PEMBUATAN LAPISAN TIPIS TiO 2 DENGAN METODE SPUTTERING UNTUK SENSOR GAS
|
|
- Surya Kartawijaya
- 7 tahun lalu
- Tontonan:
Transkripsi
1 Agus Santoso, dkk. ISSN PEMBUATAN LAPISAN TIPIS TiO 2 DENGAN METODE SPUTTERING UNTUK SENSOR GAS Agus Santoso, Tjipto Sujitno, Sayono P3TM BATAN ABSTRAK PEMBUATAN LAPISAN TIPIS TiO 2 DENGAN METODE SPUTTERING UNTUK SENSOR GAS. Telah dilakukan pembuatan bahan unggul lapisan tipis Titanium Oksida (TiO 2 ) dengan metoda sputtering. Pembuatan TiO 2 dilakukan pada tegangan elektroda 4 kv, arus sputtering 5 ma, tekanan vakum torr, waktu deposisi 150 menit dan suhu substrat divariasi dari suhu 150 o C sampai dengan 350 o C, sedangkan gas sputtering adalah gas argon. Dari percobaan diperoleh hasil bahwa respon gas terbaik pada gas ethanol dicapai pada suhu substrat 250 o C. Pada kondisi tersebut prosentase kandungan Ti dan O adalah masing-masing 36,79% dan 40,06% berat. Di samping itu juga sensitivitas terhadap gas ditunjukkan dengan adanya perubahan sensivitas untuk berbagai jenis gas. Dengan demikian bahwa lapisan tipis TiO 2 yang dibuat dapat digunakan sebagai sensor gas. ABSRATC FABRICATION OF TiO 2 THIN FILM FOR GAS SENSOR USING SPUTTERING METHOD. Fabrication of a novel TiO 2 thin film using sputtering has been carried out. The fabrication was done at electrode voltage 4 kv, spettering current 5 ma,vacuum pressure 5 x 10-4 torr, deposition time 150 minutes, and subtrac temperature was varied from 150 o C to 350 o C while as gas sputtering was argon. It s found that the best respons was for ethanol gas and this has achieved at temperature 250 o C. At this condition the contents of Ti and O were 36,79 % and 40,06 % weight respectively. Besides that, the sensitivities of the TiO 2 thin film was shown by responces for various gases. In other word the fabrication of TiO 2 thin film could be used as a gas sensors. PENDAHULUAN S elama beberapa dasawarsa, kajian tentang lapisan tipis telah menjadi salah satu bidang kajian yang menarik sekaligus sangat berfaedah bagi manusia. Lapisan tipis dapat dimanfaatkan sebagai piranti optik, optoelektronik, bahan feromagnetik, super konduktor, dan bahan mikroakustik serta sel surya (1,2). Berbagai usaha sedang dilakukan untuk memperluas pemanfaatan lapisan tipis. Diantaranya adalah sebagai sensor gas yang dipergunakan untuk mendeteksi keberadaan dan konsentrasi suatu gas di suatu tempat. Seiring dengan meningkatnya kepedulian terhadap lingkungan, kebutuhan akan sensor gas juga semakain meningkat. Dalam hal ini, sensor gas terutama digunakan untuk mendeteksi gas -gas pencemar seperti CO, NO X3, SO X NH 3. Sensor gas digunakan pula untuk menguji kadar oksigen yang dikeluarkan oleh mesin berbahan bakar hidro karbon (3). Selain itu sensor dimanfaatkan oleh sensor industri untuk mendeteksi gas-gas berbahaya yang terlihat pada proses produksi.sensor dapat digunakan secara mandiri untuk mendeteksi suatu gas, atau dapat pula diintegrasikan menjadi hidung ele ktronik untuk mendeteksi berbagai macam aroma seperti yang dilakukan Abe dkk (4). Karena kegunaan yang sangat besar, maka penelitian tentang sensor gas semakin banyak dilakukan. Penelitian tersebut terutama dimaksudkan untuk mencari bahan baru yang dapat dimanfaatkan sebagai sensor gas. Terdapat beberapa macam bahan yang dapat dipergunakan sebagai sensor gas, diantaranya adalah semi konduktor oksida logam (5), polimer konduktif (6) dan oksida logam (7). Pemakain semi konduktor oksida logam sebagai sensor gas diawali oleh T. Seiyama dkk pada tahun 1962 (8). Bahan semikonduktor yang paling banyak ditiliti adalah SnO 2 (oksida timah putih). Bahan semikoduktor oksida logam dapat dipakai dalam bentuk bulk dengan permukaan yang kasar. Tetapi karena berbagi keuntungan kemudian dijadikan lapisan tipis. Dalam makalah ini dilaporkan tentang lapisan TiO 2 yang akan dipergunakan sebagai bahan sensor gas. Hal-hal yang dilaporkan meliputi pembuatan lapisan tipis TiO 2 dengan metode sputtering dc,
2 82 ISSN Agus Santoso, dkk. karakterisasi lapisan tipis yang dihasilkan dalam pengujian sifat-sifat tanggap gasnya terhadap gas NH 3. Metode sputtering-dc dipilih untuk membuat lapisan tipis TiO2 karena beberapa alasan. Pertama, metode sputtering-dc dapat dipakai untuk membuat lapisan tipis dari suatu bahan yang memiliki titik didih tinggi seperti TiO2 ( C). Kedua metode sputtering-dc dapat menghasilkan lapisan tipis dengan sifat mekanik yang baik dan sifat elektrik yang sama dengan bahan dasarnya (9). Hal ini tentu saja sangat dipergunakan dalam pembuatan sensor gas yang memerlukan lapisan tipis dengan sifat mekanik yang baik dan sifat elektrik yang sesuai dengan bahan dasarnya (dalam hal ini TiO 2). Ketiga, sifat lapisan tipis yang dihasilkan dapat diatur dengan mengatur kondisi sputtering seperti suhu substrat (9,10). Dalam aplikasi sensor gas yang lebih lanjut, hal tersebut sangat diperlukan karena sifat suatu sensor gas akan sangat ditentukan oleh sifat lapisan tipisnya. Dengan penelitian yang dilakukan diharapkan diperoleh bahan baru untuk sensor gas NH 3. Manfaat lebih lanjut penelitian ini mencakup penguasaan teknologi pembuatan lapisan tipis dan kajian lengkap tentang lapisan tipis TiO 2 yang dapat dimanfaatkan untuk berbagai keperluan (11). Penelitian ini bertujuan untuk membuat lapisan tipis TiO 2 dengan metode sputtering dc melakukan karakterisasi kandungan dan konsentrasi unsur dari lapisan tipis TiO2. Disamping itu juga melakukan pengujian sifat tanggap gas lapisan tipis TiO 2 terhadap NH 3. TATA KERJA Sistem DC-Dioda Sputtering Berdasarkan urutan pengerjaan, kegiatan penelitian dibagi menjadi 4 tahap: Penyiapan sistem sputtering Deposisi lapisan tipis TiO 2 dan kontak perak Karakterisasi lapisan tipis TiO2 Pengujian sifat tanggap gas lapisan tipis TiO 2 terhadap gas NH 3. Berikut ini adalah penjelasan rinci tentang cara kerja yang dilakukan beserta spesifikasi alat dan bahan yang digunakan. Penyiapan Sistem Sputtering Sistem sputtering adalah seluruh alat dan bahan yang dipergunakan untuk membuat lapisan tipis dengan metoda sputtering. Penyiapan Alat Sputtering-dc Dalam penelitian ini digunakan alat sput-tering dc yang skema lengkapnya ditunjukkan pada Gambar 1. bagian-bagian utama alat ini adalah : Tabung plasma berbentuk silinder dengan diameter 15 cm dan tinggi 20 cm. Gambar 1. Skema alat DC Sputtering.
