PEMBUATAN DAN KARAKTERISASI FILM TIPIS BARIUM STRONTIUM TITANAT Ba 0,7 Sr 0,3 TiO 3 (BST) MENGGUNAKAN SPEKTROSKOPI IMPEDANSI Ridha Putri Syamda 1, Rahmi Dewi 2, Sugianto 3 1 Mahasiswa Jurusan Fisika 2 Bidang Fisika Instrumentasi 3 Bidang Fisika Material Fakultas Matematika dan Ilmu Pengetahuan Alam Kampus Bina Widya Pekanbaru, 28293, Indonesia Ridha.putri16@gmail.com ABSTRACT The thin film of Barium Strontium Titanate (BST) has been studied with composition of by using sol-gel method that annealed in temperature of 600 o and 650 o. The thin film of BST is characterized by using Field Emission Scanning Electron Microscopy (FESEM) and an impedance spectroscopy. The result samples in temperature of 600 o and 650 o are 46 nm and 141 nm in thickness respectively. The result obtained from the impedance spectroscopy characterization are frequency, real impedance, and imaginer impedance. The capacitance of the thin film of BST in temperature of 600 o and 650 o are 0,15 Farad dan 0,154 Farad. The dielectric constant of the thin film of BST in temperature of 600 o and 650 o are 321,86 dan 109,32 respectively. Keywords :, FESEM, Impedance Spectroscopy ABSTRAK Telah dilakukan penelitian film tipis Barium Strontium Titanat (BST) dengan komposisi menggunakan metode sol-gel dan di annealing pada suhu 600 o dan 650 o. Film tipis BST tersebut dikarakterisasi menggunakan Field Emission Scanning Electron Microscopy (FESEM) dan Spektroskopi Impedansi. Hasil dari karakterisasi FESEM untuk sampel pada suhu 600 o dan 650 o masingmasing ketebalannya sebesar 46 nm dan 141 nm. Hasil dari karakterisasi Spektroskopi Impedansi diperoleh nilai frekuensi, impedansi real dan impedansi imajiner. Nilai kapasitansi dari film tipis BST pada suhu 600 o dan 650 o masingmasing sebesar 0,15 Farad dan 0,154 Farad. Nilai konstanta dielektrik dari film tipis BST pada suhu 600 o dan 650 o masing-masing sebesar 321,86 dan 109,32. Kata Kunci :, FESEM, Spektroskopi Impedansi 1
PENDAHULUAN Bidang elektronik saat ini memegang peranan penting diberbagai sektor ilmu pengetahuan dan teknologi. Banyak orang melakukan penelitian dan pembuatan alat serta komponen-komponen elektronika yang diharapkan mempunyai sifat dan karakteristik tertentu. Salah satu penelitian yang menarik perhatian yaitu penelitian terhadap material ferroelektrik. Penelitian ini menggunakan bahan ferroelektrik yaitu Barium Strontium Titanat (BST). BST merupakan bahan ferroelektrik yang sangat menarik karena memiliki konstanta dielektrik yang tinggi, kapasitas penyimpan muatan yang tinggi, serta memiliki stabilitas suhu yang baik, menyebabkan film tipis BST sangat sesuai sebagai bahan pembuat kapasitor. Kapasitor adalah komponen listrik yang digunakan untuk menyimpan muatan listrik, kapasitor ini terdiri dari dua plat konduktor yang ditempatkan berdekatan tapi tidak bersentuhan. Kemampuan dari dua sistem plat pada kapasitor untuk menyimpan muatan dinyatakan sebagai kapasitansi listrik. Nilai kapasitansi listrik suatu kapasitor bergantung pada ukuran, bentuk dan posisi relatif dari dua plat konduktor serta bahan penyekat antara dua konduktor tersebut yang dikenal dengan dielektrik. Penelitian ini merupakan studi pembuatan film tipis kapasitor BST dari campuran barium karbonat, strontium karbonat, dan titanium isopropoksida dengan perbandingan Ba dan Sr 0,7 : 0,3 menjadi Barium Strontium Titanat (Ba 0,7 Sr 0,3 TiO 3 ) yang pengukurannya akan dilakukan pada suhu 600 o C dan 650 o C. Perbedaan suhu dengan komposisi yang sama akan dikarakterisasi dengan FESEM (Field Emission