Diterima April 2005, disetujui untuk dipublikasi Nopember 2005
|
|
- Johan Cahyadi
- 7 tahun lalu
- Tontonan:
Transkripsi
1 Karakteristik Struktur dan Listrik Film Tipis GaN yang Ditumbuhkan di atas Substrat Si(111) dengan Metode Plasma Assisted-Metalorganic Chemical Vapor Deposition (PA-MOCVD) Heri Sutanto 1,), Agus Subagio 1,), Edy Supriyanto 1,3), Pepen Arifin 1), Sukirno 1), Maman Budiman 1), Moehamad Barmawi 1) 1) Laboratorium Fisika Material Elektronik, Institut Teknologi Bandung, Bandung ) Jurusan Fisika, Universitas Diponegoro, Semarang 3) Jurusan Fisika, Universitas Negeri Jember, Jember sutanto_heri@yahoo.com Diterima April 005, disetujui untuk dipublikasi Nopember 005 Abstrak Film tipis galium nitrida (GaN) telah ditumbuhkan di atas substrat Si(111) dengan metode PA-MOCVD menggunakan sumber metalorganik golongan III, trimetilgalium (TMGa) dan radikal nitrogen yang dihasilkan oleh plasma gas nitrogen. Proses penumbuhan dilakukan pada temperatur 675 C dengan tekanan reaktor sekitar 0,4 torr, laju alir gas nitrogen tetap sebesar 90 sccm dan laju alir TMGa bervariasi dari 0,08 0,1 sccm. Film polikristal GaN yang ditumbuhkan mempunyai struktur heksagonal dan merupakan semikonduktor tipe-n. Peningkatan laju alir TMGa menyebabkan peningkatan laju penumbuhan film tipis GaN yang terbentuk. Secara umum nilai mobilitas Hall masih rendah akibat adanya pengotor O dan C. Nilai mobilitas tertinggi yang diperoleh hanya sebesar 64,88 cm /V.s dengan konsentrasi pembawa muatan (elektron) sebesar 5,47 x cm -3. Kata kunci: PA-MOCVD, TMGa, Film tipis GaN, Struktur kristal, Mobilitas Hall Abstract Gallium nitride (GaN) thin films have been grown on Si(111) substrate by PA-MOCVD method, with trimethylgallium (TMGa) and radical nitrogen resulted by plasma of nitrogen gas as a source of Ga and N respectively. The growth was performed at 675 C; 0.4 torr; 90 sccm and sccm of substrate temperature, reactor pressure, gas flow of nitrogen and TMGa, respectively. The grown polycrystalline GaN thin films have hexagonal structure and n-type semiconductor. The growth rate of the grown thin films increased with increasing gas flow of TMGa. The Hall mobility value of films is still low due to the presence of O and C impurities. The highest value of mobility was found to be cm /V.s with 5.47 x cm -3 of carrier concentration. Keywords: PA-MOCVD; TMGa, GaN thin films; Crystalline structures; Hall mobility 1. Pendahuluan (MOCVD). Umumnya film tipis GaN ditumbuhkan pada substrat sapphire dan SiC. Namun keduanya Semikonduktor III-nitrida seperti galium sulit diperoleh dalam ukuran yang besar. Saat ini, nitrida (GaN) sangat menarik dan potensial untuk penumbuhan film tipis GaN dan struktur hetero berbagai aplikasi seperti light emitting diode (LED), AlGaN/GaN pada substrat silikon (Si) sangat penyimpan data secara optik, divais elektronika diharapkan oleh kalangan industri elektronik untuk dengan daya dan frekuensi tinggi, dan detektor aplikasi rangkaian terpadu skala besar. Selain dapat ultraviolet (Hassan et al., 005; Lu et al., 004). tersedia dalam ukuran yang besar, substrat Si Material semikonduktor GaN dan paduannya memiliki sifat listrik dan konduktivitas termal yang mempunyai celah pita energi yang lebar, baik dan murah (Zhang et al., 004). Namun konduktivitas termal, potensial breakdown tinggi dan penumbuhan kristal GaN atau AlGaN di atas substrat mobilitas elektron yang tinggi sehingga ideal untuk Si tidak mudah dilakukan karena terdapat aplikasi divais elektronika yang bekerja pada daya ketidakcocokan konstanta kisi sebesar 17% dan dan temperatur tinggi (Jiang and Lin, 00). GaN dan perbedaan koefisien ekspansi termal sebesar 56% Al x Ga 1-x N telah dimanfaatkan dengan membuat (Liaw et al., 001; Bernat et al., 004). struktur-hetero untuk aplikasi divais penguat Berbagai usaha telah banyak dilakukan oleh gelombang-mikro seperti pada high electron mobility para peneliti untuk mengatasi kekurangan dari transistors (HEMTs) dan heterostructure field effect penggunaan substrat Si antara lain dengan transistors (HFETs) (Balmer et al., 004). menumbuhkan lapisan penyangga seperti 3C-SiC, Keberhasilan pertama pada divais-divais AlN, GaAS, AlAs, Si optoelektronik dan elektronik diperoleh dengan 3 N 4 dan GaN (Lu et al., 004) sebelum film tipis GaN. Lapisan penyangga (buffer menggunakan film tipis semikonduktor III-nitrida layer) tersebut ditumbuhkan pada temperatur rendah. yang ditumbuhkan di atas substrat sapphire dengan Pengaruh lapisan penyangga AlN (Akasaki et al, metoda Metalorganic Chemical Vapor Deposition 1989) dan GaN (Nakamura, 1991) terhadap kualitas 1
2 Sutanto dkk, Karakteristik Struktur dan Listrik Film Tipis GaN 13 struktur dan listrik film tipis GaN dengan MOCVD berturut-turut telah dipelajari oleh Akasaki dkk (1989) dan Nakamura dkk (1991). Dalam penelitian ini film tipis GaN ditumbuhkan dengan metoda Plasma Assisted- Metalorganic Chemical Vapor Deposition (PA- MOCVD) dengan gas N sebagai sumber nitrogen reaktif yang dibangkitkan oleh gelombang mikro,45 GHz. Metoda ini merupakan pengembangan dari metoda MOCVD termal yang umumnya dipakai untuk penumbuhan GaN. Kelebihan metoda PA- MOCVD adalah penumbuhan film tipis GaN dapat dilakukan pada temperatur yang relatif lebih rendah, yaitu sekitar C dibandingkan dengan metode MOCVD termal sekitar 1100 C. Keuntungan dari penumbuhan film tipis pada temperatur rendah, yaitu dapat meminimalkan proses difusi dan evaporasi antar lapisan film pada saat proses penumbuhan multilayer.. Metode Film tipis GaN ditumbuhkan di atas substrat Si(111) dengan menggunakan sistem reaktor PA- MOCVD. Plasma aplikator (ASTeX AX.7300) tipe downstream yang beroperasi pada gelombang mikro,45 GHz dengan daya maksimum 50 Watt digunakan untuk menghasilkan radikal N dari gas N. Sebelum digunakan, substrat Si(111) tipe-p dicuci dengan aseton, selanjutnya dengan metanol masingmasing selama 10 menit untuk menghilangkan hadirnya pengotor organik dipermukaan substrat. Selanjutnya substrat di etsa dengan larutan H SO 4 : H O : H O = 3:1:1 dan larutan HF (%) selama masing-masing 5 menit untuk menghilangkan lapisan oksida. Setelah itu, substrat dibilas dengan deionized water (DI-water) dan dikeringkan dengan cara disemprot gas Na. Setelah itu substrat dimasukkan ke dalam reaktor untuk menghindari oksidasi pada permukaan film. Pencucian substrat secara termal dilakukan dengan plasma hidrogen pada temperatur 650 C di dalam reaktor. Bahan metal-organik trimethylgallium (TMGa) berupa cairan disimpan di dalam tabung stainless-steel (bubbler). Tekanan, temperatur dan laju alir gas pembawa yang melalui