Analisis Sifat-sifat Optoelektronik Lapisan Tipis Silikon Amorf terhidrogenasi yang ditumbuhkan dengan Teknik VHF-PECVD pada Variasi Daya RF
|
|
- Suryadi Santoso
- 6 tahun lalu
- Tontonan:
Transkripsi
1 Jurnal Matematika dan Sains Vol. 1 No. 2, Juni 25, hal Abstrak Analisis Sifat-sifat Optoelektronik Lapisan Tipis Silikon Amorf terhidrogenasi yang ditumbuhkan dengan Teknik VHF-PECVD pada Variasi Daya RF I. Usman 1), S. Amiruddin 2), Mursal 3), Sukirno 4), T. Winata 4), dan M. Barmawi 4) Laboratorium Fisika Material Elektronik, Departemen Fisika-ITB 1) Jurusan Fisika FMIPA, Universitas Haluoleo 2) Jurusan Fisika FMIPA, Universitas Nusa Cendana 3) Jurusan Fisika FMIPA, Universitas Syah Kuala 4) Departemen Fisika, Institut Teknologi Bandung idausman@sains.fisika.net Diterima Januari 25, disetujui untuk dipublikasi Pebruari 25 Telah dideposisi lapisan tipis silikon amorf terhidrogenasi (a-si:h) dengan menggunakan teknik VHF-PECVD. Proses deposisi dilakukan dengan variasi daya rf 6 sampai 12,5 watt pada tekanan ruang deposisi 3 mtorr serta variasi daya rf 2 sampai 7 watt pada tekanan ruang deposisi 1 mtorr. Laju deposisi dan fotokonduktivitas tertinggi, masing-masing 2,99 Å/det dan 1,13 x 1-4 S/cm, diperoleh pada daya rf 8 watt saat daya rf divariasi dari 6 sampai 12,5 watt. Laju deposisi tertinggi, 9,57 Å/det, dan fotokonduktivitas tertinggi, 1,54 x 1-2 S/cm, masingmasing diperoleh pada daya rf 4 dan 2 watt saat daya rf divariasi dari 2 sampai 7 watt. Berdasarkan analisis yang dilakukan pada hasil-hasil karakterisasi, penurunan konduktivitas lapisan a-si:h diakibatkan oleh terbentuknya keadaan-keadaan cacat dalam lapisan seperti cacat ekor pita dan cacat celah pita. Kata kunci: VHF-PECVD, laju deposisi, konduktivitas, keadaan cacat Abstract The hydrogenated amorphous silicon (a-si:h) thin films have been deposited using VHF-PECVD technique. The deposition process was done by varied the rf power from 6 to 12.5 watts with 3 mtorr of chamber pressure and from 2 to 7 watts with 1 mtorr of chamber pressure. The highest deposition rate of 2.99 Å/sec and the highest photoconductivity of 1.13 x 1-4 S/cm were obtained from 8 watts of rf power when the rf power was varied from 6 to 12.5 watts. Then, the highest deposition rate of 9.57 Å/sec was obtained from 4 watts of rf power and the highest photoconductivity of 1.54 x 1-2 S/cm was obtained from 2 watts of rf power when the rf power was varied from 2 to 7 watts. Based on the analysis of characterization results, the degradation of a-si:h film conductivity was caused by the formation of defect states such as band-tail defect and bandgap defect. Key words: VHF-PECVD, deposition rate, conductivity, defect states 1. Pendahuluan Teknik Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition (PECVD) yang memanfaatkan frekuensi radio (radio frequency, rf) telah menjadi teknik yang popular digunakan untuk menumbuhkan lapisan tipis a-si:h. Teknik ini memiliki beberapa keunggulan dibanding teknik CVD termal maupun Cathode Sputtering seperti lapisan yang dihasilkan lebih uniform dan temperatur deposisi (penumbuhan) yang lebih rendah (temperatur deposisi PECVD sekitar 15-3 o C sedangkan temperatur deposisi CVD termal dan Cathode Sputtering >5 o C). Namun demikian, lapisan a-si:h yang diperoleh pada temperatur yang rendah melalui teknik PECVD konvensional dengan rf MHz masih memiliki laju deposisi yang rendah, konduktivitas yang rendah, serta kandungan hidrogen yang cukup tinggi 1,2). Sifatsifat lapisan a-si:h seperti ini masih merupakan masalah dalam pengembangan divais sel surya yang memiliki unjuk kerja yang baik dan stabilitas yang tinggi. Dalam teknik PECVD, masalah tersebut pada dasarnya dapat ditanggulangi dengan meningkatkan daya discharge, temperatur deposisi, dan laju aliran gas pada saat proses deposisi 3,4). Akan tetapi, cara ini dinilai masih termasuk teknik energi tinggi, yang bertentangan dengan upaya penekanan biaya produksi. Oleh karena itu, pengembangan teknik PECVD kemudian dilakukan dengan meningkatkan frekuensi eksitasi plasma pada rf yang sangat tinggi. Diketahui bahwa frekuensi eksitasi mempengaruhi frekuensi tumbukan elektron saat proses disosiasi gas menjadi radikal-radikal sederhana yang lebih reaktif. Berdasarkan hasil penelitian diperoleh informasi bahwa laju deposisi lapisan tipis a-si:h meningkat seiring dengan peningkatan frekuensi eksitasi plasma dan laju deposisi maksimum diperoleh pada rf 7 MHz. Teknik PECVD dengan rf 7 MHz selanjutnya dikenal sebagai teknik Very High Frequency PECVD (VHF-PECVD) 5,6). Beberapa peneliti melaporkan bahwa lapisan tipis a-si:h yang diperoleh melalui teknik VHF-PECVD memiliki laju deposisi yang relatif lebih tinggi dan kandungan hidrogen yang lebih rendah dibandingkan dengan teknik PECVD konvensional 6,7). Bahkan teknik VHF-PECVD telah 63
2 64 JMS Vol. 1 No. 2, Juni 25 lazim digunakan untuk menumbuhkan lapisan tipis silikon mikrokristal terhidrogenasi 7-1). Hingga saat ini, teknik VHF-PECVD masih menarik perhatian banyak peneliti. Pada dasarnya, mekanisme reaksi yang terjadi dalam plasma dengan teknik VHF-PECVD belum diketahui secara pasti. Secara teori, peningkatan frekuensi menyebabkan penurunan medan listrik rf akibat meluasnya proses reaksi yang bersamaan dengan peningkatan kerapatan elektron dan jumlah konsumsi daya oleh elektron. Pada saat yang sama, meningkatnya kerapatan elektron mengakibatkan peningkatan elektron yang mempengaruhi proses disosiasi gas 11). Berbagai penelitian telah dilakukan untuk menguji kebenaran teori tersebut. Secara eksperimental, hal ini tentu berkaitan erat dengan parameter deposisi yang digunakan terutama daya rf, dimana diketahui bahwa daya rf berperan penting dalam proses penguraian molekul-molekul gas menjadi radikal-radikal sederhana yang lebih reaktif. Dalam penelitian ini akan dianalisa pengaruh daya rf terhadap sifat-sifat optoelektronik lapisan tipis a-si:h yang ditumbuhkan dengan teknik VHF-PECVD. 