Kata Kunci: DMS, GaN, sputtering, implantasi ion, spintronik

Transkripsi

1 ABSTRAK Penelitian ini difokuskan pada penumbuhan dan karakterisasi film tipis DMS (diluted magnetic semiconductor) berbasis GaN untuk aplikasi spintronik. Penumbuhan film tipis GaN di atas substrat silikon dilakukan menggunakan metode sputtering. Setelah GaN berhasil ditumbuhkan, pendadahan dengan ion Mn dilakukan menggunakan teknik implantasi ion. Film tipis GaN yang didadah oleh Mn tersebut kemudian diselidiki sifat listrik dan sifat magnetiknya. Film yang dihasilkan diharapkan bersifat ferromagnetik pada temperatur kamar sehingga potensial untuk aplikasi spintronik. Kata Kunci: DMS, GaN, sputtering, implantasi ion, spintronik I. PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Spintronika merupakan bidang baru dalam teknologi modern dewasa ini. Istilah spintronika (spintronics) berasal dari kata spin-based electronics, yakni elektronika yang memanfaatkan sifat spin elektron selain sifat muatannya. Kemunculan spintronika dipicu oleh penemuan efek giant magnetoresistance (GMR) pada superkisi logam ferromagnetik tipis oleh Fert dkk. dan Grünberg dkk. (keduanya mendapatkan Hadiah Nobel pada tahun 2007 atas penemuan mereka). Kurang dari 10 tahun setelah penemuan tersebut, read head pertama untuk hard drive komputer berbasis efek GMR diluncurkan ke pasaran oleh IBM. Dewasa ini, hampir semua read head komputer berbasis efek GMR. Selain itu, aplikasi memori spintronika telah dikaji, seperti Magnetic Random Acces Memory (MRAM) yang berbasis Magnetic Tunnel Junction (MTJ) (Holmberg, 2008). Devais spintronika bekerja dengan cara memanfaatkan spin elektron untuk mengendalikan pergerakan pembawa muatan. Dibandingkan dengan devais berbasis semikonduktor konvensional, devais spintronika memiliki banyak keunggulan, di antaranya adalah laju pemrosesan data yang lebih tinggi, ukuran Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 1

2 devais yang lebih kecil dan padat isi (compact), dan konsumsi energi yang lebih kecil. Keunggulan-keunggulan devais spintronika tersebut telah mendorong banyak penelitian, baik secara teori maupun eksperimen, oleh berbagai kelompok peneliti di seluruh dunia, terutama di Jepang, Amerika Serikat, dan Eropa (Awschalom, et al., 2002 dan Pearton, et al., 2003). Persyaratan dasar untuk merealisasikan devais spintronika adalah membangkitkan arus elektron terpolarisasi spin, melestarikan polarisasi spin, memanipulasi keadaan spin, dan mendeteksi polarisasi spin (Chien, 2007). Arus terpolarisasi spin dapat dibangkitkan dengan menggerakkan arus melalui bahan ferromagnetik. Bahan ferromagnetik dapat berfungsi sebagai penyuplai dan penginjeksi spin. Bahan ferromagnetik ini harus bersifat ferromagnetik pada temperatur kamar dan memiliki efisiensi injeksi spin tinggi (Reed, 2003). Pada awalnya, logam ferromagnetik dipandang sebagai kandidat pertama karena memiliki temperatur Currie di atas temperatur ruangan. Akan tetapi, injeksi spin logam ferromagnetik sangat rendah (Schmidt et al., 2002). Pilihan lainnya adalah lapisan semilogam, misalnya MnAs. Akan tetapi, efisiensi injeksi spin MnAs pun masih rendah, sekitar 6% (Zhu et al., 2001). Efisiensi injeksi yang rendah ini terjadi karena perbedaan resistivitas dan adanya hamburan pada antarmuka logamsemikonduktor (Pearton et al., 2004). Bahan baru yang sangat menjanjikan untuk merealisasikan devais spintronika adalah diluted magnetic semiconductor (DMS) atau semikonduktor ferromagnetik (Ohno et al., 1996 dan Ohno, 1998). DMS adalah bahan semikonduktor dengan fraksi kecil dari kation induk diganti oleh beberapa ion logam transisi yang secara dramatis mengubah sifat-sifat dari semikonduktor induk tetapi bertindak seperti pengotor dan tidak mengubah sifat alami dari semikonduktornya (Chien, 2007). Jika bahan ferromagnetik fase tunggal berhasil ditumbuhkan, bahan tersebut sangat potensial digunakan untuk injeksi spin elektron (Pearton et al., 2003). Prediksi bahwa GaN yang didadah oleh Mn sebesar 5% dan mengandung hole berkonsentrasi tinggi (3, cm -3 ) memiliki sifat ferromagnetik di atas Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 2

3 temperatur kamar (Dietl et al., 2000) telah menarik para peneliti. Pencapaian sifat ferromagnetik Mn:GaN di atas temperatur kamar dapat berpotensi menghasilkan pemancar cahaya yang terpolarisasi lingkaran, MRAM, spin-valve, dan transistor spin yang bekerja pada temperatur kamar. Dalam semua devais tersebut, selain muatan, spin pembawa dimanfaatkan untuk mengembangkan devais baru. Banyak proses penumbuhan film tipis epitaksi telah dikembangkan, di antaranya adalah molecular beam epitaxy (MBE), hydride vapor phase epitaxy (HVPE), metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), Sputtering, dan Teknik Implantasi Ion. Pada penelitian ini, film tipis GaN akan ditumbuhkan di atas substrat silikon menggunakan metode sputtering. Setelah film GaN berhasil ditumbuhkan, pendadahan oleh Mn dilakukan menggunakan teknik implantasi ion. Film GaN yang didadah oleh Mn ini kemudian diteliti sifat listrik dan sifat magnetiknya serta potensinya untuk aplikasi spintronik. 1.2 Tujuan Penelitian Tujuan umum penelitian ini adalah menumbuhkan film tipis Mn:GaN menggunakan metode sputtering dan teknik implantasi ion dan menyelidiki karakteristik sifat listrik dan sifat magnetik film tersebut serta potensinya untuk aplikasi spintronik. 1.3 Ruang Lingkup dan Batasan Penelitian Berdasarkan tujuan penelitian di atas, ruang lingkup dan batasan penelitian ini sebagai berikut. 1. Penumbuhan film tipis GaN di atas substrat silikon menggunakan metode sputtering. 2. Pendadahan GaN oleh Mn dilakukan menggunakan teknik implantasi ion. Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 3

