Transistor Dwi Kutub. Laila Katriani. laila_katriani@uny.ac.id



dokumen-dokumen yang mirip
Catatan Tambahan: Analisis Penguat CE, CB, dan CC dengan resistansi Internal transistor yang tidak bisa diabaikan (nilai r o finite)

Dioda-dioda jenis lain

Transistor Bipolar BJT Bipolar Junction Transistor

Mata kuliah Elektronika Analog L/O/G/O

MODUL II MERANCANG PENGUAT COMMON EMITTER SATU TINGKAT

Prinsip kerja transistor adalah arus bias basis-emiter yang kecil mengatur besar arus kolektor-emiter.

I. Tujuan Praktikum. Mampu menganalisa rangkaian sederhana transistor bipolar.

Transistor Bipolar. oleh aswan hamonangan

Transistor Bipolar. III.1 Arus bias

Struktur Fisik Bipolar Junction Transistor (BJT)

TRANSISTOR Oleh : Agus Sudarmanto, M.Si Tadris Fisika Fakultas Tarbiyah IAIN Walisongo

BAB II LANDASAN TEORI

- 1 - FAKULTAS TEKNIK UNIVERSITAS NEGERI YOGYAKARTA LAB SHEET PRAKTIK ELEKTRONIKA ANALOG I

LAPORAN PRAKTIKUM ELKA ANALOG

Nama Kelompok : Agung Bagus K. (01) Lili Erlistantini (13) Rahma Laila Q. (14) PENGUAT RF. Pengertian Penguat RF

Solusi Ujian 1 EL2005 Elektronika. Sabtu, 15 Maret 2014

Bias dalam Transistor BJT

MODUL PRAKTIKUM RANGKAIAN ELEKTRONIKA DASAR

TRANSISTOR 1. TK2092 Elektronika Dasar Semester Ganjil 2012/2013. Hanya dipergunakan untuk kepentingan pengajaran di lingkungan Politeknik Telkom

MODUL ELEKTRONIKA DASAR

Cutoff Region Short-Circuited Base Open-Circuited Base Cutin Voltage

TRANSISTOR. Pengantar Teknik Elektronika Program Studi S1 Informatika Sekolah Tinggi Teknologi Telematika Telkom Purwokerto

SATUAN ACARA PERKULIAHAN UNIVERSITAS GUNADARMA

Penguat Kelas A dengan Transistor BC337

Gambar 1 Tegangan bias pada transistor BJT jenis PNP

PENGUAT-PENGUAT EMITER SEKUTU

SATUAN ACARA PERKULIAHAN

Bagian 4 Pemodelan Dioda

Modul Elektronika 2017

PENGUAT TRANSISTOR. Oleh : Sumarna, Jurdik Fisika, FMIPA, UNY

BAB II Transistor Bipolar

TRANSISTOR SEBAGAI SAKLAR DAN SUMBER ARUS

MODUL 05 TRANSISTOR SEBAGAI PENGUAT

Pendahuluan. 1. Timer (IC NE 555)

Modul 05: Transistor

Elektronika Lanjut. Herman Dwi Surjono, Ph.D.

1. Perpotongan antara garis beban dan karakteristik dioda menggambarkan: A. Titik operasi dari sistem B. Karakteristik dioda dibias forward

RANGKAIAN-RANGKAIAN PRATEGANGAN TRANSISTOR. Oleh : Danny Kurnianto,S.T.,M.Eng

BAB II TINJAUAN TEORITIS

Daerah Operasi Transistor

BAB VII ANALISA DC PADA TRANSISTOR

PERTEMUAN 9 RANGKAIAN BIAS TRANSISTOR (LANJUTAN)

6.8 Daerah Saturasi ( Saturation Region ) CE

Elektronika : Teori dan Penerapan. Herman Dwi Surjono, Ph.D.

I. Penguat Emittor Ditanahkan. II. Tujuan

[LAPORAN PENGUAT DAYA KELAS A] BAB I PENDAHULUAN

MODUL 04 TRANSISTOR PRAKTIKUM ELEKTRONIKA TA 2017/2018

Elektronika Lanjut. Herman Dwi Surjono, Ph.D.

DASAR PENGUKURAN LISTRIK

Pengertian Transistor fungsi, jenis, dan karakteristik

Elektronika : Teori dan Penerapan. Herman Dwi Surjono, Ph.D.

