I. Tujuan Praktikum. Mampu menganalisa rangkaian sederhana transistor bipolar.

dokumen-dokumen yang mirip
Transistor Bipolar. III.1 Arus bias

Transistor Bipolar. oleh aswan hamonangan

Daerah Operasi Transistor

Prinsip kerja transistor adalah arus bias basis-emiter yang kecil mengatur besar arus kolektor-emiter.

TRANSISTOR Oleh : Agus Sudarmanto, M.Si Tadris Fisika Fakultas Tarbiyah IAIN Walisongo

TRANSISTOR 1. TK2092 Elektronika Dasar Semester Ganjil 2012/2013. Hanya dipergunakan untuk kepentingan pengajaran di lingkungan Politeknik Telkom

Dioda-dioda jenis lain

TRANSISTOR. Pengantar Teknik Elektronika Program Studi S1 Informatika Sekolah Tinggi Teknologi Telematika Telkom Purwokerto

Karakteristik Transistor. Rudi Susanto

MODUL 05 TRANSISTOR SEBAGAI PENGUAT

1. Perpotongan antara garis beban dan karakteristik dioda menggambarkan: A. Titik operasi dari sistem B. Karakteristik dioda dibias forward

Gambar 1 Tegangan bias pada transistor BJT jenis PNP

PERTEMUAN 9 RANGKAIAN BIAS TRANSISTOR (LANJUTAN)

Transistor Bipolar BJT Bipolar Junction Transistor

TRANSISTOR SEBAGAI SAKLAR DAN SUMBER ARUS

PERCOBAAN IV TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH

MODUL PRAKTIKUM RANGKAIAN ELEKTRONIKA DASAR

Bias dalam Transistor BJT

Materi 5: Bipolar Junction Transistor (BJT)

Elektronika (TKE 4012)

BAB VII ANALISA DC PADA TRANSISTOR

MODUL 06 PENGUAT DAYA PRAKTIKUM ELEKTRONIKA TA 2017/2018

LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR

Divais Elektronika TRANSISTOR

6.8 Daerah Saturasi ( Saturation Region ) CE

LAPORAN PRAKTIKUM ELKA ANALOG

Cutoff Region Short-Circuited Base Open-Circuited Base Cutin Voltage

Penguat Kelas A dengan Transistor BC337

I. Tujuan Praktikum. Mampu mengenali bentuk dan karakteristik LDR. Mampu membuat rangkaian pembagi tegangan

Materi 6: Transistor Fundamental

LAB SHEET ILMU BAHAN DAN PIRANTI

MODUL 04 TRANSISTOR PRAKTIKUM ELEKTRONIKA TA 2017/2018

KARAKTERISTIK TRANSISTOR

Pengertian Transistor fungsi, jenis, dan karakteristik

TUGAS AKHIR. Secara garis besar dari tugas-tugas yang telah dikerjakan dapat dibuat rangkuman sebagai berikut :

Multimeter. NAMA : Mulki Anaz Aliza NIM : Kelas : C2=2014. Dari Wikipedia bahasa Indonesia, ensiklopedia bebas. Lompat ke: navigasi, cari

Solusi Ujian 1 EL2005 Elektronika. Sabtu, 15 Maret 2014

PRAKATA. Diktat ini masih jauh dari sempurna, oleh karena itu saran serta kritik yang membangun akan penulis terima dengan sengan hati.

PANDUAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR LABORATORIUM FISIKA DASAR FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM UNIVERSITAS TANJUNGPURA PONTIANAK

MODUL PRAKTIKUM ELEKTRONIKA LABORATORIUM TEKNIK ELEKTRO JURUSAN TEKNIK ELEKTRO FAKULTAS TEKNIK UNIVERSITAS ISLAM KADIRI KEDIRI

BAB I HAMBATAN. Tujuan: 1. Menjelaskan komponen resistor 2. Menjelaskan komponen kapasitor 3. Menjelaskan komponen induktor

DIODA KHUSUS. Pertemuan V Program Studi S1 Informatika ST3 Telkom

BAB II LANDASAN TEORI. 2.1 Rangkaian Pembangkit Pulsa (Clock) Rangkaian ini berhubuhan dengan rangkaian Multivibrator.

