Ariswan. Kata kunci : fotovoltaik, Heksagonal, sel surya
|
|
- Hengki Muljana
- 7 tahun lalu
- Tontonan:
Transkripsi
1 Ariswan / Struktur Kristal, Morfologi Permukaan dan Sifat Optik Bahan CdSe Hasil Preparasi dengan Teknik Close Spaced Vapor Transport (CSVT) untuk Aplikasi Sel Surya 97 Struktur Kristal, Morfologi Permukaan dan Sifat Optik Bahan CdSe Hasil Preparasi dengan Teknik Close Spaced Vapor Transport (CSVT) untuk Aplikasi Sel Surya Ariswan Jurusan Pendidikan Fisika FMIPA Universitas Negeri Yogyakarta ariswan@uny.ac.id Abstrak - Penelitian ini secara umum bertujuan untuk melakukan preparasi dan karakterisasi bahan semikonduktor lapisan tipis CdSe dengan teknik Close Spaced Vapor Transport (CSVT). Hasil preparasi selanjutnya dikarakterisasi untuk mengetahui struktur kristal menggunakan X-Ray Diffraction (XRD), sedangkan komposisi kimia dan morfologi permukaan diketahui dengan sistem terintegrasi Energy Dispersive Spectroscopy (EDS) dan Scanning Electron Microscope (SEM), selanjutnya energy gap ditentukan dengan spektrofotometer. Hasilnya menunjukkan bahwa lapisan tipis berbentuk polikristal dalam sistem Heksagonal dengan parameter kisi a=b= 4,89 Å dan c = 7,03 Å. Seluruh permukaan bahan memiliki warna homogen dan hasil EDS menunjukkan bahwa komposisi kimia non stoichiometri kaya cadmium dengan perbandingan Cd/Se adalah 100/44 serta Energi gap CdSe diperoleh sebesar 1,65 ev. Kata kunci : fotovoltaik, Heksagonal, sel surya Abstract This research aims to prepare and characterize of CdSe thin- films semiconductor materials by Close Spaced Vapor Transport (CSVT) techniques. Those results further characterized to determine the crystal structure by X-Ray Diffraction (XRD), the chemical composition and surface morphology using Energy dispersive spectroscopy (EDS) and Scanning Electron Microscope (SEM). Thin films of CdSe were polycrystalline with hexagonal structure, a = b = 4.89 Å and c = 7.03 Å.. The entire surface of the material has a homogeneous color and EDS results showed that the chemical composition of non- stoichiometry. The compound is rich in cadmium with, ratio Cd / Se is 100/44, and optical bandgap 0f 1,65 ev was obtained. Key words: Photovoltaic, Heksagonal Structure, solar cells I. PENDAHULUAN Kebutuhan energi pada kehidupan modern terus meningkat, sehingga para peneliti terus berupaya mengembangkan sumber- sumber energi terbarukan, untuk menggantikan sumber energi konvensional yang telah mapan selama ini. Energi terbarukan yang selama ini terus dikembangkan meliputi energi surya, energi angin, energi air dan lain- lain yang secara umum sumber energi terbarukan tersebut tidak akan habis. Disamping itu energi terbarukan lebih menjaga keseimbangan alam karena hampir bebas dari persoalan polusi. Khusus bagi energi surya para peneliti terus mengembangkan material yang sesuai untuk teknologi sel surya yaitu piranti yang langsung mengubah energi surya menjadi energi listrik. Selama ini bahan utama piranti sel surya adalah silikon wafer, selanjutnya telah dikembangkan sel surya berbahan lapisan tipis sebagai sel surya generasi kedua dan bahkan sel surya generasi ketiga telah dikembangkan untuk memenuhi kebutuhan energi dunia saat ini dan saat yang akan datang. Bahan semikonduktor CdSe adalah bahan yang sangat promotif dalam salah satu penerapannya yaitu pada teknologi fotovoltaik. Teknologi ini memungkinkan perubahan energi matahari (surya) langsung diubah menjadi energi listrik. Bahan CdSe adalah bahan semikonduktor bertipe n, sehingga jika disambung dengan semikonduktor tipe p, akan diperoleh sambungan p- n yang bisa menghasilkan piranti sel surya. Sebagai contoh sel surya bentuk ini adalah CuS- CdSe. Pada terapan lain, mengingat bahan ini memiliki energi gap sekitar 1,65 ev [1], maka bahan ini dapat dipakai sebagai buffer dalam system sel surya berbasis CuInSe (CIS). Bahan ini merupakan senyawa biner, sehingga berbagai teknik preparasi dapat diterapkan untuk menghasilkan lapisan tipis. Cadmium Selenida termasuk dalam semikonduktor direct bandgap seperti silicon dan material lainnya [], berbentuk padatan dengan warna coklat kehijauan sampai merah gelap. Berbeda dengan senyawa analognya CdTe merupakan material semikonduktor tipe p namun dapat keduanya samasama dapat dimanfaatkan sebagai lapisan penyangga dalam sel surya berbasis CIS. Atas dasar uraian di atas, maka penelitian ini bertujuan untuk melakukan preparasi dan karakterisasi bahan CdSe sebagai langkah awal dalam preparasi lapisan tipis bahan tersebut. Selanjutnya tentu akan sampai pada bagaimana terapan bahan dalam merealisasikan sel surya berbasis CdSe lapisan tipis. II. LANDASAN TEORI Efek fotovoltaik pertama kali ditemukan oleh Edmond Becquerel pada tahun Kemudian baru Prosiding Pertemuan Ilmiah XXVII HFI Jateng & DIY, Solo, 3 Maret 013 ISSN :
2 98 Ariswan / Struktur Kristal, Morfologi Permukaan dan Sifat Optik Bahan CdSe Hasil Preparasi dengan Teknik Close Spaced Vapor Transport (CSVT) untuk Aplikasi Sel Surya tahun 191 Einstein menjelaskan secara teori, mekanisme fenomena tersebut, namun masih sebatas eksperimen di laboratorium. Baru setelah perang dunia ke II, yakni pada tahun 1950 direalisasikan sel surya pertama kalinya. Sel surya tersebut menggunakan bahan kristal silikon dan memiliki efisiensi konversi 4 %. Selanjutnya pada 1970 ketika dunia dihadapkan dengan krisis energi, penelitian mengenai sel surya dilakukan secara intensif. Hasilnya adalah bahwa pada tahun 1979 telah dibangun pusat listrik tenaga surya hingga mencapai 1 M Watt. Kebutuhan sumber energi dunia dengan proses nir polutan terus diperlukan, sehingga perkembangan listrik tenaga surya terus berkembang terutama di negara-negara maju. Pada tahun 1995 telah dibangun listrik tenaga surya sampai 500 M.watt dan sampai dengan tahun 000 telah dibangun hingga mencapai 1 G.watt [3]. Dan terus meningkat setiap tahunnya. Sel surya yang digunakan saat ini sebagian besar terbuat dari silikon. Persentase penggunaan bahan sel surya dewasa ini adalah 43 % silikon polikristal, 39 % silikon kristal tunggal, 1 % silikon lapisan tipis, 3 % silikon dalam bentuk ribbon sedangkan 14 % bahan selain silikon. Silikon mendominasi bahan sel surya karena teknologi fabrikasinya memang sudah mapan. Namun demikian penelitian menggunakan bahan lain terus dilakukan hingga kini dan bahkan pada masa-masa yang akan datang. Beberapa penelitian dalam tingkat sel surya telah dihasilkan sehingga diperoleh efisiensi konversi yang lebih besar lagi dibandingkan dengan temuan sebelumnya. Seperti GaAs(kristal) [4] dengan efisiensi mencapai 5 %, Cu(Ga,In)Se [5] memberikan efisiensi 18.8 % dan apabila menggunakan konsentrator mencapai 1,5 %. Bahkan dengan sistem multi sambungan (multijunction) efisiensinya diharapkan dapat mencapai 40 %- 45 % [6,7]. Dengan demikian penelitian ini jelas memiliki arti penting dalam memberikan kontribusi pada penciptaan piranti sel surya berbasis selain Silikon. CdSe,, merupakan senyawa dari Cadmium dan Selenium, dengan perbandingan