Magnetoresistansi Divais Spintronika TiO 2 :Co/Si/TiO 2 :Co
|
|
- Handoko Atmadja
- 7 tahun lalu
- Tontonan:
Transkripsi
1 Magnetoresistansi Divais Spintronika TiO 2 :Co/Si/TiO 2 :Co Edy Supriyanto 1,2), Agus Subagio 1,3), Hery Sutanto 1,3), Horasdia Saragih 1), Maman Budiman 1), Pepen Arifin 1), Sukirno 1) dan Moehamad Barmawi 1) 1) Kelompok Keahlian Fisika Material Elektronik, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Institut Teknologi Bandung, Bandung 2) Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Jember, Jember 3) Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Diponegoro, Semarang supriyanto_e2003@yahoo.com Diterima 21 April 2006, disetujui untuk dipublikasikan 12 Februari 2007 Abstrak Film tipis TiO 2 :Co telah ditumbuhkan di atas substrat Si dengan teknik Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) menggunakan titanium(iv)isopropoksida dan tris(2,2,6,6-tetrametil-3,5-heptanadionatokobalt(iii), serta gas oksigen. Film yang ditumbuhkan pada temperatur 450 C bersifat kristalin dengan struktur rutil dan berorientasi (002). Berdasarkan hasil analisis Energy Dispersive Spectroscope (EDS), kandungan Co dalam film TiO 2 adalah sebesar 1,83% dan film telah menunjukkan sifat feromagnetik pada temperatur kamar. Kurva histeresis yang diperoleh melalui pengukuran Vibrating Sample Magnetometer (V) memiliki nilai koersivitas magnetik dan saturasi magnetik, masing-masing sebesar 130 Oe dan 2,1 emu/cm 3. Aplikasi film tipis TiO 2 :Co sebagai material injektor pada divais spintronika berstruktur TiO 2 :Co/Si/TiO 2 :Co telah diteliti. Berdasarkan karakteristik arus-tegangan, teramati adanya efek injeksi spin terpolarisasi (fenomena magneto-resistansi). Kata kunci: Magnetoresistansi, Spintronika, Semikonduktor feromagnetik, TiO 2 :Co Abstract TiO 2 :Co thin films were grown on Si substrates by Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD) technique using titanium(iv)isopropoxide and tris(2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)cobalt (III), and oxygen gas. The films grown at temperature of 450 o C were crystalline having a rutile structure with (002) orientation. Based on Energy Dispersive Spectroscope (EDS) analysis, Co content in TiO 2 was 1.83% and films exhibit ferromagnetic properties at room temperature. Hysteresis curves obtained from Vibrating Sample Magnetometer (V) measurement have coercive and saturation magnetic fields of 130 Oe and 2.1 emu/cm 3, respectively. Application of TiO 2 :Co as injection material in spintronic device with TiO 2 :Co/Si/TiO 2 :Co structure was investigated. The effect of polarized spin injection (magnetoresistance phenomenon) was observed from the current-voltage characteristics of the device. Keywords: Magnetoresistance, Spintronics, Ferromagnetic semiconductors, TiO 2 :Co 1. Pendahuluan Akhir-akhir ini, pengembangan divais spin elektronika (spintronika) mendapat banyak perhatian. Usaha untuk membuat divais yang hemat energi dan memiliki responsivitas yang tinggi adalah tujuan yang ingin dicapai. Penggunaan bahan semikonduktor feromagnetik merupakan suatu solusi dan pemilihan teknik penumbuhannya dalam bentuk film tipis menjadi langkah penting yang harus dilakukan untuk menghasilkan divais yang berkualitas baik. Proses kerja divais spintronika adalah memanfaatkan sifat magnetoresistansi yang disebabkan oleh polarisasi spin dari suatu elektron atau lubang (hole). Beberapa hal yang terlibat didalamnya adalah proses injeksi spin ke suatu bahan semikonduktor, proses 38 manipulasi atau penyimpanan spin, dan proses deteksi spin setelah ke luar dari bahan semikonduktor (Schmidt, 2005). Berbagai kajian teori dan eksperimen dilakukan terhadap salah satu atau lebih dari ketiga hal tersebut. Penggunaan bahan logam feromagnetik sebagai injektor pada divais spintronika semikonduktor menghasilkan tingkat efesiensi yang sangat rendah (Schmidt et al., 2000). Hal ini disebabkan karena perbedaan nilai konduktivitas yang sangat besar antara logam dengan semikonduktor, sehingga menurunkan tingkat polarisasi spin muatan pembawa pada logam feromagnetik. Bahan semikonduktor feromagnetik diusulkan untuk mengatasi permasalahan tersebut, dan struktur hetero (Zn,Mn,Be)Se/(Zn,Be)Se/(Zn,Mn,Be)Se dibuat untuk pertama kali (Schmidt et al., 2001). Resistansi
2 Supriyanto, dkk, Magnetoresistansi Divais Spintronika 39 antarmuka (interface) yang bergantung pada medan mag-netik luar, menunjukkan adanya peningkatan polarisasi spin muatan pembawa pada bahan (Zn,Mn,Be)Se yang mencapai hampir 90% (Awschalom et al., 2002). Bahan semikonduktor (Zn,Mn,Be)Se bersifat feromagnetik di bawah temperatur 30K (Schmidt et al., 2001; Schmidt et al., 2004). Temperatur operasi ini sangat jauh di bawah temperatur ruang sehingga belum memenuhi kebutuhan praktis. Oleh karena itu, pencarian terhadap material baru terus dilakukan. Matsumoto et al. (2001), menemukan bahwa semikonduktor TiO 2 yang didadah dengan elemen Co, TiO 2 :Co, menunjukkan sifat feromagnetik di atas temperatur ruang. Penemuan ini memposisikan material TiO 2 :Co menjadi kandidat yang potensial untuk diaplikasikan. Penggunaan bahan TiO 2 :Co dalam pembuatan divais spintronika menjadi suatu langkah yang harus dilakukan selanjutnya. Film tipis TiO 2 :Co telah ditumbuhkan dengan menggunakan teknik Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD). Respon feromagnetiknya telah diamati pada temperatur ruang. Parameter optimum penumbuhan telah dilaporkan (Saragih dkk 2004(a); 2004(b); 2005). Makalah ini membahas magnetoresistansi sebagai efek injeksi spin dari divais yang dibangun dari film tipis TiO 2 :Co dengan struktur TiO 2 :Co/Si/TiO 2 :Co. 2. Metode Film tipis TiO 2 :Co ditumbuhkan di atas subtrat Si dengan menggunakan prekursor metalorganik titanium(iv)isopropoxide [Ti(OCH(CH 3 ) 2 ) 4 ] 99,99% yang berbentuk cair pada temperatur ruang dengan titik leleh 20 o C (Sigma Aldrich Chemical Co., Inc.) dan tris (2,2,6,6-tetramethyl-3,5-heptanedionato)cobalt(III), 99%, [Co(TMHD) 3 ] (Strem Chemical, Inc.) serta gas oksigen sebagai sumber oksigen. Serbuk Co(TMHD) 3 dilarutkan ke dalam pelarut tetrahydrofuran (THF, C 4 H 8 O) untuk memperoleh prekursor dalam bentuk cair dengan konsentrasi 0,1 M. Penumbuhan film dilakukan dengan teknik MOCVD. Film tipis TiO 2 :Co digunakan untuk membuat divais dengan struktur TiO 2 :Co/Si/TiO 2 :Co. TiO 2 :Co, yang adalah semikonduktor feromagnetik, berperan sebagai injektor dan detektor spin. Silikon, merupakan semikonduktor non-magnetik, yang berperan sebagai jalur konduksi (conduction channel), di mana spin akan dilintaskan. Logam Ag ditumbuhkan dengan teknik evaporasi di atas film tipis TiO 2 :Co dan digunakan sebagai kontak Ohmik. Ketebalan logam Ag sekitar 1 µm dengan luas 300x300 µm 2. Jarak antara injektor dan detektor TiO 2 :Co adalah 500 µm yang lebih besar dari