MODUL I Karakterisasi Divais Semiconduktor dengan Semiconductor Parameter Analyzer HP 4145B

dokumen-dokumen yang mirip
MODUL I Fabrikasi OLED dengan Teknik Laminasi

MODUL 04 TRANSISTOR PRAKTIKUM ELEKTRONIKA TA 2017/2018

SCOPE METER 700S PENGENALAN TOMBOL

Fungsi Transistor dan Cara Mengukurnya

PERCOBAAN IV TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH

PERCOBAAN 6 RANGKAIAN PENGUAT KLAS B PUSH-PULL

MODUL 05 TRANSISTOR SEBAGAI PENGUAT

Modul 05: Transistor

MODUL 04 PENGENALAN TRANSISTOR SEBAGAI SWITCH

PERCOBAAN 4 RANGKAIAN PENGUAT KLAS A COMMON EMITTER

PERCOBAAN 1 KURVA TRANSFER KARAKTERISTIK JFET

AVOMETER 1 Pengertian AVO Meter Avometer berasal dari kata AVO dan meter. A artinya ampere, untuk mengukur arus listrik. V artinya voltase, untuk

Percobaan 4 (versi A) Karakteristik dan Penguat FET Revisi 24 Maret 2014

MODUL 02 SIMULASI RANGKAIAN ELEKTRONIKA

Gambar 1 Tegangan bias pada transistor BJT jenis PNP

PERTEMUAN 12 ALAT UKUR MULTIMETER

Praktikum Rangkaian Elektronika MODUL PRAKTIKUM RANGKAIAN ELEKRONIKA

BAB IV PENGUJIAN DAN ANALISA

Multimeter. NAMA : Mulki Anaz Aliza NIM : Kelas : C2=2014. Dari Wikipedia bahasa Indonesia, ensiklopedia bebas. Lompat ke: navigasi, cari

TRANSISTOR Oleh : Agus Sudarmanto, M.Si Tadris Fisika Fakultas Tarbiyah IAIN Walisongo

Penguat Kelas B Komplementer Tanpa Trafo Keluaran

Pengukuran dengan Osiloskop dan Generator Sapu

PERANCANGAN DAN REALISASI BAB III PERANCANGAN DAN REALISASI

Transistor Efek Medan - Field Effect Transistor (FET)

PERCOBAAN 9 RANGKAIAN COMPARATOR OP-AMP

BAB III PERANCANGAN DAN PEMBUATAN PROTOTIPE KONVEYOR SORTIR

Diode) Blastica PAR LED. Par. tetapi bisa. hingga 3W per. jalan, tataa. High. dan White. Jauh lebih. kuat. Red. White. Blue. Yellow. Green.

PERCOBAAN 7 RANGKAIAN PENGUAT RESPONSE FREKUENSI RENDAH

Transistor Bipolar. III.1 Arus bias

LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR

PENGENALAN ALAT UKUR DAN KOMPONEN ELEKTRONIKA: OSCILOSCOP

PERTEMUAN 14 ALAT UKUR OSILOSKOP (LANJUTAN)

1 DC SWITCH 1.1 TUJUAN

BAB VII ANALISA DC PADA TRANSISTOR

Transistor Bipolar. oleh aswan hamonangan

DASAR PENGUKURAN LISTRIK

MODUL PRAKTIKUM INSTRUMENTASI KENDALI PENGENALAN NI ELVIS MEASUREMENT INSTRUMENT

PERANCANGAN DAN REALISASI ALAT PENJEJAK KURVA KARAKTERISTIK KOMPONEN SEMIKONDUKTOR

BAB IV PENGUJIAN DAN ANALISA. monitoring daya listrik terlihat pada Gambar 4.1 di bawah ini : Gambar 4.1 Rangkaian Iot Untuk Monitoring Daya Listrik

Prinsip kerja transistor adalah arus bias basis-emiter yang kecil mengatur besar arus kolektor-emiter.

Modul 3. Asisten : Catra Novendia Utama ( ) : Derina Adriani ( )

1. OSILOSKOP. Osiloskop adalah alat ukur yang dapat menunjukkan kepada anda 'bentuk' dari sinyal listrik dengan

BAB 4 ANALISIS DAN BAHASAN

MODUL PRAKTEK RANGKAIAN ELEKTRONIKA

Mata kuliah Elektronika Analog L/O/G/O

Transistor Bipolar BJT Bipolar Junction Transistor

PERCOBAAN I PENGAMATAN GENERATOR

MODUL PRAKTIKUM RANGKAIAN ELEKTRONIKA DASAR

Breadboard Breadboard digunakan untuk membuat dan menguji rangkaian-rangkaian elektronik secara cepat, sebelum finalisasi desain rangkaian dilakukan.

