dan Al harus sesuai atau mendekati struktur kristal target ZnO dan target Al. Untuk mengamati struktur kristal lapisan tipis ZnO dan Al KACA ZnO Al UDARA Gambar 1. Penampang lintang dari ketebalan lapisan tipis ZnO dan Al pada substrat kaca. Tumbukan ion argon dengan tenaga yang cukup besar mampu melepaskan atom ZnO dan terpecik pada susbtrat Al dan kaca. Demikian juga tumbukan ion argon dapat melepaskan susunan atom Al terpecik pada lapisan tipis ZnO, sehingga membentuk dua lapisan tipis. Dengan mengamati menggunakan SEM penampang melintang substrat yang sudah dideposisi, maka terlihat adanya lapisan tipis ZnO dan lapisan tipis Al setebal 1,5 µm dan 1 µm berwarna putih sedikit gelap dan putih terang pada permukaan. Pengamatan ini menunjukkan telah terbentuk lapisan tipis ZnO dan lapisan tipis Al pada permukaan substrat kaca. Lapisan tipis ZnO terlihat sebagian masuk pada substrat akibat peristiwa difusi, sehingga lapisan tipis ZnO terikat kuat pada substrat Al. Sedangkan diantara lapisan tipis ZnO dan lapisan tipis Al tidak terlihat lapisan tipis pengotor yang lain. Pemotretan dengan SEM ini dipilih pada kondisi parameter waktu deposisi yang
4 , dkk. ISSN paling lama, sehingga jelas terlihat bahwa telah terbentuk dua lapisan tipis tanpa ada lapisan pengotor lain. Untuk mengetahui struktur kristal lapisan tipis ZnO, struktur kristal Al, struktur kristal lapisan tipis ZnO dan Al hasil sputtering dilakukan peng-ujian dengan XRD. Pengujian XRD ini terutama dimaksudkan untuk mengetahui apakah struktur kristal yang terbentuk pada substrat kaca sama atau mendekati struktur kristal target. Pada Gambar 2 ditunjukkan hasil pengujian XRD dari lapisan tipis ZnO. Teramati dua puncak spektrum pada sudut 34,37 0 dengan jarak antar bidang 2,61 Å (diambil dari hasil alat XRD, sehingga tidak dapat diamati pada gambar) dengan arah bidang 002. Arah bidang 002 menunjukkan bahwa arah bidang ini tegak lurus dengan sumbu c. [2] Hasil ini hampir sama dengan spektrum standard ZnO yaitu jarak antar bidangnya 2,602 Å. [5] Sedangkan pergeseran puncak ke sudut yang lebih kecil disebabkan karena sewaktu ion ZnO menumbuk susunan atom kaca sebagian menyisip dengan tenaga yang cukup besar pada susunan atom substrat kaca. Hal ini menyebabkan susunan atom kaca, merenggang akibat geseran antar atom kaca dan ion ZnO. Selain itu disebabkan juga perbedaan koefisien muai antara substrat kaca dan lapisan tipis ZnO [6] Pada Gambar 3 spektrum struktur kristal lapisan tipis Al dan terlihat puncak pada sudut 24,61 o dengan jarak antar bidang 3,61 Å dengan arah bidang 100 adalah sudut AlFeO. Unsur Fe dan O ini kemungkinan disebabkan karena ada kebocoran saluran gas argon, sehingga ada unsur O yang masuk. Sedangkan unsur Fe kemungkinan berasal dari percikan yang berasal dari elektroda. Gambar 2. Spektrum struktur kristal lapisan tipis ZnO pada substrat kaca.
5 62 ISSN , dkk. Gambar 3. Spektrum struktur kristal lapisan tipis Al pada substrat kaca. Gambar 4. Spektrum struktur kristal lapisan tipis Al pada substrat kaca. Pada Gambar 4 disajikan spektrum struktur kristal lapisan tipis dua lapis ZnO dan Al dan terlihat puncak pada sudut 24,47 o. Sudut tersebut adalah indikasi dari Al FeO dengan jarak antar bidang 3,63 Å dan arah bidang 100. Sudut ini berbeda sedikit dengan sudut lapisan tipis Al standard seperti Gambar 3. Hal ini kemungkinan disebabkan lapisan tipis Al berada di atas lapisan tipis ZnO dimana sebagian kecil atom Al dan ZnO bereaksi. Sedangkan sudut 34,35 0 dengan jarak antar bidang 3,61 Å dengan arah bidang 001 serta sudut 42,01 0 dengan jarak antar bidang 2,14 Å adalah karakter ZnO. Intensitas spektrum ZnO pada gambar ini terlihat lebih rendah, hal ini disebabkan karena lapisan tipis ZnO terletak di bawah lapisan tipis Al. Puncak spektrum untuk lapisan tipis Al juga rendah, mungkin disebabkan karena tipisnya Al. Sedangkan untuk puncak ZnO hampir sama dengan pengamatan pada lapisan tipis ZnO tanpa lapisan tipis Al. Untuk mengetahui terbentuknya sambungan P-N dilakukan pengukuran tahanan maju dan mundur lapisan tipis yang dideposisikan pada subs-trat Al.. Pengukuran ini dilakukan dengan menggu-nakan digital multi meter yang hasilnya ditampil-kan pada Gambar 5. Lapisan tipis ZnO berfungsi sebagai semikonduktor tipe N, sedangkan lapisan tipis Al sebagai pengotor semikonduktor tipe N, sehingga akan terbentuk sambungan P-N. Lapisan tipis ZnO dibuat setebal mungkin, dibandingkan lapisan tipis pengotor Al. Untuk mendapatkan lapisan tipis ZnO tebal maka dilakukan variasi waktu deposisi, sedangkan untuk mendapat lapisan tipis Al setipis mungkin dilakukan variasi daya dengan waktu deposisi selama 2 menit.
