Kata Kunci : film tipis, niobium penta oksida, uji arus-tegangan, intensitas cahaya
|
|
- Sudomo Jayadi
- 6 tahun lalu
- Tontonan:
Transkripsi
1 Prosiding Seminar Nasional Fisika 2010 ISBN : Abstrak UJI ARUS-TEGANGAN FILM TIPIS Ba 0,5 Sr 0,5 TiO 3 DENGAN PENDADAH NIOBIUM PENTA OKSIDA SEBAGAI SENSOR CAHAYA A Arief, Irzaman, M Dahrul, dan H Syafutra Departemen Fisika FMIPA, Institut Pertanian Bogor Jl. Meranti Gedung Wing S no 3 Dramaga Bogor dahrul_physics42@yahoo.com, irzaman@yahoo.com Telah dilakukan sintesis film tipis Ba 0,5 Sr 0,5 TiO 3 murni dan didadah niobium penta oksida (Nb 2 O 5 ) sebanyak 5% dengan konsentrasi 1 M diatas substrat Si (100) tipe-p. Pelapisan film tipis menggunakan metode chemical solution deposition (CSD) dengan teknik spin coating. Substrat Si (100) tipe-p yang telah ditumbuhi film tipis kemudian dilakukan proses annealing pada suhu C. Film tipis dikarakterisasi sifat cahayanya (intensitas cahaya) dengan uji arus-tegangan menggunakan alat I-V meter. Karakterisasi intensitas cahaya dilakukan pada dua kondisi yaitu, pada kondisi gelap dan kondisi terang dengan disinari lampu 100 watt serta pada berbagai variasi kontak. Dari kurva arus-tegangan, akan terlihat adanya pergeseran antara kurva yang diperoleh pada kondisi disinari cahaya lampu dan pada kondisi gelap dimana pergeseran pada film tipis BST lebih besar daripada film tipis BST dengan pendadah niobium penta oksida. Hal ini menunjukkan seberapa besar sensivitas film tipis. Dari hasil karakterisasi arus-tegangan, film tipis BST merupakan sensor cahaya yang ideal. Kata Kunci : film tipis, niobium penta oksida, uji arus-tegangan, intensitas cahaya Abstract Pure Ba 0,5 Sr 0,5 TiO 3 thin film and doped 5% niobium pentoxide with concentration 1 M was synthesized on p-type Si (100) substrate. Thin film layering occurred using chemical solution deposition (CSD) methods with spin coating technique. p-type Si (100) substrate growth with thin film was heated at C. Then, the thin film formed was characterized with current-voltage characterization (I-V meter) to identify its sensitivity to light intensity. The sensitivity to light intensity was characterized in two conditions, dark and with lighted lamp 100 watt to all variation contact. Current-voltage curves showed the electrical property difference between dark and light condition. Thin film pure BST resulted a better sensitivity to light than doped by niobium pentoxide. Current-Voltage characterization gave pure BST thin film was good light sensor. Keywords : thin film, niobium pentoxide, current-voltage characterization, light intensity. PENDAHULUAN Ferroelektrik merupakan material elektronik khusunya dielektrik yang terpolarisasi spontan dan memiliki kemampuan untuk mengubah arah listrik internalnya. Polarisasi 205
2 206 Prosiding Seminar Nasional Fisika 2010 yang terjadi merupakan hasil dari penerapan medan yang mengakibatkan adanya ketidaksimetrisan struktur kristal pada suatu material ferroelektrik[1]. penelitian terhadap material ferroelektrik sangat menjanjikan terhadap perkembangan device generasi baru sehubungan dengan sifat-sifat unik yang dimilikinya. Penerapan material ferroelektrik berdasarkan sifat-sifatnya adalah sifat histeresis dan tetapan dielektrik yang tinggi dapat diterapkan pada sel memori Dynamic Random Acsess Memory (DRAM), sifat piezo-elektrik dapat digunakan sebagai mikroaktuator dan sensor, sifat polaryzability dapat diterapkan sebagai Non Volatile Ferroelectric Random Acsess Memory (NVFRAM), sifat pyroelektrik dapat diterapkan pada sensor infra merah dan sifat elektro-optik dapat diterapkan pada switch termal infra merah. Penggunaan film tipis ferrolektrik sebagai memori keuntungannya bila dibandingkan dengan sistem magnetik. Sistem magnetik hanya mampu menyimpan 105 bit/cm2, sedangkan memori yang terbuat dari ferroelektrik mampu menyimpan hingga 108 bit/cm2. Keuntungan lain adalah sebagai memori permanent yang mampu menekan kehilangan informasi selama proses berulang [2]. Dalam makalah Ini disampaikan hasil penelitian tentang pembuatan film tipis Ba 0,5 Sr 0,5 TiO 3 (BST) dengan pendadah Niobium Pentoksida (Nb ) dan Besi Oksida (Fe ) masing-masing 5% melalui metode Chemical Solution Deposition (CSD) dan dipanaskan pada suhu C. Film tipis yang didapatkan dikarakterisasi arus tegangan untuk mendapatkan film tipis yang paling baik sebagai sensor cahaya. TINJAUAN PUSTAKA Barium stronsium titanat (BST) merupakan semikonduktor thin film yang memiliki konstanta dielektrik tinggi, kebocoran arus rendah, dan tahan terhadap tegangan breakdown yang tinggi pada temperatur Curie. Temperatur Curie pada barium titanat adalah 130 o C dan dengan adanya doping stronsium temperatur Curie menurun menjadi suhu kamar dan dapat digunakan pada devais yang memerlukan temperatur kamar. Daerah serapan dari film tipis BST (absorbansi) pada rentang ultraviolet, visible, sampai pada infrared. Hal tersebut menjelaskan film tipis ndapat dipakai sebai sensor suhu dan cahaya[2]. Film tipis BST telah difabrikasi dengan beberapa teknik seperti sputtering, laser ablation, dan sol-gel process[3]. Pendadah adalah bahan yang digunakan untuk menambah jumlah elektron atau hole pada semikonduktor. Penambahan bahan pendadah dapat menyebabkan perubahan
3 A. Arief, dkk., Uji Arus Tegangan Film Tipis Ba 0,5 Sr 0,5 TiO 3 dengan Pendadah parameter kisi, konstanta dielektrik, sifat elektrokimia, sifat elektro-optik, dan sifat pyroelektrik dari keramik film tipis[2]. Penambahan Niobium akan menambah sifat elektro-optik sehingga lebih sensitive terhadap respon cahaya[2]. Fotodioda adalah semikonduktor sensor cahaya yang menghasilkan arus atau tegangan ketika sambungan semikonduktor p-n dikenai cahaya. Fotodioda dapat dianggap sebagai baterai solar, tetapi biasanya mengacu pada sensor untuk mendeteksi intensitas cahaya. Cahaya yang dapat dideteksi oleh dioda foto ini mulai dari cahaya infra merah, cahaya tampak, ultra ungu sampai dengan sinar-x. Devices fotokonduktivitas dibuat dengan tujuan menghasilkan perubahan resistansi atau tegangan ketika disinari cahaya. Dengan demikian devices banyak digunakan sebagai ON-OFF devices (saklar), measuring devices, atau limited power sources. Fenomena fotokonduktivitas terjadi ketika sinar cahaya jatuh pada sebuah semikonduktor dan menyebabkan meningkatnya konduktivitas listrik. Pengukuran arus-tegangan merupakan hal sangat penting untuk penentuan sifat fotodioda[4]. BAHAN