3 Agus Santoso, dkk. ISSN Diposisi Lapisan Tipis TiO 2 Sebelum proses deposisi dimulai, target TiO 2 subtrat dipasang pada tempatnya masing-masing. Pelapisan tipis TiO 2 pada subtrat gelas dilakukan dengan teknik DC sputtering. Pada DC sputtering ini lapisan tipis TiO 2 dihasilkan dalam ruang reaktor plasma. Pembuatan Target TiO2 bold dan target Ag (perak ) Dalam penelitian ini digunakan dulu dua jenis target yaitu target TiO 2 untuk deposisi lapisan tipis TiO 2 dan target Ag untuk deposisi kontak perak. Pembuatan Target TiO 2 dilakukan menurut metode pembuatan keramik TiO 2 yang dilakukan Xhi dkk. (12) Target TiO 2 dibuat bahan TiO 2 serbuk dengan kemurnian 99% dengan berat 20 gram. Subtrat Bahan untuk subtrat adalah kaca preparat yang dipotong hingga sekeping berukuran ( ) mm. Sebelum digunakan sebagai subtrat, kepingan kaca preparat tersebut dicuci secara bertahap di dalam ultrasonic cleaner. Pencucian bertahap tersebut dimaksudkan untuk melarutkan kotoran dan minyak yang mungkin melekat pada kaca. Pada pencucian tahap pertama digunakan larutan detergen sebagai pelarut, sedangkan pada pencucian tahap kedua digunakan alcohol 99 %. Selanjutnya kepingan kaca preparat dikeringkan dalam oven bersuhu 100 o C selama 1 jam hingga kering dan siap digunakan. Untuk menghindari pengotoran kembali, subtrat disimpan dalam wadah yang kedap debu dan pengambilannya selalu dilakukan dengan pinset. Deposisi Lapisan Tipis TiO 2 Peralatan sistim sputtering yang digunakan yang terdiri dari tabung reaktor plasma, pompa vakum, vakum meter, sumber tegangan DC, dan gas argon.target TiO2 dipasang pada tempat target yang berfungsi sebagai katoda di dalam reactor plasma. Subtrat kaca diletakkan pada anoda. Tabung reaktor plasma divavumkan sampai orde 10-5 torr dengan pompa vakum rotari dan difusi. Pemvakuman ini bertujuan untuk membersihkan partikel-partikel yang tidak dikehendaki. Setelah tingkat kevakuman mencapai 10-5 torr gas argon dialirkan ke dalam tabung reaktor plasma melalui kran yang digunakan untuk mengatur tekanan gas. Tingkat kevakuman akan turun menjadi torr. Kemudian sumber tegangan DC dihidupkan maka gas argon akan terionisasi, ion argon akan menumbuk target TiO 2. Subtrat kaca akan mendapatkan percikan ion TiO 2 dengan tenaga yang cukup besar, sehingga ion TiO 2 akan menyisip pada susunan atom subtrat kaca. Untuk mendapatkan lapisan tipistio 2 yang baik dilakukan menvariasi suhu subtrat dari 150 o C sampai dengan 350 o C. Metode KarakterisasiTiO2 Karakterisasi komposisi kimia dilakukan dengan metode EDX atau EDAX. Peralatan yang digunakan adalah EDAX-ZAF yang dikopel dengan SEM (SEM EDAX) Philips XL-20. Peralatan ini dilengkapi dengan software pengolah data dan printer untuk mencetak hasil analisis. Lapisan tipis TiO 2 yang akan analisi dipasang pada suatu holder dengan lem karbon dan dimasukkan ke dalam ruang vakum untuk ditembak dengan elektron. Pengujian Sifat Tanggap Gas Lapisan Tipis TiO 2 Terhadap Gas Untuk menguji lapisan tipis TiO 2 peralatan voltmeter dan ampermeter (V-I) yang digunakan untuk menguji sifat tanggap gas lapisan tipis TiO 2. Untuk mengukur resitansi lapisan tipis TiO 2 digunakan metode V - I, dengan nilai resistansi (R) didefinisikan sebagai nisbah antara tegangan dengan arus yang melewati lapisan tipis. Metode V-I dipilih untuk mencapai ketelitian pengukuran R yang baik. Pengujian Sensitivitas Sensitivitas didefinisikan sebagai perubahan resitansi oleh adanya suatu gas. Selektivitas lapisan tipis TiO 2 diuji dengan cara menguji sensitifitas dilakukan dalam lingkungan yang mengandung gas NH 3, C 2 H 5, O 2, C 2 H 5 OH dan CO. PEMBAHASAN Prinsip kerja Energy Despersive X-ray Analysis (EDAX) adalah berdasarkan tenaga sinar X karakteristik yang dipancarkan oleh elemen yang terkandung dalam lapisan tipis. Hasil analisa cuplikan TiO 2 dengan EDAX ditunjukkan Gmbar 2 dan 3. Dari Gmbar 2 dan 3 teridenfikasi puncak Ti dan O dengan demikian bahwa pembuatan lapisan
4 84 ISSN Agus Santoso, dkk. tipis TiO 2 telah behasil. Disamping dua unsur terebut juga terdapat Si yang merupakan kandungan dari subtrat gelas, dan perak (Ag) yang merupakan kontak ohmik dari cuplikan. Cacah latar yang terlihat dari spectrum adlah sinar X kontinu. Gambar 2. Spektrum dan data komposisi jenis.unsure. yang terdeposit pada substrat kaca (SiO 2 ), dengan parameter sample suhu substrat 150 C dan waktu deposisi 2.5 jam.
5 Agus Santoso, dkk. ISSN Gambar 3. Spektrum dan data komposisi dan jenis unsur yang terdeposit pada substrat kaca (SiO 2 ). Sampel adalah hasil pendepo-sisian dengan parameter : suhu substrat ± 250 o C dan waktu deposisi 3 jam. Berdasarkan spektrum pada Gambar 2 dan 3 kemudian dilakukan analisa secara kuantitatif untuk menentukan prosentase dan kandungan masingmasing unsure terutama Ti digunakan software EDAX ZAF, diperoleh 36,79 % dan 48,18% untuk suhu substrat C, dan C. Kandungan Ti yang optimum diperoleh pada suhu substrat C. Sedangkan kandungan O diperoleh 40,06 % dan 28,30%, untuk suhu substrat Cdan C kandungan Ti yang optimum diperoleh pada suhu C cuplikan terdiri dari substrat kaca SiO dengan demikian kandungan yang ada pada O adalah jumlah dari O dari substrat ditambah degan O dari lapisan tipis TiO 2. Dari tiga cuplikan yang ada diperoleh TiO 2 yang paling baik diperoleh pada suhu substrat C dengan prosentase Ti dan O adalah 36,79% dan 40,06% atau prosentase atom 63,65% berbanding 19,52%. Pengaruh Suhu Operasi Terhadap Sensi-tivitas dan Konduktivitas Serapan Gas Dari pengukuran perubahan resistansi serapan bahan lapisan tipis TiO 2 terhadap kenaikan suhu substrat, diperoleh hubungan ketergantungan sensitivitas dan konduktivitas serapan gas bahan lapisan tipis TiO 2 terhadap suhu operasi substrat seperti yang ditunjukkan oleh grafik pada Gambar 4 dan 5. Rentang Suhu operasi (substrat) dipilih dari eksperimen awal dengan cara menyuntikkan gas tertentu (± 10 ml) kedalam tabung percobaan ketika substrat dipanaskan. Ketika perubahan konduktivitas serapan gas memberikan pengaruh yang relatif cukup signifikan yaitu ± C maka suhu tersebut dipilih sebagai suhu awal dalam rentang suhu yang akan diselidiki ( ) 0 C. Suhu C adalah suhu tertinggi yang dapat dicapai pemanas substrat (elemen setrika) yang digunakan. Menurut Gas kov kondisi permukaan (interaksi antara gas uji dan permukaan semikonduktor sensor gas) akan memberikan pengaruh yang signifikan jika 2L D. dimana L adalah panjang (kedalaman) depletion layer dan D adalah ukuran butir. Jadi dari hasil eksperimen dapat disimpulkan bahwa pada suhu ± C telah dipenuhi kondisi 2L D. karena ukuran butir adalah relatif tetap untuk peningkatan suhu dalam orde suhu operasi (operasi), maka peningkatan perbandingan panjang depletion layer terhadap ukuran butir diakibatkan oleh meningkatnya panjang depletion layer. Pada suhu kamar panjang depletion layer relatif pendek karena atom oksigen yang teradsorbsi hanya menarik elektron dari permukaan bahan. Menurut Mrowec dengan peningkatan suhu maka atom oksigen yang teradsorbsi dapat menarik elektron dari daerah yang lebih dalam dengan ionisasi ganda (O 2- ), bahkan pada kesetimbangan termodinamik (antara permukaan dan bulk) penarikan dapat mencapai elektron-elektron bulk, ini menyebabkan panjang depletion layer akan meningkat dan memenuhi 2L D.