6 , dkk. ISSN Gambar 5. Grafik hubungan antara daya RF dengan tahanan maju dan mundur sambungan P-N. Pada Gambar 5 disajikan grafik hubungan antara daya RF dengan tahanan maju dan mundur sambungan P-N dan terlihat tahanan maju bertambah besar dengan peningkatan daya RF, sedangkan tahanan mundurnya akan berkurang. Hal ini disebabkan karena dengan naiknya daya RF maka rapat arus ion akan naik, demikian juga tenaganya. Ion Al akan lebih banyak dan lebih dalam menyisip pada susunan atom lapisan tipis ZnO, sehingga akan memudahkan aliran elektron (hampir sama dengan konduktor). Dengan daya yang kecil dan waktu deposisi yang pendek, maka ion Al akan berfungsi sebagai pengotor yang dapat membentuk sambungan P-N yang baik. KESIMPULAN Dari hasil percobaan, pengamatan dan analisa yang telah dilakukan, maka dapat diambil beberapa kesimpulan yaitu : 1. Berdasarkan pengamatan visual dengan SEM bisa disimpulkan telah terbentuk lapisan tipis dua lapis lapisan tipis ZnO dan lapisan tipis Al dengan ketebalan masing-masing 1,5 µm dan 1 µm. 2. Kristal ZnO menunjukkan struktur yang hampir sama dengan ZnO standard dan hanya terjadi sedikit perubahan sudut puncak spektrum, sedangkan struktur kristal lapisan tipis Al berbeda sedikit dengan struktur kristal Al. Perubahan dari pengamtan ini masih dalam toleransi kesalahan / ralat eksperimen. 3. Telah terbentuk sambungan P-N anatar lapisan tipis ZnO dan lapisan tipis Al dengan tahanan maju 953 ohm dan tahanan mundur 15,1 k ohm yang ditandai timbulnya perbedaan tahanan maju dan mundur. UCAPAN TERIMA KASIH Penulis mengucapkan terima kasih kepda Sdr. Giri Slamet yang telah membantu membuat lapisan tipis dua lapis ZnO dan Al. DAFTAR PUSTAKA 2. KIYOTAKA W, SHIGER H, Handbook Sputter Deposition Technology, Noyes Publi -cation, New Yersey, LAWRENCE, H VAN VLACK, Element of Materials Science and Engeneering, Addision Wesley Publishing Company, Reading Mass, Michigan, REKA RIO, MASAMORI, Fisika dan Tek-nologi Semikonduktor, PT Pradnya Paramita, Jakarta, MARLENE C, HOWARD F, Mc MURDIE, Powder Diffraction Data, Joint Committee on Difraction Standard, 1601 Park Lane, MICHIORI MIURA, Crystalographic Charac-ter of ZnO Thin Film Format at Low Sputtering Gas Pressure, Japanese Journal of Applied Physics, Vol. 21, No 2 February, TANYA JAWAB Sayono Mengapa pembuatan sambungan P-N (ZnO dan Al) tidak memakai substrat semikonduktor langsung, sehingga akan lebih mudah dalam aplikasinya. Berapa besaran parameter deposisi untuk menghasilkan lapisan ZnO-Al yang optimum. Pembuatan sambungan P-N tidak memakai substrat semikonduktor sehingga akan mudah dalam aplikasinya karena substrat Al berfungsi sebagai elektrode. Besaran parameter yang menghasilkan lapisan tipis yang optimum pada daya 135 watt, waktu deposisi 20 menit, tekanan gas torr. 1. MILLMAN, HALKIAS, Integrated Electro-nics, Mc Graw Hill Inc, New York, Sunardi Mohon klarifikasi kesimpulan 1, diterangkan secara visual, tetapi muncul angka kedalaman.. µm?
7 64 ISSN , dkk. Bagaimana struktur kristal setelah diamati dengan XRD, karena dalam XRD hanya tertampil spektrum. Bagaimana hubungan spektrum dengan struktur kristal. Ketebalan lapisan tipis ZnO dan Al pada penelitian ini memang diamati dengan SEM secara melintang sehingga dapat diukur ketebalan lapisan tipis ZnO dan Al. Struktur kristal lapisan tipis ZnO dan Al hampir sama dengan target ZnO dan Al. Pergeseran sudut antara sudut target dengan lapisan tipis karena ada perbedaan koefisien muai antara substrat dan lapisan tipis. Hubungan spektrum dengan struktur kristal adalah munculnya puncak (sinyal), sedangkan bila sudah terjadi kristal maka tidak muncul puncak. Djoko Sujono Seberapa jauh peran teknik sputtering ini bisa mendukung industri, menyejahterakan masyarakat, berikan c ontoh! Peranan teknik sputtering dalam industri dalam bidang kedokteran untuk pisau operasi dengan lapisan tipis TiN. Selain bidang mekanik pembuatan mata bor yang tajam dan harus dengan TiN Bambang Siswanto Dalam abstrak Bapak katakan : unsur memperekat sambungan P-N yang baik dilakukan variasi waktu deposisi untuk ZnO dan daya RF untuk lapisan Al, setahu saya untuk target yang berbeda parameter proses yang optimum juga berbeda, jadi apakah parameter proses yang tidak divariasi sudah pada kondisi optimum. Mohon penjelasan. Parameter yang sudah divariasi sudah meng-hasilkan yang optimum. Saminto Dapatkah tahanan mundur yang diperoleh tersebut ditingkatkan lebih tinggi lagi? Bagaimana caranya? Karena yang ada dipasaran, sebagai contoh diode (P-N), mempunyai tahanan mundur yang tinggi (dalam orde ratusan K ohm). Tahanan mundur sambungan P-N dapat ditingkatkan dengan cara menambah ketebalan lapisan tipis ZnO dan mengurangi dosis pengotor yaitu lapisan tipis Al. Bisa juga antara lapisan tipis ZnO dan Al diberi sekat (lapisan tipis isolator) misalnya dengan lapisan oksida, lapisan silikon nitride.