DAN METODE Bahan yang digunakan dalam penelitian ini adalah bubuk barium asetat [Ba(CH 3 COO) 2, [99%], stronsium asetat [Sr(CH 3 COO) 2, 99%], titanium isopropoksida [Ti(C 12 O 4 H 28 ), %], Niobium Pentoksida [(Nb 2 O 5 )], etilen glikol, asam asetat, substrat Si (100) tipe-p, aquades, HF (asam florida), kaca preparat dan alumunium foil, dan furnace. Doping Niobium Pentoksida (Nb 2 O 5 ) ditambahkan sebanyak 5% dari BST yang terbentuk serta Fraksi molar yang digunakan untuk Ba sebesar 0,5 dan Sr sebesar 0,5. Metode penumbuhan film tipis pada penelitian ini menggunakan menggunakan metode Chemical solution deposition (CSD) dengan pelapisan 3 kali. Film tipis selanjutnya dipanaskan pada suhu C kemudian dilakukan metalisasi dan dipasangi kontak. Karakterisasi dilakukan dengan mengamati kurva I-V menggunakan alat I-V-Meter. Hasil pengukuran berupa kurva hubungan antara arus dan tegangan. Arus berada pada sumbu vertikal dan tegangan yang pada sumbu horizontal. Perlakuan yang diberikan adalah tegangan input -10 Volt sampai 10 Volt dengan skala 0,2 Volt. Data keluaran dari alat tersebut adalah nilai arus dan tegangan. Dari data tersebut dibuat hubungan antara tegangan dan arus menggunakan Microsoft Excel. Karakterisasi I-V dilakukan pada dua kondisi yaitu pada kondisi gelap dan kondisi terang yang disinari lampu 100 Watt. Dari kurva yang diperoleh, akan terlihat adanya
4 208 Prosiding Seminar Nasional Fisika 2010 pergeseran antara kurva yang diperoleh pada kondisi disinari dan pada kondisi gelap. Hal ini menunjukkan seberapa besar sensivitas film tipis. HASIL DAN PEMBAHASAN Pengukuran arus dan tegangan dilakukan untuk semua kombinasi kontak yang ada pada film tipis. Terdapat dua kontak di substrat dan dua kontak di lapisan film, sehingga terdapat empat kombinasi kontak yang dapat dikarakterisasi. Dari hasil karakterisasi film tipis yang dilakukan, diperoleh kurva hubungan arus-tegangan yang mirip dengan karakteristik kurva dioda untuk keseluruhan film tipis dan seluruh kombinasi kontak pada film tipis. Film tipis yang dibuat merupakan persambungan antara dua buah semikonduktor. Silikon yang digunakan merupakan semikonduktor tipe-p, sedangkan lapisan tipis BST merupakan semikonduktor tipe-n [5]. Persambungan semikonduktor tipep dan tipe-n dikenal dengan nama p-n junction [6]. Dengan adanya p-n junction, maka film tipis yang dibuat sama dengan karakteristik dari dioda. Gambar1. Kombinasi Kontak Film Tipis Karakterisasi yang dilakukan pada film tipis dilakukan dengan bias maju dan bias mundur. Pada bahan semikonduktor mempunyai keterbatasan dalam menampung tegangan, sehingga mencapai tegangan breakdown [7].Nilai tegangan yang menyebabkan arusnya naik (tegangan knee) bervariasi untuk semua film dan juga untuk variasi kombinasi kaki kontak yang ada pada satu film tipis yang sama. Pengaruh doping menyebabkan tegangan knee menjadi naik. Adanya pengaruh doping menyebabkan semakin banyaknya elektron bebas dan hole pada kristal [8]. Dengan banyaknya elektron bebas pada film tipis, maka menyebabkan film tipis menjadi konduktif.
5 A. Arief, dkk., Uji Arus Tegangan Film Tipis Ba 0,5 Sr 0,5 TiO 3 dengan Pendadah Tabel 1 Tegangan Knee Film Tipis Film Tipis Tipe Kontak Tegangan Knee (Volt) A 3,6 BST B 3,8 BST (Niobium) C 2,4 D 3,2 A 5,0 B 4,8 C 3,6 D 5,2 Dari kurva yang diperoleh pada kondisi gelap dan disinari lampu bohlam 100 Watt, keduanya menunjukan karakteristik yang sama yaitu kurva karakteristik dioda, tetapi terjadi pergeseran antara kurva yang diperoleh pada kondisi disinari dan pada kondisi gelap. Pada kondisi disinari lampu diperoleh kurva lebih cepat mencapai tegangan knee dan memiliki nilai arus yang lebih besar. Pemberian cahaya pada film tipis menyebabkan film tersebut menjadi lebih konduktif. Terjadinya sifat konduktif pada film tipis karena adanya energi foton dari luar yang diserap oleh elektron. Pada kondisi ini, energi foton memiliki kencenderungan untuk memberikan energi cukup bagi difusi elektron, sehingga peningkatan difusi ini mengakibatkan terjadinya rekombinasi elektron hole lebih banyak. Pada pita valensi sebagian elektron yang tidak berekombinasi dapat pindah (eksitasi) menuju pita konduksi dan kemudian dapat menghasilkan arus listrik serta dapat mempersempit celah antara pita valensi dan pita konduksi akibat difusi elektron tersebut, sehingga pada saat disinari lampu menjadi lebih cepat mencapai tegangan knee dan memiliki nilai arus yang lebih besar. Dengan adanya pergeseran kurva arus-tegangan film tipis BST saat diberi cahaya maka film tipis memiliki respon terhadap cahaya dan bisa disebut sebagai device fotodioda. Dari kurva dapat disimpulkan bahwa film tipis BST lebih sensitif etrhadap cahaya dibandingkan film tipis BST dengan pendadah Niobium. Pada Gambar 2 terlihat bahwa film tipis BST dengan kontak tipe B dan D memiliki keterbatasan sensitivitas sampai pada tegangan 3,6 dibandingkan tipe A dan C. Hal ini dikarenakan kontak antara kawat dengan pasta perak yang kurang kuat. Pada film tipis BNST (Gambar 3.) tipe kontak yang ideal pada A dan B walaupun untuk B terlihat tidak stabil. Adapun C dan D tidak terlihat adanya pergesaran kurva antara kondisi disinar dengan kondisi gelap. Hal ini terjadi akibat kerusakan struktur lapisan film dibawah lapisan kontak alumunium saat metalisasi. Dari hasil tersebut pemasangan kontak paling baik menggunakan tipe A untuk BST dan tipe B untuk BNST.
6 210 Prosiding Seminar Nasional Fisika 2010 (A) (B) (D) (C) Gambar 2 (A) Kurva I-V Film Tipis BST Tanpa Doping Kontak A (B) Kurva I-V Film Tipis BST Tanpa Doping Kontak B (C) Kurva I-V Film Tipis BST Tanpa Doping Kontak C (D) Kurva I-V Film Tipis BST Tanpa Doping Kontak D
7 A. Arief, dkk., Uji Arus Tegangan Film Tipis Ba 0,5 Sr 0,5 TiO 3 dengan Pendadah (A) (B) (C) (D) Gambar 3. (A) Kurva I-V Film Tipis BST Niobium Kontak A (B) Kurva I-V Film Tipis BST Niobium Kontak B (C) Kurva I-V Film Tipis BST Niobium Kontak C (D) Kurva I-V Film Tipis BST Niobium Kontak D KESIMPULAN Dari hasil karakterisasi arus-tegangan film tipis BST dan BNST yang ditumbuhkan pada substrat Si tipe-p memiliki sifat sebagai dioda. Dari hasil ini pula didapatkan film tipis BST lebih sensitiv daripada film tipis BNST. Hal ini ditunjukkan dengan adanya pergeseran kurva arus-tegangn pada saat kondisi gelap dan pada saat kondisi terang. Hal tersebut menandakan bahwa film tipis bersifat fotodioda dan dapat diaplikasikan sebagai sensor cahaya.