2. Eksperimen Lapisan tipis a-si:h ditumbuhkan di atas substrat gelas Corning 759 dalam sistem reaktor VHF-PECVD yang menggunakan pembangkit daya pada frekuensi radio (rf) 7 MHz. Sistem reaktor VHF-PECVD yang digunakan terdiri atas dua ruang deposisi, masing-masing digunakan khusus untuk mendeposisi lapisan intrinsik dan lapisan ekstrinsik 12). Gas silan (SiH 4 ) konsentrasi 1% dalam hidrogen (H 2 ) digunakan sebagai gas sumber. Untuk mengamati pengaruh daya rf, proses deposisi dilakukan dengan variasi daya rf 6 sampai 12,5 watt pada tekanan ruang deposisi 3 mtorr dan variasi daya rf 2 sampai 7 watt pada tekanan ruang deposisi 1 mtorr. Temperatur substrat 275 o C digunakan selama deposisi berdasarkan hasil penelitian sebelumnya 12). Lapisan tipis a-si:h yang dihasilkan kemudian dikarakterisasi, meliputi penentuan ketebalan dan celah pita optik (optical bandgap) dari data pengukuran spektrometer Ultraviolet Visible (UV-Vis) serta pengukuran konduktivitas dengan metoda dua titik (coplanar). Tabel 1 memperlihatkan parameter deposisi yang digunakan. Tabel 1. Parameter deposisi Gas sumber Laju aliran gas (sccm) Temperatur substrat ( o C) Jarak elektroda (cm) SiH Tekanan ruang deposisi (mtorr) 3 1 Daya rf (watt) , Hasil dan Pembahasan Sifat-sifat optoelektronik lapisan tipis a-si:h yang ditumbuhkan melalui teknik PECVD secara signifikan bergantung pada identitas radikal-radikal seperti atom hidrogen dan molekul SiH n (n = 1-3) dalam plasma, yang dihasilkan melalui disosiasi gas SiH 4 oleh tumbukan elektron dan mekanisme interaksi lanjutan antara radikal-permukaan ketika radikal mengenai permukaan pertumbuhan 13). Secara eksperimental, proses kimia-fisika radikal-radikal tersebut tidak mungkin dapat diamati secara langsung. Analisa proses tersebut hanya dapat dilakukan berdasarkan korelasi antara sifat-sifat lapisan yang diperoleh dengan kondisi pada saat deposisi, yang biasanya dilakukan berdasarkan tahapan-tahapan optimasi parameter deposisinya. Pada dasarnya, mekanisme yang terjadi dalam teknik PECVD melibatkan proses kimia-fisika yang rumit. Kompleksitas kinetika reaksi yang terjadi dalam plasma saat deposisi lapisan tipis a-si:h sampai saat ini belum diketahui secara pasti. Hal inilah yang justru menarik perhatian banyak peneliti untuk terus mengkajinya. Berbagai kemajuan telah diperoleh hingga saat ini, bahkan telah sampai pada kesepakatan bersama tentang batasan-batasan tertentu yang menjamin proses penumbuhan dengan teknik PECVD dapat menghasilkan lapisan dengan kualitas yang sesuai untuk diaplikasikan pada fabrikasi divais optoelektronik. Secara umum, banyak faktor yang mempengaruhi pembentukan lapisan tipis a-si:h selama proses deposisi di antaranya seperti frekuensi eksitasi, daya rf, temperatur substrat, tekanan ruang deposisi, dan laju aliran gas, yang selanjutnya disebut sebagai parameter deposisi. Masing-masing parameter memiliki peranan tertentu pada proses
3 JMS Vol. 1 No. 2, Juni pembentukan lapisan. Pembahasan selanjutnya dalam makalah ini hanya dibatasi pada analisis pengaruh daya rf terhadap sifat-sifat optoelektronik lapisan tipis a-si:h yang ditumbuhkan dengan teknik VHF- PECVD. Gambar 1 memperlihatkan metode Tauc Plot dari data spektrum UV-Vis yang digunakan saat menentukan celah pita optik lapisan a-si:h yang diperoleh. Perpotongan garis linier sebaran data (αhν) 1/2 pada sumbu vertikal dengan hν pada sumbu horisontal menunjukkan nilai celah pita optiknya (α adalah absorpsi optik, h adalah konstanta Planck, dan ν adalah frekuensi cahaya) 14). 3,5 x x 1 3 (αhν) 1/2 (cm -1/2 ev 1/2 ) 3 x 1 3 2,5 x x 1 3 1,5 x x W 8 W 1 W 12,5 W (αhν) 1/2 (cm -1/2 ev 1/2 ) 2,5 x x 1 3 1,5 x x W 3 W 4 W 5 W 6 W 7 W 5 x x 1 2 1,5 1,6 1,7 1,8 1,9 2, 2,1 2,2 2,3 2,4 2,5 1,5 1,6 1,7 1,8 1,9 2, 2,1 (a) (b) hν (ev) hν (ev) Gambar 1. Metoda Tauc Plot untuk menentukan nilai celah pita optik lapisan tipis a-si:h yang dideposisi pada: (a) tekanan 3 mt dengan variasi daya rf 6 sampai 12,5 watt, (b) tekanan 1 mt dengan variasi daya rf 2 sampai 7 watt. Gambar 2 memperlihatkan karakteristik optoelektronik lapisan tipis a-si:h yang dideposisi pada tekanan 3 mtorr dengan variasi daya rf 6 sampai 12,5 watt. 3,5 3, Laju deposisi Celah pita optik Fotokonduktivitas 1-2 Laju deposisi (Å/det) dan Celah pita optik (ev) 2,5 2, 1,5 1, Fotokonduktivitas (S/cm),5, Daya rf (watt) Gambar 2. Karakteristik optoelektronik lapisan tipis a-si:h yang dideposisi pada tekanan 3 mt dengan variasi daya rf 6 sampai 12,5 watt. Dari gambar tersebut terlihat bahwa laju deposisi sebesar 2,67 Å/det yang diperoleh dengan menggunakan daya rf 6 watt mengalami peningkatan menjadi 2,99 Å/det dengan penggunaan daya rf 8 watt, yang diikuti pula dengan perbaikan nilai konduktivitasnya dari 3,9 x 1-5 S/cm menjadi 1,13 x S/cm. Hal ini mengindikasikan bahwa peningkatan daya rf turut memberi kontribusi pada perbaikan struktur lapisan a-si:h yang terbentuk. Dugaan ini diperkuat dengan penurunan nilai celah pita optik dari 1,81 ev menjadi 1,77 ev, yang berarti bahwa kandungan ikatan hidrogen dalam lapisan a-
4 66 JMS Vol. 1 No. 2, Juni 25 Si:H yang dideposisi pada daya rf 6 watt secara kualitatif lebih tinggi dibanding kandungan ikatan hidrogen dalam lapisan a-si:h yang dideposisi pada daya rf 8 watt. Sebagaimana diketahui bahwa penguraian gas sumber menjadi radikal-radikal yang lebih sederhana lebih efektif terjadi pada daya rf yang lebih tinggi. Meskipun demikian, pembentukan radikal ionik dalam plasma tidak dapat dihindari. Semakin tinggi daya yang diberikan, radikal ionik akan semakin banyak terbentuk. Pada kondisi tertentu, bombardemen radikal-radikal ionik dapat merusak lapisan yang telah terbentuk. Hal ini dapat dilihat pada gambar 2 bahwa laju deposisi lapisan mengalami penurunan pada daya rf 1 watt, yang diikuti dengan penurunan nilai fotokonduktivitas hingga mencapai 4,84 x 1-5 S/cm pada daya rf 12,5 watt. Penurunan nilai konduktivitas lapisan a-si:h ini kemungkinan besar disebabkan oleh pembentukan keadaan-keadaan cacat (defect states) dalam lapisan yang semakin banyak akibat bombardemen ionik pada daya rf yang cukup tinggi, terutama keadaankeadaan cacat pada daerah celah pita. Indikasi peningkatan cacat celah pita (bandgap defect) dapat dilihat dari penurunan nilai celah pita optik seperti ditunjukkan pada gambar 2 di atas. Sebagaimana diketahui bahwa kompleksitas kinetika reaksi dalam plasma saat proses deposisi sampai saat ini belum diketahui secara pasti. Namun demikian, analisa teoritis serta kenyataan eksperimental turut membantu memberikan gambaran-gambaran