Elektronika : Teori dan Penerapan. Herman Dwi Surjono, Ph.D.

Transkripsi

1

2 Elektronika : Teori dan Penerapan Herman Dwi Surjono, Ph.D.

3 Elektronika : Teori dan Penerapan Disusun Oleh: Herman Dwi Surjono, Ph.D All Rights Reserved Hak cipta dilindungi undang-undang Penyunting : Tim Cerdas Ulet Kreatif Perancang Sampul : Dhega Febiharsa Tata Letak : Dhega Febiharsa Diterbitkan Oleh: Penerbit Cerdas Ulet Kreatif Jl. Manggis 72 RT 03 RW 04 Jember Lor Patrang Jember - Jawa Timur Telp Faks Katalog Dalam Terbitan (KDT) Herman Dwi Surjono, Elektronika : Teori dan Penerapan /Herman Dwi Surjono, Penyunting: Tim Cerdas Ulet Kreatif, 2007, 168 hlm; 14,8 x 21 cm. ISBN Hukum Administrasi I. Judul II. Tim Cerdas Ulet Kreatif 168 Distributor: Penerbit CERDAS ULET KREATIF Website : buku@cerdas.co.id Cetakan Kedua, 2011 Undang-Undang RI Nomor 19 Tahun 2002 Tentang Hak Cipta Ketentuan Pidana Pasal 72 (ayat 2) 1. Barang Siapa dengan sengaja menyiarkan, memamerkan, mengedarkan, atau menjual kepada umum suatu ciptaan atau barang hasil pelanggaran Hak Cipta atau hak terkait sebagaimana dimaksud pada ayat (1), dipidana dengan pidana penjara paling lama 5 (lima) tahun dan/atau denda paling banyak Rp ,00 (lima ratus juta rupiah). ii

4 Kata Pengantar Buku ini diperuntukkan bagi siapa saja yang ingin mengetahui elektronika baik secara teori, konsep dan penerapannya. Pembahasan dilakukan secara komprehensif dan mendalam mulai dari pemahaman konsep dasar hingga ke taraf kemampuan untuk menganalisis dan mendesain rangkaian elektronika. Penggunaan matematika tingkat tinggi diusahakan seminimal mungkin, sehingga buku ini bias digunakan oleh berbagai kalangan. Pembaca dapat beraktivitas dengan mudah karena didukung banyak contoh soal dalam hamper setiap pokok bahasan serta latihan soal pada setiap akhir bab. Beberapa rangkaian penguat sedapat mungkin diambilkan dari pengalaman praktikum. Sebagai pengetahuan awal, pemakai buku ini harus memahami teori dasar rangkaian DC dan matematika dasar. Teori Thevenin, Norton, dan Superposisi juga digunakan dalam beberapa pokok bahasan. Di samping itu penguasaan penerapan hukum Ohm dan Kirchhoff merupakan syarat mutlak terutama pada bagian analisis dan perancangan. Bab 1 membahas teori semikonduktor yang merupakan dasar dari pembahasan berbagai topic berikutnya, bahan tipe P dan N, karakterisik diode semikonduktor dan model dioda. Bab 2 membahas beberapa penerapan diode semikonduktor dalam rangkaian elektronika diantaranya yang paling penting adalah rangkaian penyearah. iii

5 Bab 3 membahas transistor bipolar. Prinsip kerja dan karakteristik input dan output transistor, tiga macam konfigurasi transistor serta pengaruhnya terhadap temperatur. Bab 4 membahas berbagai metode pemberian bias, garis beban AC dan DC, analisis serta perencanaan titik kerja. Selanjutnya pada bab 5 membahas analisis serta perancangan penguat transistor. Semoga buku ini bermanfaat bagi siapa saja. Saran-saran dari pembaca sangat diharapkan. Yogyakarta, Desember 2007 Penulis, Herman Dwi Surjono, Ph.D. Dosen Jurusan Pendidikan Teknik Elektronika, FT- UNY iv

6 Daftar Isi KATA PENGANTAR DAFTAR ISI 1. DIODA SEMIKONDUKTOR 1.1. Pendahuluan 1.2. Teori Semikonduktor 1.3. Semikonduktor Type N 1.4. Semikonduktor Type P 1.5. Dioda Semikonduktor 1.6. Bias Mundur (Reverse Bias) 1.7. Bias Maju (Forward Bias) 1.8. Kurva Karakteristik Dioda 1.9. Resistansi Dioda Rangkaian Ekivalen Dioda Ringkasan Soal Latihan 2. RANGKAIAN DIODA 2.1. Pendahuluan 2.2. Penyearah Setengah Gelombang 2.3. Penyearah Gelombang Penuh 2.4. Penyearah Gelombang Penuh Sistem Jembatan 2.5. Rangkaian Clipper (Pemotong) 2.6. Rangkaian Clamper (Penggeser) 2.7. Dioda Zener 2.8. Perencanaan Penyetabil Tegangan 2.9. Rangkaian Pelipat Tegangan Ringkasan Soal Latihan 3. TRANSISTOR BIPOLAR 3.1. Pendahuluan 3.2. Konstruksi Transistor Bipolar 3.3. Kerja Transistor 3.4. Konfigurasi Transistor 3.5. Kurva Karakteristik Transistor 3.6. Pengaruh Temperatur 3.7. Ringkasan 3.8. Soal Latihan 4. BIAS DC TRANSISTOR BIPOLAR 4.1. Pendahuluan 4.2. Pengertian Titik Kerja 4.3. Rangkaian Bias Tetap iii v v

7 4.4. Bias Umpan Balik Tegangan 4.5. Bias Pembagi Tegangan 4.6. Garis Beban DC dan AC 4.7. Analisa dan Desain 4.8. Ringkasan 4.9. Soal Latihan 5. PENGUAT TRANSISTOR BIPOLAR 5.1. Pendahuluan 5.2. Parameter Penguat 5.3. Model Hibrid 5.4. Parameter H 5.5. Analisa Penguat CE 5.6. Penguat CE dengan Resistor RE 5.7. Rangkaian Pengikut Emitor 5.8. Penguat Basis Bersama (CB) 5.9. Perencanaan Penguat Transistor Ringkasan Soal Latihan LAMPIRAN A LAMPIRAN B INDEKS vi

