SIMULASI PERANTI MODEL BASIS SEL SURYA p + -n-n + (x) PENDOPINGAN TINGGI
|
|
- Suparman Johan
- 7 tahun lalu
- Tontonan:
Transkripsi
1 Simulasi Peranti Model Basis Sel Surya SIMULASI PERANTI MODEL BASIS SEL SURYA p + -n-n + (x) PENDOPINGAN TINGGI Staf Pengajar Jurusan Fisika FMIPA Unimed Abstrak: Kecepatan rekombinasi permukaan efektif S EFF model basis sel surya hubungan tinggi-rendah berdistribusi ketidakmurnian kerapatan doping fungsi pangkat telah diteliti. Model diterapkan pada hubungan n- n + (x) sel surya dengan memakai masukan data eksperimen sempitan celah pita energi, waktu hidup dan mobilitas. Simulasi peranti model mengungkap: (a) kecepatan rekombinasi efektif S EFF nyata membatasi voltasi rangkaian terbuka V oc dan kerapatan arus rangkaian hubung singkat J SC sel surya kristal silikon medan permukaan p + -n-n + (x), serta (b) sempitan celah pita energi penting dalam memanifestasi batas tersebut. Abstract: A theoretical model of solar cell to calculate the effective surface recombination velocity (S EFF ) with a power doping density profile impurity distribution was investigated. The model is applied to n-n + (x) junctions solar cell using experimental data of bandgap energy narrowing, lifetime and mobility. The model imply that (a) effective surface recombination velocity significantly limits the open circuit voltage V OC and the short circuit current density J SC of p + -n-n + (x) back surface field crystal silicon solar cel, and (b) energy bandgap narrowing is important in the manifestation of these limitations. I. Pendahuluan 1.1 Latar Belakang Masalah Penelitian sel surya pada dasarnya difokuskan pada dua tujuan utama: pertama, untuk memperoleh model sel surya efisiensi tinggi dengan memanfaatkan teknologi canggih; kedua, untuk memperoleh model sel surya efisiensi rendah dengan memanfaatkan teknologi produksi konsumsi massa. Tujuan manapun yang diprioritaskan, penelitian selalu dimulai dengan mengembangkan model sel surya yang akan diteliti. Pemakaian program komputer sebagai pendukung pengembangan teknologi mikroroelektronika menimbulkan dampak positip pada pengembangan desain sel surya. Program komputer dapat memperpendek siklus pengembangan, dan pada gilirannya dapat mengurangi biaya pengembangan. Dengan simulasi komputer, para pendesain model sel surya dapat mengungkap sifat fisika dari proses dan karakteristik model sel surya yang disimulasikan tersebut. Simulasi komputer dapat mengganti pengujian eksperimen yang mahal. Selain itu, simulasi komputer dapat memeriksa operasi dalam di dalam sebarang peranti dengan mempergunakan simulasi ganda (Penumalli, 1986: 2-3). Harahap (1992: 50-67) telah meneliti solusi transpor pembawa minoritas material silikon kristal yang didoping tinggi berdasarkan pada analisis yang dilakukan Verhoef et al (1990: 19-28). Penelitian yang dilakukan Harahap terutama untuk melihat efek pengikutan parameter-parameter yang belum dimasukkan Verhoef et al dalam analisis mereka. Harahap menyelesaikan masalah kontinuitas pembawa minoritas dan persamaan arus untuk daerah silikon kristal tipe N yang didoping tinggi tak uniform. Solusi yang diperoleh Harahap berbentuk persamaan arus yang bebas integral dan iterasi, sehingga sifat fisika dapat dianalisis berdasarkan parameter-parameter yang tercakup dalam persamaan. Berdasarkan temuannya itu, Harahap (1993; 6-10) menerapkan solusi tersebut untuk memodel emiter sel surya memakai profil pendopingan fungsi eksponen. Untuk pendopingan fungsi pangkat, Sudiati et al (1993: 24-39) telah memodel emiter sel surya silikon kristal tipe N. Pada penelitan selanjutnya, Harahap (1994: 81-86) meneliti model basis sel surya memakai daerah medan permukaan belakang (Back Surface Fields: BSF) dengan pendopingan profil fungsi eksponen. Penelitian tersebut ditujukan untuk memperoleh model yang paling optimal dalam memaksimalkan voltase rangkaian terbuka sel surya. Berdasarkan uraian di atas dapat disimpulkan bahwa sejak Verhoef et al mempublikasikan hasil penelitiannya pada 1990, ada sedikitnya empat buah penelitian lain yang menganalisis lebih lanjut hasil pekerjaan Verhoef et al tersebut. Hasil penelitian lanjutan tersebut semuanya menunjukkan adanya kenaikan voltasi rangkaina terbuka sel surya, yang pada dasarnya akan menaikkan efisiensi sel surya. Namun, informasi tentang voltase rangkaian terbuka untuk model basis sel surya silikon kristal pendopingan tinggi memakai profil doping fungsi pangkat belum ada dipublikasikan pada saat penelitian ini dirancang. Dengan demikian, penelitian ini dilakukan untuk meneliti masalah penentuan model basis daerah medan permukaan belakang sel surya silikon kristal pendopingan tinggi memakai profil doping fungsi pangkat yang paling optimal dalam memaksimalkan voltase rangkaian terbuka sel surya. 43
2 Jurnal Sistem Teknik Industri Volume 6, No. 5 November Perumusan Masalah Penelitian ini dibatasi dengan merumuskan masalah sebagai berikut: Bagaimanakah model basis daerah permukaan belakang sel surya silikon kristal pendopingan tinggi memakai profil doping fungsi pangkat yang paling optimal dalam memaksimalkan voltase rangkaian terbuka sel surya? 1.3 Tujuan Penelitian Penelitian ini bertujuan untuk: (a) menganalisis hubungan kecepatan rekombinasi permukaan belakang efektif dengan kerapatan doping permukaan belakang untuk suatu ketebalan daerah pendopingan tinggi, dan (b) menganalisis hubungan voltase rangkaian terbuka terhadapa fungsi kecepatan rekombinasi permukaan belakang efektif sel surya silikon kristal pendopingan tinggi memakai profil doping fungsi pangkat. 1.4 Manfaat Penelitian Temuan penelitian diharapkan bermanfaat sebagai: (a) informasi tentang pengembangan perangkat lunak (program komputer) simulasi peranti yang berguna untuk mengganti suatu eksperimen yang mahal di bidang teknologi sel surya, dan (b) informasi tentang parameter-parameter fisis perancangan peranti sel surya sebelum fabrikasi dilakukan dan informasi tentang sel surya yang dapat dioptimasi sedininya dalam siklus pengembangan produk sel surya. II. Tinjauan Pustaka 2.1 Persamaan Transpor Pembawa Minoritas dalam Material Silikon Kristal Doping Tinggi Pada bagian ini diuraikan persamaan transpor pembawa minoritas bahan silikon kristal tipe N berdasarkan pada hasil analisis Harahap (1992), yang menghasilkan solusi umum untuk bahan tersebut. Asumsi yang diajukan dalam menentukan solusi: (a) parameter-parameter transpor hanya merupakan fungsi kedalaman (x) dalam material, sehingga transpor dapat diperlakukan dalam satu dimensi; (b) pembahasan dalam kondisi kuasi netral dan injeksi rendah, sehingga hanya diperlakukan untuk pembawa minoritas saja; dan (c) peranti