Pengaruh Jumlah Mol Zinc Asetat Dyhidrate Terhadap Struktur Kristal Lapisan Tipis ZnO (0,01; 0,02 dan 0,03 mol)
|
|
- Iwan Gunardi
- 6 tahun lalu
- Tontonan:
Transkripsi
1 Pengaruh Jumlah Mol Zinc Asetat Dyhidrate Terhadap Struktur Kristal Lapisan Tipis ZnO (0,01; 0,02 dan 0,03 mol) Lara Permata Sari 1*), Erfan Handoko 2, Iwan Sugihartono 3 1 Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Negeri Jakarta Jl. Pemuda No. 10, Rawamangun, Jakarta * ) 1 ukhtilara@gmail.com 2 Iwan-Sugihartono@unj.ac.id Abstrak Telah dilakukan penumbuhan lapisan tipis ZnO dengan serbuk Zn(CH3COO)2. 2H2O sebagai prekursor dan air de-ionisasi sebagai pelarut, ditumbuhkan di atas substrat Si (111) dengan menggunakan teknik Ultrasonic Spray Pyrolisis (USP). Penumbuhan lapisan tipis ZnO tersebut menggunakan suhu tumbuh 450 o C selama 10 menit, dan jarak nozzle dibuat konstan 30 cm, dengan variasi jumlah mol prekursor 0,01 mol; 0,02 mol dan 0,03 mol. Pengaruh dari jumlah mol tersebut terhadap struktur, ukuran kristal dan parameter kisi lapisan tipis ZnO dikarakterisasi dengan X-ray diffraction (XRD). Hasil uji berdasarkan data XRD menunjukkan bahwa sampel lapisan tipis ZnO merupakan kristal dengan struktur wurtzite heksagonal. Pola puncak difraksi yang dominan yaitu (100), (002) dan (101), dan pola puncak lainnya yang teridentifikasi adalah(103), (201). Kata Kunci: ZnO, molaritas, USP, X-Ray Diffraction (XRD), Struktur Kristal. Abstract ZnO thin film with Zn(CH3COO)2. 2H2O powder as precursor and deionized water as a solvent, ZnO films were grown on substrate Si (111) by using Ultrasonic Spray Pyrolisis (USP) technique has been carried out. The growth temperature 450 o C for 10 minutes and the distance of nozzle 30 cm, with the variation of molarity of precursor are 0.01 mol; 0.02 mol and 0.03 mol. The effect of that molarity on structure, crystallite size, the lattice parameter on thin films ZnO were investigated by X-ray diffraction (XRD). The result based on XRD pattern indicated that the samples thin film ZnO are hexagonal wurtzite structure with the (100), (002) and (101) as preferential crystallographic orientation, and the other peak which identified were (103), (201). Keywords: ZnO, Molarity, USP, X-Ray Diffraction (XRD), Crystal structure. 1. Pendahuluan ITO (indium tin oxide) merupakan material yang umumnya dipakai sebagai salah satu bahan TCO (transparent conductive oxide) karena memiliki nilai resistivitas listrik yang rendah dan memiliki transmitasi yang tinggi (~ 90%) pada daerah sinar tampak (visible), namun karena harganya mahal disebabkan karena langkanya unsur indium, selain itu juga beracun, maka dibutuhkan material pengganti [3]. Salah satu material yang sangat potensial untuk menggantikan ITO dan tepat untuk dijadikan sebagai TCO alternatif adalah ZnO. ZnO memiliki sifat kimia dan mekanik yang stabil, tidak beracun, memiliki energi celah searah yang besar (3.37 ev jenis semikonduktor-n pada temperatur ruangan), terdapat melimpah di alam, sifat listrik yang baik, luminesen yang kuat, konduktivitas permukaan yang sangat sensitif. Tingginya nilai energi ikat eksiton dari zinc oxide (~60 mev) dibandingkan GaN (21-28 mev) membuat emisi eksitonnya lebih efisien, bahkan pada temperatur yang tinggi [9]. Berdasarkan sifat-sifat tersebut, ZnO merupakan material yang menjanjikan Untuk diaplikasikan sebagai alat elektronika dan optoelektronika seperti sel surya, fotokatalis, surface accoustic device [8]. ZnO pada kondisi stabil berstruktur hexagonal wurtzite, memiliki parameter kisi a=3,24965 Å dan c = 5,2069 Å [5]. Tingkat efisiensi dan hasil dari sifat optik dan listrik nanodevice sangat ditentukan oleh sifat yang mendasari nanostrukturnya, Hal ini akan sangat bergantung pada orientasi kristal, ukuran, bentuk dan morfologinya [7]. 67
2 Lapisan tipis ZnO dapat dibuat dengan berbagai macam teknik, antara lain, seperti sputtering [11, 12], Chemical Vapour Deposition (CVD) [1], Sol gel [4, 6] dan spray pyrolisis [7]. Pada penelitian ini akan dilakukan penumbuhan lapisan tipis ZnO dengan menggunakan teknik ultrasonic spray pyrolisis (USP), dibandingan dengan teknik yang lain, USP memiliki keunggulan antara lain, menghasilkan kualitas lapisan yang tinggi dengan menggunakan peralatan deposisi yang sederhana, suhu substrat yang tidak terlalu tinggi, rentang deposisi pada area yang luas dan deposisi yang seragam [7]. Proses menggunakan teknik ini meliputi optimasi banyak parameter proses seperti efek konsentrasi larutan [8], jarak nozzle ke substrat, kecepatan aliran udara, waktu dan suhu substrat saat proses deposisi yang akan mempengaruhi sifat-sifat dari suatu lapisan tipis [8, 10]. Pada jurnal ini, akan dipaparkan hasil tumbuhnya lapisan tipis ZnO di atas substrat Si (111) dengan menggunakan Zn(CH 3COO) 2. 2H 2O sebagai prekursor dan air de-ionisasi sebagai pelarut. Pada penelitian ini akan dilakukan studi mengenai struktur, ukuran kristal dan parameter kisi lapisan tipis ZnO yang akan dikarakterisasi dengan mengggunakan X- ray diffraction (XRD). 