bubbler dapat diatur dengan teliti. Gas pembawa yang digunakan sebagai alat transport prekursor metal-organik ke dalam reaktor adalah gas hidrogen dengan kemurnian 99,999%. Sebelum gas hidrogen dialirkan menuju bubbler terlebih dahulu dilewatkan melalui purifier yang terbuat dari sel paladium yang dipanaskan pada suhu 400 o C, untuk dimurnikan. Proses penumbuhan film tipis GaN diawali dengan penumbuhan lapisan penyangga GaN pada temperatur 500 C dengan mengalirkan TMGa dengan laju 0,09 sccm dan gas N 90 sccm selama 10 menit hingga diperoleh ketebalan 5 nm untuk mengatasi ketidaksesuaian konstanta kisi antara substrat dengan film. Setelah penumbuhan lapisan penyangga selanjutnya dilakukan thermal annealing dengan menaikkan temperatur pemanas mencapai temperatur penumbuhan GaN, yaitu sebesar 675 C. Hal ini diharapkan supaya terjadi kristalisasi pada lapisan penyangga. Penumbuhan film tipis GaN dilakukan selama jam dan dilakukan dengan variasi laju TMGa dari 0,08-0,1 sccm dengan laju alir gas N tetap sebesar 90 sccm. Proses penumbuhan diakhiri dengan tahap pendinginan menuju temperatur ruang dengan laju pendinginan sebesar 300 C/jam. Adapun parameter penumbuhan ditampilkan dalam (tabel 1). Tabel 1. Parameter penumbuhan film tipis GaN No Parameter Penumbuhan Temperatur bubbler TMGa (T b ) Tekanan uap bahan TMGa (P b ) Laju aliran gas N Daya plasma Temperatur penumbuhan Laju alir TMGa -11 C 11 psi 90 sccm 00 watt 675 C # a = 0,08 sccm # b = 0,10 sccm # c = 0,1 sccm Film tipis GaN yang tumbuh selanjutnya dikarakterisasi. Struktur kristal film ditentukan dari hasil uji X-ray diffraction (XRD) dengan menggunakan radiasi Cu K α (λ=1,54056å) (Philips PW3710). Komposisi film ditentukan dari hasil uji energy dispersive of X-ray (EDX) dengan analytical scanning electron microscope (JEOL JSM-6360 LA). Ketebalan film dengan stylus-profilometer DEKTAK IIA. Karakteristik sifat listrik film tipis GaN diukur dengan metode efek Hall menggunakan geometri Van der Pauw dengan evaporasi aluminium pada permukaan film GaN sebagai kontak ohmik. 3. Hasil dan Diskusi Gambar 1 memperlihatkan pola difraksi sinar-x dari setiap sampel film tipis GaN yang dihasilkan. Untuk film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan laju alir TMGa sebesar 0,08 sccm (sampel #a) dan 0,1 sccm (sampel #c) menghasilkan struktur kristal dengan bidang (1010), (1011) dan (110) dengan puncak dominan pada bidang (1010). Sedangkan sampel #b dengan laju alir TMGa sebesar 0,1 sccm menghasilkan struktur kristal dengan bidang (000) dan (1011) dengan puncak dominan pada bidang (000). Hasil pengujian struktur dengan XRD menunjukkan bahwa film tipis GaN yang ditumbuhkan mempunyai kelompok ruang struktur 4 heksagonal P6 3 mc ( C 6v ) dengan bidang dominan (000) pada sampel #b dan (1010) pada sampel #a dan #c serta struktur kristal pada bidang (1011) muncul pada ketiga sampel. Hasil pola XRD pada ketiga sampel menunjukkan bahwa film GaN yang ditumbuhkan dengan laju alir TMGa sebesar 0,1 sccm (sampel #b) mempunyai kristalinitas yang lebih baik dengan ditandai munculnya hanya puncak bidang difraksi dibandingkan dengan sampel #a dan
3 14 JURNAL MATEMATIKA DAN SAINS, MARET 006, VOL. 11 NO. 1 sampel #c yang mempunyai 4 puncak bidang difraksi. Semakin banyak jumlah bidang difraksi menunjukkan semakin banyak batas butir kristal/grain boundaries yang terdapat pada film sehingga semakin banyak kemungkinan jumlah cacat kristal yang terjadi pada film. Intensitas (a.u) Si(111) GaN (1010) GaN (000) GaN (1011) GaN (110) # c # b Strain ditentukan dari perubahan parameter kisi hasil pengukuran XRD pada bidang (1010) untuk arah a yang besarnya a/a o dan bidang (000) untuk arah c yang besarnya c/c o. Diperoleh besarnya parameter kisi a untuk sampel #a sebesar 0,3171 nm dan sampel #c sebesar 0,3166 nm, sedangkan besar parameter kisi c pada sampel #b sebesar 0,5169 nm. Sedangkan nilai parameter kisi GaN dalam kondisi relaksasi dari literature, yaitu a o = 0,3189 nm dan c o = 0,5185 nm (Popovici, et al., 1998). Besar strain yang diperoleh pada arah a untuk sampel #a dan sampel #c berturut-turut sebesar 5,64 x 10-3 dan 7,1 x 10-3, sedangkan pada arah c untuk sampel #b sebesar 3,09 x , theta (derajat) Gambar 1. Pola XRD film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan laju TMGa sebesar: 0,08 sccm (sampel #a), 0,1 sccm (sampel #b), dan 0,1 sccm (sampel #c). Kualitas kristal dari material dapat diketahui juga dari nilai FWHM (Full Width at Half Maximum) dari puncak bidang difraksi, dimana semakin kecil nilai FWHM semakin baik kualitas kristal dari material tersebut. Gambar memperlihatkan besarnya nilai FWHM dari puncak bidang (1011) pada laju alir TMGa yang berbeda. Nilai FWHM tersebut ditentukan dengan cara mencocokan (fitting) puncak pola difraksi bidang dengan persamaan Lorentzian, dimana hasil fitting pada salah satu sampel terlihat pada inset (gambar ). Gambar menunjukkan nilai FWHM dari puncak bidang (1011) untuk sampel #b memiliki nilai FWHM yang paling kecil sebesar 0,55461 o. Hal ini mengindikasikan bahwa sampel tersebut mempunyai kualitas struktur kristal pada bidang (1011) yang lebih baik dibandingkan dengan sampel #a dan #c. Disamping itu, besarnya ketidakcocokan kisi dan koefisien ekspansi termal antara substrat Si(111) dan GaN dapat menimbulkan strain dan dislokasi dari film tipis GaN yang ditumbuhkan di atas Si sehingga menyebabkan cacat struktural. Perhitungan nilai parameter kisi ditentukan dengan persamaan hubungan antara parameter kisi (a dan c) dengan indeks Miller (h k l) pada struktur heksagonal, yaitu : ( h + hk + k ) λ Sin θ = l 4a # a ( c ) a dengan θ adalah sudut difraksi; λ adalah panjang gelombang sumber radiasi dari XRD; serta a dan c adalah konstanta kisi arah a dan c; h k l adalah indeks Miller (Suryanarayana and Norton, 1998). FWHM (derajat) 0,7 0,6 0,5 0,4 0,06 0,08 0,1 0,1 0,14 Laju alir TMGa (sccm) Gambar. Grafik fungsi FWHM bidang (1011) pada laju alir TMGa yang berbeda hasil fitting dengan persamaan Lorentzian. Gambar 3 memperlihatkan hasil pengukuran ketebalan film tipis GaN dari ketiga sampel dengan stylus-profilometer DEKTAK IIA. Dari pengukuran ketebalan menunjukkan bahwa laju penumbuhan film (growth rate) semakin meningkat dengan kenaikan laju alir TMGa, karena semakin besar laju alir TMGa semakin tinggi probabilitas reaksi antara atom Ga dan N sehingga menghasilkan ketebalan film yang meningkat pula. Ketebalan Film (nm) Intensitas (a.u) Theta (derajat) 0 0,06 0,08 0,1 0,1 0,14 Laju Alir TMGa (sccm) Gambar 3. Grafik ketebalan film tipis GaN terhadap variasi laju alir TMGa dengan waktu penumbuhan selama jam.