yang dibahas dalam keadaan tunak. Himpunan persamaan yang harus ditentukan solusinya adalah sebagai berikut: J(x) = J diff + J drift = - e D dp dx + e μ p (2.1) 1 d p J + = 0 edx τ (2.2) d 1 d E = - V T ln (N) + EG dx e dx Δ (2.3) -k τ (N) = K N (2.4) -m μ (N) = M N (2.5) N ΔEG = e f V T ln [ ] N (2.6) Pada persamaan 2.1 sampai dengan persamaan 2.6 arti simbol adalah sebagai berikut: J menyatakan kerapatan arus, yang terdiri dari jumlah kerapatan arus difusi Jdiff dan kerapatan arus hanyut Jdrift; menyatakan mobilitas hole; menyatakan waktu hidup rekombinasi hole; D menyatakan diffusitas hole; p menyatakasn kerapatan hole; N menyatkan kerapatan doping; menyatakan sempitan sela pita energi yang muncul; E menyatakan medan listrik; e menyatakan besar muatan elektron; menyatakan voltase termal, dimana K, k, M,m, N0 adalah konstanta (besarnya secara lengkap dapat dilihat pada Harahap (1992:83-85). Penurunan dan penentuan solusi himpunan persamaan di atas untuk profil doping fungsi pangkat yang akan diteraspkan dlam penelitian ini dapat dilihat pada Verhoef (1990), Verhoef dan Sinke (1990) dan Harahap (1992). 2.2 Model Basis Sel Surya p+-n-n+ (x) Pendopingan Tinggi Pada penelitian ini model sel surya diajukan berdasarkan hasil analisis literatur (Penumalli, 1986; Fichner, 1988; Verhoef, 1990; Roulston, 1990; Harahap, 1992). Model ini belum diwujudkan dalam eksperimen. Namun, menurut perkiranan peneliti dengan didukung oleh penemuan peneliti lain, model ini mempunyai keuntungan dari segi kemudahan analisis. Hal ini karena model ini mengandung persamaan trasnpor yang tidak mengandung integral lipat sehingga sifat fisisnya transparan untuk dianalisis. Dari segi permasalahan penelitianini, model yang diajukan belum pernah diteliti secara tuntas, sehingga cocok untuk diteliti lebih lanjut. Model sel surya yang memakai profil doping fungsi pangkat layak untuk diteliti, untuk memperoleh gambaran luas tentang model-model sel surya yang memakai profil doping fungsi pangkat. Model teoretik sel surya p+-n-n+ (x) serta asumsi profil doping yang diajukan dapat dilihat pada gambar di bawah ini. 0 44
3 Simulasi Peranti Model Basis Sel Surya IV P + I III n I II n + (x) N E N B N BSF (x) N S Keterangan: I : Daerah muatan ruang (space charge region) antara daerah basis n dengan daerah kuasi netral medan permukaan belakang (back surface field: BSF) n + (x); I : Daerah muatan ruang antar daerah emiter p + dengan daerah basis n; II : Daerah BSF n + (x); III : Daerah basis n; IV : Daerah emiter p + ; N E : Konsentrasi doping emiter p + (pendopingan tinggi uniform); N B : Konsentrasi doping basis n (pendopingan rendah uniform) N BSF (x) : Konsentrasi doping basis BSF n + (x) (pendopingan tinggi tak uniform, profil doping fungsi pangkat); N S : Konsentrasi doping pada permukaan belakang basis BSF n + (x). III Metode Penelitian 3.1 Sifat Penelitian Penelitian ini bersifat eksploratif. Dengan demikian dalam penelitian ini tidak diajukan hipotesis penelitian. Penelitian ini menggabungkan pendekatan fisika teoretik dan fisika komputasional dalam pengembangan fisika semikonduktor sub bidang sel surya. Parameter-parameter empiris yang disdur dari berbagai literatur dihjadikan sebagai masukan simulasi peranti. 3.2 Variabel Penelitian Dalam penelitian ini ada tiga jenis variabel, yakni: variabel bebas, variabel terikat dan variabel moderator. Variabel bebas adalah kecepatan rekombinssi pada permukaan belakang sel surya. Variabel terikat adalah beda potensisla rangkaian terbuka sel surya. Variabel moderator adalah variabel yang juga berpengaruh pada beda potensial rangkaian terbuka sel surya, tetapi pengaruhnya tidak langsung. Variabel moderator berpengaruh langsung terhadap semua parameter-parameter masukan simulasi peranti. Variabel moderator dalm penelitian ini adalah x (kedalaman dalam bahan semikonduktor). Semua parameter-parameter yang terlibat pada setiap model matematis dalam simulasi peranti bergantung pada x. 3.3 Alat/teknik Pengumpulan Data Data dikumpulkan dengan memakai metode numerik pada simulasi peranti untuk model sel surya yang dikemukakan dalam penelitian ini. Masukanmasukan untuk simulasi peranti dengan model sel surya seperti ini adalah parameter-parameter persamaan transpor muatan minoritas. Ketelitian data yang diperoleh dengan metode numerik diketahui melalui teori ketidakpastian metode numerik yang dipakai. 3.4 Teknik Analisis Data a. Diplot (oleh komputer) hubungan antara voltase rangkaian terbuka sebagai fungsi kecepatan rekombinasi permukaan Metode numerik sebagaimana dikemukakan di atazs digunakan untuk menentukan arus dalam keadaan gelap berdasakan solusi numerik yang diterapkan pada model sel surya dalam penelitian ini. b. Besar nilai-nilai parameter-parameter tertentu yang diharapkan dapat menunjukkan pengaruh pada sifat peranti ditabelkan untuk melihat keadaan-keadaan khusus c. Dianalisis hasil simulasi peranti dengan cara membandingkannya dengan hasil simulasi peranti yang telah ditemukan penelitia lain 9 merujuk ke literatur). Analisis dilakukan berdasarkan pada teori fisika yang relevan. IV Temuan Penelitian dan Pembahasan 4.1 Temuan Penelitian Luaran simulasi peranti yang merupakan hubungan (a) S EFF terhadap N B (W) {kerapatan doping permukaan belakang) dan (b) V OC terhadap S EFF dicantumkan pada gambar 4.1 dan gambar 4.2 berikut ini; 45
4 Jurnal Sistem Teknik Industri Volume 6, No. 5 November 2005 Gambar 4.1 Hubungan antara S EFF dengan Kerapatan Doping Fungsi Pangkat Gambar 4.2 Hubungan antara V OC dengan S EFF dengan Kerapatan Doping Fungsi Pangkat 46
5 Simulasi Peranti Model Basis Sel Surya 4.2 Pembahasan Gambar 4.1 mengungkapakan hasil perhitungan S EFF terhadap kecepatan rekombinasi permukaan belakang S b yang berbeda-beda pada permukaan lapisan n + (x) yangmempunyai ketebalan 1. Dapat diamati untuk S b besar ternyata S EFF berkurang terhadap kenaikan konsentrasi.doping permukaan. Hal ini karena rekombinasi pada kontak belakang merupakan mekanisme rekombinasi utama. Pada S b rendah (kecil0, ternyata rekombinasi pada lapisan dominan, karena itu tingkat doping menaikkan S EFF. Gambar 4.4 Hubungan antara S EFF dengan Kerapatan Doping Fungsi Eksponen Gambar 4.3 Hubungan antara S EFF dengan Kerapatan Doping Fungsi Eror Alamo (1981) memakai profil doping lapisan tinggi rendah yang berbeda dengan yang dipakai dalam penelitian ini (Lihat Gambar 4.3) Dapat diamati, bahwa gejala pada temuan penelitian ini (gambar 4.1) secara umum bersesuaian dengan hasil penelitian Alamo (gambar 4.3). Perbedaan kedua temuan penelitian adalah dalam nilai parameterparameter. Dapat dilihat bahwa nilai S EFF pada penelitian ini lebih rendah. Dengan demikian, secara fisika dapat ditafsirkan bahwa performan model sel surya pada penelitian ini lebih baik dari pada temuan penelitian alamo. Gambar 4.2 mengungkapakan luaran simulasi peranti penelitian ini yang menggambarkan hubungan voltase rangkaian terbuka V OC dengan S EFF. Alamo memperoleh batas atas voltse rangkaian terbuka sebesar 615 mv (lihat gambar 4.3). ternyata batas atas voltase rangkaian terbuka pada penelitian ini (gambar 4.2) lebih besar. Hal ini dapat ditafsirkan bahwa model sel surya pada penelitian ini mempunyai peluang lebih besarmencaopai efisiensi yang lebih tinggi jika diwujudkan dalam sampel dibandingkan dengan model yang didesain Alamo et al (1981). Gambar 4.5 Hubungan antara V oc dengan S EFF dengan profil doping fungsi eksponen 47
