B a b. Pembiasan BJT. = β..(4.3)

dokumen-dokumen yang mirip
Transistor Bipolar BJT Bipolar Junction Transistor

Bias dalam Transistor BJT

Solusi Ujian 1 EL2005 Elektronika. Sabtu, 15 Maret 2014

B a b. Bipolar Junction Transistor

Rangkaian Penguat Transistor

Penguat Emiter Sekutu

KARAKTERISTIK TRANSISTOR. Risa Farrid Christianti

TEGANGAN PANJAR TRANSISTOR

BAB VII ANALISA DC PADA TRANSISTOR

PERTEMUAN 1 ANALISI AC PADA TRANSISTOR

MODUL 05 TRANSISTOR SEBAGAI PENGUAT

EL2005 Elektronika PR#02

6.8 Daerah Saturasi ( Saturation Region ) CE

Cutoff Region Short-Circuited Base Open-Circuited Base Cutin Voltage

Materi 6: Transistor Fundamental

MODUL 06 PENGUAT DAYA PRAKTIKUM ELEKTRONIKA TA 2017/2018

Transistor Fundamentals

Modul 05: Transistor

TRANSISTOR SEBAGAI SAKLAR DAN SUMBER ARUS

[LAPORAN PENGUAT DAYA KELAS A] BAB I PENDAHULUAN

Catatan Tambahan: Analisis Penguat CE, CB, dan CC dengan resistansi Internal transistor yang tidak bisa diabaikan (nilai r o finite)

Struktur Fisik Bipolar Junction Transistor (BJT)

Modul Elektronika 2017

Penguat Kelas A dengan Transistor BC337

RISA FARRID CHRISTIANTI, S.T.,M.T.

MODUL 04 TRANSISTOR PRAKTIKUM ELEKTRONIKA TA 2017/2018

VOLTAGE PROTECTOR. SUTONO, MOCHAMAD FAJAR WICAKSONO Program Studi Teknik Komputer, Fakultas Teknik dan Ilmu Komputer Universitas Komputer Indonesia

Prinsip kerja transistor adalah arus bias basis-emiter yang kecil mengatur besar arus kolektor-emiter.

PERCOBAAN 7 RANGKAIAN PENGUAT RESPONSE FREKUENSI RENDAH

MODUL 07 PENGUAT DAYA

RANGKAIAN-RANGKAIAN PRATEGANGAN TRANSISTOR. Oleh : Danny Kurnianto,S.T.,M.Eng

Penguat Kelas B Komplementer Tanpa Trafo Keluaran

EL2005 Elektronika PR#03

1. Perpotongan antara garis beban dan karakteristik dioda menggambarkan: A. Titik operasi dari sistem B. Karakteristik dioda dibias forward

Elektronika : Teori dan Penerapan. Herman Dwi Surjono, Ph.D.

Elektronika. Pertemuan 8

KOMPONEN-KOMPONEN ELEKTRONIKA

KAJIAN SISTEM ALARM PEKA CAHAYA MENGGUNAKAN TRANSISTOR dan Op-Amp 741

Instruksi Pengerjaan Tugas

KATA PENGANTAR. Surabaya, 13 Oktober Penulis

PENGUAT-PENGUAT EMITER SEKUTU

TRANSISTOR Oleh : Agus Sudarmanto, M.Si Tadris Fisika Fakultas Tarbiyah IAIN Walisongo

Dalam pengukuran dan perhitungannya logika 1 bernilai 4,59 volt. dan logika 0 bernilai 0 volt. Masing-masing logika telah berada pada output

MODUL II MERANCANG PENGUAT COMMON EMITTER SATU TINGKAT

KARAKTERISTIK TRANSISTOR

Materi 5: Bipolar Junction Transistor (BJT)

Transistor Bipolar. III.1 Arus bias

PERCOBAAN 4 RANGKAIAN PENGUAT KLAS A COMMON EMITTER

Percobaan 3 Rangkaian OPAMP

PERTEMUAN 9 RANGKAIAN BIAS TRANSISTOR (LANJUTAN)

Gambar 2.1. Rangkaian Komutasi Alami.

