KARAKTERISTIK MORFOLOGI DAN OPTIK FILM TIPIS TiO 2 :Co YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE MOCVD DI ATAS SUBSTRAT SILIKON

Ukuran: px
Mulai penontonan dengan halaman:

Download "KARAKTERISTIK MORFOLOGI DAN OPTIK FILM TIPIS TiO 2 :Co YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE MOCVD DI ATAS SUBSTRAT SILIKON"

Transkripsi

1 PKMI KARAKTERISTIK MORFOLOGI DAN OPTIK FILM TIPIS TiO 2 :Co YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE MOCVD DI ATAS SUBSTRAT SILIKON Iing Mustain Jurusan pendidikan Fisika, Universitas Pendidikan Indonesia, Bandung ABSTRAK Telah dilakukan karakterisasi film tipis TiO 2 :Co yang ditumbuhkan dengan metode MOCVD di atas substrat silikon dengan temperatur penumbuhan yang bervariasi. Karakterisasi meliputi morfologi, karakteristik optik, kekristalan, dan sifat kemagnetan dengan menggunakan Scanning Electron Microscope (SEM), Photoluminescence (PL), X-Ray diffractometer (XRD), dan Vibrating Sample Magnetometer (VSM). Hasil karakterisasi menunjukkan bahwa morfologi film sangat dipengaruhi oleh temperatur penumbuhan yang digunakan. Morfologi film terbaik terjadi pada film yang ditumbuhkan dengan temperatur 450 o C, yang ditandai dengan butiran kristal yang tersebar merata dan kompak membentuk ketebalan film yang merata. Pola pertumbuhan butiran berbentuk kolumnar. Kehadiran atom-atom Co dalam film ditandai dengan adanya pergeseran nilai celah pita energi dari celah pita energi bahan dasarnya TiO 2. Sampel film TiO 2 :Co yang ditumbuhkan dengan temperatur penumbuhan 450 o C memiliki orientasi kristal tunggal dengan struktur kristal anatase pada bidang (213). Film ini menunjukkan sifat ferromagnetik yang tergolong bahan magnet lunak (soft magnetic) yang ditandai dengan nilai koersifitas sekitar 100 Oersted. Kata kunci: Morfologi, Opik, MOCVD, TiO 2 :Co, temperatur penumbuhan PENDAHULUAN Adanya kendala dalam transport listrik pada sistem persambungan semikonduktor/sumber spin (logam feromagnetik) pada struktur piranti spintronik merupakan salah satu alasan dikembangkannya semikonduktor magnetik yang dikenal dengan Dilute Magnetic Semiconductor (DMS) sebagai pengganti bahan logam feromagnetik. Dengan menggunakan DMS, maka sistem persambungan semikonduktor/sumber spin (DMS) pada piranti spintronik akan memiliki kualitas baik karena keduanya sama-sama merupakan bahan semikonduktor sehingga akan memiliki konduktivitas listrik yang hampir sama. Dengan hampir samanya nilai konduktivitas listrik antara bahan semikonduktor dan bahan sumber spin, maka nilai efisiensi injeksi arus spin dari sumber spin dapat ditingkatkan, bahkan hingga nilai optimumnya (Flederling, R., 1999; Chambers, S. A., 2003) Semikonduktor magnetik dapat diperoleh dengan cara mendadah bahan semikonduktor dengan suatu elemen magnetik (Matsumoto, Y., 2001). Pengembangan DMS terutama diarahkan pada pencarian bahan yang memiliki temperatur curie yang tinggi (high temperature curie). Hal ini dilakukan dengan harapan divais spintronik yang dikembangkan nantinya dapat dioperasikan pada temperatur ruang (300 K). Pada awalnya, penelitian intensif dilakukan terhadap bahan semikonduktor GaAs yang didadah unsur Mn (GaAs:Mn) (Ohno, Y., 1999). Akan tetapi DMS ini memiliki temperatur curie di bawah temperatur kamar, yaitu sekitar 110 K. Sehingga bahan ini dinilai kurang manjanjikan untuk aplikasinya.

2 PKMI Pencarian bahan baru untuk kepentingan ini terus dilakukan, dan akhirakhir ini bahan semikonduktor oksida TiO 2 yang didadah unsure Cobalt (TiO 2 :Co) ditemukan menunjukkan sifat feromagnetisme pada temperatur ruang (Matsumoto, Y., 2001). Tentunya penemuan ini memberikan kemajuan yang signifikan dalam pengembangan bahan DMS selanjutnya. Sifat fisis bahan TiO 2 :Co dalam bentuk film tipis sangat dipengaruhi oleh metode dan kondisi penumbuhannya. Film TiO 2 :Co yang ditumbuhkan dengan metode PLD (pulsed laser deposition) pada tekanan parsial tinggi (>10-6 Torr) tidak menunjukka efek anomali, sementara penumbuhan pada tekanan parsial yang lebih rendah menghasilkan film dengan kekosongan oksigen tinggi, yang dapat menyebabkan peningkatan nilai resistivitas bahan (Hong, N. H., 2003). Penumbuhan film TiO 2 :Co dengan MBE (molecular beam epitaxy) menghasilkan kluster-kluster logam Co yang berukuran beberapa puluh nanometer yang menghasilkan pulau-pulau berkonduktivitas listrik tinggi (Yang, J. S., 2003). Salah satu metode penumbuhan film tipis semikonduktor yang akhir-akhir ini banyak dipergunakan adalah MOCVD (metalorganic chemical vapor deposition). Metode ini memiliki beberapa keunggulan terutama dalam hal menghasilkan film yang memiliki ketebalan merata dan sangat tipis, bahkan hanya beberapa monolayer saja, kemudahan dalam pengaturan persen dadahan, dan kemudahan dalam penumbuhan struktur multilapisan. Sehingga dengan menggunakan MOCVD, persen dadahan Co pada semikonduktor TiO 2 akan sangat mudah dikontrol. Parameter kunci dalam penumbuhan bahan semikonduktor dengan MOCVD adalah temperatur penumbuhan, laju alir sumber2- sumber metalorganik, dan tekanan reaktor (Razeghi, M., 1995) Dalam makalah ini dipaparkan tentang kebergantungan karakteristik film tipis TiO 2 :Co yang ditumbuhkan dengan MOCVD terhadap temperatur penumbuhan. Karakteristik film TiO 2 :Co yang ditinjau meliputi karakteristik kekristalan, morfologi, sifat optik dan respon magnetiknya. METODE PENDEKATAN Film tipis TiO 2 :Co ditumbuhkan dengan metode MOCVD di atas substrat silicon (100) dengan metode MOCVD vertikal, menggunakan parameter penumbuhan seperti ditunjukkan pada tabel 1. Sumber metalorganik yang digunakan adalah Cairan Titanium (IV) Isoproxide [Ti{OCH(CH 3 ) 2 } 4 ] 99,99 % dan serbuk Tris (2,2,6,6-tetramethyl-3,5 heptanedionato) cobalt (III), Co(TMHD) 3 99%, dan gas oksigen sebagai sumber O. Serbuk Co(TMHD) 3 dilarutkan dalam pelarut Tetrahydrofuran (THF,C 4 H 8 O) dengan konsentrasi 0,2 mol per liter. Hasil larutan dan bahan cair Ti{OCH(CH 3 ) 2 } 4 kemudian dicampur dengan perbandingan tertentu dan kemudian dimasukkan ke dalam bubbler yang dihubungkan dengan ruang reaksi dengan sistem pempipaan. Bubbler dipanaskan untuk menguapkan bahan. Uap bahan dialirkan dari bubbler ke ruang reaksi dengan dibonceng oleh gas Argon (Ar). Tekanan uap dalam bubbler dikendalikan dengan suatu katup pengendali. Tekanan awal ruang reaksi divakum hingga 10-2 Torr. Gas O 2 dilairkan ke ruang reaksi ketika proses penumbuhan berlangsung. Skema sistem reactor MOCVD vertikal yang digunakan untuk penumbuhan film TiO 2 :Co diperlihatkan pada gambar 1.

