Daerah Operasi Transistor

dokumen-dokumen yang mirip
I. Tujuan Praktikum. Mampu menganalisa rangkaian sederhana transistor bipolar.

Transistor Bipolar. III.1 Arus bias

Transistor Bipolar. oleh aswan hamonangan

TRANSISTOR 1. TK2092 Elektronika Dasar Semester Ganjil 2012/2013. Hanya dipergunakan untuk kepentingan pengajaran di lingkungan Politeknik Telkom

Prinsip kerja transistor adalah arus bias basis-emiter yang kecil mengatur besar arus kolektor-emiter.

TRANSISTOR Oleh : Agus Sudarmanto, M.Si Tadris Fisika Fakultas Tarbiyah IAIN Walisongo

Dioda-dioda jenis lain

Karakteristik Transistor. Rudi Susanto

TRANSISTOR SEBAGAI SAKLAR DAN SUMBER ARUS

1. Perpotongan antara garis beban dan karakteristik dioda menggambarkan: A. Titik operasi dari sistem B. Karakteristik dioda dibias forward

TRANSISTOR. Pengantar Teknik Elektronika Program Studi S1 Informatika Sekolah Tinggi Teknologi Telematika Telkom Purwokerto

PERTEMUAN 9 RANGKAIAN BIAS TRANSISTOR (LANJUTAN)

KARAKTERISTIK TRANSISTOR

Mekatronika Modul 1 Transistor sebagai saklar (Saklar Elektronik)

LAPORAN PRAKTIKUM ELKA ANALOG

Bias dalam Transistor BJT

PERCOBAAN IV TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH

1 DC SWITCH 1.1 TUJUAN

MODUL 05 TRANSISTOR SEBAGAI PENGUAT

Transistor Bipolar BJT Bipolar Junction Transistor

MODUL PRAKTIKUM RANGKAIAN ELEKTRONIKA DASAR

Bagian 4 Pemodelan Dioda

Solusi Ujian 1 EL2005 Elektronika. Sabtu, 15 Maret 2014

BAB II LANDASAN TEORI

Materi 5: Bipolar Junction Transistor (BJT)

Pembahasan. Representasi Numeris Definisi Sistem Digital Rangkaian Elektronika Definisi Rangkaian Digital Kelebihan Sistem digital

Materi 6: Transistor Fundamental

MODUL PRAKTIKUM ELEKTRONIKA LABORATORIUM TEKNIK ELEKTRO JURUSAN TEKNIK ELEKTRO FAKULTAS TEKNIK UNIVERSITAS ISLAM KADIRI KEDIRI

Gambar 1 Tegangan bias pada transistor BJT jenis PNP

BAB III. Perencanaan Alat

Modul 3. Asisten : Catra Novendia Utama ( ) : Derina Adriani ( )

Cutoff Region Short-Circuited Base Open-Circuited Base Cutin Voltage

RANGKAIAN-RANGKAIAN PRATEGANGAN TRANSISTOR. Oleh : Danny Kurnianto,S.T.,M.Eng

BAB III GERBANG LOGIKA BINER

Elektronika (TKE 4012)

BAB III PERANCANGAN ALAT

Praktikum Rangkaian Listrik & Bahan Semikonduktor. Rudi Susanto

6.8 Daerah Saturasi ( Saturation Region ) CE

DIODA KHUSUS. Pertemuan V Program Studi S1 Informatika ST3 Telkom

Penguat Kelas A dengan Transistor BC337

Divais Elektronika TRANSISTOR

Praktikum Rangkaian Elektronika MODUL PRAKTIKUM RANGKAIAN ELEKRONIKA

GERBANG UNIVERSAL. I. Tujuan : I.1 Merangkai NAND Gate sebagai Universal Gate I.2 Membuktikan table kebenaran

BAB II LANDASAN TEORI

Dalam pengukuran dan perhitungannya logika 1 bernilai 4,59 volt. dan logika 0 bernilai 0 volt. Masing-masing logika telah berada pada output

BAB VF, Penguat Daya BAB VF PENGUAT DAYA

Elektronika Daya ALMTDRS 2014

Pengertian Transistor fungsi, jenis, dan karakteristik

Rangkaian Penguat Transistor

BAB VII ANALISA DC PADA TRANSISTOR

Penguat Kelas B Komplementer Tanpa Trafo Keluaran

BAB IV HASIL KERJA PRAKTEK. perlu lagi menekan saklar untuk menyalakan lampu, sensor cahaya akan bernilai 1

TUGAS AKHIR. Secara garis besar dari tugas-tugas yang telah dikerjakan dapat dibuat rangkuman sebagai berikut :

