PENENTUAN KONSTANTA OPTIS DI DAERAH ABSORPSI FUNDAMENTAL MENGGUNAKAN FORMULASI FOROUHI DAN BLOOMER UNTUK LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h)
|
|
- Ari Hartono
- 7 tahun lalu
- Tontonan:
Transkripsi
1 MAKARA, SAINS, VOL. 6, NO., AGUSTUS PENENTUAN KONSTANTA OPTIS DI DAERAH ABSORPSI FUNDAMENTAL MENGGUNAKAN FORMULASI FOROUHI DAN BLOOMER UNTUK LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) Rosari Saleh 1, Lusitra Munisa dan Dewi Marianty 1 1. Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Indonesia, Depok Program Studi Ilmu Fisika, Program Pascasarjana, Universitas Indonesia, Jakarta, rosari@ .globalinfo.net Abstrak Formulasi indeks bias kompleks bagian riil dan imaginer yang diturunkan oleh Forouhi dan Bloomer telah digunakan untuk memperoleh konstanta optis dalam jangkauan energi yang lebih besar dari lapisan tipis amorf karbon (a-sic:h) hasil deposisi metode dc sputtering menggunakan target dan. Kedua konstanta optis n(e) dan k(e) yang diperoleh dari formulasi berhimpit dengan hasil pengukuran secara eksperimen. Konstanta optis yang diperoleh memenuhi relasi dispersi Kramers-Kronig dan memperlihatkan kehadiran maksimum kurva di daerah energi tinggi. Ketergantungan lima parameter terhadap konsentrasi karbon dan variasi konstanta optis dengan komposisi untuk kedua jenis target akan didiskusikan. Abstract An expression of the imaginary and real parts of the complex refractive index derived by Forouhi and Bloomer have been applied to obtain wider energy range of optical constants for amorphous silicon carbon (a-sic:h) films deposited by dc sputtering method using silicon and graphite targets. Excellent agreement was obtained between the formula and experimentally measured values of both n(e) and k(e). The optical constants obey Kramers-Kronig dispersion relation and show a maximum at high-energy range. The dependence of five parameters to carbon concentration and the variation of optical constants with composition for both targets will be discussed. Keywords: optical constants, absorption, amorphous silicon carbon, sputtering Pendahuluan Karakteristik optis dari material semikonduktor dan dielektrik amorf, semikonduktor dan dielektrik kristal serta logam dapat didiskripsikan melalui indeks bias kompleks, N=n-ik, dengan bagian riil dan imajiner dari N merupakan indeks bias n dan koefisien ekstinksi k yang merupakan konstanta optis suatu medium [1]. Formulasi konstanta optis di daerah absorpsi fundamental telah banyak diformulasikan baik secara empiris maupun menggunakan model osilator harmonik, teori mekanika kuantum dan analisis point by point dari zona Brillouin [-1]. Penentuan dengan cara-cara tersebut menghasilkan konstanta optis dalam daerah energi tertentu yang sempit dan membutuhkan parameter fitting yang cukup banyak (9-11 parameter) serta belum tentu memenuhi relasi dispersi [1,1,11]. Forouhi dan Bloomer [1,1,11] menurunkan formulasi umum koefisien ekstinksi k(e) berdasarkan pada teori absorpsi mekanika kuantum, kemudian formulasi n(e) diperoleh dengan menggunakan relasi dispersi Kramers- Kronig. Formulasi k(e) dan n(e) Forouhi dan Bloomer diperoleh untuk jangkauan energi yang cukup besar dengan hanya membutuhkan lima parameter dan yang terpenting formulasi tersebut telah memenuhi relasi dispersi Kramers-Kronig. Forouhi dan Bloomer telah mengaplikasikan untuk material semikonduktor dan dielektrik amorf [1], semikonduktor dan dielektrik kristal [11] serta logam [1]. Oleh karena itu formulasi yang diturunkan oleh Forouhi dan Bloomer merupakan salah satu alternatif untuk memperlebar jangkauan kurva n(e) dan k(e) di daerah absorpsi fundamental. Penelitian ini akan mengaplikasikan formulasi Forouhi dan Bloomer [1] untuk memperoleh n(e) dan k(e) di daerah absorpsi fundamental dari semikonduktor amorf 9
2 6 MAKARA, SAINS, VOL. 6, NO., AGUSTUS karbon terhidrogenasi (a-sic:h) dalam bentuk lapisan tipis sebagai hasil deposisi metode dc sputtering. Lapisan tipis a-sic:h dihasilkan dengan dua jenis target yang berbeda dengan beberapa variasi konsentrasi karbon sehingga akan didiskusikan pengaruh penggunaan target yang berbeda dan pengaruh konsentrasi karbon terhadap konstanta optis dan parameter yang diperoleh. Teori dan Metode Penelitian Forouhi dan Bloomer [1,1,11] menggunakan asumsi lifetime elektron yang terbatas di keadaan eksitasi untuk mendapatkan formulasi umum k(e). Untuk kasus material amorf, keteraturan rentang pendek (short range order/sro) berpengaruh pada proses absorpsi. Transisi dari keadaan bonding ke anti bonding pada pita valensi dan konduksi di material amorf menghasilkan satu maksimum kurva [1,1]. Berbeda dengan dengan kasus material kristalin, transisi yang terjadi selain dari keadaan bonding ke anti bonding juga terjadi transisi keadaan kritis sehingga menghasilkan maksimum kurva lebih dari satu [1,11]. Selain itu Forouhi dan Bloomer [1,1] menggunakan asumsi pita energi berbentuk parabola untuk memperoleh formulasi k(e), sehingga diperoleh sebagai berikut : ( E ) A E g k( E) = (1) E BE + C Formulasi umum n(e) diperoleh Forouhi-Bloomer untuk material amorf dengan menggunakan relasi dispersi Kramers-Kronig antara n(e) and k(e). Relasi dispersi ini merupakan konsekuensi dari prinsip kausalitas yang menyatakan bahwa tidak ada sinyal di dalam vakum yang merambat lebih cepat dari kecepatan cahaya [1]. Formulasi n(e) diperoleh Forouhi dan Bloomer sebagai transformasi Hilbert dari k(e) seperti berikut [1]: dengan B o BoE + Co n( E) = n( ) + () E BE + C A B = Q A Co = Q 1 Q = ( E + C) g ( 4C B ) 1/ g + E B E g + C B EgC Hasil eksperimen n(e) dan k(e) yang digunakan pada penelitian ini merupakan hasil eksperimen reflektansi dan transmitansi yang diperoleh di daerah energi ev [13]. Absorpsi substrat yang besar di daerah ultra ungu menyebabkan hasil pengukuran transmisi berkurang drastis dan konstanta optis tidak dapat diperoleh di daerah energi tinggi (>. ev), sehingga diperlukan eksperimen lain seperti ellipsometer untuk memperoleh konstanta optis di daerah energi tinggi. Formulasi n(e) dan k(e) pada persamaan (1) dan () merupakan suatu alternatif untuk memperoleh kedua konstanta optis tersebut di daerah energi tinggi (>. ev) dari hasil eksperimen refleksi dan transmisi. Lima parameter A, B, C, E g dan n( ) pada kedua persamaan di atas diperoleh dari prosedur seperti yang dilakukan oleh Forouhi dan Bloomer [1] terhadap n(e) dan k(e) hasil eksperimen refleksi dan transmisi. Kelima parameter yang diperoleh tersebut kemudian digunakan untuk memperoleh n(e) dan k(e) dalam jangkauan energi yang lebih besar. Lapisan tipis a-sic:h yang digunakan pada penelitian ini merupakan hasil deposisi metode dc sputtering dengan menggunakan jenis target yakni target dan target. Proses deposisi dengan menggunakan target melibatkan gas metan sebagai sumber karbon sedangkan deposisi dengan target melibatkan wafer sebagai sumber. Kedua proses deposisi dengan kedua jenis target dilakukan dalam campuran gas argon dan hidrogen dengan parameter deposisi serta teknik analisis komposisi seperti telah dikemukakan sebelum ini [14]. Hasil dan Pembahasan Gambar 1a-c memperlihatkan kelima parameter A, B, C, E g dan n( ) hasil prosedur seperti dikemukakan oleh Forouhi dan Bloomer [1] terhadap 7 lapisan tipis a-sic:h hasil deposisi metode dc sputtering. Tiga lapisan tipis a-si 1-x C x :H dengan x=.1,.33 dan.38 merupakan hasil deposisi target sedangkan empat lapisan tipis a-si 1-x C x :H dengan x=.6,.1,.8 dan.31 merupakan hasil deposisi target. Gambar 1a memperlihatkan E g terhadap konsentrasi karbon untuk lapisan tipis hasil kedua jenis target dan. Lapisan tipis hasil target memperlihatkan peningkatan E g dengan bertambahnya konsentrasi karbon, sedangkan lapisan tipis hasil target walaupun memperlihatkan peningkatan E g dengan bertambahnya konsentrasi karbon tetapi peningkatannya tidak sebesar hasil target. E g merupakan energi pada saat k(e) berharga minimum yang merupakan jarak ujung atas pita valensi dan ujung bawah pita konduksi yang oleh Forouhi dan Bloomer [1] kedua pita tersebut diasumsikan berbentuk parabola. Harga E g yang diperoleh tidak berbeda jauh dengan harga E g dari plot Tauc terhadap kurva α(e) [14]. Gambar 1b
3 MAKARA, SAINS, VOL. 6, NO., AGUSTUS E g (ev) 1.8 n(~) konsentrasi karbon, X konsentrasi karbon Gambar 1a. E g sebagai fungsi konsentrasi karbon x untuk lapisan tipis a-sic:h hasil target (o) dan ( ). Gambar 1b. n( ) sebagai fungsi konsentrasi karbon x untuk lapisan tipis a-sic:h hasil target (o) dan ( ). C 6 3 B 6 4 A konsentrasi karbon Gambar 1c. Parameter A,B,C sebagai fungsi konsentrasi karbon x untuk lapisan tipis a-sic:h hasil target (o) dan ( ). memperlihatkan n( ) terhadap konsentrasi karbon untuk lapisan tipis hasil kedua jenis target dan. Kedua lapisan tipis hasil kedua jenis target memperlihatkan berkurangnya n( ) dengan peningkatan konsentrasi karbon, tetapi berkurangnya n( ) terjadi sangat besar untuk lapisan tipis hasil target, sedangkan hasil target memperlihatkan penurunan yang sangat kecil bahkan hampir konstan. Parameter n( ) biasanya diasumsikan sama dengan satu [1], tetapi Forouhi dan Bloomer [1] mendapatkan tidak selalu demikian, n( ) bisa lebih besar dari 1 tetapi tidak kurang dari 1 atau n( ) 1. Parameter n( ) merupakan indeks bias pada saat E. Gambar 1c memperlihatkan parameter A yang cenderung turun dengan peningkatan konsentrasi karbon untuk lapisan tipis hasil deposisi kedua jenis target, sedangkan parameter B dan C cenderung meningkat terhadap konsentrasi karbon. Ketiga parameter A, B, C berhubungan dengan struktur elektronik zat padat. Parameter A sebanding dengan rasio dari kuadrat dipol matriks elemen terhadap lifetime transisi elektron, parameter B berharga dua kali jarak energi antara pusat
4 6 MAKARA, SAINS, VOL. 6, NO., AGUSTUS 4..4 formulasi F&B.3 formulasi F&B n 3.8 hasil eksperimen R,T k. hasil eksperimen R,T E (ev). 4 E (ev) Gambar a. Perbandingan n(e) hasil eksperimen [13] simbol Δ dengan hasil perhitungan Forouhi dan Bloomer dari lapisan tipis a-sic:h hasil target x=.8. Gambar b. Perbandingan k(e) hasil eksperimen [13] simbol Δ dengan hasil perhitungan Forouhi dan Bloomer dari lapisan tipis a-sic:h hasil target x=.8. 1 x=.8 x=.6 x=.1 1 x=.31 1 x=.8 ε 1 ε 1 x=.31 - x=.6 x= Gambar 3a. Bagian riil fungsi dielektrik ε 1 sebagai fungsi energi untuk lapisan tipis a-sic:h hasil target pita valensi dan konduksi, sedangkan parameter C berhubungan dengan parameter B dan lifetime dari transisi elektron. Kisaran harga parameter yang diperoleh tidak terlalu jauh berbeda dengan yang diperoleh Sangbo Kim dkk. [1] yang melakukan penelitian a-sic:h dengan metode plasma enhanced chemical vapour deposition/pecvd, walaupun secara Gambar 3b. Bagian imajiner fungsi dielektrik ε sebagai fungsi energi untuk lapisan tipis a-sic:h hasil target keseluruhan lebih kecil harganya. Kelima parameter A, B, C, E g dan n( ) yang telah diperoleh kemudian dapat digunakan untuk memperoleh n(e) dan k(e) dalam jangkauan energi yang lebih besar, seperti diperlihatkan pada Gambar a dan b untuk lapisan tipis a-sic:h hasil deposisi target
5 MAKARA, SAINS, VOL. 6, NO., AGUSTUS ε 1 x=.1 x=.38 x=.33 1 ε 1 x=.1 x=.33 x= Gambar 4a. Bagian riil fungsi dielektrik ε 1 sebagai fungsi energi untuk lapisan tipis a-sic:h hasil target x=.8. Kedua gambar tersebut memperlihatkan kurva n(e) dan k(e) dari persamaan (1) dan () yang berhimpit dengan data hasil eksperimen refleksi dan transmisi (simbol Δ) [13], dengan demikian telah diperoleh kurva n(e) dan k(e) untuk daerah energi tinggi (>. ev). Kedua gambar memperlihatkan kurva yang mulus dan kontinu terhadap energi serta terlihat kehadiran maksimum kurva di daerah energi tinggi. Konstanta optis n(e) dan k(e) dalam jangkauan energi yang lebih besar dapat digunakan untuk memperoleh fungsi dielektrik kompleks dengan relasi ε 1 =n -k dan ε =nk. Fungsi dielektrik bagian riil ε 1 dan imajiner ε lapisan tipis hasil deposisi target diperlihatkan pada Gambar 3a dan 3b untuk keempat konsentrasi karbon, sedangkan Gambar 4a dan 4b memperlihatkan hasil fungsi dielektrik riil ε 1 dan imajiner ε hasil deposisi target. Gambar 3a, 3b, 4a dan 4b memperlihatkan maksimum