4 Sutanto dkk, Karakteristik Struktur dan Listrik Film Tipis GaN 15 Tabel memperlihatkan hasil pengukuran komposisi dengan EDX dari film tipis GaN yang telah ditumbuhkan. Terlihat bahwa film tipis GaN yang ditumbuhkan terdapat impuritas, yaitu karbon (C) dan oksigen (O). Impuritas oksigen berasal dari lingkungan luar yang berkaitan dengan kualitas pemvakuman reaktor dan impuritas karbon berasal dari sumber prekursor TMGa. Hasil uji komposisi juga menunjukkan bahwa kompoisi nitrogen yang lebih rendah sebesar 31,5% dibandingkan dengan Ga sebesar 51,66%. Hal ini menyatakan bahwa film tipis GaN yang telah ditumbuhkan terdapat kekosongan nitrogen dan bertindak sebagai cacat alami (Doverspike and Pankove, 1998). Tabel. Hasil pengujian komposisi film tipis GaN dengan EDX Element Mass (%) Error (%) At (%) C 3,18 0,1 11,3 N 10,6 0,7 31,5 O,17 0,15 5,80 Ga 84,39 0,3 51,66 Gambar 4 memperlihatkan hasil pengukuran kontak ohmik dan karakteristik listrik film tipis GaN. Kontak ohmik dibuat dengan mengevaporasi aluminium (Al) pada permukaan film tipis GaN. Karakteristik kontak ohmik dilakukan dengan pengukuran arus-tegangan (I-V) antara kedua kontak yang telah dievaporasi dengan aluminium. Kontak ohmik sangat diperlukan dalam aplikasi divais karena merupakan tempat divais lain terhubung. Dari (gambar 4a), terlihat bahwa hasil pengukuran arustegangan dari kontak ohmik menunjukkan bentuk grafik yang linier. Hal ini menunjukkan bahwa kontak yang dibuat antara Al dan GaN bersifat ohmik, karena persambungan antara Al dengan GaN tidak menimbulkan hambatan atau barier, yang berarti besar hambatan pada kontak tidak berubah dengan besar pemberian arus. Pada transpor listrik di dalam semikonduktor, batas butir kristal/grain boundaries bertindak sebagai potensial penghalang menyebabkan gerakan/mobilitas dari pembawa muatan semakin lambat/kecil. Semakin banyak grain boundaries semakin besar potensial penghalang yang harus dilalui pembawa muatan menyebabkan nilai mobilitasnya semakin mengecil (Schubert, 1993). Semakin besar nilai mobilitas material semikonduktor semakin baik kualitas sifat listriknya. Kualitas sifat listrik semikonduktor juga sangat bergantung dari kualitas struktur kristal dan hadirnya impuritas. Hasil karakteristik listrik GaN dilakukan dengan pengukuran nilai mobilitas dan konsentrasi pembawa muatan menggunakan metode Hall pada temperatur 300 K. Hasil pengukuran sifat listrik menunjukkan bahwa film tipis GaN yang telah ditumbuhkan merupakan semikonduktor tipe-n, yaitu pembawa mayoritas muatannya elektron. Disamping itu adanya cacat alami pada GaN, yaitu kekosongan nitrogen juga menyebabkan film GaN yang ditumbuhkan mempunyai konduksi tipe n. Hal ini dapat dikonfirmasi dari hasil pengujian komposisi dengan EDX seperti terlihat pada tabel. Nilai mobilitas Hall (µ) dan konsentrasi pembawa muatan (elektron) berbeda untuk ketiga sampel (gambar 4b) yaitu pada sampel #a µ=1,11 cm /V.s dan n=6,43 x cm -3 ; sampel #b µ=64,88 cm /V.s dan n=5,47 x cm -3, dan sampel #c µ=18,76 cm /V.s dan n=,8 x cm -3. Nilai mobilitas tertinggi diperoleh pada sampel #b yang menunjukkan bahwa kualitas sifat listriknya lebih baik daripada sampel #a dan #c. Hal ini disebabkan jumlah grain boundaries pada sampel #b lebih sedikit sehingga potensial penghalang pada pembawa muatan lebih kecil dibandingkan pada sampel #a dan #c. Hasil ini dapat dikonfirmasi dari hasil yang dibahas sebelumnya (pola XRD dan nilai FWHM), yaitu bahwa sampel #b mempunyai kualitas struktur kristal yang lebih baik daripada sampel #a dan #c. Nilai mobilitas tertinggi yang diperoleh pada sampel #b masih lebih rendah dibandingkan dengan peneliti lain dan referensi sekitar 500 cm /V.s dengan konsentrasi elektron sekitar 1 x cm -3 pada temperatur 300 K (Manasreh, 1997). Masih rendahnya harga mobilitas disebabkan hadirnya cacat karena masuknya impuritas (seperti oksigen dan karbon) pada GaN yang dapat berperilaku sebagai donor ke dalam subkisi nitrogen (Briot, 1998). Sedangkan masih tingginya rapat pembawa muatan pada seluruh sampel pada orde cm -3 umumnya berkaitan dengan adanya doping residual karena cacat alami dari kokosongan nitrogen yang pada umumnya terjadi pada semikonduktor III-Nitrida. Kekosongan nitrogen yang bertindak sebagai pembawa muatan dapat menyebabkan terjadinya pengerutan konstanta kisi GaN (Leszczynki et al., 1996). Hal ini dapat dikonfirmasi dari hasil pengujian komposisi yang menunjukkan komposisi N lebih rendah dibandingkan Ga dan hasil perhitungan konstanta kisi dari hasil XRD yang menunjukkan bahwa nilai konstanta kisi yang terhitung lebih kecil dari nilai referensi.
5 16 JURNAL MATEMATIKA DAN SAINS, MARET 006, VOL. 11 NO Tegangan (V) Mobilitas Hall (cm.v -1.s -1 ) Konsentrasi Elektron (x cm -3 ) Arus (A) Laju Alir TMGa (sccm) (a) (b) Gambar 4. (a) Hasil karakteristik kontak ohmik film tipis GaN, (b) Kebergantungan mobilitas Hall dan konsentrasi elektron pada laju alir TMGa yang berbeda. 4. Kesimpulan (0<x<0.4) Films Grown on Sapphire Substrate by MOVPE, Crystal Growth, 98, 09. Telah berhasil ditumbuhkan film tipis GaN Balmer, R. S., K. P. Hilton, K. J. Nash, M. J. Uren, di atas substrat Si(111) tipe-p dengan menggunakan D. J. Wallis, D. Lee, A. Wells, M. Missous, and metode PA-MOCVD. Hasil pengujian struktur kristal T. Martin, 004, Analysis of Thin Film AlN menunjukkan bahwa film tipis GaN mempunyai Carrier Exclusion Layers in AlGaN/GaN 4 struktur heksagonal P6 3 mc ( C 6v ) dengan bidang Microwave Heterojunction Field Effect dominan (000) pada sampel #b dan (1010) pada sampel #a dan #c. FWHM dari puncak bidang (1011) untuk sampel #b memiliki nilai yang paling kecil Transistors, Semicond. Sci. Tech., 19, L65. Bernat, J., P. Javorka, A. Fox, M. Marso, and P. Kordos, 004, Influence of Layer Structure on sebesar 0,55461 o yang mengindikasikan bahwa Performance of AlGaN/GaN High Electron sampel tersebut mempunyai kualitas struktur kristal Mobility Transistors Before and After pada bidang (1011) yang lebih baik dibandingkan Passivation, Elect. Mat., 33:5, 436. dengan sampel #a dan #c. Hasil pengujian komposisi Briot, O., MOVPE Growth of Nitrides, in