ROBOT LINE FOLLOWER ANALOG

Modul Elektronika 2017

MODUL 06 PENGUAT DAYA PRAKTIKUM ELEKTRONIKA TA 2017/2018

BAB III PERANCANGAN ALAT

PENGUAT EMITOR BERSAMA (COMMON EMITTER AMPLIFIER) ( Oleh : Sumarna, Lab-Elins Jurdik Fisika FMIPA UNY )

IV. HASIL DAN PEMBAHASAN. perangkat yang dibangun. Pengujian dilakukan pada masing-masing subsistem

Hubungan Antara Tegangan dan RPM Pada Motor Listrik

BAB 2 LANDASAN TEORI

Transistor Dwi Kutub. Laila Katriani.

[LAPORAN PENGUAT DAYA KELAS A] BAB I PENDAHULUAN

BAB II LANDASAN TEORI. 2.1 Rangkaian Pembangkit Pulsa (Clock) Rangkaian ini berhubuhan dengan rangkaian Multivibrator.

MODUL I TEGANGAN KERJA DAN LOGIKA

controlled rectifier), TRIAC dan DIAC. Pembaca dapat menyimak lebih jelas

Komponen Komponen elektronika DIODA Dioda Silikon Dan Germanium Dioda adalah komponen semiconductor yang paling sederhana, ia terdiri atas dua

Mata kuliah Elektronika Analog L/O/G/O

TRANSISTOR BIPOLAR. Oleh : Danny Kurnianto,S.T.,M.Eng. 1. IDE DASAR TRANSISTOR Gambaran ide dasar sebuah transistor dapat dilihat pada Gambar 1.

semiconductor devices

BAB IV PENGUJIAN DAN ANALISA

Struktur Fisik Bipolar Junction Transistor (BJT)

THYRISTOR & SILICON CONTROL RECTIFIER (SCR)

Transistor Efek Medan - Field Effect Transistor (FET)

Dioda Semikonduktor dan Rangkaiannya

Elektronika : Teori dan Penerapan. Herman Dwi Surjono, Ph.D.

KATA PENGANTAR. Surabaya, 13 Oktober Penulis

PRAKATA. Diktat ini masih jauh dari sempurna, oleh karena itu saran serta kritik yang membangun akan penulis terima dengan sengan hati.

PENGUAT DAYA KELAS A

BAB III PERANCANGAN SISTEM. Secara garis besar rangkaian pengendali peralatan elektronik dengan. blok rangkaian tampak seperti gambar berikut :

BAB II Transistor Bipolar

MODUL 04 PENGENALAN TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH

BAB III RANGKAIAN LOGIKA

JOBSHEET SENSOR CAHAYA (PHOTOTRANSISTOR, PHOTODIODA, LDR)

BAB II LANDASAN TEORI

Pendahuluan. 1. Timer (IC NE 555)

Sinyal Logik level dan Famili logik, perubah level

BAB III PERANCANGAN DAN CARA KERJA RANGKAIAN

Transistor-Transistor Logic (TTL)

PNPN DEVICES. Pertemuan Ke-15. OLEH : ALFITH, S.Pd, M.Pd

Laboratorium Dasar Teknik Elektro - Sekolah Teknik Elektro dan Informatika ITB

BAB III PERANCANGAN. Microcontroller Arduino Uno. Power Supply. Gambar 3.1 Blok Rangkaian Lampu LED Otomatis

NAMA : WAHYU MULDAYANI NIM : INSTRUMENTASI DAN OTOMASI. Struktur Thyristor THYRISTOR

BAB III RANCANGAN SISTEM. dirancanag. Setiap diagram blok mempunyai fungsi masing-masing. Adapun diagram

Karakteristik Diode. kt q

Analisis AC pada transistor BJT. Oleh: Sri Supatmi,S.Kom

BAB III RANCANGAN ALAT DAN PROGRAM

Mekatronika Modul 2 Silicon Controlled Rectifier (SCR)

MODUL PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR FAKULTAS KEGURUAN DAN ILMU PENDIDIKAN UNIVERSITAS SRIWIJAYA

BAB 4 ANALISIS DAN BAHASAN

Transkripsi:

Daerah Operasi Transistor

Sebuah Transistor memiliki empat daerah Operasi Transistor : 1. Daerah Aktif 2. Daerah CutOff 3. Daerah Saturasi 4. Daerah Breakdown

Daerah Aktif Daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif, dimana arus IC konstans terhadap berapapun nilai VCE. Dari kurva ini diperlihatkan bahwa arus IC hanya tergantung dari besar arus IB. Daerah kerja ini biasa juga disebut daerah linear (linear region).