DEPOSISI LAPISAN TIPIS (CdS) TIPE-N DI ATAS LAPISAN TIPIS (CuInSe 2 ) TIPE-P SEBAGAI PENYANGGA UNTUK SEL SURYA CIS
ISSN 1410-6957 DEPOSISI LAPISAN TIPIS (CdS) TIPE-N DI ATAS LAPISAN TIPIS (CuInSe 2 ) TIPE-P SEBAGAI PENYANGGA UNTUK SEL SURYA CIS Wirjoadi, Yunanto, Bambang Siswanto Pusat Teknologi Akselerator dan Proses
Lebih terperinciPENGARUH TEKANAN DAN WAKTU DEPOSISI PADA TEKNIK SPUTTERING TERHADAP TAHANAN DAN REFLEKSIVITAS LAPISAN TIPIS a-si DAN Ag
GANENDRA, Vol. V, N0.2 ISSN 1410-6957 PENGARUH TEKANAN DAN WAKTU DEPOSISI PADA TEKNIK SPUTTERING TERHADAP TAHANAN DAN REFLEKSIVITAS LAPISAN TIPIS a-si DAN Ag Yunanto, Sudjatmoko, Trimardji Atmono, Wirjoadi
Lebih terperinciDEPOSISI LAPISAN TIPIS (CdS) TIPE-N DIATAS LAPISAN TIPIS (CuInSe 2 ) TIPE-P SEBAGAI PENYANGGA UNTUK SEL SURYA CIS
250 ISSN 0216-3128 Wirjoadi, dkk. DEPOSISI LAPISAN TIPIS (CdS) TIPE-N DIATAS LAPISAN TIPIS (CuInSe 2 ) TIPE-P SEBAGAI PENYANGGA UNTUK SEL SURYA CIS Wirjoadi, Yunanto, Bambang Siswanto Pusat Teknologi Akselerator
Lebih terperinciKARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT GELAS UNTUK JENDELA SEL SURYA
GANENDRA, Vol. V, N0.2 ISSN 1410-6957 KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT GELAS UNTUK JENDELA SEL SURYA Wirjoadi, Yunanto, Bambang Siswanto, Sri Sulamdari, Sudjatmoko Puslitbang
Lebih terperinciPENGARUH SUHU DEPOSISI LAPISAN TIPIS TiN TERHADAP SIFAT MEKANIK METAL HASIL PLASMA SPUTTERING
138 ISSN 0216-3128 Wirjoadi, dkk. PENGARUH SUHU DEPOSISI LAPISAN TIPIS TiN TERHADAP SIFAT MEKANIK METAL HASIL PLASMA SPUTTERING Wirjoadi, Bambang Siswanto, Sudjatmoko Pusat Teknologi Akselerator dan Proses
Lebih terperinciPENGARUH KONSENTRASI BORON TERHADAP SIFAT LISTRIK LAPISAN TIPIS (a-si:h:b)
ISSN 1410-6951 PENGARUH KONSENTRASI BORON TERHADAP SIFAT LISTRIK LAPISAN TIPIS (a-si:h:b) Bambang Siswanto, Wirjoadi, Sudjatmoko Puslitbang Teknologi Maju Batan Yogyakarta Jl. Babarsari Kotak Pos 6101
Lebih terperinciDEPOSISI LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT ALUMINA UNTUK BAHAN SENSOR GAS
ISSN 1410-6957 DEPOSISI LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT ALUMINA UNTUK BAHAN SENSOR GAS Sayono, Tjipto Sujitno Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan - BATAN Toto Trikasjono Sekolah Tinggi Teknologi
Lebih terperinciKarakterisasi XRD. Pengukuran
11 Karakterisasi XRD Pengukuran XRD menggunakan alat XRD7000, kemudian dihubungkan dengan program dikomputer. Puncakpuncak yang didapatkan dari data pengukuran ini kemudian dicocokkan dengan standar difraksi
Lebih terperinciSTRUKTUR CRISTAL SILIKON
BANDGAP TABEL PERIODIK STRUKTUR CRISTAL SILIKON PITA ENERGI Pita yang ditempati oleh elektron valensi disebut Pita Valensi Pita yang kosong pertama disebut : Pita Konduksi ISOLATOR, KONDUKTOR DAN SEMIKONDUKTOR
Lebih terperinciSIFAT OPTIK STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO
Wirjoadi, dkk. ISSN 0216-3128 369 SIFAT OPTIK STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO Wirjoadi, Bambang Siswanto Pusat Teknologi Akselerator dan Proses
Lebih terperinciPREPARASI LAPISAN TIPIS SAMBUNGAN p-n ZnO DAN CuInSe MENGGUNAKAN PENYANGGA LAPISAN CdS UNTUK APLIKASI SEL SURYA
, dkk. ISSN 0216-3128 153 PREPARASI LAPISAN TIPIS SAMBUNGAN p-n ZnO DAN CuInSe MENGGUNAKAN PENYANGGA LAPISAN CdS UNTUK APLIKASI SEL SURYA PTAPB Badan Tenaga Nuklir Nasional Agung B.S.U, Messa Monika Sari
Lebih terperinciSIFAT OPTIK, STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO
ISSN 1410-6957 SIFAT OPTIK, STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO Wirjoadi, Bambang Siswanto Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan, BATAN
Lebih terperinciPembuatan Sel Surya Film Tipis dengan DC Magnetron Sputtering
Pembuatan Sel Surya Film Tipis dengan DC Magnetron Sputtering Desty Anggita Tunggadewi 1, Fitria Hidayanti 1 1 Program Studi Teknik Fisika, Fakultas Teknik dan Sains, Universitas Nasional dtunggadewi@yahoo.co.id,
Lebih terperinciDEPOSISI LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT ALUMINA UNTUK BAHAN SENSOR GAS
Sayono, dkk. ISSN 0216-3128 263 DEPOSISI LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT ALUMINA UNTUK BAHAN SENSOR GAS Sayono, Tjipto Sujitno PTAPB - BATAN Toto Trikasjono STTN - BATAN ABSTRAK DEPOSISI LAPISAN TIPIS
Lebih terperinciPEMBUATAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI (a-si:h) UNTUK BAHAN SEL SURYA
GANENDRA, Vol.VI, N0.1 ISSN 1410-6957 PEMBUATAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI (a-si:h) UNTUK BAHAN SEL SURYA Wirjoadi, Sudjatmoko, Yunanto, Bambang Siswanto, Sri Sulamdari Puslibang Teknologi
