SUMBER OPTIK (Laser) Ref : Keiser

SUMBER OPTIK (Laser) Ref : Keiser

Laser Ukuran sumber laser dari sebesar butiran garam s/d sebesar ruangan. Media lasing bisa berupa gas, cairan atau padat. Utk sistem fiber optik yg paling cocok hanya dioda laser semikonduktor. Radiasi emisi keluaran sangat monochromatis dan terarah.

Emisi Laser

Isotropic, random phase, gaussian In phase with incident photon Proses utama pd Emisi Laser

Mode dioda laser dan kondisi batas Radiasi pd dioda laser terjadi dlm ruang resonator Fabry-Perot. Ukuran ruang panjang (longitudinal) 250 s/d 500 μm, lebar (lateral) 5 s/d 15 μm tebal (transverse) 0,1 s/d 0,2 μm. Dioda laser jenis lain adalah Distributed FeedBack (DFB), tdk perlu permukaan terpisah utk optical feedback, tetapi menggunakan Bragg reflector (grating) atau variasi indeks bias (distributed-feedback corrugation) pd struktur multilayer sepanjang dioda. Reflektor dielektrik disisi belakang laser digunakan utk mengurangi loss di ruangan, mengurangi kepadatan arus threshold dan meningkatkan efisiensi kuantum eksternal.

for optical feedback Ruang resonator

Ruang resonator Fabry-Perot

Struktur dioda laser DFB

Mode dioda laser dan kondisi batas Radiasi optis dlm ruang resonansi menentukan pola garis medan listrik dan magnit disebut modus dr cavity. Modus longitudinal: Berkaitan dng panjang ruangan L Menentukan spektrum frekuensi radiasi optis yg diemisikan L > λ > 1 modus longitudinal. Modus lateral: Terletak pd bidang pn junction Tergantung dinding sisi samping dan lebar ruang Menentukan bentuk profil lateral berkas laser Modus transverse : Berkaitan dgn profil berkas dan medan elektromagnit arah tegak lurus bidang pn junction. Moda tsb meentukan karakteristik laser spt pola radiasi dan kepadatan arus threshold.

Mode dioda laser dan kondisi batas Lasing : kondisi dimana memungkinkan terjadinya penguatan cahaya. Syarat terjadi lasing : ada inversi populasi. g th α t α Γg th α = α + t 1 2L ln : penguatan optis lasing-threshold : loss total 1 R R : koefisien absorbsi efektif bahan pd lintasan optis R1, R2 : Reflektifitas cermin 1, cermin 2 L Γ : panjang ruang resonansi : faktor optical confinement (bagian daya optis di lapisan aktif) 1 2

Arus threshold I th : ekstrapolasi daerah lasing kurva daya thd arus. Grafik daya keluaran optis dan arus pacu dioda laser

Efisiensi kuantum diferensial eksternal Efisiensi kuantum diferensial eksternal η ext Ξ jumlah photon yg diemisikan setiap rekombinasi pasangan elektron-hole radiatif diatas threshold. η ext ηi = ( g α ) η i : efisiensi kuantum internal, hasil pengukuran pd suhu ruang bernilai antara 0,6 s/d 0,7 th g th Dr percobaan : q dp ηext = = 0, 8065λ E di g ( μm) dp di ( mw ) ( mw )

Frekuensi resonansi Kondisi steady state jika : Amplitudo : I (2L) = I (0) Phasa : e -j2βl = 1 2βL = 2πm jika β = 2πn / λ maka m = L λ / 2n = 2Ln c f Setiap frekuensi berkaitan dengan modus osilasi. Tergantung pd struktur laser akan terdapat beberapa frekuensi laser singlemode dan multimode

λ o σ Relasi antara penguatan dan panj gelombang dpt diasumsikan berbentuk gaussian : g (o) : panj gel di pusat spektrum : lebar spektral penguatan g = g ( λ ) ( 0) e ( λ λ ) : penguatan maksimum sebanding dgn inversi populasi 2σ o 2 2 Jarak antara 2 frekuensi yg berdekatan : Δf = c 2Ln Jarak antara 2 panj gel yg berdekatan : Δλ = 2 λ 2Ln

Spektrum dioda laser GaAlAs/GaAs

Contoh Laser GaAs bekerja pd frek 850 nm memiliki resonator dng panjang 500 μm dan indeks bias n = 3,7. Berapa jarak frekuensi dan panjang gelombang terdekatnya? Jika ttk setengah daya λ λo = 2 nm, berapa lebar spektral penguatan σ?