8 212 Prosiding Seminar Nasional Fisika 2010 UCAPAN TERIMA KASIH Penelitian ini didanai Program Penelitian Ilmu Pengetahuan Terapan/Penelitian Strategis Nasional 2010, DIPA IPB, Republik Indonesia dengan nomor kontrak 2/I3.24.4/SPK/PSN/2010. DAFTAR PUSTAKA [1] Azizahwati Studi Morfologi Permukaan Film Tipis PbZR Ti O 3 yang Ditumbuhkan dengan Metode DC Unbalanced Magnetron Sputtering. Jurnal Nasional Indonesia 5(1); [2] Huriawati F Sintesis Film BST Didadah Niobium dan Tantalum seta Aplikasinya Sebagai Sensor Cahaya. Tesis. Bogor: Program Pascasarjana, Institut Pertanian Bogor. [3] N. V. Giridharan, R. Jayavel, P. Ramasamy. Structural, Morphological and Electrical Studies on Barium Strontium Titanate Thin Films Prepared by Sol-Gel Technique. Crystal Growth Centre, Anna University, Chennai, India, 36, (2001). [4] Irzaman Studi Fotodioda Film Tipis Semikonduktor Ba 0.6 Sr 0.4 TiO 3 Didadah Tantalum. Jurnal Sains Materi Indonesia. 10(1); [5] K. Krane Fisika Modern. Penerjemah Hans J. Universitas Indonesia. Depok. [6] J. A. Blackburn Modern Instumentation for Scientists and Engineers. Spinger Verlag; New York. Inc. [7] Cari, A. Supriyanto, Suparmi,J.D. Malago, Irzaman, T.Sumardi, M.Hikam, I. Usman, A. Supu Optical Properties of Galium Oxide and Tantalum Oxide Doped BaTiO 3 Thin Film. ProsidingPertemuan Ilmiah Ilmu Pengetahuan dan Teknologi Bahan 2004; Serpong. [8] P.A. Tippler Physic for Scientist and Engineers. Worth Publisher. Inc
KAJIAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS BST DIDADAH NIOBIUM DAN TANTALUM
KAJIAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS BST DIDADAH NIOBIUM DAN TANTALUM Farida Huriawati 1, Irzaman 2 1 Progam Studi Pendididkan Fisika FP MIPA IKIP PGRI Madiun Email: wicaknima@gmail.com 2 Departemen Fisika FMIPA
Lebih terperinciStudi Konduktivitas Listrik Film Tipis Ba 0.25 Sr 0.75 TiO 3 Yang Didadah Ferium Oksida (BFST) Menggunakan Metode Chemical Solution Deposition
Berkala Fisika ISSN : 1410-9662 Vol 13., No.1, Januari 2010, hal 33-38 Studi Konduktivitas Listrik Film Tipis Ba 0.25 Sr 0.75 TiO 3 Yang Didadah Ferium Oksida (BFST) Menggunakan Metode Chemical Solution
Lebih terperinciSTUDI FOTODIODE FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR Ba 0,6 DIDADAH TANTALUM
Akreditasi LIPI Nomor : 536/D/2007 Tanggal 26 Juni 2007 STUDI FOTODIODE FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR Ba 0,6 DIDADAH TANTALUM ABSTRAK Irzaman Departemen Fisika FMIPA - IPB Kampus IPB Darmaga, Bogor 16680 STUDI
Lebih terperinciIrzaman, A Maddu, H Syafutra, dan A Ismangil. Jalan Meranti Gedung Wing S no 3 Dramaga Bogor
Prosiding Seminar Nasional Fisika 2010 ISBN : 978-979-98010-6-7 UJI KONDUKTIVITAS LISTRIK DAN DIELEKTRIK FILM TIPIS LITHIUM TANTALATE ( LiTaO 3 ) YANG DIDADAH NIOBIUM PENTAOKSIDA (Nb 2 O 5 ) MENGGUNAKAN
Lebih terperinciBAB II TINJAUAN PUSTAKA
BAB II TINJAUAN PUSTAKA 2.1. Barium Stronsium Titanat (Ba x Sr 1-x TiO 3 ) BST merupakan kombinasi dua material perovskit barium titanat (BaTiO) dan stronsium titanat (SrTiO). Pada kedudukan A, kisi ABO
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN
17 3.1 Tempat dan Waktu Penelitian BAB III METODOLOGI PENELITIAN Penelitian ini dilakukan di Laboratorium Material Departemen Fisika IPB dari bulan September 2008 sampai dengan bulan Juni 2009. 3.2 Bahan
Lebih terperinciSTUDI EFEK FOTOVOLTAIK BAHAN Ba 0,5 Sr 0,5 TiO 3 YANG DIDADAH GALIUM (BSGT) DI ATAS SUBSTRAT Si (100) TIPE-N. Abraham Marwan
STUDI EFEK FOTOVOLTAIK BAHAN Ba 0,5 Sr 0,5 TiO 3 YANG DIDADAH GALIUM (BSGT) DI ATAS SUBSTRAT Si (100) TIPE-N Abraham Marwan DEPARTEMEN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM INSTITUT PERTANIAN
Lebih terperinciFiki Fahrian*, Rahmi Dewi, Zulkarnain
FABRIKASI DAN KARAKTERISASI Ba 0,9 Sr 0,1 TiO 3 MENGGUNAKAN SPEKTROSKOPI IMPEDANSI Fiki Fahrian*, Rahmi Dewi, Zulkarnain Jurusan Fisika Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Riau Kampus
Lebih terperinciBAB III METODE PELAKSANAAN. Metode penelitian yang dilakukan menggunakan eksperimen murni yang
25 BAB III METODE PELAKSANAAN Metode penelitian yang dilakukan menggunakan eksperimen murni yang dilakukan di laboratorium. Metode yang digunakan untuk penumbuhan film tipis LiTaO 3 adalah metode spin-coating.
Lebih terperinciKarakterisasi XRD. Pengukuran
11 Karakterisasi XRD Pengukuran XRD menggunakan alat XRD7000, kemudian dihubungkan dengan program dikomputer. Puncakpuncak yang didapatkan dari data pengukuran ini kemudian dicocokkan dengan standar difraksi
Lebih terperinci2 SINTESA MATERIAL SEMIKONDUKTOR BERBASIS BAHAN FERROELEKTRIK FILM Ba 0,55 Sr 0,45 TiO 3 (BST) Pendahuluan
2 SINTESA MATERIAL SEMIKONDUKTOR BERBASIS BAHAN FERROELEKTRIK FILM Ba 0,55 Sr 0,45 TiO 3 (BST) 5 Pendahuluan Semikonduktor adalah bahan dasar untuk komponen aktif dalam alat elektronika, digunakan misalnya
Lebih terperinciSTUDI EFEK FOTOVOLTAIK DAN PIROELEKTRIK Ba 0,75 Sr 0,25 TIO 3 (BST) YANG DIDADAH GALIUM (BGST) DI ATAS SUBSTRAT SI (100) TIPE-P ERDIANSYAH PRATAMA
STUDI EFEK FOTOVOLTAIK DAN PIROELEKTRIK Ba 0,75 Sr 0,25 TIO 3 (BST) YANG DIDADAH GALIUM (BGST) DI ATAS SUBSTRAT SI (100) TIPE-P ERDIANSYAH PRATAMA DEPARTEMEN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Juli 2005 sampai Juni 2006, bertempat di