Transistor Bipolar. oleh aswan hamonangan

TEKNIK MESIN STT-MANDALA BANDUNG DASAR ELEKTRONIKA (1)

Transistor Dwi Kutub. Laila Katriani.

GARIS-GARIS BESAR PROGRAM PENGAJARAN PROGRAM STUDI : S1 SISTEM KOMPUTER Semester : 2

PERCOBAAN 6 RANGKAIAN PENGUAT KLAS B PUSH-PULL

Solusi Pekerjaan Rumah #2 Pemodelan Dioda EL2005 Elektronika Sem

BAB VF, Penguat Daya BAB VF PENGUAT DAYA

BAB III METODE PENELITIAN

hubungan frekuensi sumber tegangan persegi dengan konstanta waktu ( RC )?

MODUL ELEKTRONIKA DASAR

BAB II Transistor Bipolar

OPERASIONAL AMPLIFIER (OP-AMP) Oleh : Sri Supatmi

Materi. Pengenalan elektronika Dasar. Pertemuan ke II. By: Khairil Anwar, ST.,M.Kom. Create: Khairil Anwar, ST., M.Kom

BAB IV HASIL PERCOBAAN DAN ANALISIS

Teknik-teknik Analisis Rangkaian

PENGUAT EMITOR BERSAMA (COMMON EMITTER AMPLIFIER) ( Oleh : Sumarna, Lab-Elins Jurdik Fisika FMIPA UNY )

MODUL PRAKTIKUM RANGKAIAN ELEKTRONIKA DASAR

Percobaan 4 (versi A) Karakteristik dan Penguat FET Revisi 24 Maret 2014

BAB IX. FET (Transistor Efek Medan) dan UJT (Uni Junction Transistor)

LAB SHEET ILMU BAHAN DAN PIRANTI

BAB II TINJAUAN TEORITIS

BAB II TINJAUAN TEORITIS

UJIAN TENGAH SEMESTER

Karakteristik Transistor. Rudi Susanto

PENGUAT FREKUENSI RENDAH

RANCANGAN SENSOR ARUS PADA PENGISIAN BATERAI DARI PANEL SURYA

LAPORAN PRAKTIKUM SISTEM TELEKOMUNIKASI ANALOG PERCOBAAN OSILATOR. Disusun Oleh : Kelompok 2 DWI EDDY SANTOSA NIM

SATUAN ACARA PERKULIAHAN UNIVERSITAS GUNADARMA

I. Penguat Emittor Ditanahkan. II. Tujuan

Modul 04: Op-Amp. Penguat Inverting, Non-Inverting, dan Comparator dengan Histeresis. 1 Alat dan Komponen. 2 Teori Singkat

Elektronika Lanjut. Herman Dwi Surjono, Ph.D.

BAB III PERANCANGAN. Microcontroller Arduino Uno. Power Supply. Gambar 3.1 Blok Rangkaian Lampu LED Otomatis

Mata kuliah Elektronika Analog L/O/G/O

III. METODE PENELITIAN. Pelaksanaan tugas akhir ini dilakukan di Laboratorium Terpadu Jurusan Teknik Elektro

GERBANG LOGIKA LANJUTAN

Elektronika Analog. Herman Dwi Surjono, Ph.D.

BAB IV PEMBAHASAN ALAT

Dioda-dioda jenis lain

RANGKAIAN SETARA (EKIVALEN), RESISTOR

Laporan Praktikum Analisa Sistem Instrumentasi Rectifier & Voltage Regulator

BAB IV PENGUJIAN ALAT DAN ANALISA HASIL PENGUJIAN

BAB III PERANCANGAN DAN REALISASI. Blok diagram carrier recovery dengan metode costas loop yang

RANGKAIAN AC SERI DAN PARALEL

BAB II LANDASAN TEORI

I. Tujuan Praktikum. Mampu menganalisa rangkaian sederhana transistor bipolar.

PENGUAT OPERASIONAL AMPLIFIER (OP-AMP) Laporan Praktikum

SATUAN ACARA PERKULIAHAN

Mekatronika Modul 1 Transistor sebagai saklar (Saklar Elektronik)

