STurn SIFAT VIBRASI LOKAL SEMIKONDUKTOR AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h)1
|
|
- Dewi Tedjo
- 6 tahun lalu
- Tontonan:
Transkripsi
1 Prosidin Pertemuan l/miah Sains Materi /SSN /4/ STurn SIFAT VIBRASI LOKAL SEMIKONDUKTOR AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h)1 % Efta Yudiarsah2 dad Rosari Saleh2,3 ABSTRAK STUDI SIFAT VI BRAS I LOKAL SEMIKONDUKTOR AMORF SILIKON KARBON (a-sic:"). Sifat vibrasi pada material a-sic:" telah dipelajari dengan cara menghitung kerapatan keadaan vibrasi lokal. Model potensial Born dan metode cluster Be/he la/lice telah digunakan untuk menghitung kerapatan keadaan vibrasi lokal pada material ini. Kerapatan keadaan vibrasi lokal ini dihitung untuk kasus silikon dominan dan karbon dominan dengan menggunakan struktur tetrahedral. Pada kasus karbon dominan, kerapatan keadaan lokal yang dihitung memperlihatkan mode vibrasi Sin 1vagging yang sesuai dengan hasil eksperimen (RObel e/ a11987) Oari kedua kasus ini dapat diperlihatkan bahwa sifat vibrasi lokal sangat dipengaruhi oleh struktur lingkungan lokal. ABSTRACT STUDY OF LOCAL VIBRATIONAL PROPERTIESIN AMORPHOUS SILICON CARBON (a-sic:h) SEMICON- DUCTOR. Vibrational properties of material a-sic:h has been studied by calculating local vibrational density of states. These density of states were calculated by employing cluster Bethe lattice method and Born potential models in silicon dominating cases and carbon dominating cases for tetrahedral structure. In carbon dominating cases, calculated local density of states shows SiH wangging mode of vibration in a good agreement with experimental result (Rllbel et al 1987). From these two cases, it can be shown that these local vibrational properties are influenced very much by local environment structure. KEY WORD Bethe lattice, cluster, mode of vibration, Born potential PENDAHULUAN Sifat elektronik material a-sic:h memberikan peluang aplikasi yang luas dari material ini pada peralatan optoelektronik. Prospek pabrikasi peralatan yang menggunakan material ini telah menarik banyak perhatian peneliti untuk melakukan penelitian pada material ini baik secara teori maupun eksperimen. Penelitian ini meliputi sifat elektronik clan vibrasi material ini. Adapun applikasi material ini pada peralatan optoelektronik diantaranya pada alat photovoltaicelectrochromic [1], penganalisa spektrum optik untuk rentang cahaya tampak [2], clan detektor bias-controlled three-colom [3]. Selain yang disebutkan diatas, material ini dapat juga digunakan pada alat-alat yang lain. Diantaranya; photodetector dengan respon spektrum yang bervariasi [4], photodetector ultraviolet [5] clan light emiting diode cahaya tampak dengan menggunakanthinfilm [6]. Berbagai teknik pembuatan telah dikembangkan untuk mendapatkan material a-sic:h dengan sifat elektronik tertentu. Selain pengembangan teknik pembuatan, juga dilakukan pembuatan material ini dengan menggunakan parameter yang berbeda. Untuk pengembangan lebih lanjut, dilakukan penelitian secara teori pada material ini. Tujuan dari semua usaha ini adalah untuk mendapatkan peralatan optoelektronik dengan kemampuan kerja terbaik. Sifat elektronik suatu material sangat dipengaruhi oleh sifat vibrasi material tersebut. Karena itu, untuk mendapatkan pengertian yang baik tentang sifat elektronik suatu material diperlukan pengetahuan yang cukup tentang sifat vibrasi material tersebut. Sifat vibrasi ini dapat dipelajari secara eksperimen dengan menggunakan spektroskopi infra merah, hamburan Raman dan NMR. Dengan spektroskopi ini akan didapatkan mode vibrasi lokal yang ada pada material tersebut. Untuk mempelajari sifat vibrasi material a-sic:h secara teori digunakan metode cluster Bethe lattice (CBL). Metode ini, merupakan pengembangan metode Bethe lattice, dapat membahas keteraturan rentang pendek secara eksak meskipun tak dapat membedakan topologi susunan atom-atom [7]. Kedua metode ini awalnya digunakan untuk mempelajari kerapatan keadaan elektronik pada bahan semikonduktor amorf [8,9]. Kemudian digunakan untuk mempelajari kerapatan keadaan vibrasi pada bahan amorf [10,11]. Di sini, metode CBL dipakai bersama dengan model energi potensial Born. Pada model energi ini tidak diperlukan konstanta berupa jarak antar atom. Tujuan paper ini adalah untuk memperlihatkan sifat vibrasi material amorf silikon karbon (a-sic:h) melalui pembahasan kerapatan keadaan lokal yang dihitung. Sifat vibrasi ini sangat tergantung pada struktur ikatan lokal yang I Dipresentasikan pada Pertemuan IImiah Sains Materi Program Studi ilmu Fisika, Program Pascasarjan -VI 3.llIrusan Fisika -FMIP A,
