LAPORAN PRAKTIKUM ELKA ANALOG

dokumen-dokumen yang mirip
LAPORAN LABORATORIUM ELEKTRONIKA ANALOG

PERTEMUAN 9 RANGKAIAN BIAS TRANSISTOR (LANJUTAN)

MODUL 05 TRANSISTOR SEBAGAI PENGUAT

Bias dalam Transistor BJT

MODUL PRAKTIKUM RANGKAIAN ELEKTRONIKA DASAR

Penguat Kelas A dengan Transistor BC337

Karakteristik Transistor. Rudi Susanto

Daerah Operasi Transistor

Penguat Kelas B Komplementer Tanpa Trafo Keluaran

I. Tujuan Praktikum. Mampu menganalisa rangkaian sederhana transistor bipolar.

- 1 - FAKULTAS TEKNIK UNIVERSITAS NEGERI YOGYAKARTA LAB SHEET PRAKTIK ELEKTRONIKA ANALOG I

Dioda-dioda jenis lain

[LAPORAN PENGUAT DAYA KELAS A] BAB I PENDAHULUAN

TRANSISTOR SEBAGAI SAKLAR DAN SUMBER ARUS

Prinsip kerja transistor adalah arus bias basis-emiter yang kecil mengatur besar arus kolektor-emiter.

MODUL PRAKTIKUM ELEKTRONIKA LABORATORIUM TEKNIK ELEKTRO JURUSAN TEKNIK ELEKTRO FAKULTAS TEKNIK UNIVERSITAS ISLAM KADIRI KEDIRI

Gambar 1 Tegangan bias pada transistor BJT jenis PNP

Catatan Tambahan: Analisis Penguat CE, CB, dan CC dengan resistansi Internal transistor yang tidak bisa diabaikan (nilai r o finite)

TRANSISTOR 1. TK2092 Elektronika Dasar Semester Ganjil 2012/2013. Hanya dipergunakan untuk kepentingan pengajaran di lingkungan Politeknik Telkom

1. Perpotongan antara garis beban dan karakteristik dioda menggambarkan: A. Titik operasi dari sistem B. Karakteristik dioda dibias forward

Mekatronika Modul 1 Transistor sebagai saklar (Saklar Elektronik)

Solusi Ujian 1 EL2005 Elektronika. Sabtu, 15 Maret 2014

Transistor Bipolar. oleh aswan hamonangan

BAB VII ANALISA DC PADA TRANSISTOR

TRANSISTOR Oleh : Agus Sudarmanto, M.Si Tadris Fisika Fakultas Tarbiyah IAIN Walisongo

LAPORAN PRAKTIKUM PERCOBAAN 4 DIODA ZENER KELOMPOK 6 : 1. Setya Arief Pambudi (21) 2. Suci Indah Asmarani (22) 3. Syahadah Rizka Anefi (23)

PERTEMUAN 1 ANALISI AC PADA TRANSISTOR

Transistor Bipolar. III.1 Arus bias

KARAKTERISTIK TRANSISTOR

Transistor Bipolar BJT Bipolar Junction Transistor

Praktikum Rangkaian Listrik & Bahan Semikonduktor. Rudi Susanto

Elektronika : Teori dan Penerapan. Herman Dwi Surjono, Ph.D.

Transistor Dwi Kutub. Laila Katriani.

TRANSISTOR. Pengantar Teknik Elektronika Program Studi S1 Informatika Sekolah Tinggi Teknologi Telematika Telkom Purwokerto

PENGUAT EMITOR BERSAMA (COMMON EMITTER AMPLIFIER) ( Oleh : Sumarna, Lab-Elins Jurdik Fisika FMIPA UNY )

Bagian 4 Pemodelan Dioda

ROBOT LINE FOLLOWER ANALOG

Materi 5: Bipolar Junction Transistor (BJT)

Materi 6: Transistor Fundamental

Modul 3. Asisten : Catra Novendia Utama ( ) : Derina Adriani ( )

PERCOBAAN IV TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH

1 DC SWITCH 1.1 TUJUAN

MODUL 08 OPERATIONAL AMPLIFIER

PERCOBAAN 4 RANGKAIAN PENGUAT KLAS A COMMON EMITTER

Nama Kelompok : Agung Bagus K. (01) Lili Erlistantini (13) Rahma Laila Q. (14) PENGUAT RF. Pengertian Penguat RF