3 PKMI Tabel 1. Parameter penumbuhan film tipis TiO 2 :Co diatas substrat silikon Parameter deposisi Sampel penumbuhan #1 #2 #3 #4 Temperatur penumbuhan 400 o C 450 o C 500 o C 550 o C Temperatur bubbler (T b ) 50 o C 50 o C 50 o C 50 o C Tekanan uap bahan campuran (P b ) 260 Torr 260 Torr 260 Torr 260 Torr Laju aliran gas O Laju aliran gas Ar Tekanan total penumbuhan (P T ) 2 Torr 2 Torr 2 Torr 2 Torr Waktu penumbuhan 2 jam 2 jam 2 jam 2 jam Karakteristik kekristalan film diinvestigasi dari pola difraksi sinar-x hasil karakterisasi XRD (X-ray diffractometer) menggunakan radiasi Cu Kα (λ = 1,54056 A) merek Philips tipe PW3710. Ketebalan dan morfologi permukaan film dianalisis dari hasil pencitraan SEM (scanning electron microscope) tipe Jeol JSM 6360LA. Sifat optik diwakili oleh nilai celah pita energi optik bahan yang ditentukan berdasarkan hasil pengukuran PL (photoluminescence), dan sifat magnetic film diuji dengan sistem VSM (vibrating sample magnetometer). MFC Pencampur Gas Jalur pipa Yang dipanaskan MFC Manometer Jarum Katup Heater Ti,Co Ar O 2 Katup Throttle Filter Pompa Root Blower Pompa Rotary Bubbler Gambar 1. Skema reaktor MOCVD vertikal HASIL DAN PEMBAHASAN Dari hasil penumbuhan film tipis TiO 2 :Co dengan metode MOCVD diatas substrat silikon pada temperatur yang berbeda diperoleh empat sampel film

4 PKMI dengan masing-masing temperatur penumbuhan 400 o C, 450 o C, 500 o C, dan 550 o C. Morfologi film tipis TiO 2 :Co untuk masing-masing temperatur penumbuhan ditunjukkan oleh gambar 2. Dari keempat bentuk morfologi film TiO 2 :Co, sampel yang ditumbuhkan dengan temperatur penumbuhan 450 o C memiliki morfologi paling baik yang ditandai dengan ketebalan film yang seragam, batas butiran kristal tampak jelas dan pola pertumbuhan yang membentuk kolumnar, serta butiran-butiran kristal tersebar dengan sangat rapat tanpa membentuk pori. (a) (b) (c) (d) Gambar 2. Potret SEM penampang lintang film tipis TiO 2 :Co yang ditumbuhkan pada masing-masing temperatur (a) C, (b) C, (c) C, (d) C Karakeristik optik film tipis TiO 2 :Co ditunjukkan oleh gambar 3. Dari gambar tersebut dapat dilihat bahwa keempat sampel film tipis TiO 2 :Co yang ditumbuhkan memiliki karakteristik optik yang relatif sama. Puncak intensitas PL terjadi pada panjang gelombang 4440 Å, besar panjang gelombang ini bersesuaian dengan nilai celah pita (Eg) sekitar 2.79 ev. Masuknya Co pada matriks TiO 2 telah memperkecil nilai celah pita energi basisnya (TiO 2 ) yang bernilai sekitar 3,10 ev. Hasil karakteristik optik ini dapat dipastikan bahwa film TiO 2 :Co telah terbentuk. Dari hasil ini juga tampak bahwa variasi temperatur penumbuhan tidak mempengaruhi nilai Eg bahan. Pola difraksi sinar-x dari sampel film tipis TiO 2 :Co yang ditumbuhkan pada temperatur penumbuhan 450 o C ditunjukkan pada gambar 4. Tampak bahwa orientasi kekristalan bahan sudah mengarah pada orientasi kristal tunggal yaitu orientasi bidang anatase (213). Hal ini menunjukkan bahwa butiran penyusun film tumbuh ke sat arah orientasi tertentu yaitu arah bidang (213). Hasil ini sesuai dengan hasil potret SEM penampang lintang sampel ini yang menunjukkan

5 M(x10 3 )(emu/cm 3 ) Intensitas (a.u) In te n s ity (a.u PKMI bentuk butiran penyusun film yang secara umum seragam. Dengan tumbuhnya struktur kristal anatase, sangat menguntungkan dari segi kepemilikikan mobilitas pembawa muatan yang lebuh tinggi jika disbanding dengan struktur rutile. (d) Grafik PL Film Tipis TiO2 :Co Si (400) (c) (b) A(213) (a) Panjang Gelombang (Angstrom) Gambar 3. Grafik intensitas PL (a.u) terhadap panjang gelom-bang (Å) untuk setiap sampel yang ditumbuhkan pada temperatur penum-buhan : (a) 400 o C, (b) 450 o C, (c) 500 o C, dan (d) 550 o C Theta (derajat) Gambar 4. Pola XRD film tipis TiO 2 :Co yang ditumbuhkan pada temperatur 450 o C Hasil pengujian sifat kemagnetan film tipis TiO 2 :Co yang ditumbuhkan pada temperatur 450 o C ditunjukkan dengan kurva histerisis magnetisasi pada gambar 5. Dari kurva histerisis magnetisasi tersebut dapat ditentukan medan koersif sekitar 100 Oe, magnetisasi remanen sekitar 350 emu/cm 3 dan faktor demagnetisasi nya sekitar Berdasarkan nilai-nilai karakteristik kemagnetan ini, maka film tipis TiO 2 :Co yang ditumbuhkan tergolong pada magnet lunak (soft magnetic). Munculnya sifat kemagnetan bahan ini sekali lagi menunjukkan bahwa unsur magnetik Co telah masuk pada matrik TiO 2, karena awalnya bahan TiO 2 ini bukan merupakan bahan magnetik H (x10 3 )(O e) H ( x10 2 )( O e ) Gambar 5. Kurva Histerisis Magnetisasi Antara Medan koersif (Hc) Terhadap Magnetisasi Remanen (Mr) Pada Film Tipis TiO 2 :Co Yang Ditumbuhkan Pada Temperatur 450 o C. KESIMPULAN Berdasarkan hasil analisis data yang diperoleh dari berbagai hasil karakterisasi bahan TiO 2 :Co yang ditumbuhkan dengan MOCVD pada temperature penumbuhan bervariasi, maka dapat disimpulkan bahwa :

6 PKMI Karakteristik film tipis TiO 2 :Co yang ditumbuhkan dengan metode MOCVD secara umum dipengaruhi oleh temperatur penumbuhan yang digunakan. Morfologi film tipis terbaik terjadi pada sampel yang ditumbuhkan dengan temperatur penumbuhan 450 O C. 2. Pergeseran nilai pita energi TiO 2 :Co dari celah pita energi bahan dasarnya TiO 2 menunjukkan bahwa atom Co telah terinkorporasi kedalam matrik TiO 2. Variasi temperatur penumbuhan tidak mempengaruhi nilai celah pita energi optik bahan secara signifikan. 3. Struktur kekristalan film tipis TiO 2 :Co yang ditumbuhkan dengan temperatur penumbuhan 450 o C adalah anatase dengan orietasi kristal tunggal pada bidang (213). Film ini menunjukkan sifat feromagnetik yang tergolong magnet lunak (soft magnetic), yang ditandai dengan nilai medan koersifnya sekitar 100 Oe. DAFTAR PUSTAKA Flederling, R., Keim, M., Reuscher, G., Ossau, W., Schmidt, G., Waag, A., & Molenkamp, L. W., Injection and detection of a spin-polarized current in a light-emitting diode, Nature 402, 788 (1999) Chamber, S. A., & Yoo, Y, K., New materials for spintronic, MRS Bulettin 28, 706 (2003) Hong, N. H., Sakai, J., Prellier, W., & Hassini, A., Co distribution in ferromagnetic rutile Co-doped TiO 2 thin film grown by laser ablation on silicon substrate, Appl. Phys. Lett. 83, 3129 (2003) Matsumoto, Y., Murakami, M., Shono, T., Hasegawa, T., Fukumura, T., Kawasaki, M., Ahmet, P., Chikyow, T., Koshihara, s., & Koinuma, H., Room-temperature ferromagnetism in transparent transition metal-doped titanium dioxide, Science 291, 854 (2001) Ohno, Y., Young, D. K., Beschoten, B., matsukura, F., Ohno, H., & Awschalom, D. D., Electrical spin injection in a ferromagnetic semiconductor heterostructure, Nature 402, 790 (1999) Razeghi, M., The MOCVD Challenge Volume 2: A Survey of GaInAsP-GaAs for photonic and electronic device application, Institute of Physics Publishing, pp , Philadelphia, Pennsylvania (1995) Yang, J. S., Kim, D. H., Bu, S. D., Noh, T. W., Park, S. H., Khim, Z. G., Lyo, I. W., & Oh, S. J., Surface structures of a Co-doped anatase TiO 2 (001) film investigated by scanning tunneling microscopy, Appl. Phys. Lett. 82, 3080 (2003)

