Penumbuhan Lapisan Tipis µc-si:h Tipe-P dengan Metode HW-PECVD untuk Aplikasi Sel Surya
|
|
- Hartanti Gunawan
- 7 tahun lalu
- Tontonan:
Transkripsi
1 Penumbuhan Lapisan Tipis µc-si:h Tipe-P dengan Metode HW-PECVD untuk Aplikasi Sel Surya Jasruddin, Abdul Haris, dan Helmi Departemen Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Negeri Makassar, Makasar Diterima 19 Februari 2009, disetujui untuk dipublikasikan 16 Maret 2009 Abstrak Lapisan tipis silikon mikrokristal terhidrogenasi (µ C Si:H) tipe-p telah berhasil ditumbuhkan pada reaktor hot wire plasma enhanced chemical vapor deposition (HW-PECVD) dengan menggunakan gas silan (SiH 4 ) dan gas diboron (B 2 H 6 ) yang masing-masing dilarutkan 10% dalam hidrogen (H 2 ) sebagai sumber gas. Lapisan tipis yang telah ditumbuhkan memiliki lebar celah pita optik yang menurun dari 1,88 ev menjadi 1,50 ev pada saat konsentrasi doping meningkat dari 0,5% ke 2,0% pada tegangan filamen 4,5 volt dan daya RF 100 watt. Konduktivitas gelap dan terang lapisan tipis cukup tinggi, yaitu masing-masing pada orde Scm -1, dan Scm -1. Konduktivitas ini lebih tinggi dua orde dari konduktivitas lapisan tipis a-si:h tipe-p yang ditumbuhkan dengan teknik PECVD tanpa filamen panas (hot-wire). Dengan demikian lapisan tipis yang dihasilkan dalam studi ini baik untuk aplikasi sel surya dan divais mikroelektronik lainnya. Kata kunci: Celah optik, Filamen panas, Konduktivitas, Tipe-p Abstract Thin film of microcrystal silicon hydrogenated (µ C -Si:H) p-type has been successfully grown in a hot-wire plasma enhanced chemical vapor deposition (HW-PECVD) by using silane gas (SiH 4 ) and diborane (B 2 H 6 ) diluted in 10% H 2 respectively as gas resources. The resulted thin film have optical band gap decreased from 1.88 ev to 1.50 ev as the dopant concentration increased from 0.50% to 0.20% on filament voltage of 4.5 volt and RF power of 100 watt. Dark and photo conductivities of the film were found significantly high, in the order of Scm -1 and Scm -1 respectively. The conductivity is two order higher than thin film a-si:h p-type grown using PECVD technique without hot-wire. It is concluded that the thin film produced in this study is suitable for solar cell application and other microelectronic devices. Keywords: Optical band gap, Hot-wire, Conductivity, P-type 1. Pendahuluan Para ahli energi memprediksikan bahwa dalam kurun waktu tahun ke depan, dunia akan mengalami krisis energi yang berasal dari minyak bumi secara serius, bahkan tidak menutup kemungkinan akan habis. Masalah lain yang muncul akibat penggunaan energi dari minyak bumi adalah munculnya isu peningkatan gas emisi, khususnya gas karbondioksida (CO 2 ) di udara. Ini berarti bahwa pengembangan sumber energi yang jumlahnya tak terbatas serta ramah lingkungan adalah suatu keharusan. Salah satu sumber energi yang memenuhi syarat tersebut adalah energi matahari. Energi matahari tersedia sepanjang masa dan mampu meradiasikan energi sebesar 4 x watt jam setiap hari. Alat yang dapat mengubah energi matahari menjadi energi listrik arus DC secara langsung disebut sel surya atau photovoltaic. Sel surya pertama kali dikembangkan dengan menggunakan bahan silikon kristal (c-si). Namun demikian, akhir-akhir ini para ahli dalam bidang sel surya banyak yang tertarik mengembangkan sel surya dari material lain, diantaranya silikon amorf terhidrogenasi (a-si:h). Hal ini disebabkan karena temperatur penumbuhan material c-si sangat tinggi sehingga hanya dapat ditumbuhkan pada wafer silikon yang harganya mahal dan persediaannya tidak cukup pada saat sel surya diproduksi dalam jumlah yang sangat besar sehingga menyebabkan biayanya menjadi mahal. Lapisan tipis a-si:h yang ditumbuhkan dengan teknik plasma enhanced chemical vapor deposition (PECVD) adalah material yang baik untuk pengembangan divais elektronik dan optoelektronik, seperti sel surya, thin film transistor, fotoreseptor, sensor warna, thin film light emitting diode dan lainlain (Matsui dkk., 2002; Malago dkk., 2000). Ini 9
2 10 JURNAL MATEMATIKA DAN SAINS, MARET 2009, VOL. 14 NO. 1 disebabkan karena material a-si:h mempunyai koefisien absorpsi cahaya yang tinggi (10 6 cm -1 ), celah pita optik lebar (1,7eV 2,0eV), temperatur penumbuhan rendah (200 o C), dan dapat ditumbuhkan pada substrat gelas yang harganya murah dan persediannya melimpah. Dengan demikian maka a-si:h menjadi material yang murah untuk diaplikasikan pada berbagai divais semikonduktor jika dibandingkan dengan silikon kristal (c-si) yang mempunyai celah pita optik 1,12eV, dan koefisien absorpsi 10 4 cm -1 (Mukhopadhyay dkk., 2001; Street, 1991). Kelemahan lapisan tipis a-si:h adalah konduktivitas listriknya rendah, yaitu Scm -1, sedangkan konduktivitas listrik c-si adalah 10-4 Scm Scm -1 (Matsui dkk., 2002; Mukhopadhyay, 2001). Untuk meningkatkan konduktivitas listrik lapisan tipis a-si:h dapat dilakukan dengan beberapa teknik, diantaranya yang saat ini baru dikembangkan adalah melalui penumbuhan dengan menggunakan teknik hotwire chemical vapor deposition (HW-CVD). Dengan teknik ini, Klein dkk. (2002) berhasil menumbuhkan lapisan tipis a-si:h yang berfasa mikrokristal dengan konduktivitas listrik 10-6 Scm Scm -1 dan laju deposisi tinggi, yaitu 4 Ås -1. Laboratorium Fisika material elektronik (Fismatel) Departemen Fisika Institut Teknologi Bandung (ITB) dimana peneliti terlibat didalamnya telah berhasil mengembangkan reaktor PECVD yang dilengkapi filamen panas antara elektroda katodaanoda. Reaktor ini disebut hot-wire PECVD (HW- PECVD). Kelebihan HW-PECVD dibandingkan HW- CVD adalah temperatur substrat masih tetap rendah, sehingga lapisan tipis dapat ditumbuhkan pada berbagai jenis substrat. Laboratorium Fismatel juga telah berhasil mengembangkan parameter baru penumbuhan lapisan tipis a-si:h pada reaktor PECVD dengan celah pita optik lebar, yaitu 2,04 ev (Syamsu dkk. 2000). Melalui kombinasi parameter baru dan teknik HW-PECVD seperti tersebut di atas, dalam studi ini telah dikembangkan lapisan tipis µc-si:h tipe-p dengan konduktivitas dan laju deposisi tinggi, dan celah pita optik lebar untuk aplikasi sel surya. Lapisan tipis tipe-p yang merupakan lapisan jendela pada divais sel surya sangat mempengaruhi unjuk kerja sel surya. Dengan kata lain, pengembangan lapisan tipe-p adalah sesuatu yang mutlak dilakukan dalam upaya meningkatkan unjuk kerja sel surya. 