DEPOSISI LAPISAN TIPIS CuInSe2 TIPE-P UNTUK SEL SURYA CIS DENGAN TEKNIK DC SPUTTERING
|
|
- Agus Tedja
- 6 tahun lalu
- Tontonan:
Transkripsi
1 164 SSN Wirj(J{uli. dkk. DEPOSS LAPSAN TPS CunSe2 TPE-P UNTUK SEL SURYA CS DENGAN TEKNK DC SPUTTERNG Wirjoadi, Yunanto, Bambang Siswanto, Sri Sulamdari, Tri Mardji Atmono Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan - BATAN ABSTRAK DEPOSS LAP/SAN TP/S CulnSe2 TPE-P UNTUK SEL SURYA CS DENGAN TEKNK DC SPUTTERNG. Telah dilakulwn deposisi lapisan tipis CulnSe] tipe-p pada substrat lwca untuk sel surya CS dengan teknik dc sputtering. Target dibuat dari paduan tiga bahan Cu, n dan Se dengan metode Bridgman. Parameter sputtering yang dilakulwn yaitu variasi waktu deposisi 30; 40; 50; 60 dan 70 menit. yang lain dibuattetap yaitu telwnan gas /x ur' Torr, suhu substrat 200 "c, tegangan 4 kv dan arus 15 ma.. Dari hasil pengukuran dengan probe empat titik diperoleh nilai resistivitas p lapisan tipis CulnSe] optimum pada waktu deposisi 60 menit yaitu : 0.41 fkm. Pengamatan struktur kristal dengan XRD diperoleh hasil struktur kristal CulnSe2 adalah tetragonal. sedanglwn dari ana/isa unsur menggunalwn EDS diperoleh hasil 0=31,45 %; Cu=31.19 %; n=14,32 %; Se=23,04 %. Hasil pengamatan strukturmikro dengan SEM diperoleh butiran-butiran yang terdistribusi cukup homogen dan mempunyai ketebalan lapisan 0,9 f.jm. ABSTRACT DEPOSTON OF THE P-TYPE CulnSez THN FLM USNG DC SPUTTERNG TECHNQUE FOR CS SOLAR CELL. The P-type ofculnsez thin films were deposited on the glass substrate. The target of Cu, n and Se alloy have made by Bridgman method. Variations of the time deposition was 30, 40, 50, 60 and 70 min, and other sputtering parameters such as a gas pressure, substrate temperature, voltage and current were kept constant at /xur' Torr, 200 "C. 4 kv and /5 ma, respectively. From the resistivity measurement using four-point probe that the optimum resistivity of CulnSez thin film was p = (6,17 1: 0,41) fkm this resistivity was achieved on the time deposition 60 min. The crystal structure and element composition have been observed by XRD and EDS. The result of crystal structure is tetragonal with a compositions 0 = 3/,45 %; Cu = 31,/9 %; n = %; Se = 23,04 %. From microstructure analysis it was observed that the grains were distributed homogenously with the thickness of the thin film was in order of 0,9 f.jm. PENDAHULUAN Pada litiantahun dan pengembangan terakhir ini banyak pembuatan dilakukan bermacammacam sel surya, salah satunya adalah sel surya CS pene dimana efisiensinya lebih tinggi dibanding dengan sel surya lainnya. Selain sel surya CS, biasanya digunakan bahan semikonduktor murni yang dib~ri pengotor bahan lain, sehingga konduktivitasnya masih rendah. Dengan demikian efisiensi yang dihasilkan juga lebih rendah dari sel surya CS.] Sel surya CS dibuat dari bahan pokok paduan serbuk Cu, n dan Se. Paduan bahan Cu, n, Se ini dibuat target untuk membuat lapisan tipis CulnSe2 tipe-p. Bahan Cu adalah bahan konduktor yang mempunyai konduktivitas tinggi dan bahan Se juga termasuk bahan semikonduktor tipe-p dengan konduktivitas tinggi, sedangkan n termasuk bahan konduktor yang mempunyai valensi tiga yang biasanya untuk membuat lapisan tipis tipe-p pada bahan silikon. Ketiga bahan terse but akan membentuk bahan-bahan CS dengan tipe_p.[1.2j Bahan Cu digunakan untuk memperbesar konduktivitas dan nse digunakan untuk membentuk tipe-p. Komposisi ketiga bahan ini diharapkan sesuai, sehingga paduan CulnSe mempunyai sifat konduktivitas dan serapan tinggi. Selain mempunyai sifat-sifat tersebut, juga harus mempunyai struktur kristal, sehingga bila disambung dengan lapisan tipis tipe-n, aliran elektron dan hole bisa mengalir secara maksimal. [1.2J Untuk membuat sel surya CS lapisan tipis tipe-p dari CulnSe ini juga akan dilapiskan pada lapisan tipis elektroda belakang yang dibuat dari bahan Mo. Bahan Mo ini sebelumnya telah dilapiskan pada substrat kaca, karena bahan ini bila dilapisi bahan CS tidak terdifusi ke lapisan tipis Mo. Apabila paduan CS berdifusi ke lapisan tipis Mo, maka akan menyebabkan menurunnya konduktivitas maupun reflektivitas. Penurunan konduk- Prosldlng PP - PDPTN 2006 Yogyakarta. 10 Juli 2006
2 J';r;(/(/li. tlkk. SSN 'i tivitas dan retlektivitas ini pada akhirnya akan menurunkan efisiensi yang tidak kita kehendaki. Untuk membuat sambungan pen lapisan tipis CulnSe disambung dengan lapisan tipis tipe-n dari bahan CdS untuk penyangga dan baru dilapisi lapisan tipis tipe-n dari bahan ZnO. Lapisan tipis dari ZnO dan CdS sebagai jendela, sedangkan untuk lapisan tipis elektroda transparan dari ZnOA.13! Paduan dari tiga bahan serbuk Cu, n dan Se yang masing-masing dengan kemumian 99,9 % dibuat untuk target CulnSe2 berbentuk pelet dengan persentase perbandingan berat Cu:n:Se = 25% : 25% : 50% atau : :2, dimasukkan ke dalam tabung kaea pireks, kemudian divakumkan dengan pompa vakum rotari sampai tekanan 5 x 10.2 Torr. Selanjutnya tabung pireks beserta isinya dipanasi sampai 600 C selama 5 jam. Ketiga bahan target tersebut akan meleleh menjadi satu dalam tabung pireks setelah dipanaskan, sedangkan dalam ruang vakum berfungsi untuk menghindari terjadinya senyawa ketiga bahan dengan unsur a (tanpa terjadi oksidasi). Sebelum dibuat target, kaea pireks dipeeah, kemudian paduan ketiga bahan dalam kaea pireks digerus sampai halus untuk dibuat target dan metode ini sering disebut dengan metode Bridgman.[41 Pembuatan lapisan tip is CunSe tipe-p untuk sel surya CS ini dengan menggunakan teknik de sputtering. Proses pembuatan lapisan tipis CulnSe tipe-p yaitu target CulnSe ditempatkan pada katode dalam ruang vakum reaktor plasma. Kemudian gas argon dialirkan sehingga bahan target ditumbuki oleh ion-ion Ar, maka atom paduan dari CulnSe terpereik ke substrat kaea yang ditempatkan pada anode dalam ruang vakum reaktor plasma untuk membentuk ]apisan tipis CulnSe. Hasil ]apisan tipis CulnSe tipe-p yang diperoleh diharapkan mempunyai konduktivitas dan serapan yang tinggi. TATA KERJA Persiapan Cup/ikan Substrat dibuat dari kaea preparat yang dipotong mm x 2 mm dieuei sampai bersih menggunakan air yang diberi deterjen. Kemudian substrat dieuei lagi menggunakan peneuei ultrasonik dengan alkohol untuk menghilangkan kotoran dan lemak yang menempel di kaea. Selanjutnya substrat dipanaskan dengan pemanas/oven 150 C, berfungsi untuk menguapkan eairan yang menempel pada substrat. Pembuatan Target Pembuatan target metode Bridgman Ketiga bahan serbuk Cu, n dan Se dengan perbandingan : 1:2 dimasukkan ke dalam tabung kaea pireks. Kemudian kaea pireks divakumkan dengan menggunakan pompa vakum rotari sampai tekanan 5 x 10.2 Torr. Selanjutnya ketiga bahan target da]am kaea pireks yang divakum tersebut dipanasi sampai suhu 600 C se]ama 5 jam. Ketiga bahan target tersebut akan mele]eh menjadi satu dalam tabung pireks setelah dipanaskan