jarak pembalikan spin (spin flip) pada semikonduktor Si yang diperkirakan sekitar beberapa ratus nanometer (Awschalom et al., 2002). Presentase konsentrasi atom penyusun film diukur dengan energy dispersive spectroscope (EDS) (Jeol J 6360LA). Struktur kristalnya dipelajari dengan X-ray diffractometer (XRD) dengan menggunakan radiasi Cu K α (λ=1,54056å) (Philips PW3710). Ketebalan dan morfologi butiran penyusun film dianalisa dari hasil potret scanning electron microscope (SEM) (Jeol J 6360LA). Sifat magnetik film diuji dengan suatu sistem vibrating sample magnetometer (V) (Oxford). Karakteristik transpot listrik film dan divais ditentukan dari hasil pengukuran Hall dengan metode empat titik van der Pauw. 3. Hasil dan Diskusi Pola XRD dan potret SEM film tipis ditunjukkan pada Gambar 1. Dengan melakukan identifikasi terhadap puncak-puncak difraksi sinar-x yang dihasilkan, diperoleh bahwa film tipis tumbuh dengan membentuk bidang kristal rutil (002) [R(002)]. Butiran-butiran film berbentuk kolumnar dan tegak lurus terhadap permukaan subtrat Si(100). Butiran dan batas-batasnya terlihat sangat jelas, yang secara tidak langsung menyatakan bahwa hubungan antar butir sangat kuat. Atom-atom yang terdapat pada batas antar butir telah dengan baik memposisikan diri sesuai dengan susunan atom butiran induknya. Di samping itu, butiran memiliki bentuk yang relatif seragam. Bentuk kolumnar butir memanjang dari permukaan subtrat sampai ke permukaan film. Hal ini menunjukkan bahwa tidak terjadi suatu proses gangguan, seperti hadirnya fase-fase pengotor, pada saat penumbuhan. Film tumbuh dengan suatu kerapatan butir yang sangat tinggi sehingga permukaan film relatif sangat halus tanpa adanya penumbuhan kluster-kluster tambahan di permukaan film. Analisis terhadap energi dispersi sinar-x yang diemisi oleh film tipis TiO 2 :Co dilakukan dengan mengacu pada pola spektrum EDS. Atom Co yang terdeposisi di dalam film mengemisi sinar-x pada tingkat energi 0,776 kev. Energi radiasi ini dihasilkan oleh peristiwa transisi elektron dari kulit L ke kulit M dari atom tersebut. Dari hasil pencacahan sinar-x yang diemisi oleh atom-atom Co, diperoleh bahwa prosentasi Co yang terdadah ke dalam material induk TiO 2 berada pada kisaran 1,83%.
3 40 JURNAL MATEMATIKA DAN SAINS, MARET 2007, VOL. 12 NO. 1 (A) Intensitas (a.u.) (B) 2 teta (derajat) Gambar 2. Kurva histeresis magnetisasi film tipis TiO 2 :Co dengan kandungan Co = 1,83% yang diukur pada temperatur 300K. Gambar 1. Pola XRD (a) dan potret SEM penampang lintang (b) film tipis TiO 2 :Co yang ditumbuhkan pada temperatur 450 o C. Pendadahan atom kobalt ke dalam bahan semikonduktor TiO 2 menghasilkan sifat feromagnetik pada temperatur ruang. Kurva histeresisnya ditunjukkan pada Gambar 2. Sifat feromagnetik teramati, dengan suatu nilai magnetik koersif (H c ) dan magnetisasi saturasi (M s ) masing-masing 130 Oe dan 2,1 emu/cm 3. Sifat anisotropi magnetik film, sebagaimana ditunjukkan oleh nilai H c, tergolong relatif kecil (<1000 Oe) sehingga film tipis TiO 2 :Co yang dihasilkan dikategorikan sebagai magnetik lembut (soft magnetic), yaitu suatu respon magnetik yang disyaratkan dalam pembuatan divais spintronika semikonduktor (Awschalom et al., 2002). Film tipis TiO 2 :Co dengan karakteristik magnetik dan kristal sebagaimana diterangkan di atas, digunakan untuk membuat divais spintronika. Sebagai kontak digunakan logam Ag yang dideposisikan menggunakan teknik evaporasi. Karakteristik arus-tegangannya diukur dan kurvanya ditunjukkan dalam Gambar 3. Gambar 3. Kurva arus-tegangan kontak Ohmik logam Ag terhadap film tipis TiO 2 :Co. (Sisipan: skema penampang lintang divais yang diukur). Pada gambar tersebut tampak suatu hubungan yang linier antara arus dan tegangan, yang menyatakan bahwa Ag bersifat Ohmik pada persambungan TiO 2 :Co. Divais spintronika berstruktur TiO 2 :Co/Si/ TiO 2 :Co dengan kontak Ohmik Ag dibentuk. Karakteristik arus-tegangannya diukur pada temperatur ruang tanpa memberikan medan magnetik luar dan dengan medan magnetik luar sebesar 3500 Oe. Kurva hasil karakterisasinya ditunjukkan dalam Gambar 4 dan skema penampang lintang divais ditunjukkan sebagai sisipan. Karakteristik arus-tegangan divais diukur pada dua daerah yaitu: pada daerah linier dan pada daerah non-linier. Divais, dengan struktur seperti diterangkan di atas, dimagnetisasi untuk mempolarisasi spin muatan pembawa di dalam semikonduktor feromagnetiknya. Selanjutnya, spin yang terpolarisasi tersebut diinjeksi ke dalam material semikonduktor non-magnetik Si. Pada bahan semikonduktor non-magnetik, elektronelektron yang memiliki spin-up dan spin-down masingmasing berkontribusi setengah terhadap konduktivitas bahan (Awschalom et al., 2002). Muatan pembawa
4 Supriyanto, dkk, Magnetoresistansi Divais Spintronika 41 dengan spin yang berbeda dianggap memiliki jalur konduksi yang berbeda. Ketika muatan pembawa dengan spin terpolarisasi diinjeksi ke dalam material semikonduktor non-magnetik, kedua jalur spin pada semikonduktor non-magnetik dilintasi oleh jumlah muatan pembawa yang berbeda. Karena setiap jalur memiliki konduktivitas yang sama, maka penginjeksian muatan pembawa dengan spin yang dipolarisasi akan menghasilkan peningkatan nilai resistansi divais. Peningkatan resistansi ini akan menjadi dua kali lebih besar dari resistansi normal apabila polarisasi spin muatan pembawa pada material semikonduktor magnetik mencapai 100% dan dengan jarak lintas konduksi lebih kecil dari panjang pembalikan spin (spin flip) di dalam material, sehingga hanya salah satu jalur saja yang digunakan (Schmidt et al., 2004). Gambar 4. Kurva arus-tegangan divais TiO2:Co/Si/ TiO2:Co yang diukur pada temperatur ruang. (Sisipan: skema penampang lintang divais yang digunakan dalam percobaan). Perubahan resistansi ini, di dalam kasus di mana jarak lintas konduksi spin lebih besar dari panjang pembalikan spin (spin flip), dinyatakan oleh (Awschalom et al., 2002): R R 2 λ = β x o λ λ xo λ 1 + e 2 λ + 2 xo λ e o x + 1 β (1) dengan λ, λ,, adalah panjang pembalikan spin (spin flip) dan konduktivitas masingmasing pada semikonduktor magnetik () dan semikonduktor non-magnetik (). x o dan β masingmasing adalah jarak antara kontak dan derajat pelarisasi spin pembawa muatan pada, yaitu: persentasi muatan pembawa yang memiliki orientasi spin pada arah tertentu, misalnya: up atau down di dalam semikonduktor magnetik. 