6 Jurnal Sistem Teknik Industri Volume 6, No. 5 November 2005 Secara teroretik telah diketahui bahwa efisiensi sel surya dibatasi oleh rekombinasi permukaan belakang sel surya (Overstaeten dan Mertens, 1986). Berdasarkan faktor pembatas tersebut, rancangan model sel surya biasanya memakai daerah medan permukaan belakang, seperti dilakukan pada penelitian ini. Temuan penelitian ini memperbanyak informasi tentang model-model sel surya silikon kristzl yang mempunyai peluang besar untuk dipakai sebagai model sel surya efisiensi tinggi. Temuan penelitian ini mendukung temuan penelitian lain yang telah lebih dulu memakai hubungan tinggi rendah pada sisi belakang sel surya untuka menaikkan pemantulan pembawa minoritas yang dicerminkan oleh nilai kecepatan rekombinasi permukaan efektif sel surya. Ditemukan pula S EFF selalu lebih tinggi dari 100 cm/s -1 (pada penelitian ini selalu lebih tinggi dari 80 cm/s -1, lihat gambar 4.2). Secara teoretik harga S EFF hanya dapat dikurangi dengan cara mereduksi kecepatan rekombinasi permukaan belakang S b (diungkapkan gambar 4.4 (penelitian ini) dan gambar 4.5 (hasil penelitian pembanding) Sebagai perbandingan laian, pada gambar 4.4 dan 4.5 dicantumkan hasil simulasi peranti untuk profil doping fungsi eksponen (Harahap, yang bersesuaian dengan hasil penelitianini. V. Simpulan dan Saran Suatu model teoretis untuk menentukan kecepatan rekombinasi permukaan belakang efektif pada hubungan tinggi-rendah memakai pendopingan fungsi pangkat telah digunakan dalam mendesain sel surya medan permukaan belakang. Desain sel surya tersebut mempunyai sifat fisika yang menunjukkan kecenderungan menghasilakan S EFF (kecepatan rekombinasi permukaan belakang efektif) yang lebih kecil dibandingkan temuan penelitian lain yang memakai profil doping fungsi eror. Temuan penelitian menggmbarkan tidak adanya konsentrasi (kerapatan) ketidakmurnian permukaan yang mempunyai nilai optimum (lihat gambar 4.2. Temuan penelitian juga menggambarkan secara umum tentang desain sel surya yang memakai model teoetis kecepatan rekombinasi permukaan belakang efektif seperti yang dikembangkan pada penelitian ini mempunyai sifat yang lebih menguntungkan (lihat gambar 4.1) dan gambar (4.2) dibandingkasn temuan penelitian pembanding (lihat gambar 4.3. gambar 4.4 dan gambar 4.5. Jika model sel surya ini hendak diwujudkan dalam sampel (penelitian lanjutan), disarankan halhal berikut: 1)Hendaknya dilakukan lebih dulu penelitian tentang efek pemantulan cahaya pada permukaan emiter, karena penelitian ini belum menyinggung hal ini. 2) Agar dapat diperoleh harga V OC dalam eksperimen yang kira-kira sama dengan harga V OC pada penelitian ini, hendaknya difikirkan alat pendopingan lapisan n + (x) yang benar-benar mampu memberikan doping fungsi pangkat. DAFTAR PUSTAKA Alamo, J.D. (1981). High-Low Junctions for Solar Cell Aplications. Solid state Electronics, Vol.24, hlm Alamo, J.D. dan Swanson, R.M. (1984). The Physics and Modeling of Heavily Doped Emitter, IEEE Tans. Electron Devices, Vol Ed-31, No, 12 hlm Fichner, W. (1988). Process Simulation. Dalam S.M. Sze (ed.), VLSI Technology (hlm ). Singapore: McGraw-Hill International Editions. Harahap, M.B. (1992). Solusi Analitik Transpor Pembawa Minoritas Silikon Kristal yang Didoping Tak Uniform dan Aplikasinya pada Peranti Sel Surya. Tesis S2 di ITB Bandung, Harahap, M.B. (1993). Model Emiter Sel surya n (x) + -p yang Didoping Tinggi. Makalah pada Simposium Fisika Nasional di USU medan. Harahap, M.B. (1994). Model Komputer Sel Surya Silikon Kristal Medan Permukaan Belakang p + - n-n + (x). Jurnal Penelitian Bidang Pendidikan, Vol.1, No.2, hlm Penumalli, B.R. (1986). Physical Models and Numerical Methods for VLSI. Dalam W.L. Eng (ed.), Process Simulation and Devices Modeling, (hlm.1-30). North Holland: Elsevier Science Publishers B.V. Sudiati et al (1993). Analisis Simulasi Peranti Model Emiter Sel Surya Bahan Silikon Kristal Tipe n yang Didoping Tinggi Tak Homogen. Hasil Penelitian, Dana OPF, Puslit USU Medan. Van Overstraeten, R.J. & Mertens, R.P (1986). Physics, Technology and Use of Photovoltaics. Bristol and Boston: adam Hilger Ltd. Verhoef, L.A. (1990). Silicon Solar Cell (modelling, processing and characterization). Ph.D. Thesis (State University of Utreecht, Netherlands). Verhoef, L.A. & Sinke, W.C. (1990). Minority Carrier Transport in Non Uniformly Doped. IEEE Trans Electron Devices, Vol. 37, hlm
Simulasi Peranti Model Sel Surya Medan Permukaan Belakang Pendopingan Tinggi Fungsi Eksponensial
Jurnal eknologi Proses Media Publikasi Karya Ilmiah eknik Kimia 6(1) Januari 2007: 75 81 ISS 1412-7814 Simulasi Peranti Model Sel Surya Medan Permukaan Belakang Pendopingan inggi Fungsi Eksponensial Mara
Lebih terperinciPemodelan Sel Surya Silikon Kristal Pendopingan Tinggi
Jurnal eknologi Proses Media Publikasi Karya Ilmiah eknik Kimia 5(1) Januari 2006: 38 42 ISSN 1412-7814 Pemodelan Sel Surya Silikon Kristal Pendopingan inggi Mara Bangun Harahap Jurusan Fisika, Fakultas
Lebih terperinciSimulasi Peranti Model Sel Surya Dioda n + (x)/p
145 M. Hendra S. Ginting / Jurnal eknologi Proses 5(2) Juli 2006: 138 141 Jurnal eknologi Proses Media Publikasi Karya Ilmiah eknik Kimia 5(2) Juli 2006: 142 147 ISSN 1412-7814 Simulasi Peranti Model Sel
Lebih terperinciPEMODELAN PENYEMPITAN CELAH PITA ENERGI SEBAGAI FUNGSI KONSENTRASI DOPING PADA HBT SIGE
PEMODELAN PENYEMPITAN CELAH PITA ENERGI SEBAGAI FUNGSI KONSENTRASI DOPING PADA HBT SIGE Engelin Shintadewi Julian Department of Electrical Engineering, Faculty of Industrial Technology Trisakti University
Lebih terperinciSTUDI TENTANG PENGARUH DOPING TINGGI TERHADAP RESISTANSI BASIS DAN BANDGAP NARROWING PADA Si/Si 1-x Ge x /Si HBT
MAKARA, TEKNOLOGI, VOL. 7, NO. 1, APRIL 2003 STUDI TENTANG PENGARUH DOPING TINGGI TERHADAP RESISTANSI BASIS DAN BANDGAP NARROWING PADA Si/Si 1-x Ge x /Si HBT Achmad Fadhol Jurusan Teknik Elektro, Institut
