Diterima Juni 2004, disetujui untuk dipublikasikan September 2004

Transkripsi

1 Jurnal Matematika dan Sains Vol. 9 No. 3, September 2004, hal Penumbuhan Film Tipis Ti 1-x Co x O 2 Dengan Metode MOCVD Horasdia Saragih 1,3), Mersi Kurniati 2), Akhiruddin Maddu 2), Pepen Arifin 3) dan Moehamad Barmawi 3) 1) Jurusan Fisika, Universitas Pattimura, Ambon, Indonesia 2) Jurusan Fisika, Institut Pertanian Bogor, Bogor, Indonesia 3) Laboratorium Fisika Material Elektronik, Institut Teknologi Bandung, Bandung, Indonesia horas@dosen.fisika.net Diterima Juni 2004, disetujui untuk dipublikasikan September 2004 Abstrak Film tipis Ti 1-x Co x O 2 telah berhasil ditumbuhkan di atas subtrat silikon (Si) dengan menggunakan metode metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). Film tipis Ti 1-x Co x O 2 dengan harga x = 0 tumbuh dengan orientasi tunggal yang membentuk bidang kristal (213) anatase pada temperatur deposisi 450 o C dengan laju aliran gas Ar dan oksigen masing-masing 100 sccm dan 60 sccm. Film tipis yang tumbuh tersusun dari butiran-butiran yang berbentuk kolumnar dengan ukuran rata-rata dalam orde nanometer. Kehadiran atom Co pada film tipis Ti 1- xco x O 2 mempengaruhi struktur kristal film serta mempertinggi laju penumbuhan butiran. Konsentrasi kandungan atom Co yang semakin besar menghasilkan ukuran butiran yang semakin besar pula. Akan tetapi, secara keseluruhan, ukuran butiran relatif homogen sehingga morfologi permukaan setiap film relatif sangat halus. Penumbuhan Ti 1-x Co x O 2 pada temperature 450 o C dengan laju aliran gas Ar = 70 sccm, sebagai gas pembawa prekursor Co, menghasilkan struktur kristal seperti struktur kristal semula dimana saat prekursor Co belum dialirkan ke ruang penumbuhan, yaitu dengan membentuk bidang kristal (213) anatase dengan suatu bidang tambahan (301) anatase yang tidak dominan. Film tipis yang ditumbuhkan memiliki tebal rata-rata sekitar 0,9 µm. Film memiliki ketebalan yang homogen di atas subtrat seluas 3x3 cm 2. Kata kunci : Feromagnetik semikonduktor, Ti 1-x Co x O 2, MOCVD. Abstract The Ti 1-x Co x O 2 thin films have been successfully deposited on Silicon (Si) substrates by metalorganic chemical vapor deposition (MOCVD). The Ti 1-x Co x O 2 thin films with x = 0 is grown at deposition temperature of 450 o C with argon and oxygen flow rate of 100 sccm and 60 sccm, respectively. The deposited film has a single orientation of (213)-anatase. The films consist of nanometer size of columnar grains. The growth rate was increased with increasing Co content and therefore the grains become larger. Generally, the crystal structure of films was affected by Co atom concentrations, however at temperature deposition of 450 o C and argon flow rate of 70 sccm, the film has the initial structure of (213)-anatase and co-exist with (301)-anatase which is not dominant. The film thickness is about of 0,9 µm for an area of 3x3 cm 2. Keywords : 1. Pendahuluan Penelitian terhadap material feromagnetik semikonduktor akhir-akhir ini mendapat banyak perhatian. Hal ini didorong oleh potensi aplikasinya yang sangat luas 1). Feromagnetik semikonduktor digunakan sebagai komponen penyusun dalam pembuatan devais spin-electronik (spintronik) 2). Bahan semikonduktor III-V yang didoping dengan elemen magnetik Mn seperti Ga 1-x Mn x As telah berhasil dibuat dengan temperatur operasi 110K 3). Usaha untuk memperbaiki kinerja material ini terus dilakukan. Akhir-akhir ini peningkatan temperatur operasi menjadi fokus perhatian. Oleh karenanya pencarian terhadap jenis material feromagnetik semikonduktor baru terus dilakukan 4). Untuk tujuan tersebut semikonduktor oksida, yang berperan sebagai material induk, menjadi pilihan yang diharapkan, dan salah satu di antaranya adalah TiO 2 5). 