molaritas yang sama. CdSe termasuk jenis bahan semikonduktor bertipe konduktivitas n sehingga dapat diwujudkan menjadi sel surya bila disambung dengan semikonduktor tipe p misalnya dengan CdTe. Hal ini sangat penting dilakukan, oleh karena bahan tersebut sangat promotif dalam teknologi sel surya. Oleh karena itu jelas bahwa bahan CdSe adalah senyawa biner memiliki dua teknologi aplikasi. Pertama pada sel surya bebbasis Cu(In,Ga)(Se,S), sebagai lapisan penyangga (buffer), kedua sebagai lapisan aktif tipe n yang disambung dengan semikonduktor tipe p misalnya CuS. Atau bisa juga dengan CdTe. Difraksi Sinar X Prinsip dasar penentuan struktur adalah dengan teknik difraksi sinar x karakteristik, dimana berlaku hukum Bragg : d sin θ = n λ (1) dengan d adalah jarak antar bidang atom-atom dalam kristal ( bidang dengan indeks Miller tertentu), θ adalah sudut difraksi dan λ adalah panjang gelombang sinar X yang dipergunakan. Bila diambil bidang-bidang dengan indeks Miller berbeda maka dengan menggunakan metode analitik, dapat ditentukan sitem dan parameter kisi kristal. Teknik perhitungan parameter kisi tergantung pada struktur kristal bahan. Untuk bahan berstruktur heksagonal perhitungan parameter kisi tersebut dapat dijelaskan sebagai berikut.[8] d 1 = 4 3 h + h k + a k l + c Teknik tersebut dinamakan teknik analitis dimana prinsipnya adanya nilai tertentu yang sama pada puncakpuncak difraktogram yang sesuai d adalah jarak antara bidang (hkl), adan c berturut- turut parameter kisi. Selanjutnya bila disubstitusikan persamaan (1) dan () dengan mengambil n = 1, akan diperoleh persamaan () ( ) ( ) λ 4 l sin ( θ ) = h + hk + k c (3) a a Menurut metode analitik persamaan terakhir dapat dinyatakan dalam bentuk: C l = sin θ A( h + h k + k ) (4) A dan C adalah konstanta yang besarnya masingmasing : A = λ /3a dan C= λ /4c. Bila bidang dengan l=0, maka dapat dicari nilai A yang sama dari berbagai sudut defraksi θ, mengingat untuk l=0 berlaku sin θ = A (h +hk+k ). Nilai A yang sama dari beberapa sudut defraksi θ, maka diperoleh nilai parameter kisi a = λ/v(3a). Selanjutnya parameter c dapat ditentukan dengan mencari nilai yang sama bagi konstanta C. Bila nilai tersebut telah diketahui maka dapat ditentukan parameter kisi c = λ/v(c). III. METODE PENELITIAN Metode penelitian ini dapat dibedakan dalam dua tahapan. Pertama adalah metode preparasi bahan dan kedua metode karakterisasi yang meliputi penentuan struktur dan komposisi kimia serta morfologi permukaan sampel. 1. Metode preparasi bahan masif Bahan yang diperlukan untuk preparasi paduan masif adalah Cadmium (Cd) dan Selenium (Se) yang masing masing memiliki derajat kemurnian %. Preparasi ini dilakukan dengan beberapa langkah sebagai berikut: a. menyusun system peralatan metode Bridgman dengan skema preparasi seperti tampak pada referensi [9]. Prosiding Pertemuan Ilmiah XXVII HFI Jateng & DIY, Solo, 3 Maret 013 ISSN :
3 Ariswan / Struktur Kristal, Morfologi Permukaan dan Sifat Optik Bahan CdSe Hasil Preparasi dengan Teknik Close Spaced Vapor Transport (CSVT) untuk Aplikasi Sel Surya 99 b. preparasi CdSe, dengan cara mula- mula menimbang Cadmium (Cd) misalnya p gram. Selanjutnya dapat dihitung massa selen Se sebesar p dibagi dengan Berat Atom Cd dikalikan dengan Berat Atom Se. c. Ketiga bahan tersebut dimasukkan dalam tabung pyrex yang memiliki diameter dalam dan luar berturut turut 1 mm dan 16 mm. Tabung tersebut dicuci dengan campuran larutan HF, HN O3 dan H O dengan perbandingan :3:5. dan dikeringkan dalam ruang pemanas bersuhu 80 C selama 8 jam. Tabung bersama bahan- bahan di atas ditempatkan pada vakum berorde 10-5 Torr dan dilas pada salah satu ujungnya. Tabung pyrex yang telah dilas tersebut kemudian ditempatkan pada furnace yang temperaturnya dapat di atur sesuai kebutuhan yang telah ditentukan melalui penentuan diagram alur suhu- waktu. Metode Preparasi Lapisan Tipis Hasil preparasi masif selanjutnya digerus sehingga berbentuk serbuk. Serbuk kemudian dibuat pelet dengan dimensi yang sesuai diameter reaktor. Preparasi lapisan tipis dengan teknik CSVT, dengan skema preparasi seperti tampak pada gambar 1. antara,0 mm sampai 6,0 mm, sedangkan di sekitar substrat dipanasi oleh karena kristalissi lapisan tipis akan terjadi dengan suhu substrat di atas 300 o C [10]. Kelebihan teknik ini adalah bahwa hasil lapisan tipis memiliki komposisi dan struktur yang sama dengan sumber target pelet paduan masifnya dan tekanan kerja reaktor cukup berorde 10-4 Torr, sehingga hanya menggunakan pompa primer saja. IV. HASIL DAN PEMBAHASAN 1. Analisis XRD (X-ray Diffraction) X-Ray Diffraction (XRD) digunakan untuk mengetahui struktur kristal dari lapisan tipis CdSe. Teknik XRD dapat digunakan untuk menganalisis struktur kristal karena setiap unsur atau senyawa memiliki pola difraksi tertentu. Analisis XRD dilakukan pada sampel dan hasilnya seperti pada Gambar. Pada difraktrogram tersebut tampak kaitan antara sudut θ tertentu dengan intensitas cacah detector yang telah ada dalam sistem XRD. Besarnya intensitas tersebut tentu ditentukan oleh beberapa faktor utamanya oleh sudutnya memenuhi hukum Bragg, dan Faktor struktur F memberikan nilai maksimum, Klep Vakum 500 Ke sistem Vakum (100) sampel 1 Substrat Pemisah Tempat peletakan Yodium (Solid) Tabung Kuarsa intensitas (cps) (101) PemanasSubstrat (110) (103) (00) Sumber Target Pemanas Sumber θ (derajad) Sumber Arus Gambar 1. Skema teknik CSVT. Sistem evaporasi terbuat dari tabung kuarsa diameter 5 mm dan panjangnya 30 mm. Sumber adalah paduan CdSe hasil preparasi dengan teknik Bridgman yang kemudian digerus dan dibentuk pelet menggunakan tekanan sekitar 5 x 10 4 N/cm. Yodium merupakan katalisator transport, sehingga pemanasan sumber cukup berkisar antara 400 o C sampai 700 o C dan suhu ini dapat diketahui menggunakan termokopel. Antara sumber dan substrat dipisahkan oleh suatu pemisah yang jaraknya Gambar. Difraktogram lapisan tipis CdSe Struktur Kristal dapat diketahui dengan membandingkan data hasil karakterisasi XRD dengan data standart JCPDS. Selanjutnya Membnadingkan tersebut dimaksudkan untuk mengetahu bidang dengan indeks Miller (hkl) tertentu pada puncak-puncak difraksi yang terbentuk pada difraktogram. Indeks miller dari suatu kristal diperlukan untuk menentukan nilai dari parameter kisi kristal (a, b, dan c). Hasilnya dapat diketahui bahwa lapisan tipis CdSe yang terbentuk merupakan kristal berbentuk polikristal dengan sistem kristal heksagonal. Kristal ini memiliki parameter kisi a = b c; α = β = 90, Prosiding Pertemuan Ilmiah XXVII HFI Jateng & DIY, Solo, 3 Maret 013 ISSN :