6 86 ISSN Agus Santoso, dkk. Gambar 4. Grafik hubungan antara konduktansi serapan gas bahan lapisan tipis terhadap gas C 2 H 5 OH, CO, C 2 H 5 _, NH 3, dan O 2 dengan suhu operasi (substrat). Gambar 5. Grafik hubungan antara sensitivitas serapan gas bahan lapisan tipis terhadap gas C2H5OH, CO, C2H5_, NH3, dan O2 dengan suhu operasi (substrat). Dari penjelasan diatas maka dapat diterangkan grafik hubungan sensitivitas dengan suhu substrat pada Gambar 4 adalah sebagai berikut. kenaikan sensitivitas dengan meningkatnya suhu substrat oleh penyerapan gas reduktor disebabkan oleh peningkatan perubahan jumlah rapat pembawa muatan permukaan dan peningkatan mobilitas pada bulk dan batas butir, sedangkan penurunan sensitivitas dengan meningkatnya suhu substrat pada penyerapan gas oksidator disebabkan oleh penurunan mobilitas pembawa muatan pada batas butir. Walaupun demikian sensitivitas tidak dapat dinaikkan terus dengan peningkatan suhu substrat, ini karena menurut Lalauze dan gaskov peningkatan suhu akan mengurangi gas uji yang teradsorbsi pada permukaan semikonduktor oksida. Menurut kami penurunan kenaikan sensitivitas dengan meningkatnya suhu substrat adalah disebabkan oleh berkurangnya gas uji yang teradsorbsi pada permukaan bahan semikonduktor oksida, tetapi kebenaran ini akan lebih valid bila ditunjang dengan eksperimen pada suhu yang lebih tinggi lagi. Gambar 4.juga menunjukkan bahwa gas ethanol (C 2 H 5 OH) memiliki sensitivitas tertinggi dengan kenaikan suhu substrat, sedangkan sensitivitas terendah terhadap kenaikan suhu substrat ditunjukkan oleh gas ethilin dan oksigen. Perilaku ini ditentukan oleh sifat karakteristik tanggap gas bahan lapisan tipis TiO 2 terhadap gasgas yang diuji, yang menunjukkan setiap gas mempunyai karakteristik kereaktifan tersendiri terhadap semikonduktor oksida logam tertentu. Gambar 5 menunjukkan konduktivitas serapan terhadap gas uji dengan meningkatnya suhu operasi. Grafik hubungan konduktansi serapan terhadap suhu substrat seharusnya sesuai dengan perilaku ketergantungan sensitivitas terhadap kenaikan suhu substrat, dimana gas ethanol yang paling sensitif (perubahan konduktansi terbesar) harus mempunyai grafik kenaikan konduktivitas (konduktansi) yang paling kecil, sedangkan gas ethilin dan oksigen yang mempunyai senstivitas terendah (perubahan konduktansi yang rendah) harus mempunyai kenaikan konduktivitas (konduktansi) serapan yang tinggi. Penyimpangan perilaku konduktansi serapan ini disebabkan oleh tidak stabilnya konduktivitas bahan setelah dipanaskan. Perilaku ini dapat diterangkan sebagai berikut. Yaitu ketika bahan lapisan tipis dipanaskan untuk melakukan percobaan serapan gas tertentu, maka lapisan tipis akan melakukan pembentukan formasi ataupun morfologi permukaan yang lebih teratur untuk mencapai keadaan energi yang lebih stabil. aktivitas ini menyebabkan perubahan sifat konduktivitas bahan secara keseluruhan. hal tersebut akhirnya menyebabkan untuk perubahan nilai resistansi awal (tanpa serapan) untuk setiap eksperimen serapan gas. Untuk mengatasi ini maka lapisan tipis yang diperoleh dari proses sputtering
7 Agus Santoso, dkk. ISSN harus diannealing terlebih dahulu sebelum dipakai dalam mekanisme tanggap gas yang berulang-ulang. Proses annealing dimaksudkan agar formasi butir, morfologi permukaan, dan struktur kristal bahan lapisan tipis TiO 2 lebih stabil terhadap pengaruh eksternal khususnya pemanasan substrat. Selain perubahan formasi butir oleh pemanasan, penyimpangan konduktansi serapan gas juga disebabkan oleh perubahan struktur fisik dari kaca substrat, ini terlihat dari berubahnya warna dan bentuk substrat kaca. Substrat kaca yang dioperasikan berulang-ulang pada suhu operasi yang relatif tinggi terlihat berwarna buram dan berubah bentuk dari persegi menjadi bentuk yang melengkung. Perubahan ini akan diikuti dengan perubahan fisik dari bahan-bahan yang terdeposit sebagai lapisan tipis pada substrat. Perubahanperubahan tersebut akhirnya mempengaruhi. sifat elektrik, dimana nilai konduktansi yang diperoleh dari setiap percobaan serapan gas pada suhu yang sama terlihat tidak stabil. KESIMPULAN Dari hasil percobaan dan setelah melalui perhitungan dapat disimpulkan bahwa dengan telah berhasil dibuat lapisan tipis TiO2 diatas substrat kaca dicapai pada suhu substrat C. Dari cuplikan yang ada diperoleh TiO2 yang paling sensitivitas adalah terhadap respon gas ethanol dan kurang respon terhadap gas ethilin dan oksigen pada suhu substrat C dengan prosentase Ti dan O adalah 36,79% dan 40,06% berat atau prosentase atom 63,65% berbanding 19,52%. Di samping itu juga tanggap terhadap gas ditunjukkan dengan adanya perubahan sensitivitas terhadap jenis gas yang berbeda. Konduktivitas lapisan TiO akan berkurang bila suhu naik. Dengan demikian dapat disimpulkan bahwa lapisana tipis TiO2 yang dibuat dapat digunakan sebagai sensor gas. DAFTAR PUSTAKA 1. ECKERTOVÁ, L., Physics of Thin Films, 2 nd ed., Plenum Press, New York, OHRING, M., The Material Science of Thin Films, Academic Press Inc., New York, MOSELEY, P.T., Materials Selection for Semiconductor Gas Sensors, Sensors and Actuators B, 6, , ABE, H., YOSHIMURA, T., KANAYA, S., TAKAHASHI, Y., MIYASHITA, Y., SASAKI, S., Automated Odor-sensing System Based on Plural Semiconductor Gas Sensors and Computerized Pattern Recognition Tech-niques, Anal. Chim. Acta., 194, 1-9, DI GIULIO, M., MANNO, D., MICOCCI, G., SERRA, A., TEPORE, A., Sputter Deposition of Tungsten Trioxide for Gas Sensing Appli-cations, J. Mater. Sci., Material Electronics, 9, , HIRATA, M., SUN, L., Characteristics of an Organic Semiconductor Polyaniline Film as Sensor for NH3 Gas, Sensors and Actuators A, 40, GOPAL REDDY, C.V., Manorama, S.V., Rao, V.J., 2000, Preparation and Characterization of Ferrites as Gas Sensor Materials, J. Mater. Sci. Lett, 19, , XU, C., TAMAKI, J., MIURA, N., YAMA-ZOE, N., Grain Size Effects on Gas Sensitivity of Porous SnO2-based Elements, Sensors and Actuators B, 3, , KONUMA, M., Film Deposition by Plasma Technique, Springer-Verlag, New York, CHAPMAN, B.N., Glow Discharge Process, John Wiley & Sons, New York, WANG, H., WANG, T., XU, P., Effects of Substrate Temperature on the Microstructure and Photocatalityc Reactivity of TiO2 Films, J. Matter. Sci., Material in Electronics, 9, , ZHI, P.X., XU, D.F., YONG, H., Accelerated Sintering and Phase Transformation of TiO2 in Microwave Radiation, J. Matter. Res., Vol 13, No. 12, , TANYA JAWAB Supardjono M Berapa ketebalan lapisan tipis yang baik digunakan sebagai sensor gas? Kira-kira berapa umur dari lapisan tipis? Pada suhu dan tekanan berapa alat sensor tersebut bekerja dengan baik. Agus Santoso
8 88 ISSN Agus Santoso, dkk. Secara teori ketebalan lapisan tipis dalam orde µm. Tetapi dalam penelitian ini belum dilakukan pengukuran. Tergantung frekuensi pemakaian. Pada suhu sekitar 250 o. Djoko SP Gas apa saja yang dapat di sensor dengan TiO 2. Mengapa spektrum hasil uji dengan EDAX tidak memperlihatkan adanya senyawa TiO 2. Bagaimana prototip detektor/sensor gas menggunakan TiO 2. Apakah kita arahnya akan membuat prototip tersebut. Agus Santoso Gas-gas yang dapat disensor/dideteksi dengan TiO2 adalah H2, C2H5 OH dan O2. EDAX tidak bias untuk menganalisa senyawa tetapi hanya dapat mengetahui unsur-unsur elemental untuk mengetahui senyawanya digunakan XRD. Prototip sensor TiO2 adalah yang portable dan yang dilengkapi dengan sistem elektronik digital, ya.