8 Bab 4 Bias DC Transistor Bipolar 4.1 Pendahuluan Pengetahuan tentang tanggapan ac dan dc suatu sistem sangat diperlukan baik dalam analisis maupun perencanaan rangkaian penguat transistor. Rangkaian penguat dapat melipat gandakan sinyal input ac yang kecil disebabkan karena rangkaian tersebut mendapatkan tegangan dc dari luar. Oleh karena itu setiap analisis maupun perencanaan rangkaian penguat terdapat dua komponen, yakni ac dan dc. Dengan teori superposisi, kondisi level dc dan ac dapat dipisahkan. Level dc dari suatu rangkaian menentukan titik kerja transistor yang dipakai. Bab ini akan membahas berbagai bentuk rangkaian bias dan menganalisa titik kerja rangkaian penguat transistor. Disamping analisis diberikan pula cara perencanaan suatu titik kerja, sehingga transistor dapat bekerja sesuai keinginan. 4.2 Pengertian Titik Kerja Istilah bias dc pada judul bab empat ini menyangkut pemberian tegangan dc kepada transistor untuk mendapatkan level tegangan dan arus yang tetap. Dalam penguat transistor level tegangan dan arus yang tetap tersebut akan menempatkan suatu titik kerja pada kurva karakteristik sehingga menentukan daerah kerja transistor. Oleh karena titik kerja tersebut merupakan titik yang tetap dalam kurva karakteristik, maka biasanya disebut dengan titik-q (atau Quiescent Point). Gambar 4.1 menunjukkan kurva karakteristik output dengan empat buah contoh titik kerja yang diberi nama A, B, dan C. Pada dasarnya titik kerja suatu rangkaian penguat bisa diletakkan dimana saja di kurva karakteristik tersebut. Namun agar rangkaian penguat dapat menguatkan sinyal dengan linier atau tanpa cacat, maka titik kerja diusahakan ditempatkan di

9 Herman Dwi Surjono, Ph.D. tengah daerah aktif. Disamping itu yang perlu diperhatikan adalah agar titik kerja tidak diletakkan diluar batas maksimum dari arus maupun tegangan yang sudah ditentukan oleh pabrik. Apabila hal ini dilanggar transistor akan panas dan cepat rusak. IC (ma) PCmaks ICmaks 40 IB= 80 µa daerah jenuh B IB= 60 µa IB= 40 µa 10 IB= 20 µa C A IB= 0 µa VCE (Volt) daerah mati VCEmaks Gambar 4.1 Daerah pada kurva karakteristik output Pada gambar 4.1 tersebut terlihat arus I C maksimum adalah 40 ma dan tegangan V CE maksimum sebesar 20 Volt. Disamping harga arus dan tegangan maksimum tersebut yang tidak boleh dilampaui adalah daya kolektor maksimum PCmaks. Dalam gambar PCmaks ini ditunjukkan oleh garis lengkung putus-putus. PCmaks atau disipasi daya kolektor maksimum ini merupakan perkalian I C dengan V CE. Dengan demikian titik kerja harus diletakkan di dalam batas-batas tersebut. Tampak pada gambar 4.1 bahwa ketiga titik kerja A, B dan C terletak pada daerah kerja transistor yang diijinkan. Transistor dengan titik kerja A kira-kira mempunyai V CE = 2 Volt dan I C = 7 ma. Titik kerja B mempunyai V CE = 10 Volt, I C = 21 ma dan titik kerja C adalah V CE = 19 Volt, I C = 11 ma. Transistor yang bekerja pada titik A kurang begitu memuaskan karena termasuk pada kurva non-linier, sehingga sinyal output akan cenderung untuk cacat. Demikian juga pada titik C, karena terletak hampir pada batas kemampuan V CE transistor. Disamping itu transistor juga akan cepat panas. Titik B merupakan pilihan terbaik sebagai titik kerja transistor sebagai 76

10 Bab 4. Bias DC Transistor Bipolar penguat, karena terletak di tengah-tengah, sehingga memungkinkan transistor dapat menguatkan sinyal input secara maksimum. Agar transistor bekerja pada suatu titik kerja tertentu diperlukan rangkaian bias. Rangkaian bias ini akan menjamin pemberian tegangan bias persambungan E-B dan B-C dari transistor dengan benar. Transistor akan bekerja pada daerah aktif bila persambungan E-B diberi bias maju dan B-C diberi bias mundur (lihat tabel 3.1). Dalam praktek dikenal berbagai bentuk rangkaian bias yang masing-masing mempunyai keuntungan dan kerugian. Kemantapan kerja transistor terhadap pengaruh temperatur merupakan faktor yang perlu diperhatikan dalam menentukan bentuk rangkaian bias. Karena perubahan temperatur akan mempengaruhi β (faktor penguatan arus pada CE) dan arus bocor ICBO. 4.3 Rangkaian Bias Tetap Gambar 4.2 menunjukkan rangkaian transistor dengan bias tetap. Rangkaian bias ini cukup sederhana karena hanya terdiri atas dua resistor R B dan R C. Kapasitor C1 dan C2 merupakan kapasitor kopling yang berfungsi mengisolasi tegangan dc dari transistor ke tingkat sebelum dan sesudahnya, namun tetap menyalurkan sinyal ac-nya. V CC input C 1 R B I B R C I C C 2 output V CE V BE Gambar 4.2 Rangkaian bias tetap Pada analisis dc, semua kapasitor dapat diganti dengan rangkaian terbuka. Hal ini karena sifat kapasitor yang tidak dapat melewatkan arus dc. Dengan demikian untuk keperluan analisis dc rangkaian dapat disederhanakan menjadi seperti pada gambar

11 Herman Dwi Surjono, Ph.D. Dengan menggunakan hukum Kirchhoff tegangan pada ikal input (basis-emitor), maka diperoleh persamaan: IB.RB + VBE = VCC VCC - VBE IB = RB...(4.1) Persamaan ini cukup mudah untuk diingat karena sesuai dengan hukum Ohm, yakni arus yang mengalir pada RB adalah turun tegangan pada RB dibagi dengan RB. Karena VCC dan VBE tetap, maka RB adalah penentu arus basis pada titik kerja. V CC V CC I C R B I B R C V CE V BE Gambar 4.3 Rangkaian ekivalen dc dari gambar 4.2 Setelah arus IB ditentukan, maka arus IC dengan mudah dapat dihitung dengan menggunakan persamaan: IC = βib...(4.2) 78