BAB II LANDASAN TEORI

PANDUAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR LABORATORIUM FISIKA DASAR FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM UNIVERSITAS TANJUNGPURA PONTIANAK

BAB II LANDASAN TEORI

Praktikum Rangkaian Listrik & Bahan Semikonduktor. Rudi Susanto

Modul 3. Asisten : Catra Novendia Utama ( ) : Derina Adriani ( )

Praktikum Rangkaian Elektronika MODUL PRAKTIKUM RANGKAIAN ELEKRONIKA

GERBANG UNIVERSAL. I. Tujuan : I.1 Merangkai NAND Gate sebagai Universal Gate I.2 Membuktikan table kebenaran

BAB II Transistor Bipolar

KATA PENGANTAR. Surabaya, 13 Oktober Penulis

Pada transistor npn, seluruh polaritas arus dan tegangan merupakan kebalikan dari transistor pnp.

TRANSISTOR BIPOLAR. Oleh : Danny Kurnianto,S.T.,M.Eng. 1. IDE DASAR TRANSISTOR Gambaran ide dasar sebuah transistor dapat dilihat pada Gambar 1.

BAB IV PENGUJIAN DAN ANALISA

1 DC SWITCH 1.1 TUJUAN

MODUL PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR FAKULTAS KEGURUAN DAN ILMU PENDIDIKAN UNIVERSITAS SRIWIJAYA

Modul 05: Transistor

Penguat Kelas B Komplementer Tanpa Trafo Keluaran

BAB III. Perencanaan Alat

controlled rectifier), TRIAC dan DIAC. Pembaca dapat menyimak lebih jelas

Transistor Dwi Kutub. Laila Katriani.

OPERATIONAL AMPLIFIERS (OP-AMP)

BAB IV HASIL PERCOBAAN DAN ANALISIS

Dalam pengukuran dan perhitungannya logika 1 bernilai 4,59 volt. dan logika 0 bernilai 0 volt. Masing-masing logika telah berada pada output

LAPORAN PRAKTIKUM DASAR ELEKTRONIKA

MODUL 04 PENGENALAN TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH

MODUL I TEGANGAN KERJA DAN LOGIKA

SATUAN ACARA PERKULIAHAN

struktur dua dimensi kristal Silikon

ROBOT LINE FOLLOWER ANALOG

THYRISTOR. SCR, TRIAC dan DIAC. by aswan hamonangan

RESISTOR DAN HUKUM OHM

Pendahuluan. 1. Timer (IC NE 555)

SATUAN ACARA PERKULIAHAN UNIVERSITAS GUNADARMA

PERTEMUAN 1 ANALISI AC PADA TRANSISTOR

MODUL PRAKTEK RANGKAIAN ELEKTRONIKA

BAB IV PENGUJIAN ALAT

PANDUAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA LABORATORIUM FISIKA DASAR FAKULTAS MATEMATIKA DAN ILMU PENGETAHUAN ALAM UNIVERSITAS TANJUNGPURA PONTIANAK

KARAKTERISTIK TRANSISTOR. Risa Farrid Christianti

Fungsi Transistor dan Cara Mengukurnya

KEGIATAN BELAJAR 3 B. DASAR TEORI 1. MOSFET

KARAKTERISTIK DIODA, PENYEARAH DAN FILTER

Dioda Semikonduktor dan Rangkaiannya

Analisis AC pada transistor BJT. Oleh: Sri Supatmi,S.Kom

THYRISTOR & SILICON CONTROL RECTIFIER (SCR)

Mata kuliah Elektronika Analog L/O/G/O

Elektronika : Teori dan Penerapan. Herman Dwi Surjono, Ph.D.

Semikonduktor. Prinsip Dasar. oleh aswan hamonangan

Rangkaian Penguat Transistor

PENGERTIAN THYRISTOR

Mekatronika Modul 1 Transistor sebagai saklar (Saklar Elektronik)

PENGUAT EMITOR BERSAMA (COMMON EMITTER AMPLIFIER) ( Oleh : Sumarna, Lab-Elins Jurdik Fisika FMIPA UNY )

BAB II DASAR TEORI Gambar 2.1. Simbol Dioda.

