Pengaruh Variasi doping Lantanum pada Barium Titanat (Ba 1-x La x TiO 3 ) terhadap Struktur Mikro dan Sifat Ferroelektrik

Transkripsi

1 JURNAL Teori dan Aplikasi Fisika Vol.01, No. 02, Juli 2013 Pengaruh Variasi doping Lantanum pada Barium Titanat (Ba 1-x La x TiO 3 ) terhadap Struktur Mikro dan Sifat Ferroelektrik N. Nurhadi 1, A. Jamaluddin 2 dan Y. Iriani 1* 1 Jurusan Fisika Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam 2 Program Studi Fisika Fakultas Keguruan dan Ilmu Pendidikan Universitas Sebelas Maret Surakarta e- yopen_2005@yahoo.com Diterima (27 Juni 2013), direvisi (16 Juli 2013) Abstract. Deposition of thin films based ferroelectric materials barium titanate (BaTiO 3 ) doped lanthanum (Ba 1-x La x TiO 3 ) with mole variation of lanthanum (x) 1%, 3% and 5% were successfully grown on Pt/Si substrate by chemical solution deposition (CSD) method and it was prepared with spin coater process. Deposition of BaTiO 3 and Ba 1-x La x TiO 3 thin films used temperature 800 C and holding time for 3 hours. The result characterization used X-Ray apparatus showed increase of lanthanum composition on crystal stucture barium titanate caused the diffraction angle shifts to the right (bigger) and intensity value increase. The result of GSAS software showed that lattice parameter and crystal volume decrease along with the increase of lanthanum composition on barium titanate structure. Scanning Electron Microscopy (SEM) characterization result showed that grain size decrease along with the increase of lanthanum mole dopant and average thickness of thin films about 300 nm. The result of Sawyer Tower method showed that all sampels are ferroelectric materials. The increase of lanthanum mole dopant caused coercive field smaller and remanent polarization bigger. Keyword: BaTiO 3, crystal structure, ferroelectric, GSAS, lattice parameter. Abstrak. Deposisi lapisan tipis berbasis ferroelektrik Barium Titanat (BaTiO 3 ) yang didoping lantanum (Ba 1-x La x TiO 3 ) dengan variasi jumlah mol (x) 1%, 3% dan 5% telah berhasil ditumbuhkan di atas subtrat Pt/Si dengan metode Chemical Solution Deposition (CSD) dan disiapkan dengan proses spin coating. Penumbuhan lapisan tipis BaTiO 3 dan Ba 1-x La x TiO 3 dilakukan dengan suhu annealing 800 C dan holding time selama 3 jam. Hasil pengujian menggunakan peralatan X- Ray Diffraction (XRD) penambahan doping La 3+ pada struktur kristal Barium Titanat (BaTiO 3 ) mengakibatkan terjadinya perubahan pada sudut difraksi yang cenderung bergeser ke kanan (semakin besar) dan nilai intensitas yang semakin besar. Hasil pengolahan dengan software GSAS menunjukan parameter kisi dan volume kristal makin kecil seiring bertambahnya mol dopan La 3+ yang telah masuk dalam struktur BaTiO 3. Hasil pengujian menggunakan peralatan Scanning Electron Microscopy (SEM) menunjukan ukuran butir (grain size) makin kecil seiring bertambahnya mol dopan (x) La 3+ dan ketebalan rata-rata dari lapisan tipis sekitar 300 nm. Pengujian menggunakan metode Sawyer Tower menunjukan semua sampel yaitu BaTiO 3 dan yang didoping La 3+ adalah material ferroelektrik. Bertambahnya mol dopan La 3+ mengakibatkan medan koersif makin kecil dan polarisasi remanen yang semakin besar. Kata kunci: BaTiO 3, struktur kristal, ferroelektrik, GSAS, parameter kisi *Coresponding author: yopen_2005@yahoo.com 191