BAB III METODE PENELITIAN 3.1 Tempat dan Waktu Penelitian Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Juli 2005 sampai Juni 2006, bertempat di Laboratorium Departemen Fisika, FMIPA, Universitas Indonesia, Depok
Lebih terperinciANALISISIS ENERGY GAP DAN INDEKS BIAS FILM TIPIS Ba 0,5 Sr 0,5 TiO 3 DIDADAH Ga 2 O 3 BERDASARKAN METODE REFLEKTANSI
Proseding Seminar Nasional Fisika dan Aplikasinya Sabtu, 21 November 2015 Bale Sawala Kampus Universitas Padjadjaran, Jatinangor ANALISISIS ENERGY GAP DAN INDEKS BIAS FILM TIPIS Ba 0,5 Sr 0,5 TiO 3 DIDADAH
Lebih terperinciEFEK FOTOVOLTAIK DA PIROELEKTRIK Ba 0,25 Sr 0,7 75TiO 3 (BST) YA G DIDADAH IOBIUM (B ST) ME GGU AKA CHEMICAL SOLUTIO DEPOSITIO. Agung Seno Hertanto
EFEK FOTOVOLTAIK DA PIROELEKTRIK Ba 0,25 Sr 0,7 75TiO 3 (BST) YA G DIDADAH IOBIUM (B ST) ME GGU AKA METODE CHEMICAL SOLUTIO DEPOSITIO Agung Seno Hertanto DEPARTEME FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DA ILMU PE
Lebih terperinciKeywords: Barium Strontium Titanate, Absorbancy, Transmitancy, Annealing, Sol-Gel, Spectroscopy Ultraviolet-Visible(Uv-Vis)
FABRIKASI DAN KARAKTERISASI SIFAT OPTIK DARI Ba 1-x Sr x TiO 3 MENGGUNAKAN SPEKTROFOTOMETER ULTRAVIOLET VISIBLE FABRICATION AND OPTICAL CHARACTERIZATION OF Ba 1-x Sr x TiO 3 USED ULTRAVIOLET VISIBLE SPECTROPHOTOMETER
Lebih terperinciSIFAT OPTIK FILM TIPIS Ba 0,5 Sr 0,5 TiO 3 DIDADAH Ga 2 O 3 BERDASARKAN METODE TAUC PLOT
Proseding Seminar Nasional Fisika dan Aplikasinya Sabtu, 21 November 2015 Bale Sawala Kampus Universitas Padjadjaran, Jatinangor SIFAT OPTIK FILM TIPIS Ba 0,5 Sr 0,5 TiO 3 DIDADAH Ga 2 O 3 BERDASARKAN
Lebih terperinciFABRIKASI DAN KARAKTERISASI SIFAT OPTIK DARI Ba 1-x Sr x TiO 3 MENGGUNAKAN SPEKTROFOTOMETER ULTRAVIOLET VISIBLE
FABRIKASI DAN KARAKTERISASI SIFAT OPTIK DARI Ba 1-x Sr x TiO 3 MENGGUNAKAN SPEKTROFOTOMETER ULTRAVIOLET VISIBLE Detri Yulitah*, Rahmi Dewi, Krisman Jurusan Fisika Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan
Lebih terperinciStruktur dan konfigurasi sel Fotovoltaik
9 Gambar 17. Struktur dan konfigurasi sel Fotovoltaik BST yang sudah mengalami proses annealing dipasang kontak di atas permukaan substrat silikon dan di atas film tipis BST. Pembuatan kontak ini dilakukan
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN
BAB III METODOLOGI PENELITIAN 3.1. Waktu dan Tempat Penelitian ini dilakukan di Laboratorium Fisika Material Departemen Fisika Institut Pertanian Bogor dimulai bulan Mei 2010 sampai Bulan Mei 2011 3.2.
Lebih terperinciBAB I 1 PENDAHULUAN. kemampuan mengubah bentuk radiasi cahaya menjadi sinyal listrik. Radiasi yang
BAB I 1 PENDAHULUAN 1.1 LATAR BELAKANG MASALAH Fotodiode merupakan sebuah peranti semikonduktor yang memiliki kemampuan mengubah bentuk radiasi cahaya menjadi sinyal listrik. Radiasi yang dapat diterima
Lebih terperinciKARAKTERISASI SIFAT OPTIK BAHAN BARIUM TITANAT (BaTiO 3 ) DENGAN MENGUNAKAN SPEKTROSKOPI ULTRAVIOLET-VISIBLE (UV-Vis)
KARAKTERISASI SIFAT OPTIK BAHAN BARIUM TITANAT (BaTiO 3 ) DENGAN MENGUNAKAN SPEKTROSKOPI ULTRAVIOLET-VISIBLE (UV-Vis) R. Yulis 1, Krisman 2, R. Dewi 2 1 Mahasiswa Program Studi S1 Fisika 2 Dosen Jurusan
Lebih terperinciLAPORAN AKHIR PKM-P FOTODETEKTOR CAHAYA HIJAU DARI BARIUM STRONTIUM TITANAT (BST) SEBAGAI ALAT PENDETEKSI KADAR GULA DARAHNON-INVASIVE.
LAPORAN AKHIR PKM-P FOTODETEKTOR CAHAYA HIJAU DARI BARIUM STRONTIUM TITANAT (BST) SEBAGAI ALAT PENDETEKSI KADAR GULA DARAHNON-INVASIVE oleh: Hadyan Akbar (G74100062 / 2010) Maimuna (G74110051 / 2011) Nurhasanah
Lebih terperinciTidak Pengujian Rangkaian Termometer Digital BAB IV. HASIL DAN PEMBAHASAN Hasil Karakterisasi
15 Program ini yang nantinya akan mengolah tegangan analog dari sensor menjadi sebuah kode-kode digital. Hasil pengolahan data dari ADC tersebut ditampilkan pada layar LCD untuk pengukuran suhu dalam bentuk
Lebih terperinci3 SENSOR SUHU BERBASIS BAHAN FERROELEKTRIK FILM Ba 0,55 Sr 0,45 TiO 3 (BST) BERBANTUKAN MIKROKONTROLER ATMEGA8535. Pendahuluan
3 SENSOR SUHU BERBASIS BAHAN FERROELEKTRIK FILM Ba,55 Sr,45 TiO 3 (BST) BERBANTUKAN MIKROKONTROLER ATMEGA8535 15 Pendahuluan Material ferroelektrik memiliki kemampuan untuk mengubah arah listrik internalnya,
Lebih terperinciBAB 4 HASIL DAN PEMBAHASAN
diperkuat oleh rangkainan op-amp. Untuk op-amp digunakan IC LM-324. 3.3.2.2. Rangkaian Penggerak Motor (Driver Motor) Untuk menjalankan motor DC digunakan sebuah IC L293D. IC L293D dapat mengontrol dua
Lebih terperinciTINJAUAN PUSTAKA Bahan Ferroelektrik
23 TINJAUAN PUSTAKA Bahan Ferroelektrik Ferroelektrik adalah gejala terjadinya perubahan polarisasi listrik secara spontan pada material akibat penerapan medan listrik yang mengakibatkan adanya ketidaksimetrisan
Lebih terperinciKAJIAN VARIASI SUHU ANNEALING DAN HOLDING TIME PADA.
KAJIAN VARIASI SUHU ANNEALING DAN HOLDING TIME PADA PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS BaZr 0,15 Ti 0,85 O 3 DENGAN METODE SOL GEL S. Hadiati 1,2, A.H. Ramelan 1, V.I Variani 1, M. Hikam 3, B. Soegijono 3, D.F.