4 3. Karakterisasi struktur dan orientasi film tipis GaN yang didadah Mn dengan XRD (X-ray diffraction). 4. Morfologi permukaan film dengan analisis SEM (scanning electron microscope). 5. Komposisi atom dalam film (Ga, N, dan Mn) ditentukan dengan analisis EDX (energy dispersive X-ray spectroscope). 6. Sifat listrik (konduktivitas, konsentrasi, dan mobilitas pembawa muatan) diukur menggunakan metode Hall-van der Pauw. 7. Sifat magnetiknya diukur menggunakan VSM (vibrating sample magnetometry). II. TINJAUAN PUSTAKA 2.1 Gallium Nitrida Galium nitrida (GaN) merupakan bahan semikonduktor paduan golongan III-V. GaN telah banyak dimanfaatkan, baik untuk aplikasi elektronik maupun optoelektronik, seperti LED (light emitting diode), diode laser, dan transistor efek medan (FET, field effect transistor) frekuensi dan daya tinggi. Perkembangan dalam bidang ini terutama disebabkan oleh terobosan dalam penumbuhan film gallium nitrida kristal tunggal dengan kualitas tinggi. GaN merupakan bahan yang memiliki celah energi lebar. Pada temperatur kamar, celah energinya adalah 3,4 ev, yang setara dengan panjang gelombang 365 nm. Pada kondisi normal, GaN memiliki struktur kristal wurtzite heksagonal parameter kisi a = 3,189Å dan c = 5,186 Å seperti ditunjukkan pada Gambar 2.1. Gambar 2.1 Struktur wurzite heksagonal untuk GaN Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 4

5 GaN dinilai sebagai bahan semikonduktor yang menjanjikan untuk aplikasi spintronik. Prediksi bahwa GaN yang didadah dengan Mn sebesar 5% dan mengandung hole berkonsentrasi tinggi (3, cm -3 ) memiliki sifat ferromagnetik di atas temperatur kamar (Dietl et al., 2000) telah menarik para peneliti pada bidang ini. Pencapaian sifat ferromagnetik Mn:GaN di atas temperatur kamar dapat berpotensi menghasilkan pemancar cahaya yang terpolarisasi lingkaran, MRAM, spin-valve, dan transistor spin yang bekerja pada temperatur kamar. Dalam semua devais tersebut, selain muatan, spin pembawa dimanfaatkan untuk mengembangkan devais baru. Banyak proses penumbuhan film tipis epitaksi telah dikembangkan seperti molecular beam epitaxy (MBE), hydride vapor phase epitaxy (HVPE), metal organic chemical vapor deposition (MOCVD), dan turunan dari metode-metode tersebut. Sejak beberapa tahun yang lalu, MOCVD telah berkembang menjadi teknik terdepan untuk memproduksi devais optoelektronik dan mikroelektronik berbasis paduan nitrida III-V. Salah satu prestasi yang dicapai adalah keberhasilan penumbuhan GaN untuk aplikasi LED biru. Karakteristik metode ini meliputi penggunaan sumber kimia berkemurnian tinggi, uniformitas dan kendali komposisi berderajat tinggi, laju penumbuhan tinggi, potensi manufaktur skala besar, dan kemampuan untuk menumbuhkan sambungan abrupt. Meskipun belum ada substrat yang benar-benar cocok untuk menumbuhkan GaN, Al2O3 (safir) merupakan substrat yang paling sering digunakan. Harga ketaksesuaian kisi antara substrat safir dan GaN adalah 13% - 16% (Reed, 2003). Hal tersebut menunjukkan bahwa dislokasi yang cukup banyak dapat terjadi dalam film GaN untuk mengatasi tekanan. Substrat lain yang telah digunakan dalam penumbuhan GaN adalah Si, SiC, dan GaAs, tetapi kesemuanya itu memiliki ketaksesuaian kisi dengan GaN. Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 5

6 2.2 Diluted Magnetic Semiconductor (DMS) dan Perkembangan Mn:GaN Penelitian tentang semikonduktor magnetik dengan susunan atom-atom secara periodik, seperti europium chalcogenides atau semiconducting spinels, dimulai tahun Beberapa kemajuan telah dicapai, tetapi penumbuhan bahan seperti ini sulit dilakukan. Selain itu, struktur kristal semikonduktor tersebut berbeda dengan semikonduktor biasa. Kesulitan lainnya adalah belum tersedianya semikonduktor yang memiliki kesesuaian kisi untuk digunakan sebagai substrat atau, dengan kata lain, tidak sesuai dengan teknologi semikonduktor yang telah ada (Ohno, 1998). Penelitian selanjutnya difokuskan pada semikonduktor nonmagnetik dengan fraksi kecil dari unsur nonmagnetik diganti oleh ion magnetik, umumnya logam transisi. Ion magnetik, berperan sebagai pengotor, memberikan momen magnetik spin dari elektron yang dimilikinya. Campuran (alloy) antara semikonduktor nonmagnetik sebagai induk dan ion magnetik ini dikenal dengan istilah diluted magnetic semiconductor (DMS). Istilah diluted digunakan dalam bahan tersebut karena konsentrasi ion magnetiknya relatif kecil. Perbedaan antara semikonduktor biasa, semikonduktor magnetik, dan DMS diperlihatkan pada Gambar 2.2. A B C Gambar 2.2 (A) semikonduktor biasa, (B) semikonduktor magnetik, dan (C) DMS (Ohno,1998). Pada umumnya semikonduktor akan mengalami perubahan sifat jika didadah dengan pengotor, yaitu menjadi semikonduktor tipe-n atau tipe-p. Pendadahan ion magnetik ke dalam semikonduktor nonmagnetik pun diharapkan dapat mengubah Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 6

7 semikonduktor tersebut menjadi bersifat magnetik (paramagnetik, antiferromagnetik, ferromagnetik). Sifat-sifat magnetik ini tidak dimiliki oleh bahan semikonduktor biasa (Pearton, et al., 2003). Sejauh ini, semikonduktor paduan III-V merupakan semikonduktor yang banyak digunakan dalam bidang elektronika. Kenyataan tersebut mendorong beberapa ahli untuk mengubah sifat nonmagnetik semikonduktor paduan III-V menjadi magnetik atau bahkan ferromagnetik dengan cara memasukkann ion magnetik dengan konsentrasi tinggi. InMnAs merupakan DMS berbasis III-V yang pertama kali ditumbuhkan menggunakan metode MBE pada temperatur kurang dari 300 K. Selanjutnya, GaMnAs juga berhasil ditumbuhkan menggunakan metode yang sama. Temperatur rendah diperlukan agar ion Mn dengan konsentrasi tinggi, sekitar 5% atom, dapat diinkorporasikan ke dalam semikonduktor. Akan tetapi, InMnAs dan GaMnAs memiliki temperatur Currie jauh di bawah temperatur kamar, yakni sekitar 180 K, sehingga belum cocok untuk aplikasi devais spintronik yang memerlukan temperatur di atas temperatur kamar (Ohno, et al., 1999). Pada tahun 2000, Dietl, dkk., berhasil membuat model yang dapat memprediksikan temperatur Currie beberapa semikonduktor paduan III-V yang didadah dengan Mn. Harga prediksi temperatur Currie semikonduktor paduan III-V ditunjukkan pada Gambar 2.3. Berdasarkan model ini, bahan Mn:GaN diprediksi dapat memiliki temperatur Currie di atas temperatur kamar (>300K) jika didadah dengan 5% atom Mn dan memiliki rapat lubang sebesar 3,5 2000) /cm 3 (Dietl et al., Model Dietl telah memicu penelitian lebih lanjut mengenai Mn:GaN, terutama dalam hal sintesis bahan. Pada tahun 2000, Gebicki, dkk.,. melaporkan bahwa bahan Mn:GaN dalam bentuk kristal bulk berhasil ditumbuhkan dengan metode resublimasi dengan konsentrasi Mn bervariasi dari 0,1% sampai dengan 2,0% dan volume kristal bervariasi dari 0,1 mm 3 sampai dengan 1,0 mm 3 (Gebicki, et al., 2000). Pada tahun 2001, Szczytko, dkk., melaporkan bahwa kristal bulk Mn:GaN berhasil ditumbuhkan dengan mereaksikan campuran Ga/Mn atau Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 7