7 PKMI-3-5-7

Anisotropi Magnetik Film Tipis TiO 2 :Co yang Ditumbuhkan dengan Teknik MOCVD

Anisotropi Magnetik Film Tipis TiO 2 :Co yang Ditumbuhkan dengan Teknik MOCVD Jurnal Matematika dan Sains Vol. 10 No. 4, Desember 2005, hal 107-111 Anisotropi Magnetik Film Tipis TiO 2 :Co yang Ditumbuhkan dengan Teknik MOCVD Abstrak Horasdia Saragih 1,2), Pepen Arifin 1) dan Mohamad

Lebih terperinci

Magnetoresistansi Divais Spintronika TiO 2 :Co/Si/TiO 2 :Co

Magnetoresistansi Divais Spintronika TiO 2 :Co/Si/TiO 2 :Co Magnetoresistansi Divais Spintronika TiO 2 :Co/Si/TiO 2 :Co Edy Supriyanto, Horasdia Saragih, Maman Budiman, Pepen Arifin, Sukirno dan M. Barmawi Kelompok Keahlian Fisika Material Elektronik Fakultas Matematika

Lebih terperinci

Diterima Juni 2004, disetujui untuk dipublikasikan September 2004

Diterima Juni 2004, disetujui untuk dipublikasikan September 2004 Jurnal Matematika dan Sains Vol. 9 No. 3, September 2004, hal 263-268 Penumbuhan Film Tipis Ti 1-x Co x O 2 Dengan Metode MOCVD Horasdia Saragih 1,3), Mersi Kurniati 2), Akhiruddin Maddu 2), Pepen Arifin

Lebih terperinci

Studi Pengaruh Konsentrasi Co pada Struktur Kristal dan Respon Photoluminescence Film Tipis Ti 1-x Co x O 2 yang Ditumbuhkan dengan Teknik MOCVD

Studi Pengaruh Konsentrasi Co pada Struktur Kristal dan Respon Photoluminescence Film Tipis Ti 1-x Co x O 2 yang Ditumbuhkan dengan Teknik MOCVD PROC. ITB Sains & Tek. Vol. 37 A, No. 2, 2005, 101-114 101 Studi Pengaruh Konsentrasi Co pada Struktur Kristal dan Respon Photoluminescence Film Tipis Ti 1-x Co x O 2 yang Ditumbuhkan dengan Teknik MOCVD

Lebih terperinci

PENGARUH PENGOTOR Co PADA STRUKTUR DAN KONDUKTIVITAS FILM TIPIS TiO 2

PENGARUH PENGOTOR Co PADA STRUKTUR DAN KONDUKTIVITAS FILM TIPIS TiO 2 ISSN 1412 3762 http://jurnal.upi.edu/electrans ELECTRANS, VOL.12, NO.1, MARET 2013, 9-14 PENGARUH PENGOTOR Co PADA STRUKTUR DAN KONDUKTIVITAS FILM TIPIS TiO 2 Aip Saripudin, Tjetje Gunawan, Yuda Muladi

Lebih terperinci

Magnetoresistansi Divais Spintronika TiO 2 :Co/Si/TiO 2 :Co

Magnetoresistansi Divais Spintronika TiO 2 :Co/Si/TiO 2 :Co Magnetoresistansi Divais Spintronika TiO 2 :Co/Si/TiO 2 :Co Edy Supriyanto 1,2), Agus Subagio 1,3), Hery Sutanto 1,3), Horasdia Saragih 1), Maman Budiman 1), Pepen Arifin 1), Sukirno 1) dan Moehamad Barmawi

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN. Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban

BAB I PENDAHULUAN. Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban manusia di abad ini. Sehingga diperlukan suatu kemampuan menguasai teknologi tinggi agar bisa

Lebih terperinci

Efek Doping Co Pada Konstanta Kisi Film Tipis polikristal TiO 2 yang Dideposisikan dengan Teknik MOCVD

Efek Doping Co Pada Konstanta Kisi Film Tipis polikristal TiO 2 yang Dideposisikan dengan Teknik MOCVD Efek Doping Co Pada Konstanta Kisi Film Tipis polikristal TiO 2 yang Dideposisikan dengan Teknik MOCVD Aip Saripudin* Program Studi Teknik Elektro FPTK, Universitas Pendidikan Indonesia Email: asaripudin1604@gmail.com

Lebih terperinci

RINGKASAN HIBAH BERSAING

RINGKASAN HIBAH BERSAING Bidang Teknologi RINGKASAN HIBAH BERSAING PENUMBUHAN MATERIAL DMS GaN:Mn DAN STRUKTUR GaN/GaN:Mn DI ATAS SUBSTRAT SILIKON DENGAN METODE PA-MOCVD UNTUK APLIKASI DIVAIS MTJ Peneliti: Dr. Budi Mulyanti, MSi

Lebih terperinci

Studi Pengaruh Temperatur Penumbuhan terhadap Struktur Kristal dan Morfologi Film Tipis TiO 2 :Eu yang Ditumbuhkan dengan Metode MOCVD

Studi Pengaruh Temperatur Penumbuhan terhadap Struktur Kristal dan Morfologi Film Tipis TiO 2 :Eu yang Ditumbuhkan dengan Metode MOCVD Studi Pengaruh Temperatur Penumbuhan terhadap Struktur Kristal dan Morfologi Film Tipis TiO 2 :Eu yang Ditumbuhkan dengan Metode MOCVD Edy Supriyanto 1,2), Goib Wiranto 3), Heri Sutanto 1,4), Agus Subagio

Lebih terperinci

PROC. ITB Sains & Tek. Vol. 38 A, No. 2, 2006,

PROC. ITB Sains & Tek. Vol. 38 A, No. 2, 2006, PROC. ITB Sains & Tek. Vol. 38 A, No. 2, 2006, 117-131 117 Studi Penumbuhan Film Tipis Ti 1-x Co x O 2 dengan Teknik MOCVD Menggunakan Prekursor Titanium (IV) Isopropoxide dan Tris (2,2,6,6-tetramethyl-3,

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN. Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini

BAB I PENDAHULUAN. Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini terlihat dari banyaknya komponen semikonduktor yang digunakan disetiap kegiatan manusia.