Lebih terperinciPEMBUATAN FILM TIPIS BARIUM STRONTIUM TITANAT (Ba 0,6 Sr 0,4 TiO 3 ) MENGGUNAKAN METODE SOL-GEL DAN KARAKTERISASI MENGGUNAKAN SPEKTROSKOPI IMPEDANSI
Jurnal Komunikasi Fisika Indonesia http://ejournal.unri.ac.id./index.php/jkfi Jurusan Fisika FMIPA Univ. Riau Pekanbaru. http://www.kfi.-fmipa.unri.ac.id Edisi April 217. p-issn.1412-296.; e-2579-521x
Lebih terperinciKARAKTERISASI MIKROSTRUKTUR FEROELEKTRIK MATERIAL SrTiO 3 DENGAN MENGGUNAKAN SCANNING ELECTRON MICROSCOPY (SEM)
KARAKTERISASI MIKROSTRUKTUR FEROELEKTRIK MATERIAL SrTiO 3 DENGAN MENGGUNAKAN SCANNING ELECTRON MICROSCOPY (SEM) Kaspul Anuwar 1, Rahmi Dewi 2, Krisman 2 1 Mahasiswa Program S1 Fisika FMIPA-Universitas
Lebih terperinciSINTESIS FILM TIPIS BST DIDADAH NIOBIUM DAN TANTALUM SERTA APLIKASINYA SEBAGAI SENSOR CAHAYA FARIDA HURIAWATI
SINTESIS FILM TIPIS BST DIDADAH NIOBIUM DAN TANTALUM SERTA APLIKASINYA SEBAGAI SENSOR CAHAYA FARIDA HURIAWATI SEKOLAH PASCASARJANA INSTITUT PERTANIAN BOGOR BOGOR 2009 PERNYATAAN MENGENAI TESIS DAN SUMBER
Lebih terperinciMETODOLOGI PENELITIAN
37 METODOLOGI PENELITIAN Tempat dan Waktu Penelitian Penelitian ini dilakukan di Laboratorium Material Departemen Fisika IPB dari Bulan November 2010 sampai dengan bulan Mei 2011. Bahan dan Alat Alat yang
Lebih terperinciSTUDI FOTODIODA FILM TIPS BST DIDADAH TANTALUM. Heriyanto Syafutra
STUDI FOTODIODA FILM TIPS BST DIDADAH TANTALUM Heriyanto Syafutra DEPARTEMEN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM INSTITUT PERTANIAN BOGOR 2008 Heriyanto Syafutra. STUDI FOTODIODA FILM
Lebih terperinciUJI SIFAT LISTRIK FILM TIPIS LiTao 3 DAN LiTaFe 2 O 3
Berkala Fisika ISSN : 1410-9662 Vol 13., No.2, Edisi khusus April 2010, hal C5-C12 UJI SIFAT LISTRIK FILM TIPIS LiTao 3 DAN LiTaFe 2 O 3 M.N.Indro 1, B. Sastri 1, L. Nady 1, E. Ridwan 1, H.Syafutra 1,
Lebih terperinciSIFAT OPTIK DARI FILM TIPIS BARIUM STRONSIUM TITANAT MENGGUNAKAN KARAKTERISASI SPEKTROSKOPI ULTRAVIOLET- VISIBLE. TaufiqHidayat*, Rahmi Dewi, Krisman
SIFAT OPTIK DARI FILM TIPIS BARIUM STRONSIUM TITANAT MENGGUNAKAN KARAKTERISASI SPEKTROSKOPI ULTRAVIOLET- VISIBLE TaufiqHidayat*, Rahmi Dewi, Krisman Jurusan Fisika FakultasMatematikadanIlmuPengetahuanAlamUniversitas
Lebih terperinciDIDADAH NIOBIUM (BSNT) DITUMBUHKAN DI ATAS SUBTRAI SILIKON TIPE-P DAN GELAS KORNING DENGAN PENERAPANNYA SEBAGAI FOTODIODA AEP SETIAWAN
UJI SIFAT LISTRIK DAN OPTIK Ba 0.25 Sr 0.75 TiO 3 YANG DIDADAH NIOBIUM (BSNT) DITUMBUHKAN DI ATAS SUBTRAI SILIKON TIPE-P DAN GELAS KORNING DENGAN PENERAPANNYA SEBAGAI FOTODIODA AEP SETIAWAN DEPARTEMEN
Lebih terperinciTINJAUAN PUSTAKA PENDAHULUAN
1 PENDAHULUAN Latar Belakang Peningkatan produksi film tipis dipengaruhi dua kejadian. Pertama-tama, penemuan HTSC (super konduktor panas tinggi) yang menunjukkan kerapatan arus yang lebih besar jika dideposisikan
Lebih terperinciUJI STRUKTUR KRISTAL DAN SIFAT LISTRIK FILM Ba0.55Sr0.45TiO3 DENGAN VARIASI PENDADAHAN La2O3
UJI STRUKTUR KRISTAL DAN SIFAT LISTRIK FILM Ba0.55Sr0.45TiO3 DENGAN VARIASI PENDADAHAN La2O3 Tantan Taopik Rohman 1*), Irzaman 2, Husin Alatas 2 1 Program Sarjana Departemen Fisika IPB, Dramaga, Bogor
Lebih terperinciSTUDI EFEK FOTOVOLTAIK DAN PIROELEKTRIK Ba 0,75 Sr 0,25 TIO 3 (BST) YANG DIDADAH GALIUM (BGST) DI ATAS SUBSTRAT SI (100) TIPE-P ERDIANSYAH PRATAMA
STUDI EFEK FOTOVOLTAIK DAN PIROELEKTRIK Ba 0,75 Sr 0,25 TIO 3 (BST) YANG DIDADAH GALIUM (BGST) DI ATAS SUBSTRAT SI (100) TIPE-P ERDIANSYAH PRATAMA DEPARTEMEN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Bidang elektronik saat ini memegang peranan penting di berbagai sektor
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Penulisan Bidang elektronik saat ini memegang peranan penting di berbagai sektor pembangunan. Hal ini terlihat dari banyaknya penggunaan piranti elektronik di setiap
Lebih terperinciAnalisis Pengaruh Variasi Dopan Lantanum pada Lapisan Tipis Barium Strontium Titanat Terhadap Struktur Kristal
ISSN:2089 0133 Indonesian Journal of Applied Physics (2012) Vol.2 No.2 halaman 170 Oktober 2012 Analisis Pengaruh Variasi Dopan Lantanum pada Lapisan Tipis Barium Strontium Titanat Terhadap Struktur Kristal
Lebih terperinciUJI SIFAT LISTRIK DAN SIFAT OPTIK FOTODETEKTOR BERBASIS FILM TIPIS BST DIDADAH Ta 2 O 5 SEBAGAI SENSOR WARNA INNA NOVIANTY
1 UJI SIFAT LISTRIK DAN SIFAT OPTIK FOTODETEKTOR BERBASIS FILM TIPIS BST DIDADAH Ta 2 O 5 SEBAGAI SENSOR WARNA INNA NOVIANTY SEKOLAH PASCASARJANA INSTITUT PERTANIAN BOGOR BOGOR 2011 2 PERNYATAAN MENGENAI
Lebih terperinciLAPORAN AKHIR PROGRAM KREATIVITAS MAHASISWA PEMBUATAN KAMERA CANGGIH DAN MURAH BERBASIS SENSOR CAHAYA DARI FILM TIPIS Ba 0,55 Sr 0,45 TiO 3 (BST)
LAPORAN AKHIR PROGRAM KREATIVITAS MAHASISWA PEMBUATAN KAMERA CANGGIH DAN MURAH BERBASIS SENSOR CAHAYA DARI FILM TIPIS Ba 0,55 Sr 0,45 TiO 3 (BST) BIDANG KEGIATAN: PKM KARSA-CIPTA Diusulkan Oleh: Reza Fahmi
Lebih terperinciJurnal MIPA. KAJIAN VARIASI SUHU ANNEALING DAN HOLDING TIME PADA PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS BaZr 0,15 Ti 0,85 O 3 DENGAN METODE SOL GEL
Jurnal MIPA 36 (1): 20-27 (2013) Jurnal MIPA http://journal.unnes.ac.id/nju/index.php/jm KAJIAN VARIASI SUHU ANNEALING DAN HOLDING TIME PADA PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS BaZr 0,15 Ti 0,85 O 3 DENGAN METODE
Lebih terperinciLAPORAN AKHIR PROGRAM KREATIVITAS MAHASISWA. PEMBUATAN SEL SURYA BERBASIS THIN FILM FERROELEKTRIK Ba 0.55 Sr 0.45 TiO 3
LAPORAN AKHIR PROGRAM KREATIVITAS MAHASISWA PEMBUATAN SEL SURYA BERBASIS THIN FILM FERROELEKTRIK Ba 0.55 Sr 0.45 TiO 3 BIDANG KEGIATAN: PKM-PENELITIAN Disusun oleh: Tantan Taopik Rohman Muhammad Khalid
Lebih terperinciPengaruh Temperatur dan Waktu Putar Terhadap Sifat Optik Lapisan Tipis ZnO yang Dibuat dengan Metode Sol-Gel Spin Coating
ISSN 2302-8491 Jurnal Fisika Unand Vol. 6, No. 2, April 2017 Pengaruh Temperatur dan Waktu Putar Terhadap Sifat Optik Lapisan Tipis ZnO yang Dibuat dengan Metode Sol-Gel Spin Coating Fitriani *, Sri Handani
Lebih terperinciSIFAT OPTIK LiTaO 3 DIDADAH Ga 2 O 3 BERDASARKAN METODE TAUC PLOT
Proseding Seminar Nasional Fisika dan Aplikasinya Sabtu, 21 November 2015 Bale Sawala Kampus Universitas Padjadjaran, Jatinangor SIFAT OPTIK LiTaO 3 DIDADAH Ga 2 O 3 BERDASARKAN METODE TAUC PLOT GABY CHARLA
Lebih terperinciLAPORAN EKSPERIMEN FISIKA 2 FOTOKONDUKTIVITAS. Zudah Sima atul Kubro G DEPARTEMEN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
LAPORAN EKSPERIMEN FISIKA 2 FOTOKONDUKTIVITAS Rekan Kerja : 1. Aah Nuraisah 2. Mutiara Khairunnisa 3. Dedeh Nurhayati Zudah Sima atul Kubro G74120023 Asisten : Pramudya Wardhani (G74110008) Dadi Irawan
Lebih terperinciGambar 2.1. Struktur dua dimensi kristal silikon. Ion r (Å) Ion r (Å) Ti 4+ 0,68 Ti 4+ 0,68. Zr 4+ 0,79 Zr 4+ 0,79. Nb 5+ 0,69 Fe 3+ 0,67
2 oksigen. Sebagian besar unsur bebas silikon tidak ditemukan di alam. Oleh karena itu, silikon dihasilkan dengan mereduksi kuarsa dan pasir dengan karbon yang berkualitas tinggi. Silikon untuk pengunaan
Lebih terperinciABSTRAK. Sintesa Film Ba x Sr 1-x TiO 3 dan karakterisasi Sifat Ferroelektrik dan Kristalnya.
