STRUKTUR DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS GALIUM OKSIDA DOPING ZnO (2%) YANG DIFABRIKASIKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTERING

Transkripsi

1 122 Prosiding Pertemuan Ilmiah XXIV HFI Jateng & DIY, Semarang 1 April 21 hal STRUKTUR DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS GALIUM OKSIDA DOPING ZnO (2%) YANG DIFABRIKASIKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTERING Putut Marwoto, Mustaanah, Sugianto dan Sulhadi Laboratorium Fisika Material FMIPA Universitas Negeri Semarang Kampus Sekaran Gunungpati Semarang 5229 Telp./fax: (24) pmarwoto@yahoo.com ABSTRAK Galium oksida (Ga 2 O 3 ) merupakan bahan semikonduktor dan berpotensi untuk aplikasi devais optoelektronik. Dalam penelitian ini telah ditumbuhkan film tipis Ga 2 O 3 dengan doping ZnO (2%) pada suhu 635 o C, tekanan gas argon 5 mtorr, waktu deposisi 18 menit, dan dengan daya plasma masing-masing 24,1 watt dan 44,62 watt. Film Ga 2 O 3 dengan struktur kristal monoklinik dan ZnO dengan struktur heksagonal diperoleh dari film yang ditumbuhkan dengan daya plasma 24,1 watt, sedangkan film dengan struktur amorf diperoleh pada film yang ditumbuhkan dengan daya plasma 44,62. Citra SEM menunjukkan bahwa film yang ditumbuhkan dengan daya plasma 24,1 watt mempunyai ukuran butir (grain size) yang lebih besar dengan morfologi permukaan tidak rata dibandingkan dengan film tipis yang ditumbuhkan dengan daya plasma 44,62 watt. Film yang ditumbuhkan pada daya plasma 44,62 watt mempunyai reflektansi relatif lebih tinggi dibandingkan dengan sampel yang ditumbuhkan pada daya plasma 24,1 watt. Kedua jenis film yang ditumbuhkan mempunyai energi bandgap sebesar 4,6 ev. Keywords: Galium oksida doping ZnO (Ga 2 O 3 :ZnO), dc magnetron sputtering, struktur, dan sifat optik. I. PENDAHULUAN Galium oksida (Ga 2 O 3 ) merupakan bahan semikonduktor dengan celah pita energi lebar (Eg = 4,8 ev) berpotensi untuk aplikasi devais optoelektronik. Ga 2 O 3 digunakan sebagai TCO (Tranparent Conductive Oxide) karena menunjukkan sifat transparan pada daerah panjang gelombang UV hingga 28 nm (Hosono, et al., 22) dan sebagai devais TFEL (Thin Film Electrolumonescent) untuk display di ruang terbuka karena memiliki sifat luminesensi yang baik (Minami, et al, 23). Bahan β-ga 2 O 3 tanpa doping menunjukkan karakteristik luminesensi pada daerah spektrum warna UV, biru dan hijau dengan intensitas puncak berturut-turut 3,4 ev, 2,95 ev dan 2,48 ev (Villora, et al, 23). Material Ga 2 O 3 secara ekstensif telah digunakan untuk aplikasi sebagai luminescent phosphor (Ting, et al, 22). ZnO merupakan bahan semikonduktor direct-gap dengan bandgap di sekitar 3,37 ev pada suhu kamar (Osada, et al 25). Oleh karena itu, ZnO merupakan kandidat yang baik untuk dikembangkan sebagai piranti optik gelombang pendek seperti transparent conducting electrodes flats panel display dan sel surya. Li et al (23) telah melaporkan bahwa Ga 2 O 3 dengan doping Zn yang ditumbuhkan dengan metode spin