kurva fungsi dielektrik riil ε 1 (E) dan imajiner ε (E) yang berkurang dengan bertambahnya konsentrasi karbon serta bergeser ke energi yang lebih tinggi. Mui dan Smith [1] menjelaskan hal tersebut dengan bantuan model tetrahedron, sebagai akibat dari berkurangnya fraksi tetrahedral dengan ikatan Si-Si dan bertambahnya tetrahedral dengan ikatan Si-C. Pembahasan lebih lanjut tentang perubahan posisi dan tinggi maksimum kurva dilakukan hanya terhadap fungsi dielektrik bagian imajiner ε, karena variasi fungsi dielektrik bagian riil ε tidak langsung berhubungan dengan densitas keadaan Gambar 4b. Bagian imajiner fungsi dielektrik ε sebagai fungsi energi untuk lapisan tipis a-sic:h hasil target elektron semikonduktor amorf [16]. Cody [16] memperoleh transisi single-oscillator terjadi pada energi 4. ev dengan bantuan oscillator-strength sum rule. Harga energi tersebut mendekati harga maksimum kurva ε dari kristal (c-si) dan amorf (a-si). Beberapa peneliti [17,18] menghubungkan perbedaan posisi maksimum kurva ε karena kehadiran hidrogen dengan kerangka model Penn [19] yakni perbedaan kuat ikatan yang disebabkan perbedaan relaksasi dari strain yang terjadi pada jaringan amorf. Hidrogen terbukti efektif untuk memulihkan strain pada jaringan amorf []. Posisi maksimum kurva ε untuk lapisan tipis dominan a-si 1-x C x :H hasil target diperoleh sebesar 3.7 ev (x=.1) dan untuk hasil target sebesar 3.6 ev (x=.6). Harga ini hampir mendekati maksimum kurva a-si:h dari Weiser dkk [17] yang diperoleh sebesar 3.7 ev. Secara umum formulasi Forouhi dan Bloomer [1] yang digunakan pada penelitian ini sudah mengatasi kekurangan formulasi-formulasi lain dalam memperoleh konstanta optis di daerah absorpsi fundamental, tetapi masih terdapat beberapa asumsi dan kekurangan dari formulasi tersebut seperti dikemukakan dan diperbaiki oleh beberapa peneliti [1-3] yaitu: (i) formulasi ini kurang tepat diaplikasikan pada material a-si 1-x C x :H dengan konsentrasi karbon tinggi (x>.) atau material a-c:h karena asumsi bentuk pita energi yang parabola tidak mengakomodasi kehadiran keadaan π dari ikatan atom C=C. Modifikasi terhadap formulasi Forouhi dan Bloomer dengan bentuk pita energi non-parabola telah
6 64 MAKARA, SAINS, VOL. 6, NO., AGUSTUS dilakukan oleh McGahan dan Woollam[1] dan McGahan dkk. []. Formulasi Forouhi Bloomer menghasilkan k(e)> untuk E<E g karena tidak dibatasinya transisi intraband E<E g dan menghasilkan harga k(e) yang konstan untuk E, kedua hal ini telah diperbaiki dengan formulasi yang dikemukakan oleh Jellison dan Modine [3] yang juga telah memperhitungkan simetri time-reversal. Walaupun demikian formulasi Forouhi dan Bloomer [1] masih dapat diaplikasi pada penelitian ini karena lapisan tipis a-sic:h hasil deposisi kedua jenis target masih berada dalam kondisi dominan (x<.) sehingga asumsi kurva parabola masih dapat digunakan, selain itu k(e) yang dihitung masih berada dalam daerah absorpsi fundamental (E g E<< ). Hal yang harus diperhatikan dalam memperoleh konstanta optis dengan prosedur Forouhi dan Blommer adalah penentuan harga awal yang mengacu pada hasil eksperimen-hasil eksperimen lain. Hasil yang berhimpit antara formulasi Forouhi dan Bloomer dengan data-data eksperimen belum tentu menghasilkan parameter yang realistis [4]. Kesimpulan Formulasi k(e) dan n(e) yang diturunkan oleh Forouhi dan Bloomer dapat digunakan untuk memperlebar jangkauan energi konstanta optis k(e) dan n(e) hasil eksperimen refleksi dan transmisi dari lapisan tipis dominan a-sic:h hasil deposisi metode dc sputtering. Kedua konstanta optis yang diperoleh di daerah absorpsi fundamental telah memenuhi relasi Kramers-Kronig untuk kedua jenis target maupun dan memperlihatkan kehadiran maksimum kurva. Konsentrasi karbon berpengaruh terhadap karakteristik kurva konstanta optis lapisan tipis a-sic:h hasil dari kedua jenis target. Ucapan Terima Kasih Penelitian ini dapat terlaksana atas dukungan hibah tim penelitian proyek URGE Batch III dengan nomor kontrak /HTPP-III/URGE/1997 dan kerja sama bilateral International Bureau of BMBF (Germany) dengan Universitas Indonesia (Indonesia). Daftar Acuan [1] A.R. Forouhi, I. Bloomer, In: E.D. Palik (Ed.), Handbook of Optical Constants of Solids II, Academic Press, London, p. 11. [] J. Tauc, R. Grogorovinci, A. Vancu, Phys. Status Solidi 1 (1966) 67. [3] R.H. Klazes, M.H.L.M. van den Broek, J. Bezemer, S. Radelaar, Philos. Mag. B 4 (198) 377. [4] D.R. McKenzie, N. Savvides, R.C. McPhederan, L.C. Botten, R.P. Netterfield, J.Phys. C 16 (1983) [] N.F. Mott, E.A. Davis, Electronic Processes in Non-Crystalline Materials, nd ed., Claredon, Oxford, [6] J. Bauer, Phys. Status Solidi A 39 (1977) 411. [7] H. Ehrenreich, M. Cohen, Phys. Rev. 11 (199) 786. [8] G.K. Hubler, C.N. Waddell, W.G. Spitzer, J.E. Fredrickson, S. Prussin, R.G. Wilson, J. Appl. Phys. (1979). [9] H.W. Verleur, J. Opt. Soc. Am. 8 (168) 136. [1] A.R. Forouhi, I. Bloomer, Phys. Rev. B 34 (1986) 718. [11] A.R. Forouhi, I. Bloomer, Phys. Rev. B 38 (1988) 186. [1] H.M. Nussenzveig, Causality and Dispersion Relations, Academic, New York, 197. [13] Dewi Marianty, Lusitra Munisa, Rosari Saleh, Makara Seri Sains (1) 1. [14] Rosari Saleh, Lusitra Munisa, Dewi Marianty, Prosiding Simposium Fisika Nasional XVIII, () 338. [1] K. Mui, F.W. Smith, Phys. Rev. B 3 (1987) 88. [16] C.D. Cody, In: R.K. Willardson, A.C. Beer (Eds.), Semiconductor and Semimetal Vol. 1, Academic Press, London, 1989, p. 11. [17] G. Weiser, D. Ewald, M. Milleville, J. Non-Cryst. Solids 3-36 (198) 447. [18] D. Ewald, M. Milleville, G. Weiser, Phil. Mag. B 4 (1979) 91. [19] D. Penn, Phys. Rev. 18, (196) 93. [] L. Ley In: J.D Joannopoulos, G. Lucovsky (Eds.), The Physics of Hydrogenated Amorphous Silicon II, Springer-Verlag, Berlin, 1983, p. 61. [1] W.A. McGahan, J.A. Woollam, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 349 (1994) 43. [] W.A. McGahan, T. Mackovicka, J. Hale, J.A. Woollam, Thin Solid Films 3 (1994) 7. [3] G.E. Jellison Jr., F.A. Modine, Appl. Phys. Lett. 69 (1996) 371. [4] G.E. Jellison Jr., Thin Solid Films (1998) 33.