Lebih terperinciPENGARUH SUHU SUBSTRAT DAN WAKTU DEPOSISI TERHADAP STRUKTUR MIKRO LAPISAN FeN PADA RODA GIGI
Bambang Siswanto, dkk. ISSN 0216-3128 129 PENGARUH SUHU SUBSTRAT DAN WAKTU DEPOSISI TERHADAP STRUKTUR MIKRO LAPISAN FeN PADA RODA GIGI Bambang Siswanto, Wirjoadi, Sudjatmoko Pustek Akselerator dan Proses
Lebih terperinciBAB II KAJIAN PUSTAKA DAN DASAR TEORI
BAB II KAJIAN PUSTAKA DAN DASAR TEORI 2.1. Kajian Pustaka Marwoto.P., dkk (2007) melakukan penelitian proses penumbuhan film tipis Ga 2 O 3 :Mn dengan mengguakan DC magnetron sputtering dan dilakukan dengan
Lebih terperinciPENGARUH DEPOSISI BAHAN STAINLESS STEEL (SS) AUSTENITIK TERHADAP SIFAT MEKANIK ALUMINIUM (Al)
, dkk. ISSN 0216-3128 49 PENGARUH DEPOSISI BAHAN STAINLESS STEEL (SS) AUSTENITIK TERHADAP SIFAT MEKANIK ALUMINIUM (Al), Tjipto Suyitno, Bambang Siswanto, Sudjatmoko Puslitbang Teknologi Maju, Batan ABSTRAK
Lebih terperinciDEPOSISI LAPISAN TIPIS ZoO P ADA SILIKON UNTUK MEMBUA T DIODE DENGAN TEKNIK SPUTTERING
Proseding Pertemuan don Presentasi Ilmiah P3TM -BATAN. Yogyakarta 25.26 Juli looo Buku I DEPOSISI LAPISAN TIPIS ZoO P ADA SILIKON UNTUK MEMBUA T DIODE DENGAN TEKNIK SPUTTERING Yunanto, Trimardji Atmono,
Lebih terperinciKARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS a-si:h:b UNTUK BAHAN SEL SURYA
ISSN 40-695 KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS a-si:h:b UNTUK BAHAN SEL SURYA Bambang Siswanto, Wirjoadi, Tri Mardji Atmono, Yunanto Puslitbang Teknologi Maju Batan Yogayakarta Jl. Babarsari Kotak
Lebih terperinciPENGERASAN PERMUKAAN BAJA ST 40 DENGAN METODE CARBURIZING PLASMA LUCUTAN PIJAR
PENGERASAN PERMUKAAN BAJA ST 40 DENGAN METODE CARBURIZING PLASMA LUCUTAN PIJAR BANGUN PRIBADI *, SUPRAPTO **, DWI PRIYANTORO* *Sekolah Tinggi Teknologi Nuklir-BATAN Jl. Babarsari Kotak Pos 1008, DIY 55010
Lebih terperinciGambar Semikonduktor tipe-p (kiri) dan tipe-n (kanan)
Mekanisme Kerja Devais Sel Surya Sel surya merupakan suatu devais semikonduktor yang dapat menghasilkan listrik jika diberikan sejumlah energi cahaya. Proses penghasilan energi listrik itu diawali dengan
Lebih terperinciSTRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPIS TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 S 0.8 ) HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA
J. Sains Dasar 2015 4 (2) 198-203 STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPIS TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 S 0.8 ) HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA THE STRUCTURE AND CHEMICAL
Lebih terperinciPENGARUH DOPING EMAS DAN PERLAKUAN ANIL PADA SENSITIVITAS LAPISAN TIPIS SnO 2 UNTUK SENSOR GAS CO
PENGARUH DOPING EMAS DAN PERLAKUAN ANIL PADA SENSITIVITAS LAPISAN TIPIS SnO 2 UNTUK SENSOR GAS CO Almunawar Khalil 1*, Sri Yani Purwaningsih 2, Darminto 3 Jurusan Fisika, Institut Teknologi Sepuluh Nopember
Lebih terperinciPENIN G KA TAN LAJU D EPOSISI LAPISAN TIPIS Zn 0 DENGAN TEKNIK SPUTTERING RF MAGNETRON
PENIN G KA TAN LAJU D EPOSISI LAPISAN TIPIS Zn 0 DENGAN TEKNIK SPUTTERING RF MAGNETRON Yunanto,Suryadi, Tono Wibowo, Wirjoadi P3TM-BATAN, Kotak Pas 1008, Yogyakarta 55010 ABSTRAK PENINGKATAN LAJU DEPOSISI
Lebih terperinciPENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR
PENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR Penumbuhan film tipis semikonduktor di atas substrat dapat dilakukan secara epitaksi. Dalam bahasa yunani epi berarti di atas dan taksial berarti menyusun dengan kata
Lebih terperinciANALISIS SIFAT MEKANIK LAPISAN TIPIS NITRIDA TITANIUM PADA CAMSHAFT HASIL TEKNIK PLASMA SPUTTERING
110 ISSN 0216-3128 Bambang Siswanto., dkk. ANALISIS SIFAT MEKANIK LAPISAN TIPIS NITRIDA TITANIUM PADA CAMSHAFT HASIL TEKNIK PLASMA SPUTTERING Bambang Siswanto, Lely Susita RM., Sudjatmoko, Wirjoadi Pustek
Lebih terperinci1. Semikonduktor intrinsik : bahan murni tanpa adanya pengotor bahan lain. 2. Semikonduktor ekstrinsik : bahan mengandung impuritas dari bahan lain
1. Semikonduktor intrinsik : bahan murni tanpa adanya pengotor bahan lain 2. Semikonduktor ekstrinsik : bahan mengandung impuritas dari bahan lain Adalah Semikonduktor yang terdiri atas satu unsur saja,
Lebih terperinciPENGARUH DOPING INDIUM TERHADAP SENSITIVITAS SENSOR GAS DARI LAPISAN TIPIS SnO 2
Suharni, dkk. ISSN 0216-3128 33 PENGARUH DOPING INDIUM TERHADAP SENSITIVITAS SENSOR GAS DARI LAPISAN TIPIS SnO 2 Suharni dan Sayono Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan-BATAN ABSTRAK PENGARUH DOPING
Lebih terperinciKERAMIK Mimin Sukarmin, S.Si., M.Pd.