2 Dengan kata lain, Persamaan (1) menggambarkan efek magnetoresistansi akibat akumulasi spin pada salah satu jalur konduksi di dalam suatu semikonduktor nonmagnetik. Akumulasi ini terjadi pada jarak sama dengan dan lebih kecil dari panjang pembalikan spin (spin-flip). Dari hasil pengukuran karakteristik arustegangan divais berstruktur TiO 2 :Co/Si/TiO 2 :Co pada temperatur ruang, sebagaimana ditunjukkan dalam Gambar 4, teramati adanya fenomena magnetoresistansi sebagai efek injeksi spin terpolarisasi. Lapisan TiO 2 :Co berperan sebagai dan Si sebagai. Divais dimagnetisasi pada kuat medan H = 0 Oe dan H = 3500 Oe dengan arah sejajar bidang subtrat Si. Kuat medan H sebesar 3500 Oe digunakan untuk menjamin saturasi magnetisasi pada bahan TiO 2 :Co (Gambar 2). Muatan pembawa yang spinnya telah terpolarisasi tersebut diinjeksikan ke dalam semikonduktor non-magnetik Si dengan mengalirkan arus listrik melalui divais. Akumulasi muatan terjadi pada salah satu jalur konduksi. Pada saat divais dimagnetisasi, derajat polarisasi spin muatan pembawa (β) pada lapisan injektor TiO 2 :Co akan mencapai nilai maksimumnya yang selanjutnya menentukan nilai R melalui hubungan seperti ditunjukkan pada Persamaan (1). Untuk melihat lebih jelas fenomena efek injeksi spin pada salah satu jalur konduksi ini, kurva R = R (H=3500) -R (H=0) diplot terhadap tegangan bias (V bias ) pada rezim linier dan non-liniernya seperti ditunjukkan pada Gambar 5. Ketika tegangan bias diperbesar pada divais, penurunan magnetoresistansi secara tajam, teramati. Penurunan magnetoresistansi ke ½ kali nilai semula, terjadi pada nilai tegangan sekitar 0,3 Volt. Pada tegangan yang lebih tinggi, magnetoresistansi divais tidak selamanya bergantung pada kuat medan magnetik luar yang diberikan. Hal ini ditunjukkan oleh kenyataan bahwa tidak teramati adanya perubahan resistansi pada kasus H = 0 Oe dan H = 3500 Oe ketika tegangan bias yang diberikan melebihi 1 Volt. Fakta ini menunjukkan bahwa terjadi suatu pereduksian terhadap derajat polarisasi spin (β) muatan pembawa pada injektor TiO 2 :Co yang diinjeksi ke semikonduktor Si. Derajat polarisasi spin β tereduksi sampai ke 0% ketika pada divais diberi tegangan bias pada dan di atas 1,1 Volt (Gambar 5). Penurunan magnetoresistansi yang tajam tersebut dapat difahami dengan mengkaji potensial elektrokimia (µ) muatan pembawa yang memiliki spinup dan spin-down pada antar-muka (interface) persambungan - (Schmidt et al., 2001) (Gambar 6).
5 42 JURNAL MATEMATIKA DAN SAINS, MARET 2007, VOL. 12 NO. 1 Tegangan (V) Gambar 5. Kurva perubahan resistansi R divais TiO 2 :Co/Si/TiO 2 :Co yang diplot sebagai fungsi tegangan bias (V bias ). (Dibutuhkan tegangan sama dengan 1,1 Volt atau lebih untuk mengatasi perbedaan resistansi yang terjadi akibat akumulasi spin ke dalam salah satu jalur konduksi pada semikonduktor Si). TiO 2 :Co Si TiO 2 :Co (a) (b) Gambar 6. Idealisasi struktur satu dimensi TiO 2 :Co/Si/TiO 2 :Co; (a) Model potensial elektrokimia muatan pembawa spin-up dan spin-down pada antarmuka (interface) persambungan /, (b). E adalah energi dan µ adalah potensial elektrokimia. Ketika arus dialirkan dari material yang telah dimagnetisasi ke dalam material (tinjau kasus di mana konsentrasi muatan pembawa yang memiliki spin-down lebih besar dari pada yang memiliki spin-up sehingga 0 < β < 1), potensial elektrokimia muatan pembawa akan terpisah di antarmuka / berdasarkan spinnya. Pada saat awal arus mulai mengalir, di mana β berada pada nilai maksimumnya, menghasilkan R maksimum (Gambar 5). Fakta ini sesuai dengan Persamaan (1). 0 Pemisahan potensial elektrokimia muatan pembawa (spin-up µ dan spin-down µ ) pada antarmuka menjadi gaya penggerak (driving force) arus spin ke dalam material. Injeksi spin ke menyebabkan penurunan tegangan secara drastis sebesar V pada antar-muka sebagai konsekuensi pengkonversian spin ke dalam material yang tidak bersifat feromagnetik. Penurunan tegangan ini terjadi sebagai akibat adanya perbedaan antara potensial elektrokimia rata-rata µ * pada dan potensial elektrokimia rata-rata µ * pada. Besar beda energi oleh perbedaan potensial elektrokimia rata-rata ini adalah e V = µ (0) µ (0), yang selanjutnya menghasilkan resistansi R= V/l, dengan e dan I masing-masing adalah muatan elektron dan arus. Konsekuensi pengkonversian ini, sebagai akibat mengalirnya arus, menurunkan nilai β pada. Semakin besar arus dialirkan, semakin kecil nilai β. Dengan demikian, untuk mendapatkan nilai R yang besar, injektor harus memiliki nilai β yang besar. Untuk memenuhi syarat kekekalan muatan pada antar-muka /, V harus dikompensasi melalui ikatan pita energi yang sangat kuat, khususnya pada saat arus yang dialirkan diperbesar. Ketika ikatan pita energi menjadi sangat kuat oleh karena aliran arus yang besar, menyebabkan R menjadi berkurang. 4. Kesimpulan Film tipis TiO 2 :Co telah ditumbuhkan di atas subtrat Si(100) dengan teknik MOCVD. Berdasarkan hasil respon magnetiknya, film tipis TiO 2 :Co memiliki sifat magnetik lembut (soft magnetic) sebagaimana disyaratkan dalam pembuatan divais spintronika semikonduktor. Resistansi divais TiO 2 :Co/Si/TiO 2 :Co lebih besar pada saat medan magnetik bekerja pada injektor. Kebergantungan resistansi terhadap medan magnetik luar terjadi pada nilai tegangan bias di bawah 1 Volt. Penambahan tegangan bias, yang selanjutnya menambah besarnya arus yang mengalir pada divais, menyebabkan ikatan pita energi pada antar-muka persambungan / semakin kuat, sehingga mengurangi nilai resistansi. Sifat magnetoresistansi divais menjadi hilang ( R=0) pada saat tegangan bias melebihi 1,1 Volt. Daftar Pustaka Awschalom, D. D., D. Loss, and N. Samarth, 2002, Semiconductor Spintronics and Quantum Computation, Springer-Verlag, Berlin. Matsumoto, Y., M. Murakami, T. Shono, T. Hasegawa, T. Fukumura, M. Kawasaki, P. Ahmet, T. Chikyow, S. Koshihara, and H. Koinuma, 2001, Room-Temperature Ferromagnetism in
6 Supriyanto, dkk, Magnetoresistansi Divais Spintronika 43 Transparent Transition Metal doped Titanium Dioxide, Science, 291, 854. Schmidt, G., 2005, Concepts for Spin Injection into Semiconductors: A review, J. Phys. D: Appl. Phys., 38, R107. Schmidt, G., D. Ferrand, L. W. Molenkamp, A. T. Filip, and B. J. van Wees, 2000, Fundamental Obstacle for Electrical Spin Injection from a Ferromagnetic Metal into a Diffusive Semiconductor, Phys. Rev. B, 62, R4790. Schmidt, G., G. Richter, P. Grabs, Ferrand, and L.W. Molenkamp, 2001, Large Magnetoresistance Effect Due to Spin Injection into a Nonmagnetic Semiconductor, Phys. Rev. Lett., 87, Schmidt, G., C. Gould, P. Grabs, A. M. Lunde, G. Richter, A. Slobodskyy, and L. W. Molenkamp, 2004, Spin Injection in The Nonlinier Regime: Band Bending Effects, Phys. Rev. Lett., 92, Saragih, H., P. Arifin, dan M. Barmawi, 2005, Efek Magnetisasi Spontan dan Karakteristik Transport Listrik Film Tipis TiO 2 :Co yang Ditumbuhkan dengan Metode MOCVD, JMS, 10:1, 21. Saragih, H., P. Arifin, dan M. Barmawi, 2004(a), Pengaruh Temperatur Penumbuhan Terhadap Karakteristik Magnetik Film Tipis TiO 2 :Co yang Ditumbuhkan dengan Metode Metalorganic Chemical Vapor Deposition (MOCVD), JMS, 9:4, 301. Saragih, H., P. Arifin, dan M. Barmawi, 2004(b), Penumbuhan Film Tipis Ti 1-x Co x O 2 dengan Metode MOCVD, JMS, 9:3, 263.