DEPOSISI LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT ALUMINA UNTUK BAHAN SENSOR GAS
ISSN 1410-6957 DEPOSISI LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT ALUMINA UNTUK BAHAN SENSOR GAS Sayono, Tjipto Sujitno Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan - BATAN Toto Trikasjono Sekolah Tinggi Teknologi
Lebih terperinciPENGARUH DOPING INDIUM TERHADAP SENSITIVITAS SENSOR GAS DARI LAPISAN TIPIS SnO 2
Suharni, dkk. ISSN 0216-3128 33 PENGARUH DOPING INDIUM TERHADAP SENSITIVITAS SENSOR GAS DARI LAPISAN TIPIS SnO 2 Suharni dan Sayono Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan-BATAN ABSTRAK PENGARUH DOPING
Lebih terperinciPENGARUH DOPING EMAS DAN PERLAKUAN ANIL PADA SENSITIVITAS LAPISAN TIPIS SnO 2 UNTUK SENSOR GAS CO
PENGARUH DOPING EMAS DAN PERLAKUAN ANIL PADA SENSITIVITAS LAPISAN TIPIS SnO 2 UNTUK SENSOR GAS CO Almunawar Khalil 1*, Sri Yani Purwaningsih 2, Darminto 3 Jurusan Fisika, Institut Teknologi Sepuluh Nopember
Lebih terperinciDEPOSISI LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT ALUMINA UNTUK BAHAN SENSOR GAS
Sayono, dkk. ISSN 0216-3128 263 DEPOSISI LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT ALUMINA UNTUK BAHAN SENSOR GAS Sayono, Tjipto Sujitno PTAPB - BATAN Toto Trikasjono STTN - BATAN ABSTRAK DEPOSISI LAPISAN TIPIS
Lebih terperinciPENGARUH TEKANAN DAN WAKTU DEPOSISI SPUTTERING TERHADAP SENSITIVITAS SENSOR GAS SnO 2
PENGARUH TEKANAN DAN WAKTU DEPOSISI SPUTTERING TERHADAP SENSITIVITAS SENSOR GAS SnO 2 Sayono, Agus Santoso Puslitbang Teknologi Maju BATAN Jl. Babarsari Kotak Pos 1008, Yogyakarta 55010 ABSTRAK PENGARUH
Lebih terperinciLAPISAN TIPIS ZnO SUSUNAN LARIK SEBAGAI SENSOR GAS
ISSN 1410-6957 LAPISAN TIPIS ZnO SUSUNAN LARIK SEBAGAI SENSOR GAS Tjipto Sujitno, Trimardji Atmono, Sayono, Lely Susita RM. Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan BATAN Jl. Babarsari Kotak Pos 6101
Lebih terperinciKARAKTERISASI TiO 2 (CuO) YANG DIBUAT DENGAN METODA KEADAAN PADAT (SOLID STATE REACTION) SEBAGAI SENSOR CO 2
KARAKTERISASI TiO 2 (CuO) YANG DIBUAT DENGAN METODA KEADAAN PADAT (SOLID STATE REACTION) SEBAGAI SENSOR CO 2 Hendri, Elvaswer Jurusan Fisika FMIPA Universitas Andalas Kampus Unand, Limau Manis, Padang,
Lebih terperinciISSN LAPIS TIPIS TiO2 PADA PENUMBUHAN DENGAN
116 ISSN 0216-3128 Agus Santosa, dkk KARAKTERISASI KACA HASIL SPUTTERING DC LAPIS TIPIS TiO2 PADA PENUMBUHAN DENGAN SUBSTRAT TEKNIK Agus Santoso, Tjipto Sujitno, Sayono P3TM -BATAN ABSTRAK KARAKTERISASI
Lebih terperinciKARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT GELAS UNTUK JENDELA SEL SURYA
GANENDRA, Vol. V, N0.2 ISSN 1410-6957 KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT GELAS UNTUK JENDELA SEL SURYA Wirjoadi, Yunanto, Bambang Siswanto, Sri Sulamdari, Sudjatmoko Puslitbang
Lebih terperinciDEPOSISI LAPISAN TIPIS (CdS) TIPE-N DI ATAS LAPISAN TIPIS (CuInSe 2 ) TIPE-P SEBAGAI PENYANGGA UNTUK SEL SURYA CIS
ISSN 1410-6957 DEPOSISI LAPISAN TIPIS (CdS) TIPE-N DI ATAS LAPISAN TIPIS (CuInSe 2 ) TIPE-P SEBAGAI PENYANGGA UNTUK SEL SURYA CIS Wirjoadi, Yunanto, Bambang Siswanto Pusat Teknologi Akselerator dan Proses
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. disamping memberikan dampak positif yang dapat. dirasakan dalam melakukan aktifitas sehari hari, juga dapat memberikan beberapa
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Pada saat ini pembangunan mengalami pertumbuhan yang sangat pesat, seperti pembangunan fisik kota, industri dan transportasi. Pada pertumbuhan pembangunan tersebut
Lebih terperinciDEPOSISI LAPISAN TIPIS (CdS) TIPE-N DIATAS LAPISAN TIPIS (CuInSe 2 ) TIPE-P SEBAGAI PENYANGGA UNTUK SEL SURYA CIS
250 ISSN 0216-3128 Wirjoadi, dkk. DEPOSISI LAPISAN TIPIS (CdS) TIPE-N DIATAS LAPISAN TIPIS (CuInSe 2 ) TIPE-P SEBAGAI PENYANGGA UNTUK SEL SURYA CIS Wirjoadi, Yunanto, Bambang Siswanto Pusat Teknologi Akselerator
Lebih terperinciSTUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI
Studi Pengaruh Suhu Substrat. (Rully Fakhry Muhammad) 303 STUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI STUDY
Lebih terperinciANALISIS STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT MEKANIK LAPISAN NiCr-Al YANG DIBENTUK DENGAN METODE SPUTTERING PADA BAJA ST 40
ANALISIS STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT MEKANIK LAPISAN NiCr-Al YANG DIBENTUK DENGAN METODE SPUTTERING PADA BAJA ST 40 TESIS Diajukan Kepada Program Studi Magister Teknik Mesin Sekolah Pascasarjana Universitas
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia Tenggara. Sebagai negara berkembang, Indonesia melakukan swasembada diberbagai bidang, termasuk
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN. perlakuan panas atau annealing pada lapisan sehingga terbentuk butiran-butiran
BAB III METODOLOGI PENELITIAN 3.1 Metode penelitian Metode penelitian yang digunakan pada penelitian ini adalah eksperimen dengan membuat lapisan tipis Au di atas substrat Si wafer, kemudian memberikan
Lebih terperinciPEMBUATAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI (a-si:h) UNTUK BAHAN SEL SURYA
GANENDRA, Vol.VI, N0.1 ISSN 1410-6957 PEMBUATAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI (a-si:h) UNTUK BAHAN SEL SURYA Wirjoadi, Sudjatmoko, Yunanto, Bambang Siswanto, Sri Sulamdari Puslibang Teknologi