4 Ariswan / Struktur Kristal, Morfologi Permukaan dan Sifat Optik Bahan CdSe Hasil Preparasi dengan Teknik Close Spaced Vapor Transport (CSVT) untuk Aplikasi Sel Surya 100 dan γ = 10.. Perbandingan data XRD dengan Data JCPDS ditunjukkan pada Tabel 1 Tabel 1. Perbandingan data XRD penelitian lapisan tipis CdSe sampel 1 dengan data JCPDS bahan CdSe. CdSe Peak CdSe JCPDS θ ( derajat) hkl CdSe sampel θ ( derajat) Berdasarkan Tabel 1 dapat diketahui sudut difraksi ( ( θ), intensitas (I) dan jarak antar bidang (dhkl). Seperti telah disebutkan di atas,setelah etelah data hasil XRD dibandingkan dengan data JCPDS maka akan diketahui nilai-nilai nilai indeks miller (hkl) pada puncak-puncak puncak difraksi yang terbentuk. Berdasarkan data yang telah diperoleh, nilai parameter kisi dari kristal lapisan tipis CdSe yang terbentuk bentuk dapat dihitung dengan metode analitik. Hasil perhitungan nilai parameter kisi ditunjukkan pada Tabel. (a) Tabel. Perbandingan parameter kisi kristal lapisan tipis CdSe sampel 1 dan dengan metode analitik. Parameter kisi Sampel Lapisan Tipis CdSe JCPDS CdSe a b c 4,89 Å 4,89 Å 7,03 Å 4,99 Å 4,99 Å 7,010 Å. Analisis SEM (Scanning Electron Microscopy ) SEM digunakan untuk mengetahui struktur morfologi permukaan bahan lapisan tipis CdSe. Prinsip kerja pirantinya adalah interaksi antara berkas electron yang dikenakan pada sampel dan atom- atom sampel. Hasil dari SEM ini berupa morfologi permukaan dari kristal yang terbentuk. Hasilnya dapat dilihat permukaan lapisan tipis pada Gambar 3 a dan b. Hasil SEM tampak depan dari lapisan tipis CdSe digunakan perbesaran kali terlihat bahwa struktur sampel berupa kristalin dengan ukuran grain berkisar antara 5 sampai 10 µm berbentuk lonjong yang mengarah pada sistem Kristal Heksagonal. Sedangkan an dari tampang lintang lapisan tipis terlihat bahwa struktur sampel berupa kristalin dengan ketebalan sekitar 5 µm. m. Ketika pemanasan selama 10 menit menunjukkan bahwa laju deposisi sebesar 0,07 µm/detik (b) Gambar 3. SEM (a). Hasil pemotretan permukaan lapisan tipis CdSe perbesaran 1000 kali. (b). Penampang enampang lintang lapisan tipis CdSe perbesaran 5000 kali kali. 3. Analisis EDS (Energy Dispersive Spectroscopy Spectroscopy) Komposisi kimia dari preparasi lapisan tipis CdSe yang terbentuk dapat diketahui dengan menggunakan piranti EDS yang biasanya nya selalu terintgrasi dengan SEM di atas..hasil analisis EDS berupa grafik hubungan antara intensitas dengan energi yang menyatakan hasil spektrum energi sinar-x X karakteristik dari bahan sampel yang dikarakterisasi.hasil analisisnya ditunjukkan pada Gambar 4. Prosiding Pertemuan Ilmiah XXVII XXVI HFI Jateng & DIY, Solo, 3 Maret 013 ISSN :
5 Ariswan / Struktur Kristal, Morfologi Permukaan dan Sifat Optik Bahan CdSe Hasil Preparasi dengan Teknik Close Spaced Vapor Transport (CSVT) untuk Aplikasi Sel Surya 101 Dalam respon tampak bahwa terjadi serapan yang berubah secara drastic pada panjang gelombang antara 676 nm dan 87 nm, sehingga panjang gelombang ratarata serapan maksimum adalah 751 nm. Dari fenomena ini dapat ditentukan bahwa pada panjang gelombang tersebut sangat berkaitan dengan energy gap bahan CdSe. Oleh karena itu energi gap dapat dihitung dengan cara merata- rata kedua nilai panjang gelombang dan Eg=1,4/751 dikalikan 1000, besarnya Eg = 1,65 ev. Dengan demikian jelas bahwa energy gap sampel CdSe hasil preparasi dengan teknik CSVT sebesar 1,65 ev dan nilai ini sangat sesuai dengan teori yaitu sebesar 1,65 ev. Gambar 4. Grafik hubungan antara intensitas dengan energi hasil karakterisasi EDAX lapisan tipis CdSe yang dipireparasi dengan teknik CSVT. Hasil karakterisasi EDS untuk lapisan tipis CdSe yang telah dipreparasi dengan teknik CSVT memberikan hasil persentase komposisi kimia yang terbentuk yaitu Se: 30,44 %, Cd: 69,56 %. Hasil ini menunjukkan bahwa perbandingan molaritas senyawa dapat dinyatakan dalam rumusan CdSe 0,44. Oleh karena itu dapat dinyatakan bahwa senyawa adalah non stosiometri kaya atom Cd mengingat Cd/Se =,9, namun demikian jelas bahwa fase CdSe telah terbentuk dalam sampel lapisan tipis. Spektrofotometer Karakterisasi ini berkaitan dengan bagaimana respon lapisan tipis CdSe terhadap foton yang kita kenakan dalam sistem piranti Spektrofotometer. Hasil respon tersebut dapat ditunjukkan pada Gambar 5. Gambar 5. Transmitansi CdSe pada panj. glb. antara 400 nm sampai 1000 nm. KESIMPULAN Setelah melakukan kajian atas hasil penelitian ini dapat disimpulkan sebagai berikut. 1. Telah berhasil dilakukan preparasi lapisan tipis CdSe dengan teknik CSVT. CdSe memiliki struktur heksagonal dengan parameter kisi berturutturut a = b = 4,89 Å dan c = 7,03 Å.. Hasil karakterisasi SEM menunjukkan bahwa terjadi homogenitas warna yang berarti sangat mungkin bahan yang terjadi adalah homogen dengan ukuran butir kristalin tampak terlihat mengarah pada struktur heksagonal. 3. Selanjutnya atas dasar hasil EDAX komposisi kimia non stoichiometri dengan perbandingan molaritas Cd:Se adalah 1: 0, Hasil karakterisi fotospektroskopi menunjukkan bahwa energy gap CdSe sebesar 1,65 ev dan nilai ini menunjukkan bahwa bahan CdSe adalah sangat promotif dalam upaya merealisasikan sel surya lapisan tipis berbasis bahan CdSe. UCAPAN TERIMAKASIH Penulis ingin mengucapkan terimakasih kepada Direktur DPM Dirjen Dikti yang telah memberikan kesempatan untuk meneliti bahan semikonduktor lapisan tipis dengsan teknik CSVT dalam sistem Cd(Se,Te) melalui dana dalam Riset Fundamental tahun dengan nomor surat perjanjian kontrak : No.1/H.34.1/SPLHF/DPM/011. PUSTAKA ACUAN [1] C. Baban, G.I. Rusu, P. Prapetita, Jurnal of Optoelectronics and Advance Materials, Vol. 7, 005, p [] N.J. Suthan Kesinger, M. Jayachandran, K. Perumala, and Sanjevi Raja, Bul. Mater. Scie, vol 30, 007, p [3] G.H. Lin, G.E Carlson, International Journal of Hidrogen Energy, 5(000), p [4] M. Contreras, Egaas B, Ramanathan K, Preferred orientasion in polycrystalline Cu(In,Ga)se and its effecton absorber thin films and device, 16 th European Photovoltaic Solar Energy Conference (1-5 Mey 000)p.37. Prosiding Pertemuan Ilmiah XXVII HFI Jateng & DIY, Solo, 3 Maret 013 ISSN :
6 10 Ariswan / Struktur Kristal, Morfologi Permukaan dan Sifat Optik Bahan CdSe Hasil Preparasi dengan Teknik Close Spaced Vapor Transport (CSVT) untuk Aplikasi Sel Surya [5] M. Contreras, B. Egas, K. Ramanathan, Prog. Photovoltaic p. 311 [6] James E. Rannels, Solar Energy Materials & Solar Cells p.3-8. [7] Martin A. Green, Physica E, P [8] C. Suryanarayana and M.Grant Norton, Plenum Press- New York and London, 1998 [9] Ariswan, Struktur dan komposisi Kimia bahan semikonduktor Cd(Se,S) masif hasil preparasi dengan teknik Bridgman, Proseeding Semnas Pendidikan dan Penerapan Mipa, Yogyakarta 009. [10] Zouaoui, A; Lachab,M ; Hidalgo,M.L; Chaffa, A, Llinares,C; and Kesri,N,Thin Solid Films 339 (1999)p.10 Prosiding Pertemuan Ilmiah XXVII HFI Jateng & DIY, Solo, 3 Maret 013 ISSN :
PENGARUH ATOM SULFUR PADA PARAMETER KISI KRISTAL MATERIAL SEL SURYA Cd(Se 1-x,S x ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN
PENGARUH ATOM SULFUR PADA PARAMETER KISI KRISTAL MATERIAL SEL SURYA Cd(Se 1-x,S x ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN Ariswan Prodi Fisika FMIPA Universitas Negeri Yogyakarta E-mail : ariswan@uny.ac.id
Lebih terperinciStruktur dan komposisi kimia bahan semikonduktor Cd(Se,S) masif hasil preparasi dengan metode Bridgman.