tanpa terjadi oksidasi. Sebelum dibuat target, kaea pireks dipeeah, kemudian paduan ketiga bahan digerus sampai ha]us untuk dibuat target berbentuk pelet dengan diameter = 65 mm dan tebal = 2 mm yang dipress dengan tekanan sebesar 500 kg/em2. Pendeposisian Lapisan Tipis Deposisi lapisan tipis menggunakan DC sputtering Substrat kaea diletakkan pada anoda, sedangkan target CulnSe diletakkan pada katoda dan kedua elektrode terse but terletak di dalam ruang vakum reaktor plasma. Tabung reaktor plasma divakumkan dengan menggunakan pompa rotari dan pompa turbo, sehingga tekanan da]am tabung turun menjadi 5 x 10.5 Torr. Target CulnSe hasil dari paduan tiga bahan yang dibuat dengan metode Bridgman didinginkan dengan aliran air pendingin AC yang disirkulasi menggunakan pompa air. Gas Ar dialirkan melalui kran gas, sehingga tekanan gas menjadi 7 x 10.2 Torr. Tegangan DC dipasang ke elektroda sehingga gas Argon terionisasi yang akan menumbuki pada target CunSe dan terpereik ke substrat kaca. Untuk mendapatkan lapisan tipis yang mempunyai resistivitas rendah dan absorbansi tinggi telah dilakukan var1asi waktu deposisi. Kondisi parameter sputtering lainnya dibuat tetap yaitu tekanan gas x 10.1 Torr, suhu 200 C, tegangan 4 kv dan arus 15 ma. Pengukuran Resistivitas dan Tipe Konduksi Untuk mengetahui pengukuran nilai resistansi, resistivitas dan tipe konduksi lapisan tipis CulnSe pada substrat kaea, dilakukan dengan menggunakan peralatan probe empat titik.. Peralatan FPP-5000 (probe empat titik) ini dapat untuk mengukur resistivitas ]apisan tipis dari (, x ,45 x 106) ohm.em. Pada a]at ini dilengkapi sumber tegangan untuk lapisan tip is. Tegangan V timbul pada probe bagian dalam, karena lapisan tipis dialiri arus pada probe bagian luar yang berasal dari sumber tegangan yang nilainya sudah ditentukan. Untuk mengetahui tipe konduksi ]apisan tipis dengan alat ini, salah satu titiknya diberi Prosldlng PP PDPTN 2006
3 166 SSN Wirjoudi. du. pemanas, sehingga dapat juga untuk mengetahui jenis tipe konduksi dari lapisan tipis yang diukur. Pengukuran Absorbansi Lapi.mn Tipis CulnSe2 Untuk mengetahui sifat-sifat optik (absorbansi) lapisan tipis CulnSe2 menggunakan spektrofotometer UV-vis. Peralatan ini terdiri dari sumber cahaya dari lampu wolfram, lampu lucutan hidrogen monokromatis, tempat cuplikan, detektor, penguat tegangan dan penampil. Pada peralatan UV-vis ini panjang gelombang dapat di skan secara halus dari panjang gelombang ( ) nm menggunakan monokromator. Cahaya yang keluar dari monokromator dideteksi, sehingga berubah menjadi sinyal istrik. Kemudian sinyal istrik ini diperkuat oleh penguat dan ditampilkan pada penampil. Pengamatan Struktur Kristal Lapisan Tipis CulnSe2 Dengan XRD Untuk mengamati apakah lapisan tipis CulnSe2 yang terdeposisi pada substrat kaca adalah kristal, maka perlu diamati struktur kristalnya dengan menggunakan XRD. Salah satu prinsip kerja dari XRD yang biasa digunakan adalah metode pemutaran kristal tunggal dalam suatu berkas sinar X. Berkas sinar X ini berasal dari suatu elektrode yang ditembaki dengan elektron kecepatan tinggi. Struktur kristal ditentukan oleh pola difraksinya, yaitu intensitas atom yang dihamburkan sebagai fungsi sudut hamburan. Arah berkas sinar X yang dipantul-kan ditentukan oleh geometri kisi atau sebaliknya geometri kisi ditentukan oleh orientasi dan jarak antar bidang kristal. Dengan demikian akan memenuhi hukum Bragg yaitu masing-masing kristal yang berbeda pad a orientasi bidangnya akan mempunyai posisi pantulan tertentu untuk masingmasing bidang yang berputar pada cuplikan.!s] HASL DAN PEMBAHASAN Hasil pengukuran sifat-sifat listrik atau nilai resistivitas lapisan tipis CulnSe2 dengan variasi waktu deposisi, pad a tekanan gas x 10.1 Torr, suhu 200 C, tegangan 4 kv dan arus 15 ma dengan menggunakan teknik DC Sputtering ditunjukkan pad a Gambar (;J en +:: ' "" C'G ~.~ fl':: Q) en 100 L 9\ ktu deposisi (menit) E Gambar 1. Grafik nilai resistivitas lapisan tipis CulnSez vs waktu deposisi, pada tekanangas 1 x 10.1 Torr dan suhu 200 C dengan teknik DC SpuUering. Prosidlng PP - PDPTN 2006
4 Wirjoadi, dkk. SSN Hasil nilai resistivitas (sifat listrik) lapisan tipis CulnSe2 tergantung pada ketebalan lapisan tipis, sedangkan ketebalan lapisan tip is tergantung pada jumlah pereikan atom target yang terdeposisi pad a substrat kaea. Jumlah pereikan atom target tergantung dari jumlah ion dan energi ion Argon. Untuk variasi waktu deposisi, jumlah dan energi ion Ar dibuat tetap yaitu dengan parameter sputtering (tekanan gas, suhu substrat, tegangan elektroda dan arus) ditentukan. Pada saat waktu deposisi (30-60) men it, nilai resistivitas mengalami penurunan dari p = (488,66 ± 20,07) Oem menjadi p = (6,17 ± 0,41) Oem. Nilai resistivitas mengalami penurunan ini karena dengan bertambahnya waktu deposisi menyebabkan jumlah partikel yang tersputter per satuan luas juga akan meningkat Kemudian kebolehjadian atom-atom target yang ~rdeposit pada permukaan substrat juga semakin besar, sehingga lapisan tipis CulnSe2 yang terbentuk juga akan bertambah rapat dan tebal. Untuk penambahan waktu deposisi dari (60-70) menit, nilai resistivitas lapisan akan mengalami kenaikan lagi menjadi p = (267 ± 0,82) Oem. Hal ini dimungkinkan karena terjadinya penumpukan atom-atom tersputter pada permukaansubstrat akibat penambahan ketebalan, sehingga kualitasdari lapisan CulnSe2 menjadi kurang baik dan hasil lapisan tipis akan mudah terkelupas. Menurut hand book deposisi lapisan CS mempunyai nilai resistivitas berkisar an tara (1-550) Oem. Hasil pengukuran sifat optik atau nilai absorbansi lapisan tipis CulnSe2 menggunakan spektrofotometer UV-vis dengan variasi panjang gelombang, untuk waktu deposisi 40 dan 60 menit ditunjukkan pada Gambar 2. Hasil dari karakterisasi dengan spektrofotometer UV-vis menunjukkan bahwa untuk waktu deposisi (40-60) menit diperoleh nilai absorbansi semakin besar (69,97-90,30) %, pada panjang gelombang 550 nm dan (30,67-29,55) %, pada panjang gelombang 790 nm. Nilai absorbansi untuk waktu deposisi 60 menit lebih besar bila dibandingkan dengan nilai absorbansi untuk waktu deposisi 40 menit. Hal ini dimungkinkan karena semakin lama waktu deposisi, jumlah atom yang terdeposisi pada substrat kaea semakin banyak, sehingga lapisan tipis CulnSe2 yang dihasilkan semakin tebal. Besarnya nilai absorbansi suatu bahan tergantung pada warna dan ketebalan bahan yang dikenai eahaya. Dalam pengukuran sifat optik (absorbansi) dengan spektrofotometer UV-vis, pada Gambar 2 dapat dilihat bahwa nilai absorbansi lapisan tipis pada panjang gelombang ( ) nm eenderung menurun, karena energi foton yang datang mengenai material menurun. Apabila hasil lapisannya semakin tebal dan warn a bahan semakin gelap, maka nilai absorbansi bahan tersebut akan semakin besar. Untuk lapisan tipis yang dibuat dari target CulnSe2, warna dari target adalah gelap, sehingga warn a dari lapisan tipis yang dihasilkan juga gelap. Dengan demikian lapisan yang tebal eenderung akan semakin banyak menyerap eahaya, sehingga nilai absorbansi yang dihasilkan juga akan semakin besar. c ~ 0 /) ~.c cu 'in c( " menit --L:, menit Panjang Gelombang (nm) Gambar 2. Grafik nilai absorbansi lapisan tipis CulnSez versus panjang gelombang, untuk waktu deposisi 40 dan 60 menit. Prosiding PP - POPTN 2006 Yogyakarta, 10 Jull 2006