I. Penguat Emittor Ditanahkan. II. Tujuan

PERCOBAAN 6 RANGKAIAN PENGUAT KLAS B PUSH-PULL

Percobaan 4 (versi A) Karakteristik dan Penguat FET Revisi 24 Maret 2014

KATA PENGANTAR. Surabaya, 13 Oktober Penulis

MODUL 06 PENGUAT DAYA PRAKTIKUM ELEKTRONIKA TA 2017/2018

MODUL PRAKTEK RANGKAIAN ELEKTRONIKA

I D. Gambar 1. Karakteristik Dioda

MODUL II MERANCANG PENGUAT COMMON EMITTER SATU TINGKAT

BAB II Transistor Bipolar

Rangkaian Penguat Transistor

Elektronika : Teori dan Penerapan. Herman Dwi Surjono, Ph.D.

Y Y A B. Gambar 1.1 Analogi dan simbol Gerbang NOR Tabel 1.1 tabel kebenaran Gerbang NOR A B YOR YNOR

Q POWER ELECTRONIC LABORATORY EVERYTHING UNDER SWITCHED

PERCOBAAN 3 RANGKAIAN OP AMP

BAB IV HASIL KERJA PRAKTEK. perlu lagi menekan saklar untuk menyalakan lampu, sensor cahaya akan bernilai 1

LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR

PENGUAT-PENGUAT EMITER SEKUTU

JOBSHEET 6 PENGUAT INSTRUMENTASI

Modul Elektronika 2017

BAB IV PENGUJIAN ALAT

Penguat Emiter Sekutu

Gambar 1.1 Analogi dan simbol Gerbang AND. Tabel 1.1 kebenaran Gerbang AND 2 masukan : Masukan Keluaran A B YAND

Jobsheet Praktikum DECODER

JOBSHEET SENSOR CAHAYA (PHOTOTRANSISTOR, PHOTODIODA, LDR)

RANCANGAN SENSOR ARUS PADA PENGISIAN BATERAI DARI PANEL SURYA

MODUL 04 TRANSISTOR PRAKTIKUM ELEKTRONIKA TA 2017/2018

DIODA KHUSUS. Pertemuan V Program Studi S1 Informatika ST3 Telkom

LAPORAN PRAKTIKUM DIGITAL

TUGAS AKHIR. Secara garis besar dari tugas-tugas yang telah dikerjakan dapat dibuat rangkuman sebagai berikut :

INSTRUMENTASI INDUSTRI (NEKA421) JOBSHEET 2 (PENGUAT INVERTING)

BAB III LANGKAH PERCOBAAN

BAB II LANDASAN TEORI

PERCOBAAN 1 KURVA TRANSFER KARAKTERISTIK JFET

Elektronika Lanjut. Herman Dwi Surjono, Ph.D.

OPERATIONAL AMPLIFIERS (OP-AMP)

PENGERTIAN THYRISTOR

PERTEMUAN 12 ALAT UKUR MULTIMETER

Gambar 1.1 Konfigurasi pin IC 74LS138

BAB III PERANCANGAN DAN PEMBUATAN SISTEM

BAB IV PENGUJIAN DAN ANALISA ALAT

PANDUAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR LABORATORIUM FISIKA DASAR FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM UNIVERSITAS TANJUNGPURA PONTIANAK

Gambar 1.1 Analogi dan simbol Gerbang NAND Tabel 1.1 tabel kebenaran Gerbang NAND: A B YAND YNAND

KARAKTERISTIK TRANSISTOR. Risa Farrid Christianti

Elektronika : Teori dan Penerapan. Herman Dwi Surjono, Ph.D.

BAB III ANALISA RANGKAIAN

GERBANG UNIVERSAL. I. Tujuan : I.1 Merangkai NAND Gate sebagai Universal Gate I.2 Membuktikan table kebenaran

BAB III PERANCANGAN DAN REALISASI ALAT

BAB III PERANCANGAN ALAT

BAB II LANDASAN TEORI. Teknologi teleoperasi atau teleotomatisasi merupakan teknologi yang

BAB II TEORI DASAR Sistem Pengendalian Lingkar Terbuka. Gambar 2.1. Diagram kotak sistem pengendalian lingkar terbuka