2. Metode Eksperimen Sistem Hot Wire Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (Hot Wire PECVD) dikembangkan dari sistem PECVD untuk penumbuhan lapisan tipis silikon amorf terhidrogenasi (a-si:h) dan silikon mikrokristal terhidrogenasi (µc-si:h). Sistem Hot Wire PECVD adalah sistem PECVD yang ditambahkan dengan filamen panas, yaitu filamen berupa kawat lurus yang diletakkan membentang diantara kedua elektroda dan dihubungkan dengan sumber tegangan. Selama proses penumbuhan lapisan tipis, filamen dipanaskan dengan suplai daya listrik secara langsung dan temperaturnya dipertahankan konstan selama eksperimen berlangsung. Dalam studi ini, lapisan tipis µc-si:h tipe-p ditumbuhkan di atas gelas Corning 7059 dengan teknik HW-PECVD yang ada di Laboratorium Fisika Material Jurusan Fisika Institut Teknologi Bandung (ITB). Skema reaktor HW-PECVD disajikan pada Gambar 1. Gambar 1. Skema sistem reaktor HW-PECVD. Gas Silan (SiH 4 ) yang dilarutkan 10% dalam hidrogen (H 2 ) dan gas B 2 H 6 sebagai dopan telah digunakan sebagai sumber gas. Tekanan reaktor sebelum penumbuhan adalah 10-4 Torr, sedangkan tekanan selama penumbuhan berlangsung dipertahankan pada 10-1 Torr. Temperatur substrat dipertahankan pada 200 o C, frekuensi radio (RF) 13,56 MHz dengan daya 100 watt, dan tegangan filamen (VF) dipertahankan pada 4,5 volt, dan prosentase doping bervariasi dari 0,5%-2,0% pada laju aliran gas SiH 4 sebesar 90 sccm. Lapisan tipis yang telah ditumbuhkan selanjutnya diukur konduktivitas gelap dan terangnya dengan teknik koplanar dan menggunakan lampu Xenon sebagai sumber cahaya. Celah pita optik lapisan dihitung dengan menggunakan metode Tauc dari data transmitansi yang diukur dengan spektroskopi UV-Vis. Untuk mengamati perubahan struktur fasa lapisan tipis µc-si:h tipe-i, telah dilakukan pengukuran bagian permukaan lapisan dengan menggunakan Scanning Electron Microscopy (SEM), sedangkan untuk mengetahui orientasi kristal, dilakukan pengukuran spektrum dengan X-Ray Diffraction (XRD). 3. Hasil dan Pembahasan 3.1 Hasil pengukuran transmitansi Dari Gambar 2 di bawah ini terlihat bahwa untuk lapisan tipis µc-si:h tanpa doping (intrinsik,
3 Jasruddin dkk, Penumbuhan Lapisan Tipis µc-si:h Tipe-P dengan Metode HW-PECVD 11 tipe-i), lapisan tipis tersebut dapat meneruskan cahaya tampak sebesar 5,2%-85,4% pada panjang gelombang antara nm. Pada saat diberikan doping sebesar 0,5%, transmitansi lapisan relatif tidak mengalami perubahan. Pada saat persentase doping ditingkatkan menjadi 1,0%; transmitansi lapisan mengalami penurunan, yaitu hanya dapat meneruskan cahaya tampak sebesar 5,5% 70% pada daerah panjang gelombang 600 nm 780 nm. Untuk doping 1,5%; lapisan hanya dapat meneruskan cahaya tampak sebesar 3,5% 55,9% pada daerah panjang gelombang 670 nm 820 nm, sedangkan pada saat persentase doping 2,0%; lapisan tipis hanya dapat meneruskan cahaya tampak 3,5% 45% pada daerah panjang gelombang 678 nm 820 nm. Dengan kata lain, untuk kondisi ini, semakin besar persentase doping, transparansi lapisan tipis semakin menurun. Ini berarti celah pita optik lapisan tersebut menurun seiring dengan meningkatnya konsentrasi atom boron dalam lapisan. Hal ini sesuai dengan hasil pengukuran celah pita optik seperti terlihat pada Gambar 3. Penurunan transmitansi ini disebabkan oleh terjadinya peningkatan keadaan terlokalisasi akibat pelepasan kembali ikatan hidrogen pada saat terjadi ikatan Si-B (silikon-boron) dan bertambah acaknya panjang rantai ikatan antara atom-atom. Ini dapat dipahami sebab energi ikat antara Si-B lebih besar dari energi ikat Si-H. Transmitansi (%) Uc-Si:H Doping 0,5% Doping 1,0% ο Doping 1,5% Doping 2,0% Panjang Gelombang (nm) Gambar 2. Grafik transmitansi lapisan tipis µ C -Si:H tipe-p sebagai fungsi dari panjang gelombang untuk prosentase doping diboron 0%; 0,5%; 1,5%; dan 2,0%, daya RF=100 watt, V F = 4,5 volt, dan Q SiH4 = 90 sccm. Dari Gambar 2 juga terlihat bahwa terjadi interference fringe pada semua lapisan. Interference fringe terjadi sebagai efek dari ketebalan lapisan. Semakin tinggi atau semakin banyak jumlah interference fringe pada interval panjang gelombang tertentu mengindikasikan ketebalan lapisan. Dari pola interference fringe pada Gambar 2 menunjukkan bahwa ketebalan lapisan dalam studi ini relatif sama. 3.2 Hasil perhitungan celah pita optik, laju deposisi, dan konduktivitas Gambar 3. Grafik laju penumbuhan dan celah pita optik lapisan tipis µ C -Si:H tipe-p sebagai fungsi dari prosentase doping B 2 H 6, V F = 4,5 volt, daya RF = 100 watt dan Q SiH4 = 90 sccm. Gambar 3 memperlihatkan bahwa, semakin besar prosentase doping, celah pita optik menurun dan laju penumbuhan (laju deposisi) lapisan meningkat untuk prosentase doping meningkat dari 0,5 1,0%. Pada saat prosentase doping lebih besar dari 1,0%; laju deposisi menurun. Penurunan laju deposisi ini diduga akibat meningkatnya pelepasan atom hidrogen pada saat atom hidrogen lebih reaktif selama proses penumbuhan. Ikatan hidrogen yang paling mungkin terlepas adalah ikatan treehidrid dan dihidrid. Hal ini juga yang menyebabkan turunnya celah pita optik. Namun demikian, dengan masuknya atom boron, berarti satu elektron pada kulit terluar dari Boron akan diberikan kepada Silikon untuk dipakai bersama dengan membentuk ikatan kovalen. Ini berarti akan terbentuk muatan bebas positif yang disebut hole. Hal inilah yang menyebabkan terjadinya peningkatan konduktivitas gelap maupun konduktivitas terang lapisan tipis µ C -Si:H tipe-p seperti terlihat pada Gambar 4 di bawah ini. Konduktivitas (Scm -1 ) Laju Deposisi (Ås -1 ) 1x x10-1 1x10-2 1x10-3 1x10-4 1x10-5 1x10-6 1x10-7 1x10-8 1x10-9 1x10-10 [B2H6/SiH4] (%) [B2H6/SiH4] (%) Gambar 4. Hasil pengukuran konduktivitas gelap dan konduktivitas terang lapisan tipis µ C -Si:H tipe-p sebagai fungsi dari persentase doping B 2 H 6, daya RF = 100 watt, V G = 4,5 volt, dan Q SiH4 = 90 sccm. Celah Pita Optik (ev)
4 12 JURNAL MATEMATIKA DAN SAINS, MARET 2009, VOL. 14 NO. 1 Dari Gambar 4 di atas terlihat bahwa konduktivitas gelap adalah dalam orde Scm -1, sedangkan konduktivitas terangnya adalah dalam orde Scm -1. Konduktivitas lapisan tipis µ C -Si:H tipe-p ini lebih tinggi dua orde daripada konduktivitas lapisan tips silikon amorf terhidrogenasi (a-si:h) tipep yang ditumbuhkan dengan teknik PECVD (tanpa Hot-Wire). Peningkatan konduktivitas lapisan tipis µ C - Si:H tipe-p disebabkan oleh menurunnya cacat di ekor pita akibat munculnya fasa mikrokristal diantara fasa amorf. Dengan demikian, perangkap elektron di daerah ekor pita berkurang dan dengan sendirinya mobilitas pembawa muatan meningkat. Kehadiran daerah mikrokristal dalam lapisan diperlihatkan oleh hasil pengukuran struktur permukaan lapisan seperti terlihat pada Gambar Hasil pengukuran permukaan lapisan tipis dengan SEM Pada saat atom hidrogen terinkorporasi ke dalam matriks silikon, ternyata juga dapat meningkatkan jumlah dan ukuran butir mikrokristal dalam lapisan, seperti terlihat dari hasil SEM pada Gambar 5 di bawah ini. Penyebab terjadinya jumlah dan ukuran butir ini belum dapat ditentukan. Untuk memastikannya masih diperlukan studi lanjut. (a) (b) Tipe-p; 1,0% Tipe-p; 2,0% Gambar 5. (a) Hasil pengukuran surface lapisan tipis a-si:h yang ditumbuhkan pada daya 80 watt dan 100 watt. (b) Profil permukaan lapisan tipis µ C -Si:H tipe-p yang ditumbuhkan pada konsentrasi doping B 2 H 6 1,0% dan 2,0%; daya RF = 100 watt, V F = 4,5 volt, dan Q SiH4 = 90 sccm.