8 GaN/Mn dengan amonia pada temperatur 1200 o C 1250 o C pada tekanan normal. Hasilnya menunjukkan bahwa kristal bulk Mn:GaN bersifat paramagnetik. Komponen antiferromagnetik dalam Mn:GaN disebabkan oleh interaksi ion-ion Mn (Szczytko et al., 2001). 500 Harga prediksi temperatur Currie (K) GaN 400 ZnO InN 300 AlP 200 Si AlAs GaAs 100 Ge GaP InAs InP GaSb 0 0,0 0,5 1,0 1,5 2,0 2,5 3,0 3,5 4,0 Celah pita energi semikonduktor (ev) Gambar 2.3 Harga prediksi temperatur Curie semikonduktor paduan III-V yang didadah Mn (Dietl, et al, 2000) Film Mn:GaN telah berhasil pula ditumbuhkan dengan metode MBE. Film Mn:GaN yang mula-mula ditumbuhkan memiliki konsentrasi Mn sekitar 7% dan konsentrasi pembawa tipe-n sebesar 2, cm -3. Film tersebut ditumbuhkan dengan menggunakan sumber padat Ga dan Mn dengan nitrogen reaktif berasal dari sumber plasma frekuensi radio. Film ini memperlihatkan temperatur Currie yang sangat rendah, yaitu sekitar 25 K (Overberg et al., 2001) Beberapa kelompok peneliti telah pula berhasil menumbuhkan Mn:GaN dengan metode MOCVD. Penumbuhan Mn:GaN di antaranya dilakukan pada temperatur 1060 C dan menggunakan tricarbonyl (methylcyclopentadienyl) manganese (TCM) sebagai sumber Mn (Korotkov et al, 2002 dan Polyakov et.al., 2002). Selain itu, film tipis Mn:GaN juga berhasil ditumbuhkan di atas substrat safir Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 8

9 (0006) mengggunakan metode yang sama, dengan sumber Mn adalah Ethylcyclopentadienyl manganese, (EtCp2)Mn. Temperatur penumbuhan yang dilaporkan, lebih rendah yaitu antara 850 C C. Temperatur Currie film Mn:GaN yang ditumbuhkan berbeda-beda, berkisar antara 228 K dan 520 K, bergantung pada kondisi penumbuhan yang digunakan (Reed, 2003). Dengan menggunakan metode yang sama dan sumber Mn yang berbeda, yaitu biscyclopentadienyl manganese (Cp 2 Mn) pada temperatur penumbuhan 900 C C telah pula dilaporkan film tipis Mn:GaN dengan berbagai konsentrasi Mn, dari 1,0-1,5 % (Kane, et al., 2005). 2.3 Metode Sputtering Deposisi sputter merupakan salah satu metode pendeposisian film menggunakan sputtering, yakni mengeluarkan atom dari sumber (target) dan dideposisikan pada substrat. Atom yang dikeluarkan dari target memiliki distribusi energi yang lebar hingga puluhan ev. Ion yang di-sputter dapat terbang secara balistik dari target dalam garis lurus dan berdampak secara energetik pada substrat atau kamar vakum. Alternatif lain, pada tekanan gas tinggi, ion-ion bertumbukan dengan atomatom gas yang bertindak sebagai moderator dan bergerak secara difusi, mencapai substrat atau dinding kamar vakum dan mengalami kondensasi setelah bergerak secara acak. Gas yang di-sputter biasanya gas inert seperti argon. Agar transfer momentumnya efisien, berat atom dari gas yang di-sputter harus dekat dengan berat atom target. Gas-gas reaktif juga dapat digunakan untuk men-sputter senyawa. Senyawa tersebut dapat dibentuk pada permukaan target atau pada substrat, bergantung pada parameter proses. Ketersediaan parameter yang mengendalikan deposisi sputter menyebabkan proses yang kompleks, tetapi juga memungkinkan untuk mengendalikan penumbuhan dan mikrostruktur film. Diagram proses deposisi sputter diperlihatkan pada Gambar 2.4. Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 9

10 Gambar 2.4 Proses deposisi pada metode sputtering ( Salah satu keuntungan penting dari deposisi sputter adalah dapat mensputter dengan mudah bahan yang titik didihnya tinggi meskipun evaporasi bahan tersebut dalam evaporator resistansi atau Knudsen sel merupakan masalah atau tidak mungkin. Film yang didedeposisi sputter memiliki komposisi mendekati bahan sumber. Perbedaannya adalah karena elemen-elemen yang berbeda menyebar secara berbeda karena perbedaan massanya (elemen ringan dibelokkan lebih mudah oleh gas) tetapi perbedaan ini konstan. Film yang di-sputter tipikalnya memiliki adhesi yang lebih baik pada substrat daripada film yang dievaporasikan. Target mengandung sejumlah besar bahan dan mempertahankan teknik pembuatan bebas yang cocok untuk aplikasi vakum ultratinggi. Sumber sputtering tidak mengandung bagian panas (untuk menghindari pemanasan biasanya didinginkan oleh air) dan cocok dengan gas reaktif seperti oksigen. Sputtering dapat dibentuk top-down sedangkan evaporasi harus dibentuk bottom-up. Proses lanjut seperti penumbuhan epitaksi adalah mungkin. Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 10