2 N. Nurhadi dkk: Pengaruh Variasi doping Lantanum pada Barium Titanat (Ba 1-x La x TiO 3 ) terhadap Struktur Mikro dan Sifat Ferroelektrik PENDAHULUAN Seiring dengan berkembangnya ilmu pengetahuan dan teknologi yang semakin maju dan semakin modern terutama dalam dunia elektronika menarik para pengguna untuk mendapatkan devais eloktronika yang berukuran kecil tetapi memiliki peforma yang maksimal. Salah satu komponen elektronik yang memegang peranan penting dalam hal ini adalah lapisan tipis ferroelektrik. Pengunaan untuk fabrikasi dalam bentuk lapisan tipis dapat sangat luas hal ini karena sifa-sifat bahan ferroelektrik yang dapat dimodifikasi sesuai kebutuhan serta medah diintegrasikan dalam bentuk devais (jack C, 1967). Material ferroelektrik adalah material yang mempunyai kemampuan merubah nilai polarisai listrik tanpa adanya bantuan atau ganguan dari medan listrik dari luar dan ditandakan dengan kemampuanya membentuk kurva histerisis yaitu kurva perbandingan medan listik dari luar dengan nilai polarisasi listrik (Sunandar, 2006). Fenomena polarisasi terjadi dikarnakan pada material ferroelektrik muatan positif dan muatan negatif tidak dalam keadaan berhimpit dan sebagai akibatnya ada jarak antara muatan negatif dan muatan positif sehingga menimbulkan terjadinya pengkutuban atau momen dipol (Irzaman, 1997). Beberapa material lapisan tipis ferroelektrik yang banyak oleh dikembangkan oleh para peneliti pada saat ini antara lain PbSrTiO 3, BaZrTiO 3, BaSrTiO 3 dll. Sifat-sifat fundamental pada material lapisan tipis ferroelektik antara lain adalah sifat dielektrik, sifat pyroelektrik dan sifat piezoelektrik. Jika dilihat dari sifat-sifat fundamental material ferroelektrik tersebut berikut adalah sumbangsih paling utama dalam aplikasi dunia elektronika Ferroectric Random Acces Memory (FRAM) yang memanfaatkan kemampuan polarisasi yang tinggi pada material ferroelektrik (Soe and Park, 2004). Sifat dielektrik pada material digunakan sebagai kapasitor, sifat pyroelektrik digunakan sebagai sensor yang memenfaatkan terjadinya perubahan suhu dan piezoelektrik digunakan sebagai aktuator yang memanfaatkan gaya mekanik agar terjadi perubahan pada nilai polarisasi. Barium titanat ( ) adalah bahan yang bersifat ferroelektrik dan mempunyai struktur kristal perovskite (ABO3) yang jauh lebih sederhana bila dibandingkan dengan bahan ferroelektrik yang lain. Ditinjau dari segi penggunaannya, bahan ini sangat praktis karena sifat kimia dan mekaniknya sangat stabil, mempunyai sifat ferroelektrik pada suhu ruang sampai di atas suhu ruang karena mempunyai suhu Curie (Tc) pada 120 C (Yunasfi, 2002). Saat ini pengembangan bahan barium titanat ) ini banyak dilakukan oleh para peneliti dengan menambahkan bahan lain sebagai doping. Penambahan doping pada bahan ) menimbulkan perubahan secara drastis pada karakteristik bahannya seperti sifat dielektri dan ferroelektrik sehingga dapat bermanfaat untuk meningkatkan kualitas dan fungsi dalam pengaplikasianya. Cara penumbuhan material lapisan tipis dapat dilakukan dengan beberapa metode. Berikut adalah beberapa metode yang telah dikembangkan oleh para ahli elektroplating (Yoojin Song et al, 2009), chemical vapour deposition (CVD) (Hideki, 1998), physical vapour deposition (PVD) (Hopwood, 2000). Pada proses PVD dibagi menjadi dua, yaitu evaporation (Soeparjoe, 2004) dan sputtering, pada metode sputtering dibagi lagi menjadi dua cara yaitu DC sputtering (Xu et al, 2001) dan RF sputtering (Yunas dan Mulyani, 2001), sedangkan untuk deposisi lapisan tipis gabunggan metode 192