2. Metode Penelitian Preparasi substrat: Silikon (111) dipotong dan dibersihkan dengan menggunakan isopropanol. Kemudian substrat dimasukan ke dalam air-deionisasi dan digetarkan dengan ultrasonic cleaner untuk menghilangkan unsur, ion, dan mineral lain yang terkandung di dalamnya. Memasukkan substrat ke dalam tabung kuarsa. Preparasi Sampel: Menyiapkan serbuk Zn(CH 3COO) 2. 2H 2O sebgai larutan prekursor dan air de-ionisasi sebagai pelarutnya, larutan dihomogenisasi dengan menggunakan ultrasonic cleaner. Sebagai pembanding, larutan dibuat dengan 3 variasi konsentrasi yang berbeda, yaitu 0,01 mol, 0,02 mol dan 0,03 mol. Menyalakan dan menaikan tegangan slide regulator untuk memanaskan tabung kuarsa hingga mencapai suhu 450 o C. Kemudian larutan prekursor akan dideposisikan di atas substrat silikon dengan meletakkannya dan menyalakan alat ultrasonic nebulizer,, sehingga larutanpun akan ter-evaporasi dan mengalir menuju substrat silikon melalui nozzle dengan jarak dibuat 30 cm, dilakukan selama 10 menit. Karakterisasi: Struktur lapisan tipis ZnO dikarakterisasi dengan menggunakan Shimadzu xrd-7000 XRD, radiasi Cuk α, panjang gelombang λ 1,5406 Å. Hasil karakterisasi untuk mengetahui pengaruh dari konsentrasi larutan prekursor terhadap struktur, ukuran kristal dan parameter kisi lapisan tipis ZnO tersebut. 3. Hasil dan Pembahasan Proses penumbuhan lapisan tipis dengan menggunakan teknik ultrasonic spray pyrolisis telah berhasil dilakukan, seperti pada gambar 1. Pola difraksi sinar x pada lapisan tipis ZnO dengan konsentrasi yang berbeda (0,01 mol, 0,02 mol dan 0,03 mol) seperti pada gambar 2. Berdasarkan hasil data dari pola puncak difraksi yang dominan yaitu (100), (002) dan (101) dan pola puncak lainnya yang teridentifikasi adalah (103), (201) (JCPDS, ). Struktur kristal pada ketiga sampel lapisan tipis ZnO yang terbentuk adalah hexagonal wurtzite. Pada perhitungan ukuran butir (D) yaitu hanya dilakukan pada bidang yang memiliki intensitas yang dominan berdasarkan peak yang terbentuk oleh hasil XRD. Ketiga peak yang dominan tersebut yaitu pada arah (100), (002) dan (101). Nilai parameter kisi dan regangan kisi pada masing-masing sampel yang terbentuk dapat diolah dengan tahap refinement (penghalusan) berdasarkan metode rietvield. Prinsip kerja metode rietvield yaitu dengan cara mencocokkan (fitting) keseluruhan pola difraksi sinar- X yang. Hal ini berguna untuk mendapatkan data struktur mikro secara lebih akurat. Metode ini dilakukan dengan menggunakan software High Score Plus. Berdasarkan tabel 1, nilai parameter kisi pada sampel lapisan tipis ZnO hanya memiliki sedikit perbedaan jika dibandingkan dengan parameter kisi literatur. Hasil nilai rata-rata parameter kisi a hasil observasi yaitu a= 3,25 Å dan literatur a = 3,249 Å. Hasil perhitungan nilai standar deviasi parameter kisi hasil observasi yaitu 0,00264, Standard Error data = 0,00152 dan presentasi kemiripan parameter kisi a hasil observasi dibandingkan literatur adalah 99,969 %. Nilai parameter kisi c observasi adalah c = 5,204 Å dan literatur c = 5,206 Å. Standar deviasi = 0,002082, Standard Error data = 0, dan presentasi kemiripan parameter kisi hasil observasi dibandingkan literatur yaitu 99,961%. Hasil ini memiliki kaitan dengan nilai regangan kisi kristal pada ketiga sampel yang tergolong kecil, yaitu hanya sekitar 0,2 %. Regangan kisi yaitu terbentuk oleh terdistribusinya parameter kisi muncul dari cacat kristal seperti terjadinya dislokasi kisi.sehingga dapat disimpulkan bahwa parameter kisi yang terbentuk pada lapisan sangat mendekati standar literatur. Besar ukuran butir rata-rata pada sampel A, B dan C yaitu 46, 7 nm; 45,6 nm dan 54,8 nm. 68
3 Metode Penumbuhan Konsentrasi (0,01 mol) Konsentrasi (0,02 mol) Konsentrasi (0,03 mol) Ultrasonic Spray Pyrolisis (USP), jarak nozzle 30 cm, suhu tumbuh 450 o C, selama 10 menit. Gambar 1. Profil Permukaan Lapisan Tipis ZnO Variasi Jumlah Mol Prekursor (A= 0,01 mol), (B =0,02 mol) dan (C=0,03 mol) Gambar 2. Pola XRD pada Lapisan Tipis ZnO di Atas Substrat Silikon dengan Variasi Jumlah Mol Prekursor (A= 0,01 mol), (B =0,02 mol) dan (C=0,03 mol) Pada sampel A, berdasarkan hasil pola difraksi pada gambar 2, pada sampel A memiliki perbedan pola difraksi dengan pola difraksi B dan C. Ukuran butir dari suatu material dipengaruhi oleh jumlah polikristal yang terbentuk. Sehingga untuk menganalisis hubungan antara molaritas prekursor pada sampel lapisan tipis terhadap ukuran butir, hanya dapat diketahui dengan hasil pola XRD sampel B dan sampel C saja, yaitu berdasarkan data pada tabel 1, yaitu semakin besar jumlah mol prekursornya maka akan semakin besar pula ukuran butir yang dihasilkan, sesuai dengan penelitian yang telah dilakukan oleh Amutha, dkk. [4] 69