Lebih terperinci

PENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR

PENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR PENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR Penumbuhan film tipis semikonduktor di atas substrat dapat dilakukan secara epitaksi. Dalam bahasa yunani epi berarti di atas dan taksial berarti menyusun dengan kata

Lebih terperinci

BAB III METODE PENELITIAN. Pelaksanaan penelitian ini pada dasarnya meliputi tiga tahapan proses

BAB III METODE PENELITIAN. Pelaksanaan penelitian ini pada dasarnya meliputi tiga tahapan proses BAB III METODE PENELITIAN Pelaksanaan penelitian ini pada dasarnya meliputi tiga tahapan proses diawali dengan tahap persiapan, tahap penumbuhan, dan tahap karakterisasi. Pada bab ini dibahas tentang metode

Lebih terperinci

Pengaruh Temperatur Penumbuhan terhadap Struktur Kristal dan Morfologi Film Tipis TiO 2 :Eu yang Ditumbuhkan dengan Metode MOCVD

Pengaruh Temperatur Penumbuhan terhadap Struktur Kristal dan Morfologi Film Tipis TiO 2 :Eu yang Ditumbuhkan dengan Metode MOCVD Pengaruh Temperatur Penumbuhan terhadap Struktur Kristal dan Morfologi Film Tipis TiO 2 :Eu yang Ditumbuhkan dengan Metode MOCVD Edy Supriyanto 1,2), Goib Wiranto 3), Heri Sutanto 1,4), Agus Subagio 1,4),

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN. Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini

BAB I PENDAHULUAN. Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini mengalami peralihan dari teknologi mikro (microtechnology) ke generasi yang lebih kecil yang dikenal

Lebih terperinci

Struktur kristal dan Morfologi film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan metoda Hot-Wire Pulsed Laser Deposition

Struktur kristal dan Morfologi film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan metoda Hot-Wire Pulsed Laser Deposition Struktur kristal dan Morfologi film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan metoda Hot-Wire Pulsed Laser Deposition Dadi Rusdiana Departemen Fisika, FPMIPA UPI, Jl. Dr.Setiabudi 229 Bandung, Indonesia 40154

Lebih terperinci

ARTIKEL ILMIAH HIBAH BERSAING

ARTIKEL ILMIAH HIBAH BERSAING ARTIKEL ILMIAH HIBAH BERSAING Bidang Teknologi PENUMBUHAN MATERIAL DMS GaN:Mn DAN STRUKTUR GaN/GaN:Mn DI ATAS SUBSTRAT SILIKON DENGAN METODE PA-MOCVD UNTUK APLIKASI DIVAIS MTJ Peneliti: Dr. Budi Mulyanti,

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN. Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia

BAB I PENDAHULUAN. Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia Tenggara. Sebagai negara berkembang, Indonesia melakukan swasembada diberbagai bidang, termasuk

Lebih terperinci

I. PENDAHULUAN. kimia yang dibantu oleh cahaya dan katalis. Beberapa langkah-langkah fotokatalis

I. PENDAHULUAN. kimia yang dibantu oleh cahaya dan katalis. Beberapa langkah-langkah fotokatalis I. PENDAHULUAN A. Latar Belakang Telah berkembang suatu mekanisme fotokatalis yang menerapkan pemanfaatan radiasi ultraviolet dan bahan semikonduktor sebagai fotokatalis, umumnya menggunakan bahan TiO2

Lebih terperinci

BAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI

BAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI BAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI Pada bab ini dibahas penumbuhan AlGaN tanpa doping menggunakan reaktor PA- MOCVD. Lapisan AlGaN ditumbuhkan dengan variasi laju alir gas reaktan, hasil penumbuhan dikarakterisasi

Lebih terperinci

BAB III METODE PENELITIAN. Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen yang dilakukan di

BAB III METODE PENELITIAN. Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen yang dilakukan di BAB III METODE PENELITIAN Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen yang dilakukan di lab. Fisika Material, Jurusan Pendidikan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN. Pesatnya perkembangan teknologi material semikonduktor keramik,

BAB I PENDAHULUAN. Pesatnya perkembangan teknologi material semikonduktor keramik, 1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang. Pesatnya perkembangan teknologi material semikonduktor keramik, menghasilkan berbagai penemuan baru khususnya dalam bidang elektronika. Salah satu teknologi yang

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN. disamping memberikan dampak positif yang dapat. dirasakan dalam melakukan aktifitas sehari hari, juga dapat memberikan beberapa

BAB I PENDAHULUAN. disamping memberikan dampak positif yang dapat. dirasakan dalam melakukan aktifitas sehari hari, juga dapat memberikan beberapa 1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Pada saat ini pembangunan mengalami pertumbuhan yang sangat pesat, seperti pembangunan fisik kota, industri dan transportasi. Pada pertumbuhan pembangunan tersebut

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN 1.1 LatarBelakang

BAB I PENDAHULUAN 1.1 LatarBelakang 1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 LatarBelakang Proses pembangunan disegala bidang selain membawa kemajuan terhadap kehidupan manusia, tetapi juga akan membawa dampak negative bagi lingkungan hidup. Industrialisasi

Lebih terperinci

STRUKTUR KRISTAL DAN MORFOLOGI TITANIUM DIOKSIDA (TiO 2 ) POWDER SEBAGAI MATERIAL FOTOKATALIS

STRUKTUR KRISTAL DAN MORFOLOGI TITANIUM DIOKSIDA (TiO 2 ) POWDER SEBAGAI MATERIAL FOTOKATALIS STRUKTUR KRISTAL DAN MORFOLOGI TITANIUM DIOKSIDA (TiO 2 ) POWDER SEBAGAI MATERIAL FOTOKATALIS SKRIPSI Oleh : Ahsanal Holikin NIM 041810201063 JURUSAN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang

BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Nanomaterial memiliki sifat unik yang sangat cocok untuk diaplikasikan dalam bidang industri. Sebuah material dapat dikatakan sebagai nanomaterial jika salah satu

Lebih terperinci

Molekul, Vol. 5, No. 1, Mei 2010 : KARAKTERISTIK FILM TIPIS TiO 2 DOPING NIOBIUM

Molekul, Vol. 5, No. 1, Mei 2010 : KARAKTERISTIK FILM TIPIS TiO 2 DOPING NIOBIUM KARAKTERISTIK FILM TIPIS TiO 2 DOPING NIOBIUM Bilalodin dan Mukhtar Effendi Program Studi Fisika, Jurusan MIPA Fakultas Sains dan Teknik UNSOED Email: bilalodin.unsoed@gmail.com ABSTRACT Niobium (Nb) doped

Lebih terperinci

BAB 1 PENDAHULUAN Latar Belakang

BAB 1 PENDAHULUAN Latar Belakang BAB 1 PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Memasuki abad 21, persediaan minyak dan gas bumi semakin menipis. Sementara kebutuhan akan energi semakin meningkat, terutama dirasakan pada negara industri. Kebuthan

Lebih terperinci

Deskripsi METODE UNTUK PENUMBUHAN MATERIAL CARBON NANOTUBES (CNT)

Deskripsi METODE UNTUK PENUMBUHAN MATERIAL CARBON NANOTUBES (CNT) 1 Deskripsi METODE UNTUK PENUMBUHAN MATERIAL CARBON NANOTUBES (CNT) Bidang Teknik Invensi Invensi ini berhubungan dengan metode untuk penumbuhan material carbon nanotubes (CNT) di atas substrat silikon

Lebih terperinci

PENGARUH FRAKSI MOL Mn/Ga LARUTAN TERHADAP KOMPOSISI DAN MIKRO STRUKTUR LAPISAN TIPIS GaN: Mn YANG DIDEPOSISI METODE SOL-GEL

PENGARUH FRAKSI MOL Mn/Ga LARUTAN TERHADAP KOMPOSISI DAN MIKRO STRUKTUR LAPISAN TIPIS GaN: Mn YANG DIDEPOSISI METODE SOL-GEL MT-45 PENGARUH FRAKSI MOL Mn/Ga LARUTAN TERHADAP KOMPOSISI DAN MIKRO STRUKTUR LAPISAN TIPIS GaN: Mn YANG DIDEPOSISI METODE SOL-GEL Heri Sutanto 1), Iis Nurhasanah 1), Istadi 2) 1) Jurusan Fisika, FSM Universitas