yang baik dalam menganalisa mekanisme tersebut. Demikian halnya dengan fenomena terjadinya bombardemen ionik pada saat deposisi. Salah satu cara yang dapat dilakukan untuk mengantisipasi terjadinya bombardemen ionik saat deposisi lapisan a-si:h dengan daya tinggi adalah dengan menurunkan tekanan deposisi. Hal ini dimaksudkan untuk memperpanjang jarak tempuh elektron dalam plasma sehingga pembentukan radikal-radikal ionik dapat berkurang. Dalam penelitian ini, tahapan optimasi juga dilakukan pada daya rf yang cukup tinggi dengan tekanan deposisi 1 mtorr. Gambar 3 memperlihatkan laju deposisi dan celah pita optik lapisan tipis a-si:h yang dideposisi pada tekanan 1 mtorr dengan variasi daya rf 2 sampai 7 watt. Dari gambar tersebut terlihat bahwa laju deposisi mengalami peningkatan dari 5,93 Å/det hingga 9,57 Å/det dengan meningkatnya daya rf dari 2 sampai 3 watt. Namun demikian, peningkatan laju deposisi ini tidak seiring dengan nilai konduktivitasnya seperti diperlihatkan pada gambar 4. Peningkatan pada daya rf dari 2 ke 3 watt mengakibatkan penurunan nilai konduktivitas gelap lapisan dari 3,8 x 1-6 S/cm menjadi 1,5 x 1-8 S/cm serta penurunan nilai fotokonduktivitas dari 5,85 x 1-4 S/cm menjadi 5,31 x 1-5 S/cm. Diduga bahwa keadaan-keadaan cacat banyak terbentuk saat laju deposisinya cukup tinggi. Hal ini akibat ketidakteraturan ikatan-ikatan yang terbentuk pada permukaan pertumbuhan saat deposisi berlangsung. Cacat seperti ini lebih banyak membentuk cacat ekor pita (band-tail defect) yang menghambat mobilitas pembawa muatan pada pita energi, yang diketahui sebagai penyebab menurunnya nilai konduktivitas lapisan. Selain itu, laju deposisi yang tinggi juga dapat mengakibatkan terperangkapnya atom hidrogen saat pembentukan lapisan, terutama apabila plasma didominasi oleh radikal-radikal dalam bentuk molekul SiH 3 atau SiH 2. Jika hal ini terjadi maka nilai celah pita optiknya meningkat. Demikian halnya dengan peningkatan celah pita optik lapisan dari 1,53 ev menjadi 1,61 ev pada saat daya rf meningkat dari 2 ke 3 watt, sejalan dengan peningkatan laju deposisi yang cukup signifikan. Laju deposisi (Å/det) Daya rf (watt) Gambar 3. Laju deposisi dan celah pita optik lapisan a-si:h yang dideposisi pada tekanan 1 mtorr dengan variasi daya rf 2 sampai 7 watt. Konduktivitas (S/cm) Fotokonduktivitas Konduktivitas gelap Responsivitas cahaya Daya rf (watt) Gambar 4. Konduktivitas dan responsivitas cahaya lapisan tipis a-si:h yang dideposisi pada tekanan 1 mtorr dengan variasi daya rf 2 sampai 7 watt. Nilai fotokonduktivitas dan konduktivitas gelap lapisan keduanya meningkat dengan peningkatan daya rf dari 3 ke 4 watt. Hal ini berkaitan dengan penguraian gas yang lebih baik pada daya rf 4 watt dibanding daya rf 3 watt. Plasma pada daya rf Celah pita optik (ev) Responsivitas cahaya
5 JMS Vol. 1 No. 2, Juni watt kemungkinan lebih didominasi oleh radikalradikal dalam bentuk molekul SiH 2 dibanding molekul SiH 3 sedangkan plasma pada daya rf 3 watt kemungkinan lebih didominasi oleh radikal-radikal dalam bentuk molekul SiH 3 dibanding molekul SiH 2. Indikasi ini dapat dipahami dari penurunan celah pita optik saat daya rf meningkat dari 3 ke 4 watt, yang berarti bahwa kandungan hidrogen lapisan yang diperoleh pada daya rf 4 watt secara kualitatif lebih kecil dibanding lapisan yang diperoleh pada daya rf 3 watt. Secara umum dapat dikatakan bahwa kualitas lapisan a-si:h yang diperoleh pada daya rf 4 watt lebih baik dibanding lapisan a-si:h yang diperoleh pada daya rf 3 watt, meskipun keduanya tidak memperlihatkan perbedaan sifat yang cukup signifikan. Laju deposisi lapisan selanjutnya terus menurun dengan meningkatnya daya rf dari 4 hingga 7 watt, seiring dengan penurunan nilai konduktivitas gelapnya. Jelas bahwa penurunan ini kembali diakibatkan oleh bombardemen ionik pada daya rf 5 hingga 7 watt sehingga cacat celah pita kembali terjadi pada kondisi ini. Pada gambar 4 terlihat bahwa fotokonduktivitas lapisan yang diperoleh pada daya rf 5 watt mengalami peningkatan sedang konduktivitas gelapnya menurun. Fenomena seperti ini dapat dianalisa melalui pengertian bahwa pembawa muatan yang terperangkap dalam keadaan cacat dapat bergerak kembali jika energi foton dari penyinaran mampu melepaskannya dari keadaan tersebut. Demikian halnya dengan lapisan yang diperoleh pada daya rf 5 watt. Pembawa muatan yang sebelumnya tidak memberi kontribusi pada konduktivitas gelap dapat dibangkitkan kembali oleh energi foton sehingga meningkatkan fotokonduktivitasnya. Begitu juga dengan lapisan yang diperoleh pada daya rf 6 dan 7 watt. Pada beberapa aplikasi divais optoelektronik seperti sensor warna, fotoreseptor maupun sel surya, karakteristik lapisan yang cukup penting selain sifatsifat yang diuraikan di atas adalah sifat responsivitas cahaya. Sifat ini memberikan informasi kepekaan lapisan terhadap cahaya saat diberi penyinaran. Dalam penelitian ini, responsivitas lapisan a-si:h yang diperoleh ditentukan berdasarkan rasio nilai fotokonduktivitas terhadap nilai konduktivitas gelapnya, seperti ditunjukkan dalam gambar 4. Terlihat bahwa responsivitas cahaya meningkat dengan peningkatan daya rf. Peningkatan yang cukup signifikan terjadi saat daya rf meningkat dari 4 ke 5 watt. Informasi ini memperkuat dugaan terbentuknya keadaan-keadaan cacat pada daerah celah pita akibat bombardemen ionik saat deposisi dengan daya rf di atas 4 watt, sebagaimana diuraikan pada pembahasan di atas. Kesimpulan Dari data eksperimen diperoleh lapisan a- Si:H yang memiliki laju deposisi tertinggi 2,99 Å/det pada daya rf 8 watt untuk variasi daya 6 sampai 12,5 watt dengan tekanan ruang deposisi 3 mtorr dan laju deposisi tertinggi 9, 57 Å/det pada daya rf 4 watt untuk variasi daya 2 sampai 7 watt dengan tekanan ruang deposisi 1 mtorr. Berdasarkan analisis yang dilakukan, penurunan laju deposisi pada daya rf yang cukup tinggi sebagian besar diakibatkan oleh bombardemen ionik pada permukaan pertumbuhan. Bombardemen ionik ini terjadi saat deposisi lapisan a-si:h dengan daya rf di atas 8 watt untuk tekanan 3 mtorr dan daya rf di atas 4 watt untuk tekanan 1 mtorr. Selain itu, ketidakteraturan pembentukan ikatan saat laju deposisi yang cukup tinggi menyebabkan terbentuknya cacat ekor pita sedangkan pemutusan ikatan yang terjadi akibat bombardemen ionik menyebabkan terbentuknya cacat celah pita. Kedua jenis cacat ini memberi kontribusi yang besar pada penurunan nilai konduktivitas lapisan. Ucapan Terimakasih Penelitian ini dilaksanakan melalui Proyek Riset Unggulan Terpadu (RUT) VIII. Penulis mengucapkan terima kasih kepada Kementrian Riset dan Teknologi Republik Indonesia atas bantuan dana penelitian tersebut. Daftar Pustaka 1. Shah, A., Dutta, J., Wyrsch, N., Prasad, K., Curtins, H., Finger, F., Howling, A., & Hellenstein, C., Amorphous Silicon Technology, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 258, 15 (1992). 