MODUL PRAKTIKUM PENGUKURAN BESARAN LISTRIK

Bias dalam Transistor BJT

KATA PENGANTAR. Surabaya, 13 Oktober Penulis

TRANSISTOR. Pengantar Teknik Elektronika Program Studi S1 Informatika Sekolah Tinggi Teknologi Telematika Telkom Purwokerto

Elektronika Daya ALMTDRS 2014

LAB SHEET ILMU BAHAN DAN PIRANTI

Pengenalan Komponen dan Teori Semikonduktor

PERCOBAAN 2 JFET SELF BIAS

BAB III PENGUKURAN UNJUK KERJA ELT RESCUE 99 DAN ELT ADT 406 AF/AP

REALIZATION OF FET TESTER BASED I-V CURVE CHARACTERIZATION LOG2112 LOGARITHMIC AMPLIFIER

DASAR MOTOR STEPPER. I. Pendahuluan.

MODUL 6 OSILOSKOP DAN FUNGSI GELOMBANG LISTRIK. frekuensi, amplitudo, dan beda fasa dari sinyal tegangan.

Pendahuluan. 1. Timer (IC NE 555)

PERCOBAAN 3 RANGKAIAN OP AMP

BAB II LANDASAN TEORI

BAB III METODOLOGI PENELITIAN. Adapun blok diagram modul baby incubator ditunjukkan pada Gambar 3.1.

MODUL PRAKTIKUM RANGKAIAN ELEKRONIKA BAGIAN I

TRANSISTOR 1. TK2092 Elektronika Dasar Semester Ganjil 2012/2013. Hanya dipergunakan untuk kepentingan pengajaran di lingkungan Politeknik Telkom

Q POWER ELECTRONIC LABORATORY EVERYTHING UNDER SWITCHED

BAB I PENDAHULUAN. Inverter adalah alat yang banyak digunakan dalam aplikasi elektronis. Alat ini

MODUL PRAKTIKUM MIKROPOSESOR & INTERFACING

SATUAN ACARA PERKULIAHAN (SAP)

I. Tujuan Praktikum. Mampu menganalisa rangkaian sederhana transistor bipolar.

BAB III PERANCANGAN SISTEM

MODUL I TEGANGAN KERJA DAN LOGIKA

SATUAN ACARA PERKULIAHAN

BAB I SEMIKONDUKTOR DAYA

BAB IV PENERAPAN DAN ANALISA

MODUL PRAKTIKUM PENGUKURAN BESARAN LISTRIK

Alat Ukur Karakteristik Kurva Bipolar Junction Transistor Berbasis Personal Computer

Pendahuluan. Prinsip Kerja Motor Stepper

Pengertian Transistor fungsi, jenis, dan karakteristik

PENGERTIAN THYRISTOR

SATUAN ACARA PERKULIAHAN UNIVERSITAS GUNADARMA

PERCOBAAN 2. MULTIPLEXER/DEMULTIPLEXER UNIT dan SWITCHING NETWORK UNIT

BAB IV PENGUJIAN DAN ANALISA

PERANCANGAN DAN REALISASI INVERTER MENGGUNAKAN MIKROKONTROLER ATMEGA168

BAB IV PENGUJIAN DAN ANALISA SISTEM

BAB IV PENGUJIAN DAN ANALISA

BAB IV PEMBAHASAN 4.1. Tujuan Pengukuran 4.2. Peralatan Pengukuran

Komponen Komponen elektronika DIODA Dioda Silikon Dan Germanium Dioda adalah komponen semiconductor yang paling sederhana, ia terdiri atas dua

PETUNJUK PELAKSANAAN PRAKTIKUM PRAKTIKUM TEKNIK TELEKOMUNIKASI 2 ET 2200

PERCOBAAN 2 MULTIFREQUENCY RECEIVER UNIT. Tabel 2.1. Kombinasi 2 Frekuensi pada Metode DTMF

Jobsheet Praktikum DECODER

Dioda-dioda jenis lain

PNPN DEVICES. Pertemuan Ke-15. OLEH : ALFITH, S.Pd, M.Pd

LAPORAN PRAKTIKUM ELKA ANALOG

CATU DAYA MENGGUNAKAN SEVEN SEGMENT

Petunjuk Pengunaan. IPMGEO Induced Polarization & Manual Geolisrik Resistivity Meter