Magnetoresistansi Divais Spintronika TiO 2 :Co/Si/TiO 2 :Co
Magnetoresistansi Divais Spintronika TiO 2 :Co/Si/TiO 2 :Co Edy Supriyanto, Horasdia Saragih, Maman Budiman, Pepen Arifin, Sukirno dan M. Barmawi Kelompok Keahlian Fisika Material Elektronik Fakultas Matematika
Lebih terperinciKARAKTERISTIK MORFOLOGI DAN OPTIK FILM TIPIS TiO 2 :Co YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE MOCVD DI ATAS SUBSTRAT SILIKON
PKMI-3-5-1 KARAKTERISTIK MORFOLOGI DAN OPTIK FILM TIPIS TiO 2 :Co YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE MOCVD DI ATAS SUBSTRAT SILIKON Iing Mustain Jurusan pendidikan Fisika, Universitas Pendidikan Indonesia,
Lebih terperinciAnisotropi Magnetik Film Tipis TiO 2 :Co yang Ditumbuhkan dengan Teknik MOCVD
Jurnal Matematika dan Sains Vol. 10 No. 4, Desember 2005, hal 107-111 Anisotropi Magnetik Film Tipis TiO 2 :Co yang Ditumbuhkan dengan Teknik MOCVD Abstrak Horasdia Saragih 1,2), Pepen Arifin 1) dan Mohamad
Lebih terperinciDiterima Juni 2004, disetujui untuk dipublikasikan September 2004
Jurnal Matematika dan Sains Vol. 9 No. 3, September 2004, hal 263-268 Penumbuhan Film Tipis Ti 1-x Co x O 2 Dengan Metode MOCVD Horasdia Saragih 1,3), Mersi Kurniati 2), Akhiruddin Maddu 2), Pepen Arifin
Lebih terperinciPengaruh Temperatur Penumbuhan terhadap Struktur Kristal dan Morfologi Film Tipis TiO 2 :Eu yang Ditumbuhkan dengan Metode MOCVD
Pengaruh Temperatur Penumbuhan terhadap Struktur Kristal dan Morfologi Film Tipis TiO 2 :Eu yang Ditumbuhkan dengan Metode MOCVD Edy Supriyanto 1,2), Goib Wiranto 3), Heri Sutanto 1,4), Agus Subagio 1,4),
Lebih terperinciPENGARUH PENGOTOR Co PADA STRUKTUR DAN KONDUKTIVITAS FILM TIPIS TiO 2
ISSN 1412 3762 http://jurnal.upi.edu/electrans ELECTRANS, VOL.12, NO.1, MARET 2013, 9-14 PENGARUH PENGOTOR Co PADA STRUKTUR DAN KONDUKTIVITAS FILM TIPIS TiO 2 Aip Saripudin, Tjetje Gunawan, Yuda Muladi
Lebih terperinciStudi Pengaruh Konsentrasi Co pada Struktur Kristal dan Respon Photoluminescence Film Tipis Ti 1-x Co x O 2 yang Ditumbuhkan dengan Teknik MOCVD
PROC. ITB Sains & Tek. Vol. 37 A, No. 2, 2005, 101-114 101 Studi Pengaruh Konsentrasi Co pada Struktur Kristal dan Respon Photoluminescence Film Tipis Ti 1-x Co x O 2 yang Ditumbuhkan dengan Teknik MOCVD
Lebih terperinciStudi Pengaruh Temperatur Penumbuhan terhadap Struktur Kristal dan Morfologi Film Tipis TiO 2 :Eu yang Ditumbuhkan dengan Metode MOCVD
Studi Pengaruh Temperatur Penumbuhan terhadap Struktur Kristal dan Morfologi Film Tipis TiO 2 :Eu yang Ditumbuhkan dengan Metode MOCVD Edy Supriyanto 1,2), Goib Wiranto 3), Heri Sutanto 1,4), Agus Subagio
Lebih terperinciPROC. ITB Sains & Tek. Vol. 38 A, No. 2, 2006,
PROC. ITB Sains & Tek. Vol. 38 A, No. 2, 2006, 117-131 117 Studi Penumbuhan Film Tipis Ti 1-x Co x O 2 dengan Teknik MOCVD Menggunakan Prekursor Titanium (IV) Isopropoxide dan Tris (2,2,6,6-tetramethyl-3,
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban manusia di abad ini. Sehingga diperlukan suatu kemampuan menguasai teknologi tinggi agar bisa
Lebih terperinciRINGKASAN HIBAH BERSAING
Bidang Teknologi RINGKASAN HIBAH BERSAING PENUMBUHAN MATERIAL DMS GaN:Mn DAN STRUKTUR GaN/GaN:Mn DI ATAS SUBSTRAT SILIKON DENGAN METODE PA-MOCVD UNTUK APLIKASI DIVAIS MTJ Peneliti: Dr. Budi Mulyanti, MSi
Lebih terperinciEfek Doping Co Pada Konstanta Kisi Film Tipis polikristal TiO 2 yang Dideposisikan dengan Teknik MOCVD
Efek Doping Co Pada Konstanta Kisi Film Tipis polikristal TiO 2 yang Dideposisikan dengan Teknik MOCVD Aip Saripudin* Program Studi Teknik Elektro FPTK, Universitas Pendidikan Indonesia Email: asaripudin1604@gmail.com
Lebih terperinciBAB 1 PENDAHULUAN Latar Belakang
BAB 1 PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Memasuki abad 21, persediaan minyak dan gas bumi semakin menipis. Sementara kebutuhan akan energi semakin meningkat, terutama dirasakan pada negara industri. Kebuthan
Lebih terperinciOleh Budi Mulyanti NIM : Tim Pembimbing Dr. Sukirno Prof. Dr. M. Barmawi Dr. Pepen Arifin Dr. Maman Budiman
PENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR FERROMAGNETIK GaN:Mn MENGGUNAKAN METODE PLASMA ASSISTED METALORGANIC CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (PA- MOCVD) DAN KARAKTERISASINYA Oleh Budi Mulyanti NIM : 30201015 Tim
Lebih terperinciARTIKEL ILMIAH HIBAH BERSAING
ARTIKEL ILMIAH HIBAH BERSAING Bidang Teknologi PENUMBUHAN MATERIAL DMS GaN:Mn DAN STRUKTUR GaN/GaN:Mn DI ATAS SUBSTRAT SILIKON DENGAN METODE PA-MOCVD UNTUK APLIKASI DIVAIS MTJ Peneliti: Dr. Budi Mulyanti,
Lebih terperinciABSTRAK DAN EXECUTIVE SUMMARY PROGRAM PENELITIAN HIBAH BERSAING
ABSTRAK DAN EXECUTIVE SUMMARY PROGRAM PENELITIAN HIBAH BERSAING Rancang Bangun Sensor Gas CO Berbasis Zinc Oxide Nanokristal Tahun ke-1 dari rencana 2 tahun Oleh: Dr. Edy Supriyanto, S.Si., M.Si(Ketua
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini mengalami peralihan dari teknologi mikro (microtechnology) ke generasi yang lebih kecil yang dikenal
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC)
39 HASIL DAN PEMBAHASAN Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC) Hasil karakterisasi dengan Difraksi Sinar-X (XRD) dilakukan untuk mengetahui jenis material yang dihasilkan disamping menentukan
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini terlihat dari banyaknya komponen semikonduktor yang digunakan disetiap kegiatan manusia.