2. Takechi, K., Takagi, T., & Kaneko, S., Performance of a-si:h TFT Fabricated by Very High Frequency Discharge Silane Plasma Chemical Vapor Deposition, Jpn. J. Appl. Phys. 36, 6269 (1997). 3. Flückiger, R., Meier, J., Keppner, H., Kroll, U., Shah, A., Greim, O., Morris, M., Pohl, J., Hapke, P., & Carius, R., Microcrystalline Silicon Prepared with The Very High Frequency Glow Discharge Technique for p-i-n Solar Cell Application, 11th ECPVSEC Proc. 617 (1992). 4. Platz, R., Hof, C., Wieder, S., Rich, B., Fischer, D., Shah, A., Payne, A., & Wagner, S., Comparison of VHF, RF, and DC Plasma Excitation for a-si:h Deposition With Hydrogen Dilution, Mater. Res. Soc. Symp. Proc. 57, 565 (1998). 5. Prasad, K., Microcrystalline Silicon Prepared with VHF-GD Process, Thesis (Ph.D.) Institute of Microtechnology University of Neuchatel (1991). 6. Sark, W.G.J.H.M., Bezemer, J., & Weg, W.F., VHF a-si:h Solar Cell: A Systematic Material and Cell Study, J. Mater. Res. 13:1, 45 (1998). 7. Fukawa, M., Suzuki, S., Guo, L., Kondo, M., & Matsuda, A., High Rate Growth of Microcrystalline Silicon Using a High Pressure
6 68 JMS Vol. 1 No. 2, Juni 25 Depletion Method with VHF Plasma, Sol. Energy Mater. Sol. Cells 66, 217 (21). 8. Graf, U., Meier, J., Kroll, U., Bailat, J., Droz, C., Sauvain, E.V., & Shah, A., High Rate Growth of Microcrystalline Silicon by VHF-GD at High Pressure, Thin Solid Films 427, 37 (23). 9. Veneri, P.D., Mercaldo, L.V., Minarini, C., & Private, C., VHF-PECVD Microcrystalline Silicon: From Material to Solar Cells, Thin Solid Films , 269 (24). 1. Neto, A.L.B., Dylla, T., Klein, S., Repmann, T., Lambertz, A., Carius, R., & Finger, F., Defects and Structure of hydrogenated Microcrystalline Silicon Films Deposited by Different Techniques, J. Non-Crys. Solid , 168 (24). 11. Amanatides, E., Mataras, D., & Rapakoulias, D.E., Effect of Frequency in the Deposition of Microcrystalline Silicon from Silane Discharges, J. Appl. Phys. 9:11, 5799 (21). 12. Usman, I., Fabrikasi Divais Sel Surya p-i-n Berbasis µc-si:h Dengan Teknik VHF- PECVD, Tesis Magister Fisika-ITB (21). 13. Sriraman, S., & Aydil, E.S., Growth and Characterization of a-si:h Thin Films from SiH 2 Radical Precursor: Atomic-scale Analysis, J. Appl. Phys. 95:4, 1792 (24). 14. Takahashi, K. & Konagai, M., Amorphous Silicon Solar Cells, North Oxford Academic Pub. Ltd., London, 113 (1986).
Pengaruh Ketebalan Lapisan Aktif terhadap Karakteristik Sel Surya Berbasis a-si:h yang Ditumbuhkan dengan Teknik HWC-VHF-PECVD
Pengaruh Ketebalan Lapisan Aktif terhadap Karakteristik Sel Surya Berbasis a-si:h yang Ditumbuhkan dengan Teknik HWC-VHF-PECVD Ida Usman 1) dan Toto Winata 2) 1) Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan
Lebih terperinciPENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL TERHIDROGENASI DENGAN TEKNIK HWC-VHF-PECVD
Reaktor, Vol. 13 No. 1, Juni 2010, Hal. 31-36 PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL TERHIDROGENASI DENGAN TEKNIK HWC-VHF-PECVD Ida Usman 1*), Darwin Ismail 1), Heri Sutanto 2) dan Toto Winata 3)
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi energi listrik DC secara langsung. Sel surya telah diaplikasikan dalam berbagai bidang, salah
Lebih terperinciPenumbuhan Lapisan Tipis µc-si:h Tipe-P dengan Metode HW-PECVD untuk Aplikasi Sel Surya
Penumbuhan Lapisan Tipis µc-si:h Tipe-P dengan Metode HW-PECVD untuk Aplikasi Sel Surya Jasruddin, Abdul Haris, dan Helmi Departemen Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas Negeri
Lebih terperinciHomogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-si:h tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 8, NOMOR JANUARI 202 Homogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-si:h tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD
Lebih terperinciStudi Optimasi Parameter Daya RF untuk Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Metode Hot Wire Cell PECVD
PROC. ITB Sains & Tek. Vol. 37 A, No. 1, 2005, 13-22 13 Studi Optimasi Parameter Daya RF untuk Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Metode Hot Wire Cell PECVD S. Amiruddin 1), I. Usman
Lebih terperinciPENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL (µc Si:H) TIPE-P DENGAN METODE HOT WIRE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (HW-PECVD)
Bimafika, 2010, 2, 134-140 PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON MIKROKRISTAL (µc Si:H) TIPE-P DENGAN METODE HOT WIRE PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (HW-PECVD) Marwah * FKIP Unversitas Darussalam
Lebih terperinciOptimasi Parameter Tekanan Deposisi untuk Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Metode HWC PECVD
Optimasi Parameter Tekanan Deposisi untuk Penumbuhan Lapisan Tipis Mikrokristal Silikon dengan Metode HWC PECVD Amiruddin Supu 1), I Wayan Sukarjita 1), Fakhruddin 1), Suryani Arsyad Fitri 2), Toto Winata
Lebih terperinciKontribusi Fisika Indonesia Vol. 12, No.3, Juli 2001
Kontribusi Fisika Indonesia Vol. 12, No.3, Juli 2001 Pengaruh Terhadap Tingkat Kestabilan Efisiensi Sel Surya p-i-n a-si:h Doping Delta Amiruddin Supu 1), Dilla M. 2), Jasruddin Daud Malago 3), Fitri Suryani
Lebih terperinciLaju Deposisi dan Celah Pita Energi Optik Lapisan Tipis a-si:h yang Ditumbuhkan dengan Teknik HWC-VHF-PECVD
Laju Deposisi dan Celah Pita Energi Optik Lapisan Tipis Andhy Setiawan 1), Hastiti Murti 1), Hasniah Aliah 2), Toto Winata 3) Program Studi Fisika FPMIPA Universitas Pendidkan Indonesia (UPI), Jurusan
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini terlihat dari banyaknya komponen semikonduktor yang digunakan disetiap kegiatan manusia.