PENENTUAN KONSTANTA OPTIS DI DAERAH ABSORPSI FUNDAMENTAL MENGGUNAKAN FORMULASI FOROUHI DAN BLOOMER UNTUK LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h)
MAKARA, SAINS, VOL. 6, NO. 2, AGUSTUS 2002 PENENTUAN KONSTANTA OPTIS DI DAERAH ABSORPSI FUNDAMENTAL MENGGUNAKAN FORMULASI FOROUHI DAN BLOOMER UNTUK LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) Rosari Saleh
Lebih terperinciPENGARUH ANIL TERMAL TERHADAP BESARAN OPTIS LAPISAN TIPIS a-sic:h HASIL METODE DC SPUTTERING II. TARGET GRAFIT
PENGARUH ANIL TERMAL TERHADAP BESARAN OPTIS LAPISAN TIPIS a-sic:h HASIL METODE DC SPUTTERING II. TARGET GRAFIT Rosari Saleh 1, Lusitra Munisa 2 dan Dewi Marianty 1 1. Jurusan Fisika, Fakultas MIPA Universitas
Lebih terperinciSTUDI DISORDER LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING
MAKARA, SAINS, VOL. 6, NO. 2, AGUSTUS 2002 STUDI DISORDER LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING Lusitra Munisa 1 dan Rosari Saleh 2 1. Program Studi Ilmu Fisika,
Lebih terperinciPENGARUH ANIL TERMAL TERHADAP BESARAN OPTIS LAPISAN TIPIS a-sic:h HASIL METODE DC SPUTTERING I. TARGET SILIKON
PENGARUH ANIL TERMAL TERHADAP BESARAN OPTIS LAPISAN TIPIS a-sic:h HASIL METODE DC SPUTTERING I. TARGET SILIKON Rosari Saleh 1, Lusitra Munisa 2 dan Dewi Marianty 1 1. Jurusan Fisika, Fakultas MIPA Universitas
Lebih terperinciSTUDI KARAKTERISASI OPTIS LAPISAN TIPIS a-sic:h HASIL DEPOSISI METODE GLOWDISCHARGE
STUDI KARAKTERISASI OPTIS LAPISAN TIPIS a-sic:h HASIL DEPOSISI METODE GLOWDISCHARGE Rosari Saleh 1, Lusitra Munisa 2 dan Dewi Marianty 1 1. Jurusan Fisika, Fakultas MIPA Universitas Indonesia, Depok 16424,
Lebih terperinciPENGARUH PENINGKATAN FLOW RATE GAS METAN TERHADAP SIFAT OPTIS LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING
PENGARUH PENINGKATAN FLOW RATE GAS METAN TERHADAP SIFAT OPTIS LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING Lusitra Munisa 1 dan Rosari Saleh 2 1. Program Studi Ilmu
Lebih terperinciPengaruh Perlakuan Implantasi Hidrogen terhadap Sifat Struktur Lapisan Tipis Amorf Silikon Karbon (a-sic:h) Hasil Deposisi Metode DC Sputtering
Indonesian Journal of Physics Kontribusi Fisika Indonesia Vol. 14 No.2, April 2003 Pengaruh Perlakuan Implantasi Hidrogen terhadap Sifat Struktur Lapisan Tipis Amorf Silikon Karbon (a-sic:h) Hasil Deposisi
Lebih terperinciSTUDI SPEKTROSKOPI ELECTRON SPIN RESONANCE (ESR) LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING
STUDI SPEKTROSKOPI ELECTRON SPIN RESONANCE (ESR) LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING Rosari Saleh Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam,
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Material graphene merupakan material yang tersusun atas atom-atom karbon monolayer yang membentuk struktur heksagonal seperti sarang lebah dua dimensi. Graphene memiliki
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi energi listrik DC secara langsung. Sel surya telah diaplikasikan dalam berbagai bidang, salah
Lebih terperinciPengaruh Optis Kontak Belakang terhadap Parameter Optis Lapisan a-si:h
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 8, NOMOR 2 JUNI 2012 Pengaruh Optis Kontak Belakang terhadap Parameter Optis Lapisan a-si:h Ismail dan Eddy Yahya Jurusan Fisika-FMIPA, Institut Teknologi Sepuluh Nopember
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Graphene merupakan atom-atom karbon monolayer yang tersusun membentuk struktur kristal heksagonal sarang lebah dua dimensi. Pada sudutsudut zona Brillouin berbentuk
Lebih terperinciPEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS
PEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS Syuhada, Dwi Bayuwati, Sulaiman Pusat Penelitian Fisika-LIPI, Kawasan Puspiptek Serpong Tangerang 15314 e-mail: hadda212@yahoo.com
Lebih terperinciPENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL (µc Si:H) TIPE-P DENGAN METODE HOT WIRE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (HW-PECVD)
Bimafika, 2010, 2, 134-140 PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL (µc Si:H) TIPE-P DENGAN METODE HOT WIRE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (HW-PECVD) Marwah * FKIP Unversitas Darussalam
Lebih terperinciPembuatan Sel Surya Film Tipis dengan DC Magnetron Sputtering
Pembuatan Sel Surya Film Tipis dengan DC Magnetron Sputtering Desty Anggita Tunggadewi 1, Fitria Hidayanti 1 1 Program Studi Teknik Fisika, Fakultas Teknik dan Sains, Universitas Nasional dtunggadewi@yahoo.co.id,
Lebih terperinciKARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS a-si:h:b UNTUK BAHAN SEL SURYA
ISSN 40-695 KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS a-si:h:b UNTUK BAHAN SEL SURYA Bambang Siswanto, Wirjoadi, Tri Mardji Atmono, Yunanto Puslitbang Teknologi Maju Batan Yogayakarta Jl. Babarsari Kotak
Lebih terperinciPenumbuhan Lapisan Tipis µc-si:h Tipe-P dengan Metode HW-PECVD untuk Aplikasi Sel Surya
Penumbuhan Lapisan Tipis µc-si:h Tipe-P dengan Metode HW-PECVD untuk Aplikasi Sel Surya Jasruddin, Abdul Haris, dan Helmi Departemen Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Negeri
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini mengalami peralihan dari teknologi mikro (microtechnology) ke generasi yang lebih kecil yang dikenal
Lebih terperinciDistribusi Celah Pita Energi Titania Kotor
Jurnal Nanosains & Nanoteknologi ISSN 1979-0880 Edisi Khusus, Agustus 009 Distribusi Celah Pita Energi Titania Kotor Indah Nurmawarti, Mikrajuddin Abdullah (a), dan Khairurrijal Kelompok Keahlian Fisika
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini terlihat dari banyaknya komponen semikonduktor yang digunakan disetiap kegiatan manusia.
Lebih terperinciEfek Staebler-Wronski dan Pengaruh Waktu Anil pada Lapisan Instrinsik Silikon Amorf Terhidrogenasi (a-si:h)
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 13, NOMOR 2 JUNI 2017 Efek Staebler-Wronski dan Pengaruh Waktu Anil pada Lapisan Instrinsik Silikon Amorf Terhidrogenasi (a-si:h) Yoyok Cahyono, Fuad D. Muttaqin, Umi
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Graphene merupakan susunan atom-atom karbon monolayer dua dimensi yang membentuk struktur kristal heksagonal menyerupai sarang lebah. Graphene memiliki sifat
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia Tenggara. Sebagai negara berkembang, Indonesia melakukan swasembada diberbagai bidang, termasuk
Lebih terperinciBab 1 ZAT PADAT IKATAN ATOMIK DALAM KRISTAL
Bab 1 ZAT PADAT IKATAN ATOMIK DALAM KRISTAL Kekristalan Zat Padat Zat padat dapat dibedakan menjadi: Kristal yaitu bila atom atau molekul penyusun tersusun dalam bentuk pengulangan kontinu untuk rentang
Lebih terperinciStudi Optimasi Parameter Daya RF untuk Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Metode Hot Wire Cell PECVD
PROC. ITB Sains & Tek. Vol. 37 A, No. 1, 2005, 13-22 13 Studi Optimasi Parameter Daya RF untuk Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Metode Hot Wire Cell PECVD S. Amiruddin 1), I. Usman
Lebih terperinciBAB III TEORI PENUNJANG. Perambatan cahaya dalam suatu medium dengan 3 cara : Berikut adalah gambar perambatan cahaya dalam medium yang ditunjukkan
BAB III TEORI PENUNJANG Bab tiga berisi tentang tentang teori penunjang kerja praktek yang telah dikerjakan. 3.1. Propagasi cahaya dalam serat optik Perambatan cahaya dalam suatu medium dengan 3 cara :
Lebih terperinciTeknologi Plasma. dalam Industri Manufaktur Semikonduktor dan Divais Elektronik. (Bagian I) Prof. Dr. Ir. Setijo Bismo, DEA.