Prosiding Seminar Nasional Penelitian, Pendidikan, dan Penerapan MIPA Fakultas MIPA, Universitas Negeri Yogyakarta, 16 Mei 2009 Struktur dan komposisi kimia bahan semikonduktor Cd(Se,S) masif hasil preparasi
Lebih terperinciStruktur dan komposisi kimia bahan semikonduktor Cd(Se,S) masif hasil preparasi dengan metode Bridgman.
Struktur dan komposisi kimia bahan semikonduktor Cd(Se,S) masif hasil preparasi dengan metode Bridgman. ( Structure and chemical composition of Cd(Se (1-x),S x ) bulk obtained by the Bridgman Methode)
Lebih terperinciSTRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPIS TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 S 0.8 ) HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA
J. Sains Dasar 2015 4 (2) 198-203 STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPIS TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 S 0.8 ) HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA THE STRUCTURE AND CHEMICAL
Lebih terperinciLAPORAN PENELITIAN FUNDAMENTAL
LAPORAN PENELITIAN FUNDAMENTAL Bidang Ilmu: MIPA Preparasi dan karakterisasi bahan semikonduktor Sn(S 1-X,Se X ) masif menggunakan teknik Bridgman dan lapisan tipis dengan teknik evaporasi untuk aplikasi
Lebih terperinciPREPARASI DAN KARAKTERISASI PADUAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,6 Te 0,4 ) DENGAN METODE BRIDGMAN MELALUI VARIASI WAKTU PEMANASAN
Preparasi dan Karakterisasi.(Iin Astarinugrahini) 298 PREPARASI DAN KARAKTERISASI PADUAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,6 Te 0,4 ) DENGAN METODE BRIDGMAN MELALUI VARIASI WAKTU PEMANASAN PREPARATION AND CHARACTERIZATION
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. energi listrik. Pemanfaatan energi listrik terus berkembang tidak hanya berfokus
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Seiring pertumbuhan penduduk di dunia yang semakin meningkat, kebutuhan akan sumber energi meningkat pula. Termasuk kebutuhan akan sumber energi listrik. Pemanfaatan
Lebih terperinciPENGARUH VARIASI MASSA BAHAN TERHADAP KUALITAS KRISTAL SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 Te 0,8 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN
Pengaruh Variasi Massa... (Annisa Dyah ) 238 PENGARUH VARIASI MASSA BAHAN TERHADAP KUALITAS KRISTAL SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 Te 0,8 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN THE EFFECT OF MATERIAL MASS ON
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. kita terima bahwa pemakaian energi berbahan dasar dari fosil telah menjadi salah
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Menipisnya cadangan energi fosil di Indonesia dan kenyataan yang harus kita terima bahwa pemakaian energi berbahan dasar dari fosil telah menjadi salah satu
Lebih terperinciPENGARUH WAKTU ALUR PEMANASANTERHADAP KUALITAS KRISTAL Sn(S 0,4 Te 0,6 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN
286 Kristal Sn(S.4Te.6)... (Erda Harum Saputri) PENGARUH WAKTU ALUR PEMANASANTERHADAP KUALITAS KRISTAL Sn(S,4 Te,6 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN THE EFFECT OF FLOW HEATING TIME FOR CRYSTAL QUALITY
Lebih terperinciPENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se 0,4 Te 0,6 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM
Pengaruh Suhu Substrat...(Vina Hentri Tunita N.)288 PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se 0,4 Te 0,6 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM THE EFFECT OF SUBSTRATE
Lebih terperinciWidyanuklida, Vol. 15 No. 1, November 2015: ISSN
Widyanuklida, Vol. 15 No. 1, November 2015: 22-27 ISSN 1410-5357 Penentuan Struktur Kristal dan Komposisi Kimia Lapisan Tipis Sn(Se 0,5 S 0,5 ) Hasil Preparasi Teknik Evaporasi untuk Aplikasi Sel Surya
Lebih terperinciStruktur dan sifat-sifat listrik bahan semikonduktor Cu(In (1-x),Ga x )Se 2 masif hasil preparasi dengan metode Bridgman.