Lebih terperinciBerkala Fisika ISSN : Vol 4, No. 2, April 2001, hal 40-44
PENGARUH VARIASI TEMPERATUR PENUMBUHAN TERHADAP KARAKTERISTIK SIFAT LISTRIK FILM TIPIS GaN DI ATAS Si (111) DENGAN METODE PA-MOCVD Heri Sutanto Laboratorium Fisika Zat Padat, Jurusan Fisika, FMIPA Universitas
Lebih terperinciBAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI
BAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI Pada bab ini dibahas penumbuhan AlGaN tanpa doping menggunakan reaktor PA- MOCVD. Lapisan AlGaN ditumbuhkan dengan variasi laju alir gas reaktan, hasil penumbuhan dikarakterisasi
Lebih terperinciMolekul, Vol. 5, No. 1, Mei 2010 : KARAKTERISTIK FILM TIPIS TiO 2 DOPING NIOBIUM
KARAKTERISTIK FILM TIPIS TiO 2 DOPING NIOBIUM Bilalodin dan Mukhtar Effendi Program Studi Fisika, Jurusan MIPA Fakultas Sains dan Teknik UNSOED Email: bilalodin.unsoed@gmail.com ABSTRACT Niobium (Nb) doped
Lebih terperinci4 Hasil dan Pembahasan
4 Hasil dan Pembahasan 4.1 Sintesis Padatan TiO 2 Amorf Proses sintesis padatan TiO 2 amorf ini dimulai dengan melarutkan titanium isopropoksida (TTIP) ke dalam pelarut etanol. Pelarut etanol yang digunakan
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen yang dilakukan di
BAB III METODE PENELITIAN Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen yang dilakukan di lab. Fisika Material, Jurusan Pendidikan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas
Lebih terperinciKarakterisasi XRD. Pengukuran
11 Karakterisasi XRD Pengukuran XRD menggunakan alat XRD7000, kemudian dihubungkan dengan program dikomputer. Puncakpuncak yang didapatkan dari data pengukuran ini kemudian dicocokkan dengan standar difraksi
Lebih terperinciStruktur kristal dan Morfologi film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan metoda Hot-Wire Pulsed Laser Deposition
Struktur kristal dan Morfologi film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan metoda Hot-Wire Pulsed Laser Deposition Dadi Rusdiana Departemen Fisika, FPMIPA UPI, Jl. Dr.Setiabudi 229 Bandung, Indonesia 40154
Lebih terperinciGambar 2.1. momen magnet yang berhubungan dengan (a) orbit elektron (b) perputaran elektron terhadap sumbunya [1]
BAB II TINJAUAN PUSTAKA 2.1. Momen Magnet Sifat magnetik makroskopik dari material adalah akibat dari momen momen magnet yang berkaitan dengan elektron-elektron individual. Setiap elektron dalam atom mempunyai
Lebih terperinciSTRUKTUR KRISTAL DAN MORFOLOGI TITANIUM DIOKSIDA (TiO 2 ) POWDER SEBAGAI MATERIAL FOTOKATALIS
STRUKTUR KRISTAL DAN MORFOLOGI TITANIUM DIOKSIDA (TiO 2 ) POWDER SEBAGAI MATERIAL FOTOKATALIS SKRIPSI Oleh : Ahsanal Holikin NIM 041810201063 JURUSAN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
Lebih terperinciBAB IV PERHITUNGAN & ANALSIS HASIL KARAKTERISASI XRD, EDS DAN PENGUKURAN I-V MSM
BAB IV PERHITUNGAN & ANALSIS HASIL KARAKTERISASI XRD, EDS DAN PENGUKURAN I-V MSM Pada bab sebelumnya telah diperlihatkan hasil karakterisasi struktur kristal, morfologi permukaan, dan komposisi lapisan.
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. disamping memberikan dampak positif yang dapat. dirasakan dalam melakukan aktifitas sehari hari, juga dapat memberikan beberapa
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Pada saat ini pembangunan mengalami pertumbuhan yang sangat pesat, seperti pembangunan fisik kota, industri dan transportasi. Pada pertumbuhan pembangunan tersebut
Lebih terperinciSTUDI EFEK FOTOVOLTAIK DAN PIROELEKTRIK Ba 0,75 Sr 0,25 TIO 3 (BST) YANG DIDADAH GALIUM (BGST) DI ATAS SUBSTRAT SI (100) TIPE-P ERDIANSYAH PRATAMA
STUDI EFEK FOTOVOLTAIK DAN PIROELEKTRIK Ba 0,75 Sr 0,25 TIO 3 (BST) YANG DIDADAH GALIUM (BGST) DI ATAS SUBSTRAT SI (100) TIPE-P ERDIANSYAH PRATAMA DEPARTEMEN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN
Lebih terperinciBAB V HASIL DAN PEMBAHASAN
BAB V HASIL DAN PEMBAHASAN Pada penelitian ini difabrikasi nanopartikel magnetik cobalt ferrite (CoFe 2 O 4 ) menggunakan metode kopresipitasi dengan konsentrasi NaOH 1,5 M, suhu 80 C dan lama pengadukan
Lebih terperinciI. PENDAHULUAN. kimia yang dibantu oleh cahaya dan katalis. Beberapa langkah-langkah fotokatalis
I. PENDAHULUAN A. Latar Belakang Telah berkembang suatu mekanisme fotokatalis yang menerapkan pemanfaatan radiasi ultraviolet dan bahan semikonduktor sebagai fotokatalis, umumnya menggunakan bahan TiO2
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia Tenggara. Sebagai negara berkembang, Indonesia melakukan swasembada diberbagai bidang, termasuk
Lebih terperinciBab IV Hasil dan Pembahasan
33 Bab IV Hasil dan Pembahasan Pada bab ini dilaporkan hasil sintesis dan karakterisasi dari senyawa yang disintesis. Senyawa disintesis menggunakan metoda deposisi dalam larutan pada temperatur rendah
Lebih terperinciDeskripsi METODE UNTUK PENUMBUHAN MATERIAL CARBON NANOTUBES (CNT)
1 Deskripsi METODE UNTUK PENUMBUHAN MATERIAL CARBON NANOTUBES (CNT) Bidang Teknik Invensi Invensi ini berhubungan dengan metode untuk penumbuhan material carbon nanotubes (CNT) di atas substrat silikon
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Dewasa ini, banyak penelitian dalam fisika material mampat mengenai semikonduktor yang difokuskan untuk aplikasi dalam bentuk divais spintronik, dimana spin elektron
Lebih terperinciDistribusi Celah Pita Energi Titania Kotor
Jurnal Nanosains & Nanoteknologi ISSN 1979-0880 Edisi Khusus, Agustus 009 Distribusi Celah Pita Energi Titania Kotor Indah Nurmawarti, Mikrajuddin Abdullah (a), dan Khairurrijal Kelompok Keahlian Fisika
Lebih terperinciUji Kekerasan Material dengan Metode Rockwell
Uji Kekerasan Material dengan Metode Rockwell 1 Ika Wahyuni, 2 Ahmad Barkati Rojul, 3 Erlin Nasocha, 4 Nindia Fauzia Rosyi, 5 Nurul Khusnia, 6 Oktaviana Retna Ningsih Jurusan Fisika, Fakultas Sains dan
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. energi cahaya (foton) menjadi energi listrik tanpa proses yang menyebabkan
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Sel surya merupakan suatu piranti elektronik yang mampu mengkonversi energi cahaya (foton) menjadi energi listrik tanpa proses yang menyebabkan dampak buruk terhadap
Lebih terperinciBab III Metodologi Penelitian
