LAPORAN PRAKTIKUM DASAR ELEKTRONIKA

Transkripsi

1 LPORN PRKTIKUM DSR ELEKTRONIK Nama Mahasiswa : NPM : Kelas : Pagi/Sore Tgl. Praktikum : PRODI TEKNIK ELEKTRO UNIERSITS 17 GUSTUS 1945 CIREBON Jalan Perjuangan No.17 Cirebon 2016

2 1. JUDUL PRKTIKUM Berisi judul praktikum. DIKETIK. Misalkan: Karakteristik Transistor Bipolar. 2. TUJUN Berisi tujuan dari praktikum. DIKETIK. Harus berhubungan dengan KESIMPULN. Misalkan: Tujuan dari Praktikum Karakteristik Transistor Bipolar ini adalah : a. Mempelajari karakteristik input Ib-be pada transistor jenis NPN dan PNP. b. Mempelajari karakteristik output Ic-cc pada transistor jenis NPN dan PNP. 3. LT DN BHN Berisi alat dan bahan yang dipergunakan. DIKETIK. Misalkan: lat dan bahan yang digunakan adalah: a. Panel Karakteristik Transistor Bipolar. b. Multimeter. c. Kabel penghubung. 4. DSR TEORI Berisi ringkasan penting dari dasar teori praktikum. DIKETIK Contohnya Transistor terbagi menjadi 2 jenis, yaitu : a. Transistor jenis NPN : C (kolektor) B (basis) E (emitor)

3 b. Transistor jenis PNP : E (emitor) B (basis) C (kolektor) 4.1. Karakteristik Input Ib-be (Contoh sub-judul) Gambar 3.1. di bawah menunjukkan karakteristik input Ib-be pada transistor jenis NPN. Pada rangkaian input, tegangan be adalah tegangan antara basis dan emitor. Tegangan ini terbentuk karena adanya barier antara E dan B. Besarnya tegangan be ini tergantung dari jenis/ bahan semikonduktor. Untuk jenis germanium besarnya be sekitar 0.3 sedang untuk jenis silicon (NPN) be = ±0.7. B C E Gambar 3.1 Karakteristik Input Ib-be Tegangan 0.3 dan 0.7 adalah batas terendah dimana transistor dapat aktif. Di bawah tegangan ini transistor tidak akan bekerja. Transistor yang tidak aktif atau tidak bekerja dinamai cut off. dapun batas tegangan terendah 0.3 dan 0.7 dinamai tegangan cut in atau ɤ ( gamma).

4 Pada gmbar 3.1 di atas dapat ditentukan besarnya Ib dan be, dari percobaan ini dapat diketahui perubahan arus basis Ib bila tegangan antara basis dan emitornya diubah-ubah. Titik-titik yang terbentuk dari hasil perubahan arus basis dan tegangan emitor akan berbentuk garis melengkung. Garis yang terbentuk dari titik titik ini adalah garis tegangan ce yang konstan di sini diusahakan ce 0 olt. Pada gambar 3.2 diperlihatkan grafik karakteristik transistor NPN Ib-be. Sumbu yang mendatar ke arah kanan be, sedangkan sumbu tegak ke atas Ib. 5. SKEMTIK Berisi gambar rangkaian/penampang alat/prosedur pengkabelan//jendela (window) program. Dapat diberi penomoran untuk membantu memberi keterangan. DIKETIK. Misalkan: Rangkaian Uji Coba C F L D G I K E J B M Gambar 4.1 Rangkaian Karakteristik Input I B- BE Transistor Bipolar 6. LNGKH KERJ Berisi tahapan yang dilakukan. DIKETIK. Misalkan: Tahapan kerja yang dilakukan adalah: a. Titik dan C pada Gambar 4.1 dihubungkan dengan kabel.

5 b. Tegangan di titik C-B diukur menggunakan multimeter. c. rus di titik K dan J diukur menggunakan multimeter. 7. HSIL DN NLISIS DT Berisi hasil pengamatan/pengukuran. Dapat berupa tabel dan grafik. DIKETIK. Misalkan: Tabel 3.1. karakteristik IB- BE Transistor Bipolar (NPN) R1 BE IB 8. PEMBHSN Berisi pembahasan dari data/hasil pengamatan. Dapat berupa perbandingan teori/hitungan dengan hasil pengukuran/pengamatan, atau hubungan sebab-akibat. Juga membahas hal yang telah ditugaskan asisten/instruktur pada saat praktikum. DITULIS TNGN. Bagian ini memiliki bobot penilaian laporan paling tinggi. 9. KESIMPULN Berisi kesimpulan, berhubungan dengan TUJUN. DITULIS TNGN. Jika tujuan nda mengukur nilai, maka munculkanlah nilai di kesimpulan. Jika antara KESIMPULN dan TUJUN tidak nyambung, maka nilai laporan tidak akan bagus. Bagian ini memiliki bobot penilaian laporan paling tinggi. SERTKN LPORN SEMENTR SEBGI LMPIRN