Jika hukum Kirchhoff mengenai tegangan dan arus diterapkan pada loop kolektor (Rangkaian CE), maka dapat diperoleh hubungan : VCE = VCC - ICRC Dapat dihitung dissipasi daya transistor adalah : PD = VCE.IC Rumus ini mengatakan jumlah dissipasi daya transistor adalah tegangan kolektor-emitor dikali jumlah arus yang melewatinya

Dissipasi daya ini berupa panas yang menyebabkan naiknya temperatur transistor. Umumnya untuk transistor power sangat perlu untuk mengetahui spesifikasi PDmax. Spesifikasi ini menunjukkan temperatur kerja maksimum yang diperbolehkan agar transistor masih bekerja normal. Sebab jika transistor bekerja melebihi kapasitas daya PDmax, maka transistor dapat rusak atau terbakar.

Daerah Saturasi Daerah saturasi adalah mulai dari VCE = 0 volt sampai kira-kira 0.7 volt (transistor silikon), yaitu akibat dari efek dioda kolektor-base yang mana tegangan VCE belum mencukupi untuk dapat menyebabkan aliran elektron.

Daerah Cut-Off Jika kemudian tegangan VCC dinaikkan perlahan-lahan, sampai tegangan VCE tertentu tiba-tiba arus IC mulai konstan. Pada saat perubahan ini, daerah kerja transistor berada pada daerah cut-off yaitu dari keadaan saturasi (On) menjadi keadaan mati (Off). Perubahan ini dipakai pada system digital yang hanya mengenal angka biner 1 dan 0 yang tidak lain dapat direpresentasikan oleh status transistor OFF dan ON.

Rangkaian Driver LED Misalkan pada rangkaian driver LED di atas, transistor yang digunakan adalah transistor dengan β = 50. Penyalaan LED diatur oleh sebuah gerbang logika (logic gate) dengan arus output high = 400 ua dan diketahui tegangan forward LED, VLED = 2.4 volt. Lalu pertanyaannya adalah, berapakah seharusnya resistansi RL yang dipakai.

IC = β IB = 50 x 400 ua = 20 ma Arus sebesar ini cukup untuk menyalakan LED pada saat transistor cut-off. Tegangan VCE pada saat cut-off idealnya = 0, dan aproksimasi ini sudah cukup untuk rangkaian ini. RL = (VCC - VLED - VCE) / IC = (5-2.4-0)V / 20 ma = 2.6V / 20 ma = 130 Ohm

Daerah Breakdown Dari kurva kolektor, terlihat jika tegangan VCE lebih dari 40V, arus IC menanjak naik dengan cepat. Transistor pada daerah ini disebut berada pada daerah breakdown. Seharusnya transistor tidak boleh bekerja pada daerah ini, karena akan dapat merusak transistor tersebut. Untuk berbagai jenis transistor nilai tegangan VCEmax yang diperbolehkan sebelum breakdown bervariasi. VCEmax pada data book transistor selalu dicantumkan juga.

Garis Beban Transistor Garis beban sangat penting dalam menggambarkan karakteristik sebuah Transistor, garis beban mencakup setiap kemungkinan titik operasi rangkaian. Dengan kata lain bila hambatan pada Basis bervariasi mulai dari nol sampai tak terhingga maka akan menyebabkan Arus Basis (IB) menjadi berubah sehingga Arus Colector (IC) dan VCE pun akan bervariasi pada daerah masing-masing.

Bila kita menggambarkan nilai IC dan VCE untuk tiap nilai IB yang mungkin, maka kita akan memperoleh gambaran mengenai Grafik GAris Beban, dengan kata lain Garis Beban adalah sebuah Kesimpulan Visual dari semua yang memungkinkan Titik Operasi Transistor Contoh :?

Titik Jenuh Terjadi bilamana hambatan pada Basis terlalu kecil sehingga arus kolektor menjadi sangat besar dan tegangan kolektor emitor menjadi rendah mendekati nol, pada keadaan ini Transistor berada pada kondisi Jenuh artinya Arus Kolektor meningkat mendekati nilai maksimum.

Titik Cutoff Keadaan dimana garis Beban berpotongan dengan daerah Cutoff Kurva Colektor hal ini disebabkan karena arus kolektor adalah sangat kecil, sehingga titik cutoff hampir menyentuh ujung bawah garis beban, dengan kata lain Titik cutoff menyatakan bahwa Tegangan Colektor Emitor adalah tegangan maksimum yang mungkin dalam rangkaian.