BAB III PERANCANGAN ALAT

MODUL PRAKTIKUM PENGUKURAN BESARAN LISTRIK

Transkripsi:

MODUL I Karakterisasi Divais Semiconduktor dengan Semiconductor Parameter Analyzer HP 4145B A. Tujuan 1. Mengetahui cara mengkarakterisasi divais semikonduktor 2. Mempelajari cara pengoperasian SPA HP 4145B 3. Mengevaluasi karakteristik I-V divais semikonduktor B. Dasar Teori Setelah sebuah divais berhasil difabrikasi, langkah selanjutnya adalah melakukan karakterisasi. Karakterisasi ini diperlukan untuk memastikan apakah divais yang difabrikasi memiliki karakteristik seperti yang diinginkan. Karakterisasi juga dilakukan untuk memeriksa karakteristik divais dengan struktur baru yang karakteristiknya sama sekali belum diketahui. Diantara perangkat yang digunakan untuk karakterisasi divais semikonductor adalah Semiconductor Parameter Analyzer 4145B dari Hewlett-Packard (1986-1994). SPA 4145B merupakan intrumen yang memiliki performa tinggi dan dapat digunakan untuk mengukur, menganalisa, dan menampilkan secara grafis karakteristik DC dari berbagai divais semikonduktor seperti diode, BJT, FET, IC, dan divais lainnya. Aplikasi utama dari HP 4145B ini meliputi evaluasi divais baru, pemilihan komponen untuk disain rangkaian, inspeksi input/output, pengendalian proses semikonduktor, quality control dan untuk menjamin kualitas divais yang dibuat. Tampilan pada SPA ini sepenuhnya grafis sehingga mudah untuk digunakan mulai dari hasil pengukuran, setup pengukuran, pesan error dan analisa data. Hasil pengujian dapat ditampilkan dalam salah satu dari empat mode, grafik, list, matriks dan schmoo. HP 4145B dilengkapi dengan 4 SMU (Source Monitor Unit). Setiap saluran SMU memiliki tiga mode operasi, yaitu voltage source/current monitor (V), current source/voltage monitor (I), dan common (COM). Sumber tegangan dan sumber arus dapat dibuat konstan atau berubah-ubah. Perubahan sumber tegangan dan arus dapat dibuat linear atau logarimik. Setiap SMU dapat diatur baik sebagai sumber tegangan atau arus.

HP 4145B ini dilengkapi dengan media untuk disket menyimpan sistem operasi, setup pengukuran dan hasil pengukuran. Fitur-fitur yang dimiliki SPA 4145B antara lain: - Fully automatic, dapat mengkarakterisasi sifat dc divais semikonduktor dengan cepat. - Memiliki resolusi pengukuran yang tinggi, dapat mengukur arus dan tegangan untuk rentang I: 1pA - 100mA, V: 1mV - 100V - Fungsi analisis grafik yang fleksibel untuk mengekstrak parameter yang diinginkan secara cepat. - Dilengkapi dengan disket untuk menyimpan 240 program atau 105 hasil pengukuran. - Dilengkapi dengan 4 SMU (Source Monitor Unit), masing-masing dapat digunakan sebagai sumber tengangan/monitor arus atau sebagai sumber arus/ monitor tegangan. SMU ini memiliki range mulai dari: V: ± 1 mvdc sampai ± 100 Vdc I: ± 1 padc to ± 100 madc (resolusi ±50 fa pada mode pengukuran arus) - Memiliki akurasi pengukuran sbb: V: ±1.15% sampai ± (0.15%+40mV) I: ±1.4% sampai ± 1.8% - Memiliki kecepatan pengukuran sampai 180 pengukuran per detik Tampilan SPA 4145B

C. Peralatan Praktikum 1. Semiconductor Parameter Analyzer HP 4145B 2. Digital microscope 3. Micro Probe station 4. Pinset 5. Divais semikonduktor (Transistor, diode dll) 6. Perangkat computer 7. Software pengambil data pengukuran D. Rangkaian Percobaan Koneksi antara SPA, Micro Probe Station, dan PC E. Prosedur Percobaan 1. Aktifkan SPA 4145B dan PC yang akan digunakan; 2. Aktifkan program Agilent Capture Picture; 3. Periksa hubungan antara SMU dan konfigurasi channel; 4. Letakkan divais yang akan diukur pada Micro Probe Station dan kemudian letakkan probe sesuai dengan variabel dan channel dari SMU yang digunakan; 5. Pastikan divais semikondutor yang akan diukur sudah terpasang dengan baik dan benar; 6. Tentukan variabel yang akan diukur (V BE, I BE, V C, I C, V step, max dan min, dll); 7. Tentukan variabel pengkuran yang akan digunakan dalam grafik; 8. Lakukan pengukuran dengan menekan tombol single;

