Nama Anggota Kelompok: 1. Ahmad Samsudin 2. Aisyah Nur Rohmah 3. Dudi Abdu Rasyid 4. Ginanjar 5. Intan Dwi 6. Ricky

dokumen-dokumen yang mirip
MAKALAH PITA ENERGI. Di susun oleh, Pradita Ajeng Wiguna ( ) Rombel 1. Untuk Memenuhi Tugas Mata Kuliah Fisika dan Teknologi Semikonduktor

KONDENSASI BOSE-EINSTEIN. Korespondensi Telp.: , Abstrak

Mengenal Sifat Material. Teori Pita Energi

PENDAHULUAN. Di dalam modul ini Anda akan mempelajari Gas elektron bebas yang mencakup: Elektron

Elektron Bebas. 1. Teori Drude Tentang Elektron Dalam Logam

PENDAHULUAN. Di dalam modul ini Anda akan mempelajari Kristal Semikonduktor yang mencakup:

DASAR PENGUKURAN LISTRIK

Chap 7. Gas Fermi Ideal

Struktur atom merupakan satuan dasar materi yang terdiri dari inti atom beserta awan elektron bermuatan negatif yang mengelilinginya.

tak-hingga. Lebar sumur adalah 4 angstrom. Berapakah simpangan gelombang elektron

MODUL 1 KULIAH SEMIKONDUKTOR

E 2 E 1. E 3s r 2 r 1. energi. Jarak antar atom

SOLUTION INSTITUT TEKNOLOGI BANDUNG FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM PROGRAM STUDI FISIKA

BA B B B 2 Ka K ra r kt k eri r s i tik i k S is i tem Ma M kr k o r s o ko k p o i p k i Oleh Endi Suhendi

Modul - 4 SEMIKONDUKTOR

PARTIKEL DALAM BOX. Bentuk umum persamaan orde dua adalah: ay" + b Y' + cy = 0

BAB II PROSES-PROSES PELURUHAN RADIOAKTIF

BAB IV OSILATOR HARMONIS

STRUKTUR CRISTAL SILIKON

BAB IV PERHITUNGAN & ANALSIS HASIL KARAKTERISASI XRD, EDS DAN PENGUKURAN I-V MSM

Karakterisasi XRD. Pengukuran

BAGIAN 1 PITA ENERGI DALAM ZAT PADAT

Bab 1. Semi Konduktor

DAFTAR ISI. ABSTRAK... i. KATA PENGANTAR... ii. UCAPAN TERIMA KASIH... iii. DAFTAR ISI... v. DAFTAR GAMBAR... viii. DAFTAR SINGKATAN DAN LAMBANG...

What Is a Semiconductor?

PENDAHULUAN RADIOAKTIVITAS TUJUAN

Superfluid si cairan ajaib

Bab 6. Elektron Dalam Zat Padat (Teori Pita Energi)

VIII. Termodinamika Statistik

1. Semikonduktor intrinsik : bahan murni tanpa adanya pengotor bahan lain. 2. Semikonduktor ekstrinsik : bahan mengandung impuritas dari bahan lain

Struktur dan Prinsip Kerja Transistor Metal Oxide Semiconductor (MOS)

KB.2 Fisika Molekul. Hal ini berarti bahwa rapat peluang untuk menemukan kedua konfigurasi tersebut di atas adalah sama, yaitu:

Teori Kinetik Gas Teori Kinetik Gas Sifat makroskopis Sifat mikroskopis Pengertian Gas Ideal Persamaan Umum Gas Ideal

T 19 Kerapatan Keadaan pada Struktur Nano Berbentuk Sumur Nano, Kawat Nano dan Titik Nano

Oleh: Widya Wati, M.Pd 1

BAB V Simulasi Electronic Charged State Individual Quantum dot Berbasis Silikon

ANALISA KELAKUAN PARTIKEL BERDASARKAN STATISTIK MAXWELL-BOLZTMANN BOSE-EINSTEIN DAN FERMI-DIRAC SKRIPSI. Rio Tambunan

MOLEKUL, ZAT PADAT DAN PITA ENERGI MOLEKUL ZAT PADAT PITA ENERGI

SEMIKONDUKTOR oleh: Ichwan Yelfianhar dirangkum dari berbagai sumber

MATERI II TINGKAT TENAGA DAN PITA TENAGA

HASIL DAN PEMBAHASAN. Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC)