11 2.4 Mesin Implantor Ion Implantasi ion adalah proses pendadahan pada suatu bahan dengan cara menembakkan ion pengotor ke dalam bahan tersebut. Komponen-komponen dari mesin implantor ion terdiri dari sumber ion, sumber daya listrik tegangan tinggi, sistem hampa, sistem pemisah berkas ion, tabung pemercepat, penyapu berkas, dan tempat target. Secara skematik, mesin implantor ion disajikan pada Gambar 2.5. Gambar 2.5 Skema Implantor Ion (Sujitno, 2003) Sumber Ion merupakan komponen yang berfungsi untuk menghasilkan ion. Sumber ion dapat berujud gas/uap ataupun padatan. Sumber daya listrik tegangan tinggi yang diperlukan pada pengoperasian implantor ion meliputi: tegangan tinggi 0-5 kv (mengionisasi gas-gas dopan), tegangan tinggi 0 15 kv (mendorong ion keluar dari ruang ionisasi menuju tabung pemercepat), dan tegangan tinggi kv (untuk mempercepat ion dopan). Sistem hampa merupakan peralatan yang berfungsi untuk menghampakan sistem implantor ion. Agar ion-ion dapat mencapai sasaran tanpa mengalami tumbukkan dengan sisa molekul gas dalam sistem implantasi ion, maka sepanjang lintasan yang dilalui berkas ion dopan dari sistem sumber ion sampai ke sasaran Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 11

12 harus dalam keadaan hampa. Tingkat kehampaan yang diperlukan dalam sistem implantasi ion adalah dalam orde torr. Tabung Akselerator berfungsi sebagai pemercepat dan sekaligus pemfokus berkas ion. Ion yang dihasilkan oleh sumber ion akan dipercepat di dalam tabung akselerator sebelum dicangkokkan pada sasaran. Tabung pemercepat ini terbuat dari bahan keramik yang didalamnya berisi banyak elektrode dengan tegangan yang semakin negatif terhadap elektrode sebelumnya. Medan listrik yang terbentuk di antara elektrode-elektrode akan membentuk bidang ekuipotensial yang dapat berfungsi memfokuskan selain mempercepat berkas partikel bermuatan. Potensial pada elektrode diberikan melalui sistem pembagi tegangan yang terdiri dari beberapa tahanan. Antara elektrode timbul beda potensial yang besarnya hampir sama sehingga berkas ion mendapat penambahan energi yang hampir sama ketika melalui setiap elektrode. Sistem Pemisah Berkas Ion berfungsi sebagai alat untuk memisahkan berkas ion menurut massanya sehingga ion-ion yang sampai target betul-betul ion yang diinginkan. Komponen utama dari sistem pemisah berkas ion tersebut adalah kumparan elektromagnet. Sistem penyapu berkas ion digunakan untuk memperoleh penyinaran berkas pada permukaan secara seragam (uniform). Sistem ini terdiri dari dua pasang lempeng aluminium yang dipasang saling tegak lurus, agar berkas ion tersebar merata pada permukaan target. Sepasang lempeng pertama sebagi penyapu berkas secara vertikal dan sepasang lempeng kedua sebagai penyapu berkas secara horisontal. Kedua pasang lempeng diberi tegangan yang dapat diubah-ubah dari nol hingga beberapa kilo volt. Ruang Sasaran Berkas ion dopan yang dihasilkan oleh sumber ion setelah dipercepat dalam tabung akselerator selanjutnya ditembakkan pada bahan target yang diimplantasi. Bahan tersebut ditempatkan pada ruang sasaran. Ruang tersebut terdiri dari tingkap (aperture), mangkok Faraday, dan pegangan bahan yang akan diimplantasi. Untuk mengukur arus berkas ion dopan, mangkok faraday dihubungkan dengan alat ukur microamperemeter. Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 12

13 Dosis Ion Yang Diimplantasikan Dosis ion didefinisikan sebagai jumlah ion yang sampai pada permukaan target persatuan luas (ion/cm 2 ). Besaran ini akan menentukan jumlah atau persentase ion yang terimplantasi. Nilai dosis ion sebagai fungsi arus berkas ion dan lamanya proses implantasi (detik). Dalam praktiknya, nilai dosis ion dapat diatur melalui dua cara, yaitu dengan memvariasikan besarnya arus ion pada waktu tetap atau memvariasikan lamanya proses implantasi pada arus berkas ion tetap. Dosis ion yang diimplantasikan memenuhi persamaan: It D (1) qea dengan I = arus berkas ion (ampere), t = lamanya proses implantasi (detik), A = luasan berkas (cm 2 ), q= keadaan muatan (1, 2, 3,...), e= muatan elektron (1, C). Energi ion (kev) Besarnya energi ion diperoleh dari tegangan pemercepat yang terpasang pada tabung pemercepat. Energi kinetik berkas ion akan menentukan kedalaman penembusan (penetration depth) juga akan menentukan profil distribusi konsentrasi ion-ion dalam material target. Besar kecilnya energi ion ini dapat dikontrol dengan mengatur besarnya tegangan tinggi yang terpasang. III. METODOLOGI DAN DIAGRAM ALIR PENELITIAN 3.1 Metodologi Penelitian Penumbuhan GaN akan dilakukan di atas substrat silikon menggunakan metode sputtering. Sementara itu, pendadahan ion Mn pada film GaN akan dilakukan menggunakan teknik implantasi ion. Selanjutnya, karakterisasi struktur dan orientasi film tipis GaN dengan XRD (Xray diffraction). Morfologi permukaan film tipis Mn:GaN dengan analisis SEM (scanning electron microscope). Komposisi atom dalam Mn:GaN ditentukan dengan analisis EDX (energy dispersive X-ray spectroscope). Sifat magnetiknya diukur menggunakan VSM (vibrating sample magnetometry). Sifat listrik (konduktivitas, Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 13

14 konsentrasi, dan mobilitas pembawa muaran) diukur menggunakan metode Hallvan der Pauw. 3.2 Diagram Alir Penelitian Diagram alir penelitian seperti diperlihatkan pada Gambar 3.1. Kajian tentang penelitian bahan DMS berbasis GaN Studi proses penumbuhan film dengan metode sputtering dan implantasi ion Penumbuhan Film GaN Implantasi ion Mn pada GaN SEM/EDX/XRD Tidak Apakah film berhasil ditumbuhkan dengan baik? Ya Tidak Karakterisasi Sifat Listrik dan Magnetik Film Menarik simpulan Gambar 3.1 Diagram alir penelitian. Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 14

15 IV. JADWAL PENELITIAN Jadwal kegiatan penelitian seperti ditampilkan pada Tabel 4.1. Tabel 4.1 Jadwal Kegiatan Penelitian No. Uraian kegiatan Bulan ke Studi literatur 2. Penumbuhan film tipis GaN dan Pendadahan oleh Mn 3. Karakterisasi komposisi atom pada film, ketebalan film, dan morfologi permukaan film (EDX dan SEM) 4. Karakterisasi sifat kekristalan film dengan metode XRD 5. Karakterisasi sifat magnet film dengan metode VSM 6. Karakterisasi sifat listrik film menggunakan metode Hallvan der Pauw 7. Seminar dan Publikasi 8. Pembuatan Laporan Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 15