Lebih terperinciPENGARUH KONSENTRASI BORON TERHADAP SIFAT LISTRIK LAPISAN TIPIS (a-si:h:b)
ISSN 1410-6951 PENGARUH KONSENTRASI BORON TERHADAP SIFAT LISTRIK LAPISAN TIPIS (a-si:h:b) Bambang Siswanto, Wirjoadi, Sudjatmoko Puslitbang Teknologi Maju Batan Yogyakarta Jl. Babarsari Kotak Pos 6101
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. I.1 Latar Belakang Kebutuhan akan energi semakin berkembang seiring dengan
BAB I PENDAHULUAN I.1 Latar Belakang Kebutuhan akan energi semakin berkembang seiring dengan berkembangnya kehidupan manusia. Sehingga para peneliti terus berupaya untuk mengembangkan sumber-sumber energi
Lebih terperinciBAB II KAJIAN PUSTAKA DAN DASAR TEORI
BAB II KAJIAN PUSTAKA DAN DASAR TEORI 2.1. Kajian Pustaka Marwoto.P., dkk (2007) melakukan penelitian proses penumbuhan film tipis Ga 2 O 3 :Mn dengan mengguakan DC magnetron sputtering dan dilakukan dengan
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini mengalami peralihan dari teknologi mikro (microtechnology) ke generasi yang lebih kecil yang dikenal
Lebih terperinci2014 PEMBUATAN BILAYER ANODE - ELEKTROLIT CSZ DENGAN METODE ELECTROPHORETIC DEPOSITION
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Kebutuhan listrik dunia semakin meningkat seiring berjalannya waktu. Hal ini tentu disebabkan pertumbuhan aktivitas manusia yang semakin padat dan kebutuhan
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN. Metode yang digunakan dalam penelitian ini adalah metoda eksperimen.
BAB III METODOLOGI PENELITIAN A. Metode Penelitian Metode yang digunakan dalam penelitian ini adalah metoda eksperimen. Penelitian dilakukan dengan beberapa tahapan yang digambarkan dalam diagram alir
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. Pelaksanaan penelitian ini pada dasarnya meliputi tiga tahapan proses
BAB III METODE PENELITIAN Pelaksanaan penelitian ini pada dasarnya meliputi tiga tahapan proses diawali dengan tahap persiapan, tahap penumbuhan, dan tahap karakterisasi. Pada bab ini dibahas tentang metode
Lebih terperinciSENSOR GAS ZnO ABSTRAK ABSTRACT PENDAHULUAN. Sayono, Tjipto Sujitno, Lely Susita RM P3TM - BATAN
Sayono, Tjipto Sujitno, Lely Susita RM P3TM - BATAN ABSTRAK. Telah dilakukan penelitian efek doping Indium dengan variasi berat 0,0370; 0,0485 dan 0,0702 gram terhadap permukaan lapis tipis ZnO sebagai
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN
29 BAB III METODE PENELITIAN A. Metode Penelitian Pada penelitian ini metode yang digunakan peneliti adalah metode eksperimen. Material yang digunakan berupa pasta TiO 2 produksi Solaronix, bubuk Dyesol
Lebih terperinciKARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS a-si:h:b UNTUK BAHAN SEL SURYA
ISSN 40-695 KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS a-si:h:b UNTUK BAHAN SEL SURYA Bambang Siswanto, Wirjoadi, Tri Mardji Atmono, Yunanto Puslitbang Teknologi Maju Batan Yogayakarta Jl. Babarsari Kotak
Lebih terperinciKARAKTERISASI MIKROSTRUKTUR FEROELEKTRIK MATERIAL SrTiO 3 DENGAN MENGGUNAKAN SCANNING ELECTRON MICROSCOPY (SEM)
KARAKTERISASI MIKROSTRUKTUR FEROELEKTRIK MATERIAL SrTiO 3 DENGAN MENGGUNAKAN SCANNING ELECTRON MICROSCOPY (SEM) Kaspul Anuwar 1, Rahmi Dewi 2, Krisman 2 1 Mahasiswa Program S1 Fisika FMIPA-Universitas
Lebih terperinciSTRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPIS TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 S 0.8 ) HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA
J. Sains Dasar 2015 4 (2) 198-203 STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPIS TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 S 0.8 ) HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA THE STRUCTURE AND CHEMICAL
Lebih terperinciRekayasa Bahan untuk Meningkatkan Daya Serap Terhadap Gelombang Elektromagnetik dengan Matode Deposisi Menggunakan Lucutan Korona
Rekayasa Bahan untuk Meningkatkan Daya Serap Terhadap Gelombang Elektromagnetik dengan Matode Deposisi Menggunakan Lucutan Korona Vincensius Gunawan.S.K Laboratorium Fisika Zat Padat, Jurusan Fisika, Universitas
Lebih terperinciKarakterisasi XRD. Pengukuran
11 Karakterisasi XRD Pengukuran XRD menggunakan alat XRD7000, kemudian dihubungkan dengan program dikomputer. Puncakpuncak yang didapatkan dari data pengukuran ini kemudian dicocokkan dengan standar difraksi
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN
BAB III METODOLOGI PENELITIAN 3.1. Waktu dan Tempat Penelitian ini dilakukan di Laboratorium Fisika Material Departemen Fisika Institut Pertanian Bogor dimulai bulan Mei 2010 sampai Bulan Mei 2011 3.2.
Lebih terperinciEfek doping Al pada sifat optik dan listrik lapisan tipis ZnO hasil deposisi dengan DC sputtering
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 1, NOMER 1 JANUARI 2005 Efek doping Al pada sifat optik dan listrik lapisan tipis ZnO hasil deposisi dengan DC sputtering SriYaniPurwaningsih, 1 Karyono, 2 dansudjatmoko
Lebih terperinciIII. METODE PENELITIAN
21 III. METODE PENELITIAN 3.1 Waktu dan Tempat Penelitian Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Agustus 2010 - Juni 2011 di Laboratorium Biofisika dan Laboratorium Fisika Lanjut, Departemen Fisika IPB.