Struktur dioda laser dan pola radiasi Cara membatasi gel optis : Gain-guided, pita elektrode sempit (< 8 μm) diletakkan sepanjang dioda Index-guided : Positive-index waveguide, daerah tengah memiliki indeks bias lebih tinggi dibandingkan dgn daerah pinggir semua cahaya terpandu dipantulkan dibatas dielektrik. Pemilihan indeks bias dan lebar daerah indeks bias tinggi akan dpt mengasilkan laser hanya memiliki modus lateral fundamental. Negative-index waveguide, daerah tengah memiliki indeks bias lebih rendah dibandingkan dgn daerah pinggir sebagian cahaya dipantulkan dan sebagian dibiaskan keluar shg terjadi loss.

Low-refractive index region High-refractive index region Low-refractive index region Tiga struktur dasar cara membatasi gelombang optis pd arah lateral. (a) Gain-guided laser. (b) Pandu gel positive-index. (c) Pandu gel negative-index.

Index-guided, dpt dibuat menggunakan salah satu dr 4 struktur dasar : Buried Heterostructure (BH) Selectively diffused construction Varying-thickness structure Bent-layer configuration Selain pembatasan gel optis utk mendapatkan daya keluaran optis yg besar dibutuhkan membatasi arus pacu secara ketat pd lapisan aktif sehingga lebih dr 60 % arus berkontribusi pd proses lasing.

4 metode dasar current-confinement, setiap metode menahan arus pd kedua sisi daerah lasing, dgn cara daerah highresistivity atau tegangan mundur pn junction : Preferential-dopant diffusion : Proton implantation Inner-stripe confinement Regrowth of back-biased pn junction

Dioda laser Buried Heterostructure : (a) GaAlAs panjang gelombang pendek (800 900 nm) (b) InGaAsP panjang gelombang panjang (1300 1600 nm)

Struktur positive-index optical-wave-confining (a) Selectively diffused (b) Varying-thickness (c) Bent-layer

Dioda laser current confinement

Utk mendapatkan daya keluaran besar dpt juga dilakukan dgn : (a) Thin-active-layer (TAL) (b) Large optical cavity (LOC)

Single-mode laser Single mode laser, memiliki modus longitudinal tunggal dan modus transverse tunggal. Utk mendapatkan laser modus longitudinal tunggal : Mengurangi panjang ruang lasing L shg jarak frekuensi f lebih besar lebar garis transisi laser. Misalnya ruang Fabry-Perot L = 250 μm, λ = 1 nm, pd λ = 1300 nm. Jika L menjadi 25 μm, maka λ = 10 nm. Tetapi membuat panjang tsb sulit dilakukan. Laser emisi permukaan (SEL) Struktur yg memiliki built-in frequency selective resonator.

Struktur laser emisi permukaan GaAlAs

3 jenis struktur laser menggunakan built-in frequency-selective resonator grating : (a) DFB (b) DBR (c) DR

k n e B Λ = 2 λ Λ : perioda gel n e : indeks bias efektif modus k : orde grating Modus longitudinal dipisahkan simetris sekitar λb : + ± = 2 1 2 2 m L n e e B B λ λ λ Panjang gelombang Bragg :

Spektrum keluaran terdistribusi sekitar λ B dr dioda laser DFB

Sifat daya keluaran optis pd ketergantungan suhu

Konstruksi pemancar dioda laser menggunakan thermoelectric cooler utk stabilisasi.

Ttk bias dan wilayah modulasi amplitudo pd aplikasi analog LED

Ttk bias dan wilayah modulasi amplitudo pd aplikasi analog Laser