Lebih terperinciGambar Semikonduktor tipe-p (kiri) dan tipe-n (kanan)
Mekanisme Kerja Devais Sel Surya Sel surya merupakan suatu devais semikonduktor yang dapat menghasilkan listrik jika diberikan sejumlah energi cahaya. Proses penghasilan energi listrik itu diawali dengan
Lebih terperinciOptimalisasi Struktur Sel Surya GaAs Sambungan p-n dengan Lapisan Antirefleksi yang tergandeng dengan Lapisan Window AlGaAs
Indonesian Journal of Physics Kontribusi Fisika Indonesia Vol. 14 No.2, April 2003 Optimalisasi Struktur Sel Surya GaAs Sambungan p-n dengan Lapisan Antirefleksi yang tergandeng dengan Lapisan Window AlGaAs
Lebih terperinciBAB 1 PENDAHULUAN Latar Belakang
BAB 1 PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Memasuki abad 21, persediaan minyak dan gas bumi semakin menipis. Sementara kebutuhan akan energi semakin meningkat, terutama dirasakan pada negara industri. Kebuthan
Lebih terperinciPENGARUH FILTER WARNA KUNING TERHADAP EFESIENSI SEL SURYA ABSTRAK
PENGARUH FILTER WARNA KUNING TERHADAP EFESIENSI SEL SURYA ABSTRAK Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui pengaruh filter warna kuning terhadap efesiensi Sel surya. Dalam penelitian ini menggunakan metode
Lebih terperinciSemikonduktor. Sifat. (ohm.m) Tembaga 1,7 x 10-8 Konduktor Silikon pd 300 o K 2,3 x 10 3 Semikonduktor Gelas 7,0 x 10 6 Isolator
Semikonduktor Definisi I: Bahan yang memiliki nilai hambatan jenis (ρ) antara konduktor dan isolator yakni sebesar 10 6 s.d. 10 4 ohm.m Perbandingan hambatan jenis konduktor, semikonduktor, dan isolator:
Lebih terperinciPERBEDAAN EFISIENSI DAYA SEL SURYA ANTARA FILTER WARNA MERAH, KUNING DAN BIRU DENGAN TANPA FILTER
PERBEDAAN EFISIENSI DAYA SEL SURYA ANTARA FILTER WARNA MERAH, KUNING DAN BIRU DENGAN TANPA FILTER Oleh: Muhammad Anwar Widyaiswara BDK Manado ABSTRAK Penelitian ini bertujuan untuk mengetahui perbedaan
Lebih terperinciPROFIL GERMANIUM SEGIEMPAT PADA TRANSISTOR BIPOLAR SILIKON-GERMANIUM
JETri, Volume 1, Nomor 2, Februari 2002, Halaman 41-48, ISSN 1412-0372 PROFIL GERMANIUM SEGIEMPAT PADA TRANSISTOR BIPOLAR SILIKON-GERMANIUM E. Shintadewi Julian Dosen Jurusan Teknik Elektro-FTI, Universitas
Lebih terperinciDAFTAR ISI. PERNYATAAN BEBAS PLAGIARISME... ii. HALAMAN PENGESAHAN... iii. HALAMAN TUGAS... iv. HALAMAN PERSEMBAHAN... v. HALAMAN MOTO...
ix DAFTAR ISI PERNYATAAN BEBAS PLAGIARISME... ii HALAMAN PENGESAHAN... iii HALAMAN TUGAS... iv HALAMAN PERSEMBAHAN... v HALAMAN MOTO... vi KATA PENGANTAR... vii DAFTAR ISI... ix DAFTAR TABEL... xiii DAFTAR
Lebih terperinciSTRUKTUR CRISTAL SILIKON
BANDGAP TABEL PERIODIK STRUKTUR CRISTAL SILIKON PITA ENERGI Pita yang ditempati oleh elektron valensi disebut Pita Valensi Pita yang kosong pertama disebut : Pita Konduksi ISOLATOR, KONDUKTOR DAN SEMIKONDUKTOR
Lebih terperinciSimulasi Sel Surya Model Dioda dengan Hambatan Seri dan Hambatan Shunt Berdasarkan Variasi Intensitas Radiasi, Temperatur, dan Susunan Modul
Simulasi Sel Surya Model Dioda dengan Hambatan Seri dan Hambatan Shunt Berdasarkan Variasi Intensitas Radiasi, Temperatur, dan Susunan Modul M. Dirgantara 1 *, M. Saputra 2, P. Aulia 3, Z. Deofarana 4,
Lebih terperinciSIMULASI PENGARUH PANJANG GELOMBANG FOTON DATANG TERHADAP KARAKTERISTIK I-V DIODA SEL SURYA MENGGUNAKAN METODE ELEMEN HINGGA
SIMULASI PENGARUH PANJANG GELOMBANG FOTON DATANG TERHADAP KARAKTERISTIK I-V DIODA SEL SURYA MENGGUNAKAN METODE ELEMEN HINGGA SKRIPSI Oleh Fitriana NIM 101810201006 JURUSAN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN
Lebih terperinciOptimasi Tekanan Deposisi dalam Simulasi Efisiensi Sel Surya Berbasis Material a-si:h
Jurnal Gradien Vol. 8 No. 1 Januari 2012 : 716-721 Optimasi Tekanan Deposisi dalam Simulasi Efisiensi Sel Surya Berbasis Material a-si:h Endhah Purwandari1*, Toto Winata2 1) Jurusan Fisika FMIPA Universitas
Lebih terperinciModul - 4 SEMIKONDUKTOR
Modul - 4 SEMIKONDUKTOR Disusun Sebagai Materi Pelatihan Guru-Guru SMA/MA Provinsi Nangro Aceh Darussalam Disusun oleh: Dr. Agus Setiawan, M.Si Dr. Dadi Rusdiana, M.Si Dr. Ida Hamidah, M.Si Dra. Ida Kaniawati,
Lebih terperinciJOBSHEET SENSOR CAHAYA (SOLAR CELL)
JOBSHEET SENSOR CAHAYA (SOLAR CELL) A. TUJUAN 1. Merancang sensor sel surya terhadap besaran fisis. 2. Menguji sensor sel surya terhadap besaran fisis. 3. Menganalisis karakteristik sel surya. B. DASAR
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. 1 Universitas Indonesia
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Sumber energi bahan bakar minyak yang berasal dari fosil saat ini diprediksi sudah tidak mampu memenuhi seluruh kebutuhan konsumsi hidup penduduk dunia di masa datang
Lebih terperinciPEMAKSIMALAN DAYA KELUARAN SEL SURYA MENGGUNAKAN LENSA CEMBUNG
PEMAKSIMALAN DAYA KELUARAN SEL SURYA MENGGUNAKAN LENSA CEMBUNG Oleh: Budhi Priyanto 1 ABSTRAK: Penggunaan kumpulan lensa cembung meningkatkan intensitas berkas cahaya matahari. Lensa cembung baik yang
Lebih terperinciTenaga Surya sebagai Sumber Energi. Oleh: DR. Hartono Siswono
Tenaga Surya sebagai Sumber Energi Oleh: DR Hartono Siswono Energi memiliki peranan penting dalam kehidupan manusia Bangsa yang tidak menguasai energi akan menjadi bangsa yang tidak merdeka seutuhnya Adalah
Lebih terperinciBab 1. Semi Konduktor
Bab 1. Semi Konduktor Operasi komponen elektronika benda padat seperti dioda, LED, Transistor Bipolar dan FET serta Op-Amp atau rangkaian terpadu lainnya didasarkan atas sifat-sifat semikonduktor. Semikonduktor
Lebih terperinciPENGARUH BENTUK PROFIL GERMANIUM PADA FREKUENSI CUTOFF HBT SIGE
JETri, Volume 3, Nomor 1, Agustus 2003, Halaman 33-44, ISSN 1412-0372 PENGARUH BENTUK PROFIL GERMANIUM PADA FREKUENSI CUTOFF HBT SIGE E. Shintadewi Julian Dosen Jurusan Teknik Elektro-FTI, Universitas
Lebih terperinciHASIL KELUARAN SEL SURYA DENGAN MENGGUNAKAN SUMBER CAHAYA LIGHT EMITTING DIODE
HASIL KELUARAN SEL SURYA DENGAN MENGGUNAKAN SUMBER CAHAYA LIGHT EMITTING DIODE A. Handjoko Permana *), Ari W., Hadi Nasbey Universitas Negeri Jakarta, Jl. Pemuda No. 10 Rawamangun, Jakarta 13220 * ) Email:
Lebih terperinciMIKROELEKTRONIKA. Gejala Transport dalam Semikonduktor. D3 Teknik Komputer Universitas Gunadarma
MIKROELEKTRONIKA Gejala Transport dalam Semikonduktor D3 Teknik Komputer Universitas Gunadarma MOBILITAS & KONDUKTIVITAS Gambaran gas elektron dari logam Bagian yang gelap menyatakan bagian yang mempunyai
Lebih terperinciPemodelan Kurva I(V) Normal Light dan Dark Current Modul PV Untuk Menentukan Unjuk Kerja Solar Sel
Pemodelan Kurva I(V) Normal Light dan Dark Current Modul PV Untuk Menentukan Unjuk Kerja Solar Sel Lazuardi Umar, Yanuar, ahmondia N. Setiadi Jurusan Fisika FMIPA Universitas iau Kampus Bina Widya, Jl.