1. Perpotongan antara garis beban dan karakteristik dioda menggambarkan: A. Titik operasi dari sistem B. Karakteristik dioda dibias forward

PENDAHULUAN. Di dalam modul ini Anda akan mempelajari Gas elektron bebas yang mencakup: Elektron

BAB I PENDAHULUAN. dari perkembangan divais elektronik yang semakin mengecil secara ukuran namun

DUALISME GELOMBANG-PARTIKEL. Oleh: Fahrizal Eko Setiono

BABU TINJAUAN PUSTAKA. Di dalam fisika dan optika, garis-garis Fraunhofer adalah sekumpulan

KB 1. Usaha Magnetik Dan Pendinginan Magnetik

PARTIKEL DALAM SUATU KOTAK SATU DIMENSI

KERAMIK Mimin Sukarmin, S.Si., M.Pd.

IKATAN KIMIA DALAM BAHAN

Pertambahan arus ΔI yang melalui pertambahan permukaan ΔS yang normal pada rapatan arus ialah

Bab 1 Bahan Semikonduktor. By : M. Ramdhani

GARIS BESAR PROGRAM PEMBELAJARAN (GBPP)

Atom silikon dan germanium masingmempunyai empat elektron valensi. Oleh karena itu baik atom silikon maupun atom germanium disebut juga dengan atom

SATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH : DEVAIS MIKROELEKTRONIKA* (Ujian Utama) KODE MK / SKS : KK / 3

Struktur Atom. Struktur atom merupakan satuan dasar materi yang terdiri dari inti atom beserta awan elektron bermuatan negatif yang

EVOLUSI BINTANG. Adalah proses panjang yang dialami sejak kelahiran sampai dengan kematian. bintang

Dioda Semikonduktor dan Rangkaiannya

Uji Kekerasan Material dengan Metode Rockwell

DAFTAR ISI. PERNYATAAN BEBAS PLAGIARISME... ii. HALAMAN PENGESAHAN... iii. HALAMAN TUGAS... iv. HALAMAN PERSEMBAHAN... v. HALAMAN MOTO...

Soal Teori Kinetik Gas

Chap. 8 Gas Bose Ideal

Copyright all right reserved

Perumusan Ensembel Mekanika Statistik Kuantum. Part-1

Bab VIII Teori Kinetik Gas

ORBITAL DAN IKATAN KIMIA ORGANIK

ELEKTRONIKA DASAR. Kode matkul : 727 SKS : 4 SKS Waktu : 180 menit

BAB II TINJAUAN PUSTAKA

BAB II TINJAUAN PUSTAKA

Gambar Semikonduktor tipe-p (kiri) dan tipe-n (kanan)

Semikonduktor. Sifat. (ohm.m) Tembaga 1,7 x 10-8 Konduktor Silikon pd 300 o K 2,3 x 10 3 Semikonduktor Gelas 7,0 x 10 6 Isolator

a. Lattice Constant = a 4r = 2a 2 a = 4 R = 2 2 R = 2,8284 x 0,143 nm = 0,4045 nm 2

Asisten: (Heldi Alfiadi/ ) Tanggal Praktikum: ( ) Kata Kunci : Efek Hall, Potensial Hall, Gaya Lorentz

Efek de Haas-Van Alphen

BAB I PENDAHULUAN. akibat dari interaksi di antara penyusun inti tersebut. Penyusun inti meliputi

BANK SOAL SELEKSI MASUK PERGURUAN TINGGI BIDANG KIMIA 1 BAB I STRUKTUR ATOM

MIKROELEKTRONIKA. Gejala Transport dalam Semikonduktor. D3 Teknik Komputer Universitas Gunadarma

KIMIA INTI DAN RADIOKIMIA. Stabilitas Nuklir dan Peluruhan Radioaktif

peroleh. SEcara statistika entropi didefinisikan sebagai

Proceeding Seminar Nasional Tahunan Teknik Mesin XIV (SNTTM XIV) Banjarmasin, 7-8 Oktober 2015 Pengaruh Variasi Luas Heat Sink

Struktur dan konfigurasi sel Fotovoltaik

BAB I PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang

kimia KONFIGURASI ELEKTRON

BAB I PENDAHULUAN. Perkembangan ilmu pengetahuan dan teknologi sangat mempengaruhi peradaban

Fungsi distribusi spektrum P (λ,t) dapat dihitung dari termodinamika klasik secara langsung, dan hasilnya dapat dibandingkan dengan Gambar 1.

BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Indra Irawan, 2015

Teori Kinetik Gas. C = o C K K = K 273 o C. Keterangan : P2 = tekanan gas akhir (N/m 2 atau Pa) V1 = volume gas awal (m3)

MODUL 05 SPEKTRUM ATOM

ENERGETIKA KESTABILAN INTI. Sulistyani, M.Si.

Asisten : Robby Hidayat / Tanggal Praktikum :

BAB 2 TINJAUAN PUSTAKA

BAB II LANDASAN TEORI

12-9 Pengaruh dari Kapasitor Pintas Emiter pada Tanggapan Frekuensi-Rendah

PERTEMUAN 2 TEORI DASAR (DIODA)

WinHEC /15/2015. Materi. Pengenalan elektronika Dasar. Pertemuan ke II

EFEK HALL. Laboratorium Fisika Material, Departemen Fisika Fakultas Sains dan Teknologi Universitas Airlangga Surabaya

GAS FERMI ELEKTRON BEBAS

BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang

BAB I PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang Masalah

PERTEMUAN KEEMPAT FISIKA MODERN TEORI KUANTUM TENTANG RADIASI ELEKTROMAGNET TEKNIK PERTAMBANGAN UNIVERSITAS MULAWARMAN

Transkripsi:

Nama Anggota Kelompok: 1. Ahmad Samsudin 2. Aisyah Nur Rohmah 3. Dudi Abdu Rasyid 4. Ginanjar 5. Intan Dwi 6. Ricky A. Aplikasi Statistik Bose-Einstein 1.1. Kondensasi Bose-Einstein Gambar 1.1 Salah satu hasil pengukuran yang membuktikan fenomena kondensasi Bose-Einstein Kita kembali melihat bentuk fungsi distribusi Bose-Einstein. Jumlah sistem yang menempati keadaan dengan energi pada suhu T adalah { } Tampak jelas dari ungkapan di atas bahwa pada suhu yang sangat rendah, sistem-sistem akan terkonsentrasi di keadaan-keadaan dengan energi sangat rendah. Jika maka jumlah sistem yang menempati tingkat energi paling rendah, tingkat energi kedua, ketiga dan seterusnya makin dominan. Jumlah sistem yang menempati keadaan 0keadaan dengan nilai energi tinggi makin dapat diabaikan. Hampir semua sistem akan berada pada tingkat energi terendah jika suhu didinginkan hingga dalam orde. Gambar di atas memperlihatkan evolusi populasi boson pada tingkat energi terendah (bagian

tengah kurva). Pada suhu rendah hampir sama boson berada pada tingkat energi paling Namun ada fenomena yang menarik di sini. Ternyata untuk boson, keadaan dengan energi terendah dapat ditempati oleh sistem dalam jumlah yang sangat besar pada suhu yang jauh lebih tinggi dari Dengan kata lain, boson tiak tidak perlu menunggu suhu terendah untuk mendapatkan sistem dalam jumlah yang sangat besar pada tingkat energi terendah. Pada beberapa material, seperti helium, jumlah sistem yang sangat besar pada tingkat energi terendah dapat diamati pada suhu setinggi. Jadi terjadi semacam kondensasi boson pada suhu yang jauh lebih tinggi dari prediksi klasik. Fenomena ini dikenal dengan kondensai Bose-Einstein. 1.1.1. Kebergantungan Potensial Kimia pada Suhu Mari kita tengok kembali fungsi distribusi Bose-Einstein. Untuk mudahnya kita gunakan skala energi sehingga tingkat terendah memiliki energi Populasi keadaan dengan tingkat energi sembarang diberikan oleh persamaan (1.53). Jumlah populasi yang menempati tingkat energi terendah adalah { } Pada suhu hampir semua sistem menempati keadaan dengan energi terendah. Dengan demikian, jumlah populasi pada tingkat ini memiliki orde kira-kira sama dengan jumlah total sistem, atau Karena nilai N sangat besar (dalam orde ) maka ketika penyebut pada 1/[ * + - harus menuju nol. Jika tidak maka 1/[ * + - tidak akan menghasilkan nilai N yang sangat besar. Nilai [ * + - akan menuju nol hanya jika * + menuju satu. Dari sifat fungsi eksponensial bahwa, - mendekati 1 jika x. Jadi disimpulan bahwa pada akan berlaku maka dapat dilakukan aproksimasi. /