12 Bab 4. Bias DC Transistor Bipolar Dengan menggunakan hukum Kirchhoff pada ikal output (kolektor-emitor), maka diperoleh persamaan: IC.RC + VCE = VCC VCE = VCC - IC.RC...(4.3) Ketiga harga yang baru saja diperoleh, yaitu IB, IB dan VCE inilah yang menentukan titik kerja transistor. Oleh karena itu dalam penulisan sering ditambah huruf Q di belakangnya, yakni berturut-turut IBQ, ICQ dan VCEQ. Harga ICQ dan VCEQ merupakan koordinat dari titik kerja Q pada kurva karakteristik output CE. Titik kerja Q dalam kurva karakteristik selalu terletak pada garis beban. Hal ini karena harga VCEQ diperoleh dari persamaan 4.3 yakni yang disebut dengan persamaan garis beban. Untuk menggambar garis beban pada kurva, ditentukan dua titik yang berpotongan dengan masing-masing sumbu x (VCE) dan sumbu y (IC). Persamaan garis beban: VCE = VCC - IC.RC Garis beban akan memotong sumbu x (VCE), apabila arus IC adalah nol. Dalam hal ini transistor dalam keadaan mati (IC = 0), sehingga tegangan VCE adalah maksimum, yaitu: VCEmaks = VCC...(4.4) Garis beban akan memotong sumbu y (IC), apabila tegangan VCE adalah nol. Dalam hal ini transistor dalam keadaan jenuh (VCE = 0), sehingga arus IC adalah maksimum, yaitu: VCE = VCC - IC.RC 0 = VCC - ICmaks. RC VCC ICmaks = RC...(4.5) 79

13 Herman Dwi Surjono, Ph.D. Apabila kedua titik ekstrem (VCEmaks dan ICmaks) ini dihubungkan maka diperoleh garis beban dimana titik Q berada. Garis beban ini disebut dengan garis beban dc, karena hanya berkaitan dengan parameter dc dari rangkaian. Lihat gambar 4.4. Nanti pada pembahasan rangkaian bias yang lain akan dianalisa juga garis beban ac. IC ICmaks ICQ Q IBQ Garis beban dc VCEmaks VCE VCEQ Gambar 4.4 Kurva output dengan garis beban dc Contoh 4.1 Suatu rangkaian penguat menggunakan bias tetap seperti pada gambar 4.5. Tentukan titik kerja (IBQ, ICQ, VCEQ) dan gambarkan garis beban dc-nya. V CC = 12 V input C 1 10 µf R B 240 KΩ R C 2,2 KΩ β = 50 C 2 10 µf output Gambar 4.5 Rangkaian penguat untuk contoh

14 Bab 4. Bias DC Transistor Bipolar Penyelesaian: a) Titik kerja: VCC - VBE IBQ = RB 12V - 0,7V IBQ = = 47,08 µa 240 K ICQ = βibq = (50)(47,08 µa) = 2,35 ma VCEQ = VCC - ICRC b) Garis beban: = 12V - (2,35mA)(2,2KΩ) = 6,83 Volt VCC ICmaks = RC 12V ICmaks = 2,2 KΩ = 5,45 ma VCEmaks = VCC = 12 Volt IC (ma) 5,45 2,35 Q 47,08 µa 12 Garis beban dc VCE (Volt) 6,83 Gambar 4.6 Garis beban dc untuk contoh

15 Herman Dwi Surjono, Ph.D. Titik kerja dari rangkaian bias tetap sangat dipengaruhi oleh harga β. Oleh karena β sangat peka terhadap perubahan temperatur, maka stabilitas kerja dari rangkaian bias tetap kurang baik. Untuk memperbaiki stabilitas terhadap variasi β, maka diberikan resistor pada kaki emitor (RE). Lihat gambar 4.7. V CC input C 1 R B I B R C I C C 2 output V CE V BE R E I E Gambar 4.7 Rangkaian bias tetap dengan stabilisasi emitor Dengan menggunakan hukum Kirchhoff tegangan, dari ikal input (basis-emitor) dapat diturunkan persamaan sebagai berikut: IB.RB + VBE + IE.RE = VCC karena: IE = (β + 1)IB maka: IB.RB + VBE + (β + 1)IB.RE = VCC IB {RB + (β + 1)RE} + VBE = VCC IB {RB + (β + 1)RE} = VCC - VBE sehingga diperoleh: VCC - VBE IB = RB + (β + 1)RE...(4.6) Besarnya arus IC dapat dicari dengan persamaan 4.2, yaitu: IC = βib. 82

16 Bab 4. Bias DC Transistor Bipolar Persamaan garis beban dapat diturunkan dengan menggunakan hukum Kirchhoff tegangan pada ikal output (kolektor-emitor) dari gambar 4.7, yaitu: IC.RC + VCE + IE.RE = VCC karena IE IC, maka: IC.RC + VCE + IC.RE = VCC IC(RC + RE) + VCE = VCC sehingga diperoleh: VCE = VCC - IC(RC + RE)...(4.7) Persamaan ini akan menentukan garis beban dc pada kurva output. Pada saat arus IC = 0 (transistor mati), maka tegangan VCE akan maksimum, yaitu (persmaan 4.4): VCEmaks = VCC Pada saat tegangan VCE = 0 (transistor jenuh), maka arus IC akan maksimum, yaitu: VCC ICmaks = RC + RE...(4.8) 83

17 Herman Dwi Surjono, Ph.D. Contoh 4.2 Suatu rangkaian penguat menggunakan bias tetap dengan stabilisasi emitor seperti pada gambar 4.8. Tentukan titik kerja (IBQ, ICQ, VCEQ) dan gambarkan garis beban dc-nya. V CC = 20 V input C 1 10 µf R B 430 KΩ R C 2 KΩ β = 50 C 2 10 µf output R E 1 KΩ 10 µf Gambar 4.8 Rangkaian penguat untuk contoh 4.2 Penyelesaian: a) Titik kerja: VCC - VBE IBQ = RB + (β + 1)RE 20V - 0,7V IBQ = = 40,1 µa 430KΩ + (50+1)(1KΩ) ICQ = βibq = (50)(40,1 µa) = 2,01 ma VCEQ = VCC - IC(RC + RE) b) Garis beban: = 20V - (2,01mA)(2KΩ + 1KΩ) = 13,97 Volt VCC ICmaks = RC + RE 20V ICmaks = = 6,67 ma 2,2KΩ + 1KΩ 84

18 Bab 4. Bias DC Transistor Bipolar VCEmaks = VCC = 20 Volt IC (ma) 6,67 2,01 Q 40,01 µa 20 Garis beban dc VCE (Volt) 13,97 Gambar 4.9 Garis beban dc untuk contoh 4.2 Apabila contoh 4.1 di atas diulangi lagi untuk harga β (beta) dua kali lipat, yakni 100, maka diperoleh harga IB, IC, dan VCE sebagai berikut: β IB (µa) IC(mA) VCE(V) 50 47,08 2,35 6, ,08 4,70 1,64 Terlihat bahwa apabila β (beta) dinaikkan 100 %, maka arus kolektor IC naik 100 %. Jadi arus IC sangat tergantung pada besarnya β. Karena β sangat peka terhadap temperatur, maka rangkaian bias tetap (gambar 4.2) juga sangat peka terhadap perubahan temperatur. Sekarang apabila contoh 4.2 diulangi lagi untuk harga β (beta) dua kali lipat, yakni 100, maka diperoleh harga IB, IC, dan VCE sebagai berikut: 85