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Indra Irawan, 2015
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Di zaman modern yang semakin canggih ini, ketergantungan terhadap penggunaan peralatan elektronik sudah tidak dapat dihindari lagi. Seperti penggunaan handphone dan
Lebih terperinciPANEL SURYA dan APLIKASINYA
PANEL SURYA dan APLIKASINYA Suplai energi surya dari sinar matahari yang diterima oleh permukaan bumi sebenarnya sangat luar biasa besarnya yaitu mencapai 3 x 10 24 joule pertahun. Jumlah energi sebesar
Lebih terperinciTUGAS AKHIR ANALISIS PERBANDINGAN KARAKTERISTIK PANEL SURYA BERDASARKAN MATERIAL PENYUSUN DAN INTENSITAS CAHAYA. Diajukan untuk memenuhi persyaratan
TUGAS AKHIR ANALISIS PERBANDINGAN KARAKTERISTIK PANEL SURYA BERDASARKAN MATERIAL PENYUSUN DAN INTENSITAS CAHAYA Diajukan untuk memenuhi persyaratan menyelesaikan pendidikan sarjana (S-1) pada Departemen
Lebih terperinciT 19 Kerapatan Keadaan pada Struktur Nano Berbentuk Sumur Nano, Kawat Nano dan Titik Nano
T 19 Kerapatan Keadaan pada Struktur Nano Berbentuk Sumur Nano, Kawat Nano dan Titik Nano Ratno Nuryadi Pusat Teknologi Material, Badan Pengkajian dan Penerapan Teknologi (BPPT) BPPT Gedung II Lt. 22.
Lebih terperinciPENGEMBANGAN SISTEM PENGUKUR KARAKTERISTIK I-V SEL SURYA DALAM KEADAAN PENYINARAN DAN TANPA PENYINARAN
Program Studi Fisika Jurusan Pendidikan Fisika FPMIPA UNIVERSITAS PENDIDIKAN INDONESIA PENGEMBANGAN SISTEM PENGUKUR KARAKTERISTIK I-V SEL SURYA DALAM KEADAAN PENYINARAN DAN TANPA PENYINARAN Latar Belakang
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini terlihat dari banyaknya komponen semikonduktor yang digunakan disetiap kegiatan manusia.
Lebih terperinciMAKALAH PITA ENERGI. Di susun oleh, Pradita Ajeng Wiguna ( ) Rombel 1. Untuk Memenuhi Tugas Mata Kuliah Fisika dan Teknologi Semikonduktor
MAKALAH PITA ENERGI Untuk Memenuhi Tugas Mata Kuliah Fisika dan Teknologi Semikonduktor Di susun oleh, Pradita Ajeng Wiguna (4211412011) Rombel 1 JURUSAN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN
Lebih terperinciUji Kekerasan Material dengan Metode Rockwell
Uji Kekerasan Material dengan Metode Rockwell 1 Ika Wahyuni, 2 Ahmad Barkati Rojul, 3 Erlin Nasocha, 4 Nindia Fauzia Rosyi, 5 Nurul Khusnia, 6 Oktaviana Retna Ningsih Jurusan Fisika, Fakultas Sains dan
Lebih terperinciAnalisis Performa Modul Solar Cell Dengan Penambahan Reflector Cermin Datar
Analisis Performa Modul Solar Cell Dengan Penambahan Reflector Cermin Datar Made Sucipta1,a*, Faizal Ahmad2,b dan Ketut Astawa3,c 1,2,3 Program Studi Teknik Mesin, Fakultas Teknik, Universitas Udayana,
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN Latar Belakang
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Sel surya merupakan salah satu divais elektronik yang dapat mengubah secara langsung energi radiasi matahari menjadi energi listrik. Sel surya merupakan sumber energi
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang Masalah
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Intan adalah salah satu jenis perhiasan yang harganya relatif mahal. Intan merupakan kristal yang tersusun atas unsur karbon (C). Intan berdasarkan proses pembentukannya
Lebih terperinciMODUL 1 KULIAH SEMIKONDUKTOR
MODUL 1 KULIAH SMIKONDUKTOR I.1. LOGAM, ISOLATOR dan SMIKONDUKTOR. Suatu bahan zat padat apabila dikaitkan dengan kemampuannya dalam menghantarkan arus listrik, maka bahan zat padat dibedakan menjadi tiga
Lebih terperinci4 FABRIKASI DAN KARAKTERISASI SEL SURYA HIBRID ZnO-KLOROFIL
4 FABRIKASI DAN KARAKTERISASI SEL SURYA HIBRID ZnO-KLOROFIL 21 Pendahuluan Sel surya hibrid merupakan suatu bentuk sel surya yang memadukan antara semikonduktor anorganik dan organik. Dimana dalam bentuk
Lebih terperinciSTUDI KELAYAKAN PENGGUNAAN SEL SILIKON SEBAGAI PENGUBAH ENERGI MATAHARI MENJADI ENERGI LISTRIK
92 dari pelat kaca dan tertutup dari pelat kaca. Untuk dioda silikon yang sambungannya paralel terbuka dari pelat kaca besarnya adalah 352 x 10-4 Joule pada temperatur pengamatan 39 o C, sedangkan yang
Lebih terperinciF- 1. PENGARUH PENYISIPAN LOGAM Fe PADA LAPISAN TiO 2 TERHADAP PERFORMANSI SEL SURYA BERBASIS TITANIA
PENGARUH PENYISIPAN LOGAM Fe PADA LAPISAN TiO 2 TERHADAP PERFORMANSI SEL SURYA BERBASIS TITANIA Rita Prasetyowati, Sahrul Saehana, Mikrajuddin Abdullah (a), dan Khairurrijal Kelompok Keahlian Fisika Material
Lebih terperinciKarakterisasi XRD. Pengukuran
11 Karakterisasi XRD Pengukuran XRD menggunakan alat XRD7000, kemudian dihubungkan dengan program dikomputer. Puncakpuncak yang didapatkan dari data pengukuran ini kemudian dicocokkan dengan standar difraksi
Lebih terperinciPERANCANGAN STRUKTUR SEL SURYA LEVEL ENERGI RENDAH DAN MENENGAH UNTUK MENDUKUNG MODUL BEREFISIENSI TINGGI SKRIPSI