4 Tabel 1. Parameter Kisi dan Ukuran Butir dan Regangan Kisi Lapisan Tipis ZnO dengan Jumlah Mol Prekursor yang Berbeda (A) 0,01 mol, (B) 0,02 mol dan (C) 0,03 mol Kode Sampel A B C Arah bidang (hkl) Posisi puncak (2θ) Parameter Kisi (Å) JCPDS standard ( ) Hasil Observasi Ukuran butir, D (nm) (100) 31,84 41,3 (002) (101) 34,507 36,300 a = 3,249 c = 5,206 a = 3,253 c = 5,207 46, (100) 31,814 48,7 (002) 34,470 a = 3,248 42,5 (101) 36,301 c = 5,204 45,6 (100) 31,828 57,5 (002) 34,486 a = 3,249 53,6 (101) 36,328 c = 5,203 53,3 Regangan Kisi rata-rata (%) 0,268 0,270 0, Kesimpulan Lapisan tipis zinc oxide telah berhasil dilakukan di atas substrat silikon menggunakan teknik ultrasonic spray pyrolysis. Hasil karakterisasi dari ketiga sampel menunjukkan bahwa semua lapisan tipis ZnO yang terbentuk adalah poliskristal hexagonal wurtzite. Pola puncak difraksi yang dominan yaitu (101), pola puncak lainnya yang teridentifikasi adalah (002), (103), (100), (201) (JCPDS, ). Ukuran kristal, D yang terbentuk pada sampel A, B dan C yaitu masing-masing 46, 7 nm; 45,6 nm dan 54,8 nm. Nilai rata-rata parameter kisi hasil observasi yaitu a= 3,25 Å dan c = 5,204 Å dengan standar literatur masing-masing yaitu a = 3,249 Å. dan c = 5,206 Å. Ucapan Terimakasih Alhamdulillah, Ucapan terima kasih kami haturkan kepada Bapak Dr. Iwan Sugihartono, M.Si dan Bapak Erfan Handoko, M.Si selaku Dosen pembimbing saya yang telah menyediakan waktunya untuk berdiskusi hasil analisis penelitian, Bapak Priyambodo yang telah sangat membantu dalam proses pengujian sampel dan Bapak Dr. Bambang Prijamboedi atas diskusi dan kesempatannya menggunakan laboratorium Biokimia Jurusan Kimia Institut Teknologi Bandung. Daftar Pustaka [1] Adriyanto, F Indentifikasi Parameter- Parameter yang Berpengaruh dalam Penumbuhan Lapisan Tipis ZnO dengan Metode MOCVD. Prosiding Pertemuan dan Presentasi IImlah Penelitian Dasar IImu Pengetahuan dan Teknologi Nuklir P3TM. 27 Juni. BATAN Yogyakarta: [2] Aji, W.P, R.Priyotomo, I.Sugihartono, E. Handoko., B. Soegijono, dan M. Hikam Pengaruh Suhu Tumbuh terhadap Struktur Kristal Lapisan Tipis ZnO 0,02 mol. Seminar Nasional Fisika. Universitas Negeri Jakarta: [3] Studi Penumbuhan dan Karakterisisasi Sifat Optik Lapisan Tipis ZnO. Skripsi. Universitas Negeri Jakarta. Jakarta. [4] Amutha, C, A. Dhanalakshmi, B. Lawrence, K. Kulathuraan, V. Ramadas, B. Natarajan Influence of Concentration on Structural and Optical Characteristics of Nanocrystalline ZnO Thin Films Synthesized by Sol-Gel Dip Coating Method. Progress in Nanotechnology and Nanomaterials 3(1): [5] Beng, T.C Growth of Zinc Oxide Nanostructures and Films and P-Doping of Fims in Aquoeous Solution. Thesis. Nasional University of Singapore. Singapore [6] Khan, Z. R, M. S. Khan, M. Zulfequar, M. S. Khan Optical and Structural Properties of ZnO Thin Films Fabricated by Sol-Gel Method. Journal Materials Sciences and Applications:
5 [7] Nehru, L.C, M. Umadevi, C. Sanjeeviraja Studies on Structural, Optical and Electrical Properties of ZnO Thin Lapisans Prepared by the Spray Pyrolisis Method. International Journal of Materials Engineering 2(1): [8] Rajendra, B, V, V. Bhat, D.Kekuda Influence of Processing Parameters on the Optical Properties of Zinc Oxide Thin Film Grown by Spray Pyrolisis. International Journal of Emerging Technology and Advanced Engineering 3(8): [9] Singh, Preetam, A. Kumar, Deepak, D. Kaur Growth and Characterization of ZnO Nanocrystalline Thin Films and Nanopowder via Low-Cost Ultrasonic Spray Pyrolysis. Journal of Crystal Growth: [10] Syuhada, D. Bayuwati dan Sulaiman Pembuatan Konduktor Transparan Thin Film SnO 2 dengan Menggunakan Teknik Spray Pyrolysis. Jurnal Fisika Himpunan Fisika Indonesia. 8(1): [11] Wirjoadi, Yunanto, B. Siswanto, S. Sulamdari, Sudjatmoko Karakterisasi Sifat Optik Lapisan Tipis ZnO: Al Pada Substrat Gelas untuk Jendela Sel Surya. Prosiding Pertemuan dan Presentasi IImiah Penelitian Dasar IImu Pengetahuan dan Teknologi Nuklir P3TM. 27 Juni. BATAN Yogyakarta [12] Wahyuningsih, Kiki, P. Marwoto, Sulhadi Konduktivitas dan Transmitasi Film Tipis Zinc Oxide yang Dideposisikan pada Temperatur Ruang. Unnes Physics Journal:
PENGARUH PERBEDAAN WAKTU TUMBUH TERHADAP STRUKTUR KRISTAL LAPISAN TIPIS ZnO
PENGARUH PERBEDAAN WAKTU TUMBUH TERHADAP STRUKTUR KRISTAL LAPISAN TIPIS ZnO Ayu Mutia 1*, Iwan Sugihartono 1*, Anggara Budi Susila 1, Maykel Manawan 2 1 Jurusan Fisika, FMIPA, Universitas Negeri Jakarta
Lebih terperinciPEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS
PEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS Syuhada, Dwi Bayuwati, Sulaiman Pusat Penelitian Fisika-LIPI, Kawasan Puspiptek Serpong Tangerang 15314 e-mail: hadda212@yahoo.com
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 LatarBelakang
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 LatarBelakang Proses pembangunan disegala bidang selain membawa kemajuan terhadap kehidupan manusia, tetapi juga akan membawa dampak negative bagi lingkungan hidup. Industrialisasi
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini terlihat dari banyaknya komponen semikonduktor yang digunakan disetiap kegiatan manusia.