19 Herman Dwi Surjono, Ph.D. β IB (µa) IC(mA) VCE(V) 50 40,1 2,01 13, ,3 3,63 9,11 Terlihat bahwa apabila β (beta) dinaikkan 100 %, maka arus IC naik 81 %. Perubahan ini lebih kecil dari contoh sebelumnya. Dari dua contoh tersebut dapat disimpulkan bahwa rangkaian bias tetap dengan stabilisasi emitor (gambar 4.7) ternyata lebih stabil terhadap perubahan β dari pada rangkaian bias tetap pada tanpa RE. 4.4 Bias Umpan Balik Tegangan Untuk memperbaiki stabilitas titik kerja terhadap perubahan β, digunakan rangkaian bias dc dengan menggunakan umpan balik tegangan. Gambar 4.10 merupakan penguat transistor dengan menggunakan bias umpan balik tegangan. V CC RB R C I C C 2 output input C 1 IB I C V BE R E Untuk mendapatkan arus IB, diterapkan hukum Kirchhoff tegangan pada ikal input (basis-emitor), yaitu: Gambar 4.10 Rangkaian bias umpan balik tegangan VCC = IC.RC + IB.RB + VBE + IE.RE 86

20 Bab 4. Bias DC Transistor Bipolar Perlu diperhatikan bahwa arus yang mengalir pada RC bukanlah IC melainkan IC, dimana IC = IC + IB. Tetapi karena harga IC dan IC jauh lebih besar dibanding IB, maka secara pendekatan IC dapat dianggap sama dengan IC (IC IC = βib). Demikian juga bahwa IE IC. Sehingga diperoleh: VCC = βib.rc + IB.RB + VBE + βib.re VCC - VBE = βib(rc + RE) + IB.RB VCC - VBE = IB{RB + β(rc + RE)} VCC - VBE IB = RB + β(rc + RE)...(4.9) Arus IC dapat diperoleh dengan mengalikan IB dengan β, yaitu: IC = βib. Selanjutnya harga VCE dapat dihitung dengan menerapkan hukum Kirchhoff tegangan pada ikal output (kolektor-emitor), yaitu: VCC = IC.RC + VCE + IE.RE kembali dengan asumsi bahwa: IC IC dan IE IC, maka: VCC = IC.RC + VCE + IC.RE VCC = IC(RC + RE) + VCE VCE = VCC - Ic(RC + RE)...(4.10) 87

21 Herman Dwi Surjono, Ph.D. Contoh 4.3 Tentukan titik kerja (ICQ dan VCEQ) dari rangkaian seperti pada gambar V CC = 10V 250KΩ 4,7KΩ C 2 output input C 1 β = 90 1,2KΩ Gambar 4.11 Rangkaian untuk contoh 4.3 Penyelesaian: VCC - VBE IB = RB + β(rc + RE) 10V - 0,7V = = µa 250KΩ + (90)(4,7KΩ + 1,2KΩ) ICQ = βib = (90)(11.91 µa) = 1,07 ma VCEQ = VCC - IC(RC + RE) = 10V - 1,07mA)(4,7KΩ + 1,2KΩ) = 3,69 Volt 88

22 Bab 4. Bias DC Transistor Bipolar Apabila contoh 4.3 tersebut diulangi lagi dengan harga β dinaikkan menjadi 135, maka hasilnya dapat dibandingkan sebagai berikut: β I CQ (ma) V CEQ (V) 90 1,07 3, ,2 2,92 Terlihat bahwa apabila β dinaikkan 50 %, arus ICQ naik 12,1% dan VCEQ turun sekitar 20,9%. Perubahan titik kerja karena pengaruh perubahan β pada rangkaian bias ini ternyata lebih kecil dibanding pada rangkaian bias tetap maupun bias tetap dengan stabilisasi emitor. Dengan kata lain rangkaian bias dengan umpan balik tegangan mempunyai stabilitas yang lebih baik dari pada rangkaian bias sebelumnya. 4.5 Bias Pembagi Tegangan Rangkaian bias pembagi tegangan sering juga disebut dengan bias sendiri (self-bias). Penguat transistor pada umumnya lebih banyak menggunakan rangkaian bias jenis ini, karena stabilitasnya sangat baik. Stabilitasnya lebih baik dari pada rangkaian bias yang sudah dibahas sebelumnya. Gambar 4.12 menunjukkan rangkaian penguat dengan bias pembagi tegangan. Rangkaian bias pembagi tegangan terdiri atas empat buah resistor, yaitu: R1, R2, RC, dan RE. Resistor R1 (yang berada di atas) akan menjamin bahwa persambungan kolektor - basis mendapatkan bias mundur, sedangkan resistor R2 (yang berada di bawah) akan menjamin bahwa persambungan basis - emitor mendapatkan bias maju. Oleh karena itu dengan adanya pembagi tegangan R1 dan R2 akan menjamin bahwa transistor dapat bekerja pada daerah aktif. RC sebagai resistansi beban kolektor, dan RE sebagai stabilisasi dc. 89

23 Herman Dwi Surjono, Ph.D. V CC input C 1 R1 R C C 2 output V CE R2 V BE R E Gambar 4.12 Rangkaian penguat dengan bias pembagi tegangan Analisis dc rangkaian bias pembagi tegangan ini dimulai dengan menggambar lagi bagian input dari rangkaian tersebut seperti pada gambar R1 V CC R2 B R E Thevenin Gambar 4.13 Penggambaran kembali bagian input dari gambar 4.12 Jaringan input dari rangkaian gambar 4.13 diselesaikan dengan metode Thevenin, yaitu menggantinya dengan sebuah sumber tegangan V TH dan sebuah resistansi R TH. Hubungan 90

24 Bab 4. Bias DC Transistor Bipolar antara V TH dan R TH adalah seri, sehingga diperoleh rangkaian ekivalen yang sederhana. Dalam analisa penguat transistor tegangan Thevenin (V TH ) sering disebut dengan VBB dan resistansi Thevenin (R TH ) sering disebut dengan RB. Lihat gambar RTH atau RB B V TH atau V BB IB E R E Gambar 4.14 Rangkaian ekivalen Thevenin pada input transistor Harga resistansi dan tegangan Thevenin dari rangkaian ekivalen adalah sebagai berikut. Resistansi Thevenin: RTH = RB = R1 R2 R1.R2 RB = R1 + R2...(4.11) Tegangan Thevenin: R2 V TH = VBB = VR2 = VCC R1 + R2 R2. VCC VBB = R1 + R2...(4.12) 91

