KARAKTERISTIK MORFOLOGI DAN OPTIK FILM TIPIS TiO 2 :Co YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE MOCVD DI ATAS SUBSTRAT SILIKON
|
|
- Hartanti Vera Budiman
- 7 tahun lalu
- Tontonan:
Transkripsi
1 PKMI KARAKTERISTIK MORFOLOGI DAN OPTIK FILM TIPIS TiO 2 :Co YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE MOCVD DI ATAS SUBSTRAT SILIKON Iing Mustain Jurusan pendidikan Fisika, Universitas Pendidikan Indonesia, Bandung ABSTRAK Telah dilakukan karakterisasi film tipis TiO 2 :Co yang ditumbuhkan dengan metode MOCVD di atas substrat silikon dengan temperatur penumbuhan yang bervariasi. Karakterisasi meliputi morfologi, karakteristik optik, kekristalan, dan sifat kemagnetan dengan menggunakan Scanning Electron Microscope (SEM), Photoluminescence (PL), X-Ray diffractometer (XRD), dan Vibrating Sample Magnetometer (VSM). Hasil karakterisasi menunjukkan bahwa morfologi film sangat dipengaruhi oleh temperatur penumbuhan yang digunakan. Morfologi film terbaik terjadi pada film yang ditumbuhkan dengan temperatur 450 o C, yang ditandai dengan butiran kristal yang tersebar merata dan kompak membentuk ketebalan film yang merata. Pola pertumbuhan butiran berbentuk kolumnar. Kehadiran atom-atom Co dalam film ditandai dengan adanya pergeseran nilai celah pita energi dari celah pita energi bahan dasarnya TiO 2. Sampel film TiO 2 :Co yang ditumbuhkan dengan temperatur penumbuhan 450 o C memiliki orientasi kristal tunggal dengan struktur kristal anatase pada bidang (213). Film ini menunjukkan sifat ferromagnetik yang tergolong bahan magnet lunak (soft magnetic) yang ditandai dengan nilai koersifitas sekitar 100 Oersted. Kata kunci: Morfologi, Opik, MOCVD, TiO 2 :Co, temperatur penumbuhan PENDAHULUAN Adanya kendala dalam transport listrik pada sistem persambungan semikonduktor/sumber spin (logam feromagnetik) pada struktur piranti spintronik merupakan salah satu alasan dikembangkannya semikonduktor magnetik yang dikenal dengan Dilute Magnetic Semiconductor (DMS) sebagai pengganti bahan logam feromagnetik. Dengan menggunakan DMS, maka sistem persambungan semikonduktor/sumber spin (DMS) pada piranti spintronik akan memiliki kualitas baik karena keduanya sama-sama merupakan bahan semikonduktor sehingga akan memiliki konduktivitas listrik yang hampir sama. Dengan hampir samanya nilai konduktivitas listrik antara bahan semikonduktor dan bahan sumber spin, maka nilai efisiensi injeksi arus spin dari sumber spin dapat ditingkatkan, bahkan hingga nilai optimumnya (Flederling, R., 1999; Chambers, S. A., 2003) Semikonduktor magnetik dapat diperoleh dengan cara mendadah bahan semikonduktor dengan suatu elemen magnetik (Matsumoto, Y., 2001). Pengembangan DMS terutama diarahkan pada pencarian bahan yang memiliki temperatur curie yang tinggi (high temperature curie). Hal ini dilakukan dengan harapan divais spintronik yang dikembangkan nantinya dapat dioperasikan pada temperatur ruang (300 K). Pada awalnya, penelitian intensif dilakukan terhadap bahan semikonduktor GaAs yang didadah unsur Mn (GaAs:Mn) (Ohno, Y., 1999). Akan tetapi DMS ini memiliki temperatur curie di bawah temperatur kamar, yaitu sekitar 110 K. Sehingga bahan ini dinilai kurang manjanjikan untuk aplikasinya.
2 PKMI Pencarian bahan baru untuk kepentingan ini terus dilakukan, dan akhirakhir ini bahan semikonduktor oksida TiO 2 yang didadah unsure Cobalt (TiO 2 :Co) ditemukan menunjukkan sifat feromagnetisme pada temperatur ruang (Matsumoto, Y., 2001). Tentunya penemuan ini memberikan kemajuan yang signifikan dalam pengembangan bahan DMS selanjutnya. Sifat fisis bahan TiO 2 :Co dalam bentuk film tipis sangat dipengaruhi oleh metode dan kondisi penumbuhannya. Film TiO 2 :Co yang ditumbuhkan dengan metode PLD (pulsed laser deposition) pada tekanan parsial tinggi (>10-6 Torr) tidak menunjukka efek anomali, sementara penumbuhan pada tekanan parsial yang lebih rendah menghasilkan film dengan kekosongan oksigen tinggi, yang dapat menyebabkan peningkatan nilai resistivitas bahan (Hong, N. H., 2003). Penumbuhan film TiO 2 :Co dengan MBE (molecular beam epitaxy) menghasilkan kluster-kluster logam Co yang berukuran beberapa puluh nanometer yang menghasilkan pulau-pulau berkonduktivitas listrik tinggi (Yang, J. S., 2003). Salah satu metode penumbuhan film tipis semikonduktor yang akhir-akhir ini banyak dipergunakan adalah MOCVD (metalorganic chemical vapor deposition). Metode ini memiliki beberapa keunggulan terutama dalam hal menghasilkan film yang memiliki ketebalan merata dan sangat tipis, bahkan hanya beberapa monolayer saja, kemudahan dalam pengaturan persen dadahan, dan kemudahan dalam penumbuhan struktur multilapisan. Sehingga dengan menggunakan MOCVD, persen dadahan Co pada semikonduktor TiO 2 akan sangat mudah dikontrol. Parameter kunci dalam penumbuhan bahan semikonduktor dengan MOCVD adalah temperatur penumbuhan, laju alir sumber2- sumber metalorganik, dan tekanan reaktor (Razeghi, M., 1995) Dalam makalah ini dipaparkan tentang kebergantungan karakteristik film tipis TiO 2 :Co yang ditumbuhkan dengan MOCVD terhadap temperatur penumbuhan. Karakteristik film TiO 2 :Co yang ditinjau meliputi karakteristik kekristalan, morfologi, sifat optik dan respon magnetiknya. METODE PENDEKATAN Film tipis TiO 2 :Co ditumbuhkan dengan metode MOCVD di atas substrat silicon (100) dengan metode MOCVD vertikal, menggunakan parameter penumbuhan seperti ditunjukkan pada tabel 1. Sumber metalorganik yang digunakan adalah Cairan Titanium (IV) Isoproxide [Ti{OCH(CH 3 ) 2 } 4 ] 99,99 % dan serbuk Tris (2,2,6,6-tetramethyl-3,5 heptanedionato) cobalt (III), Co(TMHD) 3 99%, dan gas oksigen sebagai sumber O. Serbuk Co(TMHD) 3 dilarutkan dalam pelarut Tetrahydrofuran (THF,C 4 H 8 O) dengan konsentrasi 0,2 mol per liter. Hasil larutan dan bahan cair Ti{OCH(CH 3 ) 2 } 4 kemudian dicampur dengan perbandingan tertentu dan kemudian dimasukkan ke dalam bubbler yang dihubungkan dengan ruang reaksi dengan sistem pempipaan. Bubbler dipanaskan untuk menguapkan bahan. Uap bahan dialirkan dari bubbler ke ruang reaksi dengan dibonceng oleh gas Argon (Ar). Tekanan uap dalam bubbler dikendalikan dengan suatu katup pengendali. Tekanan awal ruang reaksi divakum hingga 10-2 Torr. Gas O 2 dilairkan ke ruang reaksi ketika proses penumbuhan berlangsung. Skema sistem reactor MOCVD vertikal yang digunakan untuk penumbuhan film TiO 2 :Co diperlihatkan pada gambar 1.
