Jurusan Pendidikan Fisika FPMIPA UPI 2005
|
|
- Lanny Iskandar
- 7 tahun lalu
- Tontonan:
Transkripsi
1 PENUMBUHAN FILM TIPIS Galium Nitrida (GaN) DENGAN METODE SOL-GEL DAN APLIKASINYA PADA FOTODETEKTOR ULTRAVIOLET (UV) Usulan penelitian Hibah Pekerti Oleh : Yuyu R. Tayubi, dkk Jurusan Pendidikan Fisika FPMIPA UPI 2005
2 Motivasi-1 Mandat penyelenggaraan program fisika murni di institusi kami Berdasarkan kualifikasi kepakaran staf pengajar di institusi kami dikembangkan KBK : Fisika bumi, fisika material, dan fisika instrumentasi Perlu penyusunan : Struktur kurikulum Perlu pengembangan : Lab riset
3 Motivasi-2 KBK Fisika material bidang material superkonduktor bidang material semikonduktor bidang material optik Semikonduktor paduan III-V, Keramik, oksida, dll
4 Motivasi-3 Kendala dalam pengembangan lab dan penyelenggaraan riset bidang ini Program riset yang belum jelas Fasilitas riset terbatas Para personil belum berpengalaman Perlu : Mitra pembina yang sarat dengan pengalaman, memiliki fasilitas lab lengkap, dan program riset yang baik Sebagai tempat kegiatan magang
5 Motivasi-4 Untuk kepentingan itu, telah dirancang suatu kegiatan penelitian kerjasama yang lebih bersifat pada pembinaan dan diusulkan ke proyek : HIBAH PEKERTI TPP : Tim dosen fisika material jurusan fisika UPI TPM : Tim dosen Lab Fismatel Dept. Fisika ITB
6 Target/Sasaran dari kerjasama penelitian Personel TPP mendapat pengalaman dalam mendisain dan mengembangkan peralatan eksperimen Personel TPP mendapatkan pengalaman eksperimen rekayasa bahan dan karakterisasinya Personel TPP mendapatkan pengalaman dalam memfabrikasi dan mengkarakterisasi divais semikonduktor
7 Alasan pemilihan Lab Fismatel ITB sebagai TPM Memiliki pengalaman luas dalam pengembangan berbagai fasilitas lab Memiliki peralatan lengkap dan siap pakai untuk kepentingan riset bidang semikonduktor Para personilnya berpengalaman dalam merancang dan melaksanakan berbagai riset bertaraf nasional maupun internasional (RUT, HIBAH PASCA, RISTEK, TORAY, dll) Para personilnya berpengalaman dalam mempublikasikan hasil riset baik dalam bentuk jurnal nasional dan internasional maupun konference Institusi terletak TPM satu kota dengan institusi TPP
8 Mekanisme pelaksanaan kerja sama Bentuk kerjasama TPM dan TPP - TPM memberikan pelatihan dalam rancang bangun peralatan laboratorium. - TPM memberikan pelatihan tentang penggunaan berbagai peralatan lab, terutama yang akan digunakan dalam proses penelitian. - TPM memberikan arahan dan pelatihan tentang strategi serta step-step pelaksanaan penelitian, agar prosesnya dapat berjalan efektif, efisien, dan berhasil guna. - Dibawah pengawasan TPM, TPP melakukan keseluruhan proses penelitian sesuai dengan yang diprogramkan. - Kerjasama dalam penggunaan berbagai fasilitas yang berada di masingmasing lab. TPP dan TPM. - Kerjasama dalam publikasi ilmiah
9 Hak dan kewajiban TPM dan TPP dalam pelaksanaan penelitian - TPM bertanggung jawab membina dan mengarahkan TPP dalam melaksanakan keseluruhan program penelitian - TPP bertanggung jawab untuk melakukan keseluruhan program penelitian yang telah direncanakan dengan sebaik mungkin dibawah arahan TPM. - TPM berhak menggunakan berbagai fasilitas penelitian yang berada di lab. TPP - TPP berhak mendapatkan keleluasaan waktu untuk berkonsultasi dan menggunakan berbagai fasilitas penelitian yang ada di lab. TPM. - TPP dan TPM berhak diikutsertakan dalam publikasi ilmiah
10 Substansi Penelitian Lingkup penelitian Sesuai dengan target/sasaran penelitian yang ditetapkan, maka lingkup penelitian yang direncanakan meliputi : Pengembangan alat (spin-coater) Rekayasa bahan (optimasi penumbuhan film GaN) Fabrikasi divais fotodetektor UV
11 Hasil penelitian yang diharapkan Produk materi Produk non materi Alat spiner untuk penumbuhan lapisan tipis semikonduktor Prototipe fototektor UV yang memiliki tingkat detektivitas dan responsivitas yang baik Artikel-artikel publikasi ilmiah Terbentuknya suatu lab riset di institusi TPP Peningkatan skil anggota TPP dalam merancang, dan melaksanakan penelitian, termasuk di dalamnya pengembangan dan pemeliharaan peralatan, serta mempublikasikan hasilnya Terjalin kerjasama dengan institusi TPM yang berkelanjutan dalam penyelenggaraan riset bidang semikonduktor.