PERANCANGAN STRUKTUR SEL SURYA LEVEL ENERGI RENDAH DAN MENENGAH UNTUK MENDUKUNG MODUL BEREFISIENSI TINGGI SKRIPSI Oleh RAKRIAN BRE ANANTA AJI 04 04 03 070 9 PROGRAM STUDI TEKNIK ELEKTRO DEPARTEMEN TEKNIK
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. energi cahaya (foton) menjadi energi listrik tanpa proses yang menyebabkan
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Sel surya merupakan suatu piranti elektronik yang mampu mengkonversi energi cahaya (foton) menjadi energi listrik tanpa proses yang menyebabkan dampak buruk terhadap
Lebih terperinciHomogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-si:h tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 8, NOMOR JANUARI 202 Homogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-si:h tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD
Lebih terperinciSTUDI KELAYAKAN PENGGUNAAN SEL SILIKON SEBAGAI PENGUBAH ENERGI MATAHARI MENJADI ENERGI LISTRIK
STUDI KELAYAKAN PENGGUNAAN SEL SILIKON SEBAGAI PENGUBAH ENERGI MATAHARI MENJADI ENERGI LISTRIK Walfred Tambuhan, Maksi Ginting, Minarni Jurusan Fisika FMIPA Universitas Riau walfred_tambunan yahoo.com
Lebih terperinciAtom silikon dan germanium masingmempunyai empat elektron valensi. Oleh karena itu baik atom silikon maupun atom germanium disebut juga dengan atom
Mata Kuliah Pertemuaan Pokok Bahasan Waktu : Elektronika Analog : I : Bahan Semikonduktor : 2x55 menit Berdasarkan sifat hantantaran listrik bahan dapat dibagi atas 3 jenis yaitu: bahan yang tidak dapat
Lebih terperinciKARAKTERISTIK ARUS DAN TEGANGAN SEL SURYA
LAPORAN PRAKTIKUM FISIKA EKSPERIMEN II KARAKTERISTIK ARUS DAN TEGANGAN SEL SURYA Oleh : 1. Riyanto H1C004006 2. M. Teguh Sutrisno H1C004007 3. Indri Kurniasih H1C004003 4. Gita Anggit H1C004014 Tanggal
Lebih terperinciSTUDI KELAYAKAN PENGGUNAAN SEL SILIKON SEBAGAI PENGUBAH ENERGI MATAHARI MENJADI ENERGI LISTRIK
STUDI KELAYAKAN PENGGUNAAN SEL SILIKON SEBAGAI PENGUBAH ENERGI MATAHARI MENJADI ENERGI LISTRIK Walfred Tambuhan, Magsi Ginting, Minarni, Purnama Jurusan Fisika FMIPA Universitas Riau walfred_tambunan yahoo.com
Lebih terperinciSATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH : DEVAIS MIKROELEKTRONIKA* (Ujian Utama) KODE MK / SKS : KK / 3
SATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH : DEVAIS MIKROELEKTRONIKA* (Ujian Utama) KODE MK / SKS : KK-041345 / 3 Minggu Pokok Bahasan Ke Dan TIU 1 Konsep mekanika quntum dan fisika benda padat 2 Fenomena elektron
Lebih terperinciTeori Semikonduktor. Elektronika (TKE 4012) Eka Maulana. maulana.lecture.ub.ac.id
Teori Semikonduktor Elektronika (TKE 4012) Eka Maulana maulana.lecture.ub.ac.id Content Konduktor Semikonduktor Kristal silikon Semikonduktor Intrinsik Jenis aliran Doping semikonduktor Doping ekstrinsik
Lebih terperinciSTUDI PARAMETER PADA DIODA P-N
DOI: https://doi.org/1.4853/elektum.14.1.5-58 e-issn : 55-678 STUDI PARAMETER PADA DIODA P-N Fadliondi Universitas Muhammadiyah Jakarta e-mail: fadliondi@yahoo.com Abstrak Operasi divais semikonduktor
Lebih terperinciSATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH / KODE : SISTEM FABRIKASI & DEVAIS MIKROELEKTRONIKA / AK SEMESTER / SKS : VIII / 2
SATUAN ACARA PERKULIAHAN MATA KULIAH / KODE : SISTEM FABRIKASI & DEVAIS MIKROELEKTRONIKA / AK041217 SEMESTER / SKS : VIII / 2 Pertemuan Pokok Bahasan dan TIU Ke 1 Konsep mekanika quntum dan fisika benda
Lebih terperinciANALISIS LANJUTAN. Tingkat Energi & Orbit Elektron. Pita Energi Semikonduktor Intrinsik. Pita Energi Pada Semikonduktor Ter-Doping
Tingkat Energi & Orbit Elektron ANALISIS LANJUTAN Pita Energi Semikonduktor Intrinsik Pita Energi Pada Semikonduktor Ter-Doping Elektronika 1 23 Irwan Arifin 2004 P-N Junction Elektronika 1 24 Irwan Arifin
Lebih terperinciBab 1 Bahan Semikonduktor. By : M. Ramdhani
Bab 1 Bahan Semikonduktor By : M. Ramdhani Tujuan instruksional : Mengerti sifat dasar sebuah bahan Memahami konsep arus pada bahan semikonduktor Memahami konsep bahan semikonduktor sebagai bahan pembentuk
Lebih terperinci2016 PEMODELAN ARUS TEROBOSAN PADA TRANSISTOR DWIKUTUB N-P-N ARMCHAIR GRAPHENE NANORIBBON (AGNR) MENGGUNAKAN METODE MATRIKS TRANSFER
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Alat-alat elektronik sudah menjadi pelengkap kehidupan manusia. Di dalamnya terdapat berbagai macam divais elektronik yang tersusun sehingga memiliki fungsinya tersendiri.
Lebih terperinciStruktur Double Barrier Untuk Aplikasi Pada Divais Silikon Amorf
Kontribusi Fisika Indonesia Vol. No., Januari 00 Struktur Double Barrier Untuk Aplikasi Pada Divais Silikon Amorf Ida Hamidah dan Wilson W. Wenas Laboratorium Riset Semikonduktor, Jurusan Fisika ITB Jl.