5 168 SSN Wirjoadi, du. Hasil lapisan. tipis CulnSez (metode Bridgman) pada tekanan gas x 10-1 Torr, suhu 200 C, waktu 60 menit dan daya 60 W dideposisi dengan teknik DC Sputtering, kemudian hasil lapisan dikarakterisasi dengan difraksi sinar X (XRD) ditunjukkan pada Gambar 3. Untuk pembuatan target paduan beberapa unsur bahan Cu, n dan Se yang mempunyai suhu leleh yang agak jauh berbeda, maka salah satu metode diantaranya adalah menggunakan metode Bridgman. Tabung kaea pireks berisi ketiga bahan serbuk Cu, n dan Se divakum dengan menggunakan pompa vakum rotari sampai tekanan 5 x 10-2 Torr. Kemudian kaea pireks dipanasi sampai suhu 600 C selama 5 jam, sehingga ketiga bahan tersebut meleleh menjadi satu. Selanjutnya kaea pireks dipeeah, paduan ketiga bahan digerus sampai halus untuk dibuat target berbentuk pelet dengan diameter = 65 mm dan tebal = 2 mm. Dengan demikian terbentuklah target CunSe2 yang akan digunakan untuk deposisi lapisan. Lapisan tipis CunSe tipe-p untuk sel surya CS diharapkan berbentuk kristal sehingga bila digabungkan dengan lapisan tipe-n elektron akan dengan mudah lewat, yang akhimya akan menaikkan efisiensi. Untuk karakterisasi struktur kristallapisan tipis CunSe2 dari hasil deposisi, diamati dengan difraksi sinar X (XRD). Berdasarkan analisis pola difraksi terlihat bahwa pad a hasil deposisi lapisan tipis terjadi beberapa pertumbuhan kristal yang terorientasi pada bidang (112), (200) dan (220), dengan sudut 29 masing-masing 26,94 ; 30,85 dan 44,63. Pada bidang (hkl) tersebut diatas menunjukkan puneak paduan CulnSe, sedangkan pada puneak lain dengan intensitas yang lebih kecil terorientasi pad a bidang (312) dengan sudut 20 = 52,83 adalah puneak paduan antara Cu dengan unsur 0 yang ikut terionisasi dan bersenyawa dengan atom Cu. Hasil pengukuran karakterisasi lapisan tipis CulnSe2 DC Sputtering dengan EDS ditunjukkan pada Gambar 4. Untuk mengetahui apakah lapisan tipis yang terbentuk pada substrat kaea terse but benar-benar mengandung unsur CulnSe, maka komposisi unsur yang terbentuk pad a lapisan tipis diatas substrat kaca diamati dengan menggunakan EDS. Hasil karakterisasi lapisan tipis yang diamati dengan EDS, telah diperoleh beberapa kandungan komposisi unsurnya yaitu unsur 0 = 31,45 %; Cu = 31,19 %; n = 14,32 % dan Se =23,04 %. Unsur 0 pada lapisan ini timbul karena vakum didalam tabung plasma masih rendah, karena pad a tekanan vakum 10.6 Torr didalam tabung masih ada sejumlah partikel 3,25x101O mol/em3 diantaranya unsur 0 (5). Selain itu unsur 0 masuk ke dalam tabung plasma pada saat gas Ar dialirkan dalam tabung untuk menumbuki target. Proses oksidasi akan lebih eepat terjadi apabila suhu didalam substrat kaea semakin tinggi. Un sur Cu yang terdeposisi dari tempat target yang dibuat dari bahan Cu terhadap substrat kaca, akan menghasilkan tambahan percikan atom Cu, sehingga prosentasenya paling tinggi. Unsur Se dan n prosentasenya menurun dari yang diharapkan, karena bahan Se dan n ini mempunyai energi ikat atom lebih besar. Jumlah percikan atom target yang terlepas akan melapisi permukaan substrat, selain tergantung dari energi ion Ar yang akan menumbuki permukaan target juga tergantung dari energi ikat bahan target. Energi ikat atom tergantung dari jenis bahan yang digunakan untuk target ~.! ~ ~ :: i..c "C 6000 _ i _j.. g :c ~.. jh. 'll -'U; 4000 ~J C 1 ) : _... T ~..Lt!!!..".~..".-..:.... ~ ~M' j..._,. ~._.._.OM. _.w,.,.,._.". " o i 30 T Sudut29 '~---'-"T"""""" Gambar 3. Hasil struktur kristal lapisan tipis CulnScz (mctodc Bridgmall) dcngan XRD, (Cu = 25 %; n = 25 %; Sc = 50 %). Prosiding PP..PDPTN 2006 Pustek Akselerator dan Proses Bahan..BATAN
6 Wirjoadi, dkk. SSN ~, W 11.1>6 ~w-uw 111.1>6 'Zft 1ft ~ 1'JW 32 5Q V miu;:s% low 0- K :13.0'1 14.3J Q_ u.q aw m<ls&%, S S3J 2AO ouw> 7.(10 t.ol> 5.0l> 1!.1% Compound Error% 3U5 Calion Element C,K~ o K cu L L n L Talal Gambar 4. Grafik hubungan antara intensitas dengan energi hasil karakterisasi dengan EDS lapisan tipis CulnSe2. Oalam penelitian ini telah dilakukan pengamatan morfologi atau struktur mikro lapisan tipis CulnSe2 menggunakan SEM. Pada Gambar 5a dan b ditampilkan morfologi permukaan (perbesaran kali), dan tampang intang atau tebal (perbesaran kali) hasil SEM, lapisan tipis CulnSe2 pada tekanan x 10-1 Torr, suhu substrat 200 C, waktu deposisi 60 menit, tegangan 4 kv dan arus 15 ma dengan metode (DC sputtering). Gambar 5. Hasil foto SEM struktur mikro lapisan tipis CulnSe (perbesaran kali) (a) dan ketebalan lapisan (perbesaran kali) (b). Prosiding PP - PDPTN 2006
7 170 SSN Wirjoadi, dkk. Pada Gambar 5a ditampilkan morfologi permukaan hasil pengamatan SEM lapisan tipis CulnSe2 yang didepositkan pad a substrat kaca dengan waktu deposisi 60 men it terlihat butiranbutiran yang terdistribusi cukup homogen. Pada umumnya pertumbuhan lapisan tipis terjadi dalam dua tingkat pertumbuhan yaitil pertumbuhan awal dan pertumbuhan sebenarnya. Selama pertumbuhan awal berlangsung,sifat-sifat kimia dan fisika dari substrat,akan berinteraksi antara substrat dan partikel yang datang dari target memegang peranan utama. Setelah lapisan awal yang menutupi permukaan substrat terbentuk, pertumbuhim sebenarnya mulai berlangsung yaitu pada tahap ini hanya terjadi interaksi antara partikel yang datang dengan partikel dari bahan lapisan tipis yang terbentuk sebelumya. Butiran-butiran (atau ukuran kristal) dari lapisan. tipis yang terdeposit pada permukaan substrat untuk waktu deposisi pendek ditentukan oleh rapat nukleasi awal rendah, sehingga diperoleh butiran yang terdistribusi cukup homogen.. Jika waktu deposisi lebih panjang, maka akan terjadi fase penggabungan serta rapat nukleasinya meningkat, karena terjadi interaksi antara partikel yang datang dengan lapisan tipis yang telah terbentuk. Selanjutnya ketebalan lapisan yang terdeposit bertambah tebal, sehingga butiran-butiran yang dihasilkan lebih besar dan Gambar 5b diperoleh teballapisan tipis sekitar 0,9 Jlm. KESMPULAN Berdasarkan hasil karakterisasi dan pembahasan tentang deposisi lapisan tipis CulnSe2 seperti yang diuraikan diatas, maka dapat diambil beberapa kesimpulan sebagai berikut :. Bahan sel surya CulnSe2 dapat dibuat dengan metode DC sputtering dengan target dibuat menggunakan metode Bridgman. 2. Parameter deposisi lapisan tipis CulnSe2 yang optimum diperoleh pad a waktu deposisi 60 men it, tekanan gas 1 x 10,1 Torr, suhu substrat 200 C, tegangan 4 kv, arus 15 ma dengan komposisi bahan Cu = 3 1,19 %; n = 14,32 % dan Se = 23,04 %. 