12 Mengapa detektor UV??? Pendeteksi plumes dari persenjataan militer Monitoring sinar UV matahari Detektor UV Sistem pendeteksi kebakaran Komponen sistem komunikasi ruang angkasa Komponen sistem peralatan navigasi penerbangan
13 Contoh aplikasi detektor UV untuk pendetksi kebakaran (api)
14 Mengapa material GaN??? Material semikonduktor untuk fotodetektor UV Konvensional : Silikon Karbida (SiC) Baru : Galium nitrida (GaN) dan paduannya SiC memiliki celah pita energi 2,9 ev, masih dibawah energi spektrum ultraviolet, sehingga fotodetektor yang dibuat kurang peka thd gel UV SiC memiliki struktur celah pita energi dengan transisi tak langsung (indirect bandgap) sehingga efisiensi kuantum dari fotodetektor yang dibuat tidak terlalu tinggi SiC memiliki kestabilan termal, mekanik dan kimiawi yang kurang baik Dari SiC Bergeser ke GaN GaN memiliki celah pita energi 3,4 ev, tepat pada spektrum UV sehingga fotodetektor yang dibuat akan peka terhadap gel. ultraviolet GaN memiliki struktur celah pita energi dengan transisi langsung (direct bandgap) sehingga fotodetektor yg dibuat akan memiliki efisiensi kuantum tinggi GaN memiliki kestabilan termal, mekanik dan kimiawi yang baik
15 Mengapa Struktur M-S-M M??? Memiliki dark current yang rendah, sehingga efisiensinya tinggi Memiliki kecepatan tinggi (high speed), sehingga responsivitasnya tinggi Memiliki noise rendah, sehingga sensitivitasnya tinggi Mudah memfabrikasinya (bahkan dengan teknik penumbuhan sederhana karena strukturnya hanya berupa satu lapis bahan semikonduktor yang dilapisi metal)
16 Diagram skematik fotodetektor UV berstruktur M-S-M (Au/GaN/Au) planar Kontak metal (Au) Lapisan GaN Pola kontak metal Substrat Au Lapisan GaN Tampak samping Tampak atas
17 Mengapa Metode Sol-Gel (Spin-Coating)??? Kostruksi peralatan sederhana Biaya operasional relatif murah Dengan penanganan yang baik berpotensi untuk dihasilkan film tipis GaN dengan kualitas cukup baik (Menguntungkan dari segi ekonomis) Kelemahan : Kualitas film yang dihasilkan masih lebih rendah dari film yang ditumbuhkan dengan metode modern seperti MBE dan MOCVD Sukar digunakan untuk penumbuhan struktur multi lapisan Meskipun tergolong baru, keberhasilan penumbuahan GaN dengan metode sol-gel tidak diragukan lagi, sehubungan dengan adanya beberapa publikasi yang melaporkan keberhasilan penumbuhan GaN dengan metode ini, seperti : -A. R. Raju, dkk (2001), menggunakan teknik nebulized spray pyrolysis -H. Parala, dkk (2001), menggunakan teknik chemical solution deposition -K. Sardar, dkk (2003), menggunakan teknik spin-coating
18 Disain penelitian Tahap I (tahun 1) : 1. Pengembangan alat spiner untuk lab TPP Rancangan alat spiner yang akan dikembangkan Fokus pengembangan pada sistem pengontrol laju putaran dan sistem vakum 2. Studi awal penumbuhan lapisan GaN : Fokus pada studi Gel Penggunaan alat spiner ini nantinya dapat diperluas untuk penumbuhan lapisan tipis bahan semikonduktor keramik, semikonduktor oksida, serta bahan-bahan polimer
19 Tahap II (tahun 2) : Optimasi kondisi dan parameter penumbuhan laisan tipis GaN pipet Gel Substrat ω Lapisan film diatas substrat MOTOR Deposisi pada tungku pemanas Fokus penelitian : optimasi molaritas gel, laju rotasi spiner, dan temperatur deposisi
20 Tahap III (tahun 3) : Fabrikasi prototipe fotodetektor UV dengan struktur M-S-M SINAR ULTRAVIOLET Film tipis GaN Substrat Metal Resis positip Metal Masker foto Resis Positip Metal Film GaN Substrat Metal Development Resis sisa Metal Metal ETCHING Stripping Resis sisa Fokus penelitian : optimasi ukuran finger kontak metal Sensor UV struktur MSM
21 Indikator keberhasilan penelitian Dihasilkan alat spiner otomatis yang memiliki laju spiner cukup tinggi Dihasilkan prosedur penumbuhan lapisan GaN dengan metode spin-coating yang menghasilkan film berkualitas baik Dihasilkan prototipe fotodetektor UV berstruktur M-S-M yang memiliki karakteristik baik Dihasilkanl publikasi ilmiah tingkat nasional atau bahkan internasional Peningkatan skil personil TPP dalam hal merancang dan melakukan riset serta mempublikasikan hasilnya Terwujudnya lab riset bidang semikonduktor di institusi TPP Terjalinnya kerjasama riset yang berkelanjutan dengan TPM
22 Hal-hal yang dipandang dapat menjamin keterlaksanaan penelitian 1. Motivasi yang tinggi dari Tim Peneliti Pengusul (TPP) untuk mendapatkan pengetahuan dan keterampilan dalam hal merancang dan melaksanakan riset berskala nasional serta mempublikasikannya, 2. Komitmen TPM untuk membantu sepenuhnya proses pelaksanaan penelitian yang direncanakan dan membina pengembangan Lab. TPP 3. Pengalaman dan Track record TPM yang mumpuni dalam bidang yang diteliti, 4. Peralatan yang cukup lengkap di Lab. TPM baik paralatan untuk pembuatan sampel maupun untuk karakterisasinya, 5. Beberapa peralatan utama di Lab. TPP.
23 Pengalaman penelitian Ketua TPM No Institusi Jabatan Judul Riset Periode 1 Indonesia Toray Science Foundation 2 Macquarie University, Principal Investigator Visiting Research 3 RUT VI Peneliti Utama 4 Centre Grant Programe 5 Proyek Penelitian Hibah Pasca (HTPP) Researcher Ketua peneliti Electrical Properties of GaSb 1997 Involved in research on antimonide semiconductor system and low temperature grown GaAs Semikonduktor Paduan GaSb dan Alloynya untuk Detektor Foton berkecepatan Tinggi Berderau rendah Growth and Characterization of Nitride, Antimonide, and Oxide thin Film Penumbuhan Struktur Hetero dan Quantum Well (QW) GaAsSb/GaAs dengan MOCVD 6 RUT X peneliti Pembuatan LED dari GaN dan paduannya 7 RUT XI Ketua peneliti AlGaN/GaN Heterostructure Field Effect Transistor (FET) June-August