LAPORAN PRAKTIKUM ELEKTRONIKA DASAR

Transkripsi:

Pembiasan JT a b 4 Pembiasan JT A nalisa dari rangkaian elektronik mempunyai dua komponen, yaitu analisa dc dan analisa ac. Analisa ac meliputi penguatan tegangan dan arus, serta impedansi inlut dan output. Sedang analisa dc digunakan untuk menetapkan titik operasi dari transistor dengan jalan mengatur besarnya arus dan tegangannya. Dalam pembahasan ini, ada beberapa hal yang harus diperhatikan, yaitu: = 0.7..(4.1) ( β ) = 1.(4.2) = β..(4.3) Ada tiga titik operasi (daerah kerja) pada transistor yang dapat dipilih dalam perancangan, yaitu : Daerah Aktif Daerah Saturasi Daerah utoff

Pembiasan JT 4.1 ANGKAAN FXD AS angkaian ini merupakn betuk konfigurasi pembiasan yang paling sederhana untuk memulai analisa rangkaian transistor. Konfigurasinya dapat dilihat pada gambar berikut ini. Gambar 4.1 angkaian Fixed ias Sebelum memulasi analisa dc, rangkaian harus dibuat dalam model dcnya terlebih dahulu dengan melepaskan semua kapasitor seperti gambar berikut. cc cc Gambar 4.2 Model kivalen dc untuk Gambar 4.1

Pembiasan JT 4.1.1 Forward ias pada asis miter Perhatikan gambar berikut. cc Gambar 4.3 Loop asis miter Dengan menerapkan KL pada loop basis emitter, diperoleh = 0 = (4.4) Karena dan bernilai tetap, arus basis dapat diatur dengan memilih nilai untuk operasi yang diinginkan.

Pembiasan JT 4.1.2 Loop Kolektor miter Analisa loop kolektor emitter dapat dilihat pada gambar berikut. KL cc Gambar 4.4 Loop Kolektor miter Nilai arus pada kolektor berhubungan dengan, dimana = β (4.5) =.(4.6) Karena = 0, maka = (4.7)

Pembiasan JT ontoh 4.1 Hitunglah nilainilai berikut untuk gambar 4.5 a. dan b. c. dan d. β = 50 Gambar 4.5 ontoh angkaian Fixed ias Jawab : 12 0.7 a. = = = 47.8μA 240kΩ ( 50 )( 47.08 A) = 23. ma = β = μ 5 b. = = 12 ( 23.5mA)( 2.2kΩ) = 6. 83 c. = = 0. 7 d. = = 6. 83 e. = = 0.7 6.83 = 6. 13

Pembiasan JT 4.13 Tingkat Saturasi Transistor Pada operasi transistor, daerah sturasi adalah daerah dimana arus kolektor bernilai maximum. Secara normal kondisi saturasi adalah kondisi yang dihindari karena akan berakibat sinyal output terdistorsi. Dalam keadaan saturasi, terminal kolektor dan basis seperti terhubung singkat seperti gambar berikut. cc = = 0 Karena = 0, maka Gambar 4.6 Transistor dalam Daerah Saturasi = 0 = sat = sat =..(4.11)

Pembiasan JT 4.2 FXD AS DNGAN TAHANAN MT Konfigurasi rangkaian ini adalah merupakan modifikasidari rangkaian fixed bias dengan maksud untuk memperoleh stabilitas yang lebih baik. Gambar 4.7 Fixed ias dengan 4.2.1 Loop ase miter Setelah rangkaian pada gambar 4.7 dibuat dalam model dc, selanjutnya kita dapat menerapkan KL pada loop basis emitter, sehingga diperoleh persamaan berikut. = 0 (4.12) Dimana ( ) = β 1 (4.13)