ABSTRAK Sintesa Film Ba x Sr 1-x TiO 3 dan karakterisasi Sifat Ferroelektrik dan Kristalnya. Hasil uji ferroelektrik menunjukkan bahwa semua sampel memiliki sifat ferroelektrik. Suhu annealing mempengaruhi
Lebih terperinciKARAKTERISASI FILM TIPIS FEROELEKTRIK ULTRAVIOLET VISIBEL Ba x Sr 1-x TiO 3 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SOL-GEL
KARAKTERISASI FILM TIPIS FEROELEKTRIK ULTRAVIOLET VISIBEL Ba x Sr 1-x TiO 3 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SOL-GEL Richiy Brantasona Safri Awang Ali*, Rahmi Dewi, Zulkarnain Usman Jurusan Fisika Fakultas Matematika
Lebih terperinciUJI KONDUKTIVITAS LISTRIK FILM TIPIS FERROELEKTRIK Ba 0,5 Sr 0,5 TiO 3 DIDADAH GALIUM (BGST)
UJI KONDUKTIVITAS LISTRIK FILM TIPIS FERROELEKTRIK Ba 0,5 Sr 0,5 TiO 3 DIDADAH GALIUM (BGST) R.Aam. Hamdani 1, M. Komaro 1, Ripno 1, Salomo 1, Rizki 1 Irzaman 2, A. Marwan 2, A. Arief 2 1 Jurusan Pendidikan
Lebih terperinciUJI SIFAT LISTRIK FILM TIPIS BST DENGAN BERBAGAI KONSENTRASI PELARUT AZKI ZAINAL MILACH
UJI SIFAT LISTRIK FILM TIPIS BST DENGAN BERBAGAI KONSENTRASI PELARUT AZKI ZAINAL MILACH DEPARTEMEN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM INSTITUT PERTANIAN BOGOR 2010 UJI SIFAT LISTRIK FILM
Lebih terperinciSTRUKTUR CRISTAL SILIKON
BANDGAP TABEL PERIODIK STRUKTUR CRISTAL SILIKON PITA ENERGI Pita yang ditempati oleh elektron valensi disebut Pita Valensi Pita yang kosong pertama disebut : Pita Konduksi ISOLATOR, KONDUKTOR DAN SEMIKONDUKTOR
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Listrik merupakan kebutuhan esensial yang sangat dominan kegunaannya
λ Panjang Gelombang 21 ω Kecepatan Angular 22 ns Indeks Bias Kaca 33 n Indeks Bias Lapisan Tipis 33 d Ketebalan Lapisan Tipis 33 α Koofisien Absorpsi 36 Frekuensi Cahaya 35 υ BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar
Lebih terperinciPEMBUATAN DAN KARAKTERISASI FILM TIPIS BARIUM STRONTIUM TITANAT Ba 0,7 Sr 0,3 TiO 3 (BST) MENGGUNAKAN SPEKTROSKOPI IMPEDANSI
PEMBUATAN DAN KARAKTERISASI FILM TIPIS BARIUM STRONTIUM TITANAT Ba 0,7 Sr 0,3 TiO 3 (BST) MENGGUNAKAN SPEKTROSKOPI IMPEDANSI Ridha Putri Syamda 1, Rahmi Dewi 2, Sugianto 3 1 Mahasiswa Jurusan Fisika 2
Lebih terperinciSTUDI KONDUKTIVITAS LISTRIK, KURVA I-V DAN CELAH ENERGI FOTODIODA BERBASIS FILM TIPIS
STUDI KONDUKTIVITAS LISTRIK, KURVA I-V DAN CELAH ENERGI FOTODIODA BERBASIS FILM TIPIS Ba 0,75 Sr 0,25 TiO 3 (BST) YANG DIDADAH GALIUM (BSGT) MENGGUNAKAN METODE CHEMICAL SOLUTION DEPOSITION (CSD) M. Romzie
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban manusia di abad ini. Sehingga diperlukan suatu kemampuan menguasai teknologi tinggi agar bisa
Lebih terperinciIII. METODE PENELITIAN
21 III. METODE PENELITIAN 3.1 Waktu dan Tempat Penelitian Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Agustus 2010 - Juni 2011 di Laboratorium Biofisika dan Laboratorium Fisika Lanjut, Departemen Fisika IPB.