3. Hasil analisis spektrofotometer UV-vis menyatakan bahwa sifat optik atau nilai absorbansi terbesar sekitar 90,3 %, pada waktu deposisi 60 menit dan panjang gelombang 550 nm. 4. Hasil analisis dengan metode probe empat titik menyatakan bahwa hasil deposisi lapisan tipis CulnSe2, variasi waktu deposisi untuk metode Bridgman (dc sputtering) menghasilkan tipe-p. 5. Nilai resistivitas lapisan terkecil p = (6,17 ± 0,41) Qcm, optimum pada waktu deposisi 60 men it, tekanan gas x 10.1 Torr, suhu substat 200 C, tegangan 4 kv dan arus 15 ma. 6. Hasil analisis struktur mikro dengan SEM memperlihatkan bahwa lapisan tipis CulnSe2 terbentuk butiran yang terdistribusi cukup homogen dengan ketebalan lapisan 0,9 /.1m. UCAP AN TERMA KASH Dengan ini penulis mengucapkan terima kasih kepada Sdr Giri Siamet, J. Karmadi dan Ridwan Suseno yang telah membantu pelaksanaan penelitian ini, terutama pada saat melakukan eksperimen deposisi lapisan dan pengambilan data. Semoga segala bantuan dan budi baik Saudara mendapat balasan dari Allah SWT. Amien. DAFTAR PUSTAKA. JONG WON LlM, JAE JOON CHO, N HW AN CHO, Characteristics of CulnSe Thin Film Prepared by Sputtering of CU2Se-ln2Sej Target, Journal of the Korean Physical Society, vol. 30, No.2 April ALBERT PAUL MALVNO, Electronics Principles, Mc Graw Hill, Foothill College, California, KYOTAKA WASA, SHGERU HAY A KA W A, Handbook of Sputtering Deposition Technology, Noyes Publication, Park Rudge SHUKR AND CHAMPNES, Effect of Nonstoichiometry on Conductivity Type in Bridgman-grown CulnSe2, Journal, Mc Gill University, A.ROTH, Vacum Technology, North Holland Publishing Company-Amsterdam. 6. J. BEKKER, V. ALBERTS, A.W.R. LETCH, J.R. BOTHA, Properties of Culn(Se,S); Thin Film Prepared by Two-Step Growth Processes, Thin Solid Films , 2003, J 6-12 J. TANYAJAWAB Sam into - Mengapa pada metode Bridgman harus divakum? - Apakah tingkat kevakuman mempengaruhi hasil paduan? - Bagaimana kalau ketiga bahan CulnSe diletakkan dalam tabung tertutup dan dipanasi? Prosldlng PP - PDPTN 2006
8 Wirjoadi, dkk. SSN Wirjoadi - Pada me/ode Bridgman harus divakun karena un/uk mencegah proses oksidasi an/ara ketiga bahan dengan oksigen. - Tingkat kevakuman akan mempengaruhi hasi/ paduan, karena semakin tinggi tingkat kevakuman akan mengurangi oksigen da/am tabung, sehingga proses oksidasi dapat dikurangi. - Ka/au ketiga bahan hanya ditempatkan da/am tabung ter/utup dan dipanasi, maka akan terjadi senyawa CuO, no dan SeO. Sunardi - Untuk membuat lapisan tipis CS, apakah ada metode lain selain teknik sputtering? - Apakah sifat optik dan elektrik dari target CS sama dengan lapisan tipis yang dihasilkan? Untuk mengetahui hasil lapisan tipis CS sudah sesuai dengan target CS dengan menggunakan alat apa? Wirjoadi - Untuk membuat /apisan /ipis CS, se/ain dengan teknik sputtering ada/ah dengan evaporasi tetapi tungkunya harus jum/ahnya 3 dengan suhu yang berbeda-beda sesuai dengan titik didih ketiga bahan. - Sifat optik dan e/ektrik /apisan tipis dan target yang dihasi/kan tidak dapat sama tetapi hampir sam a tergantung dari parameter sputtering yang digunakan. - Untuk mengetahui hasi//apisan tipis CS apakah sudah sesuai dengan target yaitu dengan menggunakan XRD. Prosiding PP - PDPTN 2006
DEPOSISI LAPISAN TIPIS (CdS) TIPE-N DI ATAS LAPISAN TIPIS (CuInSe 2 ) TIPE-P SEBAGAI PENYANGGA UNTUK SEL SURYA CIS
ISSN 1410-6957 DEPOSISI LAPISAN TIPIS (CdS) TIPE-N DI ATAS LAPISAN TIPIS (CuInSe 2 ) TIPE-P SEBAGAI PENYANGGA UNTUK SEL SURYA CIS Wirjoadi, Yunanto, Bambang Siswanto Pusat Teknologi Akselerator dan Proses
Lebih terperinciDEPOSISI LAPISAN TIPIS (CdS) TIPE-N DIATAS LAPISAN TIPIS (CuInSe 2 ) TIPE-P SEBAGAI PENYANGGA UNTUK SEL SURYA CIS
250 ISSN 0216-3128 Wirjoadi, dkk. DEPOSISI LAPISAN TIPIS (CdS) TIPE-N DIATAS LAPISAN TIPIS (CuInSe 2 ) TIPE-P SEBAGAI PENYANGGA UNTUK SEL SURYA CIS Wirjoadi, Yunanto, Bambang Siswanto Pusat Teknologi Akselerator
Lebih terperinciKARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT GELAS UNTUK JENDELA SEL SURYA
GANENDRA, Vol. V, N0.2 ISSN 1410-6957 KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT GELAS UNTUK JENDELA SEL SURYA Wirjoadi, Yunanto, Bambang Siswanto, Sri Sulamdari, Sudjatmoko Puslitbang
Lebih terperinciPEMBUATAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI (a-si:h) UNTUK BAHAN SEL SURYA
GANENDRA, Vol.VI, N0.1 ISSN 1410-6957 PEMBUATAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI (a-si:h) UNTUK BAHAN SEL SURYA Wirjoadi, Sudjatmoko, Yunanto, Bambang Siswanto, Sri Sulamdari Puslibang Teknologi
Lebih terperinciSIFAT OPTIK, STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO
ISSN 1410-6957 SIFAT OPTIK, STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO Wirjoadi, Bambang Siswanto Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan, BATAN
Lebih terperinciPENGARUH TEKANAN DAN WAKTU DEPOSISI PADA TEKNIK SPUTTERING TERHADAP TAHANAN DAN REFLEKSIVITAS LAPISAN TIPIS a-si DAN Ag
GANENDRA, Vol. V, N0.2 ISSN 1410-6957 PENGARUH TEKANAN DAN WAKTU DEPOSISI PADA TEKNIK SPUTTERING TERHADAP TAHANAN DAN REFLEKSIVITAS LAPISAN TIPIS a-si DAN Ag Yunanto, Sudjatmoko, Trimardji Atmono, Wirjoadi
Lebih terperinciSIFAT OPTIK STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO
Wirjoadi, dkk. ISSN 0216-3128 369 SIFAT OPTIK STRUKTUR KRISTAL DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT KACA SEBAGAI BAHAN TCO Wirjoadi, Bambang Siswanto Pusat Teknologi Akselerator dan Proses
Lebih terperinciPENGARUH KONSENTRASI BORON TERHADAP SIFAT LISTRIK LAPISAN TIPIS (a-si:h:b)
ISSN 1410-6951 PENGARUH KONSENTRASI BORON TERHADAP SIFAT LISTRIK LAPISAN TIPIS (a-si:h:b) Bambang Siswanto, Wirjoadi, Sudjatmoko Puslitbang Teknologi Maju Batan Yogyakarta Jl. Babarsari Kotak Pos 6101
Lebih terperinciDEPOSISI LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT ALUMINA UNTUK BAHAN SENSOR GAS
ISSN 1410-6957 DEPOSISI LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT ALUMINA UNTUK BAHAN SENSOR GAS Sayono, Tjipto Sujitno Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan - BATAN Toto Trikasjono Sekolah Tinggi Teknologi
Lebih terperinciKARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS a-si:h:b UNTUK BAHAN SEL SURYA
ISSN 40-695 KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS a-si:h:b UNTUK BAHAN SEL SURYA Bambang Siswanto, Wirjoadi, Tri Mardji Atmono, Yunanto Puslitbang Teknologi Maju Batan Yogayakarta Jl. Babarsari Kotak
Lebih terperinciPENGARUH KANDUNGAN In PADA LAPISAN TIPIS TCO (ZnO:In) TERHADAP TEGANGAN FOTOVOLTAIK SEL SURYA CIS. Uminingsih Fakultas Sains Terapan IST AKPRIND
PENGARUH KANDUNGAN In PADA LAPISAN TIPIS TCO (ZnO:In) TERHADAP TEGANGAN FOTOVOLTAIK SEL SURYA CIS Uminingsih Fakultas Sains Terapan IST AKPRIND Yunanto, dan Darsono Pusat Teknologi Akselerator dan Proses