RANGKAIAN ELEKTRONIKA

Pembahasan. Representasi Numeris Definisi Sistem Digital Rangkaian Elektronika Definisi Rangkaian Digital Kelebihan Sistem digital

Program Studi Teknik Mesin S1

BAB 2 LANDASAN TEORI

DIODE TRANSISTOR LOGIC (DTL)

DASAR PENGUKURAN LISTRIK

Transkripsi:

SRI SUPATMI,S.KOM

I. Tujuan Praktikum Mengetahui cara menentukan kaki-kaki transistor menggunakan Ohmmeter Mengetahui karakteristik transistor bipolar. Mampu merancang rangkaian sederhana menggunakan transistor bipolar. Mampu menganalisa rangkaian sederhana transistor bipolar.

II. Bahan Praktikum Transistor 2N3904 (Baca dan perhatikan sheet) data Resistor Projectboard Catu daya Multimeter

III. Ringkasan Teori Transistor adalah salah satu komponen elektronika aktif. Transistor dapat berfungsi sebagai penguat arus maupun tegangan. Di bawah ini adalah simbol transistor NPN dan PNP.

Kurva Basis Hubungan antara IB dan VBE tentu saja akan berupa kurva dioda. Karena memang telah diketahui bahwa junction base-emitor tidak lain adalah sebuah dioda. Jika hukum Ohm diterapkan pada loop base diketahui adalah : I B = (V BB - V BE ) / R B V BE adalah tegangan jepit dioda junction base-emitor. Arus hanya akan mengalir jika tegangan antara base-emitor lebih besar dari V BE. Sehingga arus I B mulai aktif mengalir pada saat nilai V BE tertentu.

Besar V BE umumnya tercantum di dalam data sheet. Tetapi untuk penyerdehanaan umumnya diketahui V BE = 0.7 Volt untuk transistor silikon dan V BE = 0.3 Volt untuk transistor germanium. Nilai ideal V BE = 0 Volt. Sampai disini akan sangat mudah mengetahui arus I B dan arus I C dari rangkaian berikut ini, jika diketahui besar b = 200. Katakanlah yang digunakan adalah transistor yang dibuat dari bahan silikon.

Contoh soal : I B = (V BB - V BE ) / R B = (2V - 0.7V) / 100 K = 13 ua Dengan b = 200, maka arus kolektor adalah : I C = bi B = 200 x 13uA = 2.6 ma

Kurva Kolektor Sekarang sudah diketahui konsep arus base dan arus kolektor. Satu hal lain yang menarik adalah bagaimana hubungan antara arus base I B, arus kolektor I C dan tegangan kolektoremiter V CE. Dengan mengunakan rangkaian-01, tegangan V BB dan V CC dapat diatur untuk memperoleh plot garis-garis kurva kolektor. Pada gambar berikut telah diplot beberapa kurva kolektor arus I C terhadap V CE dimana arus I B dibuat konstan.

Dari kurva ini terlihat ada beberapa region yang menunjukkan daerah kerja transistor. Pertama adalah daerah saturasi, lalu daerah cut-off, kemudian daerah aktif dan seterusnya daerah breakdown.

>> Daerah Aktif Daerah kerja transistor yang normal adalah pada daerah aktif, dimana arus I C konstans terhadap berapapun nilai V CE. Dari kurva ini diperlihatkan bahwa arus I C hanya tergantung dari besar arus I B. Daerah kerja ini biasa juga disebut daerah linear (linear region). Jika hukum Kirchhoff mengenai tegangan dan arus diterapkan pada loop kolektor (rangkaian CE), maka dapat diperoleh hubungan : V CE = V CC - I C R C Dapat dihitung dissipasi daya transistor adalah : P D = V CE.I C

Rumus di atas mengatakan jumlah dissipasi daya transistor adalah tegangan kolektor-emitor dikali jumlah arus yang melewatinya. Dissipasi daya ini berupa panas yang menyebabkan naiknya temperatur transistor. Umumnya untuk transistor power sangat perlu untuk mengetahui spesifikasi P D max. Spesifikasi ini menunjukkan temperatur kerja maksimum yang diperbolehkan agar transistor masih bekerja normal. Sebab jika transistor bekerja melebihi kapasitas daya P D max, maka transistor dapat rusak atau terbakar.