24 Publikasi ilmiah ketua TPM yang relavan No. Karya Ilmiah 1 P. Arifin, T.L. Tensley, and E.M. Goldys, Conduction Mechanism in a Metal-Insulator-Semiconductor Structure with a Low Temperature GaAs Insulating Layer, Solid State Electronic, 41, 1075 (1997) 2 P. Arifin, M. Barmawi, R. A. Sani, Gallium Nitride Based Devices, NEDO-BPPT International Electronic and Information Technology Seminar, Jakarta (1998) 3 Sugianto, R. A. Sani, P. Arifin, M. Budiman, M. Barmawi, Growth of GaN film on a-plane sapphire substrate by plasma assisted MOCVD, J. Crystal Growth, Vol. 221, p.311 (2000) 4 P. Arifin, Sugianto, E. Suprianto, N. Wendri, H. Sutanto, M. Budiman, and M. Barmawi, Growth of AlGaN by Plasma Assisted MOCVD, Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices, Sydney, Australia, December (2002) 5 M. Budiman, H. Sutanto, Sugianto, E. Supriyanto, P. Arifin, M. Barmawi, Au/n-GaN Schottky Diode Grown on Si(111) by Plasma Assisted MOCVD, Conference on Optoelectronic and Microelectronic Materials and Devices, Sydney, Australia, December (2002) 6 M. R. Hashim, S. A. Oh, S. S. Ng, Z. Hassan, K. Ibrahim, A. Abdul Aziz, M. Barmawi, Sugianto, M. Budiman, P. Arifin, Optical properties of GaN on Si substrate using plasma assisted MOCVD technique in the infrared and visible regions, International Meeting on Applied Physics 2003 (APHYS 2003), Spain October (2003) 7 F. K. Yam, Z. Hassan, K. Ibrahim, A. Abdul Aziz, M. Barmawi, Sugianto, M. Budiman, P. Arifin, Properties of GaN epilayers grown on sapphire by plasma anhanced metalorganic chemical vapor deposition, International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT) 2003 and IUMRS-ICA 2003, Singapore 7-12 December (2003) 8 Y. C. Lee, Z. Hassan, F. K. Yam, M. J. Abdullah, K. Ibrahim, M. Barmawi, Sugianto, M. Budiman, P. Arifin, A comparative study of the electrical characteristics of metal-semiconductor-metal (MSM) photodiodes based on GaN grown on silicon, International Conference on Materials for Advanced Technologies (ICMAT) 2003 and IUMRS-ICA 2003, Singapore 7-12 Dec. (2003)
25 Peralatan di Lab. TPP dan TPM yang diperlukan untuk penelitian A. Peralatan yang tersedia di lab. TPP : 1. Seperangkat alat spiner sederhana 2. Seperangkat sistem karakterisasi X-ray diffractometer (XRD) 3. Hot-plate (pemanas o C) 4. Peralatan untuk preparasi gel dan substrat B. Peralatan yang tersedia di lab. TPM : 1. Sistem peralatan untuk preparasi substrat dan Gel 2. Berbagai perangkat metode penumbuhan lapisan tipis seperti MOCVD, PECVD, PLAD, Sputtering, dan Spiner 3. Programable furnace (tungku pemanas) ~ 120oC 4. Sistem peralatan untuk metalisasi (Evaporator) 5. Berbagai sistem peralatan karakterisasi sifat fisis film tipis semikonduktor, seperti : sistem pengukuran sifat listrik; efek Hall, I-V, C-V, sistem pengukuran sifat optik; photoluminiscence (PL) dan Dektak II-A 6. Sistem pengukuran detektivitas dan responsivitas fotodetektor. Peralatan lainnya seperti : alat litografi, SEM dan UV-Vis spektroskopy tersedia pada lab-lab lain di lingkungan ITB
26 Potret peralatan untuk penumbuhan film dan fabrikasi divais yang tersedia di lab TPM Ultrasonic Bath (alat pencuci substrat) rotor Pengontrol laju rotasi spiner Millipore (penghasil deionized-water) Sistem vakum Alat Spiner (metode spin-coating) Tungku pemanas yang dapat diprogram (~ 1200 o C) Evaporator (alat untuk pelapisan metal)
27 Potret peralatan karakterisasi film dan divais yang tersedia di lab TPM Dektak IIA (Sistem pengukuran ketebalan film) Sistem pengukuran efek Hall Van der Pauw Sistem pengukuran karakteristik I-V film Photoluminiscence (Sistem Pengukur sifat optik film) SEM (Sistem pencitraan morfologi film) Sistem pengukuran tingkat responsivitas detektor
28 Potret peralatan yang diperlukan yang tersedia di lab TPP Spinner sederhana Hot-plate o C Sistem peralatan XRD
29 Terlaksananya program penelitian ini akan merupakan titik tolak dari pelaksanaan program kerjasama kemitraan dalam rangka pengemabangan program riset dan lab riset di institusi TPP SEKIAN
BAB I PENDAHULUAN. Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini terlihat dari banyaknya komponen semikonduktor yang digunakan disetiap kegiatan manusia.
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban manusia di abad ini. Sehingga diperlukan suatu kemampuan menguasai teknologi tinggi agar bisa
Lebih terperinciBerkala Fisika ISSN : Vol 4, No. 2, April 2001, hal 40-44
PENGARUH VARIASI TEMPERATUR PENUMBUHAN TERHADAP KARAKTERISTIK SIFAT LISTRIK FILM TIPIS GaN DI ATAS Si (111) DENGAN METODE PA-MOCVD Heri Sutanto Laboratorium Fisika Zat Padat, Jurusan Fisika, FMIPA Universitas
Lebih terperinci1. JUDUL PENELITIAN RANCANG BANGUN ALAT SPINCOATING
1. JUDUL PENELITIAN RANCANG BANGUN ALAT SPINCOATING SEDERHANA UNTUK PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR (Studi eksplorasi untuk pengembangan laboratorium fisika material ) 1 2. LATAR BELAKANG MASALAH
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Spektrum elektromagnetik yang mampu dideteksi oleh mata manusia
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar belakang Spektrum elektromagnetik yang mampu dideteksi oleh mata manusia berada dalam rentang spektrum cahaya tampak yang memiliki panjang gelombang dari 400 900 nm. Sedangkan
Lebih terperinci1. URAIAN UMUM 1.1 Judul Penelitian : PENUMBUHAN LAPISAN SEMIKONDUKTOR DENGAN TEKNIK SPIN COATING. Bidang Keahlian Fisika Semikonduktor
1. URAIAN UMUM 1.1 Judul Penelitian : PENUMBUHAN LAPISAN SEMIKONDUKTOR DENGAN TEKNIK SPIN COATING 1.2. Penanggung jawab penelitian Nama Jabatan Jurusan Fakultas : Drs. Yuyu R. Tayubi, M.Si : Lektor : Pend.