Lebih terperinciPENGARUH SUHU DEPOSISI LAPISAN TIPIS TiN TERHADAP SIFAT MEKANIK METAL HASIL PLASMA SPUTTERING
138 ISSN 0216-3128 Wirjoadi, dkk. PENGARUH SUHU DEPOSISI LAPISAN TIPIS TiN TERHADAP SIFAT MEKANIK METAL HASIL PLASMA SPUTTERING Wirjoadi, Bambang Siswanto, Sudjatmoko Pusat Teknologi Akselerator dan Proses
Lebih terperinciSTUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI
Studi Pengaruh Suhu Substrat. (Rully Fakhry Muhammad) 303 STUDI PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP SIFAT LISTRIK DAN OPTIK BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS SnSe HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI STUDY
Lebih terperinciKarakterisasi XRD. Pengukuran
11 Karakterisasi XRD Pengukuran XRD menggunakan alat XRD7000, kemudian dihubungkan dengan program dikomputer. Puncakpuncak yang didapatkan dari data pengukuran ini kemudian dicocokkan dengan standar difraksi
Lebih terperinciPREPARASI LAPISAN TIPIS SAMBUNGAN p-n ZnO DAN CuInSe MENGGUNAKAN PENYANGGA LAPISAN CdS UNTUK APLIKASI SEL SURYA
, dkk. ISSN 0216-3128 153 PREPARASI LAPISAN TIPIS SAMBUNGAN p-n ZnO DAN CuInSe MENGGUNAKAN PENYANGGA LAPISAN CdS UNTUK APLIKASI SEL SURYA PTAPB Badan Tenaga Nuklir Nasional Agung B.S.U, Messa Monika Sari
Lebih terperinciPENGARUH KANDUNGAN SULFUR TERHADAP KONSTANTE KISI KRISTAL CuIn (S x,se 1-x ) 2
Pengaruh kandungan sulfur terhadap konstante kisi kristal of CuIn (S x,se 1-x ) 2 (Wirjoadi, Bambang Siswanto) PENGARUH KANDUNGAN SULFUR TERHADAP KONSTANTE KISI KRISTAL CuIn (S x,se 1-x ) 2 Wirjoadi, Bambang
Lebih terperinciPENGARUH SUHU SUBSTRAT DAN WAKTU DEPOSISI TERHADAP STRUKTUR MIKRO LAPISAN FeN PADA RODA GIGI
Bambang Siswanto, dkk. ISSN 0216-3128 129 PENGARUH SUHU SUBSTRAT DAN WAKTU DEPOSISI TERHADAP STRUKTUR MIKRO LAPISAN FeN PADA RODA GIGI Bambang Siswanto, Wirjoadi, Sudjatmoko Pustek Akselerator dan Proses
Lebih terperinciDEPOSISI LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT ALUMINA UNTUK BAHAN SENSOR GAS
Sayono, dkk. ISSN 0216-3128 263 DEPOSISI LAPISAN TIPIS ZnO:Al PADA SUBSTRAT ALUMINA UNTUK BAHAN SENSOR GAS Sayono, Tjipto Sujitno PTAPB - BATAN Toto Trikasjono STTN - BATAN ABSTRAK DEPOSISI LAPISAN TIPIS
Lebih terperinciDEPOSISI LAPISAN TIPIS DUA LAPIS ZnO DAN Al UNTUK MEMBUAT SAMBUNGAN P-N DENGAN TEKNIK SPUTTERING
58 ISSN 0216-3128, dkk. DEPOSISI LAPISAN TIPIS DUA LAPIS ZnO DAN Al UNTUK MEMBUAT SAMBUNGAN P-N DENGAN TEKNIK SPUTTERING, Trimardji Atmono, Wirjoadi Puslitbang Teknologi Maju Batan Yogyakarta ABSTRAK DEPOSISI
Lebih terperinciBAB II KAJIAN PUSTAKA DAN DASAR TEORI
BAB II KAJIAN PUSTAKA DAN DASAR TEORI 2.1. Kajian Pustaka Marwoto.P., dkk (2007) melakukan penelitian proses penumbuhan film tipis Ga 2 O 3 :Mn dengan mengguakan DC magnetron sputtering dan dilakukan dengan
Lebih terperinciOleh: Tyas Puspitaningrum, Tjipto Sujitno, dan Ariswan
Penentuan Band Gap... (Tyas Puspitaningrum) 166 PENENTUAN BAND GAP DAN KONDUKTIVITAS BAHAN SEMIKONDUKTOR LAPISAN TIPIS Sn(S 0,8 Te 0,2 ) DAN Sn(S 0,6 Te 0,4 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI TERMAL
Lebih terperinciPEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS
PEMBUATAN KONDUKTOR TRANSPARAN THIN FILM SnO2 DENGAN MENGGUNAKAN TEKNIK SPRAY PYROLYSIS Syuhada, Dwi Bayuwati, Sulaiman Pusat Penelitian Fisika-LIPI, Kawasan Puspiptek Serpong Tangerang 15314 e-mail: hadda212@yahoo.com
Lebih terperinciPembuatan Sel Surya Film Tipis dengan DC Magnetron Sputtering
Pembuatan Sel Surya Film Tipis dengan DC Magnetron Sputtering Desty Anggita Tunggadewi 1, Fitria Hidayanti 1 1 Program Studi Teknik Fisika, Fakultas Teknik dan Sains, Universitas Nasional dtunggadewi@yahoo.co.id,
Lebih terperinciEfek doping Al pada sifat optik dan listrik lapisan tipis ZnO hasil deposisi dengan DC sputtering
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 1, NOMER 1 JANUARI 2005 Efek doping Al pada sifat optik dan listrik lapisan tipis ZnO hasil deposisi dengan DC sputtering SriYaniPurwaningsih, 1 Karyono, 2 dansudjatmoko
Lebih terperinciSIFAT MEKANIK DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS NITRIDA BESI YANG DIDEPOSISIKAN PADA ROLL BEARING DENGAN TEKNIK SPUTTERING
150 ISSN 0216-3128 Wirjoadi., dkk. SIFAT MEKANIK DAN STRUKTUR MIKRO LAPISAN TIPIS NITRIDA BESI YANG DIDEPOSISIKAN PADA ROLL BEARING DENGAN TEKNIK SPUTTERING Wirjoadi, Elin Nuraini, Ihwanul Aziz, Bambang
Lebih terperinciPENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR
PENUMBUHAN FILM TIPIS SEMIKONDUKTOR Penumbuhan film tipis semikonduktor di atas substrat dapat dilakukan secara epitaksi. Dalam bahasa yunani epi berarti di atas dan taksial berarti menyusun dengan kata
Lebih terperinciHomogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-si:h tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD
JURNAL FISIKA DAN APLIKASINYA VOLUME 8, NOMOR JANUARI 202 Homogenitas Ketebalan, Konduktivitas Listrik dan Band Gap Lapisan Tipis a-si:h tipe-p dan tipe-p Doping Delta yang dideposisi dengan Sistem PECVD
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Indonesia merupakan negara berkembang yang berada dikawasan Asia Tenggara. Sebagai negara berkembang, Indonesia melakukan swasembada diberbagai bidang, termasuk
Lebih terperinciPENGARUH DOPING EMAS DAN PERLAKUAN ANIL PADA SENSITIVITAS LAPISAN TIPIS SnO 2 UNTUK SENSOR GAS CO
PENGARUH DOPING EMAS DAN PERLAKUAN ANIL PADA SENSITIVITAS LAPISAN TIPIS SnO 2 UNTUK SENSOR GAS CO Almunawar Khalil 1*, Sri Yani Purwaningsih 2, Darminto 3 Jurusan Fisika, Institut Teknologi Sepuluh Nopember
Lebih terperinciANALISIS SIFAT MEKANIK LAPISAN TIPIS NITRIDA TITANIUM PADA CAMSHAFT HASIL TEKNIK PLASMA SPUTTERING
110 ISSN 0216-3128 Bambang Siswanto., dkk. ANALISIS SIFAT MEKANIK LAPISAN TIPIS NITRIDA TITANIUM PADA CAMSHAFT HASIL TEKNIK PLASMA SPUTTERING Bambang Siswanto, Lely Susita RM., Sudjatmoko, Wirjoadi Pustek
Lebih terperinciSINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION
SINTESIS LAPISAN TIPIS SEMIKONDUKTOR DENGAN BAHAN DASAR TEMBAGA (Cu) MENGGUNAKAN CHEMICAL BATH DEPOSITION Yolanda Oktaviani, Astuti Jurusan Fisika FMIPA Universitas Andalas e-mail: vianyolanda@yahoo.co.id
Lebih terperinciJurusan Fisika, FMIPA UGM Sekip Unit 3 Bulaksumur Yogyakarta ABSTRAK
Nugraha, dkk., Deposisi Sambungan p-n CuInSe 2 PENDEPOSISIAN SAMBUNGAN p-n CuInSe 2 MULTILAYER-ZnO DENGAN METODE RF SPUTTERING DAN KARAKTERISASINYA (A Deposition of CuInSe 2 Multilayer-ZnO by RF Sputtering
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. penelitian ini dilakukan pembuatan keramik Ni-CSZ dengan metode kompaksi
19 BAB III METODE PENELITIAN 3.1 Metode Penelitian Metode yang dilakukan pada penelitian ini adalah eksperimen. Pada penelitian ini dilakukan pembuatan keramik Ni-CSZ dengan metode kompaksi serbuk. 3.2
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN. Metode yang digunakan dalam penelitian ini adalah metoda eksperimen.