coating berpotensi untuk aplikasi devais sensor. Kaul, et al (25) telah menunjukkan bahwa film Ga 2 O 3 :ZnO yang dideposisikan dengan metode MOCVD menunjukkan spektrum fotoluminisensi dalam warna hijau. Hasil observasi dengan SEM dan AFM pada Ga-doping ZnO yang ditumbuhkan dengan teknik photo laser deposition (PLD) menunjukkan nanoscale phenomena (Shan et al, 26). Pengaruh kondisi penumbuhan pada sifat Ga-doping ZnO telah dilaporkan oleh Yamada et al (26). Bahan Ga 2 O 3 telah difabrikasikan dengan berbagai metode antara lain: MOCVD (Kim, H.W. and Kim, N.H., 24), floating zone (Villora, et al, 22), dan rf magnetron sputtering (Ogita, M. et al, 21). Fabrikasi film tipis Ga 2 O 3 dengan menggunakan metode dc magnetron sputtering juga telah dilakukan dengan mengkaji pengaruh temperatur substrat, daya plasma dan annealing pasca penumbuhan (Sjahid, 25) dan variasi laju alir oksigen (Marwoto, et al. 27a). Kajian film tipis Ga 2 O 3 yang didoping Eu dan Mn juga telah dilakukan (Marwoto dkk. 27). Fabrikasi dengan metode dc magnetron sputtering memberikan kemudahan dalam pengoperasiannya, tingkat deposisi tinggi, prosesnya stabil, dan biaya relatif murah. Dalam penelitian ini akan dipelajari pengaruh daya plasma pada struktur dan sifat optik film tipis galium oksida yang didoping ZnO (2%) yang difabrikasikan dengan dc magnetron sputtering.

2 Putut Marwoto, dkk / Struktur Dan Sifat Optik Film Tipis Galium Oksida Doping ZnO (2%) Yang 123 II. METODE PENELITIAN Pressure Gauge Substrat Heater Shutter Magne target Catu daya plasma Pompa Air Pompa vakum N Ar Catu Daya Heater Panel tekanan Panel temperatur Gambar 1. Sistem reaktor dc magnetron spputering Dalam eksperimen digunakan bahan dari serbuk Ga 2 O 3 (99,999%) dan ZnO (99,999%) produksi STREM Ltd, dengan konsentrasi fraksi mol 2% sebagai bahan pelet. Wafer Si (111) digunakan sebagai substrat, sedangkan gas argon high purity masing-masing digunakan sebagai gas pengeksitasi dalam proses penumbuhan Untuk penumbuhan film digunakan peralatan dc magnetron sputtering (home made) dengan skema seperti pada Gambar 1. Penumbuhan dengan metode dc magnetron sputtering memberikan kemudahan dalam pengoperasiannya, tingkat deposisi tinggi, prosesnya stabil, dan biaya relatif murah. Struktur film Ga 2 O 3 :ZnO(2%) yang ditumbuhkan dianalisis dengan menggunakan XRD dan SEM, sedangkan sifat optiknya dianalisis melalui pengukuran spektrofotometer UV-vis. Penumbuhan film tipis Ga 2 O 3 :ZnO dengan metode dc magnetron sputtering dilakukan dengan tiga tahap. Pertama, pembuatan target Ga 2 O 3 :ZnO(2%) berbentuk pellet setelah melalui proses penggerusan, pemadatan, dan sintering pada suhu 9 o C selama tiga jam. Kedua, preparasi substrat Si (1) yang meliputi pemotongan dan pencucian substrat dengan aseton dan metanol dalam ultrasonic bath masing-masing selama 1 dan 5 menit. Kemudian substrat dicuci dengan DI water dan dicelupkan ke dalam larutan HF 1% dan dicuci lagi dengan DI water. Substrat selanjutnya dikeringkan dengan semprotan