2 Pros;d;nI! Pertemuan //m;ah Sa;ns Mater; ISSN /4/ mungkin ada. Disini digunakan dua pendekatan yaitu pendekatan karbon dominan dan pendekatan silikon dominan. Paper ini diorganisasikan sebagai berikut. Pada bagian 2 akan dibahas teori dan metode perhitungan yang digunakan. Pada bagian 3 akan dibahas hasil perhitungan kerapatan keadaan lokal. Dan pada bagian terakhir akan dikemukakan rangkuman dati bagian sebelumnya. TEORI DAN METODE PERHITUNGAN Metode CBL digunakan pada penelitian ini untuk mempelajari sifat vibrasi pada material a-sic:h. Metode ini diterapkan dengan menggunakan struktur tetrahedral clan model energi potensial Born. Gaya-gaya antar atom pada model potensial Born dibatasi antar tetangga terdekat seperti pada model Keating [12]. Energi potensial elastis dalam model Born untuk sistem dengan struktur tetrahedral dapat ditulis sebagai berikut: 7' 4 17 = ~ {~[(--- ", "} ).-]2 rij + ~ 4 (--- ", "} )2}, (I) dengan U; clan U j adalah perpindahan atom i clan j. Sedangkan r;; adalah unit vektor yang menghubungkan kedua atom. Perlu diingat bahwa penjumlahan pada persamaan (I) diatas dilakukan terhadap seluruh atom di sistem. Dalam model Born ini dibedakan dua jenis gaya yaitu gaya sentral yang diberikan oleh 2pta clan gaya nonsentral yang diberikan oleh a-po Persamaan (I) diatas digunakan dalam persamaan gerak. Solusi persamaan gerak ini dapat dicari dengan mempergunakan fungsi Green. Persamaan gerak atom-atom yang bervibrasi dapat ditulis sebagai sebuah persamaan Dyson, [E- D]G = j, (2) D merupakan matrik dinamis yang didapat dengan menggunakan model energi potensial Born, E = mill 2 I, I clan G adalah matrik identitas clan fungsi Green. Selanjutnya kerapatan keadaan lokal (LDOS) pada atom kej dapat diperoleh dari fungsi Green, clan diberikan oleh N}((J») = -~lm[tr(gji(ro))]. (3) Dalam penerapan metode CBL pada studi ini, Bethe lattice silikon dibuat untuk kasus silikon dominan clan Bethe lattice karbon dibuat untuk kasus karbon dominan. Untuk menyelesaikan Bethe lattice digunakan teknik matrik transfer/medan efektif. Struktur tetrahedral yang simetri digunakan pada pembuatan Bethe lattice sehingga medan efektif di tiap arah ikatan dapat diperoleh. Metode CBL digunakan untuk mempelajari struktur ikatan lokal yang ada pada lapisan tipis amorf silikon karbon (a-sic:h). Struktur ikatan lokal yang mungkin ada di material a-sic:h meliputi ikatan Si-C, Si-H, atau C-H. Untuk melibatkan ikatan-ikatan ini pada metode CBL digunakan cluster yang mempunyai grup SiHn dad CHn. Seperti terlihat pada Gambar I, cluster dengan grup CHn adalah Si3CH, Si2CH2, dad SiCH3o Sedangkan cluster dengan grup SiHn adalah C3SiH, C2SiH2, dad CSiH3. S~"i i~~ s~r8h ~ H~ (3) (b) ;;r' (d) (e) Gambar Skema cluster yang ada di struktur lokal material a-sic:h; (a) cluster Si3CH, (b) cluster Si2CH2, (c) cluster SiCH3, (d) cluster C3SiH, (e) cluster C2SiH2, dan (f) cluster CSiH3. Tabell. Konstanta gaya untuk model Born Kerapatan keadaan lokal dihitung dengan menggunakan konstanta-konstanta gaya untuk tiap ikatan. Oalam studi ini, konstanta gaya yang digunakan diperoleh melalui perhitungan mode vibrasi yang terdapat di beberapa literatur [13,14]. Konstanta-konstanta ini diberikan pada Tabel I. HASIL DAN PEMBAHASAN Kasus Karbon Dominan 392
3 Prosidin Pertemuan Ilmiah Sains Materi /SSN/ Kerapatan keadaan lokal pada kasus karbon dominan dihitung untuk cluster CSiH3, C2SiH2, clan C3SiH. Gambar 2 memperlihatkan hasil perhitungan kerapatan keadaan lokal pada atom Si, H clan C di cluster C3SiH. Terlihat adanya mode resonansi di sekitar 224 cm-1 clan 630 cm-l. Mode di 630 cm-1 merupakan mode yang terjadi karena atom H clan atom Si bergetar secara berlawanan rase. Mode ini bersesuaian dengan mode SiH wagging yang menurut hasil eksperimen berada di daerah dari 630 cm-1 sampai 670 cm-1 [15]. Pada cluster C3SiH terdapat mode resonansi di daerah fonon acoustike yaitu pada frekuensi 224 cm-l. Mode ini merupakan mode yang terjadi karena getaran atom Si,C clan H, dimana atom Si bergetar sefase dengan atom H. Hasil yang hampir sarna juga diperoleh pad a perhitungan kerapatan keadaan lokal untuk cluster C2SiH2. Adanya dihidrit SiH2 menyebabkan timbulnya tiga mode resonansi pada 627 cm-l, 638 cm-1 clan 652 cm-1 seperti terlihat pada Gambar 3. Mode resonansi pada 638 cm-1 clan 652 cm-1 merupakan vibrasi yang berlawanan rase antara atom-atom Si clan H. Mode pada 638 cm-1 merupakan mode SiH wagging seperti yang diperoleh oleh Agrawal, dkk. [14}. Sedangkan mode vibrasi di sekitar 627 cm.1 terjadi karena vibrasi atom-atom Si, C, clan H secara bersamaan. Mode resonansi di sekitar frekuensi 224 cm-1 yang terlihat pada cluster C3SiH tidak tampak pada cluster C2SiH2. Hal ini terlihat pada Gambar 3 berupa rendahnya kerapatan keadaan lokal pada atom H, clan tidak adanya puncak di sekitar frekuensi 224 cm-1 pada kerapatan keadaan lokal di atom C. resonansi yaitu di 638 cm-1 clan 655 cm-l. Mode di sekitar 638 cm-1 terjadi karena getaran Si, C clan H secara berlawanan rase. Sedangkan mode di sekitar 655 cm-1 merupakan getaran berlawanan rase atom Si clan H. 2'" 4'" "'".." "'" 12()(' ",(cm') Gambar 2 Kerapatan keadaan lokal pada cluster C3SiH dari a-sic.h. Hasil perhitungan kerapatan keadaan lokal untuk cluster CSiH3 diperlihatkan pada Gambar 4. Pada kerapatan keadaan lokal ini terlihat dua mode Seperti pada cluster C2SiH2, mode resonansi di sekitar frekuensi 224 cm-1 juga tidak terlihat di kerapatan keadaan lokal cluster CSiH3. Hal ini jelas terlihat pada Gambar 4 berupa hilangnya kerapatan keadaan lokal pada atom H, dan tidak adanya pulll:ak di sekitar frekuensi 224 cm-1 pada kerapatan keadaan lokal di atom C. Kasus Silikon Dominan Kerapatan keadaan lokal kasus silikon dominan akan dihitung dengan menggunakan cluster Si3CH, Si2CH2, dad SiCH3. Gambar 5 memperlihatkan basil perhitungan kerapatan keadaail lokal pacta atom C, H, dan Si di cluster Si3CH. Terlihat adanya mode resonansi di sekitar 227 cm-1 dan 465 cm-l. Mode resonansi di sekitar 393