Lebih terperinciBAB V PEMBAHASAN. Faktor-faktor dominan adalah faktor-faktor yang diduga berpengaruh
118 BAB V PEMBAHASAN 5.1 Analisis Faktor Faktor-faktor dominan adalah faktor-faktor yang diduga berpengaruh terhadap peningkatan nilai arus dan tegangan sel surya. Kondisi hubung singkat mengakibatkan
Lebih terperinciBagian 4 Karakteristik Junction Dioda
Bagian 4 Karakteristik Junction Dioda Junction Diode Switching Times Pada saat keadaan dioda berubah dari kondisi reverse-biased ke kondisi forward-biased, terdapat transien (proses peralihan) pada respon
Lebih terperinciKARAKTERISASI GaAs DENGAN PHOTOLUMINESCENCE LASER ARGON
KARAKTERISASI GaAs DENGAN PHOTOLUMINESCENCE LASER ARGON Surantoro Pendidikan Fisika PMIPA FKIP Universitas Sebelas Maret Surakarta. Jl. Ir. Sutami 36 A Kampus Kentingan Surakarta. ABSTRAK Penelitian tentang
Lebih terperinciPreparasi Lapisan Tipis ZnO Dengan Metode Elektrodeposisi Untuk Aplikasi Solar Cell
Preparasi Lapisan Tipis ZnO Dengan Metode Elektrodeposisi Untuk Aplikasi Solar Cell Oleh: Hanif Mubarok 2310100049 Yusuf Hasan Habibie 2310100137 Pembimbing : Ir. Minta Yuwana, MS. Prof. Dr. Ir. Heru Setyawan,
Lebih terperinciSATUAN ACARA PERKULIAHAN (SAP) : FISIKA DEVAIS SEMIKONDUKTOR KODE MK / SKS : / 3 SKS PROGRAM STUDI : MAGISTER TEKNIK ELEKTRO
SATUAN ACARA PERKULIAHAN (SAP) MATA KULIAH : FISIKA DEVAIS SEMIKONDUKTOR KODE MK / SKS : / 3 SKS PROGRAM STUDI : MAGISTER TEKNIK ELEKTRO Pertemuan Pokok Bahasan Tujuan Instruksi Umum (TIU) I Elemen-Elemen
Lebih terperinciFABRIKASI DETEKTOR PARTIKEL ALPHA MENGGUNAKAN SEMIKONDUKTOR SILIKON TIPE P
PRIMA Volume 10, Nomor 1, Juni 2013 ISSN : 1411-0296 FABRIKASI DETEKTOR PARTIKEL ALPHA MENGGUNAKAN SEMIKONDUKTOR SILIKON TIPE P Gunarwan Prayitno Pusat Rekayasa Perangkat Nuklir-BATAN Kawasan PuspiptekSerpong,
Lebih terperinciPembuatan Sel Surya Film Tipis dengan DC Magnetron Sputtering
Pembuatan Sel Surya Film Tipis dengan DC Magnetron Sputtering Desty Anggita Tunggadewi 1, Fitria Hidayanti 1 1 Program Studi Teknik Fisika, Fakultas Teknik dan Sains, Universitas Nasional dtunggadewi@yahoo.co.id,
Lebih terperinciPENGARUH KONDISI ANNEALING TERHADAP PARAMETER KISI KRISTAL BAHAN SUPERKONDUKTOR OPTIMUM DOPED DOPING ELEKTRON Eu 2-x Ce x CuO 4+α-δ
Proseding Seminar Nasional Fisika dan Aplikasinya Sabtu, 21 November 2015 Bale Sawala Kampus Universitas Padjadjaran, Jatinangor PENGARUH KONDISI ANNEALING TERHADAP PARAMETER KISI KRISTAL BAHAN SUPERKONDUKTOR
Lebih terperinciPENGARUH KETEBALAN LAPISAN I PADA PERHITUNGAN KARAKTERISTIK ARUS-TEGANGAN SEL SURYA TIPE PIN MENGGUNAKAN METODE ELEMEN HINGGA
PENGARUH KETEBALAN LAPISAN I PADA PERHITUNGAN KARAKTERISTIK ARUS-TEGANGAN SEL SURYA TIPE PIN MENGGUNAKAN METODE ELEMEN HINGGA SKRIPSI oleh Yetik Herawati NIM 071810201066 JURUSAN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA
Lebih terperinciAsisten: (Heldi Alfiadi/ ) Tanggal Praktikum: ( ) Kata Kunci : Efek Hall, Potensial Hall, Gaya Lorentz
MODUL 5 EFEK HALL Muhammad Ilham, Rizki, Moch. Arif Nurdin,Septia Eka Marsha Putra, Hanani, Robbi Hidayat. 10211078, 10210023, 10211003, 10211022, 10211051, 10211063. Program Studi Fisika, Institut Teknologi
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Kebutuhan akan sumber energi listrik terus meningkat seiring meningkatnya
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Kebutuhan akan sumber energi listrik terus meningkat seiring meningkatnya peradaban manusia yang saat ini tidak lepas dari penggunaan peralatan listrik. Pasokan listrik
Lebih terperinciOPTIMALISASI TEGANGAN KELUARAN DARI SOLAR CELL MENGGUNAKAN LENSA PEMFOKUS CAHAYA MATAHARI
OPTIMALISASI TEGANGAN KELUARAN DARI SOLAR CELL MENGGUNAKAN LENSA PEMFOKUS CAHAYA MATAHARI Oleh: Faslucky Afifudin 1, Farid Samsu Hananto 2 ABSTRAK: Studi optimalisasi tegangan keluaran dari solar sel menggunakan
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Graphene merupakan susunan atom-atom karbon monolayer dua dimensi yang membentuk struktur kristal heksagonal menyerupai sarang lebah. Graphene memiliki sifat
Lebih terperinciT 18 Perhitungan Energi Pengisian pada Sistem Transistor Elektron Tunggal
T 18 Perhitungan Energi Pengisian pada Sistem Transistor Elektron Tunggal Ratno Nuryadi Pusat Teknologi Material, Badan Pengkajian dan Penerapan Teknologi (BPPT) BPPT Gedung II Lt. 22. Jl. M.H. Thamrin
Lebih terperinciOLED. Organic Light-Emitting Diodes. maulana.lecture.ub.ac.id Your Logo
OLED Organic Light-Emitting Diodes maulana.lecture.ub.ac.id Your Logo Outline Material, Struktur, dan Fabrikasi Mekanisme Emisi dan Luminensi Karakteristik dan Performansi Aplikasi OLED pemancar cahaya
Lebih terperinciPrinsip Semikonduktor
IOA SEMIKONUKTOR Prinsip Semikonduktor PN Junction Tipe-N: Menambahkan Latice Si dengan atom Gol V, menyediakan tambahan elektron (sehingga N untuk negatif) Tipe-P: Menambahakan Latice Si dengan atom Gol
Lebih terperinci1. Semikonduktor intrinsik : bahan murni tanpa adanya pengotor bahan lain. 2. Semikonduktor ekstrinsik : bahan mengandung impuritas dari bahan lain
1. Semikonduktor intrinsik : bahan murni tanpa adanya pengotor bahan lain 2. Semikonduktor ekstrinsik : bahan mengandung impuritas dari bahan lain Adalah Semikonduktor yang terdiri atas satu unsur saja,
Lebih terperinciEVALUASI NILAI TAHANAN INTERNAL MODUL PANEL FOTOVOLTAIK (PV) BERDASARKAN PEMODELAN KURVA I(V) NORMAL LIGHT DAN DARK CURRENT
EVALUAS NLA TAHANAN NTERNAL MODUL PANEL FOTOVOLTAK (PV) BERDASARKAN PEMODELAN KURVA (V) NORMAL LGHT DAN DARK CURRENT Yanuar, Lazuardi Umar, Rahmondia N. Setiadi Jurusan Fisika FMPA Universitas Riau Kampus
Lebih terperinciTUGAS AKHIR. Secara garis besar dari tugas-tugas yang telah dikerjakan dapat dibuat rangkuman sebagai berikut :
PRASETYO NUGROHO 132 96 015 TUGAS AKHIR DEVAIS ELEKTRONIKA TUGAS AKHIR Secara garis besar dari tugas-tugas yang telah dikerjakan dapat dibuat rangkuman sebagai berikut : Metode Desain Devais Mikroelektronika
Lebih terperinciSEMIKONDUKTOR oleh: Ichwan Yelfianhar dirangkum dari berbagai sumber
SEMIKONDUKTOR oleh: Ichwan Yelfianhar dirangkum dari berbagai sumber Pengertian Umum Bahan semikonduktor adalah bahan yang bersifat setengah konduktor karena celah energi yang dibentuk oleh struktur bahan
Lebih terperinciSKSO OPTICAL SOURCES.