28 Bab III Metodologi Penelitian III.1 Tahap Penelitian Penelitian ini terbagi dalam empat tahapan kerja, yaitu : Tahapan kerja pertama adalah persiapan bahan dasar pembuatan film tipis ZnO yang terdiri
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Pesatnya perkembangan teknologi material semikonduktor keramik,
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang. Pesatnya perkembangan teknologi material semikonduktor keramik, menghasilkan berbagai penemuan baru khususnya dalam bidang elektronika. Salah satu teknologi yang
Lebih terperinciBAB I 1 PENDAHULUAN. kemampuan mengubah bentuk radiasi cahaya menjadi sinyal listrik. Radiasi yang
BAB I 1 PENDAHULUAN 1.1 LATAR BELAKANG MASALAH Fotodiode merupakan sebuah peranti semikonduktor yang memiliki kemampuan mengubah bentuk radiasi cahaya menjadi sinyal listrik. Radiasi yang dapat diterima
Lebih terperinciSTUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI
Studi Pengaruh Suhu Substrat. (Rully Fakhry Muhammad) 303 STUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI STUDY
Lebih terperinciSTRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPIS TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 S 0.8 ) HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA
J. Sains Dasar 2015 4 (2) 198-203 STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPIS TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 S 0.8 ) HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA THE STRUCTURE AND CHEMICAL
Lebih terperinciBab IV Hasil dan Pembahasan
Bab IV Hasil dan Pembahasan IV.1 Karakterisasi Awal Serbuk ZrSiO 4 dan ZrO 2 Serbuk ZrSiO 4 dan ZrO 2 sebagai bahan utama membran merupakan hasil pengolahan mineral pasir zirkon. Kedua serbuk tersebut
Lebih terperinciIII. PROSEDUR PERCOBAAN. XRD dilakukan di Laboratorium Pusat Survey Geologi, Bandung dan
29 III. PROSEDUR PERCOBAAN A. Waktu dan Tempat Penelitian Penelitian dilaksanakan pada bulan Agustus 2012 sampai dengan Desember 2012, di Laboratorium Fisika Material FMIPA Universitas Lampung. Karakterisasi
Lebih terperinciKarakterisasi Sensor TiO 2 Didoping ZnO untuk Mendeteksi Gas Oksigen
122 Karakterisasi Sensor TiO 2 Didoping ZnO untuk Mendeteksi Gas Oksigen Wahyuni Putri*, Elvaswer Jurusan Fisika, Kampus Limau Manis, Universitas Andalas, Padang 25163 *Wahyuniputri750@yahoo.com ABSTRAK
Lebih terperinciGambar 1.1 Ilustrasi struktur MTJ (tanpa skala) dengan arah lapisan magentisasi (Ali, 2013)
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Perkembangan ilmu pengetahuan tentang spintronik memberikan paradigma baru dalam teknologi modern saat ini. Elektron yang semula hanya dipandang sebagai muatannya saja,
Lebih terperinciPenumbuhan Lapisan Tipis Material Sensor Giant Magnetoresistance Berstruktur Sandwich dengan Metode Sputtering
Penumbuhan Lapisan Tipis Material Sensor Giant Magnetoresistance Berstruktur Sandwich dengan Metode Sputtering 1,2 Ramli, 1 Mitra Djamal, 1 Freddy Haryanto & 1 Khairurrijal 1 Jurusan Fisika, Institut Teknologi
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Juli 2005 sampai Juni 2006, bertempat di
BAB III METODE PENELITIAN 3.1 Tempat dan Waktu Penelitian Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Juli 2005 sampai Juni 2006, bertempat di Laboratorium Departemen Fisika, FMIPA, Universitas Indonesia, Depok
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN. Metode yang digunakan dalam penelitian ini adalah metoda eksperimen.
BAB III METODOLOGI PENELITIAN A. Metode Penelitian Metode yang digunakan dalam penelitian ini adalah metoda eksperimen. Penelitian dilakukan dengan beberapa tahapan yang digambarkan dalam diagram alir
Lebih terperinciJurnal ILMU DASAR, Vol. 9 No. 1 Januari 2008 :
Jurnal ILMU DASAR, Vol. 9 No. 1 Januari 2008 : 9-14 9 Studi Pengaruh Pengadukan dan Tanpa Pengadukan Larutan Elektrolit Terhadap Struktur Kristal, Morfologi dan Rasio Magnetoresistansi Lapisan Tipis Paduan
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 LatarBelakang
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 LatarBelakang Proses pembangunan disegala bidang selain membawa kemajuan terhadap kehidupan manusia, tetapi juga akan membawa dampak negative bagi lingkungan hidup. Industrialisasi
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Nanomaterial memiliki sifat unik yang sangat cocok untuk diaplikasikan dalam bidang industri. Sebuah material dapat dikatakan sebagai nanomaterial jika salah satu
Lebih terperinciBAB 2 Teori Dasar 2.1 Konsep Dasar
BAB 2 Teori Dasar 2.1 Konsep Dasar 2.1.1 Momen Magnet Arus yang mengalir pada suatu kawat yang lurus akan menghasilkan medan magnet yang melingkar di sekitar kawat, dan apabila kawat tersebut dilingkarkan
Lebih terperinciBAB II TINJAUAN PUSTAKA
BAB II TINJAUAN PUSTAKA 2.1. Barium Stronsium Titanat (Ba x Sr 1-x TiO 3 ) BST merupakan kombinasi dua material perovskit barium titanat (BaTiO) dan stronsium titanat (SrTiO). Pada kedudukan A, kisi ABO
Lebih terperinciTEMA: ENERGI TERBARUKAN. FABRIKASI SEL SURYA BERBASIS SILIKON DENGAN LAPISAN ANTI REFLEKSI ZnO MENGGUNAKAN TEKNOLOGI THICK FILM
Bidang Ilmu Teknologi RINGKASAN LAPORAN TAHAP I HIBAH KOMPETITIF PENELITIAN SESUAI PRIORITAS NASIONAL TEMA: ENERGI TERBARUKAN FABRIKASI SEL SURYA BERBASIS SILIKON DENGAN LAPISAN ANTI REFLEKSI ZnO MENGGUNAKAN
Lebih terperinciPENGARUH FRAKSI MOL Mn/Ga LARUTAN TERHADAP KOMPOSISI DAN MIKRO STRUKTUR LAPISAN TIPIS GaN: Mn YANG DIDEPOSISI METODE SOL-GEL
MT-45 PENGARUH FRAKSI MOL Mn/Ga LARUTAN TERHADAP KOMPOSISI DAN MIKRO STRUKTUR LAPISAN TIPIS GaN: Mn YANG DIDEPOSISI METODE SOL-GEL Heri Sutanto 1), Iis Nurhasanah 1), Istadi 2) 1) Jurusan Fisika, FSM Universitas
Lebih terperinciPEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS
PEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS Syuhada, Dwi Bayuwati, Sulaiman Pusat Penelitian Fisika-LIPI, Kawasan Puspiptek Serpong Tangerang 15314 e-mail: hadda212@yahoo.com
Lebih terperinciX-Ray Fluorescence Spectrometer (XRF)
X-Ray Fluorescence Spectrometer (XRF) X-Ray Fluorescence Spectrometer (XRF) Philips Venus (Picture from http://www.professionalsystems.pk) Alat X-Ray Fluorescence Spectrometer (XRF) memanfaatkan sinar
Lebih terperinciJurnal Sains Materi Indonesia Vol.6, No. 1, Oktober 2004.