B. Gil dengan EDX pada film GaN menunjukkan adanya (ed.), 1998, Group III-Nitride Semiconductor kekosongan nitrogen serta impuritas C dan O. Hasil Compounds Physics and Application, Clarendon pengukuran ketebalan film menunjukkan bahwa Press, Oxford, England, semakin besar laju alir TMGa menghasilkan film Doverspike, K. and J. I. Pankove, Doping in The IIItipis GaN yang semakin tebal. Hasil karakteristik Nitrides, in T. D. Moustakas and I. P. Jacques listrik film tipis GaN menunjukkan bahwa semua (eds) 1998, Gallium Nitride (GaN) I. film yang telah ditumbuhkan bertipe-n. Nilai Semiconductors and Semimetal, Academic Press, mobilitas Hall dari ketiga sampel secara umum masih vol. 50, San Diego, 6. rendah dibandingkan dengan referensi. Nilai Hassan, Z., Y. C. Lee, F. K. Yam, K. Ibrahim, M. E. mobilitas tertinggi yang diperoleh sebesar 64,88 Kordesch, W. Halverson, and P. C. Colter, 005, cm /V.s dengan konsentrasi pembawa muatan Characteristics of Low Temperature Grown GaN (elektron) sebesar 5,47 x cm -3. Films on Si(111), Solid State Comm., 113, 83. Jiang, H. X., and J. Y. Lin, 00, AlGaN and Ucapan Terima Kasih InAlGaN Alloys-Epitaxial Growth, Optical and Penelitian ini didanai oleh proyek penelitian Electrical Properties and Applications, Riset Unggulan Terpadu (RUT) XII, nomor kontrak Optoelectronics Rev., 10:4, /Perj/Dep.III/RUT/PPKI/II/005, Kementerian Leszczynki, M., H. Teisseyre, T. Suski, I. Grzegory, Riset dan Teknologi Republik Indonesia. M. Bockowski, J. Jun, K. Pakula, J.M. Baranowski, C.T. Foxon, and T.S. Cheng, 1996, Daftar Pustaka Lattice Parameters of Gallium Nitride, Appl. Akasaki, I., H. Amano, Y. Koide, K. Hiramatsu, and Phys. Lett., 69, 73. N. Sawaki, 1989, Effect of AlN Buffer Layer on Liaw, H. M., R. Venugopal, J. Wan, and M. R. Crystallographics Structure and on Electrical and Melloch, 001, Influence of the AlN Buffer Optical Properties of GaN and Ga 1-x Al x N Layer Growth on AlGaN/GaN Films Deposited
6 Sutanto dkk, Karakteristik Struktur dan Listrik Film Tipis GaN 17 on Si(111) Substrates, Solid State Electron., 45, 417. Lu, Y., X. Liu, X. Wang, D. C. Lu, D. Li, X. Han, G. Cong, and Z. Wang, 004, Influence of The Growth Temperature of The High Temperature AlN Buffer on The Properties of GaN Grown on Si(111) Substrate, Crystal Growth, 63, 4. Manasreh, M. O., Optoelectronic Properties of Semiconductors and Superlattices, in S. J. Pearton (ed.) 1997, GaN and Related Materials, vol., Florida, USA, Nakamura, S., 1991, In Situ Monitoring of GaN Grown Using Interference Effects, Jpn. J. Appl. Phys., 30, 160. Popovici, G., H. Morkoc, and S. N. Mohammad, Deposition and Properties of Group III Nitrides by Molecular Beam Epitaxy, in B. Gil (ed.), 1998, Group III-Nitride Semiconductor Compounds Physics and Application, Clarendon Press Oxford, England, 0-. Schubert, E. F., 1993, Doping in III-V Semiconductors, Cambridge University Press, Cambridge. Suryanarayana C. and M. G. Norton, 1998, X-Ray Diffraction A Practical Approach, Plenum Press, New York. Zhang, B. S., M. Wu, J. P. Liu, J. Chen, J. J. Zhu, X. M. Shen, G. Feng, D. G. Zhao, Y. T. Wang, H. Yang, and A. R. Boyd, 004, Reduction of Tensile Stress in GaN Grown on Si(111) by Inserting a Low Temperature AlN Interlayer, Crystal Growth, 7, 316.
Berkala Fisika ISSN : Vol 4, No. 2, April 2001, hal 40-44
PENGARUH VARIASI TEMPERATUR PENUMBUHAN TERHADAP KARAKTERISTIK SIFAT LISTRIK FILM TIPIS GaN DI ATAS Si (111) DENGAN METODE PA-MOCVD Heri Sutanto Laboratorium Fisika Zat Padat, Jurusan Fisika, FMIPA Universitas
Lebih terperinciBAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI
BAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI Pada bab ini dibahas penumbuhan AlGaN tanpa doping menggunakan reaktor PA- MOCVD. Lapisan AlGaN ditumbuhkan dengan variasi laju alir gas reaktan, hasil penumbuhan dikarakterisasi
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban manusia di abad ini. Sehingga diperlukan suatu kemampuan menguasai teknologi tinggi agar bisa
Lebih terperinciPENGARUH KETEBALAN LAPISAN PENYANGGA TERHADAP KUALITAS FILM TIPIS GaN
J. Sains Tek., Desember 2006, Vol. 12, No. 3, Hal.: 149-153 ISSN 0853-733X PENGARUH KETEBALAN LAPISAN PENYANGGA TERHADAP KUALITAS FILM TIPIS GaN Erzam S. Hasan 1, A. Subagio 2, Sugianto 3, M. Budiman 4,
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini terlihat dari banyaknya komponen semikonduktor yang digunakan disetiap kegiatan manusia.
Lebih terperinciSTRAIN FILM TIPIS GaN DITUMBUHKAN DI ATAS SUBSTRAT SAPPHIRE DENGAN METODE PA-MOCVD
PROSIDING SEMINAR NASIONAL REKAYASA KIMIA DAN PROSES 004 ISSN : 1411-416 STRAIN FILM TIPIS GaN DITUMBUHKAN DI ATAS SUBSTRAT SAPPHIRE DENGAN METODE PA-MOCVD 1,) 1) 1) 1) Sugianto, M. Budiman, P. Arifin,
Lebih terperinciPengaruh ketebalan lapisan penyangga pada struktur kristal film GaN yang ditumbuhkan dengan Pulsed Laser Deposition Dadi Rusdiana
Pengaruh ketebalan lapisan penyangga pada struktur kristal film GaN yang ditumbuhkan dengan Pulsed Laser Deposition Dadi Rusdiana Department fisika FPMIPA UPI, Jl. DR.Setia Budi 229 Bandung E-mail: dadi_rusdiana@upi.edu
Lebih terperinciPENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR GaN DI ATAS SUBSTRAT SILIKON DENGAN METODE SOL-GEL
PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR GaN DI ATAS SUBSTRAT SILIKON DENGAN METODE SOL-GEL Heri Sutanto, Iis Nurhasanah, Indras Marhaendrajaya, Ahmad Taufani, Luluk L. Badriyah, dan Wahyu Ambikawati Laboratorium
Lebih terperinciStruktur kristal dan Morfologi film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan metoda Hot-Wire Pulsed Laser Deposition
Struktur kristal dan Morfologi film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan metoda Hot-Wire Pulsed Laser Deposition Dadi Rusdiana Departemen Fisika, FPMIPA UPI, Jl. Dr.Setiabudi 229 Bandung, Indonesia 40154
Lebih terperinciBAB IV PERHITUNGAN & ANALSIS HASIL KARAKTERISASI XRD, EDS DAN PENGUKURAN I-V MSM
BAB IV PERHITUNGAN & ANALSIS HASIL KARAKTERISASI XRD, EDS DAN PENGUKURAN I-V MSM Pada bab sebelumnya telah diperlihatkan hasil karakterisasi struktur kristal, morfologi permukaan, dan komposisi lapisan.