5 Jasruddin dkk, Penumbuhan Lapisan Tipis µc-si:h Tipe-P dengan Metode HW-PECVD 13 Dari Gambar 5 di atas terlihat dengan jelas bahwa ukuran butir lapisan tipis µ C -Si:H tipe-p lebih banyak dan lebih besar daripada ukuran butir lapisan tipis µ C -Si:H tipe-i. Secara teoritis, jika daerah mikrokristal diantara daerah amorf bertambah, dan ukuran butir semakin besar, maka mobilitas pembawa muatan dalam lapisan akan semakin tinggi, dengan kata lain, konduktivitas lapisan tersebut akan lebih tinggi. Ini berarti, karakteristik lapisan tersebut telah mendekati karakteristik kristal silikon, sedangkan sifat optiknya masih dapat dipertahankan. Hal inilah yang merupakan keunggulan material µ C -Si:H yang ditumbuhkan dengan teknik HW-PECVD. 3.4 Hasil pengukuran spektrum lapisan dengan X-Ray Diffraction Intensitas (counts) Theta 2 Theta (derajat) ( o ) Gambar 6. Spektrum hasil XRD lapisan tipis µ C -Si:H tipe-p dengan konsentrasi doping B 2 H 6 dalam SiH 4 sebesar 1,5%. Gambar 6 memperlihatkan spektrum XRD lapisan tipis yang ditumbuhkan dengan metode Hot Wire PECVD di atas gelas Corning Dari gambar tersebut terlihat adanya puncak difraksi pada sudut 2 theta secara berturut-turut 28,41; 47,35; 56,12; dan 69,10 dengan orientasi secara berturut turut <111>, <220>, <311>, dan <400>. Dari ukuran butir yang diindikasikan oleh intensitas (counts) mengindikasikan bahwa lapisan tipis tipe-p yang ditumbuhkan dengan metode HW-PECVD pada tekanan 100 mtorr, temperatur substrat 200 o C, frekuensi radio (RF) 13,56 MHz, daya pembangkit 100 watt, tegangan filamen (VF) 4,5 volt adalah lapisan tipis mikrokristal silikon terhidrogenasi (µ C -Si:H) (Ichikawa dkk., 1999). 5. Kesimpulan 28,41 <111> 47,35 <220> 56,12 <311> 69,10 <400> Dari hasil dan pembahasan di atas, dapat disimpulkan bahwa penelitian ini telah berhasil menumbuhkan lapisan tipis µ C -Si:H tipe-p dengan celah pita optik lebar yang bersesuaian dengan panjang gelombang cahaya tampak dari matahari, yaitu pada interval 1,5 1,88 ev. Konduktivitas lapisan tipis tipe-p yang dihasilkan juga cukup tinggi, yaitu pada orde Scm -1. Konduktivitas ini lebih tinggi dua orde dari konduktivitas lapisan tipis a-si:h, yaitu Scm -1 Penambahan filamen panas (hot wire) pada sistem PECVD efektif meningkatkan laju penumbuhan (deposisi) lapisan tipis sehingga mencapai antara 1,76-2,54 Ås -1. Laju deposisi ini lebih tinggi daripada laju deposisi lapisan tipis amorphous silikon pada PECVD tanpa penambahan filamen panas. Dengan celah pita optik lebar, konduktivitas listrik dan laju deposisi tinggi seperti ini, maka lapisan tipis µ C -Si:H tipe-p yang dihasilkan dalam studi ini sangat baik untuk aplikasi sel surya dan divais optoelektronik lainnya. Ucapan Terima kasih Peneliti mengucapkan terima kasih kepada Deputi Kementrian Riset dan Teknologi Republik Indonesia yang telah membiayai penelitian ini melalui progran Pengembangan Riset Sains Dasar MIPA. Hal yang sama disampaikan kepada kepala Laboratorium PECVD Fismatel Jurusan Fisika ITB yang telah pendukung telaksananya penelitian ini. Daftar Pustaka Ichikawa, M., J., Takeshita, A., Yamada, and M., Konagai, (1999), High Deposition Rate of Polycrystalline Silicon Thin Films Prepared by Hot Wire Cell Method, Jpn. J. Appl. Phys., 38, Malago, J. D., W. W. Wenas, T. Winata, and M. Barmawi, 2000, Growth Study of Wide Bandgap a-si:h and a-sin:h by PECVD Method For Application in Thin Film Transistor, Proceedings, 2000 International Conference on Semiconductor Electronics (ICSE 2000), Malaysia, Matsui, T., M. Tsukiji. H. Saika, T. Tayoma and H. Okamoto, 2002, Correlation between Microstructure and Photovoltaic Performance of Polycrystalline Silicon Thin Film Solar Cells, Jpn. J. Appl. Phys., 41:1:1, Mukhopadhyay, S., S. C. Saha and S. Ray, 2001, Role of Substrate Temperature on the Properties of Microcrystalline Silicon Thin Films, Jpn. J. Appl. Phys., 40:1:11, Klein, S., J. Wolf, F. Finger, R. Carius, H. Wagner, and M. Stutzmann, 2002, Microcrystalline Silicon Prepared by Hot-Wire Chemical Vapour Deposition for Thin Film Solar Cell Applications, Jpn. J. Appl. Phys., 41:2:1A/B, Street, R.A., 1991, Hydrogenated Amorphous Silicon, Cambridge University Press, Cambridge.