Lebih terperinciSTRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPIS TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 S 0.8 ) HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA
J. Sains Dasar 2015 4 (2) 198-203 STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPIS TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 S 0.8 ) HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA THE STRUCTURE AND CHEMICAL
Lebih terperinciPREPARASI DAN KARAKTERISASI PADUAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,6 Te 0,4 ) DENGAN METODE BRIDGMAN MELALUI VARIASI WAKTU PEMANASAN
Preparasi dan Karakterisasi.(Iin Astarinugrahini) 298 PREPARASI DAN KARAKTERISASI PADUAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,6 Te 0,4 ) DENGAN METODE BRIDGMAN MELALUI VARIASI WAKTU PEMANASAN PREPARATION AND CHARACTERIZATION
Lebih terperinciI. PENDAHULUAN. kimia yang dibantu oleh cahaya dan katalis. Beberapa langkah-langkah fotokatalis
I. PENDAHULUAN A. Latar Belakang Telah berkembang suatu mekanisme fotokatalis yang menerapkan pemanfaatan radiasi ultraviolet dan bahan semikonduktor sebagai fotokatalis, umumnya menggunakan bahan TiO2
Lebih terperinciPENGARUH VARIASI MASSA BAHAN TERHADAP KUALITAS KRISTAL SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 Te 0,8 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN
Pengaruh Variasi Massa... (Annisa Dyah ) 238 PENGARUH VARIASI MASSA BAHAN TERHADAP KUALITAS KRISTAL SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 Te 0,8 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN THE EFFECT OF MATERIAL MASS ON
Lebih terperinciBab III Metodologi Penelitian
28 Bab III Metodologi Penelitian III.1 Tahap Penelitian Penelitian ini terbagi dalam empat tahapan kerja, yaitu : Tahapan kerja pertama adalah persiapan bahan dasar pembuatan film tipis ZnO yang terdiri
Lebih terperinciPengaruh Temperatur dan Waktu Putar Terhadap Sifat Optik Lapisan Tipis ZnO yang Dibuat dengan Metode Sol-Gel Spin Coating
ISSN 2302-8491 Jurnal Fisika Unand Vol. 6, No. 2, April 2017 Pengaruh Temperatur dan Waktu Putar Terhadap Sifat Optik Lapisan Tipis ZnO yang Dibuat dengan Metode Sol-Gel Spin Coating Fitriani *, Sri Handani
Lebih terperinciThe Effect of Pre-annealing Temperature on Structural Characteristics of ZnO Thin Films Deposited by Sol-Gel Method
JURNAL Teori dan Aplikasi Fisika Vol. 04, No.01, Januari Tahun 2016 The Effect of Pre-annealing Temperature on Structural Characteristics of ZnO Thin Films Deposited by Sol-Gel Method Mursal & Evi Yufita
Lebih terperinciLAPORAN TUGAS AKHIR PEMBUATAN GELAS TRANSPARAN FTO SEBAGAI BAHAN BAKU SEL SURYA
LAPORAN TUGAS AKHIR PEMBUATAN GELAS TRANSPARAN FTO SEBAGAI BAHAN BAKU SEL SURYA Disusun Oleh: EVALIKA ASTUTI FAUZIAH I 8310031 FITRI NUR PRATIWI I 8310033 PROGRAM STUDI DIPLOMA III TEKNIK KIMIA FAKULTAS
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia Tenggara. Sebagai negara berkembang, Indonesia melakukan swasembada diberbagai bidang, termasuk
Lebih terperinciPENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se 0,4 Te 0,6 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM
Pengaruh Suhu Substrat...(Vina Hentri Tunita N.)288 PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se 0,4 Te 0,6 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM THE EFFECT OF SUBSTRATE
Lebih terperinciSTRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPISAN TIPIS Sn(So,4Te0,6) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM
Struktur dan Komposisi... (Eka Wulandari) 1 STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPISAN TIPIS Sn(So,4Te0,6) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM STRUCTURE AND CHEMICAL COMPOSITION OF Sn(S0,4Te0,6) THIN
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Ketersediaan sumber energi merupakan masalah yang harus segera diselesaikan oleh masing-masing negara termasuk Indonesia. Untuk itu perlu dikembangkan suatu teknologi
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Nanopatikel merupakan partikel mikroskopis yang memiliki ukuran dalam skala nanometer yaitu < 100 nm. Nanopartikel menjadi kajian yang sangat menarik, karena ketika
Lebih terperinciWidyanuklida, Vol. 15 No. 1, November 2015: ISSN
Widyanuklida, Vol. 15 No. 1, November 2015: 22-27 ISSN 1410-5357 Penentuan Struktur Kristal dan Komposisi Kimia Lapisan Tipis Sn(Se 0,5 S 0,5 ) Hasil Preparasi Teknik Evaporasi untuk Aplikasi Sel Surya
Lebih terperinciKARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT GELAS UNTUK JENDELA SEL SURYA
GANENDRA, Vol. V, N0.2 ISSN 1410-6957 KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT GELAS UNTUK JENDELA SEL SURYA Wirjoadi, Yunanto, Bambang Siswanto, Sri Sulamdari, Sudjatmoko Puslitbang
Lebih terperinci2 SINTESIS DAN KARAKTERISASI NANOSTRUKTUR ZnO
2 SINTESIS DAN KARAKTERISASI NANOSTRUKTUR ZnO 3 Pendahuluan ZnO merupakan bahan semikonduktor tipe-n yang memiliki lebar pita energi 3,37 ev pada suhu ruang dan 3,34 ev pada temperatur rendah dengan nilai
Lebih terperinciEfek doping Al pada sifat optik dan listrik lapisan tipis ZnO hasil deposisi dengan DC sputtering
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 1, NOMER 1 JANUARI 2005 Efek doping Al pada sifat optik dan listrik lapisan tipis ZnO hasil deposisi dengan DC sputtering SriYaniPurwaningsih, 1 Karyono, 2 dansudjatmoko
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Listrik merupakan kebutuhan esensial yang sangat dominan kegunaannya
λ Panjang Gelombang 21 ω Kecepatan Angular 22 ns Indeks Bias Kaca 33 n Indeks Bias Lapisan Tipis 33 d Ketebalan Lapisan Tipis 33 α Koofisien Absorpsi 36 Frekuensi Cahaya 35 υ BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Oksida konduktif transparan atau transparent conductive oxide (TCO)
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Oksida konduktif transparan atau transparent conductive oxide (TCO) adalah semikonduktor yang memiliki lebar celah pita energi antara 2,5 4,5 ev (Dengyuan, 2005).
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban manusia di abad ini. Sehingga diperlukan suatu kemampuan menguasai teknologi tinggi agar bisa
Lebih terperinciIII. METODE PENELITIAN
21 III. METODE PENELITIAN 3.1 Waktu dan Tempat Penelitian Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Agustus 2010 - Juni 2011 di Laboratorium Biofisika dan Laboratorium Fisika Lanjut, Departemen Fisika IPB.