Lebih terperinci

ABSTRAK DAN EXECUTIVE SUMMARY PROGRAM PENELITIAN HIBAH BERSAING

ABSTRAK DAN EXECUTIVE SUMMARY PROGRAM PENELITIAN HIBAH BERSAING ABSTRAK DAN EXECUTIVE SUMMARY PROGRAM PENELITIAN HIBAH BERSAING Rancang Bangun Sensor Gas CO Berbasis Zinc Oxide Nanokristal Tahun ke-1 dari rencana 2 tahun Oleh: Dr. Edy Supriyanto, S.Si., M.Si(Ketua

Lebih terperinci

SINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION

SINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION SINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION Yolanda Oktaviani, Astuti Jurusan Fisika FMIPA Universitas Andalas e-mail: vianyolanda@yahoo.co.id

Lebih terperinci

Efek Magnetisasi Spontan dan Karakteristik Transport Listrik Film Tipis TiO 2 :Co yang ditumbuhkan dengan Metode MOCVD

Efek Magnetisasi Spontan dan Karakteristik Transport Listrik Film Tipis TiO 2 :Co yang ditumbuhkan dengan Metode MOCVD Jurnal Matematika dan Sains Vl. 10 N. 1, Maret 2005, hal 21-25 Abstrak Efek Magnetisasi Spntan dan Karakteristik Transprt Listrik Film Tipis TiO 2 :C yang ditumbuhkan dengan Metde MOCVD Hrasdia Saragih

Lebih terperinci

Penumbuhan Film Tipis Semikonduktor Ferromagnetik GaN:Mn Menggunakan Metode Plasma Assisted Metal Organic Chemical Vapor Deposition (PA-MOCVD)

Penumbuhan Film Tipis Semikonduktor Ferromagnetik GaN:Mn Menggunakan Metode Plasma Assisted Metal Organic Chemical Vapor Deposition (PA-MOCVD) Penumbuhan Film Tipis Semikonduktor Ferromagnetik GaN:Mn Menggunakan Metode Plasma Assisted Metal Organic Chemical Vapor Deposition (PA-MOCVD) Oleh Budi Mulyanti 30201015 Tim Pembimbing Dr. Sukirno Prof.

Lebih terperinci

PENGARUH KETEBALAN LAPISAN PENYANGGA TERHADAP KUALITAS FILM TIPIS GaN

PENGARUH KETEBALAN LAPISAN PENYANGGA TERHADAP KUALITAS FILM TIPIS GaN J. Sains Tek., Desember 2006, Vol. 12, No. 3, Hal.: 149-153 ISSN 0853-733X PENGARUH KETEBALAN LAPISAN PENYANGGA TERHADAP KUALITAS FILM TIPIS GaN Erzam S. Hasan 1, A. Subagio 2, Sugianto 3, M. Budiman 4,

Lebih terperinci

PEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS

PEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS PEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS Syuhada, Dwi Bayuwati, Sulaiman Pusat Penelitian Fisika-LIPI, Kawasan Puspiptek Serpong Tangerang 15314 e-mail: hadda212@yahoo.com

Lebih terperinci

Jurnal Sains Materi Indonesia Vol.6, No. 1, Oktober 2004.

Jurnal Sains Materi Indonesia Vol.6, No. 1, Oktober 2004. NISBAH GMR SUPERKISI Ag/NiFe/Ag/NiFe ABSTRAK Moh. Toifur 1, Prayoto 2, Kamsul Abraha 3 dan Ridwan 4 1 Jurucan Fisika Univesitas Ahmad Dahlan JI. Kapas No. 9, Semaki, Yogayakarta 55166 2 Jurusan Fisika

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang

BAB I PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Saat ini peran nanoteknologi begitu penting dalam pengembangan ilmu pengetahuan dan teknologi untuk kesejahteraan kehidupan manusia. Nanoteknologi merupakan bidang

Lebih terperinci

Oleh Budi Mulyanti NIM : Tim Pembimbing Dr. Sukirno Prof. Dr. M. Barmawi Dr. Pepen Arifin Dr. Maman Budiman

Oleh Budi Mulyanti NIM : Tim Pembimbing Dr. Sukirno Prof. Dr. M. Barmawi Dr. Pepen Arifin Dr. Maman Budiman PENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR FERROMAGNETIK GaN:Mn MENGGUNAKAN METODE PLASMA ASSISTED METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (PA- MOCVD) DAN KARAKTERISASINYA Oleh Budi Mulyanti NIM : 30201015 Tim

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN. I.1 Latar Belakang Kebutuhan akan energi semakin berkembang seiring dengan

BAB I PENDAHULUAN. I.1 Latar Belakang Kebutuhan akan energi semakin berkembang seiring dengan BAB I PENDAHULUAN I.1 Latar Belakang Kebutuhan akan energi semakin berkembang seiring dengan berkembangnya kehidupan manusia. Sehingga para peneliti terus berupaya untuk mengembangkan sumber-sumber energi

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN. Telah disadari bahwa kemajuan ilmu pengetahuan dan teknologi harus

BAB I PENDAHULUAN. Telah disadari bahwa kemajuan ilmu pengetahuan dan teknologi harus 1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Telah disadari bahwa kemajuan ilmu pengetahuan dan teknologi harus dibayar oleh umat manusia berupa pencemaran udara. Dewasa ini masalah lingkungan kerap

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang

BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang 1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Nanopatikel merupakan partikel mikroskopis yang memiliki ukuran dalam skala nanometer yaitu < 100 nm. Nanopartikel menjadi kajian yang sangat menarik, karena ketika

Lebih terperinci

Bab III Metodologi Penelitian

Bab III Metodologi Penelitian 28 Bab III Metodologi Penelitian III.1 Tahap Penelitian Penelitian ini terbagi dalam empat tahapan kerja, yaitu : Tahapan kerja pertama adalah persiapan bahan dasar pembuatan film tipis ZnO yang terdiri

Lebih terperinci

MEKANISME PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS ALLOY TERNARY GaAs 1-x Sb x DARI SUMBER-SUMBER METALORGANIK TMGa, TDMAAs DAN TDMASb PADA REAKTOR MOCVD ABSTRAK

MEKANISME PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS ALLOY TERNARY GaAs 1-x Sb x DARI SUMBER-SUMBER METALORGANIK TMGa, TDMAAs DAN TDMASb PADA REAKTOR MOCVD ABSTRAK MEKANISME PENUMBUAN LAPISAN TIPIS ALLOY TERNARY As 1-x Sb x DARI SUMBER-SUMBER METALORGANIK TM, TDMAAs DAN TDMASb PADA REAKTOR MOCVD A. Suhandi 1,2), P. Arifin 2), M. Budiman 2), dan M. Barmawi 2) 1) Jurusan

Lebih terperinci

Erfan Handoko 1, Iwan Sugihartono 1, Zulkarnain Jalil 2, Bambang Soegijono 3

Erfan Handoko 1, Iwan Sugihartono 1, Zulkarnain Jalil 2, Bambang Soegijono 3 SINTESIS DAN KARAKTERISASI MATERIAL MAGNET HIBRIDA BaFe 12 O 19 - Sm 2 Co 17 Erfan Handoko 1, Iwan Sugihartono 1, Zulkarnain Jalil 2, Bambang Soegijono 3 1 Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu

Lebih terperinci

BAB III METODOLOGI PENELITIAN. Metode yang digunakan dalam penelitian ini adalah metoda eksperimen.