BAB III METODOLOGI PENELITIAN A. Metode Penelitian Metode yang digunakan dalam penelitian ini adalah metoda eksperimen. Penelitian dilakukan dengan beberapa tahapan yang digambarkan dalam diagram alir
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. dengan menggunakan kamera yang dihubungkan dengan komputer.
10 dengan menggunakan kamera yang dihubungkan dengan komputer. HASIL DAN PEMBAHASAN Hasil sintesis paduan CoCrMo Pada proses preparasi telah dihasilkan empat sampel serbuk paduan CoCrMo dengan komposisi
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Perkembangan teknologi yang semakin maju dalam beberapa dekade ini mengalami peralihan dari teknologi mikro (microtechnology) ke generasi yang lebih kecil yang dikenal
Lebih terperinciKARAKTERISASI TiO 2 (CuO) YANG DIBUAT DENGAN METODA KEADAAN PADAT (SOLID STATE REACTION) SEBAGAI SENSOR CO 2
KARAKTERISASI TiO 2 (CuO) YANG DIBUAT DENGAN METODA KEADAAN PADAT (SOLID STATE REACTION) SEBAGAI SENSOR CO 2 Hendri, Elvaswer Jurusan Fisika FMIPA Universitas Andalas Kampus Unand, Limau Manis, Padang,
Lebih terperinciANALISIS STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT MEKANIK LAPISAN NiCr-Al YANG DIBENTUK DENGAN METODE SPUTTERING PADA BAJA ST 40
ANALISIS STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT MEKANIK LAPISAN NiCr-Al YANG DIBENTUK DENGAN METODE SPUTTERING PADA BAJA ST 40 TESIS Diajukan Kepada Program Studi Magister Teknik Mesin Sekolah Pascasarjana Universitas
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. I.1 Latar Belakang Kebutuhan akan energi semakin berkembang seiring dengan
BAB I PENDAHULUAN I.1 Latar Belakang Kebutuhan akan energi semakin berkembang seiring dengan berkembangnya kehidupan manusia. Sehingga para peneliti terus berupaya untuk mengembangkan sumber-sumber energi
Lebih terperinciSTRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPIS TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 S 0.8 ) HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA
J. Sains Dasar 2015 4 (2) 198-203 STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPIS TIPIS BAHAN SEMIKONDUKTOR Sn(Se 0,2 S 0.8 ) HASIL PREPARASI TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA THE STRUCTURE AND CHEMICAL
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. Pelaksanaan penelitian ini pada dasarnya meliputi tiga tahapan proses
BAB III METODE PENELITIAN Pelaksanaan penelitian ini pada dasarnya meliputi tiga tahapan proses diawali dengan tahap persiapan, tahap penumbuhan, dan tahap karakterisasi. Pada bab ini dibahas tentang metode
Lebih terperinciSIFAT-SIFAT OPTIK DAN LISTRIK BAHAN SEMIKONDUKTOR SnS LAPISAN TIPIS HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA ABSTRAK
SIFAT-SIFAT OPTIK DAN LISTRIK BAHAN SEMIKONDUKTOR SnS LAPISAN TIPIS HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK VAKUM EVAPORASI UNTUK APLIKASI SEL SURYA Ganesha Antarnusa. 1, Tjipto Sujitno 2, Ariswan 3 1 Mahasiswa
Lebih terperinciLAPORAN TUGAS AKHIR PEMBUATAN GELAS TRANSPARAN FTO SEBAGAI BAHAN BAKU SEL SURYA
LAPORAN TUGAS AKHIR PEMBUATAN GELAS TRANSPARAN FTO SEBAGAI BAHAN BAKU SEL SURYA Disusun Oleh: EVALIKA ASTUTI FAUZIAH I 8310031 FITRI NUR PRATIWI I 8310033 PROGRAM STUDI DIPLOMA III TEKNIK KIMIA FAKULTAS
Lebih terperinciBAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI
BAB III EKSPERIMEN & KARAKTERISASI Pada bab ini dibahas penumbuhan AlGaN tanpa doping menggunakan reaktor PA- MOCVD. Lapisan AlGaN ditumbuhkan dengan variasi laju alir gas reaktan, hasil penumbuhan dikarakterisasi
Lebih terperinciPENGARUH TEKANAN GAS ISIAN ARGON ALKOHOL TERHADAP KARAKTERISTIK DETEKTOR GEIGER-MÜLLER TIPE SIDE WINDOW CARI RISTIANI M
PENGARUH TEKANAN GAS ISIAN ARGON ALKOHOL TERHADAP KARAKTERISTIK DETEKTOR GEIGER-MÜLLER TIPE SIDE WINDOW CARI RISTIANI M0204021 Jurusan Fisika FMIPA Universitas Sebelas Maret Surakarta Abstrak Telah dibuat
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Ketersediaan sumber energi merupakan masalah yang harus segera diselesaikan oleh masing-masing negara termasuk Indonesia. Untuk itu perlu dikembangkan suatu teknologi
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Pada saat ini dunia elektronika mengalami kemajuan yang sangat pesat, hal ini terlihat dari banyaknya komponen semikonduktor yang digunakan disetiap kegiatan manusia.
Lebih terperinciPENGARUH TEKANAN DAN WAKTU DEPOSISI SPUTTERING TERHADAP SENSITIVITAS SENSOR GAS SnO 2
PENGARUH TEKANAN DAN WAKTU DEPOSISI SPUTTERING TERHADAP SENSITIVITAS SENSOR GAS SnO 2 Sayono, Agus Santoso Puslitbang Teknologi Maju BATAN Jl. Babarsari Kotak Pos 1008, Yogyakarta 55010 ABSTRAK PENGARUH
Lebih terperinciD EPOSISI LAPISAN TIPIS Zn UNTUK LAPISAN PELINDUNG.P ADA Fe DENGAN TEKNIK SPUTTERING
180 ISSN 0216-3128 Yunanto, dkk. D EPOSISI LAPISAN TIPIS Zn UNTUK LAPISAN PELINDUNG.P ADA Fe DENGAN TEKNIK SPUTTERING BENTUK SILINDER Yunanto, BA Tjipto Sujitno, Suprapto,. Sabat Simbolon Puslitbang Teknologi
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Nanoteknologi adalah ilmu yang mempelajari, menciptakan dan merekayasa material berskala nanometer dimana terjadi sifat baru. Kata nanoteknologi berasal dari
Lebih terperinciALAT ANALISA. Pendahuluan. Alat Analisa di Bidang Kimia
Pendahuluan ALAT ANALISA Instrumentasi adalah alat-alat dan piranti (device) yang dipakai untuk pengukuran dan pengendalian dalam suatu sistem yang lebih besar dan lebih kompleks Secara umum instrumentasi
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. penelitian ini dilakukan pembuatan keramik komposit CSZ-Ni dengan
20 BAB III METODE PENELITIAN 3.1 Metode Desain Metode yang digunakan pada penelitian ini adalah eksperimen. Pada penelitian ini dilakukan pembuatan keramik komposit CSZ-Ni dengan menggunakan metode tape
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. kita terima bahwa pemakaian energi berbahan dasar dari fosil telah menjadi salah
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Menipisnya cadangan energi fosil di Indonesia dan kenyataan yang harus kita terima bahwa pemakaian energi berbahan dasar dari fosil telah menjadi salah satu
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Listrik merupakan kebutuhan esensial yang sangat dominan kegunaannya
λ Panjang Gelombang 21 ω Kecepatan Angular 22 ns Indeks Bias Kaca 33 n Indeks Bias Lapisan Tipis 33 d Ketebalan Lapisan Tipis 33 α Koofisien Absorpsi 36 Frekuensi Cahaya 35 υ BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar
Lebih terperinciIII. PROSEDUR PERCOBAAN. XRD dilakukan di Laboratorium Pusat Survey Geologi, Bandung dan
29 III. PROSEDUR PERCOBAAN A. Waktu dan Tempat Penelitian Penelitian dilaksanakan pada bulan Agustus 2012 sampai dengan Desember 2012, di Laboratorium Fisika Material FMIPA Universitas Lampung. Karakterisasi
Lebih terperinciIII. METODE PENELITIAN
21 III. METODE PENELITIAN 3.1 Waktu dan Tempat Penelitian Penelitian ini dilaksanakan pada bulan Agustus 2010 - Juni 2011 di Laboratorium Biofisika dan Laboratorium Fisika Lanjut, Departemen Fisika IPB.