3 JURNAL Teori dan Aplikasi Fisika Vol.01, No. 02, Juli 2013 fisika dan kimia adalah CSD ( chemical solution deposition ) atau Sol-Gel spin coating (Hiroshi et al, 2009). Pada makalah ini penumbuhan lapisan tipis barium titanat ( ) yang di doping dengan lantanum ( dilakukan mengunakan metode Chemical Solution Deposition (CSD) diatas subtrat Pt/Si, dengan jumlah variasi jumlah mol x = 0,01; 0,03; 0,05 dan suhu annealing 800 C. Lapisan tipis yang terbentuk selanjutnya selanjutnya dilakukan pengujian setruktur kristal mengunakan X Ray Diffraction (XRD) serta struktur mikro yang meliputi morfologi dan ketebalan lapisan menggunakan Scanning Electron Microcopy (SEM-EDX). Pengujian sifat listrik bertujuan untuk mendapatkan kurva histerisis juga akan diuji. METODE PENELITIAN Lapisan tipis Ba 1-x La x TiO 3 ditumbuhkan dengan teknik Chemical Solution Deposition (CSD) yang disiapkan dengan spin coater. Bahan precursor yang digunakan yaitu Barium Asetat [Ba(CH 3 COOH) 2 ], Titanium Isopropoksida [Ti(C 12 O 4 H28)] dan Lantanum Asetat [La(CH 3 COOH) 2 ], serta Asam asetat dan Etylene Glycol digunakan sebagai pelarut. Pada proses penumbuhan lapisan tipis di atas subtrat Pt/Si kecepatan putar spin coater yang di gunakan adalah 4000 rpm. Pada proses annealing temperatur yang digunakan adalah 800 C selama 3 jam. Lapisan tipis Ba 1-x La x TiO 3 yang berhasil ditumbuhkan di atas substrat Pt/Si dikarakterisasi menggunakan peralatan X Ray Diffraction (XRD) merek Bruker type D8 Advance dengan target Cu yang panjang gelombangnya 1,5406Å untuk mengetahui struktur mikrol dan untuk melihat morfologi permukaan serta ketebalan lapisan digunakan peralatan Scanning Electron Microscopy (SEM) merek JEOL sedangkan Uji sifat ferroelektrik (berupa kurva histerisis) menggunakan metode Sawyer Tower. HASIL DAN PEMBAHASAN Karakterisasi struktur mikro mengunakan XRD dengan sumber radiasi dari Cu yang mempunyai panjang gelombang 1,5406Å. Hasil data yang didapatkan dari uji XRD berupa hubungan antara sudut difraksi (2θ) dengan intensitas. Tiap-tiap puncak yang muncul menandakan suatu bidang dengan orientasi tertentu, dimana identifikasi puncak-puncak yang muncul dilakukan dengan pencocokan pada International Center for Diffraction Data (ICDD) database. Gambar 1 menunjukan pola difraksi untuk lapisan tipis Barium Titanat (BaTiO 3 ) doping La 3+ (Ba 1-x La x TiO 3 ) dengan suhu annealing 800 C yang berhasil ditumbuhkan diatas subtrat Pt/Si. Puncak yang muncul merupakan bidang milik dari BaTiO 3 yaitu pada orientasi bidang 100 dan 110. Seadangkan puncakpuncak lain yang muncul adalah merupakan orientasi bidang dari subtrat Pt/Si. Penambahan dopan La 3+ sebanyak 1% pada lapisan tipis BaTiO 3 dapat meningkatkan nilai intensitas yang terbentuk, akan tetapi nilai dari