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. modern pada fotokonduktor ultraviolet (UV) membutuhkan material
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Pengembangan material semikonduktor tidak lepas dari perkembangan piranti elektronik diantaranya fotokonduktor ultraviolet (UV). Tuntutan aplikasi modern pada
Lebih terperinciBAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI
BAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI Pada bab ini dibahas penumbuhan AlGaN tanpa doping menggunakan reaktor PA- MOCVD. Lapisan AlGaN ditumbuhkan dengan variasi laju alir gas reaktan, hasil penumbuhan dikarakterisasi
Lebih terperinciPengaruh Temperatur dan Waktu Putar Terhadap Sifat Optik Lapisan Tipis ZnO yang Dibuat dengan Metode Sol-Gel Spin Coating
ISSN 2302-8491 Jurnal Fisika Unand Vol. 6, No. 2, April 2017 Pengaruh Temperatur dan Waktu Putar Terhadap Sifat Optik Lapisan Tipis ZnO yang Dibuat dengan Metode Sol-Gel Spin Coating Fitriani *, Sri Handani
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi energi listrik DC secara langsung. Sel surya telah diaplikasikan dalam berbagai bidang, salah
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen yang dilakukan di
BAB III METODE PENELITIAN Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen yang dilakukan di lab. Fisika Material, Jurusan Pendidikan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas
Lebih terperinciI. PENDAHULUAN. kimia yang dibantu oleh cahaya dan katalis. Beberapa langkah-langkah fotokatalis
I. PENDAHULUAN A. Latar Belakang Telah berkembang suatu mekanisme fotokatalis yang menerapkan pemanfaatan radiasi ultraviolet dan bahan semikonduktor sebagai fotokatalis, umumnya menggunakan bahan TiO2
Lebih terperinciTEMA: ENERGI TERBARUKAN. FABRIKASI SEL SURYA BERBASIS SILIKON DENGAN LAPISAN ANTI REFLEKSI ZnO MENGGUNAKAN TEKNOLOGI THICK FILM
Bidang Ilmu Teknologi RINGKASAN LAPORAN TAHAP I HIBAH KOMPETITIF PENELITIAN SESUAI PRIORITAS NASIONAL TEMA: ENERGI TERBARUKAN FABRIKASI SEL SURYA BERBASIS SILIKON DENGAN LAPISAN ANTI REFLEKSI ZnO MENGGUNAKAN
Lebih terperinciOleh Budi Mulyanti NIM : Tim Pembimbing Dr. Sukirno Prof. Dr. M. Barmawi Dr. Pepen Arifin Dr. Maman Budiman
PENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR FERROMAGNETIK GaN:Mn MENGGUNAKAN METODE PLASMA ASSISTED METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (PA- MOCVD) DAN KARAKTERISASINYA Oleh Budi Mulyanti NIM : 30201015 Tim
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. I.1 Latar Belakang Kebutuhan akan energi semakin berkembang seiring dengan
BAB I PENDAHULUAN I.1 Latar Belakang Kebutuhan akan energi semakin berkembang seiring dengan berkembangnya kehidupan manusia. Sehingga para peneliti terus berupaya untuk mengembangkan sumber-sumber energi
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia Tenggara. Sebagai negara berkembang, Indonesia melakukan swasembada diberbagai bidang, termasuk
Lebih terperinciPEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS
PEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS Syuhada, Dwi Bayuwati, Sulaiman Pusat Penelitian Fisika-LIPI, Kawasan Puspiptek Serpong Tangerang 15314 e-mail: hadda212@yahoo.com
Lebih terperinciPEMBUATAN SENSOR GAS HIDROGEN BERBASIS FILM TIPIS GaN DENGAN TEKNIK SOL GEL SPIN COATING UNTUK KOMPONEN PADA SISTEM PENDETEKSI KEBOCORAN GAS
ISSN: 1693-1246 Januari 2013 http://journal.unnes.ac.id/nju/index.php/jpfi PEMBUATAN SENSOR GAS HIDROGEN BERBASIS FILM TIPIS GaN DENGAN TEKNIK SOL GEL SPIN COATING UNTUK KOMPONEN PADA SISTEM PENDETEKSI
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini mengalami peralihan dari teknologi mikro (microtechnology) ke generasi yang lebih kecil yang dikenal
Lebih terperinciDisusun Oleh Koordinator Kegiatan (Drs. Saeful Karim,M.Si)
LAPORAN IMPLEMENTASI KEGIATAN SP4 TAHUN 2005 DI PROGRAM STUDI FISIKA FAKULTAS PENDIDIKAN MATEMATIKA DAN IPA UNIVERSITAS PENDIDIKAN INDONESIA Bidang Kegiatan: Peningkatan Kualitas Layanan dan Penyelesaian
Lebih terperinciBAB I 1 PENDAHULUAN. kemampuan mengubah bentuk radiasi cahaya menjadi sinyal listrik. Radiasi yang
BAB I 1 PENDAHULUAN 1.1 LATAR BELAKANG MASALAH Fotodiode merupakan sebuah peranti semikonduktor yang memiliki kemampuan mengubah bentuk radiasi cahaya menjadi sinyal listrik. Radiasi yang dapat diterima
Lebih terperinciMikrostruktur Semikonduktor GaN di Atas Substrat Silikon Dengan Metode Sol-Gel
Berkala Fisika ISSN : 1410-9662 Vol 13, No. 2, April 2010 hal 55-60 Mikrostruktur Semikonduktor GaN di Atas Substrat Silikon Dengan Metode Sol-Gel Heri Sutanto 1), Iis Nurhasanah 1), Istadi 2), Maryanto
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Nanopatikel merupakan partikel mikroskopis yang memiliki ukuran dalam skala nanometer yaitu < 100 nm. Nanopartikel menjadi kajian yang sangat menarik, karena ketika
Lebih terperinciNama dan Gelar Lengkap : Dr. Budi Mulyanti, M.Si. Tempat/Tanggal Lahir : Pemalang, 09 Januari 1963
CURRICULUM VITEA/BIODATA BIODATA LENGKAP Nama dan Gelar Lengkap : Dr. Budi Mulyanti, M.Si. Tempat/Tanggal Lahir : Pemalang, 09 Januari 1963 Jenis Kelamin : Perempuan NIP : 196301091994022001 Pangkat/Jabatan/Gol.
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN. Lokasi penelitian dilakukan di Laboratorium Fisika Material, Jurusan
BAB III METODOLOGI PENELITIAN A. Lokasi dan Waktu Penelitian Lokasi penelitian dilakukan di Laboratorium Fisika Material, Jurusan Pendidikan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Listrik merupakan kebutuhan esensial yang sangat dominan kegunaannya
λ Panjang Gelombang 21 ω Kecepatan Angular 22 ns Indeks Bias Kaca 33 n Indeks Bias Lapisan Tipis 33 d Ketebalan Lapisan Tipis 33 α Koofisien Absorpsi 36 Frekuensi Cahaya 35 υ BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar
Lebih terperinciPENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR GaN DI ATAS SUBSTRAT SILIKON DENGAN METODE SOL-GEL
PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR GaN DI ATAS SUBSTRAT SILIKON DENGAN METODE SOL-GEL Heri Sutanto, Iis Nurhasanah, Indras Marhaendrajaya, Ahmad Taufani, Luluk L. Badriyah, dan Wahyu Ambikawati Laboratorium
Lebih terperinciStruktur kristal dan Morfologi film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan metoda Hot-Wire Pulsed Laser Deposition
Struktur kristal dan Morfologi film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan metoda Hot-Wire Pulsed Laser Deposition Dadi Rusdiana Departemen Fisika, FPMIPA UPI, Jl. Dr.Setiabudi 229 Bandung, Indonesia 40154
Lebih terperinciPENGARUH KETEBALAN LAPISAN PENYANGGA TERHADAP KUALITAS FILM TIPIS GaN
J. Sains Tek., Desember 2006, Vol. 12, No. 3, Hal.: 149-153 ISSN 0853-733X PENGARUH KETEBALAN LAPISAN PENYANGGA TERHADAP KUALITAS FILM TIPIS GaN Erzam S. Hasan 1, A. Subagio 2, Sugianto 3, M. Budiman 4,
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 LatarBelakang
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 LatarBelakang Proses pembangunan disegala bidang selain membawa kemajuan terhadap kehidupan manusia, tetapi juga akan membawa dampak negative bagi lingkungan hidup. Industrialisasi
Lebih terperinciPENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR
PENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR Penumbuhan film tipis semikonduktor di atas substrat dapat dilakukan secara epitaksi. Dalam bahasa yunani epi berarti di atas dan taksial berarti menyusun dengan kata
Lebih terperinciPengaruh ketebalan lapisan penyangga pada struktur kristal film GaN yang ditumbuhkan dengan Pulsed Laser Deposition Dadi Rusdiana
Pengaruh ketebalan lapisan penyangga pada struktur kristal film GaN yang ditumbuhkan dengan Pulsed Laser Deposition Dadi Rusdiana Department fisika FPMIPA UPI, Jl. DR.Setia Budi 229 Bandung E-mail: dadi_rusdiana@upi.edu
Lebih terperinciSINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION
SINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION Yolanda Oktaviani, Astuti Jurusan Fisika FMIPA Universitas Andalas e-mail: vianyolanda@yahoo.co.id
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Ketersediaan sumber energi merupakan masalah yang harus segera diselesaikan oleh masing-masing negara termasuk Indonesia. Untuk itu perlu dikembangkan suatu teknologi
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pengembangan material yang memiliki ketahanan terhadap temperatur tinggi merupakan salah satu topik menarik yang terus dikaji oleh peneliti. Contoh aplikasi penggunaan
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. Pelaksanaan penelitian ini pada dasarnya meliputi tiga tahapan proses
BAB III METODE PENELITIAN Pelaksanaan penelitian ini pada dasarnya meliputi tiga tahapan proses diawali dengan tahap persiapan, tahap penumbuhan, dan tahap karakterisasi. Pada bab ini dibahas tentang metode
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN. Metode yang digunakan dalam penelitian ini adalah metoda eksperimen.