KERAMIK Mimin Sukarmin, S.Si., M.Pd. m.sukar1982xx@gmail.com A. Keramik Bahan keramik merupakan senyawa antara logam dan bukan logam. Senyawa ini mempunyai ikatan ionik dan atau ikatan kovalen. Jadi sifat-sifatnya
Lebih terperinciD EPOSISI LAPISAN TIPIS Zn UNTUK LAPISAN PELINDUNG.P ADA Fe DENGAN TEKNIK SPUTTERING
180 ISSN 0216-3128 Yunanto, dkk. D EPOSISI LAPISAN TIPIS Zn UNTUK LAPISAN PELINDUNG.P ADA Fe DENGAN TEKNIK SPUTTERING BENTUK SILINDER Yunanto, BA Tjipto Sujitno, Suprapto,. Sabat Simbolon Puslitbang Teknologi
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC)
39 HASIL DAN PEMBAHASAN Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC) Hasil karakterisasi dengan Difraksi Sinar-X (XRD) dilakukan untuk mengetahui jenis material yang dihasilkan disamping menentukan
Lebih terperinciSTUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI
Studi Pengaruh Suhu Substrat. (Rully Fakhry Muhammad) 303 STUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI STUDY
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia Tenggara. Sebagai negara berkembang, Indonesia melakukan swasembada diberbagai bidang, termasuk
Lebih terperinciANALISIS STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT MEKANIK LAPISAN NiCr-Al YANG DIBENTUK DENGAN METODE SPUTTERING PADA BAJA ST 40
ANALISIS STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT MEKANIK LAPISAN NiCr-Al YANG DIBENTUK DENGAN METODE SPUTTERING PADA BAJA ST 40 TESIS Diajukan Kepada Program Studi Magister Teknik Mesin Sekolah Pascasarjana Universitas
Lebih terperinciPERTEMUAN 2 TEORI DASAR (DIODA)
PERTEMUAN 2 TEORI DASAR (DIODA) PENGERTIAN DIODA Dioda merupakan komponenelektronikayang mempunyai dua elektroda(terminal), dapat berfungsi sebagai penyearah arus listrik. Dioda merupakanjunction ( pertemuan
Lebih terperinciPENGARUH KANDUNGAN In PADA LAPISAN TIPIS TCO (ZnO:In) TERHADAP TEGANGAN FOTOVOLTAIK SEL SURYA CIS. Uminingsih Fakultas Sains Terapan IST AKPRIND
PENGARUH KANDUNGAN In PADA LAPISAN TIPIS TCO (ZnO:In) TERHADAP TEGANGAN FOTOVOLTAIK SEL SURYA CIS Uminingsih Fakultas Sains Terapan IST AKPRIND Yunanto, dan Darsono Pusat Teknologi Akselerator dan Proses
Lebih terperinciDioda Semikonduktor dan Rangkaiannya
- 2 Dioda Semikonduktor dan Rangkaiannya Missa Lamsani Hal 1 SAP Semikonduktor tipe P dan tipe N, pembawa mayoritas dan pembawa minoritas pada kedua jenis bahan tersebut. Sambungan P-N, daerah deplesi
Lebih terperinciMATERI IV DIODA : PENGERTIAN DAN KARAKTERISTIK
MATERI IV DIODA : PENGERTIAN DAN KARAKTERISTIK A. Tujuan 1. Tujuan Umum Mahasiswa memahami pengertian dan karakteristik dioda semikonduktor 2. Tujuan Khusus a. Mahasiswa dapat menjelaskan keadaan sambunan
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini terlihat dari banyaknya komponen semikonduktor yang digunakan disetiap kegiatan manusia.
Lebih terperinciBAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN. 4.1 Pengaruh waktu annealing terhadap diameter dan jarak antar butir
BAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN 4.1 Pengaruh waktu annealing terhadap diameter dan jarak antar butir katalis Au Perubahan morfologi katalis telah dilihat melalui pengujian SEM, gambar 4.1 memperlihatkan hasil
Lebih terperinciSIFAT MEKANIK DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS NITRIDA BESI YANG DIDEPOSISIKAN PADA ROLL BEARING DENGAN TEKNIK SPUTTERING
150 ISSN 0216-3128 Wirjoadi., dkk. SIFAT MEKANIK DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS NITRIDA BESI YANG DIDEPOSISIKAN PADA ROLL BEARING DENGAN TEKNIK SPUTTERING Wirjoadi, Elin Nuraini, Ihwanul Aziz, Bambang
Lebih terperinciPENGARUH KANDUNGAN SULFUR TERHADAP KONSTANTE KISI KRISTAL CuIn (S x,se 1-x ) 2
Pengaruh kandungan sulfur terhadap konstante kisi kristal of CuIn (S x,se 1-x ) 2 (Wirjoadi, Bambang Siswanto) PENGARUH KANDUNGAN SULFUR TERHADAP KONSTANTE KISI KRISTAL CuIn (S x,se 1-x ) 2 Wirjoadi, Bambang
Lebih terperinciSEMIKONDUKTOR oleh: Ichwan Yelfianhar dirangkum dari berbagai sumber
SEMIKONDUKTOR oleh: Ichwan Yelfianhar dirangkum dari berbagai sumber Pengertian Umum Bahan semikonduktor adalah bahan yang bersifat setengah konduktor karena celah energi yang dibentuk oleh struktur bahan
Lebih terperinciBAB IV HASIL PERANCANGAN DAN PABRIKASI
BAB IV HASIL PERANCANGAN DAN PABRIKASI 4.1. Hasil Pembuatan Mesin DC Magnetron Sputtering Mesin DC Magnetron Sputtering yang sudah selesai dibuat dan siap dilakukan pengujian untuk pelapisan pada bahan
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. penelitian ini dilakukan pembuatan keramik Ni-CSZ dengan metode kompaksi
19 BAB III METODE PENELITIAN 3.1 Metode Penelitian Metode yang dilakukan pada penelitian ini adalah eksperimen. Pada penelitian ini dilakukan pembuatan keramik Ni-CSZ dengan metode kompaksi serbuk. 3.2
Lebih terperinciPengaruh Rapat Arus Terhadap Ketebalan Dan Struktur Kristal Lapisan Nikel pada Tembaga
ISSN:2089 0133 Indonesian Journal of Applied Physics (2012) Vol.2 No.1 halaman 1 April 2012 Pengaruh Rapat Arus Terhadap Ketebalan Dan Struktur Kristal Lapisan Nikel pada Tembaga ABSTRACT Setyowati, Y.