intensitas pada orientasi (110) BaTiO 3 semakin turun bersamaan dengan bertambahnya mol dopan La 3+ yang ditambahkan. Hal ini diduga karena dengan bertambahnya jumlah mol dopan La 3+ yang merupakan donor dopan dan mempunyai muatan positif lebih besar satu muatan dari pada ion Ba 2+ yang disubtitusi. Sehingga untuk menjaga kenetralan muatan pada struktur kristal ion Ti 4+ akan terlepas dan terjadi cacat Kristal. Semakin banyak jumlah mol dopan La 3+ yang ditambahkan maka akan 193

4 N. Nurhadi dkk: Pengaruh Variasi doping Lantanum pada Barium Titanat (Ba 1-x La x TiO 3 ) terhadap Struktur Mikro dan Sifat Ferroelektrik semakin banyak pula ion Ti 4+ yang terlepas pada struktur kristal. Cacat pada struktur kristal yang terjadi mengakibatkan pola interfrensi konstruktif yang ditampilkan dari hasil intensitas mengalami perubahan. Tingkat kekristalan setiap lapisan tipis BaTiO 3 dan BLT dengan komposisi mol dopan La 3+ yang berbeda menghasilkan nilai intensitas yang berbeda pula sebagaimana ditunjukan pada Tabel 1. Analysis System (GSAS). Metode yang digunakan software GSAS mengacu pada metode refinement berdasarkan analisis Rietveld. Hal yang diperhatikan dalam pengunaan metode ini adalah indikator keberhasilan untuk mendapatkan kurva kesesuaian (konvergen). Indikator yang menunjukan tingkat keberhasilan dalam pengolahan data adalah Rp, wrp dan Chi 2. Setelah didapatkan kesesuaian antara kurva kalkulasi dengan kurva observasi dan nilai indikator telah menunjukan tinggkat keberhasilan yang tinggi maka akan didapatkan nilai parameter kisi a, b dan c dari lapisan tipis yang terbentuk. Hasil penghalusan pola difraksi sinar-x dengan mengunakan software GSAS ditunjukan Gambar 2. Gambar 1. Pola Difraksi Sinar-x Lapisan Tipis BaTiO 3 dan Ba 1x La x TiO 3 Variasi Jumlah Mol Dopan La 3+ Suhu Annealing 800 C (a)substratpt/si (b)batio 3 (c)ba 0,99 La 0,01 TiO 3 Ba 0,97 La 0,03 TiO 3 (e)ba 0,95 La 0,05 TiO 3 Tabel 1. Nilai Intensitas Lapisan Tipis BaTiO 3 dengan Variasi Mol doping La 3+ pada Orientasi Bidang 110 Suhu Annealing 800 C. Nilai Intensitas Sampel (110) Suhu 800 C BaTiO BLT 1% 6648 BLT 3% 4801 BLT 5% 4771 Puncak-puncak yang muncul dari pola difraksi sinar-x kemudian dicocokan dengan ICDD database merupakan puncak dari BaTiO 3. Hasil ini kemudian dikuatkan dengan hasil pengolahan data menggunakan software General Structure (c) (a) (b) Gambar 2. Hasil Penghalusan Pola Difraksi x- ray Lapisan Tipis Ba 1-x La x TiO 3 Menggunakan Software GSAS Suhu Annealing 800 C (a)batio 3 (b) Ba 0,99 La 0,01 TiO 3 (c) Ba 0,97 La 0,03 TiO 3 Ba 0,95 La 0,05 TiO 3 194

5 JURNAL Teori dan Aplikasi Fisika Vol.01, No. 02, Juli 2013 Tabel 2. Parameter Kisi Lapisan Tipis Ba 1- xla x TiO 3 Suhu Annealing 800 C. Sampel Parameter Kisi (Å) c/a Chi 2 A c BaTiO 3 3,985 4,057 1,018 1,449 BLT 1 % 3,995 4,010 1,003 1,450 BLT 3 % 3,976 4,052 1,019 1,213 BLT 5 % 3,966 4,041 1,011 1,250 Tabel 3. Pergeseran Sudut Difraksi Lapisan Tipis BaTiO 3 dan Ba 1-x La x TiO 3 Variasi Mol Dopan L 3+. Orientasi Sudut Difraksi Bidang 110 Suhu 800 C BaTiO 3 31,50 BLT 1% 31,60 BLT 3% 31,50 BLT 5% 31,50 Tabel 2 menunjukan Hasil penghalusan mengunakan program GSAS, dimana nilai parameter kisi a, b dan c mengalami perubahan bila