3 PKMI Tabel 1. Parameter penumbuhan film tipis TiO 2 :Co diatas substrat silikon Parameter deposisi Sampel penumbuhan #1 #2 #3 #4 Temperatur penumbuhan 400 o C 450 o C 500 o C 550 o C Temperatur bubbler (T b ) 50 o C 50 o C 50 o C 50 o C Tekanan uap bahan campuran (P b ) 260 Torr 260 Torr 260 Torr 260 Torr Laju aliran gas O Laju aliran gas Ar Tekanan total penumbuhan (P T ) 2 Torr 2 Torr 2 Torr 2 Torr Waktu penumbuhan 2 jam 2 jam 2 jam 2 jam Karakteristik kekristalan film diinvestigasi dari pola difraksi sinar-x hasil karakterisasi XRD (X-ray diffractometer) menggunakan radiasi Cu Kα (λ = 1,54056 A) merek Philips tipe PW3710. Ketebalan dan morfologi permukaan film dianalisis dari hasil pencitraan SEM (scanning electron microscope) tipe Jeol JSM 6360LA. Sifat optik diwakili oleh nilai celah pita energi optik bahan yang ditentukan berdasarkan hasil pengukuran PL (photoluminescence), dan sifat magnetic film diuji dengan sistem VSM (vibrating sample magnetometer). MFC Pencampur Gas Jalur pipa Yang dipanaskan MFC Manometer Jarum Katup Heater Ti,Co Ar O 2 Katup Throttle Filter Pompa Root Blower Pompa Rotary Bubbler Gambar 1. Skema reaktor MOCVD vertikal HASIL DAN PEMBAHASAN Dari hasil penumbuhan film tipis TiO 2 :Co dengan metode MOCVD diatas substrat silikon pada temperatur yang berbeda diperoleh empat sampel film
4 PKMI dengan masing-masing temperatur penumbuhan 400 o C, 450 o C, 500 o C, dan 550 o C. Morfologi film tipis TiO 2 :Co untuk masing-masing temperatur penumbuhan ditunjukkan oleh gambar 2. Dari keempat bentuk morfologi film TiO 2 :Co, sampel yang ditumbuhkan dengan temperatur penumbuhan 450 o C memiliki morfologi paling baik yang ditandai dengan ketebalan film yang seragam, batas butiran kristal tampak jelas dan pola pertumbuhan yang membentuk kolumnar, serta butiran-butiran kristal tersebar dengan sangat rapat tanpa membentuk pori. (a) (b) (c) (d) Gambar 2. Potret SEM penampang lintang film tipis TiO 2 :Co yang ditumbuhkan pada masing-masing temperatur (a) C, (b) C, (c) C, (d) C Karakeristik optik film tipis TiO 2 :Co ditunjukkan oleh gambar 3. Dari gambar tersebut dapat dilihat bahwa keempat sampel film tipis TiO 2 :Co yang ditumbuhkan memiliki karakteristik optik yang relatif sama. Puncak intensitas PL terjadi pada panjang gelombang 4440 Å, besar panjang gelombang ini bersesuaian dengan nilai celah pita (Eg) sekitar 2.79 ev. Masuknya Co pada matriks TiO 2 telah memperkecil nilai celah pita energi basisnya (TiO 2 ) yang bernilai sekitar 3,10 ev. Hasil karakteristik optik ini dapat dipastikan bahwa film TiO 2 :Co telah terbentuk. Dari hasil ini juga tampak bahwa variasi temperatur penumbuhan tidak mempengaruhi nilai Eg bahan. Pola difraksi sinar-x dari sampel film tipis TiO 2 :Co yang ditumbuhkan pada temperatur penumbuhan 450 o C ditunjukkan pada gambar 4. Tampak bahwa orientasi kekristalan bahan sudah mengarah pada orientasi kristal tunggal yaitu orientasi bidang anatase (213). Hal ini menunjukkan bahwa butiran penyusun film tumbuh ke sat arah orientasi tertentu yaitu arah bidang (213). Hasil ini sesuai dengan hasil potret SEM penampang lintang sampel ini yang menunjukkan
5 M(x10 3 )(emu/cm 3 ) Intensitas (a.u) In te n s ity (a.u PKMI bentuk butiran penyusun film yang secara umum seragam. Dengan tumbuhnya struktur kristal anatase, sangat menguntungkan dari segi kepemilikikan mobilitas pembawa muatan yang lebuh tinggi jika disbanding dengan struktur rutile. (d) Grafik PL Film Tipis TiO2 :Co Si (400) (c) (b) A(213) (a) Panjang Gelombang (Angstrom) Gambar 3. Grafik intensitas PL (a.u) terhadap panjang gelom-bang (Å) untuk setiap sampel yang ditumbuhkan pada temperatur penum-buhan : (a) 400 o C, (b) 450 o C, (c) 500 o C, dan (d) 550 o C Theta (derajat) Gambar 4. Pola XRD film tipis TiO 2 :Co yang ditumbuhkan pada temperatur 450 o C Hasil pengujian sifat kemagnetan film tipis TiO 2 :Co yang ditumbuhkan pada temperatur 450 o C ditunjukkan dengan kurva histerisis magnetisasi pada gambar 5. Dari kurva histerisis magnetisasi tersebut dapat ditentukan medan koersif sekitar 100 Oe, magnetisasi remanen sekitar 350 emu/cm 3 dan faktor demagnetisasi nya sekitar Berdasarkan nilai-nilai karakteristik kemagnetan ini, maka film tipis TiO 2 :Co yang ditumbuhkan tergolong pada magnet lunak (soft magnetic). Munculnya sifat kemagnetan bahan ini sekali lagi menunjukkan bahwa unsur magnetik Co telah masuk pada matrik TiO 2, karena awalnya bahan TiO 2 ini bukan merupakan bahan magnetik H (x10 3 )(O e) H ( x10 2 )( O e ) Gambar 5. Kurva Histerisis Magnetisasi Antara Medan koersif (Hc) Terhadap Magnetisasi Remanen (Mr) Pada Film Tipis TiO 2 :Co Yang Ditumbuhkan Pada Temperatur 450 o C. KESIMPULAN Berdasarkan hasil analisis data yang diperoleh dari berbagai hasil karakterisasi bahan TiO 2 :Co yang ditumbuhkan dengan MOCVD pada temperature penumbuhan bervariasi, maka dapat disimpulkan bahwa :