NISBAH GMR SUPERKISI Ag/NiFe/Ag/NiFe ABSTRAK Moh. Toifur 1, Prayoto 2, Kamsul Abraha 3 dan Ridwan 4 1 Jurucan Fisika Univesitas Ahmad Dahlan JI. Kapas No. 9, Semaki, Yogayakarta 55166 2 Jurusan Fisika
Lebih terperinciMAKALAH PITA ENERGI. Di susun oleh, Pradita Ajeng Wiguna ( ) Rombel 1. Untuk Memenuhi Tugas Mata Kuliah Fisika dan Teknologi Semikonduktor
MAKALAH PITA ENERGI Untuk Memenuhi Tugas Mata Kuliah Fisika dan Teknologi Semikonduktor Di susun oleh, Pradita Ajeng Wiguna (4211412011) Rombel 1 JURUSAN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Ketersediaan sumber energi merupakan masalah yang harus segera diselesaikan oleh masing-masing negara termasuk Indonesia. Untuk itu perlu dikembangkan suatu teknologi
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Perkembangan sensor magnetik berbasis teknologi Giant Magnetoresistance (GMR) pada saat ini menarik minat banyak peneliti. Hal ini dikarenakan material GMR memiliki
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Material Giant-Magnetoresistance (GMR) merupakan material yang sedang dikembangkan di berbagai negara. GMR pertama kali diselidiki oleh Baibich dkk (1988) dalam struktur
Lebih terperinciSINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION
SINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION Yolanda Oktaviani, Astuti Jurusan Fisika FMIPA Universitas Andalas e-mail: vianyolanda@yahoo.co.id
Lebih terperinciEksperimen HASIL DAN PEMBAHASAN Pengambilan data
7 jam dan disonikasi selama jam agar membran yang dihasilkan homogen. Langkah selanjutnya, membran dituangkan ke permukaan kaca yang kedua sisi kanan dan kiri telah diisolasi. Selanjutnya membran direndam
Lebih terperinciPENUMBUHAN LAPISAN TIPIS BARIUM FERRUM TITANAT (BFT) DENGAN METODE SOL GEL
PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS BARIUM FERRUM TITANAT (BFT) DENGAN METODE SOL GEL Disusun oleh : TIRA IKHWANI M0209053 SKRIPSI FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM UNIVERSITAS SEBELAS MARET SURAKARTA
Lebih terperinciSTRUKTUR CRISTAL SILIKON
BANDGAP TABEL PERIODIK STRUKTUR CRISTAL SILIKON PITA ENERGI Pita yang ditempati oleh elektron valensi disebut Pita Valensi Pita yang kosong pertama disebut : Pita Konduksi ISOLATOR, KONDUKTOR DAN SEMIKONDUKTOR
Lebih terperinciModul - 4 SEMIKONDUKTOR
Modul - 4 SEMIKONDUKTOR Disusun Sebagai Materi Pelatihan Guru-Guru SMA/MA Provinsi Nangro Aceh Darussalam Disusun oleh: Dr. Agus Setiawan, M.Si Dr. Dadi Rusdiana, M.Si Dr. Ida Hamidah, M.Si Dra. Ida Kaniawati,
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. modern pada fotokonduktor ultraviolet (UV) membutuhkan material
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Pengembangan material semikonduktor tidak lepas dari perkembangan piranti elektronik diantaranya fotokonduktor ultraviolet (UV). Tuntutan aplikasi modern pada
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Spektrum elektromagnetik yang mampu dideteksi oleh mata manusia
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar belakang Spektrum elektromagnetik yang mampu dideteksi oleh mata manusia berada dalam rentang spektrum cahaya tampak yang memiliki panjang gelombang dari 400 900 nm. Sedangkan
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN. Lokasi penelitian dilakukan di Laboratorium Fisika Material, Jurusan
BAB III METODOLOGI PENELITIAN A. Lokasi dan Waktu Penelitian Lokasi penelitian dilakukan di Laboratorium Fisika Material, Jurusan Pendidikan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas
Lebih terperinciLAPORAN EKSPERIMEN FISIKA 2 FOTOKONDUKTIVITAS. Zudah Sima atul Kubro G DEPARTEMEN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
LAPORAN EKSPERIMEN FISIKA 2 FOTOKONDUKTIVITAS Rekan Kerja : 1. Aah Nuraisah 2. Mutiara Khairunnisa 3. Dedeh Nurhayati Zudah Sima atul Kubro G74120023 Asisten : Pramudya Wardhani (G74110008) Dadi Irawan
Lebih terperinciPembuatan Sel Surya Film Tipis dengan DC Magnetron Sputtering
Pembuatan Sel Surya Film Tipis dengan DC Magnetron Sputtering Desty Anggita Tunggadewi 1, Fitria Hidayanti 1 1 Program Studi Teknik Fisika, Fakultas Teknik dan Sains, Universitas Nasional dtunggadewi@yahoo.co.id,
Lebih terperinciPENGARUH VARIASI MILLING TIME dan TEMPERATUR KALSINASI pada MEKANISME DOPING 5%wt AL NANOMATERIAL TiO 2 HASIL PROSES MECHANICAL MILLING
PENGARUH VARIASI MILLING TIME dan TEMPERATUR KALSINASI pada MEKANISME DOPING 5%wt AL NANOMATERIAL TiO 2 HASIL PROSES MECHANICAL MILLING I Dewa Gede Panca Suwirta 2710100004 Dosen Pembimbing Hariyati Purwaningsih,
Lebih terperinciBAB IV HASIL PERCOBAAN DAN PEMBAHASAN
BAB IV HASIL PERCOBAAN DAN PEMBAHASAN Berdasarkan prosedur pengujian pada Bab III maka didapatkan hasil pengujian Imersi, Potensiodinamik dan SEM sebagai berikut : 4.1 Hasil Pengujian Immerse Dari hasil
Lebih terperinciKARAKTERISASI SENSOR GAS LIQUEFIED PETROLEUM GAS (LPG) DARI BAHAN SEMIKONDUKTOR HETEROKONTAK CUO/CUO(TIO2)
KARAKTERISASI SENSOR GAS LIQUEFIED PETROLEUM GAS (LPG) DARI BAHAN SEMIKONDUKTOR HETEROKONTAK CUO/CUO(TIO2) Essy Puspa Zelvia, Elvaswer Jurusan Fisika FMIPA Universitas Andalas Kampus Unand, Limau Manis,
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. kita terima bahwa pemakaian energi berbahan dasar dari fosil telah menjadi salah
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Menipisnya cadangan energi fosil di Indonesia dan kenyataan yang harus kita terima bahwa pemakaian energi berbahan dasar dari fosil telah menjadi salah satu
Lebih terperinciPENGARUH LAJU MOLAR Mn LARUTAN TERHADAP MIKROSTRUKTUR FILM LAPISAN GaN: Mn YANG DIDEPOSISI DI ATAS SUBSTRAT Si MENGGUNAKAN METODE CSD
PENGARUH LAJU MOLAR Mn LARUTAN TERHADAP MIKROSTRUKTUR FILM LAPISAN GaN: Mn YANG DIDEPOSISI DI ATAS SUBSTRAT Si MENGGUNAKAN METODE CSD Heri Sutanto 1), Eko Hidayanto 1), Iis Nurhasanah 1), Nursidi Yunanto
Lebih terperinciBab III Metodologi Penelitian
Bab III Metodologi Penelitian Penelitian yang dilakukan ini menggunakan metode eksperimen. Eksperimen dilakukan di beberapa tempat yaitu Laboratorium Kemagnetan Bahan, Jurusan Fisika, FMIPA Universitas
Lebih terperinciBAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN
BAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN 4.1. XRD Uji XRD menggunakan difraktometer type Phylips PW3710 BASED dilengkapi dengan perangkat software APD (Automatic Powder Difraction) yang ada di Laboratorium UI Salemba
Lebih terperinciPenumbuhan Film Tipis Semikonduktor Ferromagnetik GaN:Mn Menggunakan Metode Plasma Assisted Metal Organic Chemical Vapor Deposition (PA-MOCVD)
Penumbuhan Film Tipis Semikonduktor Ferromagnetik GaN:Mn Menggunakan Metode Plasma Assisted Metal Organic Chemical Vapor Deposition (PA-MOCVD) Oleh Budi Mulyanti 30201015 Tim Pembimbing Dr. Sukirno Prof.