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. modern pada fotokonduktor ultraviolet (UV) membutuhkan material
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Pengembangan material semikonduktor tidak lepas dari perkembangan piranti elektronik diantaranya fotokonduktor ultraviolet (UV). Tuntutan aplikasi modern pada
Lebih terperinciMikrostruktur Semikonduktor GaN di Atas Substrat Silikon Dengan Metode Sol-Gel
Berkala Fisika ISSN : 1410-9662 Vol 13, No. 2, April 2010 hal 55-60 Mikrostruktur Semikonduktor GaN di Atas Substrat Silikon Dengan Metode Sol-Gel Heri Sutanto 1), Iis Nurhasanah 1), Istadi 2), Maryanto
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini mengalami peralihan dari teknologi mikro (microtechnology) ke generasi yang lebih kecil yang dikenal
Lebih terperinciOleh Budi Mulyanti NIM : Tim Pembimbing Dr. Sukirno Prof. Dr. M. Barmawi Dr. Pepen Arifin Dr. Maman Budiman
PENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR FERROMAGNETIK GaN:Mn MENGGUNAKAN METODE PLASMA ASSISTED METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (PA- MOCVD) DAN KARAKTERISASINYA Oleh Budi Mulyanti NIM : 30201015 Tim
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. Pelaksanaan penelitian ini pada dasarnya meliputi tiga tahapan proses
BAB III METODE PENELITIAN Pelaksanaan penelitian ini pada dasarnya meliputi tiga tahapan proses diawali dengan tahap persiapan, tahap penumbuhan, dan tahap karakterisasi. Pada bab ini dibahas tentang metode
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Spektrum elektromagnetik yang mampu dideteksi oleh mata manusia
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar belakang Spektrum elektromagnetik yang mampu dideteksi oleh mata manusia berada dalam rentang spektrum cahaya tampak yang memiliki panjang gelombang dari 400 900 nm. Sedangkan
Lebih terperinciModul - 4 SEMIKONDUKTOR
Modul - 4 SEMIKONDUKTOR Disusun Sebagai Materi Pelatihan Guru-Guru SMA/MA Provinsi Nangro Aceh Darussalam Disusun oleh: Dr. Agus Setiawan, M.Si Dr. Dadi Rusdiana, M.Si Dr. Ida Hamidah, M.Si Dra. Ida Kaniawati,
Lebih terperinciRINGKASAN HIBAH BERSAING
Bidang Teknologi RINGKASAN HIBAH BERSAING PENUMBUHAN MATERIAL DMS GaN:Mn DAN STRUKTUR GaN/GaN:Mn DI ATAS SUBSTRAT SILIKON DENGAN METODE PA-MOCVD UNTUK APLIKASI DIVAIS MTJ Peneliti: Dr. Budi Mulyanti, MSi
Lebih terperinciMekanisme Hamburan Defek Statis Dan Vibrasi Termal Terhadap Mobilitas Elektron Pada Film Tipis GaN
Berkala Fisika ISSN : 1410-9662 Vol 13., No.1, Januari 2010, hal 39-44 Mekanisme Hamburan Defek Statis Dan Vibrasi Termal Terhadap Mobilitas Elektron Pada Film Tipis GaN Dadi Rusdiana, Lilik Hasanah, dan
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen yang dilakukan di
BAB III METODE PENELITIAN Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen yang dilakukan di lab. Fisika Material, Jurusan Pendidikan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas
Lebih terperinciSTRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPIS TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 S 0.8 ) HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA
J. Sains Dasar 2015 4 (2) 198-203 STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPIS TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 S 0.8 ) HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA THE STRUCTURE AND CHEMICAL
Lebih terperinciPENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR
PENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR Penumbuhan film tipis semikonduktor di atas substrat dapat dilakukan secara epitaksi. Dalam bahasa yunani epi berarti di atas dan taksial berarti menyusun dengan kata
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN. Lokasi penelitian dilakukan di Laboratorium Fisika Material, Jurusan
BAB III METODOLOGI PENELITIAN A. Lokasi dan Waktu Penelitian Lokasi penelitian dilakukan di Laboratorium Fisika Material, Jurusan Pendidikan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas
Lebih terperinciPengaruh Temperatur Penumbuhan terhadap Struktur Kristal dan Morfologi Film Tipis TiO 2 :Eu yang Ditumbuhkan dengan Metode MOCVD
Pengaruh Temperatur Penumbuhan terhadap Struktur Kristal dan Morfologi Film Tipis TiO 2 :Eu yang Ditumbuhkan dengan Metode MOCVD Edy Supriyanto 1,2), Goib Wiranto 3), Heri Sutanto 1,4), Agus Subagio 1,4),
Lebih terperinciPenumbuhan Lapisan Tipis µc-si:h Tipe-P dengan Metode HW-PECVD untuk Aplikasi Sel Surya
Penumbuhan Lapisan Tipis µc-si:h Tipe-P dengan Metode HW-PECVD untuk Aplikasi Sel Surya Jasruddin, Abdul Haris, dan Helmi Departemen Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Negeri
Lebih terperinci1. Semikonduktor intrinsik : bahan murni tanpa adanya pengotor bahan lain. 2. Semikonduktor ekstrinsik : bahan mengandung impuritas dari bahan lain
1. Semikonduktor intrinsik : bahan murni tanpa adanya pengotor bahan lain 2. Semikonduktor ekstrinsik : bahan mengandung impuritas dari bahan lain Adalah Semikonduktor yang terdiri atas satu unsur saja,
Lebih terperinciUniversitas Pendidikan Indonesia, Bandung 2) Kelompok Keilmuan Fisika Material Elektronik, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam
Studi Pengaruh Rasio Masukan Sumber V/III Terhadap Distribusi Sb dan Karakteristik Kelistrikan Lapisan Tipis GaAs 1-x Sb x yang Ditumbuhkan dengan Teknik MOCVD Andi Suhandi 1), Pepen Arifin 2), Maman Budiman
Lebih terperinciStudi Pengaruh Rasio masukkan sumber V/III Terhadap Distribusi Sb Dan Karakteristik Kelistrikan Lapisan Tipis GaAs 1-x Sb x yang Ditumbuhkan dengan Teknik MOCVD Andi Suhandi 1), Pepen Arifin 2), Maman
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN. perlakuan panas atau annealing pada lapisan sehingga terbentuk butiran-butiran
BAB III METODOLOGI PENELITIAN 3.1 Metode penelitian Metode penelitian yang digunakan pada penelitian ini adalah eksperimen dengan membuat lapisan tipis Au di atas substrat Si wafer, kemudian memberikan
Lebih terperinciStudi Pengaruh Temperatur Penumbuhan terhadap Struktur Kristal dan Morfologi Film Tipis TiO 2 :Eu yang Ditumbuhkan dengan Metode MOCVD
Studi Pengaruh Temperatur Penumbuhan terhadap Struktur Kristal dan Morfologi Film Tipis TiO 2 :Eu yang Ditumbuhkan dengan Metode MOCVD Edy Supriyanto 1,2), Goib Wiranto 3), Heri Sutanto 1,4), Agus Subagio
Lebih terperinciMETODOLOGI PENELITIAN
BAB III METODOLOGI PENELITIAN Penelitian tentang film tipis nanopartikel Au ini menggunakan metode evaporasi yang dilakukan secara eksperimen. Penelitian ini dilakukan untuk mengetahui pengaruh temperatur
Lebih terperinciPEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS
PEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS Syuhada, Dwi Bayuwati, Sulaiman Pusat Penelitian Fisika-LIPI, Kawasan Puspiptek Serpong Tangerang 15314 e-mail: hadda212@yahoo.com
Lebih terperinciMEKANISME PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS ALLOY TERNARY GaAs 1-x Sb x DARI SUMBER-SUMBER METALORGANIK TMGa, TDMAAs DAN TDMASb PADA REAKTOR MOCVD ABSTRAK
MEKANISME PENUMBUAN LAPISAN TIPIS ALLOY TERNARY As 1-x Sb x DARI SUMBER-SUMBER METALORGANIK TM, TDMAAs DAN TDMASb PADA REAKTOR MOCVD A. Suhandi 1,2), P. Arifin 2), M. Budiman 2), dan M. Barmawi 2) 1) Jurusan
Lebih terperinciNama dan Gelar Lengkap : Dr. Budi Mulyanti, M.Si. Tempat/Tanggal Lahir : Pemalang, 09 Januari 1963
CURRICULUM VITEA/BIODATA BIODATA LENGKAP Nama dan Gelar Lengkap : Dr. Budi Mulyanti, M.Si. Tempat/Tanggal Lahir : Pemalang, 09 Januari 1963 Jenis Kelamin : Perempuan NIP : 196301091994022001 Pangkat/Jabatan/Gol.
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia Tenggara. Sebagai negara berkembang, Indonesia melakukan swasembada diberbagai bidang, termasuk
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC)
39 HASIL DAN PEMBAHASAN Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC) Hasil karakterisasi dengan Difraksi Sinar-X (XRD) dilakukan untuk mengetahui jenis material yang dihasilkan disamping menentukan
Lebih terperinciSINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION
SINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION Yolanda Oktaviani, Astuti Jurusan Fisika FMIPA Universitas Andalas e-mail: vianyolanda@yahoo.co.id
Lebih terperinciBAB II TINJAUAN PUSTAKA
BAB II TINJAUAN PUSTAKA Material semikonduktor adalah material yang memiliki konduktivitas listrik diantara konduktor dan isolator (10-8 S/cm < σ < 10 4 S/cm), σ adalah konduktivitas. Konduktivitas material
Lebih terperinciPEMBUATAN SENSOR GAS HIDROGEN BERBASIS FILM TIPIS GaN DENGAN TEKNIK SOL GEL SPIN COATING UNTUK KOMPONEN PADA SISTEM PENDETEKSI KEBOCORAN GAS
ISSN: 1693-1246 Januari 2013 http://journal.unnes.ac.id/nju/index.php/jpfi PEMBUATAN SENSOR GAS HIDROGEN BERBASIS FILM TIPIS GaN DENGAN TEKNIK SOL GEL SPIN COATING UNTUK KOMPONEN PADA SISTEM PENDETEKSI
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 LatarBelakang
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 LatarBelakang Proses pembangunan disegala bidang selain membawa kemajuan terhadap kehidupan manusia, tetapi juga akan membawa dampak negative bagi lingkungan hidup. Industrialisasi
Lebih terperinciOleh: Tyas Puspitaningrum, Tjipto Sujitno, dan Ariswan
Penentuan Band Gap... (Tyas Puspitaningrum) 166 PENENTUAN BAND GAP DAN KONDUKTIVITAS BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS Sn(S 0,8 Te 0,2 ) DAN Sn(S 0,6 Te 0,4 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI TERMAL
Lebih terperinciPENGARUH PENGOTOR Co PADA STRUKTUR DAN KONDUKTIVITAS FILM TIPIS TiO 2
ISSN 1412 3762 http://jurnal.upi.edu/electrans ELECTRANS, VOL.12, NO.1, MARET 2013, 9-14 PENGARUH PENGOTOR Co PADA STRUKTUR DAN KONDUKTIVITAS FILM TIPIS TiO 2 Aip Saripudin, Tjetje Gunawan, Yuda Muladi
Lebih terperinciBAB III METODE PELAKSANAAN. Metode penelitian yang dilakukan menggunakan eksperimen murni yang
25 BAB III METODE PELAKSANAAN Metode penelitian yang dilakukan menggunakan eksperimen murni yang dilakukan di laboratorium. Metode yang digunakan untuk penumbuhan film tipis LiTaO 3 adalah metode spin-coating.