Lebih terperinciKARAKTERISTIK LISTRIK KERAMIK FILM Fe 2 O 3 DENGAN VARIASI KETEBALAN YANG DIBUAT DARI MINERAL LOKAL DI ATMOSFIR UDARA DAN ATMOSFIR ALKOHOL
KARAKTERISTIK LISTRIK KERAMIK FILM Fe 2 O 3 DENGAN VARIASI KETEBALAN YANG DIBUAT DARI MINERAL LOKAL DI ATMOSFIR UDARA DAN ATMOSFIR ALKOHOL Endi Suhendi 1, Hera Novia 1, Dani Gustaman Syarif 2 1) Jurusan
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN
HASIL DAN PEMBAHASAN BaTiO 3 merupakan senyawa oksida keramik yang dapat disintesis dari senyawaan titanium (IV) dan barium (II). Proses sintesis ini dipengaruhi oleh beberapa faktor seperti suhu, tekanan,
Lebih terperinciBAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI
BAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI Pada bab ini dibahas penumbuhan AlGaN tanpa doping menggunakan reaktor PA- MOCVD. Lapisan AlGaN ditumbuhkan dengan variasi laju alir gas reaktan, hasil penumbuhan dikarakterisasi
Lebih terperinciDEPOSISI LAPISAN TIPIS DUA LAPIS ZnO DAN Al UNTUK MEMBUAT SAMBUNGAN P-N DENGAN TEKNIK SPUTTERING
58 ISSN 0216-3128, dkk. DEPOSISI LAPISAN TIPIS DUA LAPIS ZnO DAN Al UNTUK MEMBUAT SAMBUNGAN P-N DENGAN TEKNIK SPUTTERING, Trimardji Atmono, Wirjoadi Puslitbang Teknologi Maju Batan Yogyakarta ABSTRAK DEPOSISI
Lebih terperinciPENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR
PENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR Penumbuhan film tipis semikonduktor di atas substrat dapat dilakukan secara epitaksi. Dalam bahasa yunani epi berarti di atas dan taksial berarti menyusun dengan kata
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC)
39 HASIL DAN PEMBAHASAN Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC) Hasil karakterisasi dengan Difraksi Sinar-X (XRD) dilakukan untuk mengetahui jenis material yang dihasilkan disamping menentukan
Lebih terperinciPENGARUH SUHU SUBSTRAT DAN WAKTU DEPOSISI TERHADAP STRUKTUR MIKRO LAPISAN FeN PADA RODA GIGI
Bambang Siswanto, dkk. ISSN 0216-3128 129 PENGARUH SUHU SUBSTRAT DAN WAKTU DEPOSISI TERHADAP STRUKTUR MIKRO LAPISAN FeN PADA RODA GIGI Bambang Siswanto, Wirjoadi, Sudjatmoko Pustek Akselerator dan Proses
Lebih terperinciPENGARUH DEPOSISI BAHAN STAINLESS STEEL (SS) AUSTENITIK TERHADAP SIFAT MEKANIK ALUMINIUM (Al)
, dkk. ISSN 0216-3128 49 PENGARUH DEPOSISI BAHAN STAINLESS STEEL (SS) AUSTENITIK TERHADAP SIFAT MEKANIK ALUMINIUM (Al), Tjipto Suyitno, Bambang Siswanto, Sudjatmoko Puslitbang Teknologi Maju, Batan ABSTRAK
Lebih terperinciIII. PROSEDUR PERCOBAAN. XRD dilakukan di Laboratorium Pusat Survey Geologi, Bandung dan
29 III. PROSEDUR PERCOBAAN A. Waktu dan Tempat Penelitian Penelitian dilaksanakan pada bulan Agustus 2012 sampai dengan Desember 2012, di Laboratorium Fisika Material FMIPA Universitas Lampung. Karakterisasi
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN. Untuk mendapatkan jawaban dari permasalahan penelitian ini maka dipilih
20 BAB III METODOLOGI PENELITIAN 3.1 Metode Penelitian Untuk mendapatkan jawaban dari permasalahan penelitian ini maka dipilih metode eksperimen. 3.2 Lokasi Penelitian Penelitian ini dilaksanakan di Laboratorium
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Graphene merupakan susunan atom-atom karbon monolayer dua dimensi yang membentuk struktur kristal heksagonal menyerupai sarang lebah. Graphene memiliki sifat
Lebih terperinciGambar 3.1 Diagram alir penelitian
BAB 3 METODE PENELITIAN 3.1 Bahan dan Peralatan Penelitian Bahan-bahan utama yang digunakan dalam penelitian ini antara lain bubuk magnesium oksida dari Merck, bubuk hidromagnesit hasil sintesis penelitian
Lebih terperinciPEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS
PEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS Syuhada, Dwi Bayuwati, Sulaiman Pusat Penelitian Fisika-LIPI, Kawasan Puspiptek Serpong Tangerang 15314 e-mail: hadda212@yahoo.com
Lebih terperinciSINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION
SINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION Yolanda Oktaviani, Astuti Jurusan Fisika FMIPA Universitas Andalas e-mail: vianyolanda@yahoo.co.id
Lebih terperinciPENGARUH SUHU DEPOSISI LAPISAN TIPIS TiN TERHADAP SIFAT MEKANIK METAL HASIL PLASMA SPUTTERING
138 ISSN 0216-3128 Wirjoadi, dkk. PENGARUH SUHU DEPOSISI LAPISAN TIPIS TiN TERHADAP SIFAT MEKANIK METAL HASIL PLASMA SPUTTERING Wirjoadi, Bambang Siswanto, Sudjatmoko Pusat Teknologi Akselerator dan Proses
Lebih terperinciSIFAT MEKANIK DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS NITRIDA BESI YANG DIDEPOSISIKAN PADA ROLL BEARING DENGAN TEKNIK SPUTTERING
150 ISSN 0216-3128 Wirjoadi., dkk. SIFAT MEKANIK DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS NITRIDA BESI YANG DIDEPOSISIKAN PADA ROLL BEARING DENGAN TEKNIK SPUTTERING Wirjoadi, Elin Nuraini, Ihwanul Aziz, Bambang
Lebih terperinciSIFAT OPTIK, STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO
ISSN 1410-6957 SIFAT OPTIK, STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO Wirjoadi, Bambang Siswanto Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan, BATAN
Lebih terperinciOleh: Tyas Puspitaningrum, Tjipto Sujitno, dan Ariswan
Penentuan Band Gap... (Tyas Puspitaningrum) 166 PENENTUAN BAND GAP DAN KONDUKTIVITAS BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS Sn(S 0,8 Te 0,2 ) DAN Sn(S 0,6 Te 0,4 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI TERMAL
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Pesatnya perkembangan teknologi material semikonduktor keramik,
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang. Pesatnya perkembangan teknologi material semikonduktor keramik, menghasilkan berbagai penemuan baru khususnya dalam bidang elektronika. Salah satu teknologi yang
Lebih terperinciPembuatan Sel Surya Film Tipis dengan DC Magnetron Sputtering
Pembuatan Sel Surya Film Tipis dengan DC Magnetron Sputtering Desty Anggita Tunggadewi 1, Fitria Hidayanti 1 1 Program Studi Teknik Fisika, Fakultas Teknik dan Sains, Universitas Nasional dtunggadewi@yahoo.co.id,
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen yang dilakukan di
BAB III METODE PENELITIAN Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen yang dilakukan di lab. Fisika Material, Jurusan Pendidikan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas
Lebih terperinciKARAKTERISASI I-V SEMIKONDUKTOR HETEROKONTAK CuO/ ZnO(TiO 2 ) SEBAGAI SENSOR GAS HIDROGEN
KARAKTERISASI I-V SEMIKONDUKTOR HETEROKONTAK CuO/ ZnO(TiO 2 ) SEBAGAI SENSOR GAS HIDROGEN Mardiah dan Elvaswer Jurusan Fisika FMIPA Universitas Andalas Kampus Unand, Limau Manis, Padang, 25163 e-mail:
Lebih terperinciSIDANG TUGAS AKHIR. Jurusan Teknik Material & Metalurgi Fakultas Teknologi Industri Institut Teknologi Sepuluh Nopember
SIDANG TUGAS AKHIR Arisela Distyawan NRP 2709100084 Dosen Pembimbing Diah Susanti, S.T., M.T., Ph.D Jurusan Teknik Material & Metalurgi Fakultas Teknologi Industri Institut Teknologi Sepuluh Nopember Sintesa
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Telah disadari bahwa kemajuan ilmu pengetahuan dan teknologi harus
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Telah disadari bahwa kemajuan ilmu pengetahuan dan teknologi harus dibayar oleh umat manusia berupa pencemaran udara. Dewasa ini masalah lingkungan kerap
Lebih terperinciSintesis Komposit TiO 2 /Karbon Aktif Berbasis Bambu Betung (Dendrocalamus asper) dengan Menggunakan Metode Solid State Reaction
Sintesis Komposit TiO 2 /Karbon Aktif Berbasis Bambu Betung (Dendrocalamus asper) dengan Menggunakan Metode Solid State Reaction Yuliani Arsita *, Astuti Jurusan Fisika Universitas Andalas * yulianiarsita@yahoo.co.id
Lebih terperinciPENGARUH TEKANAN DAN WAKTU DEPOSISI PADA TEKNIK SPUTTERING TERHADAP TAHANAN DAN REFLEKSIVITAS LAPISAN TIPIS a-si DAN Ag
GANENDRA, Vol. V, N0.2 ISSN 1410-6957 PENGARUH TEKANAN DAN WAKTU DEPOSISI PADA TEKNIK SPUTTERING TERHADAP TAHANAN DAN REFLEKSIVITAS LAPISAN TIPIS a-si DAN Ag Yunanto, Sudjatmoko, Trimardji Atmono, Wirjoadi
Lebih terperinciElektrodeposisi Lapisan Kromium dicampur TiO 2 untuk Aplikasi Lapisan Self Cleaning
Jurnal Fisika Unand Vol. 5, No. 4, Oktober 2016 ISSN 2302-8491 Elektrodeposisi Lapisan Kromium dicampur TiO 2 untuk Aplikasi Lapisan Self Cleaning Ardi Riski Saputra*, Dahyunir Dahlan Jurusan Fisika FMIPA
Lebih terperinciBab IV Hasil dan Pembahasan
Bab IV Hasil dan Pembahasan IV.1 Serbuk Awal Membran Keramik Material utama dalam penelitian ini adalah serbuk zirkonium silikat (ZrSiO 4 ) yang sudah ditapis dengan ayakan 400 mesh sehingga diharapkan
Lebih terperinciKARAKTERISASI SEMIKONDUKTOR TIO 2 (ZnO) SEBAGAI SENSOR LIQUEFIED PETROLEUM GAS (LPG)
KARAKTERISASI SEMIKONDUKTOR TIO 2 (ZnO) SEBAGAI SENSOR LIQUEFIED PETROLEUM GAS (LPG) Frastica Deswardani, Elvaswer Jurusan Fisika FMIPA Universitas Andalas Kampus Unand, Limau Manis, Padang, 25163 e-mail:
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. Gambar 11. Rangkaian pengukuran karakterisasi I-V.
10 larutan elektrolit yang homogen. Pada larutan yang telah homogen dengan laju stirring yang sama ditambahkan larutan elektrolit KI+I 2 sebanyak 10 ml dengan konsentrasi 0.3 M tanpa annealing. Setelah
Lebih terperinciMetodologi Penelitian
Bab III Metodologi Penelitian III. 1 Diagram Alir Penelitian Penelitian ini telah dilakukan dalam tiga bagian. Bagian pertama adalah penelitian laboratorium yaitu mensintesis zeolit K-F dari kaolin dan
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN
BAB III METODOLOGI PENELITIAN Metode yang digunakan dalam penelitian ini adalah dengan eksperimental yang dilakukan di laboratorium Fisika Material, Jurusan pendidikan fisika. Fakultas Matematika dan Ilmu
Lebih terperinciBAB II TINJAUAN PUSTAKA. sampai 10 atom karbon yang diperoleh dari minyak bumi. Sebagian diperoleh
BAB II TINJAUAN PUSTAKA 2.1 Premium Premium terutama terdiri atas senyawa-senyawa hidrokarbon dengan 5 sampai 10 atom karbon yang diperoleh dari minyak bumi. Sebagian diperoleh langsung dari hasil penyulingan
Lebih terperinciBab III Metodologi Penelitian
Bab III Metodologi Penelitian III. 1. Tahap Penelitian Penelitian ini terbagai dalam empat tahapan kerja, yaitu: a. Tahapan kerja pertama adalah persiapan bahan dasar pembuatan LSFO dan LSCFO yang terdiri
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Juli 2005 sampai Juni 2006, bertempat di
BAB III METODE PENELITIAN 3.1 Tempat dan Waktu Penelitian Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Juli 2005 sampai Juni 2006, bertempat di Laboratorium Departemen Fisika, FMIPA, Universitas Indonesia, Depok
Lebih terperinciBAB IV PERHITUNGAN & ANALSIS HASIL KARAKTERISASI XRD, EDS DAN PENGUKURAN I-V MSM
BAB IV PERHITUNGAN & ANALSIS HASIL KARAKTERISASI XRD, EDS DAN PENGUKURAN I-V MSM Pada bab sebelumnya telah diperlihatkan hasil karakterisasi struktur kristal, morfologi permukaan, dan komposisi lapisan.
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Energi cahaya matahari dapat dikonversi menjadi energi listrik melalui suatu sistem yang disebut sel surya. Peluang dalam memanfaatkan energi matahari masih
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 LatarBelakang
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 LatarBelakang Proses pembangunan disegala bidang selain membawa kemajuan terhadap kehidupan manusia, tetapi juga akan membawa dampak negative bagi lingkungan hidup. Industrialisasi
Lebih terperinciANALISIS SIFAT FISIK LAPISAN TIPIS TITANIUM NITRIDA PADA BAJA AISI 410 YANG DILAPIS DENGAN METODE SPUTTERING
Analisis Sifat Fisik Lapisan Tipis Titanium Nitrida ANALISIS SIFAT FISIK LAPISAN TIPIS TITANIUM NITRIDA PADA BAJA AISI 410 YANG DILAPIS DENGAN METODE SPUTTERING Xander Salahudin Program Studi Teknik Mesin,
Lebih terperinciPEMBAHASAN. a. Pompa Vakum Rotary (The Rotary Vacuum Pump) Gambar 1.10 Skema susunan pompa vakum rotary
PENDAHULUAN Salah satu metode yang digunakan untuk memperoleh lapisan tipis adalah Evaporasi. Proses penumbuhan lapisan pada metode ini dilakukan dalam ruang vakum. Lapisan tipis pada substrat diperoleh
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN. Penelitian yang dilakukan di Kelompok Bidang Bahan Dasar PTNBR-
BAB III METODOLOGI PENELITIAN Penelitian yang dilakukan di Kelompok Bidang Bahan Dasar PTNBR- BATAN Bandung meliputi beberapa tahap yaitu tahap preparasi serbuk, tahap sintesis dan tahap analisis. Meakanisme
Lebih terperinciKARAKTERISTIK LISTRIK KERAMIK FILM TEBAL SnO 2 YANG DITAMBAH Ta 2 O 5 UNTUK SENSOR GAS ETANOL
KARAKTERISTIK LISTRIK KERAMIK FILM TEBAL SnO 2 YANG DITAMBAH Ta 2 O 5 UNTUK SENSOR GAS ETANOL Rifayanti Masitoh 1, Dani Gustaman Syarif 2 dan Parlindungan Sinaga 1 1 Departemen Fisika, FPMIPA, Universitas
Lebih terperinciBAB II TINJAUAN PUSTAKA
BAB II TINJAUAN PUSTAKA Katalis merupakan suatu zat yang sangat diperlukan dalam kehidupan. Katalis yang digunakan merupakan katalis heterogen. Katalis heterogen merupakan katalis yang dapat digunakan
Lebih terperinciBATERAI BATERAI ION LITHIUM
BATERAI BATERAI ION LITHIUM SEPARATOR Membran polimer Lapisan mikropori PVDF/poli(dimetilsiloksan) (PDMS) KARAKTERISASI SIFAT SEPARATOR KOMPOSIT PVDF/POLI(DIMETILSILOKSAN) DENGAN METODE BLENDING DEVI EKA
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. dengan menggunakan kamera yang dihubungkan dengan komputer.