Struktur dan sifat-sifat listrik bahan semikonduktor Cu(In (1-x),Ga x )Se 2 masif hasil preparasi dengan metode Bridgman. Ariswan 1, Hari Sutrisno dan Suharto 2 1). Dosen Jurdik.Fisika FMIPA Universitas
Lebih terperinciSTRUCTURAL, CHEMICAL COMPOSITION, ELECTRICAL AND OPTICAL PROPERTIES OF Sn (Se 0,4 S 0,6 ) THIN FILMS PREPARED USING THERMAL EVAPORATION FOR SOLAR CELLS APPLICATIONS Ariswan * * Jurdik. Fisika, Prodi Fisika,
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Komponen elektronika seperti diode, transistor dan sebuah IC. semikonduktor. Pada zaman sekarang perkembangan piranti elektronika
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Komponen elektronika seperti diode, transistor dan sebuah IC (integrated circuit) merupakan elemen-elemen yang terbuat dari semikonduktor. Pada zaman sekarang
Lebih terperinciPENGARUH DAYA PLASMA PADA STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING
134 Prosiding Pertemuan Ilmiah XXIV HFI Jateng & DIY, Semarang 10 April 2010 hal. 134-138 PENGARUH DAYA PLASMA PADA STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING
Lebih terperinciSTRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPISAN TIPIS Sn(So,4Te0,6) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM
Struktur dan Komposisi... (Eka Wulandari) 1 STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPISAN TIPIS Sn(So,4Te0,6) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM STRUCTURE AND CHEMICAL COMPOSITION OF Sn(S0,4Te0,6) THIN
Lebih terperinciSTUDI TENTANG PENGARUH JARAK (SPACER) TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn ) HASIL PREPARASI TEKNIK EVAPORASI VAKUM
Studi tentang Pengaruh...(Wida Afosma)385 STUDI TENTANG PENGARUH JARAK (SPACER) TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn ) HASIL PREPARASI TEKNIK EVAPORASI VAKUM STUDY ABOUT THE EFFECT OF SPACER TO CRYSTAL
Lebih terperinciPENGARUH ALUR SUHU TERHADAP KUALITAS KRISTAL Sn(Se 0,8 Te 0,2 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN UNTUK APLIKASI SEL SURYA
Pengaruh Alur Suhu... (Anggraeni Kumala Dewi) 122 PENGARUH ALUR SUHU TERHADAP KUALITAS KRISTAL Sn(Se 0,8 Te 0,2 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN UNTUK APLIKASI SEL SURYA STREAM OF TEMPERATURE CRYSTAL
Lebih terperinciPREPARASI LAPISAN TIPIS SAMBUNGAN p-n ZnO DAN CuInSe MENGGUNAKAN PENYANGGA LAPISAN CdS UNTUK APLIKASI SEL SURYA
, dkk. ISSN 0216-3128 153 PREPARASI LAPISAN TIPIS SAMBUNGAN p-n ZnO DAN CuInSe MENGGUNAKAN PENYANGGA LAPISAN CdS UNTUK APLIKASI SEL SURYA PTAPB Badan Tenaga Nuklir Nasional Agung B.S.U, Messa Monika Sari
Lebih terperinciPROGRAM STUDI FISIKA JURUSAN PENDIDIKAN FISIKA
PENGARUH PERBEDAAN TEMPERATUR KRISTALISASI TERHADAP KARAKTERISTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR Pb(Se 0,8 Te 0,2 ) HASIL PREPARASI DENGAN METODE BRIDGMAN SKRIPSI Diajukan kepada Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan
Lebih terperinciSTRUCTURE AND CHEMICAL COMPOTITION OF SEMICONDUCTOR MATEERIAL Sn(S 0,8 Te 0,2 ) THIN FILM PREPARATION RESULT BY VACUM EVAPORATION TECNIQUES
173 Jurnal Fisika Volum 6 Nomor 3. Tahun 2017 STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS Sn(S 0,8 Te 0,2 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM STRUCTURE AND CHEMICAL COMPOTITION
Lebih terperinciBAB V KESIMPULAN DAN SARAN. maka diperoleh kesimpulan sebagai berikut : Bridgman. Bahan-bahan yang digunakan adalah Pb, Se, dan Te kemudian
BAB V KESIMPULAN DAN SARAN A. Kesimpulan Berdasarkan hasil penelitian dan pembahasan mengenai hasil preparasi bahan semikonduktor Pb(Se 0,6 Te 0,4 ) dengan menggunakan teknik Bridgman maka diperoleh kesimpulan
Lebih terperinciBAB 1 PENDAHULUAN Latar Belakang
BAB 1 PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Memasuki abad 21, persediaan minyak dan gas bumi semakin menipis. Sementara kebutuhan akan energi semakin meningkat, terutama dirasakan pada negara industri. Kebuthan
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN
BAB III METODOLOGI PENELITIAN A. Metode Penelitian Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen secara kualitatif dan kuantitatif. Metode penelitian ini menjelaskan proses degradasi fotokatalis
Lebih terperinciPENGARUH KANDUNGAN SULFUR TERHADAP KONSTANTE KISI KRISTAL CuIn (S x,se 1-x ) 2
Pengaruh kandungan sulfur terhadap konstante kisi kristal of CuIn (S x,se 1-x ) 2 (Wirjoadi, Bambang Siswanto) PENGARUH KANDUNGAN SULFUR TERHADAP KONSTANTE KISI KRISTAL CuIn (S x,se 1-x ) 2 Wirjoadi, Bambang
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen yang dilakukan di
BAB III METODE PENELITIAN Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen yang dilakukan di lab. Fisika Material, Jurusan Pendidikan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas
Lebih terperinciTHE EFFECT OF THE HEATING SEQUENCE OF THE CRYSTAL QUALITY Sn(S0,5Te0,5) PREPARATION RESULTS BY BRIDGMAN TECHNIQUE
Pengaruh Alur Pemanasan Pada Kualitas Kristal Sn(S 0,5Te 0,5). (Sya amzuri Hidayat) 277 PENGARUH ALUR PEMANASAN PADA KUALITAS KRISTAL Sn(S0,5Te0,5) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN THE EFFECT OF
Lebih terperinci2 SINTESIS DAN KARAKTERISASI NANOSTRUKTUR ZnO
2 SINTESIS DAN KARAKTERISASI NANOSTRUKTUR ZnO 3 Pendahuluan ZnO merupakan bahan semikonduktor tipe-n yang memiliki lebar pita energi 3,37 ev pada suhu ruang dan 3,34 ev pada temperatur rendah dengan nilai
Lebih terperinciDr. Ariswan Dosen Jurdik.Fisika FMIPA Universitas Negeri Yogyakarta
Struktur dan Respon Spektral Ultra Violet Visible (UV-VIS) pada Lapisan Tipis Tembaga, Aurum, Indium, Perak, dan Aluminium hasil Preparasi dengan Teknik Evaporasi Klasik. Dr. Ariswan Dosen Jurdik.Fisika
Lebih terperinciSTRUKTUR KRISTAL DAN KOMPOSISI KIMIA SEMIKONDUKTOR CD(SE0,6TE0,4) HASIL PREPARASI DENGAN METODE BRIDGMAN
DOI: doi.org/10.21009/spektra.021.11 STRUKTUR KRISTAL DAN KOMPOSISI KIMIA SEMIKONDUKTOR CD(SE0,6TE0,4) HASIL PREPARASI DENGAN METODE BRIDGMAN Rizalul Fiqry 1,a), Ariswan 2, Heru Kuswanto 3 1 Mahasiswa
Lebih terperinciPENGARUH ALUR PEMANASAN TERHADAP KARAKTER BAHAN SEMIKONDUKTOR Pb(Se 0,6 Te 0,4 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN SKRIPSI
PENGARUH ALUR PEMANASAN TERHADAP KARAKTER BAHAN SEMIKONDUKTOR Pb(Se 0,6 Te 0,4 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN SKRIPSI Diajukan kepada Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas
Lebih terperinciBab III Metodologi Penelitian
Bab III Metodologi Penelitian Penelitian ini dilaksanakan di Laboratorium Penelitian Kimia Analitik, Program Studi Kimia FMIPA ITB sejak September 2007 sampai Juni 2008. III.1 Alat dan Bahan Peralatan
Lebih terperinciBAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI
BAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI Pada bab ini dibahas penumbuhan AlGaN tanpa doping menggunakan reaktor PA- MOCVD. Lapisan AlGaN ditumbuhkan dengan variasi laju alir gas reaktan, hasil penumbuhan dikarakterisasi
Lebih terperinciSINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION
SINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION Yolanda Oktaviani, Astuti Jurusan Fisika FMIPA Universitas Andalas e-mail: vianyolanda@yahoo.co.id
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. dengan menggunakan kamera yang dihubungkan dengan komputer.
10 dengan menggunakan kamera yang dihubungkan dengan komputer. HASIL DAN PEMBAHASAN Hasil sintesis paduan CoCrMo Pada proses preparasi telah dihasilkan empat sampel serbuk paduan CoCrMo dengan komposisi
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. pembuatan piranti optoelektronika yang berkualitas tinggi.