263 Untuk menerapkan material feromagnetik semikonduktor oksida sebagai komponen divais spintronik, yang diwujudkan dalam bentuk film tipis, berbagai teknik penumbuhan harus dilibatkan dan dipelajari. Dicari suatu metode penumbuhan yang terbaik dan yang dapat menghasilkan karakteristik film yang terbaik pula. Sejak Matsumoto, 6) menemukan sifat feromagnetisme pada temperatur ruang dari material film tipis TiO 2 yang didoping dengan elemen magnetik Co, Ti 1-x Co x O 2, yang ditumbuhkan di atas subtrat Si dengan metode laser ablasi, penelitian terhadap material ini sangat intensif dilakukan. Berbagai teknik penumbuhan digunakan, seperti metode molecular beam epitaxy (MBE) 7) dan metode pulsed laser deposition (PLD) 8) Beberapa issu penting menyertai jalannya penelitian pada bidang ini, misalnya: bagaimana mengontrol konsentrasi dopan (elemen magnetik) lebih mudah dan akurat, bagaimana memperbaiki

2 264 JMS Vol. 9 No. 3, September 2004 sifat feromagnetisme material dan bagaimana mengklarifikasi sifat feromagnetisme itu sendiri 8). Metode penumbuhan metal organic chemical vapor deposition (MOCVD) adalah salah satu metode penumbuhan yang memiliki beberapa keunggulan dalam bidang teknologi pembuatan film tipis 9). Pengontrolan terhadap aliran bahan yang diuapkan, sebagai bahan prekursor yang selanjutnya akan tumbuh membentuk film tipis, dapat dilakukan dengan mudah dan akurat sehingga stoikiometri film dengan baik dapat dikendalikan. Film yang terbentuk memiliki homogenitas yang tinggi. Temperatur penumbuhan yang digunakan relatif rendah dan dapat menumbuhkan film dengan ukuran yang luas dengan tingkat homogenitas yang tinggi 10). Untuk menjawab issue seperti yang disebutkan di atas, telah dilakukan penelitian terhadap proses penumbuhan film tipis Ti 1-x Co x O 2 dengan menggunakan metode MOCVD. Film tipis ditumbuhkan di atas subtrat Si. Dalam tulisan ini akan dilaporkan proses penumbuhan film tipis Ti 1- xco x O 2 dengan metode MOCVD dan karakteristik film yang dihasilkan. 2. Eksperimen Film tipis Ti 1-x Co x O 2 ditumbuhkan di atas subtrat Si(100) tipe-p dengan menggunakan suatu sistem reaktor MOCVD. Sebelum digunakan, subtrat Si(100) tipe-p dicuci dengan menggunakan aseton selama 5 menit, kemudian dengan methanol selama 5 menit dan diakhiri dengan 10% HF dicampur dengan air (de-ionized water) selama 2 menit. Selanjutnya disemprot dengan gas N 2 dengan tingkat kemurnian 99,999%. Subtrat kemudian ditempel dengan suatu pasta perak yang konduktif terhadap panas di permukaan plat pemanas di dalam ruang penumbuhan. Prekursor metalorganik yang digunakan adalah titanium (IV) isopropoxide [Ti{OCH(CH 3 ) 2 } 4 ] 99,99% yang adalah cair pada temperatur ruang dengan titik leleh 20 o C (Sigma Aldrich Chemical Co., Inc.) dan tris (2,2,6,6-tetramethyl-3, 5- heptanedionato) cobalt (III), 99%, Co(TMHD) 3 (Strem Chemical, Inc.) serta gas oksigen sebagai sumber O. Co(TMHD) 3 adalah berbentuk serbuk. Bahan ini dilarutkan kedalam pelarut tetrahydrofuran (THF, C 4 H 8 O) dengan konsentrasi 0,2 mol per liter. Hasil larutan, dan juga bahan cair Ti{OCH(CH 3 ) 2 } 4, kemudian dimasukkan kedalam masing-masing bubbler yang telah terhubung dengan suatu sistem perpipaan ke ruang penumbuhan. Untuk menguapkan masing-masing bahan, bubbler kemudian dipanaskan dengan suatu plat pemanas sesuai dengan titik uap bahan. Uap masing-masing bahan dialirkan ke ruang penumbuhan dengan menggunakan gas argon (Ar) sebagai gas pembawa. Tekanan uap di dalam bubbler dikendalikan melalui suatu katub pengendali. Bersamaan dengan proses pemanasan bubbler, ruang penumbuhan divakumkan sampai ke tekanan 1x10-2 Torr dan subtrat yang terletak di dalamnya dipanaskan. Pada saat penumbuhan dilakukan, gas O 2 dialirkan ke dalam ruang penumbuhan. Film tipis Ti 1-x Co x O 2 yang tumbuh selanjutnya dikarakterisasi. Untuk mengetahui persentasi masing-masing atom penyusun film dilakukan uji komposisi dengan menggunakan metode energy dispersive spectroscopy (EDS) (Jeol JSM 6360LA). Ketebalan, morfologi permukaan dan mode penumbuhan film dianalisa dari hasil potret scanning electron microscope (SEM) (Jeol JSM 6360LA). Serta struktur kristal film ditentukan dari hasil uji X-ray diffraction (XRD) dengan menggunakan radiasi Cu K α (λ=1,54056å) (Philips PW3710). Film tipis Ti 1-x Co x O 2, dengan harga x = 0, ditumbuhkan di atas subtrat Si(100) selama 120 menit. Berbagai parameter penumbuhan digunakan, seperti variasi temperatur subtrat, variasi aliran gas Ar ke bubbler Ti{OCH(CH 3 ) 2 } 4, variasi laju aliran gas O 2 dan variasi tekanan total penumbuhan. Parameter penumbuhan optimal didapatkan sebagai berikut: temperatur bubbler (T b(ti) ) 50 o C, temperatur subtrat (T s ) 450 o C, tekanan bubbler (P b(ti) ) 260 Torr, laju aliran gas Ar (Ti) 100 sccm, laju aliran gas O 2 60 sccm dan tekanan total penumbuhan (P Tot ) 2 Torr. Mengacu pada parameter optimal di atas, selanjutnya dilakukan penumbuhan untuk menghasilkan film tipis yang lain dengan menggunakan prekursor tambahan Co(TMHD). Untuk mengubah nilai x pada stoikiometri Ti 1- xco x O 2, laju aliran gas pembawa (Ar) yang dialirkan ke bubbler prekursor Co(TMHD) divariasikan besarnya yaitu (a) 30 sccm, (b) 50 sccm dan (c) 70 sccm dengan tekanan uap P b(co) yang sama, yaitu 5 lb/inc 2 dan temperatur bubbler T b(co) dijaga pada nilai 100 o C. 3. Hasil dan Diskusi Film tipis TiO 2 hasil penumbuhan dengan menggunakan parameter seperti yang diterangkan di atas diuji stoikiometrinya dengan EDS. Dari hasil yang didapatkan, menunjukkan bahwa perbandingan persentase atom penyusun film adalah Ti:O = 1:2 dengan tebal sekitar 0,9 µm. Morfologi permukaan film yang dihasilkan ditunjukkan pada gambar 1. Terlihat bahwa bentuk permukaan butiran penyusun film hampir rata-rata memanjang di atas permukaan subtrat. Koalisi antar butiran sangat baik. Ukuran butiran berada pada orde nanometer. Ukuran butiran telah mendekati homogen, dan penumbuhan butiran yang abnormal tidak terjadi. Kondisi ini menghasilkan film yang permukaannya sangat halus (smooth). Disamping itu, ketebalan film telah merata pada lebar sekitar 3x3 cm 2.