16 V. BIAYA PENELITIAN Biaya yang diperlukan untuk penelitian ini, secara garis besar, diuraikan dalam Tabel 5.1. Tabel 5.1 Uraian Pembiayaan No. Jenis Pengeluaran Jumlah (Rp.) 1. Honorarium tim peneliti ,00 2. Sewa peralatan penumbuhan film ,00 3. Sewa peralatan karakterisasi film ,00 4. Bahan habis pakai ,00 5. Perjalanan ,00 6. Lain-lain ,00 J u m l a h ,00 (dua puluh lima juta rupiah) Uraian Rincinya sebagai berikut. 1. Honorarium Tim Peneliti No. Tenaga Peneliti 1. Aip Saripudin 2. Budi Mulyanti 3. Yuda Muladi Perincian Tugas - Koordinator kegiatan penelitian - Penumbuhan film tipis Mn:GaN - Pengukuran dan analisis data SEM, EDX, XRD, - Pembuatan laporan dan publikasi - Analisis data - VSM, Hall-van der Pauw - Pengelolaan peralatan dan bahan habis - Pembuatan laporan dan publikasi - Analisis data - VSM, Hall-van der Pauw - Pengelolaan peralatan dan bahan habis - Pembuatan laporan dan publikasi J u m l a h Alokasi waktu 10 bulan 10 bulan 10 bulan Honorarium Jumlah (Rp.) /bulan , , , , , , ,00 (tujuh juta lima ratus ribu rupiah) Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 16

17 2. Sewa Peralatan Penumbuhan No. Nama Alat Penggunaan Harga satuan (Rp) Jumlah (Rp.) 1. Sputtering Deposisi film GaN , ,00 Aparatus (10 sampel) 2. Implantor Ion Implantasi ion Mn , ,00 (10 sampel) Jumlah ,00 (lima juta rupiah) 3. Sewa Peralatan Karakterisasi No. Jenis Alat Karakterisasi volume Biaya Jumlah (Rp.) satuan (Rp.) 1. XRD 10 sampel , ,00 2. SEM+EDX 10 sampel , ,00 3. VSM 10 sampel , ,00 4. Hall-van der Pauw 10 sampel , , ,00 (enam juta J u m l a h tujuh ratus lima puluh ribu rupiah) 4. Bahan Habis Pakai No. Nama Bahan Penggunaan Volume Harga Satuan Jumlah (Rp.) (Rp.) 1. Aceton pro-analysis Bahan kimia untuk 1 liter , ,00 (PA) preparasi substrat 2. Methanol PA Bahan kimia untuk 1 liter , ,00 preparasi substrat 3. De-Ionized water Bahan kimia untuk 5 liter , ,00 preparasi substrat 4. Substrat Si Bahan untuk 4 buah , ,00 penumbuhan film tipis Mn:GaN 5. Pasta perak Bahan untuk 1 botol , ,00 karakterisasi film tipis Mn:GaN dan perekat substrat pada susceptor 12. Indium (99,999%) Bahan untuk karakterisasi film tipis Mn:GaN 2 gram , , ,00 J u m l a h (dua juta tujuh ratus ribu rupiah) Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 17

18 4. Perjalanan No. Kota/Tempat Tujuan Jumlah volume Biaya satuan Jumlah (Rp.) peneliti (Rp.) 1. Bandung -Yogyakarta untuk 1 1 kali PP , ,00 penumbuhan film 2. Bandung-Tangerang untuk VSM 1 1 kali PP , , ,00 J u m l a h (tiga juta tujuh ratus lima puluh ribu rupiah) 5. Lain-lain No. Uraian volume Biaya satuan (Rp.) Jumlah (Rp.) 1. ATK (tinta printer, kertas A4, 1 set , ,00 ballpoint, flashdisk) 2. Penggandaan 10 eksemplar , ,00 3. Jurnal 1 kali , ,00 J u m l ah ,00 (satu juta tiga ratus ribu rupiah) Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 18

19 DAFTAR PUSTAKA Awschalom, D.D., Loss, D., dan Samarth, N. (Eds.) (2002), Semiconductor Spintronics and Quantum Computation, Springer-Verlag Berlin, Germany, vi. Chien, Y.J. (2007), Transition Metal-Doped Sb 2 Te 3 dan Bi 2 Te 3 Diluted Magnetic Semiconductor, Doctoral Dissertation, University of Michigan. Dietl, T., Matsukura, F., and Ohno, H. (2000), Zener Model Description of Ferromagnetism in Zinc-Blende Magnetic Semiconductor, Science, 287, Dietl, T. (2001), Ferromagnetic Interactions in Doped Semiconductor and Their Nanostructure, Journal of Applied Physucs, 89, 11, Fabian, J., Abiague, A.M., Ertler, C., Stano, P., and Zutic, I. (2007), Semiconductor Spintronics, acta physica slovaca, 57 (4 &5): p Filip, A.T., Hoving, B.H., Jedema, F.J., van Wees, B.J., Dutta, B., dan Borghs, S.(2000), Electrical spin injection and detection in a semiconductor. Is it feasible?, cond-mat/ v1. Gebicki, W., Strzeszewski, J., Kamler, G., Szczytko, T., and Podsiadlo, S., (2000), Raman Scattering Study of Ga1-xMnxN Crystals, Applied Physics Letters, 76, 26, Hirakawa, K., Oiwa, A., Hirakawa, K., Oiwa, A., Munekata, H. (2001), Infrared Optical Conductivity of In 1-xMnxAs, Physica E, 10, Holmberg, H. (2008), Spin-dependent Transport in Mn Doped GaAs and GaN Diode, Doctoral Dissertation, Helsinki University of Technology. Jonson, M. and Silsbee, R.H. (1985), Interfacial charge-spin coupling: Injection and detection of spin magnetization in metals, Physical Review Letter, 55(17): p Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 19

20 Jedema, F.J. (2002), Electrical Spin Injection in Metallic Mesoscopic Spin Valves, Doctoral Dissertation, Rijksuniversiteit Groningen. Lou et. al. (2007), Electrical detection of spin transport in lateral ferromagnetsemiconductor devices, Nature Physics, 3(3): p Kane, M.H., Asghar, A., Vestal, C.R., Strassburg, M., Senawiratne, J., Zhang, Z.J., Dietz, N., Summers, C.J., Ferguson, I.T. (2005): Magnetic and Optical Properties of Mn:GaN Grown by Metalorganic Chemical Vapour Deposition, Semicondutor Sciences and Technology, 20, Korotkov, R.Y., Reshchikov, M.A., dan Wessels, B.W. (2003): Acceptors in Undoped GaN Studied by Transient Photoluminescence, Physica B, 325, 1 7. Kronik, L., Jain, M., Chelikowsky, J.R. (2002), Electronic Structure and Spin Polarization of MnxGa1-xN, Physical Review B, 6, (R) Mulyanti, Budi (2006), Penumbuhan Film Tipis Semikonduktor Ferromagnetik GaN:Mn Dengan Metode PA-MOCVD dan Karakterisasinya, Disertasi Program Doktor, ITB. Munekata, H., Ohno, H., Von Molnar, S., Segmuller, A., Chang, L.L., Esaki, L. (1989), Diluted Magnetic III-V Semiconductors, Physical Review Letters, 63, 17, Ohno, H. (1999), Properties of Ferromagnetic III-V Semiconductors, Journal of Magnetism and Magnetic Materials, 200, Ohno, H. (1998), Making Nonmagnetic Semiconductor Ferromagnetic, Science, 281, Ohno, H., Matsukura, F., Oiwa, A., Endo, A., Katsumoto, S., and Iye, Y. (1996), (Ga,Mn)As: A New Diluted Magnetic Semiconductor Based on GaAs, Applied Physics Letters, 69, 3, Overberg, M.E., Abernathy, C.R., Pearton, S.J., Theodoropoulou, N.A., McCarthy, K.T., and Hebard, A.F. (2001), Indication of Ferromagnetism in Molecular Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 20