6 PKMI Karakteristik film tipis TiO 2 :Co yang ditumbuhkan dengan metode MOCVD secara umum dipengaruhi oleh temperatur penumbuhan yang digunakan. Morfologi film tipis terbaik terjadi pada sampel yang ditumbuhkan dengan temperatur penumbuhan 450 O C. 2. Pergeseran nilai pita energi TiO 2 :Co dari celah pita energi bahan dasarnya TiO 2 menunjukkan bahwa atom Co telah terinkorporasi kedalam matrik TiO 2. Variasi temperatur penumbuhan tidak mempengaruhi nilai celah pita energi optik bahan secara signifikan. 3. Struktur kekristalan film tipis TiO 2 :Co yang ditumbuhkan dengan temperatur penumbuhan 450 o C adalah anatase dengan orietasi kristal tunggal pada bidang (213). Film ini menunjukkan sifat feromagnetik yang tergolong magnet lunak (soft magnetic), yang ditandai dengan nilai medan koersifnya sekitar 100 Oe. DAFTAR PUSTAKA Flederling, R., Keim, M., Reuscher, G., Ossau, W., Schmidt, G., Waag, A., & Molenkamp, L. W., Injection and detection of a spin-polarized current in a light-emitting diode, Nature 402, 788 (1999) Chamber, S. A., & Yoo, Y, K., New materials for spintronic, MRS Bulettin 28, 706 (2003) Hong, N. H., Sakai, J., Prellier, W., & Hassini, A., Co distribution in ferromagnetic rutile Co-doped TiO 2 thin film grown by laser ablation on silicon substrate, Appl. Phys. Lett. 83, 3129 (2003) Matsumoto, Y., Murakami, M., Shono, T., Hasegawa, T., Fukumura, T., Kawasaki, M., Ahmet, P., Chikyow, T., Koshihara, s., & Koinuma, H., Room-temperature ferromagnetism in transparent transition metal-doped titanium dioxide, Science 291, 854 (2001) Ohno, Y., Young, D. K., Beschoten, B., matsukura, F., Ohno, H., & Awschalom, D. D., Electrical spin injection in a ferromagnetic semiconductor heterostructure, Nature 402, 790 (1999) Razeghi, M., The MOCVD Challenge Volume 2: A Survey of GaInAsP-GaAs for photonic and electronic device application, Institute of Physics Publishing, pp , Philadelphia, Pennsylvania (1995) Yang, J. S., Kim, D. H., Bu, S. D., Noh, T. W., Park, S. H., Khim, Z. G., Lyo, I. W., & Oh, S. J., Surface structures of a Co-doped anatase TiO 2 (001) film investigated by scanning tunneling microscopy, Appl. Phys. Lett. 82, 3080 (2003)
7 PKMI-3-5-7
Anisotropi Magnetik Film Tipis TiO 2 :Co yang Ditumbuhkan dengan Teknik MOCVD
Jurnal Matematika dan Sains Vol. 10 No. 4, Desember 2005, hal 107-111 Anisotropi Magnetik Film Tipis TiO 2 :Co yang Ditumbuhkan dengan Teknik MOCVD Abstrak Horasdia Saragih 1,2), Pepen Arifin 1) dan Mohamad
Lebih terperinciMagnetoresistansi Divais Spintronika TiO 2 :Co/Si/TiO 2 :Co
Magnetoresistansi Divais Spintronika TiO 2 :Co/Si/TiO 2 :Co Edy Supriyanto, Horasdia Saragih, Maman Budiman, Pepen Arifin, Sukirno dan M. Barmawi Kelompok Keahlian Fisika Material Elektronik Fakultas Matematika
Lebih terperinciDiterima Juni 2004, disetujui untuk dipublikasikan September 2004
Jurnal Matematika dan Sains Vol. 9 No. 3, September 2004, hal 263-268 Penumbuhan Film Tipis Ti 1-x Co x O 2 Dengan Metode MOCVD Horasdia Saragih 1,3), Mersi Kurniati 2), Akhiruddin Maddu 2), Pepen Arifin
Lebih terperinciStudi Pengaruh Konsentrasi Co pada Struktur Kristal dan Respon Photoluminescence Film Tipis Ti 1-x Co x O 2 yang Ditumbuhkan dengan Teknik MOCVD
PROC. ITB Sains & Tek. Vol. 37 A, No. 2, 2005, 101-114 101 Studi Pengaruh Konsentrasi Co pada Struktur Kristal dan Respon Photoluminescence Film Tipis Ti 1-x Co x O 2 yang Ditumbuhkan dengan Teknik MOCVD
Lebih terperinciPENGARUH PENGOTOR Co PADA STRUKTUR DAN KONDUKTIVITAS FILM TIPIS TiO 2
ISSN 1412 3762 http://jurnal.upi.edu/electrans ELECTRANS, VOL.12, NO.1, MARET 2013, 9-14 PENGARUH PENGOTOR Co PADA STRUKTUR DAN KONDUKTIVITAS FILM TIPIS TiO 2 Aip Saripudin, Tjetje Gunawan, Yuda Muladi
Lebih terperinciMagnetoresistansi Divais Spintronika TiO 2 :Co/Si/TiO 2 :Co
Magnetoresistansi Divais Spintronika TiO 2 :Co/Si/TiO 2 :Co Edy Supriyanto 1,2), Agus Subagio 1,3), Hery Sutanto 1,3), Horasdia Saragih 1), Maman Budiman 1), Pepen Arifin 1), Sukirno 1) dan Moehamad Barmawi
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban manusia di abad ini. Sehingga diperlukan suatu kemampuan menguasai teknologi tinggi agar bisa
Lebih terperinciEfek Doping Co Pada Konstanta Kisi Film Tipis polikristal TiO 2 yang Dideposisikan dengan Teknik MOCVD
Efek Doping Co Pada Konstanta Kisi Film Tipis polikristal TiO 2 yang Dideposisikan dengan Teknik MOCVD Aip Saripudin* Program Studi Teknik Elektro FPTK, Universitas Pendidikan Indonesia Email: asaripudin1604@gmail.com
Lebih terperinciRINGKASAN HIBAH BERSAING
Bidang Teknologi RINGKASAN HIBAH BERSAING PENUMBUHAN MATERIAL DMS GaN:Mn DAN STRUKTUR GaN/GaN:Mn DI ATAS SUBSTRAT SILIKON DENGAN METODE PA-MOCVD UNTUK APLIKASI DIVAIS MTJ Peneliti: Dr. Budi Mulyanti, MSi
Lebih terperinciStudi Pengaruh Temperatur Penumbuhan terhadap Struktur Kristal dan Morfologi Film Tipis TiO 2 :Eu yang Ditumbuhkan dengan Metode MOCVD
Studi Pengaruh Temperatur Penumbuhan terhadap Struktur Kristal dan Morfologi Film Tipis TiO 2 :Eu yang Ditumbuhkan dengan Metode MOCVD Edy Supriyanto 1,2), Goib Wiranto 3), Heri Sutanto 1,4), Agus Subagio
Lebih terperinciPROC. ITB Sains & Tek. Vol. 38 A, No. 2, 2006,
PROC. ITB Sains & Tek. Vol. 38 A, No. 2, 2006, 117-131 117 Studi Penumbuhan Film Tipis Ti 1-x Co x O 2 dengan Teknik MOCVD Menggunakan Prekursor Titanium (IV) Isopropoxide dan Tris (2,2,6,6-tetramethyl-3,