Lebih terperinciKarakterisasi FTIR pada Studi Awal Penumbuhan CNT dengan Prekursor Nanokatalis Ag dengan Metode HWC-VHF-PECVD
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 13, NOMOR 2 JUNI 2017 Karakterisasi FTIR pada Studi Awal Penumbuhan CNT dengan Prekursor Nanokatalis Ag dengan Metode HWC-VHF-PECVD Ajeng Eliyana 1, dan Toto Winata
Lebih terperinciEfek Staebler-Wronski dan Pengaruh Waktu Anil pada Lapisan Instrinsik Silikon Amorf Terhidrogenasi (a-si:h)
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 13, NOMOR 2 JUNI 2017 Efek Staebler-Wronski dan Pengaruh Waktu Anil pada Lapisan Instrinsik Silikon Amorf Terhidrogenasi (a-si:h) Yoyok Cahyono, Fuad D. Muttaqin, Umi
Lebih terperinciOptimasi Tekanan Deposisi dalam Simulasi Efisiensi Sel Surya Berbasis Material a-si:h
Jurnal Gradien Vol. 8 No. 1 Januari 2012 : 716-721 Optimasi Tekanan Deposisi dalam Simulasi Efisiensi Sel Surya Berbasis Material a-si:h Endhah Purwandari1*, Toto Winata2 1) Jurusan Fisika FMIPA Universitas
Lebih terperinciKARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS a-si:h:b UNTUK BAHAN SEL SURYA
ISSN 40-695 KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS a-si:h:b UNTUK BAHAN SEL SURYA Bambang Siswanto, Wirjoadi, Tri Mardji Atmono, Yunanto Puslitbang Teknologi Maju Batan Yogayakarta Jl. Babarsari Kotak
Lebih terperinciPengaruh Optis Kontak Belakang terhadap Parameter Optis Lapisan a-si:h
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 8, NOMOR 2 JUNI 2012 Pengaruh Optis Kontak Belakang terhadap Parameter Optis Lapisan a-si:h Ismail dan Eddy Yahya Jurusan Fisika-FMIPA, Institut Teknologi Sepuluh Nopember
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban manusia di abad ini. Sehingga diperlukan suatu kemampuan menguasai teknologi tinggi agar bisa
Lebih terperinciSTUDI SPEKTROSKOPI ELECTRON SPIN RESONANCE (ESR) LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING
STUDI SPEKTROSKOPI ELECTRON SPIN RESONANCE (ESR) LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING Rosari Saleh Jurusan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam,
Lebih terperinciPEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS
PEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS Syuhada, Dwi Bayuwati, Sulaiman Pusat Penelitian Fisika-LIPI, Kawasan Puspiptek Serpong Tangerang 15314 e-mail: hadda212@yahoo.com
Lebih terperinciPENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR
PENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR Penumbuhan film tipis semikonduktor di atas substrat dapat dilakukan secara epitaksi. Dalam bahasa yunani epi berarti di atas dan taksial berarti menyusun dengan kata
Lebih terperinciSTUDI DISORDER LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING
MAKARA, SAINS, VOL. 6, NO. 2, AGUSTUS 2002 STUDI DISORDER LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING Lusitra Munisa 1 dan Rosari Saleh 2 1. Program Studi Ilmu Fisika,
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia Tenggara. Sebagai negara berkembang, Indonesia melakukan swasembada diberbagai bidang, termasuk
Lebih terperinciKarakterisasi FTIR pada Studi Awal Penumbuhan CNT dengan Prekursor Nanokatalis Ag dengan Metode HWC-VHF-PECVD
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 13, NOMOR 2 JUNI 2017 Karakterisasi FTIR pada Studi Awal Penumbuhan CNT dengan Prekursor Nanokatalis Ag dengan Metode HWC-VHF-PECVD Ajeng Eliyana 1, dan Toto Winata
Lebih terperinciPenumbuhan Silikon Nanowire dengan Nanokatalis Perak menggunakan Metode HWC-In Plasma-VHF-PECVD melalui Optimasi Tekanan
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 10, NOMOR 2 JUNI 2014 Penumbuhan Silikon Nanowire dengan Nanokatalis Perak menggunakan Metode HWC-In Plasma-VHF-PECVD melalui Optimasi Tekanan Diky Anggoro 1, dan Toto
Lebih terperinciOleh: Tyas Puspitaningrum, Tjipto Sujitno, dan Ariswan
Penentuan Band Gap... (Tyas Puspitaningrum) 166 PENENTUAN BAND GAP DAN KONDUKTIVITAS BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS Sn(S 0,8 Te 0,2 ) DAN Sn(S 0,6 Te 0,4 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI TERMAL
Lebih terperinciPengaruh Perlakuan Implantasi Hidrogen terhadap Sifat Struktur Lapisan Tipis Amorf Silikon Karbon (a-sic:h) Hasil Deposisi Metode DC Sputtering
Indonesian Journal of Physics Kontribusi Fisika Indonesia Vol. 14 No.2, April 2003 Pengaruh Perlakuan Implantasi Hidrogen terhadap Sifat Struktur Lapisan Tipis Amorf Silikon Karbon (a-sic:h) Hasil Deposisi
Lebih terperinciPENGARUH OPTIMASI CELAH PITA ENERGI DAN KETEBALAN LAPISAN TIPE-i PADA EFISIENSI SEL SURYA SILIKON AMORF SAMBUNGAN p-i-n
TESIS SF142502 PENGARUH OPTIMASI CELAH PITA ENERGI DAN KETEBALAN LAPISAN TIPE-i PADA EFISIENSI SEL SURYA SILIKON AMORF SAMBUNGAN p-i-n IGNATIO BENIGNO 1115 201 008 DOSEN PEMBIMBING Prof. Dr. Darminto,
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. modern pada fotokonduktor ultraviolet (UV) membutuhkan material
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Pengembangan material semikonduktor tidak lepas dari perkembangan piranti elektronik diantaranya fotokonduktor ultraviolet (UV). Tuntutan aplikasi modern pada
Lebih terperinciSINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION
SINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION Yolanda Oktaviani, Astuti Jurusan Fisika FMIPA Universitas Andalas e-mail: vianyolanda@yahoo.co.id
Lebih terperinciTUGAS AKHIR SF141501
TUGAS AKHIR SF141501 PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI (a-si:h) TIPE-N DENGAN PENGENCERAN H2 MENGGUNAKAN PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (PECVD) Cahyaning Fajar Kresna Murti
Lebih terperinciEFEK PENAMBAHAN GAS CH 4 DAN H 2 PADA PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TIPE-P DENGAN PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (PECVD)
TUGAS AKHIR SF141501 EFEK PENAMBAHAN GAS CH 4 DAN H 2 PADA PENUMBUHAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TIPE-P DENGAN PLASMA ENHANCED CHEMICAL VAPOR DEPOSITION (PECVD) Ayunis Sholehah NRP 1113 100 067 Dosen
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. I.1 Latar Belakang Kebutuhan akan energi semakin berkembang seiring dengan
BAB I PENDAHULUAN I.1 Latar Belakang Kebutuhan akan energi semakin berkembang seiring dengan berkembangnya kehidupan manusia. Sehingga para peneliti terus berupaya untuk mengembangkan sumber-sumber energi
Lebih terperinciPENGARUH ANIL TERMAL TERHADAP BESARAN OPTIS LAPISAN TIPIS a-sic:h HASIL METODE DC SPUTTERING II. TARGET GRAFIT
PENGARUH ANIL TERMAL TERHADAP BESARAN OPTIS LAPISAN TIPIS a-sic:h HASIL METODE DC SPUTTERING II. TARGET GRAFIT Rosari Saleh 1, Lusitra Munisa 2 dan Dewi Marianty 1 1. Jurusan Fisika, Fakultas MIPA Universitas
Lebih terperinciPEMBUATAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI (a-si:h) UNTUK BAHAN SEL SURYA
GANENDRA, Vol.VI, N0.1 ISSN 1410-6957 PEMBUATAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI (a-si:h) UNTUK BAHAN SEL SURYA Wirjoadi, Sudjatmoko, Yunanto, Bambang Siswanto, Sri Sulamdari Puslibang Teknologi