25 Herman Dwi Surjono, Ph.D. Dengan menerapkan hukum Kirchhoff tegangan pada ikal input rangkaian ekivalen Thevenin gambar 4.14, dapat ditentukan harga IB, yaitu: VBB = IB.RB + VBE + IE.RE karena, IE = (β + 1)IB maka: VBB = IB.RB + VBB + (β + 1)IB.RE VBB = IB {RB + (β + 1)RE} + VBB VBB - VBE = IB {RB + (β + 1)RE} sehingga diperoleh: VBB - VBE IB = RB + (β + 1)RE...(4.13) dimana harga VBE ini sama seperti pembahasan yang lalu yaitu dianggap VBE aktif = 0,7 Volt. Harga IB yang diperoleh ini merupakan titik kerja transistor yang biasanya disebut dengan IBQ. Apabila IB = IC/β dimasukkan pada persamaan 4.13 tersebut, maka harga IC dapat diperoleh, yaitu: VBB - VBE IC = RB/β + (1 + 1/β)RE...(4.14) Analisis pendekatan dapat dilakukan apabila IE IC, yaitu apabila arus IE dianggap sama dengan arus IC, maka dapat diperoleh: VBB - VBE IC = RB/β + RE...(4.15) Harga arus IC ini merupakan titik kerja transistor yang sering disebut dengan ICQ. 92

26 Bab 4. Bias DC Transistor Bipolar Persamaan garis beban dapat diperoleh dengan menerapkan hukum Kirchhoff pada ikal output kolektor - emitor, yaitu: VCC = IC.RC + VCE + IE.RE karena: IE = IC + IB IE = IC + IC/β maka: IE = (1 + 1/β)IC VCC = IC.RC + VCE + (1 + 1/β)IC.RE sehingga diperoleh: VCE = VCC - IC.RC - (1 + 1/β)IC.RE..(4.16) Harga arus IC ini merupakan titik kerja transistor yang sering disebut dengan ICQ. Analisis pendekatan dapat dilakukan apabila IE IC, yaitu arus IE dianggap sama dengan arus IC, maka diperoleh: VCE = VCC - IC(RC + RE)...(4.17) 93

27 Herman Dwi Surjono, Ph.D. Contoh 4.3 Suatu rangkaian penguat menggunakan bias pembagi tegangan seperti pada gambar Tentukan titik kerja (ICQ, VCEQ) rangkaian penguat tersebut. V CC = 22 V input 10 µf R1 39KΩ RC 10KΩ β = µf output R2 3,9KΩ RE 1,5KΩ 10 µf Gambar 4.15 Rangkaian penguat untuk contoh 4.3 Penyelesaian: R1.R2 RB = R1 + R2 (39KΩ)(3,9KΩ) = = 3,55 KΩ 39KΩ + 3,9KΩ R2. VCC VBB = R1 + R2 (3,9KΩ)(22V) = = 2 Volt 39KΩ + 3,9KΩ 94

28 Bab 4. Bias DC Transistor Bipolar ICQ VBB - VBE = RB/β + (1 + 1/β)RE 2V - 0,7V = = 0,85 ma 3,55KΩ/140 + (1 + 1/140)(1,5KΩ) V CEQ = VCC - IC.RC - (1 + 1/β)IC.RE = 22V-(0,85mA)(10KΩ)-(1+1/140)(0,85mA)(1,5KΩ) = 22V - (8,5V) - (1.28V) = 12,22 V Perhitungan pendekatan: ICQ VBB - VBE = RB/β + RE 2V - 0,7V = = 0,86 ma 2KΩ/ ,5KΩ VCE = VCC - IC(RC + RE) = 22V - (0,86mA)(10KΩ + 1,5KΩ) = 22V - 9,86V = 12,14 Volt Perbandingan hasil antara analisis tepat dan pendekatan untuk ICQ adalah 0,85 ma dan 0,86 ma, sedangkan untuk VCEQ adalah 12,22 V dan 12,14 V. Terlihat bahwa perbedaanya sangat kecil. Semakin besar harga beta (β) semakin kecil perbedannya. Sebagaimana telah dilakukan pada rangkaian bias tetap yakni membuktikan pengaruh perubahan beta (β) terhadap titik kerja transistor, maka apabila contoh 4.3 diulangi lagi tetapi untuk harga β sebesar 70, maka diperoleh hasil sebagai berikut: 95

29 Herman Dwi Surjono, Ph.D. β I CQ (ma) V CEQ (V) , ,83 12,46 Hasil tersebut menunjukkan bahwa meskipun harga β turun setengahnya, ternyata titik kerja transistor hampir sama. Hal ini terbukti bahwa stabilitas rangkaian bias pembagi tegangan terhadap perubahan β sangat baik. 4.6 Garis Beban DC dan AC Sebagaimana telah disinggung sebelumnya bahwa titik kerja suatu transistor dalam rangkaian penguat selalu terletak pada garis beban. Garis beban dc dibuat berdasarkan tanggapan rangkaian terhadap tegangan dc (tegangan catu daya), dan garis beban ac diperoleh karena tanggapan rangkaian terhadap sinyal ac. Dengan adanya garis beban dc dan ac pada kurva karakteristik, maka kondisi kerja transistor dapat diketahui dan penerapan sinyal ac pada penguat dapat dianalisis dengan mudah. Perhatikan rangkaian penguat Emitor Bersama (Common Emitter = CE) dengan bias pembagi tegangan pada gambar Tanggapan rangkaian penguat tersebut terhadap tegangan dc lebih sederhana karena semua kapasitor diganti dengan rangkaian terbuka. Beban pada ikal kolektor-emitor adalah RC dan RE. Oleh karena itu beban ini disebut dengan beban dc (Rdc). Rdc = RC + RE Sedangkan tanggapan terhadap sinyal ac, semua kapasitor (C kopling dan C by-pass) dan catu daya dc (VCC) dianggap hubung singkat. Dengan demikian karena terminal untuk VCC terhubung ke tanah (ground) dan kapasitor C2 dianggap hubung singkat, maka resistor RC dan resistor RL terhubung paralel (RC RL). Beban pada ikal kolektor-emitor adalah resistor RC RL dan resistor RE. Beban ini disebut dengan beban ac (Rac). Rac = (RC RL) + RE 96