gas nitrogen. Ketiga, penumbuhan film tipis Ga 2 O 3 :ZnO dengan reaktor dc magnetron sputtering (Gambar 1). Substrat diletakkan pada anoda, sedangkan target diletakkan pada katoda. Dalam eksperimen, film Ga 2 O 3 :ZnO ditumbuhkan pada temperatur 635 C, tekanan argon 5 mtorr, waktu penumbuhan dilakukan selama 18 menit, dengan daya plasma masing-masing 24,1 watt dan 44,62 watt. III. HASIL DAN PEMBAHASAN Pola difraksi sinar-x (XRD) film tipis Ga 2 O 3 :ZnO yang ditumbuhkan di atas substrat silikon pada tekanan argon 5 mtorr, suhu substrat 635 o C, dan waktu deposisi 3 jam ditunjukkan pada Gambar 2. Film tipis Ga 2 O 3 yang ditumbuhkan dengan daya plasma 24,1 watt memiliki puncak yang bersesuaian dengan arah (21) pada sudut 2θ= 11,66º. Hal ini menunjukkan bahwa film tipis Ga 2 O 3 yang terbentuk memiliki struktur kristal monoklinik. Puncak pada sudut 2θ = 13,9º dengan intensitas tertinggi menunjukkan substrat Si (111), sedangkan puncak pada sudut 2θ= 53,76º menunjukkan struktur kristal kubik. Puncak difraksi ZnO yang bersesuaian dengan arah orientasi (211) teramati pada sudut 2θ = 39,66º menunjukkan lapisan tipis ZnO memiliki struktur hexagonal. Ketika daya plasma dinaikkan menjadi 44,62 watt hanya teramati puncak-puncak dengan intensitas yang sangat kecil, sehingga tidak dapat ditentukan arah orientasi puncaknya. Hal ini mengindikasikan bahwa film tipis yang ditumbuhkan pada daya 44,62 watt bersifat amorf dan mempunyai ketebalan yang lebih besar daripada film yang ditumbuhkan pada daya plasma 24,1 watt. Daya plasma yang tinggi mengakibatkan film tipis yang dihasilkan semakin tebal (Suryadi, 23). Daya plasma yang tinggi dapat mengakibatkan terputusnya ikatan antar atom dalam film sehingga menurunkan kualitas kristal yang terdeposisi.

3 124 Putut Marwoto, dkk / Struktur Dan Sifat Optik Film Tipis Galium Oksida Doping ZnO (2%) Yang Citra SEM film tipis dengan perbesaran 4. kali ditunjukkan pada Gambar 3. Citra SEM menunjukkan bahwa film yang ditumbuhkan dengan daya plasma 24,1 watt mempunyai ukuran butir (grain size) yang lebih besar dengan morfologi permukaan tidak rata dibandingkan dengan film tipis yang ditumbuhkan dengan daya plasma 44,62 watt. Morfologi permukaan film yang ditumbuhkan dengan daya plasma 44,62 watt terlihat lebih rata dibandingkan dengan film yang ditumbuhkan pada daya plasma 24,1 watt. Menurut Purwaningsih dkk (23), kristalinitas lapisan tipis sebanding dengan bertambahnya ukuran butir. Ini berarti bahwa semakin besar grain size dari suatu Si 24,1 watt, 635 o C intensitas (cps) Ga 2 O 3 ZnO Si theta (derajat) ,62 watt, 635 o C intensitas (cps) theta (derajat) Gambar 2. Hasil karakterisasi XRD film tipis Ga 2 O 3 :ZnO(2%) morfologi film, kualitas kristalnya semakin baik. Dengan demikian, film yang ditumbuhkan pada daya plasma 24,1 watt mempunyai kristalinitas yang lebih baik dibandingkan dengan film yang ditumbuhkan pada daya plasma 44,62 watt. Hal ini konsisten dengan pola difraksi film Ga 2 O 3 :ZnO(2%) yang ditumbuhkan.