6 14 JURNAL MATEMATIKA DAN SAINS, MARET 2009, VOL. 14 NO. 1 Syamsu, J. D. Malago, A. Supu, Darsikin, Gulvarendi, T. Winata, dan M. Barmawi, 2000, Studi Awal Penumbuhan Lapisan Tipis Silikon Amorf Terhidrogenasi Dengan Metoda Hot-Wire PECVD, Prosiding Simposium Fisika Nasional XVIII, Puspitek-Serpong, Tangerang,
BAB I PENDAHULUAN. Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi energi listrik DC secara langsung. Sel surya telah diaplikasikan dalam berbagai bidang, salah
Lebih terperinciPENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL (µc Si:H) TIPE-P DENGAN METODE HOT WIRE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (HW-PECVD)
Bimafika, 2010, 2, 134-140 PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL (µc Si:H) TIPE-P DENGAN METODE HOT WIRE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (HW-PECVD) Marwah * FKIP Unversitas Darussalam
Lebih terperinciStudi Optimasi Parameter Daya RF untuk Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Metode Hot Wire Cell PECVD
PROC. ITB Sains & Tek. Vol. 37 A, No. 1, 2005, 13-22 13 Studi Optimasi Parameter Daya RF untuk Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Metode Hot Wire Cell PECVD S. Amiruddin 1), I. Usman
Lebih terperinciHomogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-si:h tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 8, NOMOR JANUARI 202 Homogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-si:h tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD
Lebih terperinciOptimasi Parameter Tekanan Deposisi untuk Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Metode HWC PECVD
Optimasi Parameter Tekanan Deposisi untuk Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Metode HWC PECVD Amiruddin Supu 1), I Wayan Sukarjita 1), Fakhruddin 1), Suryani Arsyad Fitri 2), Toto Winata
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini terlihat dari banyaknya komponen semikonduktor yang digunakan disetiap kegiatan manusia.
Lebih terperinciPENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL TERHIDROGENASI DENGAN TEKNIK HWC-VHF-PECVD
Reaktor, Vol. 13 No. 1, Juni 2010, Hal. 31-36 PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL TERHIDROGENASI DENGAN TEKNIK HWC-VHF-PECVD Ida Usman 1*), Darwin Ismail 1), Heri Sutanto 2) dan Toto Winata 3)
Lebih terperinciKontribusi Fisika Indonesia Vol. 12, No.3, Juli 2001
Kontribusi Fisika Indonesia Vol. 12, No.3, Juli 2001 Pengaruh Terhadap Tingkat Kestabilan Efisiensi Sel Surya p-i-n a-si:h Doping Delta Amiruddin Supu 1), Dilla M. 2), Jasruddin Daud Malago 3), Fitri Suryani
Lebih terperinciAnalisis Sifat-sifat Optoelektronik Lapisan Tipis Silikon Amorf terhidrogenasi yang ditumbuhkan dengan Teknik VHF-PECVD pada Variasi Daya RF
Jurnal Matematika dan Sains Vol. 1 No. 2, Juni 25, hal 63-68 Abstrak Analisis Sifat-sifat Optoelektronik Lapisan Tipis Silikon Amorf terhidrogenasi yang ditumbuhkan dengan Teknik VHF-PECVD pada Variasi
Lebih terperinciPengaruh Ketebalan Lapisan Aktif terhadap Karakteristik Sel Surya Berbasis a-si:h yang Ditumbuhkan dengan Teknik HWC-VHF-PECVD
Pengaruh Ketebalan Lapisan Aktif terhadap Karakteristik Sel Surya Berbasis a-si:h yang Ditumbuhkan dengan Teknik HWC-VHF-PECVD Ida Usman 1) dan Toto Winata 2) 1) Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan
Lebih terperinciLaju Deposisi dan Celah Pita Energi Optik Lapisan Tipis a-si:h yang Ditumbuhkan dengan Teknik HWC-VHF-PECVD
Laju Deposisi dan Celah Pita Energi Optik Lapisan Tipis Andhy Setiawan 1), Hastiti Murti 1), Hasniah Aliah 2), Toto Winata 3) Program Studi Fisika FPMIPA Universitas Pendidkan Indonesia (UPI), Jurusan
Lebih terperinciPEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS
PEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS Syuhada, Dwi Bayuwati, Sulaiman Pusat Penelitian Fisika-LIPI, Kawasan Puspiptek Serpong Tangerang 15314 e-mail: hadda212@yahoo.com
Lebih terperinciPengaruh Optis Kontak Belakang terhadap Parameter Optis Lapisan a-si:h
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 8, NOMOR 2 JUNI 2012 Pengaruh Optis Kontak Belakang terhadap Parameter Optis Lapisan a-si:h Ismail dan Eddy Yahya Jurusan Fisika-FMIPA, Institut Teknologi Sepuluh Nopember
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban manusia di abad ini. Sehingga diperlukan suatu kemampuan menguasai teknologi tinggi agar bisa
Lebih terperinciPengaruh Kepadatan Awal Inokulum terhadap Kualitas Kultur Chaetoceros gracilis (Schütt) pada Sistem Batch
Pengaruh Kepadatan Awal Inokulum terhadap Kualitas Kultur Chaetoceros gracilis (Schütt) pada Sistem Batch Gede Suantika 1), Pingkan Adityawati 2), Dea Indriani Astuti 2), dan Yusup Sofyan 1) 1) Kelompok
Lebih terperinciSINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION
SINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION Yolanda Oktaviani, Astuti Jurusan Fisika FMIPA Universitas Andalas e-mail: vianyolanda@yahoo.co.id
Lebih terperinciPEMBUATAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI (a-si:h) UNTUK BAHAN SEL SURYA
GANENDRA, Vol.VI, N0.1 ISSN 1410-6957 PEMBUATAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI (a-si:h) UNTUK BAHAN SEL SURYA Wirjoadi, Sudjatmoko, Yunanto, Bambang Siswanto, Sri Sulamdari Puslibang Teknologi
Lebih terperinciEfek Staebler-Wronski dan Pengaruh Waktu Anil pada Lapisan Instrinsik Silikon Amorf Terhidrogenasi (a-si:h)
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 13, NOMOR 2 JUNI 2017 Efek Staebler-Wronski dan Pengaruh Waktu Anil pada Lapisan Instrinsik Silikon Amorf Terhidrogenasi (a-si:h) Yoyok Cahyono, Fuad D. Muttaqin, Umi
Lebih terperinciKarakterisasi XRD. Pengukuran
11 Karakterisasi XRD Pengukuran XRD menggunakan alat XRD7000, kemudian dihubungkan dengan program dikomputer. Puncakpuncak yang didapatkan dari data pengukuran ini kemudian dicocokkan dengan standar difraksi
Lebih terperinciBAB 1 PENDAHULUAN Latar Belakang
BAB 1 PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Memasuki abad 21, persediaan minyak dan gas bumi semakin menipis. Sementara kebutuhan akan energi semakin meningkat, terutama dirasakan pada negara industri. Kebuthan
Lebih terperinciKARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS a-si:h:b UNTUK BAHAN SEL SURYA
ISSN 40-695 KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS a-si:h:b UNTUK BAHAN SEL SURYA Bambang Siswanto, Wirjoadi, Tri Mardji Atmono, Yunanto Puslitbang Teknologi Maju Batan Yogayakarta Jl. Babarsari Kotak
Lebih terperinciStruktur Double Barrier Untuk Aplikasi Pada Divais Silikon Amorf
Kontribusi Fisika Indonesia Vol. No., Januari 00 Struktur Double Barrier Untuk Aplikasi Pada Divais Silikon Amorf Ida Hamidah dan Wilson W. Wenas Laboratorium Riset Semikonduktor, Jurusan Fisika ITB Jl.