BAB III METODOLOGI PENELITIAN. Metode yang digunakan dalam penelitian ini adalah metoda eksperimen. BAB III METODOLOGI PENELITIAN A. Metode Penelitian Metode yang digunakan dalam penelitian ini adalah metoda eksperimen. Penelitian dilakukan dengan beberapa tahapan yang digambarkan dalam diagram alir

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang

BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang 1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Nano material memiliki sifat mekanik, optik, listrik, termal, dan magnetik yang unik. Sifat sifat unik tersebut tidak ditemukan pada material yang berukuran bulk

Lebih terperinci

BAB III METODE PENELITIAN. Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Juli 2005 sampai Juni 2006, bertempat di

BAB III METODE PENELITIAN. Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Juli 2005 sampai Juni 2006, bertempat di BAB III METODE PENELITIAN 3.1 Tempat dan Waktu Penelitian Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Juli 2005 sampai Juni 2006, bertempat di Laboratorium Departemen Fisika, FMIPA, Universitas Indonesia, Depok

Lebih terperinci

Penumbuhan Lapisan Tipis Material Sensor Giant Magnetoresistance Berstruktur Sandwich dengan Metode Sputtering

Penumbuhan Lapisan Tipis Material Sensor Giant Magnetoresistance Berstruktur Sandwich dengan Metode Sputtering Penumbuhan Lapisan Tipis Material Sensor Giant Magnetoresistance Berstruktur Sandwich dengan Metode Sputtering 1,2 Ramli, 1 Mitra Djamal, 1 Freddy Haryanto & 1 Khairurrijal 1 Jurusan Fisika, Institut Teknologi

Lebih terperinci

HASIL DAN PEMBAHASAN

HASIL DAN PEMBAHASAN HASIL DAN PEMBAHASAN BaTiO 3 merupakan senyawa oksida keramik yang dapat disintesis dari senyawaan titanium (IV) dan barium (II). Proses sintesis ini dipengaruhi oleh beberapa faktor seperti suhu, tekanan,

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN. Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi

BAB I PENDAHULUAN. Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi energi listrik DC secara langsung. Sel surya telah diaplikasikan dalam berbagai bidang, salah

Lebih terperinci

2014 PEMBUATAN BILAYER ANODE - ELEKTROLIT CSZ DENGAN METODE ELECTROPHORETIC DEPOSITION

2014 PEMBUATAN BILAYER ANODE - ELEKTROLIT CSZ DENGAN METODE ELECTROPHORETIC DEPOSITION BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Kebutuhan listrik dunia semakin meningkat seiring berjalannya waktu. Hal ini tentu disebabkan pertumbuhan aktivitas manusia yang semakin padat dan kebutuhan

Lebih terperinci

Efek Annealing Pada Penumbuhan Film Tipis Ferroelektrik PbZr 0,625 Ti 0,375 O 3 (PZT)

Efek Annealing Pada Penumbuhan Film Tipis Ferroelektrik PbZr 0,625 Ti 0,375 O 3 (PZT) Kontribusi Fisika Indonesia Vol. 12 No.4, Oktober 2001 Efek Annealing Pada Penumbuhan Film Tipis Ferroelektrik PbZr 0,625 Ti 0,375 O 3 (PZT) Ngurah Ayu Ketut Umiati 1,2, Irzaman 1,3, Maman Budiman 1 dan

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang

BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Penggunaan TiO 2 sebagai fotokatalis diperkenalkan pertama kali oleh Fujishima dan Honda tahun 1972 mengenai pemecahan air menjadi oksigen dan hidrogen secara fotoelektrokimia

Lebih terperinci

STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPIS TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 S 0.8 ) HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA

STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPIS TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 S 0.8 ) HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA J. Sains Dasar 2015 4 (2) 198-203 STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPIS TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 S 0.8 ) HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA THE STRUCTURE AND CHEMICAL

Lebih terperinci

Efek doping Al pada sifat optik dan listrik lapisan tipis ZnO hasil deposisi dengan DC sputtering

Efek doping Al pada sifat optik dan listrik lapisan tipis ZnO hasil deposisi dengan DC sputtering JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 1, NOMER 1 JANUARI 2005 Efek doping Al pada sifat optik dan listrik lapisan tipis ZnO hasil deposisi dengan DC sputtering SriYaniPurwaningsih, 1 Karyono, 2 dansudjatmoko

Lebih terperinci

4 Hasil dan Pembahasan

4 Hasil dan Pembahasan 4 Hasil dan Pembahasan 4.1 Sintesis Padatan TiO 2 Amorf Proses sintesis padatan TiO 2 amorf ini dimulai dengan melarutkan titanium isopropoksida (TTIP) ke dalam pelarut etanol. Pelarut etanol yang digunakan

Lebih terperinci

III. METODOLOGI PENELITIAN. analisis komposisi unsur (EDX) dilakukan di. Laboratorium Pusat Teknologi Bahan Industri Nuklir (PTBIN) Batan Serpong,

III. METODOLOGI PENELITIAN. analisis komposisi unsur (EDX) dilakukan di. Laboratorium Pusat Teknologi Bahan Industri Nuklir (PTBIN) Batan Serpong, III. METODOLOGI PENELITIAN A. Tempat dan Waktu Penelitian Penelitian ini dilakukan di Laboratorium Biomassa, Lembaga Penelitian Universitas Lampung. permukaan (SEM), dan Analisis difraksi sinar-x (XRD),

Lebih terperinci

BAB III METODE PENELITIAN. penelitian ini dilakukan pembuatan keramik Ni-CSZ dengan metode kompaksi

BAB III METODE PENELITIAN. penelitian ini dilakukan pembuatan keramik Ni-CSZ dengan metode kompaksi 19 BAB III METODE PENELITIAN 3.1 Metode Penelitian Metode yang dilakukan pada penelitian ini adalah eksperimen. Pada penelitian ini dilakukan pembuatan keramik Ni-CSZ dengan metode kompaksi serbuk. 3.2

Lebih terperinci

Bab III Metodologi Penelitian

Bab III Metodologi Penelitian Bab III Metodologi Penelitian Penelitian ini dilaksanakan di Laboratorium Penelitian Kimia Analitik, Program Studi Kimia FMIPA ITB sejak September 2007 sampai Juni 2008. III.1 Alat dan Bahan Peralatan

Lebih terperinci

PENGARUH LAJU MOLAR Mn LARUTAN TERHADAP MIKROSTRUKTUR FILM LAPISAN GaN: Mn YANG DIDEPOSISI DI ATAS SUBSTRAT Si MENGGUNAKAN METODE CSD

PENGARUH LAJU MOLAR Mn LARUTAN TERHADAP MIKROSTRUKTUR FILM LAPISAN GaN: Mn YANG DIDEPOSISI DI ATAS SUBSTRAT Si MENGGUNAKAN METODE CSD PENGARUH LAJU MOLAR Mn LARUTAN TERHADAP MIKROSTRUKTUR FILM LAPISAN GaN: Mn YANG DIDEPOSISI DI ATAS SUBSTRAT Si MENGGUNAKAN METODE CSD Heri Sutanto 1), Eko Hidayanto 1), Iis Nurhasanah 1), Nursidi Yunanto

Lebih terperinci

BAB III METODOLOGI PENELITIAN. Lokasi penelitian dilakukan di Laboratorium Fisika Material, Jurusan

BAB III METODOLOGI PENELITIAN. Lokasi penelitian dilakukan di Laboratorium Fisika Material, Jurusan BAB III METODOLOGI PENELITIAN A. Lokasi dan Waktu Penelitian Lokasi penelitian dilakukan di Laboratorium Fisika Material, Jurusan Pendidikan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN. pembuatan piranti optoelektronika yang berkualitas tinggi.