Teknologi Plasma dalam Industri Manufaktur Semikonduktor dan Divais Elektronik (Bagian I) Prof. Dr. Ir. Setijo Bismo, DEA. Departemen Teknik Kimia Fakultas Teknik Universitas Indonesia Monday, 12 October
Lebih terperinciStruktur Double Barrier Untuk Aplikasi Pada Divais Silikon Amorf
Kontribusi Fisika Indonesia Vol. No., Januari 00 Struktur Double Barrier Untuk Aplikasi Pada Divais Silikon Amorf Ida Hamidah dan Wilson W. Wenas Laboratorium Riset Semikonduktor, Jurusan Fisika ITB Jl.
Lebih terperinciI. PENDAHULUAN. Lapisan tipis adalah suatu lapisan yang sangat tipis terbuat dari bahan organik,
I. PENDAHULUAN A. Latar Belakang Lapisan tipis adalah suatu lapisan yang sangat tipis terbuat dari bahan organik, inorganik, logam maupun campuran metal organik dan memiliki sifat-sifat konduktor, semikonduktor
Lebih terperinciUNIVERSITAS NEGERI YOGYAKARTA F A K U L T A S M I P A
Fakultas : MIPA Program Studi : Fisika Pendidikan Fisika Mata Kuliah/Kode : Fisika Zat Padat Lanjut Jumlah SKS : Teori= 3; Praktek=0 Semester : Mata Kuliah Prasyarat/kode : Dosen : Edi Istiyono, M.Si.
Lebih terperinciPENGARUH KONSENTRASI BORON TERHADAP SIFAT LISTRIK LAPISAN TIPIS (a-si:h:b)
ISSN 1410-6951 PENGARUH KONSENTRASI BORON TERHADAP SIFAT LISTRIK LAPISAN TIPIS (a-si:h:b) Bambang Siswanto, Wirjoadi, Sudjatmoko Puslitbang Teknologi Maju Batan Yogyakarta Jl. Babarsari Kotak Pos 6101
Lebih terperinciPENGARUH PERLAKUAN ANIL P ADA KONST ANT A ABSORPSI OrTIS DAN KONFIGURASI IKA T AN LOKAL LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON I
Pros;dinfl Pertemuan /lm;ah Sa;ns Mater; /997 /SSN/410-28~7 PENGARUH PERLAKUAN ANIL P ADA KONST ANT A ABSORPSI OrTIS DAN KONFIGURASI IKA T AN LOKAL LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON I ABSTRAK M. Jahja2.Lusitra
Lebih terperinciSTUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI
Studi Pengaruh Suhu Substrat. (Rully Fakhry Muhammad) 303 STUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI STUDY
Lebih terperinciBAB II DASAR TEORI. FeO. CO Fe CO 2. Fe 3 O 4. Fe 2 O 3. Gambar 2.1. Skema arah pergerakan gas CO dan reduksi
BAB II DASAR TEORI Pengujian reduksi langsung ini didasari oleh beberapa teori yang mendukungnya. Berikut ini adalah dasar-dasar teori mengenai reduksi langsung yang mendasari penelitian ini. 2.1. ADSORPSI
Lebih terperinciGARIS BESAR PROGRAM PEMBELAJARAN (GBPP) UNIVERSITAS DIPONEGORO
GARIS BESAR PROGRAM PEMBELAJARAN (GBPP) UNIVERSITAS DIPONEGORO SPMI- UNDIP GBPP 10.09.04 PAF 219 Revisi ke - Tanggal 13 September 2013 Dikaji Ulang Oleh Ketua Program Studi Fisika Dikendalikan Oleh GPM
Lebih terperinciFONON I : GETARAN KRISTAL
MAKALAH FONON I : GETARAN KRISTAL Diajukan untuk Memenuhi Tugas Mata Kuliah Pendahuluan Fisika Zat Padat Disusun Oleh: Nisa Isma Khaerani ( 3215096525 ) Dio Sudiarto ( 3215096529 ) Arif Setiyanto ( 3215096537
Lebih terperinciSuperkonduktor Eu 2-x Ce x CuO 4+α-δ
Superkonduktor Eu 2-x Ce x CuO 4+α-δ Pengaruh Konsentrasi Doping Ce (X) Terhadap Sifat Listik Material Superkonduktor Eu 2-x Ce x CuO 4+α-δ under-doped M. Saputri, M. F. Sobari, A. I. Hanifah, W.A. Somantri,
Lebih terperinciBENDA WUJUD, SIFAT DAN KEGUNAANNYA
BENDA WUJUD, SIFAT DAN KEGUNAANNYA Benda = Materi = bahan Wujud benda : 1) Padat 2) Cair 3) Gas Benda Padat 1. Mekanis kuat (tegar), sukar berubah bentuk, keras 2. Titik leleh tinggi 3. Sebagian konduktor
Lebih terperinciOleh: Tyas Puspitaningrum, Tjipto Sujitno, dan Ariswan
Penentuan Band Gap... (Tyas Puspitaningrum) 166 PENENTUAN BAND GAP DAN KONDUKTIVITAS BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS Sn(S 0,8 Te 0,2 ) DAN Sn(S 0,6 Te 0,4 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI TERMAL
Lebih terperinciMengenal Sifat Material. Teori Pita Energi
Mengenal Sifat Material Teori Pita Energi Ulas Ulang Kuantisasi Energi Planck : energi photon (partikel) bilangan bulat frekuensi gelombang cahaya h = 6,63 10-34 joule-sec De Broglie : Elektron sbg gelombang
Lebih terperinciSIFAT-SIFAT OPTIK DAN LISTRIK BAHAN SEMIKONDUKTOR SnS LAPISAN TIPIS HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA ABSTRAK
SIFAT-SIFAT OPTIK DAN LISTRIK BAHAN SEMIKONDUKTOR SnS LAPISAN TIPIS HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA Ganesha Antarnusa. 1, Tjipto Sujitno 2, Ariswan 3 1 Mahasiswa
Lebih terperinciPEMBUATAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI (a-si:h) UNTUK BAHAN SEL SURYA
GANENDRA, Vol.VI, N0.1 ISSN 1410-6957 PEMBUATAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI (a-si:h) UNTUK BAHAN SEL SURYA Wirjoadi, Sudjatmoko, Yunanto, Bambang Siswanto, Sri Sulamdari Puslibang Teknologi
Lebih terperinciMAKALAH PITA ENERGI. Di susun oleh, Pradita Ajeng Wiguna ( ) Rombel 1. Untuk Memenuhi Tugas Mata Kuliah Fisika dan Teknologi Semikonduktor
MAKALAH PITA ENERGI Untuk Memenuhi Tugas Mata Kuliah Fisika dan Teknologi Semikonduktor Di susun oleh, Pradita Ajeng Wiguna (4211412011) Rombel 1 JURUSAN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN
Lebih terperinciE 2 E 1. E 3s r 2 r 1. energi. Jarak antar atom
Teori Pita Zat Padat Atom Na : Nomor atomnya 11, punya 1 elektron valensi, menempati kulit 3s (energinya E 3s ) Saat 2 atom Na didekatkan (Na A dan Na B), elektron valensi A akan berinteraksi dengan elektron
Lebih terperinciPENGARUH KONSENTRASI PREKURSOR TERHADAP SIFAT OPTOELEKTRONIK Mn 3O 4
PENGARUH KONSENTRASI PREKURSOR TERHADAP SIFAT OPTOELEKTRONIK Mn 3O 4 Amiruddin Zainuddin *), Subaer, Abdul Haris Pusat Penelitian Geopolimer - Lab. Fisika Material Jurusan Fisika, FMIPA Universitas Negeri