3 JMS Vol. 9 No. 3, September subtrat yang diberikan. Penggunaan tekanan total yang lebih rendah dan yang lebih tinggi menghasilkan puncak pase anatase yang beragam (polycrystalline) dan penggunaan temperatur penumbuhan yang lebih tinggi dan yang lebih rendah dari 450 o C masing-masing menghasilkan pase anatase disertai pase rutile dan mendekati amorphous. Gambar 3 memperlihatkan pola XRD film TiO 2 /Si(100) yang ditumbuhkan pada temperatur 550 o C. Gambar 1. Potret SEM permukaan film tipis TiO 2 /Si(100): T b(ti) = 50 o C, T s = 450 o C, P b(ti) = 260 Torr, laju aliran gas Ar (Ti) = 100 sccm, laju aliran gas O 2 = 60 sccm. Gambar 3. Pola XRD film tipis TiO 2 /Si(100): T b(ti) = 50 o C, T s = 550 o C, P b(ti) = 260 Torr, laju aliran gas Ar (Ti) = 100 sccm, laju aliran gas O 2 = 60 sccm. Gambar 2. Pola XRD film tipis TiO 2 /Si(100) yang permukaannya diperlihatkan pada gambar 1. Hasil pola XRD film tipis TiO 2 /Si(100) ditunjukkan pada gambar 2. Puncak difraksi terjadi pada sudut 2θ=62,52 o. Mengacu dari referensi, puncak intensitas difraksi pada sudut ini dihasilkan oleh bidang difraksi (213) anatase. Puncak difraksi yang terjadi adalah tunggal yang menunjukkan bahwa butiran-butiran penyusun film mayoritas memiliki domain struktur kristal homogen dengan bidang tunggal (213) anatase. Pembentukan bidang ini memiliki peluang yang terbesar untuk kondisi penumbuhan yang digunakan yang berkaitan dengan tekanan total penumbuhan dan besarnya temperatur Dari keseluruhan film tipis TiO 2 yang dihasilkan tidak satupun yang tumbuh dalam arah sumbu-c. Hal ini disebabkan oleh besarnya ketidaksesuaian parameter kisi antara TiO 2 dengan Si(100) yang mencapai 30%. Namun, dari hasil yang ditunjukkan pada gambar 2, butiran penyusun film tumbuh dengan membentuk bidang tunggal, yaitu (213) anatase. Hal ini sangat diharapkan karena film memiliki homogenitas struktur kristal yang baik. Ukuran butiran yang relatif sangat kecil, seperti yang ditunjukkan pada gambar 1, menyebabkan intensitas difraksi bidang (213) sangat lemah dibandingkan terhadap difraksi oleh bidang (400) subtrat Si yang terjadi pada sudut 2θ=69,89 o. Atom-atom yang terdapat pada batas antar butir (grain boundary) yang tersusun relatif lebih acak, menghasilkan latar belakang intensitas difraksi tidak nol. Film tipis TiO 2 yang disertai hadirnya elemen Co, Ti 1-x Co x O 2, selanjutnya dikarakterisasi. Komposisi persen atom penyusunnya diuji dengan EDS. Didapatkan variasi nilai x pada film untuk setiap besar aliran gas Ar yang mengalir ke dalam bubbler Co(TMHD). Nilai x masing-masing adalah (a) 0,02, (b) 0,09 dan (c) 0,13. Hubungan antara nilai x dengan besarnya laju aliran gas Ar ditunjukkan pada gambar 4. Terlihat adanya hubungan positif antara menaiknya laju aliran gas Ar dengan penambahan fraksi atom Co di dalam film. 265

4 266 JMS Vol. 9 No. 3, September 2004 ukurannya mencapai 150 nm untuk x >0,08. Jumlah dan ukuran kluster akan semakin banyak dan besar pada saat x bertambah. Dari gambar 5a, b dan c terlihat bahwa kehadiran faksi atom Co yang lebih besar menyebabkan ukuran diameter permukaan butiran menjadi lebih besar. Gambar 4. Hubungan laju aliran gas Ar yang mengalir ke bubbler Co(TMHD) terhadap perubahan nilai x pada stoikiometri Ti 1-x Co x O 2 Pada gambar 5 diperlihatkan morfologi permukaan film tipis Ti 1-x Co x O 2. Bentuk butiran yang terdeposisi menyerupai suatu bentuk kubah dan distribusi ukurannya relatif hampir sama untuk masing-masing film. Pembentukan butiran yang permukaannya menyerupai kubah ini disebabkan oleh adanya perbedaan panjang parameter kisi antara film dan subtrat yang pada gilirannya menghasilkan tegangan pada bidang antar-muka (interface) filmsubtrat yang menyebabkan terjadinya dinamika pada energi permukaan (surface energy) dan energi batas butir (grain boundary energy) pada saat penumbuhan. Diameter rata-rata permukaan butiran berada pada orde nanometer, namun besar ukurannya berbeda untuk setiap film. Dari hasil yang ditunjukkan pada gambar 5 terlihat bahwa ukuran diameter permukaan butiran dipengaruhi oleh jumlah faksi atom Co yang terkandung di dalamnya. Ada 3 kemungkinan yang menyebabkan hal ini terjadi, yaitu: pertama, atom Co akan mengganti atom Ti dalam stoikiometri Ti 1-x Co x O 2 dan menghasilkan perubahan panjang parameter kisi sehingga menyebabkan berubahnya volume sel satuan; kedua, kehadiran atom Co, apakah menggantikan posisi Ti atau masuk secara liar (interstitial), memperbesar kekuatan ikatan kohesi dari atom-atom yang telah terdeposisi dengan atom-atom prekursor yang menghujani permukaan butiran sehingga mempertinggi laju penumbuhan butiran. Ketiga, sebagaimana dilaporkan oleh Matsumoto 6), atom Co dapat juga membentuk kluster-kluster Co yang Gambar 5. Potret SEM permukaan film tipis Ti 1- xco x O 2 /Si(100): T b(ti) = 50 o C, T b(co) = 100 o C, T s = 450 o C, P b(ti) = 260 Torr, P b(co) = 260 Torr, laju aliran gas O 2 = 60 sccm, laju aliran gas Ar (Ti) = 100 sccm dan laju aliran gas Ar (Co) : (a) 30 sccm, (b) 50 sccm dan (c) 70 sccm. Film Ti 1-x Co x O 2 tersusun dalam bentuk butiran, sebagaimana ditunjukkan pada gambar 5a, b dan c. Hal ini menyatakan bahwa kekuatan ikatan antar atom-atom penyusun film tidaklah merata. Pada film terbentuk jalur (grooving) batas antar butiran yang ikatan atomnya relatif lebih lemah dibanding ikatan antar atom di dalam butiran. Terjadinya pembentukan penumbuhan film dalam bentuk butiran disebabkan oleh terbatasnya daerah difusi permukaan dari atom-atom atau molekul-molekul prekursor yang menghujani permukaan subtrat dan permukaan butiran pada saat penumbuhan. Arah penumbuhan butiran, setelah berkoalisi antar sesamanya, sejajar dengan arah normal permukaan subtrat sehingga di akhir penumbuhan, butiranbutiran memiliki bentuk kolom-kolom. Hal ini terlihat dari potret penampang lintang film sebagaimana ditunjukkan pada gambar 6. Juga jelas terlihat bahwa ada pola pemisahan antar butiran yang khas pada penampang. Pemisahan ini terjadi pada jalur-jalur yang ikatan antar atomnya lebih lemah yang terdapat pada batas antar butiran.

5 JMS Vol. 9 No. 3, September Gambar 6. Potret SEM penampang film tipis Ti 1-x Co x O 2 /Si(100): T b(ti) = 50 o C, T b(co) = 100 o C, T s = 450 o C, P b(ti) = 260 Torr, P b(co) = 260 Torr, laju aliran gas O 2 = 60 sccm, laju aliran gas Ar (Ti) = 100 sccm dan laju aliran gas Ar (Co) : (a) 30 sccm, (b) 50 sccm dan (c) 70 sccm. Bentuk butiran yang sedikit berbeda ditemukan pada gambar 6c, butiran lebih menyerupai kerucut yang terbalik. Pola kerucut ini menyatakan bahwa telah terjadi dinamika pada batas antar butir pada film tipis Ti 1-x Co x O 2 selama proses penumbuhan. Batas butiran di beberapa tempat bergerak mengembang yang menyebabkan diameter permukaan butiran menjadi lebih besar seiring dengan waktu penumbuhan. Kondisi ini menyebabkan terjadinya kompetisi antar butiran untuk memperbesar diameter permukaannya yang pada gilirannya mengorbankan penumbuhan butiranbutiran yang ada di sekitarnya. Peristiwa ini disebabkan oleh adanya pembentukan kluster prekursor sebelum mencapai permukaan film atau subtrat 6). Dalam hal ini, dengan naiknya laju aliran gas Ar yang membawa uap precursor Co(TMHD) ke ruang deposisi memberikan kontribusi pembentukan kluster prekursor yang lebih banyak. Kehadiran fraksi atom Co pada film tipis Ti 1-x Co x O 2 memberikan perubahan pada struktur