30 Bab 4. Bias DC Transistor Bipolar V CC input C 1 R1 R C C 2 output R2 R E R L Gambar 4.16 Rangkaian penguat CE dengan bias pembagi tegangan Untuk mendapatkan garis beban dc beban yang digunakan adalah beban dc (Rdc). Kemiringan garis beban dc adalah -1/Rdc. Demikian pula bila ingin mendapatkan garis beban ac, maka yang digunakan adalah beban ac (Rac). Kemiringan garis beban ac adalah -1/Rac. Persamaan garis beban dc untuk rangkaian CE dari gambar 4.16 adalah: VCE = VCC - IC(RC + RE)...(4.18) Untuk menggambarkan persamaan garis beban ini kedalam kurva karakteristik output, maka perlu dicari dua titik ekstrem dan menghubungkan keduanya. Dua titik ini adalah satu titik berada di sumbu X (tegangan VCE) yang berarti arus ICnya menjadi nol dan satu titik lainnya berada di sumbu Y (arus IC) yang berarti bahwa tegangan VCEnya menjadi nol. Titik pertama, pada saat arus IC = 0, maka diperoleh tegangan VCE maskimum (transistor dalam keadaan mati). Dengan memasukkan harga IC = 0 ini ke persamaan garis beban dc diperoleh: VCEmaks = VCC...(4.19) 97

31 Herman Dwi Surjono, Ph.D. Titik kedua, pada saat tegangan VCE = 0, maka diperoleh arus IC maksimum (transistor dalam keadaan jenuh). Dengan memasukkan harga VCE = 0 ini ke persamaan garis beban dc diperoleh: VCC ICmaks = RC + RE VCC ICmaks = Rdc...(4.20) Selanjutnya adalah menentukan garis beban ac. Oleh karena titik nol (titik awal) dari sinyal ac yang diumpankan ke penguat selalu berada pada titik kerja (titik Q), maka garis beban ac selalu berpotongan dengan garis beban dc pada titik Q tersebut. Dengan demikian cara yang paling mudah untuk mendapatkan garis beban ac adalah dengan memasukkan harga ac dari arus IC dan tegangan VCE kedalam persamaan garis beban dc. Harga ac dari besaran arus dalam hal ini adalah IC dapat dilihat pada gambar Dengan cara yang sama dapat diperoleh harga besaran tegangan VCE. ic = harga sesaat i C = harga total sesaat I CQ = harga tetap (dc) Gambar 4.17 Notasi besaran arus pada sinyal ac t Besaran arus: ic = i C - I CQ Besaran tegangan: vce = v CE - V CEQ 98

32 Bab 4. Bias DC Transistor Bipolar Oleh karena C2 dan VCC dianggap hubung singkat (VCC = 0), maka rangkaian ekivalen ac dari gambar 4.16 adalah seperti pada gambar 4.18 dan diperoleh persamaan umum garis beban ac, yaitu: vce = 0 - ic (Rac) vce = -ic (Rac) dimana: Rac = RE + RC RL vce RB RE RC RL Gambar Rangkaian ekivalen ac dari gambar 4.16 Apabila besaran arus dan tegangan ac dimasukkan pada persaaan tersebut, maka diperoleh persamaan garis beban ac: vce = -ic (Rac) (v CE - V CEQ ) = -(i C - I CQ )(Rac)...(4.21) Cara menggambar garis beban ac adalah seperti halnya menggambar garis beban dc, yakni dengan melalui dua titik ekstrem. Titik pertama, pada saat i C = 0, maka diperoleh harga v CE maksimum. Dengan memasukkan harga i C = 0 ini kedalam persamaan garis beban ac diperoleh: (v CE - V CEQ ) = -(i C - I CQ )(Rac) (v CE maks - V CEQ ) = -( 0 - I CQ )(Rac) (v CE maks - V CEQ ) = (I CQ )(Rac) v CE maks = V CEQ + (I CQ )(Rac)...(4.22) 99

33 Herman Dwi Surjono, Ph.D. Titik kedua, pada saat v CE = 0, maka diperoleh harga i C maksimum. Dengan memasukkan harga v CE = 0 ini kedalam persamaan garis beban ac diperoleh: (v CE - V CEQ ) = -(i C - I CQ )(Rac) (0 - V CEQ ) = -(i C maks - I CQ )(Rac) -(V CEQ ) = -(i C maks - I CQ )(Rac) -(V CEQ ) = -(i C maks)(rac) + (I CQ )(Rac) (i C maks)(rac) = (I CQ )(Rac) + (V CEQ ) V CEQ i C maks = I CQ + Rac...(4.23) Garis beban dc dan ac dapat digambarkan pada kurva karakteristik output penguat CE seperti pada gambar V CEQ i C maks = I CQ + Rac VCC ICmaks = Rdc ICQ IC Garis beban ac Q IBQ Garis beban dc VCE VCEQ VCEmaks = VCC v CE maks = V CEQ + (I CQ )(Rac) Gambar garis beban dac dan ac pada penguat CE 100

34 Bab 4. Bias DC Transistor Bipolar 4.7 Analisis dan Desain Menganalisis titik kerja suatu rangkaian penguat berarti menentukan posisi titik Q dengan menghitung arus ICQ dan VCEQ dari suatu rangkaian yang sudah diketahui spesifikasi komponen-komponennya. Pada penguat CE dengan bias pembagi tegangan, harga-harga R1, R2, RE, RC, VCC, VBE, dan RL sudah diketahui, sehingga bisa dihitung IB dengan bantuan Thevenin. Selanjutnya bisa ditentukan ICQ dan VCEQnya. Garis beban dc dan ac dapat digambarkan pada kurva output. Dengan melihat posisi titik Q pada garis beban, maka sinyal output maksimum tanpa cacat bisa dihitung. Sedangkan dalam mendesain, urutan proses adalah kebalikan dari menganalisa, karena akhir dari perencanaan adalah menentukan komponen-komponen rangkaian penguat. Permasalahan dimulai dari kondisi penguat yang diinginkan, kemudian bekerja dari ikal emitorkolektor, sampai diperoleh harga R1 dan R2 yang sesuai. Namun biasanya harga VCC, VBe, β, dan RL bisa ditentukan lebih dahulu. Sedangkan RC dan RE berhubungan dengan penguatan tegangan (arus), dan impedansi input (output) yang akan dibahas pada bab berikutnya. Prosedur analisis titik kerja rangkaian penguat dengan bias pembagi tegangan (gambar 4.12). Langkah 1. Menggunakan R1 dan R2 untuk menentukan ekivalen Thevenin RB dan VBB. Persamaan 4.11 dan 4.12 R1.R2 RB = R1 + R2 R2. VCC VBB = R1 + R2 Langkah 2. Menggunakan persamaan bias untuk menghitung ICQ. Persamaan 4.14 (tepat) atau 4.15 (pendekatan). VBB - VBE ICQ = RB/β + (1 + 1/β)RE 101