Lebih terperinciBAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI
BAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI Pada bab ini dibahas penumbuhan AlGaN tanpa doping menggunakan reaktor PA- MOCVD. Lapisan AlGaN ditumbuhkan dengan variasi laju alir gas reaktan, hasil penumbuhan dikarakterisasi
Lebih terperinciSTRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPIS TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 S 0.8 ) HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA
J. Sains Dasar 2015 4 (2) 198-203 STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPIS TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 S 0.8 ) HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA THE STRUCTURE AND CHEMICAL
Lebih terperinciIII. METODE PENELITIAN
21 III. METODE PENELITIAN 3.1 Waktu dan Tempat Penelitian Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Agustus 2010 - Juni 2011 di Laboratorium Biofisika dan Laboratorium Fisika Lanjut, Departemen Fisika IPB.
Lebih terperinciPENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR
PENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR Penumbuhan film tipis semikonduktor di atas substrat dapat dilakukan secara epitaksi. Dalam bahasa yunani epi berarti di atas dan taksial berarti menyusun dengan kata
Lebih terperinciKARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT GELAS UNTUK JENDELA SEL SURYA
GANENDRA, Vol. V, N0.2 ISSN 1410-6957 KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT GELAS UNTUK JENDELA SEL SURYA Wirjoadi, Yunanto, Bambang Siswanto, Sri Sulamdari, Sudjatmoko Puslitbang
Lebih terperinciPENGARUH DAYA PLASMA PADA STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING
134 Prosiding Pertemuan Ilmiah XXIV HFI Jateng & DIY, Semarang 10 April 2010 hal. 134-138 PENGARUH DAYA PLASMA PADA STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING
Lebih terperinciKARAKTERISASI TiO 2 (CuO) YANG DIBUAT DENGAN METODA KEADAAN PADAT (SOLID STATE REACTION) SEBAGAI SENSOR CO 2
KARAKTERISASI TiO 2 (CuO) YANG DIBUAT DENGAN METODA KEADAAN PADAT (SOLID STATE REACTION) SEBAGAI SENSOR CO 2 Hendri, Elvaswer Jurusan Fisika FMIPA Universitas Andalas Kampus Unand, Limau Manis, Padang,
Lebih terperinciPERKEMBANGAN SEL SURYA
PERKEMBANGAN SEL SURYA Generasi Pertama Teknologi pertama yang berhasil dikembangkan oleh para peneliti adalah teknologi yang menggunakan bahan silikon kristal tunggal. Teknologi ini dalam mampu menghasilkan
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia Tenggara. Sebagai negara berkembang, Indonesia melakukan swasembada diberbagai bidang, termasuk
Lebih terperinciSTUDI DISORDER LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING
MAKARA, SAINS, VOL. 6, NO. 2, AGUSTUS 2002 STUDI DISORDER LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING Lusitra Munisa 1 dan Rosari Saleh 2 1. Program Studi Ilmu Fisika,
Lebih terperinciStruktur kristal dan Morfologi film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan metoda Hot-Wire Pulsed Laser Deposition
Struktur kristal dan Morfologi film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan metoda Hot-Wire Pulsed Laser Deposition Dadi Rusdiana Departemen Fisika, FPMIPA UPI, Jl. Dr.Setiabudi 229 Bandung, Indonesia 40154
Lebih terperinciPENGARUH OPTIMASI CELAH PITA ENERGI DAN KETEBALAN LAPISAN TIPE-i PADA EFISIENSI SEL SURYA SILIKON AMORF SAMBUNGAN p-i-n
TESIS SF142502 PENGARUH OPTIMASI CELAH PITA ENERGI DAN KETEBALAN LAPISAN TIPE-i PADA EFISIENSI SEL SURYA SILIKON AMORF SAMBUNGAN p-i-n IGNATIO BENIGNO 1115 201 008 DOSEN PEMBIMBING Prof. Dr. Darminto,
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini mengalami peralihan dari teknologi mikro (microtechnology) ke generasi yang lebih kecil yang dikenal
Lebih terperinciKarakterisasi FTIR pada Studi Awal Penumbuhan CNT dengan Prekursor Nanokatalis Ag dengan Metode HWC-VHF-PECVD
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 13, NOMOR 2 JUNI 2017 Karakterisasi FTIR pada Studi Awal Penumbuhan CNT dengan Prekursor Nanokatalis Ag dengan Metode HWC-VHF-PECVD Ajeng Eliyana 1, dan Toto Winata
Lebih terperinciModul - 4 SEMIKONDUKTOR
Modul - 4 SEMIKONDUKTOR Disusun Sebagai Materi Pelatihan Guru-Guru SMA/MA Provinsi Nangro Aceh Darussalam Disusun oleh: Dr. Agus Setiawan, M.Si Dr. Dadi Rusdiana, M.Si Dr. Ida Hamidah, M.Si Dra. Ida Kaniawati,
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Graphene merupakan susunan atom-atom karbon monolayer dua dimensi yang membentuk struktur kristal heksagonal menyerupai sarang lebah. Graphene memiliki sifat
Lebih terperinciLAPORAN EKSPERIMEN FISIKA 2 FOTOKONDUKTIVITAS. Zudah Sima atul Kubro G DEPARTEMEN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
LAPORAN EKSPERIMEN FISIKA 2 FOTOKONDUKTIVITAS Rekan Kerja : 1. Aah Nuraisah 2. Mutiara Khairunnisa 3. Dedeh Nurhayati Zudah Sima atul Kubro G74120023 Asisten : Pramudya Wardhani (G74110008) Dadi Irawan
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC)
39 HASIL DAN PEMBAHASAN Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC) Hasil karakterisasi dengan Difraksi Sinar-X (XRD) dilakukan untuk mengetahui jenis material yang dihasilkan disamping menentukan
Lebih terperinciGravitasi Vol. 15 No. 1 ISSN:
STUDI PENGARUH KONSENTRASI LARUTAN DAUN PEPAYA TERHADAP SIFAT OPTIK DAN LISTRIK SEBAGAI BAHAN PEMBUATAN LAPISAN TIPIS Ummu kalsum 1, Iqbal 2 dan Dedy Farhamsa 2 1 Jurusan Fisika Fakultas MIPA, Universitas
Lebih terperinciF- 1. PENGARUH PENYISIPAN LOGAM Fe PADA LAPISAN TiO 2 TERHADAP PERFORMANSI SEL SURYA BERBASIS TITANIA
PENGARUH PENYISIPAN LOGAM Fe PADA LAPISAN TiO 2 TERHADAP PERFORMANSI SEL SURYA BERBASIS TITANIA Rita Prasetyowati, Sahrul Saehana, Mikrajuddin Abdullah (a), dan Khairurrijal Kelompok Keahlian Fisika Material
Lebih terperinci2 SINTESIS DAN KARAKTERISASI NANOSTRUKTUR ZnO
2 SINTESIS DAN KARAKTERISASI NANOSTRUKTUR ZnO 3 Pendahuluan ZnO merupakan bahan semikonduktor tipe-n yang memiliki lebar pita energi 3,37 ev pada suhu ruang dan 3,34 ev pada temperatur rendah dengan nilai
Lebih terperinciGambar Semikonduktor tipe-p (kiri) dan tipe-n (kanan)
Mekanisme Kerja Devais Sel Surya Sel surya merupakan suatu devais semikonduktor yang dapat menghasilkan listrik jika diberikan sejumlah energi cahaya. Proses penghasilan energi listrik itu diawali dengan
Lebih terperinciDAFTAR ISI. PERNYATAAN BEBAS PLAGIARISME... ii. HALAMAN PENGESAHAN... iii. HALAMAN TUGAS... iv. HALAMAN PERSEMBAHAN... v. HALAMAN MOTO...