Lebih terperinciSTUDI TENTANG PENGARUH JARAK (SPACER) TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn ) HASIL PREPARASI TEKNIK EVAPORASI VAKUM
Studi tentang Pengaruh...(Wida Afosma)385 STUDI TENTANG PENGARUH JARAK (SPACER) TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn ) HASIL PREPARASI TEKNIK EVAPORASI VAKUM STUDY ABOUT THE EFFECT OF SPACER TO CRYSTAL
Lebih terperinciSIDANG TUGAS AKHIR. Jurusan Teknik Material & Metalurgi Fakultas Teknologi Industri Institut Teknologi Sepuluh Nopember
SIDANG TUGAS AKHIR Arisela Distyawan NRP 2709100084 Dosen Pembimbing Diah Susanti, S.T., M.T., Ph.D Jurusan Teknik Material & Metalurgi Fakultas Teknologi Industri Institut Teknologi Sepuluh Nopember Sintesa
Lebih terperinciPENGARUH DAYA PLASMA PADA STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING
134 Prosiding Pertemuan Ilmiah XXIV HFI Jateng & DIY, Semarang 10 April 2010 hal. 134-138 PENGARUH DAYA PLASMA PADA STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING
Lebih terperinciMolekul, Vol. 5, No. 1, Mei 2010 : KARAKTERISTIK FILM TIPIS TiO 2 DOPING NIOBIUM
KARAKTERISTIK FILM TIPIS TiO 2 DOPING NIOBIUM Bilalodin dan Mukhtar Effendi Program Studi Fisika, Jurusan MIPA Fakultas Sains dan Teknik UNSOED Email: bilalodin.unsoed@gmail.com ABSTRACT Niobium (Nb) doped
Lebih terperinciPREPARASI LAPISAN TIPIS SAMBUNGAN p-n ZnO DAN CuInSe MENGGUNAKAN PENYANGGA LAPISAN CdS UNTUK APLIKASI SEL SURYA
, dkk. ISSN 0216-3128 153 PREPARASI LAPISAN TIPIS SAMBUNGAN p-n ZnO DAN CuInSe MENGGUNAKAN PENYANGGA LAPISAN CdS UNTUK APLIKASI SEL SURYA PTAPB Badan Tenaga Nuklir Nasional Agung B.S.U, Messa Monika Sari
Lebih terperinciPENGARUH WAKTU ALUR PEMANASANTERHADAP KUALITAS KRISTAL Sn(S 0,4 Te 0,6 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN
286 Kristal Sn(S.4Te.6)... (Erda Harum Saputri) PENGARUH WAKTU ALUR PEMANASANTERHADAP KUALITAS KRISTAL Sn(S,4 Te,6 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN THE EFFECT OF FLOW HEATING TIME FOR CRYSTAL QUALITY
Lebih terperinciEfek Doping Senyawa Alkali Terhadap Celah Pita Energi Nanopartikel ZnO
Efek Doping Senyawa Alkali Terhadap Celah Pita Energi Nanopartikel ZnO Ira Olimpiani,*, Astuti Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Andalas Kampus Unand Limau Manis,
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. energi cahaya (foton) menjadi energi listrik tanpa proses yang menyebabkan
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Sel surya merupakan suatu piranti elektronik yang mampu mengkonversi energi cahaya (foton) menjadi energi listrik tanpa proses yang menyebabkan dampak buruk terhadap
Lebih terperinciSYNTHESIS THIN LAYER ZnO-TiO 2 PHOTOCATALYSTS SOL GEL METHOD USING THE PEG (Polyethylene Glycol) AS SOLVENTS SCIENTIFIC ARTICLE
SYNTHESIS THIN LAYER ZnO-TiO 2 PHOTOCATALYSTS SOL GEL METHOD USING THE PEG (Polyethylene Glycol) AS SOLVENTS SCIENTIFIC ARTICLE By NIM 061810301027 DEPARTEMENT OF CHEMISTRY THE FACULTY OF MATHEMATIC AND
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen yang dilakukan di
BAB III METODE PENELITIAN Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen yang dilakukan di lab. Fisika Material, Jurusan Pendidikan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas
Lebih terperinciBAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN
BAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN Pada penelitian ini dilakukan analisis struktur kristal semen gigi seng oksida eugenol untuk mengetahui keterkaitan sifat mekanik dengan struktur kristalnya. Ada lima sampel
Lebih terperinciMETALURGI Available online at
Metalurgi (017) : 45-5 METALURGI Available online at www.ejurnalmaterialmetalurgi.com PERLAKUAN PANAS GANDA PADA FABRIKASI FILM TIPIS AZO NANOKRISTAL DENGAN TEKNIK SPRAY : STUDI XRD Didik Aryanto a *,
Lebih terperinciSIMULASI XRD ZINC OXIDE TERDOPING MENGGUNAKAN METODE LAUE
Jurnal Material dan Energi Indonesia Vol. 06, No. 02 (2016) 7 13 Departemen Fisika FMIPA Universitas Padjadjaran SIMULASI XRD ZINC OXIDE TERDOPING MENGGUNAKAN METODE LAUE S. U. AZHARA 1, SETIANTO 1, D.
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Perkembangan nanoteknologi terus dilakukan oleh para peneliti dari dunia akademik maupun dari dunia industri. Para peneliti seolah berlomba untuk mewujudkan karya baru
Lebih terperinciOleh: Tyas Puspitaningrum, Tjipto Sujitno, dan Ariswan
Penentuan Band Gap... (Tyas Puspitaningrum) 166 PENENTUAN BAND GAP DAN KONDUKTIVITAS BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS Sn(S 0,8 Te 0,2 ) DAN Sn(S 0,6 Te 0,4 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI TERMAL
Lebih terperinci2014 PEMBUATAN BILAYER ANODE - ELEKTROLIT CSZ DENGAN METODE ELECTROPHORETIC DEPOSITION
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Kebutuhan listrik dunia semakin meningkat seiring berjalannya waktu. Hal ini tentu disebabkan pertumbuhan aktivitas manusia yang semakin padat dan kebutuhan
Lebih terperinciSINTESIS DAN KARAKTERISASI UNDER-DOPED SUPERKONDUKTOR DOPING ELEKTRON Eu 2-x Ce x CuO 4+α-δ
Proseding Seminar Nasional Fisika dan Aplikasinya Sabtu, 21 November 2015 Bale Sawala Kampus Universitas Padjadjaran, Jatinangor SINTESIS DAN KARAKTERISASI UNDER-DOPED SUPERKONDUKTOR DOPING ELEKTRON Eu
Lebih terperinciSINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION
SINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION Yolanda Oktaviani, Astuti Jurusan Fisika FMIPA Universitas Andalas e-mail: vianyolanda@yahoo.co.id
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini mengalami peralihan dari teknologi mikro (microtechnology) ke generasi yang lebih kecil yang dikenal
Lebih terperinciSINTESIS DAN KARAKTERISASI CORE-SHELL ZnO/TiO2 SEBAGAI MATERIAL FOTOANODA PADA DYE SENSITIZED SOLAR CELL (DSSC) SKRIPSI
SINTESIS DAN KARAKTERISASI CORE-SHELL ZnO/TiO2 SEBAGAI MATERIAL FOTOANODA PADA DYE SENSITIZED SOLAR CELL (DSSC) SKRIPSI Oleh Yuda Anggi Pradista NIM 101810301025 JURUSAN KIMIA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU
Lebih terperinciTEMA: ENERGI TERBARUKAN. FABRIKASI SEL SURYA BERBASIS SILIKON DENGAN LAPISAN ANTI REFLEKSI ZnO MENGGUNAKAN TEKNOLOGI THICK FILM
Bidang Ilmu Teknologi RINGKASAN LAPORAN TAHAP I HIBAH KOMPETITIF PENELITIAN SESUAI PRIORITAS NASIONAL TEMA: ENERGI TERBARUKAN FABRIKASI SEL SURYA BERBASIS SILIKON DENGAN LAPISAN ANTI REFLEKSI ZnO MENGGUNAKAN
Lebih terperinciBab IV. Hasil dan Pembahasan
Bab IV. Hasil dan Pembahasan Bab ini memaparkan hasil sintesis, karakterisasi konduktivitas listrik dan struktur kirstal dari senyawa perovskit La 1-x Sr x FeO 3-δ (LSFO) dengan x = 0,2 ; 0,4 ; 0,5 ; 0,6
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN. Lokasi penelitian dilakukan di Laboratorium Fisika Material, Jurusan
BAB III METODOLOGI PENELITIAN A. Lokasi dan Waktu Penelitian Lokasi penelitian dilakukan di Laboratorium Fisika Material, Jurusan Pendidikan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas
Lebih terperinciPENGARUH ATOM SULFUR PADA PARAMETER KISI KRISTAL MATERIAL SEL SURYA Cd(Se 1-x,S x ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN
PENGARUH ATOM SULFUR PADA PARAMETER KISI KRISTAL MATERIAL SEL SURYA Cd(Se 1-x,S x ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN Ariswan Prodi Fisika FMIPA Universitas Negeri Yogyakarta E-mail : ariswan@uny.ac.id
Lebih terperinciSTUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI
Studi Pengaruh Suhu Substrat. (Rully Fakhry Muhammad) 303 STUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI STUDY
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN. Metode yang digunakan dalam penelitian ini adalah metoda eksperimen.