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Sejak ditemukannya silikon (Si) dan germanium (Ge) sebagai material semikonduktor, berbagai penelitian dilakukan untuk memperoleh material semikonduktor lain
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. penelitian ini dilakukan pembuatan keramik Ni-CSZ dengan metode kompaksi
19 BAB III METODE PENELITIAN 3.1 Metode Penelitian Metode yang dilakukan pada penelitian ini adalah eksperimen. Pada penelitian ini dilakukan pembuatan keramik Ni-CSZ dengan metode kompaksi serbuk. 3.2
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini mengalami peralihan dari teknologi mikro (microtechnology) ke generasi yang lebih kecil yang dikenal
Lebih terperinciDEPOSISI LAPISAN TIPIS (CdS) TIPE-N DIATAS LAPISAN TIPIS (CuInSe 2 ) TIPE-P SEBAGAI PENYANGGA UNTUK SEL SURYA CIS
250 ISSN 0216-3128 Wirjoadi, dkk. DEPOSISI LAPISAN TIPIS (CdS) TIPE-N DIATAS LAPISAN TIPIS (CuInSe 2 ) TIPE-P SEBAGAI PENYANGGA UNTUK SEL SURYA CIS Wirjoadi, Yunanto, Bambang Siswanto Pusat Teknologi Akselerator
Lebih terperinciRINGKASAN PENELITIAN
RINGKASAN PENELITIAN Penelitian ini secara umum bertujuan melakukan preparasi dan karakterisasi sambungan p-n dalam merealisasikan piranti sel surya. Piranti sel surya direalisasikan dengan dua bahan lapisan
Lebih terperinciIII. METODOLOGI PENELITIAN. Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Februari 2013 sampai dengan Juni 2013 di
III. METODOLOGI PENELITIAN A. Waktu dan Tempat Penelitian Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Februari 2013 sampai dengan Juni 2013 di Laboratorium Fisika Material FMIPA Unila, Laboratorium Kimia Instrumentasi
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN. Penelitian yang dilakukan di Kelompok Bidang Bahan Dasar PTNBR-
BAB III METODOLOGI PENELITIAN Penelitian yang dilakukan di Kelompok Bidang Bahan Dasar PTNBR- BATAN Bandung meliputi beberapa tahap yaitu tahap preparasi serbuk, tahap sintesis dan tahap analisis. Meakanisme
Lebih terperinciOleh: Tyas Puspitaningrum, Tjipto Sujitno, dan Ariswan
Penentuan Band Gap... (Tyas Puspitaningrum) 166 PENENTUAN BAND GAP DAN KONDUKTIVITAS BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS Sn(S 0,8 Te 0,2 ) DAN Sn(S 0,6 Te 0,4 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI TERMAL
Lebih terperinciANALISIS FASA KARBON PADA PROSES PEMANASAN TEMPURUNG KELAPA
ANALISIS FASA KARBON PADA PROSES PEMANASAN TEMPURUNG KELAPA Oleh : Frischa Marcheliana W (1109100002) Pembimbing:Prof. Dr. Darminto, MSc Jurusan Fisika Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Institut
Lebih terperinciIII. METODE PENELITIAN. Penelitian ini telah dilaksanakan pada bulan Februari sampai Juni 2013 di
III. METODE PENELITIAN A. Waktu dan Tempat Penelitian Penelitian ini telah dilaksanakan pada bulan Februari sampai Juni 2013 di Laboratorium Fisika Material dan Laboratorium Kimia Instrumentasi FMIPA Universitas
Lebih terperinciDEPOSISI LAPISAN TIPIS (CdS) TIPE-N DI ATAS LAPISAN TIPIS (CuInSe 2 ) TIPE-P SEBAGAI PENYANGGA UNTUK SEL SURYA CIS
ISSN 1410-6957 DEPOSISI LAPISAN TIPIS (CdS) TIPE-N DI ATAS LAPISAN TIPIS (CuInSe 2 ) TIPE-P SEBAGAI PENYANGGA UNTUK SEL SURYA CIS Wirjoadi, Yunanto, Bambang Siswanto Pusat Teknologi Akselerator dan Proses
Lebih terperinciBab IV. Hasil dan Pembahasan
Bab IV. Hasil dan Pembahasan Bab ini memaparkan hasil sintesis, karakterisasi konduktivitas listrik dan struktur kirstal dari senyawa perovskit La 1-x Sr x FeO 3-δ (LSFO) dengan x = 0,2 ; 0,4 ; 0,5 ; 0,6
Lebih terperinciTabel 3.1 Efisiensi proses kalsinasi cangkang telur ayam pada suhu 1000 o C selama 5 jam Massa cangkang telur ayam. Sesudah kalsinasi (g)
22 HASIL PENELITIAN Kalsinasi cangkang telur ayam dan bebek perlu dilakukan sebelum cangkang telur digunakan sebagai prekursor Ca. Berdasarkan penelitian yang telah dilakukan sebelumnya, kombinasi suhu
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. I.1 Latar Belakang Kebutuhan akan energi semakin berkembang seiring dengan
BAB I PENDAHULUAN I.1 Latar Belakang Kebutuhan akan energi semakin berkembang seiring dengan berkembangnya kehidupan manusia. Sehingga para peneliti terus berupaya untuk mengembangkan sumber-sumber energi
Lebih terperinciMAKALAH FABRIKASI DAN KARAKTERISASI XRD (X-RAY DIFRACTOMETER)
MAKALAH FABRIKASI DAN KARAKTERISASI XRD (X-RAY DIFRACTOMETER) Oleh: Kusnanto Mukti / M0209031 Jurusan Fisika Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Sebelas Maret Surakarta 2012 I. Pendahuluan
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN
BAB III METODE PENELITIAN Metode penelitian yang digunakan yaitu eksperimen. Pembuatan serbuk CSZ menggunakan cara sol gel. Pembuatan pelet dilakukan dengan cara kompaksi dan penyinteran dari serbuk calcia-stabilized
Lebih terperinciSTUDI ORIENTASI PEMASANGAN PANEL SURYA POLY CRYSTALLINE SILICON DI AREA UNIVERSITAS RIAU DENGAN RANGKAIAN SERI-PARALEL
STUDI ORIENTASI PEMASANGAN PANEL SURYA POLY CRYSTALLINE SILICON DI AREA UNIVERSITAS RIAU DENGAN RANGKAIAN SERI-PARALEL Ridho Ravita Wardy, Krisman, Cahyo Budi Nugroho Mahasiswa Program Studi S1 Fisika
Lebih terperinciPEMBUATAN DAN KARAKTERISASI MEMBRAN KERAMIK ZrSiO 4 -V 2 O 5 TESIS. ERFAN PRIYAMBODO NIM : Program Studi Kimia
PEMBUATAN DAN KARAKTERISASI MEMBRAN KERAMIK ZrSiO 4 -V 2 O 5 TESIS Karya tulis sebagai salah satu syarat untuk memperoleh gelar Magister dari Institut Teknologi Bandung Oleh ERFAN PRIYAMBODO NIM : 20506006
Lebih terperinciBab III Metodologi Penelitian
Bab III Metodologi Penelitian III. 1. Tahap Penelitian Penelitian ini terbagai dalam empat tahapan kerja, yaitu: a. Tahapan kerja pertama adalah persiapan bahan dasar pembuatan LSFO dan LSCFO yang terdiri
Lebih terperinciSTUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI
Studi Pengaruh Suhu Substrat. (Rully Fakhry Muhammad) 303 STUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI STUDY
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. Keterangan Gambar 7 : 1. Komputer 2. Ocean Optic USB 2000 Spektrofotometer
7 Keterangan Gambar 7 : 1. Komputer 2. Ocean Optic USB 2000 Spektrofotometer 3. Sumber Cahaya (Polikromatis) 4. Fiber Optik 5. Holder 6. Samp 7. Gambar 7 Perangkat spektrofotometer UV-VIS. Karakterisasi