Lebih terperinciSTRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPISAN TIPIS Sn(So,4Te0,6) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM
Struktur dan Komposisi... (Eka Wulandari) 1 STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPISAN TIPIS Sn(So,4Te0,6) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM STRUCTURE AND CHEMICAL COMPOSITION OF Sn(S0,4Te0,6) THIN
Lebih terperinciPENGARUH DAYA PLASMA PADA STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING
134 Prosiding Pertemuan Ilmiah XXIV HFI Jateng & DIY, Semarang 10 April 2010 hal. 134-138 PENGARUH DAYA PLASMA PADA STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING
Lebih terperinciOleh : Nofi Marlini / J2D ABSTRACT
MIKROSTRUKTUR LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR GALIUM NITRIDA YANG DITUMBUHKAN MENGGUNAKAN METODE CHEMICAL SOLUTION DEPOSITION DENGAN VARIASI LAJU SPIN COATER Oleh : Nofi Marlini / J2D 004 187 2009 ABSTRACT
Lebih terperinci2 SINTESIS DAN KARAKTERISASI NANOSTRUKTUR ZnO
2 SINTESIS DAN KARAKTERISASI NANOSTRUKTUR ZnO 3 Pendahuluan ZnO merupakan bahan semikonduktor tipe-n yang memiliki lebar pita energi 3,37 ev pada suhu ruang dan 3,34 ev pada temperatur rendah dengan nilai
Lebih terperinciBAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN. 4.1 Pengaruh waktu annealing terhadap diameter dan jarak antar butir
BAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN 4.1 Pengaruh waktu annealing terhadap diameter dan jarak antar butir katalis Au Perubahan morfologi katalis telah dilihat melalui pengujian SEM, gambar 4.1 memperlihatkan hasil
Lebih terperinciMagnetoresistansi Divais Spintronika TiO 2 :Co/Si/TiO 2 :Co
Magnetoresistansi Divais Spintronika TiO 2 :Co/Si/TiO 2 :Co Edy Supriyanto, Horasdia Saragih, Maman Budiman, Pepen Arifin, Sukirno dan M. Barmawi Kelompok Keahlian Fisika Material Elektronik Fakultas Matematika
Lebih terperinciKUMPULAN ABSTRAK TESIS DISERTASI DOKTOR 2005 INSTITUT TEKNOLOGI BANDUNG
KUMPULAN ABSTRAK TESIS DISERTASI DOKTOR 2005 INSTITUT TEKNOLOGI BANDUNG SEKOLAH PASCASARJANA Jl. Tamansari No. 64 Bandung 40116 Gedung CCAR lt. IV Telp. : +6222 251 1495; Fax. : +6222 250 3659 E-mail :
Lebih terperinciJurusan Pendidikan Fisika FPMIPA UPI 2005
PENUMBUHAN FILM TIPIS Galium Nitrida (GaN) DENGAN METODE SOL-GEL DAN APLIKASINYA PADA FOTODETEKTOR ULTRAVIOLET (UV) Usulan penelitian Hibah Pekerti Oleh : Yuyu R. Tayubi, dkk Jurusan Pendidikan Fisika
Lebih terperinciPENGARUH KONDISI PENUMBUHAN PADA SIFAT FISIS FILM TIPIS GA 2 O 3 DENGAN DOPING ZNO
PENGARUH KONDISI PENUMBUHAN PADA SIFAT FISIS FILM TIPIS GA 2 O 3 DENGAN DOPING ZNO Sulhadi, Putut Marwoto, dan Sugianto Fakultas Matematika Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Negeri Semarang Abstrak. Telah
Lebih terperinciKarakterisasi XRD. Pengukuran
11 Karakterisasi XRD Pengukuran XRD menggunakan alat XRD7000, kemudian dihubungkan dengan program dikomputer. Puncakpuncak yang didapatkan dari data pengukuran ini kemudian dicocokkan dengan standar difraksi
Lebih terperinciFABRIKASI THIN FILM QUARTERNAIR CuGaSeTe DAN CuGa 0.5 In 0.5 Te 2 DENGAN EVAPORASI FLASH
MAKARA, TEKNOLOGI, VOL. 8, NO. 1, APRIL 2004: 9-16 9 FABRIKASI THIN FILM QUARTERNAIR CuGaSeTe DAN CuGa 0.5 In 0.5 Te 2 DENGAN EVAPORASI FLASH A. Harsono Soepardjo Departemen Fisika, FMIPA, Universitas
Lebih terperinciARTIKEL ILMIAH HIBAH BERSAING
ARTIKEL ILMIAH HIBAH BERSAING Bidang Teknologi PENUMBUHAN MATERIAL DMS GaN:Mn DAN STRUKTUR GaN/GaN:Mn DI ATAS SUBSTRAT SILIKON DENGAN METODE PA-MOCVD UNTUK APLIKASI DIVAIS MTJ Peneliti: Dr. Budi Mulyanti,
Lebih terperinciPENGARUH KONDISI ANNEALING TERHADAP PARAMETER KISI KRISTAL BAHAN SUPERKONDUKTOR OPTIMUM DOPED DOPING ELEKTRON Eu 2-x Ce x CuO 4+α-δ
Proseding Seminar Nasional Fisika dan Aplikasinya Sabtu, 21 November 2015 Bale Sawala Kampus Universitas Padjadjaran, Jatinangor PENGARUH KONDISI ANNEALING TERHADAP PARAMETER KISI KRISTAL BAHAN SUPERKONDUKTOR
Lebih terperinciKARAKTERISASI I-V SEMIKONDUKTOR HETEROKONTAK CuO/ ZnO(TiO 2 ) SEBAGAI SENSOR GAS HIDROGEN
KARAKTERISASI I-V SEMIKONDUKTOR HETEROKONTAK CuO/ ZnO(TiO 2 ) SEBAGAI SENSOR GAS HIDROGEN Mardiah dan Elvaswer Jurusan Fisika FMIPA Universitas Andalas Kampus Unand, Limau Manis, Padang, 25163 e-mail:
Lebih terperinciDistribusi Celah Pita Energi Titania Kotor
Jurnal Nanosains & Nanoteknologi ISSN 1979-0880 Edisi Khusus, Agustus 009 Distribusi Celah Pita Energi Titania Kotor Indah Nurmawarti, Mikrajuddin Abdullah (a), dan Khairurrijal Kelompok Keahlian Fisika
Lebih terperinciPenumbuhan Film Tipis Semikonduktor Ferromagnetik GaN:Mn Menggunakan Metode Plasma Assisted Metal Organic Chemical Vapor Deposition (PA-MOCVD)
Penumbuhan Film Tipis Semikonduktor Ferromagnetik GaN:Mn Menggunakan Metode Plasma Assisted Metal Organic Chemical Vapor Deposition (PA-MOCVD) Oleh Budi Mulyanti 30201015 Tim Pembimbing Dr. Sukirno Prof.