Lebih terperinciPENGARUH TEKANAN DAN WAKTU DEPOSISI SPUTTERING TERHADAP SENSITIVITAS SENSOR GAS SnO 2
PENGARUH TEKANAN DAN WAKTU DEPOSISI SPUTTERING TERHADAP SENSITIVITAS SENSOR GAS SnO 2 Sayono, Agus Santoso Puslitbang Teknologi Maju BATAN Jl. Babarsari Kotak Pos 1008, Yogyakarta 55010 ABSTRAK PENGARUH
Lebih terperinciEfek doping Al pada sifat optik dan listrik lapisan tipis ZnO hasil deposisi dengan DC sputtering
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 1, NOMER 1 JANUARI 2005 Efek doping Al pada sifat optik dan listrik lapisan tipis ZnO hasil deposisi dengan DC sputtering SriYaniPurwaningsih, 1 Karyono, 2 dansudjatmoko
Lebih terperinci2014 PEMBUATAN BILAYER ANODE - ELEKTROLIT CSZ DENGAN METODE ELECTROPHORETIC DEPOSITION
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Kebutuhan listrik dunia semakin meningkat seiring berjalannya waktu. Hal ini tentu disebabkan pertumbuhan aktivitas manusia yang semakin padat dan kebutuhan
Lebih terperinciDEPOSISI LAPISAN TIPIS A&,CuInSe-SiP PADA SUBSTRAT KACA UNTUK MENGHASILKAN SAMBUNGAN P-N
DEPOSISI LAPISAN TIPIS A&,CuInSe-SiP PADA SUBSTRAT KACA UNTUK MENGHASILKAN SAMBUNGAN P-N Giri Slamet PTAPB-BATAN ABSTRAK DEPOSISI LAPISAN TIPIS Ag/CuinSe-SiP PADA SUBSTRA T KACA UNTUK MENGHASILKAN SAMBUNGAN
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. Penelitian hampir seluruhnya dilakukan di laboratorium Gedung Fisika Material
BAB III METODE PENELITIAN Metode yang dilakukan dalam penelitian ini adalah rancang bangun alat. Penelitian hampir seluruhnya dilakukan di laboratorium Gedung Fisika Material Pusat Teknologi Nuklir Bahan
Lebih terperinciRekayasa Bahan untuk Meningkatkan Daya Serap Terhadap Gelombang Elektromagnetik dengan Matode Deposisi Menggunakan Lucutan Korona
Rekayasa Bahan untuk Meningkatkan Daya Serap Terhadap Gelombang Elektromagnetik dengan Matode Deposisi Menggunakan Lucutan Korona Vincensius Gunawan.S.K Laboratorium Fisika Zat Padat, Jurusan Fisika, Universitas
Lebih terperinciUji Kekerasan Material dengan Metode Rockwell
Uji Kekerasan Material dengan Metode Rockwell 1 Ika Wahyuni, 2 Ahmad Barkati Rojul, 3 Erlin Nasocha, 4 Nindia Fauzia Rosyi, 5 Nurul Khusnia, 6 Oktaviana Retna Ningsih Jurusan Fisika, Fakultas Sains dan
Lebih terperinciBab 1. Semi Konduktor
Bab 1. Semi Konduktor Operasi komponen elektronika benda padat seperti dioda, LED, Transistor Bipolar dan FET serta Op-Amp atau rangkaian terpadu lainnya didasarkan atas sifat-sifat semikonduktor. Semikonduktor
Lebih terperinciELEKTRONIKA. Bab 2. Semikonduktor
ELEKTRONIKA Bab 2. Semikonduktor DR. JUSAK Konduktor Konduktor adalah sebuah bahan/elemen yang mempunyai kemampuan menghantarkan listrik. Salah satu contoh bahan koduktor adalah tembaga. Nukleus atom tembaga
Lebih terperinciStruktur dan Prinsip Kerja Transistor Metal Oxide Semiconductor (MOS)
Struktur dan Prinsip Kerja Transistor Metal Oxide Semiconductor (MOS) Analisis dan perancangan IC sangat tergantung pada pemilihan model yang cocok sebagai komponen IC. Untuk analisis secara manual, cukup
Lebih terperinciANALISIS PENGARUH ION BORON TERHADAP LISTRIK DAN OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO
102 ISSN 0216-3128 Wirjoadi, dkk. ANALISIS PENGARUH ION BORON TERHADAP LISTRIK DAN OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO SIFA T Wirjoadi, Yunanto, Bambang Siswanto, Tjipto Suyitno P3TM-BATAN -'" ABSTRAK ANALISIS PENGARUH
Lebih terperinciStruktur dan konfigurasi sel Fotovoltaik
9 Gambar 17. Struktur dan konfigurasi sel Fotovoltaik BST yang sudah mengalami proses annealing dipasang kontak di atas permukaan substrat silikon dan di atas film tipis BST. Pembuatan kontak ini dilakukan
Lebih terperinciPEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS
PEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS Syuhada, Dwi Bayuwati, Sulaiman Pusat Penelitian Fisika-LIPI, Kawasan Puspiptek Serpong Tangerang 15314 e-mail: hadda212@yahoo.com
Lebih terperinciPEMBUATAN TABUNG DETEKTOR GEIGER MULLER TIPE JENDELA SAMPING
PEMBUATAN TABUNG DETEKTOR GEIGER MULLER TIPE JENDELA SAMPING Tony Rahardjo, Sumber W, Bambang L. -BATAN, Babarsari Yogyakarta 55281 Email:ptapb@batan.go.id ABSTRAK PEMBUATAN TABUNG DETEKTOR GEIGER MULLER
Lebih terperinciDETEKTOR RADIASI. NANIK DWI NURHAYATI, S.Si, M.Si nanikdn.staff.uns.ac.id
DETEKTOR RADIASI NANIK DWI NURHAYATI, S.Si, M.Si nanikdn.staff.uns.ac.id nanikdn@uns.ac.id - Metode deteksi radiasi didasarkan pd hasil interaksi radiasi dg materi: proses ionisasi & proses eksitasi -
Lebih terperinciModul - 4 SEMIKONDUKTOR
Modul - 4 SEMIKONDUKTOR Disusun Sebagai Materi Pelatihan Guru-Guru SMA/MA Provinsi Nangro Aceh Darussalam Disusun oleh: Dr. Agus Setiawan, M.Si Dr. Dadi Rusdiana, M.Si Dr. Ida Hamidah, M.Si Dra. Ida Kaniawati,
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. penelitian ini dilakukan pembuatan keramik komposit CSZ-Ni dengan
20 BAB III METODE PENELITIAN 3.1 Metode Desain Metode yang digunakan pada penelitian ini adalah eksperimen. Pada penelitian ini dilakukan pembuatan keramik komposit CSZ-Ni dengan menggunakan metode tape
Lebih terperinciBAB II TINJAUAN PUSTAKA
BAB II TINJAUAN PUSTAKA 2.1. Barium Stronsium Titanat (Ba x Sr 1-x TiO 3 ) BST merupakan kombinasi dua material perovskit barium titanat (BaTiO) dan stronsium titanat (SrTiO). Pada kedudukan A, kisi ABO