21 Beam Epitaxy Derrived n-type Mn:GaN, Applied Physics Letter, 79, 9, Pearton, S.J., Abernathy, C.R., Norton, D.P., Hebard, A.F., Park, Y.D., Boatner, L.A., dan Budai, J.D. (2003), Advances in Wide Bandgap Materials for Semiconductor Spintronics, Materials Science and Engineering, R 40, Pearton, S.J., Abernathy, C.R., Thaler, G.T., Frazier, R.M., Norton, D.P., Ren, F., Park, Y.D., Zavada, J.M., Buyanova, I.A., Chen, W.M., dan Hebard, A.F. (2004), Wide bandgap GaN-Based Semiconductors for Spintronics, Journal of Physics: Condense Matter, 16, R209 R245. Polyakov, A.Y., Govorkov, A.V., Smirnov, N.B., Pashkova, N.Y., Thaler, G.T., Overberg, M.E., Frazier, R., Abernathy, C.R., Pearton, S.J., Kim, J., and Ren, F. (2002), Optical and Electrical Properties of Mn:GaN Films Grown by Molecular-Beam Epitaxy, Journal of Applied Physics, 92, 9, Ramsteiner, M., Hao, H.Y., Kawaharazuka, A., Zhu, H.J., Kastner, M., Hey, R., Daweritz, L., Grahn, H.T., dan Ploog, K.H. (2002), Electrical Spin Injection from Ferromagnetic MnAs Metal Layers into GaAs, Physical Review B, 66, Reed, M.L. (2003), Growth and characterization of Room Temperature Ferromagnetic Mn:GaN ang Mn:InGaN for Spintronic Applications, Disertasi Doktor, North Carolina State University, 37-40, 148. Sato, K., and Katayama-Yoshida, H. (2001), Material Design of GaN-Based Ferromagnetic DMS s, Japanese Journal of Applied Physics, 40, 5B, L485- L487. Schmidt, G., and Molenkamp, L.W. (2002), Spin Injection into Semiconductors, physics and experiment, Semiconductor Sience and Technology, 17, 310. Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 21

22 Sofer, Z.,Sedmidubsky,D., Stejskal, J., Hejtmanek, J., Marysko, M., Jurek, K., Vaclavu, M., Havranek, V., dan mackova, A. (2008), Growth and characterization of Mn:GaN layers by MOVPE, Journal of Crystal Growth, 310, Sujitno, Tjipto (2003): Aplikasi Implantor Ion Untuk Nonsemikonduktor dan Semikonduktor, Pusat Penelitian dan Pengembangan Teknologi Maju, Batan, Yogyakarta. Supriyanto, Edy (2008), Penumbuhan Film Tipis Semikonduktor Ferromagnetik TiO2:Co/TiO2/TiO2:Co dan TiO2:Co/Si(100) Dengan MOCVD dan Penerapannya Dalam Injeksi Spin Elektron, Disertasi Program Doktor, ITB. Szczytko, T., Kamler, G., Strojeka, B., Weisbrod, G, Podsiado, S., Adamowicz, L., Gebicki, W., Szczytko, J., Twardowski, A., Sikorski, K. (2001), Growth of Bulk Ga1-xMnxN Single Crystals, Journal of Crystal Growth, 233, Sputter_deposition.htm, 20 Ferbruari Zhao, J.H., Matsukura, F., Abe, E., Chiba, D., Ohno, Y., Takamura, K., dan Ohno, H (2002): Growth and Properties of (Ga,Mn)As on Si (1 0 0) Substrate, Journal of Crystal Growth, , Zhu, H.J., Ramsteiner, M., Kostial, H., Wassermeier, M., Schonherr, H. P., Ploog, K.H. (2001), Room-Temperature Spin Injection From Fe into GaAs, Physical Review Letters, 87, 1, Zorpette, G. (2001), The Quest of Spin Transistor, IEEE Spectrum, USA. Zutic, I., Fabian, J., dan Das Sarma,S., (2004), Spintronics: Fundamentals and applications, Review of Modern Physics, Vol 76, 2004, Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 22

23 LAMPIRAN DAFTAR RIWAYAT HIDUP PENELITI A. Peneliti Pertama Nama dan Gelar Lengkap : Aip Saripudin, M.T. Tempat/Tanggal Lahir : Cimerak-Ciamis, 16 Januari 1970 Jenis Kelamin : Laki-laki NIP : Pangkat/Jabatan/Golongan : Penata/Lektor/IIIc Unit Kerja : JPTE-FPTK-UPI Alamat Rumah : Jl. Cigadung Selatan 8 Bandung Telepon: / aipsaripudin@yahoo.com Bidang Kepakaran : Material Elektronik Riwayat Pendidikan : No. Program Tahun Bidang studi / Spesialisasi Perguruan Tinggi 1. S Fisika ITB 2. S Teknik Elektro/Mikroelektronika ITB 3. S Fisika/Material Elektronik ITB Mata Kuliah Yang Diampu: No. Nama Mata Kuliah Jumlah SKS 1. Matematika 2 2. Kalkulus 3 3. Matematika Teknik 3 4. Analisis Numerik 2 5. Divais Gelombang Mikro 2 Pengalaman Penelitian: , Pemodelan dan Karakterisasi Perilaku Ponlinear Penguat Daya RF LDMOSFET, (Didanai DIPA UPI, sebagai ketua peneliti) , Meningkatkan Linieritas Penguat Daya Gelombang Mikro Menggunakan Predistorter Nonlinier (Didanai DIPA UPI, sebagai Anggota) , Predistortion Linearization of RF Power Amplifier Using DSP Method (Penelitian Pribadi) Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 23