Jadi dapat diaproksimasikan sebagai berikut ini Atau. / Hubungan pada persamaan (1.57) menyatakan bahwa pada suhu T menuju 0 maka berharga negatif dan merupakan fungsi linear dari suhu. Sebagai ilustrasi, pada T=1 K dan N= maka. Ini adalah nilai yang sangat kecil. Bahkan nilai ini jauh lebih kecil daipada jarak antar dua tingkat energi terdekat dalam assembli atom helium di alam kubus dengan sisi 1 cm. Kebergantungan pada suhu itulah yang menyebabkan peristiwa kondensasi Bose-Einstein. Agar lebih memahami fenomena kondensasi Bose-Einstein, perhatikan sistemsistem yang berada dalam kubus dengan sisi L. Tingkat-tingkat energi yang dimiliki assembli memenuhi. / Tingkat energi terendah bersesuaian dengan, yaitu. / Salah satu tingkat energi berikutnya bersesuaian dengan yaitu,. / Selisih tingkat energi terendah dan tingkat energi berikutnya adalah. / Jika assembli tersebut adalah atom helium ( dengan sisi 1 cm makan. ) dalam kubus Apabila kita prediksi populasi sistem pada tingkat energi eksitasi pertama dan tingkat energi terendah dengan menggunakan statistik Maxwell-Boltzman adalah

Pada suhu maka Hasil diatas berarti bahwa pada suhu, tingkat energi terendah dan eksitansi pertama memiliki populasi yang hampir sama. Namun, dengan statistik Bose- Einstein didapatkan hasil yang sangat berbeda. Dnegan asumsi N= dan suhu T= 1 mk maka kita peroleh Jumlah populasi yang menempati tingkat energi eksitasi pertama (tepat di atas tingkat energi paling rendah) adalah Karena maka. Lebih lanjut, mengingat maka. Dengan demikian Dengan demikian, fraksi sistem pada tingkat energi eksitasi pertama adalah Tampak bahwa fraksi sistem pada tingkat energi eksitasi pertama amat kecil. Ini berarti bahwa sebagian besar sistem berada pada tingkat energi terendah. 1.1.2. Suhu Kondensasi Einstein Kerapatan keadaan kuantum untuk sistem dengan spin nol dapat ditulis dengan Pada suhu T menuju 0 sebagian sistem menempati tingkat energi terendah dengan jumlah yang sangat signifikan. Jumlah total sistem dalam assembli dapat ditulis

Dengan adalah jumlah sistem pada tingkat energi terendah dan dan jumlah total sistem yang menempati tingkat-tingkat energi lainnya. Dengan mengambil skala energi maka jumlah sistem pada tingkat energi terendah dapat ditulis. / Jumlah sistem yang menempati semua tingkat energi lainnya adalah. / Misalkan E/kT=x. Dengan demikian Selanjutnya integralnya dapat ditulis Akhirnya didapatkan Dengan dinamakan konsentrasi kuantum. Kita definisikan suku kondensasi Bose-Einstein, sebagai suhu ketika jumlah sistem pada keadaan terkesitasi persis sama dengan jumlah total sistem. Jadi pada T= terpenuhi. Dengan menggunakan persamaan (1.62) didapatkan bahwa pada suhu kondensasi Bose-Einstein terpenuhi Yang memberikan