Lebih terperinciGambar Semikonduktor tipe-p (kiri) dan tipe-n (kanan)
Mekanisme Kerja Devais Sel Surya Sel surya merupakan suatu devais semikonduktor yang dapat menghasilkan listrik jika diberikan sejumlah energi cahaya. Proses penghasilan energi listrik itu diawali dengan
Lebih terperinciT 19 Kerapatan Keadaan pada Struktur Nano Berbentuk Sumur Nano, Kawat Nano dan Titik Nano
T 19 Kerapatan Keadaan pada Struktur Nano Berbentuk Sumur Nano, Kawat Nano dan Titik Nano Ratno Nuryadi Pusat Teknologi Material, Badan Pengkajian dan Penerapan Teknologi (BPPT) BPPT Gedung II Lt. 22.
Lebih terperinciPENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR
PENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR Penumbuhan film tipis semikonduktor di atas substrat dapat dilakukan secara epitaksi. Dalam bahasa yunani epi berarti di atas dan taksial berarti menyusun dengan kata
Lebih terperinciKARAKTERISASI TiO 2 (CuO) YANG DIBUAT DENGAN METODA KEADAAN PADAT (SOLID STATE REACTION) SEBAGAI SENSOR CO 2
KARAKTERISASI TiO 2 (CuO) YANG DIBUAT DENGAN METODA KEADAAN PADAT (SOLID STATE REACTION) SEBAGAI SENSOR CO 2 Hendri, Elvaswer Jurusan Fisika FMIPA Universitas Andalas Kampus Unand, Limau Manis, Padang,
Lebih terperinciSIMULASI PENGARUH PANJANG GELOMBANG FOTON DATANG TERHADAP KARAKTERISTIK I-V DIODA SEL SURYA MENGGUNAKAN METODE ELEMEN HINGGA
SIMULASI PENGARUH PANJANG GELOMBANG FOTON DATANG TERHADAP KARAKTERISTIK I-V DIODA SEL SURYA MENGGUNAKAN METODE ELEMEN HINGGA SKRIPSI Oleh Fitriana NIM 101810201006 JURUSAN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Kemajuan dunia industri saat ini dan masa yang akan datang menekankan pada peningkatan sistem otomatisasi, keamanan, kenyamanan akan sangat bergantung pada suatu
Lebih terperinciBAB II TINJAUAN PUSTAKA
BAB II TINJAUAN PUSTAKA Material semikonduktor adalah material yang memiliki konduktivitas listrik diantara konduktor dan isolator (10-8 S/cm < σ < 10 4 S/cm), σ adalah konduktivitas. Konduktivitas material
Lebih terperinciPENUMBUHAN NANOPARTIKEL TITANIUM DIOKSIDA PADA SUBSTRAT FTO DENGAN METODE ELEKTRODEPOSISI. Saidatun Khofifah *, Iwantono, Awitdrus
PENUMBUHAN NANOPARTIKEL TITANIUM DIOKSIDA PADA SUBSTRAT FTO DENGAN METODE ELEKTRODEPOSISI Saidatun Khofifah *, Iwantono, Awitdrus Mahasiswa Program Studi S1 Fisika Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan
Lebih terperinciNama dan Gelar Lengkap : Dr. Budi Mulyanti, M.Si. Tempat/Tanggal Lahir : Pemalang, 09 Januari 1963
CURRICULUM VITEA/BIODATA BIODATA LENGKAP Nama dan Gelar Lengkap : Dr. Budi Mulyanti, M.Si. Tempat/Tanggal Lahir : Pemalang, 09 Januari 1963 Jenis Kelamin : Perempuan NIP : 196301091994022001 Pangkat/Jabatan/Gol.
Lebih terperinciDASAR PENGUKURAN LISTRIK
DASAR PENGUKURAN LISTRIK OUTLINE 1. Objektif 2. Teori 3. Contoh 4. Simpulan Objektif Teori Contoh Simpulan Tujuan Pembelajaran Mahasiswa mampu: Menjelaskan dengan benar mengenai energi panas dan temperatur.
Lebih terperinciPEMBUATAN SENSOR GAS HIDROGEN BERBASIS FILM TIPIS GaN DENGAN TEKNIK SOL GEL SPIN COATING UNTUK KOMPONEN PADA SISTEM PENDETEKSI KEBOCORAN GAS
ISSN: 1693-1246 Januari 2013 http://journal.unnes.ac.id/nju/index.php/jpfi PEMBUATAN SENSOR GAS HIDROGEN BERBASIS FILM TIPIS GaN DENGAN TEKNIK SOL GEL SPIN COATING UNTUK KOMPONEN PADA SISTEM PENDETEKSI
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Listrik merupakan kebutuhan esensial yang sangat dominan kegunaannya
λ Panjang Gelombang 21 ω Kecepatan Angular 22 ns Indeks Bias Kaca 33 n Indeks Bias Lapisan Tipis 33 d Ketebalan Lapisan Tipis 33 α Koofisien Absorpsi 36 Frekuensi Cahaya 35 υ BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar
Lebih terperinciPERKEMBANGAN SEL SURYA
PERKEMBANGAN SEL SURYA Generasi Pertama Teknologi pertama yang berhasil dikembangkan oleh para peneliti adalah teknologi yang menggunakan bahan silikon kristal tunggal. Teknologi ini dalam mampu menghasilkan
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. Pelaksanaan penelitian ini pada dasarnya meliputi tiga tahapan proses
BAB III METODE PENELITIAN Pelaksanaan penelitian ini pada dasarnya meliputi tiga tahapan proses diawali dengan tahap persiapan, tahap penumbuhan, dan tahap karakterisasi. Pada bab ini dibahas tentang metode
Lebih terperinciRekayasa Bahan untuk Meningkatkan Daya Serap Terhadap Gelombang Elektromagnetik dengan Matode Deposisi Menggunakan Lucutan Korona
Rekayasa Bahan untuk Meningkatkan Daya Serap Terhadap Gelombang Elektromagnetik dengan Matode Deposisi Menggunakan Lucutan Korona Vincensius Gunawan.S.K Laboratorium Fisika Zat Padat, Jurusan Fisika, Universitas
Lebih terperinci