Lebih terperinciPENGARUH DOPING INDIUM TERHADAP SENSITIVITAS SENSOR GAS DARI LAPISAN TIPIS SnO 2
Suharni, dkk. ISSN 0216-3128 33 PENGARUH DOPING INDIUM TERHADAP SENSITIVITAS SENSOR GAS DARI LAPISAN TIPIS SnO 2 Suharni dan Sayono Pusat Teknologi Akselerator dan Proses Bahan-BATAN ABSTRAK PENGARUH DOPING
Lebih terperinciMAKALAH FABRIKASI DAN KARAKTERISASI XRD (X-RAY DIFRACTOMETER)
MAKALAH FABRIKASI DAN KARAKTERISASI XRD (X-RAY DIFRACTOMETER) Oleh: Kusnanto Mukti / M0209031 Jurusan Fisika Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Universitas Sebelas Maret Surakarta 2012 I. Pendahuluan
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi
BAB I PENDAHULUAN 1.1. Latar Belakang Sel surya merupakan alat yang dapat mengkonversi energi matahari menjadi energi listrik DC secara langsung. Sel surya telah diaplikasikan dalam berbagai bidang, salah
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN 1.1 LatarBelakang
1 BAB I PENDAHULUAN 1.1 LatarBelakang Proses pembangunan disegala bidang selain membawa kemajuan terhadap kehidupan manusia, tetapi juga akan membawa dampak negative bagi lingkungan hidup. Industrialisasi
Lebih terperinciDEPOSISI LAPISAN TIPIS A&,CuInSe-SiP PADA SUBSTRAT KACA UNTUK MENGHASILKAN SAMBUNGAN P-N
DEPOSISI LAPISAN TIPIS A&,CuInSe-SiP PADA SUBSTRAT KACA UNTUK MENGHASILKAN SAMBUNGAN P-N Giri Slamet PTAPB-BATAN ABSTRAK DEPOSISI LAPISAN TIPIS Ag/CuinSe-SiP PADA SUBSTRA T KACA UNTUK MENGHASILKAN SAMBUNGAN
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN
BAB III METODOLOGI PENELITIAN 3.1. Waktu dan Tempat Penelitian ini dilakukan di Laboratorium Fisika Material Departemen Fisika Institut Pertanian Bogor dimulai bulan Mei 2010 sampai Bulan Mei 2011 3.2.
Lebih terperinciGambar 3.1 Diagram alir penelitian
BAB 3 METODE PENELITIAN 3.1 Bahan dan Peralatan Penelitian Bahan-bahan utama yang digunakan dalam penelitian ini antara lain bubuk magnesium oksida dari Merck, bubuk hidromagnesit hasil sintesis penelitian
Lebih terperinciPEMBAHASAN. a. Pompa Vakum Rotary (The Rotary Vacuum Pump) Gambar 1.10 Skema susunan pompa vakum rotary
PENDAHULUAN Salah satu metode yang digunakan untuk memperoleh lapisan tipis adalah Evaporasi. Proses penumbuhan lapisan pada metode ini dilakukan dalam ruang vakum. Lapisan tipis pada substrat diperoleh
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN
29 BAB III METODE PENELITIAN A. Metode Penelitian Pada penelitian ini metode yang digunakan peneliti adalah metode eksperimen. Material yang digunakan berupa pasta TiO 2 produksi Solaronix, bubuk Dyesol
Lebih terperinciPengaruh Temperatur dan Waktu Putar Terhadap Sifat Optik Lapisan Tipis ZnO yang Dibuat dengan Metode Sol-Gel Spin Coating
ISSN 2302-8491 Jurnal Fisika Unand Vol. 6, No. 2, April 2017 Pengaruh Temperatur dan Waktu Putar Terhadap Sifat Optik Lapisan Tipis ZnO yang Dibuat dengan Metode Sol-Gel Spin Coating Fitriani *, Sri Handani
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN. Penelitian yang dilakukan di Kelompok Bidang Bahan Dasar PTNBR-
BAB III METODOLOGI PENELITIAN Penelitian yang dilakukan di Kelompok Bidang Bahan Dasar PTNBR- BATAN Bandung meliputi beberapa tahap yaitu tahap preparasi serbuk, tahap sintesis dan tahap analisis. Meakanisme
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN. perlakuan panas atau annealing pada lapisan sehingga terbentuk butiran-butiran
BAB III METODOLOGI PENELITIAN 3.1 Metode penelitian Metode penelitian yang digunakan pada penelitian ini adalah eksperimen dengan membuat lapisan tipis Au di atas substrat Si wafer, kemudian memberikan
Lebih terperinciPENIN G KA TAN LAJU D EPOSISI LAPISAN TIPIS Zn 0 DENGAN TEKNIK SPUTTERING RF MAGNETRON
PENIN G KA TAN LAJU D EPOSISI LAPISAN TIPIS Zn 0 DENGAN TEKNIK SPUTTERING RF MAGNETRON Yunanto,Suryadi, Tono Wibowo, Wirjoadi P3TM-BATAN, Kotak Pas 1008, Yogyakarta 55010 ABSTRAK PENINGKATAN LAJU DEPOSISI
Lebih terperinciPENGARUH KONDISI ANNEALING TERHADAP PARAMETER KISI KRISTAL BAHAN SUPERKONDUKTOR OPTIMUM DOPED DOPING ELEKTRON Eu 2-x Ce x CuO 4+α-δ
Proseding Seminar Nasional Fisika dan Aplikasinya Sabtu, 21 November 2015 Bale Sawala Kampus Universitas Padjadjaran, Jatinangor PENGARUH KONDISI ANNEALING TERHADAP PARAMETER KISI KRISTAL BAHAN SUPERKONDUKTOR
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. Komponen elektronika seperti diode, transistor dan sebuah IC. semikonduktor. Pada zaman sekarang perkembangan piranti elektronika
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Masalah Komponen elektronika seperti diode, transistor dan sebuah IC (integrated circuit) merupakan elemen-elemen yang terbuat dari semikonduktor. Pada zaman sekarang
Lebih terperinciPengaruh Rapat Arus Terhadap Ketebalan Dan Struktur Kristal Lapisan Nikel pada Tembaga
ISSN:2089 0133 Indonesian Journal of Applied Physics (2012) Vol.2 No.1 halaman 1 April 2012 Pengaruh Rapat Arus Terhadap Ketebalan Dan Struktur Kristal Lapisan Nikel pada Tembaga ABSTRACT Setyowati, Y.
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. Penelitian hampir seluruhnya dilakukan di laboratorium Gedung Fisika Material
BAB III METODE PENELITIAN Metode yang dilakukan dalam penelitian ini adalah rancang bangun alat. Penelitian hampir seluruhnya dilakukan di laboratorium Gedung Fisika Material Pusat Teknologi Nuklir Bahan
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC)
39 HASIL DAN PEMBAHASAN Struktur Karbon Hasil Karbonisasi Hidrotermal (HTC) Hasil karakterisasi dengan Difraksi Sinar-X (XRD) dilakukan untuk mengetahui jenis material yang dihasilkan disamping menentukan
Lebih terperinciKARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO:A P ADA SUBSTRA T GELAS UNTUK JENDELA SEL SURY A
172 ISSN 0216-3128 I - KARAKTERISASI SIFAT OPTIK LAPISAN TIPIS ZnO:A P ADA SUBSTRA T GELAS UNTUK JENDELA SEL SURY A Wirjoadi, dkk. Wirjoadi, Yunanto, Bambang Siswanto, Sri Sulamdari, Sudjatmoko P3TM -BATAN
Lebih terperinciBab III Metodologi Penelitian
28 Bab III Metodologi Penelitian III.1 Tahap Penelitian Penelitian ini terbagi dalam empat tahapan kerja, yaitu : Tahapan kerja pertama adalah persiapan bahan dasar pembuatan film tipis ZnO yang terdiri
Lebih terperinciRekayasa Bahan untuk Meningkatkan Daya Serap Terhadap Gelombang Elektromagnetik dengan Matode Deposisi Menggunakan Lucutan Korona
Rekayasa Bahan untuk Meningkatkan Daya Serap Terhadap Gelombang Elektromagnetik dengan Matode Deposisi Menggunakan Lucutan Korona Vincensius Gunawan.S.K Laboratorium Fisika Zat Padat, Jurusan Fisika, Universitas
Lebih terperinciSintesis Komposit TiO 2 /Karbon Aktif Berbasis Bambu Betung (Dendrocalamus asper) dengan Menggunakan Metode Solid State Reaction
Sintesis Komposit TiO 2 /Karbon Aktif Berbasis Bambu Betung (Dendrocalamus asper) dengan Menggunakan Metode Solid State Reaction Yuliani Arsita *, Astuti Jurusan Fisika Universitas Andalas * yulianiarsita@yahoo.co.id