Lebih terperinciKarakterisasi XRD. Pengukuran
11 Karakterisasi XRD Pengukuran XRD menggunakan alat XRD7000, kemudian dihubungkan dengan program dikomputer. Puncakpuncak yang didapatkan dari data pengukuran ini kemudian dicocokkan dengan standar difraksi
Lebih terperinciSTurn SIFAT VIBRASI LOKAL SEMIKONDUKTOR AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h)1
Prosidin Pertemuan l/miah Sains Materi /SSN /4/0-2897 STurn SIFAT VIBRASI LOKAL SEMIKONDUKTOR AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h)1 % Efta Yudiarsah2 dad Rosari Saleh2,3 ABSTRAK STUDI SIFAT VI BRAS I LOKAL SEMIKONDUKTOR
Lebih terperinciPERANAN FASE AMORF Si 3 N 4 PADA NANOKOMPOSIT nc-tin/a-si 3 N 4 DALAM MENINGKATKAN KEKERASAN DAN STABILITAS TERMAL
MAKARA, TEKNOLOGI, VOL. 6, NO. 2, AGUSTUS 22 PERANAN FASE AMORF Si 3 N 4 PADA NANOKOMPOSIT nc-tin/a-si 3 N 4 DALAM MENINGKATKAN KEKERASAN DAN STABILITAS TERMAL Keba Moto Jurusan Fisika FMIPA Universitas
Lebih terperinciYang akan dibahas: 1. Kristal dan Ikatan pada zat Padat 2. Teori Pita Zat Padat
ZAT PADAT Yang akan dibahas: 1. Kristal dan Ikatan pada zat Padat 2. Teori Pita Zat Padat ZAT PADAT Sifat sifat zat padat bergantung pada: Jenis atom penyusunnya Struktur materialnya Berdasarkan struktur
Lebih terperinciAnalisis Sifat Optik Lapisan Tipis ZnO di atas Substrat SiO 2 dan Si dengan Menggunakan Spektroskopi Elipsometri
Analisis Sifat Optik Lapisan Tipis ZnO di atas Substrat SiO dan Si dengan Menggunakan Spektroskopi Elipsometri Muhammad Abiyyu Kenichi Purbayanto 1,a), esti Rahmah 1), Eka Nurfani 1), Yudi Darma 1,b) 1
Lebih terperinciGARIS BESAR PROGRAM PEMBELAJARAN (GBPP)
Fisika Zat Padat Pendahuluan halaman 1 dari 9 GARIS BESAR PROGRAM PEMBELAJARAN (GBPP) MATA KULIAH : FISIKA ZAT PADAT PENDAHULUAN KODE/BOBOT : PAF 225 / 2 SKS DESKRIPSI SINGKAT : Dalam pembelajaran iniakan
Lebih terperinciEfek doping Al pada sifat optik dan listrik lapisan tipis ZnO hasil deposisi dengan DC sputtering
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 1, NOMER 1 JANUARI 2005 Efek doping Al pada sifat optik dan listrik lapisan tipis ZnO hasil deposisi dengan DC sputtering SriYaniPurwaningsih, 1 Karyono, 2 dansudjatmoko
Lebih terperinciPENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK EVAPORASI HAMPA
Alvan Umara 1, Tjipto Sujitno 2, Ariswan 3 1 Mahasiswa Program Studi Fisika FMIPA UNY 2, Peneliti PSTA-BATAN Yogyakarta 3, Dosen Program Studi Fisika FMIPA UNY e-mail : umaraalvan@gmail.com ABSTRAK DAN
Lebih terperinciPENGARUH KONSENTRASI DOPING CE TERHADAP SIFAT LISTIK MATERIAL EU 2-X CE X CUO 4+Α-Δ PADA DAERAH UNDER-DOPED
Jurnal Material dan Energi Indonesia Vol. 06, No. 02 (2016) 30 36 Departemen Fisika FMIPA Universitas Padjadjaran PENGARUH KONSENTRASI DOPING CE TERHADAP SIFAT LISTIK MATERIAL EU 2-X CE X CUO 4+Α-Δ PADA
Lebih terperinciAnalisis Sifat-sifat Optoelektronik Lapisan Tipis Silikon Amorf terhidrogenasi yang ditumbuhkan dengan Teknik VHF-PECVD pada Variasi Daya RF
Jurnal Matematika dan Sains Vol. 1 No. 2, Juni 25, hal 63-68 Abstrak Analisis Sifat-sifat Optoelektronik Lapisan Tipis Silikon Amorf terhidrogenasi yang ditumbuhkan dengan Teknik VHF-PECVD pada Variasi
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC)
39 HASIL DAN PEMBAHASAN Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC) Hasil karakterisasi dengan Difraksi Sinar-X (XRD) dilakukan untuk mengetahui jenis material yang dihasilkan disamping menentukan
Lebih terperinciFABRIKASI THIN FILM QUARTERNAIR CuGaSeTe DAN CuGa 0.5 In 0.5 Te 2 DENGAN EVAPORASI FLASH
MAKARA, TEKNOLOGI, VOL. 8, NO. 1, APRIL 2004: 9-16 9 FABRIKASI THIN FILM QUARTERNAIR CuGaSeTe DAN CuGa 0.5 In 0.5 Te 2 DENGAN EVAPORASI FLASH A. Harsono Soepardjo Departemen Fisika, FMIPA, Universitas
Lebih terperinciGambar 2.1 Kesetimbangan energi dari interaksi cahaya yang masuk dengan sampel [13]
6 BAB 2 TINJAUAN PUSTAKA 2.1 Reflektansi Cahaya Spektroskopi reflektansi adalah studi tentang cahaya yang terpantul atau terhambur dari padat, cair atau gas sebagai fungsi panjang gelombang. Jika suatu
Lebih terperinciKARAKTERISASI GaAs DENGAN PHOTOLUMINESCENCE LASER ARGON
KARAKTERISASI GaAs DENGAN PHOTOLUMINESCENCE LASER ARGON Surantoro Pendidikan Fisika PMIPA FKIP Universitas Sebelas Maret Surakarta. Jl. Ir. Sutami 36 A Kampus Kentingan Surakarta. ABSTRAK Penelitian tentang
Lebih terperinciGravitasi Vol. 15 No. 1 ISSN:
STUDI PENGARUH KONSENTRASI LARUTAN DAUN PEPAYA TERHADAP SIFAT OPTIK DAN LISTRIK SEBAGAI BAHAN PEMBUATAN LAPISAN TIPIS Ummu kalsum 1, Iqbal 2 dan Dedy Farhamsa 2 1 Jurusan Fisika Fakultas MIPA, Universitas
Lebih terperinciPENENTUAN RUMUS ION KOMPLEKS BESI DENGAN ASAM SALISILAT
PENENTUAN RUMUS ION KOMPLEKS BESI DENGAN ASAM SALISILAT Desi Eka Martuti, Suci Amalsari, Siti Nurul Handini., Nurul Aini Jurusan Kimia, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Jenderal
Lebih terperinciPENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR
PENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR Penumbuhan film tipis semikonduktor di atas substrat dapat dilakukan secara epitaksi. Dalam bahasa yunani epi berarti di atas dan taksial berarti menyusun dengan kata
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Nanoteknologi adalah ilmu yang mempelajari, menciptakan dan merekayasa material berskala nanometer dimana terjadi sifat baru. Kata nanoteknologi berasal dari