4 Prosidin Pertemuan //miah Sains Mater; /SSN /4/ cm-1 merupakan vibrasi sefase atom-atom C, Si dan H, sedangkan mode di sekitar 465 cm-1 merupakan vibrasi yang berlawanan rase atomatom Si dan C. Empat mode resonansi diperoleh dari perhitungan kerapatan keadaan lokal cluster Si2CH2 yaitu di sekitar 164 cm-l, 225 cm-l, 295 cmcl, dan 482 cm-1 seperti diperlihatkan pada Gambar 6. Vibrasi sefase atom-atom Si, C, dan H menghasilkan mode resonansi di sekitar 164 cm-1 dan 225 cm-l, sedangkan untuk vibrasi berlawanan rase terjadi di sekitar 482 cm-l. Mode resonansi di 295 cm-1 terjadi karena vibrasi atom C dan H. Sedangkan pada kerapatan keadaan lokal untuk cluster SiCH3 diperoleh tiga mode resonansi yaitu di sekitar 119 cm-', 229 cm-l, dad 480 cm-1 seperti terlihat padagambar 7. Mode resonansi di sekitar 119 cm-1 dad 229 cm-1 merupakan mode vibrasi sefase atom Si, C dad H. Sedangkan Mode resonansi di sekitar 480 cm-1 merupakan mode vibrasi berlawanan rase atom Si, C dad H. Hasil perhitungan kerapatan keadaan lokal kasus silikon dominan memperlihatkan adanya pergeseran mode resonansi di sekitar 227 cm-1 dan 465 cm-1 untuk cluster Si3CH menjadi 225 cm-1 dan 485 cm-1 untuk cluster SizCHz, dan menjadi 229 cm-1 dan 480 cm-1 untuk cluster SiCH3. Pergeseran mode resonansi juga terjadi dari 164 cm-1 untuk cluster SizCHz menjadi 119 cm-1 untuk cluster SiCH3. Pergeseran mode resonansi tersebut terjadi karena perbedaan konstanta gaya efektifuntuk setiap cluster. Gambar 7 Kerapatan keadaan lokal pacta cluster SiCH3 dari a-sic.h. KESIMPULAN IfN' 2'N' "N' 4'N' 500 (,(K' w (em ') Gambar 5 Kerapatan keadaan toka! pada cluster Si3CH dari a-sic.h. Sifat vibrasi material a-sic:h, untuk kasus Si dominan dad C dominan, telah dipelajari dengan menggunakan metode CBL dan model potensial Born. Dari kerapatan keadaan lokal yang dihitung dengan metode CBL dapat diketahui mode-mode vibrasi lokal yang terjadi karena struktur ikatan lokal yang berbeda. Dari sini terlihat bahwa untuk struktur ikatan lokal yang berbeda akan didapatkan keadaan vibrasi yang berbeda O. 04 ;f;t " ~ oz " '" 00 8 u... UCAP AN TERIMA KASIH Studi ini terlaksana atas dukungan Gelman- Indonesia Corporation Program of BMBF (I.NT- KF A JUlich) DAFTARPUSTAKA "., 2'M' 3(M) 4(M' SIX' 600.,(an') Gambar 6 Kerapatan keadaan lokal pada cluster Si2CH2 dari a-sic.h. [1]. BULLOCK, J. N., et. al., Journal of Noncrystalline Solids, 1163, (1996), [2]. CAPUTO, D., et. al., Journal of Noncrystalline Solids, 1172, (1996),
5 E!:osid;nf! Pertemuan 11m;ah Sa;ns Mater; ISSN [3]. TOPIC, MARCO, et. al., Journal of Noncrystalline Solids, 1180,(1996), [4]. DE CESARE, G., et. al., Journal of Noncrystalline Solids, 1189, (1996), [5]. DE CESARE, GIAMPIERO, et. al., Journal of Non-crystalline Solids, 1198, (1996), [6]. BOONKOSUM, W., et. al., Journal ofnoncrystalline Solids, 1226, (1996), [7]. YNDURArN, FELIX, N. S., PABITRA, Physical Review B, 14, (1976) [8]. THORPE, M. F., WEAIRE, D., clan ALLEN, R., Physical Review B, 7, (1973)3777. [10]. LAUGHLIN, R. B., JOANNOPOULOS, J. D.,et al., Physical Review Letters, 40, (1978) 461. [II]. MARTINEZ, E., CARDONA, MANUEL, Physical Review B, 28, (1983)880. [12]. KEATING, P. N., Phys. Rev. 145, (1966)637. [13]. BRODSKY, M. H., CARDONA, MANUEL, dad CuoMO, J. J., Physical Review B, 16, (1977)3556. [14]. AGRAWAL, BAL K., YADAV, P. S., and GHOSH, B. K., Physical Review B, 39, (1989)7876. (9]. JOANNOPOULOS, J. D., YNDURAIN, F., Physical Review B, 10, (1974) [15]. ROBEL H., et. a/., Phys. Stat. So/. (b) 112., (1987)
SIFAT VIBRASI LOKAL SEMIKONDUKTOR AMORF SILIKON TERHIDROGENASI (a-si:h)
Prosiding Pertemuan /lmiah Sains Materi III SIFAT VIBRASI LOKAL SEMIKONDUKTOR AMORF SILIKON TERHIDROGENASI (a-si:h) 536 Efta Yudiarsah 1 dad Rosari Saleh 1,2 I Program Studi llmu Fisika, Program Pascasarjana-UI,
Lebih terperinciSTUDI DISORDER LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING
MAKARA, SAINS, VOL. 6, NO. 2, AGUSTUS 2002 STUDI DISORDER LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING Lusitra Munisa 1 dan Rosari Saleh 2 1. Program Studi Ilmu Fisika,
Lebih terperinciPengaruh Perlakuan Implantasi Hidrogen terhadap Sifat Struktur Lapisan Tipis Amorf Silikon Karbon (a-sic:h) Hasil Deposisi Metode DC Sputtering
Indonesian Journal of Physics Kontribusi Fisika Indonesia Vol. 14 No.2, April 2003 Pengaruh Perlakuan Implantasi Hidrogen terhadap Sifat Struktur Lapisan Tipis Amorf Silikon Karbon (a-sic:h) Hasil Deposisi
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang Masalah
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Intan adalah salah satu jenis perhiasan yang harganya relatif mahal. Intan merupakan kristal yang tersusun atas unsur karbon (C). Intan berdasarkan proses pembentukannya
Lebih terperinciSTUDI SPEKTROSKOPI ELECTRON SPIN RESONANCE (ESR) LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING
STUDI SPEKTROSKOPI ELECTRON SPIN RESONANCE (ESR) LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING Rosari Saleh Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam,
Lebih terperinciStruktur Double Barrier Untuk Aplikasi Pada Divais Silikon Amorf
Kontribusi Fisika Indonesia Vol. No., Januari 00 Struktur Double Barrier Untuk Aplikasi Pada Divais Silikon Amorf Ida Hamidah dan Wilson W. Wenas Laboratorium Riset Semikonduktor, Jurusan Fisika ITB Jl.