Lebih terperinciKARAKTERISASI SIFAT OPTIK BAHAN STRONTIUM TITANAT (SrTiO 3 ) DENGAN MENGGUNAKAN SPEKTROSKOPI ULTRAVIOLET-VISIBLE (UV-Vis)
KARAKTERISASI SIFAT OPTIK BAHAN STRONTIUM TITANAT (SrTiO 3 ) DENGAN MENGGUNAKAN SPEKTROSKOPI ULTRAVIOLET-VISIBLE (UV-Vis) Mirwan Sayuti 1, Krisman 2, Rahmi Dewi 2 1 Mahasiswa Program S1 Fisika 2 Dosen
Lebih terperinciEfek Annealing Pada Penumbuhan Film Tipis Ferroelektrik PbZr 0,625 Ti 0,375 O 3 (PZT)
Kontribusi Fisika Indonesia Vol. 12 No.4, Oktober 2001 Efek Annealing Pada Penumbuhan Film Tipis Ferroelektrik PbZr 0,625 Ti 0,375 O 3 (PZT) Ngurah Ayu Ketut Umiati 1,2, Irzaman 1,3, Maman Budiman 1 dan
Lebih terperinciPADA BEBERAPA MOLARITAS DAN KARAKTERISASI SIFAT LISTRIK, SIFAT OPTIK DAN STRUKTUR KRISTALNYA DANIEL VIKTORIUS
PEMBUATAN FILM LITHIUM NIOBATE (LiNbO 3 ) PADA BEBERAPA MOLARITAS DAN KARAKTERISASI SIFAT LISTRIK, SIFAT OPTIK DAN STRUKTUR KRISTALNYA DANIEL VIKTORIUS DEPARTEMEN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUANN
Lebih terperinciF- 1. PENGARUH PENYISIPAN LOGAM Fe PADA LAPISAN TiO 2 TERHADAP PERFORMANSI SEL SURYA BERBASIS TITANIA
PENGARUH PENYISIPAN LOGAM Fe PADA LAPISAN TiO 2 TERHADAP PERFORMANSI SEL SURYA BERBASIS TITANIA Rita Prasetyowati, Sahrul Saehana, Mikrajuddin Abdullah (a), dan Khairurrijal Kelompok Keahlian Fisika Material
Lebih terperinciGambar Semikonduktor tipe-p (kiri) dan tipe-n (kanan)
Mekanisme Kerja Devais Sel Surya Sel surya merupakan suatu devais semikonduktor yang dapat menghasilkan listrik jika diberikan sejumlah energi cahaya. Proses penghasilan energi listrik itu diawali dengan
Lebih terperinciSTUDI EFEK FOTOVOLTAIK BAHAN Ba 0,5 Sr 0,5 TiO 3 YANG DIDADAH GALIUM (BSGT) DI ATAS SUBSTRAT Si (100) TIPE-N. Abraham Marwan
STUDI EFEK FOTOVOLTAIK BAHAN Ba 0,5 Sr 0,5 TiO 3 YANG DIDADAH GALIUM (BSGT) DI ATAS SUBSTRAT Si (100) TIPE-N Abraham Marwan DEPARTEMEN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM INSTITUT PERTANIAN
Lebih terperinciPENERAPAN FILM TIPIS Ba 0.25 Sr 0.75 TiO 3 (BST) YANG DIDADAH FERIUM OKSIDA SEBAGAI SENSOR SUHU BERBANTUKAN MIKROKONTROLER
BerkalaFisika ISSN : 1410-9662 Vol 13., No.2, Edisi khusus April 2010, hal C53-C64 PENERAPAN FILM TIPIS Ba 0.25 Sr 0.75 TiO 3 (BST) YANG DIDADAH FERIUM OKSIDA SEBAGAI SENSOR SUHU BERBANTUKAN MIKROKONTROLER
Lebih terperinciSTRUKTUR KRISTAL DAN SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS Ba 0.55 Sr 0.45 TiO 3 DIDADAH LITIUM OKSIDA DENGAN METODE CHEMICAL SOLUTION DEPOSITION AAH NURAISAH
STRUKTUR KRISTAL DAN SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS Ba 0.55 Sr 0.45 TiO 3 DIDADAH LITIUM OKSIDA DENGAN METODE CHEMICAL SOLUTION DEPOSITION AAH NURAISAH DEPARTEMEN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN
Lebih terperinciPENENTUAN KOEFISIEN DIFUSI BAHAN SEMIKONDUKTOR LITHIUM TANTALAT (LiTaO3) DI ATAS SUBSTRAT SILIKON (100) TIPE-P PADA VARIASI SUHU AGUS ISMANGIL
PENENTUAN KOEFISIEN DIFUSI BAHAN SEMIKONDUKTOR LITHIUM TANTALAT (LiTaO3) DI ATAS SUBSTRAT SILIKON (100) TIPE-P PADA VARIASI SUHU AGUS ISMANGIL SEKOLAH PASCASARJANA INSTITUT PERTANIAN BOGOR BOGOR 2015 PERNYATAAN
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia Tenggara. Sebagai negara berkembang, Indonesia melakukan swasembada diberbagai bidang, termasuk
Lebih terperinciPreparasi Dan Penentuan Energi Gap Film Tipis TiO2:Cu Yang Ditumbuhkan Menggunakan Spin Coating
Preparasi Dan Penentuan Energi Gap Film Tipis TiO2:Cu Yang Ditumbuhkan Menggunakan Spin Coating Vita Efelina Universitas Singaperbangsa Karawang Email : vita.efelina@mail.ugm.ac.id Received February 1,
Lebih terperinciMolekul, Vol. 5, No. 1, Mei 2010 : KARAKTERISTIK FILM TIPIS TiO 2 DOPING NIOBIUM
KARAKTERISTIK FILM TIPIS TiO 2 DOPING NIOBIUM Bilalodin dan Mukhtar Effendi Program Studi Fisika, Jurusan MIPA Fakultas Sains dan Teknik UNSOED Email: bilalodin.unsoed@gmail.com ABSTRACT Niobium (Nb) doped
Lebih terperinciHASIL KELUARAN SEL SURYA DENGAN MENGGUNAKAN SUMBER CAHAYA LIGHT EMITTING DIODE
HASIL KELUARAN SEL SURYA DENGAN MENGGUNAKAN SUMBER CAHAYA LIGHT EMITTING DIODE A. Handjoko Permana *), Ari W., Hadi Nasbey Universitas Negeri Jakarta, Jl. Pemuda No. 10 Rawamangun, Jakarta 13220 * ) Email:
Lebih terperinciSTUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI
Studi Pengaruh Suhu Substrat. (Rully Fakhry Muhammad) 303 STUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI STUDY
Lebih terperinciKARAKTERISASI BAHAN FEROELEKTRIK BARIUM STRONTIUM TITANAT (Ba 0,7 Sr 0,3 TiO 3 ) MENGGUNAKAN MIKROSKOP IMBASAN ELEKTRON (SEM)
KARAKTERISASI BAHAN FEROELEKTRIK BARIUM STRONTIUM TITANAT (Ba 0,7 Sr 0,3 TiO 3 ) MENGGUNAKAN MIKROSKOP IMBASAN ELEKTRON (SEM) Befriana Ayu Rizki*, Rahmi Dewi, Sugianto Jurusan Fisika Fakultas Matematika
Lebih terperinciKARAKTERISASI BAHAN FERROELEKTRIK BARIUM STRONTIUM TITANAT (Ba 0.3 Sr 0.7 TiO 3 ) DENGAN MENGGUNAKAN DIFRAKSI SINAR-X (XRD)
KARAKTERISASI BAHAN FERROELEKTRIK BARIUM STRONTIUM TITANAT (Ba 0.3 Sr 0.7 TiO 3 ) DENGAN MENGGUNAKAN DIFRAKSI SINAR-X (XRD) Rahmad Efendi, Rahmi Dewi, Krisman Jurusan Fisika Fakultas Matematika dan Ilmu
Lebih terperinciUJI SIFAT LISTRIK DAN SIFAT STRUKTUR FOTODIODA FERROELEKTRIK FILM BARIUM STRONTIUM TITANATE
UJI SIFAT LISTRIK DAN SIFAT STRUKTUR FOTODIODA FERROELEKTRIK FILM BARIUM STRONTIUM TITANATE (Ba 0,5 Sr 0,5 TiO 3 ) BERDASARKAN PERBEDAAN WAKTU ANNEALING JOHAN ISKANDAR DEPARTEMEN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA
Lebih terperinciKARAKTERISASI BAHAN FEROELEKTRIK STRONTIUM TITANAT (SrTiO 3 ) DENGAN MENGGUNAKAN X- RAY DIFFRACTION
KARAKTERISASI BAHAN FEROELEKTRIK STRONTIUM TITANAT (SrTiO 3 ) DENGAN MENGGUNAKAN X- RAY DIFFRACTION Susilawati 1, Rahmi Dewi 2, Krisman 2 1 Mahasiswa Program S1 Fisika FMIPA-Universitas Riau 2 Dosen Jurusan
Lebih terperinciDEPARTEMEN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM INSTITUT PERTANIAN BOGOR
Uji Sifat Listrik Film Tipis Ferroelektrik Litium Tantalat (LiTaO 3 ) Didadah Niobium Pentaoksida (Nb 2 O 5 ) Menggunakan Metode Chemical Solution Deposition Agus Ismangil DEPARTEMEN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKAA
Lebih terperinciKARAKTERISASI TiO 2 (CuO) YANG DIBUAT DENGAN METODA KEADAAN PADAT (SOLID STATE REACTION) SEBAGAI SENSOR CO 2
KARAKTERISASI TiO 2 (CuO) YANG DIBUAT DENGAN METODA KEADAAN PADAT (SOLID STATE REACTION) SEBAGAI SENSOR CO 2 Hendri, Elvaswer Jurusan Fisika FMIPA Universitas Andalas Kampus Unand, Limau Manis, Padang,