Scanning Electron Microscopy) untuk mendapatkan berapa ketebalan dari sampel dan spektroskopi impedansi untuk mendapatkan nilai impedansinya. Nilai impedansi yang diperoleh ini maka dapat dihitung berapa besar nilai kapasitansi dan kebocoran arus dalam film tipis kapasitor BST. METODE PENELITIAN 1. Alat dan Bahan Alat dan bahan yang digunakan pada penelitian ini berupa timbangan digital, hot plate stirrer, bola magnetik, spin coating, furnace, Field Emission Scanning Electron Microscopy (FESEM), dan spektroskopi impedansi, larutan acetil acid, larutan asetil aseton, larutan HCl, bubuk barium karbonat, bubuk strontium karbonat, titanium isopropoksida, bubuk aluminium dan substrat kaca. 2. Skema Penelitian Pembuatan film tipis BST menggunakan metode sol-gel yang ditempatkan di atas substrat kaca dengan menggunakan spin coating diputar pada kecepatan 3500 rpm selama 30 detik untuk meratakan setiap lapisan dan di annealing pada suhu 600 o C selama 1 jam untuk 2
mendapatkan struktur kristalnya. Sampel dikarakterisasi menggunakan alat karakterisasi FESEM untuk mendapatkan ketebalannya dan menggunakan alat karakterisasi spektroskopi impedansi untuk mendapatkan nilai impedansi, sehingga dapat dihitung berapa nilai kapasitansi dan nilai konstanta dielektriknya. Gambar 2. Struktur device BST Gambar 2 menunjukkan struktur device BST dimana aluminium pada lapisan pertama digunakan sebagai konduktornya. HASIL DAN PEMBAHASAN Data pada penelitian ini menampilkan hasil foto FESEM yang menunjukkan ketebalan dari sampel. Data hasil spektroskopi impedansi menampilkan Plot Nyquist yang menyatakan hubungan antara impedansi real dan impedansi imajiner serta dilengkapi dengan rangkaian ekivalen, serta bode plot yang menyatakan hubungan antara frekuensi dan kapasitansi atau frekuensi dan konstanta dielektrik dari sampel. Gambar 1. Skema Penelitian Gambar 1 merupakan skema pembuatan film tipis BST yang dibuat dengan struktur device seperti Gambar 2 dibawah ini. Gambar 3. Ketebalan dari lapisan film tipis pada suhu 600 o C di atas substrat kaca. 3
dari film tipis pada suhu 600 o C. Gambar 4. Ketebalan dari lapisan film tipis pada suhu 650 o C di atas substrat kaca. Gambar 3 menunjukkan ukuran ketebalan dari film tipis BST yaitu 48,89 nm, sampel ini ditumbuhkan di atas substrat kaca dengan komposisi massa barium karbonat 1,72 gram dan strontium karbonat 0,55 gram, serta di annealing pada suhu 600 o C. Gambar 4 menunjukkan ukuran ketebalan dari film tipis BST yaitu 141,5 nm, sampel ini ditumbuhkan di atas substrat kaca dengan komposisi massa barium karbonat 1,72 gram dan strontium karbonat 0,55 gram, serta di annealing pada suhu 650 o C. Perbedaan suhu annealing pada sampel menjadi penyebab ketebalan yang bervariasi. Gambar 5. Analisis impedansi real dan impedansi imajiner berbentuk plot nyquist Gambar 6. Analisis impedansi real dan impedansi imajiner berbentuk plot nyquits dari film tipis pada suhu 650 o C. Gambar 5 menjelaskan spektrum impedansi untuk sampel pada suhu 600 o membentuk dua loop setengah lingkaran. Dimana lengkung I mewakili proses yang terjadi di antara muka elektroda dan substrat kaca pada frekuensi rendah <10 KHz, serta lengkung II merupakan proses yang berlaku pada perbatasan butiran. Gambar 6 menjelaskan spektrum impedansi untuk sampel pada suhu 650 o membentuk dua loop setengah lingkaran. Dimana lengkung I mewakili frekuensi 1-100 KHz yang mewakili proses pada perbatasan butir, serta lengkung II mewakili proses padatan sampel. Daerah interface berada pada frekuensi rendah dan daerah grain berada pada frekuensi tinggi. Kedua grafik hubungan antara impedansi real dan impedansi imajiner pada sampel dalam penelitian ini menunjukkan nilai yang sama dimana ada dua loop setengah lingkaran yang 4