1. Kompetensi : Menjelaskan karakteristik converter tegangan ke arus

BAB III. Perencanaan Alat

RANGKAIAN KONVERTER ZERO & Semester 3

PERCOBAAN 10 RANGKAIAN DIFFERENSIATOR DAN INTEGRATOR OP-AMP

BAB III KONSEP RANCANGAN

Transkripsi:

LAPORAN PRAKTIKUM ELKA ANALOG GARIS BEBAN DC TRANSISTOR KELAS / GROUP : Telkom 3-D / 2 NAMA PRAKTIKAN : 1. Gusti Prabowo Randu NAMA REKAN KERJA : 2. Dwi Mega Yulianingrum 3. Nadia Rifa R PROGRAM STUDI TEKNIK TELEKOMUNIKASI POLITEKNIK NEGERI JAKARTA 2015

PERCOBAAN 12 GARIS BEBAN DC TRANSISTOR 12.1. TUJUAN 1. Membuat garis beban dc dan menentukan titik operasi suatu transistor 2. Mempelajari hubungan operasi transistor dengan garis beban dc 12.2. DASAR TEORI Level DC dari suatu rangkaian menentukan titik kerja transistor yang dipakai. Garis beban dapat dibangun apabila kita mengetahui arus beban pada rangkaian dan tegangan operasinya. Sekarang coba anda bayangkan mendisain transistor yang digunakan untuk mensaklar beban sebesar 20mA, tegangan supply-nya 5V DC. Titik "A" pada diagram dibawah adalah kondisi saat Saat transistor OFF, IC (arus kolektor) akan menjadi nol sedangkan VCE (tegangan kolektor-emitor) akan menjadi hampir sama dengan tegangan supply (5V DC). Titik "B" pada diagram diatas adalah kondisi saat transistor ON dimana IC akan menjadi 20mA (sama dengan arus beban) dan VCE nilainya sangat kecil hampir mendekati nol. Garis yang ditarik dari titik A ke titik B ini yang dinamakan garis beban.

Dalam rangkaian yang diberikan, Vcc dan Rc adalah konstan, Vce dan Ic adalah variabel. Perpotongan vertikal adalah pada Vcc/Rc. Perpotongan horizontal adalah pada Vcc, kemiringannya adalah -1/Rc. Garis ini disebut garis beban DC seperti terlihat dalam Gambar 2.11, karena garis ini menyatakan semua titik operasi yang mungkin. Perpotongan dari garis beban DC dengan arus basis adalah titik operasi dari transistor. Titik perpotongan antara garis beban dan kurva Ib-0 disebut titik sumbat. Pada titik ini arus basis adalah 0 dan arus kolektor kecil sehingga dapat diabaikan. Pada titik sumbat, diode kehilangan bias maju (forward), dan kerja transistor normal terhenti. Untuk perkiraan aproksimasi Vce (cutt off)=vcc. Perpotongan garis beban dan kurva Ib=Ib(sat) disebut penjenuhan (saturation). Pada titik ini arus basis sama dengan Ib(sat) dan arus kolektor adalah maksimum. Saat ini diode kolektor kehilangan bias balik (reverse) dan kerja transistor yang normal terhenti. Arus kolektor penjenuhan adalah: Tegangan kolektor emitor pada penjenuhan adalah Vce=Vce(sat), dimana Vce(sat) diberikan pada lembar data, secara khusus beberapa persepuluh volt. Jika arus basis lebih besar daripada Ib(sat), arus kolektor tak dapat bertambah karena diode kolektor tidak lagi dibias balik (reverse). Dengan perkataan lain perpotongan dari garis beban dan kurva basis yang lebih tinggi masih menghasilkan titik penjenuhan yang sama.

Pada penjelasan diatas untuk rangkaian emiter, untuk basis VCE diganti dengan VCB. Pada rangkaian percobaan terlihat bagian input dan output dengan rumus masingmasing : Input Output VEE = IE. RE + VEB VCC = IC. RC + VCB Untuk membuat garis beban DC diperlukan hal berikut : Pada sumbu VCB Pada sumbu IC IC = 0 (jika dimasukkan dalam rumus pada output VCC = VCB) VCB = 0 (jika dimasukkan dalam rumus pada output VCC = IC. RC atau I C = V CC R C ) Jadi dari percobaan sebelumnya pada konfigurasi common basis, dapat digambarkan garis beban DC dengan VCB = VCC = 8 volt dan I C = V CC R C = 8 1k = 8 Pada resistansi input RB RE