Lebih terperinciPENGARUH ANIL TERMAL TERHADAP BESARAN OPTIS LAPISAN TIPIS a-sic:h HASIL METODE DC SPUTTERING II. TARGET GRAFIT
PENGARUH ANIL TERMAL TERHADAP BESARAN OPTIS LAPISAN TIPIS a-sic:h HASIL METODE DC SPUTTERING II. TARGET GRAFIT Rosari Saleh 1, Lusitra Munisa 2 dan Dewi Marianty 1 1. Jurusan Fisika, Fakultas MIPA Universitas
Lebih terperinciSTUDI KARAKTERISASI OPTIS LAPISAN TIPIS a-sic:h HASIL DEPOSISI METODE GLOWDISCHARGE
STUDI KARAKTERISASI OPTIS LAPISAN TIPIS a-sic:h HASIL DEPOSISI METODE GLOWDISCHARGE Rosari Saleh 1, Lusitra Munisa 2 dan Dewi Marianty 1 1. Jurusan Fisika, Fakultas MIPA Universitas Indonesia, Depok 16424,
Lebih terperinciPenentuan struktur senyawa organik
Penentuan struktur senyawa organik Tujuan Umum: memahami metoda penentuan struktur senyawa organik moderen, yaitu dengan metoda spektroskopi Tujuan Umum: mampu membaca dan menginterpretasikan data spektrum
Lebih terperinciPENENTUAN RUGI-RUGI KELENGKUNGAN FIBER OPTIK MODE TUNGGAL SECARA KOMPUTASI
Jurnal Komunikasi Fisika Indonesia (KFI) Jurusan Fiska FMIPA Univ. Riau Pekanbaru. Edisi Oktober 2016. ISSN.1412-2960 PENENTUAN RUGI-RUGI KELENGKUNGAN FIBER OPTIK MODE TUNGGAL SECARA KOMPUTASI Saktioto,
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pendeteksian cahaya merupakan salah satu proses paling mendasar pada bidang optik [1]. Untuk mendeteksi cahaya, diperlukan suatu proses konversi optoelektronik menggunakan
Lebih terperinciPENENTUAN STOPPING POWER DAN INELASTIC MEAN FREE PATH ELEKTRON DARI POLIETILEN PADA ENERGI 200 ev 50 kev
PENENTUAN STOPPING POWER DAN INELASTIC MEAN FREE PATH ELEKTRON DARI POLIETILEN PADA ENERGI 00 ev 50 kev Nur Harmila Sari 1, Dahlang Tahir 1, Suarga 1 1 Jurusan Fisika FMIPA Universitas Hasanuddin, Makassar
Lebih terperinciMengenal Sifat Material. Teori Pita Energi
Mengenal Sifat Material Teori Pita Energi Ulas Ulang Kuantisasi Energi Planck : energi photon (partikel) bilangan bulat frekuensi gelombang cahaya h = 6,63 10-34 joule-sec De Broglie : Elektron sbg gelombang
Lebih terperinciPENENTUAN KONSTANTA OPTIS DI DAERAH ABSORPSI FUNDAMENTAL MENGGUNAKAN FORMULASI FOROUHI DAN BLOOMER UNTUK LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h)
MAKARA, SAINS, VOL. 6, NO. 2, AGUSTUS 2002 PENENTUAN KONSTANTA OPTIS DI DAERAH ABSORPSI FUNDAMENTAL MENGGUNAKAN FORMULASI FOROUHI DAN BLOOMER UNTUK LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) Rosari Saleh
Lebih terperinciPENDAHULUAN. Di dalam modul ini Anda akan mempelajari Kristal Semikonduktor yang mencakup:
PENDAHULUAN Di dalam modul ini Anda akan mempelajari Kristal Semikonduktor yang mencakup: kristal semikonduktor intrinsik dan kristal semikonduktor ekstrinsik. Oleh karena itu, sebelum mempelajari modul
Lebih terperinciMekanisme Hamburan Defek Statis Dan Vibrasi Termal Terhadap Mobilitas Elektron Pada Film Tipis GaN
Berkala Fisika ISSN : 1410-9662 Vol 13., No.1, Januari 2010, hal 39-44 Mekanisme Hamburan Defek Statis Dan Vibrasi Termal Terhadap Mobilitas Elektron Pada Film Tipis GaN Dadi Rusdiana, Lilik Hasanah, dan
Lebih terperinciYang akan dibahas: 1. Kristal dan Ikatan pada zat Padat 2. Teori Pita Zat Padat
ZAT PADAT Yang akan dibahas: 1. Kristal dan Ikatan pada zat Padat 2. Teori Pita Zat Padat ZAT PADAT Sifat sifat zat padat bergantung pada: Jenis atom penyusunnya Struktur materialnya Berdasarkan struktur
Lebih terperinciSTRUKTUR KRIST AL BUBUK SILIKON KARBIDA DENGAN METODERIETVELD1
ANALISIS ProsidinQ Pertemua!! llmiah Sains Mat~ri 1997 lssn l 4 l 0-2897 STRUKTUR KRIST AL BUBUK SILIKON KARBIDA DENGAN METODERIETVELD1 Muhammad Hikam2, Nuri Martinr dan Djonaedi Saleh2 ABSTRAK ANALISIS
Lebih terperinciRangkuman Listrik Statis
Nama : Adinda Dwi Putri Kelas : XII MIA 2 Rangkuman Listrik Statis (Hukum Coulomb, Medan Listrik dan Potensial Listrik) Hukum Coulomb Pada tahun 1785, seorang ahli fisika Prancis bernama Charles Augustin
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban manusia di abad ini. Sehingga diperlukan suatu kemampuan menguasai teknologi tinggi agar bisa
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi energi listrik DC secara langsung. Sel surya telah diaplikasikan dalam berbagai bidang, salah
Lebih terperinciPENENTUAN KOEFISIEN LINIER ELEKTRO OPTIS PADA AQUADES DAN AIR SULING MENGGUNAKAN GELOMBANG RF
Berkala Fisika ISSN : 11-966 Vol 1, No., Oktober 7 hal. 18-186 PENENTUAN KOEFISIEN LINIER ELEKTRO OPTIS PADA AQUADES DAN AIR SULING MENGGUNAKAN GELOMBANG RF Lilik Eko Jatwiyono, Heri Sugito, K. Sofjan
Lebih terperinciPENENTUAN KONSTANTA OPTIS DI DAERAH ABSORPSI FUNDAMENTAL MENGGUNAKAN FORMULASI FOROUHI DAN BLOOMER UNTUK LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h)
MAKARA, SAINS, VOL. 6, NO., AGUSTUS PENENTUAN KONSTANTA OPTIS DI DAERAH ABSORPSI FUNDAMENTAL MENGGUNAKAN FORMULASI FOROUHI DAN BLOOMER UNTUK LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) Rosari Saleh 1,
Lebih terperinciDistribusi Celah Pita Energi Titania Kotor
Jurnal Nanosains & Nanoteknologi ISSN 1979-0880 Edisi Khusus, Agustus 009 Distribusi Celah Pita Energi Titania Kotor Indah Nurmawarti, Mikrajuddin Abdullah (a), dan Khairurrijal Kelompok Keahlian Fisika
Lebih terperinciPENGARUH ANIL TERMAL TERHADAP BESARAN OPTIS LAPISAN TIPIS a-sic:h HASIL METODE DC SPUTTERING I. TARGET SILIKON
PENGARUH ANIL TERMAL TERHADAP BESARAN OPTIS LAPISAN TIPIS a-sic:h HASIL METODE DC SPUTTERING I. TARGET SILIKON Rosari Saleh 1, Lusitra Munisa 2 dan Dewi Marianty 1 1. Jurusan Fisika, Fakultas MIPA Universitas
Lebih terperinciPENGARUH PERLAKUAN ANIL P ADA KONST ANT A ABSORPSI OrTIS DAN KONFIGURASI IKA T AN LOKAL LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON I