Gambar 1.2 Fraksi superfluida (sistem yang menempati keadaan dasar) dan fluida normal (sistem yang menempati keadaan eksitasi) dalam assembli boson sebagai fungsi suhu ketika suhu berada di bawah suhu kondensasi Bose-Einstein. Pada sembarang suhu yang mendekati nol derajat, fraksi jumlah sistem pada keadaan tereksitasi adalah Berarti pula bahwa fraksi jumlah sistem pada keadaan paling rendah adalah Gambar 1.11 adalah fraksi boson yang mempunyai keadaan energi terendah dan boson yang menempati keadaan terkesitasi sebagai fungsi suhu. Boson yang terkodensasi membentuk fase yang dinamakan superfluida dan boson yang menempati keadaan tereksitasi dinamakan fluida normal. Superfluida hanya dijumpai ketika suhu lebih rendah dari. B. Aplikasi Statistik Fermi-Dirac 2.1. MOS Transistor Metal Oxida Semiconductor Transistor (MOS Transistor), adalah divais simekonduktor yang bekerja berdasarkan transport elektron ataupun hole dalam pita energi. Gambar 2.1 di bawah adalah model sebuah MOS Transistor yang berada di atas subtrat Silikon-n. MOS Transistor memiliki tiga penghubung diantaranya Source, Drain dan Gate yang bekerja dengan prinsip : jika ada tegangan diberikan pada elektroda gate, maka transistor akan

hidup dan arus akan mengalir dari source menuju drain, kebalikannya jika tegangan pada gate dimatikan, maka transistor akan mati sehingga tidak ada arus yang mengalir dari source ke drain. Gambar 2.1. Desain sebuah MOS Transistor Dalam statistik Fermi Dirac, partikel-partikel di dalam sistem (ensemble) dianggap sebagai partikel-partikel yang tak terbedakan, tetapi partikel tersebut harus memenuhi prinsip larangan Pauli yang menyatakan bahwa partikel tidak dapat berada pada keadaan kuantum (keadaan energi) yang sama, artinya setiap partikel akan berada pada keadaan tertentu yang diperbolehkan tetapi keadaan masing-masing partikel berbeda diantara satu dengan lainnya. Harga dalam statistik Fermi Dirac dinyatakan dengan: dimana : Banyaknya keadaan-keadaan mikro yang mungkin terjadi pada keadaan makro k : bilangan okupasi : keadaan makro pada tingkat energi ke-j Fermi Dirac menurunkan persamaan fungsi distribusi jumlah bilangan okupasi rata-rata untuk setiap keadaan pada tingkat energi ke j sebagai:. / dimana : Jumlah partikel rata-rata untuk setiap keadaan makro pada tingkat energi ke j : Harga kuantum energi pada tingkat keadaan ke j : potensial kimia perpartikel : konstanta Boltzman = 1,38 10-23 J/K

T : Temperatur sistem Partikel yang memenuhi fungsi distribusi Fermi Dirac digolongkan sebagai fermion, dan yang tergolong sebagai fermion (partikel dengan spin kelipatan ganjil dari ½) adalah elektron, proton, dan inti atom dengan jumlah nukleon ganjil. 2.1.1. Fungsi Distribusi Fermi Dirac dan Level Fermi Pita konduksi adalah bagian dari semikonduktor yang terisi disediakan oleh level energi yang kosong. Ketika mengjitung jumlah elektron yang akan mengisi level tersebut dan dihitung dalam n, berkontribusi pada konduktivitas, kita mengacu pada dua faktor: Berapa jumlah energi level yang ada dalam memberi range energi, dalam kasus kita yaitu pita konduksi Kemungkinan masing-masing level penuh akan elektron Kemungkinan bagian kedua memberikan fungsi probabilitas yang disebut fungsi distribusi Fermi Dirac. f(e) adalah kemungkinan level dengan energi E akan terisi oleh elektron, ditunjukan dalam persamaan: { } Dimana adalah konstanta Boltzman, dan T adalah temperatur dalam Kelvin. adalah energi Fermi atau level Fermi. Dia ditentukan dari titik energi dimana probabilitas okupasi oleh elektron hampir 50% atau 0,5: ( )