dibandingkan dengan nilai parameter kisi awal. Hal ini disebabkan penambahan dopan ion La 3+ yang mempunyai jari-jari lebih kecil bila dibandingkan dengan ion Ba 2+. Sehingga parameter kisi dari hasil penghalusan mengalami penurunan. Parameter kisi yang semakin kecil menandakan unit sel dari lapisan tipis juga semakin kecil. Unit sel yang semakin kecil menandakan volume kristal juga semakin kecil (Arpana et al, 2001). Perubahan nilai parameter kisi akibat penambahan dopan La 3+ menyebabkan terjadinya pergeseran pada sudut difraksi (2θ) pada lapisan tipis BaTiO 3. Tabel 3 menunjukan pergeseran yang terjadi pada sudut difraksi (2θ) terhadap orientasi bidang BaTiO 3.. Hal ini bila dikaitkan dengan perubahan nilai parameter kisi dari hasil penghalusan dengan metode GSAS yaitu dengan berkurangnya nilai parameter kisi maka jarak antar bidang atom pada struktur kristal BaTiO 3 akan semakin kecil dengan berkurangnya nilai parameter kisi menyebabkan bergesernya sudut difraksi (2θ) yang semakin besar (ke kanan). Scanning electron microscopy (SEM) merupakan mikroskop yang memanfaatkan elektron sebagai penganti cahaya untuk melihat suatu objek dengan resolusi tinggi. Analisis mengunakan SEM bertujuan untuk mengetahui struktur morfologi, ukuran butir dari sampel lapisan tipis yang dibuat. (a) (c) (b) Gambar 3. Foto SEM pada Lapisan Tipis Ba 1- xla x TiO 3 suhu Annealing 800 C (a) BaTiO 3 (b) Ba 0,99 La 0,01 TiO 3 (c)ba 0,97 La 0,03 TiO 3 Ba 0,95 La 0,05 TiO 3 195

6 N. Nurhadi dkk: Pengaruh Variasi doping Lantanum pada Barium Titanat (Ba 1-x La x TiO 3 ) terhadap Struktur Mikro dan Sifat Ferroelektrik Tabel 4. Ukuran Butir Lapisan Tipis BaTiO 3 Variasi Mol Dopan La 3+ Suhu Annealing 800 C. Ukuran Butir Sampel (Grain Size) (nm) Suhu 800 C BaTiO BLT 1% 79 BLT 3% 64 BLT 5% 60 Hasil pengujian foto SEM lapisan tipis BaTiO 3 dan doping La 3+ (Ba 1- xla x TiO 3 ) seperti ditampilkan pada Gambar 3. Penambahan dopan La 3+ pada lapisan tipis BaTiO 3 murni mengakibatkan perubahan pada ukuran butir dan jarak antar atom kristal yang terbentuk. Semakin banyak jumlah mol dopan La 3+ yang diberikan maka ukuran butir yang terbentuk akan semakin kecil dan jarak antar butir kristal semakin besar. Hasil perhitungan nilai ukuran butir yang terbentuk pada lapisan tipis BaTiO 3 murni dan BLT ditunjukan pada Tabel 4. Morfologi yang nampak pada hasil foto SEM erat kaitanya dengan proses annealing yang diberikan pada penumbuhan lapisan tipis. Hal ini dikarenakan pada proses rekristalisai dan nukleasi pada tahap annealing. Proses rekristalisasi yaitu proses penyusunan atom atom ke dalam kristal baru sedangkan nukleasi adalah tahapan pembentukan inti dari atom atom kristal yang baru terbentuk. Pemberian panas (energi termal) ini bertujuan untuk menggerakan atom-atom pada lapisan tipis tersebut secara bebas. Perubahan suhu annealing yang diberikan berpangaruh pada ukuran butir (grain size) yang terbentuk, semakin tinggi suhu annealing maka ukuran butir (grain size) akan semakin besar pula. Hasil dari pengujian foto SEM cross section (tampang lintang) Gambar 4 ditujukan untuk mengetahui ketebalan lapisan tipis BaTiO 3 dan BLT dengan variasi jumlah mol dopan La 3+ 1%, 3% dan 5% suhu annealing 800 C. Terlihat