Pros;dinfl Pertemuan /lm;ah Sa;ns Mater; /997 /SSN/410-28~7 PENGARUH PERLAKUAN ANIL P ADA KONST ANT A ABSORPSI OrTIS DAN KONFIGURASI IKA T AN LOKAL LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON I ABSTRAK M. Jahja2.Lusitra
Lebih terperinciGetaran Dalam Zat Padat BAB I PENDAHULUAN
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Pendahuluan Getaran atom dalam zat padat dapat disebabkan oleh gelombang yang merambat pada Kristal. Ditinjau dari panjang gelombang yang digelombang yang digunakan dan dibandingkan
Lebih terperinciSPEKTROSKOPI INFRA MERAH (IR)
SPEKTROSKOPI INFRA MERAH (IR) Spektrum Elektromagnetik tinggi tinggi Frekuensi (ν) Energi rendah rendah X-RAY ULTRAVIOLET INFRARED MICRO- WAVE RADIO FREQUENCY Ultraviolet Visible Vibrasi Infrared Resonansi
Lebih terperinciBAB I 1 PENDAHULUAN. kemampuan mengubah bentuk radiasi cahaya menjadi sinyal listrik. Radiasi yang
BAB I 1 PENDAHULUAN 1.1 LATAR BELAKANG MASALAH Fotodiode merupakan sebuah peranti semikonduktor yang memiliki kemampuan mengubah bentuk radiasi cahaya menjadi sinyal listrik. Radiasi yang dapat diterima
Lebih terperinciFisika Modern (Teori Atom)
Fisika Modern (Teori Atom) 13:05:05 Sifat-Sifat Atom Atom stabil adalah atom yang memiliki muatan listrik netral. Atom memiliki sifat kimia yang memungkinkan terjadinya ikatan antar atom. Atom memancarkan
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Graphene merupakan susunan atom-atom karbon monolayer dua dimensi yang membentuk struktur kristal heksagonal menyerupai sarang lebah. Graphene memiliki sifat
Lebih terperinciCATATAN KULIAH PENGANTAR SPEKSTOSKOPI. Diah Ayu Suci Kinasih Departemen Fisika Universitas Diponegoro Semarang 2016
CATATAN KULIAH PENGANTAR SPEKSTOSKOPI Diah Ayu Suci Kinasih -24040115130099- Departemen Fisika Universitas Diponegoro Semarang 2016 PENGANTAR SPEKTROSKOPI Pengertian Berdasarkan teori klasik spektoskopi
Lebih terperinciGARIS BESAR PROGRAM PEMBELAJARAN (GBPP)
Fisika Zat Padat Pendahuluan halaman 1 dari 9 GARIS BESAR PROGRAM PEMBELAJARAN (GBPP) MATA KULIAH : FISIKA ZAT PADAT PENDAHULUAN KODE/BOBOT : PAF 225 / 2 SKS DESKRIPSI SINGKAT : Dalam pembelajaran iniakan
Lebih terperinciJURNAL INFORMATIKA HAMZANWADI Vol. 2 No. 1, Mei 2017, hal. 20-27 ISSN: 2527-6069 SOLUSI PERSAMAAN DIRAC UNTUK POTENSIAL POSCH-TELLER TERMODIFIKASI DENGAN POTENSIAL TENSOR TIPE COULOMB PADA SPIN SIMETRI
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini terlihat dari banyaknya komponen semikonduktor yang digunakan disetiap kegiatan manusia.
Lebih terperinciSIMULASI NUMERIK BENTURAN DUA STRUKTUR TIGA DIMENSI DIBAWAH BEBAN DINAMIK TESIS MAGISTER. oleh : SUDARMONO
SIMULASI NUMERIK BENTURAN DUA STRUKTUR TIGA DIMENSI DIBAWAH BEBAN DINAMIK TESIS MAGISTER oleh : SUDARMONO 25096008 BIDANG KHUSUS REKAYASA STRUKTUR PROGRAM STUDI TEKNIK SIPIL PROGRAM PASCASARJANA INSTITUT
Lebih terperinciMUATAN, MEDAN DAN POTENSIAL LISTRIK DEPARTEMEN FISIKA INSTITUT PERTANIAN BOGOR
MUATAN, MEDAN DAN POTENSIAL LISTRIK DEPARTEMEN FISIKA INSTITUT PERTANIAN BOGOR 1 Tujuan Instruksional Dapat menentukan gaya, medan, energi dan potensial listrik yang berasal dari muatan-muatan statik serta
Lebih terperinciPENGARUH PENINGKATAN FLOW RATE GAS METAN TERHADAP SIFAT OPTIS LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING
PENGARUH PENINGKATAN FLOW RATE GAS METAN TERHADAP SIFAT OPTIS LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING Lusitra Munisa 1 dan Rosari Saleh 2 1. Program Studi Ilmu
Lebih terperinciBAB II PEMBAHASAN. Gambar 2.1 Lenturan Gelombang yang Melalui Celah Sempit
BAB II PEMBAHASAN A. Difraksi Sesuai dengan teori Huygens, difraksi dapat dipandang sebagai interferensi gelombang cahaya yang berasal dari bagian-bagian suatu medan gelombang. Medan gelombang boleh jadi
Lebih terperinciGambar Semikonduktor tipe-p (kiri) dan tipe-n (kanan)
Mekanisme Kerja Devais Sel Surya Sel surya merupakan suatu devais semikonduktor yang dapat menghasilkan listrik jika diberikan sejumlah energi cahaya. Proses penghasilan energi listrik itu diawali dengan
Lebih terperinciEfek Magnetooptis Pada Lapisan AgBr Terekspos
Efek Magnetooptis Pada Lapisan AgBr Terekspos Respita Sulistyo, K. Sofjan Firdausi, Indras Marhaendrajaya Laboratorium Elektronika Optik dan Laser, Jurusan Fisika UNDIP ABSTRACT The non linear optic characteristic
Lebih terperinciPENGARUH PERLAKUAN SUHU PADA PEMBUATAN GREEN CARBON PAPER (GCP) TANPA PEREKAT MENGGUNAKAN KULIT PISANG LILIN
PENGARUH PERLAKUAN SUHU PADA PEMBUATAN GREEN CARBON PAPER (GCP) TANPA PEREKAT MENGGUNAKAN KULIT PISANG LILIN Tri Mashela Noviani*, Erman Taer, Sugianto Jurusan Fisika Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC)
39 HASIL DAN PEMBAHASAN Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC) Hasil karakterisasi dengan Difraksi Sinar-X (XRD) dilakukan untuk mengetahui jenis material yang dihasilkan disamping menentukan
Lebih terperinciPENENTUAN PANJANG GELOMBANG EMISI PADA NANOPARTIKEL CdS DAN ZnS BERDASARKAN VARIASI KONSENTRASI MERCAPTO ETHANOL
PENENTUAN PANJANG GELOMBANG EMISI PADA NANOPARTIKEL CdS DAN ZnS BERDASARKAN VARIASI KONSENTRASI MERCAPTO ETHANOL Muhammad Salahuddin 1, Suryajaya 2, Edy Giri R. Putra 3, Nurma Sari 2 Abstrak:Pada penelitian
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini mengalami peralihan dari teknologi mikro (microtechnology) ke generasi yang lebih kecil yang dikenal
Lebih terperinciRANCANGAN PEMBELAJARAN KIMIA FISIKA III
RANCANGAN PEMBELAJARAN KIMIA FISIKA III Nama / Kode Matakuliah : Kimia Fisika III / 301 H310 3 / 3 sks Komptensi Sasaran : 1. Kompetensi Utama : Memiliki kemampuan dalam menerapkan pengetahuan dasar Kimia.