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini terlihat dari banyaknya komponen semikonduktor yang digunakan disetiap kegiatan manusia.
Lebih terperinciPENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR
PENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR Penumbuhan film tipis semikonduktor di atas substrat dapat dilakukan secara epitaksi. Dalam bahasa yunani epi berarti di atas dan taksial berarti menyusun dengan kata
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. Pelaksanaan penelitian ini pada dasarnya meliputi tiga tahapan proses
BAB III METODE PENELITIAN Pelaksanaan penelitian ini pada dasarnya meliputi tiga tahapan proses diawali dengan tahap persiapan, tahap penumbuhan, dan tahap karakterisasi. Pada bab ini dibahas tentang metode
Lebih terperinciPengaruh Temperatur Penumbuhan terhadap Struktur Kristal dan Morfologi Film Tipis TiO 2 :Eu yang Ditumbuhkan dengan Metode MOCVD
Pengaruh Temperatur Penumbuhan terhadap Struktur Kristal dan Morfologi Film Tipis TiO 2 :Eu yang Ditumbuhkan dengan Metode MOCVD Edy Supriyanto 1,2), Goib Wiranto 3), Heri Sutanto 1,4), Agus Subagio 1,4),
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini mengalami peralihan dari teknologi mikro (microtechnology) ke generasi yang lebih kecil yang dikenal
Lebih terperinciStruktur kristal dan Morfologi film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan metoda Hot-Wire Pulsed Laser Deposition
Struktur kristal dan Morfologi film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan metoda Hot-Wire Pulsed Laser Deposition Dadi Rusdiana Departemen Fisika, FPMIPA UPI, Jl. Dr.Setiabudi 229 Bandung, Indonesia 40154
Lebih terperinciARTIKEL ILMIAH HIBAH BERSAING
ARTIKEL ILMIAH HIBAH BERSAING Bidang Teknologi PENUMBUHAN MATERIAL DMS GaN:Mn DAN STRUKTUR GaN/GaN:Mn DI ATAS SUBSTRAT SILIKON DENGAN METODE PA-MOCVD UNTUK APLIKASI DIVAIS MTJ Peneliti: Dr. Budi Mulyanti,
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia Tenggara. Sebagai negara berkembang, Indonesia melakukan swasembada diberbagai bidang, termasuk
Lebih terperinciI. PENDAHULUAN. kimia yang dibantu oleh cahaya dan katalis. Beberapa langkah-langkah fotokatalis
I. PENDAHULUAN A. Latar Belakang Telah berkembang suatu mekanisme fotokatalis yang menerapkan pemanfaatan radiasi ultraviolet dan bahan semikonduktor sebagai fotokatalis, umumnya menggunakan bahan TiO2
Lebih terperinciBAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI
BAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI Pada bab ini dibahas penumbuhan AlGaN tanpa doping menggunakan reaktor PA- MOCVD. Lapisan AlGaN ditumbuhkan dengan variasi laju alir gas reaktan, hasil penumbuhan dikarakterisasi
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen yang dilakukan di
BAB III METODE PENELITIAN Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen yang dilakukan di lab. Fisika Material, Jurusan Pendidikan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Pesatnya perkembangan teknologi material semikonduktor keramik,
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang. Pesatnya perkembangan teknologi material semikonduktor keramik, menghasilkan berbagai penemuan baru khususnya dalam bidang elektronika. Salah satu teknologi yang
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. disamping memberikan dampak positif yang dapat. dirasakan dalam melakukan aktifitas sehari hari, juga dapat memberikan beberapa
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Pada saat ini pembangunan mengalami pertumbuhan yang sangat pesat, seperti pembangunan fisik kota, industri dan transportasi. Pada pertumbuhan pembangunan tersebut
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 LatarBelakang
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 LatarBelakang Proses pembangunan disegala bidang selain membawa kemajuan terhadap kehidupan manusia, tetapi juga akan membawa dampak negative bagi lingkungan hidup. Industrialisasi
Lebih terperinciSTRUKTUR KRISTAL DAN MORFOLOGI TITANIUM DIOKSIDA (TiO 2 ) POWDER SEBAGAI MATERIAL FOTOKATALIS
STRUKTUR KRISTAL DAN MORFOLOGI TITANIUM DIOKSIDA (TiO 2 ) POWDER SEBAGAI MATERIAL FOTOKATALIS SKRIPSI Oleh : Ahsanal Holikin NIM 041810201063 JURUSAN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Nanomaterial memiliki sifat unik yang sangat cocok untuk diaplikasikan dalam bidang industri. Sebuah material dapat dikatakan sebagai nanomaterial jika salah satu
Lebih terperinciMolekul, Vol. 5, No. 1, Mei 2010 : KARAKTERISTIK FILM TIPIS TiO 2 DOPING NIOBIUM
KARAKTERISTIK FILM TIPIS TiO 2 DOPING NIOBIUM Bilalodin dan Mukhtar Effendi Program Studi Fisika, Jurusan MIPA Fakultas Sains dan Teknik UNSOED Email: bilalodin.unsoed@gmail.com ABSTRACT Niobium (Nb) doped
Lebih terperinciBAB 1 PENDAHULUAN Latar Belakang
BAB 1 PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Memasuki abad 21, persediaan minyak dan gas bumi semakin menipis. Sementara kebutuhan akan energi semakin meningkat, terutama dirasakan pada negara industri. Kebuthan
Lebih terperinciDeskripsi METODE UNTUK PENUMBUHAN MATERIAL CARBON NANOTUBES (CNT)