4 Putut Marwoto, dkk / Struktur Dan Sifat Optik Film Tipis Galium Oksida Doping ZnO (2%) Yang ,1 watt 44,62 watt Gambar 3. Citra SEM film tipis Ga 2 O 3 :ZnO(2%) Transmitansi (%) watt Transmitansi (%) watt panjang gelombang (nm) panjang gelombang (nm) Gambar 4. Grafik transmitansi film tipis Ga 2 O 3 :ZnO(2%) Sifat optik film Ga 2 O 3 :ZnO(2%) yang ditumbuhkan selanjutnya dianalisis dengan menggunakan spektrometer UV-vis. Spektrum yang diperoleh dinyatakan sebagai fungsi transmitansi terhadap panjang gelombang, sebagaimana ditunjukkan pada Gambar 4. Sampel yang ditumbuhkan pada daya plasma 44,62 watt mempunyai reflektansi relatif tinggi dibandingkan dengan sampel yang ditumbuhkan pada daya plasma 24,1 watt. Hasil ini sesuai dengan morfologi permukaan film, yang menunjukkan bahwa film yang ditumbuhkan dengan daya plasma 44,62 watt mempunyai permukaan yang relatif lebih rata sehingga mempunyai transmitansi yang relatif lebih tinggi. Selanjutnya dari Gambar 5 dapat diestimasi besar optical bandgap. Plot kuadrat absropsi optik (α 2 ) terhadap energi foton dari kelima sempel film tipis ditunjukan pada Gambar 5. Bahan Ga 2 O 3 :ZnO mempunyai celah pita energi langsung (direct bandgap). Film tipis yang ditumbuhkan dengan daya plasma 24,1 watt dan 44,62 watt masing-masing mempunyai celah pita energi sebesar 4,6 ev sebagaimana ditunjukkan pada Gambar 5. Secara teoritis bahan Ga 2 O 3 mempunyai band gap 2,71 ev (Gowtham et.al, 25) sedangkan secara eksperimen bervariasi bergantung pada kondisi (parameter) penumbuhan dan substrat yang digunakan. Film Ga 2 O 3 yang ditumbuhkan di atas fused-silica disk dengan metode electron beam evaporation dengan aliran oksigen mempunyai bandgap 4,4 ev (Passlack et.al, 1995). Villora et al. (21) melaporkan bahwa Ga 2 O 3 yang ditumbuhkan dengan metode floating zone mempunyai band gap sebesar 4,8 ev.

5 126 Putut Marwoto, dkk / Struktur Dan Sifat Optik Film Tipis Galium Oksida Doping ZnO (2%) Yang α 2 (cm -2 ) 2.5E +1 2.E E +1 1.E watt α 2 (cm -2 ) 2.5E +1 2.E E +1 1.E watt 5.E +9 5.E +9.E Eg (ev).e Eg (ev) Gambar 5. Grafik kuadrat koefisien absorpsi terhadap energi foton film Ga 2 O 3 :ZnO(2%) IV. KESIMPULAN Telah ditumbuhkan film tipis Ga 2 O 3 dengan doping ZnO (2%) pada suhu 635 o C, tekanan gas argon 5 mtorr, waktu deposisi 18 menit, dan dengan daya plasma masing-masing 24,1 dan 44,62 watt. Film Ga 2 O 3 dengan struktur kristal monoklinik dan ZnO dengan struktur hexagonal diperoleh pada film yang ditumbuhkan dengan daya plasma 24,1 watt, sedangkan film dengan struktur amorf diperoleh pada film yang ditumbuhkan dengan daya plasma 44,62. Citra SEM menunjukkan bahwa film yang ditumbuhkan dengan daya plasma 24,1 watt mempunyai ukuran butir (grain size) yang lebih besar dengan morfologi permukaan tidak rata dibandingkan dengan film tipis yang ditumbuhkan dengan daya plasma 44,62 watt. Film yang ditumbuhkan pada daya plasma 44,62 watt mempunyai reflektansi relatif lebih tinggi dibandingkan dengan sampel yang ditumbuhkan pada daya plasma 24,1 watt. Kedua jenis