BAB III METODOLOGI PENELITIAN A. Metode Penelitian Metode yang digunakan dalam penelitian ini adalah metoda eksperimen. Penelitian dilakukan dengan beberapa tahapan yang digambarkan dalam diagram alir
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pendeteksian cahaya merupakan salah satu proses paling mendasar pada bidang optik [1]. Untuk mendeteksi cahaya, diperlukan suatu proses konversi optoelektronik menggunakan
Lebih terperinciBAB III METODE PELAKSANAAN. Metode penelitian yang dilakukan menggunakan eksperimen murni yang
25 BAB III METODE PELAKSANAAN Metode penelitian yang dilakukan menggunakan eksperimen murni yang dilakukan di laboratorium. Metode yang digunakan untuk penumbuhan film tipis LiTaO 3 adalah metode spin-coating.
Lebih terperinciPenumbuhan Lapisan Tipis µc-si:h Tipe-P dengan Metode HW-PECVD untuk Aplikasi Sel Surya
Penumbuhan Lapisan Tipis µc-si:h Tipe-P dengan Metode HW-PECVD untuk Aplikasi Sel Surya Jasruddin, Abdul Haris, dan Helmi Departemen Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Negeri
Lebih terperinci2 SINTESIS DAN KARAKTERISASI NANOSTRUKTUR ZnO
2 SINTESIS DAN KARAKTERISASI NANOSTRUKTUR ZnO 3 Pendahuluan ZnO merupakan bahan semikonduktor tipe-n yang memiliki lebar pita energi 3,37 ev pada suhu ruang dan 3,34 ev pada temperatur rendah dengan nilai
Lebih terperinciIII. METODE PENELITIAN
21 III. METODE PENELITIAN 3.1 Waktu dan Tempat Penelitian Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Agustus 2010 - Juni 2011 di Laboratorium Biofisika dan Laboratorium Fisika Lanjut, Departemen Fisika IPB.
Lebih terperinciBAB 1 PENDAHULUAN Latar Belakang
BAB 1 PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Memasuki abad 21, persediaan minyak dan gas bumi semakin menipis. Sementara kebutuhan akan energi semakin meningkat, terutama dirasakan pada negara industri. Kebuthan
Lebih terperinciMolekul, Vol. 5, No. 1, Mei 2010 : KARAKTERISTIK FILM TIPIS TiO 2 DOPING NIOBIUM
KARAKTERISTIK FILM TIPIS TiO 2 DOPING NIOBIUM Bilalodin dan Mukhtar Effendi Program Studi Fisika, Jurusan MIPA Fakultas Sains dan Teknik UNSOED Email: bilalodin.unsoed@gmail.com ABSTRACT Niobium (Nb) doped
Lebih terperinciModul - 4 SEMIKONDUKTOR
Modul - 4 SEMIKONDUKTOR Disusun Sebagai Materi Pelatihan Guru-Guru SMA/MA Provinsi Nangro Aceh Darussalam Disusun oleh: Dr. Agus Setiawan, M.Si Dr. Dadi Rusdiana, M.Si Dr. Ida Hamidah, M.Si Dra. Ida Kaniawati,
Lebih terperinciOleh: Tyas Puspitaningrum, Tjipto Sujitno, dan Ariswan
Penentuan Band Gap... (Tyas Puspitaningrum) 166 PENENTUAN BAND GAP DAN KONDUKTIVITAS BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS Sn(S 0,8 Te 0,2 ) DAN Sn(S 0,6 Te 0,4 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI TERMAL
Lebih terperinciHomogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-si:h tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 8, NOMOR JANUARI 202 Homogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-si:h tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD
Lebih terperinciABSTRAK DAN EXECUTIVE SUMMARY PROGRAM PENELITIAN HIBAH BERSAING
ABSTRAK DAN EXECUTIVE SUMMARY PROGRAM PENELITIAN HIBAH BERSAING Rancang Bangun Sensor Gas CO Berbasis Zinc Oxide Nanokristal Tahun ke-1 dari rencana 2 tahun Oleh: Dr. Edy Supriyanto, S.Si., M.Si(Ketua
Lebih terperinciMEKANISME PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS ALLOY TERNARY GaAs 1-x Sb x DARI SUMBER-SUMBER METALORGANIK TMGa, TDMAAs DAN TDMASb PADA REAKTOR MOCVD ABSTRAK
MEKANISME PENUMBUAN LAPISAN TIPIS ALLOY TERNARY As 1-x Sb x DARI SUMBER-SUMBER METALORGANIK TM, TDMAAs DAN TDMASb PADA REAKTOR MOCVD A. Suhandi 1,2), P. Arifin 2), M. Budiman 2), dan M. Barmawi 2) 1) Jurusan
Lebih terperinciBAB II TINJAUAN PUSTAKA
BAB II TINJAUAN PUSTAKA Material semikonduktor adalah material yang memiliki konduktivitas listrik diantara konduktor dan isolator (10-8 S/cm < σ < 10 4 S/cm), σ adalah konduktivitas. Konduktivitas material
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Kebutuhan energi yang terus meningkat dan semakin menipisnya cadangan minyak bumi dan gas alam menjadi pendorong bagi manusia untuk mencari sumber energi alternatif.