secara keseluruhan ketebalan dari lapisan tipis BaTiO 3 variasi jumlah mol dopan La 3+ memiliki ukuran ketebalan yang cenderung sama yaitu sekitar 300 nm. Ciri utama dari material ferroelektrik yaitu apabila material tersebut dapat membentuk kurva histerterisis apabila dikenai medan listrik dari luar. Peralatan yang digunakan pada metode ini adalah Osiloscop, fungtion generation dan jungtion elektroda. Metode yang digunakan untuk mendapatkan gambar berupa kurva histerisis yaitu metode Sawyer-Tower. Pada karakterisasi sifat listrik hasil yang dapat diamati yaitu perubahan yang terjadi pada nilai polarisasi remanen (titik potong yang memotong sumbu Y) dan medan koersif yang terbentuk (titik potong yang memotong sumbu X). (a) (c) (b) Gambar 4. Penampang Lintang Lapisan Tipis BaTiO 3 Variasi Mol Dopan La 3+ (a) BaTiO 3 (b) Ba 0,99 La 0,01 TiO 3 (c) Ba 0,97 La 0,03 TiO 3 Ba 0,95 La 0,05 TiO 3 196

7 JURNAL Teori dan Aplikasi Fisika Vol.01, No. 02, Juli 2013 (a) (c) (b) Gambar 5. Kurva Histerisis Lapisan Tipis BaTiO 3 Ba 1-x La x TiO 3 Suhu Annealing 800 C (a) BaTiO 3 (a) Ba 0,99 La 0,01 TiO 3 (b) Ba 0,97 La 0,03 TiO 3 (c) Ba 0,95 La 0,05 TiO 3 Semua sampel lapisan tipis BaTiO 3 dan Ba 1-x La x TiO 3 yang berhasil ditumbuhkan dengan suhu annealing 800 C di atas subtrat Pt/Si merupakan material ferroelektrik. Hal ini ditandai dengan terbentuknya kurva histerisis saat dikenai medan listrik dari luar. Gambar 5 adalah gambar kurva histerisis dari sampel lapisan tipis BaTiO 3 dan BLT. Terbentuknya kurva histerisis pada semua sampel yang dibuat menunjukan semua sampel lapisan tipis yang dibuat merupakan material frroelektrik. Penambahan dopan La 3+ pada lapisan tipis BaTiO 3 berfungsi untuk mensubtitusi ion Ba 2+ pada struktur kristal perovskite kristal. Secara teori interaksi yang menyebabkan terjadinya polarisasi adalah antara ion Ti 4+ dan O 2-, namun karna muatan pada ion La 3+ adalah (3+) yang mana bila mengantikan ion Ba 2+ maka dalan struktur kristal akan terjadi kelebihan muatan positif sehingga untuk menjaga kenetralan muatan ion Ti 4+ akan terlepas (Uchino, 2000). Terlepasnya ion Ti 4+ pada struktur kristal perovskite kristal menggakibatkan meningkatnya mobilitas elektron. Kurva histerisis yang terbentuk dapat dilihat perbedaannya bila dibandingkan dengan kurva histerisis pada lapisan tipis BaTiO 3 yaitu nilai polarisasi remanen (titik potong yang memotong sumbu Y) mengalami kenaikan tetapi sangat kecil untuk tiap jumlah variasi mol dopan yang ditambahkan. Sedangkan medan koersif (titik potong yang memotong sumbu X) mengalami penurunan sangat kecil untuk tiap jumlah variasi mol dopan yang ditambahkan. Menurunnya medan koersif pada kurva histerisis yang terbentuk dikarenakan ion dopan La 3+ merupakan ion donor dopan yang salah satu sifatnya menghasilkan material ferroelektrik dengan medan koersif rendah. Naiknya nilai polarisasi remanen tidak terlepas dari penambahan ion dopan Lantanum La 3+ (1,22Å) pada struktur perovskite kristal Bariun Titanate (BaTiO 3 ) yang akan mengantikan posisi ion Ba 2+ (1,43Å). Penambahan dopan La 3+ akan menyebabkan volume kristal akan semakin kecil, karena ion La 3+ memiliki jari jari yang lebih kecil bila dibandingkan dengan ion Ba 