>> Daerah Saturasi Daerah saturasi adalah mulai dari V CE = 0 volt sampai kira-kira 0.7 volt (transistor silikon), yaitu akibat dari efek dioda kolektor-basis yang mana tegangan V CE belum mencukupi untuk dapat menyebabkan aliran elektron.

>> Daerah Cut-Off Jika kemudian tegangan V CC dinaikkan perlahan-lahan, sampai tegangan VCE tertentu tiba-tiba arus IC mulai konstan. Pada saat perubahan ini, daerah kerja transistor berada pada daerah cut-off yaitu dari keadaan saturasi (OFF) lalu menjadi aktif (ON). Perubahan ini dipakai pada system digital yang hanya mengenal angka biner 1 dan 0 yang tidak lain dapat direpresentasikan oleh status transistor OFF dan ON.

Misalkan pada rangkaian driver LED di atas, transistor yang digunakan adalah transistor dengan b = 50. Penyalaan LED diatur oleh sebuah gerbang logika (logic gate) dengan arus output high = 400 ua dan diketahui tegangan forward LED, V LED = 2.4 Volt. Lalu pertanyaannya adalah, berapakah seharusnya resistansi R L yang dipakai? I C = bi B = 50 x 400 ua = 20 ma Arus sebesar ini cukup untuk menyalakan LED pada saat transistor cut-off. Tegangan VCE pada saat cut-off idealnya = 0, dan aproksimasi ini sudah cukup untuk rangkaian ini. R L = (V CC - V LED - V CE ) / I C = (5-2.4-0)V / 20 ma = 2.6V / 20 ma = 130 Ohm

>> Daerah Breakdown Dari kurva kolektor, terlihat jika tegangan V CE lebih dari 40V, arus I C menanjak naik dengan cepat. Transistor pada daerah ini disebut berada pada daerah breakdown. Seharusnya transistor tidak boleh bekerja pada daerah ini, karena akan dapat merusak transistor tersebut. Untuk berbagai jenis transistor nilai tegangan V CE max yang diperbolehkan sebelum breakdown bervariasi. V CE max pada data sheet transistor selalu dicantumkan juga.

>> Alpha DC Perbandingan arus kolektor dengan arus emitter hampir sama, alpha dc sebagai definisi perbandingan kedua arus tersebut. >> Beta DC DC I I C E 1 Arus kolektor telah dihubungkan dengan arus emiter dengan menggunakan. Juga menghubungkan arus kolektor dengan arus basis dengan mendefnisikan beta DC transistor : DC I I C B

Hubungan antara αdc dan βdc Hukum kirchoff menyatakan : Dengan aljabar maka dapat disusun menjadi : DC 1 DC DC Transistor memiliki tiga buah kaki, yaitu basis, kolektor dan emitter. Ketiga kaki tersebut dapat ditentukan menggunakan Ohm meter.

IV. Tugas Pendahuluan 1. Jika suatu transistor adalah 250, berapakan nilai arus emiter! 2.Sebutkan cara mengenali urutan kaki-kaki transistor selain menggunakan Ohm meter? 3.Tentukan persamaan-persamaan untuk mendapatkan bentuk kurva kolektor transistor? 4.Simulasikanlah rangkaian berikut pada program multisim

V. Langkah Percobaan Sebelum melakukan percobaan tentukan terlebih dahulu kaki-kaki pada transistor yang akan digunakan,pastikan sudah diketahui dengan benar.

>> Karakteristik Transistor Bipolar 1. Susunlah rangkaian seperti gambar di bawah ini. Dengan ketentuan sebagai berikut

2. Ubah V CC : 0,0.3, 0.5, 0.8, 1, 2, 4, 6, 8, 10, 15, 20, 25, 30 volt. 3. Ukur besarnya V CE dan I C pada setiap perubahan V CC. 4. Catat data percobaan pada tabel di bawah ini. V CC V CE I C IC Vce : Arus yang melewati resistor (RC) menuju kaki kolektor : Tegangan antara kaki kolektor ke kaki emiter >> VI. Laporan Akhir Buatlah grafik kurva kolektor transistor dari data hasil percobaan di atas. Berikan Kesimpulan dari hasil percobaan di atas.