BAB I PENDAHULUAN. pembuatan piranti optoelektronika yang berkualitas tinggi. BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Sejak ditemukannya silikon (Si) dan germanium (Ge) sebagai material semikonduktor, berbagai penelitian dilakukan untuk memperoleh material semikonduktor lain

Lebih terperinci

Penumbuhan Lapisan Tipis µc-si:h Tipe-P dengan Metode HW-PECVD untuk Aplikasi Sel Surya

Penumbuhan Lapisan Tipis µc-si:h Tipe-P dengan Metode HW-PECVD untuk Aplikasi Sel Surya Penumbuhan Lapisan Tipis µc-si:h Tipe-P dengan Metode HW-PECVD untuk Aplikasi Sel Surya Jasruddin, Abdul Haris, dan Helmi Departemen Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Negeri

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang

BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Dalam dasa warsa terakhir ini, telah dikembangkan suatu divais yang bekerja dengan cara memanfaatkan spin elektron untuk mengontrol pergerakan pembawa muatan, yaitu

Lebih terperinci

Sintesis Nanopartikel ZnO dengan Metode Kopresipitasi

Sintesis Nanopartikel ZnO dengan Metode Kopresipitasi Sintesis Nanopartikel ZnO dengan Metode Kopresipitasi NURUL ROSYIDAH Jurusan Fisika Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Institut Teknologi Sepuluh Nopember Pendahuluan Kesimpulan Tinjauan Pustaka

Lebih terperinci

PEMBUATAN SENSOR GAS HIDROGEN BERBASIS FILM TIPIS GaN DENGAN TEKNIK SOL GEL SPIN COATING UNTUK KOMPONEN PADA SISTEM PENDETEKSI KEBOCORAN GAS

PEMBUATAN SENSOR GAS HIDROGEN BERBASIS FILM TIPIS GaN DENGAN TEKNIK SOL GEL SPIN COATING UNTUK KOMPONEN PADA SISTEM PENDETEKSI KEBOCORAN GAS ISSN: 1693-1246 Januari 2013 http://journal.unnes.ac.id/nju/index.php/jpfi PEMBUATAN SENSOR GAS HIDROGEN BERBASIS FILM TIPIS GaN DENGAN TEKNIK SOL GEL SPIN COATING UNTUK KOMPONEN PADA SISTEM PENDETEKSI

Lebih terperinci

HASIL DAN PEMBAHASAN. Keterangan Gambar 7 : 1. Komputer 2. Ocean Optic USB 2000 Spektrofotometer

HASIL DAN PEMBAHASAN. Keterangan Gambar 7 : 1. Komputer 2. Ocean Optic USB 2000 Spektrofotometer 7 Keterangan Gambar 7 : 1. Komputer 2. Ocean Optic USB 2000 Spektrofotometer 3. Sumber Cahaya (Polikromatis) 4. Fiber Optik 5. Holder 6. Samp 7. Gambar 7 Perangkat spektrofotometer UV-VIS. Karakterisasi

Lebih terperinci

BAB IV RANCANGAN PENELITIAN SPRAY DRYING DAN SPRAY PYROLYSIS. Rancangan penelitian ini dibagi menjadi tiga tahapan utama :

BAB IV RANCANGAN PENELITIAN SPRAY DRYING DAN SPRAY PYROLYSIS. Rancangan penelitian ini dibagi menjadi tiga tahapan utama : BAB IV RANCANGAN PENELITIAN SPRAY DRYING DAN SPRAY PYROLYSIS Rancangan penelitian ini dibagi menjadi tiga tahapan utama : a. Uji kerja pemanas, pada penelitiaan ini akan dilihat kemampuan pemanas dan konsistensi

Lebih terperinci

STUDI EFEK FOTOVOLTAIK DAN PIROELEKTRIK Ba 0,75 Sr 0,25 TIO 3 (BST) YANG DIDADAH GALIUM (BGST) DI ATAS SUBSTRAT SI (100) TIPE-P ERDIANSYAH PRATAMA

STUDI EFEK FOTOVOLTAIK DAN PIROELEKTRIK Ba 0,75 Sr 0,25 TIO 3 (BST) YANG DIDADAH GALIUM (BGST) DI ATAS SUBSTRAT SI (100) TIPE-P ERDIANSYAH PRATAMA STUDI EFEK FOTOVOLTAIK DAN PIROELEKTRIK Ba 0,75 Sr 0,25 TIO 3 (BST) YANG DIDADAH GALIUM (BGST) DI ATAS SUBSTRAT SI (100) TIPE-P ERDIANSYAH PRATAMA DEPARTEMEN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN

Lebih terperinci

STUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI

STUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI Studi Pengaruh Suhu Substrat. (Rully Fakhry Muhammad) 303 STUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI STUDY

Lebih terperinci

BAB III METODE PENELITIAN

BAB III METODE PENELITIAN 37 BAB III METODE PENELITIAN Metode yang digunakan dalam pembuatan lapisan film tebal CuFe O 4 yaitu dengan menggunakan screen printing (penyablonan). Teknik screen printing merupakan salah satu metode

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN. luar biasa dalam penerapan nanosains dan nanoteknologi di dunia industri. Hal ini

BAB I PENDAHULUAN. luar biasa dalam penerapan nanosains dan nanoteknologi di dunia industri. Hal ini 1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Perkembangan sains dan teknologi pada bidang material dewasa ini sedang mengarah pada revolusi nanopartikel dimana dalam periode ini tejadi percepatan luar

Lebih terperinci

1. JUDUL PENELITIAN RANCANG BANGUN ALAT SPINCOATING

1. JUDUL PENELITIAN RANCANG BANGUN ALAT SPINCOATING 1. JUDUL PENELITIAN RANCANG BANGUN ALAT SPINCOATING SEDERHANA UNTUK PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR (Studi eksplorasi untuk pengembangan laboratorium fisika material ) 1 2. LATAR BELAKANG MASALAH

Lebih terperinci

I. PENDAHULUAN. Superkonduktor merupakan suatu bahan dengan konduktivitas tak hingga, karena

I. PENDAHULUAN. Superkonduktor merupakan suatu bahan dengan konduktivitas tak hingga, karena I. PENDAHULUAN A. Latar Belakang Superkonduktor merupakan suatu bahan dengan konduktivitas tak hingga, karena sifat resistivitas nol yang dimilikinya dan dapat melayang dalam medan magnet. Kedua sifat

Lebih terperinci

I. PENDAHULUAN. Lapisan tipis merupakan suatu lapisan dari bahan organik, anorganik, metal,

I. PENDAHULUAN. Lapisan tipis merupakan suatu lapisan dari bahan organik, anorganik, metal, 1 I. PENDAHULUAN A. Latar Belakang Lapisan tipis merupakan suatu lapisan dari bahan organik, anorganik, metal, maupun campuran metal-organik yang dapat memiliki sifat-sifat sebagai konduktor, semikonduktor,

Lebih terperinci

BAB II TINJAUAN PUSTAKA

BAB II TINJAUAN PUSTAKA BAB II TINJAUAN PUSTAKA 2.1. Pengertian Magnet Magnet merupakan benda yang terbuat dari bahan tertentu dengan sifat mampu menarik bahan ferromagnetik dan ferrimagnetik. Nama magnet diambil dari nama daerah

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang

BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Dalam dasa warsa terakhir ini, telah dikembangkan suatu divais yang bekerja dengan cara memanfaatkan spin elektron untuk mengontrol pergerakan pembawa muatan, yaitu

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN. kita terima bahwa pemakaian energi berbahan dasar dari fosil telah menjadi salah

BAB I PENDAHULUAN. kita terima bahwa pemakaian energi berbahan dasar dari fosil telah menjadi salah BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Menipisnya cadangan energi fosil di Indonesia dan kenyataan yang harus kita terima bahwa pemakaian energi berbahan dasar dari fosil telah menjadi salah satu

Lebih terperinci

KARAKTERISTIK FILM TIPIS GaAs YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE MOCVD MENGGUNAKAN SUMBER METALORGANIK BARU TDMAAs (Trisdimethylaminoarsenic)

KARAKTERISTIK FILM TIPIS GaAs YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE MOCVD MENGGUNAKAN SUMBER METALORGANIK BARU TDMAAs (Trisdimethylaminoarsenic) KARAKTERISTIK FILM TIPIS GaAs YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE MOCVD MENGGUNAKAN SUMBER METALORGANIK BARU TDMAAs (Trisdimethylaminoarsenic) A. Suhandi 1,3), H. Sutanto 2,3), P. Arifin 3), M. Budiman 3),