Lebih terperinciPENGARUH DAYA PLASMA PADA STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING
134 Prosiding Pertemuan Ilmiah XXIV HFI Jateng & DIY, Semarang 10 April 2010 hal. 134-138 PENGARUH DAYA PLASMA PADA STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING
Lebih terperinciPembuatan Sel Surya Film Tipis dengan DC Magnetron Sputtering
Pembuatan Sel Surya Film Tipis dengan DC Magnetron Sputtering Desty Anggita Tunggadewi 1, Fitria Hidayanti 1 1 Program Studi Teknik Fisika, Fakultas Teknik dan Sains, Universitas Nasional dtunggadewi@yahoo.co.id,
Lebih terperinciPENGARUH PENINGKATAN FLOW RATE GAS METAN TERHADAP SIFAT OPTIS LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING
PENGARUH PENINGKATAN FLOW RATE GAS METAN TERHADAP SIFAT OPTIS LAPISAN TIPIS AMORF SILIKON KARBON (a-sic:h) HASIL DEPOSISI METODE DC SPUTTERING Lusitra Munisa 1 dan Rosari Saleh 2 1. Program Studi Ilmu
Lebih terperinciF- 1. PENGARUH PENYISIPAN LOGAM Fe PADA LAPISAN TiO 2 TERHADAP PERFORMANSI SEL SURYA BERBASIS TITANIA
PENGARUH PENYISIPAN LOGAM Fe PADA LAPISAN TiO 2 TERHADAP PERFORMANSI SEL SURYA BERBASIS TITANIA Rita Prasetyowati, Sahrul Saehana, Mikrajuddin Abdullah (a), dan Khairurrijal Kelompok Keahlian Fisika Material
Lebih terperinciSTUDI KARAKTERISASI OPTIS LAPISAN TIPIS a-sic:h HASIL DEPOSISI METODE GLOWDISCHARGE
STUDI KARAKTERISASI OPTIS LAPISAN TIPIS a-sic:h HASIL DEPOSISI METODE GLOWDISCHARGE Rosari Saleh 1, Lusitra Munisa 2 dan Dewi Marianty 1 1. Jurusan Fisika, Fakultas MIPA Universitas Indonesia, Depok 16424,
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Listrik merupakan kebutuhan esensial yang sangat dominan kegunaannya
λ Panjang Gelombang 21 ω Kecepatan Angular 22 ns Indeks Bias Kaca 33 n Indeks Bias Lapisan Tipis 33 d Ketebalan Lapisan Tipis 33 α Koofisien Absorpsi 36 Frekuensi Cahaya 35 υ BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Spektrum elektromagnetik yang mampu dideteksi oleh mata manusia
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar belakang Spektrum elektromagnetik yang mampu dideteksi oleh mata manusia berada dalam rentang spektrum cahaya tampak yang memiliki panjang gelombang dari 400 900 nm. Sedangkan
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini mengalami peralihan dari teknologi mikro (microtechnology) ke generasi yang lebih kecil yang dikenal
Lebih terperinciSTUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI
Studi Pengaruh Suhu Substrat. (Rully Fakhry Muhammad) 303 STUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI STUDY
Lebih terperinciPENGARUH KONSENTRASI BORON TERHADAP SIFAT LISTRIK LAPISAN TIPIS (a-si:h:b)
ISSN 1410-6951 PENGARUH KONSENTRASI BORON TERHADAP SIFAT LISTRIK LAPISAN TIPIS (a-si:h:b) Bambang Siswanto, Wirjoadi, Sudjatmoko Puslitbang Teknologi Maju Batan Yogyakarta Jl. Babarsari Kotak Pos 6101
Lebih terperinciMekanisme Hamburan Defek Statis Dan Vibrasi Termal Terhadap Mobilitas Elektron Pada Film Tipis GaN
Berkala Fisika ISSN : 1410-9662 Vol 13., No.1, Januari 2010, hal 39-44 Mekanisme Hamburan Defek Statis Dan Vibrasi Termal Terhadap Mobilitas Elektron Pada Film Tipis GaN Dadi Rusdiana, Lilik Hasanah, dan
Lebih terperinciFABRIKASI SEL SURYA BERBASIS a-si:h LAPISAN INTRINSIK GANDA (P-ix-iy-N) DENGAN PECVD DAN ANALISIS EFISIENSINYA
TESIS SF142502 FABRIKASI SEL SURYA BERBASIS a-si:h LAPISAN INTRINSIK GANDA (P-ix-iy-N) DENGAN PECVD DAN ANALISIS EFISIENSINYA Soni Prayogi NRP 1115201006 Dosen Pembimbing Prof. Dr. Darminto, M.Sc PROGRAM
Lebih terperinciGravitasi Vol. 15 No. 1 ISSN:
STUDI PENGARUH KONSENTRASI LARUTAN DAUN PEPAYA TERHADAP SIFAT OPTIK DAN LISTRIK SEBAGAI BAHAN PEMBUATAN LAPISAN TIPIS Ummu kalsum 1, Iqbal 2 dan Dedy Farhamsa 2 1 Jurusan Fisika Fakultas MIPA, Universitas
Lebih terperinciANALISIS LEBAR CELAH PITA ENERGI DAN IKATAN MOLEKUL LAPISAN TIPIS a-si:h YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE PECVD
TUGAS AKHIR - SF 141501 ANALISIS LEBAR CELAH PITA ENERGI DAN IKATAN MOLEKUL LAPISAN TIPIS a-si:h YANG DITUMBUHKAN DENGAN METODE PECVD Umi Maslakah NRP 1110 100 030 Dosen Pembimbing Prof. Dr. Darminto,
Lebih terperinciPENENTUAN CELAH OPTIK DAN KONSENTRASI H PADA LAPISAN-i a-si:h YANG DIDEPOSISI DALAM PECW GANlDA
LAPORAN PENELITIAN PENENTUAN CELAH OPTIK DAN KONSENTRASI H PADA LAPISAN-i a-si:h YANG DIDEPOSISI DALAM PECW GANlDA Dra. Syakbaniah, M.Si (Ketua Tim Peneliti) Penelitian ini dibiayai oleh : Dana Rutin Universitas
Lebih terperinciStruktur dan konfigurasi sel Fotovoltaik
9 Gambar 17. Struktur dan konfigurasi sel Fotovoltaik BST yang sudah mengalami proses annealing dipasang kontak di atas permukaan substrat silikon dan di atas film tipis BST. Pembuatan kontak ini dilakukan
Lebih terperinciBAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI
BAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI Pada bab ini dibahas penumbuhan AlGaN tanpa doping menggunakan reaktor PA- MOCVD. Lapisan AlGaN ditumbuhkan dengan variasi laju alir gas reaktan, hasil penumbuhan dikarakterisasi
Lebih terperinciModul - 4 SEMIKONDUKTOR
Modul - 4 SEMIKONDUKTOR Disusun Sebagai Materi Pelatihan Guru-Guru SMA/MA Provinsi Nangro Aceh Darussalam Disusun oleh: Dr. Agus Setiawan, M.Si Dr. Dadi Rusdiana, M.Si Dr. Ida Hamidah, M.Si Dra. Ida Kaniawati,
Lebih terperinciPengaruh Temperatur dan Waktu Putar Terhadap Sifat Optik Lapisan Tipis ZnO yang Dibuat dengan Metode Sol-Gel Spin Coating
ISSN 2302-8491 Jurnal Fisika Unand Vol. 6, No. 2, April 2017 Pengaruh Temperatur dan Waktu Putar Terhadap Sifat Optik Lapisan Tipis ZnO yang Dibuat dengan Metode Sol-Gel Spin Coating Fitriani *, Sri Handani
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC)
39 HASIL DAN PEMBAHASAN Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC) Hasil karakterisasi dengan Difraksi Sinar-X (XRD) dilakukan untuk mengetahui jenis material yang dihasilkan disamping menentukan
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN I.1
BAB I PENDAHULUAN I.1 Latar Belakang Matahari adalah sumber energi yang sangat besar dan tidak akan pernah habis. Energi sinar matahari yang dipancarkan ke bumi dapat dimanfaatkan untuk berbagai keperluan
Lebih terperinciSIFAT-SIFAT OPTIK DAN LISTRIK BAHAN SEMIKONDUKTOR SnS LAPISAN TIPIS HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA ABSTRAK
SIFAT-SIFAT OPTIK DAN LISTRIK BAHAN SEMIKONDUKTOR SnS LAPISAN TIPIS HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA Ganesha Antarnusa. 1, Tjipto Sujitno 2, Ariswan 3 1 Mahasiswa
Lebih terperinciDistribusi Celah Pita Energi Titania Kotor
Jurnal Nanosains & Nanoteknologi ISSN 1979-0880 Edisi Khusus, Agustus 009 Distribusi Celah Pita Energi Titania Kotor Indah Nurmawarti, Mikrajuddin Abdullah (a), dan Khairurrijal Kelompok Keahlian Fisika
Lebih terperinciBAB 1 PENDAHULUAN Latar Belakang
BAB 1 PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Memasuki abad 21, persediaan minyak dan gas bumi semakin menipis. Sementara kebutuhan akan energi semakin meningkat, terutama dirasakan pada negara industri. Kebuthan