ix DAFTAR ISI PERNYATAAN BEBAS PLAGIARISME... ii HALAMAN PENGESAHAN... iii HALAMAN TUGAS... iv HALAMAN PERSEMBAHAN... v HALAMAN MOTO... vi KATA PENGANTAR... vii DAFTAR ISI... ix DAFTAR TABEL... xiii DAFTAR
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. I.1 Latar Belakang Kebutuhan akan energi semakin berkembang seiring dengan
BAB I PENDAHULUAN I.1 Latar Belakang Kebutuhan akan energi semakin berkembang seiring dengan berkembangnya kehidupan manusia. Sehingga para peneliti terus berupaya untuk mengembangkan sumber-sumber energi
Lebih terperinciPENGARUH KONSENTRASI BORON TERHADAP SIFAT LISTRIK LAPISAN TIPIS (a-si:h:b)
ISSN 1410-6951 PENGARUH KONSENTRASI BORON TERHADAP SIFAT LISTRIK LAPISAN TIPIS (a-si:h:b) Bambang Siswanto, Wirjoadi, Sudjatmoko Puslitbang Teknologi Maju Batan Yogyakarta Jl. Babarsari Kotak Pos 6101
Lebih terperinciPenumbuhan Silikon Nanowire dengan Nanokatalis Perak menggunakan Metode HWC-In Plasma-VHF-PECVD melalui Optimasi Tekanan
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 10, NOMOR 2 JUNI 2014 Penumbuhan Silikon Nanowire dengan Nanokatalis Perak menggunakan Metode HWC-In Plasma-VHF-PECVD melalui Optimasi Tekanan Diky Anggoro 1, dan Toto
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Kebutuhan energi yang terus meningkat dan semakin menipisnya cadangan minyak bumi dan gas alam menjadi pendorong bagi manusia untuk mencari sumber energi alternatif.
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Oksida konduktif transparan atau transparent conductive oxide (TCO)
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Oksida konduktif transparan atau transparent conductive oxide (TCO) adalah semikonduktor yang memiliki lebar celah pita energi antara 2,5 4,5 ev (Dengyuan, 2005).
Lebih terperinciOptimasi Tekanan Deposisi dalam Simulasi Efisiensi Sel Surya Berbasis Material a-si:h
Jurnal Gradien Vol. 8 No. 1 Januari 2012 : 716-721 Optimasi Tekanan Deposisi dalam Simulasi Efisiensi Sel Surya Berbasis Material a-si:h Endhah Purwandari1*, Toto Winata2 1) Jurusan Fisika FMIPA Universitas
Lebih terperinciBAB I 1 PENDAHULUAN. kemampuan mengubah bentuk radiasi cahaya menjadi sinyal listrik. Radiasi yang
BAB I 1 PENDAHULUAN 1.1 LATAR BELAKANG MASALAH Fotodiode merupakan sebuah peranti semikonduktor yang memiliki kemampuan mengubah bentuk radiasi cahaya menjadi sinyal listrik. Radiasi yang dapat diterima
Lebih terperinciSTUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI
Studi Pengaruh Suhu Substrat. (Rully Fakhry Muhammad) 303 STUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI STUDY
Lebih terperinciPENGEMBANGAN SISTEM PENGUKUR KARAKTERISTIK I-V SEL SURYA DALAM KEADAAN PENYINARAN DAN TANPA PENYINARAN
Program Studi Fisika Jurusan Pendidikan Fisika FPMIPA UNIVERSITAS PENDIDIKAN INDONESIA PENGEMBANGAN SISTEM PENGUKUR KARAKTERISTIK I-V SEL SURYA DALAM KEADAAN PENYINARAN DAN TANPA PENYINARAN Latar Belakang
Lebih terperinciPembuatan Sel Surya Film Tipis dengan DC Magnetron Sputtering
Pembuatan Sel Surya Film Tipis dengan DC Magnetron Sputtering Desty Anggita Tunggadewi 1, Fitria Hidayanti 1 1 Program Studi Teknik Fisika, Fakultas Teknik dan Sains, Universitas Nasional dtunggadewi@yahoo.co.id,
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. modern pada fotokonduktor ultraviolet (UV) membutuhkan material
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Pengembangan material semikonduktor tidak lepas dari perkembangan piranti elektronik diantaranya fotokonduktor ultraviolet (UV). Tuntutan aplikasi modern pada
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. kita terima bahwa pemakaian energi berbahan dasar dari fosil telah menjadi salah
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Menipisnya cadangan energi fosil di Indonesia dan kenyataan yang harus kita terima bahwa pemakaian energi berbahan dasar dari fosil telah menjadi salah satu
Lebih terperinciLogo SEMINAR TUGAS AKHIR. Henni Eka Wulandari Pembimbing : Drs. Gontjang Prajitno, M.Si
SEMINAR TUGAS AKHIR Add Your Company Slogan STUDI AWAL FABRIKASI DAN KARAKTERISASI DYE SENSITIZED SOLAR CELL (DSSC) MENGGUNAKAN EKSTRAKSI BUNGA SEPATU SEBAGAI DYE SENSITIZERS DENGAN VARIASI LAMA ABSORPSI
Lebih terperinciBab III Metodologi Penelitian
28 Bab III Metodologi Penelitian III.1 Tahap Penelitian Penelitian ini terbagi dalam empat tahapan kerja, yaitu : Tahapan kerja pertama adalah persiapan bahan dasar pembuatan film tipis ZnO yang terdiri
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Listrik merupakan kebutuhan esensial yang sangat dominan kegunaannya
λ Panjang Gelombang 21 ω Kecepatan Angular 22 ns Indeks Bias Kaca 33 n Indeks Bias Lapisan Tipis 33 d Ketebalan Lapisan Tipis 33 α Koofisien Absorpsi 36 Frekuensi Cahaya 35 υ BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar
Lebih terperinciPengaruh Temperatur dan Waktu Putar Terhadap Sifat Optik Lapisan Tipis ZnO yang Dibuat dengan Metode Sol-Gel Spin Coating
ISSN 2302-8491 Jurnal Fisika Unand Vol. 6, No. 2, April 2017 Pengaruh Temperatur dan Waktu Putar Terhadap Sifat Optik Lapisan Tipis ZnO yang Dibuat dengan Metode Sol-Gel Spin Coating Fitriani *, Sri Handani
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. energi listrik. Pemanfaatan energi listrik terus berkembang tidak hanya berfokus
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Seiring pertumbuhan penduduk di dunia yang semakin meningkat, kebutuhan akan sumber energi meningkat pula. Termasuk kebutuhan akan sumber energi listrik. Pemanfaatan
Lebih terperinciSimulasi Sel Surya Model Dioda dengan Hambatan Seri dan Hambatan Shunt Berdasarkan Variasi Intensitas Radiasi, Temperatur, dan Susunan Modul