Fungsi Transistor dan Cara Mengukurnya

PERTEMUAN 1 ANALISI AC PADA TRANSISTOR

Analisis AC pada transistor BJT. Oleh: Sri Supatmi,S.Kom

Rangkaian Penguat Transistor

Elektronika : Teori dan Penerapan. Herman Dwi Surjono, Ph.D.

BAB II LANDASAN TEORI

RISA FARRID CHRISTIANTI, S.T.,M.T.

Mekatronika Modul 1 Transistor sebagai saklar (Saklar Elektronik)

1 DC SWITCH 1.1 TUJUAN

TUGAS DASAR ELEKTRONIKA

KARAKTERISTIK TRANSISTOR. Risa Farrid Christianti

Karakteristik Transistor. Rudi Susanto

BAB II TINJAUAN PUSTAKA

KOMPONEN-KOMPONEN ELEKTRONIKA

BAB I PENDAHULUAN. 1.1 Tujuan Percobaan Mempelajari karakteristik statik penguat opersional (Op Amp )

Mekatronika Modul 3 Unijunction Transistor (UJT)

SILABUS (DASAR ELEKTRONIKA) Semester II Tahun Akademik 2014/2015. Dosen Pengampu : 1. Syah Alam, S.Pd, M.T

( s p 1 )( s p 2 )... s p n ( )

RANGKAIAN SETARA (EKIVALEN), RESISTOR

BAB II DASAR TEORI Gambar 2.1. Simbol Dioda.

RANGKAIAN INVERTER DC KE AC

hubungan frekuensi sumber tegangan persegi dengan konstanta waktu ( RC )?

BAB IV HASIL DAN PEMBAHASAN

MODUL PRAKTEK RANGKAIAN ELEKTRONIKA

BAB II TINJAUAN TEORITIS

1. Pengertian Penguat RF

RESPON FREKUENSI PENGUAT CE

MODUL 07 PENGUAT DAYA

REKAYASA HARDWARE [HARDWARE ENGINEERING ]

MATERI IV DIODA : PENGERTIAN DAN KARAKTERISTIK

Penguat Kelas B Komplementer Tanpa Trafo Keluaran

KARAKTERISTIK TRANSISTOR

Pengenalan Komponen dan Teori Semikonduktor

BAB II LANDASAN TEORI

BAB IV HASIL PERCOBAAN DAN ANALISIS

LAB SHEET ILMU BAHAN DAN PIRANTI

Modul 3. Asisten : Catra Novendia Utama ( ) : Derina Adriani ( )

PENGUAT MENGGUNAKAN TRANSISTOR


KOMPONEN AKTIF. Resume Praktikum Rangkaian Elektronika

BAB II LANDASAN TEORI. telur,temperature yang diperlukan berkisar antara C. Untuk hasil yang optimal dalam

2015/2016 SEKOLAH TINGGI TEKNIK PLN LAB DASAR TEKNIK ELKTRO. Petunjuk Praktikum Elektronika 1 LAB DASAR TEKNIK ELEKTRO LT. 6

Pertemuan Ke-2 DIODA. ALFITH, S.Pd, M.Pd

KATA PENGANTAR. Surabaya, 13 Oktober Penulis

BAB II LANDASAN TEORI

B a b. Pembiasan BJT. = β..(4.3)

SATUAN ACARA PERKULIAHAN TEKNIK ELEKTRO ( IB ) MATA KULIAH / SEMESTER : ELEKTRONIKA ANALOG* / 6 KODE / SKS / SIFAT : IT41351 / 3 SKS / UTAMA

ZCT 106/3 - Elektronik I

Arus Searah (Direct Current) Fundamental of Electronics

Transkripsi:

Transistor Dwi Kutub Laila Katriani laila_katriani@uny.ac.id

Transistor adalah komponen elektronika semikonduktor yang memiliki 3 kaki elektroda, yaitu Basis (Dasar), Kolektor (Pengumpul) dan Emitor (Pemancar). Komponen ini berfungsi sebagai penguat, pemutus dan penyambung (switching), stabilitasi tegangan, modulasi sinyal dan masih banyak lagi fungsi lainnya. Selain itu, transistor juga dapat digunakan sebagai kran listrik sehingga dapat mengalirkan listrik dengan sangat akurat dan sumber listriknya.