didapatkan. Loop setengah lingkaran ini menunjukkan hubungan sifat listrik dan konstanta dielektrik daerah antara kontak dengan sampel (Interface). Nilai impedansi real dan impedansi imajiner yang dihasilkan oleh spektroskopi impedansi dihitung berapa nilai impedansi kompleksnya sehingga nilai impedansi kompleks ini dapat digunakan untuk menghitung nilai kapasitansi dan nilai konstanta dielektrik dari masingmasing sampel. Kapasitansi Kompleks (F) 0.15 0.10 0.05 Gambar 7 pada suhu annealing 600 o di peroleh frekuensi kecil sebesar 20 Hz, nilai kapasitansi kompleks mencapai nilai maksimal yaitu sebesar 0,15 Farad. Sedangkan pada frekuensi tertinggi yaitu 1 MHz, nilai kapasitansi kompleks berada pada nilai minimum yaitu sebesar 4,95 x 10-5 Farad. Gambar 8 pada suhu annealing 650 o di peroleh frekuensi kecil sebesar 20 Hz, nilai kapasitansi kompleks mencapai nilai maksimal yaitu sebesar 0,154 Farad. Sedangkan pada frekuensi tertinggi yaitu 1 MHz, nilai kapasitansi kompleks berada pada nilai minimum yaitu sebesar 8,91 x 10-5 Farad. 350 300 250 0.00 100 1000 10000 100000 1000000 Frekuensi (Hz) Gambar 7. Hubungan antara frekuensi dan nilai kapasitansi kompleks film tipis pada suhu 600 o C. 0.15 Konstanta Dielektrik 200 150 100 50 0-50 100 1000 10000 100000 1000000 Frekuensi (Hz) Gambar 9. Hubungan antara frekuensi dan nilai konstanta dielektrik film tipis pada suhu 600 o C. Kapasitansi kompleks (F) 0.10 0.05 120 100 80 0.00 100 1000 10000 100000 1000000 Frekuensi (Hz) Gambar 8. Hubungan antara frekuensi dan nilai kapasitansi kompleks film tipis pada suhu 650 o C. Konstanta Dielektrik 60 40 20 0 100 1000 10000 100000 1000000 Frekuensi (Hz) Gambar 10. Hubungan antara frekuensi dan nilai 5
konstanta dielektrik film tipis pada suhu 650 o C. Gambar 9 menjelaskan bahwa hubungan antara frekuensi dan nilai konstanta dielektrik berbanding terbalik, pada frekuensi terendah 20 Hz, nilai konstanta dielektriknya adalah 321,86. Sedangkan pada frekuensi 1 MHz, nilai konstanta dielektriknya adalah 0,105. Gambar 10 menjelaskan bahwa hubungan antara frekuensi dan nilai konstanta dielektrik berbanding terbalik, pada frekuensi terendah 20 Hz, nilai konstanta dielektriknya adalah 109,32. Sedangkan pada frekuensi 1 MHz, nilai konstanta dielektriknya adalah 0,062. KESIMPULAN Spektroskopi impedansi yang diaplikasikan pada bahan Ba 0,7 Sr 0,3 TiO 3 mampu memisahkan sifat listrik dan dielektrik dari butiran (grain), daerah batas butiran (grain boundary), dan daerah antara substrat kaca dengan sampel (interface). Analisis impedansi real dan impedansi imajiner pada sampel film tipis dari Ba 0,7 Sr 0,3 TiO 3 menghasilkan dua loop setengah lingkaran yang menunjukkan hubungan antara substrat kaca dengan sampel (interface). Nilai konstanta dielektrik dan nilai kapasitansi dari sampel film tipis pada suhu 600 o dan 650 o berbanding terbalik terhadap frekuensi yang diberikan, dimana semakin besar nilai frekuensi yang diberikan maka semakin kecil nilai konstanta dielektrik dan nilai kapasitansinya. Sebaliknya, semakin kecil nilai frekuensi yang diberikan maka semakin besar nilai konstanta dielektrik dan nilai kapasitansinya. DAFTAR PUSTAKA Anggelina, F. 2014. Efek Suhu dan Waktu Penumbuhan Nanorod Z n O Dengan Metode Hidrotermal Untuk Aplikasi DSSC (Dye Sensitized SolarCells). Skripsi Jurusan Fisika FMIPA, Universitas