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. logam menjadi satu akibat adanya energi panas. Teknologi pengelasan. selain digunakan untuk memproduksi suatu alat, pengelasan
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Pengelasan adalah suatu proses penggabungan logam dimana logam menjadi satu akibat adanya energi panas. Teknologi pengelasan selain digunakan untuk memproduksi suatu
Lebih terperinciSemikonduktor. Sifat. (ohm.m) Tembaga 1,7 x 10-8 Konduktor Silikon pd 300 o K 2,3 x 10 3 Semikonduktor Gelas 7,0 x 10 6 Isolator
Semikonduktor Definisi I: Bahan yang memiliki nilai hambatan jenis (ρ) antara konduktor dan isolator yakni sebesar 10 6 s.d. 10 4 ohm.m Perbandingan hambatan jenis konduktor, semikonduktor, dan isolator:
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban manusia di abad ini. Sehingga diperlukan suatu kemampuan menguasai teknologi tinggi agar bisa
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini mengalami peralihan dari teknologi mikro (microtechnology) ke generasi yang lebih kecil yang dikenal
Lebih terperinciBAB V KESIMPULAN DAN SARAN. maka diperoleh kesimpulan sebagai berikut : Bridgman. Bahan-bahan yang digunakan adalah Pb, Se, dan Te kemudian
BAB V KESIMPULAN DAN SARAN A. Kesimpulan Berdasarkan hasil penelitian dan pembahasan mengenai hasil preparasi bahan semikonduktor Pb(Se 0,6 Te 0,4 ) dengan menggunakan teknik Bridgman maka diperoleh kesimpulan
Lebih terperinciMIKROELEKTRONIKA. Gejala Transport dalam Semikonduktor. D3 Teknik Komputer Universitas Gunadarma
MIKROELEKTRONIKA Gejala Transport dalam Semikonduktor D3 Teknik Komputer Universitas Gunadarma MOBILITAS & KONDUKTIVITAS Gambaran gas elektron dari logam Bagian yang gelap menyatakan bagian yang mempunyai
Lebih terperinciGambar 2.1. Struktur dua dimensi kristal silikon. Ion r (Å) Ion r (Å) Ti 4+ 0,68 Ti 4+ 0,68. Zr 4+ 0,79 Zr 4+ 0,79. Nb 5+ 0,69 Fe 3+ 0,67
2 oksigen. Sebagian besar unsur bebas silikon tidak ditemukan di alam. Oleh karena itu, silikon dihasilkan dengan mereduksi kuarsa dan pasir dengan karbon yang berkualitas tinggi. Silikon untuk pengunaan
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. kita terima bahwa pemakaian energi berbahan dasar dari fosil telah menjadi salah
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Menipisnya cadangan energi fosil di Indonesia dan kenyataan yang harus kita terima bahwa pemakaian energi berbahan dasar dari fosil telah menjadi salah satu
Lebih terperinciUJI VAKUM BEJANA NITRIDASI PLASMA
UJI VAKUM BEJANA NITRIDASI PLASMA Sukidi, Suhartono -BATAN, Babarsari Yogyakarta 55281 E-mail : skd_5633@yahoo.co.id ABSTRAK UJI VAKUM BEJANA NITRIDASI PLASMA. Telah dilakukan uji vakum 2 bejana nitridasi
Lebih terperinciKARAKTERISTIK ARUS DAN TEGANGAN SEL SURYA
LAPORAN PRAKTIKUM FISIKA EKSPERIMEN II KARAKTERISTIK ARUS DAN TEGANGAN SEL SURYA Oleh : 1. Riyanto H1C004006 2. M. Teguh Sutrisno H1C004007 3. Indri Kurniasih H1C004003 4. Gita Anggit H1C004014 Tanggal
Lebih terperinciDEPOSISI LAPISAN TIPIS S n O 2 MENGGUNAKAN TEKNIK DC SPUTTERING DAN KARAKTERISASINYA
DEPOSISI LAPISAN TIPIS S n O 2 MENGGUNAKAN TEKNIK DC SPUTTERING DAN KARAKTERISASINYA SKRIPSI Diajukan untuk memenuhi persyaratan Memperoleh gelar sarjana sains (S.Si) Program studi fisika Oleh : Anastasia
Lebih terperinciBAB III TEGANGAN GAGAL DAN PENGARUH KELEMBABAN UDARA
BAB III TEGANGAN GAGAL DAN PENGARUH KELEMBABAN UDARA 3.1. Pendahuluan Setiap bahan isolasi mempunyai kemampuan menahan tegangan yang terbatas. Keterbatasan kemampuan tegangan ini karena bahan isolasi bukanlah
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi energi listrik DC secara langsung. Sel surya telah diaplikasikan dalam berbagai bidang, salah
Lebih terperinciDEPOSISI LAPISAN NITRIDA PADA PERMUKAAN PIN DAN RING PISTON DENGAN METODA DC SPUTTERING
DEPOSISI LAPISAN NITRIDA PADA PERMUKAAN PIN DAN RING PISTON DENGAN METODA DC SPUTTERING Lely Susita R.M., Bambang Siswanto, Ihwanul Aziz, Taufik Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan (PTAPB) BATAN
Lebih terperinciPENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se 0,4 Te 0,6 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM
Pengaruh Suhu Substrat...(Vina Hentri Tunita N.)288 PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se 0,4 Te 0,6 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM THE EFFECT OF SUBSTRATE
Lebih terperinciPEMBAHASAN. a. Pompa Vakum Rotary (The Rotary Vacuum Pump) Gambar 1.10 Skema susunan pompa vakum rotary
PENDAHULUAN Salah satu metode yang digunakan untuk memperoleh lapisan tipis adalah Evaporasi. Proses penumbuhan lapisan pada metode ini dilakukan dalam ruang vakum. Lapisan tipis pada substrat diperoleh
Lebih terperinciBAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI
BAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI Pada bab ini dibahas penumbuhan AlGaN tanpa doping menggunakan reaktor PA- MOCVD. Lapisan AlGaN ditumbuhkan dengan variasi laju alir gas reaktan, hasil penumbuhan dikarakterisasi
Lebih terperinciWinHEC /15/2015. Materi. Pengenalan elektronika Dasar. Pertemuan ke II