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. didalamnya dilakukan karakterisasi XRD. 20%, 30%, 40%, dan 50%. Kemudian larutan yang dihasilkan diendapkan
6 didalamnya dilakukan karakterisasi XRD. 3.3.3 Sintesis Kalsium Fosfat Sintesis kalsium fosfat dalam penelitian ini menggunakan metode sol gel. Senyawa kalsium fosfat diperoleh dengan mencampurkan serbuk
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN. Lokasi penelitian dilakukan di Laboratorium Fisika Material, Jurusan
BAB III METODOLOGI PENELITIAN A. Lokasi dan Waktu Penelitian Lokasi penelitian dilakukan di Laboratorium Fisika Material, Jurusan Pendidikan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas
Lebih terperinciBab III Metodologi Penelitian
28 Bab III Metodologi Penelitian III.1 Tahap Penelitian Penelitian ini terbagi dalam empat tahapan kerja, yaitu : Tahapan kerja pertama adalah persiapan bahan dasar pembuatan film tipis ZnO yang terdiri
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Listrik merupakan kebutuhan esensial yang sangat dominan kegunaannya
λ Panjang Gelombang 21 ω Kecepatan Angular 22 ns Indeks Bias Kaca 33 n Indeks Bias Lapisan Tipis 33 d Ketebalan Lapisan Tipis 33 α Koofisien Absorpsi 36 Frekuensi Cahaya 35 υ BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN. Metode penelitian yang digunakan pada penelitian ini adalah
BAB III METODOLOGI PENELITIAN 3.1 Metode penelitian Metode penelitian yang digunakan pada penelitian ini adalah eksperimental dan pembuatan keramik film tebal CuFe 2 O 4 dilakukan dengan metode srcreen
Lebih terperinciFABRIKASI THIN FILM QUARTERNAIR CuGaSeTe DAN CuGa 0.5 In 0.5 Te 2 DENGAN EVAPORASI FLASH
MAKARA, TEKNOLOGI, VOL. 8, NO. 1, APRIL 2004: 9-16 9 FABRIKASI THIN FILM QUARTERNAIR CuGaSeTe DAN CuGa 0.5 In 0.5 Te 2 DENGAN EVAPORASI FLASH A. Harsono Soepardjo Departemen Fisika, FMIPA, Universitas
Lebih terperinciSintesis Nanopartikel ZnO dengan Metode Kopresipitasi
Sintesis Nanopartikel ZnO dengan Metode Kopresipitasi NURUL ROSYIDAH Jurusan Fisika Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Institut Teknologi Sepuluh Nopember Pendahuluan Kesimpulan Tinjauan Pustaka
Lebih terperinciIII. METODE PENELITIAN. preparsai sampel dan pembakaran di furnace di Laboratorium Fisika Material
III. METODE PENELITIAN 3.1 Waktu dan Tempat Penelitian Waktu pelaksanaan penelitian terhitung sejak bulan Maret 2015 sampai dengan Mei 2015. Tempat penelitian dilaksanakan dibeberapa tempat yang berbeda
Lebih terperinciIII. METODE PENELITIAN
21 III. METODE PENELITIAN 3.1 Waktu dan Tempat Penelitian Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Agustus 2010 - Juni 2011 di Laboratorium Biofisika dan Laboratorium Fisika Lanjut, Departemen Fisika IPB.
Lebih terperinciBab III Metoda Penelitian
28 Bab III Metoda Penelitian III.1 Lokasi Penelitian Sintesis senyawa target dilakukan di Laboratorium Kimia Anorganik dan Laboratorium Kimia Fisik-Material Departemen Kimia, Pengukuran fotoluminesens
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini terlihat dari banyaknya komponen semikonduktor yang digunakan disetiap kegiatan manusia.
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN. Metode yang digunakan dalam penelitian ini adalah metoda eksperimen.
BAB III METODOLOGI PENELITIAN A. Metode Penelitian Metode yang digunakan dalam penelitian ini adalah metoda eksperimen. Penelitian dilakukan dengan beberapa tahapan yang digambarkan dalam diagram alir
Lebih terperinciIII. METODOLOGI PENELITIAN. analisis komposisi unsur (EDX) dilakukan di. Laboratorium Pusat Teknologi Bahan Industri Nuklir (PTBIN) Batan Serpong,
III. METODOLOGI PENELITIAN A. Tempat dan Waktu Penelitian Penelitian ini dilakukan di Laboratorium Biomassa, Lembaga Penelitian Universitas Lampung. permukaan (SEM), dan Analisis difraksi sinar-x (XRD),
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Kebutuhan energi yang terus meningkat dan semakin menipisnya cadangan minyak bumi dan gas alam menjadi pendorong bagi manusia untuk mencari sumber energi alternatif.
Lebih terperinciPengaruh Temperatur dan Waktu Putar Terhadap Sifat Optik Lapisan Tipis ZnO yang Dibuat dengan Metode Sol-Gel Spin Coating
ISSN 2302-8491 Jurnal Fisika Unand Vol. 6, No. 2, April 2017 Pengaruh Temperatur dan Waktu Putar Terhadap Sifat Optik Lapisan Tipis ZnO yang Dibuat dengan Metode Sol-Gel Spin Coating Fitriani *, Sri Handani
Lebih terperinciGambar Semikonduktor tipe-p (kiri) dan tipe-n (kanan)
Mekanisme Kerja Devais Sel Surya Sel surya merupakan suatu devais semikonduktor yang dapat menghasilkan listrik jika diberikan sejumlah energi cahaya. Proses penghasilan energi listrik itu diawali dengan
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC)
39 HASIL DAN PEMBAHASAN Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC) Hasil karakterisasi dengan Difraksi Sinar-X (XRD) dilakukan untuk mengetahui jenis material yang dihasilkan disamping menentukan
Lebih terperinciBab IV Hasil dan Pembahasan
33 Bab IV Hasil dan Pembahasan Pada bab ini dilaporkan hasil sintesis dan karakterisasi dari senyawa yang disintesis. Senyawa disintesis menggunakan metoda deposisi dalam larutan pada temperatur rendah
Lebih terperinciBRIDGMAN Kelebihan Dan Kekurangannya Sebagai Teknik Penumbuhan Kristal
BRIDGMAN Kelebihan Dan Kekurangannya Sebagai Teknik Penumbuhan Kristal Edi Istiyono Jurdik Fisika FMIPA Universitas Negeri Yogyakarta Abstrak Kajian ini tentang teknik Bridgman kelebihan dan kekurangannya
Lebih terperinciOleh: Wahyu Lestari, Ariswan
Study tentang Struktur (Wahyu Lestari) 108 PREPARAS DAN KARAKTERSAS LAPSAN TPS Sn(S 0,5 Te 0,5 ) DENGAN TEKNK EVAPORAS VAKUM PREPARATON AND CHARACTERZATON OF THN FLM Sn(S 0,5 Te 0,5 ) WTH VACUM EVAPORATON
Lebih terperinciIII. METODE PENELITIAN. Penelitian ini dilakukan pada bulan Februari hingga Mei 2012 di Laboratorium. Fisika Material, Laboratorium Kimia Bio Massa,
III. METODE PENELITIAN A. Waktu dan Tempat Penelitian Penelitian ini dilakukan pada bulan Februari hingga Mei 2012 di Laboratorium Fisika Material, Laboratorium Kimia Bio Massa, Laboratorium Kimia Instrumentasi
Lebih terperinciI. PENDAHULUAN. oleh H.K Onnes pada tahun 1911 dengan mendinginkan merkuri (Hg) menggunakan helium cair pada temperatur 4,2 K (Darminto dkk, 1999).