Pembiasan JT Gambar 4.8 Loop Dengan subtitusi, ( 1 ) = 0 β = ( β 1).(4.14) 4.2.2 Loop Kolektor mitter Model ekivalen dc pd loop kolektor emitter dapat digambarkan sebagai berikut

Pembiasan JT KL cc Gambar 4.9 Model kivalen dc pada Loop Dengan menerapkan KL pada loop ini, maka diperoleh persamaan berikut ( ) = (4.15) Tegangan antara emitter dengan ground ( ) adalah = =...(4.16) Tegangan kolektor dengan ground ( ) adalah =...(4.17) Tegangan antara basis dan ground adalah =..(4.18) Kerjakan latihan berikut dengan PSP lalu bandingkan dengan hasil perhitungan anda! Untuk rangkaian pada gambar 4.10, tentukan nilainilai berikut,,,,,,.

Pembiasan JT β = 50 Gambar 4.10 ontoh angkaian Fixed ias dengan 4.2.3 Tingkat Saturasi Tingkat saturasi atau arus kolektor yang maximum pada konfigurasi ini dapat diketahui dengan melakukan pendekatan yang sama seperti pada bagian sebelumnya, yaitu dengan menghubung singkat terminal kolektor dengan emitter, seperti pada gambar berikut. cc sat = 0 Gambar 4.11 Transistor dalam Keadaan Saturasi

Pembiasan JT Dari keterangan dan gambar diatas dapat kita simpulkan sat = (4.19) 4.3 AS PMAG TGANGAN Dari pembahasan sebelumnya diketahui bahwa arus bias dan tegangan merupakan fungsi dari penguatan arus (β) dari transistor. Namun demikian, β sangant sensitive terhadap perubahan suhu. Untuk itu dikembangkan rangkaian bias yang lebih independent terhadap β, yaitu bias pembagi tegangan dengan konfigurasinya sebagai berikut. Gambar 4.12 ias Pembagi Tegangan Untuk analisa dc, bagian input dapat digambarkan kembali seperti gambar 4.13. angkaian ekivalen Thevenin dapat digunakan untuk menganalisa bagian ini

Pembiasan JT Gambar 4.13 agian nput dari angkaian ias Pembagi Tegangan TH diperoleh dengan mematikan mematikan sumber tegangan, sehingga diperoleh TH = 1 // 2.(4.20) TH = 2 TH 2 =...(4.21) 1 2 Selanjutnya, bagian input dapat digambarkan kembali seperti berikut Gambar 4.14 Penggunaan angkaian kivalen Thevenin

Pembiasan JT Langkah berikutnya adalah menerapkan KL pada loop basis emitter dan loop kolektor emitter sehingga diperoleh persamaan berikut = TH TH ( β 1).(4.22) = ( ) (4.23) Kerjakan latihan berikut lalu bandingkan hasilnya dengan PSP. Tentukan tegangan bias dan arus untuk rangkaian berikut β = 140 Gambar 4.15 ontoh angkaian ias Pembagi Tegangan Tingkat saturasi transistor dirumuskan sebagai berikut sat = (4.24)

Pembiasan JT 4.4 AS D DNGAN TGANGAN UMPAN ALK Konfigurasi rangkaian pembiasan ini dapat digambarkan sebagai berikut. Gambar 4.16 ias dc dengan Tegangan Umpan alik Dengan menerapkan KL pada semua loop akan diperoleh persamaanpersamaan berikut = β ( ) (4.25) = ( ) (4.26) 4.5 ANGKAAN AS YANG LAN Dalam rangkaian elektronika terdapat berbagai variasi lain dari pembiasan transistor yang tentunya disesuaikan dengan kebutuhan, namun demikian karakteristik arus dan tegangannya dapat diketahui dengan cara yang sama. erikut adalah contoh rangkaian bias transistor yang lain

Pembiasan JT 1.2 kω 10 µf i 2 1 10 µf β = 45 o 100 kω 1 2 = 9 i 10 µf 10 µf 1.2 kω 2.4 kω o 4 10 Gambar 4.17 ontoh Konfigurasi Pembiasan yang lain