1 Deskripsi METODE UNTUK PENUMBUHAN MATERIAL CARBON NANOTUBES (CNT) Bidang Teknik Invensi Invensi ini berhubungan dengan metode untuk penumbuhan material carbon nanotubes (CNT) di atas substrat silikon
Lebih terperinciPENGARUH FRAKSI MOL Mn/Ga LARUTAN TERHADAP KOMPOSISI DAN MIKRO STRUKTUR LAPISAN TIPIS GaN: Mn YANG DIDEPOSISI METODE SOL-GEL
MT-45 PENGARUH FRAKSI MOL Mn/Ga LARUTAN TERHADAP KOMPOSISI DAN MIKRO STRUKTUR LAPISAN TIPIS GaN: Mn YANG DIDEPOSISI METODE SOL-GEL Heri Sutanto 1), Iis Nurhasanah 1), Istadi 2) 1) Jurusan Fisika, FSM Universitas
Lebih terperinciABSTRAK DAN EXECUTIVE SUMMARY PROGRAM PENELITIAN HIBAH BERSAING
ABSTRAK DAN EXECUTIVE SUMMARY PROGRAM PENELITIAN HIBAH BERSAING Rancang Bangun Sensor Gas CO Berbasis Zinc Oxide Nanokristal Tahun ke-1 dari rencana 2 tahun Oleh: Dr. Edy Supriyanto, S.Si., M.Si(Ketua
Lebih terperinciSINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION
SINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION Yolanda Oktaviani, Astuti Jurusan Fisika FMIPA Universitas Andalas e-mail: vianyolanda@yahoo.co.id
Lebih terperinciEfek Magnetisasi Spontan dan Karakteristik Transport Listrik Film Tipis TiO 2 :Co yang ditumbuhkan dengan Metode MOCVD
Jurnal Matematika dan Sains Vl. 10 N. 1, Maret 2005, hal 21-25 Abstrak Efek Magnetisasi Spntan dan Karakteristik Transprt Listrik Film Tipis TiO 2 :C yang ditumbuhkan dengan Metde MOCVD Hrasdia Saragih
Lebih terperinciPenumbuhan Film Tipis Semikonduktor Ferromagnetik GaN:Mn Menggunakan Metode Plasma Assisted Metal Organic Chemical Vapor Deposition (PA-MOCVD)
Penumbuhan Film Tipis Semikonduktor Ferromagnetik GaN:Mn Menggunakan Metode Plasma Assisted Metal Organic Chemical Vapor Deposition (PA-MOCVD) Oleh Budi Mulyanti 30201015 Tim Pembimbing Dr. Sukirno Prof.
Lebih terperinciPENGARUH KETEBALAN LAPISAN PENYANGGA TERHADAP KUALITAS FILM TIPIS GaN
J. Sains Tek., Desember 2006, Vol. 12, No. 3, Hal.: 149-153 ISSN 0853-733X PENGARUH KETEBALAN LAPISAN PENYANGGA TERHADAP KUALITAS FILM TIPIS GaN Erzam S. Hasan 1, A. Subagio 2, Sugianto 3, M. Budiman 4,
Lebih terperinciPEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS
PEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS Syuhada, Dwi Bayuwati, Sulaiman Pusat Penelitian Fisika-LIPI, Kawasan Puspiptek Serpong Tangerang 15314 e-mail: hadda212@yahoo.com
Lebih terperinciJurnal Sains Materi Indonesia Vol.6, No. 1, Oktober 2004.
NISBAH GMR SUPERKISI Ag/NiFe/Ag/NiFe ABSTRAK Moh. Toifur 1, Prayoto 2, Kamsul Abraha 3 dan Ridwan 4 1 Jurucan Fisika Univesitas Ahmad Dahlan JI. Kapas No. 9, Semaki, Yogayakarta 55166 2 Jurusan Fisika
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Saat ini peran nanoteknologi begitu penting dalam pengembangan ilmu pengetahuan dan teknologi untuk kesejahteraan kehidupan manusia. Nanoteknologi merupakan bidang
Lebih terperinciOleh Budi Mulyanti NIM : Tim Pembimbing Dr. Sukirno Prof. Dr. M. Barmawi Dr. Pepen Arifin Dr. Maman Budiman
PENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR FERROMAGNETIK GaN:Mn MENGGUNAKAN METODE PLASMA ASSISTED METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (PA- MOCVD) DAN KARAKTERISASINYA Oleh Budi Mulyanti NIM : 30201015 Tim
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. I.1 Latar Belakang Kebutuhan akan energi semakin berkembang seiring dengan
BAB I PENDAHULUAN I.1 Latar Belakang Kebutuhan akan energi semakin berkembang seiring dengan berkembangnya kehidupan manusia. Sehingga para peneliti terus berupaya untuk mengembangkan sumber-sumber energi
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Telah disadari bahwa kemajuan ilmu pengetahuan dan teknologi harus
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Telah disadari bahwa kemajuan ilmu pengetahuan dan teknologi harus dibayar oleh umat manusia berupa pencemaran udara. Dewasa ini masalah lingkungan kerap
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Nanopatikel merupakan partikel mikroskopis yang memiliki ukuran dalam skala nanometer yaitu < 100 nm. Nanopartikel menjadi kajian yang sangat menarik, karena ketika
Lebih terperinciBab III Metodologi Penelitian
28 Bab III Metodologi Penelitian III.1 Tahap Penelitian Penelitian ini terbagi dalam empat tahapan kerja, yaitu : Tahapan kerja pertama adalah persiapan bahan dasar pembuatan film tipis ZnO yang terdiri
Lebih terperinciMEKANISME PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS ALLOY TERNARY GaAs 1-x Sb x DARI SUMBER-SUMBER METALORGANIK TMGa, TDMAAs DAN TDMASb PADA REAKTOR MOCVD ABSTRAK
MEKANISME PENUMBUAN LAPISAN TIPIS ALLOY TERNARY As 1-x Sb x DARI SUMBER-SUMBER METALORGANIK TM, TDMAAs DAN TDMASb PADA REAKTOR MOCVD A. Suhandi 1,2), P. Arifin 2), M. Budiman 2), dan M. Barmawi 2) 1) Jurusan
Lebih terperinciErfan Handoko 1, Iwan Sugihartono 1, Zulkarnain Jalil 2, Bambang Soegijono 3
SINTESIS DAN KARAKTERISASI MATERIAL MAGNET HIBRIDA BaFe 12 O 19 - Sm 2 Co 17 Erfan Handoko 1, Iwan Sugihartono 1, Zulkarnain Jalil 2, Bambang Soegijono 3 1 Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN. Metode yang digunakan dalam penelitian ini adalah metoda eksperimen.