BAB III METODOLOGI PENELITIAN A. Metode Penelitian Metode yang digunakan dalam penelitian ini adalah metoda eksperimen. Penelitian dilakukan dengan beberapa tahapan yang digambarkan dalam diagram alir
Lebih terperinciPENGARUH SUHU FURNACE DAN RASIO KONSENTRASI PREKURSOR TERHADAP KARAKTERISTIK NANOKOMPOSIT ZnO-SILIKA
PENGARUH SUHU FURNACE DAN RASIO KONSENTRASI PREKURSOR TERHADAP KARAKTERISTIK NANOKOMPOSIT ZnO-SILIKA Pembimbing:» Prof. Dr. Ir. Sugeng Winardi, M.Eng» Dr. Widiyastuti, ST. MT Penyusun:» Wahyu Puspitaningtyas
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi energi listrik DC secara langsung. Sel surya telah diaplikasikan dalam berbagai bidang, salah
Lebih terperinciPENGARUH DOPING NITROGEN (N) TERHADAP SIFAT OPTIK DAN STRUKTUR KRISTAL ZNO Nurnadiyah Syuhada, Paulus Lobo Gareso, Eko Juarlin
PENGARUH DOPING NITROGEN (N) TERHADAP SIFAT OPTIK DAN STRUKTUR KRISTAL ZNO Nurnadiyah Syuhada, Paulus Lobo Gareso, Eko Juarlin Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas
Lebih terperinciPENGARUH PEMANASAN TERHADAP STRUKTUR DAN SIFAT OPTIK KRISTAL ZnO Hadria Zakaria, Paulus Lobo Gareso, Nurlaela Rauf
PENGARUH PEMANASAN TERHADAP STRUKTUR DAN SIFAT OPTIK KRISTAL ZnO Hadria Zakaria, Paulus Lobo Gareso, Nurlaela Rauf Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Hasanuddin
Lebih terperinciBab IV Hasil dan Pembahasan
33 Bab IV Hasil dan Pembahasan Pada bab ini dilaporkan hasil sintesis dan karakterisasi dari senyawa yang disintesis. Senyawa disintesis menggunakan metoda deposisi dalam larutan pada temperatur rendah
Lebih terperinciMETALURGI Available online at
Metalurgi (2017) 1: 1-8 METALURGI Available online at www.ejurnalmaterialmetalurgi.com PENGARUH WAKTU DEPOSISI DAN TEMPERATUR SUBSTRAT TERHADAP PEMBUATAN KACA KONDUKTIF FTO (FLUORINE-DOPED TIN OXIDE) Tri
Lebih terperinciSINTESIS DAN KARAKTERISASI KRISTAL NANO ZnO
SINTESIS DAN KARAKTERISASI KRISTAL NANO ZnO Cicik Herlina Yulianti 1 1) Dosen Fakultas Teknik Prodi Elektro Universitas Islam Lamongan Abstrak Pengembangan material kristalin berukuran nano merupakan suatu
Lebih terperinciPENUMBUHAN LAPISAN TIPIS BARIUM FERRUM TITANAT (BFT) DENGAN METODE SOL GEL
PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS BARIUM FERRUM TITANAT (BFT) DENGAN METODE SOL GEL Disusun oleh : TIRA IKHWANI M0209053 SKRIPSI FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM UNIVERSITAS SEBELAS MARET SURAKARTA
Lebih terperinciSINTESIS NANORODS SENG OKSIDA (ZnO) DI ATAS SUBSTRAT SILIKON (111) MENGGUNAKAN METODE HIDROTERMAL
SINTESIS NANORODS SENG OKSIDA (ZnO) DI ATAS SUBSTRAT SILIKON (111) MENGGUNAKAN METODE HIDROTERMAL Ratih Alifya Azeti 1, Iwan Sugihartono 1, Vivi Fauzia 2, Maykel Manawan 2 1 Prodi Fisika FMIPA UNJ, Jl.
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. didalamnya dilakukan karakterisasi XRD. 20%, 30%, 40%, dan 50%. Kemudian larutan yang dihasilkan diendapkan
6 didalamnya dilakukan karakterisasi XRD. 3.3.3 Sintesis Kalsium Fosfat Sintesis kalsium fosfat dalam penelitian ini menggunakan metode sol gel. Senyawa kalsium fosfat diperoleh dengan mencampurkan serbuk
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. I.1 Latar Belakang Kebutuhan akan energi semakin berkembang seiring dengan
BAB I PENDAHULUAN I.1 Latar Belakang Kebutuhan akan energi semakin berkembang seiring dengan berkembangnya kehidupan manusia. Sehingga para peneliti terus berupaya untuk mengembangkan sumber-sumber energi
Lebih terperinciSIFAT OPTIK, STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO
ISSN 1410-6957 SIFAT OPTIK, STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO Wirjoadi, Bambang Siswanto Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan, BATAN
Lebih terperinciSIFAT OPTIK STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO
Wirjoadi, dkk. ISSN 0216-3128 369 SIFAT OPTIK STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO Wirjoadi, Bambang Siswanto Pusat Teknologi Akselerator dan Proses
Lebih terperinciSintesis Lapis Tipis Fotokatalis ZnO-TiO 2 Menggunakan Metode Sol Gel dengan PEG (Polyethylene Glycol) sebagai Pelarut
Jurnal ILMU DASAR, Vol. 13 No. 1, Januari 2012: 1-5 1 Sintesis Lapis Tipis Fotokatalis ZnO-TiO 2 Menggunakan Metode Sol Gel dengan PEG (Polyethylene Glycol) sebagai Pelarut Synthesis Thin Layer ZnO-TiO
Lebih terperinciSintesis Nanopartikel ZnO dengan Metode Kopresipitasi
Sintesis Nanopartikel ZnO dengan Metode Kopresipitasi NURUL ROSYIDAH Jurusan Fisika Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Institut Teknologi Sepuluh Nopember Pendahuluan Kesimpulan Tinjauan Pustaka
Lebih terperinciBAB V KESIMPULAN DAN SARAN. maka diperoleh kesimpulan sebagai berikut : Bridgman. Bahan-bahan yang digunakan adalah Pb, Se, dan Te kemudian
BAB V KESIMPULAN DAN SARAN A. Kesimpulan Berdasarkan hasil penelitian dan pembahasan mengenai hasil preparasi bahan semikonduktor Pb(Se 0,6 Te 0,4 ) dengan menggunakan teknik Bridgman maka diperoleh kesimpulan
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN
BAB III METODOLOGI PENELITIAN 3.1. Waktu dan Tempat Penelitian ini dilakukan di Laboratorium Fisika Material Departemen Fisika Institut Pertanian Bogor dimulai bulan Mei 2010 sampai Bulan Mei 2011 3.2.