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Bidang elektronik saat ini memegang peranan penting di berbagai sektor
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Penulisan Bidang elektronik saat ini memegang peranan penting di berbagai sektor pembangunan. Hal ini terlihat dari banyaknya penggunaan piranti elektronik di setiap
Lebih terperinciAnalisis Numerik Resonansi Tunneling Pada Sruktur Lapis Tiga GaAs / Al x Ga 1-x As Menggunakan Algoritma Numerov.
Analisis Numerik Resonansi Tunneling Pada Sruktur Lapis Tiga GaAs / Al x Ga 1-x As Menggunakan Algoritma Numerov. Yonathan Sapan, Paulus Lobo Gareso, Eko Juarlin Program studi Fisika Jurusan Fisika FMIPA-UNHAS
Lebih terperinciMOLEKUL, ZAT PADAT DAN PITA ENERGI MOLEKUL ZAT PADAT PITA ENERGI
MOLEKUL, ZAT PADAT DAN PITA ENERGI MOLEKUL ZAT PADAT PITA ENERGI edy wiyono 2004 PENDAHULUAN Pada umumnya atom tunggal tidak memiliki konfigurasi elektron yang stabil seperti gas mulia, maka atom atom
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. SiO 2 memiliki sifat isolator yang baik dengan energi gapnya mencapai 9 ev,
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Graphene adalah material yang tersusun atas atom karbon dengan susunan kisi hexagonal dengan ketebalan satu atom. Graphene yang disusun dalam bentuk 3 dimensi, dimana
Lebih terperinciPengukuran Panjang Koherensi Menggunakan Interferometer Michelson
Berkala Fisika ISSN : 1410-966 Vol 10, No.4, Oktober 007 hal. 169-173 Pengukuran Panjang Koherensi Menggunakan Interferometer Mihelson Agustina Setyaningsih, Indras Marhaendrajaya, K. Sofjan Firdausi Laboratorium
Lebih terperinciRudi Susanto
Pendahuluan Listrik Statis Rudi Susanto http://rudist.wordpress.com 1 Sifat-sifat Muatan Listrik Observasi Makroskopik Berdasarkan pengamatan : Penggaris plastik yang digosokkan ke rambut/kain akan menarik
Lebih terperinciELEKTRONIKA. Bab 2. Semikonduktor
ELEKTRONIKA Bab 2. Semikonduktor DR. JUSAK Konduktor Konduktor adalah sebuah bahan/elemen yang mempunyai kemampuan menghantarkan listrik. Salah satu contoh bahan koduktor adalah tembaga. Nukleus atom tembaga
Lebih terperinciBAB II LANDASAN TEORI
BAB II LANDASAN TEORI 2.1 Dasar Sistem Komunikasi Serat Optik Sistem komunikasi optik adalah suatu sistem komunikasi yang media transmisinya menggunakan serat optik. Pada prinsipnya sistem komunikasi serat
Lebih terperinciFisika Untuk Universitas
Fisika Untuk Universitas i ii Fisika Untuk Universitas Fisika Untuk Universitas iii iv Fisika Untuk Universitas FISIKA UNTUK UNIVERSITAS Penulis: Ir. Sutarno, M.Sc. Edisi Pertama Cetakan Pertama, 2013
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Penelitian
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Penelitian Beberapa bahan penting dalam peralatan elektronik adalah semikonduktor. Kegunaan semikonduktor dalam bidang elektronik antara lain adalah sebagai transistor,
Lebih terperinciPENGARUH VARIASI MASSA BAHAN TERHADAP KUALITAS KRISTAL SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 Te 0,8 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN
Pengaruh Variasi Massa... (Annisa Dyah ) 238 PENGARUH VARIASI MASSA BAHAN TERHADAP KUALITAS KRISTAL SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 Te 0,8 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK BRIDGMAN THE EFFECT OF MATERIAL MASS ON
Lebih terperinciGELOMBANG ELEKTROMAGNETIK. Oleh: DHELLA MARDHELA NIM: 15B08052
GELOMBANG ELEKTROMAGNETIK Oleh: DHELLA MARDHELA NIM: 15B08052 Apa itu Gelombang? Gelombang adalah getaran yang merambat Apakah dalam perambatannya perlu medium/zat perantara? Tidak harus! Berdasarkan ada/tidak
Lebih terperinciPENGARUH POLARITAS MEDAN LISTRIK EKSTERNAL DAN SUDUT POLARISASI LASER DIODA UNTUK PENGAMATAN EFEK KERR
Berkala Fisika ISSN : 11-9 Vol.9, No.1, Januari, hal 31-3 PENGARUH POLARITAS MEDAN LISTRIK EKSTERNAL DAN SUDUT POLARISASI LASER DIODA UNTUK PENGAMATAN EFEK KERR Hari Wibowo, Eko Sugiyanto, K. Sofjan Firdausi,
Lebih terperinciTIN-302 Elektronika Industri
TIN-302 Elektronika Industri Komponen elektronik dalam industri Jurusan Teknik Industri Universitas Muhammadiyah Surakarta Komponen Elektronik Komponen elektronik diklasifikasikan menjadi 2: Komponen pasif
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Spektrum elektromagnetik yang mampu dideteksi oleh mata manusia
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar belakang Spektrum elektromagnetik yang mampu dideteksi oleh mata manusia berada dalam rentang spektrum cahaya tampak yang memiliki panjang gelombang dari 400 900 nm. Sedangkan
Lebih terperinciFISIKA 2014 TIPE A. 30 o. t (s)
No FISIKA 2014 TIPE A SOAL 1 Sebuah benda titik dipengaruhi empat vektor gaya masing-masing 20 3 N mengapit sudut 30 o di atas sumbu X positif, 20 N mnegapit sudut 60 o di atas sumbu X negatif, 5 N pada
Lebih terperinciRENCANA PELAKSANAAN PEMBELAJARAN PERTEMUAN PERTAMA
Satuan pendidikan Mata Pelajaran Kelas / Semester Materi Alokasi waktu RENCANA PELAKSANAAN PEMBELAJARAN PERTEMUAN PERTAMA : SMA : Fisika : XII/1 : Elektrostatika : 1 x 2 JP (2 x 45 menit) A. Kompetensi
Lebih terperinci2016 PEMODELAN ARUS TEROBOSAN PADA TRANSISTOR DWIKUTUB N-P-N ARMCHAIR GRAPHENE NANORIBBON (AGNR) MENGGUNAKAN METODE MATRIKS TRANSFER
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Alat-alat elektronik sudah menjadi pelengkap kehidupan manusia. Di dalamnya terdapat berbagai macam divais elektronik yang tersusun sehingga memiliki fungsinya tersendiri.