Riau, Pekanbaru. Anuwar, K. 2013. Karakterisasi Mikrostruktur Feroelektrik Material SrTiO 3 dengan Menggunakan Scanning Electron Microscopy (SEM). Skripsi Jurusan Fisika FMIPA, Universitas Riau, Pekanbaru. Badwal, S.P.S. 1988. Impedance spectroscopy and microstructural studies on material for solid state electrochemical devices. Solid State Ionic Devices. Ed B.V.R. Chowdari & S. Radakrishna, Singapore: World Scientific Publ: 125. Darsikin., Khairurrijal., Sukirno., dan Barmani, M. 2005. Sifat Listrik Film Tipis BST Struktur MFM dan MFS yang Ditumbuhkan dengan Spin Coating. Jurnal Sainstek ISSN : 86 93. Faanzir, dan Umar. 2013. Teknologi Proses Produksi Sensor Cahaya Untuk Pengembangan Robotik Berbasis Teknologi Lapisan Tipis Bahan 6
Ferroelektrik Barium Strontium Titanat (Ba 0,55 Sr 0,45 TiO 3 ). Jurnal Sainstek ISSN : 9772252 669007. Ginting, D. 2011. Karakterisasi Dielektrik Film Tipis Ba 0.6 Sr 0.4 TiO 3 (BST) dengan Menggunakan Impedansi Kompleks. Skripsi Jurusan Fisika FMIPA, Universitas Riau, Pekanbaru. Hilaluddin, M.N. 2011. Pembuatan Sel Surya Berbasis Film Ferroelektrik Barium Strontium Titanat (Ba 0,5 Sr 0,5 TiO 3 ). Skripsi Jurusan Fisika FMIPA, Institut Pertanian Bogor, Bogor. Irzaman, R. Erviansyah, H. Syafutra, A. Maddu., dan Siswadi. 2010. Studi Konduktivitas Listrik Film Tipis Ba 0,25 Sr 0,75 TiO 3 yang Didadah Ferium Oksida (BFST) Metode Chemical Solution Deposition. Jurnal Sainstek ISSN : 1410 9662. Jamaluddin, A., Anif, j., Iriani, Y., Yofertina, S., Sri, B. 2011. Pembuatan Prototipe Sensor Cahaya Menggunakna Bahan Ferroelektrik BST. Jurnal Sains dan Materi Indonesia ISSN: 1411-1098. Komisah, S. 2001. Pembuatan Alat Uji Teknis Sifat Dielektrik Bahan Cair. Skripsi Jurusan Fisika FMIPA, Institut Pertanian Bogor, Bogor. Lestari, D. N. 2009. Studi Preparasi Dan Karakterisasi N Doped TiO 2 dengan Metode Sol Gel Menggunakan Prekursor Titanium Iso Propoksida (TTIP) dan Diethylamine (DEA). Skripsi Jurusan Fisika FMIPA, Universitas Indonesia, Depok. Nazlim, A. 2000. Penyediaan Pencirian dan Kegunaan Bahan Ferrolelektrik Li-Ni- Zn. Master of science, Universitas Kebangsaan Malaysia, Malaysia. Nuwaiir. 2009. Kajian Impedansi dan Kapasitansi Listrik pada Membran Telur Ayam Ras. Skripsi Jurusan Fisika FMIPA, Institut Pertanian Bogor, Bogor. Rizki, B.A. 2014. Karakterisasi Bahan Ferroelektrik Barium Strontium Titanat (Ba 0,7 Sr 0,3 TiO 3 ) Menggunakan Mikroskop Imbasan Elektron (SEM). Skripsi Jurusan Fisika FMIPA, Universitas Riau, Pekanbaru. Rositawati, D.N. 2008. Pengaruh Temperatur dan Waktu Sintering dan Annealing Terhadap Spektroskopi Impedansi Ba 0,5 Sr 0,5 TiO 3. Tesis FMIPA, Universitas Indonesia, Jakarta. Sueta, N. 2008. Pembuatan dan Penumbuhan Lapisan Tipis 7
Barium Strontium Titanat (BST) dengan Metode CSD yang Dikarakterisasi dengan XRF, XRD, dan SEM. Skripsi Jurusan Fisika FMIPA, Universitas Indonesia, Depok. Tukimin. 2012. Studi Spektroskopi Impedansi Bahan Perovskite (Ba,Sr)TiO 3 Pada Temperatur Tinggi. Tesis FMIPA, Universitas Indonesia, Jakarta. Winarsih. 2009. Analisis Sifat Histeresis dan Struktur Kristal Bahan Ferroelektrik BaSrTiO 3. Skripsi Jurusan Fisika FMIPA, Universitas Negri Malang, Malang. X. Zhu, at.al. 2003. Microstructure and Dielectric Prperties of Compositionally Graded (Ba 1- xsrc) TiO 3 Thin Film Prepared by Pulsed Laser Deposition. Journal of the Korean Physical Society. Vol. 76 255-229 Zawrah, M. F., El-Kheshen, A. A., Abd-El-All, H. 2009. Facile and Economic Synthesis of Silica Nanoparticles, Journal of Ovonic Reasearch, vol.5, No.5, 2009, pp.129-133 8