BAB III METODOLOGI PENELITIAN A. Metode Penelitian Metode yang digunakan dalam penelitian ini adalah metoda eksperimen. Penelitian dilakukan dengan beberapa tahapan yang digambarkan dalam diagram alir
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Nano material memiliki sifat mekanik, optik, listrik, termal, dan magnetik yang unik. Sifat sifat unik tersebut tidak ditemukan pada material yang berukuran bulk
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Juli 2005 sampai Juni 2006, bertempat di
BAB III METODE PENELITIAN 3.1 Tempat dan Waktu Penelitian Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Juli 2005 sampai Juni 2006, bertempat di Laboratorium Departemen Fisika, FMIPA, Universitas Indonesia, Depok
Lebih terperinciPenumbuhan Lapisan Tipis Material Sensor Giant Magnetoresistance Berstruktur Sandwich dengan Metode Sputtering
Penumbuhan Lapisan Tipis Material Sensor Giant Magnetoresistance Berstruktur Sandwich dengan Metode Sputtering 1,2 Ramli, 1 Mitra Djamal, 1 Freddy Haryanto & 1 Khairurrijal 1 Jurusan Fisika, Institut Teknologi
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN
HASIL DAN PEMBAHASAN BaTiO 3 merupakan senyawa oksida keramik yang dapat disintesis dari senyawaan titanium (IV) dan barium (II). Proses sintesis ini dipengaruhi oleh beberapa faktor seperti suhu, tekanan,
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi energi listrik DC secara langsung. Sel surya telah diaplikasikan dalam berbagai bidang, salah
Lebih terperinci2014 PEMBUATAN BILAYER ANODE - ELEKTROLIT CSZ DENGAN METODE ELECTROPHORETIC DEPOSITION
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Kebutuhan listrik dunia semakin meningkat seiring berjalannya waktu. Hal ini tentu disebabkan pertumbuhan aktivitas manusia yang semakin padat dan kebutuhan
Lebih terperinciEfek Annealing Pada Penumbuhan Film Tipis Ferroelektrik PbZr 0,625 Ti 0,375 O 3 (PZT)
Kontribusi Fisika Indonesia Vol. 12 No.4, Oktober 2001 Efek Annealing Pada Penumbuhan Film Tipis Ferroelektrik PbZr 0,625 Ti 0,375 O 3 (PZT) Ngurah Ayu Ketut Umiati 1,2, Irzaman 1,3, Maman Budiman 1 dan
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Penggunaan TiO 2 sebagai fotokatalis diperkenalkan pertama kali oleh Fujishima dan Honda tahun 1972 mengenai pemecahan air menjadi oksigen dan hidrogen secara fotoelektrokimia
Lebih terperinciSTRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPIS TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 S 0.8 ) HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA
J. Sains Dasar 2015 4 (2) 198-203 STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPIS TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 S 0.8 ) HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA THE STRUCTURE AND CHEMICAL
Lebih terperinciEfek doping Al pada sifat optik dan listrik lapisan tipis ZnO hasil deposisi dengan DC sputtering
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 1, NOMER 1 JANUARI 2005 Efek doping Al pada sifat optik dan listrik lapisan tipis ZnO hasil deposisi dengan DC sputtering SriYaniPurwaningsih, 1 Karyono, 2 dansudjatmoko
Lebih terperinci4 Hasil dan Pembahasan
4 Hasil dan Pembahasan 4.1 Sintesis Padatan TiO 2 Amorf Proses sintesis padatan TiO 2 amorf ini dimulai dengan melarutkan titanium isopropoksida (TTIP) ke dalam pelarut etanol. Pelarut etanol yang digunakan
Lebih terperinciIII. METODOLOGI PENELITIAN. analisis komposisi unsur (EDX) dilakukan di. Laboratorium Pusat Teknologi Bahan Industri Nuklir (PTBIN) Batan Serpong,
III. METODOLOGI PENELITIAN A. Tempat dan Waktu Penelitian Penelitian ini dilakukan di Laboratorium Biomassa, Lembaga Penelitian Universitas Lampung. permukaan (SEM), dan Analisis difraksi sinar-x (XRD),
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. penelitian ini dilakukan pembuatan keramik Ni-CSZ dengan metode kompaksi
19 BAB III METODE PENELITIAN 3.1 Metode Penelitian Metode yang dilakukan pada penelitian ini adalah eksperimen. Pada penelitian ini dilakukan pembuatan keramik Ni-CSZ dengan metode kompaksi serbuk. 3.2
Lebih terperinciBab III Metodologi Penelitian
Bab III Metodologi Penelitian Penelitian ini dilaksanakan di Laboratorium Penelitian Kimia Analitik, Program Studi Kimia FMIPA ITB sejak September 2007 sampai Juni 2008. III.1 Alat dan Bahan Peralatan
Lebih terperinciPENGARUH LAJU MOLAR Mn LARUTAN TERHADAP MIKROSTRUKTUR FILM LAPISAN GaN: Mn YANG DIDEPOSISI DI ATAS SUBSTRAT Si MENGGUNAKAN METODE CSD
PENGARUH LAJU MOLAR Mn LARUTAN TERHADAP MIKROSTRUKTUR FILM LAPISAN GaN: Mn YANG DIDEPOSISI DI ATAS SUBSTRAT Si MENGGUNAKAN METODE CSD Heri Sutanto 1), Eko Hidayanto 1), Iis Nurhasanah 1), Nursidi Yunanto
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN. Lokasi penelitian dilakukan di Laboratorium Fisika Material, Jurusan
BAB III METODOLOGI PENELITIAN A. Lokasi dan Waktu Penelitian Lokasi penelitian dilakukan di Laboratorium Fisika Material, Jurusan Pendidikan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. pembuatan piranti optoelektronika yang berkualitas tinggi.