24 , Characterization of Nonlinear Behavior of GaAs HFET Microwave Power Amplifier Based on Multitone Simulation and Measurement (Penelitian Pribadi) Daftar Publikasi: [1] Saripudin, A., Hutabarat, M.T., and Alam, B.R., Characterization of Nonlinear Behavior of GaAs HFET Power Amplifier IC Based on Multitone Measurement and Simulation, IEEE-APCCAS, Singapore, December [2] Saripudin, A., Hutabarat, M.T., and Alam, B.R., Nonlinear Characterization of LDMOS RF Power Amplifier Under Multitone Excitation, accepted on Asia- Pacific Microwave Conference 2003, Soul, South Korea. [3] Saripudin, A., Hutabarat, M.T., and Alam, B.R., Predistortion Linearization of RF Power Amplifier Using Digital Signal Processing (DSP) Method, accepted on Asia-Pacific Microwave Conference 2003, Soul, South Korea. [4] Saripudin A., Kajian Distorsi Intermodulasi pada Penguat Daya RF LDMOS, Seminar Nasional Pendidikan Teknik Elektro 2005, Universitas Negeri Yogyakarta, 3 September 2005 Daftar Seminar dan Konferensi yang diikuti: 1. Seminar Manajemen Inovasi dan Kewirausahaan Membangun Wirausaha Generasi Baru di Era Ekonomi Pengetahuan, Institut Teknologi Bandung, 10 Nopember The 2002 IEEE Asia Pacific Conference on Circuits and Systems, Hilton International Hotel, Singapore, December Workshop in Integrated Circuit Design Technology Building an IC Design Competency in Information Technology Era, Institut Teknologi Bandung, 26 Juli Seminar Nasional Pendidikan Teknik Elektro 2005 Pengembangan Sertifikasi Kompetensi Teknik Elektro Untuk Meningkatkan Daya Saing Sumber Daya Manusia Indonesia Menyongsong Pasar Global AFLA, Universitas Negeri Yogyakarta, 3 September Seminar dan Lokakarya Nasional dalam rangka Dies Natalis UPI ke-51 Standar Pendidik Bidang Pendidikan Teknologi dan Kejuruan Menurut PP. Nomor 19/2005 (Kualifikasi, Kompetensi, dan Sertifikasi), Universitas Pendidikan Indonesia, Desember Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 24

25 6. Pendidikan dan Pelatihan Pedagogik Bagi Dosen Muda Universitas Pendidikan Indonesia, Universitas Pendidikan Indonesia, Desember Bandung, 24 Februari 2010 Aip Saripudin, M.T. Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 25

26 B. Peneliti Kedua Nama dan Gelar Lengkap : Dr. Budi Mulyanti, M.Si. Tempat/Tanggal Lahir : Pemalang, 9 Januari 1963 Jenis Kelamin : Perempuan NIP : Pangkat/Jabatan/Golongan : Pembina/Lektor Kepala/IVa Unit Kerja : JPTE-FPTK-UPI Alamat Rumah : Jl. Ligar Permai 33 Bandung Tlp.: / b_mulyanti@yahoo.com Bidang Kepakaran : Fisika Material Elektronik Riwayat Pendidikan : No. Program Tahun Lulus Bidang studi / Spesialisasi Perguruan Tinggi 1. S Fisika ITB 2. S Fisika/ Material Elektronik ITB 3. S Fisika/ Material Elektronik ITB Mata Kuliah Yang Diampu: No. Nama Mata Kuliah Jumlah SKS 1. Fisika Dasar Fisika Dasar Fisika Material Elektronik 2 4. Divais Gelombang Mikro 2 5. Medan Elektromagnetik Medan Elektromagnetik 2 2 Pengalaman Penelitian: 1. Penumbuhan Material GaN:Mn dan Struktur hetero GaN/GaN:Mn di atas Substrat Silikon dengan Metode PA-MOCVD Untuk Aplikasi Divais MTJ, Study of Mn Incorporation into GaN:Mn Magnetic Semiconductor Thin Films Prepared by Plasma Assisted MOCVD, Penumbuhan Film Tipis Semikonduktor Ferromagnetik GaN:Mn dengan Metode PA-MOCVD dan Karakterisasinya, Penumbuhan Struktur Hetero Al x Ga 1-x N/GaN dan Aplikasinya untuk Heterostructure Field Effect Transistors (HFETs), Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 26

27 5. Simulasi Aliran Fluida Dengan Finite Element Method Laboratory (Femlab), Simulasi Medan Listrik dengan FEMLAB untuk Meningkatkan Efektivitas Pembelajaran, 2007 Daftar Publikasi: 1. Budi Mulyanti, D.Rusdiana, dan P. Arifin, Studi Penumbuhan Material DMS GaN:Mn dan Struktur GaN/ GaN:Mn Di Atas Substrat Silikon Dengan Metode PA-MOCVD Untuk Aplikasi Divais MTJ (2008), Jurnal Sains Materi Indonesia, Edisi Khusus November Budi Mulyanti, A. Subagio, F.S. Arsyad, P. Arifin, M. Barmawi, Irzaman, Z. Jamal and U. Hashim (2008): Effect of Growth Temperature and Mn Incorporation on GaN:Mn Thin Films Grown by Plasma-Assisted MOCVD, ITB Journal of Science, Vol 40A, No.2, Budi Mulyanti, A. Subagio, H. Sutanto, P.Arifin, M. Budiman, dan M. Barmawi, (2006): Study of Mn Incorporation Into GaN:Mn Magnetic Semiconductor Thin Films Prepared by Plasma Assisted MOCVD, Proc of 2006 ICONN 4. Budi Mulyanti, A. Subagio, E. Supriyanto, F. S. Arsyad, P. Arifin, M. Budiman, Mujamilah, dan M. Barmawi (2006): N-type Conductivity in Wurtzite Mndoped GaN Thin Films Grown by Plasma Assisted MOCVD, Journal of Mathematics and Science 5. Budi Mulyanti, Mujamilah, A. Subagio, F. S. Arsyad, P. Arifin, M. Budiman, Sukirno, dan M. Barmawi (2006): Sifat Struktur dan Sifat Magnetik Film Tipis GaN:Mn yang ditumbuhkan dengan Plasma Assisted MOCVD, Jurnal Sains Materi Indonesia, Edisi Khusus Oktober Heri Sutanto, A.Subagio, Budi Mulyanti, E Supriyanto, P.Arifin, Sukirno, M.Budiman, dan M.Barmawi (2006): Pengaruh Fraksi Molar Al terhadap Morfologi Permukaan Film Tipis AlGaN yang Ditumbuhkan dengan PA- MOCVD, Jurnal MIPA, Vol.29, No.1, (ISSN ) 7. Budi Mulyanti, A. Subagio, H. Sutanto, F. S. Arsyad, P. Arifin, M. Budiman, dan M.Barmawi (2005): Effect of V/III Ratio on Mn Incorporation into GaN:Mn Thin Films Deposited by Plasma Assisted MOCVD, Proc. of The 8 th International Conference on Quality in Research (QIR), MM Budi Mulyanti, A. Subagio, H. Sutanto, F. S. Arsyad, P. Arifin, M. Budiman, dan M. Barmawi (2005): Temperature Dependence of Mn Incorporation into GaN:Mn Deposited Using Plasma Assisted MOCVD, Proc. of Asian Physics Symposium, Fitri Suryani, B. Mulyanti, A. Supu, P. Arifin, M. Budiman, dan M.Barmawi (2005) The Dependence of Probability Distribution of Electron and Hole Fermi-Dirac Function on Size Fluctuation of GaN Quantum Dot Laser, Proc. of The 8 th International Conference on Quality in Research (QIR), OL2-03 Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 27