kristal (gambar 7). Pembentukan bidang-bidang kristal baru terjadi pada butiran, seperti bidang anatase (112), (211) dan (301). Kehadiran bidang anatase (301) ditemukan pada ketiga jenis film. Hal ini menyatakan bahwa bidang anatase (301) memiliki kestabilan yang tinggi pada film. Untuk besar aliran gas Ar = 70 sccm, kehadiran bidang anatase (213) kembali terbentuk dan dominan sebagaimana terbentuk pada kondisi awal saat sebelum melibatkan material Co(TMHD) (gambar 2). Kandungan atom Co sebanyak x = 0,13 dapat mengembalikan struktur kristal butiran ke struktur semula dengan suatu tambahan bidang anatase (301) yang tidak dominan (gambar 7c). Hasil ini memberikan informasi yang sangat berharga terhadap pengaruh konsentrasi kandungan Co dalam hubungannya dengan perubahan struktur kristal film. Intensitas difraksi latar belakang yang ditunjukkan oleh gambar 7c menunjukkan secara tidak langsung bahwa hubungan antar butiran menjadi lebih baik, hal ini dapat dikonfirmasi dari morfolgi permukaan yang ditunjukkan pada gambar 5c dimana koalisi antar butiran penyusun film telah dengan baik terbentuk. Hubungan antar butiran menjadi lebih kuat sebagaimana dikonfirmasi oleh jalur potong penampang film yang ditunjukkan pada gambar 6c. 267

6 268 JMS Vol. 9 No. 3, September 2004 Gambar 7. Pola XRD film tipis Ti 1-x Co x O 2 /Si(100): T b(ti) = 50 o C, T b(co) = 100 o C, T s = 450 o C, P b(ti) = 260 Torr, P b(co) = 260 Torr, laju aliran gas O 2 = 60 sccm, laju aliran gas Ar (Ti) = 100 sccm dan laju aliran gas Ar (Co) : (a) 30 sccm, (b) 50 sccm dan (c) 70 sccm. 4. Kesimpulan Film tipis TiO 2 dan Ti 1-x Co x O 2 telah berhasil dengan baik ditumbuhkan di atas subtrat Si(100) dengan menggunakan metode MOCVD. Parameter penumbuhan yang optimal adalah: temperatur bubbler (T b(ti) ) 50 o C, temperatur subtrat (T s ) 450 o C, tekanan bubbler (P b(ti) ) 260 Torr, laju aliran gas O 2 60 sccm dan tekanan total penumbuhan (P Tot ) 3x10-2 Torr. Pola penumbuhan butiran penyusun film adalah kolumnar dengan rata-rata jari-jarinya dalam orde nanometer. Kehadiran atom Co sebagai fraksi atom penyusun butiran menaikkan laju penumbuhan, mengubah struktur kristal dan memperbaiki hubungan antar butiran. Tebal film yang terdeposisi rata-rata mencapai 0,9 µm dengan waktu deposisi 120 menit. Film tipis yang terdeposisi memiliki morfologi dan ketebalan yang sangat homogen untuk ukuran subtrat 3x3 cm 2. Daftar Pustaka 1. Dietl, T., & Ohno, H., MRS Bulletin, 28, 714, (2003). 2. Chambers, S.A., & Yoo, Y.K., MRS Bulletin, 28, 706, (2003). 3. Pearton, S.J., Abernathy, C.R., Norton, D.P., Hebard, A.F., Park, Y.D., Boatner, L.A. & Budai, J.D., Mater. Sci. Eng., R40, 137, (2003). 4. Pearton, S.J., Abernathy, C.R., Overberg, M.E., Thaler, G.T., Norton, D.P., Theodoropoulou, N., Hebard, A.F., Park, Y.D., Ren, F., Kim, J., & Boatner, L.A., J. Appl. Phys. Lett., 93, 1, (2003). 5. Hong, N.H., Sakai, J., Prellier, W., & Hassini, A., Appl. Phys. Lett., 79, 3129, (2003). 6. Matsumoto, Y., Murakami, M., Shono, T., Hasegawa, T., Fukumura, T., Kawasaki, N., Ahmet, P., Chikyow, T., Koshihara, S., & Koinuma, H., Science 291, 854, (2001). 7. Chember, S.A., Thevuthasan, S., Farrow, R.F., Marks, R.F., Thiele, J.U., Folks, L., Samant, M.G., Kellock, A.J., Ruzycki, N., Ederer, D.L., & Diebond, U., Appl. Phys. Lett., 79, 3467, (2001). 8. Hong, N.H., Sakai, J., Prellier, W., & Hassini, A., Appl. Phys. Lett., 83, 3129, (2003). 9. Jones, A.C., & Brien, P. O, CVD of Compound Semiconductors : Precursors Synthesis, Development and Applications, VCH Verlagsgesellschaft mbh, Germany, Lu, Z., Truman, J.K., Johansson, M.E., Zhang, D., Shih, C.F., & Liang, G.C., Appl. Phys. Lett. 67, 712 (1995).