2+, sehingga jarak antar ion pada susunan perovskite kristal semakin dekat. Hal ini dapat dikaitkan dengan perubahan nilai parameter kisi dari hasil analisa Rietveld menggunakan software GSAS yang ditunjukan pada Tabel 2 dan dari hasil ukuran butir (grain size) pada Tabel 4. Volume perovskite kristal semakin kecil maka nilai polarisasi akan semakin tinggi, karena nilai polarisasi berbanding terbalik dengan nilai volume kristal. KESIMPULAN Penambahan doping La 3+ pada struktur kristal Barium Titanat (BaTiO 3 ) 197

8 N. Nurhadi dkk: Pengaruh Variasi doping Lantanum pada Barium Titanat (Ba 1-x La x TiO 3 ) terhadap Struktur Mikro dan Sifat Ferroelektrik mengakibatkan terjadinya perubahan pada sudut difraksi yang cenderung bergeser ke kanan (semakin besar) dan nilai intensitas yang semakin besar. Hasil pengolahan dengan software GSAS parameter kisi dan volume kristal makin kecil seiring bertambahnya mol dopan La 3+ dan dopan telah masuk dalam struktur BaTiO 3. Ukuran butir (grain size) makin kecil seiring bertambahnya mol dopan (x) La 3+ dan ketebalan rata-rata dari lapisan tipis sekitar 300 nm. Pengujian menggunakan rangkain Sawyer Tower semua sampel yaitu BaTiO 3 dan yang didoping La 3+ adalah material ferroelektrik. Bertambahnya mol dopan La 3+ mengakibatkan medan koersif makin kecil dan polarisasi remanen yang semakin besar. DAFTAR PUSTAKA Aparna, M., et al Efect of Lantalum Doping on Electrical and Electromechanical Properties of Ba1- xlaxtio3. Bull Mater Sci., Indian Academy of Sciences, 24, 5, Hidetaki, M. (1998). Formation of Silica- Based Thin Film Prepared by Catalytic Chemical Vapor Deposition (Cat-CDV) Method. Japanes Journal of Applied Physics, 37, Hikam, M. (2004). Perhitungan Polarisasi Spontan dan Momen Quadrupol Potensial Listrik pada Bahan (PIZT). Jurnal Makara, 8, 3, Hopwood, J. (1998). Ionized Physical Vapor Deposition of Integrated Circuit Interconnects. Physics of Plasmas, 5, 5, Irzaman, (1997). Studi Polarisasi Spontan Material Ferroelektrik Dengan Analisis Rietveld dan Pengukuran makroskopis (Studi Kasus Fisika, UI. ). Tesis, Jurusan Maiwa, H., et al Preparation of Properties BZT Thin Film by Chemical Solution Deposition, Ferroelectric, 381, Seo, J.Y and Park, S.W. (2004). Chemical Mechanical Planarization Characteristic of Ferroelectric Film for FRSM Applications. Journal of Korean Physical Society, 45, 3, Soepardjo, A.H. (2004). Fabrikasi Thin Film Quarternair CuGaSeTe dan Cu dengan Evaporasi Flash, Makara Teknologi, 8, 1, Sunandar, C Penumbuhan Film Tipis Ba x Sr 1-x TiO 3 dan BaFeSrTiO 3 dan Observasi Sifat Ferroelektriknya. Tesis, Jurusan Fisika, IPB. Yunas, J dan Muliani, L. (2001). Aplikasi Sistem Sputtering untuk Deposisi Lapisan Tipis. Prosiding Seminar Nasional X, Yogyakarta. Yunasfi. (2002). Pembuatan Keramik Barium Titanat untuk Peralatan Elektronik. Jurnal Elektronika dan Komunikasi, 2, 1, Yoojin, S., et al. (2009). Characterization of Electroplated Cu Thin Film on Electron-Beam-Evaporated Cu Seed Layer. Journal of Korean Physics, 54, 3, Uchino, K. (2000). Ferroelectric Devices. Macel Dekker, New York. Xu, J., et al. (2001). Characterization of CN x Film Prepared by Twinned ECR Plasma Source DC Magneton Sputering. Thin Solid Films, 1, 2,