Materi Pengenalan elektronika Dasar Pertemuan ke II 1 Pembahasan Materi : Struktur atom Struktur atom bahan semikonduktor Struktur atom silikon dan germanium Sifat Konduktor, isolator dan semikonduktor
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen yang dilakukan di
BAB III METODE PENELITIAN Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen yang dilakukan di lab. Fisika Material, Jurusan Pendidikan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas
Lebih terperinciPEMBUA TAN SAMBUNGAN PN SEMIKONDUKTOR ZoO DAN KONDUKTOR AI DENGAN TEKNIK SPUTTERING
Pembualan Sambungan PN Semikonduktor ZnO don Konduktor Al dengan Teknlk Sputtering (Yunanto) PEMBUA TAN SAMBUNGAN PN SEMIKONDUKTOR ZoO DAN KONDUKTOR AI DENGAN TEKNIK SPUTTERING ABSTRAK Yunanto, TrimardjiAtmono
Lebih terperinciAtom silikon dan germanium masingmempunyai empat elektron valensi. Oleh karena itu baik atom silikon maupun atom germanium disebut juga dengan atom
Mata Kuliah Pertemuaan Pokok Bahasan Waktu : Elektronika Analog : I : Bahan Semikonduktor : 2x55 menit Berdasarkan sifat hantantaran listrik bahan dapat dibagi atas 3 jenis yaitu: bahan yang tidak dapat
Lebih terperinciBab IV. Hasil dan Pembahasan
Bab IV. Hasil dan Pembahasan Bab ini memaparkan hasil sintesis, karakterisasi konduktivitas listrik dan struktur kirstal dari senyawa perovskit La 1-x Sr x FeO 3-δ (LSFO) dengan x = 0,2 ; 0,4 ; 0,5 ; 0,6
Lebih terperinciSemikonduktor. Prinsip Dasar. oleh aswan hamonangan
Semikonduktor Prinsip Dasar oleh aswan hamonangan Semikonduktor merupakan elemen dasar dari komponen elektronika seperti dioda, transistor dan sebuah IC (integrated circuit). Disebut semi atau setengah
Lebih terperinciANALISIS LANJUTAN. Tingkat Energi & Orbit Elektron. Pita Energi Semikonduktor Intrinsik. Pita Energi Pada Semikonduktor Ter-Doping
Tingkat Energi & Orbit Elektron ANALISIS LANJUTAN Pita Energi Semikonduktor Intrinsik Pita Energi Pada Semikonduktor Ter-Doping Elektronika 1 23 Irwan Arifin 2004 P-N Junction Elektronika 1 24 Irwan Arifin
Lebih terperinciTidak Pengujian Rangkaian Termometer Digital BAB IV. HASIL DAN PEMBAHASAN Hasil Karakterisasi
15 Program ini yang nantinya akan mengolah tegangan analog dari sensor menjadi sebuah kode-kode digital. Hasil pengolahan data dari ADC tersebut ditampilkan pada layar LCD untuk pengukuran suhu dalam bentuk
Lebih terperinciJurusan Fisika, FMIPA UGM Sekip Unit 3 Bulaksumur Yogyakarta ABSTRAK
Nugraha, dkk., Deposisi Sambungan p-n CuInSe 2 PENDEPOSISIAN SAMBUNGAN p-n CuInSe 2 MULTILAYER-ZnO DENGAN METODE RF SPUTTERING DAN KARAKTERISASINYA (A Deposition of CuInSe 2 Multilayer-ZnO by RF Sputtering
Lebih terperinciSTRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPISAN TIPIS Sn(So,4Te0,6) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM
Struktur dan Komposisi... (Eka Wulandari) 1 STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPISAN TIPIS Sn(So,4Te0,6) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM STRUCTURE AND CHEMICAL COMPOSITION OF Sn(S0,4Te0,6) THIN
Lebih terperinciSTUDI KELAYAKAN PENGGUNAAN SEL SILIKON SEBAGAI PENGUBAH ENERGI MATAHARI MENJADI ENERGI LISTRIK
92 dari pelat kaca dan tertutup dari pelat kaca. Untuk dioda silikon yang sambungannya paralel terbuka dari pelat kaca besarnya adalah 352 x 10-4 Joule pada temperatur pengamatan 39 o C, sedangkan yang
Lebih terperinciSTUDI KELAYAKAN PENGGUNAAN SEL SILIKON SEBAGAI PENGUBAH ENERGI MATAHARI MENJADI ENERGI LISTRIK
STUDI KELAYAKAN PENGGUNAAN SEL SILIKON SEBAGAI PENGUBAH ENERGI MATAHARI MENJADI ENERGI LISTRIK Walfred Tambuhan, Maksi Ginting, Minarni Jurusan Fisika FMIPA Universitas Riau walfred_tambunan yahoo.com
Lebih terperinciBagian 4 Karakteristik Junction Dioda
Bagian 4 Karakteristik Junction Dioda Junction Diode Switching Times Pada saat keadaan dioda berubah dari kondisi reverse-biased ke kondisi forward-biased, terdapat transien (proses peralihan) pada respon
Lebih terperinciANALISIS SIFAT FISIK LAPISAN TIPIS TITANIUM NITRIDA PADA BAJA AISI 410 YANG DILAPIS DENGAN METODE SPUTTERING
Analisis Sifat Fisik Lapisan Tipis Titanium Nitrida ANALISIS SIFAT FISIK LAPISAN TIPIS TITANIUM NITRIDA PADA BAJA AISI 410 YANG DILAPIS DENGAN METODE SPUTTERING Xander Salahudin Program Studi Teknik Mesin,
Lebih terperinciPENGARUH KONDISI ANNEALING TERHADAP PARAMETER KISI KRISTAL BAHAN SUPERKONDUKTOR OPTIMUM DOPED DOPING ELEKTRON Eu 2-x Ce x CuO 4+α-δ
Proseding Seminar Nasional Fisika dan Aplikasinya Sabtu, 21 November 2015 Bale Sawala Kampus Universitas Padjadjaran, Jatinangor PENGARUH KONDISI ANNEALING TERHADAP PARAMETER KISI KRISTAL BAHAN SUPERKONDUKTOR
Lebih terperinciHomogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-si:h tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 8, NOMOR JANUARI 202 Homogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-si:h tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD
Lebih terperinciBAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN. Foto Mikro dan Morfologi Hasil Pengelasan Difusi
BAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN Penelitian sambungan logam tak sejenis antara Baja SS400 dan Aluminium AA5083 menggunakan proses pengelasan difusi ini dilakukan untuk mempelajari pengaruh ketebalan lapisan
Lebih terperinci