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Sejak ditemukannya silikon (Si) dan germanium (Ge) sebagai material semikonduktor, berbagai penelitian dilakukan untuk memperoleh material semikonduktor lain
Lebih terperinciPenumbuhan Lapisan Tipis µc-si:h Tipe-P dengan Metode HW-PECVD untuk Aplikasi Sel Surya
Penumbuhan Lapisan Tipis µc-si:h Tipe-P dengan Metode HW-PECVD untuk Aplikasi Sel Surya Jasruddin, Abdul Haris, dan Helmi Departemen Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Negeri
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Dalam dasa warsa terakhir ini, telah dikembangkan suatu divais yang bekerja dengan cara memanfaatkan spin elektron untuk mengontrol pergerakan pembawa muatan, yaitu
Lebih terperinciSintesis Nanopartikel ZnO dengan Metode Kopresipitasi
Sintesis Nanopartikel ZnO dengan Metode Kopresipitasi NURUL ROSYIDAH Jurusan Fisika Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Institut Teknologi Sepuluh Nopember Pendahuluan Kesimpulan Tinjauan Pustaka
Lebih terperinciPEMBUATAN SENSOR GAS HIDROGEN BERBASIS FILM TIPIS GaN DENGAN TEKNIK SOL GEL SPIN COATING UNTUK KOMPONEN PADA SISTEM PENDETEKSI KEBOCORAN GAS
ISSN: 1693-1246 Januari 2013 http://journal.unnes.ac.id/nju/index.php/jpfi PEMBUATAN SENSOR GAS HIDROGEN BERBASIS FILM TIPIS GaN DENGAN TEKNIK SOL GEL SPIN COATING UNTUK KOMPONEN PADA SISTEM PENDETEKSI
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. Keterangan Gambar 7 : 1. Komputer 2. Ocean Optic USB 2000 Spektrofotometer
7 Keterangan Gambar 7 : 1. Komputer 2. Ocean Optic USB 2000 Spektrofotometer 3. Sumber Cahaya (Polikromatis) 4. Fiber Optik 5. Holder 6. Samp 7. Gambar 7 Perangkat spektrofotometer UV-VIS. Karakterisasi
Lebih terperinciBAB IV RANCANGAN PENELITIAN SPRAY DRYING DAN SPRAY PYROLYSIS. Rancangan penelitian ini dibagi menjadi tiga tahapan utama :
BAB IV RANCANGAN PENELITIAN SPRAY DRYING DAN SPRAY PYROLYSIS Rancangan penelitian ini dibagi menjadi tiga tahapan utama : a. Uji kerja pemanas, pada penelitiaan ini akan dilihat kemampuan pemanas dan konsistensi
Lebih terperinciSTUDI EFEK FOTOVOLTAIK DAN PIROELEKTRIK Ba 0,75 Sr 0,25 TIO 3 (BST) YANG DIDADAH GALIUM (BGST) DI ATAS SUBSTRAT SI (100) TIPE-P ERDIANSYAH PRATAMA
STUDI EFEK FOTOVOLTAIK DAN PIROELEKTRIK Ba 0,75 Sr 0,25 TIO 3 (BST) YANG DIDADAH GALIUM (BGST) DI ATAS SUBSTRAT SI (100) TIPE-P ERDIANSYAH PRATAMA DEPARTEMEN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN
Lebih terperinciSTUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI
Studi Pengaruh Suhu Substrat. (Rully Fakhry Muhammad) 303 STUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI STUDY
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN
37 BAB III METODE PENELITIAN Metode yang digunakan dalam pembuatan lapisan film tebal CuFe O 4 yaitu dengan menggunakan screen printing (penyablonan). Teknik screen printing merupakan salah satu metode
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. luar biasa dalam penerapan nanosains dan nanoteknologi di dunia industri. Hal ini
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Perkembangan sains dan teknologi pada bidang material dewasa ini sedang mengarah pada revolusi nanopartikel dimana dalam periode ini tejadi percepatan luar
Lebih terperinci1. JUDUL PENELITIAN RANCANG BANGUN ALAT SPINCOATING
1. JUDUL PENELITIAN RANCANG BANGUN ALAT SPINCOATING SEDERHANA UNTUK PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR (Studi eksplorasi untuk pengembangan laboratorium fisika material ) 1 2. LATAR BELAKANG MASALAH
Lebih terperinciI. PENDAHULUAN. Superkonduktor merupakan suatu bahan dengan konduktivitas tak hingga, karena
I. PENDAHULUAN A. Latar Belakang Superkonduktor merupakan suatu bahan dengan konduktivitas tak hingga, karena sifat resistivitas nol yang dimilikinya dan dapat melayang dalam medan magnet. Kedua sifat
Lebih terperinciI. PENDAHULUAN. Lapisan tipis merupakan suatu lapisan dari bahan organik, anorganik, metal,
1 I. PENDAHULUAN A. Latar Belakang Lapisan tipis merupakan suatu lapisan dari bahan organik, anorganik, metal, maupun campuran metal-organik yang dapat memiliki sifat-sifat sebagai konduktor, semikonduktor,
Lebih terperinciBAB II TINJAUAN PUSTAKA
BAB II TINJAUAN PUSTAKA 2.1. Pengertian Magnet Magnet merupakan benda yang terbuat dari bahan tertentu dengan sifat mampu menarik bahan ferromagnetik dan ferrimagnetik. Nama magnet diambil dari nama daerah
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Dalam dasa warsa terakhir ini, telah dikembangkan suatu divais yang bekerja dengan cara memanfaatkan spin elektron untuk mengontrol pergerakan pembawa muatan, yaitu
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. kita terima bahwa pemakaian energi berbahan dasar dari fosil telah menjadi salah
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Menipisnya cadangan energi fosil di Indonesia dan kenyataan yang harus kita terima bahwa pemakaian energi berbahan dasar dari fosil telah menjadi salah satu
Lebih terperinciKARAKTERISTIK FILM TIPIS GaAs YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE MOCVD MENGGUNAKAN SUMBER METALORGANIK BARU TDMAAs (Trisdimethylaminoarsenic)
KARAKTERISTIK FILM TIPIS GaAs YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE MOCVD MENGGUNAKAN SUMBER METALORGANIK BARU TDMAAs (Trisdimethylaminoarsenic) A. Suhandi 1,3), H. Sutanto 2,3), P. Arifin 3), M. Budiman 3),
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Graphene merupakan susunan atom-atom karbon monolayer dua dimensi yang membentuk struktur kristal heksagonal menyerupai sarang lebah. Graphene memiliki sifat
Lebih terperinciMETODOLOGI PENELITIAN
37 METODOLOGI PENELITIAN Tempat dan Waktu Penelitian Penelitian ini dilakukan di Laboratorium Material Departemen Fisika IPB dari Bulan November 2010 sampai dengan bulan Mei 2011. Bahan dan Alat Alat yang
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Dewasa ini, banyak penelitian dalam fisika material mampat mengenai semikonduktor yang difokuskan untuk aplikasi dalam bentuk divais spintronik, dimana spin elektron
Lebih terperinciIII. METODE PENELITIAN
21 III. METODE PENELITIAN 3.1 Waktu dan Tempat Penelitian Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Agustus 2010 - Juni 2011 di Laboratorium Biofisika dan Laboratorium Fisika Lanjut, Departemen Fisika IPB.