Lebih terperinciAnalisis Pengaruh Panjang Kupasan dan Perubahan Suhu Terhadap Pancaran Intensitas pada Serat Optik Plastik Multimode Tipe FD
JURNAL SAINS DAN SENI ITS Vol. 5 No. 2 (2016) 2337-3520 (2301-928X Print) B-103 Analisis Pengaruh Panjang Kupasan dan Perubahan Suhu Terhadap Pancaran Intensitas pada Serat Optik Plastik Multimode Tipe
Lebih terperinciDualisme Partikel Gelombang
Dualisme Partikel Gelombang Agus Suroso Fisika Teoretik Energi Tinggi dan Instrumentasi, Institut Teknologi Bandung agussuroso10.wordpress.com, agussuroso@fi.itb.ac.id 19 April 017 Pada pekan ke-10 kuliah
Lebih terperinciMateri Pendalaman 03 GELOMBANG ELEKTROMAGNETIK =================================================
Materi Pendalaman 03 GELOMBANG ELEKTROMAGNETIK ================================================= Bila dalam kawat PQ terjadi perubahan-perubahan tegangan baik besar maupun arahnya, maka dalam kawat PQ
Lebih terperinciSPEKTROSKOPI INFRA RED & SERAPAN ATOM
SPEKTROSKOPI INFRA RED & SERAPAN ATOM SPEKTROSKOPI INFRA RED Daerah radiasi IR: 1. IR dekat: 0,78 2,5 µm 2. IR tengah: 2,5 50 µm 3. IR jauh: 50 1000 µm Daerah radiasi spektroskopi IR: 0,78 1000 µm Penggunaan
Lebih terperinciGelombang Elektromagnetik
Gelombang Elektromagnetik Teori gelombang elektromagnetik pertama kali dikemukakan oleh James Clerk Maxwell (83 879). Hipotesis yang dikemukakan oleh Maxwell, mengacu pada tiga aturan dasar listrik-magnet
Lebih terperinciOLIMPIADE SAINS NASIONAL TAHUN 2009 TINGKAT KABUPATEN/KOTA FISIKA SMP
OLIMPIADE SAINS NASIONAL TAHUN 2009 TINGKAT KABUPATEN/KOTA FISIKA SMP Materi Pokok 1. Besaran Satuan dan Pengukuran Sub Materi Indikator Pokok 1.1. Besaran Mengidentifikasi dan mengklasifikasi besaran-besaran
Lebih terperinciBAB I PRINSIP-PRINSIP DIFRAKSI SINAR-X
BAB I PRINSIP-PRINSIP DIFRAKSI SINAR-X I. PENDAHULUAN Sejarah mengenai difraksi sinar-x telah berjalan hampir satu abad ketika tulisan ini disusun. Tahun 191 adalah awal dari studi intensif mengenai difraksi
Lebih terperinciGetaran, Gelombang dan Bunyi
Getaran, Gelombang dan Bunyi Getaran 01. EBTANAS-06- Pada getaran selaras... A. pada titik terjauh percepatannya maksimum dan kecepatan minimum B. pada titik setimbang kecepatan dan percepatannya maksimum
Lebih terperinciSOAL DAN PEMBAHASAN FINAL SESI I LIGA FISIKA PIF XIX TINGKAT SMA/MA SEDERAJAT PAKET 1
SOAL DAN PEMBAHASAN FINAL SESI I LIGA FISIKA PIF XIX TINGKAT SMA/MA SEDERAJAT PAKET 1 1. Terhadap koordinat x horizontal dan y vertikal, sebuah benda yang bergerak mengikuti gerak peluru mempunyai komponen-komponen
Lebih terperinciKARAKTERISTIK SYMMETRIC NUCLEAR MATTER PADA TEMPERATUR NOL
KARAKTERISTIK SYMMETRIC NUCLEAR MATTER PADA TEMPERATUR NOL Annisa Fitri 1, Anto Sulaksono 2 1,2 Departemen Fisika FMIPA UI, Kampus UI Depok, 16424 1 annisa.fitri11@sci.ui.ac.id 2 anto.sulaksono@sci.ui.ac.id
Lebih terperinciSemikonduktor. Sifat. (ohm.m) Tembaga 1,7 x 10-8 Konduktor Silikon pd 300 o K 2,3 x 10 3 Semikonduktor Gelas 7,0 x 10 6 Isolator
Semikonduktor Definisi I: Bahan yang memiliki nilai hambatan jenis (ρ) antara konduktor dan isolator yakni sebesar 10 6 s.d. 10 4 ohm.m Perbandingan hambatan jenis konduktor, semikonduktor, dan isolator:
Lebih terperinciPENYELESAIAN PERSAMAAN SCHRODINGER TIGA DIMENSI UNTUK POTENSIAL NON-SENTRAL ECKART DAN MANNING- ROSEN MENGGUNAKAN METODE ITERASI ASIMTOTIK
PENYELESAIAN PERSAMAAN SCHRODINGER TIGA DIMENSI UNTUK POTENSIAL NON-SENTRAL ECKART DAN MANNING- ROSEN MENGGUNAKAN METODE ITERASI ASIMTOTIK Disusun oleh : Muhammad Nur Farizky M0212053 SKRIPSI PROGRAM STUDI
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Gambar I.1 Struktur (a) porfirin dan (b) corrole (Jaung, 2005)
BAB I PENDAHULUAN I.1 Latar Belakang Semikonduktor adalah salah satu material yang paling banyak dikaji dewasa ini karena banyaknya pemanfaatan yang bisa dilakukan dengan material ini mulai dari komponen
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Dewasa ini, laser banyak sekali digunakan untuk berbagai aplikasi. Antara lain ialah pada bidang industri, kedokteran, militer, optik dan berbagai aplikasi interaksi
Lebih terperinciAntiremed Kelas 12 Fisika
Antiremed Kelas 12 Fisika Fisika Kuantum - Latihan Soal Doc. Name: AR12FIS0799 Version: 2012-09 halaman 1 01. Daya radiasi benda hitam pada suhu T 1 besarnya 4 kali daya radiasi pada suhu To, maka T 1
Lebih terperinciGETARAN, GELOMBANG DAN BUNYI
GETARAN, GELOMBANG DAN BUNYI Getaran, Gelombang dan Bunyi Getaran 01. EBTANAS-06-24 Pada getaran selaras... A. pada titik terjauh percepatannya maksimum dan kecepatan minimum B. pada titik setimbang kecepatan
Lebih terperinciSEMIKONDUKTOR oleh: Ichwan Yelfianhar dirangkum dari berbagai sumber
SEMIKONDUKTOR oleh: Ichwan Yelfianhar dirangkum dari berbagai sumber Pengertian Umum Bahan semikonduktor adalah bahan yang bersifat setengah konduktor karena celah energi yang dibentuk oleh struktur bahan
Lebih terperinciRENCANA PELAKSANAAN PEMBELAJARAN No. 01/ 01 / XI
RENCANA PELAKSANAAN PEMBELAJARAN No. 01/ 01 / XI SATUAN PENDIDIKAN : SMA NEG. KHUSUS RAHA MATA PELAJARAN : F I S I K A KELAS / SEM./ PROGRAM : XI / 1 / IPA ALOKASI WAKTU : 2 x 45 I. STANDAR KOMPETENSI
Lebih terperinciKonsep Dasar Getaran dan Gelombang Kasus: Pegas. Powerpoint presentation by Muchammad Chusnan Aprianto
Konsep Dasar Getaran dan Gelombang Kasus: Pegas Powerpoint presentation by Muchammad Chusnan Aprianto Definisi Gerak periodik adalah gerakan maju dan mundur atau melingkar pada lintasan yang sama untuk
Lebih terperinciTUGAS MATA KULIAH ILMU MATERIAL UMUM THERMAL PROPERTIES
TUGAS MATA KULIAH ILMU MATERIAL UMUM THERMAL PROPERTIES Nama Kelompok: 1. Diah Ayu Suci Kinasih (24040115130099) 2. Alfiyan Hernowo (24040115140114) Mata Kuliah Dosen Pengampu : Ilmu Material Umum : Dr.