Lebih terperinciDiterima Juni 2004, disetujui untuk dipublikasikan September 2004
Jurnal Matematika dan Sains Vol. 9 No. 3, September 2004, hal 263-268 Penumbuhan Film Tipis Ti 1-x Co x O 2 Dengan Metode MOCVD Horasdia Saragih 1,3), Mersi Kurniati 2), Akhiruddin Maddu 2), Pepen Arifin
Lebih terperinciSTRUKTUR CRISTAL SILIKON
BANDGAP TABEL PERIODIK STRUKTUR CRISTAL SILIKON PITA ENERGI Pita yang ditempati oleh elektron valensi disebut Pita Valensi Pita yang kosong pertama disebut : Pita Konduksi ISOLATOR, KONDUKTOR DAN SEMIKONDUKTOR
Lebih terperinciPENGARUH VARIASI MASSA BAHAN TERHADAP KUALITAS KRISTAL SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 Te 0,8 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN
Pengaruh Variasi Massa... (Annisa Dyah ) 238 PENGARUH VARIASI MASSA BAHAN TERHADAP KUALITAS KRISTAL SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 Te 0,8 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN THE EFFECT OF MATERIAL MASS ON
Lebih terperinciPENGARUH ATOM SULFUR PADA PARAMETER KISI KRISTAL MATERIAL SEL SURYA Cd(Se 1-x,S x ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN
PENGARUH ATOM SULFUR PADA PARAMETER KISI KRISTAL MATERIAL SEL SURYA Cd(Se 1-x,S x ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN Ariswan Prodi Fisika FMIPA Universitas Negeri Yogyakarta E-mail : ariswan@uny.ac.id
Lebih terperinciDeskripsi METODE UNTUK PENUMBUHAN MATERIAL CARBON NANOTUBES (CNT)
1 Deskripsi METODE UNTUK PENUMBUHAN MATERIAL CARBON NANOTUBES (CNT) Bidang Teknik Invensi Invensi ini berhubungan dengan metode untuk penumbuhan material carbon nanotubes (CNT) di atas substrat silikon
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi energi listrik DC secara langsung. Sel surya telah diaplikasikan dalam berbagai bidang, salah
Lebih terperinciSintesis Nanopartikel ZnO dengan Metode Kopresipitasi
Sintesis Nanopartikel ZnO dengan Metode Kopresipitasi NURUL ROSYIDAH Jurusan Fisika Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Institut Teknologi Sepuluh Nopember Pendahuluan Kesimpulan Tinjauan Pustaka
Lebih terperinciSTUDI EFEK FOTOVOLTAIK DAN PIROELEKTRIK Ba 0,75 Sr 0,25 TIO 3 (BST) YANG DIDADAH GALIUM (BGST) DI ATAS SUBSTRAT SI (100) TIPE-P ERDIANSYAH PRATAMA
STUDI EFEK FOTOVOLTAIK DAN PIROELEKTRIK Ba 0,75 Sr 0,25 TIO 3 (BST) YANG DIDADAH GALIUM (BGST) DI ATAS SUBSTRAT SI (100) TIPE-P ERDIANSYAH PRATAMA DEPARTEMEN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. kita terima bahwa pemakaian energi berbahan dasar dari fosil telah menjadi salah
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Menipisnya cadangan energi fosil di Indonesia dan kenyataan yang harus kita terima bahwa pemakaian energi berbahan dasar dari fosil telah menjadi salah satu
Lebih terperinciSINTESIS DAN KARAKTERISASI UNDER-DOPED SUPERKONDUKTOR DOPING ELEKTRON Eu 2-x Ce x CuO 4+α-δ
Proseding Seminar Nasional Fisika dan Aplikasinya Sabtu, 21 November 2015 Bale Sawala Kampus Universitas Padjadjaran, Jatinangor SINTESIS DAN KARAKTERISASI UNDER-DOPED SUPERKONDUKTOR DOPING ELEKTRON Eu
Lebih terperinciPENGARUH FRAKSI MOL Mn/Ga LARUTAN TERHADAP KOMPOSISI DAN MIKRO STRUKTUR LAPISAN TIPIS GaN: Mn YANG DIDEPOSISI METODE SOL-GEL
MT-45 PENGARUH FRAKSI MOL Mn/Ga LARUTAN TERHADAP KOMPOSISI DAN MIKRO STRUKTUR LAPISAN TIPIS GaN: Mn YANG DIDEPOSISI METODE SOL-GEL Heri Sutanto 1), Iis Nurhasanah 1), Istadi 2) 1) Jurusan Fisika, FSM Universitas
Lebih terperinciPENGARUH LAPISAN PENYANGGA AlN DAN DAYA PLASMA PADA SIFAT OPTIK FILM TIPIS GaN YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING
PENGARUH LAPISAN PENYANGGA AlN DAN DAYA PLASMA PADA SIFAT OPTIK FILM TIPIS GaN YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING SKRIPSI Disusun dalam rangka penyelesaian Studi Stata 1 untuk memperoleh gelar
Lebih terperinciPREPARASI DAN KARAKTERISASI PADUAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,6 Te 0,4 ) DENGAN METODE BRIDGMAN MELALUI VARIASI WAKTU PEMANASAN
Preparasi dan Karakterisasi.(Iin Astarinugrahini) 298 PREPARASI DAN KARAKTERISASI PADUAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,6 Te 0,4 ) DENGAN METODE BRIDGMAN MELALUI VARIASI WAKTU PEMANASAN PREPARATION AND CHARACTERIZATION
Lebih terperinciSemikonduktor. Sifat. (ohm.m) Tembaga 1,7 x 10-8 Konduktor Silikon pd 300 o K 2,3 x 10 3 Semikonduktor Gelas 7,0 x 10 6 Isolator
Semikonduktor Definisi I: Bahan yang memiliki nilai hambatan jenis (ρ) antara konduktor dan isolator yakni sebesar 10 6 s.d. 10 4 ohm.m Perbandingan hambatan jenis konduktor, semikonduktor, dan isolator:
Lebih terperinciANALISIS FASA KARBON PADA PROSES PEMANASAN TEMPURUNG KELAPA
ANALISIS FASA KARBON PADA PROSES PEMANASAN TEMPURUNG KELAPA Oleh : Frischa Marcheliana W (1109100002) Pembimbing:Prof. Dr. Darminto, MSc Jurusan Fisika Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Institut
Lebih terperinciPengaruh Temperatur dan Waktu Putar Terhadap Sifat Optik Lapisan Tipis ZnO yang Dibuat dengan Metode Sol-Gel Spin Coating
ISSN 2302-8491 Jurnal Fisika Unand Vol. 6, No. 2, April 2017 Pengaruh Temperatur dan Waktu Putar Terhadap Sifat Optik Lapisan Tipis ZnO yang Dibuat dengan Metode Sol-Gel Spin Coating Fitriani *, Sri Handani
Lebih terperinciPENGARUH WAKTU ALUR PEMANASANTERHADAP KUALITAS KRISTAL Sn(S 0,4 Te 0,6 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN
286 Kristal Sn(S.4Te.6)... (Erda Harum Saputri) PENGARUH WAKTU ALUR PEMANASANTERHADAP KUALITAS KRISTAL Sn(S,4 Te,6 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN THE EFFECT OF FLOW HEATING TIME FOR CRYSTAL QUALITY
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. Keterangan Gambar 7 : 1. Komputer 2. Ocean Optic USB 2000 Spektrofotometer
7 Keterangan Gambar 7 : 1. Komputer 2. Ocean Optic USB 2000 Spektrofotometer 3. Sumber Cahaya (Polikromatis) 4. Fiber Optik 5. Holder 6. Samp 7. Gambar 7 Perangkat spektrofotometer UV-VIS. Karakterisasi
Lebih terperinciEfek Annealing Pada Penumbuhan Film Tipis Ferroelektrik PbZr 0,625 Ti 0,375 O 3 (PZT)
Kontribusi Fisika Indonesia Vol. 12 No.4, Oktober 2001 Efek Annealing Pada Penumbuhan Film Tipis Ferroelektrik PbZr 0,625 Ti 0,375 O 3 (PZT) Ngurah Ayu Ketut Umiati 1,2, Irzaman 1,3, Maman Budiman 1 dan
Lebih terperinciMolekul, Vol. 5, No. 1, Mei 2010 : KARAKTERISTIK FILM TIPIS TiO 2 DOPING NIOBIUM
KARAKTERISTIK FILM TIPIS TiO 2 DOPING NIOBIUM Bilalodin dan Mukhtar Effendi Program Studi Fisika, Jurusan MIPA Fakultas Sains dan Teknik UNSOED Email: bilalodin.unsoed@gmail.com ABSTRACT Niobium (Nb) doped
Lebih terperinciIII. METODOLOGI PENELITIAN. Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Februari 2013 sampai dengan Juni 2013 di
III. METODOLOGI PENELITIAN A. Waktu dan Tempat Penelitian Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Februari 2013 sampai dengan Juni 2013 di Laboratorium Fisika Material FMIPA Unila, Laboratorium Kimia Instrumentasi
Lebih terperinciSTRUKTUR KRISTAL DAN MORFOLOGI TITANIUM DIOKSIDA (TiO 2 ) POWDER SEBAGAI MATERIAL FOTOKATALIS
STRUKTUR KRISTAL DAN MORFOLOGI TITANIUM DIOKSIDA (TiO 2 ) POWDER SEBAGAI MATERIAL FOTOKATALIS SKRIPSI Oleh : Ahsanal Holikin NIM 041810201063 JURUSAN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
Lebih terperinciPROSES PELAPISAN SERBUK Fe-50at.%Al PADA BAJA KARBON DENGAN PENAMBAHAN Cr MELALUI METODA PEMADUAN MEKANIK SKRIPSI
PROSES PELAPISAN SERBUK Fe-50at.%Al PADA BAJA KARBON DENGAN PENAMBAHAN Cr MELALUI METODA PEMADUAN MEKANIK SKRIPSI Oleh ARI MAULANA 04 04 04 010 Y SKRIPSI INI DIAJUKAN UNTUK MELENGKAPI SEBAGIAN PERSYARATAN
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN
BAB III METODOLOGI PENELITIAN 3.1. Waktu dan Tempat Penelitian ini dilakukan di Laboratorium Fisika Material Departemen Fisika Institut Pertanian Bogor dimulai bulan Mei 2010 sampai Bulan Mei 2011 3.2.