Lebih terperinciMekanisme Hamburan Defek Statis Dan Vibrasi Termal Terhadap Mobilitas Elektron Pada Film Tipis GaN
Berkala Fisika ISSN : 1410-9662 Vol 13., No.1, Januari 2010, hal 39-44 Mekanisme Hamburan Defek Statis Dan Vibrasi Termal Terhadap Mobilitas Elektron Pada Film Tipis GaN Dadi Rusdiana, Lilik Hasanah, dan
Lebih terperinciKUMPULAN ABSTRAK TESIS DISERTASI DOKTOR 2005 INSTITUT TEKNOLOGI BANDUNG
KUMPULAN ABSTRAK TESIS DISERTASI DOKTOR 2005 INSTITUT TEKNOLOGI BANDUNG SEKOLAH PASCASARJANA Jl. Tamansari No. 64 Bandung 40116 Gedung CCAR lt. IV Telp. : +6222 251 1495; Fax. : +6222 250 3659 E-mail :
Lebih terperinciSTRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPISAN TIPIS Sn(So,4Te0,6) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM
Struktur dan Komposisi... (Eka Wulandari) 1 STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPISAN TIPIS Sn(So,4Te0,6) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM STRUCTURE AND CHEMICAL COMPOSITION OF Sn(S0,4Te0,6) THIN
Lebih terperinciOleh : Nofi Marlini / J2D ABSTRACT
MIKROSTRUKTUR LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR GALIUM NITRIDA YANG DITUMBUHKAN MENGGUNAKAN METODE CHEMICAL SOLUTION DEPOSITION DENGAN VARIASI LAJU SPIN COATER Oleh : Nofi Marlini / J2D 004 187 2009 ABSTRACT
Lebih terperinciF- 1. PENGARUH PENYISIPAN LOGAM Fe PADA LAPISAN TiO 2 TERHADAP PERFORMANSI SEL SURYA BERBASIS TITANIA
PENGARUH PENYISIPAN LOGAM Fe PADA LAPISAN TiO 2 TERHADAP PERFORMANSI SEL SURYA BERBASIS TITANIA Rita Prasetyowati, Sahrul Saehana, Mikrajuddin Abdullah (a), dan Khairurrijal Kelompok Keahlian Fisika Material
Lebih terperinciSTUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI
Studi Pengaruh Suhu Substrat. (Rully Fakhry Muhammad) 303 STUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI STUDY
Lebih terperinciPengaruh Waktu Penahanan Terhadap Karakteristik Lapisan Tipis ZnO yang Dideposisi dengan teknik Sol-gel Spin Coating
JURNAL Teori dan Aplikasi Fisika Vol. 04, No.02, Juli Tahun 2016 Pengaruh Waktu Penahanan Terhadap Karakteristik Lapisan Tipis ZnO yang Dideposisi dengan teknik Sol-gel Spin Coating Mursal, Irhamni, and
Lebih terperinciStudi Optimasi Parameter Daya RF untuk Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Metode Hot Wire Cell PECVD
PROC. ITB Sains & Tek. Vol. 37 A, No. 1, 2005, 13-22 13 Studi Optimasi Parameter Daya RF untuk Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Metode Hot Wire Cell PECVD S. Amiruddin 1), I. Usman
Lebih terperinciBAB IV PERHITUNGAN & ANALSIS HASIL KARAKTERISASI XRD, EDS DAN PENGUKURAN I-V MSM
BAB IV PERHITUNGAN & ANALSIS HASIL KARAKTERISASI XRD, EDS DAN PENGUKURAN I-V MSM Pada bab sebelumnya telah diperlihatkan hasil karakterisasi struktur kristal, morfologi permukaan, dan komposisi lapisan.
Lebih terperinciAnalisis Pengaruh Temperatur Annealing Pada Deposisi Lapisan Tipis Zinc Oxide (ZnO) Melalui Proses Spin Coating Rahmawati
homepage: www.teknik.unsam.ac.id ISSN 2356-5438 Analisis Pengaruh Temperatur Annealing Pada Deposisi Lapisan Tipis Zinc Oxide (ZnO) Melalui Proses Spin Coating Rahmawati Program Studi Fisika, Universitas
Lebih terperinciBidang Keahlian Fisika Semikonduktor Fisika Instrumentasi Fisika Semikonduktor
1. URAIAN UMUM 1.1 Judul Penelitian : RANCANG BANGUN TEKNIK SPINCOATING UNTUK PENUMBUHAN LAPISAN SEMIKONDUKTOR (Studi eksplorasi untuk pengembangan laboratorium fisika material) 1.2. Penanggung jawab penelitian
Lebih terperinciSTRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPIS TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 S 0.8 ) HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA
J. Sains Dasar 2015 4 (2) 198-203 STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPIS TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 S 0.8 ) HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA THE STRUCTURE AND CHEMICAL
Lebih terperinciRINGKASAN HIBAH BERSAING
Bidang Teknologi RINGKASAN HIBAH BERSAING PENUMBUHAN MATERIAL DMS GaN:Mn DAN STRUKTUR GaN/GaN:Mn DI ATAS SUBSTRAT SILIKON DENGAN METODE PA-MOCVD UNTUK APLIKASI DIVAIS MTJ Peneliti: Dr. Budi Mulyanti, MSi
Lebih terperinciPENGARUH PERBEDAAN WAKTU TUMBUH TERHADAP STRUKTUR KRISTAL LAPISAN TIPIS ZnO
PENGARUH PERBEDAAN WAKTU TUMBUH TERHADAP STRUKTUR KRISTAL LAPISAN TIPIS ZnO Ayu Mutia 1*, Iwan Sugihartono 1*, Anggara Budi Susila 1, Maykel Manawan 2 1 Jurusan Fisika, FMIPA, Universitas Negeri Jakarta
Lebih terperinciSIFAT OPTIK DARI FILM TIPIS BARIUM STRONSIUM TITANAT MENGGUNAKAN KARAKTERISASI SPEKTROSKOPI ULTRAVIOLET- VISIBLE. TaufiqHidayat*, Rahmi Dewi, Krisman
SIFAT OPTIK DARI FILM TIPIS BARIUM STRONSIUM TITANAT MENGGUNAKAN KARAKTERISASI SPEKTROSKOPI ULTRAVIOLET- VISIBLE TaufiqHidayat*, Rahmi Dewi, Krisman Jurusan Fisika FakultasMatematikadanIlmuPengetahuanAlamUniversitas
Lebih terperinciPENGARUH DAYA PLASMA PADA STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING
134 Prosiding Pertemuan Ilmiah XXIV HFI Jateng & DIY, Semarang 10 April 2010 hal. 134-138 PENGARUH DAYA PLASMA PADA STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING
Lebih terperinciANALISIS ENERGY GAP DAN INDEKS BIAS LiTaO 3 DIDADAH Ga 2 O 3 BERDASARKAN METODE REFLEKTANSI