SKSO OPTICAL SOURCES ekofajarcahyadi@st3telkom.ac.id OVERVIEW LED LASER Diodes Modulation of Optical Sources PARAMETER PADA OPTICAL SOURCES Hal-hal yang perlu dipertimbangkan pada sumber-sumber cahaya
Lebih terperincia. Lattice Constant = a 4r = 2a 2 a = 4 R = 2 2 R = 2,8284 x 0,143 nm = 0,4045 nm 2
SOUSI UJIAN TENGAH SEMESTER E-32 MATERIA TEKNIK EEKTRO Semester I 23/24, Selasa 2 Nopember 22 Waktu : 7: 9: (2menit)- Closed Book SEKOAH TEKNIK EEKTRO DAN INFORMATIKA - INSTITUT TEKNOOGI BANDUNG Dosen
Lebih terperinciPENGUJIAN SUDUT KEMIRINGAN OPTIMAL PHOTOVOLTAIC DI WILAYAH PURWOKERTO HALAMAN JUDUL
PENGUJIAN SUDUT KEMIRINGAN OPTIMAL PHOTOVOLTAIC DI WILAYAH PURWOKERTO HALAMAN JUDUL SKRIPSI Skripsi diajukan untuk memenuhi salah satu syarat memperoleh gelar Sarjana Teknik Elektro Disusun Oleh : MAULDIAN
Lebih terperinciPENINGKATAN DAYA KELUARAN SEL SURYA DENGAN PENINGKATAN TEMPERATUR PERMUKAAN SEL SURYA
PENINGKATAN DAYA KELUARAN SEL SURYA DENGAN PENINGKATAN TEMPERATUR PERMUKAAN SEL SURYA Oleh: Budhi Priyanto ABSTRAK: Intensitas cahaya yang menyinari permukaan sel surya meningkatkan temperatur permukaan
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Energi cahaya matahari dapat dikonversi menjadi energi listrik melalui suatu sistem yang disebut sel surya. Peluang dalam memanfaatkan energi matahari masih
Lebih terperinciGARIS BESAR PROGRAM PEMBELAJARAN (GBPP) UNIVERSITAS DIPONEGORO
GARIS BESAR PROGRAM PEMBELAJARAN (GBPP) UNIVERSITAS DIPONEGORO SPMI- UNDIP GBPP 10.09.04 PAF 219 Revisi ke - Tanggal 13 September 2013 Dikaji Ulang Oleh Ketua Program Studi Fisika Dikendalikan Oleh GPM
Lebih terperinciMATERI IV DIODA : PENGERTIAN DAN KARAKTERISTIK
MATERI IV DIODA : PENGERTIAN DAN KARAKTERISTIK A. Tujuan 1. Tujuan Umum Mahasiswa memahami pengertian dan karakteristik dioda semikonduktor 2. Tujuan Khusus a. Mahasiswa dapat menjelaskan keadaan sambunan
Lebih terperinciBAB II TINJAUAN PUSTAKA
BAB II TINJAUAN PUSTAKA 2.1 Energi Matahari Matahari adalah salah satu contoh dari energi terbarukan (renewable energy) dan merupakan salah satu energi yang penting dalam kehidupan manusia. Berikut ini
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi energi listrik DC secara langsung. Sel surya telah diaplikasikan dalam berbagai bidang, salah
Lebih terperinciPENINGKATAN SUHU MODUL DAN DAYA KELUARAN PANEL SURYA DENGAN MENGGUNAKAN REFLEKTOR
PENINGKATAN SUHU MODUL DAN DAYA KELUARAN PANEL SURYA DENGAN MENGGUNAKAN REFLEKTOR I h s a n Dosen pada Jurusan Fisika Fakultas Sains dan Teknologi UIN Alauddin Makassar Email: ihsan_physics@ymail.com Abstract.
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Kebutuhan energi yang terus meningkat dan semakin menipisnya cadangan minyak bumi dan gas alam menjadi pendorong bagi manusia untuk mencari sumber energi alternatif.
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Listrik merupakan kebutuhan esensial yang sangat dominan kegunaannya
λ Panjang Gelombang 21 ω Kecepatan Angular 22 ns Indeks Bias Kaca 33 n Indeks Bias Lapisan Tipis 33 d Ketebalan Lapisan Tipis 33 α Koofisien Absorpsi 36 Frekuensi Cahaya 35 υ BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar
Lebih terperinciDAFTAR ISI. ABSTRAK... i. KATA PENGANTAR... ii. UCAPAN TERIMA KASIH... iii. DAFTAR ISI... v. DAFTAR GAMBAR... viii. DAFTAR SINGKATAN DAN LAMBANG...
DAFTAR ISI ABSTRAK... i KATA PENGANTAR... ii UCAPAN TERIMA KASIH... iii DAFTAR ISI... v DAFTAR GAMBAR... viii DAFTAR SINGKATAN DAN LAMBANG... x BAB I PENDAHULUAN... 1 1.1 Latar Belakang... 1 1.2 Rumusan
Lebih terperinciSilabus dan Rencana Perkuliahan
Silabus dan Rencana Perkuliahan Matakuliah : Pend,Fisika Zat Padat Kode : FI 362 SKS : 3 sks Semester : Semua Nama Dosen : WD, dkk Standar Kompotensi : Menguasai pengetahuan tentang Pendahuluan Fisika
Lebih terperinciLAPORAN EKSPERIMEN FISIKA 2 FOTOKONDUKTIVITAS. Zudah Sima atul Kubro G DEPARTEMEN FISIKA FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM
LAPORAN EKSPERIMEN FISIKA 2 FOTOKONDUKTIVITAS Rekan Kerja : 1. Aah Nuraisah 2. Mutiara Khairunnisa 3. Dedeh Nurhayati Zudah Sima atul Kubro G74120023 Asisten : Pramudya Wardhani (G74110008) Dadi Irawan
Lebih terperinciBAB 2 TEORI PENUNJANG
BAB 2 TEORI PENUNJANG 2.1 Photon Photon merupakan partikel dari cahaya yang mengakibatkan radiasi elektromagnetik. Photon identik dengan panjang gelombang (λ) yang menentukan spektrum dari gelombang elektromagnetik,
Lebih terperinciTRANSISTOR 9.1 Dasar-dasar Transistor
9 TRANSISTOR 9.1 Dasar-dasar Transistor Pada bab sebelumnya telah dikenalkan karakteristik dasar diode, sebuah piranti dua terminal (karenanya disebut di-ode) beserta aplikasinya. Pada bagian ini akan
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pendeteksian cahaya merupakan salah satu proses paling mendasar pada bidang optik [1]. Untuk mendeteksi cahaya, diperlukan suatu proses konversi optoelektronik menggunakan
Lebih terperinciMekanisme Hamburan Defek Statis Dan Vibrasi Termal Terhadap Mobilitas Elektron Pada Film Tipis GaN
Berkala Fisika ISSN : 1410-9662 Vol 13., No.1, Januari 2010, hal 39-44 Mekanisme Hamburan Defek Statis Dan Vibrasi Termal Terhadap Mobilitas Elektron Pada Film Tipis GaN Dadi Rusdiana, Lilik Hasanah, dan
Lebih terperinciStruktur dan konfigurasi sel Fotovoltaik
9 Gambar 17. Struktur dan konfigurasi sel Fotovoltaik BST yang sudah mengalami proses annealing dipasang kontak di atas permukaan substrat silikon dan di atas film tipis BST. Pembuatan kontak ini dilakukan
Lebih terperinciTK 2092 ELEKTRONIKA DASAR
TK 2092 ELEKTRONIKA DASAR MATERI : BAHAN SEMIKONDUKTOR Gita Indah Hapsari TK2092 Elektronika Dasar END MATERI 5 : BAHAN SEMIKONDUKTOR Memberikan pengetahuan dasar mengenai beberapa hal berikut : 1. Bahan
Lebih terperinciSuperkonduktor Eu 2-x Ce x CuO 4+α-δ
Superkonduktor Eu 2-x Ce x CuO 4+α-δ Pengaruh Konsentrasi Doping Ce (X) Terhadap Sifat Listik Material Superkonduktor Eu 2-x Ce x CuO 4+α-δ under-doped M. Saputri, M. F. Sobari, A. I. Hanifah, W.A. Somantri,
Lebih terperinci