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah

BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Graphene merupakan susunan atom-atom karbon monolayer dua dimensi yang membentuk struktur kristal heksagonal menyerupai sarang lebah. Graphene memiliki sifat

Lebih terperinci

METODOLOGI PENELITIAN

METODOLOGI PENELITIAN 37 METODOLOGI PENELITIAN Tempat dan Waktu Penelitian Penelitian ini dilakukan di Laboratorium Material Departemen Fisika IPB dari Bulan November 2010 sampai dengan bulan Mei 2011. Bahan dan Alat Alat yang

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang

BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Dewasa ini, banyak penelitian dalam fisika material mampat mengenai semikonduktor yang difokuskan untuk aplikasi dalam bentuk divais spintronik, dimana spin elektron

Lebih terperinci

III. METODE PENELITIAN

III. METODE PENELITIAN 21 III. METODE PENELITIAN 3.1 Waktu dan Tempat Penelitian Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Agustus 2010 - Juni 2011 di Laboratorium Biofisika dan Laboratorium Fisika Lanjut, Departemen Fisika IPB.

Lebih terperinci

STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPISAN TIPIS Sn(So,4Te0,6) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM

STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPISAN TIPIS Sn(So,4Te0,6) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM Struktur dan Komposisi... (Eka Wulandari) 1 STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPISAN TIPIS Sn(So,4Te0,6) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM STRUCTURE AND CHEMICAL COMPOSITION OF Sn(S0,4Te0,6) THIN

Lebih terperinci

PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se 0,4 Te 0,6 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM

PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se 0,4 Te 0,6 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM Pengaruh Suhu Substrat...(Vina Hentri Tunita N.)288 PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se 0,4 Te 0,6 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM THE EFFECT OF SUBSTRATE

Lebih terperinci

Pengaruh Laju Molar Mn Larutan Terhadap Mikrostruktur Lapisan Tipis GaN:Mn yang Dideposisi di atas Substrat Si Menggunakan Metode Sol-Gel

Pengaruh Laju Molar Mn Larutan Terhadap Mikrostruktur Lapisan Tipis GaN:Mn yang Dideposisi di atas Substrat Si Menggunakan Metode Sol-Gel Berkala Fisika ISSN : 1410-9662 Vol. 14, No. 2, April 2011, hal 63-70 Pengaruh Laju Molar Mn Larutan Terhadap Mikrostruktur Lapisan Tipis GaN:Mn yang Dideposisi di atas Substrat Si Menggunakan Metode Sol-Gel

Lebih terperinci

PENGARUH DAYA PLASMA PADA STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING

PENGARUH DAYA PLASMA PADA STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING 134 Prosiding Pertemuan Ilmiah XXIV HFI Jateng & DIY, Semarang 10 April 2010 hal. 134-138 PENGARUH DAYA PLASMA PADA STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING

Lebih terperinci

BAB III METODOLOGI PENELITIAN

BAB III METODOLOGI PENELITIAN BAB III METODOLOGI PENELITIAN 3.1. METODE PENELITIAN Penelitian ini menggunakan metode eksperimen yang dilakukan melalui tiga tahap yaitu tahap pembuatan magnet barium ferit, tahap karakterisasi magnet

Lebih terperinci

BAB III METODOLOGI PENELITIAN

BAB III METODOLOGI PENELITIAN BAB III METODOLOGI PENELITIAN A. Metode Penelitian Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen secara kualitatif dan kuantitatif. Metode penelitian ini menjelaskan proses degradasi fotokatalis

Lebih terperinci

Pengaruh ketebalan lapisan penyangga pada struktur kristal film GaN yang ditumbuhkan dengan Pulsed Laser Deposition Dadi Rusdiana

Pengaruh ketebalan lapisan penyangga pada struktur kristal film GaN yang ditumbuhkan dengan Pulsed Laser Deposition Dadi Rusdiana Pengaruh ketebalan lapisan penyangga pada struktur kristal film GaN yang ditumbuhkan dengan Pulsed Laser Deposition Dadi Rusdiana Department fisika FPMIPA UPI, Jl. DR.Setia Budi 229 Bandung E-mail: dadi_rusdiana@upi.edu

Lebih terperinci

Bab IV Hasil dan Pembahasan

Bab IV Hasil dan Pembahasan 33 Bab IV Hasil dan Pembahasan Pada bab ini dilaporkan hasil sintesis dan karakterisasi dari senyawa yang disintesis. Senyawa disintesis menggunakan metoda deposisi dalam larutan pada temperatur rendah

Lebih terperinci

BAB V HASIL DAN PEMBAHASAN

BAB V HASIL DAN PEMBAHASAN BAB V HASIL DAN PEMBAHASAN Pada penelitian ini difabrikasi nanopartikel magnetik cobalt ferrite (CoFe 2 O 4 ) menggunakan metode kopresipitasi dengan konsentrasi NaOH 1,5 M, suhu 80 C dan lama pengadukan

Lebih terperinci

Pengaruh Waktu Milling dan Temperatur Sintering Pada Pembentukan Nanopartikel Fe 2 TiO 5 Dengan Metode Mechanical Alloying

Pengaruh Waktu Milling dan Temperatur Sintering Pada Pembentukan Nanopartikel Fe 2 TiO 5 Dengan Metode Mechanical Alloying JURNAL TEKNIK POMITS Vol. 1, No. 1-5 1 Pengaruh Waktu Milling dan Temperatur Sintering Pada Pembentukan Nanopartikel Fe 2 TiO 5 Dengan Metode Mechanical Alloying Rizky Kurnia Helmy dan Rindang Fajarin

Lebih terperinci

KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT GELAS UNTUK JENDELA SEL SURYA

KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT GELAS UNTUK JENDELA SEL SURYA GANENDRA, Vol. V, N0.2 ISSN 1410-6957 KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT GELAS UNTUK JENDELA SEL SURYA Wirjoadi, Yunanto, Bambang Siswanto, Sri Sulamdari, Sudjatmoko Puslitbang

Lebih terperinci

Karakterisasi Sensor TiO 2 Didoping ZnO untuk Mendeteksi Gas Oksigen

Karakterisasi Sensor TiO 2 Didoping ZnO untuk Mendeteksi Gas Oksigen 122 Karakterisasi Sensor TiO 2 Didoping ZnO untuk Mendeteksi Gas Oksigen Wahyuni Putri*, Elvaswer Jurusan Fisika, Kampus Limau Manis, Universitas Andalas, Padang 25163 *Wahyuniputri750@yahoo.com ABSTRAK

Lebih terperinci

BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang

BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pengembangan material yang memiliki ketahanan terhadap temperatur tinggi merupakan salah satu topik menarik yang terus dikaji oleh peneliti. Contoh aplikasi penggunaan

Lebih terperinci

BAB III METODE PENELITIAN

BAB III METODE PENELITIAN 29 BAB III METODE PENELITIAN A. Metode Penelitian Pada penelitian ini metode yang digunakan peneliti adalah metode eksperimen. Material yang digunakan berupa pasta TiO 2 produksi Solaronix, bubuk Dyesol

Lebih terperinci

BAB I 1 PENDAHULUAN. kemampuan mengubah bentuk radiasi cahaya menjadi sinyal listrik. Radiasi yang

BAB I 1 PENDAHULUAN. kemampuan mengubah bentuk radiasi cahaya menjadi sinyal listrik. Radiasi yang BAB I 1 PENDAHULUAN 1.1 LATAR BELAKANG MASALAH Fotodiode merupakan sebuah peranti semikonduktor yang memiliki kemampuan mengubah bentuk radiasi cahaya menjadi sinyal listrik. Radiasi yang dapat diterima

Lebih terperinci