Lebih terperinci2014 PEMBUATAN BILAYER ANODE - ELEKTROLIT CSZ DENGAN METODE ELECTROPHORETIC DEPOSITION
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Masalah Kebutuhan listrik dunia semakin meningkat seiring berjalannya waktu. Hal ini tentu disebabkan pertumbuhan aktivitas manusia yang semakin padat dan kebutuhan
Lebih terperinciPEMBUATAN LAPISAN TIPIS SILIKON AMORF TERHIDROGENASI (a-si : H) UNTUK BAHAN SEL SURYA
62 SSN 0216-3128 WiTjoadi" dkk PEMBUATAN LAPSAN TPS SLKON AMORF TERHDROGENAS (a-si : H) UNTUK BAHAN SEL SURYA Wirjoadi, Sudjatmoko, Yuuanto, Bambang Siswanto, Sri Sulamdari P3TM- BATAN ABSTRAK PEMBUATAN
Lebih terperinciPENGARUH DAYA PLASMA PADA STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING
134 Prosiding Pertemuan Ilmiah XXIV HFI Jateng & DIY, Semarang 10 April 2010 hal. 134-138 PENGARUH DAYA PLASMA PADA STRUKTUR MIKRO DAN SIFAT OPTIK FILM TIPIS CdTe YANG DITUMBUHKAN DENGAN DC MAGNETRON SPUTTERING
Lebih terperinciBAB III METODE PENELITIAN. Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen yang dilakukan di
BAB III METODE PENELITIAN Metode penelitian yang dilakukan adalah metode eksperimen yang dilakukan di lab. Fisika Material, Jurusan Pendidikan Fisika, Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam, Universitas
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. logam menjadi satu akibat adanya energi panas. Teknologi pengelasan. selain digunakan untuk memproduksi suatu alat, pengelasan
BAB I PENDAHULUAN A. Latar Belakang Pengelasan adalah suatu proses penggabungan logam dimana logam menjadi satu akibat adanya energi panas. Teknologi pengelasan selain digunakan untuk memproduksi suatu
Lebih terperinciSpektroskopi Difraksi Sinar-X (X-ray difraction/xrd)
Spektroskopi Difraksi Sinar-X (X-ray difraction/xrd) Spektroskopi difraksi sinar-x (X-ray difraction/xrd) merupakan salah satu metoda karakterisasi material yang paling tua dan paling sering digunakan
Lebih terperinciStruktur kristal dan Morfologi film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan metoda Hot-Wire Pulsed Laser Deposition
Struktur kristal dan Morfologi film tipis GaN yang ditumbuhkan dengan metoda Hot-Wire Pulsed Laser Deposition Dadi Rusdiana Departemen Fisika, FPMIPA UPI, Jl. Dr.Setiabudi 229 Bandung, Indonesia 40154
Lebih terperinciBAB I PENDAHULUAN. 1.1 Latar Belakang
BAB I PENDAHULUAN 1.1 Latar Belakang Kebutuhan energi yang terus meningkat dan semakin menipisnya cadangan minyak bumi dan gas alam menjadi pendorong bagi manusia untuk mencari sumber energi alternatif.
Lebih terperinciPENENTUAN PANJANG GELOMBANG EMISI PADA NANOPARTIKEL CdS DAN ZnS BERDASARKAN VARIASI KONSENTRASI MERCAPTO ETHANOL
PENENTUAN PANJANG GELOMBANG EMISI PADA NANOPARTIKEL CdS DAN ZnS BERDASARKAN VARIASI KONSENTRASI MERCAPTO ETHANOL Muhammad Salahuddin 1, Suryajaya 2, Edy Giri R. Putra 3, Nurma Sari 2 Abstrak:Pada penelitian
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. Gambar 11. Rangkaian pengukuran karakterisasi I-V.
10 larutan elektrolit yang homogen. Pada larutan yang telah homogen dengan laju stirring yang sama ditambahkan larutan elektrolit KI+I 2 sebanyak 10 ml dengan konsentrasi 0.3 M tanpa annealing. Setelah
Lebih terperinciStruktur dan konfigurasi sel Fotovoltaik
9 Gambar 17. Struktur dan konfigurasi sel Fotovoltaik BST yang sudah mengalami proses annealing dipasang kontak di atas permukaan substrat silikon dan di atas film tipis BST. Pembuatan kontak ini dilakukan
Lebih terperinciBab III Metodologi Penelitian
Bab III Metodologi Penelitian III. 1. Tahap Penelitian Penelitian ini terbagai dalam empat tahapan kerja, yaitu: a. Tahapan kerja pertama adalah persiapan bahan dasar pembuatan LSFO dan LSCFO yang terdiri
Lebih terperinci3 Metodologi Penelitian
3 Metodologi Penelitian 3.1 Lokasi Penelitian Penelitian dilakukan di Laboratorium Anorganik Program Studi Kimia ITB. Pembuatan pelet dilakukan di Laboratorium Kimia Organik dan di Laboratorium Kimia Fisik
Lebih terperinciBAB IV HASIL PENELITIAN dan PEMBAHASAN
BAB IV HASIL PENELITIAN dan PEMBAHASAN 4.1. KARAKTERISTIK SERBUK 4.1.1. Serbuk Fe-50at.%Al Gambar 4.1. Hasil Uji XRD serbuk Fe-50at.%Al Berdasarkan gambar di atas, dapat diketahui bahwa secara keseluruhan
Lebih terperinciFABRIKASI THIN FILM QUARTERNAIR CuGaSeTe DAN CuGa 0.5 In 0.5 Te 2 DENGAN EVAPORASI FLASH
MAKARA, TEKNOLOGI, VOL. 8, NO. 1, APRIL 2004: 9-16 9 FABRIKASI THIN FILM QUARTERNAIR CuGaSeTe DAN CuGa 0.5 In 0.5 Te 2 DENGAN EVAPORASI FLASH A. Harsono Soepardjo Departemen Fisika, FMIPA, Universitas
Lebih terperinciANALISIS SIFAT FISIK LAPISAN TIPIS TITANIUM NITRIDA PADA BAJA AISI 410 YANG DILAPIS DENGAN METODE SPUTTERING
Analisis Sifat Fisik Lapisan Tipis Titanium Nitrida ANALISIS SIFAT FISIK LAPISAN TIPIS TITANIUM NITRIDA PADA BAJA AISI 410 YANG DILAPIS DENGAN METODE SPUTTERING Xander Salahudin Program Studi Teknik Mesin,
Lebih terperinciHASIL DAN PEMBAHASAN. Keterangan Gambar 7 : 1. Komputer 2. Ocean Optic USB 2000 Spektrofotometer
7 Keterangan Gambar 7 : 1. Komputer 2. Ocean Optic USB 2000 Spektrofotometer 3. Sumber Cahaya (Polikromatis) 4. Fiber Optik 5. Holder 6. Samp 7. Gambar 7 Perangkat spektrofotometer UV-VIS. Karakterisasi
Lebih terperinciPENGARUH DEPOSISI BAHAN STAINLESS STEEL (SS) AUSTENITIK TERHADAP SIFAT MEKANIK ALUMINIUM (Al)
, dkk. ISSN 0216-3128 49 PENGARUH DEPOSISI BAHAN STAINLESS STEEL (SS) AUSTENITIK TERHADAP SIFAT MEKANIK ALUMINIUM (Al), Tjipto Suyitno, Bambang Siswanto, Sudjatmoko Puslitbang Teknologi Maju, Batan ABSTRAK
Lebih terperinciLogo SEMINAR TUGAS AKHIR. Henni Eka Wulandari Pembimbing : Drs. Gontjang Prajitno, M.Si
SEMINAR TUGAS AKHIR Add Your Company Slogan STUDI AWAL FABRIKASI DAN KARAKTERISASI DYE SENSITIZED SOLAR CELL (DSSC) MENGGUNAKAN EKSTRAKSI BUNGA SEPATU SEBAGAI DYE SENSITIZERS DENGAN VARIASI LAMA ABSORPSI
Lebih terperinciBAB III METODOLOGI PENELITIAN. Metode penelitian yang digunakan pada penelitian ini adalah
BAB III METODOLOGI PENELITIAN 3.1 Metode penelitian Metode penelitian yang digunakan pada penelitian ini adalah eksperimental dan pembuatan keramik film tebal CuFe 2 O 4 dilakukan dengan metode srcreen
Lebih terperinciSTRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPISAN TIPIS Sn(So,4Te0,6) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM
Struktur dan Komposisi... (Eka Wulandari) 1 STRUKTUR DAN KOMPOSISI KIMIA LAPISAN TIPIS Sn(So,4Te0,6) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM STRUCTURE AND CHEMICAL COMPOSITION OF Sn(S0,4Te0,6) THIN
Lebih terperinciPENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se 0,4 Te 0,6 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM
Pengaruh Suhu Substrat...(Vina Hentri Tunita N.)288 PENGARUH SUHU SUBSTRAT TERHADAP KUALITAS KRISTAL LAPISAN TIPIS Sn(Se 0,4 Te 0,6 ) HASIL PREPARASI DENGAN TEKNIK EVAPORASI VAKUM THE EFFECT OF SUBSTRATE
Lebih terperinci