Simulasi Sel Surya Model Dioda dengan Hambatan Seri dan Hambatan Shunt Berdasarkan Variasi Intensitas Radiasi, Temperatur, dan Susunan Modul M. Dirgantara 1 *, M. Saputra 2, P. Aulia 3, Z. Deofarana 4,
Lebih terperinciOleh: Tyas Puspitaningrum, Tjipto Sujitno, dan Ariswan
Penentuan Band Gap... (Tyas Puspitaningrum) 166 PENENTUAN BAND GAP DAN KONDUKTIVITAS BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS Sn(S 0,8 Te 0,2 ) DAN Sn(S 0,6 Te 0,4 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI TERMAL
Lebih terperinciLAPORAN TUGAS AKHIR PEMBUATAN GELAS TRANSPARAN FTO SEBAGAI BAHAN BAKU SEL SURYA
LAPORAN TUGAS AKHIR PEMBUATAN GELAS TRANSPARAN FTO SEBAGAI BAHAN BAKU SEL SURYA Disusun Oleh: EVALIKA ASTUTI FAUZIAH I 8310031 FITRI NUR PRATIWI I 8310033 PROGRAM STUDI DIPLOMA III TEKNIK KIMIA FAKULTAS
Lebih terperinciPENGARUH FILTER WARNA KUNING TERHADAP EFESIENSI SEL SURYA ABSTRAK
PENGARUH FILTER WARNA KUNING TERHADAP EFESIENSI SEL SURYA ABSTRAK Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh filter warna kuning terhadap efesiensi Sel surya. Dalam penelitian ini menggunakan metode
Lebih terperinciDistribusi Celah Pita Energi Titania Kotor
Jurnal Nanosains & Nanoteknologi ISSN 1979-0880 Edisi Khusus, Agustus 009 Distribusi Celah Pita Energi Titania Kotor Indah Nurmawarti, Mikrajuddin Abdullah (a), dan Khairurrijal Kelompok Keahlian Fisika
Lebih terperinciPENGARUH ANIL TERMAL TERHADAP BESARAN OPTIS LAPISAN TIPIS a-sic:h HASIL METODE DC SPUTTERING II. TARGET GRAFIT
PENGARUH ANIL TERMAL TERHADAP BESARAN OPTIS LAPISAN TIPIS a-sic:h HASIL METODE DC SPUTTERING II. TARGET GRAFIT Rosari Saleh 1, Lusitra Munisa 2 dan Dewi Marianty 1 1. Jurusan Fisika, Fakultas MIPA Universitas
Lebih terperinciTUGAS AKHIR SF141501
TUGAS AKHIR SF141501 PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI (a-si:h) TIPE-N DENGAN PENGENCERAN H2 MENGGUNAKAN PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (PECVD) Cahyaning Fajar Kresna Murti
Lebih terperinciSIFAT OPTIK STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO
Wirjoadi, dkk. ISSN 0216-3128 369 SIFAT OPTIK STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO Wirjoadi, Bambang Siswanto Pusat Teknologi Akselerator dan Proses
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. energi cahaya (foton) menjadi energi listrik tanpa proses yang menyebabkan
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Sel surya merupakan suatu piranti elektronik yang mampu mengkonversi energi cahaya (foton) menjadi energi listrik tanpa proses yang menyebabkan dampak buruk terhadap
Lebih terperinciTUGAS AKHIR ANALISIS PERBANDINGAN KARAKTERISTIK PANEL SURYA BERDASARKAN MATERIAL PENYUSUN DAN INTENSITAS CAHAYA. Diajukan untuk memenuhi persyaratan
TUGAS AKHIR ANALISIS PERBANDINGAN KARAKTERISTIK PANEL SURYA BERDASARKAN MATERIAL PENYUSUN DAN INTENSITAS CAHAYA Diajukan untuk memenuhi persyaratan menyelesaikan pendidikan sarjana (S-1) pada Departemen
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Nanopatikel merupakan partikel mikroskopis yang memiliki ukuran dalam skala nanometer yaitu < 100 nm. Nanopartikel menjadi kajian yang sangat menarik, karena ketika
Lebih terperinciAnalisis Performa Modul Solar Cell Dengan Penambahan Reflector Cermin Datar
Analisis Performa Modul Solar Cell Dengan Penambahan Reflector Cermin Datar Made Sucipta1,a*, Faizal Ahmad2,b dan Ketut Astawa3,c 1,2,3 Program Studi Teknik Mesin, Fakultas Teknik, Universitas Udayana,
Lebih terperinciStruktur dan konfigurasi sel Fotovoltaik
9 Gambar 17. Struktur dan konfigurasi sel Fotovoltaik BST yang sudah mengalami proses annealing dipasang kontak di atas permukaan substrat silikon dan di atas film tipis BST. Pembuatan kontak ini dilakukan
Lebih terperinciPERBEDAAN EFISIENSI DAYA SEL SURYA ANTARA FILTER WARNA MERAH, KUNING DAN BIRU DENGAN TANPA FILTER
PERBEDAAN EFISIENSI DAYA SEL SURYA ANTARA FILTER WARNA MERAH, KUNING DAN BIRU DENGAN TANPA FILTER Oleh: Muhammad Anwar Widyaiswara BDK Manado ABSTRAK Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui perbedaan
Lebih terperinciBerkala Fisika ISSN : Vol 4, No. 2, April 2001, hal 40-44
PENGARUH VARIASI TEMPERATUR PENUMBUHAN TERHADAP KARAKTERISTIK SIFAT LISTRIK FILM TIPIS GaN DI ATAS Si (111) DENGAN METODE PA-MOCVD Heri Sutanto Laboratorium Fisika Zat Padat, Jurusan Fisika, FMIPA Universitas
Lebih terperinciI. PENDAHULUAN. kimia yang dibantu oleh cahaya dan katalis. Beberapa langkah-langkah fotokatalis
I. PENDAHULUAN A. Latar Belakang Telah berkembang suatu mekanisme fotokatalis yang menerapkan pemanfaatan radiasi ultraviolet dan bahan semikonduktor sebagai fotokatalis, umumnya menggunakan bahan TiO2
Lebih terperinciSTUDI SPEKTROSKOPI ELECTRON SPIN RESONANCE (ESR) LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING
STUDI SPEKTROSKOPI ELECTRON SPIN RESONANCE (ESR) LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING Rosari Saleh Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam,
Lebih terperinci4 Hasil dan Pembahasan
4 Hasil dan Pembahasan 4.1 Sintesis Padatan TiO 2 Amorf Proses sintesis padatan TiO 2 amorf ini dimulai dengan melarutkan titanium isopropoksida (TTIP) ke dalam pelarut etanol. Pelarut etanol yang digunakan
Lebih terperinciPENGARUH KONSENTRASI PREKURSOR TERHADAP SIFAT OPTOELEKTRONIK Mn 3O 4
PENGARUH KONSENTRASI PREKURSOR TERHADAP SIFAT OPTOELEKTRONIK Mn 3O 4 Amiruddin Zainuddin *), Subaer, Abdul Haris Pusat Penelitian Geopolimer - Lab. Fisika Material Jurusan Fisika, FMIPA Universitas Negeri
Lebih terperinciKarakterisasi FTIR pada Studi Awal Penumbuhan CNT dengan Prekursor Nanokatalis Ag dengan Metode HWC-VHF-PECVD
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 13, NOMOR 2 JUNI 2017 Karakterisasi FTIR pada Studi Awal Penumbuhan CNT dengan Prekursor Nanokatalis Ag dengan Metode HWC-VHF-PECVD Ajeng Eliyana 1, dan Toto Winata