1 I. PENDAHULUAN A. Latar Belakang Superkonduktor merupakan material yang dapat mengalirkan arus listrik tanpa adanya hambatan atau resistansi (ρ = 0), sehingga dapat menghantarkan arus listrik tanpa kehilangan
Lebih terperinciMETODE X-RAY. Manfaat dari penyusunan makalah ini adalah sebagai berikut :
METODE X-RAY Kristalografi X-ray adalah metode untuk menentukan susunan atom-atom dalam kristal, di mana seberkas sinar-x menyerang kristal dan diffracts ke arah tertentu. Dari sudut dan intensitas difraksi
Lebih terperinciMetodologi Penelitian
Bab III Metodologi Penelitian III. 1 Diagram Alir Penelitian Penelitian ini telah dilakukan dalam tiga bagian. Bagian pertama adalah penelitian laboratorium yaitu mensintesis zeolit K-F dari kaolin dan
Lebih terperinciUji Kekerasan Sintesis Sintesis BCP HASIL DAN PEMBAHASAN Preparasi Bahan Dasar
dilapisi bahan konduktif terlebih dahulu agar tidak terjadi akumulasi muatan listrik pada permukaan scaffold. Bahan konduktif yang digunakan dalam penelitian ini adalah karbon. Permukaan scaffold diperbesar
Lebih terperinciSIDANG TUGAS AKHIR. Jurusan Teknik Material & Metalurgi Fakultas Teknologi Industri Institut Teknologi Sepuluh Nopember
SIDANG TUGAS AKHIR Arisela Distyawan NRP 2709100084 Dosen Pembimbing Diah Susanti, S.T., M.T., Ph.D Jurusan Teknik Material & Metalurgi Fakultas Teknologi Industri Institut Teknologi Sepuluh Nopember Sintesa
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN
29 BAB III METODE PENELITIAN A. Metode Penelitian Pada penelitian ini metode yang digunakan peneliti adalah metode eksperimen. Material yang digunakan berupa pasta TiO 2 produksi Solaronix, bubuk Dyesol
Lebih terperinciPEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS
PEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS Syuhada, Dwi Bayuwati, Sulaiman Pusat Penelitian Fisika-LIPI, Kawasan Puspiptek Serpong Tangerang 15314 e-mail: hadda212@yahoo.com
Lebih terperinciPengaruh Rapat Arus dan Asam Borat terhadap Kualitas dan Morfologi Hasil Elektrodeposisi Kobal pada Substrat Tembaga
Pengaruh Rapat Arus dan Asam Borat terhadap Kualitas dan Morfologi Hasil Elektrodeposisi Kobal pada Substrat Tembaga Siti Elin Huriyati, Abdul Haris, Didik Setiyo Widodo Laboratorium Kimia Analitik, Jurusan
Lebih terperinciI. PENDAHULUAN. Lapisan tipis adalah suatu lapisan yang sangat tipis terbuat dari bahan organik,
I. PENDAHULUAN A. Latar Belakang Lapisan tipis adalah suatu lapisan yang sangat tipis terbuat dari bahan organik, inorganik, logam maupun campuran metal organik dan memiliki sifat-sifat konduktor, semikonduktor
Lebih terperinciDAYA KELUARAN PANEL SURYA SILIKON POLI KRISTALIN PADA CUACA NORMAL DAN CUACA BERASAP DENGAN SUSUNAN ARRAY PARALEL
DAYA KELUARAN PANEL SURYA SILIKON POLI KRISTALIN PADA CUACA NORMAL DAN CUACA BERASAP DENGAN SUSUNAN ARRAY PARALEL 1 Andrian Budi Pratomo, 2 Erwin, 3 Awitdrus 1 Mahasiswa Jurusan Fisika 2 Bidang Medan Elektromagnetik
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Ketersediaan sumber energi merupakan masalah yang harus segera diselesaikan oleh masing-masing negara termasuk Indonesia. Untuk itu perlu dikembangkan suatu teknologi
Lebih terperinci350 0 C 1 jam C. 10 jam. 20 jam. Pelet YBCO. Uji Konduktivitas IV. HASIL DAN PEMBAHASAN. Ba(NO 3 ) Cu(NO 3 ) 2 Y(NO 3 ) 2
Y(NO 3 ) 2 Pelarutan Pengendapan Evaporasi 350 0 C 1 jam 900 0 C 10 jam 940 0 C 20 jam Ba(NO 3 ) Pelarutan Pengendapan Evaporasi Pencampuran Pirolisis Kalsinasi Peletisasi Sintering Pelet YBCO Cu(NO 3
Lebih terperinciBAB III EKSPERIMEN. 1. Bahan dan Alat
BAB III EKSPERIMEN 1. Bahan dan Alat Bahan-bahan yang digunakan dalam penelitian ini ialah Ca(NO 3 ).4H O (99%) dan (NH 4 ) HPO 4 (99%) sebagai sumber ion kalsium dan fosfat. NaCl (99%), NaHCO 3 (99%),
Lebih terperinciPROSPEK PENELITIAN DAN APLIKASI FOTOVOLTAIK SEBAGAI SUMBER ENERGI ALTERNATIF DI INDONESIA
PROSPEK PENELITIAN DAN APLIKASI FOTOVOLTAIK SEBAGAI SUMBER ENERGI ALTERNATIF DI INDONESIA Oleh : Dr. Ariswan Dosen Fisika FMIPA Universitas Negeri Yogyakarta Abstrak Matahari adalah sumber energi utama
Lebih terperinci4 Hasil dan Pembahasan
4 Hasil dan Pembahasan 4.1 Sintesis Padatan TiO 2 Amorf Proses sintesis padatan TiO 2 amorf ini dimulai dengan melarutkan titanium isopropoksida (TTIP) ke dalam pelarut etanol. Pelarut etanol yang digunakan
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. Pelaksanaan penelitian ini pada dasarnya meliputi tiga tahapan proses
BAB III METODE PENELITIAN Pelaksanaan penelitian ini pada dasarnya meliputi tiga tahapan proses diawali dengan tahap persiapan, tahap penumbuhan, dan tahap karakterisasi. Pada bab ini dibahas tentang metode
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. bulan Agustus 2011 sampai bulan Januari tahun Tempat penelitian
32 BAB III METODE PENELITIAN 3.1 Tempat dan Waktu Penelitian Kegiatan penelitian ini dilaksanakan selama 6 bulan dimulai pada bulan Agustus 2011 sampai bulan Januari tahun 2012. Tempat penelitian dilaksanakan
Lebih terperinciKarakterisasi XRD. Pengukuran
11 Karakterisasi XRD Pengukuran XRD menggunakan alat XRD7000, kemudian dihubungkan dengan program dikomputer. Puncakpuncak yang didapatkan dari data pengukuran ini kemudian dicocokkan dengan standar difraksi
Lebih terperinci3 Metodologi penelitian
3 Metodologi penelitian 3.1 Peralatan dan Bahan Peralatan yang digunakan pada penelitian ini mencakup peralatan gelas standar laboratorium kimia, peralatan isolasi pati, peralatan polimerisasi, dan peralatan
Lebih terperinciSKRIPSI. Disusun oleh : DESI INDAH ANJARKUSUMA NIM PROGRAM STUDI FISIKA JURUSAN PENDIDIKAN FISIKA
STRUKTUR, KOMPOSISI KIMIA, DAN MORFOLOGI PERMUKAAN BAHAN SEMIKONDUKTOR PADUAN Sn(Se0,4Te0,6) DENGAN VARIASI LAMA PEMANASAN HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN SKRIPSI Diajukan kepada Fakultas Matematika
Lebih terperinciPENGARUH SERAPAN SINAR MATAHARI OLEH KACA FILM TERHADAP DAYA KELUARAN PLAT SEL SURYA
PENGARUH SERAPAN SINAR MATAHARI OLEH KACA FILM TERHADAP DAYA KELUARAN PLAT SEL SURYA Ricko Mahindra*, Awitdrus, Usman Malik Jurusan Fisika Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Riau
Lebih terperinciMETODELOGI PENELITIAN. Penelitian ini akan dilakukan di Laboratorium Kimia Anorganik-Fisik Universitas
III. METODELOGI PENELITIAN A. Waktu dan Tempat Penelitian Penelitian ini akan dilakukan di Laboratorium Kimia Anorganik-Fisik Universitas Lampung. Analisis XRD di Universitas Islam Negeri Jakarta Syarif
Lebih terperinci