Proseding Seminar Nasional Fisika dan Aplikasinya Sabtu, 21 November 2015 Bale Sawala Kampus Universitas Padjadjaran, Jatinangor ANALISIS ENERGY GAP DAN INDEKS BIAS LiTaO 3 DIDADAH Ga 2 O 3 BERDASARKAN
Lebih terperinci2014 PEMBUATAN BILAYER ANODE - ELEKTROLIT CSZ DENGAN METODE ELECTROPHORETIC DEPOSITION
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Kebutuhan listrik dunia semakin meningkat seiring berjalannya waktu. Hal ini tentu disebabkan pertumbuhan aktivitas manusia yang semakin padat dan kebutuhan
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Komponen elektronika seperti diode, transistor dan sebuah IC. semikonduktor. Pada zaman sekarang perkembangan piranti elektronika
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Komponen elektronika seperti diode, transistor dan sebuah IC (integrated circuit) merupakan elemen-elemen yang terbuat dari semikonduktor. Pada zaman sekarang
Lebih terperinciMETODOLOGI PENELITIAN
37 METODOLOGI PENELITIAN Tempat dan Waktu Penelitian Penelitian ini dilakukan di Laboratorium Material Departemen Fisika IPB dari Bulan November 2010 sampai dengan bulan Mei 2011. Bahan dan Alat Alat yang
Lebih terperinciKARAKTERSASI STRUKTUR DAN SIFAT LISTRIK MSM BERBASIS MATERIAL ALGaN YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE PA-MOCVD
KARAKTERSASI STRUKTUR DAN SIFAT LISTRIK MSM BERBASIS MATERIAL ALGaN YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE PA-MOCVD TUGAS AKHIR Diajukan sebagai salah satu syarat memperoleh gelar sarjana di Program Studi Fisika
Lebih terperinciPreparasi Dan Penentuan Energi Gap Film Tipis TiO2:Cu Yang Ditumbuhkan Menggunakan Spin Coating
Preparasi Dan Penentuan Energi Gap Film Tipis TiO2:Cu Yang Ditumbuhkan Menggunakan Spin Coating Vita Efelina Universitas Singaperbangsa Karawang Email : vita.efelina@mail.ugm.ac.id Received February 1,
Lebih terperinciPengaruh Jumlah Mol Zinc Asetat Dyhidrate Terhadap Struktur Kristal Lapisan Tipis ZnO (0,01; 0,02 dan 0,03 mol)
Pengaruh Jumlah Mol Zinc Asetat Dyhidrate Terhadap Struktur Kristal Lapisan Tipis ZnO (0,01; 0,02 dan 0,03 mol) Lara Permata Sari 1*), Erfan Handoko 2, Iwan Sugihartono 3 1 Jurusan Fisika, Fakultas Matematika
Lebih terperinciPenumbuhan Film Tipis Semikonduktor Ferromagnetik GaN:Mn Menggunakan Metode Plasma Assisted Metal Organic Chemical Vapor Deposition (PA-MOCVD)
Penumbuhan Film Tipis Semikonduktor Ferromagnetik GaN:Mn Menggunakan Metode Plasma Assisted Metal Organic Chemical Vapor Deposition (PA-MOCVD) Oleh Budi Mulyanti 30201015 Tim Pembimbing Dr. Sukirno Prof.
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. pembuatan piranti optoelektronika yang berkualitas tinggi.
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Sejak ditemukannya silikon (Si) dan germanium (Ge) sebagai material semikonduktor, berbagai penelitian dilakukan untuk memperoleh material semikonduktor lain
Lebih terperinciPENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL (µc Si:H) TIPE-P DENGAN METODE HOT WIRE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (HW-PECVD)
Bimafika, 2010, 2, 134-140 PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL (µc Si:H) TIPE-P DENGAN METODE HOT WIRE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (HW-PECVD) Marwah * FKIP Unversitas Darussalam
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. disamping memberikan dampak positif yang dapat. dirasakan dalam melakukan aktifitas sehari hari, juga dapat memberikan beberapa
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Pada saat ini pembangunan mengalami pertumbuhan yang sangat pesat, seperti pembangunan fisik kota, industri dan transportasi. Pada pertumbuhan pembangunan tersebut
Lebih terperinciSIFAT OPTIK LiTaO 3 DIDADAH Ga 2 O 3 BERDASARKAN METODE TAUC PLOT
Proseding Seminar Nasional Fisika dan Aplikasinya Sabtu, 21 November 2015 Bale Sawala Kampus Universitas Padjadjaran, Jatinangor SIFAT OPTIK LiTaO 3 DIDADAH Ga 2 O 3 BERDASARKAN METODE TAUC PLOT GABY CHARLA
Lebih terperinciDeskripsi METODE UNTUK PENUMBUHAN MATERIAL CARBON NANOTUBES (CNT)
1 Deskripsi METODE UNTUK PENUMBUHAN MATERIAL CARBON NANOTUBES (CNT) Bidang Teknik Invensi Invensi ini berhubungan dengan metode untuk penumbuhan material carbon nanotubes (CNT) di atas substrat silikon
Lebih terperinciSTUDI EFEK FOTOVOLTAIK DAN PIROELEKTRIK Ba 0,75 Sr 0,25 TIO 3 (BST) YANG DIDADAH GALIUM (BGST) DI ATAS SUBSTRAT SI (100) TIPE-P ERDIANSYAH PRATAMA
STUDI EFEK FOTOVOLTAIK DAN PIROELEKTRIK Ba 0,75 Sr 0,25 TIO 3 (BST) YANG DIDADAH GALIUM (BGST) DI ATAS SUBSTRAT SI (100) TIPE-P ERDIANSYAH PRATAMA DEPARTEMEN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN. perlakuan panas atau annealing pada lapisan sehingga terbentuk butiran-butiran
BAB III METODOLOGI PENELITIAN 3.1 Metode penelitian Metode penelitian yang digunakan pada penelitian ini adalah eksperimen dengan membuat lapisan tipis Au di atas substrat Si wafer, kemudian memberikan
Lebih terperinciPenentuan Energi Celah Pita Optik Film TiO2 Menggunakan Metode Tauc Plot
Prosiding Seminar Sains dan Teknologi ISSN XXXX-XXXX Penentuan Energi Celah Pita Optik Film TiO Menggunakan Metode Tauc Plot Rizqa Daniyati *, Vicran Zharvan, Nur Ichsan, Yono Hadi Pramono, Gatot Yudoyono
Lebih terperinciPENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se 0,4 Te 0,6 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM
Pengaruh Suhu Substrat...(Vina Hentri Tunita N.)288 PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se 0,4 Te 0,6 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM THE EFFECT OF SUBSTRATE
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. energi cahaya (foton) menjadi energi listrik tanpa proses yang menyebabkan
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Sel surya merupakan suatu piranti elektronik yang mampu mengkonversi energi cahaya (foton) menjadi energi listrik tanpa proses yang menyebabkan dampak buruk terhadap
Lebih terperinciFabrikasi Lapisan TiO 2 menggunakan Metode Spin-Coating dengan Variasi Pengadukan dan Karakterisasi Sifat Optisnya
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 11, NOMOR 1 JANUARI 2015 Fabrikasi Lapisan TiO 2 menggunakan Metode Spin-Coating dengan Variasi Pengadukan dan Karakterisasi Sifat Optisnya Vicran Zharvan, Risqa Daniyati,
Lebih terperinciSTUDI TENTANG PENGARUH JARAK (SPACER) TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn ) HASIL PREPARASI TEKNIK EVAPORASI VAKUM
Studi tentang Pengaruh...(Wida Afosma)385 STUDI TENTANG PENGARUH JARAK (SPACER) TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn ) HASIL PREPARASI TEKNIK EVAPORASI VAKUM STUDY ABOUT THE EFFECT OF SPACER TO CRYSTAL
Lebih terperinciKarakterisasi Bentuk Partikel SiC yang Dilapisi dengan MgAl 2 O 4 Berdasarkan Variabel Konsentrasi Ion Logam
Karakterisasi Bentuk Partikel SiC yang Dilapisi dengan MgAl 2 O 4 Berdasarkan Variabel Konsentrasi Ion Logam HALLEY HENRIONO UTOMO 110610063 Dosen Pembimbing Dr. M. Zainuri, M.Si Jurusan Fisika Fakultas
Lebih terperinciBAB 1 PENDAHULUAN 1.1. LATAR BELAKANG
BAB 1 PENDAHULUAN 1.1. LATAR BELAKANG Paduan Fe-Al merupakan material yang sangat baik untuk digunakan dalam berbagai aplikasi terutama untuk perlindungan korosi pada temperatur tinggi [1]. Paduan ini
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Oksida konduktif transparan atau transparent conductive oxide (TCO)
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Oksida konduktif transparan atau transparent conductive oxide (TCO) adalah semikonduktor yang memiliki lebar celah pita energi antara 2,5 4,5 ev (Dengyuan, 2005).
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN
BAB III METODOLOGI PENELITIAN 3.1 Tahapan Penelitian Tahapan penelitian yang dilakukan dalam tugas akhir ini dapat digambarkan dalam diagram alir di bawah ini: Mulai Studi Literatur Persiapan Sampel Pembuatan
Lebih terperinciStruktur Double Barrier Untuk Aplikasi Pada Divais Silikon Amorf
Kontribusi Fisika Indonesia Vol. No., Januari 00 Struktur Double Barrier Untuk Aplikasi Pada Divais Silikon Amorf Ida Hamidah dan Wilson W. Wenas Laboratorium Riset Semikonduktor, Jurusan Fisika ITB Jl.
Lebih terperinciLAPORAN TUGAS AKHIR PEMBUATAN GELAS TRANSPARAN FTO SEBAGAI BAHAN BAKU SEL SURYA
LAPORAN TUGAS AKHIR PEMBUATAN GELAS TRANSPARAN FTO SEBAGAI BAHAN BAKU SEL SURYA Disusun Oleh: EVALIKA ASTUTI FAUZIAH I 8310031 FITRI NUR PRATIWI I 8310033 PROGRAM STUDI DIPLOMA III TEKNIK KIMIA FAKULTAS
Lebih terperinciANALISISIS ENERGY GAP DAN INDEKS BIAS FILM TIPIS Ba 0,5 Sr 0,5 TiO 3 DIDADAH Ga 2 O 3 BERDASARKAN METODE REFLEKTANSI
Proseding Seminar Nasional Fisika dan Aplikasinya Sabtu, 21 November 2015 Bale Sawala Kampus Universitas Padjadjaran, Jatinangor ANALISISIS ENERGY GAP DAN INDEKS BIAS FILM TIPIS Ba 0,5 Sr 0,5 TiO 3 DIDADAH
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. energi listrik. Pemanfaatan energi listrik terus berkembang tidak hanya berfokus
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Seiring pertumbuhan penduduk di dunia yang semakin meningkat, kebutuhan akan sumber energi meningkat pula. Termasuk kebutuhan akan sumber energi listrik. Pemanfaatan
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Nanoteknologi adalah ilmu yang mempelajari, menciptakan dan merekayasa material berskala nanometer dimana terjadi sifat baru. Kata nanoteknologi berasal dari
Lebih terperinciPengaruh Optis Kontak Belakang terhadap Parameter Optis Lapisan a-si:h
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 8, NOMOR 2 JUNI 2012 Pengaruh Optis Kontak Belakang terhadap Parameter Optis Lapisan a-si:h Ismail dan Eddy Yahya Jurusan Fisika-FMIPA, Institut Teknologi Sepuluh Nopember
Lebih terperinciSIDANG TUGAS AKHIR. Jurusan Teknik Material & Metalurgi Fakultas Teknologi Industri Institut Teknologi Sepuluh Nopember
SIDANG TUGAS AKHIR Arisela Distyawan NRP 2709100084 Dosen Pembimbing Diah Susanti, S.T., M.T., Ph.D Jurusan Teknik Material & Metalurgi Fakultas Teknologi Industri Institut Teknologi Sepuluh Nopember Sintesa
Lebih terperinciDiterima April 2005, disetujui untuk dipublikasi Nopember 2005
Karakteristik Struktur dan Listrik Film Tipis GaN yang Ditumbuhkan di atas Substrat Si(111) dengan Metode Plasma Assisted-Metalorganic Chemical Vapor Deposition (PA-MOCVD) Heri Sutanto 1,), Agus Subagio
Lebih terperinciPENGEMBANGAN LAPISAN TIPIS TEMBAGA OKSIDA SEBAGAI BEAM DIVIDER PADA PERANGKAT PRAKTIKUM FISIKA (OPTIKA) DI MADRASAH/SEKOLAH
PENGEMBANGAN LAPISAN TIPIS TEMBAGA OKSIDA SEBAGAI BEAM DIVIDER PADA PERANGKAT PRAKTIKUM FISIKA (OPTIKA) DI MADRASAH/SEKOLAH Bebeh Wahid Nuryadin Jurusan Fisika, Fakultas Sains dan Teknologi, UIN Sunan
Lebih terperinci