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Nanoteknologi adalah ilmu dan rekayasa dalam menciptakan material, struktur fungsional, maupun piranti alam
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Nanoteknologi adalah ilmu dan rekayasa dalam menciptakan material, struktur fungsional, maupun piranti alam skala nanometer. Material berukuran nanometer memiliki
Lebih terperinciSTUDI SINTESIS DAN KARAKTERISTIK FILM TIPIS ZnO DENGAN METODE SOL-GEL SPIN COATING. Oleh
STUDI SINTESIS DAN KARAKTERISTIK FILM TIPIS ZnO DENGAN METODE SOL-GEL SPIN COATING DISERTASI Oleh NURDIN SIREGAR NIM 098108007/FIS PROGRAM PASCASARJANA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM UNIVERSITAS
Lebih terperinciI. PENDAHULUAN. Lapisan tipis merupakan suatu lapisan dari bahan organik, anorganik, metal,
1 I. PENDAHULUAN A. Latar Belakang Lapisan tipis merupakan suatu lapisan dari bahan organik, anorganik, metal, maupun campuran metal-organik yang dapat memiliki sifat-sifat sebagai konduktor, semikonduktor,
Lebih terperinciAnalisis Pengaruh Variasi Dopan Lantanum pada Lapisan Tipis Barium Strontium Titanat Terhadap Struktur Kristal
ISSN:2089 0133 Indonesian Journal of Applied Physics (2012) Vol.2 No.2 halaman 170 Oktober 2012 Analisis Pengaruh Variasi Dopan Lantanum pada Lapisan Tipis Barium Strontium Titanat Terhadap Struktur Kristal
Lebih terperinciKAJIAN VARIASI SUHU ANNEALING DAN HOLDING TIME PADA.
KAJIAN VARIASI SUHU ANNEALING DAN HOLDING TIME PADA PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS BaZr 0,15 Ti 0,85 O 3 DENGAN METODE SOL GEL S. Hadiati 1,2, A.H. Ramelan 1, V.I Variani 1, M. Hikam 3, B. Soegijono 3, D.F.
Lebih terperinciI. PENDAHULUAN. Lapisan tipis adalah suatu lapisan yang sangat tipis terbuat dari bahan organik,
I. PENDAHULUAN A. Latar Belakang Lapisan tipis adalah suatu lapisan yang sangat tipis terbuat dari bahan organik, inorganik, logam maupun campuran metal organik dan memiliki sifat-sifat konduktor, semikonduktor
Lebih terperinciBAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI
BAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI Pada bab ini dibahas penumbuhan AlGaN tanpa doping menggunakan reaktor PA- MOCVD. Lapisan AlGaN ditumbuhkan dengan variasi laju alir gas reaktan, hasil penumbuhan dikarakterisasi
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. Gambar 11. Rangkaian pengukuran karakterisasi I-V.
10 larutan elektrolit yang homogen. Pada larutan yang telah homogen dengan laju stirring yang sama ditambahkan larutan elektrolit KI+I 2 sebanyak 10 ml dengan konsentrasi 0.3 M tanpa annealing. Setelah
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. penelitian ini dilakukan pembuatan keramik Ni-CSZ dengan metode kompaksi
19 BAB III METODE PENELITIAN 3.1 Metode Penelitian Metode yang dilakukan pada penelitian ini adalah eksperimen. Pada penelitian ini dilakukan pembuatan keramik Ni-CSZ dengan metode kompaksi serbuk. 3.2
Lebih terperinciBab III Metoda Penelitian
28 Bab III Metoda Penelitian III.1 Lokasi Penelitian Sintesis senyawa target dilakukan di Laboratorium Kimia Anorganik dan Laboratorium Kimia Fisik-Material Departemen Kimia, Pengukuran fotoluminesens
Lebih terperinciLOGO. STUDI EKSPANSI TERMAL KERAMIK PADAT Al 2(1-x) Mg x Ti 1+x O 5 PRESENTASI TESIS. Djunaidi Dwi Pudji Abdullah NRP
LOGO PRESENTASI TESIS STUDI EKSPANSI TERMAL KERAMIK PADAT Al 2(1-x) Mg x Ti 1+x O 5 Djunaidi Dwi Pudji Abdullah NRP. 1109201006 DOSEN PEMBIMBING: Drs. Suminar Pratapa, M.Sc, Ph.D. JURUSAN FISIKA FAKULTAS
Lebih terperinciPENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR
PENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR Penumbuhan film tipis semikonduktor di atas substrat dapat dilakukan secara epitaksi. Dalam bahasa yunani epi berarti di atas dan taksial berarti menyusun dengan kata
Lebih terperinciPENENTUAN PARAMETER KISI KRISTAL HEXAGONAL BERDASARKAN POLA DIFRAKSI SINAR-X SECARA KOMPUTASI. M. Misnawati 1, Erwin 2, Salomo 3
PENENTUAN PARAMETER KISI KRISTAL HEXAGONAL BERDASARKAN POLA DIFRAKSI SINAR-X SECARA KOMPUTASI M. Misnawati, Erwin, Salomo Mahasiswa Porgram Studi S Fisika Bidang Karakterisasi Material Jurusan Fisika Bidang
Lebih terperinciPENGARUH ALUR SUHU TERHADAP KUALITAS KRISTAL Sn(Se 0,8 Te 0,2 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN UNTUK APLIKASI SEL SURYA
Pengaruh Alur Suhu... (Anggraeni Kumala Dewi) 122 PENGARUH ALUR SUHU TERHADAP KUALITAS KRISTAL Sn(Se 0,8 Te 0,2 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN UNTUK APLIKASI SEL SURYA STREAM OF TEMPERATURE CRYSTAL
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Perkembangan nanoteknologi terus dilakukan oleh para peneliti dari dunia akademik maupun dari dunia industri. Para peneliti seolah berlomba untuk mewujudkan karya