Lebih terperinciSTRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPIS TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 S 0.8 ) HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA
J. Sains Dasar 2015 4 (2) 198-203 STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPIS TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 S 0.8 ) HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA THE STRUCTURE AND CHEMICAL
Lebih terperinciFONON I : GETARAN KRISTAL
MAKALAH FONON I : GETARAN KRISTAL Diajukan untuk Memenuhi Tugas Mata Kuliah Pendahuluan Fisika Zat Padat Disusun Oleh: Nisa Isma Khaerani ( 3215096525 ) Dio Sudiarto ( 3215096529 ) Arif Setiyanto ( 3215096537
Lebih terperinciORBITAL DAN IKATAN KIMIA ORGANIK
ORBITAL DAN IKATAN KIMIA ORGANIK Objektif: Pada Bab ini, mahasiswa diharapkan untuk dapat memahami, Teori dasar orbital atom dan ikatan kimia organik, Orbital molekul orbital atom dan Hibridisasi orbital
Lebih terperinciAntiremed Kelas 12 Fisika
Antiremed Kelas 12 Fisika UTS Fisika Latihan 2 Kelas 12 Doc. Name: AR12FIS02UTS Version: 2014-10 halaman 1 01. Gelombang transversal pada tali horizontal dengan panjang gelombang 8 m merambat dengan kelajuan
Lebih terperinciPROFIL DENSITAS MODEL THOMAS-FERMI-DIRAC-VON WEIZSACKER
PROFIL DENSITAS MODEL THOMAS-FERMI-DIRAC-VON WEIZSACKER Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Negeri Semarang Email: yuniblr@yahoo.com Abstrak. Model Thomas-Fermi-Dirac-von
Lebih terperinciMODUL 1 KULIAH SEMIKONDUKTOR
MODUL 1 KULIAH SMIKONDUKTOR I.1. LOGAM, ISOLATOR dan SMIKONDUKTOR. Suatu bahan zat padat apabila dikaitkan dengan kemampuannya dalam menghantarkan arus listrik, maka bahan zat padat dibedakan menjadi tiga
Lebih terperinciPENENTUAN PARAMETER KISI KRISTAL HEXAGONAL BERDASARKAN POLA DIFRAKSI SINAR-X SECARA KOMPUTASI. M. Misnawati 1, Erwin 2, Salomo 3
PENENTUAN PARAMETER KISI KRISTAL HEXAGONAL BERDASARKAN POLA DIFRAKSI SINAR-X SECARA KOMPUTASI M. Misnawati, Erwin, Salomo Mahasiswa Porgram Studi S Fisika Bidang Karakterisasi Material Jurusan Fisika Bidang
Lebih terperinciSTANDAR KOMPETENSI DAN KOMPETENSI DASAR MATA PELAJARAN FISIKA
STANDAR KOMPETENSI DAN KOMPETENSI DASAR MATA PELAJARAN FISIKA A. Latar Belakang Ilmu Pengetahuan Alam (IPA) berkaitan dengan cara mencari tahu tentang fenomena alam secara sistematis, sehingga IPA bukan
Lebih terperinciSIMAK UI Fisika
SIMAK UI 2016 - Fisika Soal Halaman 1 01. Fluida masuk melalui pipa berdiameter 20 mm yang memiliki cabang dua pipa berdiameter 10 mm dan 15 mm. Pipa 15 mm memiliki cabang lagi dua pipa berdiameter 8 mm.
Lebih terperinciModul - 4 SEMIKONDUKTOR
Modul - 4 SEMIKONDUKTOR Disusun Sebagai Materi Pelatihan Guru-Guru SMA/MA Provinsi Nangro Aceh Darussalam Disusun oleh: Dr. Agus Setiawan, M.Si Dr. Dadi Rusdiana, M.Si Dr. Ida Hamidah, M.Si Dra. Ida Kaniawati,
Lebih terperinciFABRIKASI THIN FILM QUARTERNAIR CuGaSeTe DAN CuGa 0.5 In 0.5 Te 2 DENGAN EVAPORASI FLASH
MAKARA, TEKNOLOGI, VOL. 8, NO. 1, APRIL 2004: 9-16 9 FABRIKASI THIN FILM QUARTERNAIR CuGaSeTe DAN CuGa 0.5 In 0.5 Te 2 DENGAN EVAPORASI FLASH A. Harsono Soepardjo Departemen Fisika, FMIPA, Universitas
Lebih terperinciKumpulan Soal Fisika Dasar II.
Kumpulan Soal Fisika Dasar II http://personal.fmipa.itb.ac.id/agussuroso http://agussuroso102.wordpress.com Topik Gelombang Elektromagnetik Interferensi Difraksi 22-04-2017 Soal-soal FiDas[Agus Suroso]
Lebih terperinciMAKALAH PITA ENERGI. Di susun oleh, Pradita Ajeng Wiguna ( ) Rombel 1. Untuk Memenuhi Tugas Mata Kuliah Fisika dan Teknologi Semikonduktor
MAKALAH PITA ENERGI Untuk Memenuhi Tugas Mata Kuliah Fisika dan Teknologi Semikonduktor Di susun oleh, Pradita Ajeng Wiguna (4211412011) Rombel 1 JURUSAN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN
Lebih terperinciSINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION
SINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION Yolanda Oktaviani, Astuti Jurusan Fisika FMIPA Universitas Andalas e-mail: vianyolanda@yahoo.co.id
Lebih terperinciPRISMA FISIKA, Vol. VI, No. 2 (2018), Hal ISSN :
Studi Teoritik Respon Optik Two-Level System Semiconductor Quantum Dots Rika Elfriana a, Iklas Sanubary a), Bintoro Siswo Nugroho a)*, a) Jurusan Fisika, FMIPA Universitas Tanjungpura, Jalan Prof. Dr.
Lebih terperinciIdentifikasi Sifat Optis Media Air dan Larutan Garam Dalam Medan Magnet Luar
Berkala Fisika ISSN : 0-966 Vol.8, No., Januari 00, hal -6 Identifikasi Sifat Optis Media Air dan Larutan Garam Dalam Medan Magnet Luar K. Sofjan Firdausi,, Widarsono, Priyono, Much Azam, Indras M,, Asep
Lebih terperinci