Emiter Bersama (Command Emitter)

Karakteristik Emiter (CE)

Rangkaian Dasar Emiter (CE) Dari rangkaian dasar emiter dibawah ini :

Dapat diketauhi bahwa kita membutuhkan rangkaian setara Thevenin untuk rangkaian dasar emiter. Dengan menggunakan teorama Thevenin, maka rangkaian di sebelah kiri titik A-B pada gambar di atas dapat diganti dengan sumber tegangan V dengan reistants sumber RB.

Sehingga di dapat persamaan pertamanya : Lalu dengan menggunakan hukum Kirchoff, tegangan (V) pada rangkaian basis diperoleh persamaan :

Persamaan diatas diselesaikan dengan pendekatan, apabila Maka : Namun, apabila pendekatan tersebut tidak memenuhi. Maka penentuan titik Q dilakukan secara analisis : Sehingga dapat dihitung IB dan IC, dengan persamaan dan

Selain itu rangkaian dasar emiter relatif stabil terhadap perubahan β dan suhu. Jika β atau suhu bertambah, maka IC akan bertambah. Sehingga penurunan tegangan pada RE (=VRE) akan bertambah juga. Akan tetapi jika, maka IB berkurang, dan mengakibatkan IC berkurang juga. Hal tersebut menunjukkan bahwa IC berubah berlawan dengan berubahnya β maupun suhu. Karena IB dikendalikan secara parsial oleh IC melalui RE, maka terjadilah umpan balik. Rangkaian dasar ini disebut rangkaian dasar umpan balik emiter.

Penguat Emiter Bersama (CE) Emiter menjadi suatu bagian bersama bagi rangkaian masukan dan keluaran. Rangkaian penguat emiter bersama ditunjukan pada gambar dibawah :

Kemudian rangkaian ekuivalen AC-nya dengan transistor diganti dengan model parameter h pendekatan, terlihat pada gambar dibawah (untuk penyederhanaan analisis, resistor rangkaian dasar basis R1 dan R2 diabaikan) :

Sehingga besaran yang dicari adalah penguat arus (Ai), resistans masukan (Ri), penguat tegangan (Av), dan resistans keluaran (Ro). Dan penguat arus (current gain) adalah rasio (hasil bagi) antara arus keluaran (Io), dan arus masukan (Ii). Karena Ic = hfe Ib, maka :

Dimana resistans masukan (input resistance) yang terlihat pada ujung basis adalah rasio antara tegangan masukan (Vi) dan arus masukan (Ii). Penguat tegangan (voltage gain) adalah rasio antara tegangan keluaran (Vo) dan tegangan masukan (Vi).

Penguat tegangan dengan memperhitungkan resistans sumber (Rs) adalah Avs, yaitu :

Sedangkan resistans keluaran (output resistance) adalah resistans di dalam penguat yang terlihat oleh beban. Resistans keluaran diperoleh dengan membuat Vs = 0 dan RL=. Dengan menghubungkan pembangkit luar V2 pada ujung keluaran, maka arus I2 mengalir ke dalam penguat. Resistor keluaran adalah rasio antara V2 dan I2 : Dengan Vs = 0, maka Ib = 0 sehingga : I2 = Ic = hfe Ib = 0, dan Maka resistans keluaran dengan memperhitungkan resistans beban adalah :

Penguat Emiter Bersama dengan Resistor Emiter Digunakan untuk stabilisasi peroleh tegangan terhadap perubahan parameter transistor hfe. Rangkaian penguat ini sama seperti penguat emiter bersama, kecuali dengan resistor emitter RE dan tanpa kapasitor emiter CE. Rangkaian ekuivalen AC-nya pada gambar berikut (dengan mengabaikan resistor rangkaian dasar basis) :

Dari gambar tersebut, dapat dibuktikan bahwa : Jika (1 + hfe)re >> hie, maka : Jika dibandingkan dengan penguat emiter bersama, dapat terlihat bahwa perolehan arus Ai tetap, dan resistans masukan Ri bertambah dengan (1 + hfe)re, sedangkan resistans keluaran Ro tetap pula. Apabila (1 + hfe)re >> hie, maka peroleh tegangan Av menjadi stabil, dan tidak tergantung pada parameter transistor.