Lebih terperinci2014 PEMBUATAN BILAYER ANODE - ELEKTROLIT CSZ DENGAN METODE ELECTROPHORETIC DEPOSITION
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Kebutuhan listrik dunia semakin meningkat seiring berjalannya waktu. Hal ini tentu disebabkan pertumbuhan aktivitas manusia yang semakin padat dan kebutuhan
Lebih terperinciKARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT GELAS UNTUK JENDELA SEL SURYA
GANENDRA, Vol. V, N0.2 ISSN 1410-6957 KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT GELAS UNTUK JENDELA SEL SURYA Wirjoadi, Yunanto, Bambang Siswanto, Sri Sulamdari, Sudjatmoko Puslitbang
Lebih terperinciPENGEMBANGAN SISTEM PENGUKUR KARAKTERISTIK I-V SEL SURYA DALAM KEADAAN PENYINARAN DAN TANPA PENYINARAN
Program Studi Fisika Jurusan Pendidikan Fisika FPMIPA UNIVERSITAS PENDIDIKAN INDONESIA PENGEMBANGAN SISTEM PENGUKUR KARAKTERISTIK I-V SEL SURYA DALAM KEADAAN PENYINARAN DAN TANPA PENYINARAN Latar Belakang
Lebih terperinciSTRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPIS TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 S 0.8 ) HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA
J. Sains Dasar 2015 4 (2) 198-203 STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPIS TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 S 0.8 ) HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA THE STRUCTURE AND CHEMICAL
Lebih terperinci2 SINTESIS DAN KARAKTERISASI NANOSTRUKTUR ZnO
2 SINTESIS DAN KARAKTERISASI NANOSTRUKTUR ZnO 3 Pendahuluan ZnO merupakan bahan semikonduktor tipe-n yang memiliki lebar pita energi 3,37 ev pada suhu ruang dan 3,34 ev pada temperatur rendah dengan nilai
Lebih terperinciPENGARUH KONSENTRASI PREKURSOR TERHADAP SIFAT OPTOELEKTRONIK Mn 3O 4
PENGARUH KONSENTRASI PREKURSOR TERHADAP SIFAT OPTOELEKTRONIK Mn 3O 4 Amiruddin Zainuddin *), Subaer, Abdul Haris Pusat Penelitian Geopolimer - Lab. Fisika Material Jurusan Fisika, FMIPA Universitas Negeri
Lebih terperinciPengaruh Waktu Penahanan Terhadap Karakteristik Lapisan Tipis ZnO yang Dideposisi dengan teknik Sol-gel Spin Coating
JURNAL Teori dan Aplikasi Fisika Vol. 04, No.02, Juli Tahun 2016 Pengaruh Waktu Penahanan Terhadap Karakteristik Lapisan Tipis ZnO yang Dideposisi dengan teknik Sol-gel Spin Coating Mursal, Irhamni, and
Lebih terperinciStruktur Double Barrier Untuk Aplikasi Pada Divais Silikon Amorf
Kontribusi Fisika Indonesia Vol. No., Januari 00 Struktur Double Barrier Untuk Aplikasi Pada Divais Silikon Amorf Ida Hamidah dan Wilson W. Wenas Laboratorium Riset Semikonduktor, Jurusan Fisika ITB Jl.
Lebih terperinciPERKEMBANGAN SEL SURYA
PERKEMBANGAN SEL SURYA Generasi Pertama Teknologi pertama yang berhasil dikembangkan oleh para peneliti adalah teknologi yang menggunakan bahan silikon kristal tunggal. Teknologi ini dalam mampu menghasilkan
Lebih terperinciBerkala Fisika ISSN : Vol 4, No. 2, April 2001, hal 40-44
PENGARUH VARIASI TEMPERATUR PENUMBUHAN TERHADAP KARAKTERISTIK SIFAT LISTRIK FILM TIPIS GaN DI ATAS Si (111) DENGAN METODE PA-MOCVD Heri Sutanto Laboratorium Fisika Zat Padat, Jurusan Fisika, FMIPA Universitas
Lebih terperinciLAPORAN EKSPERIMEN FISIKA 2 FOTOKONDUKTIVITAS. Zudah Sima atul Kubro G DEPARTEMEN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
LAPORAN EKSPERIMEN FISIKA 2 FOTOKONDUKTIVITAS Rekan Kerja : 1. Aah Nuraisah 2. Mutiara Khairunnisa 3. Dedeh Nurhayati Zudah Sima atul Kubro G74120023 Asisten : Pramudya Wardhani (G74110008) Dadi Irawan
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Ketersediaan sumber energi merupakan masalah yang harus segera diselesaikan oleh masing-masing negara termasuk Indonesia. Untuk itu perlu dikembangkan suatu teknologi
Lebih terperinciAnalisis Pengaruh Temperatur Annealing Pada Deposisi Lapisan Tipis Zinc Oxide (ZnO) Melalui Proses Spin Coating Rahmawati
homepage: www.teknik.unsam.ac.id ISSN 2356-5438 Analisis Pengaruh Temperatur Annealing Pada Deposisi Lapisan Tipis Zinc Oxide (ZnO) Melalui Proses Spin Coating Rahmawati Program Studi Fisika, Universitas
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Nanopatikel merupakan partikel mikroskopis yang memiliki ukuran dalam skala nanometer yaitu < 100 nm. Nanopartikel menjadi kajian yang sangat menarik, karena ketika
Lebih terperinciTUGAS AKHIR ANALISIS PERBANDINGAN KARAKTERISTIK PANEL SURYA BERDASARKAN MATERIAL PENYUSUN DAN INTENSITAS CAHAYA. Diajukan untuk memenuhi persyaratan
TUGAS AKHIR ANALISIS PERBANDINGAN KARAKTERISTIK PANEL SURYA BERDASARKAN MATERIAL PENYUSUN DAN INTENSITAS CAHAYA Diajukan untuk memenuhi persyaratan menyelesaikan pendidikan sarjana (S-1) pada Departemen
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Graphene merupakan susunan atom-atom karbon monolayer dua dimensi yang membentuk struktur kristal heksagonal menyerupai sarang lebah. Graphene memiliki sifat
Lebih terperinciPECVD SISTEM PERMASALAHAN DAN PENYELESAINNYA
PECVD SISTEM PERMASALAHAN DAN PENYELESAINNYA Rizky Mayang Dessyntya (1), Eddy Yahya (2) Program Studi Sarjana Fisika, Institut Teknologi Sepuluh Nopember, Surabaya, Indonesia (1) Dosen Fisika, Institut
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 LatarBelakang
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 LatarBelakang Proses pembangunan disegala bidang selain membawa kemajuan terhadap kehidupan manusia, tetapi juga akan membawa dampak negative bagi lingkungan hidup. Industrialisasi
Lebih terperinciBAB I 1 PENDAHULUAN. kemampuan mengubah bentuk radiasi cahaya menjadi sinyal listrik. Radiasi yang
BAB I 1 PENDAHULUAN 1.1 LATAR BELAKANG MASALAH Fotodiode merupakan sebuah peranti semikonduktor yang memiliki kemampuan mengubah bentuk radiasi cahaya menjadi sinyal listrik. Radiasi yang dapat diterima
Lebih terperinciKARAKTERISASI TiO 2 (CuO) YANG DIBUAT DENGAN METODA KEADAAN PADAT (SOLID STATE REACTION) SEBAGAI SENSOR CO 2
KARAKTERISASI TiO 2 (CuO) YANG DIBUAT DENGAN METODA KEADAAN PADAT (SOLID STATE REACTION) SEBAGAI SENSOR CO 2 Hendri, Elvaswer Jurusan Fisika FMIPA Universitas Andalas Kampus Unand, Limau Manis, Padang,
Lebih terperincirto " \r = --*- ----E- sn=,==-qqge, ;l *neningkatan Kreatifitas ll danpembetraiarlan}{lpa" ll Fry'nelal*iMrPA
" \r = --*- ----E- sn=,==-qqge, ;l *neningkatan Kreatifitas rto ll Fry'nelal*iMrPA & ll danpembetraiarlan}{lpa" SIMULASI PENENTUAN DAYA RF OPTIMTIM DALAM PROSES TABRIKASI SEL SURYA BERBASIS SILIKON AMORF
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pengembangan material yang memiliki ketahanan terhadap temperatur tinggi merupakan salah satu topik menarik yang terus dikaji oleh peneliti. Contoh aplikasi penggunaan
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. energi cahaya (foton) menjadi energi listrik tanpa proses yang menyebabkan
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Sel surya merupakan suatu piranti elektronik yang mampu mengkonversi energi cahaya (foton) menjadi energi listrik tanpa proses yang menyebabkan dampak buruk terhadap
Lebih terperinciTeknologi Plasma. dalam Industri Manufaktur Semikonduktor dan Divais Elektronik. (Bagian I) Prof. Dr. Ir. Setijo Bismo, DEA.