Lebih terperinciHomogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-si:h tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 8, NOMOR JANUARI 202 Homogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-si:h tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD
Lebih terperinciPengaruh Temperatur dan Waktu Putar Terhadap Sifat Optik Lapisan Tipis ZnO yang Dibuat dengan Metode Sol-Gel Spin Coating
ISSN 2302-8491 Jurnal Fisika Unand Vol. 6, No. 2, April 2017 Pengaruh Temperatur dan Waktu Putar Terhadap Sifat Optik Lapisan Tipis ZnO yang Dibuat dengan Metode Sol-Gel Spin Coating Fitriani *, Sri Handani
Lebih terperinciMODUL 1 KULIAH SEMIKONDUKTOR
MODUL 1 KULIAH SMIKONDUKTOR I.1. LOGAM, ISOLATOR dan SMIKONDUKTOR. Suatu bahan zat padat apabila dikaitkan dengan kemampuannya dalam menghantarkan arus listrik, maka bahan zat padat dibedakan menjadi tiga
Lebih terperinciKARAKTERISASI MIKROSTRUKTUR FEROELEKTRIK MATERIAL SrTiO 3 DENGAN MENGGUNAKAN SCANNING ELECTRON MICROSCOPY (SEM)
KARAKTERISASI MIKROSTRUKTUR FEROELEKTRIK MATERIAL SrTiO 3 DENGAN MENGGUNAKAN SCANNING ELECTRON MICROSCOPY (SEM) Kaspul Anuwar 1, Rahmi Dewi 2, Krisman 2 1 Mahasiswa Program S1 Fisika FMIPA-Universitas
Lebih terperinciPreparasi Dan Penentuan Energi Gap Film Tipis TiO2:Cu Yang Ditumbuhkan Menggunakan Spin Coating
Preparasi Dan Penentuan Energi Gap Film Tipis TiO2:Cu Yang Ditumbuhkan Menggunakan Spin Coating Vita Efelina Universitas Singaperbangsa Karawang Email : vita.efelina@mail.ugm.ac.id Received February 1,
Lebih terperinciBAB I 1 PENDAHULUAN. kemampuan mengubah bentuk radiasi cahaya menjadi sinyal listrik. Radiasi yang
BAB I 1 PENDAHULUAN 1.1 LATAR BELAKANG MASALAH Fotodiode merupakan sebuah peranti semikonduktor yang memiliki kemampuan mengubah bentuk radiasi cahaya menjadi sinyal listrik. Radiasi yang dapat diterima
Lebih terperinciOptimasi Tekanan Deposisi dalam Simulasi Efisiensi Sel Surya Berbasis Material a-si:h
Jurnal Gradien Vol. 8 No. 1 Januari 2012 : 716-721 Optimasi Tekanan Deposisi dalam Simulasi Efisiensi Sel Surya Berbasis Material a-si:h Endhah Purwandari1*, Toto Winata2 1) Jurusan Fisika FMIPA Universitas
Lebih terperinci2016 PEMODELAN ARUS TEROBOSAN PADA TRANSISTOR DWIKUTUB N-P-N ARMCHAIR GRAPHENE NANORIBBON (AGNR) MENGGUNAKAN METODE MATRIKS TRANSFER
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Alat-alat elektronik sudah menjadi pelengkap kehidupan manusia. Di dalamnya terdapat berbagai macam divais elektronik yang tersusun sehingga memiliki fungsinya tersendiri.
Lebih terperinciTUGAS MATA KULIAH ILMU MATERIAL UMUM THERMAL PROPERTIES
TUGAS MATA KULIAH ILMU MATERIAL UMUM THERMAL PROPERTIES Nama Kelompok: 1. Diah Ayu Suci Kinasih (24040115130099) 2. Alfiyan Hernowo (24040115140114) Mata Kuliah Dosen Pengampu : Ilmu Material Umum : Dr.
Lebih terperinciRekayasa Bahan untuk Meningkatkan Daya Serap Terhadap Gelombang Elektromagnetik dengan Matode Deposisi Menggunakan Lucutan Korona
Rekayasa Bahan untuk Meningkatkan Daya Serap Terhadap Gelombang Elektromagnetik dengan Matode Deposisi Menggunakan Lucutan Korona Vincensius Gunawan.S.K Laboratorium Fisika Zat Padat, Jurusan Fisika, Universitas
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. SiO 2 memiliki sifat isolator yang baik dengan energi gapnya mencapai 9 ev,
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Graphene adalah material yang tersusun atas atom karbon dengan susunan kisi hexagonal dengan ketebalan satu atom. Graphene yang disusun dalam bentuk 3 dimensi, dimana
Lebih terperinciSINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION
SINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION Yolanda Oktaviani, Astuti Jurusan Fisika FMIPA Universitas Andalas e-mail: vianyolanda@yahoo.co.id
Lebih terperinciPENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL TERHIDROGENASI DENGAN TEKNIK HWC-VHF-PECVD
Reaktor, Vol. 13 No. 1, Juni 2010, Hal. 31-36 PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL TERHIDROGENASI DENGAN TEKNIK HWC-VHF-PECVD Ida Usman 1*), Darwin Ismail 1), Heri Sutanto 2) dan Toto Winata 3)
Lebih terperinci1. Semikonduktor dikelompokkan menjadi dua kelompok besar, yaitu semikonduktor murni
Rangkuman. 1. Semikonduktor dikelompokkan menjadi dua kelompok besar, yaitu semikonduktor murni (semikonduktor intrnsik) dan semikonduktor tak murni (semikonduktor ekstrinsik).. Semikoduktor intrinsik
Lebih terperinciSpektrofotometer UV /VIS
Spektrofotometer UV /VIS Spektrofotometer adalah alat untuk mengukur transmitan atau absorban suatu sampel sebagai fungsi panjang gelombang. Spektrofotometer merupakan gabungan dari alat optic dan elektronika
Lebih terperinci4 Hasil dan Pembahasan
4 Hasil dan Pembahasan 4.1 Sintesis Padatan TiO 2 Amorf Proses sintesis padatan TiO 2 amorf ini dimulai dengan melarutkan titanium isopropoksida (TTIP) ke dalam pelarut etanol. Pelarut etanol yang digunakan
Lebih terperinciOptimasi Parameter Tekanan Deposisi untuk Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Metode HWC PECVD
Optimasi Parameter Tekanan Deposisi untuk Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Metode HWC PECVD Amiruddin Supu 1), I Wayan Sukarjita 1), Fakhruddin 1), Suryani Arsyad Fitri 2), Toto Winata
Lebih terperinciBAB 1 PENDAHULUAN Latar Belakang
BAB 1 PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Memasuki abad 21, persediaan minyak dan gas bumi semakin menipis. Sementara kebutuhan akan energi semakin meningkat, terutama dirasakan pada negara industri. Kebuthan
Lebih terperinciAnalisis Numerik Resonansi Tunneling Pada Sruktur Lapis Tiga GaAs / Al x Ga 1-x As Menggunakan Algoritma Numerov.