Lebih terperinciSTRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPISAN TIPIS Sn(So,4Te0,6) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM
Struktur dan Komposisi... (Eka Wulandari) 1 STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPISAN TIPIS Sn(So,4Te0,6) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM STRUCTURE AND CHEMICAL COMPOSITION OF Sn(S0,4Te0,6) THIN
Lebih terperinciPENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se 0,4 Te 0,6 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM
Pengaruh Suhu Substrat...(Vina Hentri Tunita N.)288 PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se 0,4 Te 0,6 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM THE EFFECT OF SUBSTRATE
Lebih terperinciPengaruh Laju Molar Mn Larutan Terhadap Mikrostruktur Lapisan Tipis GaN:Mn yang Dideposisi di atas Substrat Si Menggunakan Metode Sol-Gel
Berkala Fisika ISSN : 1410-9662 Vol. 14, No. 2, April 2011, hal 63-70 Pengaruh Laju Molar Mn Larutan Terhadap Mikrostruktur Lapisan Tipis GaN:Mn yang Dideposisi di atas Substrat Si Menggunakan Metode Sol-Gel
Lebih terperinciPENGARUH DAYA PLASMA PADA STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING
134 Prosiding Pertemuan Ilmiah XXIV HFI Jateng & DIY, Semarang 10 April 2010 hal. 134-138 PENGARUH DAYA PLASMA PADA STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN
BAB III METODOLOGI PENELITIAN 3.1. METODE PENELITIAN Penelitian ini menggunakan metode eksperimen yang dilakukan melalui tiga tahap yaitu tahap pembuatan magnet barium ferit, tahap karakterisasi magnet
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN
BAB III METODOLOGI PENELITIAN A. Metode Penelitian Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen secara kualitatif dan kuantitatif. Metode penelitian ini menjelaskan proses degradasi fotokatalis
Lebih terperinciPengaruh ketebalan lapisan penyangga pada struktur kristal film GaN yang ditumbuhkan dengan Pulsed Laser Deposition Dadi Rusdiana
Pengaruh ketebalan lapisan penyangga pada struktur kristal film GaN yang ditumbuhkan dengan Pulsed Laser Deposition Dadi Rusdiana Department fisika FPMIPA UPI, Jl. DR.Setia Budi 229 Bandung E-mail: dadi_rusdiana@upi.edu
Lebih terperinciBab IV Hasil dan Pembahasan
33 Bab IV Hasil dan Pembahasan Pada bab ini dilaporkan hasil sintesis dan karakterisasi dari senyawa yang disintesis. Senyawa disintesis menggunakan metoda deposisi dalam larutan pada temperatur rendah
Lebih terperinciBAB V HASIL DAN PEMBAHASAN
BAB V HASIL DAN PEMBAHASAN Pada penelitian ini difabrikasi nanopartikel magnetik cobalt ferrite (CoFe 2 O 4 ) menggunakan metode kopresipitasi dengan konsentrasi NaOH 1,5 M, suhu 80 C dan lama pengadukan
Lebih terperinciPengaruh Waktu Milling dan Temperatur Sintering Pada Pembentukan Nanopartikel Fe 2 TiO 5 Dengan Metode Mechanical Alloying
JURNAL TEKNIK POMITS Vol. 1, No. 1-5 1 Pengaruh Waktu Milling dan Temperatur Sintering Pada Pembentukan Nanopartikel Fe 2 TiO 5 Dengan Metode Mechanical Alloying Rizky Kurnia Helmy dan Rindang Fajarin
Lebih terperinciKARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT GELAS UNTUK JENDELA SEL SURYA
GANENDRA, Vol. V, N0.2 ISSN 1410-6957 KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT GELAS UNTUK JENDELA SEL SURYA Wirjoadi, Yunanto, Bambang Siswanto, Sri Sulamdari, Sudjatmoko Puslitbang
Lebih terperinciKarakterisasi Sensor TiO 2 Didoping ZnO untuk Mendeteksi Gas Oksigen
122 Karakterisasi Sensor TiO 2 Didoping ZnO untuk Mendeteksi Gas Oksigen Wahyuni Putri*, Elvaswer Jurusan Fisika, Kampus Limau Manis, Universitas Andalas, Padang 25163 *Wahyuniputri750@yahoo.com ABSTRAK
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pengembangan material yang memiliki ketahanan terhadap temperatur tinggi merupakan salah satu topik menarik yang terus dikaji oleh peneliti. Contoh aplikasi penggunaan
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN
29 BAB III METODE PENELITIAN A. Metode Penelitian Pada penelitian ini metode yang digunakan peneliti adalah metode eksperimen. Material yang digunakan berupa pasta TiO 2 produksi Solaronix, bubuk Dyesol
Lebih terperinciBAB I 1 PENDAHULUAN. kemampuan mengubah bentuk radiasi cahaya menjadi sinyal listrik. Radiasi yang
BAB I 1 PENDAHULUAN 1.1 LATAR BELAKANG MASALAH Fotodiode merupakan sebuah peranti semikonduktor yang memiliki kemampuan mengubah bentuk radiasi cahaya menjadi sinyal listrik. Radiasi yang dapat diterima
Lebih terperinci