Lebih terperinciBAB II TINJAUAN PUSTAKA
BAB II TINJAUAN PUSTAKA Katalis merupakan suatu zat yang sangat diperlukan dalam kehidupan. Katalis yang digunakan merupakan katalis heterogen. Katalis heterogen merupakan katalis yang dapat digunakan
Lebih terperinciBAB IV DATA DAN PEMBAHASAN
BAB IV DATA DAN PEMBAHASAN 4.1 SINTESIS SBA-15 Salah satu tujuan penelitian ini adalah untuk mendapatkan material mesopori silika SBA-15 melalui proses sol gel dan surfactant-templating. Tahapan-tahapan
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN
BAB III METODOLOGI PENELITIAN A. Metode Penelitian Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen secara kualitatif dan kuantitatif. Metode penelitian ini menjelaskan proses degradasi fotokatalis
Lebih terperinciPembuatan Sel Surya Film Tipis dengan DC Magnetron Sputtering
Pembuatan Sel Surya Film Tipis dengan DC Magnetron Sputtering Desty Anggita Tunggadewi 1, Fitria Hidayanti 1 1 Program Studi Teknik Fisika, Fakultas Teknik dan Sains, Universitas Nasional dtunggadewi@yahoo.co.id,
Lebih terperinciFabrikasi Lapisan TiO 2 menggunakan Metode Spin-Coating dengan Variasi Pengadukan dan Karakterisasi Sifat Optisnya
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 11, NOMOR 1 JANUARI 2015 Fabrikasi Lapisan TiO 2 menggunakan Metode Spin-Coating dengan Variasi Pengadukan dan Karakterisasi Sifat Optisnya Vicran Zharvan, Risqa Daniyati,
Lebih terperinciSIFAT-SIFAT OPTIK DAN LISTRIK BAHAN SEMIKONDUKTOR SnS LAPISAN TIPIS HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA ABSTRAK
SIFAT-SIFAT OPTIK DAN LISTRIK BAHAN SEMIKONDUKTOR SnS LAPISAN TIPIS HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA Ganesha Antarnusa. 1, Tjipto Sujitno 2, Ariswan 3 1 Mahasiswa
Lebih terperinciJURNAL PENELITIAN PENDIDIKAN IPA
JURNAL PENELITIAN PENDIDIKAN IPA http://jppipa.unram.ac.id/index.php/jppipa e-issn : 2407-795X p-issn : 2460-2582 Vol 3, No, 1 Januari 2017 SINTESIS LAPISAN TIPIS (THIN FILM) SnO2 DAN SnO2:Al MENGGUNAKAN
Lebih terperinciElektrodeposisi Lapisan Kromium dicampur TiO 2 untuk Aplikasi Lapisan Self Cleaning
Jurnal Fisika Unand Vol. 5, No. 4, Oktober 2016 ISSN 2302-8491 Elektrodeposisi Lapisan Kromium dicampur TiO 2 untuk Aplikasi Lapisan Self Cleaning Ardi Riski Saputra*, Dahyunir Dahlan Jurusan Fisika FMIPA
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN
BAB III METODE PENELITIAN Metode penelitian yang digunakan yaitu eksperimen. Pembuatan serbuk CSZ menggunakan cara sol gel. Pembuatan pelet dilakukan dengan cara kompaksi dan penyinteran dari serbuk calcia-stabilized
Lebih terperinciPENGARUH KANDUNGAN SULFUR TERHADAP KONSTANTE KISI KRISTAL CuIn (S x,se 1-x ) 2
Pengaruh kandungan sulfur terhadap konstante kisi kristal of CuIn (S x,se 1-x ) 2 (Wirjoadi, Bambang Siswanto) PENGARUH KANDUNGAN SULFUR TERHADAP KONSTANTE KISI KRISTAL CuIn (S x,se 1-x ) 2 Wirjoadi, Bambang
Lebih terperinciPENGARUH DOPING INDIUM TERHADAP SENSITIVITAS SENSOR GAS DARI LAPISAN TIPIS SnO 2
Suharni, dkk. ISSN 0216-3128 33 PENGARUH DOPING INDIUM TERHADAP SENSITIVITAS SENSOR GAS DARI LAPISAN TIPIS SnO 2 Suharni dan Sayono Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan-BATAN ABSTRAK PENGARUH DOPING
Lebih terperinciSINTESIS SERBUK MgTiO 3 DENGAN METODE PENCAMPURAN DAN PENGGILINGAN SERBUK. Abstrak
SINTESIS SERBUK MgTiO 3 DENGAN METODE PENCAMPURAN DAN PENGGILINGAN SERBUK 1) Luluk Indra Haryani, 2) Suminar Pratapa Jurusan Fisika, Fakultas Matematika Dan Ilmu Pengetahuan Alam Institut Teknologi Sepuluh
Lebih terperinciStruktur kristal dan Morfologi film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan metoda Hot-Wire Pulsed Laser Deposition
Struktur kristal dan Morfologi film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan metoda Hot-Wire Pulsed Laser Deposition Dadi Rusdiana Departemen Fisika, FPMIPA UPI, Jl. Dr.Setiabudi 229 Bandung, Indonesia 40154
Lebih terperinciBAB 1 PENDAHULUAN Latar Belakang
BAB 1 PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Memasuki abad 21, persediaan minyak dan gas bumi semakin menipis. Sementara kebutuhan akan energi semakin meningkat, terutama dirasakan pada negara industri. Kebuthan
Lebih terperinciIDENTIFIKASI Fase KOMPOSIT OKSIDA BESI - ZEOLIT ALAM
IDENTIFIKASI Fase KOMPOSIT OKSIDA BESI - ZEOLIT ALAM HASIL PROSES MILLING Yosef Sarwanto, Grace Tj.S., Mujamilah Pusat Teknologi Bahan Industri Nuklir - BATAN Kawasan Puspiptek Serpong, Tangerang 15314.
Lebih terperinciEFEK DOPING Ni TERHADAP STRUKTUR DAN SIFAT OPTIK PADA NANOCRYSTALLINE FILM TIPIS ZnO YANG DIPREPARASI DENGAN METODE SOL-GEL SPIN COATING
EFEK DOPING Ni TERHADAP STRUKTUR DAN SIFAT OPTIK PADA NANOCRYSTALLINE FILM TIPIS ZnO YANG DIPREPARASI DENGAN METODE SOL-GEL SPIN COATING Monika Pakabu 2, Didik Aryanto 1, Paulus Lobo 2, Eko Juarlin 2 1
Lebih terperinci