Lebih terperinciBAB II TINJAUAN PUSTAKA. seperti nanowire, nanotube, nanosheet, dsb. tidak terlepas dari peranan penting
BAB II TINJAUAN PUSTAKA Sebagaimana yang telah dipaparkan pada latar belakang, material nano seperti nanowire, nanotube, nanosheet, dsb. tidak terlepas dari peranan penting katalis yang berfungsi sebagai
Lebih terperinciHomogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-si:h tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 8, NOMOR JANUARI 202 Homogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-si:h tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD
Lebih terperinciPENENTUAN PANJANG GELOMBANG EMISI PADA NANOPARTIKEL CdS DAN ZnS BERDASARKAN VARIASI KONSENTRASI MERCAPTO ETHANOL
PENENTUAN PANJANG GELOMBANG EMISI PADA NANOPARTIKEL CdS DAN ZnS BERDASARKAN VARIASI KONSENTRASI MERCAPTO ETHANOL Muhammad Salahuddin 1, Suryajaya 2, Edy Giri R. Putra 3, Nurma Sari 2 Abstrak:Pada penelitian
Lebih terperinciBab III Metodologi Penelitian
28 Bab III Metodologi Penelitian III.1 Tahap Penelitian Penelitian ini terbagi dalam empat tahapan kerja, yaitu : Tahapan kerja pertama adalah persiapan bahan dasar pembuatan film tipis ZnO yang terdiri
Lebih terperinciPENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL (µc Si:H) TIPE-P DENGAN METODE HOT WIRE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (HW-PECVD)
Bimafika, 2010, 2, 134-140 PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL (µc Si:H) TIPE-P DENGAN METODE HOT WIRE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (HW-PECVD) Marwah * FKIP Unversitas Darussalam
Lebih terperinciPengaruh Optis Kontak Belakang terhadap Parameter Optis Lapisan a-si:h
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 8, NOMOR 2 JUNI 2012 Pengaruh Optis Kontak Belakang terhadap Parameter Optis Lapisan a-si:h Ismail dan Eddy Yahya Jurusan Fisika-FMIPA, Institut Teknologi Sepuluh Nopember
Lebih terperinciBab IV. Hasil dan Pembahasan
Bab IV. Hasil dan Pembahasan Bab ini memaparkan hasil sintesis, karakterisasi konduktivitas listrik dan struktur kirstal dari senyawa perovskit La 1-x Sr x FeO 3-δ (LSFO) dengan x = 0,2 ; 0,4 ; 0,5 ; 0,6
Lebih terperinciPENGARUH VARIASI MILLING TIME dan TEMPERATUR KALSINASI pada MEKANISME DOPING 5%wt AL NANOMATERIAL TiO 2 HASIL PROSES MECHANICAL MILLING
PENGARUH VARIASI MILLING TIME dan TEMPERATUR KALSINASI pada MEKANISME DOPING 5%wt AL NANOMATERIAL TiO 2 HASIL PROSES MECHANICAL MILLING I Dewa Gede Panca Suwirta 2710100004 Dosen Pembimbing Hariyati Purwaningsih,
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. I.1 Latar Belakang Kebutuhan akan energi semakin berkembang seiring dengan
BAB I PENDAHULUAN I.1 Latar Belakang Kebutuhan akan energi semakin berkembang seiring dengan berkembangnya kehidupan manusia. Sehingga para peneliti terus berupaya untuk mengembangkan sumber-sumber energi
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. dengan menggunakan kamera yang dihubungkan dengan komputer.
10 dengan menggunakan kamera yang dihubungkan dengan komputer. HASIL DAN PEMBAHASAN Hasil sintesis paduan CoCrMo Pada proses preparasi telah dihasilkan empat sampel serbuk paduan CoCrMo dengan komposisi
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. SiO 2 memiliki sifat isolator yang baik dengan energi gapnya mencapai 9 ev,
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Graphene adalah material yang tersusun atas atom karbon dengan susunan kisi hexagonal dengan ketebalan satu atom. Graphene yang disusun dalam bentuk 3 dimensi, dimana
Lebih terperinciMAKALAH PITA ENERGI. Di susun oleh, Pradita Ajeng Wiguna ( ) Rombel 1. Untuk Memenuhi Tugas Mata Kuliah Fisika dan Teknologi Semikonduktor
MAKALAH PITA ENERGI Untuk Memenuhi Tugas Mata Kuliah Fisika dan Teknologi Semikonduktor Di susun oleh, Pradita Ajeng Wiguna (4211412011) Rombel 1 JURUSAN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN
Lebih terperinciBAB IV DATA DAN PEMBAHASAN
BAB IV DATA DAN PEMBAHASAN 4.1 SINTESIS SBA-15 Salah satu tujuan penelitian ini adalah untuk mendapatkan material mesopori silika SBA-15 melalui proses sol gel dan surfactant-templating. Tahapan-tahapan
Lebih terperinciI. PENDAHULUAN. oleh H.K Onnes pada tahun 1911 dengan mendinginkan merkuri (Hg) menggunakan helium cair pada temperatur 4,2 K (Darminto dkk, 1999).
1 I. PENDAHULUAN A. Latar Belakang Superkonduktor merupakan material yang dapat mengalirkan arus listrik tanpa adanya hambatan atau resistansi (ρ = 0), sehingga dapat menghantarkan arus listrik tanpa kehilangan
Lebih terperinciPENGARUH IRADIASI-γ TERHADAP REGANGAN KISI DAN KONDUKTIVITAS IONIK PADA KOMPOSIT PADAT (LiI) 0,5 (Al 2 O 3.4SiO 2 ) 0,5
Pengaruh Iradiasi- Terhadap Regangan Kisi dan Konduktivitas Ionik Pada Komposit Padat (LiI) 0,5(Al 2O 3.4SiO 2) 0,5 (P. Purwanto, S. Purnama, D.S. Winatapura dan Alifian) PENGARUH IRADIASI-γ TERHADAP REGANGAN
Lebih terperinciSTUDI TENTANG PENGARUH JARAK (SPACER) TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn ) HASIL PREPARASI TEKNIK EVAPORASI VAKUM
Studi tentang Pengaruh...(Wida Afosma)385 STUDI TENTANG PENGARUH JARAK (SPACER) TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn ) HASIL PREPARASI TEKNIK EVAPORASI VAKUM STUDY ABOUT THE EFFECT OF SPACER TO CRYSTAL
Lebih terperinci