10 dengan menggunakan kamera yang dihubungkan dengan komputer. HASIL DAN PEMBAHASAN Hasil sintesis paduan CoCrMo Pada proses preparasi telah dihasilkan empat sampel serbuk paduan CoCrMo dengan komposisi
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. Penelitian hampir seluruhnya dilakukan di laboratorium Gedung Fisika Material
BAB III METODE PENELITIAN Metode yang dilakukan dalam penelitian ini adalah rancang bangun alat. Penelitian hampir seluruhnya dilakukan di laboratorium Gedung Fisika Material Pusat Teknologi Nuklir Bahan
Lebih terperinciSIFAT OPTIK STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO
Wirjoadi, dkk. ISSN 0216-3128 369 SIFAT OPTIK STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO Wirjoadi, Bambang Siswanto Pusat Teknologi Akselerator dan Proses
Lebih terperinciANALISIS SIFAT MEKANIK LAPISAN TIPIS NITRIDA TITANIUM PADA CAMSHAFT HASIL TEKNIK PLASMA SPUTTERING
110 ISSN 0216-3128 Bambang Siswanto., dkk. ANALISIS SIFAT MEKANIK LAPISAN TIPIS NITRIDA TITANIUM PADA CAMSHAFT HASIL TEKNIK PLASMA SPUTTERING Bambang Siswanto, Lely Susita RM., Sudjatmoko, Wirjoadi Pustek
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban manusia di abad ini. Sehingga diperlukan suatu kemampuan menguasai teknologi tinggi agar bisa
Lebih terperinciDeskripsi METODE UNTUK PENUMBUHAN MATERIAL CARBON NANOTUBES (CNT)
1 Deskripsi METODE UNTUK PENUMBUHAN MATERIAL CARBON NANOTUBES (CNT) Bidang Teknik Invensi Invensi ini berhubungan dengan metode untuk penumbuhan material carbon nanotubes (CNT) di atas substrat silikon
Lebih terperinciPENGERASAN PERMUKAAN BAJA ST 40 DENGAN METODE CARBURIZING PLASMA LUCUTAN PIJAR
PENGERASAN PERMUKAAN BAJA ST 40 DENGAN METODE CARBURIZING PLASMA LUCUTAN PIJAR BANGUN PRIBADI *, SUPRAPTO **, DWI PRIYANTORO* *Sekolah Tinggi Teknologi Nuklir-BATAN Jl. Babarsari Kotak Pos 1008, DIY 55010
Lebih terperinciPREPARASI LAPISAN TIPIS SAMBUNGAN p-n ZnO DAN CuInSe MENGGUNAKAN PENYANGGA LAPISAN CdS UNTUK APLIKASI SEL SURYA
, dkk. ISSN 0216-3128 153 PREPARASI LAPISAN TIPIS SAMBUNGAN p-n ZnO DAN CuInSe MENGGUNAKAN PENYANGGA LAPISAN CdS UNTUK APLIKASI SEL SURYA PTAPB Badan Tenaga Nuklir Nasional Agung B.S.U, Messa Monika Sari
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini terlihat dari banyaknya komponen semikonduktor yang digunakan disetiap kegiatan manusia.
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. ragam, oleh sebab itu manusia dituntut untuk semakin kreatif dan produktif dalam
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Penerapan teknologi rekayasa material saat ini semakin bervariasi hal ini disebabkan oleh tuntutan untuk memenuhi kebutuhan manusia yang beraneka ragam, oleh sebab
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. didalamnya dilakukan karakterisasi XRD. 20%, 30%, 40%, dan 50%. Kemudian larutan yang dihasilkan diendapkan
6 didalamnya dilakukan karakterisasi XRD. 3.3.3 Sintesis Kalsium Fosfat Sintesis kalsium fosfat dalam penelitian ini menggunakan metode sol gel. Senyawa kalsium fosfat diperoleh dengan mencampurkan serbuk
Lebih terperinciPengaruh Rapat Arus Terhadap Ketebalan Dan Struktur Kristal Lapisan Nikel pada Tembaga
ISSN:2089 0133 Indonesian Journal of Applied Physics (2012) Vol.2 No.1 halaman 1 April 2012 Pengaruh Rapat Arus Terhadap Ketebalan Dan Struktur Kristal Lapisan Nikel pada Tembaga ABSTRACT Setyowati, Y.
Lebih terperinciHomogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-si:h tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 8, NOMOR JANUARI 202 Homogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-si:h tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD
Lebih terperinciMETODOLOGI PENELITIAN
37 METODOLOGI PENELITIAN Tempat dan Waktu Penelitian Penelitian ini dilakukan di Laboratorium Material Departemen Fisika IPB dari Bulan November 2010 sampai dengan bulan Mei 2011. Bahan dan Alat Alat yang
Lebih terperinci4 Hasil dan Pembahasan
4 Hasil dan Pembahasan 4.1 Sintesis Padatan TiO 2 Amorf Proses sintesis padatan TiO 2 amorf ini dimulai dengan melarutkan titanium isopropoksida (TTIP) ke dalam pelarut etanol. Pelarut etanol yang digunakan
Lebih terperinciKarakterisasi Sensor TiO 2 Didoping ZnO untuk Mendeteksi Gas Oksigen
122 Karakterisasi Sensor TiO 2 Didoping ZnO untuk Mendeteksi Gas Oksigen Wahyuni Putri*, Elvaswer Jurusan Fisika, Kampus Limau Manis, Universitas Andalas, Padang 25163 *Wahyuniputri750@yahoo.com ABSTRAK
Lebih terperinciBAB IV ANALISIS DAN PEMBAHASAN 4.2 DATA HASIL ARANG TEMPURUNG KELAPA SETELAH DILAKUKAN AKTIVASI
39 BAB IV ANALISIS DAN PEMBAHASAN 4.1 PENDAHULUAN Hasil eksperimen akan ditampilkan pada bab ini. Hasil eksperimen akan didiskusikan untuk mengetahui keoptimalan arang aktif tempurung kelapa lokal pada
Lebih terperinciDEPOSISI LAPISAN NITRIDA PADA PERMUKAAN PIN DAN RING PISTON DENGAN METODA DC SPUTTERING
DEPOSISI LAPISAN NITRIDA PADA PERMUKAAN PIN DAN RING PISTON DENGAN METODA DC SPUTTERING Lely Susita R.M., Bambang Siswanto, Ihwanul Aziz, Taufik Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan (PTAPB) BATAN
Lebih terperinciUJI VAKUM BEJANA NITRIDASI PLASMA
UJI VAKUM BEJANA NITRIDASI PLASMA Sukidi, Suhartono -BATAN, Babarsari Yogyakarta 55281 E-mail : skd_5633@yahoo.co.id ABSTRAK UJI VAKUM BEJANA NITRIDASI PLASMA. Telah dilakukan uji vakum 2 bejana nitridasi
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN. Mulai. Persiapan alat dan bahan. Meshing AAS. Kalsinasi + AAS. Pembuatan spesimen
BAB III METODOLOGI PENELITIAN 3.1 Diagram Alir Penelitian berikut: Pada penelitian ini langkah-langkah pengujian mengacu pada diagram alir Mulai Persiapan alat dan bahan Meshing 100 + AAS Kalsinasi + AAS
Lebih terperinciDETEKTOR RADIASI INTI. Sulistyani, M.Si.
DETEKTOR RADIASI INTI Sulistyani, M.Si. Email: sulistyani@uny.ac.id Konsep Dasar Alat deteksi sinar radioaktif atau sistem pencacah radiasi dinamakan detektor radiasi. Prinsip: Mengubah radiasi menjadi
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN. Metode penelitian yang digunakan pada penelitian ini adalah
BAB III METODOLOGI PENELITIAN 3.1 Metode penelitian Metode penelitian yang digunakan pada penelitian ini adalah eksperimental dan pembuatan keramik film tebal CuFe 2 O 4 dilakukan dengan metode srcreen
Lebih terperinci