9. Amati dan catat besaran pengukuran dengan menggunakan kursor yang telah disediakan; 10. Ambil gambar grafik yang terdapat pada SPA4145B dengan menggunakan software Agilent Capture Picture. F. Tugas 1. Cari kurva karakteristik divais yang akan diukur dari website. 2. Amati dan gambar hasil pengukuran secara grafis. 3. Catat hasil pengukuran dengan melihat data dari mode tampilan list. 4. Analisa perbedaan yang terjadi pada hasil pengukuran dan dari datasheet; 5. Ulangi praktikum untuk divais semikonduktor yang berbeda.

MODUL 2 Karakterisasi BJT dan FET dengan Tektronix Curve Tracer 576 A. Tujuan 1. Mengetahui cara mengkarakterisasi divais semikonduktor 2. Mempelajari cara pengoperasian Curve Tracer 576 untuk mengkarakterisasi divais semikonduktor 3. Mengevaluasi karakteristik I-V BJT dan FET. B. Dasar Teori Semiconductor Parameter Analyzer sebagaimana dijelaskan pada Modul 1 umumnya digunakan untuk mengkarakterisasi divais semikonduktor sebelum divias memiliki kaki (terminal). Setelah divais semikonduktor diberikan kaki terminal, proses karakterisasi dapat dilakukan dengan menggunakan Curve Tracer 576 dari Tektronix. Curve Tracer merupakan alat uji divais semikonduktor yang bersifat dinamis yang memungkinkan untuk menguji kurva karakteristik dari divais berkaki dua atau tiga termasuk di dalamnya diode, bipolar transistor, dan JFET, MOSFET dll. Dengan menggunakan Curve Tracer, transistor-transistor dapat diuji dalam beberapa mode operasi seperti common emitter dan common base. Selain tegangan DC, Curve Tracer 576 juga memiliki sumber AC yang dapat digunakan untuk mencatu kolektor. Curve tracer juga dilengkapi dengan step generator untuk arus dan tegangan.

Tampilan Curve Tracer 576 Oscilloscope Controls

Test Fixture dan Terminal Selector Switch Step Generator Controls

Collector Supply C. Peralatan Praktikum 1. Tektronix Curve Tracer 576 2. Laptop dengan wifi 3. Divais semikonduktor (BTJ, FET, dll) D. Prosedur Percobaan 1. Hubungkan terminal divais (BJT/FET) ke terminal yang sesuai pada Standard Test Fixture 2. Pasang kabel power Curve Tracer 576 ke jaringan listrik 3. Biarkan Curve Tracer siap dalam beberapa menit. 4. Atur Curve Tracer dan panel kendali Standard Test Fixture sebagai berikut VERTICAL 1mA DISPLAY OFFSET NORM (OFF) CENTERLINE VALUE 0 HORIZONTAL 2V COLLECTOR Vertical POSITION Centered Vertical FINE POSITION Centered Horizontal POSITION Centered Horizontal FINE POSITION Centered

ZERO CAL DISPLAY INVERT ΜΑΧ PEAK VOLTS 15 PEAK POWER WATTS 0.5 VARIABLE COLLECTOR SUPPLY Fully Counterclockwise POLARITY +NPN MODE NORM NUMBER OF STEPS 5 CURRENT LIMIT 20 ma AMPLITUDE (IB/Step) 10 μα OFFSET ZERO STEPS Pressed PULSED STEPS STEP FAMILY REP ON RATE NORM POLARITY INVERT STEP MULT.1 x Terminal Selector BASE TERM STEP GEN (EMITTER GROUNDED) LEFT-OFF-RIGHT OFF 5. Pindahkan LEFT-OFF-RIGHT switch ke RIGHT dan putar VARIABLE COLLECTOR SUPPLY control searah jarum jam. Atur NUMBER OF STEPS, AMPLITUDE (IB/STEP), VERTICAL dan HORIZONTAL jika perlu. E. Tugas 1. Cari kurva karakteristik divais yang akan diukur dari website. 2. Amati dan gambar hasil pengukuran. 3. Ulangi praktikum untuk divais semikonduktor yang berbeda.