Teknologi Plasma dalam Industri Manufaktur Semikonduktor dan Divais Elektronik (Bagian I) Prof. Dr. Ir. Setijo Bismo, DEA. Departemen Teknik Kimia Fakultas Teknik Universitas Indonesia Monday, 12 October
Lebih terperinciPENGARUH FILTER WARNA KUNING TERHADAP EFESIENSI SEL SURYA ABSTRAK
PENGARUH FILTER WARNA KUNING TERHADAP EFESIENSI SEL SURYA ABSTRAK Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh filter warna kuning terhadap efesiensi Sel surya. Dalam penelitian ini menggunakan metode
Lebih terperinciTEMA: ENERGI TERBARUKAN. FABRIKASI SEL SURYA BERBASIS SILIKON DENGAN LAPISAN ANTI REFLEKSI ZnO MENGGUNAKAN TEKNOLOGI THICK FILM
Bidang Ilmu Teknologi RINGKASAN LAPORAN TAHAP I HIBAH KOMPETITIF PENELITIAN SESUAI PRIORITAS NASIONAL TEMA: ENERGI TERBARUKAN FABRIKASI SEL SURYA BERBASIS SILIKON DENGAN LAPISAN ANTI REFLEKSI ZnO MENGGUNAKAN
Lebih terperinciKARAKTERISASI SIFAT OPTIK BAHAN BARIUM TITANAT (BaTiO 3 ) DENGAN MENGUNAKAN SPEKTROSKOPI ULTRAVIOLET-VISIBLE (UV-Vis)
KARAKTERISASI SIFAT OPTIK BAHAN BARIUM TITANAT (BaTiO 3 ) DENGAN MENGUNAKAN SPEKTROSKOPI ULTRAVIOLET-VISIBLE (UV-Vis) R. Yulis 1, Krisman 2, R. Dewi 2 1 Mahasiswa Program Studi S1 Fisika 2 Dosen Jurusan
Lebih terperinciDARI HAMBURAN ATOM HINGGA MATERIAL SEMIKONDUKTOR
Pidato Ilmiah Guru Besar Profesor Toto Winata DARI HAMBURAN ATOM HINGGA MATERIAL SEMIKONDUKTOR Balai Pertemuan Ilmiah ITB Hak cipta ada pada penulis Pidato Ilmiah Guru Besar Profesor Toto Winata DARI HAMBURAN
Lebih terperinciBAB IV PERHITUNGAN & ANALSIS HASIL KARAKTERISASI XRD, EDS DAN PENGUKURAN I-V MSM
BAB IV PERHITUNGAN & ANALSIS HASIL KARAKTERISASI XRD, EDS DAN PENGUKURAN I-V MSM Pada bab sebelumnya telah diperlihatkan hasil karakterisasi struktur kristal, morfologi permukaan, dan komposisi lapisan.
Lebih terperinciPENENTUAN PANJANG GELOMBANG EMISI PADA NANOPARTIKEL CdS DAN ZnS BERDASARKAN VARIASI KONSENTRASI MERCAPTO ETHANOL
PENENTUAN PANJANG GELOMBANG EMISI PADA NANOPARTIKEL CdS DAN ZnS BERDASARKAN VARIASI KONSENTRASI MERCAPTO ETHANOL Muhammad Salahuddin 1, Suryajaya 2, Edy Giri R. Putra 3, Nurma Sari 2 Abstrak:Pada penelitian
Lebih terperinciKarakterisasi XRD. Pengukuran
11 Karakterisasi XRD Pengukuran XRD menggunakan alat XRD7000, kemudian dihubungkan dengan program dikomputer. Puncakpuncak yang didapatkan dari data pengukuran ini kemudian dicocokkan dengan standar difraksi
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Bidang elektronik saat ini memegang peranan penting di berbagai sektor
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Penulisan Bidang elektronik saat ini memegang peranan penting di berbagai sektor pembangunan. Hal ini terlihat dari banyaknya penggunaan piranti elektronik di setiap
Lebih terperinciPERBEDAAN EFISIENSI DAYA SEL SURYA ANTARA FILTER WARNA MERAH, KUNING DAN BIRU DENGAN TANPA FILTER
PERBEDAAN EFISIENSI DAYA SEL SURYA ANTARA FILTER WARNA MERAH, KUNING DAN BIRU DENGAN TANPA FILTER Oleh: Muhammad Anwar Widyaiswara BDK Manado ABSTRAK Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui perbedaan
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Kebutuhan energi yang terus meningkat dan semakin menipisnya cadangan minyak bumi dan gas alam menjadi pendorong bagi manusia untuk mencari sumber energi alternatif.
Lebih terperinciIII. METODE PENELITIAN
21 III. METODE PENELITIAN 3.1 Waktu dan Tempat Penelitian Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Agustus 2010 - Juni 2011 di Laboratorium Biofisika dan Laboratorium Fisika Lanjut, Departemen Fisika IPB.
Lebih terperinciBAB II TINJAUAN PUSTAKA
BAB II TINJAUAN PUSTAKA Material semikonduktor adalah material yang memiliki konduktivitas listrik diantara konduktor dan isolator (10-8 S/cm < σ < 10 4 S/cm), σ adalah konduktivitas. Konduktivitas material
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Nanoteknologi adalah ilmu yang mempelajari, menciptakan dan merekayasa material berskala nanometer dimana terjadi sifat baru. Kata nanoteknologi berasal dari
Lebih terperinciLogo SEMINAR TUGAS AKHIR. Henni Eka Wulandari Pembimbing : Drs. Gontjang Prajitno, M.Si
SEMINAR TUGAS AKHIR Add Your Company Slogan STUDI AWAL FABRIKASI DAN KARAKTERISASI DYE SENSITIZED SOLAR CELL (DSSC) MENGGUNAKAN EKSTRAKSI BUNGA SEPATU SEBAGAI DYE SENSITIZERS DENGAN VARIASI LAMA ABSORPSI
Lebih terperinciI. PENDAHULUAN. Lapisan tipis adalah suatu lapisan yang sangat tipis terbuat dari bahan organik,
I. PENDAHULUAN A. Latar Belakang Lapisan tipis adalah suatu lapisan yang sangat tipis terbuat dari bahan organik, inorganik, logam maupun campuran metal organik dan memiliki sifat-sifat konduktor, semikonduktor
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Energi cahaya matahari dapat dikonversi menjadi energi listrik melalui suatu sistem yang disebut sel surya. Peluang dalam memanfaatkan energi matahari masih
Lebih terperinciKARAKTERISASI MIKROSTRUKTUR FEROELEKTRIK MATERIAL SrTiO 3 DENGAN MENGGUNAKAN SCANNING ELECTRON MICROSCOPY (SEM)
KARAKTERISASI MIKROSTRUKTUR FEROELEKTRIK MATERIAL SrTiO 3 DENGAN MENGGUNAKAN SCANNING ELECTRON MICROSCOPY (SEM) Kaspul Anuwar 1, Rahmi Dewi 2, Krisman 2 1 Mahasiswa Program S1 Fisika FMIPA-Universitas
Lebih terperinciHari Gambar 17. Kurva pertumbuhan Spirulina fusiformis
11 HASIL DAN PEMBAHASAN Kultivasi Spirulina fusiformis Pertumbuhan Spirulina fusiformis berlangsung selama 86 hari. Proses pertumbuhan diketahui dengan mengukur nilai kerapatan optik (Optical Density).
Lebih terperinci