Kolektor Bersama (Command Collector)

Karakterisktik Kolektor Untuk mempelajari karakteristik transistor, maka transistor mula-mula dipasang dalam rangkaian seperti gambar berikut :

Kurva Kolektor

Kurva karakteristik kolektor merelasikan Ic dan VCE dengan Ib sebagai parameter. Terlihat pada gambar kurva kolektor, bahwa kurva tersebut terbagi menjadi 3 daerah, yaitu jenuh, aktif, dan cut-off. 1. Daerah jenuh (saturasi), adalah daerah dengan VCE kurang dari tegangan lutut (knee) VK. Daerah jenuh terjadi jika sambungan emiter dan sambungan basis berprasikap maju. Pada daerah jenuh arus kolektor tidak tergantung pada nilai IB. Tegangan jenuh kolektor-emiter, VCE(sat) untuk transistor silikon adalah 0,2 V, sedangkan untuk transistor germanium adalah 0,1 V. 2. Daerah aktif, adalah antara tegangan lutut VK dan tegangan dadal (break down) VBR serta di atas IB = ICO. Daerah aktif terjadi jika sambungan emiter diberi prasikap maju dan sambungan kolektor diberi prasikap balik. Pada daerah aktif arus kolektor sebanding dengan arus basis. Penguatan sinyal masukan menjadi sinyal keluaran terjadi pada daerah aktif. 3. Daerah cut-off (putus) terletak dibawah IB = ICO. Sambungan emiter dan sambungan kolektor berprasikap balik. Pada daerah ini IE = 0; IC = ICO = IB.

Rangkaian Dasar Umpan Balik Kolektor (CC) Dari gambar diatas dapat diketauhi bahwa, rangkaian dasar umpan balik kolektor mempunyai stabilitas karena resistor basis langsung dihubungkan ke kolektor sebagai umpan balik dari kolektor ke basis.

Dengan hukum Kirchoff tegangan (V) untuk rangkaian basis diperoleh persamaan (dengan asumsi IB << IC) : Menggunakan subtitusi IC dengan βib diperoleh : Penyelesaian persamaan menghasilkan IB :

Setelah diperoleh IB, maka diperoleh arus kolektor IC : Maka di dapat tegangan kolektor-emiter adalah : Rangkaian dasar umpan balik kolektor relatif stabil terhadap β karena IB berubah berlawan terhadap β. Demikian pula terhadap perubahan suhu. Jika suhu naik, maka IC naik sehingga β naik. Dengan naiknya β maka IB turun, sehingga mengurangi naiknya IC.

Penguat Kolektor Bersama Kolektor menjadi bagian bersama dari rangkaian masukan dan keluaran. Rangkaian penguat kolektor bersama ditunjukkan pada gambar berikut :

Sedangkan rangkaian ekuivalen AC-nya terlihat pada gambar berikut :

Untuk analisis pendekatannya, transistor dapat diganti dengan model parameter h pendekatan. Maka peroleh arus, adalah rasio antara IL dan Ii Peroleh arus penguat kolektor bersama, mendekati peroleh arus penguat emiter bersama. Resistans masukan dapat dihitung dari : Dari gambar rangkaian kolektor bersama, terlihat bahwa Karena hfe >>1, maka Ri >>hie. Terlihat bahwa resistans masukan mempunyai nilai yang sangat besar.

Penguat tegangan dapat dihitung berdasarkan persamaan dengan reistans beban RE, yaitu : Sedangkan dari persamaan diperoleh : Karena tegangan keluaran (emiter) mengikuti tegangan masukan (basis), maka penguat ini disebut pengikut emiter.

Resistans keluaran dapat dihitung dengan membuat Vs = 0 dan resistans beban RL =, serta pembangkit luar V2 dihubungkan ke ujung keluaran. Hal tersebut ditunjukkan pada gambar dibawah : Dapat diketauhi dari rangkaian diatas, yaitu :

Karena hfe >>1, maka Ro menjadi kecil (dimana nilainya hanya beberapa ohm saja). Resistans keluaran dengan memperhitungkan beban adalah : Karena rangkaian pengikut emiter ini mempunyai resistans masukan yang tinggi dan resistans keluaran yang rendah. Sehingga rangkaian ini sering digunakan untuk penyesuai impedans (impedance matching) dari penguat berimpedans keluaran yang tinggi ke beban berimpedans rendah.

Soal Untuk penguat berikut, transistor mempunyai parameter hfe = 300 dan hie = 10k ohm. Nilai R1 = 100k ohm, R2 = 5k ohm, RL = 10k ohm, dan Rs = 1k ohm. Semua kapasitor dianggap hubung singkat pada frekuensi kerja.

Tentukan : a. Ai = Io/Ii b. Ri = Vi/Ii c. Av = Vo/Vi d. Avs = Vo/Vs e. Ro f. Ro