Untuk menghitung resistansi output digunakan rumus berikut : ro = 1 hob R O = ro//r C atau R O R C Parameter H untuk transistor common basis : Untuk karakteristik input hib = V BE I E hrb = V BE V CB Untuk karakteristik output hfb = i C i E ; i C i E hob = i C V CB

12.3. ALAT DAN KOMPONEN YANG DIGUNAKAN 1) DC Power Supply : 2 buah 2) Resistor 1 kω : 2 buah 3) Resistor 1 kω : 1 buah 4) Transistor BC 107 : 1 buah 5) Multimeter : 3 buah 6) Kabel-kabel penghubung 12.4. PROSEDUR PERCOBAAN 1. Buatlah garis beban dc transistor pada kurva karakteristik output transistor dengan konfigurasi common basis dari percobaan IX pada VCC = 8 V, RC = 1 KΩ. 2. Carilah titik Q, lalu tentukan nilai VCB(Q), IE(Q) dan IC(Q) dari grafik. 3. Tentukan dari grafik nilai IC(1) dan IE(1) pada saat VCB = 6 V dan tentukan pula nilai IC(2) dan IE(2) pada saat VCB = 2 V. 4. Aturlah VCC = 8 V lalu putar pula VEE = VEB + RE. IE(Q) ukur VCB, IC dan IE. 5. Aturlah VCC = 8 V lalu putar pula VEE = VEB + RE. IE(1) ukur VCB, IC dan IE. 6. Aturlah VCC = 8 V lalu putar pula VEE = VEB + RE. IE(2) ukur VCB, IC dan IE. 7. Ulangi langkah 1 sampai dengan langkah 6 untuk RC = 5 KΩ. Catatan : VEB = 0,7 V RE = 1 KΩ (dari rangkaian) IE = dari grafik output konfigurasi transistor basis

DATA HASIL PERCOBAAN Tabel 1. Rangkaian garis beban DC dengan RC = 1 KΩ VCC VEE VCE (V) IC (ma) IE (ma) (V) (V) grafik ukur grafik ukur grafik ukur 8 4,7 4 4,44 4 4,3 4 4,3 8 2,7 6 6,84 2 2,1 2 2,1 8 6,7 2 2,54 6 6,3 6 5,9 Tabel 2. Rangkaian garis beban DC dengan RC = 5 KΩ VCC VEE VCE (V) IC (ma) IE (ma) (V) (V) grafik ukur grafik ukur grafik ukur 8 1,5 4 4,62 0,8 0,72 0,8 0,51 8 1,1 6 6,77 0,4 0,38 0,4 0,42 8 0,9 2 1,98 1,2 0,92 1,2 1,1

ANALISA 1. Bandingkan hasil penentuan nilai VCB, IC dan IE dari grafik dan dari pengukuran! Jelaskan bila terjadi perbedaan! 2. Bagaimana hubungan antara resistor RC dengan besar arus IE? 3. Apa gunanya menggambarkan garis beban dc suatu transistor? Jawab : 1. Tidak terjadi perbedaan yang signifikan, atau masih dalam batas toleransi, hal tersebut bisa disebabkan oleh banyak hal diantaranya kesalahan membaca alat ukur, range alat ukur yang tidak tepat dan masih banyak lagi, perbedaan antara grafik dan pengukuran dapat dilihat pada gambar. (gambar terlampir) 2. Hubungan antara tahanan RC dengan besar Arus IE bahwa semakin besar tahanan RC maka arus yang mengalir pada IE akan semakin kecil, karena arus IE berbanding terbalik dengan tahan RC, dimana arus IE dapat diperoleh dari perbandingan VCC dengan RC ditambah RE. 3. Kegunaan kita mengambar garis beban transistor adalah agar kita dapat mencari dengan mudah tegangan yang ada pada beban tersebut dengan cara mencari titik potong antara garis beban dan karakteristik yang diinginkan.

KESIMPULAN Garis beban diperoleh dengan cara membuat arah arus yang berlawanan sehingga diperoleh suatu garis yang berlawanan sehingga diperoleh suatu garis dengan kemiringan -1/R Garis beban transistor digunakan untuk mencari dengan mudah tegangan yang ada pada beban tersebut dengan cara mencari titik potong antara garis beban dan karakteristik yang diinginkan.

LAMPIRAN