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Energi cahaya matahari dapat dikonversi menjadi energi listrik melalui suatu sistem yang disebut sel surya. Peluang dalam memanfaatkan energi matahari masih
Lebih terperinciSIFAT OPTIK, STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO
ISSN 1410-6957 SIFAT OPTIK, STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO Wirjoadi, Bambang Siswanto Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan, BATAN
Lebih terperinciJOBSHEET SENSOR CAHAYA (SOLAR CELL)
JOBSHEET SENSOR CAHAYA (SOLAR CELL) A. TUJUAN 1. Merancang sensor sel surya terhadap besaran fisis. 2. Menguji sensor sel surya terhadap besaran fisis. 3. Menganalisis karakteristik sel surya. B. DASAR
Lebih terperinciTEMA: ENERGI TERBARUKAN. FABRIKASI SEL SURYA BERBASIS SILIKON DENGAN LAPISAN ANTI REFLEKSI ZnO MENGGUNAKAN TEKNOLOGI THICK FILM
Bidang Ilmu Teknologi RINGKASAN LAPORAN TAHAP I HIBAH KOMPETITIF PENELITIAN SESUAI PRIORITAS NASIONAL TEMA: ENERGI TERBARUKAN FABRIKASI SEL SURYA BERBASIS SILIKON DENGAN LAPISAN ANTI REFLEKSI ZnO MENGGUNAKAN
Lebih terperinciDAYA KELUARAN PANEL SURYA SILIKON POLI KRISTALIN PADA CUACA NORMAL DAN CUACA BERASAP DENGAN SUSUNAN ARRAY PARALEL
DAYA KELUARAN PANEL SURYA SILIKON POLI KRISTALIN PADA CUACA NORMAL DAN CUACA BERASAP DENGAN SUSUNAN ARRAY PARALEL 1 Andrian Budi Pratomo, 2 Erwin, 3 Awitdrus 1 Mahasiswa Jurusan Fisika 2 Bidang Medan Elektromagnetik
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Nanoteknologi adalah ilmu yang mempelajari, menciptakan dan merekayasa material berskala nanometer dimana terjadi sifat baru. Kata nanoteknologi berasal dari
Lebih terperinciEfek doping Al pada sifat optik dan listrik lapisan tipis ZnO hasil deposisi dengan DC sputtering
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 1, NOMER 1 JANUARI 2005 Efek doping Al pada sifat optik dan listrik lapisan tipis ZnO hasil deposisi dengan DC sputtering SriYaniPurwaningsih, 1 Karyono, 2 dansudjatmoko
Lebih terperinciPENGARUH SERAPAN SINAR MATAHARI OLEH KACA FILM TERHADAP DAYA KELUARAN PLAT SEL SURYA
PENGARUH SERAPAN SINAR MATAHARI OLEH KACA FILM TERHADAP DAYA KELUARAN PLAT SEL SURYA Ricko Mahindra*, Awitdrus, Usman Malik Jurusan Fisika Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Riau
Lebih terperinci2016 PEMODELAN ARUS TEROBOSAN PADA TRANSISTOR DWIKUTUB N-P-N ARMCHAIR GRAPHENE NANORIBBON (AGNR) MENGGUNAKAN METODE MATRIKS TRANSFER
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Alat-alat elektronik sudah menjadi pelengkap kehidupan manusia. Di dalamnya terdapat berbagai macam divais elektronik yang tersusun sehingga memiliki fungsinya tersendiri.
Lebih terperinciSemikonduktor. Sifat. (ohm.m) Tembaga 1,7 x 10-8 Konduktor Silikon pd 300 o K 2,3 x 10 3 Semikonduktor Gelas 7,0 x 10 6 Isolator
Semikonduktor Definisi I: Bahan yang memiliki nilai hambatan jenis (ρ) antara konduktor dan isolator yakni sebesar 10 6 s.d. 10 4 ohm.m Perbandingan hambatan jenis konduktor, semikonduktor, dan isolator:
Lebih terperinciOleh Budi Mulyanti NIM : Tim Pembimbing Dr. Sukirno Prof. Dr. M. Barmawi Dr. Pepen Arifin Dr. Maman Budiman
PENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR FERROMAGNETIK GaN:Mn MENGGUNAKAN METODE PLASMA ASSISTED METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (PA- MOCVD) DAN KARAKTERISASINYA Oleh Budi Mulyanti NIM : 30201015 Tim
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen yang dilakukan di
BAB III METODE PENELITIAN Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen yang dilakukan di lab. Fisika Material, Jurusan Pendidikan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas
Lebih terperinciKARAKTERISTIK ARUS DAN TEGANGAN SEL SURYA
LAPORAN PRAKTIKUM FISIKA EKSPERIMEN II KARAKTERISTIK ARUS DAN TEGANGAN SEL SURYA Oleh : 1. Riyanto H1C004006 2. M. Teguh Sutrisno H1C004007 3. Indri Kurniasih H1C004003 4. Gita Anggit H1C004014 Tanggal
Lebih terperinciPengaruh Perlakuan Implantasi Hidrogen terhadap Sifat Struktur Lapisan Tipis Amorf Silikon Karbon (a-sic:h) Hasil Deposisi Metode DC Sputtering
Indonesian Journal of Physics Kontribusi Fisika Indonesia Vol. 14 No.2, April 2003 Pengaruh Perlakuan Implantasi Hidrogen terhadap Sifat Struktur Lapisan Tipis Amorf Silikon Karbon (a-sic:h) Hasil Deposisi
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. Pelaksanaan penelitian ini pada dasarnya meliputi tiga tahapan proses
BAB III METODE PENELITIAN Pelaksanaan penelitian ini pada dasarnya meliputi tiga tahapan proses diawali dengan tahap persiapan, tahap penumbuhan, dan tahap karakterisasi. Pada bab ini dibahas tentang metode
Lebih terperinciPENINGKATAN DAYA KELUARAN SEL SURYA DENGAN PENINGKATAN TEMPERATUR PERMUKAAN SEL SURYA
PENINGKATAN DAYA KELUARAN SEL SURYA DENGAN PENINGKATAN TEMPERATUR PERMUKAAN SEL SURYA Oleh: Budhi Priyanto ABSTRAK: Intensitas cahaya yang menyinari permukaan sel surya meningkatkan temperatur permukaan
Lebih terperinciSTUDI TENTANG PENGARUH JARAK (SPACER) TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn ) HASIL PREPARASI TEKNIK EVAPORASI VAKUM
Studi tentang Pengaruh...(Wida Afosma)385 STUDI TENTANG PENGARUH JARAK (SPACER) TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn ) HASIL PREPARASI TEKNIK EVAPORASI VAKUM STUDY ABOUT THE EFFECT OF SPACER TO CRYSTAL
Lebih terperinciAnalisis Pengaruh Temperatur Annealing Pada Deposisi Lapisan Tipis Zinc Oxide (ZnO) Melalui Proses Spin Coating Rahmawati
homepage: www.teknik.unsam.ac.id ISSN 2356-5438 Analisis Pengaruh Temperatur Annealing Pada Deposisi Lapisan Tipis Zinc Oxide (ZnO) Melalui Proses Spin Coating Rahmawati Program Studi Fisika, Universitas
Lebih terperinci