35 Herman Dwi Surjono, Ph.D. atau VBB - VBE ICQ = RB/β + RE Langkah 3. Menghitung VCEQ dengan menggunakan persamaan garis beban dc. Persamaan 4.16 (tepat) atau 4.17 (pendekatan). atau Langkah 4. VCE = VCC - IC.RC - (1 + 1/β)IC.RE VCE = VCC - ICQ(Rdc) Menentukan garis beban dc dan ac pada kurva karakteristik output. Persamaan 4.19 dan 4.20 untuk garis beban dc VCEmaks = VCC VCC ICmaks = Rdc dan persamaan 4.22 dan 4.23 untuk garis beban ac. v CE maks = V CEQ + (I CQ )(Rac) V CEQ i C maks = I CQ + Rac Langkah 5. Menentukan sinyal output maksimum tanpa cacat dari posisi titik Q pada kurva output. Vomaks(p-p) = 2ic(p) x (RC RL)...(4.24) dimana: Vomaks(p-p) adalah tegangan output (sinyal ac) maksimum tanpa cacat yang merupakan harga dari puncak ke puncak. 102

36 Bab 4. Bias DC Transistor Bipolar ic(p) adalah arus output (sinyal ac) maksimum tanpa cacat yang merupakan harga puncak. Harga ic(p) sesuai dengan posisi titik Q pada garis beban ac, yaitu: ic(p) = ICQ, apabila titik Q terletak pada kurang dari setengah garis beban ac. ic(p) = i C maks - ICQ, apabila titik Q terletak pada lebih dari setengah garis beban ac. Apabila titik Q tepat ditengah garis beban ac, boleh pakai salah satu, karena i C maks = 2ICQ. Contoh 4.4 Diketahui rangkaian penguat CE seperti gambar Tentukan : a. Titik kerja rangkaian (ICQ dan VCEQ) b. Garis beban dc dan ac c. Tegangan output maksimum yang dimungkinkan dari penguat tersebut. V CC = 5 V input 10 µf R1 6KΩ RC 1KΩ β = µf output R2 1,5KΩ RE 100Ω 10 µf RL 1KΩ Gambar Rangkaian penguat CE untuk contoh

37 Herman Dwi Surjono, Ph.D. Penyelesaian: a. Titik kerja R1.R2 RB = R1 + R2 (6KΩ)(1,5KΩ) = = 1,2 KΩ 6KΩ + 1,5KΩ R2. VCC VBB = R1 + R2 (1,5KΩ)(5V) = = 1 Volt 6KΩ + 1,5KΩ Perhitungan pendekatan untuk ICQ dan VCEQ: ICQ VBB - VBE = RB/β + RE 1V - 0,7V = = 2,76 ma 1,2KΩ/ ,1KΩ Rdc = RC + RE = 1KΩ + 100Ω = 1,1 KΩ Rac = RC RL = 1KΩ 1KΩ = 0,5 KΩ VCEQ = VCC - ICQ(Rdc) = 5V - (2,76mA)(1,1KΩ) = 1,96 Volt 104

38 Bab 4. Bias DC Transistor Bipolar b. Garis beban dc VCEmaks = VCC = 5 Volt VCC 5V ICmaks = = = 4.55 ma Rdc 1,1 KΩ Garis beban ac v CE maks = V CEQ + (I CQ )(Rac) = 1,96V + (2,76mA)(0,5KΩ) = 3.34 Volt V CEQ i C maks = I CQ + Rac 1,96V = 2,76mA + = 6,68 ma 0,5KΩ Gambar garis beban dc dan ac adalah seperti pada gambar IC (ma) i C maks = 6,68 ICmaks = 4,55 Garis beban ac ICQ =2,76 Q IBQ Garis beban dc VCE (Volt) VCEQ =1,96 VCEmaks = 5 v CE maks = 3,34 Gambar Gambar garis beban dc dan ac 105

39 Herman Dwi Surjono, Ph.D. c. Tegangan output maksimum Persamaan 4.24 Vomaks(p-p) = 2ic(p) x (RC RL) Karena ICQ = 2,76mA < (1/2)(i C maks) = 3.34mA maka: Vomaks(p-p) = 2(ICQ)(RC RL) = 2(2,76mA)(0,5KΩ) = 2,76 Vp-p Prosedur desain titik kerja rangkaian penguat dengan bias pembagi tegangan (gambar 4.16). Langkah 1. Menentukan atau memilih titik Q sesuai kebutuhan. Apabila diinginkan agar penguat dapat menghasilkan sinyal output (ac) semaksimum mungkin tanpa adanya cacat, maka titik Q harus diletakkan ditengah garis beban ac. Dengan demikian i C maks = 2ICQ, dan bila ini dimasukkan pada persamaan 4.23 maka: V CEQ i C maks = I CQ + Rac V CEQ 2ICQ = I CQ + Rac V CEQ I CQ = Rac VCEQ = (ICQ)(Rac)...(4.25) Apabila persamaan 4.25 ini dimasukkan ke persamaan garis beban dc, maka: VCC = VCEQ + (ICQ)(Rdc) VCC = (ICQ)(Rac) + (ICQ)(Rdc) VCC ICQ = (Rac + Rdc)...(4.26) 106

40 Bab 4. Bias DC Transistor Bipolar Setelah harga ICQ diketahui, maka VCEQ dapat dihitung dengan persamaan Apabila penguat tidak diinginkan untuk menghasilkan sinyal output maksimum, maka persamaan 4.25 dan 4.26 pada langkah 1 ini tidak berlaku. Langkah 2. Menentukan harga RB Agar diperoleh stabilitas bias yang baik, maka harga RB paling tinggi harus sebesar 0.1βRE, yaitu: RB 0.1βRE...(4.27) Langkah 3. Menentukan harga VTH atau VBB dengan menggunakan persamaan bias (persamaan 4.15) VBB - VBE ICQ = RB/β + RE VBB = VBE + ICQ (RB/β + RE) Langkah 4 Menentukan R1 dan R2 dari VBB dan RB (persamaan 4.11 dan 4.12) R1.R2 RB = R1 + R2 R2. VCC VBB = R1 + R2 Dari kedua persamaan tersebut dapat diturunkan harga R1 (yang berada di atas) dan R2 (yang berada di bawah) dari gambar 4.16, yaitu: R2. VCC VBB = R1 + R2 107

41 Herman Dwi Surjono, Ph.D. (R1).R2 VCC VBB = R1 + R2 (R1) VCC VBB = RB R1 RB.VCC R1 = VBB...(4.28) Selanjutnya mencari R2: R2. VCC VBB = R1 + R2 R2.VCC = R1.VBB + R2.VBB R2.VCC = RB.VCC + R2.VBB R2.(VCC - VBB) = RB.VCC RB.VCC R2 = VCC - VBB...(4.29) Langkah 5. Menentukan sinyal output maksimum tanpa cacat dari posisi titik Q pada kurva output, sebagaimana langkah 5 pada prosedur analisa titik kerja. Contoh 4.5 Dari contoh 4.4 ternyata bahwa penguat pada gambar 4.20 belum menghasilkan sinyal output yang maksimum, terlihat dari letak titik Q-nya yang tidak ditengah garis beban ac. Oleh karena itu rencanakan agar penguat tersebut dapat menghasilkan sinyal output maksimum, tentunya hanya dengan mengganti harga R1 dan R2 yang sesuai. Penyelesaian: Persamaan 4.26 VCC 5V ICQ = = = 3.13 ma (Rac + Rdc) (0,5KΩ + 1,1KΩ) 108