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Di era globalisasi sekarang ini, semakin pesatnya perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi didunia. Ilmu pengetahuan dan teknologi ini dimanfaatkan dan dikembangkan
Lebih terperinciKARAKTERISTIK ARUS DAN TEGANGAN SEL SURYA
LAPORAN PRAKTIKUM FISIKA EKSPERIMEN II KARAKTERISTIK ARUS DAN TEGANGAN SEL SURYA Oleh : 1. Riyanto H1C004006 2. M. Teguh Sutrisno H1C004007 3. Indri Kurniasih H1C004003 4. Gita Anggit H1C004014 Tanggal
Lebih terperinciKajian Variasi Temperatur Annealing dan holding time pada Penumbuhan Lapisan Tipis BaZr 0,15 Ti 0,85 O 3 dengan Metode Sol-Gel
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 10, NOMOR 1 JANUARI 2014 Kajian Variasi Temperatur Annealing dan holding time pada Penumbuhan Lapisan Tipis BaZr 0,15 Ti 0,85 O 3 dengan Metode Sol-Gel S. Hadiati,
Lebih terperinciSENSOR CAHAYA DAN SENSOR SUHU PADA MODEL SISTEM PENGERING OTOMATIS PRODUK PERTANIAN BERBASIS MIKROKONTROLER ATMEGA8535 RIDWAN SISKANDAR
SINTESA DAN PENERAPAN FILM Ba 0,55 Sr 0,45 TiO 3 SEBAGAI SENSOR CAHAYA DAN SENSOR SUHU PADA MODEL SISTEM PENGERING OTOMATIS PRODUK PERTANIAN BERBASIS MIKROKONTROLER ATMEGA8535 RIDWAN SISKANDAR SEKOLAH
Lebih terperinciSEL SURYA BERBASIS FILM SEMIKONDUKTOR Ba X Sr (1-X) TiO 3 DENGAN X= 0,5 ; 0,6 ; 0,7 ; 0,8 IRVAN RADITYA PUTRA
SEL SURYA BERBASIS FILM SEMIKONDUKTOR Ba X Sr (1-X) TiO 3 DENGAN X= 0,5 ; 0,6 ; 0,7 ; 0,8 IRVAN RADITYA PUTRA DEPARTEMEN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM INSTITUT PERTANIAN BOGOR BOGOR
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC)
39 HASIL DAN PEMBAHASAN Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC) Hasil karakterisasi dengan Difraksi Sinar-X (XRD) dilakukan untuk mengetahui jenis material yang dihasilkan disamping menentukan
Lebih terperinciDioda Semikonduktor dan Rangkaiannya
- 2 Dioda Semikonduktor dan Rangkaiannya Missa Lamsani Hal 1 SAP Semikonduktor tipe P dan tipe N, pembawa mayoritas dan pembawa minoritas pada kedua jenis bahan tersebut. Sambungan P-N, daerah deplesi
Lebih terperinciSINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION
SINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION Yolanda Oktaviani, Astuti Jurusan Fisika FMIPA Universitas Andalas e-mail: vianyolanda@yahoo.co.id
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. xtio 3 (BST) banyak digunakan sebagai FRAM karena memiliki konstanta dielektrik
1 BAB I PENDAHULUAN Film tipis ferroelektrik banyak digunakan dalam aplikasi untuk piranti elektrooptik dan elektronik. Beberapa material film tipis ferroelektrik yang penting antara lain BaSrTiO 3, PbTiO
Lebih terperinciANALISIS ENERGY GAP DAN INDEKS BIAS LiTaO 3 DIDADAH Ga 2 O 3 BERDASARKAN METODE REFLEKTANSI
Proseding Seminar Nasional Fisika dan Aplikasinya Sabtu, 21 November 2015 Bale Sawala Kampus Universitas Padjadjaran, Jatinangor ANALISIS ENERGY GAP DAN INDEKS BIAS LiTaO 3 DIDADAH Ga 2 O 3 BERDASARKAN
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Energi cahaya matahari dapat dikonversi menjadi energi listrik melalui suatu sistem yang disebut sel surya. Peluang dalam memanfaatkan energi matahari masih
Lebih terperinciPEMBUATAN DAN KARAKTERISASI FILM Ba 0.4 Sr 0.6 Ti0 3 DIBANDINGKAN DENGAN FILM Ba 0.5 Sr 0.5 Ti0 3
iii PEMBUATAN DAN KARAKTERISASI FILM Ba 0.4 Sr 0.6 Ti0 3 DIBANDINGKAN DENGAN FILM Ba 0.5 Sr 0.5 Ti0 3 AYUB IMANUEL A.S DEPARTEMEN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM INSTITUT PERTANIAN
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Spektrum elektromagnetik yang mampu dideteksi oleh mata manusia
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar belakang Spektrum elektromagnetik yang mampu dideteksi oleh mata manusia berada dalam rentang spektrum cahaya tampak yang memiliki panjang gelombang dari 400 900 nm. Sedangkan
Lebih terperinciPENGARUH PENDADAH La2O3 PADA SIFAT OPTIK DAN STRUKTUR KRISTAL Ba0.55Sr0.45TiO3 MUTIARA KHAIRUNNISA
PENGARUH PENDADAH La2O3 PADA SIFAT OPTIK DAN STRUKTUR KRISTAL Ba0.55Sr0.45TiO3 MUTIARA KHAIRUNNISA DEPARTEMEN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM INSTITUT PERTANIAN BOGOR BOGOR 2016 PERNYATAAN
Lebih terperinciEFEK FOTOVOLTAIK DA PIROELEKTRIK Ba 0,25 Sr 0,7 75TiO 3 (BST) YA G DIDADAH IOBIUM (B ST) ME GGU AKA CHEMICAL SOLUTIO DEPOSITIO. Agung Seno Hertanto
EFEK FOTOVOLTAIK DA PIROELEKTRIK Ba,25 Sr,7 75TiO 3 (BST) YA G DIDADAH IOBIUM (B ST) ME GGU AKA METODE CHEMICAL SOLUTIO DEPOSITIO Agung Seno Hertanto DEPARTEME FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DA ILMU PE GETAHUA
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini terlihat dari banyaknya komponen semikonduktor yang digunakan disetiap kegiatan manusia.
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. modern pada fotokonduktor ultraviolet (UV) membutuhkan material
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Pengembangan material semikonduktor tidak lepas dari perkembangan piranti elektronik diantaranya fotokonduktor ultraviolet (UV). Tuntutan aplikasi modern pada
Lebih terperinciGravitasi Vol. 15 No. 1 ISSN:
STUDI PENGARUH KONSENTRASI LARUTAN DAUN PEPAYA TERHADAP SIFAT OPTIK DAN LISTRIK SEBAGAI BAHAN PEMBUATAN LAPISAN TIPIS Ummu kalsum 1, Iqbal 2 dan Dedy Farhamsa 2 1 Jurusan Fisika Fakultas MIPA, Universitas
Lebih terperinciSUBSTRAT SILIKON (100) TYPE-P YANG DIAPLIKASIKAN SEBAGAI SENSOR CITRA KAMERA DIGITAL PIKSEL TUNGGAL
PEMBUATAN FOTOSENSOR BERBASIS BAHAN FERROELEKTRIK Ba 0,5 Sr 0,5 TiO 3 DENGAN IMPURITAS FERIUM OKSIDA (Fe 2 O 3 ) PADA SUBSTRAT SILIKON Si (100) TYPE-P YANG DIAPLIKASIKAN SEBAGAI SENSOR CITRA KAMERA DIGITAL
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. energi cahaya (foton) menjadi energi listrik tanpa proses yang menyebabkan
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Sel surya merupakan suatu piranti elektronik yang mampu mengkonversi energi cahaya (foton) menjadi energi listrik tanpa proses yang menyebabkan dampak buruk terhadap
Lebih terperinci1. PUTRI RAGIL N ( ) 2. ADITH PRIYO P ( ) 3. DISTYAN PUTRA A S ( )
PHOTO DIODE 1. PUTRI RAGIL N (1101134381) 2. ADITH PRIYO P (1101130055) 3. DISTYAN PUTRA A S (1101134377) BENTUK FISIK DIODA FOTO PHOTO DESKRIPSI DIODE KONSTRUKSI / BAHAN PRINSIP KERJA TIPE / JENIS KARAKTERISTI
Lebih terperinci