film yang ditumbuhkan mempunyai energi bandgap sebesar 4,6 ev. V. UCAPAN TERIMA KASIH Penulis mengucapkan terimakasih kepada Direktorat Jenderal Pendidikan Tinggi, Depdiknas RI yang telah memberikan Grant Penelitian melalui program penelitian Hibah Fundamental tahun 29. VI. DAFTAR PUSTAKA Gowtham, S., Deshpande, M., Costales, A., and Pandey, R. 25. J. Phys.Chem.B. 19, p Hosono, H., Ohta, H., Orita, M., Ueda, K, and Hirani, M., 22, Frontier of transparent conductive oxide thin films, Vacuum 66, p Kaul, A.R., Gorbenko, O. Y., Botev, A. N., Burova, L.I., 25, MOCVD of pure and Ga-doped eptaxial ZnO, Superlattice and microstructure, 38, Kim, H.W. and Kim, N.H. 24, Growt of gallium oxide thin films on silicon by MOCVD method, Material Sc. Eng. B11, p. 34. Li, Y., Trinchi, A., and Wlodarski, W., 23, Investigation of the oxygen gas sensing performance of Ga 2 O 3 thin films with different dopants, Sens. Actuators B 93, p Marwoto, P., Sugianto dan Wiyanto, 27. Pengaruh Pengaruh Kondisi Penumbuhan dan Doping (Mn, Eu) pada Sifat Fisis Film Tipis Ga 2 O 3. Laporan Penelitian Dasar, DP3M Dikti, Depdiknas. Minami, T., 23, Oxide thin-film electroluminescent devices and materials, Solid State Electronics 47, p Ogita, M, Higo, K., Nakanishi, Y., Hatanaka, Y., 21, Ga 2 O 3 thin film for oxygen sensor at high temperature, Appl. Surf. Sci , p.721. Osada, M., Sakemi, T., Yamamoto, T., 26. The effect of oxygen partial pressure on local structures properties for Ga-doped ZnO thin films. Thin solid films, 494, Passlack, M., Schubert, E.F., Hong, M., Moriya, M., Chu, S.N.G., Konstadinidis, K., Mannaerts, J. P., Schnoes, M.L. and Zydzik, G.J ,, J. Appl. Phys. 77 (2), p. 686.

6 Putut Marwoto, dkk / Struktur Dan Sifat Optik Film Tipis Galium Oksida Doping ZnO (2%) Yang 127 Purwaningsih, Y. S. 23. Pembuatan Film tipis ZnO : Al Pada Substrat Kaca dengan Metode dc Magnetron Sputtering dan Karakterisasi Sifat Fisisnya. Yogyakarta: FISIKA FMIPA UGM (Tesis). Shan, F.K., Liu, G.X., Lee, W.J., Shin, B.C., Kim, S.C., 26. Nanoscale phenomena of gallium-doped ZnO thin film on sapphire substrates., J. Electrocheram. 17, Suryadi, Sudjatmoko, Tri Mardji Atmono, Diktat Kuliah Workshop Sputtering untuk Rekayasa Permukaan Bahan. Jogjakarta: Penerbit BATAN (23). Ting, W.Y., Kitai, A.H. and Mascher, P., 22, Crystallization phenomena in b- Ga 2 O 3 investigated by positron annihilation spectroscopy and X-ray difraction analysis, Materials Sci. Eng. B91-92, p Villora, E.G, Atou, T., Sekiguchi, T., Sugawara, T., Kikuchi, M., and Fukuda, T., 21, CathodeCathodeluminescence of undoped β-ga 2 O 3 single crystals, Solid Sated Commun. 12, p Villora, E.G, Morioka, Y., Atou, T., Sugawara, T., Kikuchi, M., and Fukuda, T., 22, Infrared reflectance and Electrical Conductivity of Ga 2 O 3, Phys. Stat.Sol (a) 193,187. Villora, E.G., Hatanak, K., Odaka, H., Sugawara, t., Miura, t., Fukumura, H., Fukuda, T. 23, Luminscence of undoped β-ga 2 O 3 single crystals excited by picosecond X-ray and subpicosecond UV pulses, Solid Stated Comunn. 127, p.385.