42 Bab 4. Bias DC Transistor Bipolar Persamaan 4.25 VCEQ = (ICQ)(Rac) = (3.13mA)(0,5KΩ) = 1,56 Volt Persamaan 4.27 RB 0.1βRE Untuk mendapatkan stabilitas bias yang baik RB dibuat sama dengan 0.1βRE dan RB = (0,1)(140)(100Ω) = 1,4 KΩ VBB = VBE + ICQ (RB/β + RE) = 0,7V + (3.13mA){(1,4KΩ/140) + 0,1KΩ) = 1,044 Volt Dengan demikian bisa diperoleh R1 dan R2 dengan persamaan 4.28 dan RB.VCC (1,4KΩ)(5V) R1 = = = 6,7 KΩ VBB 1,044 RB.VCC (1,4KΩ)(5V) R2 = = = 1,77 Volt VCC - VBB 5V - 1,044V 4.8 Ringkasan Pemberian tegangan bias merupakan syarat mutlak agar rangkaian transistor dapat bekerja. Rangkaian bias tetap merupakan cara pemberian tegangan bias yang sangat sederhana. Kerugiannya adalah bahwa stabilitas biasnya sangat jelek, sehingga perlu diberi stabilisasi berupa resistor emitor. Rangkaian bias yang paling banyak digunakan dalam rangkain penguat transistor adalah bias pembagi tegangan atau sering juga disebut dengan self-bias. Stabilitas biasnya sangat baik, sehingga titik kerja transistor hampir tidak dipengaruhi oleh besarnya β. 109

43 Herman Dwi Surjono, Ph.D Soal Latihan 1. Perhatikan rangkaian penguat transistor di bawah. Bila diketahui R1 = 22 KΩ, R2 = 10 KΩ, RC = 1 KΩ, RE = 560 Ω, β = 100, VBEaktif = 0,7 V, VCC = 12 Volt, tentukan titik kerja transistor dan gambarkan garis beban dc-nya. Periksa juga apakah stabilitas biasnya mantap! V CC input C 1 R1 R C C 2 output R2 R E 2. Perhatikan soal no.1, apabila diinginkan agar rangkaian tersebut dapat menghasilkan sinyal output yang maksimum, hitung kembali harga R1 dan R2. Spesifikasi rangkaian kecuali R1 dan R2 adalah sama seperti soal no Perhatikan rangkaian penguat seperti gambar di bawah. Apabila diketahui: R1 = 82 KΩ, R2 = 27 KΩ, RC = 1,2 KΩ, RE = 560 Ω, RL = 2 KΩ, β = 150, VBEaktif = 0,7 V, VCC = 12 Volt, tentukan titik kerja transistor dan gambarkan garis beban dc dan ac-nya. Tentukan pula kemungkinan tegangan output maksimum yang bisa dihasilkan rangkaian tersebut. 110

44 Bab 4. Bias DC Transistor Bipolar V CC input C 1 R1 R C C 2 output R2 R E R L 4. Agar rangkaian dari soal no. 3 dapat menghasilkan sinyal maksimum, hitunglah kembali nilai R1 dan R2. Spesifikasi komponen lainnya adalah sama seperti soal no Ulangi soal no.3 tetapi dengan menambahkan sebuah kapasitor paralel dengan RE. Semua spesifikasi komponen adalah sama. Dari hasil ini, jelaskan perbedaanya bila RE diparalel dengan kapasitor. 6. Ulangi soal no.3 tetapi dengan mengganti harga β sebesar 300 dan komponen lainnya tetap. Bandingkan titik kerja kedua soal tersebut, yakni dengan mengubah harga β dua kali lipat. 7. Perhatikan rangkaian penguat dibawah. Bila diinginkan harga VCEQ = 1.14 Volt dan diketahui RC = 1,5 KΩ, RE = 480 Ω, RL = 5 KΩ, β = 250, VBEaktif = 0,7 V, VCC = 15 Volt, tentukan (a) harga R1 dan R2, (b) garis beban dc dan ac, (c) tegangan output maksimum (Vp-p). 111

45 Herman Dwi Surjono, Ph.D. V CC input C 1 R1 R C C 2 output R2 R E R L 8. Perhatikan soal no.7 kembali. Apabila diinginkan agar tegangan output bisa semaksimum mungkin (VCEQ tidak diketahui), dan spesifikasi rangkaian sama (kecuali harga VCEQ yang tidak diketahui), tentukan nilai R1 dan R2. 9. Perhatikan rangkaian penguat dibawah (halaman sebaliknya). Bila diinginkan harga VCEQ = 5 Volt dan diketahui RE = 680 Ω, RL = 5 KΩ, β = 150, VBEaktif = 0,7 V, VCC = 15 Volt, tentukan (a) harga R1 dan R2, (b) garis beban dc dan ac, (c) tegangan output maksimum (Vp-p). 10. Perhatikan soal no.9 kembali. Apabila diinginkan agar tegangan output bisa semaksimum mungkin (VCEQ tidak diketahui), dan spesifikasi rangkaian sama (kecuali harga VCEQ yang tidak diketahui), tentukan nilai R1 dan R2. 112

46 Bab 4. Bias DC Transistor Bipolar V CC input C 1 R1 C 2 output R2 R E R L 113

47 Herman Dwi Surjono, Ph.D. Sumber Pustaka Boylestad and Nashelsky. (1992). Electronic Devices and Circuit Theory, 5th ed. Engelwood Cliffs, NJ: Prentice-Hall, Inc. Floyd, T. (1991). Electric Circuits Fundamentals. New York: Merrill Publishing Co. Malvino, A.P. (1993). Electronic Principles 5th Edition. Singapore: McGraw-Hill, Inc. Milman & Halkias. (1972). Integrated Electronics: Analog and Digital Circuits and Systems. Tokyo: McGraw-Hill, Inc. Savant, Roden, and Carpenter. (1987). Electronic Circuit Design: An Engineering Approach. Menlo Park, CA: The Benjamin/Cummings Publishing Company, Inc. Stephen, F. (1990). Integrated devices: discrete and integrated. Englewood Cliffs, NJ: Prentice-Hall, Inc. 114