28 10. H. Sutanto, A. Subagio, Budi Mulyanti, F. S. Arsyad, P.Arifin, M. Budiman, dan M. Barmawi (2005): Influence of the Al Concentration on Electrical Properties of AlGaN Thin Films Grown on Si (111) Substrate by PA MOCVD, Proc. of Asian Physics Symposium (APS), H. Sutanto, A. Subagio, B. Mulyanti, E. Supriyanto, P. Arifin, Sukirno, M. Budiman, M. Barmawi, Pengaruh Lama Penumbuhan Lapisan Penyangga AIN Terhadap Sifat Listrik Galium Nitrida Yang Ditumbuhkan di atas Substrat Si(111) Dengan PA-MOCVD, Kentingan Physics Forum, 24 September 2005, Solo, Indonesia. 12. Fitri S. Arsyad, Budi Mulyanti, H. Sutanto, A. Subagio, H. Saragih, E. Supriyanto, P. Arifin, dan M. Barmawi ((2005): Study of Crystal Structure and Surface Morphology of AlGaN Thin Film Deposited by PA MOCVD, Proc. of Asian Physics Symposium (APS), Budi Mulyanti, Fitri S. Arsyad, M. Barmawi, Sri Jatno, P.Arifin, and M. Budiman (2004): Effect of Growth Parameters on Deposition Rate of Ga 1-x Mn x N Thin Films Deposited Using Vertical Axisymmetric MOCVD Reactor, Prosiding Seminar MIPA IV, Budi Mulyanti, F. S. Arsyad, P.Arifin, M. Budiman, M.Barmawi, dan Sri Jatno W (2004): Depedence of Ga 1-x Mn x Thin Films Growth on Substrate Temperature in Vertical MOCVD Reactor by Numerical Simulation, Indonesian Journal of Physics, 15, 3, Fitri S. Arsyad, B. Mulyanti, M. Budiman, Sri Jatno, P. Arifin, dan M. Barmawi (2004): Pengaruh Geometri QD Kerucut Terhadap Probabilitas Distribusi Energi Transisi Optik, Prosiding Seminar MIPA IV, Budi Mulyanti, F.S. Arsyad, Soegianto S, M. Barmawi, dan Sri Jatno (2002): Simulasi Numerik Reaktor MOCVD Dengan Menggunakan FEMLAB, Kontribusi Fisika Indonesia, 13,2, 1-6 Daftar Seminar dan Konferensi yang diikuti: 1. Penyaji pada Pertemuan Ilmiah IPTEK Bahan 2008, PUSPIPTEK, Serpong, November Pembicara pada The Annual Physics Seminar, Bandung, Penyaji pada Pertemuan Ilmiah IPTEK Bahan 2006, PUSPIPTEK, Serpong, Oktober Pembicara pada Seminar Hasil Penelitian Tingkat UPI, Pembicara pada Asian Physics Symposium, Bandung, Presenter pada The Annual Physics Seminar, Bandung, Pembicara pada Seminar MIPA ITB, Bandung, Pembicara pada The Annual Physics Seminar, Bandung, 2003 Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 28

29 Pengalaman Pengabdian No. Nama Kegiatan, Tempat, Tahun Sumber Dana 1. Penyuluhan Ketrampilan Elektronika Digital Bagi Pemuda dan Karang Taruna di Kelurahan Sarijadi Kecamatan Sukasari, Kota Bandung, Penyuluhan Ketrampilan Elektronika Digital Bagi Pemuda dan Karang Taruna di Desa Lebakwangi, Kecamatan Arjasari, Kabupaten Bandung, 2004 UPI UPI Bandung, 24 Februari 2010 Dr. Budi Mulyanti, M.Si. NIP Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 29

30 C. Peneliti Ketiga Nama dan Gelar Lengkap : Yuda Muladi, Drs., S.T., M.Pd. Tempat/Tanggal Lahir : Yogyakarta, 09 Januari 1951 Jenis Kelamin : Laki-laki NIP : Pangkat/Jabatan/Golongan : Pembina Tk. I/Lektor Kepala/IVb Unit Kerja : JPTE-FPTK-UPI Alamat Rumah : Jl. Perumnas Blok 21 No. 5 Gg. Hidayah 1 Cimahi Telepon: yuda.muladi@gmail.com Bidang Kepakaran : Elektronika Komunikasi Riwayat Pendidikan : No. Program Tahun Lulus Bidang studi / Spesialisasi Perguruan Tinggi 1. D Teknik Elektro IKIP Bandung 2. S Elektronika Komunikasi IKIP Bandung 3. S Fisika IKIP Jakarta 4. S Teknik Elektronika Komunikasi UNJANI Cimahi Mata Kuliah Yang Diampu: No. Nama Mata Kuliah Jumlah SKS 1. Elektronika Komunikasi 3 2. Elektronika Digital 3 3. Sistem Kontrol Elektronika 3 4. Sistem Telemetri 3 5. Sistem Komunikasi Analog 3 6. Saluran Transmisi 3 Pengalaman Penelitian: , Rancang Bangun Trainer Mikrokontroler Sebagai Media Interaktif Untuk Meningkatkan Proses Belajar Mengajar di SMK (Dirjen Diknas, sebagai anggota) , Perancangan Pembuatan Antena (Wireless) Sebagai Optimasi Akses Internet di Jurusan Pendidikan Teknik Elektro FPTK UPI (Dirjen Diknas, sebagai ketua) Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 30

31 Daftar Seminar dan Konferensi yang diikuti: , Seminar Nasional Pendidikan Teknologi dan Kejuruan, FPTK UPI Bandung , The 2 nd UPI-UPSI Joint International Conference, UPI Bandung , Seminar dan Lokakarya nasional, UPI Bandung , Seminar dalam Rangka Dies Natalis UPI ke-50, UPI Bandung Pengalaman Pengabdian No. Nama Kegiatan, Tempat, Tahun Sumber Dana 1. Penyuluhan dan Pemanfaatan Tenaga Listrik di Desa Mangun Arga Kecamatan Cikeruh Kabupaten Subang, Penyuluhan Tentang Perbaikan dan Pemeliharaan Peralatan Elektronika bagi Pemuda di Kelurahan Isola Kecamatan Sukasari Kota Bandung, 1998 UPI UPI Bandung, 24 Februari 2010 Yuda Muladi, Drs., S.T., M.Pd. NIP Usulan Penelitian Hibah Kompetitif UPI 31