Analisis Numerik Resonansi Tunneling Pada Sruktur Lapis Tiga GaAs / Al x Ga 1-x As Menggunakan Algoritma Numerov. Yonathan Sapan, Paulus Lobo Gareso, Eko Juarlin Program studi Fisika Jurusan Fisika FMIPA-UNHAS
Lebih terperinciDAFTAR SIMBOL. : permeabilitas magnetik. : suseptibilitas magnetik. : kecepatan cahaya dalam ruang hampa (m/s) : kecepatan cahaya dalam medium (m/s)
DAFTAR SIMBOL n κ α R μ m χ m c v F L q E B v F Ω ħ ω p K s k f α, β s-s V χ (0) : indeks bias : koefisien ekstinsi : koefisien absorpsi : reflektivitas : permeabilitas magnetik : suseptibilitas magnetik
Lebih terperinciLAPORAN EKSPERIMEN FISIKA 2 FOTOKONDUKTIVITAS. Zudah Sima atul Kubro G DEPARTEMEN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
LAPORAN EKSPERIMEN FISIKA 2 FOTOKONDUKTIVITAS Rekan Kerja : 1. Aah Nuraisah 2. Mutiara Khairunnisa 3. Dedeh Nurhayati Zudah Sima atul Kubro G74120023 Asisten : Pramudya Wardhani (G74110008) Dadi Irawan
Lebih terperinciLaju Deposisi dan Celah Pita Energi Optik Lapisan Tipis a-si:h yang Ditumbuhkan dengan Teknik HWC-VHF-PECVD
Laju Deposisi dan Celah Pita Energi Optik Lapisan Tipis Andhy Setiawan 1), Hastiti Murti 1), Hasniah Aliah 2), Toto Winata 3) Program Studi Fisika FPMIPA Universitas Pendidkan Indonesia (UPI), Jurusan
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang Masalah
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Intan adalah salah satu jenis perhiasan yang harganya relatif mahal. Intan merupakan kristal yang tersusun atas unsur karbon (C). Intan berdasarkan proses pembentukannya
Lebih terperinciStruktur dan konfigurasi sel Fotovoltaik
9 Gambar 17. Struktur dan konfigurasi sel Fotovoltaik BST yang sudah mengalami proses annealing dipasang kontak di atas permukaan substrat silikon dan di atas film tipis BST. Pembuatan kontak ini dilakukan
Lebih terperinciPENGARUH OPTIMASI CELAH PITA ENERGI DAN KETEBALAN LAPISAN TIPE-i PADA EFISIENSI SEL SURYA SILIKON AMORF SAMBUNGAN p-i-n
TESIS SF142502 PENGARUH OPTIMASI CELAH PITA ENERGI DAN KETEBALAN LAPISAN TIPE-i PADA EFISIENSI SEL SURYA SILIKON AMORF SAMBUNGAN p-i-n IGNATIO BENIGNO 1115 201 008 DOSEN PEMBIMBING Prof. Dr. Darminto,
Lebih terperinciFENOMENA ELEKTROKINETIK DALAM SEISMOELEKTRIK DAN PENGOLAHAN DATANYA DENGAN MENGGUNAKAN METODE PENGURANGAN BLOK. Tugas Akhir
FENOMENA ELEKTROKINETIK DALAM SEISMOELEKTRIK DAN PENGOLAHAN DATANYA DENGAN MENGGUNAKAN METODE PENGURANGAN BLOK Tugas Akhir Diajukan sebagai salah satu syarat untuk memperoleh gelar Sarjana Sains di Program
Lebih terperinciSemikonduktor. Sifat. (ohm.m) Tembaga 1,7 x 10-8 Konduktor Silikon pd 300 o K 2,3 x 10 3 Semikonduktor Gelas 7,0 x 10 6 Isolator
Semikonduktor Definisi I: Bahan yang memiliki nilai hambatan jenis (ρ) antara konduktor dan isolator yakni sebesar 10 6 s.d. 10 4 ohm.m Perbandingan hambatan jenis konduktor, semikonduktor, dan isolator:
Lebih terperinciBab 1 Bahan Semikonduktor. By : M. Ramdhani
Bab 1 Bahan Semikonduktor By : M. Ramdhani Tujuan instruksional : Mengerti sifat dasar sebuah bahan Memahami konsep arus pada bahan semikonduktor Memahami konsep bahan semikonduktor sebagai bahan pembentuk
Lebih terperinciPerhitungan Struktur Elektronik Graphene dan Carbon Nanotube
Bab 3 Perhitungan Struktur Elektronik Graphene dan Carbon Nanotube 31 Metode Penentuan Hubungan Dispersi Perangkat matriks Hamiltonian dan fungsi basis yang diberikan sebelumnya kini akan dimanfaatkan
Lebih terperinciKARAKTERISASI TiO 2 (CuO) YANG DIBUAT DENGAN METODA KEADAAN PADAT (SOLID STATE REACTION) SEBAGAI SENSOR CO 2
KARAKTERISASI TiO 2 (CuO) YANG DIBUAT DENGAN METODA KEADAAN PADAT (SOLID STATE REACTION) SEBAGAI SENSOR CO 2 Hendri, Elvaswer Jurusan Fisika FMIPA Universitas Andalas Kampus Unand, Limau Manis, Padang,
Lebih terperinci2 SINTESIS DAN KARAKTERISASI NANOSTRUKTUR ZnO
2 SINTESIS DAN KARAKTERISASI NANOSTRUKTUR ZnO 3 Pendahuluan ZnO merupakan bahan semikonduktor tipe-n yang memiliki lebar pita energi 3,37 ev pada suhu ruang dan 3,34 ev pada temperatur rendah dengan nilai
Lebih terperinciPENGARUH DOPING INDIUM TERHADAP SENSITIVITAS SENSOR GAS DARI LAPISAN TIPIS SnO 2
Suharni, dkk. ISSN 0216-3128 33 PENGARUH DOPING INDIUM TERHADAP SENSITIVITAS SENSOR GAS DARI LAPISAN TIPIS SnO 2 Suharni dan Sayono Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan-BATAN ABSTRAK PENGARUH DOPING
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Fenomena optik dapat mendeskripsikan sifat medium dalam interaksinya dengan gelombang elekromagnetik. Hal tersebut ditentukan oleh beberapa parameter optik, yaitu indeks
Lebih terperinciUji Kekerasan Material dengan Metode Rockwell
Uji Kekerasan Material dengan Metode Rockwell 1 Ika Wahyuni, 2 Ahmad Barkati Rojul, 3 Erlin Nasocha, 4 Nindia Fauzia Rosyi, 5 Nurul Khusnia, 6 Oktaviana Retna Ningsih Jurusan Fisika, Fakultas Sains dan
Lebih terperinciKARAKTERISTIK ARUS DAN TEGANGAN SEL SURYA
LAPORAN PRAKTIKUM FISIKA EKSPERIMEN II KARAKTERISTIK ARUS DAN TEGANGAN SEL SURYA Oleh : 1. Riyanto H1C004006 2. M. Teguh Sutrisno H1C004007 3. Indri Kurniasih H1C004003 4. Gita Anggit H1C004014 Tanggal
Lebih terperinciBAB 3 IKATAN KRISTAL. 3.1 Macam-Macam Ikatan Kristal
BAB 3 IKATAN KRISTAL Zat padat berdasarkan susunan atomnya dapat diklasifikasikan atas kristal dan amorf. Sebuah kristal mempunyai susunan atom yang teratur sehingga dapat berbentuk kubus, tetragonal atau
Lebih terperinciPengaruh Ketebalan Lapisan Aktif terhadap Karakteristik Sel Surya Berbasis a-si:h yang Ditumbuhkan dengan Teknik HWC-VHF-PECVD
Pengaruh Ketebalan Lapisan Aktif terhadap Karakteristik Sel Surya Berbasis a-si:h yang Ditumbuhkan dengan Teknik HWC-VHF-PECVD Ida Usman 1) dan Toto Winata 2) 1) Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan
Lebih terperinci